TWI415273B - Single crystal silicon solar cell manufacturing methods and single crystal silicon solar cells - Google Patents

Single crystal silicon solar cell manufacturing methods and single crystal silicon solar cells Download PDF

Info

Publication number
TWI415273B
TWI415273B TW096140585A TW96140585A TWI415273B TW I415273 B TWI415273 B TW I415273B TW 096140585 A TW096140585 A TW 096140585A TW 96140585 A TW96140585 A TW 96140585A TW I415273 B TWI415273 B TW I415273B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
single crystal
crystal germanium
solar cell
layer
substrate
Prior art date
Application number
TW096140585A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200836354A (en
Inventor
Atsuo Ito
Shoji Akiyama
Masahiro Furuya
Makoto Kawai
Koichi Tanaka
Yoshihiro Kubota
Yuuji Tobisaka
Original Assignee
Shinetsu Chemical Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinetsu Chemical Co filed Critical Shinetsu Chemical Co
Publication of TW200836354A publication Critical patent/TW200836354A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI415273B publication Critical patent/TWI415273B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1892—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates
    • H01L31/1896—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates for thin-film semiconductors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Description

單結晶矽太陽能電池之製造方法及單結晶矽太陽能電池
本發明係關於單結晶矽太陽能電池之製造方法及單結晶矽太陽能電池，特別是關於在透明絕緣性基板上形成單結晶矽層之單結晶矽太陽能電池的製造方法及單結晶矽太陽能電池。
以矽為主要原料之太陽能電池，係可根據其結晶性而分類為單結晶矽太陽能電池、多結晶矽太陽能電池、非晶質矽太陽能電池。其中，單結晶矽太陽能電池，係使結晶成型之單結晶鑄塊以線鋸切出晶圓狀，加工為100~200μm厚之晶圓，其上形成pn接合、電極、保護膜等之後作為太陽能電池(Solar Cell)。
多結晶矽，無關乎結晶成型，在鑄模使熔融金屬矽結晶化來製造多結晶之鑄塊，將此與單結晶矽太陽能電池同樣地以線鋸切出晶圓狀，同樣地加工為100~200μm厚之晶圓，與單結晶矽基板同樣地形成pn接合、電極、保護膜後作為太陽能電池(Solar Cell)。
非晶質矽太陽能電池，例如，藉由電漿CVD法使矽烷氣體於氣相中以放電進行分解，而於基板上形成非晶質之氫化矽膜，且因於其上添加二硼烷、膦等作為摻雜氣體並同時堆積、同時與pn接合進行成膜步驟，而形成電極、保護膜後作為太陽能電池(Solar Cell)。非晶質矽太 陽能電池，其非晶質矽係以直接遷移型吸收入射光之故，其光吸收係數係比單結晶及多結晶矽高多一位數(非專利文獻1)，而非晶質矽層的厚度與結晶系之太陽能電池比較，則有約1/100的膜厚之1μm前後即充分之優點。近年，太陽能電池的生產量，全世界的年產量超過1GW，若此後生產量更加成長，可期待能有效利用資源之薄膜非晶質矽太陽能電池。
但是，非晶質矽太陽能電池之製造上，原料中使用矽烷或二矽烷等之高純度的氣體原料，或其氣體原料之有效利用率，係因於電漿CVD裝置內堆積於基板以外者等之情事，與結晶系太陽能電池所必要之膜厚單純的比較下，並不能決定資源的有效利用率。又，相對於結晶系太陽能電池其轉換效率為15%前後而言，非晶質矽太陽能電池為10%前後，依然留下了光照射下之輸出特性惡化的問題。
在此，有種種使用結晶系矽材料開發薄膜太陽能電池之試驗(非專利文獻2)。例如，於氧化鋁基板或石墨基板等，使用三氯矽烷氣體或四氯矽烷氣體等使多結晶之薄膜堆積者。此堆積膜因結晶缺陷多，若直接使用則轉換效率低，為使轉換效率向上提升，必須進行帶域熔融並改善其結晶性(參考專利文獻1)。但是，即使採用如此藉由帶域熔融之方法，在結晶粒界會有因漏電及壽命降低而於長波長區域導致光電流應答特性降低等之問題。
