JP2000164905A - 光電変換装置の製造方法とその製造装置 - Google Patents
光電変換装置の製造方法とその製造装置Info
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】
【課題】 歩留まりよく貼り合わせた基板を分離する方
法を提供して、低製造コストで高品質の光電変換装置を
供給できる製造方法と製造装置を提供する。 【解決手段】 第１の半導体層１１と第２の半導体層５
の間に分離層３を有する半導体基板１を形成し、前記第
２の半導体層５の前記分離層３面と反対側の面に支持基
板２を貼り合わせて貼り合わせ基板を形成し、前記分離
層３で前記第１の半導体層１１と前記第２の半導体層５
を分離して、前記第２の半導体層５を用いて光電変換装
置を製造する方法において、前記半導体基板１と前記支
持基板２を貼り合わせる際に、少なくとも一方の端部で
互いを貼り合わせていない部分を少なくとも一部形成
し、前記貼り合わせ基板の側面に流体を吹き付けること
により、前記第１の半導体層１１と前記第２の半導体層
５を分離する光電変換装置の製造方法。
法を提供して、低製造コストで高品質の光電変換装置を
供給できる製造方法と製造装置を提供する。 【解決手段】 第１の半導体層１１と第２の半導体層５
の間に分離層３を有する半導体基板１を形成し、前記第
２の半導体層５の前記分離層３面と反対側の面に支持基
板２を貼り合わせて貼り合わせ基板を形成し、前記分離
層３で前記第１の半導体層１１と前記第２の半導体層５
を分離して、前記第２の半導体層５を用いて光電変換装
置を製造する方法において、前記半導体基板１と前記支
持基板２を貼り合わせる際に、少なくとも一方の端部で
互いを貼り合わせていない部分を少なくとも一部形成
し、前記貼り合わせ基板の側面に流体を吹き付けること
により、前記第１の半導体層１１と前記第２の半導体層
５を分離する光電変換装置の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光電変換装置の製
造方法とその製造装置に関し、特に光エネルギーを電気
エネルギーに変換する太陽電池とその製造方法に関す
る。
造方法とその製造装置に関し、特に光エネルギーを電気
エネルギーに変換する太陽電池とその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】火力発電による石油の燃焼や、自動車の
エンジンによるガソリンの燃焼などによる、二酸化炭
素、窒素酸化物などの地球温暖化ガスの排出が、地球環
境を悪化させる原因になっている。また、将来の原油の
枯渇の心配もある。そこで、クリーンなエネルギー源と
して太陽電池による発電に関心が高まっている。薄膜結
晶シリコン（Ｓｉ）太陽電池は発電層が薄く、使用する
Ｓｉ原料が少ないので低コスト化ができる。また、薄膜
結晶Ｓｉ太陽電池は、結晶Ｓｉを発電層とするので、ア
モルファスＳｉなどを用いた太陽電池に比べて、高変換
効率、低劣化が期待できる。さらに、薄膜結晶Ｓｉ太陽
電池は、ある程度折り曲げることができるので、自動車
のボディや荷電製品や屋根瓦などの曲面部に貼って使用
できる。
エンジンによるガソリンの燃焼などによる、二酸化炭
素、窒素酸化物などの地球温暖化ガスの排出が、地球環
境を悪化させる原因になっている。また、将来の原油の
枯渇の心配もある。そこで、クリーンなエネルギー源と
して太陽電池による発電に関心が高まっている。薄膜結
晶シリコン（Ｓｉ）太陽電池は発電層が薄く、使用する
Ｓｉ原料が少ないので低コスト化ができる。また、薄膜
結晶Ｓｉ太陽電池は、結晶Ｓｉを発電層とするので、ア
モルファスＳｉなどを用いた太陽電池に比べて、高変換
効率、低劣化が期待できる。さらに、薄膜結晶Ｓｉ太陽
電池は、ある程度折り曲げることができるので、自動車
のボディや荷電製品や屋根瓦などの曲面部に貼って使用
できる。
【０００３】薄膜結晶Ｓｉ太陽電池を実現するために、
特開平８−２１３６４５号公報は、多孔質Ｓｉ層上のエ
ピタキシャル層を利用して、薄膜単結晶Ｓｉを分離する
ことを開示している。図３３は、特開平８−２１３６４
５号公報で、薄膜Ｓｉの太陽電池を形成する方法を表す
模式的な断面図である。図中、２６０１はＳｉウェハ、
２６０２は多孔質Ｓｉ層、２６０３はｐ+型Ｓｉ層、２
６０４はｐ-型Ｓｉ層、２６０５はｎ+型Ｓｉ層、２６０
６は保護膜、２６０７は接着剤、２６０８，２６０９は
治具である。
特開平８−２１３６４５号公報は、多孔質Ｓｉ層上のエ
ピタキシャル層を利用して、薄膜単結晶Ｓｉを分離する
ことを開示している。図３３は、特開平８−２１３６４
５号公報で、薄膜Ｓｉの太陽電池を形成する方法を表す
模式的な断面図である。図中、２６０１はＳｉウェハ、
２６０２は多孔質Ｓｉ層、２６０３はｐ+型Ｓｉ層、２
６０４はｐ-型Ｓｉ層、２６０５はｎ+型Ｓｉ層、２６０
６は保護膜、２６０７は接着剤、２６０８，２６０９は
治具である。
【０００４】図３３に示す太陽電池の製造方法では、ま
ず、Ｓｉウェハ２６０１の表面に陽極化成により多孔質
Ｓｉ層２６０２を形成する。その後、多孔質Ｓｉ層２６
０２上にｐ+型Ｓｉ層２６０３をエピタキシャル成長さ
せ、さらにその上にｐ-型Ｓｉ層２６０４とｎ+型Ｓｉ層
２６０５をそれぞれエピタキシャル成長させる。そし
て、保護膜２６０６を形成する。そして、保護膜２６０
６とＳｉウェハ２６０１に接着剤２６０７を付けて、治
具２６０８，２６０９を接着する。その後、治具２６０
８，２６０９に引っ張り力Ｐを働かせて、多孔質Ｓｉ層
２６０２でＳｉウェハ２６０１とエピタキシャルＳｉ層
２６０３，２６０４，２６０５を分離する。そして、エ
ピタキシャルＳｉ層２６０３，２６０４，２６０５を用
いて太陽電池を形成し、Ｓｉウェハ２６０１を再び同様
の工程に投入してコストダウンを図る。
ず、Ｓｉウェハ２６０１の表面に陽極化成により多孔質
Ｓｉ層２６０２を形成する。その後、多孔質Ｓｉ層２６
０２上にｐ+型Ｓｉ層２６０３をエピタキシャル成長さ
せ、さらにその上にｐ-型Ｓｉ層２６０４とｎ+型Ｓｉ層
２６０５をそれぞれエピタキシャル成長させる。そし
て、保護膜２６０６を形成する。そして、保護膜２６０
６とＳｉウェハ２６０１に接着剤２６０７を付けて、治
具２６０８，２６０９を接着する。その後、治具２６０
８，２６０９に引っ張り力Ｐを働かせて、多孔質Ｓｉ層
２６０２でＳｉウェハ２６０１とエピタキシャルＳｉ層
２６０３，２６０４，２６０５を分離する。そして、エ
ピタキシャルＳｉ層２６０３，２６０４，２６０５を用
いて太陽電池を形成し、Ｓｉウェハ２６０１を再び同様
の工程に投入してコストダウンを図る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特開平８−２
１３６４５号公報の方法では、治具２６０８，２６０９
に単に引っ張り力を働かせて、多孔質Ｓｉ層２６０２で
Ｓｉウェハ２６０１とエピタキシャルＳｉ層２６０３，
２６０４，２６０５を分離する。この方法では、うまく
多孔質Ｓｉ層２６０２で分離できるとは限らない。引っ
張り力で分離するとき、エピタキシャル層２６０３，２
６０４，２６０５を割ってしまったり、傷をつけてしま
うことが多い。このため、提供する光電変換装置は、歩
留まりが悪かったり、低品質だったりする。
１３６４５号公報の方法では、治具２６０８，２６０９
に単に引っ張り力を働かせて、多孔質Ｓｉ層２６０２で
Ｓｉウェハ２６０１とエピタキシャルＳｉ層２６０３，
２６０４，２６０５を分離する。この方法では、うまく
多孔質Ｓｉ層２６０２で分離できるとは限らない。引っ
張り力で分離するとき、エピタキシャル層２６０３，２
６０４，２６０５を割ってしまったり、傷をつけてしま
うことが多い。このため、提供する光電変換装置は、歩
留まりが悪かったり、低品質だったりする。
【０００６】そこで、本発明の目的は、歩留まりよく貼
り合わせた基板を分離する方法を提供して、低製造コス
トで高品質の光電変換装置を供給できる製造方法と製造
装置を提供することである。
り合わせた基板を分離する方法を提供して、低製造コス
トで高品質の光電変換装置を供給できる製造方法と製造
装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
めに、本発明者らが鋭意努力した結果、以下の発明を得
た。
めに、本発明者らが鋭意努力した結果、以下の発明を得
た。
【０００８】すなわち、本発明の光電変換装置の製造方
法の第１は、第１の半導体層と第２の半導体層の間に分
離層を有する半導体基板を形成し、前記第２の半導体層
の前記分離層面と反対側の面に支持基板を貼り合わせて
貼り合わせ基板を形成し、前記分離層で前記第１の半導
体層と前記第２の半導体層を分離して、前記第２の半導
体層を用いて光電変換装置を製造する方法において、前
記半導体基板と前記支持基板を貼り合わせる際に、少な
くとも一方の端部で互いを貼り合わせていない部分を少
なくとも一部形成し、前記貼り合わせ基板の側面に流体
を吹き付けることにより、前記第１の半導体層と前記第
２の半導体層を分離することを特徴とする。
法の第１は、第１の半導体層と第２の半導体層の間に分
離層を有する半導体基板を形成し、前記第２の半導体層
の前記分離層面と反対側の面に支持基板を貼り合わせて
貼り合わせ基板を形成し、前記分離層で前記第１の半導
体層と前記第２の半導体層を分離して、前記第２の半導
体層を用いて光電変換装置を製造する方法において、前
記半導体基板と前記支持基板を貼り合わせる際に、少な
くとも一方の端部で互いを貼り合わせていない部分を少
なくとも一部形成し、前記貼り合わせ基板の側面に流体
を吹き付けることにより、前記第１の半導体層と前記第
２の半導体層を分離することを特徴とする。
【０００９】本発明の光電変換装置の製造方法の第１に
おいては、前記半導体基板と前記支持基板の互いを貼り
合わせていない部分が分離層の近傍に存在し、流体の流
れを受けて分離層を押し拡げる方向の力を生ずるよう
な、凹型を形成していることが好ましく、前記凹型が、
半導体基板のべべリングにより形成されていることが好
ましい。
おいては、前記半導体基板と前記支持基板の互いを貼り
合わせていない部分が分離層の近傍に存在し、流体の流
れを受けて分離層を押し拡げる方向の力を生ずるよう
な、凹型を形成していることが好ましく、前記凹型が、
半導体基板のべべリングにより形成されていることが好
ましい。
【００１０】また、前記分離層の周縁部を除去した後に
前記分離を行うことが好ましい。
前記分離を行うことが好ましい。
【００１１】本発明は、つぎの光電変換装置の製造方法
も包含する。すなわち、本発明の光電変換装置の製造方
法の第２は、第１の半導体層と第２の半導体層の間に分
離層を有する半導体基板を形成し、前記第２の半導体層
の前記分離層面と反対側の面に支持基板を貼り合わせて
貼り合わせ基板を形成し、前記分離層で前記第１の半導
体層と前記第２の半導体層を分離して、前記第２の半導
体層を用いて光電変換装置を製造する方法において、前
記半導体基板と前記支持基板を貼り合わせる際に、互い
の端部をそろえて貼り合わせ、前記貼り合わせ基板の側
面に流体を吹き付けることにより、第１の半導体層と前
記第２の半導体層を分離することを特徴とする。
も包含する。すなわち、本発明の光電変換装置の製造方
法の第２は、第１の半導体層と第２の半導体層の間に分
離層を有する半導体基板を形成し、前記第２の半導体層
の前記分離層面と反対側の面に支持基板を貼り合わせて
貼り合わせ基板を形成し、前記分離層で前記第１の半導
体層と前記第２の半導体層を分離して、前記第２の半導
体層を用いて光電変換装置を製造する方法において、前
記半導体基板と前記支持基板を貼り合わせる際に、互い
の端部をそろえて貼り合わせ、前記貼り合わせ基板の側
面に流体を吹き付けることにより、第１の半導体層と前
記第２の半導体層を分離することを特徴とする。
【００１２】本発明の第１及び第２の製造方法において
は、前記分離層は、内部に微小空隙を有しているのが望
ましい。また、前記分離層は、前記支持基板と半導体基
板との貼り合わせ箇所より機械的強度が脆弱であるのが
望ましい。
は、前記分離層は、内部に微小空隙を有しているのが望
ましい。また、前記分離層は、前記支持基板と半導体基
板との貼り合わせ箇所より機械的強度が脆弱であるのが
望ましい。
【００１３】また、前記半導体基板は、単結晶シリコン
基板を部分的に多孔質化することによって多孔質単結晶
シリコン層である分離層を形成し、該分離層上に単結晶
シリコン層をエピタキシャル成長することによって形成
され、前記分離層は、陽極化成法によって形成されても
よいし、前記半導体基板は、単結晶シリコン基板の所定
の深さに微小気泡層である分離層を設けることによって
形成され、前記分離層は、イオン打ち込みにより形成さ
れてもよい。
基板を部分的に多孔質化することによって多孔質単結晶
シリコン層である分離層を形成し、該分離層上に単結晶
シリコン層をエピタキシャル成長することによって形成
され、前記分離層は、陽極化成法によって形成されても
よいし、前記半導体基板は、単結晶シリコン基板の所定
の深さに微小気泡層である分離層を設けることによって
形成され、前記分離層は、イオン打ち込みにより形成さ
れてもよい。
【００１４】また、前記流体を吹き付ける方法として、
高圧の水流をノズルから吹き出すウォーター・ジェット
法を用いるのが望ましい。
高圧の水流をノズルから吹き出すウォーター・ジェット
法を用いるのが望ましい。
【００１５】また、支持基板は、光透過性の基板である
ことが好ましい。
ことが好ましい。
【００１６】また、前記第２の半導体層の内部に半導体
接合を形成した後に前記分離を行うことが好ましい。
接合を形成した後に前記分離を行うことが好ましい。
【００１７】また、前記流体を吹き付ける手段としてノ
ズルを用い、該ノズルを前記貼り合わせ基板の外周に平
行に移動しながら前記流体を吹き付けることが好まし
い。
ズルを用い、該ノズルを前記貼り合わせ基板の外周に平
行に移動しながら前記流体を吹き付けることが好まし
い。
【００１８】その際、前記貼り合わせ基板の外周が多角
形であり、該外周の一辺に平行に前記ノズルを移動しな
がら前記流体を吹き付けた後に、該貼り合わせ基板を回
転させ、該外周の他の辺に平行に前記ノズルを移動しな
がら前記流体を吹き付けることが好ましい。
形であり、該外周の一辺に平行に前記ノズルを移動しな
がら前記流体を吹き付けた後に、該貼り合わせ基板を回
転させ、該外周の他の辺に平行に前記ノズルを移動しな
がら前記流体を吹き付けることが好ましい。
【００１９】また、本発明は、光電変換装置の製造装置
も包含する。すなわち、本発明の光電変換装置の製造装
置は、第１の半導体層と、光電変換装置が製造される第
２の半導体層の間に分離層を有する半導体基板と、第２
の半導体層の分離層と反対の面に貼り合わされた支持基
板よりなる貼り合わせ基板を保持する保持材と、貼り合
わせ基板の側面に流体を吹き付けて分離層で第１の半導
体層と第２の半導体層を分離するノズルとを少なくとも
有することを特徴とする。
も包含する。すなわち、本発明の光電変換装置の製造装
置は、第１の半導体層と、光電変換装置が製造される第
２の半導体層の間に分離層を有する半導体基板と、第２
の半導体層の分離層と反対の面に貼り合わされた支持基
板よりなる貼り合わせ基板を保持する保持材と、貼り合
わせ基板の側面に流体を吹き付けて分離層で第１の半導
体層と第２の半導体層を分離するノズルとを少なくとも
有することを特徴とする。
【００２０】本発明において、光電変換装置とは、太陽
電池や光センサーなどを包含する。
電池や光センサーなどを包含する。
【００２１】
【発明の実施の形態】図３２は、本発明の貼り合わせ基
板を説明する模式的な断面図である。貼り合わせ基板
は、半導体基板と支持基板を貼り合わせた基板である。
図中、３００１は第１の半導体層、３００２は分離層、
３００３は第２の半導体層、３００４は半導体基板、３
００７は支持基板である。
板を説明する模式的な断面図である。貼り合わせ基板
は、半導体基板と支持基板を貼り合わせた基板である。
図中、３００１は第１の半導体層、３００２は分離層、
３００３は第２の半導体層、３００４は半導体基板、３
００７は支持基板である。
【００２２】図３２の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発
明の製造方法の第１に用いる貼り合わせ基板の例を示す
模式的な断面図である。これらの貼り合わせ基板には図
３２のＡ，Ｂ，Ｃのような部分があり、これが半導体基
板３００４と支持基板３００７の端部で互いを貼り合わ
せていない部分である。こういう部分が少なくとも一部
ある基板が、本発明の製造方法の第１の貼り合わせ基板
である。図３２（ａ）では貼り合わせ基板の端部で半導
体基板３００４と支持基板３００７が離れているため、
半導体基板３００４の端部と支持基板３００７の端部の
両方とも互いを貼り合わせていない。図３２（ｂ）で
は、支持基板３００７の端部を貼り合わせていない。図
３２（ｃ）では、半導体基板３００４の端部を貼り合わ
せていない。
明の製造方法の第１に用いる貼り合わせ基板の例を示す
模式的な断面図である。これらの貼り合わせ基板には図
３２のＡ，Ｂ，Ｃのような部分があり、これが半導体基
板３００４と支持基板３００７の端部で互いを貼り合わ
せていない部分である。こういう部分が少なくとも一部
ある基板が、本発明の製造方法の第１の貼り合わせ基板
である。図３２（ａ）では貼り合わせ基板の端部で半導
体基板３００４と支持基板３００７が離れているため、
半導体基板３００４の端部と支持基板３００７の端部の
両方とも互いを貼り合わせていない。図３２（ｂ）で
は、支持基板３００７の端部を貼り合わせていない。図
３２（ｃ）では、半導体基板３００４の端部を貼り合わ
せていない。
【００２３】図３２（ｄ）は、本発明の製造方法の第２
に用いる貼り合わせ基板の断面図である。この貼り合わ
せ基板は、Ｄ部分のように半導体基板３００４の端部と
支持基板３００７の端部の位置が同じである。
に用いる貼り合わせ基板の断面図である。この貼り合わ
せ基板は、Ｄ部分のように半導体基板３００４の端部と
支持基板３００７の端部の位置が同じである。
【００２４】本発明の第１の半導体層３００１は、Ｓ
ｉ、ＧａＡｓなどからなる通常の半導体ウェハが望まし
い。第２の半導体層３００３は、分離層３００２上にエ
ピタキシャル成長させたＳｉ、ＧａＡｓ層でも、分離層
３００２上に設けた多結晶層、アモルファス層でもよ
い。第１の半導体層３００１をＳｉウェハにして陽極化
成などの方法で分離層３００２を形成し、第２の半導体
層３００３をホモエピタキシャル成長させたＳｉ層にし
てもいいし、第２の半導体層３００３をヘテロエピタキ
シャル成長させたＧａＡｓ層にしてもいい。また、半導
体ウェハにイオン打ち込みをするなどして、半導体ウェ
ハ内に第１の半導体層３００１、分離層３００２、第２
の半導体層３００３を形成してもいい。
ｉ、ＧａＡｓなどからなる通常の半導体ウェハが望まし
い。第２の半導体層３００３は、分離層３００２上にエ
ピタキシャル成長させたＳｉ、ＧａＡｓ層でも、分離層
３００２上に設けた多結晶層、アモルファス層でもよ
い。第１の半導体層３００１をＳｉウェハにして陽極化
成などの方法で分離層３００２を形成し、第２の半導体
層３００３をホモエピタキシャル成長させたＳｉ層にし
てもいいし、第２の半導体層３００３をヘテロエピタキ
シャル成長させたＧａＡｓ層にしてもいい。また、半導
体ウェハにイオン打ち込みをするなどして、半導体ウェ
ハ内に第１の半導体層３００１、分離層３００２、第２
の半導体層３００３を形成してもいい。
【００２５】図１は本発明による貼り合わせ基板の分離
方法を説明する為の模式的な斜視図である。
方法を説明する為の模式的な斜視図である。
【００２６】図１の（ａ）は盤状（板状）の半導体基板
１と支持基板２との接合前の様子を示している。半導体
基板１は第１の半導体層１１と第２の半導体層５の間に
分離箇所となる分離層３を有している。この分離層３
は、接合面４ａ側にある第２の半導体層５より機械的強
度が弱い。
１と支持基板２との接合前の様子を示している。半導体
基板１は第１の半導体層１１と第２の半導体層５の間に
分離箇所となる分離層３を有している。この分離層３
は、接合面４ａ側にある第２の半導体層５より機械的強
度が弱い。
【００２７】２つの基板１，２は、図１の（ｂ）に示す
ように接合面４ａ，４ｂを向き合わせて接合され接合界
面１４を有する円盤状の貼り合わせ基板６となる。この
貼り合わせ基板６の側面（端面）にある分離層３の端部
に向けて、流体７をノズル８より噴射し、吹き付ける。
流体７が吹き付けられた分離層３は、除去され或いは崩
壊する。こうして、貼り合わせ基板６は、分離層３を境
にして図１の（ｃ）に示すように第１の半導体層１１，
光電変換装置用基体１２に分離される。
