TWI415245B - 具有交互連接側翼的整合電容器 - Google Patents

具有交互連接側翼的整合電容器 Download PDF

Info

Publication number
TWI415245B
TWI415245B TW098139285A TW98139285A TWI415245B TW I415245 B TWI415245 B TW I415245B TW 098139285 A TW098139285 A TW 098139285A TW 98139285 A TW98139285 A TW 98139285A TW I415245 B TWI415245 B TW I415245B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
node
spine
capacitor
wings
extending
Prior art date
Application number
TW098139285A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201034164A (en
Inventor
Patrick J Quinn
Original Assignee
Xilinx Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xilinx Inc filed Critical Xilinx Inc
Publication of TW201034164A publication Critical patent/TW201034164A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI415245B publication Critical patent/TWI415245B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0207—Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/5222—Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
    • H01L23/5223—Capacitor integral with wiring layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/0805—Capacitors only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H01L28/60—Electrodes
    • H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
    • H01L28/86—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having horizontal extensions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Description

具有交互連接側翼的整合電容器 【相關申請案】
此件專利申請案與由Patrick J.Quinn所共同擁有之標題為「整合電容器之遮蔽技術」的美國專利申請案、由Patrick J.Quinn所共同擁有之標題為「具有格子(tartan)橫截面的整合電容器」的美國專利申請案、由Patrick J.Quinn所共同擁有之標題為「具有纜線平板的整合電容器」的美國專利申請案、由Patrick J.Quinn所共同擁有之標題為「具有十字元件陣列的整合電容器」的美國專利申請案及由Jan L.de Jong等人所共同擁有之標題為「具有交替疊層部分的整合電容器」的美國專利申請案同時提出，此等美國專利申請案之揭露內容實際各自以參照方式而將其整體納入於本文。
本發明關於形成於積體電路(IC；integrated circuit)中的電容器，通稱為「整合電容器」。
製造IC之方法典型包括：一前端處理順序，其中，諸如電晶體之種種的電氣元件形成於一半導體基板；及，一後端處理順序，概括包括形成具有傳導通路(via)的介電材料與圖案化(patterned)傳導材料(典型為金屬)的交替層或使用其他技術以互連金屬層來形成一種三維的接線結構，其連接電氣元件至其他電氣元件及IC之端子。
電容器為了種種目的而用於IC系統。於多個實例，納入(整合)一電容器於IC晶片是期待的。一種簡單的方式是形成具有一介於中間的介電質的二個傳導平板；然而，此針對於取得的電容而消耗相當大的面積。用於增大一既定面積的電容之一種技術運用多個傳導平板，各個傳導平板與鄰近的平板由介電質所分開。另外的技術運用傳導板條(strip)，亦稱為傳導線條(line)、傳導指部(finger)或傳導線跡(trace)，其交替地連接至第一與第二電容器端子(節點)。於傳導板條之間耦合的側壁提供電容。以垂直一致性排列或配置之傳導板條層可附加以進而增大一種整合電容器結構的電容。
一種電容器具有連接至第一節點之於連續層的若干個傳導板條且與連接至整合電容器之第二節點的相等數目個傳導板條交替。該傳導板條是於連續層上偏置了半個單元，使得連接至第一節點之一傳導板條具有於其上方且二側的連接至第二節點之傳導板條。提供針對於各個節點之於一層的相等數目個傳導板條是與至基板的各個節點之耦合平衡，此是期待於一些應用中，但為不期待於其他者，諸如：切換式應用，其中，於一個節點處具有較小的耦合是期待的。為了降低對於基板之耦合，一厚的二氧化矽層是用於基板與第一層的傳導板條之間。此可能難以整合於一種標準CMOS製造順序，且可能需要另外的步驟以附加至標準處理流程。重疊的平行傳導板條運用匯流板條而連接在其末端，匯流板條消耗額外的表面積。
提供一種整合電容器之另一個方式是具有連接至該電容器的交替節點之於一層的傳導板條及連接至相同節點的重疊傳導板條。此本質為形成連接至該電容器的第一節點之一簾幕(curtain)的傳導板條與互連通路及連接至第二節點之相鄰簾幕的傳導板條與互連通路。連接至該相同節點的重疊傳導板條避免關聯於匯流板條之喪失的表面積；然而，層間的電容是降低，因為上方板條如同下方板條而連接至相同節點。此效應是稍微排除，因為隨著臨界尺寸縮小，板條間的電容相較於層間的電容而成為較為強勢。換言之，於連續金屬層之間的介電層分離隨著減小臨界尺寸而成為愈來愈大於傳導板條之間的介電分離。
概括期待的是：整合電容器具有高的比電容(specific capacitance)；然而，於諸多情況，製造能力與品質因數(Q因數,quality factor)亦為關注。一個製造能力的關注是控制於一大IC之內、跨於一晶圓及逐批的整合電容器之最終的電容值。
因此，可製造以提供一致的電容值之整合電容器是期望的。更概括為期望的是：整合電容器具有每單位面積的高電容、低損失(電阻)與低的自電感，其藉由提高自共振頻率與電容器電路品質而改良高頻的應用。於一些應用，遮蔽整合電容器免於電氣雜訊是更為期待的。
一種於積體電路(IC)中的電容器具有：一第一節點導線，形成於該IC的一第一金屬層且具有沿著一第一方向延伸之一第一脊柱(spine)、自第一脊柱而沿著垂直於第一方向的一第二方向延伸之一第一垂直元件、沿著第一方向延伸之一第一柱頭(capital)元件與自該柱頭元件而朝向第一脊柱延伸之一第一裝襯(serif)元件。該種電容器亦具有：一第二節點導線，形成於該IC的第一金屬層且具有沿著第一方向延伸之一第二脊柱、自第二脊柱而沿著第二方向而朝向第一脊柱延伸之一第二垂直元件、沿著於第一脊柱與第二脊柱之間的第一方向延伸之一第二柱頭元件與自第二柱頭元件而朝向第二脊柱延伸之一第二裝襯元件，該第二裝襯元件配置於第一垂直元件與第一裝襯元件之間。