[專利文獻1]特開2004-342909號公報
[非專利文獻1]高橋清、濱川圭弘、後川昭雄編 著、「太陽光發電」、丸善、1980年、233頁 [非專利文獻2]高橋清、濱川圭弘、後川昭雄編著、「太陽光發電」、丸善、1980年、217頁
本發明有鑑於上述之問題點，係以提供一種，於矽太陽能電池中，為了企圖有效活用其原料之矽，在使光轉換層作為薄膜的同時，亦使轉換特性優異且光照射之惡化少的單結晶矽太陽能電池，並以可用為家屋等之採光用窗材料且經受光的可見光中可部分透過之透光型太陽電池、以及其製造方法為目的。
為達上述目的，本發明係提供一種製造於透明絕緣性基板上，配置單結晶矽層作為光轉換層之單結晶矽太陽能電池的製造方法，其特徵係包含：至少準備透明絕緣性基板與第一導電型之單結晶矽基板的步驟、於前述單結晶矽基板上注入氫離子或稀有氣體離子之至少一方後形成離子注入層的步驟、將前述離子注入面作為貼合面，使前述單結晶矽基板透過透明黏著劑與前述透明絕緣性基板緊密黏著的步驟、使前述透明黏著劑硬化為透明黏著層的同時，使前述單結晶矽基板與前述透明絕緣性基板貼合的步驟、給予前述離子注入層衝撃後，使前述單結晶矽基板機械性 地剝離為單結晶矽層之步驟、於前述單結晶矽層之前述剝離面側，形成複數的與前述第一導電型不同導電型之第二導電型的擴散領域，至少在面的方向上形成複數的pn接合，同時於前述單結晶矽層之前述剝離面上，使複數的第一導電型領域與複數的第二導電型領域存在之步驟、在前述單結晶矽層之前述複數的第一導電型領域上，分別形成複數的第一個別電極，於前述複數的第二導電型領域上，分別形成複數的第二個別電極之步驟、形成接續前述複數的第一個別電極之第一集電電極及接續前述複數的第二個別電極之第二集電電極之步驟(申請專利範圍第1項)。
根據含有如此步驟之單結晶矽太陽能電池之製造方法，係可製造於透明絕緣性基板上配置單結晶矽層以作為光轉換層之單結晶矽太陽能電池。
又，因為使用透明黏著劑使單結晶矽基板與透明絕緣性基板貼合，兩者可堅固地貼合。因此，即使不實施提高結合力的高溫熱處理，亦為十分堅固的接合。而且，如此，因接合面堅固地接合，其後對離子注入層衝擊而使單結晶矽基板機械性地剝離，而於透明絕緣性基板上可形成薄的單結晶矽層。因此，即使不進行剝離用之熱處理，單結晶矽層亦可薄膜化。
而且，根據含如此步驟之單結晶矽太陽能電池的製造方法，作為光轉換層之單結晶矽層的形成，因藉由自單結晶矽基板剝離而進行，而可使該單結晶矽層的結晶性變高。其結果係可使太陽能電池的轉換效率提高。
又，為了形成單結晶矽層之單結晶矽基板的剝離，因不依加熱而是以機械剝離之故，可抑制基於光轉換層上的熱膨脹率差異而引起之龜裂或缺陷。
又，因是矽層薄的薄膜太陽能電池，係可節約矽原料而有效地利用。
又，因僅於光轉換層的一方之面側形成取出電力之電極之故，而可作為電力取出容易的單結晶矽太陽能電池。
此時，前述透明絕緣性基板可為石英玻璃、結晶化玻璃、硼矽酸玻璃、鹼石灰玻璃之任一(申請專利範圍第2項)。
如此，若透明絕緣性基板為石英玻璃、結晶化玻璃、硼矽酸玻璃、鹼石灰玻璃之任一，此等為光學特性良好之透明絕緣性基板，可容易製造透光型單結晶矽太陽能電池。又，使所製造之單結晶矽太陽能電池與既存之窗玻璃等進行置換也將變得容易。
又，前述透明黏著劑以含有矽酮樹脂、丙烯酸樹脂、脂環式丙烯酸樹脂、液晶聚合物、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯中之至少一種者為佳(申請專利範圍第3項)。
如此，若透明黏著劑為含有矽酮樹脂、丙烯酸樹脂、脂環式丙烯酸樹脂、液晶聚合物、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯中之至少一種者，則此等因具有作為黏著劑之功能，且可見光透過性優異之故，可形成良好的透明黏著層。
再者，前述離子注入的深度係以自離子注入面起0.1μm以上5μm以下為佳(申請專利範圍第4項)。
如此，藉由使離子注入的深度為自離子注入面起0.1μm以上5μm以下，所製造之單結晶矽太陽能電池，其光轉換層之單結晶矽層厚度約可為0.1μm以上5μm以下。而且，若為具有如此厚度之單結晶矽層的單結晶矽太陽能電池，除了作為薄膜單結晶矽太陽電池可得實用性效率外，同時可節約使用之矽原料的量。又，若為具有如此厚度的單結晶矽層之單結晶矽太陽能電池，確實可使一部份可見光透過。
又，本發明提供一種藉由上述任一單結晶矽太陽能電池的製造方法所製造之單結晶矽太陽能電池(申請專利範圍第5項)。
如此，若為根據上述任一單結晶矽太陽能電池的製造方法所製造之單結晶矽太陽能電池，作為光轉換層之單結晶矽層的形成，係藉由自單結晶矽基板剝離而施行，且單結晶矽層之剝離乃因不經過加熱而進行機械剝離者，而可形成結晶性高的單結晶矽層。因此，比較膜厚而可為轉換效率高之薄膜太陽能電池。又，因是單結晶矽層的厚度為薄的薄膜太陽能電池，可使矽原料有效地利用。
又，本發明係提供一種，至少依序層合透明絕緣性基板、透明黏著層、單結晶矽層，且前述單結晶矽層係於與前述透明黏著層側之面的反側面上，形成複數的第一導電型領域與複數的第二導電型領域，而至少於面方向上形成 複數的pn接合者，在前述單結晶矽層之前述複數的第一導電型領域上，分別形成複數的第一個別電極，於前述複數的第二導電型領域上，分別形成複數的第二個別電極，並形成接續前述複數的第一個別電極之第一集電電極及接續前述複數的第二個別電極之第二集電電極之單結晶矽太陽能電池(申請專利範圍第6項)。
