CN100999811B - 掩模、成膜方法、发光装置以及电子设备 - Google Patents

掩模、成膜方法、发光装置以及电子设备 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种在能够以出色的尺寸精度形成如阴极那样的线状体的气相成膜法中所采用的掩模、使用该掩模形成线状体的成膜方法、具备通过该成膜方法而形成的线状体且特性高的发光装置以及电子设备。掩模(40)将一面侧固定于基板，从另一面侧通过气相工艺供给膜材料，在基板的表面形成大致平行并设的多个线状体，其中，包括：具有与所述线状体的图案对应的多个开口部(42)的掩模主体(41)；和按照横断开口部(42)的方式设置且具有防止因自重导致的掩模主体(41)变形的功能的加强梁(44)，该加强梁(44)在开口部(42)的厚度方向上，被设置成偏向所述另一面侧。

Description

掩模、成膜方法、发光装置以及电子设备
技术领域
本发明涉及掩模、成膜方法、发光装置以及电子设备。
背景技术
有机EL元件构成为在阴极和阳极之间夹持有有机半导体层，该有机半导体层具有至少含有荧光性有机化合物(发光材料)的发光层，所述有机EL元件是一种通过将电子以及空穴(hole)注入到该发光层并复合，产生激子(exciton)，利用该激子失活之际发出的光(荧光、磷光)来发光的元件。
该有机EL元件具有下述等特征，即能够以10V以下的低电压，实现100～100000cd/m2程度的高亮度面发光，而且，通过选择发光材料的种类，能够发出从蓝光到红色的光，作为廉价、能够实现大面积全色显示的显示装置(发光装置)所具备的元件而备受瞩目。
作为这种发光装置，提出有一种例如专利文献1所公开的无源矩阵型的发光装置。在该无源矩阵型的发光装置中，多个直线状的阳极和阴极按照相互交叉成矩阵状的方式被对向配置，与这些电极彼此交叉的位置对应地在电极彼此之间分别独立地设置有有机半导体层。而且，通过分别对相互交叉的电极之间的ON/OFF进行控制，使单独设置的有机半导体层独立发光，由此，实现了全色显示。
这里，在这样的发光装置中，一般按照阳极、有机半导体层以及阴极的顺序将这些部件层叠于基板上，通过于形成阴极之前在基板上设置的绝缘性隔壁部进行限制，形成直线状的阴极。
可是，该隔壁部主要由感光性树脂材料构成，通过形成该隔壁部之际所采用的光刻法等，以含有水分等的状态形成。因此，有机半导体层因该水分等会随着时间的推移发生变质、劣化，存在着有机EL元件的发光效率等特性降低的问题。
作为解决这种问题的方法，有一种省略前述隔壁部的形成，利用具有与直线状的阴极形状对应的开口部的荫罩(shadow mask)(下面简单称作“掩模”)，通过如真空蒸镀法那样的气相成膜法形成阴极的方法。
可是，在形成具备与阴极形状对应的开口部的掩模时，因为掩模基材的钢性降低，会在开口部产生挠曲或形变。因此，采用这样的掩模而形成的阴极，其形状与开口部同样，具有挠曲或形变。结果，目前的情况是在发光装置所具备的各有机EL元件的发光效率等特性中，会产生偏差。
这种问题，例如在采用气相成膜法一并形成大致平行并设的多根窄幅金属布线的情况下，也同样会发生。
专利文献1：特开平8-315981号公报
发明内容
本发明的目的在于，例如提供在能够以出色的尺寸精度形成如阴极那样的线状体的气相成膜法中所采用的掩模、使用该掩模形成线状体的成膜方法、具备通过该成膜方法而形成的线状体且特性高的发光装置以及电子设备。
这样的目的可以通过下述的本发明而达到。
本发明的掩模，用于将一面侧固定于基板，从另一面侧通过气相工艺供给膜材料，在所述基板的表面形成大致平行并设的多个线状体，
包括：具有与所述线状体的图案对应的多个开口部的掩模主体；和按照横断所述开口部的方式设置且具有防止因自重导致的所述掩模主体的变形的功能的加强梁，
所述加强梁在所述开口部的厚度方向上，被设置成偏向所述另一面侧。
由此，例如可以实现在能够以出色的尺寸精度形成如阴极那样的线状体的气相成膜法中所采用的掩模。
在本发明的掩模中，优选所述掩模主体与所述加强梁一体形成。
由此，不仅能够一并形成掩模主体和加强梁，而且，可以形成尺寸精度出色的掩模。即，不仅可以实现形成掩模时的制造工序的削减，还能够可靠地得到尺寸进度出色的掩模。
本发明的掩模，优选主要由硅构成。
由此，能够比较容易地形成掩模。
本发明的掩模，优选在所述一个面形成有金属层。
根据该构成的掩模，在将掩模安装于基板之际，可以通过向掩模与基板之间施加磁场，来实现掩模向基板的密接性的提高。由此，能够可靠地防止因掩模主体的自重而在掩模与基板之间形成空间(间隙)的情况。
在本发明的掩模中，所述金属层优选采用无电解镀敷法而形成。
根据该无电解镀敷法，能够比较容易地在掩模主体上形成膜厚均匀的金属层。
在本发明的掩模中，所述金属层优选以钴、铁以及镍中的至少一种为主要材料而形成。
通过由上述材料构成金属层，能够密接性良好地将掩模安装(附着于)基板。而且，通过无电解镀敷法，可以比较容易地形成膜厚均匀的金属层。
在本发明的掩模中，所述加强梁优选沿着所述开口部的长度方向以大致相等的间隔设置有多个。
由此，由于隔壁部的强度沿着其长度方向以均匀的大小增大，所以，能够可靠地防止在隔壁部的各部分中产生挠曲或形变的情况。
在本发明的掩模中，所述开口部优选在其长度方向的中途具有宽度增大的扩宽部，在该扩宽部设置有所述加强梁。
由此，在所形成的线状体中，不仅能够可靠地防止断线的产生，而且可以实现其膜厚的均匀化。
在本发明的掩模中，所述加强梁优选其宽度从一面侧朝向另一面侧大致一定。
由此，在所形成的线状体中，能够防止断线的产生。
在本发明的掩模中，所述加强梁优选具有其宽度从一面侧朝向另一面侧渐增的部分。
由此，在所形成的线状体中，不仅能够可靠地防止断线的产生，而且，可以实现其膜厚的均匀化。
本发明的成膜方法包括下述工序：
将本发明的掩模，安装到与提供所述膜材料的膜材料供给源对置且由设置成可以旋转的基板保持器保持的所述基板上；和
在所述膜材料供给源与所述基板的距离为最大的第一位置、和相对所述第一位置以所述基板保持器的旋转中心为中心的点对称的第二位置之间，使所述基板至少变位一次，来使从所述膜材料供给源供给的所述膜材料通过所述开口部而形成所述线状体；其中，
在将所述基板保持器的旋转中心的轴与所述膜材料供给源的中心轴的分离距离设为A[cm]，将所述掩模与所述膜材料供给源的开口部的分离距离设为B[cm]，将所述加强梁的沿着所述开口部的长度方向的最大长度设为p[μm]，并将所述基板与所述加强梁的分离距离设为r[μm]时，设定成满足p/r＜2A/B的关系。
通过满足该关系，膜材料可以更加可靠地蔓延过加强梁，由此，能够进一步可靠地在基板的表面形成没有断线的线状体。
在本发明的成膜方法中，所述基板在所述第一位置与所述第二位置之间的变位，优选通过使所述基板保持器旋转来进行。
由此，通过在第一位置与第二位置之间至少进行一次变位，能够更可靠地在基板表面形成没有断线的线状体。
在本发明的成膜方法中，所述基板的旋转优选连续或间歇性地进行。
由此，使其在第一位置与第二位置之间至少变位一次，能够更可靠地在基板的表面形成没有断线的线状体。
