TWI379534B - Multilayer band pass filter - Google Patents

Description

1379534 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明之實施例係關於濾波器，而更特別的是關於使 用於諸如雙工器或者雙訊器的電氣系統中之多層帶通濾波 器° 先前技術】

近幾年來’已經達成行動通信裝置小塑化之顯著發展， 。奢如行動電話以及無線區域網路（Local Area Network)裳 置’這要感謝其中所併入的各種組件之小型化所致。通信 裝置中所併入的其中一種組件即是帶通濾波器。帶通濾波 益會抑制具有特定頻帶外的頻率之信號，並且會些微或者 亳無壓制地通過具有特定頻帶内的頻率之信號。帶通濾波 盗已文到廣泛的使用。例如，在與行動電話所結合的雙工 裔以及雙訊器中便可以發現帶通濾波器。帶通濾波器同樣 也允許行動電話之天線在某一頻帶下傳輸，同時在另一個 頻帶下進行接收。 其中一種型式之帶通濾波器說明於美國專利第 :’020,799號之圖12 ’其在此將之複製為圖1。參照圖卜 帶通遽波器包含兩冑TEM(橫向電磁模式）諸振器。此谐振 器以一種串級連接而相互連接在-起。各個諸振器皆包含X -對的傳輸線，包含一條高阻抗之狹窄傳輸線以及一條較 低阻抗之較寬傳輸線。可以將各個諧振器之狹窄傳輪線合 作所相應㈣振器之近側端。各㈣振器之近側端連接: 另-個諧振器之近側端，並且同樣接地。可以將各個譜振 丄 J / 7 J JH· k見傳輸線當作所相應的諸振哭之末梢端 則疋具有較低於另一條 °° “’此傳輸線 末梢端為，，開路”，其令:傳輸線之阻抗。各個譜振器之 諧振器之狹窄傳輸線 =直接電机可以流通。各個 .., S電磁_合至另一個譜括55 輸線，而各個嗜捩哭4 h 们咕振态之狹窄傳 諧振器之較梅後 傳輸線則會電磁輕合至另-個 擾並且耦合另一個 生的電磁場會干 器之間產生所產生的電磁場，進而在兩谐振 生所明的輕合連結，，或者” _合連結”。 ； ' 在美國專利第6,〇2〇 799號中，夂袖 諧振器之末描妒各、^ ，唬中各個ΤΕΜ模式 地。敕1而θ以电容性耦合至輸入與輸出端子及接 -個架構提供充分數量之電容性輛合。同樣 = 間級耦合電容器，藉， 口 整體架構而言，電 ^口以及哀減極點頻率，但就 全電容性，因此僅右广’’全電谷性的。由於耦合為完 % 0 . τ ^ 有受限的控制有作用於準確設置衰減極 〆 為了緩和此種電玄 # > ρ * λ 間的接線距離，而… 能夠縮短譜振器之 m _ 改變第一條傳輸線之接線距離以 U ^線之接線距離，同樣也能夠調整傳輸特性之 衣減極點頻率。钟.& , , ‘、、、、 由於相較於光蝕刻之限制，光蝕刻 何亚不能夠將接線設置得更為靠近在一起，目前一般為 因此這些用來緩和電抗耦合的過度電容值之方式 “方、此同樣的是，藉由調整傳輸線對兩線間距離的偶 杈與奇模阻抗比’便能夠改變耦合程度。然而，目前仍僅 能夠縮短兩譜振器之間的接線距離而已。 【發明内容】 丄 j/y：)J4 ^ 根據本發明第一個觀點，帶通濾波器能夠包含第—個 '。。以及第二個諧振器。第一個諧振器與第二個諧振 B的耦合連結能夠受控於下列至少一項⑴第一個諧振器 與弟二個請振器之間的間隔、以及（Η)耦合至該耦合連結之 並聯電感。 根據本發明的第二個觀點濾波器能夠包含用來通過— 個頻帶之濾波器裝置。濾波器裝置能夠具有第一個諧振器 4置以及第二個諧振器裝置。濾波器同樣也能夠包含位於 第—個譜振器裝置以及第二個諧振器裝置之間的耦合裝 置。此耦合裝置能夠受控於下列至少一項⑴第一個諧振器 裝置以及第二個諧振器裝置之間的間隔、以及（ii)耦合至此 轉合裝置之並聯電感裝置。 【實施方式】 通信裝置存在有可包含超過一個能整合於單一多層主 體中的被動元件之需求。藉由調整被動元件之電抗，諸如 帶通濾波器（“BPF”）中的電容器以及電感器，便能夠更為精 確並且簡易地定位BPF的衰減極點。單一多層主體可以具 有數個可透過一個或者多個貫孔連接之端子，因而不需要 大型的端子電極。某些貫孔電感可能會對BPF的電氣性能 靈敏，因此要有所考量。 圖1為根據美國專利第6,020,799號所說明之習知實 現方式的薄片介質BPF架構之立體分解圖。薄片介質BPF 架構具有偶模阻抗Ze，能夠實現於7Ω至35Ω之範圍。由 於光刻照相之限制’通常不能夠以較窄於〇.2mm亦不大於 1379534 2匪之接線寬度或者間隙來實現該接線。因此，在各個扯 振β傳知線之間最小的偶模阻抗步級比率&為”白 如果Ke A ’則諧振器的長度便不能夠縮短，因而適 當範圍的Ke，而至綠線之架構參數，則較佳為至曰適 :·4至0.6更好。由此，所能夠實現的偶模/奇模阻抗比率 在偶模阻抗為7Ω之時大約為1-4左右或更小 下更小 '又或在35Ω下又更小。 次者在20Ω 圖1的薄片介質卿架構具有褒置實 個厚介質薄板⑽十介質薄板心包含—對實 輸線17a以及17b之帶線增 霄見成為傳 伽嫌， f線°白振盜。第一條傳輸線17a呈有 一個讀㈣器電極lla,而第二條傳料 有有 個帶線魏器電極llb。第一條傳… ，、有接地電極16。第一組傳輸線n 有南特性阻抗並且於其中之—末端接地， 绩、 心以及18b則具有低㈣㈣％ ^傳輸線 耦人恭六π、Λ〇/ 、/、甲之—末端開路。 柄…(CC)28(圖2所示)形成於輕合電容電極 線谐振器電極lla與Ub之間。 帶 9餅-、， 、戰電奋（CL)26與27(圖 2所不）形成於負載電容電極19 ^ llb ^ p, 乂及帶線谐振器電極11a ” b之間，此為附加的。薄片介質Βρρ 線諧振器電極i la與Ub之間。 貝'^ 言皆振^ 架構具有兩個在諧振器架構中的遞模式 組傳於’、具有幸乂短於四分之一波長之整體接線長度。第 第專，=亦即具有相對較高阻抗之狹窄傳輸線）與個別 且傳輸線（亦即具有較低阻抗的寬闊傳輸線）形成串 級連接。第 者。第輸線之特性阻抗較低於第一組傳輪線 各個則在末梢；：個皆於近側端接地，而第二組傳輪線 二叙傳輪線亦二:二組:!輪線為_合的 之電磁耦合量: σ刀開而早獨地設定兩狀况下 線譜二ΙΓ包含—個負載電容電極19，其分別以帶 示）。八併电/ a與Ub形成負載電容（CL)26、27(圖2所 开，"貝薄板10同樣也包含一個以帶線諧振器電極lla =第-個電容器之電容電们2a、以及一個以帶線谐振 ^ 極111)形成第二個電容器之電容電極12b。介質薄板 b包含輸入及輪出端子分別為Ma與Mb、以及接地端 15a 與 15b 〇 耗合電谷（Cc)28(圖2所示）以及負載電容（CL)26與 27(圖2所示）的組合允許偶模/奇模阻抗比率（PI、P2)之調 正。由此’將衰減極點設定在通帶附近。分別以防護電極 13a與13b來覆蓋介質薄板1〇b以及介質薄板1〇d。由於電 °相對較大之面積’可忽略如此電極之電感效應。 兩個TEM模式之諧振器透過分離的耦合裝置而為電容 轉合的，致使能夠在濾波器通帶附近產生衰減極點。負載 電容（CL)26與27(圖2所示）平行於帶線諧振器電極1 ia與 1 lb 〇 藉由設定1與2之關係，便能夠自由地在特定的頻率 下形成衰減極點。然而’ TEM模式諸振器之開路端以並聯 負載電容器接地。TEM模式諧振器與輸入及輸出端子乃是 1379534 電容耦合的。藉由改變第—組傳輸線之接線距離以

