TWI397559B - Optical recording media - Google Patents

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Satoshi Yanagisawa
Yusuke Kubota
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Description

光學記錄媒體
本發明係關於一種藉由以利用雷射等之資訊圖案之形式提供資訊而進行記錄的光學記錄媒體，詳細而言，係關於一種具有紫外及可見光區域之波長，且，可利用低能量雷射光等進行高密度之光學記錄及再生的光學記錄媒體。
由於光學記錄媒體通常具有記錄容量大、可以非接觸方式進行記錄或再生等優異之特徵，因此，正廣泛普及。於WORM、CD－R、DVD±R等可寫一次讀多次型光碟中，使雷射光聚集於記錄層之微小面積，可改變光學記錄層之性狀而進行記錄，並根據記錄部分與未記錄部分之反射光量之差異進行再生。
目前，於上述光碟中，關於記錄及再生時所使用之半導體雷射光的波長，CD－R為750~830 nm，DVD－R為620 nm~690 nm，為實現容量之進一步增加，業者研究使用短波長雷射之光碟，例如正研究使用380~420 nm之光作為記錄光的光碟。
作為短波長記錄光用之光學記錄媒體，例如，於專利文獻1中報告有，含有具有特定結構之菁化合物之光資訊記錄媒體；於專利文獻2中報告有，使用半菁染料之光記錄媒體；於專利文獻3中報告有，使用三甲川菁系色素之光記錄媒體。然而，該等化合物作為短波長記錄光用之光學記錄媒體，其吸收波長特性未必適合，或者無法獲得令人滿意的溶解性或耐光性。
專利文獻1：日本專利特開2001－301333號公報專利文獻2：日本專利特開2001－342365號公報專利文獻3：日本專利特開2004－98542號公報
因此，本發明之目的在於提供一種耐光性較高之短波長記錄光用之光學記錄媒體。
本發明者等反覆研究，結果發現一種具有適合於短波長記錄光用之光學記錄媒體之吸收波長特性且具有特定之分子結構的雜環化合物，已知藉由使用該雜環化合物，可解決上述課題。
本發明係基於上述知識見解開發而成者，其藉由提供一種光學記錄媒體，而達成上述目的，該光學記錄媒體之特徵在於：於基體上，具有由含有至少一種以下述通式(I)所表示之雜環化合物之光學記錄材料所形成的光學記錄層。
(式中，Z1 表示氧原子、硫原子、硒原子、－CR5 R6 －、－NH－或－NR－，R5 及R6 各自獨立表示碳原子數為1~8之烷基、碳原子數為6~20之芳基、碳原子數為7~20之芳烷基或以下述通式(II)所表示之取代基，R5 與R6 可連接成環，R表示氫原子、碳原子數為1~8之烷基、碳原子數為6~20之芳基或碳原子數為7~20之芳烷基。R1 及R2 分別獨立表示氫原子、鹵基、氰基、碳原子數為1~8之烷基或碳原子數為7~20之芳烷基，R3 及R4 分別獨立表示碳原子數為1~8之烷基、碳原子數為6~20之芳基或連接形成不含有多重鍵之雜環的基團。Y1 表示氫原子、碳原子數為1~8之烷基、碳原子數為6~20之芳基或碳原子數為7~20之芳烷基。R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 或R所表示之上述碳原子數為1~8之烷基，R3 、R4 、R5 、R6 、R或Y1 所表示之碳原子數為6~20之芳基，以及R1 、R2 、R5 、R6 、R或Y1 所表示之碳原子數為7~20之芳烷基，均可具有取代基，上述碳原子數為1~8之烷基中之亞甲基可被－O－或－CH＝CH－置換。Anq－ 表示q價之陰離子，q表示1或2之數，p表示將電荷保持於中性之係數，n表示1至4之數。)
(式中，R7 ~R10 各自獨立表示氫原子、鹵素原子或碳原子數為1~4之烷基，該烷基中之亞甲基可被－O－或－CO－置換，R7 與R8 可連接成環。)
又，本發明係藉由提供一種光學記錄媒體而達成上述目的者，該光學記錄媒體之特徵在於：於基體上，具有由含有至少一種以下述通式(III)所表示之雜環化合物之光學記錄材料所形成的光學記錄層。
(式中，Z1 、R1 、R2 、R3 、R4 、R、Anq－ 、q及p與上述通式(I)相同，R11 表示氫原子、碳原子數為1~8之烷基、鹵素原子、硝基、氰基或胺基，相鄰之R3 與R4 可相互連接成環，Y2 表示以下述通式(IV)所表示之取代基，m為1至4之數。)
(式中，Ra ~Ri 各自獨立表示氫原子、羥基或碳原子數為1~4之烷基，該烷基中之亞甲基亦可被－O－或－CO－置換，Z2 表示直接鍵或可具有取代基之碳原子數為1~8之伸烷基，該伸烷基中之亞甲基可被－O－、－S－、－CO－、－COO－、－OCO－、－SO2 －、－NH－、－CONH－、－NHCO－、－N＝CH－或－CH＝CH－置換，M表示金屬原子。
又，本發明係藉由提供一種光學記錄媒體而達成上述目的者，該光學記錄媒體之特徵在於：於基體上，具有由含有至少一種之以下述通式(V)所表示之雜環化合物之光學記錄材料所形成的光學記錄層。 (式中，Z1 、R1 、R2 、R3 、R4 、R、Y1 、q、p及n與上述通式(I)相同，R11 與上述通式(III)相同，X表示q價之淬滅陰離子。)
以下，根據較好的實施形態對本發明之光學記錄媒體加以詳細說明。
於本發明之雜環化合物中，至於以上述通式(I)中之R1 、R2 、R3 及R4 ，以及Z1 中之基團之R5 、R6 及R所表示之碳原子數為1~8之烷基，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、第三戊基、己基、環己基、環己基甲基、環己基乙基、庚基、異庚基、第三庚基、正辛基、異辛基、第三辛基、2－乙基己基等。至於以R3 、R4 及Y1 ，以及Z1 中之基團之R5 、R6 及R所表示之碳原子數為6~20之芳基，可列舉苯基、萘基、蒽－1－基、菲－1－基等；至於以R1 、R2 及Y1 ，以及Z1 中之基團之R4 、R5 及R所表示之碳原子數為7~20之芳烷基，可列舉苄基、苯乙基、2－苯丙基、二苯基甲基、三苯基甲基、苯乙烯基、肉桂基等。
至於上述通式(I)中之R1 及R2 ，以及上述通式(III)及(V)中之R11 所表示之鹵素原子，可列舉氟、氯、溴、碘。
至於作為上述通式(I)中之Z1 中之基團的R5 與R6 連接所形成之環結構，可列舉環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、環己烷環、四氫吡喃環、哌啶環、哌嗪環、吡咯烷環、嗎啉環、硫代嗎啉環、吡啶環、吡嗪環、嘧啶環、噠嗪環、三嗪環、喹啉環、異喹啉環、咪唑環、噁唑環、咪唑啶環、吡唑啶環、噻唑烷環、異噻唑烷環、噁唑啶環、異噁唑啶環等，該等環可與其他環縮合，或可被取代。
至於上述通式(I)中之R3 及R4 連接所形成之不含有多重鍵之雜環，可列舉吡咯烷環、咪唑啶環、吡唑啶環、噻唑烷環、異噻唑烷環、噁唑啶環、異噁唑啶環、哌啶環、哌嗪環、嗎啉環等。
R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 或R所表示之上述碳原子數為1~8之烷基，R3 、R4 、R5 、R6 、R或Y1 所表示之碳原子數為6~20之芳基，以及R1 、R2 、R5 、R6 、R或Y1 所表示之碳原子數為7~20之芳烷基，均可具有取代基，上述碳原子數為1~8之烷基中之亞甲基可被－O－或－CH＝CH－置換。至於該取代基，可列舉下述者。再者，R1 ~R5 及R係上述碳原子數為1~8之烷基等含有碳原子之基團，且，於此等基團具有下述取代基中之含有碳原子之取代基之情形時，含有該取代基之R1 ~R4 及R整體之碳原子數滿足規定之範圍。
作為上述取代基，例如可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、環丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、第三戊基、環戊基、己基、2－己基、3－己基、環己基、二環己基、1－甲基環己基、庚基、2－庚基、3－庚基、異庚基、第三庚基、正辛基、異辛基、第三辛基、2－乙基己基、壬基、異壬基、癸基等烷基；甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、異丁氧基、戊氧基、異戊氧基、第三戊氧基、己氧基、環己氧基、庚氧基、異庚氧基、第三庚氧基、正辛氧基、異辛氧基、第三辛氧基、2－乙基己氧基、壬氧基、癸氧基等烷氧基；甲硫基、乙硫基、丙硫基、異丙硫基、丁硫基、第二丁硫基、第三丁硫基、異丁硫基、戊硫基、異戊硫基、第三戊硫基、己硫基、環己硫基、庚硫基、異庚硫基、第三庚硫基、正辛硫基、異辛硫基、第三辛硫基、2－乙基己硫基等烷硫基；乙烯基、1－甲基乙烯基、2－甲基乙烯基、2－丙烯基、1－甲基－3－丙烯基、3－丁烯基、1－甲基－3－丁烯基、異丁烯基、3－戊烯基、4－己烯基、環己烯基、二環己烯基、庚烯基、辛烯基、癸烯基、十五烯基、二十烯基、三十烯基等烯基；苄基、苯乙基、二苯基甲基、三苯基甲基、苯乙烯基、肉桂基等芳烷基；苯基、萘基等芳基；苯氧基、萘氧基等芳氧基；苯硫基、萘硫基等芳硫基；吡啶基、嘧啶基、噠嗪基、哌啶基、吡喃基、吡唑基、三嗪基、吡咯基、喹啉基、異喹啉基、咪唑基、苯并咪唑基、三唑基、呋喃基(furyl)、呋喃基(furanyl)、苯并呋喃基、噻吩基、硫苯基、苯并硫苯基、噻二唑基、噻唑基、苯并噻唑基、噁唑基、苯并噁唑基、異噻唑基、異噁唑基、吲哚基、2－吡咯烷酮－1－基、2－哌啶酮－1－基、2,4－二氧基咪唑啶－3－基、2,4－二氧基噁唑啶－3－基等雜環基；氟、氯、溴、碘等鹵素原子；乙醯基、2－氯乙醯基、丙醯基、辛醯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、苯基羰基(苯甲醯基)、鄰苯二甲醯基、4－三氟甲基苯甲醯基、三甲基乙醯基、柳醯基、草醯基(oxaloyl)、硬脂醯基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、第三丁氧基羰基、正十八烷氧基羰基、胺甲醯基等醯基；乙醯氧基、苯并氧基等醯氧基；胺基、乙基胺基、二甲基胺基、二乙基胺基、丁基胺基、環戊基胺基、2－乙基己基胺基、十二烷基胺基、苯胺基、氯苯基胺基、甲苯胺基、甲氧苯胺基、N－甲基－苯胺基、二苯基胺基、萘基胺基、2－吡啶基胺基、甲氧基羰基胺基、苯氧基羰基胺基、乙醯基胺基、苯甲醯基胺基、甲醯基胺基、三甲基乙醯基胺基、月桂醯基胺基、胺甲醯基胺基、N,N－二甲基胺基羰基胺基、N,N－二乙基胺基羰基胺基、嗎啉基羰基胺基、甲氧基羰基胺基、乙氧基羰基胺基、第三丁氧基羰基胺基、正十八烷氧基羰基胺基、N－甲基－甲氧基羰基胺基、苯氧基羰基胺基、磺醯胺基胺基、N,N－二甲基胺基磺醯基胺基、甲基磺醯基胺基、丁基磺醯胺基、苯基磺醯基胺基等取代胺基；磺醯胺基、磺醯基、羧基、氰基、磺醯基、羥基、硝基、巰基、醯亞胺基、胺甲醯基、磺醯基胺基等，該等基團可進而被取代。又，羧基及醯基可形成鹽。
於上述通式(I)中，至於以Anq－ 所表示之陰離子，例如作為一價者，可列舉氯陰離子、溴陰離子、碘陰離子、氟陰離子等鹵素陰離子；過氯酸陰離子、氯酸陰離子、硫氰酸陰離子、六氟化磷陰離子、六氟化銻陰離子、四氟化硼陰離子等無機系陰離子；苯磺酸陰離子、甲苯磺酸陰離子、三氟甲磺酸陰離子、二苯基胺－4－磺酸陰離子、2－胺基－4－甲基－5－氯苯磺酸陰離子、2－胺基－5－硝基苯磺酸陰離子、揭示於日本專利特開2004－53799號公報中之磺酸陰離子等有機磺酸陰離子；辛基磷酸陰離子、十二烷基磷酸陰離子、十八烷基磷酸陰離子、苯基磷酸陰離子、壬基苯基磷酸陰離子、2,2'－亞甲基雙(4,6－二第三丁基苯基)膦酸陰離子等有機磷酸系陰離子，雙(三氟甲磺醯基)亞胺陰離子、雙(全氟丁磺醯)亞胺陰離子、全氟－4－乙基環己基磺酸鹽陰離子、四(五氟苯基)硼酸陰離子等，作為二價者，例如可列舉苯二磺酸陰離子、萘二磺酸陰離子等。又，亦可相應需要而使用具有使處於激發狀態之活性分子去激發(淬滅)之功能的淬滅陰離子，或者環戊二烯環中具有羧基或膦酸基、磺酸基等陰離子性基團之二茂鐵、二茂釕等二茂金屬化合物陰離子等。
作為上述淬滅陰離子，例如可列舉：以下述通式(A)、(B)或下述式(C)所表示者；如日本專利特開昭60－234892號公報、日本專利特開平5－43814號公報、日本專利特開平5－305770號公報、日本專利特開平6－239028號公報、日本專利特開平9－309886號公報、日本專利特開平9－323478號公報、日本專利特開平10－45767號公報、日本專利特開平11－208118號公報、日本專利特開2000－168237號公報、日本專利特開2002－201373號公報、日本專利特開2002－206061號公報、日本專利特開2005－297407號公報、日本專利特公平7－96334號公報、國際公開98/29257號公報等之陰離子。
(式中，M表示鎳原子、鈷原子或銅原子，R12 及R13 表示鹵素原子、碳原子數為1~8之烷基、碳原子數為6~30之芳基或－SO2 －G基，G表示烷基、可被鹵素原子取代之芳基、二烷基胺基、二芳基胺基、哌啶基或嗎啉基，a及b分別獨立表示0~4之數。又，R14 、R15 、R16 及R17 分別獨立表示烷基、烷基苯基、烷氧基苯基或鹵代苯基。)
至於上述通式(II)中之R7 ~R10 及上述通式(IV)中之Ra ~Ri 所表示之碳原子數為1~4之烷基，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、異丁基等；至於該烷基中之亞甲基被－O－置換之基團，可列舉甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、甲氧基甲基、乙氧基甲基、2－甲氧基乙基等；至於該烷基中之亞甲基被－CO－置換之基團，可列舉乙醯基、1－羰基乙基、乙醯基甲基、1－羰基丙基、2－羰基丁基、2－乙醯基乙基、1－羰基異丙基等；至於上述通式(III)中之R11 所表示之碳原子數為1~8之烷基，可列舉上述通式(I)中所例示者。
於上述通式(II)中，至於R7 ~R10 所表示之鹵素原子，可列舉氟、氯、溴、碘；至於R7 與R8 連接所成之環結構，可列舉環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、環己烷環、四氫吡喃環、哌啶環、哌嗪環、吡咯烷環、嗎啉環、硫代嗎啉環、吡啶環、吡嗪環、嘧啶環、噠嗪環、三嗪環、喹啉環、異喹啉環、咪唑環、噁唑環、咪唑啶環、吡唑啶環、異噁唑啶環、異噻唑烷環等，該等環可與其他環縮合，或可被取代。
於上述通式(IV)中，至於可含有Z2 所表示之取代基的碳原子數為1~8之伸烷基，可列舉亞甲基、伸乙基、伸丙基、甲基伸乙基、伸丁基、1－甲基伸丙基、2－甲基伸丙基、1,2－二甲基伸丙基、1,3－二甲基伸丙基、1－甲基伸丁基、2－甲基伸丁基、3－甲基伸丁基、4－甲基伸丁基、2,4－二甲基伸丁基、1,3－二甲基伸丁基、伸戊基、伸己基、伸庚基、辛烯基、乙烷－1,1－二基、丙烷－2,2－二基等。至於該伸烷基中之亞甲基被－O－、－S－、－CO－、－COO－、－OCO－、－SO2 －、－NH－、－CONH－、－NHCO－、－N＝CH－或－CH＝CH－置換的基團，可列舉亞甲基氧基、伸乙基氧基、氧基亞甲基、硫基亞甲基、羰基亞甲基、羰氧基亞甲基、亞甲基羰氧基、磺醯基亞甲基、胺基亞甲基、乙醯基胺基、伸乙基甲醯胺、乙烷醯亞胺基、伸乙烯基、伸丙烯基等，至於M所表示之金屬原子，可列舉Fe、Co、Ni、Ti、Cu、Zn、Zr、Cr、Mo、Os、Mn、Ru、Sn、Pd、Rh、Pt、Ir等。
以上述通式(I)所表示之雜環化合物中，以下述通式(Ⅵ)所表示者，其製造成本較小，且尤其適合於使用吸收波長特性為380~420 nm之短波長雷射光的光學記錄媒體，故為較佳。
(式中，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、Y1 、Anq－ 、p、q及n與上述通式(I)相同。)
以上述通式(III)所表示之雜環化合物中，以下述通式(VII)所表示者，其製造成本較小，且尤其適合於使用吸收波長特性為380~420 nm之短波長雷射光的光學記錄媒體，故為較佳。
(式中，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、Anq－ 、p及q與上述通式(I)相同，R11 及Y2 與上述通式(III)相同。)
以上述通式(V)所表示之雜環化合物中，以下述通式(VIII)所表示者，其製造成本較小，且尤其適合於使用吸收波長特性為380~420 nm之短波長雷射光的光學記錄媒體，故為較佳。
(式中，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、Y1 、p及q與上述通式(I)相同，R11 與上述通式(III)相同，X與上述通式(V)相同。)
作為本發明之以上述通式(I)、(III)及(V)所表示之雜環化合物之具體例，可列舉下述化合物No.1~18。
本發明之以上述通式(I)、(III)及(V)所表示之雜環化合物，並不受其製造方法之特別限定，可藉由利用眾所周知之通常反應方法而獲得。例如，以上述通式(I)所表示之雜環化合物中，R2 為氫原子者可藉由如下方法合成：如下述[化14]所示之反應式，使用氧氯化磷等反應劑使2－甲基雜環衍生物與甲醯胺衍生物進行反應，根據需要再進行陰離子交換。又，以上述通式(III)及(V)所表示之雜環化合物，亦可以相同之方式合成。再者，2－甲基雜環衍生物及甲醯胺衍生物可依據通常方法合成。
(式中，Z1 、R1 、R3 、R4 、R、Y1 、q、p及n與上述通式(I)相同，D表示陰離子。)
再者，於上述[化14]中，Y1 所表示之取代基可由與吲哚環之N－H基反應之以Y1 －D(D係氯、溴、碘等鹵基；苯磺醯氧基、4－甲基磺醯氧基、4－氯苯磺醯氧基等磺醯氧基等)所表示之化合物衍生。
作為本發明之光學記錄媒體之代表構成，可列舉：於基體上，具有由含有至少一種之以上述通式(I)、(III)及(V)所表示之雜環化合物之任何一個之光學記錄材料所形成的光學記錄層，且根據需要設置金屬反射膜、保護層、基底層、屏障層等各層者。
本發明之光學記錄媒體中所使用之基體之材質，只要對於寫入(記錄)光及讀出(再生)光實質上透明，則無特別限制，例如可使用聚(甲基)丙烯酸甲酯、聚(甲基)丙烯酸酯、聚碳酸酯、非晶質聚烯烴、聚苯乙烯、聚酯、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、三乙醯基纖維素、聚氯乙烯、環氧樹脂等之樹脂、玻璃、陶瓷、金屬等，或者於該等樹脂或玻璃等上形成濺鍍膜者。又，至於彼等之形狀，可根據用途使用膜、膠帶、鼓、帶狀、卡片、碟片等任意形狀者。該基板之厚度為0.1~2.0 nm，較好的是0.8~1.3 nm之範圍。
由含有至少一種之以上述通式(I)、(III)及(V)所表示之雜環化合物之任何一個之光學記錄材料所形成的光學記錄層，其係具有可藉由以利用雷射光等之資訊圖案的形式記錄資訊信號而記錄或重新記錄資訊之功能的層，可形成為薄膜。該光學記錄層之厚度為0.001~10 μm，較好的是0.01~5 μm之範圍。
又，上述光學記錄材料中之上述雜環化合物之含量較好的是0.1~10質量%、更好的是1.0~5.0質量%。
製造具有上述光學記錄層之光學記錄媒體的方法，並未受到特別限制，可使用眾所周知之方法。例如，可使用如下之濕式塗佈法：製作於下述有機溶劑中溶解有至少一種之以上述通式(I)、(III)及(V)所表示之雜環化合物之任何一個，及根據需要淬滅單態氧等之淬滅化合物等各種化合物的溶液狀光學記錄材料，再藉由旋塗、噴霧、浸塗等方式將該光學記錄材料塗佈於基體上的方法。又，亦可使用蒸鍍法、濺鍍法等。
作為上述有機溶劑，可列舉：甲醇、乙醇等低級醇類；甲基賽珞蘇、乙基賽珞蘇、丁基賽珞蘇、二乙二醇丁醚等醚醇類；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、二丙酮醇等酮類；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸甲氧基乙酯等酯類；丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯等丙烯酸酯類；2,2,3,3－四氟丙醇等氟醇類；苯、甲苯、二甲苯等烴類；二氯甲烷、二氯乙烷、氯仿等氯化烴類等。於使用上述有機溶劑之情形時，其使用量較好的是設為使上述光學記錄材料中之上述雜環化合物之含量成為0.1~10質量%之量。
至於可根據需要而添加之上述淬滅化合物，可列舉二亞銨化合物、金屬錯合物、芳香族亞硝基化合物、銨化合物、亞銨化合物等。
至於上述二亞銨化合物，可列舉以下述通式(IX)所表示之化合物。
(式中，R18 、R19 、R20 、R21 、R22 、R23 、R24 及R25 分別獨立表示氫原子或可具有取代基之碳原子數為1~8之烷基，R26 、R27 、R28 及R29 分別獨立表示氫原子、鹵素原子、可具有取代基之碳原子數為1~8之烷基或可具有取代基之胺基，該烷基中之亞甲基可被－O－或－CH＝CH－置換，r表示1~4之數，Anq－ 、p及q與上述通式(I)相同。)
於上述通式(IX)中，至於R18 、R19 、R20 、R21 、R22 、R23 、R24 、R25 、R26 、R27 、R28 及R29 所表示之可具有取代基之碳原子數為1~8之烷基，可列舉上述通式(I)中之R1 ~R6 等所表示者；至於R18 、R19 、R20 、R21 、R22 、R23 、R24 及R25 所表示之鹵素原子，可列舉上述通式(I)中之R1 、R2 等所表示者；至於R18 、R19 、R20 、R21 、R22 、R23 、R24 及R25 所表示之可含有取代基之胺基，可列舉胺基、乙基胺基、二甲基胺基、二乙基胺基、丁基胺基、環戊基胺基、2－乙基己基胺基、十二烷基胺基、苯胺基、氯苯基胺基、甲苯胺基、甲氧苯胺基、N－甲基－苯胺基、二苯基胺基、萘基胺基、2－吡啶基胺基、甲氧基羰基胺基、苯氧基羰基胺基、乙醯基胺基、苯甲醯基胺基、甲醯基胺基、三甲基乙醯基胺基、月桂醯基胺基、胺甲醯基胺基、N,N－二甲基胺基羰基胺基、N,N－二乙基胺基羰基胺基、嗎啉基羰基胺基、甲氧基羰基胺基、乙氧基羰基胺基、第三丁氧基羰基胺基、正十八烷氧基羰基胺基、N－甲基－甲氧基羰基胺基、苯氧基羰基胺基、磺醯胺基胺基、N,N－二甲基胺基磺醯胺基、甲基磺醯胺基、丁基磺醯胺基、苯基磺醯胺基等。
作為上述金屬錯合物，可列舉以下述通式(X)所表示之化合物。
(式中，M表示鎳原子、鈷原子或銅原子，R30 及R31 表示鹵素原子、碳原子數為1~8之烷基、碳原子數為6~30之芳基或－SO2 －G基，G表示烷基、可被鹵素原子取代之芳基、二烷基胺基、二芳基胺基、哌啶基或嗎啉基，f及g分別獨立表示0~4之數)。
含有上述淬滅化合物時之含量，於上述光學記錄材料中所含之固形分中，較好的是占0~99質量%範圍之量，更好的是50~95質量%。
至於可根據需要而添加之其他各種化合物，可列舉偶氮系化合物、酞菁系化合物、氧喏系化合物、方酸菁系化合物、吲哚化合物、苯乙烯系化合物、卟吩系化合物、薁鎓系化合物、克酮酸甲川()系化合物、吡啶鎓系化合物、硫代吡啶鎓系化合物、三芳基甲烷系化合物、二苯基甲烷系化合物、四氫膽鹼系化合物、靛酚系化合物、蒽醌系化合物、萘醌系化合物、氧雜蒽系化合物、噻嗪系化合物、吖啶系化合物、噁嗪系化合物、螺吡喃系化合物、茀系化合物、玫瑰紅系化合物等通常用於光學記錄層的化合物；聚乙烯、聚酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯等樹脂類；界面活性劑；抗靜電劑；潤滑劑；阻燃劑；受阻胺等自由基捕獲劑；二茂鐵衍生物等訊坑形成促進劑；分散劑；抗氧化劑；交聯劑；黏合劑；耐光性賦予劑；紫外線吸收劑；可塑劑等。於上述光學記錄材料中，該等各種化合物可使用，於上述光學記錄材料中所含之固形分中占0~50質量%範圍之量。
本發明之光學記錄媒體中所使用之金屬反射膜，係可使用金、銀、鋁、鎳、銅、或彼等金屬之合金、銀化合物等，藉由蒸鍍法或濺鍍法而形成。亦可根據需要利用熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂或光硬化性樹脂等形成保護層。該金屬反射膜層之厚度為0.001~10 μm、較好的是0.01~5 μm之範圍，該保護層之厚度為2~400 μm、較好的是1.0~200 μm之範圍。
又，上述光學記錄層、金屬反射膜、保護層等，可藉由通常之塗佈方法而形成。至於塗佈方法，可列舉旋塗法、浸漬塗佈法、氣刀塗佈法、簾塗法、流塗法、滾筒塗佈法、線棒塗佈法、Miya棒塗法(法)、刮塗法、管面塗佈法、浮點塗佈法、絲網塗佈法、T－模塗層法、唇形模頭法、斜板式塗佈、狹縫反向塗佈法、凹版塗佈法、使用漏斗之擠出塗佈法(揭示於美國專利第2681294號說明書)等。亦可藉由同時塗佈而形成兩層以上之層。關於同時塗佈法，係揭示於美國專利第2761791號、美國專利第2941898號、美國專利第3508947號、美國專利第3526528號之各說明書、及原崎勇次著「塗佈工程學」第253頁(1973年朝倉書店發行)。
實施例
以下，列舉實施例及比較例，以更詳細說明本發明。但本發明並不受限於下述實施例等。
下述實施例1~6表示使用本發明之雜環化合物的本發明之光學記錄媒體的製造例，比較例1表示使用不同於本發明之雜環化合物之結構的雜環化合物的比較光學記錄媒體的製造例。
又，於下述評價例1－1~1－6中，關於實施例1~6中獲得之光學記錄媒體No.1~No.6，藉由測定UV吸收光譜，而評價利用短波長雷射光之記錄及再生是否適當。將彼等結果示於[表1]。
進而，於下述評價例2－1~2－6及比較評價例2－1中，關於實施例1~6中獲得之光學記錄媒體No.1~No.6及比較例1中獲得之比較光學記錄媒體No.7，藉由測定UV吸收光譜之最大吸收波長(λmax)下之吸光度殘存率而評價耐光性。將彼等結果示於[表2]。
[實施例1~6]
以雜環化合物濃度成為濃度1.0質量%之方式，將雜環化合物No.1~No.3分別溶解於2,2,3,3－四氟丙醇溶液中，根據需要添加淬滅化合物，製成2,2,3,3－四氟丙醇溶液，而獲得光學記錄材料。塗佈鈦螯合化合物(T－50：日本曹達公司製)，使之水解，於設置基底層(0.01 μm)之直徑為12 cm之聚碳酸酯碟基板上，以旋塗法塗佈上述光學記錄材料，形成厚度為100 nm之光學記錄層，分別獲得光學記錄媒體No.1~No.6。
[比較例1]
除使用下述比較化合物No.1作為雜環化合物以外，以與上述實施例1~6相同之方式，分別製備比較例1之光學記錄材料，使用該光學記錄材料，獲得比較光學記錄媒體No.7。
[評價例1－1~1－6]
關於實施例1~6中獲得之光學記錄媒體No.1~No.6，測定UV光譜吸收。將彼等評價結果示於[表1]。再者，使用下述[化18]所示之化合物α或化合物β作為淬滅化合物。
由[表1]之結果可明確，具有由本發明之光學記錄材料所形成之光學記錄層的光學記錄材媒體No.1~No.6，其於UV光譜吸收中，顯示出340~450 nm左右之λmax，且任一光學記錄媒體均可藉由380~420 nm之雷射光進行記錄。
[評價例2－1~2－6及比較評價例2－1]
對實施例1~6中獲得之光學記錄媒體No.1~No.6及比較例1中獲得之比較光學記錄媒體No.7進行耐光性評價。評價係對該光學記錄媒體及該比較光學記錄媒體分別照射55000勒克斯之光24小時、48小時之後，測定於照射前之UV吸收光譜之λmax下的吸光度殘存率。將結果示於[表2]。
如[表2]所明示，本發明之光學記錄媒體於照射24小時後及照射48小時後，其吸光度殘存率均較高且耐光性均良好。另一方面，具有由含有比較化合物之光學記錄材料所形成之光學記錄層的比較光學記錄媒體，於照射24小時後可見吸光度殘存率降低，進而照射48小時後可見吸光度殘存率顯著降低且耐光性不佳。
產業上之可利用性
根據本發明，可提供一種耐光性較高之短波長記錄光用之光學記錄媒體。

Claims (6)

  1. 一種光學記錄媒體，其特徵在於：於基體上，具有光學記錄層，該光學記錄層係由含有至少一種之以下述通式(I)所表示之雜環化合物的光學記錄材料所形成： (式中，Z1 表示氧原子、硫原子、硒原子、-CR5 R6 -、-NH-或-NR-，R5 及R6 各自獨立表示碳原子數為1~8之烷基、碳原子數為6~20之芳基、碳原子數為7~20之芳烷基或以下述通式(II)所表示之取代基，R5 與R6 可連接成環，R表示氫原子、碳原子數為1~8之烷基、碳原子數為6~20之芳基或碳原子數為7~20之芳烷基；R1 及R2 各自獨立表示氫原子、鹵基、氰基、碳原子數為1~8之烷基或碳原子數為7~20之芳烷基，R3 及R4 各自獨立表示碳原子數為1~8之烷基、碳原子數為6~20之芳基或可連接形成不含有多重鍵之雜環的基團；Y1 表示氫原子、碳原子數為1~8之烷基、碳原子數為6~20之芳基或碳原子數為7~20之芳烷基；R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 或R所表示之上述碳原子數為1~8之烷基，R3 、R4 、R5 、R6 、R或Y1 所表示之碳原子數為6~20之芳基，以及R1 、R2 、R5 、R6 、R或Y1 所表示之碳原子數為7~20之芳烷基，均可具有取代 基，上述碳原子數為1~8之烷基中之亞甲基可被-O-或-CH=CH-置換；Anq- 表示q價之陰離子，q表示1或2之數，p表示將電荷保持於中性之係數，n表示1至4之數)； (式中，R7 ~R10 各自獨立表示氫原子、鹵素原子或碳原子數為1~4之烷基，該烷基中之亞甲基可被-O-或-CO-置換，R7 與R8 可連接成環)。
  2. 一種光學記錄媒體，其特徵在於：於基體上，具有光學記錄層，該光學記錄層係由含有至少一種之以下述通式(III)所表示之雜環化合物的光學記錄材料所形成： (式中，Z1 表示氧原子、硫原子、硒原子、-CR5 R6 -、-NH-或-NR-，R5 及R6 各自獨立表示碳原子數為1~8之烷基、碳原子數為6~20之芳基、碳原子數為7~20之芳烷基或以下述通式(II)所表示之取代基，R5 與R6 可連接成環，R表示氫原子、碳原子數為1~8之烷基、碳原子數為6~20之芳基或碳原子數為7~20之芳烷基；R1 及R2 各自獨立表示氫原子、鹵基、氰基、碳原子數為1~8之烷基或碳原子 數為7~20之芳烷基，R3 及R4 各自獨立表示碳原子數為1~8之烷基或碳原子數為6~20之芳基；R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 或R所表示之上述碳原子數為1~8之烷基，R3 、R4 、R5 、R6 或R所表示之碳原子數為6~20之芳基，以及R1 、R2 、R5 、R6 或R所表示之碳原子數為7~20之芳烷基，均可具有取代基，上述碳原子數為1~8之烷基中之亞甲基可被-O-或-CH=CH-置換；Anq- 表示q價之陰離子，q表示1或2之數，p表示將電荷保持於中性之係數；R11 表示氫原子、碳原子數為1~8之烷基、鹵素原子、硝基、氰基或胺基，Y2 表示以下述通式(IV)所表示之取代基，m為1至4之數)； (式中，R7 ~R10 各自獨立表示氫原子、鹵素原子或碳原子數為1~4之烷基，該烷基中之亞甲基可被-O-或-CO-置換，R7 與R8 可連接成環)； (式中，Ra ~Ri 各自獨立表示氫原子、羥基或碳原子數為1~4之烷基，該烷基中之亞甲基可被-O-或-CO-置換，Z2 表示直接鍵或可具有取代基之碳原子數為1~8之伸烷基，該伸烷基中之亞甲基可被-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-SO2 -、-NH-、-CONH-、-NHCO-、-N=CH-或-CH=CH-置換，M表示金屬原子)。
  3. 如請求項1或2之光學記錄媒體，其中上述光學記錄材料中，上述雜環化合物之含量為0.1~10質量%。
  4. 如請求項1或2之光學記錄媒體，其中上述光學記錄材料中，進而含有淬滅化合物。
  5. 如請求項4之光學記錄媒體，其中上述淬滅化合物係以下述通式(IX)所表示之二亞銨化合物： (式中，R18 、R19 、R20 、R21 、R22 、R23 、R24 及R25 分別獨立表示氫原子或可具有取代基之碳原子數為1~8之烷基，R26 、R27 、R28 及R29 分別獨立表示氫原子、鹵素原子、可具有取代基之碳原子數為1~8之烷基或可具有取 代基之胺基，該烷基中之亞甲基可被-O-或-CH=CH-置換，r表示1~4之數，Anq- 、p及q與上述通式(I)相同)。
  6. 如請求項4之光學記錄媒體，其中上述淬滅化合物係以下述通式(X)所表示之金屬錯合物： (式中，M表示鎳原子、鈷原子或銅原子，R30 及R31 表示鹵素原子、碳原子數為1~8之烷基、碳原子數為6~30之芳基或-SO2 -G基，G表示烷基、可被鹵素原子取代之芳基、二烷基胺基、二芳基胺基、哌啶基或嗎啉基，f及g分別獨立表示0~4之數)。
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