如此，若為至少依序層合透明絕緣性基板、透明黏著層、單結晶矽層，且前述單結晶矽層係於與前述透明黏著層側之面的反側面上，形成複數的第一導電型領域與複數的第二導電型領域，而至少於面方向上形成複數的pn接合者，且在前述單結晶矽層之前述複數的第一導電型領域上，分別形成複數的第一個別電極，於前述複數的第二導電型領域上，分別形成複數的第二個別電極，並形成接續前述複數的第一個別電極之第一集電電極及接續前述複數的第二個別電極之第二集電電極之單結晶矽太陽能電池，則作為透明絕緣性基板上配置有光轉換層之矽太陽能電池，因係使光轉換層為單結晶矽層之太陽能電池之故，比較膜厚而可為轉換效率高之太陽能電池。又，其由光轉換層取出電力用之電極，係因僅形成於光轉換層的一方之面側，而電力取出較容易。
此時，前述透明絕緣性基板係以石英玻璃、結晶化玻璃、硼矽酸玻璃、鹼石灰玻璃之任一為佳(申請專利範圍第7項)。
如此，透明絕緣性基板若為石英玻璃、結晶化玻璃、 硼矽酸玻璃、鹼石灰玻璃之任一，則因此等為光學性特性良好之透明絕緣性基板，可作為透明度高的透光型單結晶矽太陽能電池。又，使所製造之單結晶矽太陽能電池與既存的窗玻璃進行置換也很容易。
又，前述透明黏著層係以含有矽酮樹脂、丙烯酸樹脂、脂環式丙烯酸樹脂、液晶聚合物、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯中之至少一種為佳(申請專利範圍第8項)。
如此，前述透明黏著層若為含有矽酮樹脂、丙烯酸樹脂、脂環式丙烯酸樹脂、液晶聚合物、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯中之至少一種，則因此等可見光透過性優異，而可為良好的透明黏著層。
又，前述單結晶矽層的膜厚以0.1μm以上5μm以下為佳(申請專利範圍第9項)。
如此，單結晶矽層之膜厚若為0.1μm以上5μm以下，則作為薄膜單結晶矽太陽能電池可獲得實用性之效率，此外還可節約使用之矽原料的量。又，若其為具如此厚度的單結晶矽層之單結晶矽太陽能電池，確實可透過一部份的可見光。
再者，上述任一單結晶矽太陽能電池，由一方之面觀看時，以可透過看見另一方的面側者為佳(申請專利範圍第10項)。
如此，由一方之面側觀看時，若為由另一側的面側可透視、透明的太陽能電池，則可應用於與既存之窗玻璃等 置換等各式的場合。
根據本發明之單結晶矽太陽能電池的製造方法，可製造結晶性良好、使轉換效率高的單結晶矽層作為光轉換層之透光型薄膜太陽能電池。又，使電力取出電極僅形成於光轉換層之一方的面側上，而可為電力取出容易之單結晶矽太陽能電池。
又，根據本發明之單結晶矽太陽能電池，於透明絕緣性基板上配置有光轉換層之矽太陽能電池中，因其為使光轉換層為單結晶矽層之太陽能電池，比較膜厚可為轉換效率高之太陽能電池。
[實施發明之最佳形態]
如前述，即使於可節約矽原料之薄膜太陽能電池中，仍更加要求高轉換效率，而因此採用作為結晶系太陽能電池外，更要求改善其結晶性。
因此，本發明者們發現，使單結晶矽基板貼合於透明絕緣性基板後，藉由使該單結晶矽基板薄膜化，讓作為光轉換層之矽層的結晶性提高。而且想到，貼合單結晶矽基板與透明絕緣性基板之際，使用透明黏著劑，藉由使此硬化而可在即使無高溫熱處理下提高接合強度，且於剝離之際，亦可以進行機械性剝離，而在無高溫熱處理下剝離，使單結晶矽層的結晶性保持良好。又發現，使如此薄膜之 單結晶矽層為光轉換層時，對受光面也並非必須平行地形成pn接合界面，而對受光面呈垂直方向上可形成pn接合界面，亦可為取出光激發電力之構造。又想到，若為如此之薄膜太陽能電池，則可用為家屋的窗材料，可由一方之表面側看透另一方的表面側，意即可作為透光型太陽能電池，而遂完成本發明。
以下，就本發明之實施形態具體地說明，但本發明並非僅限於此等。
圖1係表示有關本發明之單結晶矽太陽能電池的製造方法之一例的步驟圖。
首先，準備單結晶矽基板11及透明絕緣性基板12(步驟a)。
單結晶矽基板並無特別限定，其係使以例如Czochralski法所育成之單結晶截切而得，可使用例如直徑為100~300mm、導電型為p型或n型、抵抗率為0.1~20Ω‧cm程度者。
又，透明絕緣性基板係選擇石英玻璃、結晶化玻璃、硼矽酸玻璃、鹼石灰玻璃等。雖無限定於此等，但有鑑於要透明、可代替窗玻璃材料之故，以上述玻璃材料為佳。又，使透明絕緣性基板作為玻璃材料上泛用之鹼石灰玻璃時，其表面亦可藉由浸塗法形成氧化矽皮膜或氧化錫皮膜(NESA膜)等。此等之皮膜係以具有作為防止對鹼石灰玻璃中的鹼金屬成分表面之溶出及擴散之緩衝膜功能為佳。
接著，於單結晶矽基板11注入氫離子或稀有氣體離子之至少一方後，形成離子注入層14(步驟b)。
例如，使單結晶矽基板的溫度為200~450℃，以自其表面13對應所希望之單結晶矽層的厚度之深度例如可於0.1~5μm以下之深度以形成離子注入層14之方式注入能量，注入固定線量的氫離子或稀有氣體離子之至少一方。此時，氫離子太輕之故，相同的加速能量時，以注入到從離子注入面13更深的地方特別佳。氫離子的電荷可為正負任一，原子離子之外，氫氣離子亦可。稀有氣體離子時，其電荷亦可為正負任一。
又，於單結晶矽基板之表面上預先形成薄矽酸化膜等之絕緣膜，若透過此進行離子注入，則有可抑制注入離子時之通道效應(channeling effect)的效果。
接著，使離子注入面13為貼合面，將單結晶矽基板11透過透明黏著劑15與透明絕緣性基板12緊密黏著(步驟c)。
此透明黏著劑係以採用丙烯酸樹脂、脂環式丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、液晶聚合物、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯等之可見光透過性優異之樹脂為佳。所使用之透明黏著劑，並非限定於此等，以其可見光的透過率為80%以上為佳。而後，透過如此之透明黏著劑使單結晶矽基板與透明絕緣性基板緊密黏著。此時，單結晶矽基板以離子注入面13作為貼合面。
