JP2009111383A - 液浸リソグラフィ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】サンプラ、サンプルホルダ、及びサンプラを備える液浸リソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】リソグラフィ装置の液浸システム内で粒子を採取するために、サンプラ９０を設ける。サンプラ９０は、コレクタ表面９６を有するホルダベース９４を備える。コレクタ表面９６は、汚染物質を採取し、保存するように構成される。サンプラ９０は、コレクタ表面９６を液体と、又は液浸システムの表面と接触させることによってサンプル粒子を採取するように、液浸システムの表面に配置することができる。サンプラ９０は、検査するために液浸リソグラフィ装置から取り外し可能にすることができる。
【選択図】図９

Description

[0001] 本発明はサンプル汚染物質を採取するサンプラ、サンプラを備える液浸リソグラフィ装置、及び液浸リソグラフィ装置内のサンプラを使用する方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を備える）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる網の目状の互いに近接したターゲット部分を含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向(「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。

[0003] 投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液に液浸することが提案されている。液体は蒸留水でよいが、別の液体を使用することもできる。本明細書の説明は、液体に言及している。しかし、別の流体が適切なことがある。特に濡れ性流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体である。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像する形体の小型化を可能にすることである。（液体の効果は、システムの有効ＮＡを大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水などの、他の液浸液も提案されている。

[0004] しかし、基板を、又は基板と基板支持構造体を液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許第ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。

[0005] 提案されている解決法の１つは、液体供給システムが、液体封じ込めシステムを使用して、基板の局所区域及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供することである（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを構成するために提案されている１つの方法が、国際ＰＣＴ特許出願第ＷＯ９９／４９５０４号で開示されている。図２及び図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口ＩＮによって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。つまり、基板Ｗが−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口ＩＮを介して供給され、低圧源に接続された出口ＯＵＴによって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは各側に４組の入口と出口が、最終要素の周囲に規則的なパターンで設けられる。

[0006] それぞれが参照により全体を本明細書に組み込まれる欧州特許出願公開公報ＥＰ１４２０３００号及び米国特許出願公開公報ＵＳ２００４−０１３６４９４号では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置には、基板を支持する２つのテーブルが設けられる。テーブルが第一位置にあり、液浸液がない状態でレベリング測定が実行され、テーブルが第二位置にあり、液浸液が存在する状態で、露光が実行される。あるいは、装置に１つしかテーブルがない。

[0007] 液浸リソグラフィ機械で遭遇する１つの問題は、汚染粒子が発生することである。これらの粒子には多くの粒子源がある。その幾つかについてここで説明するが、粒子源はそのリストに限定されない。粒子は、液浸システムへの液浸液中に存在することがある。粒子は、液浸システムの移動する隣接コンポーネントの表面間、液浸システム内で、又は液体供給装置又は基板又は基板テーブルに損傷が引き起こされた場合に生じることがある。このような損傷は、例えば液浸システムのコンポーネント間の衝突によって生じることがある。粒子は、液浸システムの部品ではないリソグラフィ装置の部品中に存在し、例えば装置内で移動する液体によって液浸リソグラフィ内に誘導されることがある。粒子は、例えば液浸システム内に存在する溶解汚染物質が結晶化するか、液浸システムと、液浸システムの表面を含む材料との相互作用によって、液浸液中に生じるかもしれない。一部の粒子は、レジスト又はトップコートに由来する薄片であることもある。液浸システムのコンポーネントは、劣化するコーティングを有することがある。劣化の原因は、老朽化、使用、液浸液との相互作用、又は露光源として使用されるＵＶ放射との相互作用のうち１つ又は複数であることがある。コーティングが劣化すると、これは分解しやすく、粒子を液浸液中に放出する。

[0008] 液浸システム中に粒子が存在すると、粒子が投影システムと露光される基板との間に来る露光プロセス中に、欠陥を生じさせることがある。したがって、液浸システム中の粒子の存在を最適に減少させることが望ましい。

[0009] 多くのタイプの液浸リソグラフィ装置は、投影システムの最終要素と基板の間の空間に液浸液が設けられていることが共通している。その液体は通常、この空間から除去される。例えば、このような除去は、液浸液のクリーニング又は液浸システムのクリーニングのためであるが、それに限定されない。このようなクリーニングは、例えば粒子を除去するか、液浸液の温度を調整するためであり得る。

[0010] したがって、液浸リソグラフィ装置の設置、使用及び保守中に汚染物質を監視することが有利である。図６ａ及び図６ｂに図示されているような『サンプルペン』６０を使用することができる。サンプルペンは、手で操作するのに適切な円筒形本体６２を備える。ペン本体の一方端には、交換可能な着脱式キャップ６４がある。本体の端部には、キャップ内で、先端６６に炭素ステッカ６８（薄い黒鉛シート）を有する突起が取り付けられる。炭素ステッカは、信頼できるサンプル媒質である。炭素ステッカ６８はホルダを有することが望ましい。というのは、そうしないと脆弱なので炭素ステッカ６８が破損してしまうからである。このようなホルダを使用して操作しないと、操作が困難なことがある。使用時には、（図６ｂに示すように）ペン６０のキャップ６４を外し、先端６６をサンプリングする位置に接触した状態で配置する。次に、キャップ６４を元に戻す。ペン６０は、試験ツール、例えば走査電子顕微鏡（『ＳＥＭ』）、エネルギ分散Ｘ線分析（『ＥＤＸ』）及び／又は赤外線分析を使用して試験し、サンプリングした粒子を試験して検査することができる。ＳＥＭを使用して粒子の量を割り出し、ＥＤＸ分析を使用して粒子の無機成分を識別し、赤外線分析を使用して、有機汚染物質を識別することができる。しかし、製造工場に配置された典型的な現場検査ツールは、１ｍｍの高さの寸法で、公差は小さい。したがって、試験及び検査のために、サンプルを現場外検査ツールへと輸送する必要があることがある。試験は遅れることがあり、したがって汚染の検出及び評価が長くて時間がかかるプロセスになる。

