TWI384537B - 用以降低瞬時增強擴散之離子佈植法 - Google Patents

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Description

用以降低瞬時增強擴散之離子佈植法
本發明係有關於用以降低瞬間增強擴散之離子佈植方法。
在半導體元件之矽基板中－特別是在淺坑摻雜層(例如硼層)－的瞬間增強擴散(TED)係為公知之問題。
當淺坑摻雜層或區域－例如硼層－利用離子佈植而形成於半導體基板中時，接面深度不僅由離子佈植能量決定；亦由例如TED之通道效應與現象所決定，此時佈植之離子在接續之熱處理期間遷移通過晶格。現已知利用前非晶形化技術可以，例如，使用非電性主動離子(例如矽、鍺與氟)之離子佈植法非晶形化半導體基板以消除通道效應。然而前非晶形化離子佈植會使基板產生一層鄰近下層晶質半導體材料之非晶形表面，以及產生大量越過非晶形/結晶(a/c)界面的缺陷。這些結晶缺陷常稱為佈植區缺陷(EOR)。此類缺陷係習知用以在退火之熱製程以及半導體元件之活化過程中加強先前佈植的摻雜離子之擴散。業界亦已知在熱處理過程(指退火與活化)中，非晶形層再結晶以及EOR缺陷會分解實際上朝向基板表面移動的半導體填隙子，以使其存在於表面摻雜層而提供TED機制。
TED增加摻雜物在摻雜層中的擴散性，而使得淺坑摻雜層之深度增加。為了減少半導體元件的尺寸，許多技術已用於減少TED的效果，以便於藉由減少EOR缺陷而減少摻雜層的深度。
WO 03/049163一案闡述藉由在表面佈植硼層與越過非晶形/結晶(a/c)界面的EOR缺陷之間提供一層含捕獲元素，以減少或消除TED。接著，在熱處理過程中，遷移缺陷係實質上被此層停止或侷限住，進而不能向上移動至表面以提供在硼層中的TED機制。結果，接面可形成在基板中，其較淺且可具有較傾斜之輪廓。
雖然上述之PCT申請案建議一層捕獲元素(典型為碳原子)可在非晶形佈植之前或之後利用佈植導入，本發明之實施例則闡述使用分子束磊晶(MBE)以長成富含碳的矽層於矽基板上，並接著用另一層純矽層覆蓋。
PCT申請案亦建議避免碳原子出現於主動硼接面區域以防止接面之電性損傷。
本發明係提出一種佈植程序，其具有藉由單純佈植技術減少TED的優點。
根據本發明之第一個概念所提供之離子佈植方法包含下列步驟：提供一個半導體基板；以第一佈植能量於半導體基板中進行前非晶形佈植；以第二佈植能量於半導體基板中進行缺陷捕獲元素的佈植；以及在半導體基板中進行摻雜物的佈植以提供淺接面，其中第二佈植能量與第一佈植能量的比例在10至40%範圍內。
根據本發明，係以第一能量於基板進行前非晶形佈植(典型為鍺)；以第二能量進行缺陷捕獲元素的佈植(典型為碳)；以及摻雜物的佈植(典型為硼)以提供淺接面。很清楚地，前非晶形化佈植的能量應該夠大使得非晶形/結晶界面位於淺硼層的下方。就減少TED方面且在後續佈植的熱處理過程中，吾人已發現若使用鍺前非晶形化佈植之大約四分之一的能量而佈植碳，即可達到最佳功效。有深度之碳密度尖峰係位於非晶形/結晶(a/c)界面之上。再者，碳尖峰必須比硼層要深。若前非晶形化佈植在較高的能量下發生，而形成較深的a/c界面，則碳佈植能量與鍺佈植能量的比例可以小於四分之一。
總之，選定前非晶形化佈植與捕獲元素佈植之間的能量比例，可使得捕獲元素設置介於半導體基板之淺接面與非晶形半導體材料和結晶半導體材料間的界面(即，a/c界面)之間，以便捕獲移動至基板表面的填隙子。其他材料類似介於前非晶形化佈植與捕獲元素佈植之間的能量比例亦可推得。前非晶形化佈植的另一個選擇為矽離子的佈植。其他可當作捕獲元素者有氮與氟。
根據本發明之第二個技術特徵所提供之離子佈植方法包含下列步驟：提供一個半導體基板；在佈植方向與半導體基板表面之法線方向夾有20至60°範圍內時，於半導體基板中進行非晶形佈植；以及在半導體基板中進行摻雜物的佈植以提供淺接面。
