CN112650031A - 浸液供给装置、光刻系统和浸液品质监测方法 - Google Patents
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- 238000007654 immersion Methods 0.000 title claims abstract description 394
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 389
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims abstract description 150
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 63
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 14
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 10
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 9
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 235000015073 liquid stocks Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 244000005700 microbiome Species 0.000 claims description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 4
- -1 organic matters Substances 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 claims description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 20
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 9
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 241000894007 species Species 0.000 description 3
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 2
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 2
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002101 nanobubble Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920005597 polymer membrane Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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Abstract
本发明涉及浸液供给装置、光刻系统和浸液品质监测方法。本发明涉及的浸液供给装置设置采样接口,用于采集浸液供给装置生产的浸液并对浸液样本进行浸液品质参数检测;对于因体积、操作方式、集成装配可行性、工作环境要求以及成本等原因不便于在浸液供给装置内部进行检测的浸液品质参数,采用采集浸液样本进行离线检测的方式监测浸液供给装置的性能状态;可以在浸液供给装置内部设置电阻率表等易于集成的仪表用于实施监测浸液品质;可以利用采样接口和采样装置持续收集浸液样本,用于定期检测浸液供给装置生产的浸液的品质参数,以评价浸液供给装置生产的浸液品质以及浸液供给装置的性能状态。
