JP2009200334A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板上にゲート酸化膜を介してゲート電極を形成する工程と、ゲート電極に第1の不純物を注入し、ゲート電極をマスクとして半導体基板に第1の不純物を注入する第1の不純物注入工程と、第1の不純物を活性化させる第1の熱処理を行う工程と、ゲート電極のゲート絶縁膜から離間させた位置に第2の不純物を注入する第2の不純物注入工程と、第2の不純物を含有する領域を活性化する形成する第2の熱処置を行う工程と、を含み、第1の不純物はリンからなる。
【選択図】図1
Description
図3Bは、半導体基板としてのp型シリコン基板1及びゲート電極3を熱処理する第1の熱処理工程を説明する。第1の熱処理工程は、ソース領域の不純物濃度が低い第1領域8、ドレイン領域の不純物濃度が低い第1領域8及びゲート電極の不純物濃度が低い第1領域9における不純物を活性化させるために行う。
(付記1)
半導体基板上にゲート酸化膜を介して形成され、第1の不純物を含有するゲート電極と、
前記ゲート電極の前記ゲート絶縁膜から離間した位置に、前記第1の不純物と同じ導電型の第2の不純物を含有する第1の不純物領域と、
前記ゲート電極の両側の前記半導体基板に形成された前記第1の不純物を含有する第2の不純物領域と、
を有することを特徴とする半導体装置。
(付記2)
前記第1の不純物はリンからなることを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
(付記3)
前記第2の不純物はリン又は砒素からなることを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
(付記4)
前記第2の不純物領域は、更に前記第2の不純物を含有することを特徴とする付記1乃至付記3の何れかに記載の半導体装置。
(付記5)
半導体基板上にゲート酸化膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極に第1の不純物を注入し、前記ゲート電極をマスクとして前記半導体基板に前記第1の不純物を注入する第1の不純物注入工程と、
前記第1の不純物を活性化させる第1の熱処理を行う工程と、
前記ゲート電極の前記ゲート絶縁膜から離間させた位置に第2の不純物を注入する第2の不純物注入工程と、
前記第2の不純物を含有する領域を活性化する形成する第2の熱処置を行う工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記6)
前記第1の不純物はリンからなることを特徴とする付記5に記載の半導体装置の製造方法。
(付記7)
前記第2の不純物はリン又は砒素からなることを特徴とする付記5又は付記6に記載の半導体装置の製造方法。
(付記8)
前記第2の熱処理は、加熱温度が1100℃以上1400℃以下、加熱時間が100ms以下であることを特徴とする付記5乃至付記7の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記9)
前記第2の不純物注入工程において、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板に前記第2の不純物が導入されることを特徴とする付記5乃至付記8の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
1 p型シリコン基板
2 ゲート酸化膜
3 ゲート電極
4 ポケット領域
5 エクステンション領域
7 サイドウォール
8 ソース領域の不純物濃度が低い第1領域、ドレイン領域の不純物濃度が低い第1領域
9 ゲート電極の不純物濃度が低い第1領域
10 ソース領域の不純物濃度が高い第2領域、ドレイン領域の不純物濃度が高い第2領域
11 ソース領域、ドレイン領域
12 ゲート電極の不純物濃度が高い第2領域
13 シリサイド層
14 活性領域
15 素子分離領域
16 第1の不純物濃度が低いソース・ドレイン領域におけるリンの濃度分布
17 第2の不純物濃度が高いソース・ドレイン領域におけるリンの濃度分布
18 ゲート電極におけるリンの濃度分布
Claims (5)
- 半導体基板上にゲート酸化膜を介して形成され、第1の不純物を含有するゲート電極と、
前記ゲート電極の前記ゲート絶縁膜から離間した位置に、前記第1の不純物と同じ導電型の第2の不純物を含有する第1の不純物領域と、
前記ゲート電極の両側の前記半導体基板に形成された前記第1の不純物を含有する第2の不純物領域と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記第2の不純物領域は、更に前記第2の不純物を含有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 半導体基板上にゲート酸化膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極に第1の不純物を注入し、前記ゲート電極をマスクとして前記半導体基板に前記第1の不純物を注入する第1の不純物注入工程と、
前記第1の不純物を活性化させる第1の熱処理を行う工程と、
前記ゲート電極の前記ゲート絶縁膜から離間させた位置に第2の不純物を注入する第2の不純物注入工程と、
前記第2の不純物を含有する領域を活性化する形成する第2の熱処置を行う工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2の熱処理は、加熱温度が1100℃以上1400℃以下、加熱時間が100ms以下であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の不純物注入工程において、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板に前記第2の不純物が導入されることを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
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