組傳輸線之接線距離來調整傳輸特性衰減極點之 Z 由設定接線之間的距離進而調整值於綠 曰 π驁傳輸線之偶模與奇模阻抗 比率’便能夠改變耦合的程度。如圖2 所不’附加中問級 耦合電容器（Cc)28，藉以控制該耦人， ]、次 頻率。 也，乃i於衰减極點之 然而，與此種設計有關的其中一個問題為儘 點能夠於通帶近處產生，但仍不能在 、’ 诘朽戥.泄 ▼兩側提供多個衰 :咸極久在通“側上具有衰減極點之據波器能夠同時增 加頻帶頻率外之衰減量。 曰 同樣的是’在圖！的前技中’由於衰減 線阻抗、負載電容器、以及内部輕合 成傳輸 m L, ^ ^ 电令益之複雜函數， ^就所需的线H中心頻率以及所需㈣振器輕合而

。，亦即對中心頻率一侧下3dB 心尸77而濾波器頻帶而古， 難以在所需頻率下實現衰減極點。 。 --,,, 田於輪入與輸出耦合電 »口（電令态23與24，如圖2所示，且 帶蜱础掊吳+ Λ 且刀別置疋於圖i的 、泉扣振态電極丨la與丨lb以及電 如圖7胼_从山 电谷亥12a與12b之間）、 a 2所不的中間級耦合電容（Cc)28、 負載杂交^ΓΤ、乂 乂及如圖2所示的 、戟电合（(：1^)26與27皆是位於同一片 出—種寬廣頻帶之滹波琴，直需要^ * 、以設計 容器…… 的輪入與輪出輕合電 中間級耗人雷 於輸入與輸出輕合電容器23與24、 '、及t電容（Cc)28、以及負載電容 位於同一展μ m J Z /皆疋 ,, 因此難以設計出一種小型化的BPF,至少 χ-y尺度之平面而言。對至少這些的理由而言，如同1 1379534 所不的帶線諧振器BPF並不適合用於需要寬廣頻帶、亦即 大頻帶之濾波器。 圖1的BPF架構之另一個問題為端子電極之尺寸以及 位置通k裝置之小型化可能會有超過一個的被動元件需 要整合於單一個多層主體之中。較佳的方式則是使各組件 之端子透過一個或者多個貫孔連接，致使該端子置定於裝 置之底部，諸如替代具有大側邊之端子。如果使用貫孔來 貫施如此之改善，則某些貫孔之電感便可能會靈敏於 之電氣性此’並且可能因而必須要有所考量。 圖2為圖1介質BPF架構之等效電路。如同圖2所示， 大的輸入與輸出耦合電容器23與24分別具有輸入/輸出端 子21與22 。 圖3顯示圖1與圖2所說明的介質BPF架構兩個傳輸 特性模擬結果之座標圖。圖3上方的座標圖有關於具有低 零衰減極點之濾波器’而下方的座標圖則有關於具有高零 衰減極點之遽波器。在兩範例中，實現顯示衰減極點離濾 波器通帶最遠時之特性。 圖4為根據本發明第一個實施例的BPF組態之立體分 解圖。圖5為圖4帶通濾波器組態之等效電路。 參照圖4 ’可以邊對邊來設置兩個四分之一波長之平 面TEM模式帶線δ皆振器52以及54。諧振器之其中#可 以連接在一起，並且透過貫孔電感器之電感而連接至系統 之接地端’其中的電感器則可能是從短路端丨丨6經由疊層 〇3中的洞孔與經由洞孔56-60至接地端所實現的。ι/〇傳 12 1379534 輸痒之間的輸入/輸出蟑電容可以1/〇電容器來形成之，其 可實現於金屬極板62與74以及金屬極板66與％之間。 直接耗合電容（Cd)以及難器52與54之間的電感性内部 搞口可在BPF通帶之兩側提供衰減極點。能夠藉由改變直 接耦合電容（Cd)之數值來控制這些衰減極點之位置，此電 谷則可以實現於金屬極板72與1/〇電極62與66之間。直 接耦合電容（Cd)可不具有内部耦合效應。 可为別貫現於金屬極板74與76之間的並聯負載電容 C11以及CL2以及接地金屬極板78可設置於分離的介質薄 板上，而電容則可以BPF之系統接地78形成之。分別由 金屬極板74與76所形成之並聯負載電容CL1與CL2、以 及接地7 8可以透過貫孔電感連接至諧振器之開路端，此 可以經由洞孔82-88乃至於透過疊層〇3之洞孔持續穿至末 梢端110與112來實現之。負載電容器CL1與CL2可以針 對所需的中心頻率而有助於縮短諧振器之長度。諧振器長 度可以決定諧振器的等效電容與電感。可以將各個諧振器 認為是一個並聯著電感的電容，其可以串聯於Lc。與 CL 1的串聯連接必須並聯於諧振器，而諧振器整體的諧振 頻率則會受到這些被動元件的個別影響。可以由方程式 1/(2π( VI^))計算出諧振頻率，其中[與c代表諧振器周圍 整體的電感以及電容，並聯負載電容器cu、Le、以及由 包含其長度等的諧振器幾何形狀所決定之内部電感與電 容。由此，可以設計最佳的負載電容用以小型化bpf之尺 寸0 13 1379534