Description
技术领域
本发明属于光刻系统技术领域,涉及一种浸液供给装置、光刻系统和浸液品质监测方法。
背景技术
光刻机是制造超大规模集成电路的核心装备之一,它利用光学系统把掩膜版上的电路图案精确地投影在涂覆光刻胶的衬底上并使光刻胶曝光改性,从而在衬底上留下电路图案信息。它包括激光光源、投影物镜系统、包含电路图案的投影掩膜版和涂有光敏光刻胶的衬底。
相对于中间介质为气体的干式光刻机,浸没式光刻(Immersion Lithography)设备通过在最后一片投影物镜与衬底之间填充某种高折射率的液体(称为浸没液体或者浸液),通过提高该缝隙液体介质的折射率(n)来提高投影物镜的数值孔径(NA),从而提高光刻设备的分辨率和焦深。在现在的主流光刻技术中,由于浸没式光刻相对早期的干式光刻具有良好的继承性,所以受到广泛应用。而对于浸液的填充,目前广泛采用的方案是局部浸没法,也即使用浸液供给回收装置将液体限制在最后一片投影物镜的下表面和衬底上表面之间的局部区域内。浸液供给回收装置、投影物镜以及衬底之间流动的浸液占据的空间称为浸没流场。保持浸液在曝光区域内的光学一致性和透明度,是保障浸没式光刻曝光质量的关键。为此,现有技术方案往往通过注液和回收实现浸没流场的实时更新,将光化学污染物、局部热量、微纳气泡等及时带离核心曝光区域,以确保浸液的高度纯净均一。
浸没式光刻机包括浸液供给装置,浸液供给装置对浸液原料进行纯化处理,获得纯净度符合要求的浸液。通常,浸液供给装置中包括对浸液进行去除颗粒物、气泡、溶解气、阴阳离子、有机物以及硅等杂质的纯化器件以及对所述杂质含量进行检测的检测器。
由于浸没式光刻对于浸液的光学性质稳定性要求很高,对于影响浸液光学性质的浸液纯净度的要求很高,因此浸液供给装置需要配置高性能的检测器才能对浸液中的微量杂质进行有效检测。但高性能的检测器往往意味着高成本以及高使用维护复杂度,有的检测器甚至不适合设置于光刻系统中。
发明内容
本发明的目的就是提供一种用于光刻系统的浸液供给装置、一种包含浸液供给装置的光刻系统以及一种监测浸液供给装置性能状态的浸液品质监测方法,提高浸液品质参数检测灵活性和便利性。
一种浸液供给装置,向浸液供给回收装置提供浸液,包括顺次连通的浸液源、动力源、浸液纯化组件和供液阀;供液阀下游与浸液供给回收装置连通;浸液纯化组件对浸液源提供的浸液原液进行纯化,使其浸液品质参数趋向于满足曝光要求;还包括设置于浸液纯化组件下游流路的采样点,采样接口流路自采样点引出,采样接口流路用于连接外部的离线检测器或者离线检测器的采样装置,采样接口流路上设置采样阀以控制采样接口流路的通断;离线检测器对浸液品质参数进行检测。
一种浸液供给装置,还可以向浸液供给回收装置提供浸液,包括顺次连通的浸液源、动力源、浸液纯化组件和供液阀;供液阀下游与浸液供给回收装置连通;浸液纯化组件对浸液源提供的浸液原液进行纯化,使其浸液品质参数趋向于满足曝光要求;还包括设置于浸液纯化组件下游流路的采样器,采样器包括采样接口流路、采样开关以及采样瓶;采样接口流路连接采样瓶和浸液纯化组件下游流路的采样点,采样接口流路上设置采样开关。包括至少两个所述采样瓶,所述采样瓶带有采样瓶盖,采样瓶盖将采样瓶密封,采样接口流路穿过采样瓶盖;采样瓶在连接采样接口流路前保持相对于环境气压的真空度;采样瓶还连接排气部,排气部穿过采样瓶盖,用于采样瓶内的气体逸出;排气部具有过滤器;采样瓶和采样瓶盖包含含氟塑料材料,采样瓶和采样瓶盖之间采用含氟橡胶密封圈实现密封。
所述浸液品质参数指气泡、溶解氧、溶解氮、阴阳离子、含硅物质、有机物、颗粒物、微生物等杂质中任意一项的含量或任意杂质含量的组合。
还包括电阻率表,电阻率表设置于浸液纯化组件的下游流路,用于测量浸液的电阻率。
还包括溶氧表,溶氧表设置于浸液纯化组件的下游流路,用于测量浸液的溶解氧含量。
所述采样开关是流体阻尼器,通过所述流体阻尼器的浸液流量低于20mL/h。