具體而言，例如首先於單結晶矽基板與透明絕緣性基 板之至少一方的貼合面上形成透明黏著劑層。此透明黏著劑層的形成，係可選擇狹縫式擠壓塗佈、浸塗法等之塗佈法等。接著，將單結晶矽基板與透明絕緣性基板透過透明黏著劑層緊密黏著。
接著，使透明黏著劑15硬化為透明黏著層16的同時，將單結晶矽基板11與透明絕緣性基板12貼合(步驟d)。
此透明黏著劑的硬化方法並無特別限定，可搭配材料而適當選擇之。例如，以暫時加熱至250℃程度使透明黏著劑軟化後再行冷卻之方法、使溶劑揮發之方法等，使透明黏著劑硬化後堅固地使單結晶矽基板與透明絕緣性基板貼合。惟，此係使硬化處理自室溫至250℃前後為止之溫度條件進行，而不進行300℃以上之熱處理。若使透明絕緣性基板12與單結晶矽基板11於貼合狀態下進行300℃以上的高溫熱處理，因兩者的熱膨脹係數不同，而恐發生熱歪曲、裂縫、剝離等。如此，以不進行300℃以上的高溫熱處理之方式，直到後述之步驟e單結晶矽基板11之剝離轉印結束為止皆相同。
接著，給予離子注入層14衝撃而使前述單結晶矽基板11機械性地剝離後，為單結晶矽層17(步驟e)。
本發明中，因給予離子注入層衝撃而進行機械性剝離，則無伴隨著加熱而發生熱歪曲、裂縫、剝離等之虞。為了給予離子注入層衝擊，可例如由接合氣體或液體等流體射出之晶圓的側面以連續性或間斷性地吹附即可，若為藉 由衝撃所產生的機械性剝離則無特別限定。
此外，單結晶矽基板之機械剝離時，希望以於透明絕緣性基板的背面使第一補助基板緊密黏著的同時，於前述單結晶矽基板的背面使第二補助基板緊密黏著後進行單結晶矽基板之剝離為佳。如此使用補助基板進行機械剝離的話，經剝離轉印之矽單結晶層17上，可防止彎曲所造成的微小龜裂及因此產生的結晶缺陷，亦可防止太陽能電池的轉換效率降低。兩者的基板若為1mm程度以下薄的厚度時，依此方法所產生之效果顯著。例如，透明絕緣性基板為鹼石灰玻璃，而其厚度為0.7mm時，使補助基板為同樣的鹼石灰玻璃，其總計厚度為1mm以上後進行剝離。
又，進行單結晶矽基板的剝離轉印後，亦可進行為修復單結晶矽層17的表面附近之離子注入損傷之熱處理。在此時間點，單結晶矽基板11既以完成剝離轉印，變成薄膜狀之單結晶矽層17之故，即使進行300℃以上表面附近局部的熱處理，也不會有新的龜裂或伴隨著發生的缺陷產生。又，此情形在以後的步驟亦相同。
接著，在單結晶矽層17的剝離面側，形成複數的與步驟a中準備之單結晶矽基板導電型之第一導電型不同導電型之第二導電型的擴散領域22。此時，以至少於面的方向上形成複數的pn接合(pn接合界面的法線至少具有面向單結晶矽層17之面方向的成分)之方式，於單結晶矽層17之剝離面部位上，使複數的第一導電型領域21與複數的第二導電型領域22存在(步驟f)。
在步驟a準備之單結晶矽基板11若為p型單結晶矽時，則第一導電型為p型，且形成n型的擴散領域作為第二導電型。另外，若為n型之單結晶矽時，則第一導電型為n型，且形成p型的擴散領域作為第二導電型。較具體的複數的第二導電型之擴散領域的形成方法，可例如以下所述。在步驟a準備之單結晶矽基板11若為p型時，於單結晶矽層17的表面將磷的元素離子以離子注入法注入複數的領域(例如複數之平行線狀領域)，在此區域上，進行閃光燈退火(flash lamp annealing)或在單結晶矽層表面的吸收係數高的紫外線、深紫外線之雷射照射等，以實施供體的活性化處理係可形成複數的pn接合。此時，複數的n型擴散領域彼此重疊，以不成為單一領域之方式適當地調節離子注入量、擴散時間及擴散時間等為佳。又，如此之複數的pn接合之形成，係製成含有形成供體的磷之糊狀之組成物，將此藉由網版印刷法等於單結晶矽層17表面上之複數的領域(例如複數之平行線狀領域)進行塗佈，並使其以閃光燈退火或在單結晶矽層表面之吸收係數高的紫外線、深紫外線之雷射照射、紅外線加熱爐等進行擴散及活性化處理。
此外，第二導電型領域22亦可形成到達與單結晶矽層17之透明黏著層16之接合界面為止。
又，形成複數的第二導電型之擴散領域之外，於該複數的第二導電型的擴散領域之間，亦可形成第一導電型之高濃度擴散領域。例如，在上述p型矽基板於複數的領域 上使磷等擴散後形成n型之擴散領域時，亦可使形成硼等之受體之元素於上述複數的n型的擴散領域之間藉由同樣的方法，進行擴散及活性化處理後，可形成複數的p+ 領域。
接著，於單結晶矽層17之複數的第一導電型領域21上分別形成複數的第一個別電極23，於複數的第二導電型領域22上分別形成複數的第二個別電極24(步驟g)。
例如，於單結晶矽層17的表面，使用金屬或透明導電性材料，藉由真空蒸鍍法或化成濺鍍法等，於複數的第一導電型領域21上分別形成複數的第一個別電極23，於複數的第二導電型領域22上分別形成複數的第二個別電極24。又，藉由印刷法等於上述固定領域上塗佈含金屬等之糊狀的個別電極形成用組成物，亦可採用藉由熱處理使之硬化的方法等種種習知的方法。
而且，此時，使第一個別電極23不接合於第二導電型領域22，第二個別電極24不接合於第一導電型領域21。
又，步驟f之擴散領域形成步驟與步驟g之個別電極形成步驟，係可如下述處理之後同時進行。即，藉由印刷法或噴霧法於固定的領域塗佈含有作為供體或受體之摻合材料之電極形成用組成物，並可在以熱處理硬化形成複數的電極的同時，成為使摻合物擴散之形態。此時的熱處理亦可藉由上述之閃光燈退火或在單結晶矽層表面之吸收係數高的紫外線、深紫外線之雷射照射、紅外線加熱爐等進 行之。
又，透光型方面，係使本發明相關之太陽能電池，為了從一方之面側見時，可透視另一方之面側，以使個別的個別電極形成用組成物之塗佈間隔為10μm以上為佳，100μm以上更佳。本發明相關之單結晶矽層17因無結晶粒界，且為了使光生成載體的移動度及壽命與一般的單結晶矽基板同等，係使個別電極形成用組成物的間隔，可較多結晶矽薄膜及非晶質矽薄膜之其更加擴張，此亦賦予本發明相關太陽能電池之可見光透過性的提升。