就寬廣頻帶之BPF而言，在金屬極板62與μ之間以 及在2屬極板66與％之間所形成之I/O耦合電容器可以 是適當地大。將1/〇耦合電容器（金屬極板62與74以及金 屬極板66契76)顯示在獨立介質薄板上，並且可以與並聯 負載電容器（金屬極板74與76 '以及接地78)，其中，依 照每-個濾波器之需求，設計一大的1/〇電容器係；能的： 1/〇耦合電容器（金屬極板62與74以及金屬極板66與76) 可以透過貫孔電感連接至系統接地金屬極板冗之ι/〇接點 64與68。在系統接地金屬極板78上，1〇接點與0以 及接地極板7 8可以彼此分離。 對寬頻帶之濾波器而言，諧振器52與54之間的内部 耦合應該充分大’藉以吻合設計之需纟。能夠以至少兩種 方式來控制諧振器52與54之間的耦合。其中一種控制· 合之方式可以藉由控制諧振器S2與54之間的間隔來實 施，亦即諸振器52與54之間的間隔越短，㈣合連結越 強，而諧振器52與54之間的間隔越大，則耦合連結越弱。 但是在某種限制之後，由於此處理限制，並不能夠縮短間 隔。藉由使用並聯電感來實施控制耦合連結之另一種方 式，此電感可以透過疊層03的洞孔（在短路端）以及洞孔 56-60來實現之。藉由提供外加的電感耦合連結，並聯電 感便可以控制諧振器之内部耦合連結。當經由疊層〇3中 的洞孔以及經由洞孔56-60而從短路端116至接地所實現 之時，藉由改變疊層〇3(在短路端丨16上）中的洞孔之貫孔 尺寸以及洞孔56，，便能夠控制貫孔電感器之電感值。 14 1379534 如果需要較大的電感值，某些實體的串聯電感（並無顯示） 則能夠串聯地附加於該貫孔。藉由使用一個或者多個並聯 貝孔（亚無顯不）或者增加貫孔的直徑（並無顯示）便能夠降低 電感的數值。 如果負載電谷姦（例如，金屬極板74及76與接地78 斤形成之電谷益）3又置於譜振器級（圖4的疊層〇3)，則其便 可以電氣地連接至浮動接地34A，此接地可以藉由數個貫 孔電感（其可以透過諸如洞孔92_1〇6來實現之）連接至系統 接地。如此的貫孔電感（並無顯示）可能會靈敏於諧振器52 =54之諧振器内部耦合。小的貫孔電感變化可能會影響 #器之輕&，乃至於上頻帶衰減極點之位置。由是，並 聯負載電容器(可以使用金屬極才反74與76)可以設置於架 ^如圖4所不，可以電氣連接至系統接地平面78。 』BPF組態可以包含七個薄片疊層，以圖4的疊層〇1 ο? 來識別之。介質薄板可以是相同介質材質或者不同介 質者。可以傳導性糊膠來^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 丹兀貝牙璺層3、以及貫穿過洞 孔56-60而從短路端n + 貫穿疊層03'以及:的疊層貝孔之洞孔，乃至於 及貝穿洞孔82-88而從末梢端11〇與 梢端H2起算之貫孔洞孔。 足末 其相似物來填充1他^ · 乂傳導性糊膠或 …、他任何-個之貫孔洞孔’藉以建 薄板I二可以包含一個位於BPF架構頂部的純度介 讀/㈣2可以提供一個浮動接地34A，而疊層07 以供一個糸統接地78。疊層〇2可以比較厚，而可有 15 ^/9534