根據本發明第二個技術特徵之方法另包含在半導體基板中進行缺陷捕獲元素的佈植。
本發明之第二個技術特徵為，上述之夾角係在35至40°範圍內。
於半導體基板中進行摻雜物佈植以提供淺接面的步驟可包含進行一種佈植，此佈植的方向與半導體基板表面法線的方向夾20至60°的範圍。
上述第二個技術特徵可分開使用或與第一個技術特徵一併使用。
根據本發明之第二個技術特徵所提供之離子佈植方法包含下列步驟：提供一個矽基板；以第一佈植能量於半導體基板中進行第一前非晶形化佈植；以第二佈植能量於半導體基板中進行第二前非晶形化佈植；以及在半導體基板中進行摻雜物的佈植以提供淺接面，其中第一佈植能量大於第二佈植能量。
或者，根據本發明第三個技術特徵之方法包含下列步驟：提供一個矽基板；以第一佈植劑量於半導體基板中進行第一前非晶形化佈植；以第二佈植劑量於半導體基板中進行第二前非晶形化佈植；以及在半導體基板中進行摻雜物的佈植以提供淺接面，其中第一佈植劑量大於第二佈植劑量。
再者，第一前非晶形化佈植之佈植能量與佈植劑量皆可大於第二前非晶形化佈植步驟的佈植能量與佈植劑量。
上述第三個技術特徵可分開使用或與上述之第一個技術特徵以及/或第二個技術特徵結合使用。
本發明之實施例將於下文中輔以圖式做詳細闡述。
本發明之第一個技術特徵係有關於捕獲元素(碳)與非晶形(鍺)佈植能量之間的比例，以利用例如鍺、碳與硼之共同佈植以及使用退火以形成最淺及最陡峭的接面。PCT申請案的作者提及將碳設置於非晶形深度中而未討論任何有關硼瞬間增強擴散(TED)在位於非晶形層之碳層中的減少。
吾人建議佈植碳且碳的位置係最佳化以形成最淺與最陡峭之接面以及有效地減少硼TED。
吾人發現碳能量應在鍺能量的10至40%範圍內，較佳地為25%，以達到硼的最佳減少效果。本發明係利用兩種不同厚度之非晶形層(300與1100)以進行實驗驗證。
第1圖顯示半導體基板45之部分(實例中係使用矽基板)在退火之前具有表面15，而佈植係透過此表面完成；在矽基板45中有利用前非晶形化製程而形成之非晶矽區域或層25；以及晶矽區域35在矽基板45中。為獲得1100之非晶形層，本發明利用80 keV、1E15劑量的鍺佈植。本發明的佈植係在1keV、10 keV、37 keV與60 keV能量下用2E14、1E15、3E15、4E15離子/平方公分的劑量佈植碳。在矽基板中的碳捕獲元素的位置係如第1圖所示。位置10相當於具有1keV之碳佈植能量且劑量為2E14離子/平方公分；位置20相當於具有1keV之碳佈植能量且劑量為1E15離子/平方公分；位置30相當於具有37keV之碳佈植能量且劑量為3E15離子/平方公分；位置40相當於具有60keV之碳佈植能量且劑量為4E15離子/平方公分。
利用增加劑量與增加碳能量，本發明維持一個0.5at%之碳的定值尖峰原子濃度。
1keV、10 keV、37 keV與60 keV之碳能量將使碳位於0.5keV硼Rp處，介於硼與a/c界面之間，正好在a/c界面上，EOR缺陷係產生超過此界面，以及在遠超過a/c界面的晶矽上。
所有實例皆在0.5keV與1E15離子/平方公分的劑量下以佈植硼，以及在1050℃退火。
具有四種不同碳能量之硼SIMS輪廓係顯示於第2圖中。
很清楚地：1.最佳的碳能量需要10keV以有效地減少硼TED。
2.碳需要設置在非晶形層內且不在a/c界面上或超過此界面。
3.碳不應與硼重疊。
需要解答的問題有：若10keV為將碳設置於非晶形層內之最佳碳能量時，那麼非晶態層之最小深度是否為1100？或者有超過此最小深度臨界，但10keV碳能量不會完全減少硼TED者？
為回答此問題，本發明分別將硼與碳維持在0.5keV與10keV，且藉由佈植具有5keV、10keV、40keV與80keV的鍺以改變非晶形的深度。
相對應接面之硼SIMS輪廓圖係顯示於第3圖中，以及相應於不同鍺能量佈植的10keV碳與不同a/c界面的位置亦顯示其中。