接著，形成接續複數的第一個別電極23之第一集電電極25及接續複數的第二個別電極24之第二集電電極26(步驟h)。
此時的連結線樣態並無特別限定，但第一集電電極25不與第二導電型領域22或第二個別電極24接觸，而第二集電電極26不與第一導電型領域21或第一個別電極23接觸。
如此因形成第一集電電極25與第二集電電極26，可效率佳地取出於複數的第一個別電極23、複數的第二個別電極24所收集的電子及電洞。
又，以上的各種電極形成後，於單結晶矽層17上可再形成氮化矽等之保護膜等。
然後，依步驟a~h所製造之單結晶矽太陽能電池，於製造時不會發生熱歪曲、剝離、裂縫等，且具有薄又良好的膜厚均一性、結晶性優異、於透明絕緣性基板上具有 單結晶矽層之單結晶矽太陽能電池31。
此外，於步驟e中單結晶矽層17經剝離轉印後所殘留的單結晶矽基板，係因藉由研磨剝離後的粗面及離子注入層而進行平滑化及除去處理，且重複進行離子注入處理之故，而可再度作為單結晶矽基板11以利用之。本發明的單結晶矽太陽能電池之製造方法中，從離子注入步驟到剝離步驟中，因無須使單結晶矽基板於300℃以上加熱，故在單結晶矽基板上不會有導致氧所引發之缺陷的疑慮。因此，最初使用約小於1mm厚度之單結晶矽基板，使單結晶矽層17之膜厚為5μm時，甚至有可能進行100次以上之剝離轉印。
藉由如此的製造方法所製造之單結晶矽太陽能電池31係如圖2中模式所示，依序層合透明絕緣性基板12、透明黏著層16、單結晶矽層17，其中單結晶矽層17係於與透明黏著層16側之面為反側的面(剝離面)側上，形成有複數的第一導電型領域21與複數的第二導電型領域22，且於至少面的方向上複數形成有pn接合(pn接合界面的法線至少具有面向單結晶矽層17之面方向的成分)者，於單結晶矽層17之複數的第一導電型領域21上，分別形成有複數的第一個別電極23，複數的第二導電型領域22上分別形成有複數的第二個別電極24，且形成了接續複數的第一個別電極23之第一集電電極25及接續複數的第二個別電極24之第二集電電極26。
單結晶矽層17若為0.1μm以上5μm，則作為薄膜單 結晶矽太陽能電池可具實用的效率，同時又可充分地節約使用之矽原料的量。又，具有如此厚度的單結晶矽層之單結晶矽太陽能電池，確實可使一部份的可見光透過而呈透明。
又，本發明相關之單結晶矽太陽能電池31，從一方之面側看時，可透視另一方之面側，此時，受光面可為透明絕緣性基板12側或形成各種電極之面側的任一側。
 (實施例)
單結晶矽基板11，係準備一方的面為經鏡面研磨之直徑200mm(8英吋)、結晶面(100)、p型、其面之電阻15Ωcm之單結晶矽基板。又，透明絕緣性基板12，係準備直徑200mm(8英吋)、厚度2.5mm的石英玻璃基板(步驟a)。
接著，於單結晶矽基板11上，以於加速電壓350keV中正氫離子劑量為1.0×1017 /cm2 之條件注入(步驟b)。離子注入層14之深度為自離子注入面13算起約3μm。
接著，使烷基三烷氧基矽烷與四烷氧基矽烷以氯化氫當觸媒使用，得到水解聚縮合物。將此溶解於異丙醇之溶媒中，作為透明黏著劑(矽酮樹脂)。透過此透明黏著劑15，使單結晶矽11與石英玻璃基板12緊密黏著(步驟c)。
使此貼合基板於250℃加熱處理2小時後，藉由返回室溫而使透明黏著劑15硬化成透明黏著層16，同時讓單結晶矽11與石英玻璃基板12堅固地貼合(步驟d)。
接著，於接合界面附近吹附高壓氮氣後，自該吹附面開始剝離的方式，拉剝單結晶矽基板進行機械性地剝離(步驟e)。此時，於單結晶矽基板及石英玻璃基板上自背面使補助基板吸附後進行剝離。又，經剝離轉印之單結晶矽上藉由閃光燈退火法以表面瞬間性700℃以上之條件照射，使氫注入損傷恢復。
單結晶矽層17的表面上，使內含磷玻璃之乙基溶纖劑作為增黏劑之擴散用膏藉由網版印刷法以1mm間隔，形成線寬幅50μm之圖型。在此上，藉著閃光燈以瞬間性表面為600℃以上進行照射，形成複數的0.2μm接合深度的n型擴散領域22(步驟f)。藉此，單結晶矽層17的表面上，p型領域21與n型領域22交互存在，複數的pn接合形成於面的方向上。
使此擴散膏以氟酸及丙酮、異丙醇去除洗淨後，藉由真空蒸鍍法及圖型法，使電極材料為銀，於複數的p型領域21上分別形成第一個別電極23，於複數的n型領域22上分別形成第二個別電極24(步驟g)。
之後，再使電極材料為銀，分別使用金屬光罩藉由真空蒸鍍法，將複數的第一個別電極23呈連結線之方式形成第一集電電極25，將複數的第二個別電極24呈連結線之方式形成第二集電電極26(步驟h)。之後，使已去除 取出電極部分之表面藉由反應性濺鍍法形成氮化矽之保護皮膜。
如此，可如圖2所示，其係依序層合透明絕緣性基板、透明黏著層、單結晶矽層，且單結晶矽層係於與透明黏著層側之面的反側面上，形成有複數的p型領域與複數的n型領域，至少於面的方向上形成複數的pn接合者，而單結晶矽層之複數的p型領域上分別形成有複數的第一個別電極，而複數的n領域上分別形成有複數的第二個別電極，且形成有接續複數的第一個別電極之第一集電電極及接續複數的第二個別電極之第二集電電極，而製造了薄膜單結晶矽太陽能電池31。
如此進行而製造之單結晶矽太陽能電池上，藉由太陽能模擬器(Solar Simulator)以AM1.5照射100mW/cm2 之光，求取轉換效率。轉換效率為8.4%，且無經時變化。
又，透過此太陽能電池，晴天時的白天中，可捕捉由室外來的外光，看室外時，可看出室外的情況。
此外，本發明並非限定於上述實施形態。上述實施形態單只是例示，而具有本發明之申請專利範圍中所記載之技術性思想與實質性相同之構成、得到同樣作用效果者，不管任何型態都包含在本發明的技術的思想中。
11‧‧‧單結晶矽基板