本发明的发光装置，其特征在于，具备采用本发明的成膜方法而形成的线状体。
由此，可以实现具备没有断线的线状体的发光装置。
在本发明的发光装置中，所述线状体优选是阴极。
由此，可以实现具备没有断线的阴极的发光装置。
本发明的电子设备，其特征在于，具备本发明的发光装置。
由此，可以得到可靠性高的电子设备。
附图说明
图1是表示本发明的掩模的第一实施方式的立体图。
图2是表示开口部的其他构成的俯视图。
图3是表示加强梁的其他构成的纵剖视图。
图4是表示图1所示的掩模的形成方法的纵剖视图。
图5是表示图1所示的掩模的形成方法的纵剖视图。
图6是表示本发明的掩模的第二实施方式的立体图。
图7是表示采用本发明的掩模并通过气相成膜法形成线状体的成膜方法的图。
图8是表示应用了本发明的发光装置的无源矩阵型显示装置的一个例子的纵剖视图。
图9是表示应用了本发明的发光装置的无源矩阵型显示装置的一个例子的立体图。
图10是表示应用了本发明的电子设备的移动式(或者笔记本型)个人计算机的构成的立体图。
图11是表示应用了本发明的电子设备的移动电话机(还包括PHS)的构成的立体图。
图12是表示应用了本发明的电子设备的数码相机的构成的立体图。
图中：31、71-控制机构，40-掩模，41-掩模主体，42-开口部，43-隔壁部，44-加强梁，45-扩宽部，46-掩模定位标记，47-金属层，50-掩模基材，50a、50b-面，51-耐干蚀刻膜，52-抗蚀层，53-耐湿蚀刻膜，60-基板，61-线状体，62-膜材料，600-真空蒸镀装置，601-腔室，602-基板保持器(holder)，603-坩锅，604-排气泵，605-旋转轴，1-有机EL元件，2-透明基板，3-阳极，4-空穴输送层，5-发光层，6-电子输送层，7-阴极，8-密封部件，81-凹部，10-显示装置，1100-个人计算机，1102-键盘，1104-主体部，1106-显示单元，1200-移动电话机，1202-操作按钮，1204-受话器耳承，1206-送话器口承，1300-数码相机，1302-壳体(body)，1304-受光单元，1306-快门按钮，1308-电路基板，1312-视频信号输出端子，1314-数据通信用的输入输出端子，1430-电视监视器，1440-个人计算机。
具体实施方式
下面，参照附图，对本发明的掩模、成膜方法、发光装置以及电子设备进行详细的说明。
<掩模>
首先，对本发明的掩模进行说明。
《第一实施方式》
首先，对本发明的掩模的第一实施方式进行说明。
图1是表示本发明的掩模的第一实施方式的立体图，图2是表示开口部的其他构成的俯视图，图3是表示加强梁的其他构成的纵剖视图。另外，在以下的说明中，将图1以及图3中的上侧称为“上”，下侧称为“下”。
本发明的掩模用于下述情况，即，将一面侧固定于基板，从另一面侧，例如通过采用了溅射法以及离子镀法等物理气相成膜(PVD)法、或化学气相成膜(CVD)法那样的气相成膜法的气相工艺，供给膜材料，在所述基板的表面形成大致平行地并设的多个线状体。
这样的掩模40由掩模主体41和加强梁44构成。
如图1所示，在掩模主体41上设置有多个与应该形成的线状体图案(形状)对应的开口部42。
在本实施方式中，各开口部42俯视呈窄幅的直线状，被设置成相互大致平行，且具有大致一定的间隔。由此，各开口部42彼此被薄板状的隔壁部43划分。
这里，在本发明的掩模中，按照横断开口部42的方式设置有加强梁44。因此，在将掩模40安装于基板的时候，可以防止因其自重而使得形成为薄板状的隔壁部43(掩模主体41)产生挠曲或形变，即防止隔壁部43的形状发生变形。结果，由于还可以防止开口部42的变形，所以，通过采用该掩模40可形成尺寸精度高的线状体。
并且，在本发明的掩模中，该加强梁44具有下述特征，即，其厚度小于开口部42的高度，被设置成在将掩模40的一面侧固定于所述基板时，其偏向(位于)掩模40的另一面侧。即，具有在加强梁44和所述基板之间设置有空间的特征。
通过将加强梁44形成为该构成(设置于开口部42)，当使用掩模40在基板上形成线状体时，所形成的线状体可以连续地形成而不会发生断线。
即，通过从基板的形成线状体的面使加强梁44离开，在通过气相成膜法形成线状体之际所使用的膜材料，从另一面侧通过开口部42粘附于所述面的时候，可以从加强梁44的周围沿倾斜方向使其入射、蔓延。因此，能够连续地形成线状体而不会发生断线。另外，对于该线状体的成膜方法(成膜条件等)将在后面详细叙述。
加强梁44的数量以及设置位置等可以根据隔壁部43的强度等，按照防止隔壁部43的变形的方式而任意设定，在如本实施方式这样设置多个(两个以上)加强梁44的情况下，优选加强梁44沿着开口部42的长度方向以大致相等的间隔设置。由此，由于隔壁部43的强度沿着其长度方向以均匀的大小增大，所以，能够可靠地防止在隔壁部43的各部分中产生挠曲或形变。
而且，在本实施方式中，掩模主体41和加强梁44一体形成。通过使其成为该构成，可以采用后述的掩模形成方法，统一形成掩模主体41和加强梁44，并且，能够形成尺寸精度出色的掩模40。即，可以削减形成掩模40之际的制造工序，并能够可靠地得到尺寸精度出色的掩模40。
另外，开口部42除了如在本实施方式中所说明的那样，沿着开口部42的长度方向其宽度一定之外，例如还可以如图2所示，在开口部42的长度方向的中途，具有宽度增大了的扩宽部45，构成加强梁44设置于该扩宽部45的结构。
通过将开口部42形成为该构成，能够向所述基板的表面的与加强梁44对应的区域可靠地供给(粘附)膜材料。即，基于加强部44与所述基板的分离距离，存在着所述区域中的线状体的膜厚变薄的可能性，但通过与加强梁44的位置对应设置扩宽部45，可以使来自该扩宽部45的膜材料产生蔓延。结果，抵消了因设置有加强梁44而引起的障碍，能够可靠地向所述区域供给膜材料。由此，在所形成的线状体中，不仅能够可靠地防止产生断线，而且，可以实现其膜厚的均一化。
并且，加强梁44除了如在本实施方式中所说明的那样，其宽度(沿着开口部42的长度方向的加强梁44的长度)大致一定之外，例如还可以如图3所示，为其宽度从所述一面侧朝向所述另一面侧渐增的半圆形。即，可以具有所述宽度从所述一面侧朝向所述另一面侧渐增的部分。通过将加强梁44形成为该构成，即让其具有锥面，可以减少从加强梁44的周围沿倾斜方向入射的膜材料中，附着于加强梁44的膜材料的量。结果，通过将加强梁44形成该构成，也能够确实可靠地得到上述的效果。另外，作为该加强梁44的形状，其沿着开口部42的长度方向的纵向剖面可以是图3所示的半圆状，也可以是梯形、三角形、六角形或圆形。
以上所述的开口部42以及加强梁44的构成，可以对任意的两个以上进行组合。由此，可以加倍地得到上述的效果。
另外，在本实施方式中，在掩模主体41的外周部设置有掩模定位标记46，其用于在使用掩模40时进行掩模40的定位。该掩模定位标记46除了通过利用晶体各向异性蚀刻等除去掩模主体41的一部分来得到之外，还可以由铬那样的金属膜构成。
并且，作为掩模40的构成材料，可以举出各种材料，例如，可以采用如硅或石英玻璃那样的玻璃材料，其中，优选主要由硅构成的材料。由此，能够比较容易地形成前述结构的掩模40。