在此清楚地發現，利用5keV與10keV鍺，最大碳濃度(為佈植的尖峰)將位於400處，以及將超過由兩種鍺能量所產生的a/c界面深度，分別為100與180。
不論利用鍺能量為40keV或80keV，幾乎都獲得相同的接面，因此最小鍺能量為40keV，其對應之非晶形深度大約為580。
此最小之40keV鍺能量係為碳能量之四倍。
為釐清最小鍺能量與碳能量的比例為4，本發明以20keV、1E15劑量之鍺與0.5keV、1E15離子/平方公分之硼以佈植一組晶圓。碳則分別以2keV、5keV、6keV、7 ke、8 keV與10keV等不同的能量佈植。
由第4圖之硼SIMS輪廓可發現：1.碳共同佈植製程對於碳能量係非常敏銳－即，僅增加1keV的碳能量，接面就改變。
2.當使用10keV之碳時，最大碳濃度(為佈植尖峰)位於大約400，其位於超過由20keV鍺產生的a/c界面(非晶形深度為300)，此解釋逆作用發生在8與10keV碳之間。
3.最佳碳能量為5keV，此證實在碳與鍺之間的能量比為1比4，如同先前利用80keV之鍺進行前非晶形佈植之結果。
雖然有關於碳捕獲元素、前非晶形鍺佈植、矽基板以及硼淺接面之第一技術特徵係於前文中闡述，然而其目的係為闡述本發明，並非用以限定本發明。熟知此技藝者將由本發明之說明內容瞭解各種材料亦可加以利用。例如，前非晶形化佈植製程可以包含佈植任何下述半導體材料於半導體基板中：鍺、矽、銻、氟等。缺陷捕獲元素可以是任何下述之材料：碳、氮與氟等。摻雜物可以是任何下述之材料：硼、砷與磷等。半導體基板可以是矽基板、鎵砷基板或類似的基板。
可以瞭解的是，佈植步驟亦可以任何特定的次序進行。
本發明亦利用傾斜角度以進行前非晶形化佈植，例如，鍺、氙、氬、銻、銦、矽、砷、二價砷。利用傾斜佈植的優點在於消除EOR缺陷或至少大致上減少。此表示，傾斜方法可與非平衡態退火製程－例如雷射退火－一同使用。
將於下文中闡述之傾斜方法可與上述方法一同使用或分開使用。
根據本發明離子佈植之傾斜方法包含下列步驟：提供一個半導體基板；以佈植方向與半導體基板表面之法線夾20至60°的範圍內，在半導體基板中進行前非晶形佈植；以及在半導體基板中進行摻雜物的佈植以提供淺接面。
進行半導體基板內的缺陷捕獲元素之佈植步驟亦可以使用。
根據本發明第二個技術特徵之傾斜方法的特徵可以包含進行前非晶形化佈植，其另包含利用與佈植角度有關之能量以佈植前非晶形材料。
參照第5圖至第7圖所示，顯示半導體基板100之部分(實例中係使用矽基板)在退火之前具有表面102，佈植係透過此表面完成；在矽基板100中有利用前非晶形製程而形成之非晶矽區域或層104；以及晶矽區域106在矽基板100中。位於非晶矽區域104與晶矽區域106之間的a/c界面係標示為110。EOR缺陷108係在佈植過程中產生，且在晶矽區域106中、a/c界面110以下聚合。
第5圖顯示當前非晶形化佈植以與基板100表面垂直的方向發生時，a/c界面110與EOR缺陷108的位置。也就是，傾斜角度θ＝0°
第6圖顯示當前非晶形化佈植以與基板100表面法線方向夾角30°發生時的a/c界面110與EOR缺陷108的位置。也就是，傾斜角度θ＝30°
第7圖顯示當前非晶形化佈植以與基板100表面法線方向夾角40°時的a/c界面110與EOR缺陷108的位置。也就是，傾斜角度θ＝40°
由第5至7圖所示，增加傾斜角度的效果係為減少在基板表面102與a/c界面110之間的距離。此係為單純的三角幾何。佈植的離子穿過在佈植方向上的距離。當佈植的方向與矽基板表面的法線有夾角時(此角度等於傾斜角度)，穿透深度比起無傾斜角度時減少cosθ，其中θ為傾斜角度。
此外，在EOR缺陷108與a/c界面110之間的距離減少。當無傾斜角度但EOR之a/c界面以下的深度減少時，a/c界面深度將減少。因為EOR缺陷接近a/c界面，EOR缺陷很有可能於後續熱製程的過程－－例如退火製程－－中再結晶於非晶形層之基板再結晶上。因此，當在熱製程中之取向附生再成長時，EOR缺陷將分解/被吸收至非晶形層中而留下良好的結晶材料，其中EOR缺陷被消除或至少大致上減少。例如，以能量20keV、劑量1E15之鍺前非晶形化佈植，可在基板的表面上產生3.0奈米深的a/c界面，以及EOR缺陷將位於由基板表面之大約50至55奈米處。
傾斜角度可以在20至60°範圍內，以及可提供上述之優點。然而，傾斜角度係較佳為35至40°。
值得注意的是，佈植能量可以隨著傾斜角度(θ)增加而增加(例如，由cosθ)，如此非晶矽區域106之整體厚度可以與傾斜角度θ＝0°時相同(即，a/c界面110位置相同)。然而在此情況下，EOR缺陷接近a/c界面110之情況(與沒有傾斜佈植之EOR缺陷位置比較)仍會發生，且EOR缺陷接近a/c界面110，所以更可能被a/c界面吸收。此功效係為EOR缺陷被消除或至少大致上減少。
第8圖至第10圖顯示半導體基板之剖面圖的TEM圖示，在分別以20keV、23keV、26keV能量佈植鍺之後，有1E15劑量進入矽基板，接著分別在0°佈植角度、30°佈植角度與40°佈植角度下以1325℃之雷射退火處理。矽基板表面係標示為102。EOR缺陷係標示為108。如同在第10圖所見，具有較大之傾斜角度，EOR缺陷已大致上消失。
佈植方向與基板表面有一個夾角的傾斜佈植，例如Ge/Xe前非晶形化佈植(PAI)可使EOR缺陷接近嚴重受損之邊緣或非晶形/結晶(a/c)界面。EOR缺陷將耦接至非晶形層。藉由消除或大致上減少EOR缺陷，可減少與EOR缺陷存在有關的接面漏電，此改進元件效能。
使用傾斜方法於前非晶形化佈植的另一個優點在於當EOR缺陷的數量隨著傾斜角度之增加而減少時，摻雜區域的TED係減少。此使得摻雜區域有較佳活性，以及減少的薄膜電阻(Rs)而可造成較佳的元件效能。第11圖中顯示對不同傾斜角度與雷射退火製程之不同溫度時的不同薄膜電阻。
定義在傾斜角度的佈植亦可減少離子的橫向遊走(根據三角學)，此減少佈植輪廓的「寬度」以及增加輪廓後沿的陡峭。當傾斜角度用於佈植接面區域時，兩者的效果皆有助於改進所形成的接面。
習知的快速熱退火或非平衡態/非擴散退火－如雷射或快速退火等－之退火製程需要短時間與高溫，以及因此使摻雜區域有較差活性，因為此製程缺乏足夠時間予EOR缺陷於再結晶時被吸收。因為以一個角度進行前非晶形化佈植的方法可減少EOR缺陷，此方法可與習知快速熱退火或例如雷射或快速退火之非平衡態/非擴散退火或其他結合使用。這些退火製程的優點在於元件活性被改進而增進了元件效能。
此方法亦可用於二種以上的共同佈植架構(例如，前非晶形傾斜佈植與摻雜區域傾斜佈植以及/或捕獲元素傾斜佈植)，其中一或多種佈植可以傾斜角度進行。
本發明中建議藉由吸收填隙子而使碳有助於減少EOR損傷。
利用將前非晶形化佈植與碳、硼之劑量、能量的最適化，可能調整硼在矽中的固體溶解度。利用結合理想的PAT/C/B佈植與雷射退火，可能獲得非常高的活性程度而沒有重大擴散。
根據本發明第三個技術特徵之方法包含下列步驟：提供一個矽基板；以第一佈植能量，進行第一前非晶形化佈植於半導體基板上；以第二佈植能量，進行第二前非晶形化佈植於半導體基板上；於半導體基板中進行摻雜物的佈植以提供淺接面，其中第一佈植能量高於第二佈植能量。
可以有多於二個以上的前非晶形化佈植步驟以及第一與第二前非晶形化步驟可以任何次序發生。
利用改變不同前非晶形步驟之佈植能量，不同步驟的EOR缺陷係位於晶矽區域中的不同位置。較低能量佈植步驟比起較高能量佈植步驟能使EOR缺陷更接近a/c界面。較低能量EOR缺陷結合較高能量EOR缺限至a/c界面。此造成EOR缺陷路徑係介於最遠EOR缺陷(即，離a/c界面最遠者)與a/c界面之間，其藉由a/c界面在－例如退火的熱製程中－加速EOR缺陷的吸收。如上所述，此功效可消除或大致上減少EOR缺陷。消除或減少EOR缺陷的優點已於上文中闡述。
安排第一與第二佈植能量值，以便此結合係大致上相等於典型的前非晶形化佈植步驟的能量。也就是說，典型的前非晶形化佈植步驟根據第三個技術特徵係分成第一與第二佈植步驟。以具有能量E1與劑量D之典型前非晶態步驟為例，第一前非晶形化佈植步驟係在第一能量E1與劑量為0.5D至1D的範圍內，而第二佈植步驟係在第二能量E2，其中E2在0.7E1至0.95E1的範圍內，以及劑量在0.3D至0.5D範圍內。因此，第一與第二劑量的總和可以為100至150% D。
以此為例，第一前非晶形化佈植步驟包含能量18keV、7E14劑量的鍺佈植，以及第二前非晶形化佈植步驟包含有能量16keV、5E14劑量之鍺佈植。
本發明第三個技術特徵可分開使用或與根據本發明方法之第一技術特徵以及/或第二技術特徵或任何結合方式一起使用。
除了進行具有不同佈植能量之不同前非晶形化佈植外，本發明之第三技術特徵可具有含不同佈植劑量之不同前非晶形化佈植步驟。EOR缺陷位置之影響與使用不同佈植能量時相同：EOR缺陷路徑係形成於最遠的EOR缺陷與a/c界面之間。
安排第一與第二佈植能量值，使得此結合係大致上相等於典型的前非晶形化佈植步驟的能量。也就是說，典型的前非晶形化佈植步驟根據第三個技術特徵而分成第一與第二佈植步驟。例如，一個典型的前非晶態步驟具有劑量D，第一佈植劑量係在50至100% D的範圍內，以及第二佈植步驟係在30至50% D範圍內。因此，第一與第二劑量的總和可以是100至150% D。
10．．．位置
15．．．表面
20．．．位置
25．．．非晶矽區域
30．．．位置
35．．．晶矽區域
40．．．位置
45．．．矽基板
100．．．半導體基板
104．．．非晶係區域
106．．．晶矽區域
108．．．EOR缺陷
110．．．界面
根據本發明之離子佈植方法係可參照所附之圖示；第1圖係為剖面圖，繪示半導體基板之部分的不同層；以及在熱製程前，不同佈植能量的碳捕獲元素的部分；第2圖繪示不同碳捕獲元素能量之硼層SIMS圖；第3圖繪示根據不同之鍺前非晶形化佈植能量之不同a/c界面之硼層SIMS圖；第4圖繪示不同碳捕獲元素能量之硼層SIMS圖；第5圖係為剖面圖，繪示在熱製程前，以與半導體基板表面之法線夾0°的方向進行非晶形佈植後的半導體基板部分的不同層；第6圖係為剖面圖，繪示在熱製程前，以與半導體基板表面法線夾30°的方向進行非晶形佈植後的半導體基板部分的不同層；第7圖係為剖面圖，繪示在熱製程前，以與半導體基板表面法線夾40°的方向進行非晶形佈植後的半導體基板部分的不同層；第8圖係為穿透式電子顯微鏡圖(TEM)圖，其繪示以與半導體基板表面法線夾0。的方向進行非晶形佈植後的半導體基板之剖面圖，以及接著退火製程；第9圖係為TEM圖，其繪示以與半導體基板表面法線夾30°的方向進行非晶形佈植後的半導體基板之剖面圖，以及接著退火製程；第10圖係為TEM圖，其繪示以與半導體基板表面法線夾40°的方向進行非晶形佈植後的半導體基板之剖面圖，以及接著退火製程；以及第11圖顯示以不同傾斜角度之不同退火溫度之薄膜電阻。
10．．．位置
15．．．表面
20．．．位置
25．．．非晶矽區域
30．．．位置
35．．．晶矽區域
40．．．位置
45．．．矽基板

Claims (24)

  1. 一種離子佈植之方法，包含下列步驟：提供一半導體基板；以一第一佈植能量於該半導體基板中進行一第一前非晶形化佈植；以一第二佈植能量於該半導體基板中進行一第二前非晶形化佈植；以及進行該第一及第二前非晶形化佈植之後，於該半導體基板中進行一摻雜物之佈植以提供一淺接面，其中該第一佈植能量高於該第二佈植能量。
  2. 根據申請專利範圍第1項之離子佈植之方法，進一步包含下列步驟：以一第三佈植能量於該半導體基板上進行缺陷捕獲元素之一佈植；且其中該第三佈植能量與該第一佈植能量之比例係在10至40%範圍內。
  3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該比例係大致為25%。
