JP2006093658A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板10の表面層に設けられ、導電性に寄与する第1の不純物及びゲルマニウムを含む第1の拡散領域22と、第1の拡散領域22の表面から第1の拡散領域22より浅く設けられ、導電性に寄与しない第2の不純物を含む第2の拡散領域24とを備える。
【選択図】図1
Description
上記のように、本発明の実施の形態を記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者にはさまざまな代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
11 酸化膜
12 ゲート絶縁膜
14 ゲート電極
16 アモルファス領域
18 第1の不純物注入領域
20 第2の不純物注入領域
22 第1の拡散領域
24 第2の拡散領域
32 オフセットスペーサ
34 ハロー不純物注入領域
44 ハロー領域
46 側壁スペーサ
48 ソース・ドレイン領域
Claims (5)
- 半導体基板の表面層に設けられ、導電性に寄与する第1の不純物及びゲルマニウムを含む第1の拡散領域と、
前記第1の拡散領域の表面から前記第1の拡散領域より浅く設けられ、導電性に寄与しない第2の不純物を含む第2の拡散領域
とを備えることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板に、ゲルマニウム及びシリコンのいずれかのイオン種を注入してアモルファス領域を形成し、
導電性に寄与する第1の不純物のイオン種を前記アモルファス領域に注入し、
導電性に寄与しない第2の不純物のイオン種を前記アモルファス領域に注入し、
前記半導体基板表面を加熱して前記第1の不純物を活性化させる
ことを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の不純物のイオン種がボロンであり、前記第2の不純物のイオン種がフッ素であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の不純物のイオン種が二フッ化ボロンであり、前記第2の不純物のイオン種が窒素であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の不純物のイオン種の注入深さが、前記アモルファス領域の深さより浅く、且つ、前記第1の不純物のイオン種の注入深さより深いことを特徴とする請求項2〜4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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- 2005-07-15 JP JP2005207820A patent/JP2006093658A/ja active Pending
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