諸如可程式邏輯元件之複合IC經常具有藉由形成於一半導體基板上之介電材料層所分開的數個圖案化金屬層，其用於接線連接與其他功能。本發明之一些實施例可適於現存CMOS處理程序，藉由運用形成期望的圖案於適當金屬層之遮罩(mask)及通過金屬間的介電質(IMD；inter-metal dielectric)層或層間的介電質(ILD；inter-layer dielectric)之通路(via)。通路運用數種習知技術之任一者所形成，諸如：接觸插頭(contact plug)、金屬鑲嵌(damascene)或雙金屬鑲嵌技術。同理，傳導板條運用數種習知技術之任一者所形成，諸如：薄膜金屬蝕刻(etch)、薄膜金屬升離(lift-off)、金屬鑲嵌與雙金屬鑲嵌技術。於一些實施例，該等傳導層之一者是一聚矽或矽化物層。於再一個實施例，於半導體基板之一傳導井形成一電容器平板或一遮蔽的一部分。
整合電容器運用於種種的應用。儘管高的比電容概括期待以降低用於整合電容器之IC的表面積，合成的電容值亦為極重要於諸多應用，諸如：調諧應用。換言之，於一些應用，跨於一IC晶片、跨於一晶圓及逐批的電容值是夠重要而犧牲比電容。相較於劇烈仰賴於層間(垂直)電容之整合電容器，主要仰賴於層內(橫向)電容之整合電容器顯示相當低的變異，因為尺寸的準確性是較可控制。注意：一電容器概括視為一種二端子元件，且如本文所述的「頂部」與「底部」節點概括對應於電容器的此二個端子。因此，下述的結構可視為(例如：電氣)連接至一個節點或另一個節點或形成一節點的部分者。一節點未分開所連接的電容結構，而是彼等結構可形成一節點的部分者。
術語「頂部」節點與「底部」節點無須關於相對於IC或其他結構之該等節點的實際方位，而是運用為權宜的術語。於一些電路應用，一電容器之頂部節點指出該節點為連接至一放大器或其他元件之一高阻抗或高增益埠。於一種晶片上系統(SoC；system-on-chip)，於一類比至數位轉換器(ADC；analog-to-digital converter)的準確度相依於在頂部節點(對於除了底部節點外的所有其他節點)的寄生電容(Ctop )與於二個節點間的有用浮動訊號電容的電容(Csig )之比值。遮蔽頂部平板免於接地電流或電壓供應變動是期待的，使得Ctop 維持為低。運用底部節點以實質環繞頂部節點來隔離該頂部節點免於耦合於電路的其他節點，藉由實質形成圍繞該頂部節點之法拉第殼的一部分，且於一些實施例，使得該頂部節點為疏遠於IC的其他傳導元件。熟悉此技術之人士所瞭解的是：對於頂部節點之電氣連接是通過底部節點遮蔽所作成，且因此底部節點遮蔽是非完全環繞頂部節點。
於一些實施例，頂部節點之一些側邊保留未遮蔽。舉例而言，實際遠離其他節點之頂部節點的一端可能保留未遮蔽。於其他實施例，運用整合電容器作為設計單元，且並聯連接相鄰的整合電容器以得到一較高的總電容。於一些實施例，相鄰共同連接的整合電容器之底部節點遮蔽的部分者是省略，允許較高的封裝密度。於還有其他應用，諸如：於一現場可程式閘陣列(FPGA；field programmable gate array)之多重十億位元收發器(MGT；multi-gigabit transceiver)的高頻類比電路，省略一節點遮蔽以維持於電容器的平板之間的平衡。電容器概括有用於廣泛的種種積體電路及廣泛的種種應用。舉例而言，一或多個電容器可有用於一種切換電容器網路，諸如：於類比至數位轉換器，或作為針對於AC發訊之一解耦合或濾波電容器(例如：於MGT)。概括而言，本文所述的電容器結構可有用於需要電容之任何應用。
圖1A是根據一個實施例之一種具有交互連接側翼圖案 的整合電容器100之一層的平面圖。該交互連接圖案是與一頂部節點導線104的T形翼之一對應圖案交互連接的一底部節點導線102的T形翼之一重複圖案。一個翼的裝襯元件(參閱：圖1B的參考符號150)是於一個相鄰翼的垂直傳導元件(參閱：圖1B的參考符號142)與裝襯元件(參閱：圖1B的參考符號148)之間。術語「垂直」是根據關聯於註記之命名法而運用以描述該翼的傳導元件，且無須論及此傳導元件的任何特定方位。
頂部節點導線104之翼的排(tier)是藉著一匯流條110所電氣連接在一起。T形翼是自一排的脊柱106、108而正交延伸於二個方向。該等翼是彼此相對(即：沿著脊柱106之軸為鏡像)，但是於替代實施例為非彼此相對(即：自該脊柱而延伸於一個方向之一翼是非直接相對於自該脊柱而延伸於另一個方向之一翼)。
頂部節點導線104之最外脊柱112與匯流條110是由底部節點遮蔽條114、116所包圍。翼是自最外脊柱112而朝內延伸以與具有相反節點極性之對應翼交互連接。底部節點遮蔽條114、116遮蔽該頂部節點導線之最外脊柱112與匯流條110免於側向耦合至IC的其他節點，而側向耦合至該頂部節點導線之匯流條110與最外脊柱112。底部節點導線之匯流條118與最外脊柱120是類似遮蔽頂部節點導線104之T形翼與其他傳導特徵。因此，頂部節點導線104實質為完全包裝於底部節點導線102，除了針對於一頂部節點接觸線跡122所提供的一小間隙。於一替代實施例，底部節點導線完全包裝該頂部節點導線，且對於頂部節點導線之電氣連接是透過自於IC的後端堆疊之一金屬層的一或多個通路所作成，即：在該頂部節點導線所形成之處的金屬層的上方或下方。
頂部與底部節點導線是形成於介電材料，諸如：沉積的二氧化矽或其他的介電質。於一特定實施例，溝渠形成於介電材料且該等溝渠是填充金屬以形成金屬線跡。於一特定實施例，金屬線跡相較於其寬而為較深，此促進針對於高的比電容的橫向電容與緊密封裝。於一示範的實施例，製造金屬線跡以具有針對於線跡所形成之處的金屬層之製造技術節點製程所允許的最小金屬線寬度，且具有允許的最小金屬線跡間距(即：介電側壁厚度)。於另一個實施例，金屬線跡寬度與金屬線跡間距均超過針對於金屬層的最小可允許值為10%，此可提供改良的可靠度與產量。於其他的實施例，選取金屬線跡寬度與間距以平衡針對於高的比電容之需要與針對於良好的製造能力與可靠度之需要。於又一個實施例，一第一金屬層具有一第一最小線寬度與一第一最小間距且一第二金屬層具有大於第一最小線寬度之一第二最小線寬度與大於第一最小間距之一第二最小間距，如為經常於後端堆疊金屬層的情形。舉例而言，第M個金屬層可能相較於第M-1個金屬層而需要較寬的線跡與間距。於極性(即：節點連接)交替於連續的金屬層之一個實施例(參閱：例如圖2B)，選取於第M-1個層之特徵尺寸以置於第M個層之特徵的下面，以得到良好的垂直電容耦合。換言之，於第M-1個層之特徵是大於根據最小設計規則所得到者，藉以匹配於上方的相鄰的第M個層之特徵。於一替代實施例，連續層具有不同尺寸(線寬度與間距)之類似的T形翼陣列，其一些者是重疊或部分重疊連接至下方金屬層的相對節點之傳導元件。翼陣列透過於該等翼所界定之金屬層的線跡122、123而電氣連接至電容器節點，或是透過通路(參閱：圖2A之參考符號210)至於上或下(即：上方或下方)傳導層之一節點元件。於一個特定實施例，對於頂部節點導線104之電氣連接是透過線跡122所作成，且線跡123是省略，對於底部節點導線之電氣連接是透過通路而作成至另一層，諸如：底部節點遮蔽平板(參閱：圖2B之參考符號214)。