  4. 如申請專利範圍第2項之方法，其中進行前非晶形化佈植之步驟包含佈植下述任何一種之半導體材料於該半導體 基板中：鍺、矽、氟、銻。
  5. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該缺陷捕獲元素係為下述材料之任一種：碳、氮與氟。
  6. 如申請專利範圍第2項之方法，其中進行前非晶形化佈植之步驟包含佈植鍺至該半導體基板內，其中該缺陷捕獲元素為碳且其中該第三佈植能量與該第一佈植能量之比例係大致為25%。
  7. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該摻雜物係選自由下列材料所構成之群組：硼、砷以及磷。
  8. 如申請專利範圍第2項之方法，其中進行前非晶形化佈植步驟包含進行一佈植，使得佈植之一方向與該半導體基板之一表面的法線夾20°至60°的角度。
  9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該角度係在35°至40°範圍內。
  10. 如申請專利範圍第8項之方法，其中進行前非晶形化佈植之步驟另包含以一佈植能量佈植一前非晶形化材料，其中該佈植能量係與該佈植角度有關，該佈植能量隨該佈植 角度增加而增加。
  11. 如申請專利範圍第10項之方法，另包含進行一退火製程之步驟。
  12. 如申請專利範圍第11項之方法，其中該退火製程包含一快速熱退火以及一非平衡態退火之其中一種。
  13. 如申請專利範圍第1項之方法，其中進行前非晶形化佈植步驟包含進行一佈植，使得佈植之一方向與該半導體基板之一表面的法線夾20°至60°的角度。
  14. 如申請專利範圍第13項之方法，其中進行摻雜物佈植步驟包含進行一佈植，使得佈植之一方向與該半導體基板之一表面的法線夾20°至60°的角度。
  15. 如申請專利範圍第13項之方法，其中該角度係在35°至40°範圍內。
  16. 如申請專利範圍第13項之方法，其中進行前非晶形化佈植之步驟另包含以一佈植能量佈植一前非晶形化材料，其中該佈植能量係與該佈植角度有關，該佈植能量隨該佈植角度增加而增加。
  17. 如申請專利範圍第13項之方法，另包含於該半導體基板上進行缺陷捕獲元素之一佈植。
  18. 如申請專利範圍第13項之方法，另包含進行一退火製程之步驟。
  19. 如申請專利範圍第18項之方法，其中該退火製程包含一快速熱退火以及一非平衡態退火之其中一種。
  20. 一種離子佈植之方法，包含下列步驟：提供一半導體基板；以一第一佈植劑量於該半導體基板中進行一第一前非晶形化佈植；以一第二佈植劑量於該半導體基板中進行一第二前非晶形化佈植；以及進行該第一及第二前非晶形化佈植之後，於該半導體基板中進行一摻雜物之佈植以提供一淺接面，其中該第一佈植劑量高於該第二佈植劑量。
  21. 根據申請專利範圍第20項之離子佈植方法，其中以一第一佈植能量進行該第一前非晶形化佈植並以一第二佈植能量進行該第二前非晶形化佈植，且該方法進一步包含下 列步驟：以一第三佈植能量於該半導體基板上進行缺陷捕獲元素之一佈植；且其中該第三佈植能量與該第一佈植能量之比例係在10至40%範圍內。
  22. 如申請專利範圍第21項之方法，其中進行前非晶形化佈植之步驟包含佈植鍺至該半導體基板內，其中該缺陷捕獲元素為碳且其中該第三佈植能量與該第一佈植能量之比例係大致為25%。
  23. 如申請專利範圍第20項之方法，其中進行前非晶形化佈植步驟包含進行一佈植，使得佈植之一方向與該半導體基板之一表面的法線夾20°至60°的角度。
  24. 如申請專利範圍第23項之方法，其中進行前非晶形化佈植之步驟另包含以一佈植能量佈植一前非晶形化材料，其中該佈植能量係與該佈植角度有關，該佈植能量隨該佈植角度增加而增加。
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