ように接合面４ａ，４ｂを向き合わせて接合され接合界
面１４を有する円盤状の貼り合わせ基板６となる。この
貼り合わせ基板６の側面（端面）にある分離層３の端部
に向けて、流体７をノズル８より噴射し、吹き付ける。
流体７が吹き付けられた分離層３は、除去され或いは崩
壊する。こうして、貼り合わせ基板６は、分離層３を境
にして図１の（ｃ）に示すように第１の半導体層１１，
光電変換装置用基体１２に分離される。
【００２８】こうして分離された第１の半導体層１１の
分離面１３ａ上には、第２の半導体層５は既に存在して
おらず、第２の半導体層５は分離面１３ｂを露出するよ
うに元の支持基板２の接合面４ｂ上に移し取られる。こ
うして支持基板２上に薄い第２の半導体層５を有する光
電変換装置用基体１２が得られる。
分離面１３ａ上には、第２の半導体層５は既に存在して
おらず、第２の半導体層５は分離面１３ｂを露出するよ
うに元の支持基板２の接合面４ｂ上に移し取られる。こ
うして支持基板２上に薄い第２の半導体層５を有する光
電変換装置用基体１２が得られる。
【００２９】噴射された流体により分離層３を境に貼り
合わせ基板６を２分でき、且つ分離層３以外の領域に損
傷を与えないように、分離層３は脆弱な層にするとよ
い。具体的には、分離層３内に複数の微小空隙を含ませ
れば、分離層３は脆弱になる。或いは異種イオンの打ち
込みにより分離層３内に歪みを作ってもよい。微小空隙
は、後述するように多孔質体の孔や、イオン注入による
気泡により、形成される。分離層３の厚さは０．１μｍ
〜９０μｍとすることが好ましく、０．１μｍ〜１０μ
ｍとすることがより好ましい。
合わせ基板６を２分でき、且つ分離層３以外の領域に損
傷を与えないように、分離層３は脆弱な層にするとよ
い。具体的には、分離層３内に複数の微小空隙を含ませ
れば、分離層３は脆弱になる。或いは異種イオンの打ち
込みにより分離層３内に歪みを作ってもよい。微小空隙
は、後述するように多孔質体の孔や、イオン注入による
気泡により、形成される。分離層３の厚さは０．１μｍ
〜９０μｍとすることが好ましく、０．１μｍ〜１０μ
ｍとすることがより好ましい。
【００３０】本発明において分離を行うために用いる流
体の吹き付け（流れ）は、加圧した流体をノズルから噴
射する事により実現可能である。噴射する流れをより高
速、高圧の細いビームにする為の方法としては「ウォー
タージェット」第１巻１号第４ページなどに紹介されて
いるような流体として水を用いるウォータージェット法
を使用する事が出来る。本発明に使用可能なウォーター
ジェットは、高圧ポンプにより加圧された数百ＭＰａの
高圧水を細いノズルから噴射するものであって、これに
よって、セラミックス、金属、コンクリート、樹脂、ゴ
ム、木材などの切断（ただし、固い材料の時は水にＳｉ
Ｏ2微粒子のような研磨剤を加える）、加工、表層の塗
膜の除去、部材表面の洗浄などを行う事が出来る。従来
のウォータージェットの使い方においては、上記のよう
に材料の一部分を除去することが主な効果であった。す
なわち、ウォータージェット切断は主部材のきりしろを
除去すること、また、塗膜の除去、部材表面の洗浄は不
要な部分を除去することであった。
体の吹き付け（流れ）は、加圧した流体をノズルから噴
射する事により実現可能である。噴射する流れをより高
速、高圧の細いビームにする為の方法としては「ウォー
タージェット」第１巻１号第４ページなどに紹介されて
いるような流体として水を用いるウォータージェット法
を使用する事が出来る。本発明に使用可能なウォーター
ジェットは、高圧ポンプにより加圧された数百ＭＰａの
高圧水を細いノズルから噴射するものであって、これに
よって、セラミックス、金属、コンクリート、樹脂、ゴ
ム、木材などの切断（ただし、固い材料の時は水にＳｉ
Ｏ2微粒子のような研磨剤を加える）、加工、表層の塗
膜の除去、部材表面の洗浄などを行う事が出来る。従来
のウォータージェットの使い方においては、上記のよう
に材料の一部分を除去することが主な効果であった。す
なわち、ウォータージェット切断は主部材のきりしろを
除去すること、また、塗膜の除去、部材表面の洗浄は不
要な部分を除去することであった。
【００３１】本発明の流体の流れの形成方法としてウォ
ータージェットを用いる場合、貼り合わせ基板６の側面
（端面）の貼り合わせ目に合わせてウォータージェット
を噴射する事により、側面から前記分離層３の少なくと
も一部を除去する事が可能である。この場合先ず貼り合
わせ基板６の側面に露出してる前記分離層３及びその周
辺の半導体基板１と支持基板２の一部に直接ウォーター
ジェットを噴射する。すると半導体基板１、支持基板２
は損傷を受けず機械強度が脆弱な分離層３のみがウォー
タージェットにより除去或いは崩壊して第１の半導体層
１１と光電変換装置用基体１２に分離される。また何ら
かの理由で前記分離層３が側面に予め露出していなくて
何か薄い層でその部分が覆われている場合でも、ウォー
タージェットでまず分離層３を覆う側面上の層を除去
し、そのまま続けて側面から露出した分離層３を除去す
ればよい。
ータージェットを用いる場合、貼り合わせ基板６の側面
（端面）の貼り合わせ目に合わせてウォータージェット
を噴射する事により、側面から前記分離層３の少なくと
も一部を除去する事が可能である。この場合先ず貼り合
わせ基板６の側面に露出してる前記分離層３及びその周
辺の半導体基板１と支持基板２の一部に直接ウォーター
ジェットを噴射する。すると半導体基板１、支持基板２
は損傷を受けず機械強度が脆弱な分離層３のみがウォー
タージェットにより除去或いは崩壊して第１の半導体層
１１と光電変換装置用基体１２に分離される。また何ら
かの理由で前記分離層３が側面に予め露出していなくて
何か薄い層でその部分が覆われている場合でも、ウォー
タージェットでまず分離層３を覆う側面上の層を除去
し、そのまま続けて側面から露出した分離層３を除去す
ればよい。
【００３２】また従来は余り利用されなかった効果では
あるが、面取りされた２枚の基板を貼り合わせた貼り合
わせ基板周囲の側面の狭い凹部にウォータージェットを
噴射することにより、水が微小空隙に侵入し構造が脆弱
な前記分離層の微小空隙を押し拡げて破壊して貼り合わ
せ基板を分離する事も出来る。この場合切断や除去が目
的でないため分離層の切断くずがほとんど発生しない
し、分離層の素材自体がウォータージェットそのもので
は除去できないものであっても研磨粒子を使用する事な
く、また分離されて得られた表面（分離面）にダメージ
を与えること無く分離することが可能である。この様に
この効果は切断とか研磨といった効果ではなく、流体に
よる一種の楔の効果と考えることも出来る。従ってこの
効果は貼り合わせ基板の側面に凹型又は狭い隙間があっ
てウォータージェットを噴射することにより分離層を境
に引き剥がす方向に力が掛かる場合には大いに効果が期
待できる。この効果を充分に発揮させようとするならば
上記貼り合わせ基板の側面の形状が凸型ではなく凹型で
ある方が好ましい。
あるが、面取りされた２枚の基板を貼り合わせた貼り合
わせ基板周囲の側面の狭い凹部にウォータージェットを
噴射することにより、水が微小空隙に侵入し構造が脆弱
な前記分離層の微小空隙を押し拡げて破壊して貼り合わ
せ基板を分離する事も出来る。この場合切断や除去が目
的でないため分離層の切断くずがほとんど発生しない
し、分離層の素材自体がウォータージェットそのもので
は除去できないものであっても研磨粒子を使用する事な
く、また分離されて得られた表面（分離面）にダメージ
を与えること無く分離することが可能である。この様に
この効果は切断とか研磨といった効果ではなく、流体に
よる一種の楔の効果と考えることも出来る。従ってこの
効果は貼り合わせ基板の側面に凹型又は狭い隙間があっ
てウォータージェットを噴射することにより分離層を境
に引き剥がす方向に力が掛かる場合には大いに効果が期
待できる。この効果を充分に発揮させようとするならば
上記貼り合わせ基板の側面の形状が凸型ではなく凹型で
ある方が好ましい。
【００３３】図２はこの効果を示す模式的な断面図であ
る。図２において、９０１、９１１は半導体基板、９０
２、９１２は支持基板、９０３、９１３は分離層、９０
４、９０５、９１４、９１５は第２の半導体層、９０
６、９１６は貼り合わせ界面、９０７は流体のジェッ
ト、９０８、９１８は流体から基板が受ける力の方向を
示す。
る。図２において、９０１、９１１は半導体基板、９０
２、９１２は支持基板、９０３、９１３は分離層、９０
４、９０５、９１４、９１５は第２の半導体層、９０
６、９１６は貼り合わせ界面、９０７は流体のジェッ
ト、９０８、９１８は流体から基板が受ける力の方向を
示す。
【００３４】図２（ａ）は上記貼り合わせ基板の端部側
面が凹型の場合にウォータージェットが基板に与える力
の方向を概念的に表したものである。前記凹部を押し拡
げる方向に、したがって貼り合わせた基板９０１，９０
２相互が引き剥がされる方向に力が加わる。これに対し
て図２（ｂ）は端部側面が凸型の場合にウォータージェ
ットが基板に与える力の方向を概念的に表したものであ
るが、この場合は基板相互が引き剥がされる方向の力は
かからないので少なくとも初期において分離層９１３の
一部を除去出来なければ基板は分離し難いが、分離層９
１３の空隙（孔）に流体が侵入できれば、分離は可能で
ある。このとき、半導体基板９１１と支持基板９１２の
離れている部分ができる。
面が凹型の場合にウォータージェットが基板に与える力
の方向を概念的に表したものである。前記凹部を押し拡
げる方向に、したがって貼り合わせた基板９０１，９０
２相互が引き剥がされる方向に力が加わる。これに対し
て図２（ｂ）は端部側面が凸型の場合にウォータージェ
ットが基板に与える力の方向を概念的に表したものであ
るが、この場合は基板相互が引き剥がされる方向の力は
かからないので少なくとも初期において分離層９１３の
一部を除去出来なければ基板は分離し難いが、分離層９
１３の空隙（孔）に流体が侵入できれば、分離は可能で
ある。このとき、半導体基板９１１と支持基板９１２の
離れている部分ができる。
【００３５】また何らかの理由で前記分離層が予め露出
していなくて何か薄い層でその部分が覆われている場合
でも、貼り合わせ基板の側面の形状が図２（ａ）のよう
に凹型であれば同様に分離層９０３付近を押し拡げ得る
方向の力が加わるのでこの圧力によりまず前記側面の分
離層９０３を覆う薄い層が破壊され、続いて分離層９０
３が押し拡げられて破壊されるので、分離の効果は十分
に発揮される。ウォータージェットの流れを無駄無く受
けるためには上記凹部の開口幅がウォータージェットの
直径程度またはそれ以上である事が望ましい。前記半導
体基板９０１と支持基板９０２の厚さがそれぞれ１．０
ｍｍを下回る程度である場合、貼り合わせ基板の厚さ
は、２．０ｍｍを下回る程度である。凹部開口幅は概略
この１／２程度であることが普通であるのでウォーター
ジェットの直径は１．０ｍｍ以下である方が好ましい。
現実には０．１ｍｍ程度のウォータージェット直径は実
用化の範囲内にある。
していなくて何か薄い層でその部分が覆われている場合
でも、貼り合わせ基板の側面の形状が図２（ａ）のよう
に凹型であれば同様に分離層９０３付近を押し拡げ得る
方向の力が加わるのでこの圧力によりまず前記側面の分
離層９０３を覆う薄い層が破壊され、続いて分離層９０
３が押し拡げられて破壊されるので、分離の効果は十分
に発揮される。ウォータージェットの流れを無駄無く受
けるためには上記凹部の開口幅がウォータージェットの
直径程度またはそれ以上である事が望ましい。前記半導
体基板９０１と支持基板９０２の厚さがそれぞれ１．０
ｍｍを下回る程度である場合、貼り合わせ基板の厚さ
は、２．０ｍｍを下回る程度である。凹部開口幅は概略
この１／２程度であることが普通であるのでウォーター
ジェットの直径は１．０ｍｍ以下である方が好ましい。
現実には０．１ｍｍ程度のウォータージェット直径は実
用化の範囲内にある。
【００３６】流体を噴射するノズルの形状は円形の他任
意の形状とすることが可能である。細長いスリット状の
ノズルも使用可能である。この様なノズルから流体を吹
き出せば薄い帯状の流れを形成することが出来る。
意の形状とすることが可能である。細長いスリット状の
ノズルも使用可能である。この様なノズルから流体を吹
き出せば薄い帯状の流れを形成することが出来る。
【００３７】ウォータージェットの様々な噴出条件は分
離層の種類、貼り合わせ基板の上記側面の形状などによ
り自由に選ぶ事が出来る。例えばジェットの圧力、ジェ
ットの移動速度、ノズル径（≒ウォータージェット
径）、ノズル形状、ノズルと前記分離層との距離、流体
の流量などが重要なパラメータとなる。
離層の種類、貼り合わせ基板の上記側面の形状などによ
り自由に選ぶ事が出来る。例えばジェットの圧力、ジェ
ットの移動速度、ノズル径（≒ウォータージェット
径）、ノズル形状、ノズルと前記分離層との距離、流体
の流量などが重要なパラメータとなる。
【００３８】実際の分離工程では貼り合わせ面に平行な
方向からウォータージェットを吹き付けながら貼り合わ
せ面に沿ってノズルを移動するか、またはウォータージ
ェットの方を固定して貼り合わせ基板の方を平行に移動
することにより分離する事が出来る。またノズル付近を
要として扇状にウォータージェットを移動する方法や、
多くの場合にそうであるように貼り合わせ基板がオリエ
ンテーションフラットやノッチが設けられたウェハのよ
うな円盤状ならノズルを固定して貼り合わせ基板をその
中心を回転中心として回転させる方法も採れる。さらに
必要に応じて貼り合わせ界面と同一面内にノズルを置く
のではなく、角度を付けた方向からジェットを分離層に
当てる事も可能である。ウォータージェットの移動の仕
方は必要に応じ如何様にも出来るのであって、これらの
方法には限定されない。
方向からウォータージェットを吹き付けながら貼り合わ
せ面に沿ってノズルを移動するか、またはウォータージ
ェットの方を固定して貼り合わせ基板の方を平行に移動
することにより分離する事が出来る。またノズル付近を
要として扇状にウォータージェットを移動する方法や、
多くの場合にそうであるように貼り合わせ基板がオリエ
ンテーションフラットやノッチが設けられたウェハのよ
うな円盤状ならノズルを固定して貼り合わせ基板をその
中心を回転中心として回転させる方法も採れる。さらに
必要に応じて貼り合わせ界面と同一面内にノズルを置く
のではなく、角度を付けた方向からジェットを分離層に
当てる事も可能である。ウォータージェットの移動の仕
方は必要に応じ如何様にも出来るのであって、これらの
方法には限定されない。
【００３９】ウォータージェットの直径を非常に小さ
く、また噴射方向を基板表面にほぼ平行とした場合、ベ
クトル分解すると、数百ＭＰａの高圧は、ほとんど基板
には加圧されない。ウォータージェットが分離層以外の
貼り合わせ基板に与える力は数十ＫＰａ程度であるので
基板が破壊されることはない。例えば、このようなウォ
ータージェットの圧力は、ウェハの表面にウォータージ
ェットを垂直に当てて、ウェハを切断しようとしても切
断はできない圧力である。
く、また噴射方向を基板表面にほぼ平行とした場合、ベ
クトル分解すると、数百ＭＰａの高圧は、ほとんど基板
には加圧されない。ウォータージェットが分離層以外の
貼り合わせ基板に与える力は数十ＫＰａ程度であるので
基板が破壊されることはない。例えば、このようなウォ
ータージェットの圧力は、ウェハの表面にウォータージ
ェットを垂直に当てて、ウェハを切断しようとしても切
断はできない圧力である。
【００４０】また使用する流体として水を使用せずアル
コールなどの有機溶媒やふっ酸、硝酸などの酸あるいは
水酸化カリウムなどのアルカリその他の分離層を選択的
にエッチングする作用のある液体なども使用可能であ
る。さらに流体として空気、窒素ガス、炭酸ガス、希ガ
スなどの気体を用いても良い。分離層に対してエッチン
グ作用を持つガスやプラズマを用いる事もできる。
コールなどの有機溶媒やふっ酸、硝酸などの酸あるいは
水酸化カリウムなどのアルカリその他の分離層を選択的
にエッチングする作用のある液体なども使用可能であ
る。さらに流体として空気、窒素ガス、炭酸ガス、希ガ
スなどの気体を用いても良い。分離層に対してエッチン
グ作用を持つガスやプラズマを用いる事もできる。
【００４１】使用する水は、不純物金属やパーテイクル
等を極力除去した純水、超純水などの純度の高い水を使
用する事が望ましいが、完全低温プロセスとした場合ウ
ォータージェットによる分離後に洗浄して除去すること
も充分可能である。特に本発明においては、不本意なキ
ズを基板に残さないように流体は研磨粒子フリーである
ことが好ましい。
等を極力除去した純水、超純水などの純度の高い水を使
用する事が望ましいが、完全低温プロセスとした場合ウ
ォータージェットによる分離後に洗浄して除去すること
も充分可能である。特に本発明においては、不本意なキ
ズを基板に残さないように流体は研磨粒子フリーである
ことが好ましい。
【００４２】（実施形態１）図３は、本発明の一実施の
形態による分離装置を示す模式的な斜視図である。１０
１は貼り合わせ基板、１０２は流体噴射ノズル、１０３
はノズル１０２の上下位置を調整する上下移動機構、１
０４はノズル１０２の水平位置を調整する水平移動機
構、１１５は貼り合わせ基板１０１の水平位置を調整す
る水平移動機構、１０５は保持体としての基板保持具で
ある。１１３，１１４，１１６はそれぞれガイドであ
る。図３の装置では、各移動機構１０３，１０４，１１
５により、ノズル１０２と貼り合わせ基板１０１の分離
層端部との位置決めがなされ、高圧がかけられた流体を
ノズル１０２から貼り合わせ基板１０１の側面の分離層
端部に向けて噴射するとともに、貼り合わせ基板１０１
を固定したまま、ノズルの水平移動及び上下移動によ
り、貼り合わせ基板分離作業が進行する。１０６は必要
に応じて用いられる多孔質又は非多孔質の弾性体からな
るパッキング材である。
形態による分離装置を示す模式的な斜視図である。１０
１は貼り合わせ基板、１０２は流体噴射ノズル、１０３
はノズル１０２の上下位置を調整する上下移動機構、１
０４はノズル１０２の水平位置を調整する水平移動機
構、１１５は貼り合わせ基板１０１の水平位置を調整す
る水平移動機構、１０５は保持体としての基板保持具で
ある。１１３，１１４，１１６はそれぞれガイドであ
る。図３の装置では、各移動機構１０３，１０４，１１
５により、ノズル１０２と貼り合わせ基板１０１の分離
層端部との位置決めがなされ、高圧がかけられた流体を
ノズル１０２から貼り合わせ基板１０１の側面の分離層
端部に向けて噴射するとともに、貼り合わせ基板１０１
を固定したまま、ノズルの水平移動及び上下移動によ
り、貼り合わせ基板分離作業が進行する。１０６は必要
に応じて用いられる多孔質又は非多孔質の弾性体からな
るパッキング材である。
【００４３】（実施形態２）図４は本発明に用いられる
分離装置の別の例を示す概略断面図である。図４におい
て、４０１は貼り合わせ基板で、内部に分離層としての
多孔質層が存在する。４０３，４０４は真空チャックに
より貼り合わせ基板４０１を吸着／固定する保持体で、
互いに同一回転軸上に存在し、回転可能に取り付けられ
ている。更に保持体４０４は、ベアリング４０８に嵌合
されて、支持台４０９に支持され、後尾でスピードコン
トロールモータ４１０の回転軸に直結している。これに
よりモータ４１０をコントロールすれば任意のスピード
で保持体４０４を回転することができる。また、もう一
つの保持体４０３はベアリング４１１に嵌合されて支持
台４０９に支持され、後尾で支持台４０９との間に圧縮
バネ４１２を介することで保持体４０３が貼り合わせ基
板４０１から離れる方向に力がかかっている。
分離装置の別の例を示す概略断面図である。図４におい
て、４０１は貼り合わせ基板で、内部に分離層としての
多孔質層が存在する。４０３，４０４は真空チャックに
より貼り合わせ基板４０１を吸着／固定する保持体で、
互いに同一回転軸上に存在し、回転可能に取り付けられ
ている。更に保持体４０４は、ベアリング４０８に嵌合
されて、支持台４０９に支持され、後尾でスピードコン
トロールモータ４１０の回転軸に直結している。これに
よりモータ４１０をコントロールすれば任意のスピード
で保持体４０４を回転することができる。また、もう一
つの保持体４０３はベアリング４１１に嵌合されて支持
台４０９に支持され、後尾で支持台４０９との間に圧縮
バネ４１２を介することで保持体４０３が貼り合わせ基
板４０１から離れる方向に力がかかっている。
【００４４】まず、貼り合わせ基板４０１を位置決めピ
ン４１３の凹部にならう様セットし保持体４０４に吸着
／保持させる。保持体４０４は、貼り合わせ基板４０１
の上下位置をピン４１３にならわすことで貼り合わせ基
板４０１中央部を保持することができる。保持体４０３
