CN101374672A - 光学记录介质 - Google Patents

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Abstract

一种光学记录介质,其特征在于:在基体上具有由含有由通式(I)表示的杂环化合物的至少一种的光学记录材料形成的光学记录层,式中,Z1表示氧原子、硫原子、-CR5R6-等(R5和R6表示由烷基、芳烷基等表示的取代基,R5和R6也可以连接成环),R1和R2表示氢原子等,R3和R4表示碳原子数为1~8的烷基、或连接形成不含不饱和键的杂环的基团。Y1表示氢原子、碳原子数为1~8的烷基或芳环烯金属衍生物取代基等。Anq-表示q价的阴离子,q表示1或2的数,p表示保持电荷为中性的系数,n表示1~4的数。

Description

光学记录介质
技术领域
本发明涉及通过利用激光等提供为信息图案的形式来记录信息的光学记录介质,详细地说,本发明涉及可以高密度的光学记录和再生的光学记录介质,其利用具有紫外和可见区域波长且低能量的激光等。
背景技术
光学记录介质一般都具有记录容量大、记录和再生以非接触的方式进行等优异的特征,因而得到广泛普及。WORM、CD—R、DVD±R等追加记录型光盘是将激光聚集在记录层的极小面积上并改变光学记录层的性质状态来进行记录,并根据记录部分与未记录部分的反射光量的不同来进行再生。
目前,在上述光盘中,用于记录和再生的半导体激光的波长为:对CD—R而言为750~830nm,对DVD—R而言为620nm~690nm,为了实现容量的进一步增加,对使用短波长激光的光盘进行了研究,例如正在研究使用380~420nm的光作为记录光。
作为短波长记录光用光学记录介质,例如在专利文献1中报道了含有具有特定结构的花青化合物的光信息记录介质;在专利文献2中报道了使用了半菁(hemicyanine)染料的光学记录介质;在专利文献3中报道了使用了三次甲基花青类色素的光学记录介质。但是,这些化合物作为短波长记录光用光学记录介质,其吸收波长特性未必适合,或者无法得到令人满意的溶解性和耐光性。
专利文献1:特开2001-301333号公报
专利文献2:特开2001-342365号公报
专利文献3:特开2004-98542号公报
发明内容
因此,本发明的目的在于提供一种耐光性高的短波长记录光用光学记录介质。
本发明者等经过反复研究,发现一种具有特定分子结构的杂环化合物,该杂环化合物具有适合短波长记录光用光学记录介质的吸收波长特性,通过使用该杂环化合物,可以解决上述问题。
本发明是基于上述认识而提出的,本发明通过提供一种光学记录介质而实现上述目的,该光学记录介质的特征在于:在基体上具有由含有下述通式(I)表示的杂环化合物的至少一种的光学记录材料形成的光学记录层。
Figure A200780003124D00071
(式中,Z1表示氧原子、硫原子、硒原子、—CR5R6—、—NH—或—NR—,R5和R6各自独立地表示碳原子数为1~8的烷基、碳原子数为6~20的芳基、碳原子数为7~20的芳烷基或下述通式(II)表示的取代基,R5和R6也可以连接成环,R表示氢原子、碳原子数为1~8的烷基、碳原子数为6~20的芳基或碳原子数为7~20的芳烷基。R1和R2各自独立地表示氢原子、卤基、氰基、碳原子数为1~8的烷基或碳原子数为7~20的芳烷基,R3和R4各自独立地表示碳原子数为1~8的烷基、碳原子数为6~20的芳基或连接形成不含不饱和键的杂环的基团。Y1表示氢原子、碳原子数为1~8的烷基、碳原子数为6~20的芳基或碳原子数为7~20的芳烷基。R1、R2、R3、R4、R5、R6或R表示的上述碳原子数为1~8的烷基、R3、R4、R5、R6、R或Y1表示的碳原子数为6~20的芳基和R1、R2、R5、R6、R或Y1表示的碳原子数为7~20的芳烷基都可以具有取代基,上述碳原子数为1~8的烷基中的亚甲基可以被—O—或—CH=CH—取代。Anq-表示q价的阴离子,q表示1或2的数,p表示保持电荷为中性的系数,n表示1~4的数。)
Figure A200780003124D00081
(式中,R7~R10各自独立地表示氢原子、卤原子或碳原子数为1~4的烷基,该烷基中的亚甲基可以被—O—或—CO—取代,R7和R8也可以连接成环。)
另外,本发明还通过提供一种光学记录介质来实现上述目的,该光学记录介质的特征在于:在基体上具有由含有下述通式(III)表示的杂环化合物的至少一种的光学记录材料形成的光学记录层。