所述采样开关是阀,阀具有开关动作功能或者流量调节功能,所述采样开关是带有定时功能的阀。
所述采样接口流路上设置单向阀,单向阀对浸液自采样点向采样瓶单向导通。
一种光刻系统,包括生产机和支持机,生产机内部包含实施曝光操作的投影物镜系统、衬底和浸液供给回收装置,生产机所在环境的环境条件优于支持机所在环境的环境条件;浸液供给装置包括顺次连通的浸液源、动力源、浸液纯化组件、浸液末端纯化组件和供液阀;浸液源、动力源、浸液纯化组件设置于支持机内部,浸液末端纯化组件和供液阀设置于生产机内部;浸液末端纯化组件包括用于提升浸液品质参数的器件;浸液供给装置还包括采样器,采样器以采样点接入浸液供给装置的流路,用于收集浸液供给装置中的浸液样本。
所述采样点位于浸液纯化组件和浸液末端纯化组件之间的流路上或浸液末端纯化组件下游的流路上。
一种浸液品质监测方法,其特征在于包括如下步骤:
A1:连续采集或间隔地多次累积采集浸液供给装置生产的浸液样本;
A2:检测浸液样本的浸液品质参数,记录一个单周期浸液品质参数;
A3:重复A1至A2步骤,记录多个单周期浸液品质参数;
A4:根据多个单周期浸液品质参数的变化情况评价浸液供给装置生产的浸液品质或者浸液供给装置的性能状态。
本发明涉及的浸液供给装置设置采样接口,用于采集浸液供给装置生产的浸液并对浸液样本进行浸液品质参数检测;对于因体积、操作方式、集成装配可行性、工作环境要求以及成本等原因不便于在浸液供给装置内部进行检测的浸液品质参数,采用采集浸液样本进行离线检测的方式监测浸液供给装置的性能状态;可以在浸液供给装置内部设置电阻率表等易于集成的仪表用于实施监测浸液品质;可以利用采样接口和采样装置持续收集浸液样本,用于定期检测浸液供给装置生产的浸液的品质参数,以评价浸液供给装置生产的浸液品质以及浸液供给装置的性能状态。
附图说明
图1为浸没流场示意图;
图2为浸液供给装置的结构示意图;
图3为浸液纯化组件示意图;
图4为本发明的浸液供给装置实施例一的结构示意图;
图5为本发明的浸液供给装置实施例二的结构示意图;
图6为本发明的浸液供给装置实施例二的采样器的结构示意图;
图7为本发明的浸液供给装置实施例二的采样瓶的结构示意图;
图8为本发明的光刻系统实施例一的结构示意图;
图9为本发明的光刻系统实施例二的结构示意图
图10为本发明的光刻系统实施例三的结构示意图。
具体实施方式
实施例一
如图1所示,浸没式光刻机包括投影物镜系统的末端物镜5、衬底6以及环绕设置于末端物镜5径向外侧和衬底6上方的浸液供给回收装置;浸液供给回收装置4经主注液口41向末端物镜5和衬底6之间的空间提供浸液,经主抽排口42从所述空间抽排浸液,在末端物镜5和衬底6之间形成浸没流场。携带集成电路图形的曝光激光束穿过末端物镜5和浸没流场7,投射在衬底7上,使衬底7表面的光刻胶感光改性,从而在衬底7上留下集成电路图形。浸没流场7是曝光光束传播路径的一部分,影响浸液光学性质的浸液品质因素对曝光质量产生影响,因此期望浸液足够纯净。
如图2和图3所示,一种浸液供给装置,向浸液供给回收装置4提供浸液,包括顺次连通的浸液源20、动力源21、浸液纯化组件22和供液阀25,供液阀25下游与浸液供给回收装置4连通,供液阀25控制是否向浸液供给回收装置4供给浸液。浸液纯化组件22对浸液原液进行纯化,使其纯净度满足曝光要求。例如在曝光激光为193nm波长的浸没式光刻机中,可以使用水作为浸液原液,经过纯化后成为超纯水;浸液纯化组件22包括脱气器221、离子混床222、去硅单床223、紫外灯224、过滤器225中的任意一者或任意组合,脱气器221用于减少浸液中可见气泡以及溶解氧等溶解气体,可以使用包含聚合物膜的脱气器221以获得更高的除气效率,离子混床222与浸液发生离子交换以减少浸液中的金属离子等阴阳离子,去硅单床223减少浸液中的SiO2等含硅物质,紫外灯224杀灭浸液中的微生物并氧化减少浸液中的有机物,过滤器225减少浸液中的颗粒物;浸液纯化组件22还可以包含浸液品质检测器,检测浸液纯化组件22输出的浸液的品质参数,所述浸液品质参数指气泡、溶解氧、溶解氮、阴阳离子、含硅物质、有机物、颗粒物、微生物等杂质中任意一项的含量或任意杂质含量的组合。
对于各种杂质以及杂质含量的检测,可以采用以下检测器:使用颗粒物检测仪检测浸液中的气泡含量,检测结果中粒径较大的对象可以认为反映气泡含量;使用溶氧表检测浸液中的溶解氧含量;使用电阻率表检测浸液的电阻率,以反映浸液中发挥导电作用的阴阳离子的含量;使用质谱仪检测浸液中的阴阳离子种类及含量;使用硅表测量浸液中含硅物质的含量;使用TOC(总有机碳)分析仪检测浸液中有机物(包含微生物)的含量;使用颗粒物检测仪检测固体颗粒物的含量。在这些仪器中,有的仪器具有检测流程复杂、难以在线连续检测、耗材更换频繁、体积大、不便集成于光刻系统、成本高昂等一个或多个缺点,特别是对于浸没液体低至ppb乃至ppt级别的含量检测而言更是突出。例如:使用硅表检测含硅物质需要使用多种化学试剂耗材;检测浸液中粒径小于15nm的颗粒物含量需要使用的颗粒物分析仪体积过大不便集成于光刻系统;检测浸液中低至5ppt含量的阴阳离子需要使用价格超过百万元以上的质谱仪,并且质谱仪体积大,难以实现在线连续检测浸液品质。因此,难以在浸液供给装置和光刻系统中集成上述所有浸液品质参数检测器。
如图4所示,本发明的一种浸液供给装置,包括设置于浸液纯化组件22下游流路的采样点24,采样接口流路31自采样点24引出,采样接口流路31上设置采样阀34以控制采样接口流路31的通断,采样阀35下游设置采样口35;浸液纯化组件22包括检测浸液中部分种类杂质含量的检测器,例如包括便于集成和连续检测的电阻率表、溶氧表,在浸液供给装置和光刻系统的工作状态下连续检测浸液流中的电阻率和溶解氧含量,以总体上监测向浸没流场供给的浸液品质;使用离线检测器36或者离线检测器的采样装置,定期或按需接入采样口35,从浸液供给回收系统中采集浸液样本检测杂质含量,例如定期将颗粒物分析仪接入采样口35,将浸液流导入颗粒物分析仪检测浸液中的颗粒物含量,或者使用采样装置收集浸液样本并使用质谱仪对浸液样本中的阴阳离子种类及含量进行检测。
采用本发明的浸液供给装置,既可以通过电阻率等指标在线监测浸液的品质稳定性,也实现了各种浸液品质参数的检测,便于检测操作,便于维护检测器,并且可以使用更高精度的检测器而不必受限于设备内部的空间尺寸和环境条件约束;离线检测器不一定需要直接接入浸液供给系统,可以采用采样装置收集浸液样本传送至检测器,可以将离线检测器设置于良好的工作环境中以保证检测器的精度和操作便利性;对于同类浸液品质参数的检测,可以多台浸液供给装置共用一台离线检测器,从而降低浸液供给装置的使用成本。
实施例二
如图5所示,浸液供给回收装置的浸液纯化组件22包括检测浸液中部分种类杂质含量的检测器,例如包括便于集成和连续检测的电阻率表、溶氧表;浸液供给回收装置还包括采样器3;采样器3包括采样接口流路31、采样开关32以及采样瓶33;采样接口流路31连接采样瓶33和浸液纯化组件22下游流路的采样点24,采样接口流路31上设置采样开关32;其余实施方式同实施例一。
在本实施例中,使用采样瓶33经采样点24从浸液供给回收装置中采集浸液样本,采集完毕后将浸液样本送入颗粒物分析仪等离线采样仪器检测浸液品质参数。
如图6所示,采样器3可以如图6(a)所示地采用流体阻尼器作为采样开关32,流体阻尼器采用高阻尼设置,使浸液以小流量慢速泄漏进入采样瓶33,例如以低于20mL/h的流量流入采样瓶33,以允许采样瓶33连续采集长时间内的浸液样本;采样器3可以如图6(b)所示地采用控制阀作为采样开关,控制阀32可以是电动或手动操作的开关阀或者流量调节阀,控制阀32对采样接口流路3进行通断或者流量控制,以实现对浸液样本采集动作或者采集流量的控制;采样器3可以如图6(c)所示地采用定时控制阀作为采样开关32,定时控制阀带有定时器,可以实现对浸液样本采集动作或者采集流量的定时控制,例如在浸没式光刻机每工作1h采集5min的浸液样本,或者设置浸液供给装置启动后10min采集一次浸液样本等定时操作;采样器3可以如图6(d)所示地还包括单向阀37,以避免浸液供给装置流路中浸液的压力出现波动导致采样瓶33中的浸液样本被倒吸;采样器3可以如图6(e)所示地采用双采样瓶设计,采样器3包括第一采样瓶33a和第二采样瓶33b,第一采样瓶33a接入带有第一采样开关32a控制的第一采样接口流路31a,第二采样瓶33b接入带有第二采样开关32b控制的第二采样接口流路31b,如果浸液供给装置中第一采样瓶33a完成浸液样本的收集,关闭第一采样开关32a,打开第二采样开关32b,使浸液样本流入第二采样瓶33b被收集,取走第一采样瓶33a用于离线检测浸液品质,再放入新的第一采样瓶33a以备下一次浸液收集,从而实现浸液样本的不间断收集。
如图7所示,采样器3的采样瓶33可以采用图7(a)所示的结构,采样瓶33带有采样瓶盖331和排气部332,采样接口流路31穿过采样瓶盖331,将浸液导入采样瓶33被收集,采样瓶盖331将采样瓶33良好密封,以避免环境中的污染物进入采样瓶33;自采样瓶33中引出排气部332,排气部332包括致密过滤器件,阻挡环境中的污染物进入采样瓶33,同时允许采样瓶33中的气体逸出以保证浸液样本自采样接口流路31顺利流入采样瓶33。采样器3的采样瓶33可以采用图7(b)所示的结构,采样瓶33带有采样瓶盖331,采样接口流路31穿过采样瓶盖331,将浸液导入采样瓶33被收集,采样瓶盖331将采样瓶33良好密封,以避免环境中的污染物进入采样瓶33;采样瓶33中预先被抽取气体并保持一定的真空度,接入采样接口流路31后能从采样接口流路31中吸取浸液样本,保证浸液样本顺利流入采样瓶33。为了最大程度地降低对浸液品质检测的干扰,采样瓶33和采样瓶盖331使用释放污染物少的高洁净度材料,例如聚四氟乙烯(PTFE)等含氟塑料,采样瓶33和采样瓶盖331之间采用含氟橡胶密封圈实现密封。
使用采样器3采集短时间内的浸液样本用于浸液品质检测,例如采集30s浸液样本,随即送入离线检测器检测浸液品质,可以反映浸液供给装置中实时生产的浸液的品质。也可以使用采样器3采集长时间内或者累积多次短时间的浸液样本用于浸液品质检测,例如连续采集一个工作日的浸液样本,或者每个工作周的每个工作日采集1min的浸液样本,可以反映浸液供给装置在长时间内生产浸液的累积品质,浸液的累积品质既可以用于判断浸液品质是否合格,也可以用多组累积品质数据对比以评价浸液供给装置的性能状态,以判断浸液供给装置是否需要维修或者更换耗材。
光刻系统实施例一
如图8所示,一种光刻系统,包括生产机1和支持机2,生产机1内部包含实施曝光操作的投影物镜系统、衬底和浸液供给回收装置4,生产机1设置于空气洁净度和温度等环境条件控制较严格的上层楼层FL0;支持机2内部包含体积庞大、对环境条件要求相对低的支持设备,支持机2设置于环境条件控制较宽松的下层楼层FL1;浸液供给装置包括顺次连通的浸液源20、动力源21、浸液纯化组件22、浸液末端纯化组件23和供液阀25;浸液源20、动力源21、浸液纯化组件22设置于支持机2内部,浸液末端纯化组件23和供液阀25设置于生产机1内部;浸液供给装置在浸液纯化组件22中将浸液品质提升至符合曝光要求,但在后续的长距离管道输送过程中可能被其他的压力控制器等器件以及输送管道所污染,进入生产机1后浸液品质可能下降,特别是容易引入气泡和颗粒物等杂质;在生产机1内部接近浸液供给回收装置4的管道上设置浸液末端纯化组件23,可以再次提升浸液品质,保证向浸没流场提供足够纯净度的浸液。优选地,浸液末端纯化组件23至少包含脱气器和过滤器。浸液供给装置还包括采样器3,采样器3以采样点24接入浸液供给装置的流路,具体地,采样点24设置于支持机2的内部,并且位于浸液纯化组件22和浸液末端纯化组件23之间的流路上;采样器3对浸液纯化组件22处理后的浸液进行采样用于离线检测,以评价浸液供给装置的性能状态;至于在支持机2向生产机1输送浸液的管路中对浸液引入的杂质,可以在浸液进入浸没流场后采用光学手段检测。
光刻系统实施例二
如图9所示,采样器3设置于生产机1内部,采样点24设置于浸液末端纯化组件23和供液阀25之间;生产机1包括具有操作台12的操作面板11,操作面板11上具有开口以便操作采样器3;其余实施方式同光刻系统实施例一。
在本实施例中,采样器3位于所有提升浸液品质的器件下游,所采集的浸液样本能够用于检测评价整套浸液供给装置生产的浸液品质;采样器3具有设置于操作面板11的开口,便于相对高频次地取放浸液样本,以便对浸液品质进行积极的监测。
光刻系统实施例三
如图10所示,采样器3的采样点24设置于供液阀25的下游,靠近浸液供给回收装置4,优选的是采样点24在流路上距离浸液供给回收装置4不超过0.5m;生产机1包括具有操作台12的操作面板11,操作面板11上具有开口以便操作采样器3;其余实施方式同光刻系统实施例一。
在本实施例中,采样器3设置成离浸液供给回收装置4最近,所采集的浸液样本能够反映最终输入浸液供给回收装置4的浸液品质,更适用于综合反映浸液供给装置最终输出的浸液品质。
用于上述所有实施例的浸液品质监测方法:
一种浸液品质监测方法,其特征在于包括如下步骤:
A1:连续采集或间隔地多次累积采集浸液供给装置生产的浸液样本,例如:在光刻系统运行的每个工作日持续进行浸液样本采集,或者在每个工作日每隔1h采集30s浸液样本,然后将每个工作日累积采集的浸液样本进行下一步骤操作;
A2:检测浸液样本的浸液品质参数,记录一个单周期浸液品质参数,例如单日浸液品质参数;浸液品质参数可以是前述浸液品质参数的一种或者多种;
A3:重复A1至A2步骤,记录多个单周期浸液品质参数,例如连续30个工作日的单日浸液品质参数;
A4:根据多个单周期浸液品质参数的变化情况评价浸液供给装置生产的浸液品质或者浸液供给装置的性能状态,由于耗材消耗,例如过滤器中积累拦截的颗粒物,浸液供给装置生产的浸液品质将下降,在监测结果中出现趋势性下降的单日浸液品质参数数据,如果单日浸液品质参数下降至目标范围之外,则考虑对浸液供给装置进行维修或者更换耗材操作。
以上内容和结构描述了本发明产品的基本原理、主要特征和本发明的优点,本行业的技术人员应该了解。上述实例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都属于要求保护的本发明范围之内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (18)
1.一种浸液供给装置,向浸液供给回收装置提供浸液,其特征在于:包括顺次连通的浸液源、动力源、浸液纯化组件和供液阀;供液阀下游与浸液供给回收装置连通;浸液纯化组件对浸液源提供的浸液原液进行纯化,使其浸液品质参数趋向于满足曝光要求;还包括设置于浸液纯化组件下游流路的采样点,采样接口流路自采样点引出,采样接口流路用于连接外部的离线检测器或者离线检测器的采样装置,采样接口流路上设置采样阀以控制采样接口流路的通断;离线检测器对浸液品质参数进行检测。
2.一种浸液供给装置,向浸液供给回收装置提供浸液,其特征在于:包括顺次连通的浸液源、动力源、浸液纯化组件和供液阀;供液阀下游与浸液供给回收装置连通;浸液纯化组件对浸液源提供的浸液原液进行纯化,使其浸液品质参数趋向于满足曝光要求;还包括设置于浸液纯化组件下游流路的采样器,采样器包括采样接口流路、采样开关以及采样瓶;采样接口流路连接采样瓶和浸液纯化组件下游流路的采样点,采样接口流路上设置采样开关。
3.如权利要求2所述的浸液供给装置,其特征在于:所述浸液品质参数指气泡、溶解氧、溶解氮、阴阳离子、含硅物质、有机物、颗粒物、微生物等杂质中任意一项的含量或任意杂质含量的组合。
4.如权利要求2所述的浸液供给装置,其特征在于:还包括电阻率表,电阻率表设置于浸液纯化组件的下游流路,用于测量浸液的电阻率。
5.权利要求2所述的浸液供给装置,其特征在于:还包括溶氧表,溶氧表设置于浸液纯化组件的下游流路,用于测量浸液的溶解氧含量。
6.如权利要求2所述的浸液供给装置,其特征在于:所述采样开关是流体阻尼器。
7.如权利要求6所述的一种浸液供给装置,其特征在于:通过所述流体阻尼器的浸液流量低于20mL/h。
8.如权利要求2所述的浸液供给装置,其特征在于:所述采样开关是阀,阀具有开关动作功能或者流量调节功能。
9.如权利要求2所述的一种浸液供给装置,其特征在于:所述采样开关是带有定时功能的阀。
10.如权利要求2所述的浸液供给装置,其特征在于:所述采样接口流路上设置单向阀,单向阀对浸液自采样点向采样瓶单向导通。
11.如权利要求2所述的一种浸液供给装置,其特征在于:包括至少两个所述采样瓶。
12.如权利要求2所述的一种浸液供给装置,其特征在于:所述采样瓶带有采样瓶盖,采样瓶盖将采样瓶密封,采样接口流路穿过采样瓶盖。
13.如权利要求12所述的一种浸液供给装置,其特征在于:所述采样瓶在连接采样接口流路前保持相对于环境气压的真空度。
14.如权利要求12所述的一种浸液供给装置,其特征在于:所述采样瓶还连接排气部,排气部穿过采样瓶盖,用于采样瓶内的气体逸出;排气部具有过滤器。
15.如权利要求12所述的一种浸液供给装置,其特征在于:所述采样瓶和采样瓶盖包含含氟塑料材料,采样瓶和采样瓶盖之间采用含氟橡胶密封圈实现密封。
16.一种光刻系统,其特征在于:包括生产机和支持机,生产机内部包含实施曝光操作的投影物镜系统、衬底和浸液供给回收装置,生产机所在环境的环境条件优于支持机所在环境的环境条件;浸液供给装置包括顺次连通的浸液源、动力源、浸液纯化组件、浸液末端纯化组件和供液阀;浸液源、动力源、浸液纯化组件设置于支持机内部,浸液末端纯化组件和供液阀设置于生产机内部;浸液末端纯化组件包括用于提升浸液品质参数的器件;浸液供给装置还包括采样器,采样器以采样点接入浸液供给装置的流路,用于收集浸液供给装置中的浸液样本。
17.如权利要求16所述的光刻系统,其特征在于:所述采样点位于浸液纯化组件和浸液末端纯化组件之间的流路上或浸液末端纯化组件下游的流路上。
18.一种浸液品质监测方法,其特征在于包括如下步骤:
A1:连续采集或间隔地多次累积采集浸液供给装置生产的浸液样本;
A2:检测浸液样本的浸液品质参数,记录一个单周期浸液品质参数;
A3:重复A1至A2步骤,记录多个单周期浸液品质参数;
A4:根据多个单周期浸液品质参数的变化情况评价浸液供给装置生产的浸液品质或者浸液供给装置的性能状态。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011563642.4A CN112650031B (zh) | 2020-12-25 | 2020-12-25 | 浸液供给装置、光刻系统和浸液品质监测方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011563642.4A CN112650031B (zh) | 2020-12-25 | 2020-12-25 | 浸液供给装置、光刻系统和浸液品质监测方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112650031A true CN112650031A (zh) | 2021-04-13 |
CN112650031B CN112650031B (zh) | 2024-07-23 |
Family
ID=75364535
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011563642.4A Active CN112650031B (zh) | 2020-12-25 | 2020-12-25 | 浸液供给装置、光刻系统和浸液品质监测方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112650031B (zh) |
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