が貼り合わせ基板４０１を吸着／保持する位置までバネ
４１２に逆らって保持体４０３を左方向に進行させる。
この時、保持体４０３には、圧縮バネ４１２により右方
向に力がかかる。このとき、圧縮バネ４１２による力で
貼り合わせ基板４０１から保持体４０３が離れない様、
圧縮バネ４１２の戻る力と保持体４０３が貼り合わせ基
板４０１を吸引する力とを調整し、両者のバランスをと
る。
ン４１３の凹部にならう様セットし保持体４０４に吸着
／保持させる。保持体４０４は、貼り合わせ基板４０１
の上下位置をピン４１３にならわすことで貼り合わせ基
板４０１中央部を保持することができる。保持体４０３
が貼り合わせ基板４０１を吸着／保持する位置までバネ
４１２に逆らって保持体４０３を左方向に進行させる。
この時、保持体４０３には、圧縮バネ４１２により右方
向に力がかかる。このとき、圧縮バネ４１２による力で
貼り合わせ基板４０１から保持体４０３が離れない様、
圧縮バネ４１２の戻る力と保持体４０３が貼り合わせ基
板４０１を吸引する力とを調整し、両者のバランスをと
る。
【００４５】ジェットポンプ４１４からジェットノズル
４０２に流体を送り込み、噴出する流体が安定するまで
一定時間出し続ける。流体の流れが安定したらノズルを
移動し、シャッタ４０６を開いてジェットノズル４０２
から噴出した流体を貼り合わせ基板４０１の側面の厚さ
方向の中心にあてる。この時、保持体４０４をモーター
４１０によって回転させることにより、貼り合わせ基板
４０１及び保持体４０３を回転させる。流体は、貼り合
わせ基板４０１の厚さ方向の中心付近にあてることで、
貼り合わせ基板４０１を２体に押し広げ貼り合わせ基板
４０１内で比較的弱い分離層を破壊し、最終的には２体
に分離させる。
４０２に流体を送り込み、噴出する流体が安定するまで
一定時間出し続ける。流体の流れが安定したらノズルを
移動し、シャッタ４０６を開いてジェットノズル４０２
から噴出した流体を貼り合わせ基板４０１の側面の厚さ
方向の中心にあてる。この時、保持体４０４をモーター
４１０によって回転させることにより、貼り合わせ基板
４０１及び保持体４０３を回転させる。流体は、貼り合
わせ基板４０１の厚さ方向の中心付近にあてることで、
貼り合わせ基板４０１を２体に押し広げ貼り合わせ基板
４０１内で比較的弱い分離層を破壊し、最終的には２体
に分離させる。
【００４６】この時、上述した様に、貼り合わせ基板４
０１に流体は均等にかかり、また保持体４０３は、貼り
合わせ基板４０１を保持しながら右方向の力を受けてい
るので、分離した後、分離した貼り合わせ基板４０１同
士が摺動し難い機構になっている。
０１に流体は均等にかかり、また保持体４０３は、貼り
合わせ基板４０１を保持しながら右方向の力を受けてい
るので、分離した後、分離した貼り合わせ基板４０１同
士が摺動し難い機構になっている。
【００４７】貼り合わせ基板４０１を回転させずにノズ
ル４０２を貼り合わせ基板４０１の貼り合わせ界面（表
面）に平行な方向に移動することで貼り合わせ基板４０
１を分離させることも可能であるが、貼り合わせ基板４
０１を回転させずにノズル４０２を移動して分離させた
場合、０．１５ｍｍ径のノズルに対し１９０ＭＰａの高
圧水を供給することが必要であるのに対し、貼り合わせ
基板４０１を回転させノズル４０２を固定させて分離し
た場合、１９ＭＰａの圧で分離できる。
ル４０２を貼り合わせ基板４０１の貼り合わせ界面（表
面）に平行な方向に移動することで貼り合わせ基板４０
１を分離させることも可能であるが、貼り合わせ基板４
０１を回転させずにノズル４０２を移動して分離させた
場合、０．１５ｍｍ径のノズルに対し１９０ＭＰａの高
圧水を供給することが必要であるのに対し、貼り合わせ
基板４０１を回転させノズル４０２を固定させて分離し
た場合、１９ＭＰａの圧で分離できる。
【００４８】これは貼り合わせ基板４０１の中央部に向
けて水を噴出することで、ノズルを移動する方式に比べ
水圧を効率的に押しひろげる力として作用させることが
できるからである。
けて水を噴出することで、ノズルを移動する方式に比べ
水圧を効率的に押しひろげる力として作用させることが
できるからである。
【００４９】なお、水圧を低圧化することにより、次の
効果がある。
効果がある。
【００５０】１）貼り合わせ基板が割れることなく分離
できること ２）ポンプ能力にゆとりが出来るので沢山のジェットを
同時に使用できること ３）ポンプを小型に、軽量に出来ること ４）ポンプ及び配管系の材料選択の範囲が広げられるの
で純水に対応し易くなること ５）ポンプ及び、特に、ジェットの噴射音が小さくなっ
て防音対策が楽になること
できること ２）ポンプ能力にゆとりが出来るので沢山のジェットを
同時に使用できること ３）ポンプを小型に、軽量に出来ること ４）ポンプ及び配管系の材料選択の範囲が広げられるの
で純水に対応し易くなること ５）ポンプ及び、特に、ジェットの噴射音が小さくなっ
て防音対策が楽になること
【００５１】図４に示した基板保持手段は、保持体４０
３、４０４により両面から引っ張る様にして保持する
が、保持体４０３、４０４を両面から押すようにしてそ
の押し付け圧により保持することもできる。こうした場
合も、高圧水は貼り合わせ基板４０１を押し広げわずか
な隙間を作りながら進行していき、最終的には２体に分
離することができる。
３、４０４により両面から引っ張る様にして保持する
が、保持体４０３、４０４を両面から押すようにしてそ
の押し付け圧により保持することもできる。こうした場
合も、高圧水は貼り合わせ基板４０１を押し広げわずか
な隙間を作りながら進行していき、最終的には２体に分
離することができる。
【００５２】保持体４０３、４０４の形状は、貼り合わ
せ基板４０１との接触部が小さいほど高圧水が貼り合わ
せ基板４０１を押し広げる際、貼り合わせ基板４０１が
フレキシブルに動ける。こうして過度の高圧による応力
集中が防止でき、貼り合わせ基板４０１分離界面中の水
が存在することと相まって貼り合わせ基板４０１の割れ
を防止でき貼り合わせ基板が広がり易くなっている。以
上が効果的な分離を可能としている。たとえば、保持体
４０３、４０４の貼り合わせ基板４０１との接触部の径
を３０ｍｍ以下にした場合は、ノズル径０．２ｍｍ、圧
力３９ＭＰａで貼り合わせ基板４０１は割れを生じず貼
り合わせ基板４０１が１回転する間に分離することがで
きる。
せ基板４０１との接触部が小さいほど高圧水が貼り合わ
せ基板４０１を押し広げる際、貼り合わせ基板４０１が
フレキシブルに動ける。こうして過度の高圧による応力
集中が防止でき、貼り合わせ基板４０１分離界面中の水
が存在することと相まって貼り合わせ基板４０１の割れ
を防止でき貼り合わせ基板が広がり易くなっている。以
上が効果的な分離を可能としている。たとえば、保持体
４０３、４０４の貼り合わせ基板４０１との接触部の径
を３０ｍｍ以下にした場合は、ノズル径０．２ｍｍ、圧
力３９ＭＰａで貼り合わせ基板４０１は割れを生じず貼
り合わせ基板４０１が１回転する間に分離することがで
きる。
【００５３】また保持体４０３、４０４の形状で貼り合
わせ基板４０１との接触部が大きいほど高圧水が貼り合
わせ基板４０１を押し広げる際、貼り合わせ基板４０１
裏面を支えるので分離中の割れを防止できる。保持体４
０３、４０４の貼り合わせ基板４０１との接触部の径を
１００ｍｍ以上にした場合はノズル径０．２ｍｍ、圧力
３９ＭＰａで貼り合わせ基板４０１は割れを生じずに分
離することができる。
わせ基板４０１との接触部が大きいほど高圧水が貼り合
わせ基板４０１を押し広げる際、貼り合わせ基板４０１
裏面を支えるので分離中の割れを防止できる。保持体４
０３、４０４の貼り合わせ基板４０１との接触部の径を
１００ｍｍ以上にした場合はノズル径０．２ｍｍ、圧力
３９ＭＰａで貼り合わせ基板４０１は割れを生じずに分
離することができる。
【００５４】保持体４０３、４０４と貼り合わせ基板４
０１との接触部にパーティクルなど異物をはさみこむ
と、貼り合わせ基板４０１は垂直に保持されなくなり、
それによって貼り合わせ基板４０１最上部の垂直方向か
らノズル４０２が前後左右にずれることがあり、高圧流
体が効果的に貼り合わせ基板４０１分離界面に当たらな
いことがある。その防止機構として保持体４０３、４０
４の貼り合わせ基板４０１接触面を多数の微小な突起で
形成することで、接触面積を極力少なくし、それによっ
て異物を挟み込む影響を少なくすることができる。
０１との接触部にパーティクルなど異物をはさみこむ
と、貼り合わせ基板４０１は垂直に保持されなくなり、
それによって貼り合わせ基板４０１最上部の垂直方向か
らノズル４０２が前後左右にずれることがあり、高圧流
体が効果的に貼り合わせ基板４０１分離界面に当たらな
いことがある。その防止機構として保持体４０３、４０
４の貼り合わせ基板４０１接触面を多数の微小な突起で
形成することで、接触面積を極力少なくし、それによっ
て異物を挟み込む影響を少なくすることができる。
【００５５】図４に示した支持器は保持体４０４が回転
し保持体４０３はそれを通して一緒に回転するのでわず
かながら回転をとめる方向に力がかかり貼り合わせた基
板４０１が全面分離する間際では分離面にねじれが作用
して分離されることがある。その場合は保持体４０３を
保持体４０４と同期して回転させることにより、分離面
のねじれをなくすことができる。詳しい方法については
後述する。
し保持体４０３はそれを通して一緒に回転するのでわず
かながら回転をとめる方向に力がかかり貼り合わせた基
板４０１が全面分離する間際では分離面にねじれが作用
して分離されることがある。その場合は保持体４０３を
保持体４０４と同期して回転させることにより、分離面
のねじれをなくすことができる。詳しい方法については
後述する。
【００５６】（実施形態３）図５は、本発明の別の分離
装置を示す模式的な斜視図である。図５において、２０
４は基板水平駆動機構の基板支持台、２０５は基板キャ
リア（基板カセット）、２０６は基板移載ロボットの基
板搬送アームである。図５に示すように、基板カセット
２０５は貼り合わせ基板２０１が水平になるようにカセ
ット台２０７上に置かれている。貼り合わせ基板２０１
は基板移載ロボットの基板搬送アーム２０６により基板
支持台２０４に移載される。貼り合わせ基板２０１の載
った基板支持台２０４はベルトコンベアの様な支持台移
動機構により高圧ジェットノズル２０２，２０３の位置
へと送られていく。半導体基板のベベリングで構成され
た凹部に、その側方に配置された流体ジェット装置のノ
ズル２０２，２０３から高圧の流体を貼り合わせ基板２
０１の貼り合わせ界面（表面）に平行な方向から分離層
に向けて噴射する。その際、ノズルは固定しておき、高
圧の流体が凹部に沿うように貼り合わせ基板２０１を水
平方向に移動した。ノズルは片側２０２あるいは２０３
のみを用いてもよく、必要に応じて、両ノズル２０２，
２０３を用いてもよい。
装置を示す模式的な斜視図である。図５において、２０
４は基板水平駆動機構の基板支持台、２０５は基板キャ
リア（基板カセット）、２０６は基板移載ロボットの基
板搬送アームである。図５に示すように、基板カセット
２０５は貼り合わせ基板２０１が水平になるようにカセ
ット台２０７上に置かれている。貼り合わせ基板２０１
は基板移載ロボットの基板搬送アーム２０６により基板
支持台２０４に移載される。貼り合わせ基板２０１の載
った基板支持台２０４はベルトコンベアの様な支持台移
動機構により高圧ジェットノズル２０２，２０３の位置
へと送られていく。半導体基板のベベリングで構成され
た凹部に、その側方に配置された流体ジェット装置のノ
ズル２０２，２０３から高圧の流体を貼り合わせ基板２
０１の貼り合わせ界面（表面）に平行な方向から分離層
に向けて噴射する。その際、ノズルは固定しておき、高
圧の流体が凹部に沿うように貼り合わせ基板２０１を水
平方向に移動した。ノズルは片側２０２あるいは２０３
のみを用いてもよく、必要に応じて、両ノズル２０２，
２０３を用いてもよい。
【００５７】こうすれば分離層である多孔質Ｓｉ層を介
して貼り合わせ基板２０１は二分割できる。ここには図
示されていないが、分離した基板は別の移載ロボットで
半導体基板側と支持基板側に分離して格納される。
して貼り合わせ基板２０１は二分割できる。ここには図
示されていないが、分離した基板は別の移載ロボットで
半導体基板側と支持基板側に分離して格納される。
【００５８】水平ジェット方式では貼り合わせ基板を固
定する必要はなく、また、二分割後の基板もその自重に
より基板支持台２０４から飛び出す危険性は小さい。こ
のような危険性をさらに小さくするために、貼り合わせ
基板２０１を基板支持台２０４に移載した後に貼り合わ
せ基板２０１上部に飛び出し防止ピンを基板支持台２０
４から突き出してもよいし、貼り合わせ基板２０１上部
を軽く押さえてもよい。
定する必要はなく、また、二分割後の基板もその自重に
より基板支持台２０４から飛び出す危険性は小さい。こ
のような危険性をさらに小さくするために、貼り合わせ
基板２０１を基板支持台２０４に移載した後に貼り合わ
せ基板２０１上部に飛び出し防止ピンを基板支持台２０
４から突き出してもよいし、貼り合わせ基板２０１上部
を軽く押さえてもよい。
【００５９】さらに、複数の貼り合わせ基板２０１をそ
の面に垂直方向に並べてセットし、そのうち１組の貼り
合わせ基板２０１を水平移動し分離させた後、基板支持
台２０４を基板間隔分に垂直方向に移動させ、２組目の
貼り合わせ基板２０１を１組目と同様に水平移動して順
次分離させることも可能である。
の面に垂直方向に並べてセットし、そのうち１組の貼り
合わせ基板２０１を水平移動し分離させた後、基板支持
台２０４を基板間隔分に垂直方向に移動させ、２組目の
貼り合わせ基板２０１を１組目と同様に水平移動して順
次分離させることも可能である。
【００６０】（実施形態４）図６に本発明の別の分離装
置の模式的な側面図を示す。図６は使用するウォーター
ジェット装置のノズルとその動きを概念的に示したもの
である。図６のように、貼り合わせ基板３０１を保持体
３１０によって保持して垂直に立てる。その半導体基板
のベベリングで構成された凹部に、その上方に配置され
たジェット装置のノズル３０２から高圧の流体を、貼り
合わせ基板３０１の貼り合わせ界面（表面）に平行な方
向から噴射する。その際、貼り合わせ基板３０１の貼り
合わせ面と同一面内にノズル３０２とそのノズルを平面
内で扇状に首振りさせる支点３０３をおく。ノズルを貼
り合わせ基板３０１の貼り合わせ面内で首振りさせなが
らジェットの流れもこの面内で振る。これにより高圧の
ジェットを貼り合わせ基板３０１のエッジ部の貼り合わ
せ部の凹部又は隙間に沿って噴射させながら移動させる
ことが可能になる。こうすればノズルを貼り合わせ面内
で精確に移動させるためのロボットを使用したり、貼り
合わせ基板３０１の方を移動させたりあるいは回転させ
たりする様な機械的により複雑な機構を用いることなく
広い範囲の分離層に流体を噴射する事が出来る。
置の模式的な側面図を示す。図６は使用するウォーター
ジェット装置のノズルとその動きを概念的に示したもの
である。図６のように、貼り合わせ基板３０１を保持体
３１０によって保持して垂直に立てる。その半導体基板
のベベリングで構成された凹部に、その上方に配置され
たジェット装置のノズル３０２から高圧の流体を、貼り
合わせ基板３０１の貼り合わせ界面（表面）に平行な方
向から噴射する。その際、貼り合わせ基板３０１の貼り
合わせ面と同一面内にノズル３０２とそのノズルを平面
内で扇状に首振りさせる支点３０３をおく。ノズルを貼
り合わせ基板３０１の貼り合わせ面内で首振りさせなが
らジェットの流れもこの面内で振る。これにより高圧の
ジェットを貼り合わせ基板３０１のエッジ部の貼り合わ
せ部の凹部又は隙間に沿って噴射させながら移動させる
ことが可能になる。こうすればノズルを貼り合わせ面内
で精確に移動させるためのロボットを使用したり、貼り
合わせ基板３０１の方を移動させたりあるいは回転させ
たりする様な機械的により複雑な機構を用いることなく
広い範囲の分離層に流体を噴射する事が出来る。
【００６１】（実施形態５）図７は本発明の別の分離装
置の模式的な正面図であり、貼り合わせ基板５０１の周
辺部にジェット５０３を噴射させる別の方式を概念的に
示したものである。貼り合わせ基板５０１を保持体５１
０によって固定しその周囲にノズル５０２を回転させる
ことにより、貼り合わせ基板５０１エッジ部分の全周の
貼り合わせ部にジェット５０３を噴射することが出来
る。貼り合わせ基板５０１中心部分を保持し、貼り合わ
せ基板５０１の外周の同心円を描くようなレール（不図
示）を貼り合わせ基板５０１の周囲に設置してこのレー
ル上にノズル５０２を固定した治具５１２を滑らせる事
により貼り合わせ基板５０１の周囲から貼り合わせ部に
ジェット５０３を噴射させることが出来る。
置の模式的な正面図であり、貼り合わせ基板５０１の周
辺部にジェット５０３を噴射させる別の方式を概念的に
示したものである。貼り合わせ基板５０１を保持体５１
０によって固定しその周囲にノズル５０２を回転させる
ことにより、貼り合わせ基板５０１エッジ部分の全周の
貼り合わせ部にジェット５０３を噴射することが出来
る。貼り合わせ基板５０１中心部分を保持し、貼り合わ
せ基板５０１の外周の同心円を描くようなレール（不図
示）を貼り合わせ基板５０１の周囲に設置してこのレー
ル上にノズル５０２を固定した治具５１２を滑らせる事
により貼り合わせ基板５０１の周囲から貼り合わせ部に
ジェット５０３を噴射させることが出来る。
【００６２】（実施形態６）図８は本発明の分離装置の
別の例を示す模式的な断面図である。尚、図８におい
て、６０１は半導体基板、６０２は支持基板、６０３は
貼り合わせ面、６０４は流体ジェット、６０５は貼り合
わせ基板が流体ジェットから受ける力の方向、６０６は
流体ジェットが貼り合わせ面に対してなす角度を示す。
本例では、ノズル６１１からのジェットの噴射方向を貼
り合わせ基板の分離面と平行な方向に対し傾斜角αをな
すように、ノズル６１１と保持体６１０の位置を定めて
いる。
別の例を示す模式的な断面図である。尚、図８におい
て、６０１は半導体基板、６０２は支持基板、６０３は
貼り合わせ面、６０４は流体ジェット、６０５は貼り合
わせ基板が流体ジェットから受ける力の方向、６０６は
流体ジェットが貼り合わせ面に対してなす角度を示す。
本例では、ノズル６１１からのジェットの噴射方向を貼
り合わせ基板の分離面と平行な方向に対し傾斜角αをな
すように、ノズル６１１と保持体６１０の位置を定めて
いる。
【００６３】貼り合わせ基板を図４の様な装置で保持し
そのノズルは図８に示す様に配設して貼り合わせ基板側
面に噴射することもできる。ジェット６０４は貼り合わ
せ面６０３に対しαという角度６０６をもっているため
半導体基板６０１と支持基板６０２に与える圧力が等し
くならない。図８の例では半導体基板６０１と支持基板
６０２のうちジェットが傾いた側の支持基板６０２の方
が相対的に小さな力を受け、その反対側の半導体基板６
０１はこれよりも大きな力を受ける。よって、半導体基
板６０１と反対側にジェットを傾けると分離層が破壊さ
れ易くなり望ましい。
そのノズルは図８に示す様に配設して貼り合わせ基板側
面に噴射することもできる。ジェット６０４は貼り合わ
せ面６０３に対しαという角度６０６をもっているため
半導体基板６０１と支持基板６０２に与える圧力が等し
くならない。図８の例では半導体基板６０１と支持基板
６０２のうちジェットが傾いた側の支持基板６０２の方
が相対的に小さな力を受け、その反対側の半導体基板６
０１はこれよりも大きな力を受ける。よって、半導体基
板６０１と反対側にジェットを傾けると分離層が破壊さ
れ易くなり望ましい。
【００６４】（実施形態７）図９は本発明の別の分離装
置を示す模式的な側面図である。図９において、７０
５、７０６は流体ジェット装置ノズル７０２、７０３の
上下駆動機構、７０７は流体ジェット装置ノズル７０４
の水平駆動機構、７０８は基板保持体を示す。
置を示す模式的な側面図である。図９において、７０
５、７０６は流体ジェット装置ノズル７０２、７０３の
上下駆動機構、７０７は流体ジェット装置ノズル７０４
の水平駆動機構、７０８は基板保持体を示す。
【００６５】図９のように、貼り合わせ基板７０１を基
板保持体７０８によって貼り合わせ基板７０１の両面か
ら抑えて垂直に立てる。ここでは、オリエンテーション
フラットのある側面を上にしている。その半導体基板の
ベベリングで構成された凹部又は隙間に、その上方ある
いは側方に配置された複数（本例では３個）の流体ジェ
ット装置ノズル７０２、７０３、７０４から高圧の流体
を、貼り合わせ基板７０１の貼り合わせ界面（表面）に
平行な方向から噴射した。ノズルの単体としての構成は
図３と同様である。その際、複数のノズル７０２、７０
３、７０４を高圧の流体がベベリングで構成された隙間
