TWI392974B - 浸潤微影的方法及浸潤微影裝置 - Google Patents

浸潤微影的方法及浸潤微影裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI392974B
TWI392974B TW097136168A TW97136168A TWI392974B TW I392974 B TWI392974 B TW I392974B TW 097136168 A TW097136168 A TW 097136168A TW 97136168 A TW97136168 A TW 97136168A TW I392974 B TWI392974 B TW I392974B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
fluid
liquid
substrate
porous member
handling system
Prior art date
Application number
TW097136168A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200921294A (en
Inventor
Bob Streefkerk
Graaf Roelof Frederik De
Johannes Catharinus Hubertus Mulkens
Marcel Beckers
Paul Petrus Joannes Berkvens
David Lucien Anstotz
Original Assignee
Asml Netherlands Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asml Netherlands Bv filed Critical Asml Netherlands Bv
Publication of TW200921294A publication Critical patent/TW200921294A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI392974B publication Critical patent/TWI392974B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

浸潤微影的方法及浸潤微影裝置
本發明係關於一種操作流體侷限系統之方法及一種浸潤微影裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向("掃描"方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
已提議將微影投影裝置中之基板浸潤於具有相對較高折射率之液體(例如，水)中，以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。因為曝光輻射在液體中將具有更短波長，所以此情形之要點為致能更小特徵之成像。(液體之效應亦可被視為增加系統之有效NA且亦增加焦點深度。)已提議其他浸潤液體，包括懸浮有固體粒子(例如，石英)之水。本文關於為水之浸潤液體來描述一或多個實施例。然而，一或多個實施例同等地可適用於其他類型之浸潤液體及其他流體。該等浸潤流體可具有大於空氣之折射率的折射率。理想地，浸潤流體具有大於水之折射率的折射率。
然而，將基板或基板及基板台浸漬於液體浴中(見(例如)美國專利第US 4,509,852號)意謂在掃描曝光期間存在應被加速之大量液體。此可需要額外或更強大之馬達，且液體中之紊流可能導致不良且不可預測之效應。
所提議之解決方案中之一者係使液體供應系統使用液體侷限系統而僅在基板之區域化區域上及在投影系統之最終元件與基板之間提供液體(基板通常具有比投影系統之最終元件大的表面區域)。PCT專利申請公開案第WO 99/49504號中揭示一種經提議以針對此情形所配置之方式。如圖2及圖3所說明，液體藉由至少一入口IN而供應至基板上(理想地沿著基板相對於最終元件之移動方向)，且在投影系統下穿過之後藉由至少一出口OUT而移除。亦即，隨著在-X方向上於元件下方掃描基板，在元件之+X側處供應液體且在-X側處吸取液體。圖2示意性地展示液體經由入口IN而被供應且在元件之另一側上藉由連接至低壓源之出口OUT而被吸取的配置。在圖2之說明中，沿著基板相對於最終元件之移動方向供應液體，但並非需要為此情況。圍繞最終元件所定位之入口及出口之各種定向及數目為可能的，圖3中說明一實例，其中圍繞最終元件以規則圖案來提供在任一側上入口與出口之四個集合。
在全文各自以引用之方式併入本文中的歐洲專利申請公開案第EP 1420300號及美國專利申請公開案第US 2004-0136494號中，揭示複式平台或雙平台浸潤微影裝置之觀念。該裝置具備用於支撐基板之兩個台。在無浸潤液體之情況下藉由第一位置處之台來進行調平量測，且在存在浸潤液體之情況下藉由第二位置處之台來進行曝光。或者，裝置僅具有一個台。
許多類型之浸潤微影裝置共同地致使浸潤流體提供至投影系統之最終元件與基板之間的空間。該液體亦通常自該空間移除。舉例而言，該移除可針對浸潤流體之清潔或針對浸潤流體之溫度調節，等等。
需要(例如)維持浸潤微影裝置之隨著時間推移之效能。需要(例如)提供一種偵測流體侷限系統之污染物的方法及/或一種判定浸潤微影裝置之流體侷限系統何時需要清潔的方法。
根據本發明之一態樣，提供一種操作浸潤微影裝置之流體處置系統的方法。方法包括：量測流體處置系統之指示介於流體處置系統與基板及/或基板台之間的流體圍阻位準之效能參數；及在量測指示低於某一臨限值之效能損耗的情況下產生信號，該信號致使注意流體處置系統之圍阻效能已下降至低於某一臨限值。
根據本發明之一態樣，提供一種偵測浸潤微影裝置之流體處置系統之污染物的方法。方法包括：(i)在操作流體處置系統期間偵測自組件之熱損耗改變；或(ii)偵測流體處置系統之單相提取器之出口側上的壓力變化；或(iii)計數與流體處置系統相關聯之流體流動中的污染物粒子；或(iv)偵測穿過流體處置系統之出口及/或入口之流體的壓力變化及/或流動速率變化；或(v)偵測經過流體處置系統之侷限組件的液體洩漏；或(vi)偵測施加至流體處置系統之力改變，以便維持其所要位置；或(vii)選自(i)-(vi)之任一組合。
根據本發明之一態樣，提供一種偵測微影裝置之流體處置系統之污染物的方法。方法包括：使流體處置系統之多孔部件在第一側上與流體接觸；自多孔部件之第二側以恆定速率來移除流體，該第二側相反於第一側；及藉由監控以恆定速率所移除之流體的壓力而偵測污染物。
根據本發明之一態樣，提供一種偵測浸潤微影裝置之流體處置系統之污染物的方法。方法包括：自投影系統與基板及/或基板台之間的空間提取流體；計數存在於所提取流體中之污染物粒子之數目；及判定污染物粒子之數目何時超過某一臨限值。
根據本發明之一態樣，提供一種浸潤微影裝置，浸潤微影裝置包括流體處置系統及控制器，控制器經組態以量測流體處置系統之效能參數，且在量測指示低於某一臨限值之效能損耗的情況下致使注意流體處置系統之效能已下降至低於某一臨限值。
根據本發明之一態樣，提供一種操作浸潤微影裝置之流體處置系統的方法。方法包括：偵測流體處置系統之單相提取器之出口側上的壓力變化；及在偵測指示介於流體處置系統與基板及/或基板台之間的流體圍阻位準已下降至低於某一臨限值的情況下產生信號。
根據本發明之一態樣，提供一種操作浸潤微影裝置之流體處置系統的方法。方法包括：計數與流體處置系統相關聯之流體流動中的污染物粒子；及在粒子之數目超過某一臨限值的情況下產生信號，某一臨限值指示介於流體處置系統與基板及/或基板台之間的流體圍阻位準之降低。
根據本發明之一態樣，提供一種操作浸潤微影裝置之流體處置系統的方法。方法包括：偵測流體處置系統之熱損耗變化；及在偵測指示介於流體處置系統與基板及/或基板台之間的流體圍阻位準已下降至低於某一臨限值的情況下產生信號。
根據本發明之一態樣，提供一種操作浸潤微影裝置之流體處置系統的方法。方法包括：偵測穿過流體處置系統之出口及/或入口之流體的壓力變化及/或流動速率變化；及在偵測指示介於流體處置系統與基板及/或基板台之間的流體圍阻位準已下降至低於某一臨限值的情況下產生信號。
根據本發明之一態樣，提供一種操作浸潤微影裝置之流體處置系統的方法。方法包括：偵測經過流體處置系統之侷限組件的液體洩漏；及在偵測指示介於流體處置系統與基板及/或基板台之間的流體圍阻位準已下降至低於某一臨限值的情況下產生信號。
根據本發明之一態樣，提供一種操作浸潤微影裝置之流體處置系統的方法。方法包括：偵測施加至流體處置系統之力改變，以便維持其所要位置；及在偵測指示介於流體處置系統與基板及/或基板台之間的流體圍阻位準已下降至低於某一臨限值的情況下產生信號。
某一臨限值為基於經歷、經驗資料或理論所選擇之參數。可藉由使用者挑選來選擇或挑選臨限值。可藉由所選擇之操作條件及/或參數來判定臨限值。可藉由其他指定參數之在線量測來判定臨限值。可在操作之前選擇臨限值。
根據本發明之一態樣，存在一種偵測來自微影裝置之流體處置系統之殘餘液體的方法，方法包含：判定表面之第一高度剖面(height-profile)；使用流體處置系統而將液體施加至表面；相對於流體處置系統而移動表面，殘餘液體在移動之後保留於表面上；判定表面之第二高度剖面及保留於表面上之殘餘液體；及藉由比較第一高度剖面與第二高度剖面而判定殘餘液體之存在。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。裝置包含：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構以視圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否固持於真空環境中)而定的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統而處於所要位置。可認為本文對術語"主光罩"或"光罩"之任何使用均與更通用之術語"圖案化器件"同義。
本文所使用之術語"圖案化器件"應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中為熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。
本文所使用之術語"投影系統"應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸潤液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語"投影透鏡"之任何使用均與更通用之術語"投影系統"同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上圖案化器件支撐結構)的類型。在該等"多平台"機器中，可並行地使用額外台及/或支撐結構，或可在一或多個台及/或支撐結構上進行預備步驟，同時將一或多個其他台及/或支撐結構用於曝光。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射器時，輻射源與微影裝置可為單獨實體。在該等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之一部分，且輻射光束借助於包含(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用以調整輻射光束之角強度分布的調整器AD。通常，可調整照明器之瞳孔平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且由圖案化器件圖案化。在橫穿圖案化器件MA後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。借助於第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器，或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來精確地定位圖案化器件MA。一般而言，可借助於形成第一定位器PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現圖案化器件支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相對)之情況下，圖案化器件支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描圖案化器件支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於圖案化器件支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。
亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
圖4中展示具有區域化液體供應系統之浸潤微影解決方案。液體藉由投影系統PL之任一側上的兩個凹槽入口IN而供應，且藉由自入口IN徑向地向外所配置之複數個離散出口OUT而移除。可在中心中具有孔之板中配置入口IN及出口OUT，且經由孔而投影輻射。液體藉由投影系統PL之一側上的一凹槽入口IN而供應，且藉由投影系統PL之另一側上的複數個離散出口OUT而移除，從而導致液體薄膜在投影系統PL與基板W之間流動。對將使用入口IN與出口OUT之哪一組合的挑選可視基板W之移動方向而定(入口IN與出口OUT之另一組合為不活動的)。
已提議的具有區域化液體供應系統解決方案之另一浸潤微影解決方案為提供具有液體侷限結構(有時被稱作浸潤蓋罩)之液體供應系統，液體侷限結構沿著投影系統之最終元件與基板台之間的空間之邊界之至少一部分延伸。液體侷限結構在XY平面中相對於投影系統而大體上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。在一實施例中，密封件形成於液體侷限結構與基板之表面之間。理想地，密封件為諸如氣體密封件之無接觸密封件。具有氣體密封件之該系統說明於圖5中且揭示於美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中，該案之全文以引用的方式併入本文中。
參看圖5，儲集層11圍繞投影系統之影像場而形成至基板之無接觸密封件，使得液體經侷限以填充基板表面與投影系統之最終元件之間的浸潤空間。藉由在投影系統PL之最終元件下方及圍繞投影系統PL之最終元件所定位的液體侷限結構12來至少部分地形成儲集層。液體經由埠13而被帶入投影系統下方及液體侷限結構12內之空間(且視情況藉由埠13而移除)。液體侷限結構12延伸至略高於投影系統之最終元件，且液體上升至高於最終元件，使得提供液體緩衝。液體侷限結構12具有內部周邊，在一實施例中，內部周邊在上部末端處緊密地符合投影系統或其最終元件之形狀且可(例如)為圓形。在底部處，內部周邊緊密地符合影像場之形狀，例如，矩形，但並非需要為此情況。
液體藉由液體侷限結構12之底部與基板W之表面之間的氣體密封件16而侷限於儲集層中。氣體密封件係由氣體(例如，空氣或合成空氣)形成，但在一實施例中，由N2 或另一惰性氣體形成，氣體經由入口15而在壓力下提供至液體侷限結構12與基板之間的間隙且經由第一出口14而被提取。氣體入口15上之過壓、第一出口14上之真空位準及間隙之幾何形狀經配置成使得存在侷限液體之向內高速氣體流動。
可(例如)在曝光不同基板之間自基板台WT移除基板W。當此情況發生時，可能需要將液體保持於液體侷限結構12內。此可藉由相對於基板台WT移動液體侷限結構12而達成(或反之亦然)，使得液體侷限結構在基板台WT之遠離於基板W的表面上。該表面為擋板部件。浸潤液體可藉由操作氣體密封件16或藉由將擋板部件之表面夾持至液體侷限結構12之下表面而保持於液體侷限結構中。可藉由控制提供至液體侷限系統12之下表面之流體的流動及/或壓力而達成夾持。舉例而言，可控制自入口15所供應之氣體之壓力及/或自第一出口14所施加之負壓(under pressure)。
擋板部件可為基板台WT之整體部分，或其可為基板台WT之可拆卸及/或可替換組件。該可拆卸組件可被稱作封閉圓盤(closing disk)或虛設基板。在雙平台或多平台配置中，在基板交換期間替換整個基板台WT。在該配置中，可在基板台之間轉移可拆卸組件。擋板部件可為(例如)在液體侷限結構12下交換基板之前可鄰近於基板台WT而移動的中間台。液體侷限結構12可接著在中間台上移動(或反之亦然)。擋板部件可為基板台之可移動組件(諸如，可收縮橋接器)，其(例如)在基板交換期間可定位於基板台之間。擋板部件之表面可在液體侷限結構下移動(或反之亦然)。
圖6a及圖6b(其中圖6b為圖6a之一部分的放大圖)說明液體移除器件20，可在浸潤系統中使用液體移除器件20以移除介於液體侷限結構IH與基板W之間的液體。液體移除器件20包含維持於輕微負壓pc 且填充有浸潤液體之腔室。腔室之下部表面係由具有(例如)直徑dhole 在約5μm至約50μm之範圍內之複數個小孔的多孔部件21形成，且在液體待自其中移除之表面(例如，基板W之表面)上方維持於約50μm至約300μm之範圍內的高度hgap 。多孔部件21可為經組態以允許液體穿過之穿孔板或任何其他適當結構。在一實施例中，多孔部件21為至少輕微親液性的，亦即，具有至浸潤液體(例如，水)之大於0°但小於90°的接觸角(在浸潤液體為水之情況下，多孔部件21將為親水性的)。
負壓pc 使得形成於多孔部件21中之孔中的彎液面22防止氣體被吸入液體移除器件之腔室。然而，當多孔部件21與表面W上之液體接觸時，不存在用以侷限流動之彎液面且液體可自由地流入液體移除器件之腔室。如圖式所示，該器件可自基板W之表面移除大部分液體，但液體薄膜可能保留。
為了改良或最大化液體移除，多孔部件21應儘可能地薄且液體中之壓力pgap 與腔室中之壓力pc 之間的壓差應儘可能地高，而pc 與間隙中氣體中之壓力pair 之間的壓差應足夠地低以防止大量氣體被吸入液體移除器件20。可能並不始終有可能防止氣體被吸入液體移除器件，但多孔部件可防止可導致振動之較大不均勻流動。藉由電成形、光蝕刻及/或雷射切割所製造之微篩可用作多孔部件21。適當篩係由荷蘭Eerbeek之Stork Veco B.V.製造。亦可使用其他多孔板或多孔材料之固體區塊，前提為：微孔或孔尺寸適合於維持具有在使用中將經歷之壓差的彎液面。
該液體移除器件可併入至許多類型之液體供應系統12(IH)中。圖6c中說明一實例，如美國專利申請公開案第US 2006-0038968號中所揭示。圖6c為至少部分地圍繞投影系統PL之曝光場(圖6c中未展示)而形成環(如本文所使用，環可為圓形、矩形或任何其他形狀)的液體侷限結構12之一側的橫截面圖。在此實施例中，在液體侷限結構12之下側之最內部邊緣附近藉由環形腔室31而形成液體移除器件20。腔室31之下部表面係由多孔部件(諸如，以上所描述之多孔部件21)形成。環形腔室31連接至適當泵以自腔室移除液體且維持所要負壓。在使用中，腔室31充滿液體，但此處出於清晰起見而經展示為空的。
環形腔室31之外部為氣體提取環32及氣體供應環33。氣體供應環33在其下部部分中具有窄狹縫且在壓力下經供應有氣體(例如，空氣、人造空氣或沖洗氣體)，使得自狹縫中逸出之氣體形成氣體刀34。形成氣體刀之氣體由連接至氣體提取環32之適當真空泵提取，使得所得氣體流動向內驅動任何殘餘液體，其中殘餘液體可由液體移除器件及/或真空泵(其應能夠耐受浸潤液體及/或小液滴之蒸汽)移除。然而，因為大部分液體由液體移除器件20移除，所以經由真空系統所移除之小量液體應不導致可導致振動之不穩定流動。
儘管本文將腔室31、氣體提取環32、氣體供應環33及其他環描述為環，但其沒有必要圍繞曝光場或為完整的。在一實施例中，該(該等)入口及出口可僅為部分地沿著曝光場之一或多個側延伸之圓形、矩形或其他類型的元件，諸如，圖2、圖3及圖4所示。其可為連續或不連續的。
在圖6c所示之裝置中，形成氣體刀之大部分氣體係經由氣體提取環32而被提取，但某些氣體可流入圍繞液體侷限結構之環境且潛在地干擾干涉量測位置量測系統IF。此可藉由在氣體刀外部提供額外氣體提取環(未說明)來防止。
可(例如)在歐洲專利申請公開案第1,628,163號及美國專利申請公開案第US 2006-0158627號中找到該單相提取器如何可用於液體供應系統中之另外實例。在大部分應用中，多孔部件將在液體供應系統之下側上，且基板W在投影系統PS下可移動之最大速度係藉由液體穿過多孔部件21之移除的效率來至少部分地判定。
單相提取器亦可用於兩相模式中，其中提取液體及氣體兩者(比如，50%氣體、50%液體)。本文術語單相提取器不意欲僅被解釋為提取一相之提取器，但更通常被解釋為併有多孔部件之提取器(經由多孔部件而提取氣體及/或液體)。
以上所提及之單相提取器(以及其他類型)可用於將液體僅供應至基板之頂部表面之區域化區域的液體供應系統中。此外，該單相提取器亦可用於其他類型之浸潤裝置中。舉例而言，單相提取器可用於浴型浸潤微影裝置中。在浴型浸潤微影裝置中，基板之整個頂部表面覆蓋於液體中。提取器可用於除了水以外之浸潤流體。提取器可用於所謂的"洩漏密封件"液體供應系統中。在該液體供應系統中，將液體提供至投影系統之最終元件與基板之間的空間。允許該液體自該空間徑向地向外洩漏。舉例而言，使用液體供應系統，其在其自身與基板或基板台之頂部表面之間不形成密封件(視情況而定)。可僅在"洩漏密封件"裝置中自基板徑向地向外擷取浸潤流體。
以上所提及之單相提取器之困難為：多孔部件21中之孔22可變得被碎片阻塞。碎片可包括抗蝕劑及/或頂部塗層。該碎片可在成像期間自基板卸下。孔22之阻塞可影響液體供應/移除系統之效能參數。亦即，可藉由效能參數來指示藉由流體處置系統而在流體處置系統與基板之間圍阻流體之位準(例如，多少液體以不良或不需要方式逸出)。孔22之阻塞可降低在自液體供應系統無液體洩漏之情況下可移動基板的最大速度。亦即，降低單相提取器之效率。查看此情況之一方式為：當多孔部件21受到抗蝕劑或頂部塗層污染時，液體至多孔部件21之接觸角增加。接觸角之增加意謂多孔部件21為較不親水性的。較不親水性多孔部件21以比對於未污染多孔部件21低之掃描速度而導致液體損耗。
液體供應/液體移除系統之一或多個其他組件在被污染時亦可損耗效能。因此，需要偵測該污染物且在需要時提供指示應採取補救行動之信號。舉例而言，若量測指示低於某一(例如，預定)臨限值之效能損耗，則可能需要清潔液體供應/移除系統。或者或另外，可能需要替換液體供應/移除系統之一或多個部分(諸如，多孔部件21)。或者或另外，可使用其他緩解方法，諸如，改變一或多個操作條件(例如，增加至多孔部件21之負壓或降低掃描速度)，且不應認為所提供之實例以任何方式為限制的。亦可能不需要採取任何行動。可提供控制器以進行在線或離線量測。用於污染物之量測之一方式為間接地量測液體供應/移除系統之效能參數(例如，液體至多孔部件21之接觸角，或多孔部件21之污染物)。控制器可包含處理器。處理器可執行一或多個電腦程式，及/或臨限值及/或經量測資料可儲存於與控制器相關聯之記憶體上。
儘管以上描述實施例，但可存在量測流體侷限系統之效能的其他方式。理想地，液體供應/移除系統之效能的量測為液體至液體供應/移除系統之組件之接觸角的間接量測。可藉由量測效能參數來偵測接觸角之降低。舉例而言，浸潤系統之組件上的熱負載之變化可指示效能改變且因此指示接觸角改變。熱負載之變化可歸因於蒸發速率之改變。或者或另外，偵測一或多個液體/流體入口或出口之上游或下游之壓力變化可指示效能改變且因此指示接觸角改變。其他提取器組件(例如，自單相提取器徑向地向外所定位之出口)中之壓力量測可用以量測效能。另一可能性為量測由致動器施加至流體侷限系統以將其保持於適當位置中之力。又，可直接地量測流體洩漏。其可被在線(例如，藉由使用電容感測器或磁性感測器)或離線(例如，藉由針對缺陷而測試經成像基板)進行。又，使用光學感測器之效率損耗來量測基板台之位置(例如，使用光學感測器來量測透射影像感測器板之高度)。另外，可直接地(例如，藉由計數污染物粒子)或間接地(例如，藉由監控施加至過濾器之負壓的壓力變化)來量測污染物。
一旦量測指示低於某一臨限值之效能損耗(例如，接觸角之降低)，則可提供已達到臨限值之指示。指示可以至控制器之信號及/或至裝置之操作者之視覺信號及/或聽覺信號或其任一組合的形式。亦即，信號致使注意流體處置系統之效能已下降至低於某一臨限值。此可允許以上所描述之補救行動中的一或多者發生。清潔可涉及作為整體來清潔裝置或僅清潔裝置之一部分。舉例而言，清潔可僅涉及清潔(例如)單相提取器。
圖6c說明液體侷限系統之一實施例。然而，應理解，本發明之一或多個實施例可應用於除了圖6a及6b之單相提取器以外的其他類型之液體提取器。實施例亦可應用於液體入口。此外，實施例可應用於不同類型之液體供應系統及不同類型之液體移除系統。
在圖6c之液體侷限系統中，經由單相提取器而提取液體。當多孔部件21變得被污染時，流體至多孔部件21所具有之接觸角降低。因此，在無超出多孔部件21之液體洩漏的情況下基板W可在液體侷限結構12下方移動之最大速度降低。此為不良的，因為其可導致通量降低及/或液體與裝置或基板W之部分不良地接觸。
為了有助於避免該情形，可提供粒子計數器50。粒子計數器50提供於單相提取器之下游。因此，可計數穿過單相提取器之粒子之數目。在已計數某一數目之粒子之後，控制器產生如以上所描述之指示或信號。
基於經歷、經驗資料或理論來挑選粒子之臨限數目。某些較大粒子將黏著至多孔部件21，使得僅較小粒子將由粒子計數器50計數。然而，可在收集於多孔部件中(且藉此降低效能)之粒子之數目與穿過計數器且由計數器計數之粒子之數目之間存在相關性。
另外或或者，計數器50可置放於系統中之別處。舉例而言，計數器50可置放於液體入口之上游或下游。
儘管本文描述單相提取器，但應理解，可使用其他類型之提取器及其他類型之入口。
在圖7所說明之液體侷限結構12的實施例中，自圖6c之氣體刀33徑向地向外提供第二氣體刀35。圖7所說明之實施例的原理亦可應用於圖6c之液體侷限結構12。如圖7所示，過濾器60提供於多孔部件21之下游的管道中。泵(諸如，容積泵70)將負壓施加至過濾器60。負壓導致液體穿過過濾器60。控制泵，以便具有經由過濾器60之液體的恆定流動。
提供壓力感測器80(諸如，計量器)。壓力感測器80量測經由過濾器所提取之流體的壓力。更特定而言，壓力感測器80量測過濾器60與泵70之間的管道中之流體的壓力。以此方式，有可能計量污染物且因此計量接觸角之降低。當過濾器60堵塞有污染物粒子時，由壓力感測器80所量測之壓力因為泵70維持恆定流動而增加。因此，壓力增加為污染物位準之量測，例如，超過某一臨限值之壓力可指示某一臨限數目之污染物粒子。若縱橫比使得接觸區域對比高度較大，則可改良量測污染物之此系統的有效性。此增加敏感性，因為接著歸因於阻塞之任何壓力增加均高於過濾器之固有阻力(其以高度為函數)。
因此，圖7所說明之實施例類似於圖6c所說明之實施例之處在於：可偵測傳遞至提取器中之污染物粒子。如以上所論述，當偵測到某一量之污染物(亦即，量測隨著時間推移之某一壓降)時，可提供已達到臨限位準之指示。
當然，過濾器60可能變得被完全堵塞且因此可能需要週期性替換。然而，可能不需要每次達到臨限位準時均替換過濾器。此係因為可維持由壓力感測器80所量測之壓力的歷史，使得可使用隨著時間推移之壓降改變來判定可能需要何種類型之補救行動。
可在不同位置處置放過濾器60。此等位置可與針對粒子計數器所建議之位置相同。用於過濾器之另一位置可處於自單相提取器徑向地向內之液體侷限系統12的底部表面中。過濾器可為環形(亦即，以連續迴路)或在一或多個離散位置處。
單相提取器之設計使得將負壓施加至腔室31。此藉由經由緩衝槽而與腔室31進行流體連通之泵來進行。緩衝槽中(液體/氣體界面處)之壓力亦可用以計量如以上所描述之單相提取器的效能。亦即，多孔部件21自身可用作過濾器。
在一實施例中，可量測液體供應或液體移除系統之效能，而非量測污染物粒子之數目。應瞭解，液體入口或出口之污染物導致經由入口或出口之液體的不同流動。微影裝置對溫度波動敏感。因此，大多數裝置具有監控溫度之控制器。控制器通常經由加熱器或冷卻器而施加加熱或冷卻以維持穩定溫度。在一實施例中，可量測熱負載之變化。
若停用任何加熱器或冷卻器，則溫度之量測或溫度之上升速率或下降速率的量測可提供關於液體供應/移除系統之效能的資訊。舉例而言，當已知液體入口或出口為清潔時，可進行溫度之量測。接著，稍後可在相同或類似條件下於使用之後進行相同量測。比較兩個量測之溫度剖面可得到關於機器之效能的資訊。舉例而言，超出某一位準之經量測參數的改變可指示效能損耗。以下將參看圖6c之液體圍阻系統來給出特定實例。
在圖6c之液體圍阻系統中，未由單相提取器所圍阻之任何液體均由氣體刀34圍阻。液體與同氣體刀34/提取環32相關聯之氣體流動之接觸導致蒸發且因此導致冷卻。因此，當歸因於污染物而損害單相提取器之效能時，液體圍阻系統之溫度可降低。溫度之降低速率(或絕對降低位準)可因此為關於單相提取器之效能位準的優良引導。因此，比較在給定啟動時間之後的絕對值或溫度之降低速率與在用於清潔液體侷限系統之類似情境下所量測之相同絕對值或速率可給出關於效能之資訊。如以上所論述，若絕對溫度差或速率差高於某一值，則可產生指示污染物已達到可能需要採取補救行動之位準的信號。
可見，亦有可能量測除了液體侷限系統以外之一或多個其他組件的溫度。舉例而言，基板及/或基板台在單相提取器之降低效能之後可見增加之冷卻。因此，當已停用基板或基板台中之任何加熱器或冷卻器時，可藉由量測基板或基板台之溫度變化來使用如以上所描述之相同方法。
應瞭解，浸潤微影系統中之管道中的液體流動可導致圍繞該管道之組件的冷卻。因此，以上關於圖6c之液體侷限系統所描述之原理亦可應用於一或多個其他組件。
在一實施例中，代替停用任何加熱器或冷卻器，可正常地使用微影裝置。藉由為了維持恆定溫度而監控施加至任何加熱器或冷卻器之功率，有可能以與以上所論述之方式類似的方式來獲得關於單相提取器31之污染物的資訊。亦即，在使用週期之後，比較至用於未污染液體侷限系統之加熱器或冷卻器之已知功率剖面與在相同或類似條件下之相同參數。當供應至加熱器或冷卻器之功率以超過某一量而不同時，可產生指示可能需要採取補救行動之信號。可在線使用此實施例。
圖8說明具有多孔部件21之單相提取器之實施例。如所說明，可將整個多孔部件21覆蓋於液體中。可將負壓施加至多孔部件21之下游側。可藉由泵90(諸如，容積泵)來施加負壓。來自多孔部件21之下游側(亦即，來自腔室31)之氣體可被提取且可以恆定流動速率被提取。壓力感測器100(諸如，計量器)可量測多孔部件21之下游側上(亦即，腔室31中)之氣體的壓力。跨越多孔部件21中之孔之液體的表面張力可防止液體在低負壓下進入多孔部件21之下游側。當液體可不再維持經由多孔部件21之孔上的彎液面時，液體可進入腔室31。可藉由壓力感測器100來偵測突然壓力改變。此為所謂的"起泡"點。起泡點係以多孔部件21至液體之接觸角為函數。如以上所描述，多孔部件21上之污染物愈多，多孔部件21變得愈較不親水性或親液性的。因此，起泡點可為多孔部件21之污染物的間接量測。
可離線執行圖8所說明之實施例之方法。當起泡點之壓力低於某一值時，接著可產生指示可能需要採取補救行動之信號。
在一實施例中，可將多孔部件21附著至液體侷限系統之下側。多孔部件21在液體侷限系統之功能中可能不執行任何作用。然而，多孔部件可如以上所描述用作液體侷限系統之表面之污染物的量測。當然，可使用多孔部件21及以上方法來量測如以上所描述之浸潤微影裝置中之任何組件的污染物，而不形成具有除了量測污染物以外之使用的主動組件。
圖9說明類似於圖6及圖7所說明之液體侷限系統之液體侷限系統的實施例。然而，如同其他實施例，本發明之實施例可類似地應用於其他類型之液體侷限系統。
在圖9中，液體11之彎液面40經展示為已延伸超出多孔部件21。亦即，出於一原因或另一原因(例如，歸因於污染物且因此歸因於接觸角之降低)，單相提取器不正確地工作。在此情境中，來自氣體刀34之氣體對於圍阻液體可為有效的。在正常操作中，來自氣體刀34之氣體在兩個方向101及102上(亦即，徑向地向內及徑向地向外)行進。徑向地向內行進(如由箭頭101所指示)之氣體可接著經由氣體提取環32而被提取。然而，在圖9所說明之情境中，可藉由液體之存在而阻止來自氣體刀34之氣體徑向地向內自由地移動。此可導致經由氣體提取環32而流出之氣體流動速率的改變。可(例如)藉由使用感測器105來偵測此流動改變。流動改變可為液體已洩漏經過單相提取器且因此可能已損害單相提取器之效能的指示符。
氣體提取環32可維持於恆定負壓或可具有經由其而提取之氣體的恆定流動。在第一情況下，流動改變可指示液體洩漏，且在第二情況下，負壓改變可指示液體洩漏。在第一情況下，感測器105可為流動速率感測器，且在第二情況下，感測器105可為壓力感測器。
在一實施例中，感測器提供於氣體提取環32中或圍繞氣體提取環32之周邊而提供於其下游(如由感測器105所說明)。周邊可為圓周的。感測器量測如以上所描述之流動速率或負壓。可使用感測器以圍繞液體侷限系統12之周邊(例如，圓周)而識別已發生洩漏之處。此資訊可用以圍繞單相提取器之周邊(例如，圓周)而判定單相提取器之哪一部分已洩漏。可接著僅有必要清潔或替換單相提取器之一部分或降低特定方向上之運動速度。可儲存由感測器所量測之值以用於稍後分析。
當由感測器所偵測之值高於或低於某一臨限值時(視情況而定)，可產生指示低於某一臨限值之效能損耗的信號。該信號致使注意流體處置系統之效能已下降至低於某一臨限值。如以上所描述，若認為必要，則可接著採取補救行動。
如以上所描述，液體侷限系統之洩漏可導致更多液體存在於液體侷限系統12與基板W之間。彼等兩個組件之間的液體量之改變可導致彼等兩個組件之間的不同力。另外，退出氣體刀34之氣體之流動圖案的改變亦可導致兩個組件之間的力改變。因此，可被量測之另一效能參數為由用以支撐液體侷限系統12之致動器所施加之力。超出正常力位準之力改變可指示導致液體洩漏之多孔部件21的污染物。如以上所描述，可能需要比較針對已知情境及未污染液體侷限系統而對剖面或隨著時間推移所施加之力所進行的量測。
當力高於或低於某一臨限值時，可產生指示低於某一臨限值之效能損耗的信號。信號可致使注意流體處置系統之效能已下降至低於某一臨限值。舉例而言，指示低於某一臨限值之效能損耗之信號可致使系統之使用者之注意及/或控制器之注意。
液體侷限系統12之實施例說明於圖10中，且可為圖9所說明之相同液體侷限系統12(除了如以下所描述以外)。
如所說明，可使用感測器120、130中之一或多者來偵測經過單相提取器之任何液體洩漏。感測器可定位於任何位置且可為任何類型之適當感測器。舉例而言，感測器120、130中之至少一者可為電容性感測器，其量測液體侷限系統12與基板W或基板台WT之間的位置處之電容。此量測可指示介於液體侷限系統12與基板W或基板台WT之間的感測器之位置處液體之存在或另外情形。感測器可處於液體侷限系統之下側上。
在圖10中，說明感測器之兩個位置。此等感測器130中之一者處於氣體提取環32之最徑向向外邊緣。感測器130可以相鄰板之形式或可量測該板與基板或基板台之間的電容。或者或另外，感測器可為磁性感測器。此等類型之感測器描述於歐洲專利申請公開案第1,477,856 A1號中。
另一位置由感測器120表示，其經說明處於多孔部件21之最徑向向外邊緣。感測器120以與感測器130相同之方式而工作。另一可能性為將多孔部件21自身用作感測器之電極。電容及/或磁性性質可隨著液體之彎液面40跨越多孔部件21行進而變化。
對於所有以上所描述之實施例，個別感測器可圍繞液體侷限系統12之周邊而定位於離散位置處。以此方式，可偵測任何洩漏之精確位置。當在預期液體以某一裕度而超出之位置處偵測到液體時，可產生指示可能需要採取補救行動之信號(如以上所描述)。
亦有可能離線量測液體損耗。此可藉由在已成像基板之後偵測基板中之缺陷來進行。某些缺陷為液體損耗之結果。又，可使用光學感測器之效率損耗來偵測液體洩漏。舉例而言，偵測基板台之高度的光學感測器(或量測透射影像感測器板高度之位準感測器)在其變得濕潤時降低效能。在任何情況下，若偵測指示已存在低於某一臨限值之效能損耗，則可使用離線偵測液體損耗來產生信號。可在決定採取何種行動時如以上所描述使用信號。
在一實施例中，揭示浸潤系統中之基於光學感測器(例如，位準感測器)之液體(例如，水)偵測工具及測試。該工具及測試允許檢查液體位置、可能氣體刀阻礙物位置，等等。其可有效地用作研究及/或監控工具(持續時間<30分鐘)。
浸潤微影系統中歸因於液體處置系統(例如，液體侷限結構12)污染物(諸如，氣體刀阻礙物或單相提取器污染物或其他開口(例如，提取器開口))之液體損耗可導致生產基板上之缺陷及/或度量衡誤差。可藉由使用基板之某些運動而在裸基板上懸停感測器且然後針對各種位置處之粒子而檢測基板表面(例如，在基板之表面上之四個象限中尋找粒子的四象限測試(4QT))來偵測潛在氣體刀阻礙物。基板上之殘餘污染液體痕跡在蒸發時將留下粒子痕跡。
該等4QT結果之分析可能因為其係針對間接量測方法而經受解釋誤差。舉例而言，留在基板上之粒子為根本原因(氣體刀阻礙物)之效應(液體損耗)的效應(污染液體之蒸發)。另外，為了有效且可靠，由液體處置系統留下之殘餘液體應含有某一量之粒子，使得殘餘液體可與微影系統之一般缺陷度位準相關。此與微影設備工業及客戶始終驅使獲得更低缺陷度之事實相矛盾。又，該測試可需要大量機器時間，基板以及第二工具上之表面檢測時間。
因此，在一實施例中，使用位準感測器(LS)(其為在微影系統中用以判定Z軸中之基板及/或感測器位置的光學度量衡工具)來偵測液體。藉由位準感測器而檢測之留在表面上的液體將歸因於輻射散射而引入干擾於使用位準感測器之量測中。使用此原理來偵測由浸潤微影系統中之液體處置系統所留下之殘餘液體。舉例而言，可藉由量測散射輻射或藉由偵測歸因於散射之輻射損耗來判定干擾。在一實施例中，用於將基板定位於(例如)焦點中之浸潤微影系統中之標準位準感測器經調適以提供本文所描述之液體偵測系統。該調適可為用以控制及/或接收來自位準感測器之資訊之軟體的更新。
參看圖11，測試序列包括藉由位準感測器來量測所關注之初始乾燥表面(例如，基板之表面)、在此相同表面上懸停濕潤(例如，相對於液體處置系統而移動表面，同時藉由液體處置系統而將液體提供至表面)，及然後藉由位準感測器來重新量測表面。
可接著藉由依空間為函數來表示經量測高度差而偵測留在表面上之殘餘液體。或者，位準感測器之偵測器可依空間為函數來標繪初始量測與稍後(後)量測中之反射光強度之間的輻射強度比。與某些特定懸停路線(例如，基板與液體處置系統之間的相對移動圖案)之使用相組合，此資料允許(例如)氣體刀阻礙物之位置的針指向(pin-pointing)。
圖12及圖13[圖12與圖14相同]描繪來自根據本發明之一實施例之光學(位準)感測器測試序列的樣本結果，其展示留在表面上之殘餘液體的位置及殘餘液體之可能原因(諸如，氣體刀阻礙物)。圖12展示在比較使用位準感測器依空間為函數之經量測高度差時所達成的結果。可見，跨越經成像區域之頂部，存在高度差極大之線。此指示基板上之液體痕跡。在x方向上相對於液體處置系統移動之後留下此液體痕跡。此指示對應位置中之氣體刀中的可能阻礙物。此在圖12中由圓上之十字形表示，其中圓以平面表示液體處置系統之氣體刀。
圖13為依空間為函數之經量測高度差的類似表示。在圖13之實例中，此為透射影像感測器(TIS)之頂部的量測。在65°方向上相對於透射影像感測器而移動液體處置系統之後獲取影像。可見，以約略等於相對移動方向之角度而留下液體痕跡。自此資料，有可能計量液體處置系統之氣體刀中的阻礙物可能存在之處。
可能地耦合至如本文所揭示之液體處置系統(例如，液體侷限結構12)溫度監控，4QT可以以上所描述之位準感測器偵測工具及/或測試來補充或替換，其中具有以下可能改良：
-機器時間降低：自~2h至0.5h。
-貨品成本：自26個基板至2個基板。
-無為基板之表面檢測所需要之額外工具。
在一實施例中，可除了位準感測器以外或作為位準感測器之替代例而使用浸潤微影系統之曝光側上的內建式相機。該相機可併入至液體處置系統(例如，液體侷限結構12)中。
儘管在此本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語"晶圓"或"晶粒"之任何使用分別與更通用之術語"基板"或"目標部分"同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
本文所使用之術語"輻射"及"光束"涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365nm、248nm、193nm、157nm或126nm之波長)。
術語"透鏡"在情境允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或組合，包括折射及反射光學組件。
儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：一或多個電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。可提供至少一控制器以控制裝置。當藉由位於微影裝置之至少一組件內之一或多個電腦處理器來讀取一或多個電腦程式時，本文所提及之一或多個不同控制器可能為可操作的。一或多個處理器經組態以與控制器中之至少一者通信；藉此控制器根據一或多個電腦程式之機器可讀指令而操作。每一控制器可根據體現本發明之電腦程式中之一或多者來操作裝置之至少一組件。
本發明可應用於任何浸潤微影裝置，特別地(但不獨佔式地)為以上所提及之彼等類型。
本發明之一或多個實施例可應用於任何浸潤微影裝置，特別地(但不獨佔式地)為以上所提及之彼等類型，且無論浸潤液體是以浴之形式被提供、僅提供於基板之區域化表面區域上，還是未經侷限的。在未經侷限配置中，浸潤液體可在基板及/或基板台之表面上流動，使得浸濕基板台及/或基板之大體上整個未經覆蓋表面。在該未經侷限浸潤系統中，液體供應系統可能不侷限浸潤流體或其可能提供一定比例之浸潤液體侷限，但未提供浸潤液體之大體上完整侷限。
應廣泛地解釋如本文所預期之液體供應系統。在某些實施例中，液體供應系統可為將液體提供至投影系統與基板及/或基板台之間的空間之機構或結構之組合。其可包含一或多個結構、一或多個液體入口、一或多個氣體入口、一或多個氣體出口及/或將液體提供至空間之一或多個液體出口之組合。在一實施例中，空間之表面可為基板及/或基板台之一部分，或空間之表面可完全覆蓋基板及/或基板台之表面，或空間可包覆基板及/或基板台。液體供應系統可視情況進一步包括一或多個元件以控制液體之位置、量、品質、形狀、流動速率或任何其他特徵。
在一實施例中，一種操作浸潤微影裝置之流體處置系統的方法包含：量測流體處置系統之指示介於流體處置系統與基板及/或基板台之間的流體圍阻位準之效能參數；及在量測指示低於某一臨限值之效能損耗的情況下產生信號，該信號致使注意流體處置系統之圍阻效能已下降至低於某一臨限值。在一實施例中，量測為流體處置系統之流體圍阻效能的間接量測。在一實施例中，量測包含：(i)偵測流體處置系統之熱損耗變化；或(ii)偵測流體處置系統之單相提取器之出口側上的壓力變化；或(iii)計數與流體處置系統相關聯之流體流動中的污染物粒子；或(iv)偵測穿過流體處置系統之出口及/或入口之流體的壓力變化及/或流動速率變化；或(v)偵測經過流體處置系統之侷限組件的液體洩漏；或(vi)偵測施加至流體處置系統之力改變，以便維持其所要位置；或(vii)選自(i)-(vi)之任一組合。理想地，量測包含藉由監控供應至用以將組件之溫度維持大體上恆定之加熱器的功率來偵測熱損耗變化。另外或或者，量測包含在關閉用以加熱組件系統之任何加熱器時偵測組件之溫度變化。另外或或者，量測包含在無需清潔之流體處置系統之類似使用條件下比較效能參數與先前量測值。另外或或者，量測包含偵測單相提取器之出口側上的壓力變化。在一實施例中，方法包含：自單相提取器之多孔部件的第一側以恆定速率來提取流體，多孔部件之相反側覆蓋於液體中；及監控多孔部件之第一側上的壓力。理想地，比較突然壓力改變發生時之壓力與某一壓力值，且若突然壓力變化發生時之壓力小於某一壓力值，則指示效能損耗。另外或或者，方法包含自單相提取器之多孔部件的第一側提取流體、經由第一側上之過濾器而以恆定速率來抽取流體，及量測以恆定速率所移除之流體的壓力變化。在一實施例中，方法進一步包含：回應於信號，(i)清潔流體處置系統之至少一部分，或(ii)替換流體處置系統之至少一部分，或(iii)改變浸潤微影裝置之操作參數，或(iv)選自(i)-(iii)之任一組合。在一實施例中，致使注意為致使使用者之注意或浸潤微影裝置之控制器的注意。在一實施例中，基板台包含擋板部件，且其中量測指示介於流體處置系統與擋板部件之間的流體圍阻位準。
在一實施例中，一種偵測浸潤微影裝置之流體處置系統之污染物的方法包含：(i)在操作流體處置系統期間偵測自組件之熱損耗改變；或(ii)偵測流體處置系統之單相提取器之出口側上的壓力變化；或(iii)計數與流體處置系統相關聯之流體流動中的污染物粒子；或(iv)偵測穿過流體處置系統之出口及/或入口之流體的壓力變化及/或流動速率變化；或(v)偵測經過流體處置系統之侷限組件的液體洩漏；或(vi)偵測施加至流體處置系統之力改變，以便維持其所要位置；或(vii)選自(i)-(vi)之任一組合。理想地，組件為流體處置系統之一部分或為流體處置系統或基板或基板台。
在一實施例中，一種偵測微影裝置之流體處置系統之污染物的方法包含：使流體處置系統之多孔部件在第一側上與流體接觸；自多孔部件之第二側以恆定速率來移除流體，該第二側相反於第一側；及藉由監控以恆定速率所移除之流體的壓力而偵測污染物。理想地，將液體提供於多孔部件之第一側上，且移除流體包含自多孔部件之第二側移除氣體，其中比較突然壓力改變發生時之壓力與某一壓力，若突然壓力改變發生時之壓力低於某一壓力，則偵測需要流體處置系統之清潔之位準下的污染物。理想地，自多孔部件之第二側以恆定速率所移除之流體為經由過濾器而移除之液體，且壓力為經由過濾器而移除之液體的壓力。
在一實施例中，一種偵測浸潤微影裝置之流體處置系統之污染物的方法包含：自投影系統與基板及/或基板台之間的空間提取流體；計數存在於所提取流體中之污染物粒子之數目；及判定污染物粒子之數目何時超過某一臨限值。
在一實施例中，一種浸潤微影裝置包含流體處置系統及控制器，控制器經組態以量測流體處置系統之效能參數，且在量測指示低於某一臨限值之效能損耗的情況下致使注意流體處置系統之效能已下降至低於某一臨限值。理想地，控制器經組態以偵測組件之熱損耗變化及/或流體處置系統之單相提取器之出口側上的壓力變化。理想地，流體處置系統包含經組態以計數由流體處置系統所處置之流體中之粒子之數目的粒子計數器。理想地，流體處置系統在多孔部件之第一側上包含經組態以量測多孔部件之第一側上之流體壓力的壓力感測器，該第一側在流體處置系統內部。在一實施例中，裝置進一步包含在多孔部件之第一側上的過濾器，及經組態成以恆定速率而經由過濾器來提取流體之泵，其中壓力感測器經組態以量測以恆定速率所提取之流體的壓力。理想地，進一步包含：(i)感測器，其經組態以感測流體處置系統與基板之間流體之存在；或(ii)壓力感測器，其經組態以量測流體處置系統之流體入口及/或流體出口中之流體的壓力；或(iii)流動感測器，其經組態以量測經由流體處置系統之入口及/或出口的流動；或(iv)選自(i)-(iii)之任一組合。
在一實施例中，一種操作浸潤微影裝置之流體處置系統的方法包含：偵測流體處置系統之單相提取器之出口側上的壓力變化；及在偵測指示介於流體處置系統與基板及/或基板台之間的流體圍阻位準已下降至低於某一臨限值的情況下產生信號。在一實施例中，偵測為流體處置系統之流體圍阻效能的間接量測。在一實施例中，其中偵測包含：自單相提取器之多孔部件的第一側以恆定速率來提取流體，多孔部件之相反側覆蓋於液體中；及監控多孔部件之第一側上的壓力。理想地，比較突然壓力改變發生時之壓力與某一壓力值，且若突然壓力改變發生時之壓力小於某一壓力值，則流體處置系統與基板之間的流體圍阻位準已下降至低於某一臨限值。在一實施例中，偵測包含自單相提取器之多孔部件的第一側提取流體且經由第一側上之過濾器而以恆定速率來抽取流體，及量測以恆定速率所移除之流體的壓力變化。在一實施例中，方法進一步包含回應於信號而清潔流體處置系統之至少一部分。在一實施例中，方法進一步包含回應於信號而替換流體處置系統之至少一部分。在一實施例中，方法進一步包含回應於信號而改變浸潤微影裝置之操作參數。在一實施例中，方法進一步包含回應於信號而致使使用者注意或致使浸潤微影裝置之控制器注意流體處置系統之圍阻效能已下降至低於某一臨限值。
在一實施例中，一種操作浸潤微影裝置之流體處置系統的方法包含：計數與流體處置系統相關聯之流體流動中的污染物粒子；及在粒子之數目超過某一臨限值的情況下產生信號，某一臨限值指示介於流體處置系統與基板及/或基板台之間的流體圍阻位準之降低。理想地，計數為流體處置系統之流體圍阻效能的間接量測。在一實施例中，方法進一步包含自流體處置系統之單相提取器之多孔部件的第一側提取流體，其中計數流體流動中之污染物粒子包含計數已穿過多孔部件至第二側之污染物粒子。在一實施例中，方法進一步包含回應於信號而清潔流體處置系統之至少一部分。在一實施例中，方法進一步包含回應於信號而替換流體處置系統之至少一部分。在一實施例中，方法進一步包含回應於信號而改變浸潤微影裝置之操作參數。在一實施例中，方法進一步包含回應於信號而致使使用者注意或致使浸潤微影裝置之控制器注意流體處置系統之圍阻效能已下降至低於某一臨限值。
在一實施例中，一種操作浸潤微影裝置之流體處置系統的方法包含：偵測流體處置系統之熱損耗變化；及在偵測指示介於流體處置系統與基板及/或基板台之間的流體圍阻位準已下降至低於某一臨限值的情況下產生信號。理想地，偵測為流體處置系統之流體圍阻效能的間接量測。理想地，偵測熱損耗變化包含監控供應至經組態以將組件之溫度維持大體上恆定之加熱器的功率。理想地，偵測熱損耗變化包含在關閉經組態以加熱組件系統之任何加熱器時監控組件之溫度。在一實施例中，方法進一步包含回應於信號而清潔流體處置系統之至少一部分。在一實施例中，方法進一步包含回應於信號而替換流體處置系統之至少一部分。在一實施例中，方法進一步包含回應於信號而改變浸潤微影裝置之操作參數。在一實施例中，方法進一步包含回應於信號而致使使用者注意或致使浸潤微影裝置之控制器注意流體處置系統之圍阻效能已下降至低於某一臨限值。
在一實施例中，一種操作浸潤微影裝置之流體處置系統的方法包含：偵測穿過流體處置系統之出口及/或入口之流體的壓力變化及/或流動速率變化；及在偵測指示介於流體處置系統與基板及/或基板台之間的流體圍阻位準已下降至低於某一臨限值的情況下產生信號。在一實施例中，方法進一步包含回應於信號而清潔流體處置系統之至少一部分。在一實施例中，方法進一步包含回應於信號而替換流體處置系統之至少一部分。在一實施例中，方法進一步包含回應於信號而改變浸潤微影裝置之操作參數。在一實施例中，方法進一步包含回應於信號而致使使用者注意或致使浸潤微影裝置之控制器注意流體處置系統之圍阻效能已下降至低於某一臨限值。
在一實施例中，一種操作浸潤微影裝置之流體處置系統的方法包含：偵測經過流體處置系統之侷限組件的液體洩漏；及在偵測指示介於流體處置系統與基板及/或基板台之間的流體圍阻位準已下降至低於某一臨限值的情況下產生信號。在一實施例中，方法進一步包含回應於信號而清潔流體處置系統之至少一部分。在一實施例中，方法進一步包含回應於信號而替換流體處置系統之至少一部分。在一實施例中，方法進一步包含回應於信號而改變浸潤微影裝置之操作參數。在一實施例中，方法進一步包含回應於信號致使使用者注意或致使浸潤微影裝置之控制器注意流體處置系統之圍阻效能已下降至低於某一臨限值。
在一實施例中，一種操作浸潤微影裝置之流體處置系統的方法包含：偵測施加至流體處置系統之力改變，以便維持其所要位置；及在偵測指示介於流體處置系統與基板及/或基板台之間的流體圍阻位準已下降至低於某一臨限值的情況下產生信號。在一實施例中，方法進一步包含回應於信號而清潔流體處置系統之至少一部分。在一實施例中，方法進一步包含回應於信號而替換流體處置系統之至少一部分。在一實施例中，方法進一步包含回應於信號而改變浸潤微影裝置之操作參數。在一實施例中，方法進一步包含回應於信號而致使使用者注意或致使浸潤微影裝置之控制器注意流體處置系統之圍阻效能已下降至低於某一臨限值。
在一實施例中，一種偵測來自微影裝置之流體處置系統之殘餘液體的方法包含：使用流體處置系統而將液體施加至表面；相對於流體處置系統而移動表面，殘餘液體在移動之後保留於表面上；在表面處引導輻射光束，光束之至少一部分歸因於殘餘液體而散射；及藉由量測散射輻射或藉由偵測歸因於散射之輻射損耗而判定殘餘液體之存在。理想地，使用光學位準感測器來執行引導光束。理想地，方法包含在殘餘液體處引導輻射光束之前量測藉由輻射光束之表面乾燥。理想地，殘餘液體之經判定存在指示流體處置系統之污染物。
在一實施例中，一種浸潤微影裝置包含：流體處置系統；光學感測器，其經組態以在表面處引導輻射光束，光束之至少一部分歸因於表面上來自流體處置系統之殘餘液體而散射；及控制器，其經組態以藉由量測散射輻射或藉由偵測歸因於散射之輻射損耗而判定殘餘液體之存在。
在一實施例中，一種偵測來自微影裝置之流體處置系統之殘餘液體的方法包含：判定表面之第一高度剖面；使用流體處置系統而將液體施加至表面；相對於流體處置系統而移動表面，殘餘液體在移動之後保留於表面上；判定表面之第二高度剖面及保留於表面上之殘餘液體；及藉由比較第一高度剖面與第二高度剖面而判定殘餘液體之存在。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見的為，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
11．．．儲集層/液體
12．．．液體侷限結構
13．．．埠
14．．．第一出口
15．．．氣體入口
16．．．氣體密封件
20．．．液體移除器件
21．．．多孔部件
22．．．彎液面
31．．．環形腔室
32．．．氣體提取環
33．．．氣體供應環
34．．．氣體刀
35．．．第二氣體刀
40．．．彎液面
50．．．粒子計數器
60．．．過濾器
70．．．容積泵
80．．．壓力感測器
90．．．泵
100．．．壓力感測器
101．．．方向
102．．．方向
105．．．感測器
120．．．感測器
130．．．感測器
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
dhole ．．．直徑
hgap ．．．高度
IF．．．位置感測器
IH．．．液體侷限結構
IL．．．照明器
IN．．．積光器
M1．．．圖案化器件對準標記
M2．．．圖案化器件對準標記
MA．．．圖案化器件
MT．．．支撐結構
OUT．．．出口
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
pair ．．．間隙中氣體中之壓力
pc ．．．腔室中之壓力
pgap ．．．液體中之壓力
PL．．．投影系統
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
X．．．方向
Y．．．方向
Z．．．方向
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2及圖3描繪用於在微影投影裝置中使用之液體供應系統；
圖4描繪用於在微影投影裝置中使用之另一液體供應系統；
圖5描繪液體供應系統；
圖6a至圖6c描繪另一液體供應系統；
圖7以橫截面示意性地描繪根據本發明之一實施例的液體侷限系統；
圖8以橫截面示意性地描繪根據本發明之一實施例的液體侷限系統；
圖9以橫截面示意性地描繪根據本發明之一實施例的液體侷限系統；
圖10以橫截面示意性地描繪根據本發明之一實施例的液體侷限系統；
圖11描繪根據本發明之一實施例之光學感測器測試序列的流程圖；且
圖12及圖13描繪來自根據本發明之一實施例之光學感測器測試序列的樣本結果。
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．位置感測器
IH．．．液體侷限結構
IL．．．照明器
IN．．．積光器
M1．．．圖案化器件對準標記
M2．．．圖案化器件對準標記
MA．．．圖案化器件
MT．．．支撐結構
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
X．．．方向
Y．．．方向
Z．．．方向

Claims (15)

  1. 一種偵測一浸潤微影裝置之一流體處置系統之污染物的方法，該方法包含：使該流體處置系統之一多孔部件在一第一側上與流體接觸；自配置於該多孔部件之一第二側之一管道經由一施加一低壓之過濾器以一固定速率來移除流體，該第二側相對於該第一側；及藉由監控該過濾器下游之流體的壓力而偵測該多孔部件之污染物。
  2. 如請求項1之方法，其進一步包含於偵測到污染物時產生一指示應採取補救行動之信號。
  3. 如請求項1或2之方法，其中該移除進一步包含經由配置於該多孔部件之下游的一管道之一過濾器抽取流體。
  4. 如請求項1或2之方法，其進一步包含於偵測到污染物時清潔該流體處置系統之至少一部分。
  5. 如請求項1或2之方法，其進一步包含於偵測到污染物時替換該流體處置系統之至少一部分。
  6. 如請求項1或2之方法，其進一步包含於偵測到污染物時改變該浸潤微影裝置之一操作參數。
  7. 如請求項1之方法，其進一步包含於偵測到污染物時致使一使用者或一控制器注意該浸潤微影裝置。
  8. 如請求項1或2之方法，其中該流體處置系統包含一併有該多孔部件之提取器，其經由該多孔部件來移除該流 體。
  9. 如請求項1或2之方法，其中該偵測包含計數於該多孔部件之該第二側上流動之流體中的污染物粒子。
  10. 如請求項1或2之方法，其中該偵測包含偵測該流體處置系統之一熱損耗變化。
  11. 如請求項1或2之方法，其中該偵測包含監測經過該流體處置系統之一侷限組件的液體洩漏。
  12. 如請求項1或2之方法，其中該偵測包含監測施加至該流體處置系統之一力改變，以便維持一所要位置。
  13. 一種浸潤微影裝置，其包含一流體處置系統及一控制器，其中：該流體處置系統經組態以使該流體處置系統之一多孔部件在一第一側上與流體接觸及以自配置於該多孔部件之一第二側之一管道經由一施加一低壓之過濾器以一固定速率來移除流體，該第二側相對於該第一側；及該控制器經組態以藉由監控該過濾器下游該流體的壓力而偵測該多孔部件之污染物。
  14. 如請求項13之裝置，其進一步包含一以一恆定速率自該多孔部件之該第二側移除流體之泵。
  15. 如請求項13或14之裝置，其進一步包含一用於監測由該泵以一恆定速率移除之該流體壓力之壓力感測器。
TW097136168A 2007-09-27 2008-09-19 浸潤微影的方法及浸潤微影裝置 TWI392974B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US96038607P 2007-09-27 2007-09-27
US7133508P 2008-04-22 2008-04-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200921294A TW200921294A (en) 2009-05-16
TWI392974B true TWI392974B (zh) 2013-04-11

Family

ID=40219384

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097136168A TWI392974B (zh) 2007-09-27 2008-09-19 浸潤微影的方法及浸潤微影裝置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8587762B2 (zh)
EP (1) EP2042930B1 (zh)
JP (1) JP5064340B2 (zh)
KR (2) KR101010297B1 (zh)
CN (2) CN101408733B (zh)
SG (1) SG151198A1 (zh)
TW (1) TWI392974B (zh)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI245163B (en) * 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8654305B2 (en) * 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US7841352B2 (en) * 2007-05-04 2010-11-30 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US7866330B2 (en) 2007-05-04 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8011377B2 (en) 2007-05-04 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US7916269B2 (en) 2007-07-24 2011-03-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method
US20090025753A1 (en) * 2007-07-24 2009-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic Apparatus And Contamination Removal Or Prevention Method
NL1036306A1 (nl) 2007-12-20 2009-06-23 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and in-line cleaning apparatus.
US8953143B2 (en) 2009-04-24 2015-02-10 Nikon Corporation Liquid immersion member
NL2005655A (en) * 2009-12-09 2011-06-14 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a device manufacturing method.
CA2784148A1 (en) * 2009-12-28 2011-07-28 Pioneer Hi-Bred International, Inc. Sorghum fertility restorer genotypes and methods of marker-assisted selection
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
US20120012191A1 (en) * 2010-07-16 2012-01-19 Nikon Corporation Liquid recovery apparatus, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium
JP2012080007A (ja) * 2010-10-05 2012-04-19 Nikon Corp 露光装置、メンテナンス方法、及びデバイス製造方法
NL2009899A (en) * 2011-12-20 2013-06-24 Asml Netherlands Bv A pump system, a carbon dioxide supply system, an extraction system, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
US9651873B2 (en) * 2012-12-27 2017-05-16 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium
US9720331B2 (en) * 2012-12-27 2017-08-01 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium
CN103885301B (zh) * 2014-03-21 2015-09-16 浙江大学 浸没式光刻机中浸液传送系统的控制时序的模型匹配方法
CN104570617B (zh) * 2014-12-25 2016-08-17 浙江大学 基于动态压力检测的浸没流场自适应密封方法
CN113960889A (zh) * 2016-12-14 2022-01-21 Asml荷兰有限公司 光刻设备及器件制造方法
WO2018192710A1 (en) * 2017-04-20 2018-10-25 Asml Netherlands B.V. Method of performance testing a fluid handling structure
KR102649164B1 (ko) * 2017-12-15 2024-03-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 유체 핸들링 구조체, 리소그래피 장치, 유체 핸들링 구조체를 사용하는 방법 및 리소그래피 장치를 사용하는 방법
KR20230121035A (ko) * 2020-12-23 2023-08-17 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 유체 취급 시스템, 방법 및 리소그래피 장치
CN112782051A (zh) * 2020-12-29 2021-05-11 浙江启尔机电技术有限公司 一种浸没控制单元的洁净度检测系统及其洁净度检测方法
CN113504707B (zh) * 2021-06-17 2023-12-05 华虹半导体(无锡)有限公司 浸没装置上孔洞堵塞的检测方法
CN117546097A (zh) * 2021-06-25 2024-02-09 Asml荷兰有限公司 检查工具、方法和光刻设备
WO2024037801A1 (en) * 2022-08-19 2024-02-22 Asml Netherlands B.V. A conditioning system, arrangement and method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1524558A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060038968A1 (en) * 2004-08-19 2006-02-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Family Cites Families (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
WO1999027568A1 (fr) 1997-11-21 1999-06-03 Nikon Corporation Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JP2000323396A (ja) 1999-05-13 2000-11-24 Canon Inc 露光方法、露光装置、およびデイバイス製造方法
EP2495613B1 (en) 2002-11-12 2013-07-31 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
EP1420300B1 (en) 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100470367C (zh) 2002-11-12 2009-03-18 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101060983B1 (ko) 2002-12-03 2011-08-31 가부시키가이샤 니콘 오염 물질 제거 방법 및 장치, 그리고 노광 방법 및 장치
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR20140139139A (ko) 2003-04-10 2014-12-04 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
EP1614001B1 (en) 2003-04-11 2009-11-25 Nikon Corporation Cleanup method for optics in immersion lithography
EP2270599A1 (en) 2003-05-13 2011-01-05 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus
TW201806001A (zh) 2003-05-23 2018-02-16 尼康股份有限公司 曝光裝置及元件製造方法
EP2261742A3 (en) 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method.
CN101436002B (zh) 2003-07-28 2011-07-27 株式会社尼康 曝光装置、器件制造方法、及曝光装置的控制方法
JP4492239B2 (ja) * 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
KR101785707B1 (ko) * 2003-07-28 2017-11-06 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법
US7779781B2 (en) * 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005072404A (ja) 2003-08-27 2005-03-17 Sony Corp 露光装置および半導体装置の製造方法
JP4305095B2 (ja) 2003-08-29 2009-07-29 株式会社ニコン 光学部品の洗浄機構を搭載した液浸投影露光装置及び液浸光学部品洗浄方法
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4438747B2 (ja) 2003-09-26 2010-03-24 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光装置の洗浄方法、メンテナンス方法並びにデバイスの製造方法
EP1672682A4 (en) 2003-10-08 2008-10-15 Zao Nikon Co Ltd SUBSTRATE TRANSPORT DEVICE AND METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
JP2005159322A (ja) * 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
US7528929B2 (en) 2003-11-14 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101163095B1 (ko) 2003-12-23 2012-07-06 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 표면 조사 방법, 감광 층을 패터닝하는 방법, 제거가능한 보호 층의 제거 방법 및 블랭크
EP3376523A1 (en) * 2004-01-05 2018-09-19 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device producing method
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101166007B1 (ko) 2004-02-10 2012-07-17 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 메인터넌스 방법 및노광 방법
JP4479269B2 (ja) 2004-02-20 2010-06-09 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US7091502B2 (en) 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
CN108490741A (zh) 2004-06-09 2018-09-04 株式会社尼康 曝光装置及元件制造方法
US8698998B2 (en) 2004-06-21 2014-04-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device
US7463330B2 (en) * 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102004033208B4 (de) 2004-07-09 2010-04-01 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Vorrichtung zur Inspektion eines mikroskopischen Bauteils mit einem Immersionsobjektiv
US7307263B2 (en) 2004-07-14 2007-12-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, radiation system, contaminant trap, device manufacturing method, and method for trapping contaminants in a contaminant trap
US7224427B2 (en) 2004-08-03 2007-05-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Megasonic immersion lithography exposure apparatus and method
JP4772306B2 (ja) 2004-09-06 2011-09-14 株式会社東芝 液浸光学装置及び洗浄方法
US7385670B2 (en) 2004-10-05 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, cleaning system and cleaning method for in situ removing contamination from a component in a lithographic apparatus
US20090021709A1 (en) 2004-10-13 2009-01-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP3306647A1 (en) * 2004-10-15 2018-04-11 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2006120674A (ja) 2004-10-19 2006-05-11 Canon Inc 露光装置及び方法、デバイス製造方法
JP2006134999A (ja) 2004-11-04 2006-05-25 Sony Corp 液浸型露光装置、及び、液浸型露光装置における保持台の洗浄方法
US7362412B2 (en) 2004-11-18 2008-04-22 International Business Machines Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate in an immersion lithography system
KR101559621B1 (ko) 2004-12-06 2015-10-13 가부시키가이샤 니콘 메인터넌스 방법, 메인터넌스 기기, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
JP4752473B2 (ja) * 2004-12-09 2011-08-17 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4569291B2 (ja) * 2004-12-24 2010-10-27 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
SG124359A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411654B2 (en) * 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006310706A (ja) 2005-05-02 2006-11-09 Nikon Corp 光学部品の洗浄方法、液浸投影露光装置および露光方法
US20060250588A1 (en) 2005-05-03 2006-11-09 Stefan Brandl Immersion exposure tool cleaning system and method
US7315033B1 (en) 2005-05-04 2008-01-01 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for reducing biological contamination in an immersion lithography system
WO2006122578A1 (en) 2005-05-17 2006-11-23 Freescale Semiconductor, Inc. Contaminant removal apparatus and method therefor
US20070085989A1 (en) 2005-06-21 2007-04-19 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, maintenance method, and device manufacturing method
US7170583B2 (en) * 2005-06-29 2007-01-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus immersion damage control
US20070002296A1 (en) 2005-06-30 2007-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography defect reduction
US7262422B2 (en) 2005-07-01 2007-08-28 Spansion Llc Use of supercritical fluid to dry wafer and clean lens in immersion lithography
DE102005031792A1 (de) 2005-07-07 2007-01-11 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Entfernung von Kontamination von optischen Elementen, insbesondere von Oberflächen optischer Elemente sowie ein optisches System oder Teilsystem hierfür
JP2007029973A (ja) 2005-07-25 2007-02-08 Sony Corp レーザ加工装置とその加工方法及びデブリ回収装置とその回収方法
JP2007088040A (ja) 2005-09-20 2007-04-05 Canon Inc 露光装置
JP2007088328A (ja) 2005-09-26 2007-04-05 Toshiba Corp 液浸型露光装置の洗浄方法
JP2007103658A (ja) 2005-10-04 2007-04-19 Canon Inc 露光方法および装置ならびにデバイス製造方法
US7986395B2 (en) 2005-10-24 2011-07-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography apparatus and methods
CN1963673A (zh) 2005-11-11 2007-05-16 台湾积体电路制造股份有限公司 浸润式微影曝光设备及方法
JP2007142217A (ja) 2005-11-18 2007-06-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd イマージョン式リソグラフィ露光装置およびその方法
JP2007150102A (ja) 2005-11-29 2007-06-14 Fujitsu Ltd 露光装置及び光学素子の洗浄方法
US8125610B2 (en) 2005-12-02 2012-02-28 ASML Metherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
US7462850B2 (en) 2005-12-08 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Radical cleaning arrangement for a lithographic apparatus
US7405417B2 (en) 2005-12-20 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having a monitoring device for detecting contamination
US7522263B2 (en) 2005-12-27 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US20070146658A1 (en) 2005-12-27 2007-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
JP4704221B2 (ja) 2006-01-26 2011-06-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP2007221015A (ja) 2006-02-20 2007-08-30 Sony Corp 液侵露光装置
JP2007227543A (ja) * 2006-02-22 2007-09-06 Toshiba Corp 液浸光学装置、洗浄方法及び液浸露光方法
JP2007227580A (ja) 2006-02-23 2007-09-06 Sony Corp 液浸型露光装置および液浸型露光方法
JP2007266074A (ja) 2006-03-27 2007-10-11 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び液浸リソグラフィーシステム
JP2007294817A (ja) 2006-04-27 2007-11-08 Sokudo:Kk 基板処理方法、基板処理システムおよび基板処理装置
US7628865B2 (en) 2006-04-28 2009-12-08 Asml Netherlands B.V. Methods to clean a surface, a device manufacturing method, a cleaning assembly, cleaning apparatus, and lithographic apparatus
US7602471B2 (en) 2006-05-17 2009-10-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for particle monitoring in immersion lithography
SG175671A1 (en) 2006-05-18 2011-11-28 Nikon Corp Exposure method and apparatus, maintenance method and device manufacturing method
US7969548B2 (en) 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method
CN102156389A (zh) 2006-05-23 2011-08-17 株式会社尼康 维修方法、曝光方法及装置、以及组件制造方法
JP2007317987A (ja) 2006-05-29 2007-12-06 Sokudo:Kk 基板処理装置および基板処理方法
CN101390194B (zh) 2006-06-30 2011-04-20 株式会社尼康 维修方法、曝光方法及装置、以及元件制造方法
JP2008041822A (ja) * 2006-08-03 2008-02-21 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法、並びに環境制御装置
US8947629B2 (en) 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US7841352B2 (en) 2007-05-04 2010-11-30 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US20090025753A1 (en) 2007-07-24 2009-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic Apparatus And Contamination Removal Or Prevention Method
US7916269B2 (en) 2007-07-24 2011-03-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1524558A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060038968A1 (en) * 2004-08-19 2006-02-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
CN102156390A (zh) 2011-08-17
SG151198A1 (en) 2009-04-30
CN101408733B (zh) 2013-02-27
JP2009088508A (ja) 2009-04-23
TW200921294A (en) 2009-05-16
CN102156390B (zh) 2017-03-01
KR20090033128A (ko) 2009-04-01
EP2042930B1 (en) 2014-02-12
EP2042930A2 (en) 2009-04-01
CN101408733A (zh) 2009-04-15
US20090086175A1 (en) 2009-04-02
EP2042930A3 (en) 2009-06-24
JP5064340B2 (ja) 2012-10-31
KR101010297B1 (ko) 2011-01-24
US8587762B2 (en) 2013-11-19
KR20110004809A (ko) 2011-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI392974B (zh) 浸潤微影的方法及浸潤微影裝置
US9465302B2 (en) Lithographic apparatus
US11187991B2 (en) Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus
TWI459151B (zh) 微影裝置及在二相流動中量測流動速率的方法
TWI512408B (zh) 微影設備，用於微影設備之支撐平台及元件製造方法
JP5243515B2 (ja) リソグラフィ装置および表面洗浄方法
TWI434146B (zh) 微影裝置及利用微影裝置製造元件之方法
JP2011171733A (ja) 基板テーブル、リソグラフィ装置、及びリソグラフィ装置を使用してデバイスを製造するための方法
JP5639605B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP5090398B2 (ja) リソグラフィ装置の液浸流体又はリソグラフィ装置からの液浸流体中の粒子を検出する方法及びリソグラフィ装置
TWI412901B (zh) 遮閉件、微影裝置及元件製造方法
JP5236798B2 (ja) 基板テーブル、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法
US8817227B2 (en) Immersion lithography apparatus
JP2009177177A (ja) 液浸流体再循環システムを有する液浸リソグラフィ装置
JP2010109365A (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP6083975B2 (ja) 流体ハンドリング構造、液浸リソグラフィ装置及びリソグラフィ装置を操作する方法
JP4921454B2 (ja) 液浸リソグラフィ