於再一個實施例，頂部與底部節點連接器是包括傳導通路，諸如：運用一種雙金屬鑲嵌製程所形成的通路，其自於圖1A所示的金屬層之金屬線跡而朝向下一個下方的金屬或聚合層或基板延伸。於一個實施例，通路連接至於下方金屬層之頂部與底部節點導線。於一個特定實施例，於下方金屬層之頂部與底部節點導線本質為相同於圖1A所示層之金屬圖案且具有如同於圖1A所示層之金屬圖案的相同極性，且傳導通路連接於連續金屬層之節點導線。於一個替代實施例，通路是單端且未電氣連接至一下面的金屬層，而提高頂部與底部節點導線的橫向電容。於一40nm節點技術，當最大可允許數目個傳導通路為於最小通路間距或接近最小通路間距所增加時，預期增加傳導通孔至頂部與底部節點導線以提高根據圖1A之一種整合電容器的比電容為約15%。
圖1B是圖1A的整合電容器之一部分130的平面圖。頂部節點導線之一排包括一脊柱132與翼134、136、138。數種型式的翼是替代用於實施例。該種整合電容器具有一底部節點排，其具有自底部節點脊柱140延伸且與頂部節點翼134、136、138之底部節點翼144、147交替。底部節點翼144具有一第一垂直傳導元件142，其自底部節點脊柱140延伸至該底部節點翼的一柱頭元件145。脊柱140沿著一第一方向延伸，且垂直傳導元件142自脊柱140而沿著實質垂直於第一方向之一第二方向延伸。一柱頭元件145沿著一第一裝襯元件146與一第二裝襯元件148之間的第一方向延伸，裝襯元件146與148均為自柱頭元件145往回朝向該排的脊柱140而沿著實質平行於第一垂直傳導元件142之第二方向延伸。頂部節點翼136的一第三裝襯元件150是配置於第一垂直傳導元件142與第二裝襯元件148之間。頂部節點翼類似於底部節點翼，且頂部節點翼之詳細說明因此省略。於再一個實施例，一翼包括突出部分(ledge)，其自該等裝襯元件的遠端往回而沿著朝向該垂直元件的第一方向延伸且與相反極性的相對翼之對應突出部分互鎖。
圖1C是平面圖，說明根據圖1A的一種整合電容器之一個實施例的轉角圓化(rounding)。一第一節點導線162的一外部轉角160是相對於一第二節點導線166的一內部轉角164。當界定細微的金屬特徵於小的節點技術(概括為 小於90 nm且尤其是於65 nm或更小的CMOS製程)，歸因於平版印刷法的光線散射之轉角圓化是一種常見的問題；然而，轉角圓化未使得此整合電容器的比電容降級，因為一個轉角之圓化是由於相對轉角之圓化所相配。圖1A之準碎片形(quasi-fractal)圖案大部分為未受到轉角圓化所影響，且因此為較不易於受到製程擴張的影響，提供於一IC的整合電容器之間、或跨於一晶圓的IC之間的改良匹配。
圖2A是一種整合電容器200的側視圖，整合電容器200納入於一種積體電路的後端層。為了圖示簡化與清楚，整合電容器200僅顯示數個翼與部分翼的一橫截面。根據一個實施例之一種典型的整合電容器具有數百個翼於一排。一第一金屬層M1與一第二金屬層M2均具有根據圖1A之交互連接翼的準碎片形圖案。第二金屬層M2具有如同第一金屬層M1之相同極性，即：第二金屬層的一頂部節點導線202重疊於第一金屬層的一頂部節點導線204，且第二金屬層的一底部節點導線206重疊於第一金屬層的一底部節點導線208。介於頂部節點導線之間及介於底部節點導線之間的傳導通路210、212是藉由提供通路間的電容耦合(其抵消於垂直電容耦合的損失)而提高於頂部與底部節點之間的橫向電容，相較於重疊的傳導元件的極性交替之實施例(參閱：例如圖2B)。
整合電容器200包括：一選用式上方底部節點遮蔽平板214與一選用式下方底部節點遮蔽平板216，其於一特定 實施例為形成於IC之聚矽(聚合)層，但是概括而言可形成於任何適合的層。上方底部節點遮蔽平板典型為由寬板條的圖案化金屬而非為一連續薄片的金屬所形成，因為大多數IC製程具有針對於形成於一金屬層的特徵之最大線寬度規格。形成於一聚合層之下方底部節點遮蔽平板可為一連續薄片，若設計規則允許該種結構。形成於一金屬層之一下方底部節點遮蔽平板將很可能亦為由寬板條的圖案化金屬所形成。上方與下方底部遮蔽平板遮蔽頂部節點免於對於IC之其他節點的不需要耦合，且提供對於中間金屬層的頂部節點導線之附加的垂直耦合，因此提高該種整合電容器的比電容。
藉由底部節點傳導元件之頂部節點傳導元件的遮蔽是期待，舉例而言，用於確保於IC之低失真的取樣資料轉移。於再一個實施例，可提供連接至例如類比接地、數位接地、VDD 之一選用式參考遮蔽平板218以遮蔽該底部節點免於對於IC的其他節點之不需要的耦合。介電材料220(諸如：由熱與沉積處理所形成的氧化矽)是電氣隔離於IC的節點。於一些實施例，視特定應用之需求而定，部分或全部的遮蔽是可省略。
於再一個實施例，一第三金屬層具有準碎片形的圖案，且選用式遮蔽平板形成於一第五金屬層，其於一個特定實施例為IC之一接地平面層。於另一個實施例，一附加層的交互連接翼包括(例如：底部節點遮蔽平板214形成於M4層且參考遮蔽平板218形成於M5層)。形成一接地 遮蔽平板於M5層是特別期待於使用M5層以提供一接地平面層之IC，且更特別是重疊整合電容器之M5層的部分者提供一類比接地平面者，類比接地平面相較於IC的一數位接地節點而經常具有較少的電氣雜訊。於另一個實施例，附加層的交互連接翼形成於M3與M4層且底部節點平板形成於M5層。於又一個實施例，遮蔽平板是省略，或僅有一個遮蔽平板216(例如：聚合板)提供。
圖2B是根據圖1A之一種整合電容器230的側視圖，整合電容器230納入於一種積體電路的後端層，其具有於層間的交替極性。為了圖示簡化與清楚，整合電容器230僅顯示數個翼的一橫截面。根據一個實施例之一種典型的整合電容器具有數百個翼於各排。一第一金屬層M1與一第二金屬層M2均具有根據圖1A之交互連接翼的準碎片形圖案。第二金屬層M2具有如同第一金屬層M1之相反極性，即：第二金屬層的一頂部節點導線232重疊於第一金屬層的一底部節點導線234，且第二金屬層的一底部節點導線236重疊於第一金屬層的一頂部節點導線238。於相鄰層的交替極性改良垂直電容。舉例而言，於一種範例的40 nm節點技術，介於金屬層之間的垂直電容提高該種整合電容器的電容為約30%。
整合電容器230包括：一選用式上方底部節點遮蔽平板214與一選用式下方底部節點遮蔽平板216，其於一特定實施例為形成於IC之聚矽(聚合)層。上方底部節點遮蔽平板典型為由寬板條的圖案化金屬而非為一連續薄片的金 屬所形成，因為大多數IC製程具有針對於形成於一金屬層的特徵之最大線寬度規格。形成於一聚合層之下方底部節點遮蔽平板可為一連續薄片，若設計規則允許該種結構。形成於一金屬層之一下方底部節點遮蔽平板將很可能亦為由寬板條的圖案化金屬所形成。上方與下方底部遮蔽平板遮蔽頂部節點免於對於IC之其他節點的不需要耦合，且提供對於中間金屬層的頂部節點導線之附加的垂直耦合，因此提高該種整合電容器的比電容。
藉由底部節點傳導元件之頂部節點傳導元件的遮蔽是期待，舉例而言，用於確保於IC之低失真的取樣資料轉移。於再一個實施例，可提供連接至例如類比接地、數位接地或VDD 之一選用式參考遮蔽平板218以遮蔽該底部節點免於對於IC的其他節點之不需要的耦合。介電材料220(諸如：由熱與沉積處理所形成的氧化矽)是電氣隔離於IC的相對節點元件。
於再一個實施例，一第三金屬層具有準碎片形的圖案，且選用式遮蔽平板形成於一第五金屬層，其於一個特定實施例為IC之一接地平面層。於另一個實施例，一附加層的交互連接翼包括(例如：底部節點遮蔽平板214形成於M4層且參考遮蔽平板218形成於M5層)。形成一接地遮蔽平板於M5層是特別期待於使用M5層以提供一接地平面層之IC，且更特別是重疊整合電容器之M5層的部分者提供一類比接地平面者，類比接地平面相較於IC的一數位接地節點而經常具有較少的電氣雜訊。於另一個實施例， 附加層的交互連接翼形成於M3與M4層且底部節點平板形成於M5層。於又一個實施例，遮蔽平板是省略，或僅有一個遮蔽平板216(例如：聚合板)提供。
注意：所述的層之型式與數目僅為實例，且於一些實施例，可運用其他適合層，且可運用任何數目個層。舉例而言，運用的層可取決於可利用於製程之層的型式與數目，且其他配置將對於熟悉此技術人士為顯而易見。概括而言，根據本發明之實施例，可運用任何適合層及任意數目個層。
圖3是一種FPGA 300半導體裝置的平面圖，納入根據一個實施例之一種整合電容器。FPGA 300包括CMOS部分於數個功能方塊，諸如：於RAM與邏輯，且為運用一種CMOS製程所製造。根據本發明的一或多個實施例之一或多個整合電容器355納入於FPGA之數個功能方塊的任一者，諸如：一時脈電路、多重十億位元收發器301或其他的功能方塊；於多個功能方塊之內；或於FPGA 300的一實體區段或部分之內。整合電容器355特別期待於電容器的一或二個端子為切換之應用，且其包括頂部節點遮蔽之實施例更期待於頂部節點連接至或切換至於FPGA 300之一電路的一高阻抗或高增益節點之應用。根據實施例之整合電容器亦為期待於諸如於一MGT的一等化濾波器之應用，其中，運用整合電容器作為耦合一個訊號節點至另一者之浮動電容器。於一個特別實施例，根據一個實施例之一種整合電容器納入至FPGA之一類比部分，諸如：收發器部分或訊號處理部分。於再一個實施例，整合電容器包括形成於一類比接地金屬層(例如：於一範例FPGA的一M5層)之一參考遮蔽平板(參閱：圖2A、2B之參考符號218)，且該參考遮蔽連接至FPGA之類比接地端子，其相較於數位接地端子而典型為較靜。
FPGA架構包括多個不同的可程式瓦塊(tile)，包括：多重十憶位元收發器(MGT)301、可組態邏輯方塊(CLB；configurable logic block)302、隨機存取記憶體方塊(BRAM；random access memory block)303、輸入/輸出方塊(IOB；input/output block)304、組態與時脈邏輯(CONFIG/CLOCK)305、數位訊號處理(DSP；digital signal processing)方塊306、專用輸入/輸出(I/O)方塊307(例如：組態埠與時脈埠)及其他可程式邏輯308，諸如：數位時脈管理器、類比至數位轉換器、系統監視邏輯等等。一些FPGA亦包括：專屬處理器(PROC)方塊310。
於一些FPGA，各個可程式瓦塊包括一可程式互連元件(INT；interconnect)311，其具有往返於各個相鄰瓦塊的一對應互連元件之標準化連接。因此，一起作用的可程式互連元件實施針對於圖示的FPGA之可程式互連結構。可程式互連元件(INT)311亦包括往返於相同瓦塊內的可程式邏輯元件之連接，如由包括在圖3之頂部的實例所示。
舉例而言，一CLB 302可包括可程式規劃以實施使用者邏輯之一可組態邏輯元件(CLE；configurable logic element)312加上單一個可程式互連元件(INT)311。除了一或多個可程式互連元件之外，一BRAM 303可包括一BRAM邏輯元件(BRL；BRAM logic element)313。典型而言，納入於一瓦塊之互連元件的數目視該瓦塊之高度而定。於描繪的實施例，一BRAM瓦塊具有如同四個CLB之相同高度，但是其他數目(例如：五個)亦可運用。除了適當數目的可程式互連元件之外，一DSP瓦塊306可包括一DSP邏輯元件(DSPL；DSP logic element)314。除了一個實例的可程式互連元件(INT)311之外，一IOB 304可包括例如二個實例的輸入/輸出邏輯元件(IOL；input/output logic element)315。如將為熟悉此技術人士所明白，舉例而言，連接至I/O邏輯元件315之實際I/O墊是運用在種種圖示邏輯方塊之上方的疊層金屬所製造，且典型為未限定於輸入/輸出邏輯元件315之區域。於描繪的實施例，接近晶片之中央的柱狀區域(於圖3所示為陰影處)用於組態、時脈與其他控制邏輯。
利用於圖3所示的架構之一些FPGA包括附加的邏輯方塊，瓦解構成FPGA大部分者之規則的柱狀結構。附加的邏輯方塊可為可程式方塊及/或專屬邏輯。舉例而言，於圖3所示的處理器(PROC)方塊310跨越數行CLB與BRAM。
注意：圖3僅意圖以說明一個範例的FPGA架構。於一行(column)的邏輯方塊之數目、諸行的相對寬度、行的數目與順序、納入於諸行的邏輯方塊之型式、邏輯方塊之相對尺寸及包括在圖3之頂部的互連/邏輯實施純然為範例性質。舉例而言，於一實際FPGA，典型包括超過一個相鄰行的CLB而無論該等CLB出現在何處，以利於使用者邏輯之有效率的實施。
儘管前文描述根據本發明的一或多個觀點之示範實施例，根據本發明的一或多個觀點之其他與進一步實施例可設計而未脫離其範疇，本發明之範疇由隨後的申請專利範圍與其等效者所決定。列出步驟之申請專利範圍非意指該等步驟之任何順序。商標是各自擁有者之財產權。
100‧‧‧整合電容器
102‧‧‧底部節點導線
104‧‧‧頂部節點導線
106、108‧‧‧脊柱
110‧‧‧匯流條
112‧‧‧最外脊柱
114、116‧‧‧底部節點遮蔽條
118‧‧‧匯流條
120‧‧‧最外脊柱
122、123‧‧‧線跡
130‧‧‧整合電容器之部分
132‧‧‧脊柱
134、136、138‧‧‧翼
140‧‧‧脊柱
142‧‧‧垂直傳導元件
144‧‧‧翼
145‧‧‧柱頭元件
146‧‧‧裝襯元件
147‧‧‧翼
148、150‧‧‧裝襯元件
160‧‧‧外部轉角
162‧‧‧節點導線
164．．．內部轉角
166．．．節點導線
200．．．整合電容器
202、204．．．頂部節點導線
206、208．．．底部節點導線
210、212．．．通路
214、216．．．底部節點遮蔽平板
218．．．參考遮蔽平板
220．．．介電材料
230．．．整合電容器
232．．．頂部節點導線
234、236．．．底部節點導線
238．．．頂部節點導線
300．．．FPGA
301．．．多重十億位元收發器
302．．．可組態邏輯方塊
303．．．隨機存取記憶體方塊
304．．．輸入/輸出方塊
305．．．組態與時脈邏輯
306．．．數位訊號處理方塊
307．．．專用輸入/輸出方塊
308．．．其他可程式邏輯
310．．．專屬處理器方塊
311．．．可程式互連元件
312．．．可組態邏輯元件
313．．．BRAM邏輯元件
314．．．DSP邏輯元件
315．．．輸入/輸出邏輯元件
355．．．整合電容器
B．．．平板層
M1、M2、M3、M4．．．金屬層
T．．．平板層
伴隨圖式顯示根據本發明的一或多個觀點之示範實施例；然而，伴隨圖式不應視作限制本發明於圖示的實施例，而是僅用於解說與瞭解。
圖1A是根據一個實施例之一種具有交互連接側翼的準碎片形圖案的整合電容器之一層的平面圖。
圖1B是圖1A的整合電容器之一部分的平面圖。
圖1C是平面圖，說明根據圖1A的整合電容器之一個實施例的轉角圓化。
圖2A是一種整合電容器的側視圖，該種整合電容器納入於一種積體電路的後端層。
圖2B是根據圖1A之整合電容器的側視圖，該種整合電容器納入於一種積體電路的後端層，其具有於層間的交替極性。
圖3納入根據一個實施例的整合電容器之一種FPGA的平面圖。
130‧‧‧整合電容器之部分
132‧‧‧脊柱
134、136、138‧‧‧翼
140‧‧‧脊柱
142‧‧‧垂直傳導元件
144‧‧‧翼
145‧‧‧柱頭元件
146‧‧‧裝襯元件
147‧‧‧翼
148、150‧‧‧裝襯元件