に沿って移動する方向にガイド７１１、７１２、７１３
に従って移動する。こうして貼り合わせ基板７０１を二
分割する。
板保持体７０８によって貼り合わせ基板７０１の両面か
ら抑えて垂直に立てる。ここでは、オリエンテーション
フラットのある側面を上にしている。その半導体基板の
ベベリングで構成された凹部又は隙間に、その上方ある
いは側方に配置された複数（本例では３個）の流体ジェ
ット装置ノズル７０２、７０３、７０４から高圧の流体
を、貼り合わせ基板７０１の貼り合わせ界面（表面）に
平行な方向から噴射した。ノズルの単体としての構成は
図３と同様である。その際、複数のノズル７０２、７０
３、７０４を高圧の流体がベベリングで構成された隙間
に沿って移動する方向にガイド７１１、７１２、７１３
に従って移動する。こうして貼り合わせ基板７０１を二
分割する。
【００６６】ノズルが１本の場合には、貼り合わせ基板
の直径に相当する距離を分離するだけの高圧が必要であ
る。あるいは貼り合わせ基板の半径の距離しか分離でき
ない圧力の場合には貼り合わせ基板をひっくり返してさ
らに反対側から半径の距離分を分離する必要がある。ノ
ズルを複数にすることによりそれぞれのノズルでは貼り
合わせ基板の半径分を分離すれば充分であり、また貼り
合わせ基板をひっくり返して再度高圧水を噴射する必要
もなく一度で貼り合わせ基板全面が分離可能となる。
の直径に相当する距離を分離するだけの高圧が必要であ
る。あるいは貼り合わせ基板の半径の距離しか分離でき
ない圧力の場合には貼り合わせ基板をひっくり返してさ
らに反対側から半径の距離分を分離する必要がある。ノ
ズルを複数にすることによりそれぞれのノズルでは貼り
合わせ基板の半径分を分離すれば充分であり、また貼り
合わせ基板をひっくり返して再度高圧水を噴射する必要
もなく一度で貼り合わせ基板全面が分離可能となる。
【００６７】（実施形態８）図１０は、本発明の別の分
離装置を示す模式的な側面図である。図１０において、
８０１は貼り合わせ基板、８０２は流体ジェットのノズ
ル、８０３は流体を示す。図１０に示すように、貼り合
わせ基板８０１を保持体８１１に垂直に立てて保持し、
その半導体基板のベベリングで構成された隙間に、その
上方あるいは側方に配置されたジェット装置のスリット
状の開口をもつノズルから高圧の純水を、貼り合わせ基
板８０１の貼り合わせ界面（表面）に平行な方向から噴
射する。スリットは貼り合わせ基板８０１の貼り合わせ
界面（表面）に平行に配置され、線状の水流がきちんと
半導体基板のベベリングで構成された隙間に噴射される
ように位置決めされている。複数のノズルは高圧の流体
がベベリングで構成された隙間に沿って移動する方向に
移動させられる。
離装置を示す模式的な側面図である。図１０において、
８０１は貼り合わせ基板、８０２は流体ジェットのノズ
ル、８０３は流体を示す。図１０に示すように、貼り合
わせ基板８０１を保持体８１１に垂直に立てて保持し、
その半導体基板のベベリングで構成された隙間に、その
上方あるいは側方に配置されたジェット装置のスリット
状の開口をもつノズルから高圧の純水を、貼り合わせ基
板８０１の貼り合わせ界面（表面）に平行な方向から噴
射する。スリットは貼り合わせ基板８０１の貼り合わせ
界面（表面）に平行に配置され、線状の水流がきちんと
半導体基板のベベリングで構成された隙間に噴射される
ように位置決めされている。複数のノズルは高圧の流体
がベベリングで構成された隙間に沿って移動する方向に
移動させられる。
【００６８】なお、スリットの長さを貼り合わせ基板直
径以上にしておけばノズルの移動は不要になる。
径以上にしておけばノズルの移動は不要になる。
【００６９】このスリット状ノズルの長所は、１本の微
小径のノズルに比べて低圧で貼り合わせ基板を分割する
ことが出来ることである。低圧でも、流体の出る面積を
大きくすることで、貼り合わせ基板に与える分割に使わ
れるエネルギーを大きくすることができ、より容易に剥
がすことが可能になる。
小径のノズルに比べて低圧で貼り合わせ基板を分割する
ことが出来ることである。低圧でも、流体の出る面積を
大きくすることで、貼り合わせ基板に与える分割に使わ
れるエネルギーを大きくすることができ、より容易に剥
がすことが可能になる。
【００７０】本発明に用いることのできるノズルはスリ
ット状開口をもつものだけでなくて、図１１のように複
数のノズル１２０２を密接に直線状に並べて貼り合わせ
基板１２０１に噴射しても同様の結果が得られる。ここ
で、１２１１は貼り合わせ基板１２０１の保持体であ
る。
ット状開口をもつものだけでなくて、図１１のように複
数のノズル１２０２を密接に直線状に並べて貼り合わせ
基板１２０１に噴射しても同様の結果が得られる。ここ
で、１２１１は貼り合わせ基板１２０１の保持体であ
る。
【００７１】（実施形態９）図１２は、本発明の別の分
離装置を示す模式的な側面図である。この装置は複数の
ジェットを用いて複数の貼り合わせ基板を同時に分離す
ることができるものである。
離装置を示す模式的な側面図である。この装置は複数の
ジェットを用いて複数の貼り合わせ基板を同時に分離す
ることができるものである。
【００７２】図１２の装置の基本構成は、図３と同様の
ものが複数それぞれ独立に設置されたものである。貼り
合わせ基板１００１ａは保持体１００５ａにセットされ
る。ノズル１００２ａから噴射した高圧流体は貼り合わ
せ基板１００１ａのベベリング部にあてられる。ノズル
１００２ａは水平移動機構１００４ａにより高圧流体を
ベベリング部に当てながら紙面に垂直な方向に移動する
ことができる。同様動作はノズル１００２ｂ、水平移動
機構１００４ｂ、保持体１００５ｂを有する図中右側の
部分においても可能であり、これによってスループット
は倍増する。この図には２セット図示してあるが、それ
以上設置していてもよい。なお、１００３ａ、１００３
ｂはノズルの垂直移動機構である。
ものが複数それぞれ独立に設置されたものである。貼り
合わせ基板１００１ａは保持体１００５ａにセットされ
る。ノズル１００２ａから噴射した高圧流体は貼り合わ
せ基板１００１ａのベベリング部にあてられる。ノズル
１００２ａは水平移動機構１００４ａにより高圧流体を
ベベリング部に当てながら紙面に垂直な方向に移動する
ことができる。同様動作はノズル１００２ｂ、水平移動
機構１００４ｂ、保持体１００５ｂを有する図中右側の
部分においても可能であり、これによってスループット
は倍増する。この図には２セット図示してあるが、それ
以上設置していてもよい。なお、１００３ａ、１００３
ｂはノズルの垂直移動機構である。
【００７３】また、高圧ポンプの容量が大きくない場合
には、左側の高圧水を噴射している間に、右側の貼り合
わせ基板１００１ｂを入れ替えて、これを交互に行えば
よい。これによって、ローダー、アンローダーのロボッ
トも１セットで済むことになる。
には、左側の高圧水を噴射している間に、右側の貼り合
わせ基板１００１ｂを入れ替えて、これを交互に行えば
よい。これによって、ローダー、アンローダーのロボッ
トも１セットで済むことになる。
【００７４】（実施形態１０）図１３は本発明の別の分
離装置を示す模式的な側面図である。この装置では、貼
り合わせ基板１１０１ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅを基板保持手
段１１０５に一度にセットする。一式のノズル移動機構
１１０３，１１０４に複数のノズル１１０２ａ〜１１０
２ｅが設置されている。ノズル間隔は、貼り合わせ基板
固定間隔と同じである。保持機構、ノズル移動方式は図
３のものと同様である。
離装置を示す模式的な側面図である。この装置では、貼
り合わせ基板１１０１ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅを基板保持手
段１１０５に一度にセットする。一式のノズル移動機構
１１０３，１１０４に複数のノズル１１０２ａ〜１１０
２ｅが設置されている。ノズル間隔は、貼り合わせ基板
固定間隔と同じである。保持機構、ノズル移動方式は図
３のものと同様である。
【００７５】５枚の貼り合わせ基板は、ガイド１１１４
上を水平移動可能な保持体１１１５ａ，１１１５ｂ，１
１１５ｃ，１１１５ｄ，１１１５ｅ，１１１５ｆの間に
その中心軸を一致させて固定される。
上を水平移動可能な保持体１１１５ａ，１１１５ｂ，１
１１５ｃ，１１１５ｄ，１１１５ｅ，１１１５ｆの間に
その中心軸を一致させて固定される。
【００７６】５つのノズル１１０２ａ〜１１０２ｅに
は、流体の共通供給管とノズルの上下移動機構を兼ねる
可動供給管１１１２が分離器１１１３を介して接続され
ている。
は、流体の共通供給管とノズルの上下移動機構を兼ねる
可動供給管１１１２が分離器１１１３を介して接続され
ている。
【００７７】待機位置で各ノズルからの流体の噴射量や
圧力を安定させた後、ガイド１１１１に沿って、全ノズ
ル１１０２ａ〜１１０２ｅは、貼り合わせ基板の分離位
置まで移動し、貼り合わせ基板を分離しながらガイド１
１１１に沿って進む。分離が終了した後に流体の噴射量
を少なくするか、或いは停止してノズルを待機位置まで
戻す。
圧力を安定させた後、ガイド１１１１に沿って、全ノズ
ル１１０２ａ〜１１０２ｅは、貼り合わせ基板の分離位
置まで移動し、貼り合わせ基板を分離しながらガイド１
１１１に沿って進む。分離が終了した後に流体の噴射量
を少なくするか、或いは停止してノズルを待機位置まで
戻す。
【００７８】図１０〜図１３の装置においては、貼り合
わせ基板の保持体を回転させることで、貼り合わせ基板
を自転させながら流体を噴射して分離を行うこともでき
る。
わせ基板の保持体を回転させることで、貼り合わせ基板
を自転させながら流体を噴射して分離を行うこともでき
る。
【００７９】図１４、図１５は本発明に用いられる貼り
合わせ基板の分離装置の別の例を示す模式的な上面図及
び模式的な側面図である。
合わせ基板の分離装置の別の例を示す模式的な上面図及
び模式的な側面図である。
【００８０】この分離装置は回転同期機構を有してお
り、貼り合わせ基板の第１の表面を保持する第１の保持
体と、該貼り合わせ基板の第２の表面を保持する第２の
保持体とを同じ方向に同じ角速度で回転させることが出
来る。
り、貼り合わせ基板の第１の表面を保持する第１の保持
体と、該貼り合わせ基板の第２の表面を保持する第２の
保持体とを同じ方向に同じ角速度で回転させることが出
来る。
【００８１】貼り合わせ基板の一方の表面のみに回転駆
動力を与える場合、或いは上述したような同期がとられ
ていない場合、以下に述べるような現象が生じ易い。
動力を与える場合、或いは上述したような同期がとられ
ていない場合、以下に述べるような現象が生じ易い。
【００８２】貼り合わせ基板が全面に亘り完全に分離す
る直前には、必ず、分離面のどこかに最後に分離する微
小領域が分離せず残存する瞬間がある。この状況を概念
的に示したがの図１６である。この最終残存微小領域の
位置により次の２つの分離モードが考えられる。
る直前には、必ず、分離面のどこかに最後に分離する微
小領域が分離せず残存する瞬間がある。この状況を概念
的に示したがの図１６である。この最終残存微小領域の
位置により次の２つの分離モードが考えられる。
【００８３】１つは、分離面のほぼ中央（ＲＭ２）に最
終残存領域が残る場合、２つ目は、中央以外の領域（Ｒ
Ｍ１）に最終残存領域が残る場合である。
終残存領域が残る場合、２つ目は、中央以外の領域（Ｒ
Ｍ１）に最終残存領域が残る場合である。
【００８４】前者が発生する時は、周囲から均等に中心
に向かって分離していく様な分離状態の時や、分離面の
中心付近の強度が高い場合である。この場合には、貼り
合わせ基板の片側の保持体２１だけに回転駆動力を与え
ると、最終残存微小領域がこの回転によりねじ切られて
分離することになる。
に向かって分離していく様な分離状態の時や、分離面の
中心付近の強度が高い場合である。この場合には、貼り
合わせ基板の片側の保持体２１だけに回転駆動力を与え
ると、最終残存微小領域がこの回転によりねじ切られて
分離することになる。
【００８５】後者の分離モードが発生する時は、流体の
吹き付けの初期段階で、ある周囲部分から貼り合わせ基
板の半径以上に亘ってきれつが入り一度に分離する様な
分離状態の時や、分離面の中心付近以外の強度が高い場
合である。この場合には、貼り合わせ基板の片側の保持
体２１だけに回転駆動力を与えると、最終残存微小領域
はこの回転によるせん断応力により分離されることにな
る。
吹き付けの初期段階で、ある周囲部分から貼り合わせ基
板の半径以上に亘ってきれつが入り一度に分離する様な
分離状態の時や、分離面の中心付近以外の強度が高い場
合である。この場合には、貼り合わせ基板の片側の保持
体２１だけに回転駆動力を与えると、最終残存微小領域
はこの回転によるせん断応力により分離されることにな
る。
【００８６】反対側の保持体２２には、独立した駆動力
が与えられず、保持体２２は貼り合わせ基板を通じて回
転を与えられているだけなので、ベアリング等によりど
んなに軽く反対側の保持体２２を保持していても、わず
かながら保持体２２の回転をとめる方向に力がかかるた
め上述のようなメカニズムで分離が生じるのである。
が与えられず、保持体２２は貼り合わせ基板を通じて回
転を与えられているだけなので、ベアリング等によりど
んなに軽く反対側の保持体２２を保持していても、わず
かながら保持体２２の回転をとめる方向に力がかかるた
め上述のようなメカニズムで分離が生じるのである。
【００８７】このねじれやせん断により分離面に垂直方
向以外の複雑な力が働き、分離面以外の面で不本意な分
離が生じる場合が有る。
向以外の複雑な力が働き、分離面以外の面で不本意な分
離が生じる場合が有る。
【００８８】即ち、貼り合わせ基板を回転させながら分
離する場合には、貼り合わせ基板の両側を同期をとらず
に回転駆動させると、分離時に所望の分離面以外の面か
ら剥がれることや、第１の半導体層や第２の半導体層が
ダメージを受けることがある。これらの現象は著しい歩
留まりの低下を招く。
離する場合には、貼り合わせ基板の両側を同期をとらず
に回転駆動させると、分離時に所望の分離面以外の面か
ら剥がれることや、第１の半導体層や第２の半導体層が
ダメージを受けることがある。これらの現象は著しい歩
留まりの低下を招く。
【００８９】図１４の支持台４０上には、スピードコン
トロール可能なモータ３２を支持する為のモータ支持体
３６と、モータシャフト３１を回転可能に支持する為の
一対のシャフト支持体３７、３８が固定されている。
トロール可能なモータ３２を支持する為のモータ支持体
３６と、モータシャフト３１を回転可能に支持する為の
一対のシャフト支持体３７、３８が固定されている。
【００９０】更に支持台４０上には、保持体２１を回転
可能に支持する為の第１のホルダー支持体３３と、保持
体２２を回転可能に支持する為の第２のホルダー支持体
３４と、が固定されている。
可能に支持する為の第１のホルダー支持体３３と、保持
体２２を回転可能に支持する為の第２のホルダー支持体
３４と、が固定されている。
【００９１】モータシャフト３１に取り付けられたタイ
ミングプーリ２９と、保持体２１の回転軸２３の後尾に
取り付けられたタイミングプーリ２５とは、タイミング
ベルト２７によって同方向に回転するように連結されて
いる。
ミングプーリ２９と、保持体２１の回転軸２３の後尾に
取り付けられたタイミングプーリ２５とは、タイミング
ベルト２７によって同方向に回転するように連結されて
いる。
【００９２】同様にモータシャフト３１に取り付けられ
たタイミングプーリ３０と、保持体２２の回転軸２４の
後尾に取り付けられたタイミングプーリ２６とは、タイ
ミングベルト２８によって同方向に回転するように連結
されている。
たタイミングプーリ３０と、保持体２２の回転軸２４の
後尾に取り付けられたタイミングプーリ２６とは、タイ
ミングベルト２８によって同方向に回転するように連結
されている。
【００９３】プーリ２５とプーリ２６には同一駆動半径
のプーリを用い、プーリ２９とプーリ３０とにも同一駆
動半径のプーリを用いる。
のプーリを用い、プーリ２９とプーリ３０とにも同一駆
動半径のプーリを用いる。
【００９４】タイミングベルト２７、２８も同じものを
用いる。
用いる。
【００９５】こうしてモータ３２の駆動力はシャフト３
１から各プーリ及びベルトを介して保持体２１、２２に
伝達され、保持体２１、２２を同方向、同角速度で同一
タイミングで回転させる。
１から各プーリ及びベルトを介して保持体２１、２２に
伝達され、保持体２１、２２を同方向、同角速度で同一
タイミングで回転させる。
【００９６】図１５の６０は流体を噴射させるジェット
ノズル、６１はシャッターである。説明をわかりやすく
する為、ノズルやシャッターは簡略化して描いている。
ノズル、６１はシャッターである。説明をわかりやすく
する為、ノズルやシャッターは簡略化して描いている。
【００９７】ノズル６０は、不図示の固定治具により支
持台４０上に固定され、ノズル６０の位置に合わせて貼
り合わせ基板の位置決め部材３５が支持台４０上の設け
られている。
持台４０上に固定され、ノズル６０の位置に合わせて貼
り合わせ基板の位置決め部材３５が支持台４０上の設け
られている。
【００９８】図１７は、貼り合わせ基板２０を保持する
前の状態における、分離装置の保持体の部分断面図であ
る。保持体２１、２２は、貼り合わせ基板２０を吸着
し、保持する実動作を行う保持部４５ａ、４６ａと、保
持部４５ａ、４６ａを回転軸２３、２４と共に回転させ
る為の固定部４５ｂ、４６ｂと、回り止め４１、４２、
４３、４４等の集合体である。
前の状態における、分離装置の保持体の部分断面図であ
る。保持体２１、２２は、貼り合わせ基板２０を吸着
し、保持する実動作を行う保持部４５ａ、４６ａと、保
持部４５ａ、４６ａを回転軸２３、２４と共に回転させ
る為の固定部４５ｂ、４６ｂと、回り止め４１、４２、
４３、４４等の集合体である。
【００９９】保持部４５ａ、４６ａは、加圧チューブ５
２、５４及び加圧路５６に圧送された加圧気体により、
圧縮バネ（コイルスプリング）４７、４８に逆らってそ
れぞれ回転軸２３、２４と離れる方向（保持部４５ａは
図中右方、４６ａは図中左方）に動き得る。
２、５４及び加圧路５６に圧送された加圧気体により、
圧縮バネ（コイルスプリング）４７、４８に逆らってそ
れぞれ回転軸２３、２４と離れる方向（保持部４５ａは
図中右方、４６ａは図中左方）に動き得る。
【０１００】保持部４５ａ、４５ｂの中心付近には開口
ＯＰが設けられ、回転軸内の減圧路５５、５７に連通し
ている。開口ＯＰは、減圧チューブ５１、５３を介して
接続されている不図示の真空ポンプにより大気圧より低
圧に真空引きされる。
ＯＰが設けられ、回転軸内の減圧路５５、５７に連通し
ている。開口ＯＰは、減圧チューブ５１、５３を介して
接続されている不図示の真空ポンプにより大気圧より低
圧に真空引きされる。
【０１０１】保持体２１、２２は図１７に示すように貼
り合わせ基板２０を直接吸着する保持部４５ａが回転軸
２３にガイドされて、加圧チューブ５２から導入される
空気圧により右方に前進する。そして、圧縮バネ４７に
より図中左方に後退する。さらに保持部４５ａは、回り
止め４１、４２により回転軸２３と一緒に回転する。保
持体２２は基本的に保持体２１と鏡面対称で同機構であ
るが、貼り合わせ基板２０を保持体２２に位置決め、保
持した際、貼り合わせ基板２０とノズル６０との位置が
いつも定位置となるように必ず、前進動作において保持
体２１の方が保持体２２より強い力がかかる様、また後
退において保持体２２の方が保持体２１より強い力がか
かる様加圧力が制御ないし調整されている。
り合わせ基板２０を直接吸着する保持部４５ａが回転軸
２３にガイドされて、加圧チューブ５２から導入される
空気圧により右方に前進する。そして、圧縮バネ４７に
より図中左方に後退する。さらに保持部４５ａは、回り
止め４１、４２により回転軸２３と一緒に回転する。保
持体２２は基本的に保持体２１と鏡面対称で同機構であ
るが、貼り合わせ基板２０を保持体２２に位置決め、保
持した際、貼り合わせ基板２０とノズル６０との位置が
いつも定位置となるように必ず、前進動作において保持
体２１の方が保持体２２より強い力がかかる様、また後
退において保持体２２の方が保持体２１より強い力がか
かる様加圧力が制御ないし調整されている。
【０１０２】この装置の使用法即ち本発明の分離法は以
下のとおりである。まず、図１７に示すように貼り合わ
せ基板２０を位置決め台（位置決め部材）３５のノッチ
にならう様セットする。次に図１８の様に保持部４５ａ
を加圧空気の導入により前進させ保持体２１に貼り合わ
せ基板２０を吸着／保持させる。保持体２１は、貼り合
わせ基板２０を位置決め台３５のノッチにならわすこと
で貼り合わせ基板２０の中央部を保持することができ
る。貼り合わせ基板２０が、正確な位置に保持される
と、貼り合わせ基板２０の最上部の垂直方向にノズル６
０が位置し、貼り合わせ基板２０とノズル６０の距離が
１０〜３０ｍｍになる構成になっている。次に、保持体
２２の保持部４６ａを図中左方に前進させ貼り合わせ基
板２０に吸着／保持させ、その後保持部４６ａの加圧用
空気の導入を止める。貼り合わせ基板２０は圧縮バネ４
７，４８より発生する力と真空吸着力により図中右方向
に力がかかる状態で停止する。この時圧縮バネ４７，４
８が発生する力は保持部４６ａ、４６ｂが貼り合わせ基
板２０を吸着する力を超えないので、減圧路５５、５７
内が真空破壊し吸着力がなくなり貼り合わせ基板２０が
落下することはない。
下のとおりである。まず、図１７に示すように貼り合わ
せ基板２０を位置決め台（位置決め部材）３５のノッチ
にならう様セットする。次に図１８の様に保持部４５ａ
を加圧空気の導入により前進させ保持体２１に貼り合わ
せ基板２０を吸着／保持させる。保持体２１は、貼り合
わせ基板２０を位置決め台３５のノッチにならわすこと
で貼り合わせ基板２０の中央部を保持することができ
る。貼り合わせ基板２０が、正確な位置に保持される
と、貼り合わせ基板２０の最上部の垂直方向にノズル６
０が位置し、貼り合わせ基板２０とノズル６０の距離が
１０〜３０ｍｍになる構成になっている。次に、保持体
２２の保持部４６ａを図中左方に前進させ貼り合わせ基
板２０に吸着／保持させ、その後保持部４６ａの加圧用
空気の導入を止める。貼り合わせ基板２０は圧縮バネ４
７，４８より発生する力と真空吸着力により図中右方向
に力がかかる状態で停止する。この時圧縮バネ４７，４
８が発生する力は保持部４６ａ、４６ｂが貼り合わせ基
板２０を吸着する力を超えないので、減圧路５５、５７
内が真空破壊し吸着力がなくなり貼り合わせ基板２０が
落下することはない。
【０１０３】次に、図１９のようにポンプ６２からノズ
ル６０に研磨粒子を含まない流体を送り込み、噴出する
水が安定するまで一定時間出し続ける。水が安定した
ら、シャッタ６１を開いて貼り合わせ基板２０の厚さ方
向の中心にノズル６０から噴出した高圧水をあてる。こ
の時、スピードコントロールモータ３２を回転させるこ
とにより、保持体２１、２２を同期をとって回転させ貼
り合わせ基板２０を回転させる。高圧流体は、貼り合わ
せ基板２０の厚さ方向の中心にあたることで、分離層に
も高圧流体が進入し、貼り合わせ基板２０を２体に押し
広げ、最終的には２体に分離させる。
ル６０に研磨粒子を含まない流体を送り込み、噴出する
水が安定するまで一定時間出し続ける。水が安定した
ら、シャッタ６１を開いて貼り合わせ基板２０の厚さ方
向の中心にノズル６０から噴出した高圧水をあてる。こ
の時、スピードコントロールモータ３２を回転させるこ
とにより、保持体２１、２２を同期をとって回転させ貼
り合わせ基板２０を回転させる。高圧流体は、貼り合わ
せ基板２０の厚さ方向の中心にあたることで、分離層に
も高圧流体が進入し、貼り合わせ基板２０を２体に押し
広げ、最終的には２体に分離させる。
【０１０４】この時、上述した様に、貼り合わせ基板２
０に高圧水は均等にかかり、また保持体２１、２２は貼
り合わせ基板２０を引き寄せる方向にそれぞれ力をかけ
ているので、貼り合わせ基板２０が分離後お互いに更に
離れていき、分離した部分同士が摺動しない機構になっ
ている（図２０）。
０に高圧水は均等にかかり、また保持体２１、２２は貼
り合わせ基板２０を引き寄せる方向にそれぞれ力をかけ
ているので、貼り合わせ基板２０が分離後お互いに更に
離れていき、分離した部分同士が摺動しない機構になっ
ている（図２０）。
【０１０５】また、図１７〜２０に示した基板支持手段
は、保持体２１、２２により貼り合わせ基板２０から後
退する方向に力がかかるようにして支持するが、保持体
２１、２２を前進方向に力がかかるようにしてその押し
付け圧により貼り合わせ基板２０を保持することもでき
る。こうした場合も、高圧水は貼り合わせ基板２０を押
し広げわずかな隙間を作りながら浸入していき、最終的
には貼り合わせ基板２０を２体に分離する。この方式で
は、保持体２１、２２の同期をとっていなかった場合、
分れた貼り合わせ基板２０の分離面同士が摺動により傷
ついたのに対し、同期をとって回転させた場合は傷がな
かった。さらに保持体２１、２２を後退する方向に力が
かかっているときは、貼り合わせ基板２０分離中、保持
体２１、２２により後退方向に引っ張られることにより
分離してない部分と分離している部分とで変位量がちが
うことから、貼り合わせ基板２０のバランスがくずれそ
こに高圧水がかかり、割れの原因になることがあるが、
保持体２１、２２を前進する方向に力がかかっている場
合、貼り合わせ基板２０がバランスを崩すことはなく安
定して分離できる。
は、保持体２１、２２により貼り合わせ基板２０から後
退する方向に力がかかるようにして支持するが、保持体
２１、２２を前進方向に力がかかるようにしてその押し
付け圧により貼り合わせ基板２０を保持することもでき
る。こうした場合も、高圧水は貼り合わせ基板２０を押
し広げわずかな隙間を作りながら浸入していき、最終的
には貼り合わせ基板２０を２体に分離する。この方式で
は、保持体２１、２２の同期をとっていなかった場合、
分れた貼り合わせ基板２０の分離面同士が摺動により傷
ついたのに対し、同期をとって回転させた場合は傷がな
かった。さらに保持体２１、２２を後退する方向に力が
かかっているときは、貼り合わせ基板２０分離中、保持
体２１、２２により後退方向に引っ張られることにより
分離してない部分と分離している部分とで変位量がちが
うことから、貼り合わせ基板２０のバランスがくずれそ
こに高圧水がかかり、割れの原因になることがあるが、
保持体２１、２２を前進する方向に力がかかっている場
合、貼り合わせ基板２０がバランスを崩すことはなく安
定して分離できる。
【０１０６】尚、完全に分離した貼り合わせ基板は、高
圧又は常圧の流体をかけながら後退方向に力をかけるこ
とで間に介在している水の表面張力を断ち切り完全に２
体に分離することができる。
圧又は常圧の流体をかけながら後退方向に力をかけるこ
とで間に介在している水の表面張力を断ち切り完全に２
体に分離することができる。
【０１０７】以上のとおり、本発明による分離装置は、
１つ或いは複数の貼り合わせ基板を順次又は同時に流体
により分離するものである。貼り合わせ基板の配置の仕
方は、表面の法線方向に貼り合わせ基板を並べてもよい
し、表面と平行な方向に並置してもよい。
１つ或いは複数の貼り合わせ基板を順次又は同時に流体
により分離するものである。貼り合わせ基板の配置の仕
方は、表面の法線方向に貼り合わせ基板を並べてもよい
し、表面と平行な方向に並置してもよい。
【０１０８】又、貼り合わせ基板を回転ないし、基板表
面と平行に平行移動させて、流体に当ててもよいし、流
体の流れを基板表面と平行に移動させて貼り合わせ基板
の側面に当ててもよい。又、両者を共に動かしてもよ
い。
面と平行に平行移動させて、流体に当ててもよいし、流
体の流れを基板表面と平行に移動させて貼り合わせ基板
の側面に当ててもよい。又、両者を共に動かしてもよ
い。
【０１０９】（実施形態１１）図３７〜４０を使って実
施形態１１を説明する。図３７は本発明の分離装置の他
の例の模式的な側面図である。３１０１は貼り合わせ基
板、３１０１ｄ、３１０１ｅは分離工程で生じることが
ある欠陥、３１２０，３１５０は基板保持部、３１０２
はノズル、３１１０はモーターである。
施形態１１を説明する。図３７は本発明の分離装置の他
の例の模式的な側面図である。３１０１は貼り合わせ基
板、３１０１ｄ、３１０１ｅは分離工程で生じることが
ある欠陥、３１２０，３１５０は基板保持部、３１０２
はノズル、３１１０はモーターである。
【０１１０】この実施の形態では、まず、第１工程にお
いて、ノズル３１０２を貼り合わせ基板３１０１の中心
上に位置させ、モータ３１１０により貼り合わせ基板３
１０１を回転させながら（例えば、８ｒｐｍ）、貼り合
わせ基板３１０１の周辺部を分離し、中央部を未分離領
域として残す。ここで、貼り合わせ基板３１０１を回転
させながら分離処理を実行するのは、第１工程の後に残
る未分離領域の形状及び位置を多数枚の貼り合わせ基板
について均一化するためである。これにより、第２工程
において各貼り合わせ基板３１０１をほぼ同一の条件で
処理することができる。
いて、ノズル３１０２を貼り合わせ基板３１０１の中心
上に位置させ、モータ３１１０により貼り合わせ基板３
１０１を回転させながら（例えば、８ｒｐｍ）、貼り合
わせ基板３１０１の周辺部を分離し、中央部を未分離領
域として残す。ここで、貼り合わせ基板３１０１を回転
させながら分離処理を実行するのは、第１工程の後に残
る未分離領域の形状及び位置を多数枚の貼り合わせ基板
について均一化するためである。これにより、第２工程
において各貼り合わせ基板３１０１をほぼ同一の条件で
処理することができる。
【０１１１】図３８は、この実施の形態の第１工程によ
り貼り合わせ基板３１０１が部分的に分離される様子を
模式的に示す断面図である。同図において、３２０１
は、第１工程の進行中における分離領域と未分離領域と
の境界の軌跡を示し、境界の軌跡３２０１の外側が既に
分離された領域であり、境界の軌跡３２０１の内側が未
だ分離されていない領域である。この実施の形態の第１
工程では、貼り合わせ基板３１０１を回転させながら分
離処理を進行するため、境界の軌跡３２０１は渦巻状に
なる。斜線を付していない領域３２０２は、第１工程の
実行後に残った未分離領域であり、その形状は略円形で
あり、その位置は貼り合わせ基板３１０１の略中央部で
ある。また、斜線を付した領域３２０３は、第１工程の
実行により分離された領域（分離領域）である。未分離
領域３２０２は、分離領域３２０３より小さいことが好
ましい。
り貼り合わせ基板３１０１が部分的に分離される様子を
模式的に示す断面図である。同図において、３２０１
は、第１工程の進行中における分離領域と未分離領域と
の境界の軌跡を示し、境界の軌跡３２０１の外側が既に
分離された領域であり、境界の軌跡３２０１の内側が未
だ分離されていない領域である。この実施の形態の第１
工程では、貼り合わせ基板３１０１を回転させながら分
離処理を進行するため、境界の軌跡３２０１は渦巻状に
なる。斜線を付していない領域３２０２は、第１工程の
実行後に残った未分離領域であり、その形状は略円形で
あり、その位置は貼り合わせ基板３１０１の略中央部で
ある。また、斜線を付した領域３２０３は、第１工程の
実行により分離された領域（分離領域）である。未分離
領域３２０２は、分離領域３２０３より小さいことが好
ましい。
【０１１２】このように、貼り合わせ基板３１０１を回
転させながら第１工程を実行することにより、目標とす
る領域、例えば、貼り合わせ基板３１０１の中央部分を
未分離領域３２０２として残すことができるため、各貼
り合わせ基板３１０１について第２工程を略同一の条件
で実行することができる。
転させながら第１工程を実行することにより、目標とす
る領域、例えば、貼り合わせ基板３１０１の中央部分を
未分離領域３２０２として残すことができるため、各貼
り合わせ基板３１０１について第２工程を略同一の条件
で実行することができる。
【０１１３】次いで、第２工程において、貼り合わせ基
板３１０１の回転速度を低くして実質的に回転を停止さ
せた状態（例えば、２ｒｐｍ以下）、或いは、貼り合わ
せ基板３１０１の回転を完全に停止させた状態で未分離
領域３２０２を分離する。これにより、未分離領域３２
０２に対して所定方向から力を作用させることができ
る。ここで貼り合わせ基板３１０１の回転を完全に停止
させることが最も好ましい。
板３１０１の回転速度を低くして実質的に回転を停止さ
せた状態（例えば、２ｒｐｍ以下）、或いは、貼り合わ
せ基板３１０１の回転を完全に停止させた状態で未分離
領域３２０２を分離する。これにより、未分離領域３２
０２に対して所定方向から力を作用させることができ
る。ここで貼り合わせ基板３１０１の回転を完全に停止
させることが最も好ましい。
【０１１４】図３９は、この実施の形態の第２工程によ
り貼り合わせ基板３１０１が完全に分離される様子を模
式的に示す断面図である。同図において、３２０４は、
第２工程の実行中における分離領域と未分離領域との境
界である。この境界３２０４は矢印に示すように移動す
る。
り貼り合わせ基板３１０１が完全に分離される様子を模
式的に示す断面図である。同図において、３２０４は、
第２工程の実行中における分離領域と未分離領域との境
界である。この境界３２０４は矢印に示すように移動す
る。
【０１１５】このように、貼り合わせ基板３１０１の回
転を実質的に停止させた状態で貼り合わせ基板３１０１
の隙間にジェットを挟入することにより、未分離領域３
２０２に対して所定方向から力を作用させることができ
る。これにより、未分離領域３２０２の周辺の一部に対
しては強い分離力を作用させ、他の部分に対しては弱い
分離力を作用させながら徐々に分離領域を拡大させるこ
とができるため、分離された各基板に欠陥が生じること
が防止される。
転を実質的に停止させた状態で貼り合わせ基板３１０１
の隙間にジェットを挟入することにより、未分離領域３
２０２に対して所定方向から力を作用させることができ
る。これにより、未分離領域３２０２の周辺の一部に対
しては強い分離力を作用させ、他の部分に対しては弱い
分離力を作用させながら徐々に分離領域を拡大させるこ
とができるため、分離された各基板に欠陥が生じること
が防止される。
【０１１６】図４０は、この実施の形態における分離装
置の制御手順を概略的に示すフローチャートである。な
お、このフローチャートに示す処理は、コントローラに
より制御される。また、このフローチャートに示す処理
は、貼り合わせ基板３１０１が分離装置にセットされた
後、即ち基板保持部３１２０及び３１５０により貼り合
わせ基板３１０１が保持された後に実行される。
置の制御手順を概略的に示すフローチャートである。な
お、このフローチャートに示す処理は、コントローラに
より制御される。また、このフローチャートに示す処理
は、貼り合わせ基板３１０１が分離装置にセットされた
後、即ち基板保持部３１２０及び３１５０により貼り合
わせ基板３１０１が保持された後に実行される。
【０１１７】ステップＳ１０１〜Ｓ１０４は、第１工程
に相当する。まず、コントローラは、モータ３１１０を
制御して貼り合わせ基板３１０１を所定の回転速度で回
転させる（Ｓ１０１）。この時の回転速度は、例えば４
〜１２ｒｐｍ程度であることが好ましく、６〜１０ｒｐ
ｍ程度であることが更に好ましい。なお、この実施の形
態では８ｒｐｍとした。
に相当する。まず、コントローラは、モータ３１１０を
制御して貼り合わせ基板３１０１を所定の回転速度で回
転させる（Ｓ１０１）。この時の回転速度は、例えば４
〜１２ｒｐｍ程度であることが好ましく、６〜１０ｒｐ
ｍ程度であることが更に好ましい。なお、この実施の形
態では８ｒｐｍとした。
【０１１８】次いで、コントローラは、ポンプを制御し
て、所定の圧力（例えば、４９ＭＰａ）のジェットをノ
ズル３１０２より噴射させる（Ｓ１０２）。次いで、コ
ントローラは、ノズル駆動部を制御して、ノズル３１０
２を待機位置（ジェットが貼り合わせ基板３１０１に衝
突しない位置）から貼り合わせ基板３１０１の中心軸上
の分離層上に移動させる（Ｓ１０３）。これにより、貼
り合わせ基板３１０１の部分的な分離が開始される。そ
の後、コントローラは、未分離領域３２０２として残す
領域以外が分離されるのを待った後（例えば、所定時間
が経過した後）、ノズル駆動部を制御して、ノズル３１
０２を待機位置に移動させる（Ｓ１０４）。これにより
第１工程が完了する。
て、所定の圧力（例えば、４９ＭＰａ）のジェットをノ
ズル３１０２より噴射させる（Ｓ１０２）。次いで、コ
ントローラは、ノズル駆動部を制御して、ノズル３１０
２を待機位置（ジェットが貼り合わせ基板３１０１に衝
突しない位置）から貼り合わせ基板３１０１の中心軸上
の分離層上に移動させる（Ｓ１０３）。これにより、貼
り合わせ基板３１０１の部分的な分離が開始される。そ
の後、コントローラは、未分離領域３２０２として残す
領域以外が分離されるのを待った後（例えば、所定時間
が経過した後）、ノズル駆動部を制御して、ノズル３１
０２を待機位置に移動させる（Ｓ１０４）。これにより
第１工程が完了する。
【０１１９】ステップＳ１０５〜Ｓ１０７は、第２工程
に相当する。まず、コントローラは、モータ３１１０を
制御して貼り合わせ基板３１０１の回転を実質的に停止
させる（Ｓ１０５）。次いで、コントローラは、ノズル
駆動部を制御して、ノズル３１０２を待機位置から貼り
合わせ基板３１０１の中心軸上の分離層上に移動させる
（Ｓ１０６）。これにより、貼り合わせ基板３１０１の
未分離領域３２０２の分離が開始される。その後、コン
トローラは、貼り合わせ基板３１０１が完全に分離され
るのを待った後（例えば、所定時間が経過した後）、ノ
ズル駆動部を制御して、ノズル３１０２を待機位置に移
動させ、ポンプを制御して、ジェットの噴射を停止させ
る（Ｓ１０７）。これにより第２工程が完了する。
に相当する。まず、コントローラは、モータ３１１０を
制御して貼り合わせ基板３１０１の回転を実質的に停止
させる（Ｓ１０５）。次いで、コントローラは、ノズル
駆動部を制御して、ノズル３１０２を待機位置から貼り
合わせ基板３１０１の中心軸上の分離層上に移動させる
（Ｓ１０６）。これにより、貼り合わせ基板３１０１の
未分離領域３２０２の分離が開始される。その後、コン
トローラは、貼り合わせ基板３１０１が完全に分離され
るのを待った後（例えば、所定時間が経過した後）、ノ
ズル駆動部を制御して、ノズル３１０２を待機位置に移
動させ、ポンプを制御して、ジェットの噴射を停止させ
る（Ｓ１０７）。これにより第２工程が完了する。
【０１２０】実施形態１１によれば、欠陥なく、確実に
貼り合わせ基板を分離することができる。また、実施形
態１１の第２工程で、回転を完全に止めて分離したり、
ＵＳ（超音波）を当てて分離するのも、欠陥をなくす上
で効果がある。
貼り合わせ基板を分離することができる。また、実施形
態１１の第２工程で、回転を完全に止めて分離したり、
ＵＳ（超音波）を当てて分離するのも、欠陥をなくす上
で効果がある。
【０１２１】
【実施例】本発明の光電変換装置の製造方法を実施例を
使って説明する。
使って説明する。
【０１２２】（実施例１）実施例１は、本発明を使って
光電変換装置として太陽電池を製造する例である。図２
１〜図２３は、実施例１の太陽電池の製造工程を表す模
式図であり、図２３（ｄ）は平面図、その他は断面図で
ある。
光電変換装置として太陽電池を製造する例である。図２
１〜図２３は、実施例１の太陽電池の製造工程を表す模
式図であり、図２３（ｄ）は平面図、その他は断面図で
ある。
【０１２３】まず、図２１（ａ）のように、半導体基板
としてＳｉウェハ２００１を用意する。Ｓｉウェハ２０
０１には、通常、ウェハの端部になるほどウェハ厚が薄
くなるベベリングがついており、これが後にウォータ・
ジェットで分離を行うとき、うまく作用する。
としてＳｉウェハ２００１を用意する。Ｓｉウェハ２０
０１には、通常、ウェハの端部になるほどウェハ厚が薄
くなるベベリングがついており、これが後にウォータ・
ジェットで分離を行うとき、うまく作用する。
【０１２４】次に、図２ｌ（ｂ）のように、Ｓｉウェハ
２００１の表面を分離層としての多孔質層２００２にす
る。従って、Ｓｉウェハ２００１の多孔質層２００２以
外の部分が第１の半導体層となる。
２００１の表面を分離層としての多孔質層２００２にす
る。従って、Ｓｉウェハ２００１の多孔質層２００２以
外の部分が第１の半導体層となる。
【０１２５】多孔質層２００２は、Ｓｉウェハ２００１
を陽極化成することによって形成できる。図２４（ａ）
と図２４（ｂ）は、Ｓｉウェハ２００１をフッ酸系のエ
ッチング液で陽極化成をする装置の模式的な断面図であ
る。図中、２０３１はフッ酸系のエッチング液、２０３
２，２０３３は金属電極、２０３４はＯリングを表す。
陽極化成するＳｉウェハ２００１はｐ型の方が望ましい
が、低抵抗ならｎ型でもいい。また、通常のｎ型のウェ
ハでも光を照射し、ホールを生成した状態にすれば多孔
質化することができる。
を陽極化成することによって形成できる。図２４（ａ）
と図２４（ｂ）は、Ｓｉウェハ２００１をフッ酸系のエ
ッチング液で陽極化成をする装置の模式的な断面図であ
る。図中、２０３１はフッ酸系のエッチング液、２０３
２，２０３３は金属電極、２０３４はＯリングを表す。
陽極化成するＳｉウェハ２００１はｐ型の方が望ましい
が、低抵抗ならｎ型でもいい。また、通常のｎ型のウェ
ハでも光を照射し、ホールを生成した状態にすれば多孔
質化することができる。
