JP2009200334A5 - - Google Patents
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- 半導体基板上にゲート酸化膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極に第１の不純物を注入するとともに、前記ゲート電極をマスクとして前記半導体基板に前記第１の不純物を注入する第１の不純物注入工程と、
前記第１の不純物を活性化させる第１の熱処理を行う工程と、
前記第１の熱処理の後、前記ゲート電極の前記ゲート絶縁膜から離間させた位置に第２の不純物を注入する第２の不純物注入工程と、
前記第２の不純物を含有する領域を活性化する形成する第２の熱処置を行う工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第２の熱処理は、加熱温度が１１００℃以上１４００℃以下、加熱時間が１００ｍｓ以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第２の不純物注入工程において、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板に前記第２の不純物が導入されることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第１の熱処理は、加熱温度が９００℃以上１４００℃以下であり、保持時間が０．１秒以上１０秒以下であることを特徴とする請求項１乃至３いずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
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Applications Claiming Priority (1)
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| JP2008041726A JP5401803B2 (ja) | 2008-02-22 | 2008-02-22 | 半導体装置の製造方法 |
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