個接地平面（在疊層02與07上），此可透過數個諸如洞孔 92-106貫孔彼此相連接，藉以保持BpF架構之適當接地。 洞孔92-106代表順著諸如圖4所示架構前緣的第一個邊緣 之貫孔。順著諸如該架構後緣之第二個邊緣的是，相似數 量的貫孔洞孔可以提供相類似的相互連接貫孔。在圖4中 以延伸於疊層02四個角落的洞孔以及疊層〇3四個角落的 洞孔之.間的虛線來表示如此貫孔。圖4同樣也顯示疊層、 〇/與06各個♦所相應的角落洞孔，允許浮動接地“A至 系統接第78之貫孔相互連接，然而，為了簡化圖示，虛 線並無顯示於疊層〇3至〇7之間。 一利用相似之相互連接來顯示圖4中其他的虛線貫扎之 表不方式。特別的是，藉由一個或者多個小圓圈來標示貫 孔所柄合並且從之向下延伸的各個金屬極板或者區域，諸 =層〇3上的諧振器52與54以及疊層〇5上的ι/〇電容 益金屬極板，各個如此圓圈標記代表著一個貫孔所耦合並 且從之向下延伸之位置。藉由虛線來表示向下延伸之貫 孔，此（為簡化之便）僅顯示從該第一層向下延伸，亦即從 其個別的金屬極板或者其首次由之散發的區域往下。例 如|顯示三條虛線貫孔從疊層〇3上的諧振器52與54三 圈標記向下延伸。譜振器52與54虛線貫孔近端Μ 於叠層03以及疊層04之間’但並不顯示於疊層〇4 下方（為簡化圖示）’ $而所要了解的是，貫孔會透過貫 哭：：孑L 82-88而從疊層04延續至疊層％上的負載電容 為與76。相似的是，兩條從疊層〇5上的ι/〇電容器金 16 13/9534 屬極板6 ’、66向下延伸的虛線貫孔顯示於疊層〇5與以 及且層06之@巾不顯不於疊層％之下方(為簡化圖示）， 然而所要了解的是，貫孔會透過貫孔之洞孔ii8以及12〇。 從疊層06延續至疊層I· AA k 上的I/O接點64與68。虛線貫 孔表不方式之相似標誌慣例用於圖7_1〇。 帶線譜振器BPF(包含第一個譜振g 52以及第二個譜 振器54)可以設置於兩個接地面之間。tem四分之一波譜 振器（此後稱為第-個諧振器52以及第二個諧振器54)之 圖樣可以設置於疊層03上的介質薄板。第一個諧振器Μ =及第二個諧振器54各個皆可具有於該處電場可以相對 較大而磁場則可以相對較小之開路端u〇以及I。、以及 於該處磁場可以相對較大而電場則可以相對較小之短路端 U4以及116。總場則是相同的。諧振器52與54之短路 泣而1 14以及11 6可以遠垃a - 運接在一起，並且之後透過貫孔電感 器之電感（Le)終止於系統接地78，此可以藉由疊層中 ，洞孔（在短路端116)以及透過洞孔56_6〇來實現之，參照 疊層0 7說明於下。 濾波器可以進一步具有第一個諧振器52與第二個 裔54之間的耦合。第一個諧振器52與第二個諧振器μ 之間的耦合可以是諸如一種以電感性並聯之諧振器耦合。 此耗合可以是任何-種允許㈣或磁場、或者電場與磁場 ，·且《產生於第一個諧振器52上並且藉以影響第二個諧振 器54、或者產生於第二個諧振器54上並且藉以影響第一 個諧振器52之架構。因此可以藉由⑴第一個諧振器與 17 第二個諧振器54夕門& „ „ 並聯電此可 …間搞、以及⑴)耦合至_合連結之 =电感（此^在短路端116上透過疊層Μ 及透過洞孔56-60來f ^ ^ 孔以 同樣也可时二 ），其中至少-項來控制該輕合 (例如，可以藉由直㈣合電容哭仝 屬極板72以及难诟哭ςο rt 电合D〇五 咱振态52與54的短路端U4盥u 成之直接耦合電容）來&岳 斤形 …， 來控制垓耦合。如果有需要，架椹♦戌 (並無顯示於圖4) 包感 言皆振器54之間了 於第一個譜振器52以及第二個 糟以控制5亥耦合，如以下所說明。 合可=個諧振器52以及第二個諸振器Μ之間的輕 寻圖4的濾波器詮釋為一種且# 通濾波器。特別的3 ^ 八有相對較寬頻寬之帶 個極點以及第器可以具有充分間隔的第- ‘…第二個極點，藉以產生預定之頻寬，例如一千 '、之颈寬。如果有需要，則由 _ 肉：细从^ 4田y、猎由並聯電感即能夠貢 合，因此可以產生-種即為寬頻帶之BpF。 直接搞合電容器（Cd)72之電極可以存在於疊層〇4上。 可以將直接輕合雷玄哭$ ββ λα , 。 電極視為兩個串聯電容之 =個節點，其中一個由第—個輸入/輸出電容器電極 (Ce2)66所形成而另一個則由第二個輸入/輸出電容器電極 (Ce2)66 所形成。 ％ r 第-個輸入/輸出電容器電極心1)62以及第二個輸入/ 輸出電容器電極（Ce2)66可以存在於疊層Q5上。這歧電極 產生之電容器同樣也是已知的”激勵，，或者”傳輸” 容器，而且各個皆可能以疊I %上的電極產生 18 1379534 直接耦合電容器（Cd)可以形成於疊層4上的電極72以 及疊層5上的I/O電極62與66之間。可以藉由調諧直接 耦合電容器（Cd)72來實現BPF之衰減極點頻率控制。同樣 . 也可以在圖5所敘述的等效電路上看到直接耦合電容器 (Cd)72之實現，其中將第一個輸入/輸出電容器電極以及第 二個輸入/輸出電容器電極表示為第一個輸入/輸出電容器 (Cel)62以及第二個輸入/輸出電容器（Ce2)66之部分。 由於諧振器疊層（疊層03)可以是一種厚介質薄板，因 ® 此直接耦合電容器（Cd)72便有可能會不干擾到第一個諧振 器52以及第二個諧振器54之間的内部耦合。如圖4所示， . 介質薄板疊層03可以比其他之疊層為厚。（Cd)72之調諧 可控制頻帶外之衰減極點頻率，而不會影響第一個諧振器 5 2以及第二個諧振器54之内部耦合。所以，衰減極點的 控制並不需要仰賴内部之耦合。 第一個負載電容器電極（CL1)74以及第二個負載電容 器電極（CL2)76可以設置在疊層06之上。第一個負載電容 ® 器電極（CL1)74以及第二個負載電容器電極（CL2)76可以與 系統接地78形成第一個負載電容（CL1)以及第二個負載電 容（CL2)。在適當地按尺寸製作負載電容器CL1與CL2之 ' 時，能夠調整I/O電容器之數值於廣泛之範圍。第一個負 - 載電容器電極以及第二個負載電容器電極同樣也顯示於圖 5，分別為第一個負載電容器（CL 1 )74以及第二個負載電容 器（CL2)76之部分。第一個負載電容器電極以及第二個負 載電容器電極可電容性地耦合至接地78，如圖中的疊層07 19 1379534 '丁'統接地以及圖5中的接地所示的。 々 〇7可以貫現於第一個負載電容器電極（CL 1)74以 第個負载電容器電極（CL2)76所實現的頂部表面上之 .婦質薄板底部上。疊層07可以包含系統接地78以及 .^入/輸出接點64與68。負載電容器74與％可縮短谐振 為52或54之實體長度。由於負載電容器了彳與？^可以存 在方、個別分離的介質表面上，因此能夠將總諧振器長度以 鲁及負載電容器尺寸最佳化，藉以設計出最佳的BPF尺寸。 =〇 1容器電極62以及66(在疊層〇5上）同樣也可以透過 貫孔電感器（此可以透過洞孔i 18與u〇來實現之，乃至於 '透過疊層〇5所相應之洞孔）連接至I/O端子接點64以及68 -在疊層〇7上，此可以位於介質疊層〇6之底側）。這些貫孔 •电感器表示為圖5中的Lei以及Le2。 疊層上的系統接地同樣也可以透過諸如在短路端 1 16疊層〇3的一個洞孔以及可以形成並聯電感之洞孔56·6〇 φ 之貫孔，而電感性地耦合至疊層02上的第一個諧振器52 以及第二個諧振器54之近側端114與116，在此同樣也稱 為一種電感性之並聯諧振器耦合。將此種並聯電感表示為 圖5中的Le。 用以I聯諸振器之電感器内含物可以供給Bp?淚波之 ‘ 較大頻寬。為了設計低損失之濾波器，可以依據無載品質 因數之觀點’將請振器寬度最佳化。藉由改變其間之間隔， 便能夠控制第一個諧振器5 2以及第二個諧振器5 4之間的 電磁耦合，乃至於將之連接至系統接第78之貫孔電感。 20 h者移動諧振器52盥 ^ j., 〜4彼此更為靠近，其間的# 增加。由於電流處理 Θ稱合便會 # 35 限制，因此會有的限制為第_ ^ $ 振裔52可以多麼靠 ^個諧 氐7 迓笫—6白振窃54而之間尚有所門 為了設計寬頻帶之法 々厅間隔。 /虔-波器，藉由改變貫孔電片 116上貫穿疊犀μ从 又菱貝孔毛感（在短路端 ,^ 曰3的洞孔以及洞孔56-60中），便& 加額外的耦合。能夠^ )便犯夠附 ^ 4- ^ , 猎由將貫體串聯電感（並無顯示λ 於紐路端116上叠 πτ)附加 , θ 03中的洞孔以及洞孔56·60之言;?丨带

感，來實現額外的耗a， — 電 W4 / 口 並且精由將並聯電感（並無顯干、 附加至系統接地7 8 ’俑处釣分 ’、' …、、'、） 女^ 便此夠減低該總耦合量。因此，可w

有設計寬頻帶濾波考夕όΛ TU . 态之自由度，而不管電流處理之限制β 就此種型式之bpf 市」 糸構而^儘管電容性耦合也能夠包含， s白振器之間主要的*人 要的輕合可以是電感性、非電容性的。 在短路端116上聂_ 上噓層03中的洞孔以及洞孔56_6〇 聯電感可以提佯筮 μ μ 並 徒供第—個諧振器52以及第二個諧振器54之 間的搞合之較住如r 4丨