【０１２６】図２４（ａ）のように下側の金属電極２０
３２を正に、上側の金属電極２０３３を負にして両電極
間に電圧をかけ、この電圧が引き起こす電界がＳｉウェ
ハ２００１の面に垂直な方向にかかるように設置する
と、Ｓｉウェハ２００１の上面側が多孔質化される。図
２４（ｂ）の場合、Ｓｉウェハ２００１の右側の面が多
孔質化される。フッ酸系のエッチング液２０３１として
は、濃フッ酸（４９％ＨＦ）を用いる。陽極化成中は、
Ｓｉウェハ２００１から気泡が発生するので、この気泡
を効率よく取り除く目的から、界面活性剤としてアルコ
ールを加えてもよい。アルコールとしてメタノール、エ
タノール、プロパノール、イソプロパノールなどが望ま
しい。また、界面活性剤の代わりに撹拌器を用いて、撹
拌しながら陽極化成をしてもよい。多孔質層の厚さは、
１〜３０（μｍ）とすることが好ましい。
３２を正に、上側の金属電極２０３３を負にして両電極
間に電圧をかけ、この電圧が引き起こす電界がＳｉウェ
ハ２００１の面に垂直な方向にかかるように設置する
と、Ｓｉウェハ２００１の上面側が多孔質化される。図
２４（ｂ）の場合、Ｓｉウェハ２００１の右側の面が多
孔質化される。フッ酸系のエッチング液２０３１として
は、濃フッ酸（４９％ＨＦ）を用いる。陽極化成中は、
Ｓｉウェハ２００１から気泡が発生するので、この気泡
を効率よく取り除く目的から、界面活性剤としてアルコ
ールを加えてもよい。アルコールとしてメタノール、エ
タノール、プロパノール、イソプロパノールなどが望ま
しい。また、界面活性剤の代わりに撹拌器を用いて、撹
拌しながら陽極化成をしてもよい。多孔質層の厚さは、
１〜３０（μｍ）とすることが好ましい。
【０１２７】金属電極２０３２，２０３３には、フッ酸
溶液に侵食されないような材料、例えば金（Ａｕ）、白
金（Ｐｔ）などを用いるのが望ましい。陽極化成をおこ
なう電流密度は最大数１００ｍＡ／ｃｍ2であり、最小
値は０でなければよい。陽極化成の工程では、電流密度
の時間的な調整をおこなう。陽極化成時に電流密度が大
きい場合、多孔質Ｓｉ層の密度が小さくなる。即ち、電
流密度が大きいほど孔の体積が大きくなり、多孔度（ｐ
ｏｒｏｓｉｔｙ；多孔度は単位体積中の孔の占める体積
の割合で定義する）が大きくなる。多孔質Ｓｉ層はＳｉ
層の内部に多くに孔があるが、その単結晶性は維持され
ている。このため、多孔質Ｓｉ層の上部に単結晶Ｓｉ層
をエピタキシャル成長させることが可能である。
溶液に侵食されないような材料、例えば金（Ａｕ）、白
金（Ｐｔ）などを用いるのが望ましい。陽極化成をおこ
なう電流密度は最大数１００ｍＡ／ｃｍ2であり、最小
値は０でなければよい。陽極化成の工程では、電流密度
の時間的な調整をおこなう。陽極化成時に電流密度が大
きい場合、多孔質Ｓｉ層の密度が小さくなる。即ち、電
流密度が大きいほど孔の体積が大きくなり、多孔度（ｐ
ｏｒｏｓｉｔｙ；多孔度は単位体積中の孔の占める体積
の割合で定義する）が大きくなる。多孔質Ｓｉ層はＳｉ
層の内部に多くに孔があるが、その単結晶性は維持され
ている。このため、多孔質Ｓｉ層の上部に単結晶Ｓｉ層
をエピタキシャル成長させることが可能である。
【０１２８】しかし、異常成長や積層欠陥のないエピタ
キシャルＳｉ層を形成するためには、エピタキシャルＳ
ｉ層に接する多孔質層２００２の多孔度は小さい方がい
い。一方、後でウォーター・ジェット等で、貼り合わせ
基板の分離をおこなうためには、多孔質層２００２の多
孔度が大きい方がいい。つまり、多孔質層２００２の表
面側は多孔度が小さく、多孔質層２００２の内部側は多
孔度が大きいのが理想的な形である。このため、本例で
は、多孔質層２００２の表面側に多孔度の小さい多孔質
Ｓｉ層を形成し、多孔質層２００２のＳｉウェハ２００
１内部側に多孔度の大きい多孔質Ｓｉ層を形成する。こ
の構造を形成するためには、始めは小さい電流密度で陽
極化成をして、後で大きい電流密度で陽極化成をおこな
う２段階化成をおこなうとよい。この結果、多孔質層２
００２の下部（Ｓｉウェハ２００１内部側）で容易に分
離することができ、しかも、エピタキシャルＳｉ層に異
常成長や積層欠陥のないエピタキシャルＳｉ層を形成す
ることができる。
キシャルＳｉ層を形成するためには、エピタキシャルＳ
ｉ層に接する多孔質層２００２の多孔度は小さい方がい
い。一方、後でウォーター・ジェット等で、貼り合わせ
基板の分離をおこなうためには、多孔質層２００２の多
孔度が大きい方がいい。つまり、多孔質層２００２の表
面側は多孔度が小さく、多孔質層２００２の内部側は多
孔度が大きいのが理想的な形である。このため、本例で
は、多孔質層２００２の表面側に多孔度の小さい多孔質
Ｓｉ層を形成し、多孔質層２００２のＳｉウェハ２００
１内部側に多孔度の大きい多孔質Ｓｉ層を形成する。こ
の構造を形成するためには、始めは小さい電流密度で陽
極化成をして、後で大きい電流密度で陽極化成をおこな
う２段階化成をおこなうとよい。この結果、多孔質層２
００２の下部（Ｓｉウェハ２００１内部側）で容易に分
離することができ、しかも、エピタキシャルＳｉ層に異
常成長や積層欠陥のないエピタキシャルＳｉ層を形成す
ることができる。
【０１２９】図２ｌ（ｃ）は、多孔質層２００２上にｐ
-型Ｓｉ層２００３を形成する工程を表す。図２１
（ｄ）は、ｐ-型Ｓｉ層２００３上にｎ+型Ｓｉ層２００
４を形成する工程を表す。ｐ-型Ｓｉ層２００３、ｎ+型
Ｓｉ層２００４は、下地基板の単結晶性を維持したエピ
タキシャル層であり、これらが第２の半導体層となる。
-型Ｓｉ層２００３を形成する工程を表す。図２１
（ｄ）は、ｐ-型Ｓｉ層２００３上にｎ+型Ｓｉ層２００
４を形成する工程を表す。ｐ-型Ｓｉ層２００３、ｎ+型
Ｓｉ層２００４は、下地基板の単結晶性を維持したエピ
タキシャル層であり、これらが第２の半導体層となる。
【０１３０】ｐ-型Ｓｉ層２００３、ｎ+型Ｓｉ層２００
４は、液相成長法、分子線エピタキシャル成長法、プラ
ズマＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、バイアス・
スパッター法などで形成するのが望ましい。
４は、液相成長法、分子線エピタキシャル成長法、プラ
ズマＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、バイアス・
スパッター法などで形成するのが望ましい。
【０１３１】図２５、図２６を用いてｐ-型Ｓｉ層２０
０３とｎ+型Ｓｉ層２００４の成長を液相成長でおこな
う場合の装置について説明する。図２５は、液相成長法
でエピタキシャルＳｉ層２００３，２００４を成長させ
る量産型のディッピングタイプの液相成長装置の模式的
な断面図である。図中、２５０１は複数の成長基板を支
える基板カセット、２５０２は水素アニール室、２５０
３，２５０４はｐ-型Ｓｉ層成長室、２５０５はｎ+型Ｓ
ｉ層成長室、２５０６，２５０７，２５０８はメルト、
２５０９，２５１０，２５１１，２５１２は電気炉、２
５１３は基板カセットの搬送室である。多孔質層２００
２上にエピタキシャル成長させるためには、多孔質層２
００２の表面を水素雰囲気中で、アニールすることによ
って表面を平坦化しておくことが望ましい。このため、
まず、水素アニール室２５０２内で、液相成長装置に導
入した基板カセット２５０１を水素雰囲気中で、例えば
約１０４０℃でアニールする。
０３とｎ+型Ｓｉ層２００４の成長を液相成長でおこな
う場合の装置について説明する。図２５は、液相成長法
でエピタキシャルＳｉ層２００３，２００４を成長させ
る量産型のディッピングタイプの液相成長装置の模式的
な断面図である。図中、２５０１は複数の成長基板を支
える基板カセット、２５０２は水素アニール室、２５０
３，２５０４はｐ-型Ｓｉ層成長室、２５０５はｎ+型Ｓ
ｉ層成長室、２５０６，２５０７，２５０８はメルト、
２５０９，２５１０，２５１１，２５１２は電気炉、２
５１３は基板カセットの搬送室である。多孔質層２００
２上にエピタキシャル成長させるためには、多孔質層２
００２の表面を水素雰囲気中で、アニールすることによ
って表面を平坦化しておくことが望ましい。このため、
まず、水素アニール室２５０２内で、液相成長装置に導
入した基板カセット２５０１を水素雰囲気中で、例えば
約１０４０℃でアニールする。
【０１３２】その後、基板カセット２５０１を搬送室２
５１３を通して、ｐ-型Ｓｉ層成長室２５０３に導入し
て、液相でｐ-型Ｓｉ層２００３を多孔質層２００２上
にエピタキシャル成長させる。ｐ-型Ｓｉ層成長室が２
５０３，２５０４と複数あるのは、ｐ-型Ｓｉ層をｎ+型
Ｓｉ層より厚く成長させるからであり、本例では、ｐ-
型Ｓｉ層成長室が６つ（図では一部省略）、ｎ+層成長
室が１つ、水素アニール室が１つであることを想定して
いる。ｐ-型Ｓｉ層２００３の望ましい厚みは、発電光
の有効利用、原料の有効利用の観点から、１０〜５０
（μｍ）であり、さらに望ましくは、２０〜４０（μ
ｍ）である。
５１３を通して、ｐ-型Ｓｉ層成長室２５０３に導入し
て、液相でｐ-型Ｓｉ層２００３を多孔質層２００２上
にエピタキシャル成長させる。ｐ-型Ｓｉ層成長室が２
５０３，２５０４と複数あるのは、ｐ-型Ｓｉ層をｎ+型
Ｓｉ層より厚く成長させるからであり、本例では、ｐ-
型Ｓｉ層成長室が６つ（図では一部省略）、ｎ+層成長
室が１つ、水素アニール室が１つであることを想定して
いる。ｐ-型Ｓｉ層２００３の望ましい厚みは、発電光
の有効利用、原料の有効利用の観点から、１０〜５０
（μｍ）であり、さらに望ましくは、２０〜４０（μ
ｍ）である。
【０１３３】ｐ-型Ｓｉ層２００３を成長させるために
は、まず、ＩｎやＳｎからなるメルト２５０６を電気炉
２５１０を使って約９６０℃まで熱し、溶かし込み用の
ｐ-型Ｓｉ基板をメルト２５０６に浸入させ、ほぼ飽和
するまでｐ-型Ｓｉをメルト２５０６の中に溶かし込
み、溶かし込み用のｐ-型Ｓｉ基板を引き上げる。その
後、メルト２５０６の温度を約９５０℃にして、メルト
２５０６をｐ-型Ｓｉの過飽和状態とする。そして、基
板カセット２５０１をメルト２５０６に浸入させ、電気
炉２５１０の温度を調整することにより、メルト２５０
６の温度を徐々に下げ、多孔質層２００２上にエピタキ
シャルｐ-型Ｓｉ層２００３を成長させていく。成長時
間は、例えば約３０分と長いので、複数あるｐ-型Ｓｉ
層成長室を使いながら、複数の基板カセットに同時にｐ
-型Ｓｉ層を成長させながら生産の効率化を図る。
は、まず、ＩｎやＳｎからなるメルト２５０６を電気炉
２５１０を使って約９６０℃まで熱し、溶かし込み用の
ｐ-型Ｓｉ基板をメルト２５０６に浸入させ、ほぼ飽和
するまでｐ-型Ｓｉをメルト２５０６の中に溶かし込
み、溶かし込み用のｐ-型Ｓｉ基板を引き上げる。その
後、メルト２５０６の温度を約９５０℃にして、メルト
２５０６をｐ-型Ｓｉの過飽和状態とする。そして、基
板カセット２５０１をメルト２５０６に浸入させ、電気
炉２５１０の温度を調整することにより、メルト２５０
６の温度を徐々に下げ、多孔質層２００２上にエピタキ
シャルｐ-型Ｓｉ層２００３を成長させていく。成長時
間は、例えば約３０分と長いので、複数あるｐ-型Ｓｉ
層成長室を使いながら、複数の基板カセットに同時にｐ
-型Ｓｉ層を成長させながら生産の効率化を図る。
【０１３４】その後、基板カセット２５０１を搬送室２
５１３を通してｎ+型Ｓｉ層成長室２５０５に導入し
て、液相でｎ+型Ｓｉ層２００４をｐ-型Ｓｉ層２００３
上にエピタキシャル成長させる。ｎ+型Ｓｉ層２００４
を成長させるためには、まず、ＩｎやＳｎからなるメル
ト２５０８を電気炉２５１２を使って約９６０℃まで熱
し、溶かし込み用のｎ+型Ｓｉ基板をメルト２５０８に
浸入させ、ほぼ飽和するまでｎ+型Ｓｉをメルト２５０
８の中に溶かし込み、溶かし込み用のｎ+型Ｓｉ基板を
引き上げる。または、低濃度の基板と一緒に、Ｐ（リ
ン），Ａｓ（ヒ素）などのｎ型不純物を溶かし込んでも
いい。その後、メルト２５０８の温度を約９５０℃にし
て、メルト２５０８をｐ-型Ｓｉの過飽和状態とする。
そして、基板カセット２５０１をメルト２５０８に浸入
させ、電気炉２５１２の温度を調整することにより、メ
ルト２５０８の温度を徐々に下げ、ｐ-型Ｓｉ層２００
３上にｎ+型Ｓｉ層２００４をエピタキシャル成長させ
ていく。成長時間は、例えば約３０秒である。
５１３を通してｎ+型Ｓｉ層成長室２５０５に導入し
て、液相でｎ+型Ｓｉ層２００４をｐ-型Ｓｉ層２００３
上にエピタキシャル成長させる。ｎ+型Ｓｉ層２００４
を成長させるためには、まず、ＩｎやＳｎからなるメル
ト２５０８を電気炉２５１２を使って約９６０℃まで熱
し、溶かし込み用のｎ+型Ｓｉ基板をメルト２５０８に
浸入させ、ほぼ飽和するまでｎ+型Ｓｉをメルト２５０
８の中に溶かし込み、溶かし込み用のｎ+型Ｓｉ基板を
引き上げる。または、低濃度の基板と一緒に、Ｐ（リ
ン），Ａｓ（ヒ素）などのｎ型不純物を溶かし込んでも
いい。その後、メルト２５０８の温度を約９５０℃にし
て、メルト２５０８をｐ-型Ｓｉの過飽和状態とする。
そして、基板カセット２５０１をメルト２５０８に浸入
させ、電気炉２５１２の温度を調整することにより、メ
ルト２５０８の温度を徐々に下げ、ｐ-型Ｓｉ層２００
３上にｎ+型Ｓｉ層２００４をエピタキシャル成長させ
ていく。成長時間は、例えば約３０秒である。
【０１３５】図２６は、基板カセット２５０１の部分的
な斜視図である。支柱２０６１が４つあり、複数のＳｉ
ウェハ２００１を４個所で支える。支柱２０６１は、Ｓ
ｉウェハ２００１の端の部分だけで支える構造になって
いる。太陽電池を製造する後の工程で、発電層となるエ
ピタキシャルＳｉ層２００３，２００４をそのへき開性
を使って点線のように四角に切り落とすので、支柱２０
６１はオリエンテーションフラット２０６２を含めてＳ
ｉウェハ２００１を切り落とす部分だけで支えながら、
支えた部分にはエピタキシャル成長させないようにする
のが望ましい。すると、図２１（ｃ）や図２１（ｄ）に
示すように、エピタキシャル成長するところとしないと
ころができる。図２５のようなディッピングタイプの液
相成長装置では、支柱２０６１を１０００℃近いメルト
の中に浸すことになるので、石英などの耐熱材料で製造
するのが望ましい。この構造の基板カセット２５０１
は、液相成長装置だけでなく、ＣＶＤなどの気相成長装
置にも使える。
な斜視図である。支柱２０６１が４つあり、複数のＳｉ
ウェハ２００１を４個所で支える。支柱２０６１は、Ｓ
ｉウェハ２００１の端の部分だけで支える構造になって
いる。太陽電池を製造する後の工程で、発電層となるエ
ピタキシャルＳｉ層２００３，２００４をそのへき開性
を使って点線のように四角に切り落とすので、支柱２０
６１はオリエンテーションフラット２０６２を含めてＳ
ｉウェハ２００１を切り落とす部分だけで支えながら、
支えた部分にはエピタキシャル成長させないようにする
のが望ましい。すると、図２１（ｃ）や図２１（ｄ）に
示すように、エピタキシャル成長するところとしないと
ころができる。図２５のようなディッピングタイプの液
相成長装置では、支柱２０６１を１０００℃近いメルト
の中に浸すことになるので、石英などの耐熱材料で製造
するのが望ましい。この構造の基板カセット２５０１
は、液相成長装置だけでなく、ＣＶＤなどの気相成長装
置にも使える。
【０１３６】その後、図２１（ｅ）に示すように、ｎ+
型Ｓｉ層２００４の表面にグリッド電極２００５を形成
する。グリッド電極２００５は、Ａｌなど材料を使って
印刷やスパッタなどの方法で形成するのが望ましい。
型Ｓｉ層２００４の表面にグリッド電極２００５を形成
する。グリッド電極２００５は、Ａｌなど材料を使って
印刷やスパッタなどの方法で形成するのが望ましい。
【０１３７】つぎに、図２２（ａ）に示すように、スパ
ッタ法や塗布・焼成などによりＴｉＯ2やＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などからなる反射防止
膜２００６を設ける。
ッタ法や塗布・焼成などによりＴｉＯ2やＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などからなる反射防止
膜２００６を設ける。
【０１３８】その後、図２２（ｂ）のように、支持基板
として、ｐ-型Ｓｉ層２００３、ｎ+型Ｓｉ層２００４な
ど上手く収まるように、その大きさに合わせたさくり
（凹部）２００９のあるガラス基板２００７を用意す
る。このガラス基板２００７は、その端部に向かって厚
さが薄くなっている方が望ましい。
として、ｐ-型Ｓｉ層２００３、ｎ+型Ｓｉ層２００４な
ど上手く収まるように、その大きさに合わせたさくり
（凹部）２００９のあるガラス基板２００７を用意す
る。このガラス基板２００７は、その端部に向かって厚
さが薄くなっている方が望ましい。
【０１３９】そして、図２２（ｃ）のように、ガラス基
板２００７のさくり２００９以外の部分に、多孔質層２
００２を直接接触させて、４００℃程度の熱処理により
ガラス基板２００７と多孔質層２００２を接合する。こ
のとき、多孔質層２００２とガラス基板２００７にＮ2
プラズマ処理を施しておくと、接合が強固になる。また
このとき、さくり２００９部分に透明な耐熱接着材２０
０８を充填しておいて、ガラス基板と反射防止膜２００
６との間の接着を強固にしておいてもよい。
板２００７のさくり２００９以外の部分に、多孔質層２
００２を直接接触させて、４００℃程度の熱処理により
ガラス基板２００７と多孔質層２００２を接合する。こ
のとき、多孔質層２００２とガラス基板２００７にＮ2
プラズマ処理を施しておくと、接合が強固になる。また
このとき、さくり２００９部分に透明な耐熱接着材２０
０８を充填しておいて、ガラス基板と反射防止膜２００
６との間の接着を強固にしておいてもよい。
【０１４０】つぎに、前述した方法を使って、図２２
（ｄ）に示すように側面からウォーター・ジェット２０
２０を当てると、多孔質層２００２とＳｉウェハ２００
１の界面及び／又は多孔質層２００２内で、分離がおこ
り、図２２（ｅ）に示すように第２の半導体層であるエ
ピタキシャル層２００４，２００３と第１の半導体層で
あるＳｉウェハ２００１を分離することができる。この
とき、Ｓｉウェハ２００１には、ウェハの端部が中央部
より薄いベベリングがついている。このため、ウォータ
ー・ジェット２０２０は、ベベリング部分に最初に当た
り、貼り合わせた基板を引き剥がす方向に力が作用す
る。このため、弱い多孔質層２００２の部分で分離がお
こる。図２２（ｄ）に示す工程で分離したＳｉウェハ２
００１は、その表面の多孔質層の残さを取り除き、再び
図２１（ａ）のＳｉウェハ２００１として使用する。
（ｄ）に示すように側面からウォーター・ジェット２０
２０を当てると、多孔質層２００２とＳｉウェハ２００
１の界面及び／又は多孔質層２００２内で、分離がおこ
り、図２２（ｅ）に示すように第２の半導体層であるエ
ピタキシャル層２００４，２００３と第１の半導体層で
あるＳｉウェハ２００１を分離することができる。この
とき、Ｓｉウェハ２００１には、ウェハの端部が中央部
より薄いベベリングがついている。このため、ウォータ
ー・ジェット２０２０は、ベベリング部分に最初に当た
り、貼り合わせた基板を引き剥がす方向に力が作用す
る。このため、弱い多孔質層２００２の部分で分離がお
こる。図２２（ｄ）に示す工程で分離したＳｉウェハ２
００１は、その表面の多孔質層の残さを取り除き、再び
図２１（ａ）のＳｉウェハ２００１として使用する。
【０１４１】つぎに、図２３（ａ）に示すように絶縁性
基板２０１１上にＡｌシートなどの導電膜２０１０を貼
った基板を用意し、図２３（ｂ）に示すように導電膜２
０１０と多孔質層２００２を導電ペーストなどを用いて
接着する。そして、エピタキシャル層２００３，２００
４のない部分を図２３（ｂ）の断面図や図２３（ｄ）の
平面図に示す点線に沿って切り取り、図２３（ｃ）に示
すようなおおよそ四角形の太陽電池ユニットセルとす
る。
基板２０１１上にＡｌシートなどの導電膜２０１０を貼
った基板を用意し、図２３（ｂ）に示すように導電膜２
０１０と多孔質層２００２を導電ペーストなどを用いて
接着する。そして、エピタキシャル層２００３，２００
４のない部分を図２３（ｂ）の断面図や図２３（ｄ）の
平面図に示す点線に沿って切り取り、図２３（ｃ）に示
すようなおおよそ四角形の太陽電池ユニットセルとす
る。
【０１４２】（実施例２）図２７と図２８として示す断
面図を使って、実施例２を説明する。まず、図２７
（ａ）に示すように半導体基板としてのＳｉウェハ２０
０１を用意する。つぎに、実施例１と同様に陽極化成を
おこなって、図２７（ｂ）に示すようにＳｉウェハ２０
０１の表面を分離層としての多孔質層２００２にする。
従って、Ｓｉウェハ２００１の多孔質層２００２以外の
部分が第１の半導体層となる。そして、実施例１で説明
したような液相成長法を使って、図２７（ｃ）に示すよ
うに多孔質層２００２上にｐ+型Ｓｉ層２０１４を例え
ば２μｍエピタキシャル成長させ、図２７（ｄ）に示す
ようにｐ-型Ｓｉ層２００３を例えば３０μｍエピタキ
シャル成長させ、図２７（ｅ）に示すようにｎ+型Ｓｉ
層２００４を例えば１μｍエピタキシャル成長させ、第
２の半導体層を形成する。
面図を使って、実施例２を説明する。まず、図２７
（ａ）に示すように半導体基板としてのＳｉウェハ２０
０１を用意する。つぎに、実施例１と同様に陽極化成を
おこなって、図２７（ｂ）に示すようにＳｉウェハ２０
０１の表面を分離層としての多孔質層２００２にする。
従って、Ｓｉウェハ２００１の多孔質層２００２以外の
部分が第１の半導体層となる。そして、実施例１で説明
したような液相成長法を使って、図２７（ｃ）に示すよ
うに多孔質層２００２上にｐ+型Ｓｉ層２０１４を例え
ば２μｍエピタキシャル成長させ、図２７（ｄ）に示す
ようにｐ-型Ｓｉ層２００３を例えば３０μｍエピタキ
シャル成長させ、図２７（ｅ）に示すようにｎ+型Ｓｉ
層２００４を例えば１μｍエピタキシャル成長させ、第
２の半導体層を形成する。
【０１４３】つぎに、図２７（ｆ）に示すようにＡｌな
どからなるグリッド電極２００５を印刷、スパッタなど
で形成して、図２８（ａ）に示すように反射防止膜２０
０６を形成する。そして、図２８（ｂ）に示すように、
支持基板としてのガラス基板２００７を反射防止膜２０
０６上に透明な接着剤を使って貼り合わせる。このと
き、ガラス基板２００７は端部に向かって厚みが薄くな
っている方が望ましい。
どからなるグリッド電極２００５を印刷、スパッタなど
で形成して、図２８（ａ）に示すように反射防止膜２０
０６を形成する。そして、図２８（ｂ）に示すように、
支持基板としてのガラス基板２００７を反射防止膜２０
０６上に透明な接着剤を使って貼り合わせる。このと
き、ガラス基板２００７は端部に向かって厚みが薄くな
っている方が望ましい。
【０１４４】つぎに、図２８（ｃ）に示すように貼り合
わせ基板の側方に、前述のような方法でウォーター・ジ
ェット２０２０を噴出して、図２８（ｄ）に示すように
第２の半導体層であるエピタキシャル層２０１４，２０
０３，２００４と第１の半導体層であるＳｉウェハ２０
０１を分離する。
わせ基板の側方に、前述のような方法でウォーター・ジ
ェット２０２０を噴出して、図２８（ｄ）に示すように
第２の半導体層であるエピタキシャル層２０１４，２０
０３，２００４と第１の半導体層であるＳｉウェハ２０
０１を分離する。
【０１４５】そして、図２８（ｅ）に示すように多孔質
層２００２を、ウェットエッチングや研磨などを使って
除去し、ｐ+型Ｓｉ層２０１４を露出させる。多孔質層
２００２をウェットエッチングによって取り除くとき
は、ガラス基板２００７がエッチング液に触れないよう
に、アピエゾンワックスなどで保護する。ウェットエッ
チング液は、フッ酸（４９％）と過酸化水素水の１：１
の混合液が望ましい。
層２００２を、ウェットエッチングや研磨などを使って
除去し、ｐ+型Ｓｉ層２０１４を露出させる。多孔質層
２００２をウェットエッチングによって取り除くとき
は、ガラス基板２００７がエッチング液に触れないよう
に、アピエゾンワックスなどで保護する。ウェットエッ
チング液は、フッ酸（４９％）と過酸化水素水の１：１
の混合液が望ましい。
【０１４６】最後に、図２８（ｆ）に示すように絶縁性
基板２０１１上にＡｌなどの導電膜２０１０を貼った基
板をｐ+型Ｓｉ層２０１４に貼り合わせ、太陽電池ユニ
ットセルができる。
基板２０１１上にＡｌなどの導電膜２０１０を貼った基
板をｐ+型Ｓｉ層２０１４に貼り合わせ、太陽電池ユニ
ットセルができる。
【０１４７】（実施例３）実施例３は、実施例２とほぼ
同様であるが、支持基板としてのガラス基板２００７の
太陽電池層との貼り合わせ面にさくりがなく、平坦にな
っている。
同様であるが、支持基板としてのガラス基板２００７の
太陽電池層との貼り合わせ面にさくりがなく、平坦にな
っている。
【０１４８】実施例２で説明した図２７と同じ製造工程
で、図２９（ａ）に示すように半導体基板としてのＳｉ
ウェハ２００１上に分離層としての多孔質層２００２が
あり、多孔質層２００２上に第２の半導体層としてのエ
ピタキシャル成長させたＳｉ層２０１４，２００３，２
００４があり、その上にグリッド２００５と反射防止膜
２００６がある基板を形成する。
で、図２９（ａ）に示すように半導体基板としてのＳｉ
ウェハ２００１上に分離層としての多孔質層２００２が
あり、多孔質層２００２上に第２の半導体層としてのエ
ピタキシャル成長させたＳｉ層２０１４，２００３，２
００４があり、その上にグリッド２００５と反射防止膜
２００６がある基板を形成する。
【０１４９】つぎに、図２９（ｂ）に示すように、さく
りがなく平坦なガラス基板２００７を反射防止膜２００
６に貼り付ける。そして、図２９（ｃ）に示すようにウ
ォーター・ジェット２０２０を貼り合わせ基板の側面か
ら当て、多孔質層２００２で分離し、図２９（ｄ）に示
すように第２の半導体層であるエピタキシャル層２００
４，２００３，２０１４と第１の半導体層であるＳｉウ
ェハ２００１を分離する。その後、多孔質層２００２を
研磨などによって除去し、図２９（ｅ）に示すように仕
上げ、導電膜２０１０を付けた絶縁性基板２０１１を貼
り合わせて、図２９（ｆ）に示すような太陽電池ユニッ
トセルが完成する。
りがなく平坦なガラス基板２００７を反射防止膜２００
６に貼り付ける。そして、図２９（ｃ）に示すようにウ
ォーター・ジェット２０２０を貼り合わせ基板の側面か
ら当て、多孔質層２００２で分離し、図２９（ｄ）に示
すように第２の半導体層であるエピタキシャル層２００
４，２００３，２０１４と第１の半導体層であるＳｉウ
ェハ２００１を分離する。その後、多孔質層２００２を
研磨などによって除去し、図２９（ｅ）に示すように仕
上げ、導電膜２０１０を付けた絶縁性基板２０１１を貼
り合わせて、図２９（ｆ）に示すような太陽電池ユニッ
トセルが完成する。
【０１５０】（実施例４）図３０と図３１として示す断
面図を使って、実施例４を説明する。
面図を使って、実施例４を説明する。
【０１５１】まず、図３０（ａ）に示すように半導体基
板としてのＳｉウェハ２００１を用意する。つぎに、実
施例１と同様に陽極化成をおこなって、図３０（ｂ）に
示すようにＳｉウェハ２００１の表面を分離層としての
多孔質層２００２にする。従って、Ｓｉウェハ２００１
の多孔質層２００２以外の部分が第１の半導体層とな
る。
板としてのＳｉウェハ２００１を用意する。つぎに、実
施例１と同様に陽極化成をおこなって、図３０（ｂ）に
示すようにＳｉウェハ２００１の表面を分離層としての
多孔質層２００２にする。従って、Ｓｉウェハ２００１
の多孔質層２００２以外の部分が第１の半導体層とな
る。
【０１５２】そして、実施例１で説明したような液相成
長法を使って、図３０（ｃ）に示すように多孔質層２０
０２上にｎ+型Ｓｉ層２００４を例えば１μｍエピタキ
シャル成長させる。その後、図３０（ｄ）に示すように
ｐ-型Ｓｉ層２００３を例えば３０μｍエピタキシャル
成長させる。これらが第２の半導体層となる。
長法を使って、図３０（ｃ）に示すように多孔質層２０
０２上にｎ+型Ｓｉ層２００４を例えば１μｍエピタキ
シャル成長させる。その後、図３０（ｄ）に示すように
ｐ-型Ｓｉ層２００３を例えば３０μｍエピタキシャル
成長させる。これらが第２の半導体層となる。
【０１５３】つぎに、図３０（ｅ）に示すように、Ａｌ
などの導電膜２０１０のついた下地基板（絶縁性基板）
２０１１を用意する。
などの導電膜２０１０のついた下地基板（絶縁性基板）
２０１１を用意する。
【０１５４】そして、図３１（ａ）に示すように、熱溶
着などの方法で導電膜２０１０のついた下地基板２０１
１をｐ-型Ｓｉ層２００３上に接合させる。導電膜２０
１０にＡｌを用いた場合は、接合面近傍のＳｉとＡｌが
融合してｐ-型Ｓｉ層２００３のＡｌ側の接合面がｐ+型
になり、接合面がオーミックになる。
着などの方法で導電膜２０１０のついた下地基板２０１
１をｐ-型Ｓｉ層２００３上に接合させる。導電膜２０
１０にＡｌを用いた場合は、接合面近傍のＳｉとＡｌが
融合してｐ-型Ｓｉ層２００３のＡｌ側の接合面がｐ+型
になり、接合面がオーミックになる。
【０１５５】つぎに、前述した方法で図３１（ｂ）に示
すようにウォーター・ジェット２０２０を貼り合わせ基
板の側面に噴出し、多孔質層２００２で貼り合わせ基板
を分離し、図３ｌ（ｃ）に示すように第２の半導体層で
あるエピタキシャル層２００４，２００３と第１の半導
体層であるＳｉウェハ２００１を分離する。
すようにウォーター・ジェット２０２０を貼り合わせ基
板の側面に噴出し、多孔質層２００２で貼り合わせ基板
を分離し、図３ｌ（ｃ）に示すように第２の半導体層で
あるエピタキシャル層２００４，２００３と第１の半導
体層であるＳｉウェハ２００１を分離する。
【０１５６】その後、エッチングや研磨の方法で、多孔
質層２００２を除去し、図３１（ｄ）に示すようにｎ+
型Ｓｉ層２００４を露出させる。多孔質化の過程でウェ
ハとしてｎ+型ウェハを用いれば、ｎ+型多孔質の除去の
工程は必ずしも必要ない。そして、図３１（ｅ）に示す
ように、１８０°回転させて、グリッド電極２００５を
印刷、スパッタなどの方法で形成する。最後に、図３１
（ｆ）に示すように表面に反射防止膜２００６をつけ
て、太陽電池ユニットセルの完成となる。
質層２００２を除去し、図３１（ｄ）に示すようにｎ+
型Ｓｉ層２００４を露出させる。多孔質化の過程でウェ
ハとしてｎ+型ウェハを用いれば、ｎ+型多孔質の除去の
工程は必ずしも必要ない。そして、図３１（ｅ）に示す
ように、１８０°回転させて、グリッド電極２００５を
印刷、スパッタなどの方法で形成する。最後に、図３１
（ｆ）に示すように表面に反射防止膜２００６をつけ
て、太陽電池ユニットセルの完成となる。
【０１５７】（実施例５）実施例５は光センサーを製造
する例である。実施例２の説明で用いた図２７と図２８
の断面図を使って説明する。図２７（ａ）から（ｅ）ま
での工程は、実施例２と同じである。図２７（ｅ）の工
程が終わった後、グリッド電極２００５と平行にｎ+型
Ｓｉ層２００４に溝を掘り、ｎ+型Ｓｉ層２００４をス
トライプ状に分離する。この分離に、フォトリソグラフ
ィーや電子ビームリソグラフィー、レーザスクライブの
技術が使用できる。
する例である。実施例２の説明で用いた図２７と図２８
の断面図を使って説明する。図２７（ａ）から（ｅ）ま
での工程は、実施例２と同じである。図２７（ｅ）の工
程が終わった後、グリッド電極２００５と平行にｎ+型
Ｓｉ層２００４に溝を掘り、ｎ+型Ｓｉ層２００４をス
トライプ状に分離する。この分離に、フォトリソグラフ
ィーや電子ビームリソグラフィー、レーザスクライブの
技術が使用できる。
【０１５８】その後、図２７（ｆ）から図２８（ｅ）ま
での工程は、実施例２と同じである。そして、図２８
（ｆ）に示すように導電膜２０１０を貼るときは、グリ
ッド電極２００５と垂直に交差するストライプ状電極を
貼り合わせる。この結果、マトリックス型の光センサー
ができる。
での工程は、実施例２と同じである。そして、図２８
（ｆ）に示すように導電膜２０１０を貼るときは、グリ
ッド電極２００５と垂直に交差するストライプ状電極を
貼り合わせる。この結果、マトリックス型の光センサー
ができる。
【０１５９】（実施例６）本発明の分離層を形成するた
めに、特開平９−３３１０７７号公報のように、半導体
基板にイオン注入し、空孔を有する層を形成してもよ
い。そして、前述した実施形態や実施例と同様に貼り合
わせ基板の側面にウォーター・ジェットを噴射すること
によって貼り合わせ基板を分離する。
めに、特開平９−３３１０７７号公報のように、半導体
基板にイオン注入し、空孔を有する層を形成してもよ
い。そして、前述した実施形態や実施例と同様に貼り合
わせ基板の側面にウォーター・ジェットを噴射すること
によって貼り合わせ基板を分離する。
【０１６０】（実施例７）実施例７は、ウォーター・ジ
ェット噴射する前に、分離が確実に行えるように分離層
の周辺除去を行う例である。図３４と図３５は、実施例
７の製造工程を表す断面図である。まず、図３４（ａ）
に示すように半導体基板としてのＳｉウェハ２００１を
用意する。つぎに、実施例１と同様に陽極化成をおこな
って、図３４（ｂ）に示すようにＳｉウェハ２００１の
表面を分離層としての多孔質層２００２にする。この場
合、Ｓｉウェハ２００１の多孔質層２００２以外の部分
が第１の半導体層となる。そして、実施例１で説明した
液相成長法を使って、図３４（ｃ）に示すように多孔質
層２００２上にｐ+型Ｓｉ層２０１４を例えば２μｍエ
ピタキシャル成長させる。次に、図３４（ｄ）に示すよ
うにｐ-型Ｓｉ層２００３を例えば３０μｍエピタキシ
ャル成長させ、図３４（ｅ）に示すようにｎ+型Ｓｉ層
２００４を例えば１μｍエピタキシャル成長させる。こ
の場合、ｐ+型Ｓｉ層２０１４、ｐ-型Ｓｉ層２００３、
ｎ+型Ｓｉ層２００４が第２の半導体層となる。
ェット噴射する前に、分離が確実に行えるように分離層
の周辺除去を行う例である。図３４と図３５は、実施例
７の製造工程を表す断面図である。まず、図３４（ａ）
に示すように半導体基板としてのＳｉウェハ２００１を
用意する。つぎに、実施例１と同様に陽極化成をおこな
って、図３４（ｂ）に示すようにＳｉウェハ２００１の
表面を分離層としての多孔質層２００２にする。この場
合、Ｓｉウェハ２００１の多孔質層２００２以外の部分
が第１の半導体層となる。そして、実施例１で説明した
液相成長法を使って、図３４（ｃ）に示すように多孔質
層２００２上にｐ+型Ｓｉ層２０１４を例えば２μｍエ
ピタキシャル成長させる。次に、図３４（ｄ）に示すよ
うにｐ-型Ｓｉ層２００３を例えば３０μｍエピタキシ
ャル成長させ、図３４（ｅ）に示すようにｎ+型Ｓｉ層
２００４を例えば１μｍエピタキシャル成長させる。こ
の場合、ｐ+型Ｓｉ層２０１４、ｐ-型Ｓｉ層２００３、
ｎ+型Ｓｉ層２００４が第２の半導体層となる。
【０１６１】次に、図３４（ｅ）の基板の周辺部の多孔
質層２００２とｐ+型Ｓｉ層２０１４、ｐ-型Ｓｉ層２０
０３、ｎ+型Ｓｉ層２００４を除去する。この除去はＲ
ＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）な
どのドライエッチングやフッ酸＋硝酸系などのエッチャ
ントを使ったウェットエッチングにより行うのが望まし
い。この時、基板の側面だけがエッチングされるよう
に、マスクとしてテフロンテープを貼ったり、アピエゾ
ンワックスで保護する。周辺部を除去する理由は、基板
の周辺部は多孔質層２００２の膜厚が不安定で、そのま
ま残しておくと後の第１の半導体層と第２の半導体層の
分離工程を困難にすることがあるからである。又、エピ
タキシャルＳｉ層２０１４，２００３，２００４の形
は、基板周囲ではＳｉウェハのベベリング（ウェハ周辺
の面取り）のため反った層になることがあり、後に太陽
電池として利用しにくくなることがあるからである。
質層２００２とｐ+型Ｓｉ層２０１４、ｐ-型Ｓｉ層２０
０３、ｎ+型Ｓｉ層２００４を除去する。この除去はＲ
ＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）な
どのドライエッチングやフッ酸＋硝酸系などのエッチャ
ントを使ったウェットエッチングにより行うのが望まし
い。この時、基板の側面だけがエッチングされるよう
に、マスクとしてテフロンテープを貼ったり、アピエゾ
ンワックスで保護する。周辺部を除去する理由は、基板
の周辺部は多孔質層２００２の膜厚が不安定で、そのま
ま残しておくと後の第１の半導体層と第２の半導体層の
分離工程を困難にすることがあるからである。又、エピ
タキシャルＳｉ層２０１４，２００３，２００４の形
は、基板周囲ではＳｉウェハのベベリング（ウェハ周辺
の面取り）のため反った層になることがあり、後に太陽
電池として利用しにくくなることがあるからである。
【０１６２】また、エッチャントとして、フッ酸（４９
％）＋過酸化水素水（３０％）の１：１の混合液を使う
こともできる。このエッチャントは、多孔質Ｓｉに対す
る強い選択エッチングができる。このため、図３４
（ｄ）の基板をマスクをせずにこのエッチング液に浸け
ても、多孔質層２００２の周辺部のみを除去することが
できる。この多孔質層２００２の周辺部のみを除去する
だけでも、後の分離工程の歩留まりがある程度向上す
る。
％）＋過酸化水素水（３０％）の１：１の混合液を使う
こともできる。このエッチャントは、多孔質Ｓｉに対す
る強い選択エッチングができる。このため、図３４
（ｄ）の基板をマスクをせずにこのエッチング液に浸け
ても、多孔質層２００２の周辺部のみを除去することが
できる。この多孔質層２００２の周辺部のみを除去する
だけでも、後の分離工程の歩留まりがある程度向上す
る。
【０１６３】更に、図３４（ｆ）に示すようにＳｉウェ
ハ２００１の周辺部２０５０を外側が薄くなるように除
去しておくのも望ましい。基板の表面と裏面にマスクを
被せ、ウエットエッチングにより側面だけをエッチャン
トに触れるようにすれば、自然に外側が薄くなる構成に
なることが多い。このような除去により、後の分離工程
でウォーター・ジェットを流体のくさびとして使用する
とき、そのくさびの効果を発揮しやすくなる。この多孔
質層２００２、ｐ+型Ｓｉ層２０１４、ｐ-型Ｓｉ層２０
０３、ｎ+型Ｓｉ層２００４の除去と、Ｓｉウェハ２０
０１の周辺部２０５０の除去は、同時に行うことができ
る。つまり、この一工程で、エピタキシャルＳｉ層２０
１４，２００３，２００４の反り部分の除去による完成
品としての太陽電池の安定化と、後の分離工程の安定化
をすることができる。
ハ２００１の周辺部２０５０を外側が薄くなるように除
去しておくのも望ましい。基板の表面と裏面にマスクを
被せ、ウエットエッチングにより側面だけをエッチャン
トに触れるようにすれば、自然に外側が薄くなる構成に
なることが多い。このような除去により、後の分離工程
でウォーター・ジェットを流体のくさびとして使用する
とき、そのくさびの効果を発揮しやすくなる。この多孔
質層２００２、ｐ+型Ｓｉ層２０１４、ｐ-型Ｓｉ層２０
０３、ｎ+型Ｓｉ層２００４の除去と、Ｓｉウェハ２０
０１の周辺部２０５０の除去は、同時に行うことができ
る。つまり、この一工程で、エピタキシャルＳｉ層２０
１４，２００３，２００４の反り部分の除去による完成
品としての太陽電池の安定化と、後の分離工程の安定化
をすることができる。
【０１６４】つぎに、図３４（ｆ）に示すようにＡｌな
どからなるグリッド電極２００５を印刷・スパッタなど
で形成して、図３５（ａ）に示すように反射防止膜２０
０６を形成する。そして、図３５（ｂ）に示すように、
支持基板としてのガラス基板２００７を反射防止膜２０
０６上に透明な接着剤を使って貼り合わせる。このと
き、ガラス基板２００７は、周辺部の厚みが中央部より
薄くなっている方が望ましい。
どからなるグリッド電極２００５を印刷・スパッタなど
で形成して、図３５（ａ）に示すように反射防止膜２０
０６を形成する。そして、図３５（ｂ）に示すように、
支持基板としてのガラス基板２００７を反射防止膜２０
０６上に透明な接着剤を使って貼り合わせる。このと
き、ガラス基板２００７は、周辺部の厚みが中央部より
薄くなっている方が望ましい。
【０１６５】つぎに、図３５（ｃ）に示すように、貼り
合わせ基板の側方に前述のような方法でウォーター・ジ
ェット２０２０を噴出して、図３５（ｄ）に示すように
第２の半導体層であるエピタキシャルＳｉ層２０１４，
２００３，２００４と、第１の半導体層であるＳｉウェ
ハ２００１を分離する。Ｓｉウェハ２００１は、多孔質
層２００２の残さをウエットエッチングなどによって取
り除き、再び図３４（ａ）からの工程で使用する。Ｓｉ
ウェハ２００１は１００回程度使用することができるの
で、１枚のＳｉウェハから１００枚程度の太陽電池ユニ
ットセルを製造することができる。
合わせ基板の側方に前述のような方法でウォーター・ジ
ェット２０２０を噴出して、図３５（ｄ）に示すように
第２の半導体層であるエピタキシャルＳｉ層２０１４，
２００３，２００４と、第１の半導体層であるＳｉウェ
ハ２００１を分離する。Ｓｉウェハ２００１は、多孔質
層２００２の残さをウエットエッチングなどによって取
り除き、再び図３４（ａ）からの工程で使用する。Ｓｉ
ウェハ２００１は１００回程度使用することができるの
で、１枚のＳｉウェハから１００枚程度の太陽電池ユニ
ットセルを製造することができる。
【０１６６】そして、図３５（ｅ）に示すように多孔質
層２００２をウェットエッチングや研磨などを使って除
去し、ｐ+型Ｓｉ層２０１４を露出させる。多孔質層２
００２をウェットエッチングによって取り除くときは、
ガラス基板２００７がエッチャントに触れないように、
アピエゾンワックスなどで保護する。エッチャントは、
フッ酸（４９％）と過酸化水素水（３０％）の１：１の
混合液が望ましい。
層２００２をウェットエッチングや研磨などを使って除
去し、ｐ+型Ｓｉ層２０１４を露出させる。多孔質層２
００２をウェットエッチングによって取り除くときは、
ガラス基板２００７がエッチャントに触れないように、
アピエゾンワックスなどで保護する。エッチャントは、
フッ酸（４９％）と過酸化水素水（３０％）の１：１の
混合液が望ましい。
【０１６７】最後に、ガラス基板２００７の周辺部を切
り落とし、絶縁性基板２０１１上にＡｌなどの導電膜２
０１０を貼った基板を導電接着剤などを使ってｐ+型Ｓ
ｉ層２０１４の裏面に貼り合わせ、太陽電池のユニット
セルが完成する。
り落とし、絶縁性基板２０１１上にＡｌなどの導電膜２
０１０を貼った基板を導電接着剤などを使ってｐ+型Ｓ
ｉ層２０１４の裏面に貼り合わせ、太陽電池のユニット
セルが完成する。
【０１６８】実施例７によれば、多孔質層の厚みが不安
定な周辺部、またはエピタキシャルＳｉ層の形成の不安
定な周辺部分を取り除くと同時に、ウォーター・ジェッ
トの流体くさびで分離しやすい構造にすることができ
る。このため、安定した製造工程で歩留まりが良いた
め、低製造コストで太陽電池を製造することができる。
定な周辺部、またはエピタキシャルＳｉ層の形成の不安
定な周辺部分を取り除くと同時に、ウォーター・ジェッ
トの流体くさびで分離しやすい構造にすることができ
る。このため、安定した製造工程で歩留まりが良いた
め、低製造コストで太陽電池を製造することができる。
【０１６９】（実施例８）実施例８は、太陽電池用の角
型ウェハを使用して分離する例である。単結晶太陽電池
ではモジュールにしたときのデットスペースをなくすた
めに、ユニットセルは角型の方が望ましい。そこで、角
型の貼り合わせ基板を分離する装置を表したのが図３６
である。図中、２７０１は角型の貼り合わせ基板、２７
０２は貼り合わせ基板の回転機構、２７０４はウォータ
ー・ジェット装置のノズル、２７０７は水平駆動機構、
２７０８は基板保持体、２７１２はガイドである。
型ウェハを使用して分離する例である。単結晶太陽電池
ではモジュールにしたときのデットスペースをなくすた
めに、ユニットセルは角型の方が望ましい。そこで、角
型の貼り合わせ基板を分離する装置を表したのが図３６
である。図中、２７０１は角型の貼り合わせ基板、２７
０２は貼り合わせ基板の回転機構、２７０４はウォータ
ー・ジェット装置のノズル、２７０７は水平駆動機構、
２７０８は基板保持体、２７１２はガイドである。
【０１７０】前述の実施例１〜７同様の工程により得ら
れた貼り合わせ基板２７０１を基板保持体２７０８によ
って貼り合わせ基板２７０１の両面から抑えて垂直に立
てる。そして、貼り合わせ基板２７０１のベベリングに
よる凹部または隙間に、その上方に配置したウォーター
ジェット装置のノズル２７０４から高圧の流体を貼り合
わせ基板２７０１の貼り合わせ界面に平行な方向から噴
出する。このとき、ノズル２７０４は水平駆動機構２７
０７とガイド２７１２により、ベベリングで構成された
隙間に沿って移動する。
れた貼り合わせ基板２７０１を基板保持体２７０８によ
って貼り合わせ基板２７０１の両面から抑えて垂直に立
てる。そして、貼り合わせ基板２７０１のベベリングに
よる凹部または隙間に、その上方に配置したウォーター
ジェット装置のノズル２７０４から高圧の流体を貼り合
わせ基板２７０１の貼り合わせ界面に平行な方向から噴
出する。このとき、ノズル２７０４は水平駆動機構２７
０７とガイド２７１２により、ベベリングで構成された
隙間に沿って移動する。
【０１７１】このあと、回転機構２７０２により、貼り
合わせ基板２７０１は４５°または９０°回転し、再び
ノズル２７０４は水平駆動機構２７０７とガイド２７１
２によりベベリングで構成された隙間に沿って移動す
る。この操作を繰り返すことにより、貼り合わせ基板２
７０１の側面とノズル２７０４の距離を大きく離すこと
なく、流体を貼り合わせ基板２７０１の側面に噴射でき
る。このため、角型の半導体基板でも流体を噴射する圧
力を一定に保つことができ、第１の半導体層と第２の半
導体層での分離を分離層で確実に行うことができる。実
施例８は、図３６の２７０１のような円形のウェハから
４面を切り落とした基板で説明したが、貼り合わせ基板
の形状は４角形であっても、３角形であってもかまわな
い。
合わせ基板２７０１は４５°または９０°回転し、再び
ノズル２７０４は水平駆動機構２７０７とガイド２７１
２によりベベリングで構成された隙間に沿って移動す
る。この操作を繰り返すことにより、貼り合わせ基板２
７０１の側面とノズル２７０４の距離を大きく離すこと
なく、流体を貼り合わせ基板２７０１の側面に噴射でき
る。このため、角型の半導体基板でも流体を噴射する圧
力を一定に保つことができ、第１の半導体層と第２の半
導体層での分離を分離層で確実に行うことができる。実
施例８は、図３６の２７０１のような円形のウェハから
４面を切り落とした基板で説明したが、貼り合わせ基板
の形状は４角形であっても、３角形であってもかまわな
い。
【０１７２】
【発明の効果】本発明の、貼り合わせた半導体基板と支
持基板の端部の少なくとも一部に前記半導体基板と前記
支持基板が離れている部分があり、貼り合わせた前記半
導体基板と前記支持基板の側面に流体を吹き付けること
により、前記半導体基板中の第１の半導体層と第２の半
導体層を剥離する光電変換装置の製造方法によれば、歩
留まりよく、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層
の間で剥離ができる。また、光電変換装置の活性層を傷
つけることがないので、高品質の光電変換装置が提供で
きる。このため、半導体基板や支持基板を割ることが少
なくなり、光電変換装置の製造歩留まりの向上につなが
る。このため、低製造コストで光電変換装置を製造する
ことができる。
持基板の端部の少なくとも一部に前記半導体基板と前記
支持基板が離れている部分があり、貼り合わせた前記半
導体基板と前記支持基板の側面に流体を吹き付けること
により、前記半導体基板中の第１の半導体層と第２の半
導体層を剥離する光電変換装置の製造方法によれば、歩
留まりよく、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層
の間で剥離ができる。また、光電変換装置の活性層を傷
つけることがないので、高品質の光電変換装置が提供で
きる。このため、半導体基板や支持基板を割ることが少
なくなり、光電変換装置の製造歩留まりの向上につなが
る。このため、低製造コストで光電変換装置を製造する
ことができる。
【図１】本発明の貼り合わせ基板の分離方法を説明する
為の模式的な斜視図。
為の模式的な斜視図。
【図２】本発明の流体による貼り合わせ基板の分離方法
の一例を説明する為の模式的な断面図。
の一例を説明する為の模式的な断面図。
【図３】本発明の分離装置の一例を示す模式的な斜視
図。
図。
【図４】本発明の分離装置の別の例を示す概略断面図。
【図５】本発明の分離装置の他の例を示す模式的な斜視
図。
図。
【図６】本発明の分離装置の更に別の例を示す模式的な
側面図。
側面図。
【図７】本発明の分離装置の更に他の例を示す模式的な
上面図。
上面図。
【図８】本発明の流体による貼り合わせ基板の分離方法
の別の例を説明する為の模式的な断面図。
の別の例を説明する為の模式的な断面図。
【図９】本発明の分離装置の更に他の例を示す模式的な
側面図。
側面図。
【図１０】本発明の分離装置の更に他の例を示す模式的
な側面図。
な側面図。
【図１１】本発明の分離装置の更に他の例を示す模式的
な側面図。
な側面図。
【図１２】本発明の分離装置の更に他の例を示す模式的
な側面図。
な側面図。
【図１３】本発明の分離装置の更に別の例を示す模式的
な側面図。
な側面図。
【図１４】本発明の分離装置の別の例を示す模式的な上
面図。
面図。
【図１５】図１５に示す分離装置の別の例を示す模式的
な側面図。
な側面図。
【図１６】貼り合わせ基板の分離の様子を説明する為の
模式的な斜視図。
模式的な斜視図。
【図１７】待機状態にある図１５に示す分離装置の模式
的な部分断面図。
的な部分断面図。
【図１８】基板保持状態にある図１５に示す分離装置の
模式的な部分断面図。
模式的な部分断面図。
【図１９】分離動作開始状態にある図１５に示す分離装
置の模式的な部分断面図。
置の模式的な部分断面図。
【図２０】分離動作終了時の状態にある図１５に示す分
離装置の模式的な部分断面図。
離装置の模式的な部分断面図。
【図２１】実施例１の太陽電池の製造工程の模式的な断
面図。
面図。
【図２２】実施例１の太陽電池の製造工程の模式的な断
面図。
面図。
【図２３】実施例１の太陽電池の製造工程の模式的な断
面図と模式的な平面図。
面図と模式的な平面図。
【図２４】実施例１で用いる陽極化成の装置の模式的な
断面図。
断面図。
【図２５】実施例１で用いる液相成長装置の模式的な断
面図。
面図。
【図２６】実施例１の液相成長装置の基板カセットの部
分的な斜視図。
分的な斜視図。
【図２７】実施例２の太陽電池の製造工程の模式的な断
面図。
面図。
【図２８】実施例２の太陽電池の製造工程の模式的な断
面図。
面図。
【図２９】実施例３の太陽電池の製造工程の模式的な断
面図。
面図。
【図３０】実施例４の太陽電池の製造工程の模式的な断
面図。
面図。
【図３１】実施例４の太陽電池の製造工程の模式的な断
面図。
面図。
【図３２】本発明の貼り合わせ基板を説明する模式的な
断面図。
断面図。
【図３３】従来の太陽電池の製造工程を示す模式的な断
面図。
面図。
【図３４】実施例７の太陽電池の製造工程の模式的な断
面図。
面図。
【図３５】実施例７の太陽電池の製造工程の模式的な断
面図。
面図。
【図３６】実施例８で用いる分離装置の模式的な側面
図。
図。
【図３７】本発明の分離装置の他の例の模式的な側面
図。
図。
【図３８】貼り合わせ基板が部分的に分離される様子の
例を示す模式的な断面図。
例を示す模式的な断面図。
【図３９】貼り合わせ基板が完全に分離される様子の例
を示す模式的な断面図。
を示す模式的な断面図。
【図４０】分離装置の制御手順の例を概略的に示すフロ
ーチャート。
ーチャート。
１ 半導体基板 ２ 支持基板 ３ 分離層 ５ 第２の半導体層 ６ 貼り合わせ基板 ７ 流体 ８ ノズル １１ 第１の半導体層 １２ 光電変換装置用基体 １４ 接合界面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近江 和明 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 坂口 清文 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 柳田 一隆 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 米原 隆夫 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (28)
- 【請求項１】 第１の半導体層と第２の半導体層の間に
分離層を有する半導体基板を形成し、前記第２の半導体
層の前記分離層面と反対側の面に支持基板を貼り合わせ
て貼り合わせ基板を形成し、前記分離層で前記第１の半
導体層と前記第２の半導体層を分離して、前記第２の半
導体層を用いて光電変換装置を製造する方法において、
前記半導体基板と前記支持基板を貼り合わせる際に、少
なくとも一方の端部で互いを貼り合わせていない部分を
少なくとも一部形成し、前記貼り合わせ基板の側面に流
体を吹き付けることにより、前記第１の半導体層と前記
第２の半導体層を分離することを特徴とする光電変換装
置の製造方法。 - 【請求項２】 前記半導体基板と前記支持基板の互いを
貼り合わせていない部分が分離層の近傍に存在し、流体
の流れを受けて分離層を押し拡げる方向の力を生ずるよ
うな、凹型を形成していることを特徴とする請求項１に
記載の光電変換装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記凹型が、半導体基板のべべリングに
より形成されていることを特徴とする請求項２に記載の
光電変換装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記分離層は、内部に微小空隙を有する
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光電
変換装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記分離層が、前記支持基板と前記半導
体基板との貼り合わせ箇所より機械的強度が脆弱である
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光電
変換装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記半導体基板は、単結晶シリコン基板
を部分的に多孔質化することによって多孔質単結晶シリ
コン層である分離層を形成し、該分離層上に単結晶シリ
コン層をエピタキシャル成長することによって形成され
ることを特徴する請求項１〜５のいずれかに記載の光電
変換装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記分離層は、陽極化成法によって形成
されることを特徴とする請求項６に記載の光電変換装置
の製造方法。 - 【請求項８】 前記半導体基板は、単結晶シリコン基板
の所定の深さに微小気泡層である分離層を設けることに
よって形成されることを特徴とする請求項１〜５のいず
れかに記載の光電変換装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記分離層は、イオン打ち込みにより形
成されることを特徴とする請求項８に記載の光電変換装
置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記流体を吹き付ける方法として、高
圧の水流をノズルから吹き出すウォーター・ジェット法
を用いたことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記
載の光電変換装置の製造方法。 - 【請求項１１】 支持基板は、光透過性の基板であるこ
とを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の光電
変換装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記第２の半導体層の内部に半導体接
合を形成した後に前記分離を行うことを特徴とする請求
項１〜１１のいずれかに記載の光電変換装置の製造方
法。 - 【請求項１３】 前記分離層の周縁部を除去した後に前
記分離を行うことを特徴とする請求項１〜１１のいずれ
かに記載の光電変換装置の製造方法。 - 【請求項１４】 前記流体を吹き付ける手段としてノズ
ルを用い、該ノズルを前記貼り合わせ基板の外周に平行
に移動しながら前記流体を吹き付けることを特徴とする
請求項１〜１３のいずれかに記載の光電変換装置の製造
方法。 - 【請求項１５】 前記貼り合わせ基板の外周が多角形で
あり、該外周の一辺に平行に前記ノズルを移動しながら
前記流体を吹き付けた後に、該貼り合わせ基板を回転さ
せ、該外周の他の辺に平行に前記ノズルを移動しながら
前記流体を吹き付けることを特徴とする請求項１４に記
載の光電変換装置の製造方法。 - 【請求項１６】 第１の半導体層と第２の半導体層の間
に分離層を有する半導体基板を形成し、前記第２の半導
体層の前記分離層面と反対側の面に支持基板を貼り合わ
せて貼り合わせ基板を形成し、前記分離層で前記第１の
半導体層と前記第２の半導体層を分離して、前記第２の
半導体層を用いて光電変換装置を製造する方法におい
て、前記半導体基板と前記支持基板を貼り合わせる際
に、互いの端部をそろえて貼り合わせ、前記貼り合わせ
基板の側面に流体を吹き付けることにより、第１の半導
体層と前記第２の半導体層を分離することを特徴とする
光電変換装置の製造方法。 - 【請求項１７】 前記分離層は、内部に微小空隙を有す
ることを特徴とする請求項１６に記載の光電変換装置の
製造方法。 - 【請求項１８】 前記分離層が、前記支持基板と前記半
導体基板との貼り合わせ箇所より機械的強度が脆弱であ
ることを特徴とする請求項１６又は１７に記載の光電変
換装置の製造方法。 - 【請求項１９】 前記半導体基板は、単結晶シリコン基
板を部分的に多孔質化することによって多孔質単結晶シ
リコン層である分離層を形成し、該分離層上に単結晶シ
リコン層をエピタキシャル成長することによって形成さ
れることを特徴する請求項１６〜１８のいずれかに記載
の光電変換装置の製造方法。 - 【請求項２０】 前記分離層は、陽極化成法によって形
成されることを特徴とする請求項１９に記載の光電変換
装置の製造方法。 - 【請求項２１】 前記半導体基板は、単結晶シリコン基
板の所定の深さに微小気泡層である分離層を設けること
によって形成されることを特徴とする請求項１６〜２０
のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。 - 【請求項２２】 前記分離層は、イオン打ち込みにより
形成されることを特徴とする請求項２１に記載の光電変
換装置の製造方法。 - 【請求項２３】 前記流体を吹き付ける方法として、高
圧の水流をノズルから吹き出すウォーター・ジェット法
を用いたことを特徴とする請求項１６〜２２のいずれか
に記載の光電変換装置の製造方法。 - 【請求項２４】 支持基板は、光透過性の基板であるこ
とを特徴とする請求項１６〜２３のいずれかに記載の光
電変換装置の製造方法。 - 【請求項２５】 前記第２の半導体層の内部に半導体接
合を形成した後に前記分離を行うことを特徴とする請求
項１６〜２４のいずれかに記載の光電変換装置の製造方
法。 - 【請求項２６】 前記流体を吹き付ける手段としてノズ
ルを用い、該ノズルを前記貼り合わせ基板の外周に平行
に移動しながら前記流体を吹き付けることを特徴とする
請求項１６〜２５のいずれかに記載の光電変換装置の製
造方法。 - 【請求項２７】 前記貼り合わせ基板の外周が多角形で
あり、該外周の一辺に平行に前記ノズルを移動しながら
前記流体を吹き付けた後に、該貼り合わせ基板を回転さ
せ、該外周の他の辺に平行に前記ノズルを移動しながら
前記流体を吹き付けることを特徴とする請求項２６に記
載の光電変換装置の製造方法。 - 【請求項２８】 第１の半導体層と、光電変換装置が製
造される第２の半導体層の間に分離層を有する半導体基
板と、第２の半導体層の分離層と反対の面に貼り合わさ
れた支持基板よりなる貼り合わせ基板を保持する保持材
と、貼り合わせ基板の側面に流体を吹き付けて分離層で
第１の半導体層と第２の半導体層を分離するノズルとを
少なくとも有することを特徴とする光電変換装置の製造
装置。
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|---|---|---|---|
| JP11268257A JP2000164905A (ja) | 1998-09-22 | 1999-09-22 | 光電変換装置の製造方法とその製造装置 |
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|---|---|---|---|
| JP26714198 | 1998-09-22 | ||
| JP10-267141 | 1998-09-22 | ||
| JP11268257A JP2000164905A (ja) | 1998-09-22 | 1999-09-22 | 光電変換装置の製造方法とその製造装置 |
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|---|---|
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Family
ID=26547732
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11268257A Pending JP2000164905A (ja) | 1998-09-22 | 1999-09-22 | 光電変換装置の製造方法とその製造装置 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP2000164905A (ja) |
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