12‧‧‧透明絕緣性基板
13‧‧‧離子注入面
14‧‧‧離子注入層
15‧‧‧透明黏著劑
16‧‧‧透明黏著層
17‧‧‧單結晶矽層
21‧‧‧第一導電型領域
22‧‧‧第二導電型領域
23‧‧‧第一個別電極
24‧‧‧第二個別電極
25‧‧‧第一集電電極
26‧‧‧第二集電電極
31‧‧‧單結晶矽太陽能電池
[圖1]顯示本發明相關之單結晶矽太陽能電池的 製造方法之一例的步驟圖。
[圖2]模式性地顯示本發明相關之單結晶矽太陽能電池之一例的概略剖面圖。
11‧‧‧單結晶矽基板
12‧‧‧透明絕緣性基板
13‧‧‧離子注入面
14‧‧‧離子注入層
15‧‧‧透明黏著劑
16‧‧‧透明黏著層
17‧‧‧單結晶矽層
21‧‧‧第一導電型領域
22‧‧‧第二導電型領域
23‧‧‧第一個別電極
24‧‧‧第二個別電極
25‧‧‧第一集電電極
26‧‧‧第二集電電極
31‧‧‧單結晶矽太陽能電池

Claims (10)

  1. 一種單結晶矽太陽能電池的製造方法，係於透明絶緣性基板上配置有單結晶矽層作為光轉換層之單結晶矽太陽能電池的製造方法，其特徵係至少包含準備透明絶緣性基板與第一導電型之單結晶矽基板的步驟、使前述單結晶矽基板的一面作為離子注入面，注入氫離子或稀有氣體離子的至少一方後，形成離子注入層的步驟、使前述離子注入面為貼合面，將前述單結晶矽基板透過透明黏著劑而與前述透明絶緣性基板緊密黏著的步驟、使前述透明黏著劑硬化後為透明黏著層的同時，貼合前述單結晶矽基板與前述透明絶緣性基板的步驟、給予前述離子注入層衝撃而使前述單結晶矽基板機械性地剝離，成為單結晶矽層之步驟、於前述單結晶矽層的前述剝離面側，形成複數的與前述第一導電型不同導電型之第二導電型的擴散領域，並於至少面的方向上形成複數的pn接合的同時，於前述單結晶矽層的前述剝離面上，存在複數的第一導電型領域與複數的第二導電型領域的步驟、於前述單結晶矽層的前述複數的第一導電型領域上分別形成複數的第一個別電極，於前述複數的第二導電型領域上分別形成複數的第二個別電極的步驟、形成接續前述複數的第一個別電極之第一集電電極及 接續前述複數的第二個別電極之第二集電電極的步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項之單結晶矽太陽能電池的製造方法，其中，係使前述透明絶緣性基板為石英玻璃、結晶化玻璃、硼矽酸玻璃、鹼石灰玻璃之任一。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之單結晶矽太陽能電池的製造方法，其中，係使前述透明黏著劑含有矽酮樹脂、丙烯酸樹脂、脂環式丙烯酸樹脂、液晶聚合物、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯中之至少一種。
  4. 如申請專利範圍第1項之單結晶矽太陽能電池的製造方法，其中，係使前述離子注入的深度為自離子注入面起0.1μm以上5μm以下。
  5. 一種單結晶矽太陽能電池，其特徵係藉由申請專利範圍第1~4項中任一項之單結晶矽太陽能電池的製造方法所製造。
  6. 一種單結晶矽太陽能電池，其係於至少依序層合透明絶緣性基板、透明黏著層、以離子注入而形成為薄膜狀之單結晶矽層所成的基板上，前述單結晶矽層係於與前述透明黏著層側之面為反側之面上形成有複數的第一導電型領域與複數的第二導電型領域，且至少於面之方向上形成複數的pn接合者，而前述單結晶矽層的前述複數的第一導電型領域上分別形成有複數的第一個別電極，前述複數的第二導電型領域上分別形成有複數的第二個別電極，並形成接續前述複數的第一個別電極的第一集電電極及接續前述複數的第二個別電極的第二集電電極者。
  7. 如申請專利範圍第6項之單結晶矽太陽能電池，其中，前述透明絶緣性基板係石英玻璃、結晶化玻璃、硼矽酸玻璃、鹼石灰玻璃之任一者。
  8. 如申請專利範圍第6或7項之單結晶矽太陽能電池，其中，前述透明黏著層係含有矽酮樹脂、丙烯酸樹脂、脂環式丙烯酸樹脂、液晶聚合物、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯中之至少一種。
  9. 如申請專利範圍第6項之單結晶矽太陽能電池，其中，前述單結晶矽層的膜厚為0.1μm以上5μm以下。
  10. 如申請專利範圍第5項之單結晶矽太陽能電池，其中，前述單結晶矽太陽能電池係自一方之面側看時，可透視另一方之面側者。
TW096140585A 2006-10-30 2007-10-29 Single crystal silicon solar cell manufacturing methods and single crystal silicon solar cells TWI415273B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006294490A JP2008112840A (ja) 2006-10-30 2006-10-30 単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200836354A TW200836354A (en) 2008-09-01
TWI415273B true TWI415273B (zh) 2013-11-11

Family

ID=39247766

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096140585A TWI415273B (zh) 2006-10-30 2007-10-29 Single crystal silicon solar cell manufacturing methods and single crystal silicon solar cells

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8227290B2 (zh)
EP (1) EP1926149A3 (zh)
JP (1) JP2008112840A (zh)
KR (1) KR20080039229A (zh)
CN (1) CN101174595B (zh)
TW (1) TWI415273B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008112847A (ja) * 2006-10-30 2008-05-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池
JP2008112843A (ja) * 2006-10-30 2008-05-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池
JP2008112848A (ja) * 2006-10-30 2008-05-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池
JP5090716B2 (ja) * 2006-11-24 2012-12-05 信越化学工業株式会社 単結晶シリコン太陽電池の製造方法
EP2323170A4 (en) * 2008-05-20 2017-11-22 Tsoi, Bronya Electromagnetic radiation converter and a battery
US7816239B2 (en) * 2008-11-20 2010-10-19 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Technique for manufacturing a solar cell
KR101054959B1 (ko) * 2009-03-31 2011-08-05 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
US8461556B2 (en) 2010-09-08 2013-06-11 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Using beam blockers to perform a patterned implant of a workpiece
WO2016025655A1 (en) * 2014-08-12 2016-02-18 Solexel, Inc. Amorphous silicon based laser doped solar cells
US10515907B2 (en) 2018-05-17 2019-12-24 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing hydrogen diffusion blocking structures and method of making the same
US10515897B2 (en) 2018-05-17 2019-12-24 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing hydrogen diffusion blocking structures and method of making the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4427839A (en) * 1981-11-09 1984-01-24 General Electric Company Faceted low absorptance solar cell
US5956571A (en) * 1997-05-02 1999-09-21 Yang; Mei-Hua Solar battery with thin film type of single crystal silicon
US5985742A (en) * 1997-05-12 1999-11-16 Silicon Genesis Corporation Controlled cleavage process and device for patterned films

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0078541B1 (en) * 1981-11-04 1991-01-16 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Flexible photovoltaic device
JPS63287077A (ja) * 1987-05-20 1988-11-24 Hitachi Ltd 光電変換デバイス
US4927770A (en) * 1988-11-14 1990-05-22 Electric Power Research Inst. Corp. Of District Of Columbia Method of fabricating back surface point contact solar cells
FR2681472B1 (fr) * 1991-09-18 1993-10-29 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur.
