JP5236798B2 - 基板テーブル、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 - Google Patents

基板テーブル、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 Download PDF

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Description

[0001] 本発明は、テーブル、リソグラフィ装置、およびリソグラフィ装置を用いてデバイスを製造する方法に関する。
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
[0003] 投影システムの最終エレメントと基板との間の空間を満たすために、比較的高屈折率を有する液体、例えば水の中にリソグラフィ投影装置内の基板を浸漬させることが提案されてきた。一実施形態において、液体は蒸留水であるが、別の液体も使用できる。本発明の一実施形態について、液体に関連して説明する。しかし、別の流体、特に湿潤流体、非圧縮流体、および／または空気より高い屈折率、望ましくは水より高い屈折率を有する流体が適切な場合もある。気体を除く流体が特に望ましい。上記の要点は、露光放射は液体中でより短い波長を有するという理由で、より小さいフィーチャの結像を可能にすることである。（この液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を増加させ、かつ焦点深度を深めるものと見なすこともできる。）固体粒子（例えば、石英）が中に懸濁している水、またはナノ粒子懸濁液（例えば、最大寸法が１０ｎｍの粒子）などの、その他の液浸液も提案されている。懸濁された粒子は、粒子が懸濁された液体の屈折率と同等または同一の反射率を有してもよいし、有さなくてもよい。適切であり得る他の液体には、芳香族炭化水素などの炭化水素、フッ化炭化水素、および／または水溶液が含まれる。
[0004] 基板、または基板および基板テーブルを液体浴に浸漬させること（例えば、米国特許第４，５０９，８５２号を参照）は、スキャン露光中に加速されなければならない大量の液体が存在することを意味する。このことは、追加のまたはより強力なモータを必要とし、液体中の乱流は、望ましくない予測不能な影響をもたらし得る。
[0005] 液浸装置内で、液浸流体は流体ハンドリングシステム、デバイス、構造または装置によって取り扱われる。一実施形態において、流体ハンドリングシステムは液浸流体を供給することができ、従って流体供給システムとすることができる。一実施形態において、流体ハンドリングシステムは少なくとも部分的に液浸流体を閉じ込めることができ、従って流体閉じ込めシステムとすることができる。一実施形態において、流体ハンドリングシステムは液浸流体に対するバリアを設けることができ、従って流体閉じ込め構造などのバリア部材とすることができる。一実施形態において、流体ハンドリングシステムは、例えば液浸流体の流れおよび／または位置の制御に役立てるために、気体流を生成または使用することができる。気体流は、液浸流体を閉じ込めるシールを形成することができ、従って流体ハンドリング構造をシール部材と呼ぶことができる。そのようなシール部材は流体閉じ込め構造とすることができる。一実施形態において、液浸液は液浸流体として使用される。その場合、流体ハンドリングシステムは、液体ハンドリングシステムとすることができる。前述した説明に関して、本段落で流体に関して定義された特徴への言及は、液体に関して定義された特徴を含むと理解することができる。
[0006] 液浸液が流体ハンドリングシステムによって投影システムの下方にある表面の局所領域に閉じ込められる場合、メニスカスが流体ハンドリングシステムと表面との間に延在する。メニスカスが表面上の液滴と衝突する場合、これが液浸液への泡の混入を招くおそれがある。液滴は、流体ハンドリングシステムからの漏れを含むさまざまな理由により当該面上に存在し得る。液浸液内の泡は、基板の結像中、例えば、投影ビームに干渉することによって、結像エラーにつながる可能性がある。
[0007] 泡が形成され得る方法として、メニスカスが基板Ｗまたは他のオブジェクトの縁の上を動くときに気体が液体中に入り込むことがあり、それによって泡が形成されるというものがある。泡を形成する気体は、基板Ｗまたは他のオブジェクトの縁と、基板Ｗまたは他のオブジェクトを取り囲むテーブルの部分との間のギャップから発生し得る。このような泡の発生を防ぐのに役立つために、テーブルは二相抽出器を備えることができる。この二相抽出器は、ギャップを介して下方に気体を、また存在する場合に液体を排出させることを伴う。
[0008] 例えば、泡混入の可能性が少なくとも低減されるリソグラフィ装置を提供することが望ましい。
[0009] 一態様によれば、リソグラフィ装置用テーブルであって、テーブルの上面に形成された捕集口を備え、捕集口は、上面以外のテーブルの面の排出口において、テーブルの環境とテーブルを介して流体連通する、テーブルが提供される。
[0010] 一態様によれば、上述したテーブルを備えるリソグラフィ装置が提供される。
[0011] 一態様によれば、デバイス製造方法であって、
投影システムの最終エレメントと基板テーブル上に支持された基板との間の空間に閉じ込められた液浸液を介して、パターン形成された放射ビームを投影することと、
テーブルの上面に形成された捕集口に液浸液を捕集することであって、捕集口は、上面以外のテーブルの面の排出口において、テーブルの環境とテーブルを介して流体連通することと、
排出口において液浸液を抽出することと、を含む、方法が提供される。
[0012] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
[0013] 図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す。 [0014] 図２は、リソグラフィ投影装置で使用される液体供給システムを示す。 [0014] 図３は、リソグラフィ投影装置で使用される液体供給システムを示す。 [0015] 図４は、リソグラフィ投影装置で使用される、さらなる液体供給システムを示す。 [0016] 図５は、リソグラフィ投影装置で使用される、さらなる液体供給システムを示す。 [0017] 図６は、リソグラフィ投影装置で使用される基板テーブルを断面で示す。 [0018] 図７は、リソグラフィ投影装置で使用される基板テーブルを断面で示す。 [0019] 図８は、リソグラフィ投影装置で使用される基板テーブルを断面で示す。 [0020] 図９は、リソグラフィ投影装置で使用される基板テーブルを断面で示す。 [0021] 図１０は、リソグラフィ投影装置で使用される基板テーブルを断面で示す。 [0022] 図１１は、リソグラフィ投影装置で使用される基板テーブルを断面で示す。 [0023] 図１２は、リソグラフィ投影装置で使用される基板テーブルを断面で示す。 [0024] 図１３は、リソグラフィ投影装置で使用される基板テーブルを断面で示す。 [0025] 図１４は、リソグラフィ投影装置で使用される基板テーブルを断面で示す。
[0026] 図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、
−放射ビームＢ（例えば、紫外線またはＤＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
−パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
−基板（例えば、レジストコート基板）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って例えば基板Ｗのテーブルの表面を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された１つ以上のセンサまたは基板テーブルＷＴを支持するセンサテーブルなどのサポートテーブルと、
−パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を備える。
[0027] 照明システムＩＬとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
[0028] サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスＭＡが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを、例えば、投影システムＰＳに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
[0029] 本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
[0030] パターニングデバイスＭＡは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
[0031] 本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
[0032] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、上述のプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、または反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
[0033] リソグラフィ装置は、２つ以上のテーブル（またはステージやサポート）、例えば、２つ以上の基板テーブル、または１つ以上の基板テーブルと１つ以上のセンサまたは測定テーブルの組合せを有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、多数のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。リソグラフィ装置は、基板、センサ、および測定テーブルと同様の態様で並行して使うことができる２つ以上のパターニングデバイステーブル（またはステージやサポート）を有してよい。
[0034] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、放射源ＳＯとリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源ＳＯが水銀ランプである場合、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
[0035] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータＩＬの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータＩＬを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。放射源ＳＯと同様に、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとみなされてよく、またみなされなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体部分であってよく、またはリソグラフィ装置とは別個の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬがリソグラフィ装置上に設置されることを可能にするように構成され得る。必要に応じて、イルミネータＩＬは着脱可能であり、（例えば、リソグラフィ装置製造業者または別の供給業者によって）別個で設けられてよい。
[0036] 放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示的に示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、サポート構造ＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分Ｃとターゲット部分Ｃとの間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
[0037] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
[0038] １．ステップモードにおいては、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームＢに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
[0039] ２．スキャンモードにおいては、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームＢに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分Ｃの幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分Ｃの高さ（スキャン方向）が決まる。
[0040] ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[0041] 上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
[0042] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった、マイクロスケール、さらにはナノスケールのフィーチャを有するコンポーネントを製造する際の他の用途を有し得ることが理解されるべきである。
[0043] 投影システムＰＳの最終エレメントと基板との間に液体を供給するための配置は、３つの一般的なカテゴリーに分類することができる。これらは、浴型（バスタイプ）配置、いわゆる局所液浸システム、およびオールウェット液浸システムである。浴型配置において、実質的に基板Ｗの全体が、そして任意に基板テーブルＷＴの一部が、液体の浴に浸漬される。
[0044] 局所液浸システムは、液体が基板の局所領域にのみ供給される液体供給システムを使用する。液体によって満たされる空間は平面において基板の上面より小さく、基板Ｗが当該領域の下で動く一方、液体が満たされる領域は投影システムＰＳに対して実質的に静止している。図２〜図５は、そのようなシステム内で使用可能であるさまざまな供給デバイスを示している。封止フィーチャが、液体を局所領域に封じるために存在する。このために提案されている１つの方法が、ＰＣＴ国際公開公報第９９／４９５０４号に開示されている。
[0045] オールウェット配置においては、液体は閉じ込められない。基板上面の全体および基板テーブルの全体または一部は液浸液に覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は基板上の液体の膜、例えば薄膜であり得る。投影システムおよび投影システムに対向する面（このような対向面は基板および／または基板テーブルの面であり得る）の領域へ、または当該領域内に、液浸液が供給され得る。図２〜図５のいずれの液体供給デバイスもそのようなシステム内で使用することができる。しかし、液体を局所領域のみに封じるために封止フィーチャは存在せず、作動されず、通常より効率的でなく、そうでなければ効果的でない。
[0046] 図２および図３に示すように、液体は、好ましくは最終エレメントに対する基板の移動方向に沿って、少なくとも１つの入口によって基板上に供給される。液体は、投影システムの下を通過した後に、少なくとも１つの出口によって除去される。基板がエレメントの下方で−Ｘ方向にスキャンされると、液体は、エレメントの＋Ｘ側で供給され、−Ｘ側で取り除かれる。図２は、液体が入口を介して供給され、低圧力源に接続されている出口によってエレメントの他方の側で取り除かれるという配置を概略的に示している。図２では、最終エレメントに対する基板の移動方向に沿って液体が供給される様子が示されているが、必ずしもこのようである必要はない。さまざまな向きおよび数の入口および出口が最終エレメントの周りに配置されることが可能である。図３にその一例が示されており、両側に出口を有する入口４組が、最終エレメントの周りに一定のパターンで設けられている。なお、液体流の方向は、図２および図３の矢印によって示される。
[0047] 局所液体供給システムを備える液浸リソグラフィのさらなる解決法が図４に示されている。液体が投影システムＰＳの両側にある２つの溝入口によって供給され、これらの入口の半径方向外側に配置された複数の個別の出口によって除去される。入口は、投影する投影ビームを通す穴を中心に有するプレートに配置することができる。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口によって供給され、投影システムＰＳの他方側にある複数の個別の出口によって除去され、それによって投影システムＰＳと基板Ｗとの間に液体の薄膜の流れが生じる。どの組合せの入口と出口を使用するかの選択は、基板Ｗの移動方向によって決定することができる（他の組合せの入口及び出口は作動しない）。なお、図４において、流体の流れの方向と基板の方向が矢印で示されている。
[0048] 提案されている別の配置は、投影システムの最終エレメントと基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め構造を、液体供給システムに設けることである。そのような配置が図５に示されている。
[0049] 図５は、投影システムの最終エレメントと基板テーブルＷＴまたは基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する、液体閉じ込め構造１２を備える局所液体供給システムまたは流体ハンドリングシステムを概略的に示している。（なお、以下本明細書における基板Ｗの表面についての言及は、明示的に別段の定めをした場合を除き、さらにまたはあるいは基板テーブルの表面を示す。）液体閉じ込め構造１２は、ＸＹ平面において投影システムに対して実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）には多少の相対移動があり得る。一実施形態において、液体閉じ込め構造１２と基板Ｗの表面との間にはシールが形成されており、ガスシールなどの非接触シール（ガスシールを備えるそのようなシステムは、欧州特許出願公開第１，４２０，２９８号に開示されている）、または液体シールとすることができる。
[0050] 液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終エレメントと基板Ｗとの間の空間１１内に液体を少なくとも部分的に封じ込める。基板Ｗに対する非接触シール１６は、基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終エレメントとの間の空間内に液体が閉じ込められるように、投影システムＰＳのイメージフィールドの周りに形成することができる。空間１１は、投影システムＰＳの最終エレメントの下方でかつ当該エレメントを取り囲んで位置する液体閉じ込め構造１２によって少なくとも部分的に形成される。液体は、液体入口１３によって、投影システムＰＳの下方かつ液体閉じ込め構造１２の内部の空間１１に運ばれる。液体は、液体出口１３によって除去され得る。液体閉じ込め構造１２は、投影システムの最終エレメントの少し上方に延在し得る。液面は、液体のバッファが設けられるように最終エレメントより高くなる。一実施形態において、液体閉じ込め構造１２は、その上端において投影システムまたは投影システムの最終エレメントの形状に厳密に一致する、例えば円形であり得る内周部を有する。底部において、この内周部は、イメージフィールドの形状、例えば長方形に厳密に一致するが、必ずしもこのようにする必要はない。
[0051] 液体は、使用中にバリア部材１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１内に封じ込められ得る。ガスシールは気体で形成される。ガスシールの気体は、圧力下で入口１５を介してバリア部材１２と基板Ｗとの間のギャップに供給される。気体は出口１４を介して抽出される。気体入口１５への過剰圧力、出口１４に対する真空準位、およびギャップのジオメトリは、液体を閉じ込める内側への高速の気体流１６が存在するように定められる。バリア部材１２と基板Ｗとの間の液体に対する気体の力が液体を空間１１内に封じ込める。入口／出口は空間１１を取り囲む環状溝とすることができ、環状溝は連続または非連続であり得る。気体流１６は、液体を空間１１に封じ込めるのに効果的である。そのようなシステムは、その全体が参照により本明細書に組み込まれる、米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示されている。一実施形態において、液体閉じ込め構造１２はガスシールを有さない。
[0052] 制御システム５００は、リソグラフィ装置の全動作を制御し、特に以下にさらに説明する最適化プロセスを実行する。制御システム５００は、中央処理ユニットと、揮発性および不揮発性記憶手段と、キーボードおよび／またはスクリーンなどの１つ以上の入出力デバイスと、１つ以上のネットワーク接続と、リソグラフィ装置のさまざまな部分に対する１つ以上のインターフェイスとを備える、適切にプログラムされた汎用コンピュータとして具体化される。制御コンピュータとリソグラフィの装置の１対１の関係は必須でないことが理解されよう。本発明の一実施形態において、１つのコンピュータが多数のリソグラフィ装置を制御し得る。本発明の一実施形態において、複数のネットワーク接続されたコンピュータを使用して１つのリソグラフィ装置を制御し得る。制御システム５００は、リソグラフィ装置がその一部を形成するリソセルまたはクラスタ内の１つ以上の関連付けられたプロセスデバイスおよび基板ハンドリングデバイスを制御するように構成され得る。また、制御システム５００は、リソセルやクラスタの監視制御システムおよび／またはファブの総合制御システムに従属するように構成され得る。
[0053] 図６は、本発明の一実施形態に係る基板テーブルＷＴを断面で示している。基板テーブルＷＴは、基板テーブルＷＴの上面６２に形成された捕集口６１を備える。捕集口（または流体回収口）６１は、上面６２以外の基板テーブルＷＴの表面６４の排出口６３において、基板テーブルＷＴを介して基板テーブルＷＴの環境と流体連通する。基板テーブルＷＴの環境は、基板テーブルＷＴの周囲環境である。環境は、基板テーブルＷＴのすぐ外側の空間である。基板テーブルＷＴの下面６４は、基板テーブルＷＴの環境と直接接触する。
[0054] 捕集口６１、排出口６３、および捕集口６１を排出口６３に接続する流路６５は、二相抽出器を形成し得る。二相抽出器は、液体と気体の混合物を抽出する。捕集口６１を排出口６３において基板テーブルＷＴの環境と基板テーブルＷＴを介して流体連通させることによって、底部を有さない二相抽出器が設けられる。これはリソグラフィ装置のコンポーネントの熱変形を低減させるのに役立つ。例えば、基板テーブルＷＴを位置決めする位置決めシステムの一部を構成し得る１つ以上のエンコーダグリッドプレートが、基板テーブルＷＴ上に装着され得る。米国特許出願公開第２００７−０２８８１２１号は、１つ以上のエンコーダグリッドプレートが基板テーブルＷＴの上面６２上にある例示的なリソグラフィ装置を説明している。１つ以上のエンコーダセンサが基板テーブルＷＴの上方のフレームに固定され得る。底を有さない二相抽出器を設けることによって、エンコーダグリッドプレートは、蒸発冷却により熱変形しにくくなる。そのような蒸発冷却は、コンポーネントの表面上の液浸液などの液体の液滴の蒸発に起因する。
[0055] 捕集口６１と排出口６３における基板テーブルＷＴの環境の流体連通を形成することによって、捕集口６１から流体を除去するためにケーブルまたはホースを基板テーブルＷＴに接続する必要がなくなる。
[0056] 捕集口６１は、基板テーブルアセンブリの上面から気体および／または液体を捕集するために使用され得る。基板テーブルアセンブリの上面は、基板Ｗ、センサ、ステッカ、カバープレート１０３、基板テーブルＷＴ、および基板テーブルＷＴ上に位置決めされたリソグラフィ装置の他のコンポーネントから選択された１つ以上の上面を含み得る。気体および液体の二相混合物は、捕集口６１によって流路６５内に捕集され得る。一実施形態において、流路６５から排出口６３によって液体のみが抽出される。一実施形態において、気体および液体の混合物が流路６５から排出口６３を介して抽出される。排出口６３を介する抽出は、液体が、基板テーブルＷＴの上面６２と基板テーブルＷＴの真上のコンポーネント（例えば、カバープレート１０３）の下面との間のギャップに実質的に流れないように行われるべきである。一実施形態において、捕集口６１は基板テーブルアセンブリの上面に突出する。
[0057] 一実施形態において、上面以外の基板テーブルの面は、基板テーブルＷＴの下面６４である。従って、一実施形態において、排出口６３は基板テーブルＷＴの下面６４内にある。排出口６３は、捕集口６１の下方にある。これによって、液浸液が、重力のみを利用して、基板テーブルアセンブリの上面から捕集口６１および排出口６３を介して抽出されることが可能になる。このように、動的抽出器を設ける必要はない。従って、このシステムを静的二相抽出器と呼ぶことができる。
[0058] 図６に示すように、基板テーブルＷＴは、捕集口６１と排出口６３との間の流路６５に多孔質構造６６を備え得る。多孔質構造６６は、毛細管構造を備え得る。多孔質構造６６は、シーブまたはマイクロシーブを備え得る。多孔質構造６６は、望ましくは親液性である。多孔質構造６６の目的は、流路６５の液面を維持することである。このように、多孔質構造６６に落下する量の液体が、排出口６３から直接排出される。結果として、流路６５の液体量はほぼ一定のままである。
[0059] 一実施形態において、排出口６３は基板テーブルＷＴの側面にある。排出口６３は、捕集口６１の下方に直接または間接的に位置するという条件で、基板テーブルＷＴのいずれの面にあってよい。これによって、捕集口６１の液体が重力のみによって排出口６３から抽出されることが可能になる。
[0060] 多孔質構造６６は、多孔質媒体を含み得る。多孔質媒体はマイクロシーブより強固であり得る。しかし、マイクロシーブは、穴がより良好に画定されるという点で多孔質媒体に対して有利である。
[0061] 一実施形態において、多孔質構造６６の上面は、基板テーブルＷＴの上面６２の少なくとも２ｍｍ下方にある。一実施形態において、多孔質構造６６の上面と基板テーブルＷＴの上面６２との間の距離は、少なくとも３ｍｍ、少なくとも４ｍｍ、または少なくとも５ｍｍである。多孔質構造６６上方の流路の深さの最短距離の目的は、液浸液が流体ハンドリング構造１２と多孔質構造６６との間のブリッジングを防ぐのに役立つということである。そのようなブリッジングは、流体ハンドリング構造１２と多孔質構造６６との間の液体の連続体を伴う。流体ハンドリング構造１２によって閉じ込められた液体は、多孔質構造６６へのブリッジを形成する場合があり、これは親液性であり得る。そのようなブリッジングが起こると、液浸液が流体ハンドリング構造１２から離れるように排出されることになり得る。
[0062] 最短距離のさらなる理由は、基板Ｗの下面と多孔質構造６６との間のブリッジングを防ぐのに役立つということである。そうでなければ、そのようなブリッジングは、基板Ｗの下面と基板テーブルＷＴとの間のギャップに液体が入り込むことにつながり得る。
[0063] 液滴が流路６５内の多孔質構造６６上に落下すると、液滴は多孔質構造６６の穴を通過して多孔質構造６６の下方の液体量を増すことになる。多孔質構造６６の下方の結果として得られる貯留部から、基板テーブルＷＴの排出口６３に液体が流出する。
[0064] 一実施形態において、多孔質構造６６の孔の平均半径は、約１０マイクロメータから約１００マイクロメータの範囲である。孔の最大半径は、数百マイクロメータ程度と、より大きくてよい。
[0065] 流路６５の液体、例えば、多孔質構造６６に蓄積される液体は、蒸発により失われ得る。流路６５内の液面を維持するために、基板テーブルＷＴは、流路６５において多孔質構造６６の下方に液体供給口６７を備え得る。液体供給口６７は、流路６５に液体を供給するように構成される。従って、多孔質構造６６の下方の貯留部が液体で実質的に満たされるように、多孔質構造６６の下方の液体貯留部への液体の受動滴下が存在する。流路６５からの液体の蒸発速度は、比較的低くなりやすい。従って、基板Ｗの露光サイクルごとにわずかな液滴のみが液体供給口６７から流路６５に供給されることが必要であり得る。多層質構造６６の下方で貯留部を満たすために、リソグラフィ装置の起動中に液体供給口６７を介する液体の供給を用いることができる。
[0066] 液体供給口６７を介する液体の供給は、基板交換動作中に行われるであろう。一実施形態において、基板テーブルＷＴがテーブル交換動作中に基準フレームにドッキングする際、液体は基準フレーム（図示せず）から再供給される。
[0067] リソグラフィ装置は、リソグラフィ装置の起動、基板交換動作、および／またはリソグラフィ装置の基準フレームに基板テーブルＷＴをドッキングする動作から選択された少なくとも１つの間に液体が流路６５に供給されるように、捕集口６１と排出口６３との間の流路６５への液体供給を制御するように構成されたコントローラ５００（図１に示す）を備え得る。
[0068] 基板テーブルＷＴは、流路６５の液面を監視するように構成された液面センサ（図示せず）を備え得る。液面センサは、コントローラが流路６５の液面に関する情報を有するようにコントローラ５００に接続され得る。コントローラ５００は、液面センサの出力に基づいて流路６５への液体供給を制御するように構成され得る。このように、コントローラ５００は、流路６５の液面を維持することができる。
[0069] 図６に示すように、捕集口６１は、排出口６３まで延在する少なくとも１つの毛細管６８を介して、排出口６３において環境と流体連通し得る。図６に示す実施形態において、毛細管６８は、多孔質構造６６の下方の貯留部の底部から排出口６３まで延在する。多孔質構造６６の下方の液体貯留部は、毛細管６８を介して基板テーブルＷＴの底部まで排水することができる。一実施形態において、基板テーブルＷＴは、一連の毛細管６８を備える。
[0070] 図９および図１０は、毛細管６８が存在しない実施形態を示している。図９および図１０に示す実施形態において、二相抽出器は開放式であり、捕集口６１から排出口６３まで狭まらない構造を持つ。
[0071] 図６において、参照文字ｈは多孔質構造６６の下面と排出口６３との間の距離を指すために使用される。距離ｈはこれら２点間の垂直距離である。一実施形態において、流路６５で維持される液柱の高さを示す距離ｈは、以下の式による多孔質構造６６の孔の最大半径に関する。
[0072] ここでρは液浸液の密度であり、σは液浸液の表面張力であり、ｒは多孔質構造６６の孔の最大半径であり、ｇは重力であり、θは液浸液の多孔質構造６６との接触角である。
[0073] 毛細管６８は、約０．２ｍｍから約２ｍｍの範囲内、望ましくは約０．５ｍｍから約１ｍｍの範囲内の幅を有し得る。図６に示すように、基板テーブルＷＴの表面６４の排出口６３に隣接する部分は、疎液性コーティング６９で被覆され得る。図６に示すように、疎液性コーティング６９は、排出口６３を実質的に取り囲み得る。疎液性コーティング６９は、基板テーブルＷＴの下面６４の排出口６３に隣接し得る。疎液性コーティング６９の目的は、排出口６３から抽出された液浸液によって下面６４（または排出口６３が位置する他の面）が濡れるのを防ぐのに役立つということである。一実施形態において、疎液性コーティング６９は、排出口６３の一方側のみに形成される。
[0074] 図６に示すように、排出口６３は、基板テーブルＷＴの下面６４において捕集口６１の垂直に真下にあり得る。これによって、捕集口６１に捕集された液体が、液体を抽出可能な排出口６３へ直接流れることが可能になる。
[0075] 一実施形態において、多孔質構造６６は、流路６５を実質的に満たし得る。一実施形態において、多孔質構造は、捕集口６１から毛細管６８の上部までの流路の一部を実質的に満たし得る。この場合、流路６５の液体供給口６７の機能は、多孔質構造６６によって果たされる。多孔質構造６６は、毛細管材料から成り得る。この場合、システムを十分乾かすことができる。多孔質構造６６の上面の最初の液滴は、排出が始まる前に多孔質構造６６を満たすことになる。
[0076] しかし、時間とともに多孔質構造６６が汚染される可能性がある。これは、多孔質構造の目詰まりにつながる場合があり、それは徐々に疎液性が高くなる材料になる。従って、多孔質構造６６は周期的に洗浄されるべきである。一実施形態において、多孔質構造６６は、リソグラフィ装置がオフラインである間に多孔質構造６６を洗浄できるように、基板テーブルＷＴから着脱可能である。
[0077] 一実施形態において、多孔質構造６６にガラス材料が施される。ガラス材料のコーティングを有する利点は、ガラス材料のコーティングによって多孔質構造６６が洗浄しやすくなることである。また、ガラスコーティングは、多孔質構造６６の疎液性を改善し得る。
[0078] 上述の基板テーブルＷＴは、リソグラフィ装置に備えられ得る。リソグラフィ装置は、基板テーブルＷＴの下方にドリップトレイ７０をさらに備え得る。ドリップトレイ７０は、排出口６３からの液体を捕集する。ドリップトレイ７０は、望ましくは、排出口６３の垂直に真下に位置する。ドリップトレイ７０は、基板テーブルＷＴの下面６４に取り付けられ得る。この目的は、ドリップトレイ７０と排出口６３の相対位置が維持されるように、ドリップトレイ７０が基板テーブルＷＴに沿って自動的に動くことである。一実施形態において、ドリップトレイ７０は、基板テーブルＷＴの下方のロングストロークモジュール１０５に取り付けられる。ロングストロークモジュールは、基板テーブルＷＴを動かす。
[0079] リソグラフィ装置は、排出口６３から液体を抽出するように構成された動的抽出器をさらに備え得る。動的抽出器は、排出口６３の環境の負圧を生成するように構成された負圧発生器１０２を備え得る。動的抽出器は、基板テーブルＷＴの下方のロングストロークモジュール１０５に備えられ得る。動的抽出器は、基板テーブルＷＴから液体を除去する。
[0080] 負圧発生器１０２は、ロングストロークモジュール１０５に取り付けられ得る。負圧発生器１０２は、基板テーブルＷＴとロングストロークモジュール１０５との間の領域に部分真空を生成し得る。
[0081] 捕集口６１は、基板テーブルＷＴ上に支持された基板Ｗの半径方向外側に位置し得る。カバープレート１０３は、基板Ｗの半径方向外側で基板テーブルＷＴの上面に位置し得る。捕集口６１は、基板Ｗとカバープレート１０３との間に位置し得る。
[0082] 図７は、本発明の一実施形態に係る基板テーブルＷＴを断面で示している。図６に示す基板テーブルＷＴに共通する図７に示す基板テーブルＷＴのコンポーネントには、同じ参照番号が与えられる。これらのコンポーネントの各々は、図６に示す対応するコンポーネントに関連して上述の同じ特徴を有し得る。
[0083] 図７に示すように、排出口６３は捕集口６１からオフセットされ得る。結果として、排出口６３は捕集口６１の垂直に真下にない。これは、二相抽出器の液体が、捕集口６１の真下に排出される必要がないからである。この配置の利点は、（例えば、スキャン動作中の）基板テーブルＷＴの横移動が二相抽出器の流路６５から排出口６３を介して液体を排出させることである。従って、基板テーブルＷＴの横移動と重力の両方が二相抽出器から液体を排出させる。
[0084] 図７に示す実施形態において、水平面の（すなわち、Ｘ方向またはＹ方向の）基板テーブルＷＴの加速が、液体が基板テーブルＷＴから離れるように流路６５を介して排出口６３から流出することにつながり得る。図７に示すように、流路６５は、２つの垂直部の間に水平部を有する段の形をとり得る。一実施形態において、流路６５は下向きにかつ半径方向外側に延在する斜部を含み得る。排出口６３の捕集口６１からのオフセットをもたらす流路６５の部分は、毛細管６８から成り得る。
[0085] 一実施形態において、排出口６３は、基板テーブルＷＴの上面６２以外の表面６４から突出するリム７１を備え得る。図７に示すように、リム７１に疎液性コーティング７２が施され得る。疎液性コーティング７２およびリム７１の目的は、排出口６３が位置する基板テーブルＷＴの表面６４が濡れるのを防ぐのに役立つということである。リム７１は、図６に示す疎液性コーティング６９に加えて、または疎液性コーティング６９の代わりに、この機能を果たし得る。
[0086] 図７に示す実施形態は、図６に示す実施形態との関連で上述のドリップトレイ７０を備え得る。図７に示す実施形態は、図６に示す実施形態との関連で上述の負圧発生器１０２を備え得る。負圧発生器は、ロングストロークモジュール１０５上に設けられ得る。ロングストロークモジュール１０５は、二相抽出器の下方に位置し得る。二相抽出器は、ロングストロークモジュール１０５に対して接触しない。
[0087] 図８は、本発明の一実施形態に係る基板テーブルＷＴを断面で示している。図６または図７に示すコンポーネントに対応する図８に示す基板テーブルＷＴのコンポーネントは、詳細に説明しない。これらのコンポーネントには同じ参照番号が与えられ、上述した特徴と同じ特徴を有し得る。
[0088] 図８に示すように、上面６２以外の基板テーブルＷＴの表面６４の、排出口６３の一方側のみにおける部分は、親液性コーティング８１で被覆され得る。親液性コーティング８１の目的は、二相抽出器の真下の位置から離れるように液体を排出口６３から輸送することである。親液性コーティング８１の使用により、排出口６３からの液体は、親液性コーティング８１に従い、その後、親液性コーティング８１が疎液性表面に接触する、および／または表面６４の曲げ部に接触する場所で滴下し得る。
[0089] 一実施形態において、排出口６３の親液性コーティング８１と別の側における表面６４の部分は、疎液性コーティング６９で被覆される。疎液性コーティング６９は、排出口６３の半径方向内側にあり得る。親液性コーティング８１は、排出口６３の半径方向外側にあり得る。
[0090] 一実施形態において、排出口６３が親液性コーティング８１に接触する点において、表面は液体が固定されるのを防ぐのに役立つように滑らかである。この点において表面は鋭い縁を形成するのではなく丸みを有することが望ましい。
[0091] 一実施形態において、親液性コーティング８１の半径方向外側の表面６４は、さらなる疎液性コーティング８２で被覆される。このさらなる疎液性コーティング８２の目的は、親液性コーティング８１に従う液体が、基板テーブルＷＴから離れるように滴下する液滴を形成するのを容易にすることである。上述のドリップトレイ７０が液滴を受け得る。
[0092] 一実施形態において、排出口６３が位置する基板テーブルＷＴの表面６４の一部が、排出口６３の一方側において排出口６３から離れるように下向きに傾斜する。図８に示すように、表面６４の下向きの傾斜部は、親液性コーティング８１が施される面の部分であり得る。下向きの傾斜の目的は、液体が基板テーブルＷＴから離れるように滴下することができる点に向かって、親液性コーティング８１に沿って排出口６３から離れるような液体の排出を促進することである。
[0093] この配置の利点は、基板Ｗの外縁のギャップから流体を抽出するために外部チューブを基板テーブルＷＴに取り付けなくてよいことである。さらに、リソグラフィ装置のコンポーネントの蒸発冷却が低減または最小化される。というのは、有意の気体が排出されることなく、二相抽出器を介して実質的に液体のみが排出されるからである。蒸発冷却の最小化は、例えば、エンコーダグリッドプレートおよび／またはセンサが基板テーブルＷＴの上面６２上に装着されるシステムにとって重要である。そのようなエンコーダグリッドプレートは、例えば、クォーツから形成され得る。
[0094] 図９は、本発明の一実施形態に係る基板テーブルＷＴを断面で示している。図９に示すように、排出口６３の幅は、捕集口６１の幅以上であり得る。従って、二相抽出器は、底部において開放式である。排出口６３は、基板テーブルＷＴの下面６４に形成される。図９に示す基板テーブルＷＴは、簡単な構造を備えるという利点を有する。図９に示すように、捕集口６１と排出口６３との間の流路６５の幅は、捕集口６１の幅より大きくてよい。
[0095] 流路６５の内面は疎液性コーティング９１で被覆され得る。疎液性コーティング９１は、排出口６３を取り囲んで形成される疎液性コーティング６９と連続した疎液性コーティングを形成し得る。
[0096] 図９に示す実施形態は、図６に示す実施形態との関連で上述のドリップトレイ７０を備え得る。図９に示す実施形態は、図６に示す実施形態との関連で上述の負圧発生器１０２を備え得る。負圧発生器は、ロングストロークモジュール１０５上に設けられ得る。ロングストロークモジュール１０５は、二相抽出器の下方に位置し得る。二相抽出器は、ロングストロークモジュール１０５に対して接触しない。
[0097] 図１０は、本発明の一実施形態に係る基板テーブルＷＴを断面で示している。図１０に示すように、基板テーブルＷＴは、流路６５において多孔質構造６６の上方にスポンジ状材料１０１を備え得る。多孔質構造６６上のスポンジ状材料１０１の目的は、ここで蓄積し得る液体の流れ抵抗を増加させることである。これは液体がはねるのを防ぐのに役立ち、そうでなければ望ましくない動的な力を招くであろう。一実施形態において、スポンジ状材料１０１はスポンジを備える。スポンジ状材料１０１は、約３ｍｍより大きい最小孔径を有し得る。一実施形態において、スポンジ状材料１０１は、非毛細管である。非毛細管スポンジ状材料の利点は、多孔質構造６６の上方の液体流の抵抗が増加することである。これによって基板テーブルＷＴの移動を妨げ得る望ましくない動的な力が低減する。
[0098] 図１０に示すように、多孔質構造６６は、二相抽出器の下端に位置し得る。多孔質構造６６は、排出口６３に位置し得る。多孔質構造６６は、その上方に余分な液体を蓄積し、制御した速度で基板テーブルＷＴから離れるように液体を滴下する。多孔質構造６６に蓄積される液体の量は、多孔質構造６６を介して抽出される液体の量を決定する。この抽出は受動的に、すなわち重力のみによってなされ得る。多孔質構造６６上の液面は、排液速度を決定し得る。
[0099] 一実施形態において、捕集口６１と排出口６３との間の流路６５の側壁は、基板テーブルＷＴの上面６２から基板テーブルＷＴの下面６４の排出口６３にかけて実質的に垂直である。これによって簡単な構造の基板テーブルＷＴが設けられる。
[0100] 図１０に示す実施形態は、図６に示す実施形態との関連で上述のドリップトレイ７０を備え得る。図１０に示す実施形態は、図６に示す実施形態との関連で上述の負圧発生器１０２を含み得る。負圧発生器は、ロングストロークモジュール１０５上に設けられ得る。ロングストロークモジュール１０５は、二相抽出器の下方に位置し得る。二相抽出器は、ロングストロークモジュール１０５に対して接触しない。
[0101] 上記任意の特徴を任意の他の特徴とともに使用することができ、本出願が対象とする明示された組合せに限定されないことを理解されたい。例えば、図９に示す流路６５のより幅の広いギャップという特徴ならびに任意の流路６５の内面の疎液性コーティング９１は、図６〜図８または図１０に示す実施形態のいずれにも適用され得る。そのような実施形態を図１１〜図１４に示す。
[0102] 図１１は、図９に示すより幅の広いギャップおよび任意の疎液性コーティング９１が図６に示す実施形態に適用される実施形態を示している。図１２、図１３、および図１４は、図９に示すより幅の広いギャップおよび任意の疎液性コーティング９１が図７、図８、および図９にそれぞれ示す実施形態に適用される本発明の実施形態に対応する。
[0103] 図１１〜図１４に示す実施形態は、図６に示す実施形態との関連で上述のドリップトレイ７０を備え得る。図１１〜図１４に示す実施形態は、図６に示す実施形態との関連で上述の負圧発生器１０２を備え得る。負圧発生器は、ロングストロークモジュール１０５上に設けられ得る。ロングストロークモジュール１０５は、二相抽出器の下方に位置し得る。二相抽出器は、ロンｇグストロークモジュール１０５に対して接触しない。
[0104] 本明細書では基板テーブルに関して実施形態を説明してきたが、本発明の一実施形態は任意のテーブルに適用され得る。例えば、基板テーブルに加えて、または基板テーブルの代わりに、本発明の一実施形態は、１つ以上のセンサを有するが基板を保持するように必ずしも配置されない測定テーブルに適用され得る。
[0105] 一態様において、リソグラフィ装置用のテーブルであって、テーブルの上面に形成された捕集口を備え、捕集口は上面以外のテーブルの面の排出口において、テーブルの環境とテーブルを介して流体連通する、テーブルが提供される。
[0106] 一実施形態において、上面以外のテーブルの面は、テーブルの下面である。
[0107] 一実施形態において、テーブルは、捕集口と排出口との間の流路に多孔質構造をさらに備える。
[0108] 一実施形態において、多孔質構造の最大孔径は、約１０μｍから１００μｍの範囲である。
[0109] 一実施形態において、テーブルは、流路において多孔質構造の下方に、流路に液体を供給する液体供給口をさらに備える。
[0110] 一実施形態において、テーブルは、流路において多孔質構造の上方に、スポンジ状材料をさらに備える。
[0111] 一実施形態において、スポンジ状材料の平均孔径は約３ｍｍより大きい。
[0112] 一実施形態において、多孔質構造は、流路を実質的に満たす。
[0113] 一実施形態において、捕集口は、排出口まで延在する毛細管を介して、排出口において環境と流体連通する。
[0114] 一実施形態において、毛細管の平均半径は、約０．２ｍｍから約２ｍｍの範囲内、または約０．５ｍｍから約１ｍｍの範囲である。
[0115] 一実施形態において、排出口の幅は捕集口の幅以上である。
[0116] 一実施形態において、捕集口と排出口との間の流路の側壁は、テーブルの上面からテーブルの下面の排出口にかけて実質的に垂直である。
[0117] 一実施形態において、上面以外のテーブルの面の、排出口に隣接する部分に、疎液性コーティングが施される。
[0118] 一実施形態において、排出口は、テーブルの下面において捕集口の垂直に真下にある。
[0119] 一実施形態において、請求項１〜１３のいずれかに記載のテーブルであり、排出口は捕集口からオフセットされる。
[0120] 一実施形態において、排出口は、上面以外のテーブルの面から突出するリムを備える。
[0121] 一実施形態において、リムに疎液性コーティングが施される。
[0122] 一実施形態において、上面以外のテーブルの面の、排出口の一方側のみにおける部分に親液性コーティングが施される。
[0123] 一実施形態において、上面以外のテーブルの面の、排出口の一方側における部分は、排出口から離れるように下向きに傾斜する。
[0124] 一実施形態において、捕集口と排出口との間の流路の幅は、捕集口の幅より大きい。
[0125] 一実施形態において、捕集口は、基板が支持される基板支持領域の半径方向外側にある。
[0126] 一態様において、上記のテーブルを備えるリソグラフィ装置が提供される。
[0127] 一実施形態において、リソグラフィ装置は、リソグラフィ装置の起動、基板交換動作、および／またはリソグラフィ装置の基準フレームにテーブルをドッキングする動作から選択された少なくとも１つの間に液体が流路に供給されるように、捕集口と排出口との間の流路への液体供給を制御するように構成されたコントローラをさらに備える。
[0128] 一実施形態において、リソグラフィ装置は、テーブルの下方に、排出口から液体を受けるドリップトレイをさらに備える。
[0129] 一実施形態において、リソグラフィ装置は、排出口から液体を抽出するように構成された能動型抽出器をさらに備える。
[0130] 一実施形態において、能動型抽出器は、排出口の環境に負圧を生成するように構成された負圧発生器を備える。
[0131] 一実施形態において、リソグラフィ装置は、テーブルの下方に、テーブルを位置決めするロングストロークモジュールをさらに備える、ロングストロークモジュールは能動型抽出器を備える。
[0132] 一態様において、デバイス製造方法であって、投影システムと基板テーブル上に支持された基板との間の空間に閉じ込められた液浸液を介して、パターン形成された放射ビームを投影することと、テーブルの上面に形成された捕集口に液浸液を捕集することであって、捕集口は、上面以外のテーブルの面の排出口において、テーブルの環境とテーブルを介して流体連通することと、排出口において液浸液を抽出することと、を含む、方法が提供される。
[0133] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
[0134] 本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折型および反射型光コンポーネントを含むさまざまな種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
[0135] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明の実施形態は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。さらに、機械読取可能命令は、２つ以上のコンピュータプログラムに具現化されてもよい。この２つ以上のコンピュータプログラムは、１つ以上の異なるメモリおよび／またはデータ記憶媒体に記憶してもよい。
[0136] リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内に位置する１つ以上のコンピュータプロセッサによって１つ以上のコンピュータプログラムが読み取られる場合、本明細書記載のすべてのコントローラは、各々または組み合わせて動作可能である。コントローラは、各々または組み合わせて信号を受信、処理および送信するためのあらゆる適切な構成を、有し得る。１つ以上のプロセッサは、コントローラのうちの少なくとも１つと通信するように構成される。例えば、各コントローラは、上述の方法を目的とする機械読取可能命令を含むコンピュータプログラムを実行する１つ以上のプロセッサを含んでよい。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体、および／またはそのような媒体を受信するハードウェアを含んでよい。従って、コントローラは、１つ以上のコンピュータプログラムの機械読取可能命令に従って動作することができる。
[0137] 本発明の１つ以上の実施形態は、液浸液が浴の形態で供給されるか、基板の局所表面領域上のみに供給されるか、または閉じ込められないかにかかわらず、あらゆる液浸リソグラフィ装置、特に上述の種類の液浸リソグラフィ装置（ただし、これに限らない）に適用することができる。非閉じ込め配置においては、液浸液は基板および／または基板テーブルの表面上を流れ得るため、基板テーブルおよび／または基板の覆われていない表面の実質的に全体が濡れることになる。このような非閉じ込め液浸システムでは、液体供給システムは液浸液を閉じ込めなくてよく、または液浸液を部分的に閉じ込めるが実質的に完全に閉じ込めなくてよい。
[0138] 本明細書において考えられた液体供給システムは、広く解釈されなければならない。特定の実施形態において、液体供給システムは、投影システムと基板および／または基板テーブルとの間の空間に液体を供給する１つの機構または複数の構造の組合せであり得る。この液体供給システムは、１つ以上の構造、１つ以上の液体開口を含む１つ以上の流体開口、１つ以上の気体開口、または二相流のための１つ以上の開口の組合せを含むことができる。開口の各々は、液浸空間への入口（もしくは流体ハンドリング構造からの出口）または液浸空間からの出口（もしくは流体ハンドリング構造への入口）とすることができる。一実施形態において、空間の表面は基板および／または基板テーブルの一部としてよいか、または、空間の表面は基板および／または基板テーブルの表面を完全に覆っていてよいか、または、空間は基板および／または基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは、液体の位置、量、質、形状、流量、または他の特徴を制御するための１つ以上の要素を、任意でさらに含むことができる。
[0139] 上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。従って、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。

Claims (15)

  1. 液浸リソグラフィ装置用テーブルであって、
    前記テーブルの上面に形成された流体捕集口と、
    前記上面以外の前記テーブルの面に形成された流体排出口とを備え、
    前記捕集口は、前記排出口において前記テーブルの環境と、前記テーブルを介して流体連通し、
    前記上面以外の前記テーブルの前記面の、前記排出口に隣接する部分は、疎液性コーティングで被覆されている、液浸リソグラフィ装置用テーブル。
  2. 前記上面以外の前記テーブルの前記面の、前記排出口の一方側のみにおける部分は、親液性コーティングで被覆されている、および／または、前記上面以外の前記テーブルの前記面の、前記排出口の一方側における部分は、前記排出口から離れるように下向きに傾斜する、請求項１に記載のテーブル。
  3. 前記上面以外の前記テーブルの前記面は、前記テーブルの下面である、請求項１または２に記載のテーブル。
  4. 前記捕集口と前記排出口との間の流路に多孔質構造をさらに含む、請求項１〜３のいずれかに記載のテーブル。
  5. 前記流路において前記多孔質構造の下方に、前記流路に液体を供給する液体供給口をさらに含み、または、前記流路において前記多孔質構造の上方に、スポンジ状材料をさらに含む、請求項４に記載のテーブル。
  6. 前記多孔質構造は前記流路を実質的に満たす、請求項４または５に記載のテーブル。
  7. 前記捕集口は、前記排出口まで延在する毛細管を介して、前記排出口において前記環境と流体連通し、前記環境は前記基板テーブルの周囲環境、または前記基板テーブルのすぐ外側の空間である、請求項１〜６のいずれかに記載のテーブル。
  8. 前記排出口の幅は前記捕集口の幅以上であり、および／または、前記捕集口と前記排出口との間の流路の幅は前記捕集口の幅より大きい、請求項１〜７のいずれかに記載のテーブル。
  9. 前記捕集口と前記排出口との間の流路の側壁は、前記テーブルの前記上面から前記テーブルの下面の前記排出口にかけて実質的に垂直である、請求項８に記載のテーブル。
  10. 前記排出口は、前記テーブルの下面において前記捕集口の垂直に真下にある、または、前記排出口は、前記捕集口からオフセットされる、および／または、前記排出口は、前記上面以外の前記テーブルの前記面から突出するリムを備える、請求項１〜８のいずれかに記載のテーブル。
  11. 請求項１〜１０のいずれかに記載のテーブルを備えるリソグラフィ装置。
  12. 前記リソグラフィ装置の起動、基板交換動作、および／または前記リソグラフィ装置の基準フレームに前記テーブルをドッキングする動作から選択された少なくとも１つの間に液体が前記流路に供給されるように、前記捕集口と前記排出口との間の前記流路への液体供給を制御するように構成されたコントローラをさらに備え、および／または、前記テーブルの下方に、前記排出口から液体を受けるドリップトレイをさらに備える、請求項１１に記載のリソグラフィ装置。
  13. 前記排出口から液体を抽出するように構成された能動型抽出器をさらに含む、請求項１１または１２に記載のリソグラフィ装置。
  14. 前記能動型抽出器は、前記排出口の前記環境に負圧を生成するように構成された負圧発生器をさらに備え、および／または、前記リソグラフィ装置は、前記テーブルの下方に、前記テーブルを位置決めするロングストロークモジュールをさらに備え、当該ロングストロークモジュールは前記能動型抽出器を含む、請求項１３に記載のリソグラフィ装置。
  15. デバイス製造方法であって、
    投影システムと基板テーブル上に支持された基板との間の空間に閉じ込められた液浸液を介して、パターン形成された放射ビームを投影することと、
    テーブルの上面に形成された捕集口に液浸液を捕集することであって、該捕集口は、該上面以外のテーブルの面の排出口においてテーブルの環境と、テーブルを介して流体連通することと、
    前記排出口において液浸液を抽出することとを含み、
    前記上面以外の前記テーブルの面の、前記排出口に隣接する部分は、疎液性コーティングで被覆される、方法。
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