佳控制，因此供給BPF 3-dB岔點之間的間 隔之較佳控制。 山如圖4所不，第一個諧振器52可以具有一個透過短路 而U 6上豐層03中的洞孔以及洞孔56-60耦合至並聯電感 之短路翊1 1 4，而第二個諧振器54同樣也具有一個透過短 路而U 6上疊層03中的洞孔以及洞孔56-60耦合至並聯電 感之短路立而116。可以藉由⑴第一個諧振器52之短路端114 ，、第一個谐振器54之短路端丄1 6、以及⑴）系統接地Μ之 1的貝孔（穿過紐路端丨丨6上疊層〇3之洞孔以及穿過洞孔 56-60)來實現電感性耦合。 21 根據本發明並刑音 /、t只知例之濾波器包含至少並中一 ⑷貫孔（穿過短路端上1i/r a、甲個的 16疊層〇3令之洞孔與洞孔56-60、 以及（b)實體的電感，語 60) 孔來接# < " 〇 —個電感器。例如，能夠使用貫 4- ^ , 乂及可以包含各個諧振器52和54

短路端114盥116的铲 ^ M 要額外的電感，例如；:=大的=路徑。如果判斷需 體的電感(並無顯示)來頻寬之時，則能夠以實 包含-個諸如疊層。3::慮波器的電感。此遽波器可以 及笛, $層，其具有第一個譜振器52以 及弟二個諧振器54， 派。。W以 代的0仏* ;貫體的電感（並無顯示）。可替 代的疋，此濾波器可 』朁 器52以及笛,b匕3诸如疊層03具有第一個諧振 及第—個諧振器 04 4之第個疊層、以及諸如疊層 外具有貫體電感（並盔顯 $且層 有估田"員不於圖’但可以附加至疊層〇4 .力 有使用到的區域並且輕人 武層04，又 層。 &合至末端114肖叫之第二個疊 如果有所需要，可 層〇3的第—個疊>之上，第一個言皆振器52實現於諸如疊 第二個疊層之上(通常要充：：將第二個譜振器54實現於 c ㊉要充分A近以便直技为楚 52以及帛 。。 Μ Λ使置接在第一個諸振器 币一调δ白振|§ 54之間鋥报命成以> 將實體的兩；* & 之間楗仏电感性耦合）、以及可以 感（並益骷_、 ^現於弟二個疊層之上◎實體電 (艾無顯不)可以包含 頁體軍 如傳導性陶Ή傳傳導性材質，諸 預定條件下實施傳導之主動構件。戈者^包含-種能在 同樣也可以實施前述實 a 之精神。例如，直拯. 變體而不运反本發明 直接麵合電容器72(於圖5中)之Cd電容 22 任何一個疊層上，或者並聯'串聯'或任意組 合至電容外尚能進-步連接之端=2了以具有除了直接輕

=本發明之—實施例，遽波器可以包含—種薄片介 “。波益。缚片介f滤波器可以較便宜且極為小型地建構 之。然而，所要察知的是，根據本發明實施例 器可能並非薄板介質滤波器。薄片介質濾波器可以允= 電容器以預定疊層上的第一個金屬極板以及第二個金屬極 ==者來貫現之，或者以第—個疊層上的第一個金屬極板 與第二個疊層上的第二個金屬極板來實現之。藉由允許電 感性路徑延伸於疊層之間而至系統接地，可垂直於如此疊 層以及金屬極板的貫孔便能夠提供此電感。同樣的是，根 據本發明之實施例，第一個諧振器52以及第二個諧振器54 各個皆可以包含橫向電磁模式（TEM)之諧振器。然而，如 果有所需要’實體的電感可以實現於疊層之上或者之内，