(式中,Z1、R1、R2、R3、R4、R、Anq-、q和p与上述通式(I)相同,R11表示氢原子、碳原子数为1~8的烷基、卤原子、硝基、氰基或氨基,邻接的R3也可以相互连接成环,Y2表示下述通式(IV)表示的取代基,m是1~4的数。)
Figure A200780003124D00083
(式中,Ra~Ri各自独立地表示氢原子、羟基或碳原子数为1~4的烷基,该烷基中的亚甲基可以被—O—或—CO—取代,Z2表示直接键合或可以具有取代基的碳原子数为1~8的亚烷基,该亚烷基中的亚甲基可以被—O—、—S—、—CO—、—COO—、—OCO—、—SO2—、—NH—、—CONH—、—NHCO—、—N=CH—或—CH=CH—取代,M表示金属原子。)
另外,本发明还通过提供一种光学记录介质来实现上述目的,该光学记录介质的特征在于:在基体上具有由含有下述通式(V)表示的杂环化合物的至少一种的光学记录材料形成的光学记录层。
Figure A200780003124D00091
(式中,Z1、R1、R2、R3、R4、R、Y1、q、p和n和上述通式(I)相同,R11和上述通式(III)相同,X表示q价的淬灭剂阴离子。)
具体实施方式
以下,基于优选的实施方式对本发明的光学记录介质进行详细说明。
在本发明的杂环化合物中,作为上述通式(I)中的R1、R2、R3、R4以及Z1中的基团的R5、R6以及R表示的碳原子数为1~8的烷基,可以列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、叔戊基、己基、环己基、环己基甲基、环己基乙基、庚基、异庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、叔辛基、2-乙基己基等。作为R3、R4、Y1以及Z1中的基团的R5、R6以及R表示的碳原子数为6~20的芳基,可以列举出苯基、萘基、蒽-1-基、菲-1-基等;作为R1、R2、Y1以及Z1中的基团的R4、R5以及R表示的碳原子数为7~20的芳烷基可以列举出苄基、苯乙基、2-苯基丙烷、二苯基甲基、三苯基甲基、苯乙烯基、肉桂基等。
作为上述通式(I)中的R1和R2以及上述通式(III)和(V)中的R11表示的卤原子,可以列举出氟、氯、溴、碘。
作为上述通式(I)中的Z1中的基团的R5和R6连接形成的环结构,可以列举出环丙烷环、环丁烷环、环戊烷环、环己烷环、四氢吡喃环、哌啶环、哌嗪环、吡咯烷环、吗啉环、硫代吗啉环、吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、哒嗪环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、咪唑环、噁唑环、咪唑烷环、吡唑烷环、噻唑烷环、异噻唑烷环、噁唑烷环、异噁唑烷环等,这些环可以和其它环缩合,也可以被取代。
作为上述通式(I)中的R3和R4连接形成的不含不饱和键的杂环,可以列举出吡咯烷环、咪唑烷环、吡唑烷环、噻唑烷环、异噻唑烷环、噁唑烷环、异噁唑烷环、哌啶环、哌嗪环、吗啉环等。
R1、R2、R3、R4、R5、R6或R表示的上述碳原子数为1~8的烷基、R3、R4、R5、R6、R或Y1表示的碳原子数为6~20的芳基以及R1、R2、R5、R6、R或Y1表示的碳原子数为7~20的芳烷基都可以具有取代基,上述碳原子数为1~8的烷基中的亚甲基可以被—O—或—CH=CH—取代。作为该取代基,可以列举出下述基团。另外,R1~R5和R是上述碳原子数为1~8的烷基等含有碳原子的基团,而且,这些基团在为以下取代基中也具有含碳原子的取代基时,含该取代基的R1~R4以及R的总碳原子数要满足规定的范围。
作为上述取代基,可以列举出例如甲基、乙基、丙基、异丙基、环丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、叔戊基、环戊基、己基、2-己基、3-己基、环己基、二环己基、1-甲基环己基、庚基、2-庚基、3-庚基、异庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、叔辛基、2-乙基己基、壬基、异壬基、癸基等烷基;甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、异丁氧基、戊氧基、异戊氧基、叔戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、异庚氧基、叔庚氧基、正辛氧基、异辛氧基、叔辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基等烷氧基;甲基硫基、乙基硫基、丙基硫基、异丙基硫基、丁基硫基、仲丁基硫基、叔丁基硫基、异丁基硫基、戊基硫基、异戊基硫基、叔戊基硫基、己基硫基、环己基硫基、庚基硫基、异庚基硫基、叔庚基硫基、正辛基硫基、异辛基硫基、叔辛基硫基、2-乙基己基硫基等烷基硫基;乙烯基、1-甲基乙烯基、2-甲基乙烯基、2-丙烯基、1-甲基-3-丙烯基、3-丁烯基、1-甲基-3-丁烯基、异丁烯基、3-戊烯基、4-己烯基、环己烯基、二环己烯基、庚烯基、辛烯基、癸烯基、十五烯基、二十烯基、二十三烯基等链烯基;苄基、苯乙烯、二苯基甲基、三苯基甲基、苯乙烯基、肉桂基等芳烷基;苯基、萘基等芳基;苯氧基、萘氧基等芳氧基;苯硫基、萘硫基等芳硫基;吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、哌啶基、吡喃基、吡唑基、三嗪基、吡咯基、喹啉基、异喹啉基、咪唑基、苯并咪唑基、三唑基、呋喃基(furyl)、呋喃基(furanyl)、苯并呋喃基(benzofuranyl)、噻嗯基、噻吩环、苯并噻吩环、噻二唑基、噻唑基、苯并噻唑基、噁唑基、苯并噁唑基、异噻唑基、异噁唑基、吲哚基、2-吡咯烷酮-1-基、2-哌啶酮-1-基、2,4-二氧代咪唑烷-3-基、2,4-二氧代噁唑烷-3-基等杂环基;氟、氯、溴、碘等卤原子;乙酰基、2-氯代乙酰基、丙酰基、辛酰基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、苯基羰基(苯甲酰基)、邻苯二甲酰基、4-三氟甲基苯甲酰基、新戊酰基、水杨酸酰基、乙酰基(oxaloyl)、十八烷酰基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、叔丁氧基羰基、正十八烷氧基羰基、氨基甲酰基等酰基;乙酰氧基、苯甲酰氧基等酰氧基;氨基、乙基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、丁基氨基、环戊基氨基、2-乙基己基氨基、十二烷基氨基、苯胺基、氯代苯基氨基、甲苯氨基、茴香氨基、N-甲基苯胺基、二苯基氨基、萘基氨基、2-吡啶基氨基、甲氧羰基氨基、苯氧羰基氨基、乙酰氨基、苯甲酰基氨基、甲酰氨基、新戊酰氨基、月桂酰氨基、氨基甲酰氨基、N.N-二甲基氨基羰基氨基、N,N-二乙基氨基羰基氨基、吗啉基羰基氨基、甲氧基羰基氨基、乙氧基羰基氨基、叔丁氧基羰基氨基、正十八烷氧基羰基氨基、N-甲基-甲氧基羰基氨基、苯氧基羰基氨基、氨磺酰基氨基、N,N-二甲基氨基磺酰基氨基、甲基磺酰氨基、丁基磺酰氨基、苯基磺酰氨基等取代氨基;磺酰胺基、磺酰基、羧基、氰基、磺基、羟基、硝基、巯基、酰亚胺基、氨基甲酰基、磺酰胺基等,这些基团也可以进一步被取代。另外,羧基和磺基也可以形成盐。
在上述通式(I)中,作为Anq-表示的阴离子,例如,作为一价阴离子,可以列举出氯阴离子、溴阴离子、碘阴离子、氟阴离子等卤素阴离子;高氯酸阴离子、氯酸阴离子、硫氰酸阴离子、六氟化磷阴离子、六氟化锑阴离子、四氟化硼阴离子等无机系阴离子;苯磺酸阴离子、甲苯磺酸阴离子、三氟甲烷磺酸阴离子、二苯基胺-4-磺酸阴离子、2-氨基-4-甲基-5-氯代苯磺酸阴离子、2-氨基-5-硝基苯磺酸阴离子、特开2004—53799号公报中记载的磺酸阴离子等有机磺酸阴离子;辛基磷酸阴离子、十二烷基磷酸阴离子、十八烷基磷酸阴离子、苯基磷酸阴离子、壬基苯基磷酸阴离子、2,2’-亚甲基双(4,6-二叔丁基苯基)膦酸阴离子等有机磷酸系阴离子;双三氟甲基磺酰亚胺阴离子、双全氟丁烷磺酰亚胺阴离子、全氟-4-乙基环己烷磺酸盐阴离子、四(五氟苯基)硼酸阴离子等,作为二价阴离子,例如可以列举出苯二磺酸阴离子、萘二磺酸阴离子等。另外,根据需要也可使用具有使处于激发态的活性分子去激发(淬灭)功能的淬灭剂阴离子或在环戊二烯基环上具有羧基或膦酸基、磺酸基等阴离子性基团的二茂铁、二茂钌等茂金属化合物阴离子等。
作为上述的淬灭剂阴离子,例如可以列举出由下述通式(A)、(B)或下述通式(C)表示的、特开昭60-234892号公报、特开平5-43814号公报、特开平5-305770号公报、特开平6-239028号公报、特开平9-309886号公报、特开平9-323478号公报、特开平10-45767号公报、特开平11-208118号公报、特开2000-168237号公报、特开2002-201373号公报、特开2002-206061号公报、特开2005-297407号公报、特公平7-96334号公报、国际公开98/29257号公报等中记载的阴离子。
(式中,M表示镍原子、钴原子或铜原子;R12和R13表示卤原子、碳原子数为1~8的烷基、碳原子数为6~30的芳基或—SO2—G基,G表示烷基、可以由卤原子取代的芳基、二烷基氨基、二芳基氨基、哌啶基或吗啉基;a和b分别独立地表示0~4的数。另外,R14、R15、R16和R17各自独立地表示烷基、烷基苯基、烷氧基苯基或卤代苯基。)
Figure A200780003124D00131
作为上述通式(II)中的R7~R10以及上述通式(IV)中的Ra~Ri表示的碳原子数为1~4的烷基,可以列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基等。作为该烷基中的亚甲基被—O—取代形成的基团,可以列举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、甲氧基甲基、乙氧基甲基、2-甲氧基乙基等;作为该烷基中的亚甲基被—CO—取代基取代形成的基团,可以列举出乙酰基、1-羰基乙基、乙酰基甲基、1-羰基丙基、2-氧代丁基、2-乙酰基乙基、1-羰基异丙基等,作为上述通式(III)中的R11表示的碳原子数为1~8的烷基,可以列举出上述通式(I)中例示的那些基团。
在上述通式(II)中,作为R7~R10表示的卤原子,可以列举出氟、氯、溴、碘,作为R7和R8连接形成的环结构,可以列举出环丙烷环、环丁烷环、环戊烷环、环己烷环、四氢吡喃环、哌啶环、哌嗪环、吡咯烷环、吗啉环、硫代吗啉环、吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、哒嗪环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、咪唑环、噁唑环、咪唑烷环、吡唑烷环、异噁唑烷环、异噻唑烷环等,这些环可以和其它环缩合,也可以被取代。
在上述通式(IV)中,作为可以具有Z2表示的取代基的碳原子数为1~8亚烷基,可以列举出亚甲基、亚乙基、亚丙基、甲基亚乙基、亚丁基、1-甲基亚丙基、2-甲基亚丙基、1,2-二甲基亚丙基、1,3-二甲基亚丙基、1-甲基亚丁基、2-甲基亚丁基、3-甲基亚丁基、4-甲基亚丁基、2,4-二甲基亚丁基、1,3-二甲基亚丁基、亚戊基、亚己基、亚庚基、亚辛基、乙烷-1,1-二基、丙烷-2,2-二基等。作为该亚烷基中的亚甲基被—O—、—S—、—CO—、—COO—、—OCO—、—SO2—、—NH—、—CONH—、—NHCO—、—N=CH—或—CH=CH—取代形成的基团,可以列举出亚甲基氧基、亚乙基氧基、氧代亚甲基、硫代亚甲基、羰基亚甲基、羰基氧基亚甲基、亚甲基羰基氧基、磺酰基亚甲基、氨基亚甲基、乙酰基氨基、亚乙基羧基酰胺基、乙烷酰亚胺基、亚乙烯基、亚丙烯基等,作为M表示的金属原子,可以列举出Fe、Co、Ni、Ti、Cu、Zn、Zr、Cr、Mo、Os、Mn、Ru、Sn、Pd、Rh、Pt、Ir等。
在上述通式(I)表示的杂环化合物中,优选下述通式(VI)表示的杂环化合物,因为该杂环化合物制造成本低,而且特别适合用于吸收波长特性为380~420nm的短波长用激光用光学记录介质。
Figure A200780003124D00141
(式中,R1、R2、R3、R4、R5、R6、Y1、Anq-、p、q和n和上述通式(I)相同。)
在上述通式(III)表示的杂环化合物中,优选下述通式(VII)表示的杂环化合物,因为该杂环化合物制造成本低,而且特别适合用于吸收波长特性为380~420nm的短波长用激光用光学记录介质。
Figure A200780003124D00142
(式中,R1、R2、R3、R4、R5、R6、Anq-、p和q与上述通式(I)相同,R11和Y2和上述通式(III)相同。)
在上述通式(V)表示的杂环化合物中,优选下述通式(VIII)表示的杂环化合物,因为该杂环化合物制造成本低,而且特别适合用于吸收波长特性为380~420nm的短波长用激光用光学记录介质。
Figure A200780003124D00151
(式中,R1、R2、R3、R4、R5、R6、Y1、p和q和上述通式(I)相同,R11和上述通式(III)相同,X和上述通式(V)相同。)
作为本发明的上述通式(I)、(III)和(V)表示的杂环化合物的具体例子,可以列举出下述化合物No.1~18。
Figure A200780003124D00161
Figure A200780003124D00171
Figure A200780003124D00181
本发明的上述通式(I)、(III)和(V)表示的杂环化合物的制造方法没有特别的限定,可以通过使用了公知普通的反应的方法得到。例如,上述通式(I)表示的杂环化合物中,R2为氢原子的化合物如下述[化14]表示的反应式所示,可以通过使用三氯氧化磷等反应剂,使2-甲基杂环衍生物和甲酰胺衍生物反应,再根据需要进行阴离子交换的方法来合成。另外,上述通式(III)和(V)表示的杂环化合物也可以同样地合成。另外,2-甲基杂环衍生物和甲酰胺衍生物可以通过常规方法合成。
Figure A200780003124D00191
(式中,Z1、R1、R3、R4、R、Y1、q、p和n的定义与上述通式(I)相同,D表示阴离子。)
另外,上述[化14]中,Y1表示的取代基可以通过与吲哚环的N-H基的反应的Y1-D(D表示氯、溴、碘等卤素基;苯基磺酰氧基、4-甲基苯基磺酰氧基、4-氯苯基磺酰氧基等磺酰氧基等)表示的化合物而引入。
作为本发明的光学记录介质的代表性的结构,可以列举出在基体上具有光学记录层,以及根据需要设置的金属反射膜、保护层、基底层、阻隔层等各层的光学记录介质,其中上述光学记录层由含有上述通式(I)、(III)和(V)所示的杂环化合物中的任意至少1种的光学记录材料形成。
本发明的光学记录介质中使用的基体的材质,只要是相对于写入(记录)光和读出(再生)光基本上是透明的,就没有特别的限制,可以使用例如聚(甲基)丙烯酸甲酯、聚(甲基)丙烯酸酯、聚碳酸酯、无定形聚烯烃、聚苯乙烯、聚酯、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、三乙酰基纤维素、聚乙烯基吡咯烷酮、环氧树脂等树脂、玻璃、陶瓷、金属等,或者在这些树脂或玻璃等上形成溅射膜的基体。另外,它们的形状根据用途可以使用膜状、条状、鼓状、带状、卡片状、盘状等任意的形状。该基板的厚度是0.1~2.0mm,优选为0.8~1.3mm。
由含有上述通式(I)、(III)和(V)所示的杂环化合物中的任意至少一种的光学记录材料形成的光学记录层是通过使用激光等以信息图案的形式记录信息信号,从而具有可以记录信息或改写信息的功能的层,该层以薄膜的形式形成。该光学记录层的厚度为0.001~10μm,优选为0.01~5μm的范围。
另外,上述光学记录材料中的上述杂环化合物的含量优选为0.1~10质量%,更优选为1.0~5.0质量%。
制造具有上述光学记录层的光学记录介质的方法没有特别的限制,可以使用公知的方法。例如,制造在后述的有机溶剂中溶解了上述通式(I)、(III)和(V)表示的杂环化合物中的任意至少1种以及根据需要用于淬灭剂单态氧的淬灭剂化合物等各种化合物的溶液状光学记录材料,可以使用将该光学记录材料旋涂、喷涂、浸涂等涂布到基体上的湿法涂布法。另外,还可以使用蒸镀法、溅射法等。
作为上述有机溶剂,可以列举出甲醇、乙醇等低级醇类;甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丁基溶纤剂、丁基二甘醇等醚醇类;丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环己酮、双丙酮醇等酮类;乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸甲氧基乙酯等酯类;丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯等丙烯酸酯类;2,2,3,3-四氟丙醇等氟代醇类;苯、甲苯、二甲苯等烃类;二氯甲烷、二氯乙烷、三氯甲烷等氯代烃类等。在使用上述有机溶剂时,其用量优选为上述光学记录材料中的上述杂环化合物的含量的0.1~10质量%的量。
作为上述根据需要添加的淬灭剂化合物,可以列举出二亚胺鎓(diimmonium)化合物、金属配位化合物、芳香族亚硝基化合物、铵鎓化合物、亚胺鎓化合物(immonium)等。
上述二亚胺鎓盐化合物可以列举出下述通式(IX)表示的化合物。
Figure A200780003124D00211
(式中,R18、R19、R20、R21、R22、R23、R24和R25各自独立地表示氢原子或可以具有取代基的碳原子数为1~8的烷基,R26、R27、R28和R29各自独立地表示氢原子、卤原子、可以具有取代基的碳原子数为1~8的烷基或可以具有取代基的氨基,该烷基中的亚甲基可以被—O—或—CH=CH—取代,r表示1~4的数,Anq-、p和q与上述通式(I)相同。)
在上述通式(IX)中,R18、R19、R20、R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27、R28和R29表示的可以具有取代基的碳原子数为1~8的烷基,可以列举出上述通式(I)中的R1~R6等表示的那些基团;作为R18、R19、R20、R21、R22、R23、R24和R25表示的卤原子,可以列举出上述通式(I)中的R1、R2等表示的那些;作为R18、R19、R20、R21、R22、R23、R24和R25表示的可以具有取代基的氨基,可以列举出氨基、乙基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、丁基氨基、环戊基氨基、2-乙基己基氨基、十二烷基氨基、苯胺基、氯代苯胺基、甲苯胺基、甲氧苯胺基、N-甲基-苯胺基、二苯基氨基、萘基氨基、2-吡啶基氨基、甲氧基羰基氨基、苯氧基羰基氨基、乙酰氨基、苯甲酰氨基、甲酰胺基、三甲基乙酰氨基、月桂酰胺基、氨基甲酰氨基、N,N-二甲基氨基羰基氨基、N,N-二乙基氨基羰基氨基、吗啉基羰基氨基、甲氧基羰基氨基、乙氧基羰基氨基、叔丁氧基羰基氨基、正十八烷氧基羰基氨基、N-甲基-甲氧基羰基氨基、苯氧基羰基氨基、氨磺酰胺基、N,N-二甲基氨基磺酰胺基、甲磺酰胺基、丁磺酰胺基、苯磺酰胺基等。
作为上述金属配位化合物,可以列举出下述通式(X)表示的化合物。
Figure A200780003124D00221
(式中,M表示镍原子、钴原子或铜原子;R30和R31表示卤原子、碳原子数为1~8的烷基、碳原子数为6~30的芳基或—SO2—G基,G表示烷基、可以由卤原子取代的芳基、二烷基氨基、二芳基氨基、哌啶基或吗啉基;f和g分别独立地表示0~4的数。)
在含有上述淬灭剂化合物时,在上述光学记录材料中含有的固体成分中,淬灭剂化合物的含量优选为0~99质量%,更优选为50~95质量%。
作为根据需要添加的其它各种化合物,可以列举出偶氮类化合物、酞菁类化合物、氧杂菁(oxonol)类化合物、方酸内鎓盐类化合物、吲哚化合物、苯乙烯类化合物、卟吩类化合物、甘菊环型鎓(azulenium)类化合物、克酮酸亚甲酯(croconic methine)类化合物、吡喃鎓盐类化合物、硫代吡喃鎓盐类化合物、三芳基甲烷类化合物、二苯基甲烷类化合物、四氢胆碱类化合物、靛酚类化合物、蒽醌类化合物、萘醌类化合物、呫吨(xanthene)类化合物、噻嗪类化合物、吖啶类化合物、噁嗪类化合物、螺吡喃类化合物、芴类化合物、若丹明类化合物等通常可用于光学记录层的化合物;聚乙烯、聚酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯等树脂类;表面活性剂;抗静电剂;润滑剂;阻燃剂;受阻胺等自由基捕获剂;二茂铁衍生物等凹点(pit)形成促进剂;分散剂;抗氧化剂;交联剂;粘合剂;耐光性赋予剂;紫外线吸收剂;增塑剂等。在上述光学记录材料中,这些各种化合物以在上述的光学记录材料所含有的固体成分中为0~50质量%的量使用。
本发明的光学记录介质中使用的金属反射膜可以使用金、银、铝、镍、铜或这些金属的合金、银化合物等,通过蒸镀法或溅射法形成。根据需要,还可以通过热塑性树脂、热固化性树脂或光固化性树脂等形成保护层。该金属反射膜层的厚度为0.001~10μm,优选为0.01~5μm,该保护层的厚度为2~400μm,优选为1.0~200μm。
另外,上述光学记录层、金属反射膜、保护层等可以通过一般的涂布方法形成。作为涂布方法,可以列举出喷涂法、浸涂法、气刀涂布法、帘幕式涂布法、流涂法、辊涂法、环棒(wire bar)涂布法、线棒涂布法、刮涂法、网目(Screen)涂布法、逗号式(comma)涂布法、丝网涂布法、T-模涂布法、唇状口模(lip die)涂布法、坡流(slide coat)涂布法、狭缝翻转(slit reverse)涂布法、凹版涂布法、使用给料器的挤出式涂布法(美国专利第2681294号说明书记载)等。也可以通过同时涂布形成两层以上的层。关于同时涂布法,例如在美国专利第2761791号、美国专利第2941898号、美国专利第3508947号、美国专利第3526528号的各说明书以及原崎勇次著“コ—テイング工学”253页(1973年朝仓书店发行)中有记载。
实施例
以下,举出实施例和比较例对本发明进行更详细地说明。但是,本发明并不受到下述实施例等的任何限制。
下述实施例1~6表示使用了本发明的杂环化合物的本发明的光学记录介质的制造例,比较例1表示比较光学记录介质的制造例,该比较光学记录介质的制造例使用了结构和本发明的杂环化合物不同的杂环化合物。
另外,在下述评价例1-1~1-6中,通过对实施例1~6得到的光学记录介质No.1~No.6测定UV吸收光谱,评价是否适用短波长激光的记录和再生。它们的结果如[表1]所示。
然后,在下述评价例2-1~2-6和比较评价例2-1中,通过测定UV吸收光谱的最大吸收波长(λ max)中的吸光度残留率,评价由实施例1~6得到的光学记录介质No.1~No.6以及比较例1得到的比较光学记录介质No.7的耐光性。它们的结果如[表2]所示。
[实施例1~6]
将杂环化合物No.1~No.3分别溶解到2,2,3,3-四氟丙醇溶液中,以使杂环化合物的浓度为1.0质量%,根据需要加入淬灭剂化合物,以2,2,3,3-四氟丙醇溶液的形式分别得到光学记录材料。将钛螯合物(T-50:日本曹达公司制造)涂布,水解,在设置了基底层(0.01μm)的直径12cm的聚碳酸酯圆盘基板上,通过旋涂法涂布上述光学记录材料,形成厚度100nm的光学记录层,分别得到光学记录介质No.1~No.6。
[比较例1]
除了使用下述比较例化合物No.1作为杂环化合物以外,按照和上述实施例1~6同样的步骤,分别制备比较例1的光学记录材料,使用该光学记录材料得到比较光学记录介质No.7。
比较化合物No.1
Figure A200780003124D00241
[评价例1-1~1-6]
对由实施例1~6得到的光学记录介质No.1~No.6,测定UV光谱吸收。它们的评价结果如[表1]所示。另外,使用下述[化18]表示的化合物α或化合物β作为淬灭剂化合物。
[表1]
 
杂环化合物 淬灭剂化合物 光学记录介质 λ max(nm)
评价例1-1 化合物No.1 光学记录介质No.1 373.0
评价例1-2 化合物No.2 光学记录介质No.2 370.0
评价例1-3 化合物No.3 光学记录介质No.3 380.0,*564.0
评价例1-4 化合物No.1 化合物α 光学记录介质No.4 372.0
评价例1-5 化合物No.2 化合物α 光学记录介质No.5 370.0
评价例1-6 化合物No.2 化合物β 光学记录介质No.6 372.0
*表示淬灭剂阴离子部的吸收(564.0nm)。
化合物α                         化合物β
从表1的结果表明,具有由本发明的光学记录材料形成的光学记录层的光学记录介质No.1~No.6在UV光谱吸收中,在340~450nm附近显示出λmax,任何一个光学记录介质都可以用380~420nm的激光记录。
[评价例2-1~2-6和比较评价例2-1]
对由实施例1~6得到的光学记录介质No.1~No.6和比较例1得到的光学记录介质No.7,评价耐光性。评价是对该光学记录介质以及该比较光学介质照射55000勒克斯的光,分别照射24小时、48小时后,测定照射前的UV吸收光谱在λ max下的吸光度残留率。结果示于[表2]中。
[表2]
Figure A200780003124D00252
从[表2]表明,本发明的光学记录介质在照射24小时后和照射48小时后的吸光度残留率都较高,耐光性良好。另一方面,具有由含有比较化合物的光学记录材料形成的光学记录层的比较光学记录介质在照射24小时后,发现吸光度残留率降低,另外,在照射48小时后,发现吸光度残留率明显降低,耐光性不好。
根据本发明,可以提供耐光性高的短波长记录光用光学记录介质。

Claims (7)

1.一种光学记录介质,其特征在于:在基体上具有由含有下述通式(I)表示的杂环化合物的至少一种的光学记录材料形成的光学记录层,
Figure A200780003124C00021
式中,Z1表示氧原子、硫原子、硒原子、—CR5R6—、—NH—或—NR—,R5和R6各自独立地表示碳原子数为1~8的烷基、碳原子数为6~20的芳基、碳原子数为7~20的芳烷基或下述通式(II)表示的取代基,R5和R6也可以连接成环,R表示氢原子、碳原子数为1~8的烷基、碳原子数为6~20的芳基或碳原子数为7~20的芳烷基;R1和R2各自独立地表示氢原子、卤基、氰基、碳原子数为1~8的烷基或碳原子数为7~20的芳烷基,R3和R4各自独立地表示碳原子数为1~8的烷基、碳原子数为6~20的芳基或连接形成不含不饱和键的杂环的基团;Y1表示氢原子、碳原子数为1~8的烷基、碳原子数为6~20的芳基或碳原子数为7~20的芳烷基;R1、R2、R3、R4、R5、R6或R表示的所述碳原子数为1~8的烷基、R3、R4、R5、R6、R或Y1表示的碳原子数为6~20的芳基和R1、R2、R5、R6、R或Y1表示的碳原子数为7~20的芳烷基都可以具有取代基,所述碳原子数为1~8的烷基中的亚甲基可以被一O—或—CH=CH—取代;Anq-表示q价的阴离子,q表示1或2的数,p表示保持电荷为中性的系数,n表示1~4的数;
Figure A200780003124C00022
式中,R7~R10各自独立地表示氢原子、卤原子或碳原子数为1~4的烷基,该烷基中的亚甲基可以被—O—或—CO—取代,R7和R8也可以连接成环。
2.一种光学记录介质,其特征在于:在基体上具有由含有下述通式(III)表示的杂环化合物的至少一种的光学记录材料形成的光学记录层,
Figure A200780003124C00031
式中,Z1、R1、R2、R3、R4、R、Anq-、q和p与所述通式(I)相同,R11表示氢原子、碳原子数为1~8的烷基、卤原子、硝基、氰基或氨基,邻接的R3和R4也可以相互连接成环,Y2表示以下述通式(IV)表示的取代基,m是1~4的数;
Figure A200780003124C00032
式中,Ra~Ri各自独立地表示氢原子、羟基或碳原子数为1~4的烷基,该烷基中的亚甲基可以被—O—或—CO—取代,Z2表示直接键合或可以具有取代基的碳原子数为1~8的亚烷基,该亚烷基中的亚甲基可以被—O—、—S—、—CO—、—COO—、—OCO—、—SO2—、—NH—、—CONH—、—NHCO—、—N=CH—或—CH=CH—取代,M表示金属原子。
3.—种光学记录介质,其特征在于:在基体上具有由含有下述通式(V)表示的杂环化合物的至少—种的光学记录材料形成的光学记录层,
式中,Z1、R1、R2、R3、R4、R、Y1、q、p和n和所述通式(I)相同,R11和所述通式(III)相同,X表示q价的淬灭剂阴离子。
4.根据权利要求1~3任—项所记载的光学记录介质,在所述光学材料中,所述杂环化合物的含量为0.1~10质量%。
5.根据权利要求1~3任—项所记载的光学记录介质,在所述光学记录材料中,进—步含有淬灭剂化合物。
6.根据权利要求5所记载的光学记录介质,所述淬灭剂化合物是下述通式(IX)表示的二亚胺鎓盐化合物,
Figure A200780003124C00042
式中,R18、R19、R20、R21、R22、R23、R24和R25各自独立地表示氢原子或可以具有取代基的碳原子数为1~8的烷基,R26、R27、R28和R29各自独立地表示氢原子、卤原子、可以具有取代基的碳原子数为1~8的烷基或可以具有取代基的氨基,该烷基中的亚甲基可以被—O—或—CH=CH—取代,r表示1~4的数,Anq-、p和q与所述通式(I)相同。
7.根据权利要求5所记载的光学记录介质,所述淬灭剂化合物是下述通式(X)表示的金属配位化合物,
Figure A200780003124C00051
式中,M表示镍原子、钴原子或铜原子;R30和R31表示卤原子、碳原子数为1~8的烷基、碳原子数为6~30的芳基或—SO2—G基,G表示烷基、可以由卤原子取代的芳基、二烷基氨基、二芳基氨基、哌啶基或吗啉基,f和g分别独立地表示0~4的数。
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