Claims (20)

  1. 一種於積體電路(IC)中的電容器，包含：一第一節點導線，形成於該IC的一第一金屬層，具有沿著一第一方向延伸之一第一脊柱、自該第一脊柱而沿著垂直於該第一方向的一第二方向延伸之一第一垂直元件、沿著該第一方向延伸之一第一柱頭元件與自該第一柱頭元件而朝向該第一脊柱延伸之一第一裝襯元件；及一第二節點導線，形成於該IC的第一金屬層，具有沿著該第一方向延伸之一第二脊柱、自該第二脊柱而沿著該第二方向而朝向該第一脊柱延伸之一第二垂直元件、沿著該第一脊柱與該第二脊柱之間的第一方向延伸之一第二柱頭元件與自該第二柱頭元件而朝向該第二脊柱延伸之一第二裝襯元件，該第二裝襯元件配置於該第一垂直元件與該第一裝襯元件之間。
  2. 如申請專利範圍第1項之電容器，更包含：自該第一柱頭元件而朝向該第一脊柱延伸之一第三裝襯元件，該第一柱頭元件於該第一裝襯元件與該第三裝襯元件之間延伸，藉以形成該第一脊柱之一第一翼。
  3. 如申請專利範圍第2項之電容器，更包含：自該第二脊柱至一第三柱頭元件延伸之一第三垂直元件、自該第三柱頭元件而朝向於該第一垂直元件與該第三裝襯元件之間的該第二脊柱延伸的一第四裝襯元件。
  4. 如申請專利範圍第2項之電容器，更包含：一第二翼，具有相對於該第一垂直元件為自該第二脊柱而延伸於該第二方向之一第三垂直元件。
  5. 如申請專利範圍第4項之電容器，其中，該第一翼是一第一T形翼且該第二翼是與該第一T形翼交互連接之一第二T形翼。
  6. 如申請專利範圍第2項之電容器，更包含：自該第一脊柱而朝向該第二脊柱延伸之一第一複數個翼及自該第二脊柱延伸且與該第一複數個翼交互連接之一第二複數個翼。
  7. 如申請專利範圍第6項之電容器，更包含：自該第一脊柱延伸而離開該第二脊柱之一第三複數個翼。
  8. 如申請專利範圍第7項之電容器，其中，該第三複數個翼之各者沿著該第一脊柱為相對於該第一複數個翼之對應的各者。
  9. 如申請專利範圍第6項之電容器，其中，該第二節點導線是一頂部節點導線且該第二脊柱是該頂部節點導線的一最外脊柱，該第一節點導線更包含沿著該頂部節點導線的最外脊柱延伸之一第一節點遮蔽條。
  10. 如申請專利範圍第6項之電容器，其中，該第二節點導線是一頂部節點導線且更包含沿著該第二方向延伸之一匯流條，該第二脊柱自該匯流條延伸，且該第一節點導線更包含沿著該匯流條延伸之一第一節點遮蔽條。
  11. 如申請專利範圍第6項之電容器，其中，該第二節點導線是一頂部節點導線且更包含一匯流條，該第二脊柱是該頂部節點導線的一最外脊柱且自該匯流條延伸，該第一節點導線更包含沿著該匯流條延伸之一第一節點遮蔽條與沿著該最外脊柱延伸之一第二節點遮蔽條。
  12. 如申請專利範圍第6項之電容器，更包含：該IC的一第二金屬層，具有重疊於該第一複數個翼之一第三複數個翼與重疊於該第二複數個翼之一第四複數個翼。
  13. 如申請專利範圍第12項之電容器，其中，該第三複數個翼藉著一第一複數個傳導通路而電氣連接至該第一複數個翼，且該第四複數個翼藉著一第二複數個傳導通路而電氣連接至該第二複數個翼。
  14. 一種於積體電路(IC)中的電容器，包含：一第一節點導線，形成於該IC的一金屬層，具有一第一節點匯流條、自該第一節點匯流條延伸之複數個第一節點脊柱、自一第一節點脊柱於一第一方向延伸之一第一複數個T形翼與自該第一節點脊柱於相對於該第一方向的一第二方向延伸之一第二複數個T形翼；及一第二節點導線，形成於該金屬層，具有一第二節點匯流條、自該第二節點匯流條延伸之複數個第二節點脊柱、自一第二節點脊柱於該第一方向延伸且與該第二複數個T形翼的至少一些者交互連接之一第三複數個T形翼。
  15. 如申請專利範圍第14項之電容器，其中，該第一節點是一切換電容器之一底部節點，且該第一節點導線更包括鄰近且沿著該第二節點匯流條延伸之底部節點遮蔽條。
  16. 如申請專利範圍第15項之電容器，其中，該第一節點導線更包括鄰近且沿著該第二節點脊柱延伸之一第二底部節點遮蔽條。
  17. 如申請專利範圍第14項之電容器，其中，該第二複數個T形翼是該第一複數個T形翼之一鏡像。
  18. 如申請專利範圍第14項之電容器，更包含：一第二複數個第一節點脊柱，於該IC的一第二金屬層，且連接至於該第二金屬層的第一節點之一第四複數個T形翼是重疊於該第一金屬層之第一複數個T形翼；一第二複數個第二節點脊柱，於該IC的第二金屬層，且連接至於該第二金屬層的第二節點之一第五複數個T形翼是重疊該第三複數個T形翼；一第一複數個傳導通路，連接於該第一複數個T形翼的至少一些者至於該第四複數個T形翼的至少一些者；及一第二複數個傳導通路，連接於該第三複數個T形翼的至少一些者至於該第五複數個T形翼的至少一些者。
  19. 如申請專利範圍第14項之電容器，更包含：一第二複數個第一節點脊柱，於該IC的一第二金屬層，且連接至於該第二金屬層的第一節點之一第四複數個T形翼是重疊連接至於該第一金屬層的第二節點之第三複數個T形翼；及一第二複數個第二節點脊柱，於該IC的第二金屬層，且連接至於該第二金屬層的第二節點之一第五複數個T形翼是重疊連接至於該第一金屬層的第一節點之第一複數個T形翼。
  20. 如申請專利範圍第14項之電容器，其中，該IC是一現場可程式閘陣列，具有一類比部分且更包含形成於該類比部分的一類比接地層之一參考遮蔽平板。
TW098139285A 2008-11-21 2009-11-19 具有交互連接側翼的整合電容器 TWI415245B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/276,292 US7956438B2 (en) 2008-11-21 2008-11-21 Integrated capacitor with interlinked lateral fins

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201034164A TW201034164A (en) 2010-09-16
TWI415245B true TWI415245B (zh) 2013-11-11

Family

ID=41480139

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098139285A TWI415245B (zh) 2008-11-21 2009-11-19 具有交互連接側翼的整合電容器

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7956438B2 (zh)
EP (1) EP2356679A1 (zh)
JP (1) JP5369192B2 (zh)
KR (1) KR101269291B1 (zh)
CN (1) CN102224589B (zh)
TW (1) TWI415245B (zh)
WO (1) WO2010059334A1 (zh)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8482048B2 (en) * 2009-07-31 2013-07-09 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Metal oxide semiconductor field effect transistor integrating a capacitor
US8988852B2 (en) * 2009-11-17 2015-03-24 Marvell World Trade Ltd. Ground shield capacitor
US8653844B2 (en) 2011-03-07 2014-02-18 Xilinx, Inc. Calibrating device performance within an integrated circuit
US8941974B2 (en) 2011-09-09 2015-01-27 Xilinx, Inc. Interdigitated capacitor having digits of varying width
JP2013102008A (ja) * 2011-11-08 2013-05-23 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP5605520B2 (ja) * 2012-03-22 2014-10-15 株式会社村田製作所 半導体装置および半導体モジュール
US20130320494A1 (en) * 2012-06-01 2013-12-05 Qualcomm Incorporated Metal finger capacitors with hybrid metal finger orientations in stack with unidirectional metal layers
US20140203404A1 (en) * 2013-01-21 2014-07-24 Qualcomm Incorporated Spiral metal-on-metal (smom) capacitors, and related systems and methods
KR102032382B1 (ko) * 2013-01-31 2019-10-16 삼성디스플레이 주식회사 표시장치의 커패시터 제조 방법 및 그에 따라 제조된 커패시터를 구비하는 표시장치
US9331013B2 (en) * 2013-03-14 2016-05-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated capacitor
US20140367827A1 (en) * 2013-06-17 2014-12-18 Qualcomm Incorporated Metal capacitor with inner first terminal and outer second terminal
US9960124B2 (en) * 2013-10-23 2018-05-01 General Electric Company Integrated shield structure for mixed-signal integrated circuits
US9270247B2 (en) 2013-11-27 2016-02-23 Xilinx, Inc. High quality factor inductive and capacitive circuit structure
DE102013018011B4 (de) * 2013-11-29 2022-06-09 Forschungszentrum Jülich GmbH Kapazitiv gekoppelter Gyrator auf Basis des Hall-Effekts
US9418788B2 (en) 2014-03-16 2016-08-16 Apple Inc. Precision half cell for sub-FEMTO unit cap and capacitive DAC architecture in SAR ADC
US9524964B2 (en) 2014-08-14 2016-12-20 Xilinx, Inc. Capacitor structure in an integrated circuit
US10409426B2 (en) * 2015-04-14 2019-09-10 Ford Global Technologies, Llc Motion based capacitive sensor system
US10157927B2 (en) * 2017-01-12 2018-12-18 Globalfoundries Inc. Semiconductor memory devices having an undercut source/drain region
US10332885B1 (en) * 2018-05-23 2019-06-25 Xilinx, Inc. Systems and methods for providing capacitor structures in an integrated circuit
KR20200077672A (ko) * 2018-12-20 2020-07-01 삼성전자주식회사 고효율 커패시터 구조체
TW202137559A (zh) * 2020-03-30 2021-10-01 智原科技股份有限公司 電容器
EP4007001A1 (en) * 2020-11-30 2022-06-01 NXP USA, Inc. Integrated capacitors in an integrated circuit

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09507000A (ja) * 1993-06-07 1997-07-08 ナショナル・セミコンダクター・コーポレイション フレックスセルゲートアレイ
JPH10501347A (ja) * 1994-05-26 1998-02-03 ハネウエル・インコーポレーテッド アクティブ・マトリックス液晶ディスプレイ用の大口径比アレイ・アーキテクチャ
US20020113292A1 (en) * 2000-12-30 2002-08-22 Appel Andrew T. Additional capacitance for MIM capacitors with no additional processing
US20070126078A1 (en) * 2005-12-07 2007-06-07 Winbond Electronics Corp. Interdigitized capacitor
US20070296013A1 (en) * 2006-06-26 2007-12-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device structure for reducing mismatch effects

Family Cites Families (104)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1899176A (en) * 1929-10-24 1933-02-28 Gen Electric High frquency condenser
GB1149569A (en) 1966-09-01 1969-04-23 Mini Of Technology Capacitors and methods for their manufacture
US3593319A (en) * 1968-12-23 1971-07-13 Gen Electric Card-changeable capacitor read-only memory
DE2147291C3 (de) * 1971-09-22 1980-09-18 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Kapazitätsdiode mit einem großen Kapazitätshub und Verfahren zu ihrer Herstellung
GB1469944A (en) 1975-04-21 1977-04-06 Decca Ltd Planar capacitor
NL7609587A (nl) * 1975-09-08 1977-03-10 Ncr Co Elektrisch afstembare mnos-capaciteit.
DE2548563A1 (de) 1975-10-30 1977-05-05 Licentia Gmbh Verfahren zum herstellen eines kondensators
US4249196A (en) * 1978-08-21 1981-02-03 Burroughs Corporation Integrated circuit module with integral capacitor
US4427457A (en) * 1981-04-07 1984-01-24 Oregon Graduate Center Method of making depthwise-oriented integrated circuit capacitors
US4409608A (en) * 1981-04-28 1983-10-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Recessed interdigitated integrated capacitor
US4470096A (en) * 1982-06-18 1984-09-04 Motorola Inc. Multilayer, fully-trimmable, film-type capacitor and method of adjustment
US4470099A (en) * 1982-09-17 1984-09-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Laminated capacitor
US4571543A (en) * 1983-03-28 1986-02-18 Southwest Medical Products, Inc. Specific material detection and measuring device
DE3326957C2 (de) * 1983-07-27 1986-07-31 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Integrierte Schaltung
JPH0682783B2 (ja) * 1985-03-29 1994-10-19 三菱電機株式会社 容量およびその製造方法
US4827323A (en) * 1986-01-07 1989-05-02 Texas Instruments Incorporated Stacked capacitor
US4831431A (en) * 1986-03-31 1989-05-16 Honeywell Inc. Capacitance stabilization
JPS6370550A (ja) * 1986-09-12 1988-03-30 Nec Corp 半導体集積回路装置
US4878151A (en) * 1987-04-10 1989-10-31 National Semiconductor Corporation Anti-parallel capacitor
US4731696A (en) * 1987-05-26 1988-03-15 National Semiconductor Corporation Three plate integrated circuit capacitor
US4994688A (en) * 1988-05-25 1991-02-19 Hitachi Ltd. Semiconductor device having a reference voltage generating circuit
US4914546A (en) * 1989-02-03 1990-04-03 Micrel Incorporated Stacked multi-polysilicon layer capacitor
JPH02268439A (ja) * 1989-04-10 1990-11-02 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
US5089878A (en) * 1989-06-09 1992-02-18 Lee Jaesup N Low impedance packaging
EP0412514A1 (en) * 1989-08-08 1991-02-13 Nec Corporation Capacitance device
US5117114A (en) * 1989-12-11 1992-05-26 The Regents Of The University Of California High resolution amorphous silicon radiation detectors
US5021920A (en) * 1990-03-30 1991-06-04 Texas Instruments Incorporated Multilevel integrated circuit capacitor and method of fabrication
JPH0831392B2 (ja) * 1990-04-26 1996-03-27 株式会社村田製作所 積層コンデンサ
JP2504606B2 (ja) * 1990-05-18 1996-06-05 株式会社東芝 半導体記憶装置およびその製造方法
FR2662793B1 (fr) * 1990-05-30 1994-03-18 Renault Installation de mesure en continu des defauts de forme d'une piece, et procede de mesure mis en óoeuvre dans cette installation.
JP2590618B2 (ja) * 1990-05-31 1997-03-12 松下電器産業株式会社 画像表示装置
US5005103A (en) * 1990-06-05 1991-04-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing folded capacitors in semiconductor and folded capacitors fabricated thereby
US5077225A (en) * 1991-04-30 1991-12-31 Micron Technology, Inc. Process for fabricating a stacked capacitor within a monolithic integrated circuit using oxygen implantation
US5189594A (en) * 1991-09-20 1993-02-23 Rohm Co., Ltd. Capacitor in a semiconductor integrated circuit and non-volatile memory using same
US5166858A (en) * 1991-10-30 1992-11-24 Xilinx, Inc. Capacitor formed in three conductive layers
US5155658A (en) * 1992-03-05 1992-10-13 Bell Communications Research, Inc. Crystallographically aligned ferroelectric films usable in memories and method of crystallographically aligning perovskite films
US5275974A (en) 1992-07-30 1994-01-04 Northern Telecom Limited Method of forming electrodes for trench capacitors
US5208725A (en) * 1992-08-19 1993-05-04 Akcasu Osman E High capacitance structure in a semiconductor device
AUPM596394A0 (en) * 1994-05-31 1994-06-23 Dyksterhuis, Francis Henry Games and puzzles
US5583359A (en) * 1995-03-03 1996-12-10 Northern Telecom Limited Capacitor structure for an integrated circuit
US5872697A (en) * 1996-02-13 1999-02-16 International Business Machines Corporation Integrated circuit having integral decoupling capacitor
US5939766A (en) * 1996-07-24 1999-08-17 Advanced Micro Devices, Inc. High quality capacitor for sub-micrometer integrated circuits
US5712813A (en) * 1996-10-17 1998-01-27 Zhang; Guobiao Multi-level storage capacitor structure with improved memory density
US6064108A (en) * 1997-09-02 2000-05-16 Hughes Electronics Corporation Integrated interdigitated capacitor
US6066537A (en) * 1998-02-02 2000-05-23 Tritech Microelectronics, Ltd. Method for fabricating a shielded multilevel integrated circuit capacitor
US6037621A (en) * 1998-07-29 2000-03-14 Lucent Technologies Inc. On-chip capacitor structure
US6677637B2 (en) * 1999-06-11 2004-01-13 International Business Machines Corporation Intralevel decoupling capacitor, method of manufacture and testing circuit of the same
JP4446525B2 (ja) 1999-10-27 2010-04-07 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
US6417556B1 (en) * 2000-02-02 2002-07-09 Advanced Micro Devices, Inc. High K dielectric de-coupling capacitor embedded in backend interconnect
US6383858B1 (en) * 2000-02-16 2002-05-07 Agere Systems Guardian Corp. Interdigitated capacitor structure for use in an integrated circuit
US6303456B1 (en) * 2000-02-25 2001-10-16 International Business Machines Corporation Method for making a finger capacitor with tuneable dielectric constant
US6297524B1 (en) * 2000-04-04 2001-10-02 Philips Electronics North America Corporation Multilayer capacitor structure having an array of concentric ring-shaped plates for deep sub-micron CMOS
US6747307B1 (en) * 2000-04-04 2004-06-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Combined transistor-capacitor structure in deep sub-micron CMOS for power amplifiers
US6822312B2 (en) * 2000-04-07 2004-11-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Interdigitated multilayer capacitor structure for deep sub-micron CMOS
US6410954B1 (en) * 2000-04-10 2002-06-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Multilayered capacitor structure with alternately connected concentric lines for deep sub-micron CMOS
US6570210B1 (en) * 2000-06-19 2003-05-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Multilayer pillar array capacitor structure for deep sub-micron CMOS
US7259945B2 (en) * 2000-08-09 2007-08-21 Server Technology, Inc. Active arc-suppression circuit, system, and method of use
US6635916B2 (en) * 2000-08-31 2003-10-21 Texas Instruments Incorporated On-chip capacitor
US6974744B1 (en) * 2000-09-05 2005-12-13 Marvell International Ltd. Fringing capacitor structure
US6625006B1 (en) * 2000-09-05 2003-09-23 Marvell International, Ltd. Fringing capacitor structure
US6690570B2 (en) * 2000-09-14 2004-02-10 California Institute Of Technology Highly efficient capacitor structures with enhanced matching properties
US6385033B1 (en) * 2000-09-29 2002-05-07 Intel Corporation Fingered capacitor in an integrated circuit
US6980414B1 (en) * 2004-06-16 2005-12-27 Marvell International, Ltd. Capacitor structure in a semiconductor device
US6542351B1 (en) * 2001-06-28 2003-04-01 National Semiconductor Corp. Capacitor structure
US6740922B2 (en) * 2001-08-14 2004-05-25 Agere Systems Inc. Interdigitated capacitor and method of manufacturing thereof
US6661079B1 (en) * 2002-02-20 2003-12-09 National Semiconductor Corporation Semiconductor-based spiral capacitor
US6737698B1 (en) * 2002-03-11 2004-05-18 Silicon Laboratories, Inc. Shielded capacitor structure
GB0207857D0 (en) * 2002-04-05 2002-05-15 Zarlink Semiconductor Ltd Integrated circuit capacitors
DE10217565A1 (de) * 2002-04-19 2003-11-13 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit integrierter gitterförmiger Kapazitätsstruktur
DE10217567A1 (de) * 2002-04-19 2003-11-13 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit integrierter Kapazitätsstruktur und Verfahren zu dessen Herstellung
US7271465B2 (en) * 2002-04-24 2007-09-18 Qualcomm Inc. Integrated circuit with low-loss primary conductor strapped by lossy secondary conductor
TW541646B (en) * 2002-07-11 2003-07-11 Acer Labs Inc Polar integrated capacitor and method of making same
DE10249192A1 (de) * 2002-10-22 2004-05-13 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauelement mit integriertem passiven elektronischen Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10303738B4 (de) * 2003-01-30 2007-12-27 Infineon Technologies Ag Speicherkondensator und Speicherzellenanordnung
GB2398169B (en) * 2003-02-06 2006-02-22 Zarlink Semiconductor Ltd An electrical component structure
US6963122B1 (en) * 2003-02-21 2005-11-08 Barcelona Design, Inc. Capacitor structure and automated design flow for incorporating same
US6819542B2 (en) * 2003-03-04 2004-11-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Interdigitated capacitor structure for an integrated circuit
US6765778B1 (en) * 2003-04-04 2004-07-20 Freescale Semiconductor, Inc. Integrated vertical stack capacitor
US6880134B2 (en) * 2003-04-09 2005-04-12 Freescale Semiconductor, Inc. Method for improving capacitor noise and mismatch constraints in a semiconductor device
US7013436B1 (en) * 2003-05-25 2006-03-14 Barcelona Design, Inc. Analog circuit power distribution circuits and design methodologies for producing same
JP2005109202A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Sanyo Electric Co Ltd 半導体集積装置
US6949781B2 (en) * 2003-10-10 2005-09-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Metal-over-metal devices and the method for manufacturing same
US7259956B2 (en) * 2003-12-19 2007-08-21 Broadcom Corporation Scalable integrated circuit high density capacitors
US7050290B2 (en) * 2004-01-30 2006-05-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated capacitor
JP2005286254A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Nec Electronics Corp 半導体容量装置
US6903918B1 (en) * 2004-04-20 2005-06-07 Texas Instruments Incorporated Shielded planar capacitor
FR2870042B1 (fr) * 2004-05-07 2006-09-29 St Microelectronics Sa Structure capacitive de circuit integre
US7154734B2 (en) * 2004-09-20 2006-12-26 Lsi Logic Corporation Fully shielded capacitor cell structure
JP4343085B2 (ja) * 2004-10-26 2009-10-14 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US7009832B1 (en) * 2005-03-14 2006-03-07 Broadcom Corporation High density metal-to-metal maze capacitor with optimized capacitance matching
US20060244156A1 (en) * 2005-04-18 2006-11-02 Tao Cheng Bond pad structures and semiconductor devices using the same
US7202548B2 (en) * 2005-09-13 2007-04-10 Via Technologies, Inc. Embedded capacitor with interdigitated structure
CN1979849A (zh) * 2005-11-29 2007-06-13 联华电子股份有限公司 电容结构
US7161228B1 (en) * 2005-12-28 2007-01-09 Analog Devices, Inc. Three-dimensional integrated capacitance structure
US7645675B2 (en) * 2006-01-13 2010-01-12 International Business Machines Corporation Integrated parallel plate capacitors
US20070181973A1 (en) * 2006-02-06 2007-08-09 Cheng-Chou Hung Capacitor structure
TWI271754B (en) * 2006-02-16 2007-01-21 Jmicron Technology Corp Three-dimensional capacitor structure
KR100876881B1 (ko) * 2006-02-24 2008-12-31 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 패드부
US7274085B1 (en) * 2006-03-09 2007-09-25 United Microelectronics Corp. Capacitor structure
US7485912B2 (en) * 2006-03-28 2009-02-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Flexible metal-oxide-metal capacitor design
JP2009540541A (ja) * 2006-06-02 2009-11-19 ケネット・インコーポレーテッド 改良された金属‐絶縁体‐金属キャパシタ
CN101021659B (zh) * 2007-02-26 2010-05-26 友达光电股份有限公司 液晶像素及其制造方法与液晶显示器
JP5274857B2 (ja) * 2007-03-29 2013-08-28 パナソニック株式会社 キャパシタ構造
US20090057826A1 (en) * 2007-09-04 2009-03-05 Kim Sun-Oo Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09507000A (ja) * 1993-06-07 1997-07-08 ナショナル・セミコンダクター・コーポレイション フレックスセルゲートアレイ
JPH10501347A (ja) * 1994-05-26 1998-02-03 ハネウエル・インコーポレーテッド アクティブ・マトリックス液晶ディスプレイ用の大口径比アレイ・アーキテクチャ
US20020113292A1 (en) * 2000-12-30 2002-08-22 Appel Andrew T. Additional capacitance for MIM capacitors with no additional processing
US20070126078A1 (en) * 2005-12-07 2007-06-07 Winbond Electronics Corp. Interdigitized capacitor
US20070296013A1 (en) * 2006-06-26 2007-12-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device structure for reducing mismatch effects

Also Published As

Publication number Publication date
US7956438B2 (en) 2011-06-07
KR20110098915A (ko) 2011-09-02
CN102224589B (zh) 2014-05-07
JP5369192B2 (ja) 2013-12-18
WO2010059334A1 (en) 2010-05-27
TW201034164A (en) 2010-09-16
US20100127351A1 (en) 2010-05-27
JP2012509593A (ja) 2012-04-19
CN102224589A (zh) 2011-10-19
EP2356679A1 (en) 2011-08-17
KR101269291B1 (ko) 2013-05-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI415245B (zh) 具有交互連接側翼的整合電容器
TWI409835B (zh) 具有十字元件陣列的整合電容器
TWI409838B (zh) 具有纜線平板的整合電容器
TWI474351B (zh) 具有交替疊層部分的整合電容器
US7994609B2 (en) Shielding for integrated capacitors
US7994610B1 (en) Integrated capacitor with tartan cross section
TWI451558B (zh) 整合電容器之遮蔽