下面，以掩模40的构成材料主要是硅的情况为例，对掩模40的形成方法进行说明。
图4和图5是表示图1所示的掩模的形成方法的图。其中，图4是表示与图1中的A-A线剖面对应的剖面的纵剖视图。图5是表示与图1中的B-B线剖面对应的剖面的纵剖视图。而且，在下面的说明中，将图4和图5的上侧称为“上”，将下侧称“下”。
[1A]首先，准备由单晶硅构成的掩模基材50，在该掩模基材50的外表面整体形成由耐干蚀刻掩模材料构成的耐干蚀刻膜51。
对掩模基材50的厚度没有特别限定，优选为0.01～1.0mm左右，更优选为0.02～0.2mm左右。
作为耐干蚀刻掩模材料，只要对后述的干蚀刻具有耐性即可，没有特别的限定，例如，可以适当采用二氧化硅(SiO2)、氮化硅、碳化硅、铝以及铬等。
而且，作为耐干蚀刻膜51的形成方法，可以采用各种成膜方法，例如，在采用二氧化硅作为耐干蚀刻掩模材料的情况下，可以优选采用例如将掩模基材50放置到800～1200℃左右的水蒸气中的蒸气热氧化法。另外，在采用氮化硅和碳化硅作为耐干蚀刻掩模材料的情况下，可以优选采用化学气相成膜(CVD)法。进而，在采用铝和铬作为耐干蚀刻掩模材料的情况下，可以优选采用真空蒸镀法、溅射法那样的物理气相成膜(PVD)法或镀敷法。
对这样的耐干蚀刻膜51的厚度没有特别的限定，例如，优选为1μm左右。
[2A]接着，如图4(a)和图5(a)所示，在将所形成的掩模40安装于基板之际，在与基板接触一侧的面50a，将在与应该形成的开口部42对应的区域存在的耐干蚀刻膜51除去，由此使掩模基材50的表面露出。
具体而言，采用光刻技术等，形成在面50a侧的与开口部42对应的区域具有开口部的抗蚀层，然后，通过利用了如缓冲氢氟酸溶液那样的酸蚀刻液的酸湿蚀刻，除去在该开口部露出的耐干蚀刻膜51，由此，在与应该形成的开口部42对应的区域，可以使掩模基材50的表面露出。
另外，当如图2所示那样，在是开口部42处设置有扩宽部45的结构的情况下，也可以与其形状对应，使掩模基材50的表面露出。
[3A]接着，如图4(b)以及图5(b)所示，采用光刻技术等，在所述工序[2A]中使掩模基材50的表面露出的区域中的形成加强梁44的区域，形成抗蚀层52。
由此，在形成开口部42的区域中、不形成加强梁44的区域，露出掩模基材50的表面。
作为抗蚀层52的构成材料，可以采用各种感光性树脂材料，例如可举出：rhodine-重铬酸盐、聚乙烯醇(PVA)-重铬酸盐、紫胶-重铬酸盐、酪蛋白-重铬酸盐、PVA-重氮、丙烯酸系光致抗蚀剂等之类的水溶性光致抗蚀剂，聚肉桂酸乙烯酯、环化橡胶-叠氮化物、聚乙烯基亚肉桂基乙酸酯、聚肉桂酸β-乙烯氧乙酯等之类的油溶性光致抗蚀剂等。
另外，如图3所示，在将加强梁44的沿着开口部42的长度方向的纵向剖面形成为半圆形状的情况下，只要将该抗蚀层52设置成其形状与应该形成的加强梁44的形状对应即可。这样的半圆形状的抗蚀层52，可以通过在150～200℃左右的温度下对本工序中所形成的四边形抗蚀层52进行后烘焙(post bake)，使其成为半固体形状之后，通过再次固化而得到。
[4A]接着，如图4(c)以及图5(c)所示，将掩模基材50的表面所露出的区域，即形成开口部42的区域中未形成加强梁44的区域的掩模基材(硅)50均匀地除去，直至规定的深度。
在该硅的除去中，优选采用能够对特定的方向，即在本实施方式中，对大致平行于掩模基材50的厚度方向的方向除去硅的各向异性蚀刻。
作为各向异性蚀刻，可以举出各向异性湿蚀刻、如反应性离子蚀刻(Reactive Ion Etching：RIE)、反应性离子束蚀刻(Reactive Ion BeamEtching：RIBE)和高速原子束蚀刻(Fast Atom Beam：FAB)那样的各向异性干蚀刻，其中，从方向选择性以及生产率出色的观点出发，优选采用反应性离子蚀刻。
[5A]接着，如图4(d)以及图5(d)所示，除去(剥离)抗蚀层52。由此，在形成开口部42的区域，掩模基材50的表面处于露出的状态。
该抗蚀层52的除去，可以根据抗蚀层52的种类进行适宜的选择，例如，可以通过基于氧等离子或臭氧在大气压下或减压下的灰化(ashing)、紫外线的照射、Ne-He激光、Ar激光、CO2激光、红宝石激光、半导体激光、YAG激光、玻璃激光、YVO4激光、准分子激光等各种激光的照射、与能够溶解或分解抗蚀层52的溶剂的接触(例如浸渍)等而进行。
[6A]接着，与前述工序[4A]中所说明的同样，如图4(e)和图5(e)所示，将掩模基材50的表面所露出的区域、即形成开口部42的区域的掩模基材(硅)50，进一步除去仅至规定的深度。
由此，通过前述工序[4A]被除去硅(不形成加强梁44的)的区域，沿着掩模基材50的深度方向被更深且均匀地除去硅。另外，被除去了抗蚀层52且形成加强梁44的区域，也被同样均匀地除去硅。
即，在形成开口部42的区域，以维持前述工序[4A]中所形成的形成加强梁44的区域和不形成加强梁44的区域设置在掩模基材50的表面的深度之差的状态，均匀地除去硅。由此，如图4(e)和图5(e)所示，在掩模基材50中形成了两阶段的凹凸不平。
另外，本工序[6A]中被新除去硅的区域是形成加强梁44的区域，从面50a被除去至规定的深度。因此，通过各向异性蚀刻被除去的掩模基材50的深度，与从将掩模40安装到所述基板时的所述基板到加强梁44的距离相等。该深度优选为5～200μm左右，更优选为10～100μm左右。在该深度小于所述下限值的情况下，膜材料难以从加强梁44的周围蔓延，存在着所形成的线状体会被截断的可能性。另外，如果该深度超过所述上限值，则所述基板与加强梁44的距离大到必要值以上，存在着膜材料无法到达所述基板的可能性，因此不优选。
[7A]接着，除去(剥离)在掩模基材50的外表面所形成的耐干蚀刻膜51，如图4(f)和图5(f)所示，再次在掩模基材50的外表面整体形成耐湿蚀刻膜53。
该耐干蚀刻膜51的除去，可以通过在所述工序[2A]中说明的、采用了如缓冲氢氟酸溶液那样的酸蚀刻液的酸湿蚀刻来进行。
另外，耐湿蚀刻膜53可以与所述工序[1A]中说明的耐干蚀刻膜51同样地形成。
[8A]接着，如图4(g)和图5(g)所示，除去在与面50a相反一侧的面50b上形成的耐湿蚀刻膜53中除了掩模基材50的外周部的区域，使掩模基材50的表面露出。
作为在除了该掩模基材50的外周部的区域除去耐湿蚀刻膜53的方法，可以采用下述的方法，即通过光刻技术等，形成具有与该区域对应的开口部的抗蚀层之后，通过所述工序[2A]中说明的酸湿蚀刻除去在该开口部露出的耐湿蚀刻膜53的方法。
[9A]接着，如图4(h)和图5(h)所示，从面50b沿着掩模基材50的厚度方向均匀地除去从耐湿蚀刻膜53露出的掩模基材(硅)50，直到距面50b有规定的深度。
由此，在形成开口部42的区域当中不形成加强梁44的区域处，从面50a侧到面50b侧形成了空间而连通。
在该硅的除去中，优选采用各向异性湿蚀刻，该各向异性湿蚀刻使用如NaOH或KOH那样的碱金属氢氧化物的水溶液、如Mg(OH)2那样的碱土金属氢氧化物的水溶液、氢氧化四甲铵的水溶液、N，-二甲基甲酰胺(DMF)、N，N-二甲基乙酰胺(DMA)等酰胺系有机溶剂等作为湿蚀刻液。由此，能够以均匀的速度且比较短的时间统一除去硅，而不会发生面粗糙。