諸如藉由傳導性線圈。 圖6為根據圖4與圖5實施例的BPF傳輸以及反射量 對頻率之座標圖。第一個極點132提供大約58dB左右的 农減，而第二個極點134則提供超過30dB的衰減。30dB 的抑制量有助於鄰近頻帶之分隔。同樣也能夠看出接近 30dB之反射抑制量。 圖7為根據本發明第二個實施例之BPF立體分解圖。 本發明第二個實施例不同於第一個實施例的是，其中兩個 透過洞孔156-160以及156A-160A所實現之貫孔，而並非 23 1379534 個可以連接邊層〇3的諧振器丨52以及i 54至疊層〇7 勺系、克接地17 8。穿過洞孔！ 56_ j 6〇之貫孔可以接續至第 —個言皆振II 152之短路端（近側端），而穿過洞孔i56ai6〇a 之貝孔可以接續至第二個諧振器i 54之短路端(近側端）。 附加穿過-個或者多個貫孔的電感器可以允許較小的電感 耦口至帕振窃1 52以及i54 ,並且因而能夠減少諧振器】 以及154之間的内部耦合。 圖7的實施例相似於圖4之實施例，可以由複數個疊 層所組成。鈍度疊層32B可以實現於疊層〇ι之上，浮動 接地34B可以實現於疊層〇2之上、而系統接地Μ則可 以實現於疊層07之上。帶㈣振器BpF可㈣置於_ 接地平面之間，亦即疊層〇2以及疊層〇7。tem四分之— 波長譜振器之圖樣（此後稱為第—個請振胃152以及第二個 諧振器154)可以設置於疊層〇3之介質薄板上。相似於圖4 错振器的是，® 7的第—個諧振器152以及第二個譜振器 154各個皆可以具有一個相對於較小磁場該電場可以較大 之末梢端110Α(亦即，開路端），以及一個相對於較小電場 該磁場可以較大之近側端112Α。諧振器的近側端ιΐ2Α: 以連接在一起並且透過貫孔電感器之電感㈣終结於系統 接地178,此貫孔電感器可以透過近側端112八上的疊層ο/ 中之洞孔以及透過洞孔156_16〇與156A16〇A來實現^， 參照疊層07說明於下。熟習該項技術者會了解到圖7的 概要圖示（以及圖8與9)相似於圖4已顯示的，因而不 顯示之。 ##合電容器（Cd)172之電極可以堆積於疊層04之 /二一個輸入/輸出電容器電極(ce1)162以及第二個輸入 幸刖出：电極（Ce2) 166可以堆積於聂s Λ 〇 算檟於疊層05之上。第-個負載 以及第二個負載電容器電極（cL2)i76 可以存在於疊層06之上。疊層〇7可以實現於介質薄板之 底部表面上，而第一個負載電容器電極(cli)i74以及第二 個負載T容器電極（CL2)176則可以實現於此相同的介質薄 板上A層07不僅可以包含系統接地1 78，同樣也包含輸 入/輸出接.點164與168。在本發明的第二個實施例中，疊 層的系統接地178可以透過由貫孔洞孔i56i6〇與 156-160A以及透過疊層〇3相應的洞孔所實現之貫孔耦合 至諧振器152與154,藉以提供額外的電感。 圖8為根據本發明第三個實施例之BpF立體分解圖。 本發明第三個實施例不同於第一個實施例的是，其中實體 的電感200可以實現於疊層〇5之上。實體電感2〇〇可以 允許較大的電感耦合至諧振器252與254，並且因而能夠 增加諧振器252與254之内部耗合。 相似於圖4與圖7的實施例，圖8的實施例可以包含 複數個疊層。鈍度疊層32C可以實現於疊層〇 1之上，浮 動接地34C可以實現於疊層02之上，而系統接地278則 可以實現於疊層07之上。可以將帶線諧振器BPF設置於 兩個接地平面之間’亦即疊層〇2以及疊層07。TEM四分 之一波長諧振器之圖樣（此後稱為第一個諧振器252以及第 二個諸振器254)可以設置於疊層〇3之介質薄板上。相似 25 1379534 於圖4諧振器的是，圖s沾贷 。。 疋® 8的第一個譜振器252以及第二個 s皆振窃2 5 4分別且右相斜於& ，、有㈣於U、磁場該電場可讀大之末 梢k 2 1 0與2 1 2、以及相對於龢，你 ί ;車父小電場該磁場可以較大之 近側端2 1 4與2 16。增ijF哭？ ς ο rta 。白振裔252與254的近侧端214與216 可以連接在一起並且透過貫孔雷 _ 、 電感益之電感（Le)終止於系 統接地2 7 8，此貫多|雷片55 7 匕貝孔電感益可以透過疊層〇3中之洞孔、洞 孔25 6、實體電感器2〇〇、 /j主歹、瑩層05中的洞孔、以及 洞孔2 6 0來實現之，說明於下。 可以將直接耦合電容器(Cd)272之電極堆積於疊層 之上。可以將第一個輸入/輸出電容器電極（Cel)262以及第 二個輸入/輸出電極（Ce2)266堆積於疊層Μ之上。可以將 第-個負載電容器電極（⑶）274以及第二個負載電容器電 :(:12)276置定於疊層06之上。可以將疊層07實現於介 貝；I板之底部表面上’而第―個負载電容器電極（⑶叩4 以及第二個負載電容器電極（C12)276則可以實現於此相同 的介質薄板上。疊層〇7不僅可以包含系統接地Μ，同樣 也I 3輸入/輪出接點264與268。在本發明的第三個實施 例中，疊層07的系統接地278可以透過疊層05上的實體 電感200輕合’藉以增加譜振器⑸以及254之間的總内 部柄合。 圖9為根據本發明第四個實施例之BpF立體分解圖。 本發明第四個實施例不同於第三個實施例的是，其中實體 的電感300不僅可以實現於疊層〇5之上（如同圖8的實施 例）’尚可使諧振器、352 # 354筆直化。筆直化的請振器说 1379534 與354可以允許諧振器352與354之間較大的内部耦八。 相似於圖4、_7、以及圖8的實施例，圖9的實施例 可以包含複數個之疊層。可以將鈍度疊層32D實現於疊層 01之上，浮動接地34D可以實現於疊層〇2 〜工，而糸統 接地378則可以實現於疊層07之上。帶線譜振器㈣可 以存在於兩個接地平面之間，亦即疊層〇2以及疊層〇7。 可以將TEM四分之一波長譜振器之圖樣（此後“I個 諸振器352以及第二個諧振器354)設置於疊層〇3之入質 薄板上。相似於圖4諸振器的是，圖9的第-個諸振器 以及第二個_器354分別具有相對於較小磁場該電場可 以較大之末梢端310與312、以及相對於較小電場該磁場 可以較大之近側端314與316。譜振器352與354的近側 端3M與316可以連接在一起並且透過貫孔電感器之電感 ㈣終止於系統接地378，此貫孔電感器可以透過疊声03 中之洞孔、洞礼356、實體電感器3〇〇、疊層〇5中的洞孔、 以及洞孔360來實現之。 可以將直捿耦合電容器(Cd)372之電極堆積於疊層 之上。可以將第一個輸入/輸出電容器電極心以及第 二個輸入/輸出電極（Ce2)366堆積於疊層〇5之上。第一個 =電容器電極(C11)374以及第二個負載電容器電極 介柄/6可以存在於疊層G6之上。可以將疊層〇7實現於 =反之底邹表面上，而第一個負載電容器電極(C11)374 個負裁電容器電極（c12)376則可以實現於此相同 ”貝薄板上。疊層07不僅可以包含系統接地378，同樣 27 1379534 也包含輸入/輸出接點364與368 興。在本發明的第四個實施 例中，疊層〇7的系統接地 、 『以透過豐層05上的實體 %感300搞合’提供額外的雷片 # )電感，稭以增加諧振器352以 及3 5 4之間的總内部耦合。

圖10為根據本發明第五個實施例之卿立體分解圖。 圖11為圖1G實施例的等效電路之電氣示意圖。本發明第 五個實施例不同於第四個實施例的是，其中可以附加一個 額外的譜振器.BPF可以包含三個（或者更多）之諸振器 ，。譜振器45CM54可以是三個四分之—丽模式之言皆振 器。可以將諧振器450-454之短路端414_416連接在一起， 亚且之後透過貫孔電感器之電感接地，此貫孔電感器可以 經由洞孔456-460以及經由疊層〇3至近側端416之洞孔來 實現之。各個諧振器450-454可以筆直化，藉以增加諧振 器450-454之間的耦合連結。同樣的是，可以將三個負載 電容器電極474-476置定於疊層〇6之上。 相似於圖4、圖7、圖8、以及圖9的實施例，圖！ 〇 的實施例可以包含複數個疊層。可以將鈍度疊層32E實現 於疊層0 1之上，可以將浮動接地34E實現於疊層〇2之上， 而系統接地478則可以實現於疊層〇7之上。儘管圖1 〇的 帶線諧振器BPF可以包含三個（或者更多）之諧振器45〇_ 454 ’而非兩個，仍然可以將帶線諧振器bpF設置於兩個 接地平面之間，亦即疊層02以及疊層07，而且可以將譜 振器45 0-454筆直化。可以將TEM四分之一波長諧振器之 圖樣（此後稱為第一個諧振器452、第二個諧振器454、以 28 1379534 及第三個諧振器450)設置於疊層03之介質薄板上。相似 於圖4諧振器的是，圖1〇的第一個諧振器452、第二個諧 振器454、以及第三個諧振器45〇具有相對於較小磁場該 電場可以較大之末梢端41〇·412、以及相對於較小電場該 磁場可以較大之近側端414_416。諧振器45〇_454的近側 端“4-4“可以連接在一起並且透過貫孔電感器之電感⑽ 終止於系統接地378，此貫孔電感器可以透過疊層〇3中之 洞孔、以及透過洞孔456_46〇來實現之，說明於下。 可以將直接輕合電容器（Cd)472之電極堆積於疊層〇4 之上。可Μ將第一個輸入/輸出電容器電極（㈤）咐以及第 二個輸入/輸出電極（Ce2)466堆積於疊層〇5之上。可以將 第-個負载電容器電極(cu)474、第二個負載電容器電極 (C12)476、以及第三個負載電容器電極（⑶）π置定於疊 層〇6之上。疊層07可以實現於-介質薄板之底部表面上， 而第一個負載電容器電極（cu)474、第二個負載電容器電 極（C12)476以及第二個負載電容器電極（⑶）⑺則可以 實現於此相同的介質薄板上，〇7不僅可以包含系統 接地478,同樣也包含輸入/輸出接點似與糊。在本發 明的第五個實施例中，疊層〇7的系統接地478可以透過 一個可以延伸穿過疊層〇3中的洞孔並且穿過所相應的洞 孔456-460之貫孔電感來實施輕合，藉以增加聽器45〇_ 454之間的總内部麵合。外加的諧振器450可以與諸振器 454 JL如應„玄察知的是，此一外加諧振器同樣也可以能 夠用來精製濾波器電氣性能體現之耦合來附加之。 29 參昭 If! 1 1 , Λ·/. 。。 …、 弟—個負載電容器電極、第二個負載電容 器電極、以及證一 二個負載電容器電極各個皆可以電容性耦 >〇" 异车 iij 47 8 ’形成並聯負載電容器（C11)474、（C12)476、

带及（C13)475。如同前述，在疊層05上，可以有兩個I/O 笔容器端子469 rt ，、466，各個皆可以電感性耦合至疊層07 上的I/O接點464與468。 個册如别述的貧施例’疊^ 07上的系統接地478可透過—

、私感丨生轉合至第一個諧振器452、第二個諧振器 454、以及第三 U 4振态450之近側端，此貫孔可延伸穿 過疊層03上的、、m 洞孔與洞孔456-460，形成一個並聯電感， 此同；^羡^7彳禹^ '、、一種電感性並聯諧振器耦合。此並聯電感 .'員示為圖π之Le45〇。 以 ^I的貝知例中，包含電感器用以並聯諧振器而5 1個内。㈣合之較佳控制，並且供給BPF濾波所月 <·車父大頻賞。氣^

質B叙」·’、、設計低損失之濾波器，可以依據無載占 p 之觀點’將諧振器寬度最佳化。藉由改變其間之Π % ’便能夠控制喈枳哭夕M U ' · 至系統接地之貫孔；:的電磁耗合，乃至於將之連接 其間 电感。隨著移動諧振器彼此更為靠近， 將 ：連結便會提升。由於電流處理之限制，因此可 -遽二=量：，振器之間。然為了設計寬頻帶 耦合量。能二“貝:L電感之數值，便能夠增加額外的 領外的耦合量；：：：體串聯電感於貫孔電感，來實現 夠減低該-…Γ附加並聯電感至系統接地，便能 ，-舞…因此，具有電流或未來處 30 :頻t濾波器自由度可以實現。就此種型式之猶架構而 二可1二：：性耦合也能夠包含，然諧振器之間主要的耦 ° 乂疋電感性而非電容性的。 匕工％电感可以提供諧振器之間耦合的較佳控制，因 /、- BPF 3-dB岔點之間的間隔之較佳控制。 圖12為根據本發明第一個說明實施例顯示因内部 致的關係之座標圖，亦即該3-dB頻寬隨著並聯電 ::’文化而變化。圖12座標圖標示為s(i，2)之第一條轨跡 顯示對0_2nH並聯電感之BpF傳輸損失。藉由增加並 %笔感’便能夠增加濾波器的頻寬。 圖12座標圖標示為s(3,4)之第二條軌跡53〇顯示對 並耳外電感之BPF傳輸損失。藉由並聯電感從〇·2ηΗ 玲加至〇·3ηΗ，便能夠增加濾波器的頻寬。 圖12座標圖標示& s(5,6)之第二條執跡55〇顯示對 悔 並耳外電感之BPF傳輸損失。隨著並聯電感從〇·2ηΗ 至〇.3ηΗ並且之後增加〇 4ηΗ，便能夠進一步地增 加濾波器的頻寬。 ^圖1 3為根據本發明第一個說明實施例顯示因直接耦合 =容（cd)變化所致的關係之座標圖。圖13座標圖標示為 S(L2)之第一條軌跡610顯示對O.lpF直接耦合電容之BPF 。、輪損失。敘述傳輸器内損失之傳輸損失對2.〇GHz之信 虎可以具有大約28dB之抑制量，而且該傳輸損失可以具 有—個在大約285GHz左右的衰減極點（大約46犯之抑 制傳輸信號在通帶之内可以具有非常小的抑制量，特別

丄 J 是在大約4.25GHz啟lc 會有非常強健的抑制：他之間。因此’在寬頻帶之外 量’產生極為有效之Bp:。在頻在之内則有非常小的抑制 圖13座標圖標干 、為S(3,4)之第二條轨跡630顯干對 0.1 5PF直接耦合電交 俅軌跡631)顯不對 外部並不具有甚大之C::。輪損失。傳輪損失在通帶之 630 ^ ± PF傳輸知失。相較於執跡010與 ㈣之：性’其於通帶之外部具有甚小的抑制量。 圖13因而顯示藉由 衰減極點與其他特性。义直接耗合電容來改變刪的 疋故對無線-LAN(區域纟胃$ 1 g 言，已經顯示—種…J，.罔路)及/或其他通信系統而 BPF。低於产 、載品質因數之低輪廓多層介質 BPF。低輪層介f 以及可以將之一起燒製，夢以；成、f數層之細薄介質薄板 應該察知的是，前面僅… —個主體之電極層。 中疋電感性耦合並聯諧振器耦合之其 中一個靶例，而其他的實施 m夕μ 頁㈣與叹汁乃是可行而不致違反 二=神。例可以附加額外的譜振器，或者可以 :加::電容器或電感器之額外被動構件，藉以進- 乂塑泣忒通帶。再者，複數個Β — 架構之内。其他型式的…，諸：以貫現於共同的整體 。。、 '的/慮，皮盗諸如低通濾波器、帶拒濾 :二 通據波器、乃至於具有複數個頻帶之滤波器 在本毛明的範疇之内同樣也可以實現之。 【圖式簡單說明】 32 1379534 圖1為根據美國專利第 式所習知的薄片介質帶通濾 圖。 6,〇2〇,799號所說明之實現方 波器（“BPF”）架構之立體分解 圖2為圖1介質BPF架構之等效電路。 圖3顯7F兩個傳輸特性模擬結果之座標®，以為改呈 介質濾波器通帶近處衰減量之用。 13 圖4為根據本發明第一個實施例的帶通遽波器組 立體分解周。 u

圖5為圖4帶通濾波器組態之等效電路。 圖6為帶通濾波器傳輸與反射特性對頻率之座標 圖。 丁 圖7為根據本發明第二個實施例的帶通濾波器組態之 立體分解圖。 、^ 圖8為根據本發明第三個實施例的帶通濾波器組態之 立體分解圖。 、u 圖9為根據本發明第四個實施例的帶通濾波器組態之 立體分解圖。 ~ 圖1 〇為根據本發明第五個實施例的帶通濾波器組態之 立體分解圖。 圖1 1為圖10帶通濾波器組態之等效電路。 圖1 2為根據本發明第一個實施例顯示在帶通濾波器中 改變並聯電感影響之座標圖。 圖1 3為根據本發明第一個實施例顯示在帶通濾波器中 改變直接耦合電容（Cd)影響之座標圖。 33 1379534

【主要元件符號說明】 01-07 疊層 1 Oa-e 厚介質薄板 11a 帶線諧振器電極 lib 帶線諧振器電極 12a 第一個電容器之電極 12b 第一個電容器之電極 13a 防護電極 13b 防護電極 14a 輸入端子 14b 輪出端子 15a 接地端子 15b 接地端子 16 接地電極 17a 傳輸線 17b 傳輸線 18a 傳輸線 18b 傳輸線 19 負載電容電極 20 耦合電容電極 21 輸入端子 22 輪出端子 23 輸入耦合電容器 24 輸出耦合電容器 34 1379534 26 負載電容（CL) 27 負、載電容（CL) 28 中間級耦合電容（Cc) 32A 鈍度疊層 32B 鈍度疊層 32C 鈍度疊層 34A 浮動接地 34B 浮動接地 34C 浮動接地 52 平面TEM模式帶線諧振器 54 平面TEM模式帶線諧振器 56-60 貫孔之洞孔 62 I/O電容器金屬極板（第一個輸入/輸出電容器 電極（Ce)) 64 I/O接點 66 I/O電容器金屬極板（第二個輸入/輸出電容器 電極（Ce2)) 68 I/O接點 72 直接耦合電容器（Cd) 74 負載電容器金屬極板 76 負載電容器金屬極板 7 8 接地金屬極板 82-88 貫孔之洞孔 92-106貫孔之洞孔 35 1379534 110 末梢端（開路端） 112 末梢端（開路端） 1 12A 近側端 1 14 短路端 116 短路端 118 貫孔之洞孔 120 貫孔之洞孔 132 第一個極點

134 第二個極點 CL1 並聯負載電容 CL2 並聯負載電容 152 第一個諧振器 154 第二個諧振器 156-160 洞孔 156A-160A 洞孔 162 第一個輸入/輸出電容器電極（Cel)

166 第二個輸入/輸出電極（Ce2) 172 直接耦合電容器（Cd) 174 第一個負載電容器電極（CL1) 176 第二個負載電容器電極（CL2) 178 系統接地 200 實體電感 210 末梢端 212 末梢端 36 1379534

214 近側端 216 近側端 252 第一個諧振器 254 第二個諧振器 256-260 洞孔 262 第一個輸入/輸出電容器電極（Cel) 266 第二個輸入/輸出電極（Ce2) 272 直接耦合電容器（Cd) 274 第一個負載電容器電極（CL1) 276 第二個負載電容器電極（CL2) 278 系統接地 300 實體電感 310 末梢端 312 末梢端 314 近側端 316 近側端 352 第一個諧振器 354 第二個諧振器 356-360 洞孔 362 第一個輸入/輸出電容器電極（Cel) 366 第二個輸入/輸出電極（Ce2) 372 直接耦合電容器（Cd) 374 第一個負載電容器電極（CL1) 376 第二個負載電容器電極（CL2) 37 1379534

378 系統接地 400 實體電感 410 末梢端 412 末梢端 414 近側端 416 近側端 450 第三個諧振器 452 第一個諧振器 454 第二個諧振器 456-460 洞孔 462 第一個輸入/輸出電容器電極（Cel) 466 第二個輸入/輸出電極（Ce2) 472 直接耦合電容器（Cd) 474 第一個負載電容器電極（CL1) 475 第三個負載電容器電極（C13) 476 第二個負載電容器電極（CL2) 478 系統接地 38

Claims (1)

1379534 ^ ___ ----— ^ 101年3月；19.日修正替換頁 十、申請專利範圍： —————— ·- 1. 一種帶通濾波器，包含： 第一個諧振器及第二個諧振器，該兩者形成於第一介 電層上； 直接耦合電容器，其形成於第二介電層及第三介電層 上’其中該帶通濾波器的衰減量受控於該等直接耦合電容 器； 並聯電感，其延伸通過該第一介電層 及第三介電層；以及 第一個諧振器與第二個諧振器之間的耦合連結，該耦 合連結係受控-於下列至少之一⑴第—個諸振器與第二個错 振器之間的間隔、以及(ii)耦合至該耦合連結之並聯電感。 2·如申請專利範圍第丨項之帶通濾波器，其中： 第個°自振益具有耗合至並聯電感之第一個末端； 及第個°自振裔具有耦合至並聯電感之第一個末端；以 個^立於（i)第 一個末端以 此並聯電感包含— h與苐一個譜·振器之第 體。 一個諧振器之第—個末 及（π)系統接地之間的導 ，其中，導體包 ’其中，濾波器 甲封專利範圍第2項之帶通滅 含⑴貫孔以及（ii)實體電感之至少一項* 4·如申請專利範圍第1項之帶通濟 包含一個薄片介質濾波器。 5.如申請專利範圍第 2項之帶通濾波器’其中，第一個 39 Ϊ379534 言皆振器包含第一個TEM諸振器’第二；二個 ΤΕΜ t皆振器’而第一個諧振器之第一個末端輕合至第二個 諧振器之第一個末端。 6.如申請專利範圍第2項之帶通濾波器，其中，導體包 含至少一項⑴複數個貫孔以及（ii)實體電感器:至少一項二 7 · —種爐、波器，包含： 濾波裝置，用以通過預定頻帶之内的信號，此濾波裝 置包含第-個諧振器裝置與第二㈣振器裳置，該兩者裝 置形成於第一介電層上； 直接搞合電容裝置，其形成於第二介電層及第三介電 層上’其中該慮波器的衰減量受控於該直接輕合電容裝置； 並聯電感裝置，其延伸通過該第一介電層、第二介電 層、及第三介電層；以及 位於第-個譜振器裝置與第二個諸振器裝置之間的耗 合裝置，此相合農置包含至4、•而丨Ts / · \ «Γ 匕3主^下列一項⑴第一個諧振器裝 置與第二個諧振器裝W„ ffs ^ 衣置之間的間隔、以及（ii)耦合至該耦合 裝置之並聯電感裝置。 8.如申請專利範圍第7項之濾波器，其中： 第一個諧振器萝罢^ 衮置，、有耦合至並聯電感裝置之第一個 末端； 第二個諳振器裝罟呈古&人s λ 衣罝具有耦合至並聯電感裝置之第一個 末端；以及 此並聯電感裝置包含— 息G 3 個位於（0第一個t皆振器裝置之 第一個末端與第二個罐供哭壯$ >故 °白振益裝置之第—個末端以及（ii)系統 40 1379534 _ 101年3月19日修正替換頁 接地裝置之間的導體裝置。 9.如申請專利範圍第8項之濾波器，其中，該導體裝置 包含至少下列一項⑴貫孔裝置以及（Π)實體電感裝置。 . 1 0.如申請專利範圍第7項之濾波器，其中，濾波器包 含一個薄片介質濾波器。 1 1.如申請專利範圍第8項之濾波器，其中，第一個諧 振器裝置包含第一個TEM諧振器，第二個諧振器裝置包含 第二個TEM諳振器，而第一個諧振器裝置之第一個末端耦 合至第二個諧振器裝置之第一個末端。 1 2.如申請專利範圍第8項之濾波器，其中，導體裝置 包含下列至少一項⑴複數個貫孔裝置以及（Π)實體電感裝 置。 十一、圖式： 如次頁 41