JP5064340B2 - 液浸リソグラフィに関する方法および液浸リソグラフィ装置 - Google Patents

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Description

[0001] 本発明は、液浸リソグラフィ装置および流体閉じ込めシステムを動作する方法に関する。
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、スキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
[0003] 投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置における基板を、例えば、水などの比較的高い屈折率を有する液体に浸漬することが提案されている。その要点は、より微細なフィーチャを結像可能にすることである。というのは、露光放射が、液体中の方が短い波長を有するからである。（液体の効果は、システムの有効ＮＡを上げ、焦点深度も上げることと考えることもできる。）。固体粒子（例えば、クォーツ）が浮遊している水などの他の液浸液が提示されている。１つ以上の実施形態が、水である液浸液に関して本明細書中に説明される。しかしながら、１つ以上の実施形態は、他の種類の液浸液および他の流体にも同じように適用可能である。そのような液浸流体は、空気より高い屈折率を有し得、望ましくは、水より高い屈折率を有する。
[0004] しかしながら、基板を、または基板と基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば、米国特許第４，５０９，８５２号を参照）は、スキャン露光中に加速すべき大量の液体があることでもある。これには、追加のモータまたはさらに強力なモータが必要であり得、かつ液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
[0005] 提案されている解決法の１つは、液体供給システムが、液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所的エリアおよび投影システムの最終要素と基板との間にのみ液体を提供することである（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを構成するための１つの提示されている方法が国際公開公報ＷＯ９９／４９５０４号で開示されている。図２および図３に示されているように、液体が少なくとも１つの入口ＩＮによって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口ＩＮを介して供給され、かつ低圧源に接続された出口ＯＵＴによって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示す。図２の図示では、液体は最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、そのとおりである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口および出口の様々な配向および数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは各側に４組の入口と出口が、最終要素の周囲に規則的パターンで設けられている。
[0006] それぞれの全容が参照により本明細書に援用されているヨーロッパ特許出願公報第ＥＰ１４２０３００号および米国特許出願公報第ＵＳ２００４−０１３６４９４号には、ツインまたはデュアルステージの液浸リソグラフィ装置の案が開示されている。そのような装置には、基板をサポートするために２つのテーブルが設けられている。液浸液を使用せずに、第１の位置におけるテーブルを用いてレベリング測定が行なわれ、液浸液が存在する第２の位置におけるテーブルを用いて露光が実行される。代案として、装置は１つのテーブルのみを有する。
[0007] 多数の種類の液浸リソグラフィ装置は、液浸流体が投影システムの最終要素と基板との間の空間に提供されることで共通する。その液体は、通常その空間から除去される。例えば、そのような除去は、液浸流体のクリーニングまたは液浸流体の温度調整等のためであり得る。
[0008] 例えば、時間とともに液浸リソグラフィ装置の性能を維持することが望ましい。例えば、流体閉じ込めシステムのコンタミを検出する方法および／または液浸リソグラフィ装置の流体閉じ込めシステムがいつクリーニングを必要とするかを決定する方法を提供することが望ましい。
[0009] 本発明の一態様によれば、液浸リソグラフィ装置の流体ハンドリングシステムを動作する方法が提供される。方法は、流体ハンドリングシステムと基板および／または基板テーブルとの間の流体の収容レベルを示す流体ハンドリングシステムの性能パラメータを測定することと、測定することが特定の閾値より下の性能損失を示す場合に信号を生成することであって、信号は流体ハンドリングシステムの収容性能が特定の閾値より下に落ちたことを注目させる、該生成することとを含む。
[0010] 本発明の一態様によれば、液浸リソグラフィ装置の流体ハンドリングシステムのコンタミを検出する方法が提供される。方法は、（ｉ）流体ハンドリングシステムの動作中におけるコンポーネントからの熱損失の変化を検出すること、（ｉｉ）流体ハンドリングシステムの単相抽出器の出口側の圧力変動を検出すること、（ｉｉｉ）流体ハンドリングシステムに関連した流体の流れにおけるコンタミ粒子を数えること、（ｉｖ）流体ハンドリングシステムの出口および／または入口を通る流体における圧力変動および／または流量変動を検出すること、（ｖ）流体ハンドリングシステムの閉じ込めコンポーネントを越える液体の漏れを検出すること、（ｖｉ）所望の位置を維持するために流体ハンドリングシステムに加えられた力における変化を検出すること、または（ｖｉｉ）（ｉ）〜（ｖｉ）から選択される任意の組み合わせを含む。
[0011] 本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置の流体ハンドリングシステムのコンタミを検出する方法が提供される。方法は、第１の側で流体ハンドリングシステムの多孔性部材を流体と接触させることと、第１の側と反対である多孔性部材の第２の側から一定のレートで流体を除去することと、一定のレートで除去された流体の圧力をモニタリングすることによってコンタミを検出することとを含む。
[0012] 本発明の一態様によれば、液浸リソグラフィ装置の流体ハンドリングシステムのコンタミを検出する方法が提供される。方法は、投影システムと基板および／または基板テーブルとの間の空間から流体を抽出することと、抽出された流体に存在するコンタミ粒子の数を数えることと、コンタミ粒子の数がいつ特定の閾値を超えるかを決定することとを含む。
[0013] 本発明の一態様によれば、流体ハンドリングシステムおよびコントローラを含み、コントローラは、流体ハンドリングシステムの性能パラメータを測定し、測定が特定の閾値より下の性能損失を示した場合に流体ハンドリングシステムの性能が特定の閾値より下に落ちたことが注目されるように構成されている、液浸リソグラフィ装置が提供される。
[0014] 本発明の一態様によれば、液浸リソグラフィ装置の流体ハンドリングシステムを動作する方法が提供される。方法は、流体ハンドリングシステムの単層抽出器の出口側の圧力変動を検出することと、検出することが流体ハンドリングシステムと基板および／または基板テーブルとの間の流体の収容レベルが特定の閾値より下に落ちたことを示した場合に信号を生成することとを含む。
[0015] 本発明の一態様によれば、液浸リソグラフィ装置の流体ハンドリングシステムを動作する方法が提供される。方法は、流体ハンドリングシステムに関連した流量におけるコンタミ粒子を数えることと、粒子の数が特定の閾値を超えた場合に信号を生成することであって、特定の閾値は、流体ハンドリングシステムと基板および／または基板テーブルとの間の流体の収容レベルにおける減少を示す、該生成することとを含む。
[0016] 本発明の一態様によれば、液浸リソグラフィ装置の流体ハンドリングシステムを動作する方法が提供される。方法は、流体ハンドリングシステムの熱損失の変動を検出することと、検出することが流体ハンドリングシステムと基板および／または基板テーブルとの間の流体の収容レベルが特定の閾値より下に落ちたことを示した場合に信号を生成することとを含む。
[0017] 本発明の一態様によれば、液浸リソグラフィ装置の流体ハンドリングシステムを動作する方法が提供される。方法は、流体ハンドリングシステムの出口および／または入口を通る流体の圧力変動および／または流量変動を検出することと、検出することが流体ハンドリングシステムと基板および／または基板テーブルとの間の流体の収容レベルが特定の閾値より下に落ちたことを示す場合に信号を生成することとを含む。
[0018] 本発明の一実施形態によれば、液浸リソグラフィ装置の流体ハンドリングシステムを動作する方法が提供される。方法は、流体ハンドリングシステムの閉じ込めコンポーネントを越える液体の漏れを検出することと、検出することが流体ハンドリングシステムと基板および／または基板テーブルとの間の流体の収容レベルが特定の閾値より下に落ちたことを示した場合に信号を生成することとを含む。
[0019] 本発明の一実施形態によれば、液浸リソグラフィ装置の流体ハンドリングシステムを動作する方法が提供される。方法は、所望の位置を維持するために流体ハンドリングシステムに加えられた力における変化を検出することと、検出することが流体ハンドリングシステムと基板および／または基板テーブルとの間の流体の収容レベルが特定の閾値より下に落ちたことを示した場合に信号を生成することとを含む。
[0020] 特定の閾値は、経験、実験データまたは理論に基づいて選択されるパラメータである。閾値は、ユーザ選択によって選択または選ばれることができる。閾値は、動作の選択された状況および／またはパラメータによって決定されることができる。閾値は、他の特定されたパラメータのインライン測定によって決定されることができる。閾値は、動作の前に選択されることができる。
[0021] 本発明の一実施形態によれば、リソグラフィ装置の流体ハンドリングシステムからの残留液を検出する方法であって、方法は、表面の第１の高さプロファイルを決定することと、流体ハンドリングシステムを使用して表面に液体を付与することと、流体ハンドリングシステムに対して表面を動かすことであって、動かした後に残留液が表面上に残る、該動かすことと、表面の第２の高さプロファイルおよび表面上に残る残留液を決定することと、第１のおよび第２の高さプロファイルを比較することによって残留液の存在を決定することとを含む、方法が提供される。
[0022] ここで、本発明の実施形態を、一例としてのみ、対応の参照符号が対応部分を示す付属の概略図を参照して説明する。
[0034] 図１は、発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１ポジショナＰＭに連結されているサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２ポジショナＰＷに連結されている基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成されている投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳはとを備える。
[0035] 照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
[0036] サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
[0037] 本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
[0038] パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レゼンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
[0039] 本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
[0040] 本明細書に示されているとおり、装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、装置は、反射型のもの（例えば、上述のプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、または反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
[0041] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のサポート構造、例えば、マスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルおよび／またはサポート構造は並行して使うことができ、予備工程を１つ以上のテーブルおよび／またはサポート構造上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルおよび／またはサポート構造を露光用に使うこともできる。
[0042] 図１ａを参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射を受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
[0043] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
[0044] 放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示的に示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、サポート構造ＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
[0045] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
[0046] １．ステップモードにおいては、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
[0047] ２．スキャンモードにおいては、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポートテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
[0048] ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポートテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[0049] 上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
[0050] 局所的液体供給システムを用いる液浸リソグラフィの解決法が、図４に図示されている。液体は、投影システムＰＬの各側にある２本の溝入口ＩＮによって供給され、入口ＩＮの半径方向外側に配置された複数の別個の出口ＯＵＴによって除去される。入口ＩＮおよびＯＵＴは、中心に穴がある板に配置され得、かつ放射は、穴を通って投影される。液体は、投影システムＰＬの一方側にある１つの溝入口ＩＮによって供給されて、投影システムＰＬの他方側にある複数の別個の出口ＯＵＴによって除去され、この構成によって投影システムＰＬと基板Ｗとの間に液体の薄膜の流れが生じる。どの組合せの入口ＩＮと出口ＯＵＴを使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向に従う（他の組合せの入口ＩＮおよび出口ＯＵＴは使われない）。
[0051] 提案されている局所的液体供給システムの解決法を備えた他の液浸リソグラフィの解決法は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延びる液体閉じ込め構造（時々、液浸フードとも言及される）を備えた液体供給システムを提供することである。この液体閉じ込め構造は、Ｚ方向（光軸の方向）には多少の相対移動があり得るが、ＸＹ平面において投影システムに対して実質的に静止している。一実施形態においては、液体閉じ込め構造と基板の表面との間にはシールが形成されている。望ましくは、シールは、ガスシールなどの非接触シールである。そのようなガスシールを備えるシステムが図５に示されており、その全容が参照により本明細書中に援用される米国特許出願公報第ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。
[0052] 図５を参照すると、リザーバ１１は、液体が基板表面と投影システムの最終要素との間の液浸空間を充填するために閉じ込められるように、投影システムのイメージフィールドの周囲に基板への非接触シールを形成する。リザーバは、投影システムＰＬの最終要素の下に同要素を取り囲んで位置決めされた液体閉じ込め構造１２により少なくとも部分的に形成される。液体は、ポート１３を介して、投影システムの下方かつ液体閉じ込め構造１２の内部の空間に運ばれる（任意選択で、ポート１３より除去される）。液体閉じ込め構造１２は、投影システムの最終要素の少し上方に延び、液体は、液体のバッファが提供されるように最終要素の上方に昇る。液体閉じ込め構造１２は内周部を有し、一実施形態において、この内周部は、上端において、投影システムまたは投影システムの最終要素の形状に緊密に従い、かつ、例えば、丸くすることができる。底部において、この内周部は、イメージフィールドの形状、例えば、長方形に緊密に従うが、必ずしもこのようである必要はない。
[0053] 液体は、液体閉じ込め構造１２の底部と基板Ｗの表面との間のガスシール１６によってリザーバ内に閉じ込められている。ガスシールは、例えば、空気または合成空気のようなガスで形成されるが、一実施形態ではＮ2または別の不活性ガスであり、圧力下で入口１５を介して液体閉じ込め構造１２と基板との間のギャップに提供され、第１の出口１４を介して抽出される。ガス入口１５への過剰圧力、第１の出口１４への真空のレベル、およびギャップのジオメトリは、液体を閉じ込める内側への高速のガス流があるように構成される。
[0054] 基板Ｗは、例えば異なる基板の露光の間に、基板テーブルＷＴから除去されることがある。これが発生した場合、液体が液体閉じ込め構造１２内に保たれることが望ましい。これは、液体閉じ込め構造１２を基板テーブルＷＴに対して、またはその反対に、動かすことによって達成され、それによって、液体閉じ込め構造は、基板Ｗから離れて、基板テーブルＷＴの表面の上方にある。そのような表面は、シャッター部材である。液浸液は、ガスシール１６を動作するか、またはシャッター部材の表面を液体閉じ込め構造１２の下面にクランプすることによって、液体閉じ込め構造内に保持される。クランピングは、液体閉じ込めシステム１２の下面に提供される流体の流れおよび／または圧力を制御することによって達成される。例えば、入口１５から供給されるガスの圧力および／または第１の出口１４から発揮される低圧が制御される。
[0055] シャッター部材は、基板テーブルＷＴの不可欠な部分でも、または基板テーブルＷＴの取外し可能および／または取付け可能なコンポーネントでもよい。そのような取外し可能コンポーネントは、クロージングディスクまたはダミー基板とも呼ばれる場合もある。デュアルまたはマルチステージ構成では、基板テーブルＷＴ全体が、基板交換中に置き換えられる。そのような構成では、取外し可能コンポーネントは、基板テーブル間で移動されることができる。シャッター部材は、例えば、液体閉じ込め構造１２の下の基板の交換の前に、基板テーブルＷＴに隣接するように移動される中間テーブルとすることができる。液体閉じ込め構造１２は、次いで、中間テーブルの上方に移動されるか、またはその逆も可能である。シャッター部材は、例えば、基板交換中に、基板テーブルと基板テーブルとの間に位置決めされる伸縮自在なブリッジのような基板テーブルの移動可能コンポーネントとすることができる。シャッター部材の表面は、液体閉じ込め構造の下に移動されるか、またはその逆も可能である。
[0056] 図６ａおよび図６ｂは、後者が前者の一部分の拡大図であり、液体閉じ込め構造ＩＨと基板Ｗとの間の液体を除去するために液浸システムに使用される液体除去デバイス２０を示している。液体除去デバイス２０は、わずかに低圧ｐｃで維持され、液浸液で充填されたチャンバを含む。チャンバの下面は、例えば、約５μｍ〜約５０μｍの範囲の直径ｄｈｏｌｅを有する複数の小さい穴を有する多孔性部材２１から形成され、かつ、液体が除去される表面、例えば基板Ｗの表面から約５０μｍ〜約３００μｍの範囲の高さｈｇａｐで維持される。多孔性部材２１は、穴あきプレートでも、または液体が通過することを可能とするように構成された任意の他の適した構造でもよい。一実施形態においては、多孔性部材２１は、少なくともわずかに親液性であり、つまり液浸液、例えば水（この場合、親水性である）に対して０°より大きいが、９０°より小さい接触角を有する。
[0057] 低圧ｐｃは、多孔性部材２１の穴に形成されたメニスカス２２が液体除去デバイスのチャンバへとガスが引き込まれるのを防ぐように役立つ。しかしながら、多孔性部材２１が基板Ｗ上の液体と接触すると、流れを制限するためのメニスカスは存在せず、液体は液体除去デバイスのチャンバへと自由に流入することができる。そのようなデバイスは、図面に示されているように、基板Ｗの表面から液体のほとんどを除去できるが、液体の薄膜は残る。
[0058] 液体除去を改良または最大化するためには、多孔性部材２１はできる限り薄くあるべきであり、かつ液体内の圧力ｐｇａｐとチャンバ内の圧力ｐｃとの間の圧力差はできる限り高くあるべきである一方、ｐｃとギャップにおけるガス内の圧力ｐａｉｒとの圧力差が、液体除去デバイス２０へと引き込まれるかなりの量のガスを防ぐのに十分に低くあるべきである。ガスが液体除去デバイスへと引き込まれるのを常に防ぐのは不可能かもしれないが、多孔性部材は、振動を起こし得る大きな不安定な流れを防ぐことができる。電気鋳造、フォトエッチングおよび／またはレーザ切断によって生成されるマイクロシーブ(micro sieve)が、多孔性部材２１として使用されてもよい。適したシーブは、オランダEerbeekのStork Veco B.V.によって生産されている。他の多孔性プレートまたは多孔性材料の固形ブロックも使用することができ、孔または穴のサイズは、使用中に存在する圧力差に対してメニスカスを維持するように適している。
[0059] そのような液体除去デバイスは、多くの種類の液体供給システム１２，ＩＨに組み込むことができる。米国特許出願公報第２００６−００３８９６８号で開示されているように、その一例は、図６ｃで示されている。図６ｃは、投影システムＰＬ（図６ｃに図示せず）の露光フィールドの周りに少なくとも部分的にリング（本明細書中に使用されているように、リングは円形、長方形、または任意の他の形とすることができる）を形成する、液体閉じ込め構造１２の一辺の断面図である。この実施形態では、液体除去デバイス２０は、液体閉じ込め構造１２の下側の最も内側のエッジの近くのリング状チャンバ３１によって形成されている。チャンバ３１の下面は、上述された多孔性部材２１のような多孔性部材によって形成されている。リング状チャンバ３１は、チャンバから液体を除去し、所望の低圧を維持するために適した１つまたは複数のポンプに接続される。使用中ではチャンバ３１は液体で満たされているが、明瞭性のためここでは空で示されている。
[0060] リング状チャンバ３１の外側には、ガス抽出リング３２およびガス供給リング３３がある。ガス供給リング３３は、その下部に細いスリットを有し、かつスリットから漏れ出るガスがガスナイフ３４を形成するような圧力で、ガス、例えば空気、人工空気またはフラッシングガスが供給される。ガスナイフを形成するガスは、ガス抽出リング３２に接続された真空ポンプによって抽出され、結果として生じるガスの流れは、液浸液の蒸気および／または小さい液体小滴に耐えることが可能であるべき真空ポンプおよび／または液体除去デバイスによって除去することができる内側に残留液を追いやる。しかしながら、液体の大半が液体除去デバイス２０によって除去されるため、真空システムを介して除去される少量の液体は、振動へと導き得る不安定な流れを起こさないであろう。
[0061] チャンバ３１、ガス抽出リング３２、ガス供給リング３３および他のリングが本明細書中でリングとして説明される一方、それらが露光フィールドを囲み、または完全である必要はない。一実施形態においては、そのような入口および出口は、単に円形、長方形、または例えば図２、図３および図４に示されるような、露光フィールドの１つ以上の辺に沿って部分的に延びる他の種類の要素とすることができる。それらは、連続的または非連続的とすることができる。
[0062] 図６ｃに示される装置においては、ガスナイフを形成するほとんどのガスは、抽出リング３２を介して抽出されるが、一部のガスは、液体閉じ込め構造の周りの環境に流入する可能性があり、また干渉位置測定システムＩＦを潜在的に邪魔する可能性もある。これは、ガスナイフの外の追加のガス抽出リング（図示せず）が設けられることによって防ぐことができる。
[0063] そのような単相抽出器が液体供給システムにおいてどの様に用いられるかについての更なる例が、例えば欧州特許出願公報第１，６２８，１６３号および米国特許出願公報第２００６−０１５８６２７号で見つけられる。ほとんどの出願においては、多孔性部材は、液体供給システムの下側にあり、基板Ｗが投影システムＰＳの下で動くことができる最高速度は、多孔性部材２１を介する液体の除去の効率によって少なくとも部分的決定される。
[0064] 単相抽出器は、液体およびガスの両方が抽出される二相モード（例えば、ガス５０％、液体５０％）でも使用されることができる。本明細書中における単相抽出器という用語は、単相を抽出する抽出器としてのみ解釈されるのを意図しておらず、より一般的には、多孔性部材を組み込み、それを介してガスおよび／または液体が抽出される抽出器を意図している。
[0065] 上記の単相抽出器（および他の種類）は、基板の上面の局所的エリアにのみ液体を供給する液体供給システムにおいて使用されることができる。さらに、そのような単相抽出器は、他の種類の液浸装置においても使用され得る。例えば、単相抽出器は、浴槽型液浸リソグラフィ装置において使用されることができる。浴槽型液浸リソグラフィ装置では、基板の上面全体が液体で覆われている。抽出器は、水以外の液浸流体のために使用されることができる。抽出器は、いわゆる「リーキーシール」(leaky seal)液体供給システムにおいて使用されることができる。そのような液体供給システムにおいては、投影システムの最終要素と基板との間の空間に液体が提供される。その液体は、その空間から半径方向外側に漏れることが可能である。例えば、場合によっては、液体供給システムと基板または基板テーブルの上面との間にシールを形成しない液体供給システムが使用される。液浸流体は、「リーキーシール」装置においては、基板の半径方向外側のみから取り出すことができる。
[0066] 上記の単相抽出器に対する困難性は、多孔性部材２１における穴２２がデブリによってブロックされる可能性があることである。デブリは、レジストおよび／またはトップコートを含み得る。そのようなデブリは、イメージング中に基板から持ち上げられ得る。穴２２のブロッキングは、液体供給／除去システムの性能パラメータを影響し得る。つまり、流体ハンドリングシステムによる、流体ハンドリングシステムと基板との間の流体の収容レベル（例えば、どれくらいの液体が望ましくない、不必要な態様で漏れ出ているか）が、性能パラメータによって示される。穴２２のブロッキングは、液体供給システムから液体が漏れることなく基板が移動され得る最高速度を減少し得る。つまり、単相抽出器の効率が減少する。これを見る一方法は、多孔性部材２１がレジストまたはトップコートによって汚染されるにつれて、多孔性部材２１に対する液体の接触角が大きくなる。接触角の拡大は、多孔性部材２１の親水性が低いことを意味する。親水性の低い多孔性部材２１は、汚染されていない多孔性部材２１と比べて、より低いスキャン速度の液体損失へとつながる。
[0067] 液体供給／液体除去システムの１つ以上の他のコンポーネントは、汚染された場合にも、性能を失う可能性もある。したがって、そのようなコンタミを検出すること、かつ望まれる場合、救済措置をとる必要があることを示す信号を提供することが望ましい。例えば、測定が特定の（例えば、所定の）閾値より下の性能の損失を示す場合、液体供給／除去システムをクリーニングすることが望ましい。代替的にまたは付加的に、多孔性部材２１のような液体供給／除去システムの１つ以上の部分を置き換えることも望ましい。１つ以上の動作状況を変えるような（例えば、多孔性部材２１への低圧を増やすか、またはスキャン速度を減少させるか）、緩和の他の方法が代替的にまたは付加的に使用されてもよく、また提供された例はどのような方法においても限定されると考えるべきではない。全く措置を取らないことも望ましいこともある。測定をインラインまたはオフラインのいずれかで行うためのコントローラが提供される。コンタミを測定する一方法は、液体供給／除去システムの性能パラメータを間接的に測定することである（例えば、多孔性部材２１に対する液体の接触角、または多孔性部材２１のコンタミ）。コントローラは、プロセッサを含むことができる。プロセッサは、１つ以上のコンピュータプログラムを実行することができ、および／または閾値および／または測定データは、コントローラに関連したメモリに格納されることができる。
[0068] 実施形態が以下に説明されるが、流体閉じ込めシステムの性能を測定するための他の方法もあり得る。望ましくは、液体供給／除去システムの性能の測定は、液体供給／除去システムのコンポーネントに対する液体の接触角の間接測定である。接触角の減少は、性能パラメータを測定することによって検出されることができる。例えば、液浸システムのコンポーネントにおける熱負荷の変動は、性能の変化を示し、したがって、接触角の変化を示す。熱負荷の変動は、蒸発率の変化による可能性がある。代替的にまたは付加的に、１つ以上の液体／流体入口または出口の上流または下流のいずれかの圧力変動を検出することは、性能の変化を示し、したがって、接触角の変化を示す。他の抽出器コンポーネント（例えば、単相抽出器の半径方向外側に配置されている出口）における圧力測定が、性能を測定するため使用されることができる。別の可能性は、適切な位置に流体閉じ込めシステムを保持するためにアクチュエータによって流体閉じ込めシステムに加えられる力を測定することである。さらに、流体の漏れは直接的に測定され得る。それは、インライン（例えば、静電容量または磁気センサを使用することによって）またはオフライン（例えば、イメージされた基板の欠陥をテストすることによって）で行うことができる。さらに、光センサの効率の損失が、基板テーブルの位置を測定するために使用される（例えば、透過イメージセンサプレートの高さを測定するために使用される光センサ）。さらに、コンタミが直接的（例えば、コンタミ粒子を数えることによって）または間接的（例えば、フィルタに付与された低圧の圧力変動をモニタリングすることによって）に測定されることができる。
[0069] 測定が特定の閾値より下の性能の損失、例えば接触角の減少を一度示すと、閾値が到達されたという印が提供される。印は、コントローラへの信号、および／または装置のオペレータへのビジュアル信号および／または可聴シグナル、あるいはそれらの任意の組み合わせの形とすることができる。つまり、信号は、流体ハンドリングシステムの性能が特定の閾値より下に落ちたということを注目させる。これは、上述された１つ以上の救済措置が行われることを可能とする。クリーニングは、装置の全体または装置の一部のみをクリーニングすることを含む。例えば、クリーニングは、単相抽出器のクリーニングのみを含むことができる。
[0070] 図６ｃは、液体閉じ込めシステムの一実施形態を示している。しかしながら、本発明の１つ以上の実施形態が、図６ａおよび図６ｂの単相抽出器より他の種類の液体抽出器にも適用され得ることが理解される。一実施形態は、液体入口にも適用されることができる。さらに、実施形態は、異なる種類の液体供給システムおよび異なる種類の液体除去システムにも適用されることができる。
[0071] 図６ｃの液体閉じ込めシステムにおいては、液体は単相抽出器を介して抽出される。多孔性部材２１が汚染されると、多孔性部材２１に対する流体の接触角が減少する。したがって、多孔性部材２１を越えて液体が漏れることなく、基板Ｗが液体閉じ込め構造１２の下で動き得る最高速度が減少する。これは、スループットの減少、および／または、望ましくない方法で液体が装置または基板Ｗの部分と接触することをもたらし得るため、望ましくない。
[0072] そのような状況を回避するために、粒子カウンタ５０が提供される。粒子カウンタ５０は、単相抽出器の下流に設けられる。したがって、単相抽出器を通る粒子の数を数えることができる。一定の数の粒子が数えられた後、コントローラは、上述されたような印または信号を生成する。
[0073] 粒子の閾値は、経験、実験データ、または理論に基づいて選ばれる。より小さな粒子のみが粒子カウンタ５０によって数えられるように、大きい粒子の一部は、多孔性部材２１に付着する。しかしながら、多孔性部材に捕まっている粒子の数（それによって性能が減少している）と、カウンタを通り、カウンタに数えられる粒子の数との間に相関関係がある。
[0074] カウンタ５０は、付加的にまたは代替的に、システム内のあらゆる場所に配置される。例えば、カウンタ５０は、液体入口の上流または下流に配置されることができる。
[0075] 本明細書中では単相抽出器が説明されているが、他の種類の抽出器および他の種類の入口も使用できることが理解される。
[0076] 図７に示されている液体閉じ込め構造１２の一実施形態においては、第２のガスナイフ３５が図６ｃのガスナイフ３３の半径方向外側に設けられている。図７に示されている実施形態の原理は、図６ｃの液体閉じ込め構造１２にも適用できる。図７に示されるように、フィルタ６０が、多孔性部材２１の下流の導管に設けられている。容量ポンプ７０のようなポンプは、低圧をフィルタ６０に加える。低圧は、液体がフィルタ６０を通るという結果につながる。ポンプは、フィルタ６０を通る液体の一定の流れを有するように制御される。
[0077] ゲージのような圧力センサ８０が提供される。圧力センサ８０は、フィルタを介して抽出される流体の圧力を測定する。より詳細には、圧力センサ８０は、フィルタ６０とポンプ７０との間の導管内の流体の圧力を測定する。このような方法で、コンタミをゲージすることが可能であり、したがって接触角の減少も可能である。フィルタ６０がコンタミ粒子によって詰まった場合、ポンプ７０が一定の流れを維持する一方、圧力センサ８０によって測定される圧力が増加する。したがって、圧力増加は、コンタミのレベルの測定であり、例えば、特定の閾値を超える圧力は、特定の閾値のコンタミ粒子を示す。コンタミを測定するこのシステムの有効性は、接触エリア対高さが大きくなるようなアスペクト比であった場合、改良される。これは、閉塞による任意の圧力増加がフィルタの固有抵抗より高いため、感度を増加する（高さの関数）。
[0078] したがって、図７に示される実施形態は、抽出器へと通るコンタミ粒子が検出されるという点について、図６ｃに示された実施形態と同様である。一定の量のコンタミが検出された場合（すなわち、時間に伴う一定の圧力低下が計測された場合）、上述されたように、閾値レベルが到達されたという印が提供される。
[0079] フィルタ６０は当然、完全に詰まることがあり、かつ周期的な置換えが必要である。しかしながら、フィルタは、閾値レベルが到達される度に置き換えられる必要がない場合もある。これは、時間に伴う圧力低下の変化がどのような種類の救済措置が必要であるのかを決定するために使用されるように、圧力センサ８０によって測定された圧力の履歴を維持することができるからである。
[0080] フィルタ６０は、異なる場所に配置されることができる。これらの場所は、粒子カウンタに対して示唆されたものと同じである。フィルタの更なる場所は、単相抽出器の半径方向内側の液体閉じ込めシステム１２の底面にある。フィルタは、環状（すなわち、連続的ループ）でもよく、または１つ以上の別々の場所にあってもよい。
[0081] 単相抽出器の設計は、低圧がチャンバ３１に付与されるように設計されている。これは、バッファタンクを介して、チャンバ３１と流体連通しているポンプによって行われている。（液体／ガスインターフェースにおける）バッファタンク内の圧力も、上述されたように単相抽出器の性能をゲージするために使用される。つまり、多孔性部材２１自体が、フィルタとして使用される。
[0082] 一実施形態においては、コンタミ粒子の数を測定することよりむしろ、液体供給または液体除去システムの性能が測定される。理解されるように、液体入口または出口のコンタミは、入口または出口を通る液体の異なる流れという結果となる。リソグラフィ装置は、温度変動に対して敏感である。したがって、大半の装置は、温度をモニタリングするコントローラを有する。コントローラは、しばしば、安定した温度を維持するためにヒーターまたはクーラーを介して熱または冷却を加える。一実施形態においては、熱負荷の変動が測定される。
[0083] 任意のヒーターまたはクーラーが起動していない場合、温度の測定、あるいは、温度の上昇レートまたは下降レートの測定は、液体供給／除去システムの性能に関する情報を提供できる。例えば、温度の測定は、液体入口または出口がクリーンであることが知られているときに行われる。次いで、同じ測定が、同等または同様の状況下で、使用後に行われる。２つの測定の温度プロファイルを比較することは、機械の性能についての情報をもたらす。例えば、一定のレベルを超える測定されたパラメータの変化は、性能の損失を示す。特定の例が、図６ｃの液体閉じ込めシステムを参照して、以下に示される。
[0084] 図６ｃの液体閉じ込めシステムにおいては、単相抽出器によって収容されていない任意の液体は、ガスナイフ３４によって収容されている。ガスナイフ３４／抽出リング３２に関連したガス流に対する液体の接触は、蒸発につながり、したがって冷却につながる。したがって、単相抽出器の性能がコンタミによって損なわれた場合、液体閉じ込めシステムの温度が減少する。温度の減少率（または減少の絶対値）は、したがって単相抽出器の性能レベルへの良いガイドになる。したがって、起動の所定の時間後の絶対値または温度の減少率を、クリーンな液体閉じ込めシステムに対して同様な状況の下で測定された同等の絶対値または率と比較することは、性能についての情報を与えることができる。絶対温度の違いまたは率の違いが一定の値より高い場合、上述されたように、救済措置をとる必要があるレベルにコンタミが到達したことを示す信号が生成される。
[0085] 液体閉じ込めシステムより他の１つ以上のコンポーネントの温度を測定することをも可能であることが見られる。例えば、基板および／または基板テーブルは、単相抽出器の縮小性能の後で、増加された冷却を経験することもある。したがって、上述されたものと同じ方法論が、基板または基板テーブルにおける任意のヒーターまたはクーラーが起動していない場合において、基板または基板テーブルの温度変動を測定することによって使用される。
[0086] 理解されるように、液浸リソグラフィシステム内の導管における液体の流れは、その導管の周囲のコンポーネントの冷却という結果になる。したがって、図６ｃの液体閉じ込めシステムに関連して上述された原理は、１つ以上の他のコンポーネントにも適用される。
[0087] 一実施形態においては、任意のヒーターまたはクーラーを停止する代わりに、リソグラフィ装置は通常通り使用される。一定の温度を維持するために任意のヒーターまたはクーラーに加えられる電力をモニタリングすることによって、上述されたものと同様の方法で単相抽出器３１のコンタミについての情報を得ることが可能である。つまり、汚染されていない液体閉じ込めシステムのためのヒーターまたはクーラーへの既知の電力プロファイルが、使用期間の後に同等または同様の状況下の同じパラメータと比較される。ヒーターまたはクーラーに供給される電力が一定の量より多い場合、救済措置をとる必要があることを示す信号が生成される。この実施形態は、インラインで使用される。
[0088] 図８は、多孔性部材２１を備える単相抽出器の一実施形態を示している。示されているように、多孔性部材２１全体が、液体で覆われている場合がある。低圧が、多孔性部材２１の下流側に加えられる。低圧は、容量ポンプのようなポンプ９０によって加えられる。多孔性部材２１の下流側から（すなわち、チャンバ３１から）のガスが抽出され、かつ一定の流量で抽出される。ゲージのような圧力センサ１００は、多孔性部材２１の下流側（すなわち、チャンバ３１内）のガスの圧力を測定する。多孔性部材２１内の穴にわたる液体の表面張力は、液体が低い低圧で多孔性部材２１の下流側に入ることを防ぐ。液体が、多孔性部材２１を介する穴を覆うメニスカスをこれ以上維持できない場合、液体はチャンバ３１に入る。突然の圧力変化が圧力センサ１００によって検出される。これは、いわゆる「バブル」ポイントである。バブルポイントは、液体に対する多孔性部材２１の接触角の関数である。上述されたように、多孔性部材２１への汚染が多いほど、多孔性部材２１がより親水性または親液性ではない。したがって、バブルポイントは、多孔性部材２１のコンタミの間接測定である。
[0089] 図８に示されている実施形態の方法は、オフラインで行われる。バブルポイントの圧力が特定の値より低い場合、救済措置をとる必要があることを示す信号が生成される。
[0090] 一実施形態においては、多孔性部材２１は、液体閉じ込めシステムの下側に取り付けられる。多孔性部材２１は、液体閉じ込めシステムの機能における役割が全くない場合もある。しかしながら、多孔性部材は、上述されたように、液体閉じ込めシステムの表面のコンタミの測定として使用される。当然、多孔性部材２１および上記方法は、コンタミを測定すること以外の使用を用いる有効成分を形成することなく、上述されたような液浸リソグラフィ装置内の任意のコンポーネントのコンタミを測定するためにも使用されることができる。
[0091] 図９は、図６および図７に示されているものと同様の液体閉じ込めシステムの一実施形態を示している。しかしながら、他の実施形態に対してのように、本発明の実施形態は、他の種類の液体閉じ込めシステムにも同様に適用される。
[0092] 図９においては、液体１１のメニスカス４０が、多孔性部材２１を越えて延びているように示されている。つまり、１つまたは他の利用のため（例えば、コンタミ、それによって、接触角の減少によって）、単相抽出器が正常に作動していない。この状況では、ガスナイフ３４からのガスは、液体を収容するのに有効である。通常動作では、ガスナイフ３４からのガスは、方向１０１および１０２の両方（すなわち、半径方向内側および半径方向外側）に動く。半径方向内側に動く（矢印１０１で示されるような）ガスは、次いで、抽出リング３２を介して抽出される。しかしながら、図９に示されている状況においては、ガスナイフ３４からのガスは、液体の存在によって、半径方向内側に自由に動くことを妨げられることもある。これは、ガス抽出リング３２を通り抜けるガスの流量の変化という結果になる。この流れの変化は、例えば、センサ１０５を使用して検出される。流れの変化は、液体が単相抽出器へと漏れたというインジケータになり、したがって単相抽出器の性能は損なわれる。
[0093] ガス抽出リング３２は、一定の低圧で維持されるか、またはそこを介して抽出されるガスの一定の流れを有するかのいずれかである。第１の場合では、流れの変化が液体の漏れを示し、第２の場合では、低圧の変化が液体の漏れを示す。第１の場合では、センサ１０５は流量センサとすることができ、第２の場合では、センサ１０５は圧力センサとすることができる。
[0094] 一実施形態においては、センサは、ガス抽出リング３２内に設けられるか、またはガス抽出リング３２の周辺部の周りの下流（センサ１０５によって示されるように）に設けられる。周辺部は、円周的とすることができる。センサは、上述されたように、流量または低圧のいずれかを測定する。センサは、液体閉じ込めシステム１２の周辺部の周り（例えば、円周）のどの辺に漏れが生じたかを特定するために使用されることができる。この情報は、単相抽出器の周辺部の周り（例えば、円周）のどの部分に漏れが発生したかを決定するために使用される。単相抽出器の一部をクリーニングまたは置き換えるか、あるいは特定の方向の動作速度を減速することのみが必要である。センサによって測定される値は、後の分析のために格納することができる。
[0095] センサによって検出される値が特定の閾値より上または下であった場合、場合によっては、特定の閾値より下の性能の損失を示す信号が生成される。その信号は、流体ハンドリングシステムの性能が特定の閾値より下に落ちたということを注目させる。そこで、必要であるとみなされた場合、上述されたような救済措置をとることができる。
[0096] 上述されたように、液体閉じ込めシステムの漏れは、液体閉じ込めシステム１２と基板Ｗとの間により多い液体が存在するという結果となる。この２つのコンポーネントの間の液体量の変化は、この２つのコンポーネントの間の異なる力という結果となる。さらに、ガスナイフ３４から出るガスの流れパターンの変化も、２つのコンポーネントの間の力の変化という結果となる。したがって、測定されるさらなる性能パラメータは、液体閉じ込めシステム１２をサポートするために使用されるアクチュエータによって加えられる力である。力の通常レベルを超える力の変化は、液体の漏れという結果につながる多孔性部材２１のコンタミを示す。上述されたように、汚染されていない液体閉じ込めシステムと既知の状況に対して時間の経過とともに加えられる力またはプロファイルに行われる測定を比較することが望ましい。
[0097] 力が特定の閾値より上または下であった場合、特定の閾値より下における性能の損失を示す信号が生成される。信号は、流体ハンドリングシステムの性能が特定の閾値より下に落ちたということを注目させることができる。例えば、特定の閾値より下における性能の損失を示す信号が、システムのユーザおよび／またはコントローラに注目させる。
[0098] 液体閉じ込めシステム１２の実施形態は図１０に示され、これは、以下に記載されること以外は、図９に示されている液体閉じ込めシステム１２と同じである。
[0099] 示されているように、１つ以上のセンサ１２０，１３０を、単相抽出器を越えて漏れる任意の液体を検出するために使用することができる。センサは、どの場所にも配置することができ、任意の種類の適したセンサである。例えば、少なくとも１つのセンサ１２０，１３０は、液体閉じ込めシステム１２と基板Ｗまたは基板テーブルＷＴとの間の位置における容量を測定する静電容量センサとすることができる。この測定は、液体閉じ込めシステム１２と基板Ｗまたは基板テーブルＷＴとの間のセンサの位置における液体の存在あるいはその反対を示す。センサは、液体閉じ込めシステムの下側にある。
[0100] 図１０では、２つのセンサの位置が示されている。これらのセンサのうちの１つ１３０は、ガス抽出リング３２の最も半径方向外側のエッジにある。センサ１３０は、隣接プレートの形とすることができ、またはそのようなプレートと基板または基板テーブルとの間の容量を測定できる。代替的にまたは付加的に、センサは、磁気センサとしてもよい。これらの種類のセンサは、欧州特許出願公報第１，４７７，８５６Ａ１に記載されている。
[0101] さらなる位置が、多孔性部材２１の最も半径方向外側のエッジに示されているセンサ１２０によって表されている。これは、センサ１３０と同じ方法で作用する。さらなる可能性は、多孔性部材２１自体をセンサの電極として使用することである。液体のメニスカス４０が多孔性部材２１を渡って動くにつれて、静電容量および／または磁気特性が変わる。
[0102] 上述された全ての実施形態に対して、個々のセンサは、液体閉じ込めシステム１２の周辺部の周りの別々の場所に配置することができる。このようにして、任意の漏れの正確な配置が検出される。液体が一定のマージンで予期されている位置を超えて検出された場合、上述されたように、救済措置をとる必要があることを示す信号が生成される。
[0103] 液体の損失をオフラインで測定することも可能である。これは、基板が結像された後に基板内の欠陥を検出することによって行われる。一部の欠陥は、液体の損失の結果である。さらに、光センサの効率の損失は、液体の漏れを検出するために使用される。例えば、基板テーブルの高さを検出する光センサ（または透過イメージセンサプレートの高さを測定するレベルセンサ）は、濡れた場合、性能が低下する。どの場合においても、オフラインで液体を検出することは、検出が特定の閾値より下の性能の損失があったことを示す場合において、信号を生成するために使用されることができる。信号は、上述されたように、どのような措置をとるかについて決定するために使用される。
[0104] 一実施形態においては、液浸システムにおける光センサ（例えば、レベルセンサ）ベースの液体（例えば、水）検出ツールおよびテストが開示されている。そのようなツールおよびテストは、液体配置、潜在的なガスナイフ障害配置等のチェックを可能とする。これは、調査および／またはモニタリングツール（持続時間＜３０分）として効率的に使用できる。
[0105] そのようなガスナイフ障害または単相抽出器コンタミまたは他の開口部（例えば、抽出器開口部）のような液体ハンドリングシステム（例えば、液体閉じ込め構造１２）コンタミによる液浸リソグラフィシステムにおける液体の損失は、生産基板の欠陥および／またはメトロロジーエラーへとつながり得る。潜在的なガスナイフ障害は、基板の一定の動きを使用して露出された基板の上にセンサをホバリングさせ、後で様々な配置における粒子のために基板表面を検査することによって検出することができる（例えば、基板の表面上の４つのクワドラント内の粒子を見つけるための４つのクワドラントテスト（４ＱＴ））。基板上の残りの汚染された液体跡は、蒸発するときに粒子の跡を残す。
[0106] そのような４ＱＴ結果の解析は、解釈の誤りが生じやすい場合がある。というのは、これは、間接的な測定方法であるからである。例えば、基板上に残された粒子は、根本的原因（ガスナイフ障害）の結果（液体損失）の結果（汚染された液体の蒸発）である。さらに、効率的でかつ信頼性があるようにするために、液体ハンドリングシステムによって残される残留液は、その残留液がリソグラフィシステムの一般の欠陥性レベルに関連できるように、一定量の粒子を収容するべきである。これは、リソグラフィ機器産業および顧客がより低い欠陥性を得ることへ常に向かっているという事実と矛盾する。さらに、そのようなテストは、かなりの量の機械時間を必要とすることがあり、第２のツールにおける基板および表面検査時間も必要とする。
[0107] したがって、一実施形態においては、Ｚ軸にある基板および／またはセンサ位置を決定するためのリソグラフィシステムに使用される光学メトロロジーツールであるレベルセンサ（ＬＳ）が、液体を検出するために使用される。レベルセンサを用いて検査される表面上に残された液体は、放射散乱によって、レベルセンサを用いる測定における妨害を発生させる。この原理は、液浸リソグラフィシステム内の液体ハンドリングシステムによって残される残留液を検出するために使用される。例えば、妨害は、散乱した放射を測定することによって、または散乱による放射の損失を検出することによって決定され得る。一実施形態においては、基板を例えば焦点に合わせるように配置するための液浸リソグラフィシステム内の標準レベルセンサは、本明細書中に説明される液体検出システムを提供するように適応される。そのような適応は、レベルセンサからの情報を制御および／または受取るために使用されるソフトウェアの更新とすることができる。
[0108] 図１１を参照すると、テストシーケンスは、関心のある初期的ドライ表面をレベルセンサで測定し（例えば、基板の表面）、この同じ表面上にウェットをホバリングさせ（例えば、液体ハンドリングシステムを用いて表面に液体を供給する一方、表面を液体ハンドリングシステムに対して動かす）、そして後にレベルセンサを用いて表面を再測定することを含む。
[0109] 表面上に残された残留液は、測定された高さの違いを空間の関数として表すことによって検出されることができる。あるいは、レベルセンサの検出器は、初期のおよび後の（次の）測定における反射光の強度の間の放射強度比率を空間の関数として決定することができる。ある特定のホバリングルート（基板と液体ハンドリングシステムとの間の相対運動のパターン）と組み合わせて、このデータは、例えばガスナイフ障害の場所の特定を可能とする。
[0110] 図１２および図１３は、本発明の一実施形態による光（レベル）センサテストシーケンスからのサンプル結果を示し、表面上に残された残留液の場所および残留液の潜在的原因（ガスナイフ障害のような）を示す。図１２は、レベルセンサを用いて測定された高さの違いを空間の関数として比較することによって得られた結果を示す。見られるように、結像されたエリアの上部にわたって、高さの違いがかなり大きいラインがある。これは、基板上の液体の跡を示す。この液体の跡は、ｘ方向への液体ハンドリングシステムに対する動きの後に残されたものである。これは、対応する位置における潜在的なガスナイフの障害を示す。これは、図１２において、平面図で、液体ハンドリングシステムのガスナイフを表す円のＸによって表される。
[0111] 図１３は、空間の関数としての測定された高さの違いの類似の表示である。図１３の例においては、これは透過イメージセンサ（ＴＩＳ）の上面の測定である。このイメージは、液体ハンドリングシステムが６５°の方向に透過イメージセンサに対して動いた後にとられている。見られるように、液体の跡は、相対運動の方向とおおよそ等しい角度で残されている。このデータからは、液体ハンドリングシステムのガスナイフにおける障害がどこであり得るかを計ることが可能である。
[0112] 本明細書中に開示されている液体ハンドリングシステム（例えば、液体閉じ込め構造１２）温度モニタリングとできる限り連結して、４ＱＴは、以下の可能な改良を用いて上述されたレベルセンサ検出ツールおよび／またはテストと補完または置換され得る：
- 機械時間削減：〜２ｈから０．５ｈまで
- 物品のコスト：２６基板から２基板まで
- 追加のツールが基板の表面検査に必要とされない。
[0113] 一実施形態においては、液浸リソグラフィシステムの露光側におけるビルトインカメラは、レベルセンサの追加として、またはその代わりとして使用される。そのようなカメラは、液体ハンドリングシステム（例えば、液体閉じ込めシステム１２）に組み込まれることができる。
[0114] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
[0115] 本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
[0116] 「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折型および反射型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
[0117] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。少なくとも１つのコントローラが、装置を制御するために設けられてもよい。本明細書で使用される１つ以上の異なるコントローラは、１つ以上のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内に配置された１つ以上のコンピュータプロセッサによって読み取られた場合に、動作可能であってもよい。１つ以上のプロセッサが、少なくとも１つ以上のコントローラと通信するように構成されていて、それによって、コントローラは１つ以上のコンピュータプログラムの機械読取可能命令に従って動作する。各々のコントローラは、本発明を組み入れる１つ以上のコンピュータプログラムによって装置の少なくとも１つのコンポーネントを動作してもよい。
[0118] 本発明は、任意の液浸リソグラフィ装置、特に、しかし排他的ではなく、上述のタイプのものに適用可能である。
[0119] 本発明の１つ以上の実施形態は、液浸液が浴槽の形でもしくは基板の局所的表面領域上にのみに供給されるか、または閉じ込められていないにかかわらず、任意の液浸リソグラフィ装置、特に、しかし排他的ではなく、上述のタイプのものに適用可能である。非閉じ込め構成においては、実質的に基板テーブルおよび／または基板の覆われていない表面全体が濡れるように、液浸液が基板および／または基板テーブルの表面上を流れることができる。そのような非閉じ込めシステムでは、液体供給システムは液浸液を閉じ込めないことがあるか、または液浸液体閉じ込めの一部を提供することもあるが、実質的に液浸液の完全な閉じ込めは提供しない。
[0120] 本明細書において考えられた液体供給システムは、広く解釈されなければならない。特定の実施形態において、投影システムと基板および／または基板テーブルとの間の空間に液体を供給するのは、１つの機構または構造の組合せとすることができる。これは、液体を空間に供給する１つまたは複数の構造、１つまたは複数の液体入口、１つまたは複数のガス入口、１つまたは複数のガス出口、および／または、１つまたは複数の液体出口の組合せを含むことができる。一実施形態において、空間の表面は基板および／または基板テーブルの一部としてよい、または、空間の表面は基板および／または基板テーブルの表面を完全に覆っていてよい、または、空間は、基板および／または基板テーブルを包含していてよい。液体供給システムは、液体の位置、量、品質、形状、流量、または、他の特徴を制御するための１つ以上の要素を、任意でさらに含むことができる。
[0121] 一実施形態において、液浸リソグラフィ装置の流体ハンドリングシステムを動作する方法は、流体ハンドリングシステムと基板および／または基板テーブルとの間の流体の収容レベルを示す流体ハンドリングシステムの性能パラメータを測定することと、測定することが特定の閾値より下の性能損失を示す場合に信号を生成することであって、信号は、流体ハンドリングシステムの収容性能が特定の閾値より下に落ちたことを注目させる、該生成することとを含む。一実施形態においては、測定することは、流体ハンドリングシステムの流体収容性能の間接測定である。一実施形態においては、測定することは、（ｉ）流体ハンドリングシステムの熱損失の変動を検出すること、（ｉｉ）流体ハンドリングシステムの単相抽出器の出口側の圧力変動を検出すること、（ｉｉｉ）流体ハンドリングシステムに関連した流量におけるコンタミ粒子を数えること、（ｉｖ）流体ハンドリングシステムの出口および／または入口を通る流体における圧力変動および／または流量変動を検出すること、（ｖ）流体ハンドリングシステムの閉じ込めコンポーネントを越える液体の漏れを検出すること、（ｖｉ）所望の位置を維持するために流体ハンドリングシステムに加えられた力における変化を検出すること、または（ｖｉｉ）（ｉ）〜（ｖｉ）から選択される任意の組み合わせを含む。望ましくは、測定することは、コンポーネントの温度を実質的に一定に維持するために使用されるヒーターに供給される電力をモニタリングすることによって熱損失の変動を検出することを含む。付加的にまたは代替的に、測定することは、コンポーネントシステムを加熱するために使用される任意のヒーターがオフされた場合にコンポーネントの温度の変動を検出することを含む。付加的にまたは代替的に、測定することは、性能パラメータを、クリーニングを必要としない流体ハンドリングシステムの同様の使用状況下で以前に測定された値と比較することを含む。付加的にまたは代替的に、測定することは、単相抽出器の出口側の圧力変動を検出することを含む。一実施形態において、方法は、単相抽出器の多孔性部材の第１の側から一定のレートで流体を抽出することであって、多孔性部材の反対側が液体に覆われている、該抽出することと、多孔性部材の第１の側における圧力をモニタリングすることとを含む。望ましくは、突然の圧力変化が生じる圧力は特定の圧力値と比較され、突然の圧力変動が生じる圧力が特定の圧力値より小さい場合、性能の損失が示される。付加的にまたは代替的に、方法は、単相抽出器の多孔性部材の第１の側から流体を抽出し、第１の側におけるフィルタを介して一定のレートで流体を取り上げ、かつ一定のレートで除去される流体の圧力変動を測定することを含む。一実施形態においては、方法は、さらに、信号に応じて、（ｉ）流体ハンドリングシステムの少なくとも一部をクリーニングすること、（ｉｉ）流体ハンドリングシステムの少なくとも一部を置き換えること、（ｉｉｉ）液浸リソグラフィ装置の動作パラメータを変更すること、または（ｉｖ）（ｉ）〜（ｉｉｉ）から選択される任意の組み合わせを含む。一実施形態においては、注目させることは、液浸リソグラフィ装置のコントローラまたはユーザに注目させることである。一実施形態においては、基板テーブルはシャッター部材を含み、測定することは、流体ハンドリングシステムとシャッター部材との間の流体の収容レベルを示す。
[0122] 液浸リソグラフィ装置の流体ハンドリングシステムのコンタミを検出する方法は、（ｉ）流体ハンドリングシステムの動作中におけるコンポーネントからの熱損失の変化を検出すること、（ｉｉ）流体ハンドリングシステムの単相抽出器の出口側の圧力変動を検出すること、（ｉｉｉ）流体ハンドリングシステムに関連した流体の流れにおけるコンタミ粒子を数えること、（ｉｖ）流体ハンドリングシステムの出口および／または入口を通る流体における圧力変動および／または流量変動を検出すること、（ｖ）流体ハンドリングシステムの閉じ込めコンポーネントを越える液体の漏れを検出すること、（ｖｉ）所望の位置を維持するために流体ハンドリングシステムに加えられた力における変化を検出すること、または（ｖｉｉ）（ｉ）〜（ｖｉ）から選択される任意の組み合わせを含む。望ましくは、コンポーネントは、流体ハンドリングシステム、あるいは基板または基板テーブルの一部である。
[0123] 一実施形態においては、リソグラフィ装置の流体ハンドリングシステムのコンタミを検出する方法は、第１の側で流体ハンドリングシステムの多孔性部材を流体と接触させることと、第１の側と反対である多孔性部材の第２の側から一定のレートで流体を除去することと、一定のレートで除去された流体の圧力をモニタリングすることによってコンタミを検出することとを含む。望ましくは、液体は多孔性部材の第１の側に提供され、流体を除去することは、多孔性部材の第２の側からガスを除去することを含む。突然の圧力変化が生じる圧力は特定の圧力値と比較され、突然の圧力変化が生じる圧力が特定の圧力値より小さい場合、流体ハンドリングシステムのクリーニングが必要とされるレベルのコンタミが検出される。望ましくは、多孔性部材の第２の側から一定のレートで除去される流体は、フィルタを介して除去される液体であり、圧力は、フィルタを介して除去される液体の圧力である。
[0124] 一実施形態においては、液浸リソグラフィ装置の流体ハンドリングシステムのコンタミを検出する方法は、投影システムと基板および／または基板テーブルとの間の空間から流体を抽出することと、抽出された流体に存在するコンタミ粒子の数を数えることと、コンタミ粒子の数がいつ特定の閾値を超えるかを決定することとを含む。
[0125] 一実施形態においては、液浸リソグラフィ装置は、流体ハンドリングシステムおよびコントローラを含み、コントローラは、流体ハンドリングシステムの性能パラメータを測定し、かつ測定が特定の閾値より下の性能損失を示した場合に流体ハンドリングシステムの性能が特定の閾値より下に落ちたことが注目されるように構成される。望ましくは、コントローラは、コンポーネントの熱損失の変動および／または流体ハンドリングシステムの単相抽出器の出口側の圧力変動を検出するように構成される。望ましくは、流体ハンドリングシステムは、流体ハンドリングシステムによってハンドリングされる流体中の粒子の数を数えるように構成された粒子カウンタを含む。望ましくは、流体ハンドリングシステムは、流体ハンドリングシステムの内側である多孔性部材の第１の側に、多孔性部材の第１の側における流体の圧力を測定するように構成された圧力センサを含む。一実施形態においては、装置は、一定のレートでフィルタを介して流体を抽出するように構成されたポンプおよび多孔性部材の第１の側にフィルタをさらに含み、圧力センサは、一定のレートで抽出される流体の圧力を測定するように構成されている。望ましくは、（ｉ）流体ハンドリングシステムと基板との間の流体の存在を検知するように構成されたセンサ、（ｉｉ）流体ハンドリングシステムの流体入口内および／または流体出口内の流体の圧力を測定するように構成された圧力センサ、（ｉｉｉ）流体ハンドリングシステムの入口および／または出口を通る流れを測定するように構成された流れセンサ、または（ｉｖ）（ｉ）〜（ｉｉｉ）から選択される任意の組み合わせをさらに含む。
[0126] 一実施形態においては、液浸リソグラフィ装置の流体ハンドリングシステムを動作する方法は、流体ハンドリングシステムの単層抽出器の出口側の圧力変動を検出することと、検出することが流体ハンドリングシステムと基板および／または基板テーブルとの間の流体の収容レベルが特定の閾値より下に落ちたことを示した場合に信号を生成することとを含む。一実施形態においては、検出することは、流体ハンドリングシステムの流体収容性能の間接測定である。一実施形態においては、検出することは、単相抽出器の多孔性部材の第１の側から一定のレートで流体を抽出することであって、多孔性部材の反対側は液体に覆われている、該抽出することと、多孔性部材の第１の側における圧力をモニタリングすることとを含む。望ましくは、突然の圧力変化が生じる圧力は特定の圧力値と比較され、突然の圧力変化が生じる圧力が特定の圧力値より小さい場合、流体ハンドリングシステムと基板との間の流体の収容レベルは、特定の閾値より下に落ちている。一実施形態においては、検出することは、単相抽出器の多孔性部材の第１の側から流体を抽出し、第１の側におけるフィルタを介して一定のレートで流体を取り上げ、かつ一定のレートで除去される流体の圧力変動を測定することを含む。一実施形態においては、方法は、信号に応じて、流体ハンドリングシステムの少なくとも一部をクリーニングすることをさらに含む。一実施形態においては、方法は、信号に応じて、流体ハンドリングシステムの少なくとも一部を置き換えることをさらに含む。一実施形態においては、方法は、信号に応じて、液浸リソグラフィ装置の動作パラメータを変更することをさらに含む。一実施形態においては、方法は、信号に応じて、流体ハンドリングシステムの収容性能が特定の閾値より下に落ちたことを液浸リソグラフィ装置のコントローラまたはユーザに注目させることをさらに含む。
[0127] 一実施形態においては、液浸リソグラフィ装置の流体ハンドリングシステムを動作する方法は、流体ハンドリングシステムに関連した流量におけるコンタミ粒子を数えることと、粒子の数が特定の閾値を超えた場合に信号を生成することであって、特定の閾値は、前記流体ハンドリングシステムと基板および／または基板テーブルとの間の流体の収容レベルにおける減少を示す、該生成することとを含む。望ましくは、数えることは、流体ハンドリングシステムの流体収容性能の間接測定である。一実施形態においては、方法は、流体ハンドリングシステムの単相抽出器の多孔性部材の第１の側から流体を抽出することをさらに含み、流量におけるコンタミ粒子を数えることは、第２の側へと多孔性部材を通ったコンタミ粒子を数えることを含む。一実施形態においては、方法は、信号に応じて、流体ハンドリングシステムの少なくとも一部をクリーニングすることをさらに含む。一実施形態においては、方法は、信号に応じて、流体ハンドリングシステムの少なくとも一部を置き換えることをさらに含む。一実施形態においては、方法は、信号に応じて、液浸リソグラフィ装置の動作パラメータを変更することをさらに含む。一実施形態においては、方法は、信号に応じて、流体ハンドリングシステムの収容性能が特定の閾値より下に落ちたことを液浸リソグラフィ装置のコントローラまたはユーザに注目させることをさらに含む。
[0128] 一実施形態においては、液浸リソグラフィ装置の流体ハンドリングシステムを動作する方法は、流体ハンドリングシステムの熱損失の変動を検出することと、検出することが流体ハンドリングシステムと基板および／または基板テーブルとの間の流体の収容レベルが特定の閾値より下に落ちたことを示した場合に信号を生成することとを含む。望ましくは、一実施形態においては、検出することは、流体ハンドリングシステムの流体収容性能の間接測定である。望ましくは、熱損失の変動を検出することは、コンポーネントの温度を実質的に一定に維持するように構成されたヒーターに供給される電力をモニタリングすることを含む。望ましくは、熱損失の変動を検出することは、コンポーネントシステムを加熱するように構成された任意のヒーターがオフされた場合にコンポーネントの温度をモニタリングすることを含む。一実施形態においては、方法は、信号に応じて、流体ハンドリングシステムの少なくとも一部をクリーニングすることをさらに含む。一実施形態においては、方法は、信号に応じて、流体ハンドリングシステムの少なくとも一部を置き換えることをさらに含む。一実施形態においては、方法は、信号に応じて、液浸リソグラフィ装置の動作パラメータを変更することをさらに含む。一実施形態においては、方法は、信号に応じて、流体ハンドリングシステムの収容性能が特定の閾値より下に落ちたことを液浸リソグラフィ装置のコントローラまたはユーザに注目させることをさらに含む。
[0129] 一実施形態においては、液浸リソグラフィ装置の流体ハンドリングシステムを動作する方法は、流体ハンドリングシステムの出口および／または入口を通る流体における流体の圧力変動および／または流量変動を検出することと、検出することが流体ハンドリングシステムと基板および／または基板テーブルとの間の流体の収容レベルが特定の閾値より下に落ちたことを示した場合に信号を生成することとを含む。一実施形態においては、方法は、信号に応じて、流体ハンドリングシステムの少なくとも一部をクリーニングすることをさらに含む。一実施形態においては、方法は、信号に応じて、流体ハンドリングシステムの少なくとも一部を置き換えることをさらに含む。一実施形態においては、方法は、信号に応じて、液浸リソグラフィ装置の動作パラメータを変更することをさらに含む。一実施形態においては、方法は、信号に応じて、流体ハンドリングシステムの収容性能が特定の閾値より下に落ちたことを液浸リソグラフィ装置のコントローラまたはユーザに注目させることをさらに含む。
[0130] 一実施形態においては、液浸リソグラフィ装置の流体ハンドリングシステムを動作する方法は、流体ハンドリングシステムの閉じ込めコンポーネントを越える液体の漏れを検出することと、検出することが流体ハンドリングシステムと基板および／または基板テーブルとの間の流体の収容レベルが特定の閾値より下に落ちたことを示した場合に信号を生成することとを含む。一実施形態においては、方法は、信号に応じて、流体ハンドリングシステムの少なくとも一部をクリーニングすることをさらに含む。一実施形態においては、方法は、信号に応じて、流体ハンドリングシステムの少なくとも一部を置き換えることをさらに含む。一実施形態においては、方法は、信号に応じて、液浸リソグラフィ装置の動作パラメータを変更することをさらに含む。一実施形態においては、方法は、信号に応じて、流体ハンドリングシステムの収容性能が特定の閾値より下に落ちたことを液浸リソグラフィ装置のコントローラまたはユーザに注目させることをさらに含む。
[0131] 一実施形態においては、液浸リソグラフィ装置の流体ハンドリングシステムを動作する方法は、所望の位置を維持するために流体ハンドリングシステムに加えられた力における変化を検出することと、検出することが流体ハンドリングシステムと基板および／または基板テーブルとの間の流体の収容レベルが特定の閾値より下に落ちたことを示した場合に信号を生成することとを含む。一実施形態においては、方法は、信号に応じて、流体ハンドリングシステムの少なくとも一部をクリーニングすることをさらに含む。一実施形態においては、方法は、信号に応じて、流体ハンドリングシステムの少なくとも一部を置き換えることをさらに含む。一実施形態においては、方法は、信号に応じて、液浸リソグラフィ装置の動作パラメータを変更することをさらに含む。一実施形態においては、方法は、信号に応じて、流体ハンドリングシステムの収容性能が特定の閾値より下に落ちたことを液浸リソグラフィ装置のコントローラまたはユーザに注目させることをさらに含む。
[0132] 一実施形態においては、リソグラフィ装置の流体ハンドリングシステムからの残留液を検出する方法は、流体ハンドリングシステムを使用して表面に液体を付与することと、流体ハンドリングシステムに対して表面を動かすことであって、動かした後に残留液が表面上に残る、該動かすことと、表面に放射ビームを誘導することであって、ビームの少なくとも一部が残留液によって散乱する、該誘導することと、散乱した放射を測定すること、または散乱による放射の損失を検出することによって残留液の存在を決定することとを含む。望ましくは、ビームを誘導することは、光レベルセンサを使用して行われる。望ましくは、方法は、残留液に放射ビームを誘導する前に放射ビームによって乾いている表面を測定することを含む。望ましくは、残留液の決定された存在は、流体ハンドリングシステムのコンタミを示す。
[0133] 一実施形態においては、液浸リソグラフィ装置は、流体ハンドリングシステムと、表面に放射ビームを誘導するように構成された光センサであって、表面上の流体ハンドリングシステムからの残留液によって少なくとも一部のビームが散乱する、光センサと、散乱した放射を測定すること、または散乱による放射の損失を検出することによって残留液の存在を決定するように構成されたコントローラとを含む。
[0134] 一実施形態においては、リソグラフィ装置の流体ハンドリングシステムからの残留液を検出する方法は、表面の第１の高さプロファイルを決定することと、流体ハンドリングシステムを使用して表面に液体を付与することと、流体ハンドリングシステムに対して表面を動かすことであって、動かした後に残留液が表面上に残る、該動かすことと、表面の第２の高さプロファイルおよび表面上に残る残留液を決定することと、第１のおよび第２の高さプロファイルを比較することによって残留液の存在を決定することとを含む。
[0135] 上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
[0023] 本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。 [0024] リソグラフィ投影装置における使用のための液体供給システムを示す。 [0024] リソグラフィ投影装置における使用のための液体供給システムを示す。 [0025] リソグラフィ投影装置における使用のための更なる液体供給システムを示す。 [0026] 液体供給システムを示す。 [0027] 図６ａ〜ｃは、更なる液体供給システムを示す。 [0027] 図６ａ〜ｃは、更なる液体供給システムを示す。 [0027] 図６ａ〜ｃは、更なる液体供給システムを示す。 [0028] 本発明の一実施形態による液体閉じ込めシステムを断面図で概略的に示す。 [0029] 本発明の一実施形態による液体閉じ込めシステムを断面図で概略的に示す。 [0030] 本発明の一実施形態による液体閉じ込めシステムを断面図で概略的に示す。 [0031] 本発明の一実施形態による液体閉じ込めシステムを断面図で概略的に示す。 [0032] 本発明の一実施形態による光センサテストシーケンスのフローチャートを示す。 [0033] 本発明の一実施形態による光センサテストシーケンスからのサンプル結果を示す。 [0033] 本発明の一実施形態による光センサテストシーケンスからのサンプル結果を示す。

Claims (15)

  1. 液浸リソグラフィ装置の流体ハンドリングシステムのコンタミを検出する方法であって、前記方法は、
    第１の側で前記流体ハンドリングシステムの多孔性部材を流体と接触させることと、
    前記第１の側と反対である、前記多孔性部材の第２の側に設けられた導管から、低圧が付与されるフィルタを介して一定のレートで流体を除去することと、
    前記フィルタの下流の流体の圧力をモニタリングすることによって前記多孔性部材のコンタミを検出することと、
    を含む、方法。
  2. コンタミを検出した場合、救済措置を取る必要があることを示す信号を生成する、請求項１に記載の方法。
  3. 前記除去は、前記多孔性部材の下流の導管に配置されるフィルタを介して流体を取り出すことを更に含む、請求項１又は請求項２のいずれかに記載の方法。
  4. コンタミを検出した場合、前記流体ハンドリングシステムの少なくとも一部をクリーニングすることをさらに含む、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の方法。
  5. コンタミを検出した場合、前記流体ハンドリングシステムの少なくとも一部を置き換えることをさらに含む、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の方法。
  6. コンタミを検出した場合、前記液浸リソグラフィ装置の動作パラメータを変更することをさらに含む、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の方法。
  7. コンタミを検出した場合、前記液浸リソグラフィ装置のコントローラまたはユーザに注目させる、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の方法。
  8. 前記流体ハンドリングシステムは、前記多孔性部材を組み込み、該多孔性部材を介して流体が除去される抽出器を備える、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。
  9. 前記検出は、前記多孔性部材の第２の側を流れる流体中のコンタミ粒子を数えること、を含む請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法。
  10. 前記検出は、前記流体ハンドリングシステムの熱損失の変動をモニタリングすること、を含む請求項１乃至９のいずれか一項に記載の方法。
  11. 前記検出は、前記流体ハンドリングシステムの閉じ込めコンポーネントを越える液体の漏れをモニタリングすること、を含む請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の方法。
  12. 前記検出は、所望の位置を維持するために前記流体ハンドリングシステムに加えられた力における変化をモニタリングすること、を含む請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の方法。
  13. 流体ハンドリングシステムおよびコントローラを含む液浸リソグラフィ装置であって、
    前記流体ハンドリングシステムは、第１の側で前記流体ハンドリングシステムの多孔性部材を流体と接触させ、前記第１の側と反対である、前記多孔性部材の第２の側に設けられた導管から、低圧が付与されるフィルタを介して一定のレートで流体を除去するように構成され、
    前記コントローラは、前記フィルタの下流の流体の圧力をモニタリングすることによって前記多孔性部材のコンタミを検出するように構成されている、液浸リソグラフィ装置。
  14. 前記多孔性部材の第２の側から一定のレートで流体を除去するためのポンプを更に備える、請求項１３に記載の装置。
  15. ポンプによって一定のレートで除去される流体の圧力をモニタリングするための圧力センサをさらに備える請求項１３又は請求項１４のいずれかに記載の装置。
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