另外，硅的除去不限定于通过这样的各向异性湿蚀刻来进行，也可以采用上述的各向异性干蚀刻来进行。
另外，之所以从掩模基材50的面50b侧除去硅，是因为要将掩模40的厚度抑制为必要的最小限度，之所以加厚掩模基材50的外周部，是因为要确保掩模40的强度。
[10A]接着，如图4(i)和图5(i)所示，除去(剥离)在掩模基材50的外表面形成的耐湿蚀刻膜53。
由此，形成了具备与线状体的图案对应的开口部42、和横断该开口部42的加强梁44的掩模40。
该耐湿蚀刻膜53的除去，可以通过所述工序[2A]中说明的、采用了如缓冲氢氟酸溶液那样的蚀刻液的湿蚀刻来进行。
《第二实施方式》
下面，对本发明的掩模的第二实施方式进行说明。
图6是表示本发明的掩模的第二实施方式的立体图。另外，在下面的说明中，将图6中的上侧称为“上”，下侧称为“下”。
下面，以和所述第一实施方式的不同点为中心，对第二实施方式进行说明，针对同样的事项省略其说明。
图6所示的掩模40，除了在上侧的面设置有金属层47之外，与所述第一实施方式的掩模40同样。
在本实施方式中，如图6所示，在上侧的面，即在将掩模40安装于基板时掩模主体41的与基板接触的一侧的面，设置有金属层47。其结果，通过在将掩模40安装于基板时，对掩模40和基板之间施加磁场，可提高掩模40向基板的密接性。由此，能够可靠地防止因掩模主体41(特别是隔壁部43)的自重导致在掩模40与基板之间形成空间(间隙)。
另外，作为金属层47的构成材料(金属材料)，没有特别的限定，例如可以举出钴(Co)、铁(Fe)、镍(Ni)或含有这些金属的合金等，能够将这些之中的一种或两种以上进行组合而使用。由此，不仅可以将掩模40以良好的密接性安装(附着)于基板上，而且，通过后述的无电解镀敷法，能够比较容易地形成膜厚均匀的金属层。
对金属层47的厚度没有特别的限定，但优选为0.01～100μm左右，更优选为0.1～20μm左右。
本实施方式的这种掩模40，相对于所述第一实施方式的掩模40，可以通过在掩模主体41上形成金属层47而得到。
作为形成金属层47的方法，可以采用各种方法，例如可以举出无电解镀敷法、电解镀敷法、真空蒸镀法以及溅射法等，其中，优选采用无电解镀敷法。根据无电解镀敷法，可以在掩模主体41上比较容易地形成膜厚均匀的金属层47。
下面，作为形成金属层47的方法，以无电解镀敷法为一个例子进行说明。
[1B]首先，准备由第一实施方式得到的掩模40，在该掩模40的外表面整体形成由耐无电解镀敷材料构成的耐无电解镀膜。
该耐无电解镀膜可以采用与所述工序[1A]中说明的耐干蚀刻膜51的形成方法同样地形成。通过形成耐无电解镀膜，可以在后工序[3B]中将掩模40浸渍到无电解镀敷液中时，可靠地防止掩模40的构成材料即硅溶解于无电解镀敷液中。
[2B]接着，在将所形成的掩模40安装于基板之际，在与基板接触的一侧的面、即在图4和图5所说明的面50a侧，形成基底层。
作为该基底层的构成材料，可以根据所要形成的金属层47的构成材料的种类等来适宜选择，例如可以举出Ni、Cu、Au、Pt以及Ag，可以使用将这些金属中的一种，或将两种以上进行组合而使用。
另外，该基底层可以是以上述的构成材料为主材料的单层体，也可以是层叠体。
具体而言，在金属层47主要由Co构成的情况下，作为基底层，优选是从面50a侧按照Cr层和Au层的顺序进行层叠而成的层叠体。
[3B]接着，通过将掩模40浸渍到主要由金属盐和还原剂构成的镀敷液中，使金属元素析出于基底层上即面50a侧，由此形成金属层47。
作为金属盐，例如优选使用硫酸盐、硝酸盐等。
作为还原剂，例如可以举出次磷酸铵、次磷酸钠、肼等，其中，优选采用以肼和次磷酸钠的至少一方为主要成分的还原剂。通过采用这些物质作为还原剂，可以使金属层47的成膜速度适当，能够比较容易地控制金属层47的膜厚。
优选镀敷液中的金属盐的含量(金属盐向溶剂的添加量)是0.01～0.5mol/L左右，更优选是0.1～0.3mol/L左右。如果金属盐的含量过少，则形成金属层47有可能需要很长的时间。另一方面，即使金属盐的含量超过所述上限值很多，也无法增加到更高的效果。
另外，镀敷液中的还原剂的含量(还原剂向溶剂的添加量)优选是0.05～2.0mol/L左右，更优选是0.5～1.0mol/L左右。如果还原剂的含量过少，则根据还原剂的种类等，存在有可能难以实现金属离子的高效还原。另一方面，即使还原剂的含量超过上述上限值很多，也无法增加到更高的效果。
优选在这样的镀敷液中进一步混合(添加)PH调整剂(pH缓冲剂)。由此，随着无电解镀敷的进行，可以防止或抑制镀敷液的pH降低，结果，能够有效地防止成膜速度的降低。
作为该PH调整剂，可以举出各种物质，优选使用氨水、三甲铵氢化物、氢氧化钠、碳酸钠以及硫化铵中的至少一种为主要成分的调整剂。由于这些物质的缓冲作用出色，所以，通过采用这些物质作为PH调节剂，可以更加显著地发挥上述效果。
另外，镀敷液的PH值优选为8.0～13.0左右，更优选为9.5～10.5左右。
并且，镀敷液的温度优选为70～95℃左右，更优选为80～85℃左右。
通过将镀敷液的PH值、温度分别设定为所述范围，会使得成膜速度特别恰当，能够以高精度形成膜厚均匀的金属层47。
<成膜方法>
下面，对于采用本发明的掩模并通过气相成膜法在基板的表面形成线状体的成膜方法进行说明。
图7是表示采用本发明的掩模并通过气相成膜法形成线状体的成膜方法的图。
其中，作为在基板60的表面形成线状体61时所采用的气相成膜法，可以举出真空蒸镀法、溅射法等物理气相成膜(PVD)法与CVD法等化学气相成膜(CVD)法，下面，以采用真空蒸镀法形成线状体61的情况为例进行说明。
图7所示的真空蒸镀装置600具有：腔室(真空室)601；设置在该腔室601内、用于保持基板60的基板保持器602；设置在腔室601内、通过使构成线状体61的膜材料62气化而向基板60进行供给的坩锅(膜材料供给源)603。
而且，腔室601与排出其内部的气体而对压力进行控制的排气泵(减压机构)604连接。
基板保持器602安装在腔室601的顶板部。该基板保持器602被设置成在其端部处被固定于旋转轴605的状态，基板保持器602能够将旋转轴605作为中心轴进行旋转(转动)。
另外，在与基板保持器602对置的位置、即腔室601的底部，设置有坩锅603。
另外，该坩锅603具备加热机构(未图示)，由此，保持(收纳)于坩锅603内的膜材料62会被加热而气化(蒸发或升华)。
另外，对基于加热机构的加热方式没有特别的限定，例如可以采用电阻加热、电子束加热等各种方法。
对膜材料62没有特别的限定，可以根据要形成的线状体61的种类而适宜选择，例如，可以举出如Al、Ni、Cu、Mg、Ag那样的金属材料，如MgO、In2O3那样的金属氧化物材料以及酞菁铜、(8一羟基喹啉)铝(Alq3)那样的金属配位化合物等。
采用这样构成的真空蒸镀装置600，按照如下所述的步骤形成(成膜)线状体61。
[1C]首先，使掩模40的一个面朝向基板60侧，将掩模40安装到基板60。此时，加强梁44按照位于掩模40的另一面侧的方式进行安装。即，掩模40的面50a与基板60接触。
然后，将安装了掩模40的基板60搬入到腔室601内，按照在基板60与坩锅603之间存在掩模40的方式，将其设置(set)于基板保持器602。即，按照掩模40与坩锅603对置的方式，将安装有掩模40的基板60设置于基板保持器602。
[2C]接着，使排气泵604动作，使得腔室601内处于减压状态。
对该减压的程度(真空度)没有特别的限定，优选为1×10-5～1×10-2Pa左右，更优选为1×10-4～1×10-3Pa左右。
[3C]接着，通过使旋转轴605旋转，来使基板60旋转。
由此，可以在坩锅603与安装于基板保持器602的基板60(掩模40)的距离为最大的第一位置、和所述距离为最小的第二位置之间，使掩模40连续地变位(配置)。另外，配置于该第一位置的掩模40和配置于第二位置的掩模40，构成以旋转轴605(基板60的旋转中心)为中心的点对称关系。
而且，旋转轴605的转速优选为1～50转/分钟左右，更优选为10～20转/分钟左右。由此，在接下来的工序[4C]中，能够形成膜厚更均匀的线状体61。
[4C]接着，在使基板60旋转的状态下，加热保持有膜材料62的坩锅603，使膜材料62气化(蒸发或升华)。
然后，如图7所示，气化了的膜材料62从所述另一面侧通过掩模40的开口部42，粘附于(到达)基板60的表面，由此形成了线状体61。
在这里，如上所述，加强梁44被设置成在开口部42的厚度方向，位于基板60的另一面侧即与基板60相反一侧。因此，膜材料62在通过开口部42之际，可以蔓延过该加强梁44。结果，膜材料62可以粘附于基板60的与开口部42对应的整个区域，由此形成了没有断线的线状体61。
换言之，由于能够成膜而不会受到按照横断开口部42的方式设置加强梁44所产生的影响，所以，可以在基板60的表面形成没有断线的线状体61。
另外，如图7所示，在将基板保持器602的旋转轴(基板60的旋转中心轴)605与坩锅603的中心轴的分离距离设为A[cm]，将掩模40与坩锅603的开口部的分离距离设为B[cm]，将加强梁44的沿着开口部42的长度方向的最大长度设为p[μm]，将基板60与加强梁44的分离距离设为r[μm]时，优选按照满足下述式1的关系的方式进行设定。
p/r＜2A/B    ……式1
通过满足该关系，膜材料62能够更可靠地蔓延过加强梁44，由此，可以在基板60的表面更可靠地形成没有断线的线状体61。结果，在例如形成金属布线作为线状体61的情况下，可以确实可靠地防止因为所形成的线状体61变薄而引起其电阻值增大，或产生断线的情况。
这里，通过设定成满足上述式1的关系，而能够在不产生断线的情况下形成线状体61，这可以由以下的关系式导出。
如上所述，能够在没有断线的情况下形成线状体61，是因为膜材料62蔓延过加强梁44。
在基板60(掩模40)配置于所述第一位置时，该膜材料62蔓延过加强梁44的距离为最大；在基板60(掩模40)配置于所述第二位置时，其蔓延的距离为最小。
因此，当将基板60配置于第一位置时膜材料62蔓延过加强梁44的距离设为s[μm]，将基板60配置于第二位置时膜材料62蔓延过加强梁44的距离设为t[μm]时，通过将这些距离之和(s+t)设定得比加强梁44的沿着开口部42的长度方向的最大长度p大，可以在不产生断线的情况下形成线状体61。
即，通过满足下述式2的关系，可以在不产生断线的情况下形成线状体61。另外，在图7所示的放大图中，为了图示的方便，举例说明了p＞s+t，导致线状体61产生了断线的情况。
p＜s+t  ……式2
因此，在将膜材料62蔓延过加强梁44的距离为t时的膜材料62相对坩锅603的中心轴的入射角度设为α，将膜材料62蔓延过加强梁44的距离为s时的膜材料62相对坩锅603的中心轴的入射角度设为β时，由于下述式3的关系成立，所以，如果将该下述式3带入上述式2，则导出下述式4。
t＝t·tanα、s＝r·tanβ    ……式3
p＜r·(tanα+tanβ)         ……式4
并且，由于下述式5的关系成立，所以，通过将该下述式5带入上述式4，可以导出上述式1的关系。
tanα＝(A-X)/B、tanβ＝(A+X)/B   ……式5
如上述说明那样，在满足式1的关系的情况下，通过使基板60(掩模40)在上述第一位置和上述第二位置之间至少进行一次变位，可以在不产生断线的情况下形成线状体61。因此，基板60的旋转如本实施方式所说明的那样，在连续进行的情况下没有限定，例如可以使基板60间歇性地进行所述第一位置和所述第二位置之间的变位。
另外，如图2所示，掩模40在开口部42处具有扩宽部45，当形成在该扩宽部45设置有加强梁44的结构时，如本实施方式所说明的那样，优选使基板60连续旋转。由此，在膜材料62通过开口部42之际，可以从扩宽部45侧蔓延过加强梁44，由此能够可靠地形成没有断线的线状体61。
而且，通过除去(剥离)当形成线状体61时在与该基板60相反侧的一面层叠的膜材料，可以反复使用(再利用)该掩模40。这样，通过再利用掩模40，可以实现形成(成膜)线状体61之际的成本降低。
<发光装置>
接着，作为具备通过本发明的成膜方法而形成的线状体的本发明的发光装置，以无源矩阵型显示装置为一个例子进行说明。
图8和图9是表示应用了本发明的发光装置的无源矩阵型显示装置的一个例子的图，图8是纵剖视图，图9是立体图。另外，为了说明的方便，在图8中省略了控制电路的记载，在图9中省略了透明基板2、空穴输送层4、电子输送层6以及密封部件8的记载。而且，在以下的说明中，将图8中的上侧称为“上”，将下侧称为“下”。
图8和图9所示的无源矩阵型显示装置(下面简单称作“显示装置”)10，其具有：透明基板2、设置在该透明基板2上的多个有机EL元件(有机发光元件)1、和与透明基板2对置并设置成密封各有机EL元件1的密封部件8。
而且，显示装置10分别具有对有机EL元件1所具备的阳极3和阴极7的ON/OFF进行控制的控制机构31以及控制机构71。
透明基板2成为构成显示装置10的各部分的支承体。
另外，由于本实施方式的显示装置10是从该透明基板2侧取出光的结构(底部发射型)，所以，要求透明基板2具有透明性。
这样的透明基板2可以选择各种玻璃材料基板以及各种树脂材料基板中透明的基板，例如可以采用将如石英玻璃、钠玻璃那样的玻璃材料，或聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、环烯烃聚合物、聚酰胺、聚醚砜、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯那样的树脂材料等作为主要材料而构成的基板。
对透明基板2的平均厚度没有特别的限定，优选为0.2～30mm左右，更优选为0.5～20mm左右。
在该透明基板2上设置有多个有机EL元件(发光元件)1，所述有机EL元件(发光元件)1具备：一对电极(阳极3和阴极7)、和在所述电极之间从阳极3侧顺次设置的空穴输送层4、发光层5、电子输送层6。
在本实施方式中，各阳极3和各阴极7分别设置成直线状(带状)，按照这些电极之间以矩阵状交叉的方式对置配置。而且，各阳极3与控制机构31通过布线电连接，各阴极7和控制机构71通过布线电连接。
而且，各有机EL元件1的空穴输送层4以及电子输送层6一体形成，发光层5按照与阳极3和阴极7交叉的交叉区域对应的方式，分别单独设置。
另外，通过将有机EL元件1形成该结构，可以利用控制机构31和控制机构71独立控制各阳极3以及各阴极7的ON/OFF，能够在所期望位置的交叉区域施加电压。因此，可以使与交叉区域对应地设置的单独的发光层5独立地发光。即，能够使各有机EL元件1独立地发光。
而且，具备这样的有机EL元件1的显示装置10，可以是单色发光的黑白显示装置，也可以是通过选择单独设置的发光层5的构成材料(发光材料)，而能够全色显示的显示装置。
下面，对于构成有机EL元件1的各部分进行说明。
阳极3是向空穴输送层4注入空穴的电极。
由于显示装置10是从阳极3侧取出光的底部发射结构，所以，作为该阳极3的构成材料(阳极材料)，优选采用具有透光性、功函数大的导电材料。
作为这样的阳极材料，可以举出铟锡氧化物(ITO)、含氟的铟锡氧化物(FITO)、锑锡氧化物(ATO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、含氟的氧化锡(FTO)、含氟的氧化铟(FIO)、氧化铟(IO)等透明导电性材料，可以采用这些当中的至少一种。
对阳极3的平均厚度没有特别的限定，优选为10～300nm左右，更优选为50～200nm左右。
就这样的阳极3而言，优选其光(可见光区域)的透过率为60％以上，更优选为80％以上。由此，能够高效地从阳极3侧取出光。
另一方面，阴极7是向电子输送层6注入电子的电极。
作为阴极7的构成材料(阴极材料)，优选采用导电性出色、功函数小的材料。
作为这样的阴极材料，可以举出Al、Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、Cs、Rb或包含这些金属的合金等，可以采用这些当中的至少一种。
特别是在采用合金作为阴极材料的情况下，优选使用含有Ag、Al、Cu等稳定金属元素的合金，具体而言，优选使用MgAg、AlLi、CuLi等合金。通过采用该合金作为阴极材料，可以实现阴极7的电子注入效率以及稳定性的提高。
阴极7的厚度(平均)优选为1nm～1μm左右，更优选为100～400nm左右。
在阳极3和阴极7之间，如上所述，按顺序从阳极3侧层叠有空穴输送层4、发光层5、电子输送层6。
空穴输送层4具有将从阳极3注入的空穴输送到发光层5的功能。
作为空穴输送层4的构成材料(空穴输送材料)，例如可以举出聚芳基胺、芴-芳基胺共聚物、芴-联二噻吩共聚物、聚(N，N-乙烯基咔唑)、聚乙烯基芘、聚乙烯基蒽、聚噻吩、聚烷基噻吩、聚己基噻吩、聚(对苯乙炔)、聚苯乙炔、芘甲醛树脂、乙烯基咔唑甲醛树脂或其衍生物等，能够使用其中的一种，或组合两种以上而使用。
对空穴输送层4的厚度(平均)没有特别的限定，优选为10～150nm左右，更优选为50～100nm左右。
电子输送层6具有将从阴极7注入的电子输送至发光层5的功能。
作为电子输送层6的构成材料(电子输送材料)，例如可以举出1，3，5-三[(3-苯基-6-三-氟甲基)喹喔啉-2-基]苯(TPQ1)、1，3，5-三[{3-(4-叔丁基苯基)-6-三氟甲基}喹喔啉-2-基]苯(TPQ2)那样的苯系化合物，萘系化合物，菲系化合物，屈(chrysene)系衍生物，苝系化合物、蒽系化合物、芘系化合物、吖啶系化合物、芪系化合物、BBOT之类的噻吩系化合物，丁二烯系化合物，香豆素系化合物，喹啉系化合物，联苯乙烯系化合物，二苯乙烯基吡嗪之类的吡嗪系化合物，喹喔啉系化合物，2，5-二苯基-对苯醌之类的苯醌系化合物，萘醌系化合物，蒽醌系化合物，2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(PBD)之类的噁二唑系化合物，3，4，5-三苯基-1，2，4-三唑之类的三唑系化合物，噁唑系化合物，蒽酮系化合物，1，3，8-三硝基-芴酮(TNF)之类的芴酮系化合物，MBDQ之类的联苯醌系化合物、MBSQ之类的芪醌系化合物，蒽醌二甲烷系化合物，噻喃二氧化物系化合物，亚芴基甲烷系化合物，二苯基二氰基乙烯系化合物、芴系化合物、8-羟基喹啉铝(Alq3)、以苯并噁唑或苯并噻唑为配位基的配位化合物之类的各种金属配位化合物等，能够使用其中的-种，或组合两种以上而使用。
对电子输送层6的平均厚度没有特别的限定，优选为1～100nm左右，更优选为20～50nm左右。
如果在阳极3和阴极7之间通电(施加电压)，则空穴会在空穴输送层4中移动，另外，电子将在电子输送层6中移动，使得空穴和电子在发光层5中复合。而且，在发光层5中通过该复合之际所放出的能量生成激子，在该激子返回到基态时释放(发出)能量(荧光或磷光)。
作为该发光层5的构成材料(发光材料)，只要在施加电压时能够从阳极3侧注入空穴、从阴极7侧注入电子，并能够提供空穴与电子复合的场所，则可以采用任意的物质。
具体而言，作为发光材料，例如可以举出1，3，5-三[(3-苯基-6-三-氟甲基)喹喔啉-2-基]苯(TPQ1)、1，3，5-三[{3-(4-叔丁基苯基)-6-三氟甲基}喹喔啉-2-基]苯(TPQ2)那样的苯系化合物，酞菁、酞菁铜(CuPc)、酞菁铁之类的金属或无金属的酞菁系化合物，三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、fac-三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3)之类的低分子系化合物，噁二唑系高分子、三唑系高分子、咔唑系高分子之类的高分子系化合物，能够采用其中的一种或两种以上的组合，得到所要的发光颜色。
另外，发光层可以是由这样的发光材料中的一种或两种以上构成的单层体，也可以是层叠体。
对发光层5的厚度(平均)没有特别的限定，优选为10～150nm左右，更优选为50～100nm左右。
另外，在阳极3和阴极7之间，除了空穴输送层4、发光层5以及电子输送层6之外，也可以设置有任意目的的层。
例如，可以在阳极3与空穴输送层4之间设置空穴注入层，来提高空穴从阳极3向空穴输送层4的注入效率，也可以在阴极7与电子输送层6之间设置电子注入层，来提高电子从阴极7向电子输送层6的注入效率。
作为空穴注入层的构成材料(空穴注入材料)，例如可以举出酞菁铜、4，4’，4”-三(N，N-苯基-3-甲基苯基氨基)三苯基胺(m-MTDATA)等。
另外，作为电子注入层的构成材料(电子注入材料)，例如可以举出8-羟基喹啉、噁二唑、以及它们的衍生物(例如含有8-羟基喹啉的金属螯合喔星类(oxinoid)化合物)，或LiF、KF、LiCl、KCl、NaCl那样的碱金属的卤素化合物等，能够使用其中的一种或两种以上的组合。
另外，按照与透明基板2对置的方式设置有密封部件8。该密封部件8具备凹部81，在该凹部81内收纳有上述构成的各有机EL元件1。
该密封部件8具有气密性封闭有机EL元件1所具备的各层3、4、5、6、7并遮断氧或水分的功能。通过设置密封部件8，可以得到显示装置10的可靠性提高、防止变质与劣化等效果。
作为密封部件8的构成材料，例如可以举出钠玻璃、结晶性玻璃、石英玻璃、铅玻璃等。
另外，密封部件8与透明基板2在透明基板2的缘部通过粘接层(未图示)而相互接合。
作为该粘接层的构成材料，例如可以举出环氧系树脂、丙烯酸系树脂、丙烯酸环氧系树脂那样的固化性树脂等。
另外，作为气密性封闭有机EL元件1所具备的各层3、4、5、6、7的方法，除了设置上述的密封部件8的方法之外，还可以采用与在透明基板2上露出的各层(在本实施方式中，是空穴输送层6以及阴极7)接触形成使保护层的方法。通过采用形成保护层的方法，可以实现发光装置10的进一步薄型化。
作为这样的保护层的构成材料，例如可以采用氮氧化硅、二氧化硅以及各种树脂材料等。
这样的显示装置10，例如可以通过下述工序来制造。
[1D]首先，准备透明基板2。
[2D]接着，在透明基板2上以直线状形成多个阳极3。
例如，通过真空蒸镀法或溅射法那样的气相成膜法等，在透明基板2上形成将前述阳极3的构成材料作为主要材料而构成的导电膜，然后利用光刻法等，通过形成图案可以得到该阳极3。
[3D]接着，在各阳极3以及各阳极3彼此之间露出的透明基板2上，形成空穴输送层4。
该空穴输送层4例如可以通过采用了溅射法、真空蒸镀法、CVD法等气相工艺，或采用了旋涂法(高温溶胶法)、棒涂法、辊涂法、喷涂法、丝网印刷法、胶印法、喷墨印刷法等液相工艺等而形成，其中，优选通过气相工艺形成。通过采用气相工艺形成空穴输送层4，可以有效地防止或降低水分等混入所得到的空穴输送层4中。结果，能够可靠地防止或抑制有机EL元件1的特性的时效劣化。
[4D]接着，按照与阳极3和在接下来的工序[6D]中形成的阴极7交叉的区域相对应的方式，在空穴输送层4上以矩阵状形成多个发光层5。
该发光层5也可以通过气相工艺或液相工艺形成，但基于和前述同样的理由，优选通过气相工艺形成。
而且，就发光层5的图案形成而言，将具备与所形成的发光层5的形状相对应的开口部的掩模、即以矩阵状设置有开口部的掩模，安装于具备阳极3和空穴输送层4的透明基板2上，在此状态下，通过实施气相工艺而容易地进行。
另外，通过采用该方法进行发光层5的图案形成，可以不像采用光刻法等的情况那样，导致各层3、4、5置身于水系溶剂等中，因此，能够有效地防止这些层3、4、5的变质、劣化。
[5D]接着，在各发光层5以及各发光层5彼此之间露出的空穴输送层4上，形成电子输送层6。
该电子输送层6也可以通过气相工艺或液相工艺而形成，但是基于与上述同样的理由，优选通过气相工艺来形成。
[6D]接着，按照与阳极3交叉、且与该阳极3交叉的区域与设置有发光层5的区域相对应的方式，在电子输送层6上以直线状形成有多个阴极7。
该阴极7的形成可以采用上述本发明的成膜方法。由此，可以形成能够可靠地阻止挠曲或形变发生的阴极7。
而且，由于通过采用本发明的成膜方法形成阴极7，可以由一次的气相成膜法统一形成多个细幅的阴极7，所以，能够削减实施气相成膜法的次数，即削减制造工序，并且，可以实现制造成本的削减。并且，由于采用了掩模定位标记46的掩模40的定位也可以一次完成，所以，能够实现所形成的阴极7的定位(校准)精度的提高。
另外，如本实施方式那样，当在电子输送层6那样的有机层上形成阴极7那样的金属布线(线状体)时，作为本发明的成膜方法所采用的气相成膜法，优选使用真空蒸镀法。通过真空蒸镀法，可以使金属布线的构成材料(膜材料)以比较迟缓的速度附着于(到达)有机层上，在膜材料附着之际可以有效地防止或抑制有机层发生变质、劣化。另外，在谋求缩短形成金属层的时间的情况下，只要通过真空蒸镀法在与有机层接触的区域形成下层，并利用溅射法等在该下层上形成上层即可。
而且，在将掩模40安装于具备各层3、4、5、6的透明基板2时，优选掩模40所具备的加强梁44按照不与先前形成的阳极3对应的方式进行定位。由此，即使在所形成的阴极(线状体)7的与加强梁4对应的位置处，形成了其膜厚变薄的薄膜部，也能够可靠地防止该薄膜部在与阳极3交叉的位置形成。由此，即使因为薄膜部的电阻值增大，导致阴极7发热，也能够有效地防止或抑制因该发热而使得各层3、4、5、6变质、劣化。
另外，通过如本发明的成膜方法那样，在阴极7的形成中选择采用了掩模(荫罩)的气相成膜法，可以省略在形成阴极7之前配置的、用于对在透明基板2上的阴极7的形状进行限制的隔壁部的形成。由此，不仅能够谋求制造工序的削减，而且可以实现发光装置10的薄型化。
如上所述，在透明基板2上形成了多个有机EL元件1。
[7D]接着，准备设置有凹部81的密封部件8。
然后，按照各个有机EL元件1收纳于凹部81内的方式，以使密封部件8与透明基板2对置的状态，在透明基板2的缘部通过粘接层接合透明基板机2与密封部件8。
由此，各有机EL元件1被密封部件8密封，完成了显示装置10。
<电子设备>
这样的显示装置10可以组装到各种的电子设备中。
图10是表示采用了本发明的电子设备的移动型(或笔记本型)个人计算机的构成的立体图。
在该图中，个人计算机1100由具备键盘1102的主体部1104和具备显示部的显示单元1106构成，显示单元1106相对于主体部1104通过绞链构造部被可旋转地支承。
在该个人计算机1100中，显示单元1106所具备的显示部由上述显示装置10构成。
图11是表示应用了本发明的电子设备的移动电话机(还包括PHS)的构成的立体图。
在该图中，移动电话机1200具备多个操作按钮1202、受话器耳承1204、送话器口承1206以及显示部。
在移动电话机1200中，该显示部由所述显示装置10构成。
图12是表示应用了本发明的电子设备的数码相机的构成的立体图。另外，在该图中，还简单地表示了与外部设备的连接。
这里，通常的相机是通过被摄体的光像对银盐写真胶片进行感光，与此相对，数码相机1300通过CCD(Charge Coupled Device)等摄像元件对被摄体的光像进行光电转换，生成摄像信号(图像信号)。
在数码相机1300的壳体(body)1302的背面设置有显示部，其根据CCD的摄像信号进行显示，作为将被摄体显示为电子图像的取景器而发挥功能。
在数码相机1300中，该显示部由所述显示装置10构成。
在壳体的内部设置有电路基板1308。该电路基板1308配置有能够收纳(存储)摄像信号的存储器。
而且，在壳体1302的正面侧(图示构造的背面侧)，设置有包含光学透镜(摄像光学系统)或CCD等的受光单元1304。
在摄影者确认显示部所显示的被摄体影像，并按下快门按钮1306时，该时点的CCD的摄像信号被转送、存储于电路基板1308的存储器。
并且，该数码相机1300中，在壳体1302的侧面设置有视频信号输出端子1312、数据通信用的输入输出端子1314。而且，如图所示，根据需要，视频信号输出端子1312与电视监视器1430连接，数据通信用的输入输出端子1314与个人计算机1440连接。并且，通过规定的操作，存储于电路基板1308的存储器中的摄像信号会被输出到电视监视器1430或个人计算机1440。
另外，除了图10的个人计算机(移动型个人计算机)、图11的移动电话机、图12的数码相机之外，本发明的电子设备还可以应用于例如电视机、摄影机、取录器型和监控直视型的录像机、膝上型电脑、车辆导航装置、寻呼机、电子记事本(包括带有通信功能)、电子辞典、电脑、电子游戏机、文字处理器、工作站、可视电话、防范用电视监视器、电子望远镜、POS终端、具备触摸面板的设备(例如金融机关的自动提款机、自动售券机)、医疗设备(例如电子体温计、血压计、血糖计、心电显示装置、超声波诊断装置、内窥镜用显示装置)、鱼群探测器、各种测定设备、计量仪器类(例如车辆、飞机、船舶等的计量仪器类)、飞行模拟器、其他各种监控器类、投影仪等投射型显示装置等。
以上，基于图示的实施方式，对本发明的掩模、成膜方法、发光装置以及电子设备进行了说明，但是本发明不限定于此。
而且，本发明的成膜方法可以追加一项或两项以上任意目的的工序。
并且，本发明的成膜方法除了可应用于上述的无源矩阵型显示装置所具备的阴极之外，例如还可以应用于布线基板所具备的金属布线等。
[实施例]
下面，对本发明的具体实施例进行说明。
1.掩模的形成
首先，如上所述准备掩模(A)和掩模(B)。
<掩模(A)>
<1A>首先，准备厚0.400mm的单晶硅基板，将该单晶硅基板放置到1050℃的水蒸气中，在该基板的外表面形成1μm的二氧化硅膜。
<2A>接着，如图4(a)和图5(a)所示，在采用光刻技术，形成与应该形成的开口部的形状对应的抗蚀层之后，使用缓冲氢氟酸溶液除去在该抗蚀层的开口部存在的二氧化硅膜，使单晶硅基板的表面露出。
<3A>接着，如图4(b)和图5(b)所示，采用光刻技术，在形成开口部的区域中形成加强梁的区域，形成抗蚀层。
<4A>然后，如图4(c)和图5(c)所示，利用干蚀刻装置“Deep-Si-RIE”，将形成开口部的区域中没形成加强梁的区域的单晶硅基板，均匀地除去至规定的深度。
<5A>接着，如图4(d)和图5(d)所示，通过在大气压下基于氧等离子的灰化除去抗蚀层，在形成开口部的区域，使单晶硅基板的表面露出。
<6A>接着，与所述工序<4A>同样，如图4(e)和图5(e)所示，利用干蚀刻装置，将形成开口部的区域的单晶硅基板，进一步均匀地除去达到规定的深度。
<7A>然后，利用缓冲氢氟酸溶液除去在单晶硅基板的外表面形成的二氧化硅膜，如图4(f)和图5(f)所示，再次与所述工序<1A>同样，在单晶硅基板的整个外表面形成二氧化硅膜。
<8A>接着，如图4(g)和图5(g)所示，与所述工序<2A>同样，除去在单晶硅基板的与被实施了所述工序<2A>～<6A>的面相反一侧的面上形成的二氧化硅膜当中，除了单晶硅基板的外周部的区域，使单晶硅基板的表面露出。
<9A>然后，如图4(h)和图5(h)所示，通过使用KOH作为蚀刻液的湿蚀刻，针对单晶硅基板的厚度方向均匀地将从二氧化硅膜露出的单晶硅基板除去至规定的深度。
<10A>接着，如图4(i)和图5(i)所示，利用缓冲氢氟酸溶液除去在单晶硅基板的外表面形成的二氧化硅膜。
经过以上的工序后，形成了具备开口部(长40mm、宽100μm)和加强梁的掩模(A)，所述加强梁的宽度p为50μm，从安装基板一侧的面到加强梁的距离r为100μm。
<掩模(B)>
除了省略所述工序<3A>～<5A>之外，与所述掩模(A)的形成工序同样地形成省略了加强梁的形成的掩模(B)。
2.线状体的形成以及评价
(实施例1)
<1B>首先，在将掩模(A)安装于石英玻璃基板之后，将安装有该掩模(A)的石英玻璃基板设置到腔室内的基板保持器。
然后，作为膜材料在坩锅内设置Al。
此时，设定基板保持器的旋转中止轴与坩锅中心轴的分离距离A为10.0cm、掩模(A)与坩锅的开口部的分离距离B为20.0cm。
<2B>接着，使排气泵动作，将腔室内的压力设定为1×10-3Pa。
<3B>然后，通过使基板保持器所具备的旋转轴旋转，以10转/分钟的转速使石英玻璃基板(掩模(A))旋转。
<4B>接着，在使石英玻璃基板旋转的状态下，将坩锅加热至1200℃，通过使Al气化，在石英玻璃基板上形成以Al为主要材料且平均膜厚为150nm的线状体。
(实施例2)
在所述工序<1B>中，设定基板保持器的旋转中止轴与坩锅的中心轴的分离距离A为6.5cm，掩模(A)与坩锅的开口部的分离距离B为10.0cm除此之外，与所述实施例1同样，在石英玻璃基板上形成线状体。
(比较例)
除了在所述工序<1B>中替代掩模(A)而将掩模(B)安装于石英玻璃基板之外，与所述实施例1同样，在石英玻璃基板上形成了线状体。
针对在各实施例以及比较例中形成的线状体，采用扫描型电子显微镜(SEM)分别对其形状进行观察。
结果，在各实施例中，以大致均匀的膜厚形成了线状体，与之相对，在比较例中，线状体的形状产生了形变，形成了膜厚不均匀的线状体。

Claims (10)

1.一种掩模，其将一面侧固定于基板，从另一面侧通过气相工艺供给膜材料，在所述基板的表面形成大致平行并设的多个线状体，其中，
包括：具有与所述线状体的图案对应的多个开口部的掩模主体；和按照横断所述开口部的方式设置且具有防止因自重导致的所述掩模主体的变形的功能的加强梁，
所述开口部在其长度方向的中途具有宽度增大的扩宽部，
所述加强梁设置在该扩宽部，具有宽度从所述一面侧朝向所述另一面侧渐增的部分，所述基板与该加强梁的距离为10～100μm，
所述加强梁在所述开口部的厚度方向上，被设置成偏向所述另一面侧。
2.根据权利要求1所述的掩模，其中，
所述掩模主体与所述加强梁一体形成。
3.根据权利要求2所述的掩模，其中，
所述掩模主要由硅构成。
4.根据权利要求3所述的掩模，其中，
在所述一面形成有金属层。
5.根据权利要求4所述的掩模，其中，
所述金属层是采用无电解镀敷法而形成。
6.根据权利要求4或5所述的掩模，其中，
所述金属层是将钴、铁以及镍中的至少一种作为主要材料而构成的。
7.根据权利要求1～5中任意一项所述的掩模，其中，
所述加强梁沿着所述开口部的长度方向以大致相等的间隔设置有多个。
8.一种成膜方法，包括下述工序：
将权利要求1～7中任意一项所述的掩模，安装到与提供所述膜材料的膜材料供给源对置且由设置成可以旋转的基板保持器保持的所述基板上；和
在所述膜材料供给源与所述基板的距离为最大的第一位置、和相对所述第一位置以所述基板保持器的旋转中心为中心的点对称的第二位置之间，使所述基板至少变位一次，来使从所述膜材料供给源供给的所述膜材料通过所述开口部而形成所述线状体；其中，
在将所述基板保持器的旋转中心的轴与所述膜材料供给源的中心轴的分离距离设为A且单位为cm，将所述掩模与所述膜材料供给源的开口部的分离距离设为B且单位为cm，将所述加强梁的沿着所述开口部的长度方向的最大长度设为p且单位为μm，并将所述基板与所述加强梁的分离距离设为r且单位为μm时，设定成满足p/r＜2A/B的关系。
9.根据权利要求8所述的成膜方法，其中，
所述基板在所述第一位置与所述第二位置之间的变位，通过使所述基板保持器旋转来进行。
10.根据权利要求9所述的成膜方法，其中，
所述基板的旋转连续或间歇性地进行。
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