[0011] 液浸リソグラフィツールは、基板の少なくとも一部を液浸するような寸法にされる。手持ち式サンプルペン６０の寸法は、現場検査のために液浸リソグラフィツール内のサンプルを取り上げるのに不適切なことがある。

[0012] ペン６０は１回使用でもよい。設置、操作及び保守中に、多くのサンプルを取得することができる。この方法で、汚染の程度及び位置を検出し、割り出すことができる。液浸システムの様々な位置の相対的汚染を研究することができる。汚染の経時変化は、例えば長期に使用して、又は効果的な保守又は修理を保証するために観察することができる。

[0013] 例えば、液浸システム及び現場検査ツール内で使用できる安価なサンプラを提供することが望ましい。

[0014] 本発明の態様によれば、リソグラフィ装置内のサンプル汚染物質を採取するように構成されたサンプラが提供される。サンプラは、コレクタ表面を有するホルダベースを備える。コレクタ表面は、汚染物質を採取し、保存するように構成される。サンプラは、リソグラフィ装置による露光で使用する基板の形状及び／又は寸法を有してよい。サンプラは、リソグラフィ装置による露光で使用する基板の高さを有してよい。ホルダベースはコレクタ層を備えてよい。コレクタ表面は、コレクタ層の表面でよい。

[0015] 本発明の態様によれば、サンプラを着脱式に保持するように構成されたサンプルホルダが提供される。サンプラは、リソグラフィ装置内のサンプル汚染物質を採取するように構成される。サンプラはコレクタ表面を有するホルダベースを備える。コレクタ表面は、汚染物質を採取し、保存するように構成される。

[0016] 本発明の態様によれば、液浸システムと、液浸システム内の粒子を採取するように構成された着脱式サンプラとを備える液浸リソグラフィ装置が提供される。サンプラはコレクタ表面を有するホルダベースを備える。コレクタ表面は、汚染物質を採取し、保存するように構成される。サンプラは、コレクタ表面を液体に、又は液浸システムの表面に接触させることによってサンプル粒子を採取するか、落下する粒子又は気体で運ばれる粒子を採取するように、液浸システムの表面に着脱式に配置される。コレクタ表面が液浸システムの表面に接触すると、粒子がコレクタ表面に付着するように、サンプラに力を加えることができる。液浸システムは複数のサンプラを備えてよい。サンプラは、液浸システムの様々な表面に配置することができる。液体は液浸液でよい。液浸システムは、基板を保持するように構成された基板テーブルと、投影システムと基板テーブル又は基板の間に液体を供給するように構成された液体供給システムとを備えてよい。サンプラは、基板がない状態で、液体供給システムと基板テーブルの間に対合するような寸法でよい。

[0017] 本発明の態様によれば、リソグラフィ装置が提供され、装置は、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、装置の表面に配置され、粒子を採取し、保存するように構成されたコレクタ表面を有するホルダベースを備えるサンプラと、を備える。ホルダベースはコレクタ層を有してよく、コレクタ表面はコレクタ層の表面である。ホルダベースは、コレクタ層を保持することができる。

[0018] 本発明の態様によれば、液浸リソグラフィ装置内の粒子サンプルを取得する方法が提供され、方法は、液浸リソグラフィ装置内又はその上に実質的に平面の基板の高さを有し、粒子を採取し、保存するように構成されたコレクタ表面を有するホルダベースを備える粒子サンプラを位置決めすることを含み、サンプラを位置決めする際に、コレクタ表面は、液浸リソグラフィ装置の表面、又は液浸リソグラフィ装置の液体と接触しているか、落下する粒子又は気体で運ばれる粒子を採取するように構成され、さらに、コレクタ表面上に粒子が採取されたかを検査するために、液浸リソグラフィ装置からサンプラを取り出すことを含む。ホルダベースはコレクタ層を備えてよく、コレクタ表面はコレクタ層の表面である。

[0019] 次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。

[0030] 図１は、本発明の実施形態で使用するのに適切なリソグラフィ装置の実施形態を概略的に示したものである。この装置は、
− 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
− パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一位置決め装置ＰＭに接続された支持構造体（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
− 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二位置決め装置ＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
− フレームＲＦ上に支持され、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。

[0031] 照明システムは、放射の誘導、成形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。

[0032] 支持構造体ＭＴは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造体ＭＴは、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造体ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造体ＭＴは、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。

[0033] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。

[0034] パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用するが、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することが可能である。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。

[0035] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。

[0036] ここに示している本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。

[0037] リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイス支持構造体）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブル及び／又は支持構造体を並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブル及び／又は支持構造体を露光に使用している間に１つ又は複数のテーブル及び／又は支持構造体で予備工程を実行することができる。

[0038] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、それぞれ別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。

[0039] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。また、イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。

[0040] 放射ビームＢは、支持構造体（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡを通り抜けて、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＳを通過する。第二位置決め装置ＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一位置決め装置ＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、支持構造体ＭＴの移動は、第一位置決め装置ＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二位置決め装置ＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールの助けにより実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造体ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアラインメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。

[0041] 図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。

[0042] １．ステップモードにおいては、支持構造体ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。

[0043] ２．スキャンモードにおいては、支持構造体ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。支持構造体ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。

[0044] ３．別のモードでは、支持構造体ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

[0045] 上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

[0046] 局所的液体供給システムがある液浸リソグラフィの解決法が、図４に図示されている。液体は、投影システムＰＬのいずれかの側にある２つの溝入口ＩＮによって供給され、入口ＩＮの半径方向外側に配置された複数の別個の出口ＯＵＴによって除去される。入口ＩＮ及びＯＵＴは、中心に穴があり、投影される投影ビームが通る板に配置することができる。液体は、投影システムＰＬの一方側にある１つの溝入口ＩＮによって供給されて、投影システムＰＬの他方側にある複数の別個の出口ＯＵＴによって除去され、これによって投影システムＰＬと投影システムＰＬの間に液体の薄膜の流れが生じ、投影システムＰＬの他方側にある複数の別個の出口ＯＵＴによって除去され、これによって投影システムＰＬと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れが生じる。どの組合せの入口ＩＮと出口ＯＵＴを使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組合せの入口ＩＮ及び出口ＯＵＴはアクティブではない）。

[0047] 提案されている局所的液体供給システムの解決法がある液浸リソグラフィの他の解決法は、投影システムの最終要素と基板テーブルの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体封じ込め構造（又はいわゆる液浸フード）を液体供給システムに設けることである。このような解決法が図５に図示されている。液体封じ込め構造は、投影システムに対してＸＹ面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）では多少の相対運動があってよい。液体封じ込め構造と基板の表面との間にシールを形成することができる。

[0048] 図５を参照すると、液体封じ込め構造１２が、投影システムの像フィールドの周囲で基板の非接触シールを形成し、したがって液体が封じ込められて、基板表面と投影システムの最終要素との間の空間１１を充填する。空間１１は、投影システムＰＬの最終要素の下方に配置され、それを囲む液体封じ込め構造１２によって形成される。液体が、例えば液体入口１３を通して、投影システムの下方で、液体封じ込め構造１２内の空間に運び込まれる。追加的又は代替的に、液体は入口１３を通して除去してもよい。液体封じ込め構造１２は、投影システムの最終要素の少し上まで延在し、液体のバッファが提供されるように、液体が最終要素の上まで上昇する。液体封じ込め構造１２は、その上端が実施形態では投影システム又はその最終要素の形状に非常に一致することができ、例えば円形でよい内周を有する。底部では、内周は像フィールドの形状に非常に一致し、例えば長方形であるが、そうである必要はない。

[0049] 液体は、液体封じ込め構造１２１２の底部と基板Ｗの表面との間にあるガスシール１６によってリザーバ内に封じ込められる。ガスシールは、空気又は合成空気又Ｎ₂又は別の不活性ガスなどの気体によって形成され、圧力下で入口１５を介して液体封じ込め構造１２と基板の間のギャップに提供され、第一出口１４を介して抽出される。気体入口１５への過剰圧力、第一出口１４の真空のレベル、及びギャップの幾何学的形状は、液体を封じ込める内側への高速の気体流があるように構成される。このようなシステムが、米国特許出願公開公報ＵＳ２００４−０２０７８２４号で開示されている。

[0050] 他の解決法も可能であり、本発明の１つ又は複数の実施形態はこれに等しく適用可能である。例えば、ガスシール１６の代わりに、液体を抽出するだけの単相抽出装置があることも可能である。このような単相抽出装置の半径方向外側には、液体を空間に閉じ込めるのに役立つ気体流を生成する１つ又は複数のフィーチャがあってよい。１つのこのようなタイプのフィーチャはいわゆるガスナイフでよく、ここでは薄い気体のジェットが基板Ｗへと下方向に誘導される。基板が投影システム及び液体供給システムの下方でスキャン動作している間に、静水力学的及び流体力学的力が発生し、基板に向かって液体に下方向の圧力を加えることができる。

[0051] 局所区域液体供給システムがある状態で、基板Ｗを投影システムＰＬ及び液体供給システムの下方で移動させる。さらに、基板テーブルＷＴ及び／又はシャッタ部材上のセンサを、液体供給システムの下方で移動させることができる。シャッタ部材によって、例えば基板の交換を実行することができる。シャッタ部材は基板テーブルＷＴの一部でよい。これは、基板テーブルから取り外し可能でよく、ダミー基板又はいわゆる閉鎖プレートと呼ばれる。基板の交換中に、例えば基板Ｗの縁部が空間１１の下を通過し、液体が基板Ｗと基板テーブルＷＴの間のギャップに漏れることがある。この液体は、ガスナイフ又は他の気体流生成デバイスの静水力学的又は流体力学的圧力又は力で強制することができる。

[0052] 基板Ｗ又は基板テーブルに配置された他の物体の縁部の周囲で排液することができる。このような物体は、例えば基板の交換中に液体供給システムの底部に取り付けることによって液体供給システム内に液体を維持するために使用される閉鎖プレート及び／又は１つ又は複数のセンサを含むが、それに限定されない。したがって、基板Ｗに言及した場合、それはセンサ又は閉鎖プレートを含む他のこのような物体と同義であると見なされたい。

[0053] 図７は、排液部構成の実施形態を示す。図７は、基板テーブルＷＴ及び基板Ｗを通る断面図である。排液部１０は、基板Ｗと基板テーブルＷＴの間にギャップ１５が存在する基板Ｗの外縁の周囲で提供される。排液部１０は、基板Ｗの周囲に延在してよい。実施形態では、排液部１０は基板Ｗの周囲の一部に延在するだけでよい。排液部１０は、基板テーブルＷＴ内に形成してもよい。

[0054] 排液部１０の入口に近い基板テーブルＷＴの最上部分は、基板Ｗが基板テーブルＷＴに配置された場合に、その上面が基板Ｗの上面と実質的に平行で、同一平面上になるように構築され、構成される。これは、基板Ｗの縁部を結像している場合、又は基板テーブルＷＴが投影システムの下方を通過して、基板Ｗを１回目に投影システムの下方へと運搬するか、結像後に基板Ｗを投影システムの下方から移動させ、液体供給システムの相対位置が基板テーブルＷＴの上面から基板Ｗの上面へと、又はその逆に渡される場合、ギャップ１５への液体の漏れが減少するか、最小限になることを保証するのに役立つ。しかし、一部の液体が必ずギャップ１５に入る。ギャップ１５には、ギャップ１５に入る液体を除去するために、低圧源などのフィーチャを設けることができる。

[0055] 以下で、液浸液を供給するように最適化された液浸システムに関して、本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は、液浸媒体として液体以外の流体を供給する流体供給システムを使用する液浸システムで使用するのにも、等しく適用可能である。

[0056] 図８ａ及び図８ｂは、後者が前者の一部の拡大図であり、液浸フードＩＨと基板Ｗの間の液体を除去するために液浸システム内で使用できる液体除去デバイス２０を示す。液体除去デバイス２０は、わずかに低圧ｐ_cに維持され、液浸流体で充填されたチャンバを備える。チャンバの下面は例えば５μｍから５０μｍの範囲の直径ｄ_holeである複数の小さい穴を有する多孔質部材２１で形成される。下面は、液体を除去すべき表面、例えば基板Ｗの表面から１ｍｍ未満、望ましくは５０μｍから３００μｍの範囲のギャップ高さｈ_gapに維持される。多孔質部材２１は、有孔プレート又は液体が通過できるように構成された任意の他の適切な構造でよい。実施形態では、多孔質部材２１は少なくともわずかに親液性（つまり水の場合は親水性）である。つまり水などの液浸液に対して９０°未満の接触角を有する。

[0057] このような液体除去デバイスを、多くのタイプの液体封じ込め構造１２／液浸フードＩＨに組み込むことができる。一例が、米国特許出願公開公報ＵＳ２００６−００３８９６８号に開示されているように図８ｃに図示されている。図８ｃは、液体封じ込め構造１２の一方側の断面図であり、これは投影システムＰＳ（図８ｃには図示せず）の露光フィールドの周囲の少なくとも一部にリングを形成する（本明細書では、リングは円形、長方形又は任意の他の形状でよく、連続的又は不連続的でよい）。この実施形態では、液体除去デバイス２０は、液体封じ込め構造１２の下側の最も内側にある縁部付近にリング形チャンバ３１によって形成される。チャンバ３１の下面は上述したように、多孔質部材３０（例えば有孔プレート２１）によって形成される。リング形チャンバ３１は適切な１つ又は複数のポンプに接続されて、チャンバから液体を除去し、所望の低圧を維持する。使用時には、チャンバ３１は液体で一杯であるが、わかりやすいように空の状態で図示されている。

[0058] リング形チャンバ３１の外側には、気体抽出リング３２及び気体供給リング３３があってよい。気体供給リング３３は、その下部分に狭いスリットを有してよく、例えば空気、人工空気又は洗浄ガスなどの気体が、スリットから逃げる気体がガスナイフ３４を形成し、これが実施形態では下方向に誘導されるような圧力で供給される。ガスナイフを形成する気体が、気体抽出リング３２に接続された適切な真空ポンプによって抽出され、したがってその結果の気体流が残留している液体を内側に押しやり、これは液体除去デバイス及び／又は真空ポンプによって除去することができ、これは液浸液の蒸気及び／又は液体の小滴を許容できねばならない。しかし、液体の大部分は液体除去デバイス２０によって除去されるので、真空システムを介して除去される少量の液体は、振動につながる不安定な流れを引き起こさない。

[0059] チャンバ３１、気体抽出リング３２、気体供給リング３３及び他のリングは、本明細書ではリングとして説明されているが、これが露光フィールドを囲んだり、完全であったりする必要はない。その１つ又は複数は連続的又は不連続的でよい。実施形態では、このような１つ及び複数の入口及び出口は、単に任意の環状形状、例えば円形、長方形、又は他のタイプの要素でよく、例えば図２、図３及び図４に示すように露光フィールドの１つ又は複数の側部に沿って部分的に延在する。

[0060] 図８ｃに示す装置では、ガスナイフを形成する気体の大部分が、気体抽出リング３２を介して抽出されるが、一部の気体は液浸フードの周囲の環境に流れ込み、潜在的に干渉計位置測定システムＩＦを妨害することがある。これは、ガスナイフの外側に追加の気体抽出リングを設けることによって防止することができる（図示せず）。

[0061] 液浸フード又は液体封じ込めシステム又は液体供給システムでこのような単相抽出装置を使用できる方法のさらなる例が、例えば欧州特許出願公開公報ＥＰ１，６２８，１６３号及び米国特許出願公開公報ＵＳ２００６−０１５８６２７号に見られる。大部分の用途で、多孔質部材は液体供給システムの下側にあり、基板Ｗが投影システムＰＳの下方で移動できる最高速度は、少なくとも部分的に多孔質部材２１を通って液体を除去する効率によって決定される。

[0062] 単相抽出装置は、液体と気体の両方（例えば５０％の気体、５０％の液体）を抽出する２相モードで使用することもできる。本明細書では、単相抽出装置という用語は、は１つの相を抽出する抽出装置のみとは解釈されず、さらに一般的に抽出される気体及び／又は液体が通過する多孔質部材を組み込んだ抽出装置と解釈されるものとする。実施形態では、ガスナイフ（つまり気体供給リング３３）がなくてもよい。

[0063] 以上で言及した単相抽出装置を（さらに他のタイプも）、基板の上面の局所区域にのみ液体を供給する液体供給システムに使用することができる。さらに、このような単相抽出装置は他のタイプの液浸装置にも使用することができる。抽出装置は、水以外の液浸液でも使用してよい。抽出装置は、いわゆる「漏れシール」液体供給システムに使用してよい。このような液体供給システムでは、投影システムの最終要素と基板の間の空間に液体を提供する。その液体は、その空間から半径方向外側に漏れることができる。例えば、場合によって自身と基板又は基板テーブルの上面との間にシールを形成しない液浸フード又は液体封じ込めシステム又は液体供給システムを使用する。液浸液は、「漏れ性シール」装置では液版の半径方向外側にのみ回収することができる。単相抽出装置に関して行うコメントは、他のタイプの抽出装置、例えば多孔質部材がない抽出装置にも当てはめることができる。このような抽出装置は、液体と気体の両方を抽出する２相抽出装置として使用してもよい。

[0064] 本発明の実施形態を、前述した図で説明したような液体処理システム及び排液部がある液浸システムを有するリソグラフィ装置に関して説明する。しかし、本発明の実施形態は任意の種類の液浸装置に適用できることが明白である。特に、本発明の実施形態は、欠陥が問題になり、軽減することが最適で、最小限にすることが望ましい任意の液浸リソグラフィ装置に適用可能である。したがって、説明の以前の行で述べたシステム及びコンポーネントは、例示的システム及びコンポーネントである。本発明の実施形態は、液浸システムの他のフィーチャにも適用することができ、それはインライン及びオフラインで実行するためのクリーニングシステム及びクリーニングツール、超純水供給システムなどの液体供給及び液体回収システム、及び気体供給及び除去システム（例えば真空ポンプ）を含むが、それに限定されない。

[0065] 図９は、本発明の実施形態によるサンプラ９０の実施形態を示す。サンプラ９０は、コレクタ層９２及びホルダベース９４（例えばホルダ層）を備えてよい。ホルダベースは層であることが望ましい。コレクタ層９２及びホルダベース９４は、望ましくは接着剤によって相互に固定することができる。接着は、コレクタ層９２とホルダベース９４の間に接着剤の層を塗布することによって達成することができる。代替的又は追加的に、コレクタ層９４は予め塗布した接着剤層があるステッカでよい。

[0066] ホルダベース９４は、液浸システム内に存在しない任意の材料で作成することができる。サンプラ９０を液浸システム内に存在する材料で作成するということは、液浸システムに由来する粒子の検出が困難になることを意味する。サンプラ９０は勿論のこと液浸システムが、関心対象の材料で作成された検出粒子の発生源になるかもしれない。例えば、液浸システムの多くのコンポーネントはアルミで作成される。したがって、アルミは検出することが望ましい材料であり、したがってホルダベース９４など、サンプラ９０のコンポーネントのうちアルミで作成されるものはない。ホルダベース９４は、結晶質珪素又はガラスなどの珪素を含む材料、又は導電性表面がある任意の材料で作成できることが望ましい。ホルダベース９４の作成に使用される材料は絶縁性でよく、この場合、層は導電性材料で作成したコーティングを有する（このような表面は予めコーティングされる）。

[0067] コレクタ層９２は炭素で作成することができる。コレクタ層９２は、例えばAgar Scientific Ltd.又はArizona Carbon Foil Co. Inc.によって供給されるようなホルダに適用される炭素ステッカでよい。炭素が使用されるのは、液浸液中又はサンプリングされた表面上に存在するばらばらの粒子が、炭素のサンプリング表面９６の部分に容易に付着するからである。しかし、追加的又は代替的に、サンプラ９０はコレクタ層９２又はホルダベース９４の表面でよいコレクタ表面９６を有することができる。１つの実施形態では、サンプラはコレクタ表面９６を有する１つの層のみで作成することができる。これらの実施形態のコレクタ表面９６は、粒子がコレクタ表面に付着できる珪素などの炭素以外の材料で作成することができる。特定のサイズ及び／又は材料の粒子を採取する層の特性は、コレクタ表面に使用される材料を選択することによって決定することができる。珪素で作成したコレクタ表面は、炭素で作成した表面より小さい粒子を採取する。表面は、重力及び／又はファンデルファールス力によって粒子を保持する。したがって、コレクタ表面は、特定の特性を有する粒子を採取するように選択することができる。残りの説明では、コレクタ層９２及びホルダベース９４を有するサンプラについて説明する。この説明は、コレクタ層９４がないコレクタ表面９６を有するサンプラ９０にも等しく当てはめることができる。

[0068] サンプラ９０は、液浸システムの様々な位置から汚染粒子のサンプルを採取するために使用することができる。この位置は、液浸システムコンポーネントの１つ又は複数の特定の表面を含む。汚染粒子は、液浸システム内に流れる流体中に位置することがある。このような流体は、液浸液又はガスナイフから供給可能な気体を含む。サンプラ９０は、これらの流体の１つ又は複数によって運ばれる粒子を採取するように配置することができる。

[0069] サンプラ９０を配置することができる液浸システムコンポーネントの位置は、基板テーブルの表面、液浸フードＩＨの下側、液体封じ込め構造１２の上面、最終投影要素ＰＬを含むが、それに限定されない（光軸を外れる）。基板テーブルＷＴ上の例示的位置は、基板Ｗを受けるように形成された窪みの中、存在する場合に基板Ｗの上面と同一平面上にある基板テーブルＷＴの部分、又は基板テーブル上に配置されたセンサの隣を含む。サンプラ９０を基板の窪みに配置するには、サンプラ９０を、図１０ａに関して以下で説明するように、液体封じ込め表面１２の下面で基板Ｗの所定の位置に対合するようなサイズにすることができる。この位置で、サンプラ９０と基板テーブルＷＴの上面１０２を実質的に同一平面上にし、平行にすることができる。

[0070] サンプラ９０と液体封じ込め構造１２の下面との間にギャップがあり、これは通常、１ｍｍ未満の距離に維持することができる。図８の液体供給システムの特定の例では、ギャップを１００μｍと５００μｍの間、望ましくは１００μｍと２００μｍの間に維持する。それを達成するために、サンプラ９０は基板の高さとほぼ同じ、又はそれより低い高さを有する。この高さは約１ｍｍ以下でよい。実施形態では、サンプラは使用者が容易に保持し、動かすことができるようなサイズ及び形状にされる。使用者がコレクタ層９２のサンプリング表面９６に接触しない状態で、サンプラ９０を保持することが可能になり得る。

[0071] サンプラ９０を基板の高さに合わせた寸法にすることは、現場検査ツールを使用してサンプルを採取した後に、サンプラ９０を検査できるので望ましい。このような検査ツールは、リソグラフィプロセス中にサンプル基板を現場で検査するように意図されている。したがって、ツールは容易に使用できるように設定され、構成される。ツールは、基板を検査するように設定される。したがって、このような検査ツールに使用できるようなサンプラ９０があれば、上述したように一般的な現場以外の検査ツールでサンプラ９０を検査するために使用される時間が節約される。サンプラ９０は複数のコレクタ領域を有してよい。各サンプラ９０は、サンプラの主要表面が、リソグラフィ装置による露光に使用される基板の主要表面の表面積より小さい面積を有するようなサイズにすることができる。

[0072] 実施形態では、サンプルホルダ１００を図１０ａ及び図１０ｂに示すように設けることができる。ホルダ１００は、基板の形状及び寸法を有することができる。サンプルホルダ１００は実質的に円形でよい。２００ｍｍ又は３００ｍｍの直径でよい。サンプルホルダ１００は、珪素（結晶質珪素又はガラス又は実質的に珪素を含む絶縁体など）を備え、基板から作成することができる。

[0073] サンプルホルダ１００は、例えば図１０ａに示すように２６個など、複数の窪み１０４を有することができる。窪み１０４はそれぞれ、長方形の形状を有し、可能な限り多くの窪み１０４を収容するために、ホルダ１００の側部の表面積を効率的に使用できるように相互に類似した形状でよい。これらの窪み１０４は、ウェーハをエッチングすることによって形成することができる。実施形態では、ホルダ１００は、ホルダ１００の形成中に機械加工によって、又は成形によって形成することができる。

[0074] 各窪み１０４は、サンプラ９０を受容する形状及びサイズにされる。実施形態では、各コレクタはホルダベース９４に固定され、これはホルダ１００の窪み１０４に固定される。サンプラ９０はホルダ１００に固定することができる。サンプラ９０をホルダ１００に着脱式に固定することができ、これは幾つかの方法で達成され、例えば機械的に、又は窪み１０４の表面とサンプラ９０の下面との間に配置された液体（例えば水）の滴で達成される。サンプラ９０は、例えば接着剤でサンプラ９０をホルダ１００に接着させることにより、ホルダ１００に固定することができる。サンプラ９０は、サンプラ９０とホルダ１００の相互に接触する表面９１、１０１（図１１ｃ参照）それぞれを直接接触させることにより、ホルダ１００に固定することができる。このような固定が確実であるのは、サンプラ９０とホルダ１００の相互に接触する表面が同じ材料で作成できるからである。サンプラ９０は、例えば図１１ａ、図１１ｂ及び加えた低圧を矢印１１２で表す図１１ｃに示すように、開口１０６を通して低圧を加えることによって、ホルダ１００を着脱式に固定することができる。

[0075] 図１１ａは窪み１０４の表面を示す。貫通穴１０８の開口１０６が、窪み１０４の表面に規定される。貫通穴１０８は、図１１ｃに示すようにホルダ１００を通過している。窪みの表面に、回旋状の経路１１０が例えばエッチングなどで形成される。図１１ａに示す実施形態では、回旋状経路が開口をまたぐ。この例では、回旋状経路１１０は螺旋状フィーチャを含んでよく、各リムは螺旋状フィーチャを有してよい。回旋状経路は、低圧が加えられる表面積を増加させ、サンプラ９０とサンプルホルダ１００の固定をさらに強力にする。

[0076] 回旋状経路のさらなる実施形態が、図１１ｂに図示されている。この実施形態では、回旋状経路１１０は２つのリムを有してよい。各リムを貫通穴１０８に接続することができる。回旋状経路１１０は実質的にシヌソイド状である。回旋状経路は任意の形状又は位置を有してよい。これは湾曲、鋭角状、分岐、円形である、又は２つ以上の相互接続した同心円を備えてよい。

[0077] サンプラ９０をホルダ１００内で保持する場合は、貫通穴１０８を通してホルダ１００の下面に、したがってサンプラ９０の下面に低圧を加えることができる。低圧はサンプラ９０をホルダ１００内に保持する。低圧によって加えられる力は、経路が単純に貫通穴に接続され、１つのリムを有する場合より、回旋状経路の２つのリムを通る方がよりよく（例えばサンプルの下面にわたってより均一に）加えることができる。短い経路長を有するが、それでも使用中に低圧が加えられる表面積を最大にするように回旋状経路１０８を最適化すると有利である。代替的又は追加的に、回旋状経路１１０がサンプラ９０の下面に形成される。

[0078] 図１０では、サンプラ９０は全て実質的に長方形であるが、サンプラ９０は任意の形状をとることができ、例えば円形、三角形、又は円弧状でよい。このような円弧状サンプラ９０は、円形サンプルホルダ１００の縁部に対合することができる。

[0079] サンプルホルダ１００を基板のような形状及び寸法にすることが望ましいのは、リソグラフィ装置の幾つかのコンポーネントが、そのサイズ及び形状のオブジェクトを処理し、操作するように構成されているからである。このようなコンポーネントは基板ハンドラ及び基板カセットキャッシュを含む。基板は、例えばキャリア内で容易に移送され、したがってサンプルハンドラ１００をこのようなキャリア内で搬送することができる。キャリアは複数の基板を備えることができ、したがって複数のサンプルホルダを使用することができる。これが望ましいのは、サンプルホルダ上で採取したサンプルを詳細に検査するために、現場外での簡単な移送を促進するからである。

[0080] また、様々なサンプラ９０をサンプルホルダ１００に着脱式に取り付けることは、液浸システム内又は検査ツール内又はその両方で、基板の代わりにサンプルホルダ１００を使用できることを意味する。液浸システムの動作中に液体封じ込め構造１２の下方でこのようなサンプルホルダ１００を使用するために、サンプルホルダ１００内に存在する各サンプラ９０を十分確実に保持し、各サンプラ９０が窪み１０４から外れるのを防止することができる。基板の形状及び寸法を有するホルダは、使用者が容易に移動、保持又は操作することができる。

[0081] コレクタ層９２のサンプリング表面９６は、サンプルホルダ１００の周囲表面１０２と実質的に同一平面上にあり、それと平行であることが望ましい。コレクタ層のサンプリング表面９６は、ホルダベース９４の表面１０２の隣接部分と同一平面であってよい。ホルダ１００内に１つ又は複数のサンプラ９０が存在する場合、存在する各コレクタ層９２のサンプリング表面９６によって粒子のサンプルを採取することができる。

[0082] サンプラ９０は、液体封じ込め構造１２の液浸液供給入口１３又は液浸液入口の上流、ガスナイフ又はガスシール入口内又はその隣、又は抽出装置出口又は液浸液出口１３の上流など、液浸システム内に配置することができる。サンプラ９０は、基板の周囲で基板テーブルＷＴ内のギャップに位置する排液部１５内に配置することができる。インラインクリーニングシステムを有する液浸システムでは、入口に対して液体の流れの上流及び出口の下流に１つ又は複数のサンプラ９０を配置し、それぞれクリーニング流体を供給、除去し、液浸システムのフィーチャをクリーニングすることができる。これらの位置の任意の組合せで配置されたサンプラ９０があってよい。適宜、サンプラは、これらの位置の１つ又は複数でサンプルを取得するような寸法及び形状でよい。サンプルホルダ１００の窪み１０４は、これらのサンプラ９０を受容する形状及びサイズにすることができる。

[0083] 液浸システムコンポーネントの表面から、又はコンポーネントを通過して流れる流体からサンプルを採取したら、サンプラ９０を取り出すことができる。次に、サンプラ９０を検査用のサンプルホルダ１００に取り付けることができる（又は既にサンプルホルダ１００の一部でもよい）。これで、サンプラ９０を検査することができる。

[0084] 液浸システム内に粒子が存在するだけでは、液浸の欠陥の問題にはならない。欠陥は、粒子汚染物質の別の発生源を有することがある。例えば基板の交換中に基板テーブルの所定の位置に基板を配置するために使用される基板ハンドラ、マスクを操作し、変更するために使用されるレチクルハンドラ、又は粒子の発生源となり得るリソグラフィ装置又は関連する機械の他の部品である。サンプラ９０は、粒子のサンプルを採取するために、これらの他の位置に配置してもよい。

[0085] 粒子は、リソグラフィ装置のコンポーネント又はリソグラフィ装置自体を設置する前に発生することがある。コンポーネントをリソグラフィ装置に取り付けるのに成功する前に、輸送中にコンポーネントが粒子で汚染されている危険もある。粒子は、コンポーネントが出荷される瞬間から設置される瞬間まで、コンポーネントを汚染することがある。したがって、輸送中、その包装内においても、サンプラ９０がコンポーネント又はリソグラフィ装置とともに存在することが有用である。

[0086] サンプラ９０は、液浸リソグラフィ装置内に集まる粒子などの汚染をサンプリングし、検査するように設計される。サンプラ９０は、装置上の位置に配置することができる。表面からサンプルを採取する場合は、コレクタ層９２のサンプリング表面９６をサンプル表面に配置することで、表面をサンプラ９０で掃除する。サンプルを流体（例えば液体）から採取する場合は、液浸システムが動作している間に、流体がコレクタ層９２のサンプリング表面９６を流れるような位置に、サンプラ９０を配置する。サンプルが採取されたら、サンプラ９０をリソグラフィ装置から取り出す。次に、これをサンプルホルダ１００（基板の形状でよい）内に配置することができる。サンプルホルダ１００は、リソグラフィ装置又は液浸システムの様々な位置からのサンプルがあるサンプラ９０を含むことができる。サンプラは、様々な瞬間に取得することができ、例えば特定の間隔で、又は保守の前後に取得した連続するサンプルを備えることができる。サンプルは、リソグラフィ装置に存在する欠陥の問題を割り出すために使用することができる。次に、サンプラ９０又はホルダ１００とホルダ９０を、検査するために現場検査ツールに配置することができる。複数のサンプラ９０の分析は、粒子の数及び位置の経時変化、及び保守の効果を示すことができる。適宜、修復措置を執ることができる。自動プロセスによって、サンプラを移動、操作及び処理し、サンプルをサンプリングすることができる。

[0087] したがって、本発明の実施形態は、欠陥を監視するために使用できることが望ましい単純なサンプラ９０を提供する。このような欠陥の監視は、設置、予防整備、緊急整備中に、又は通常の動作中に実行することができる。現場欠陥監視により、容易に欠陥問題を迅速に診断し、リソグラフィ装置への重大な損傷を防止することができる。本発明の実施形態を使用すると、コンポーネントの寿命を延長し、液浸リソグラフィ装置への損傷の危険を軽減するのを補助することができる。

[0088] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどである。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことは、当業者に明らかである。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、計測ツール及び／又は検査ツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[0089] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ又は１２６ｎｍの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。

[0090] 「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか、又はその組合せを指す。

[0091] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含む１つ又は複数のコンピュータプログラム、又はその内部に記憶されたこのような１つ又は複数のコンピュータプログラムを有する１つ又は複数のデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。１つ又は複数の制御装置を設けて、リソグラフィ装置を制御することができ、各制御装置がプロセッサを有する。制御装置は、本発明を実現する１つ又は複数のコンピュータプログラムに従ってリソグラフィ装置を操作することができる。

[0092] 本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に排他的ではないが以上で言及したタイプに、液浸液を槽の形態で提供するか、基板の局所的な表面区域にのみに封じ込めるか、封じ込められないかにかかわらず適用することができる。封じ込められない構成では、液浸液は、実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れるように、基板及び／又は基板テーブルの表面上を流れることができる。このような封じ込められない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を封じ込めないか、ある割合の液浸液封じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の封じ込めを完成しない。

[0093] 本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に液体を提供する機構又は構造の組合せでよい。これは、１つ又は複数の構造体、１つ又は複数の液体入口、１つ又は複数の気体入口、１つ又は複数の気体出口、及び／又は液体を空間に提供する１つ又は複数の液体出口の組合せを備えてよい。実施形態では、空間の表面は、基板及び／又は基板テーブルの一部でよい、又は空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆うことができる、又は空間が基板及び／又は基板テーブルを囲むことができる。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、性質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含んでよい。

[0094] 装置に使用される液浸液は、使用される露光放射の所望の特性及び波長に従って様々な組成を有することができる。１９３ｎｍという露光波長では、超純水又は水性組成を使用することができ、この理由から、液浸液を水と呼ぶことがあり、親水性、疎水性、湿度などの水に関連する用語を使用することができるが、より包括的であると見なされたい。このような用語は、フッ素を含む炭化水素など、使用可能な他の屈折率が高い液体にも拡張されるものとする。

[0095] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

[0020] 本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。 [0021] リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムの実施形態を示した図である。 [0021] リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムの実施形態を示した図である。 [0022] リソグラフィ投影装置で使用する液体供給システムの実施形態を示した図である。 [0023] 液体供給システムの実施形態を示した図である。 [0024] 図６ａは粒子サンプラの実施形態を示した図である。 [0024] 図６ｂは粒子サンプラの実施形態を示した図である。 [0025] 基板の縁部の周囲にある排出位置の実施形態を示した図である。 [0026] 図８ａは液体供給システムの部品の実施形態を示した図である。 [0026] 図８ｂは液体供給システムの部品の実施形態を示した図である。 [0026] 図８ｃは液体供給システムの部品の実施形態を示した図である。 [0027] 本発明の実施形態による粒子サンプラの実施形態を示した図である。 [0028] 図１０ａは本発明の実施形態による粒子サンプラの実施形態を示した図である。 [0028] 図１０ｂは本発明の実施形態による粒子サンプラの実施形態を示した図である。 [0029] 図１１ａはサンプラをサンプルホルダに固定する固定装置を示した図である。 [0029] 図１１ｂはサンプラをサンプルホルダに固定する固定装置を示した図である。 [0029] 図１１ｃはサンプラをサンプルホルダに固定する固定装置を示した図である。

Claims (25)

1. 汚染物質を採取、保存するように構成されたコレクタ表面を有するホルダベースを備えた、リソグラフィ装置内のサンプル汚染物質を採取するサンプラ。
2. 前記サンプラが、実質的にリソグラフィ装置による露光に使用される基板の高さである、請求項１に記載のサンプラ。
3. 前記ホルダベースの主要表面が、リソグラフィ装置による露光に使用される基板の主要表面より小さい面積を有する、請求項１に記載のサンプラ。
4. 前記ホルダベースが、前記コレクタ表面を有し、ステッカであるコレクタ層を備える、請求項１に記載のサンプラ。
5. 前記コレクタ表面が、特定のサイズ範囲及び／又は材料を有する粒子を採取するように選択された材料で作成される、請求項１に記載のサンプラ。
6. 前記ホルダベースが珪素又は炭素を備える、請求項１に記載のサンプラ。
7. 前記サンプラがサンプルホルダに着脱式に固定可能であり、前記サンプルホルダが、リソグラフィ装置による露光に使用される基板の形状及び寸法を有する、請求項１に記載のサンプラ。
8. 前記サンプラが１つの層しか備えない、請求項１に記載のサンプラ。
9. リソグラフィ装置内のサンプル汚染物質を採取するように構成され、汚染物質を採取し、保存するように構成されたコレクタ表面を有するホルダベースを備えるサンプラを着脱式に保持するように構成されたサンプルホルダ。
10. 複数の前記サンプラを保持するように構成された、請求項９に記載のサンプルホルダ。
11. リソグラフィ露光装置内で使用するような寸法及び形状である、請求項９に記載のサンプルホルダ。
12. 現場検査ツール内で使用するような寸法及び形状である、請求項９に記載のサンプルホルダ。
13. 前記ホルダベースが、前記サンプルホルダと実質的に同じ材料で作成される、請求項９に記載のサンプルホルダ。
14. 前記ホルダベースが前記サンプルホルダに機械的に固定可能である、請求項９に記載のサンプルホルダ。
15. 前記サンプラを受けるように構成された窪みを備える、請求項９に記載のサンプルホルダ。
16. 前記コレクタ表面が、前記サンプルホルダの表面と実質的に同一平面上にある、請求項９に記載のサンプルホルダ。
17. 液浸システムと、
    前記液浸システム内の粒子を採取するように構成され、汚染物質を採取し、保存するように構成されたコレクタ表面を有するホルダベースを備える着脱式のサンプラと、を備え、
    前記サンプラが、前記コレクタ表面を液体と、又は前記液浸システムの表面と接触させることによってサンプル粒子を採取するか、落下する粒子又は気体で運ばれる粒子を採取するように、前記液浸システムの表面に着脱式に配置される、
    液浸リソグラフィ装置。
18. 複数のサンプラを備える、請求項１７に記載の液浸リソグラフィ装置。
19. 各サンプラが、前記液浸リソグラフィ装置の異なる表面に配置される、請求項１８に記載の液浸リソグラフィ装置。
20. 前記液体が液浸液である、請求項１７に記載の液浸リソグラフィ装置。
21. 前記液浸システムが、基板を保持するように構成された基板テーブル、及び投影システムと前記基板テーブル又は基板との間に液体を供給するように構成された液体供給システムを備える、請求項１７に記載の液浸リソグラフィ装置。
22. 前記サンプラが、前記基板がない状態で前記液体供給システムと前記基板テーブルの間に合わせた寸法である、請求項２１に記載の液浸リソグラフィ装置。
23. リソグラフィ装置であって、
    基板を保持するように構成された基板テーブルと、
    パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
    前記装置の表面に配置され、粒子を採取し、保存するように構成されたコレクタ表面を有するホルダベースを備えるサンプラと、を備えるリソグラフィ装置。
24. 前記サンプラが、リソグラフィ装置による露光に使用される基板の高さを有する、請求項２３に記載のリソグラフィ装置。
25. 液浸リソグラフィ装置内で粒子サンプルを取得する方法であって、
    実質的に平面状の基板の高さを有し、粒子を採取し、保存するように構成されたコレクタ表面を有するホルダベースを備える粒子サンプラを、液浸リソグラフィ装置内又はその上に配置することを含み、前記サンプラを配置する際に、前記コレクタ表面が、前記液浸リソグラフィ装置の表面、又は前記液浸リソグラフィ装置の液体と接触しているか、落下する粒子又は気体で運ばれる粒子を採取するように構成され、さらに、
    前記コレクタ表面上に粒子が採取されたかを検査するために、前記液浸リソグラフィ装置からサンプラを取り出すことを含む方法。

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