JP2821830B2 (ja) 1992-05-14 1998-11-05 セイコーインスツルメンツ株式会社 半導体薄膜素子その応用装置および半導体薄膜素子の製造方法
JP3360919B2 (ja) * 1993-06-11 2003-01-07 三菱電機株式会社 薄膜太陽電池の製造方法，及び薄膜太陽電池
US5646532A (en) * 1993-09-20 1997-07-08 Bruker Medizintechnik Gmbh Partial body tomograph
JPH07106617A (ja) 1993-09-30 1995-04-21 Canon Inc 透明電極及びその形成方法並びに該透明電極を用いた太陽電池
JP3381443B2 (ja) * 1995-02-02 2003-02-24 ソニー株式会社 基体から半導体層を分離する方法、半導体素子の製造方法およびｓｏｉ基板の製造方法
JP3628108B2 (ja) * 1996-06-10 2005-03-09 株式会社イオン工学研究所 太陽電池の製造方法
JPH1093122A (ja) 1996-09-10 1998-04-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 薄膜太陽電池の製造方法
SG67458A1 (en) * 1996-12-18 1999-09-21 Canon Kk Process for producing semiconductor article
JPH114008A (ja) 1997-06-11 1999-01-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 薄膜太陽電池の製造方法
US5972732A (en) * 1997-12-19 1999-10-26 Sandia Corporation Method of monolithic module assembly
KR100333123B1 (ko) * 1998-01-28 2002-04-18 하루타 히로시 태양 전지 장치의 제조 방법
US6331208B1 (en) * 1998-05-15 2001-12-18 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing solar cell, process for producing thin-film semiconductor, process for separating thin-film semiconductor, and process for forming semiconductor
JP3385972B2 (ja) 1998-07-10 2003-03-10 信越半導体株式会社 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ
JP2000164905A (ja) * 1998-09-22 2000-06-16 Canon Inc 光電変換装置の製造方法とその製造装置
DE19936941B4 (de) 1998-11-11 2008-11-06 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung dünner Schichten, insbesondere Dünnschichtsolarzellen, auf einem Trägersubstrat
US6555443B1 (en) * 1998-11-11 2003-04-29 Robert Bosch Gmbh Method for production of a thin film and a thin-film solar cell, in particular, on a carrier substrate
JP2000150940A (ja) * 1998-11-18 2000-05-30 Denso Corp 半導体微粒子集合体及びその製造方法
JP4329183B2 (ja) * 1999-10-14 2009-09-09 ソニー株式会社 単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法、バックコンタクト型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法および集積型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法
JP2001189477A (ja) 1999-12-28 2001-07-10 Komatsu Ltd 光電変換装置の製造方法及び光電変換装置
JP2001217443A (ja) 2000-02-04 2001-08-10 Sony Corp 半導体素子およびその製造方法、太陽電池およびその製造方法ならびに半導体素子を用いた光学素子
JP2001284616A (ja) * 2000-04-03 2001-10-12 Toyota Motor Corp 熱光発電装置用光電変換素子
JP2003017723A (ja) 2001-06-29 2003-01-17 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体薄膜の製造方法及び太陽電池の製造方法
US7176528B2 (en) * 2003-02-18 2007-02-13 Corning Incorporated Glass-based SOI structures
JP2004304622A (ja) 2003-03-31 2004-10-28 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス及びその製造方法
US7235461B2 (en) * 2003-04-29 2007-06-26 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Method for bonding semiconductor structures together
JP4594601B2 (ja) 2003-05-16 2010-12-08 日立電線株式会社 結晶シリコン系薄膜太陽電池の製造方法及びそれを用いて形成した太陽電池
US7700869B2 (en) * 2005-02-03 2010-04-20 Guardian Industries Corp. Solar cell low iron patterned glass and method of making same
EP1894234B1 (en) * 2005-02-28 2021-11-03 Silicon Genesis Corporation Substrate stiffening method and system for a layer transfer.
JP4728030B2 (ja) 2005-04-14 2011-07-20 信越化学工業株式会社 Ｓｏｉウエーハの製造方法
JP5128761B2 (ja) 2005-05-19 2013-01-23 信越化学工業株式会社 Ｓｏｉウエーハの製造方法
JP2008112848A (ja) * 2006-10-30 2008-05-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池
JP5090716B2 (ja) * 2006-11-24 2012-12-05 信越化学工業株式会社 単結晶シリコン太陽電池の製造方法
JP5166745B2 (ja) * 2007-03-07 2013-03-21 信越化学工業株式会社 単結晶シリコン太陽電池の製造方法
JP5048380B2 (ja) * 2007-04-09 2012-10-17 信越化学工業株式会社 単結晶シリコン太陽電池の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4427839A (en) * 1981-11-09 1984-01-24 General Electric Company Faceted low absorptance solar cell
US5956571A (en) * 1997-05-02 1999-09-21 Yang; Mei-Hua Solar battery with thin film type of single crystal silicon
US5985742A (en) * 1997-05-12 1999-11-16 Silicon Genesis Corporation Controlled cleavage process and device for patterned films

Also Published As

Publication number Publication date
CN101174595A (zh) 2008-05-07
CN101174595B (zh) 2011-12-07
EP1926149A3 (en) 2011-06-15
EP1926149A2 (en) 2008-05-28
US20080099067A1 (en) 2008-05-01
JP2008112840A (ja) 2008-05-15
US8227290B2 (en) 2012-07-24
KR20080039229A (ko) 2008-05-07
TW200836354A (en) 2008-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI415273B (zh) Single crystal silicon solar cell manufacturing methods and single crystal silicon solar cells
TWI485873B (zh) A single crystal silicon solar cell manufacturing method and a single crystal silicon solar cell
JP5166745B2 (ja) 単結晶シリコン太陽電池の製造方法
KR101341199B1 (ko) 단결정 실리콘 태양전지의 제조 방법 및 단결정 실리콘 태양전지
JP5090716B2 (ja) 単結晶シリコン太陽電池の製造方法
US8227289B2 (en) Method for producing single crystal silicon solar cell and single crystal silicon solar cell
JP4866210B2 (ja) 単結晶シリコン太陽電池の製造方法
JP4955367B2 (ja) 単結晶シリコン太陽電池の製造方法
JP2011216920A (ja) 単結晶シリコン太陽電池

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees