JP2008117858A - 単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池 - Google Patents
単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008117858A JP2008117858A JP2006297942A JP2006297942A JP2008117858A JP 2008117858 A JP2008117858 A JP 2008117858A JP 2006297942 A JP2006297942 A JP 2006297942A JP 2006297942 A JP2006297942 A JP 2006297942A JP 2008117858 A JP2008117858 A JP 2008117858A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- crystal silicon
- solar cell
- layer
- electrode pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入する工程と、透明絶縁性基板に集電電極パターンを形成する工程と、前記集電電極パターンを埋め込むように絶縁体層を形成する工程と、前記集電電極パターンを露出する工程と、前記単結晶シリコン基板のイオン注入面と前記透明絶縁性基板上の前記絶縁体層の表面とのうち少なくとも一方に表面活性化処理を行う工程と、前記単結晶シリコン基板のイオン注入面と前記透明絶縁性基板上の前記絶縁体層の表面とを貼り合わせる工程と、前記イオン注入層に衝撃を与えて前記単結晶シリコン基板を機械的に剥離して、単結晶シリコン層とする工程と、前記単結晶シリコン層にpn接合を形成する工程とを含む単結晶シリコン太陽電池の製造方法。
【選択図】 図1
Description
また、単結晶シリコン基板と、透明絶縁性基板上の、集電電極パターンを埋め込んだ絶縁体層の表面とを、表面活性化処理後に貼り合わせるため、両者を強固に貼り合わせることができる。従って、結合力を高める高温熱処理を施さなくても十分に強固な接合となる。また、このように接合面が強固に接合しているので、その後イオン注入層に衝撃を与えて単結晶シリコン基板を機械的に剥離し、透明絶縁性基板上に集電電極パターンを埋め込んだ絶縁体層を介して薄い単結晶シリコン層を形成することができる。従って、剥離のための熱処理を行わなくても単結晶シリコン層の薄膜化ができる。
また、単結晶シリコン層の形成のための単結晶シリコン基板の剥離を、加熱によらず機械剥離によって行うので、光変換層に熱膨張率の相違に基づく亀裂や欠陥が導入されることを抑制することができる。
また、シリコン層の薄い薄膜太陽電池とするので、珪素原料を節約し、有効に利用することができる。
このように、表面活性化処理を、プラズマ処理またはオゾン処理の少なくとも一方とすれば、容易に表面活性化を行うことができ、単結晶シリコン基板と集電電極パターンを埋め込んだ絶縁体層が形成された透明絶縁性基板とを強固に貼り合わせることができる。
このように、透明絶縁性基板を、石英ガラス、結晶化ガラス、硼珪酸ガラス、ソーダライムガラスのいずれかとすれば、これらは光学的特性が良好な透明絶縁性基板であり、シースルー型単結晶シリコン太陽電池を容易に製造できる。また、製造した単結晶シリコン太陽電池を既存の窓ガラス等と置換することも容易になる。
このうち、タングステン、チタン、クロム、モリブデン、ジルコニウム、ハフニウム、ニッケルのような高融点金属を含有するものを用いて集電電極パターンとすれば、太陽電池の製造工程中に高温熱処理があっても、集電電極パターンをより確実に形成することができる。また、集電電極パターンを、アルミニウムを含有するものとすれば、コンタクト抵抗が低く、直列抵抗が低い集電電極パターンを容易に形成することができる。
このように、集電電極パターンを、単結晶シリコンに対してドナー又はアクセプターを形成する添加材料を含有するものとすれば、単結晶シリコン基板の集電電極パターンとの接合界面近傍に高濃度拡散領域を形成することができる。その結果、電極近傍でのキャリアの再結合を防止することができ、太陽電池の変換効率を向上させることができる。
このように、イオン注入の深さを、イオン注入面から0.1μm以上5μm以下とすることにより、製造される単結晶シリコン太陽電池の光変換層としての単結晶シリコン層の厚さをおよそ0.1μm以上5μm以下とすることができる。そして、このような厚さの単結晶シリコン層を有する単結晶シリコン太陽電池であれば、薄膜単結晶シリコン太陽電池として実用的な効率が得られるとともに、使用する珪素原料の量を節約できる。また、このような厚さの単結晶シリコン層を有する単結晶シリコン太陽電池であれば、確実に一部可視光を透過することができる。
このように、上記のいずれかの単結晶シリコン太陽電池の製造方法によって製造された単結晶シリコン太陽電池であれば、光変換層としての単結晶シリコン層の形成を、単結晶シリコン基板から剥離することによって行い、単結晶シリコン層の剥離を、加熱によらず機械剥離によって行ったものであるので、結晶性の高い単結晶シリコン層とすることができる。そのため、膜厚に比して変換効率が高い薄膜太陽電池とすることができる。また、単結晶シリコン層の厚さが薄い薄膜太陽電池であるので、珪素原料を有効に利用することができる。
このように、透明絶縁性基板が、石英ガラス、結晶化ガラス、硼珪酸ガラス、ソーダライムガラスのいずれかであれば、これらは光学的特性が良好な透明絶縁性基板であるので、透明度の高いシースルー型単結晶シリコン太陽電池とすることができる。また、このような単結晶シリコン太陽電池であれば、既存の窓ガラス等と置換することも容易である。
このように、集電電極パターンが、タングステン、チタン、クロム、アルミニウム、モリブデン、ジルコニウム、ハフニウム、ニッケルのうち少なくとも一種を含有するものであっても透明絶縁性基板上に光変換層が配置されているシリコン太陽電池として、膜厚に比して変換効率が高い太陽電池とすることができる。
このように、単結晶シリコン層の膜厚が、0.1μm以上5μm以下であれば、薄膜単結晶シリコン太陽電池として実用的な効率が得られるとともに、使用する珪素原料の量を節約できる。また、このような厚さの単結晶シリコン層を有する単結晶シリコン太陽電池であれば、確実に一部可視光を透過することができる。
このように、一方の面側から見たときに、他方の面側が透けて見える、透明な太陽電池であれば、既存の窓ガラス等と置換できるなど、様々な場面に応用することができる。
また、本発明に従う単結晶シリコン太陽電池であれば、透明絶縁性基板上に光変換層が配置されているシリコン太陽電池において、光変換層を単結晶シリコン層とした太陽電池であるので、膜厚に比して変換効率が高い太陽電池とすることができる。
図1は、本発明に係る単結晶シリコン太陽電池の製造方法の一例を示す工程図である。
単結晶シリコン基板としては特に限定されず、例えばチョクラルスキー法により育成された単結晶をスライスして得られたもので、例えば直径が100〜300mm、導電型がp型またはn型、抵抗率が0.1〜20Ω・cm程度のものを用いることができる。
また、透明絶縁性基板には石英ガラス、結晶化ガラス、硼珪酸ガラス、ソーダライムガラス等が選択される。これらに限定するものではないが、透明であり、窓ガラス材料に代替しうることを鑑みると上記のようなガラス材料が望ましい。また、透明絶縁性基板を、ガラス材料として汎用なソーダライムガラスとする場合には、その表面にディップコート法により酸化珪素皮膜或いは酸化スズ皮膜(ネサ膜)等を形成したものとしてもよい。これらの皮膜はソーダライムガラス中のアルカリ金属成分の表面への溶出及び拡散を防ぐバッファ膜として機能するため好ましい。
例えば、単結晶シリコン基板の温度を200〜450℃とし、その表面13から所望の単結晶シリコン層の厚さに対応する深さ、例えば0.1〜5μm以下の深さにイオン注入層14を形成できるような注入エネルギーで、所定の線量の水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入する。この場合、水素イオンは軽いために、同じ加速エネルギーにおいて、よりイオン注入面13からより深く注入されるために特に好ましい。水素イオンの電荷は正負のいずれでもよく、原子イオンの他、水素ガスイオンであってもよい。希ガスイオンの場合も電荷の正負はいずれでもよい。
また、単結晶シリコン基板の表面にあらかじめ薄いシリコン酸化膜などの絶縁膜を形成しておき、それを通してイオン注入を行えば、注入イオンのチャネリングを抑制する効果が得られる。なお、厚い絶縁膜を形成する場合は、該絶縁膜を工程fの表面活性化処理工程の前にエッチング等により取り除く必要がある。
集電電極パターン19の形成用材料としては、当該分野で用いられる通常のものを使用することができるが、タングステン、チタン、クロム、モリブデン、ジルコニウム、ハフニウム、ニッケルのような高融点金属を含有するものを用いれば、次の工程dの絶縁体層形成工程中や、後述する工程hの剥離転写工程の終了後に例えば700℃以上の高温で処理を行う場合であっても、より確実に集電電極パターン19を形成することができるので好ましい。また、アルミニウムを含有するものとすれば、コンタクト抵抗が低く、直列抵抗が低い集電電極パターンを容易に形成することができる。
なお、集電電極パターン19の形成用材料の主成分が単結晶シリコンに対してドナー又はアクセプターを形成するための役割を兼ねることもできる。例えば、集電電極パターン19の形成用材料としてアルミニウムを用いた場合、後述する工程hの剥離転写工程後に熱処理することによってアルミニウムが単結晶シリコン基板内に拡散させ、単結晶シリコン基板内でアクセプターを形成してp+層とすることもできる。
集電電極パターン19を埋め込むための絶縁体層16の形成材料は特に限定されるものではないが、酸化珪素や窒化珪素等が好ましい。特には、例えば200〜400℃前後のような低温での皮膜形成が可能なプラズマCVD法を用いて、テトラエトキシシラン(TEOS)蒸気の分解によって酸化珪素の堆積膜を形成して絶縁体層16とすることが好ましい。
この平坦化工程により集電電極パターン19が埋め込まれた絶縁体層16の表面の段差が取り除かれるとともに、集電電極パターン19の表面を露出させる。集電電極パターン19表面及び絶縁体層16の表面の粗さは、原子間力顕微鏡(AFM)の観察で、10μm×10μmの領域を走査させた時に、平均粗さが0.3nm以下となるように平坦化することが望ましい。
この表面活性化処理は、次の工程gの貼り合わせ工程で、単結晶シリコン基板11と透明絶縁性基板12上の集電電極パターン19が埋め込まれた絶縁体層16とが強固に貼り合わせられるようにするためのものであり、貼り合わせようとする側の表面を活性化処理することを目的とするものである。また、その方法は特に限定されないが、プラズマ処理またはオゾン処理の少なくとも一方によって好適に行うことができる。その他、紫外線を照射する方法等でもよい。
工程fにおいて、単結晶シリコン基板のイオン注入面13及び/または透明絶縁性基板12上の集電電極パターン19が埋め込まれた絶縁体層16が表面活性化処理されているので、両者を例えば減圧または常圧下、室温〜250℃程度、好ましくは室温程度の温度下で密着させるだけで後工程での機械的剥離に耐え得る強度で強く接合できる。
この貼り合わせ工程は、室温から250℃前後までの温度条件で行うものとし、300℃以上の熱処理は行わない。単結晶シリコン基板11と、透明絶縁性基板12を貼り合わせた状態で300℃以上の高温熱処理を行うと、それぞれの層の熱膨張係数の違いから、熱歪、ひび割れ、剥離等が発生するおそれがあるためである。このように、300℃以上の高温熱処理を行わないようにすることは、後述する工程hの単結晶シリコン基板11の剥離転写が終了するまでは同様である。
本発明においてはイオン注入層に衝撃を与えて機械的剥離を行うので、加熱に伴う熱歪、ひび割れ、剥離等が発生するおそれがない。イオン注入層に衝撃を与えるためには、例えばガスや液体等の流体のジェットを接合したウエーハの側面から連続的または断続的に吹き付ければよいが、衝撃により機械的剥離が生じる方法であれば特に限定はされない。
また、単結晶シリコン基板の剥離転写を行った後、単結晶シリコン層17の表面付近におけるイオン注入ダメージを回復するための熱処理を行ってもよい。この時点では既に単結晶シリコン基板11は剥離転写され、薄膜の単結晶シリコン層17となっているため、表面付近の局所的な熱処理を300℃以上で行っても亀裂やそれに伴う欠陥は新たにほとんど導入されない。また、このことは以降の工程でも同様である。
工程aで用意した単結晶シリコン基板11がp型単結晶シリコンであった場合には、n型の拡散層を、n型の単結晶シリコンであった場合には、p型の拡散層を形成する。第二導電型の拡散層の形成方法は例えば以下のようにすることができる。工程aで用意した単結晶シリコン基板11がp型であった場合には、単結晶シリコン層17の表面にリンの元素イオンをイオン注入法で注入し、これに、フラッシュランプアニールまたは単結晶シリコン層表面での吸収係数の高い紫外線、深紫外線のレーザー照射等を行い、ドナーの活性化処理を行うことでpn接合を形成することができる。このようなpn接合は、ドナーを形成するリンを含むペースト状の組成物を作成し、これを単結晶シリコン層17表面に塗布し、これをフラッシュランプアニールまたは単結晶シリコン層表面での吸収係数の高い紫外線、深紫外線のレーザー照射、赤外線加熱炉等で拡散処理を行うことであってもよい。
なお、このようにしてpn接合を形成した後、例えばタッチポリッシュと呼ばれる研磨代が5〜400nmと極めて少ない研磨を行ってもよい。
拡散処理をした表面に、金属または透明導電性材料を用いて、真空蒸着法または化成スパッタ法等により線状等の電極を形成することで、埋め込み集電電極パターン19の対極となる電極23を形成する。さらに、金属を含んだ導電性ペーストを用いて印刷法により電極23側の集電電極を形成することもできる。この電極23側の集電電極形成用組成物の硬化は前記のフラッシュランプアニールや赤外線加熱法等によって行われる。本発明に係る単結晶シリコン太陽電池を確実に一方の面側から見たときに他方の面側が透けて見えるものである構造とするために、金属の電極を形成する場合は、電極面積を光受光面全体の80%以下、より好ましくは50%以下にするのが良い。透明導電性膜を形成する場合は全面に形成してもよい。また、電極23側の集電電極は透明絶縁性基板の端部に形成するものであってもよい。
また、電極23形成後、窒化珪素等の保護膜等をさらに形成してもよい。
単結晶シリコン基板11として、一方の面が鏡面研磨された直径200mm(8インチ)、結晶面(100)、n型、面抵抗15Ωcmの単結晶シリコン基板を用意した。また、透明絶縁性基板12として、直径200mm(8インチ)、厚さ2.5mmの石英ガラス基板を用意した(工程a)。なお、両者の基板表面を化学的機械研磨(CMP)により研磨し、原子間力顕微鏡(AFM)により、10μm×10μm走査において平均粗さ0.3nm以下となるような鏡面が得られるように研磨を行った。
次に、透明絶縁性基板12上の集電電極パターン19を形成した表面に、プラズマCVD法を用いてテトラエトキシシラン(TEOS)蒸気の分解によって酸化珪素を全面に約0.8μmの厚さで堆積させ、絶縁体層16とした(工程d)。
次に、上記表面活性化処理を行った表面同士を貼り合わせ面として、単結晶シリコン11と石英ガラス基板12上の集電電極パターン19が埋め込まれた絶縁体層16を強固に貼り合わせた(工程g)。貼り合わせ後、クリーンオーブンを用いて、大気雰囲気下、180℃の温度で、18時間の貼り合わせ熱処理を行った。
過剰な拡散ペーストを弗酸及びアセトン、イソプロピルアルコールで除去洗浄後、真空蒸着法及びパターニング法により銀電極23を形成した(工程j)。その後、さらに銀の集電電極パターンを金属マスクを用いて真空蒸着法により形成した。その後、取り出し電極部分を除いた表面を反応性スパッタ法により窒化珪素の保護皮膜を形成した。
このようにして製造した単結晶シリコン太陽電池に、ソーラーシミュレーターによりAM1.5で100mW/cm2の光を照射し、変換効率を求めた。変換効率は8.7%であり、経時変化はなかった。
また、この太陽電池を透かして晴天時の日中において、室外から外光を取り入れ、室外を覗くと、室外の様子を見ることが出来た。
13…イオン注入面、 14…イオン注入層、
16…絶縁体層、 17…単結晶シリコン層、 19…集電電極パターン、
21…第一導電型シリコン層、 22…第二導電型シリコン層、 23…電極、
31…単結晶シリコン太陽電池。
Claims (12)
- 透明絶縁性基板上に、光変換層として単結晶シリコン層が配置されている単結晶シリコン太陽電池を製造する方法であって、少なくとも、
透明絶縁性基板と第一導電型の単結晶シリコン基板とを用意する工程と、
前記単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入して、イオン注入層を形成する工程と、
前記透明絶縁性基板の一方の表面に集電電極パターンを形成する工程と、
前記透明絶縁性基板の前記集電電極パターンを形成した表面上に、前記集電電極パターンを埋め込むように絶縁体層を形成する工程と、
前記絶縁体層の表面を平坦化するとともに前記集電電極パターンを露出する工程と、
前記単結晶シリコン基板のイオン注入面と前記透明絶縁性基板上の前記絶縁体層の表面とのうち少なくとも一方に表面活性化処理を行う工程と、
前記単結晶シリコン基板のイオン注入面と前記透明絶縁性基板上の前記絶縁体層の表面とを貼り合わせる工程と、
前記イオン注入層に衝撃を与えて前記単結晶シリコン基板を機械的に剥離して、単結晶シリコン層とする工程と、
前記単結晶シリコン層に前記第一導電型とは異なる導電型である第二導電型の拡散層を形成してpn接合を形成する工程と、
前記単結晶シリコン層上に電極を形成する工程と
を含むことを特徴とする単結晶シリコン太陽電池の製造方法。 - 前記表面活性化処理を、プラズマ処理またはオゾン処理の少なくとも一方とすることを特徴とする請求項1に記載の単結晶シリコン太陽電池の製造方法。
- 前記透明絶縁性基板を、石英ガラス、結晶化ガラス、硼珪酸ガラス、ソーダライムガラスのいずれかとすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の単結晶シリコン太陽電池の製造方法。
- 前記集電電極パターンを、タングステン、チタン、クロム、アルミニウム、モリブデン、ジルコニウム、ハフニウム、ニッケルのうち少なくとも一種を含有するものとすることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の単結晶シリコン太陽電池の製造方法。
- 前記集電電極パターンを、単結晶シリコンに対してドナー又はアクセプターを形成する添加材料を含有するものとすることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の単結晶シリコン太陽電池の製造方法。
- 前記イオン注入の深さを、イオン注入面から0.1μm以上5μm以下とすることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の単結晶シリコン太陽電池の製造方法。
- 請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の単結晶シリコン太陽電池の製造方法によって製造されたことを特徴とする単結晶シリコン太陽電池。
- 少なくとも、透明絶縁性基板と、集電電極パターンが埋め込まれた絶縁体層と、pn接合が形成された単結晶シリコン層と、電極とが順次積層され、前記集電電極パターンが前記単結晶シリコン層と接合界面を有することを特徴とする単結晶シリコン太陽電池。
- 前記透明絶縁性基板は、石英ガラス、結晶化ガラス、硼珪酸ガラス、ソーダライムガラスのいずれかであることを特徴とする請求項8に記載の単結晶シリコン太陽電池。
- 前記集電電極パターンは、タングステン、チタン、クロム、アルミニウム、モリブデン、ジルコニウム、ハフニウム、ニッケルのうち少なくとも一種を含有するものであることを特徴とする請求項8または請求項9に記載の単結晶シリコン太陽電池。
- 前記単結晶シリコン層の膜厚は、0.1μm以上5μm以下であることを特徴とする請求項8ないし請求項10のいずれか一項に記載の単結晶シリコン太陽電池。
- 前記単結晶シリコン太陽電池は、一方の面側から見たときに、他方の面側が透けて見えるものであることを特徴とする請求項7ないし請求項11のいずれか一項に記載の単結晶シリコン太陽電池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006297942A JP4955367B2 (ja) | 2006-11-01 | 2006-11-01 | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006297942A JP4955367B2 (ja) | 2006-11-01 | 2006-11-01 | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008117858A true JP2008117858A (ja) | 2008-05-22 |
JP4955367B2 JP4955367B2 (ja) | 2012-06-20 |
Family
ID=39503581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006297942A Expired - Fee Related JP4955367B2 (ja) | 2006-11-01 | 2006-11-01 | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4955367B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008118079A (ja) * | 2006-11-08 | 2008-05-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池 |
KR101484622B1 (ko) * | 2008-09-17 | 2015-01-20 | 엘지전자 주식회사 | 집전 전극이 구비된 박막형 태양전지와 그 제조방법 |
WO2015151422A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05217825A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-27 | Canon Inc | 半導体基板の作製方法 |
JPH08213645A (ja) * | 1995-02-02 | 1996-08-20 | Sony Corp | 基体から素子形成層を分離する方法 |
JPH1079524A (ja) * | 1996-09-04 | 1998-03-24 | Sony Corp | 薄膜太陽電池の製造方法 |
JPH1093122A (ja) * | 1996-09-10 | 1998-04-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜太陽電池の製造方法 |
JPH10135500A (ja) * | 1996-03-18 | 1998-05-22 | Sony Corp | 薄膜半導体、太陽電池および発光素子の製造方法 |
JPH10150211A (ja) * | 1996-11-19 | 1998-06-02 | Sony Corp | 薄膜単結晶半導体太陽電池およびその製造方法 |
JPH10335683A (ja) * | 1997-05-28 | 1998-12-18 | Ion Kogaku Kenkyusho:Kk | タンデム型太陽電池およびその製造方法 |
JP2000164905A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-06-16 | Canon Inc | 光電変換装置の製造方法とその製造装置 |
JP2001189477A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Komatsu Ltd | 光電変換装置の製造方法及び光電変換装置 |
JP2002185024A (ja) * | 2000-12-13 | 2002-06-28 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 太陽電池及びその製造方法 |
JP2003092422A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Canon Inc | 太陽電池モジュールの製造方法 |
-
2006
- 2006-11-01 JP JP2006297942A patent/JP4955367B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05217825A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-27 | Canon Inc | 半導体基板の作製方法 |
JPH08213645A (ja) * | 1995-02-02 | 1996-08-20 | Sony Corp | 基体から素子形成層を分離する方法 |
JPH10135500A (ja) * | 1996-03-18 | 1998-05-22 | Sony Corp | 薄膜半導体、太陽電池および発光素子の製造方法 |
JPH1079524A (ja) * | 1996-09-04 | 1998-03-24 | Sony Corp | 薄膜太陽電池の製造方法 |
JPH1093122A (ja) * | 1996-09-10 | 1998-04-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜太陽電池の製造方法 |
JPH10150211A (ja) * | 1996-11-19 | 1998-06-02 | Sony Corp | 薄膜単結晶半導体太陽電池およびその製造方法 |
JPH10335683A (ja) * | 1997-05-28 | 1998-12-18 | Ion Kogaku Kenkyusho:Kk | タンデム型太陽電池およびその製造方法 |
JP2000164905A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-06-16 | Canon Inc | 光電変換装置の製造方法とその製造装置 |
JP2001189477A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Komatsu Ltd | 光電変換装置の製造方法及び光電変換装置 |
JP2002185024A (ja) * | 2000-12-13 | 2002-06-28 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 太陽電池及びその製造方法 |
JP2003092422A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Canon Inc | 太陽電池モジュールの製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008118079A (ja) * | 2006-11-08 | 2008-05-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池 |
KR101484622B1 (ko) * | 2008-09-17 | 2015-01-20 | 엘지전자 주식회사 | 집전 전극이 구비된 박막형 태양전지와 그 제조방법 |
WO2015151422A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
JPWO2015151422A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2017-04-13 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4955367B2 (ja) | 2012-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5090716B2 (ja) | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法 | |
KR101313387B1 (ko) | 단결정 실리콘 태양전지의 제조 방법 및 단결정 실리콘 태양전지 | |
US8227289B2 (en) | Method for producing single crystal silicon solar cell and single crystal silicon solar cell | |
JP5048380B2 (ja) | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法 | |
JP5166745B2 (ja) | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法 | |
KR101341199B1 (ko) | 단결정 실리콘 태양전지의 제조 방법 및 단결정 실리콘 태양전지 | |
CN101567408B (zh) | 光电转换装置的制造方法 | |
US8227290B2 (en) | Method for producing single crystal silicon solar cell and single crystal silicon solar cell | |
JP2010050356A (ja) | ヘテロ接合太陽電池の製造方法及びヘテロ接合太陽電池 | |
JP4866210B2 (ja) | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法 | |
JP4955367B2 (ja) | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法 | |
JP2011216920A (ja) | 単結晶シリコン太陽電池 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081024 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100720 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100917 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110614 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110913 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110922 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120228 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120315 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4955367 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150323 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |