JP2004320556A - 受動部品 - Google Patents
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Abstract
【課題】実装エリアの縮小、高周波技術を不要とした設計が可能で、例えば半導体部品と接続してモジュールを構成した場合の該モジュールの小型化並びにコストの低減を図れるようにする。
【解決手段】受動部品10は、誘電体基板12内に2つの共振器を有する非平衡入力型のフィルタ部と、非平衡入力を平衡出力に変換する変換部16とが形成されている。そして、変換部16の出力段には、第1の引出し電極による第1のインダクタンス成分L1と、第1の容量電極による第1の容量成分C1と、第2の引出し電極による第2のインダクタンス成分L2と、第2の容量電極による第2の容量成分C2とを有するインピーダンスマッチング回路90が接続された形を有する。
【選択図】図3
【解決手段】受動部品10は、誘電体基板12内に2つの共振器を有する非平衡入力型のフィルタ部と、非平衡入力を平衡出力に変換する変換部16とが形成されている。そして、変換部16の出力段には、第1の引出し電極による第1のインダクタンス成分L1と、第1の容量電極による第1の容量成分C1と、第2の引出し電極による第2のインダクタンス成分L2と、第2の容量電極による第2の容量成分C2とを有するインピーダンスマッチング回路90が接続された形を有する。
【選択図】図3
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、数百MHz〜数GHzのマイクロ波帯において共振回路を構成する積層型誘電体フィルタ等を含む受動部品に関し、通信機器や電子機器の小型化を有効に図ることができる受動部品に関する。
【0002】
【従来の技術】
近時、IC等の半導体部品の高集積化が進み、半導体部品自体の小型化も急速に進んでいる。これに伴い、半導体部品の周辺に使用されるフィルタ等の受動部品も小型化が進んでいる。また、受動部品の小型化には、誘電体基板を使用した積層型誘電体フィルタが有効である(例えば特許文献1及び2参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開2002−280805号公報(図1、図9)
【特許文献2】
特開2002−261643号公報(図1、段落[0021])
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、図5に示すように、受動部品200を半導体部品202の入出力部に接続する場合、反射特性等を考慮してインピーダンス整合が必須となる。
【0005】
平衡入出力部を有する半導体部品202の入出力インピーダンスは、50オームや100オーム等の実部(レジスタンス成分)のみだけではなく、虚部(リアクタンス成分)が含まれている特性のものもある。
【0006】
従って、受動部品200をこのような半導体部品202に接続する際には、受動部品200と半導体部品202との間に、インダクタやキャパシタで構成されたインピーダンスマッチング回路204を挿入接続する必要があった。
【0007】
しかしながら、上述のようなインピーダンスマッチング回路204を挿入接続すると、受動部品200と半導体部品202を含むモジュール206全体の実装エリアが大きくなる。しかも、外付けによってインピーダンスマッチング回路204を作製する場合、予め回路定数が決められた数種のインダクタやキャパシタから必要なインダクタやキャパシタを選んで設計する必要がある。即ち、高周波設計技術が必要になり、設計製造にかかるコストが高くなる。
【0008】
このようなことから、従来の受動部品200においては、半導体部品202等と接続してモジュール206を構成した場合の該モジュール206の小型化やコスト低減に限界が生じるという問題がある。
【0009】
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、実装エリアの縮小、高周波設計技術を不要とした設計が可能で、例えば半導体部品と接続してモジュールを構成した場合の該モジュールの小型化並びにコストの低減を図ることができる受動部品を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る受動部品は、複数の誘電体層が積層されて構成された誘電体基板と、前記誘電体基板に形成されたアース電極と、前記誘電体基板内に形成された1以上の受動回路部と、前記誘電体基板内に形成され、かつ、外部回路の入出力インピーダンスと整合をとるためのインピーダンスマッチング回路とを有する。
【0011】
これにより、本発明に係る受動部品を例えば半導体部品に接続してモジュールを構成する場合に、受動部品と半導体部品との間に別途インピーダンスマッチング回路を挿入接続する必要がない。
【0012】
その結果、受動部品を含むモジュールの実装エリアの縮小を図ることができ、しかも、高周波設計技術を不要とした設計が可能となる。従って、上述のように本発明に係る受動部品を半導体部品に接続してモジュールを構成した場合の該モジュールの小型化並びにコストの低減を有効に図ることができる。
【0013】
しかも、本発明に係る受動部品に含まれるインピーダンスマッチング回路は、50オームや100オーム等のレジスタンス成分のみを含むインピーダンスとの整合のほか、レジスタンス成分とリアクタンス成分を含むインピーダンスとの整合も行うことができる。
【0014】
前記インピーダンスマッチング回路は、前記1以上の受動回路部のうち、出力段の受動回路部に接続されていてもよい。
【0015】
また、前記インピーダンスマッチング回路は、前記出力段の受動回路部と出力端子との間に形成されたストリップラインと、該ストリップラインと前記アース電極との間に形成された容量電極とを有するようにしてもよい。
【0016】
この場合、ストリップラインの長さや引き回し状態によってインピーダンスマッチング回路のインダクタンス成分を調整することができ、容量電極の面積や該容量電極とアース電極間の誘電率の変更等によってインピーダンスマッチング回路の容量成分を調整することができる。
【0017】
そして、本発明においては、例えば誘電体基板内に2つの受動回路部が形成され、前記2つの受動回路部のうち、1つの受動回路部は非平衡入力型のフィルタ部であり、前記出力段の受動回路部は、非平衡−平衡変換部である場合に好適である。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る受動部品の実施の形態例を、図1〜図4を参照しながら説明する。
【0019】
本実施の形態に係る受動部品10は、図1に示すように、複数の誘電体層(S1〜S14:図2参照)が積層、焼成一体化されて構成された誘電体基板12を有する。
【0020】
誘電体基板12は、図2に示すように、上から順に、第1の誘電体層S1〜第14の誘電体層S14が積み重ねられて構成されている。これら第1〜第14の誘電体層S1〜S14は1枚あるいは複数枚の層にて構成される。
【0021】
誘電体基板12内には、フィルタ部14と非平衡−平衡変換部16(以下、単に変換部と記す)とが形成されている。
【0022】
フィルタ部14は、2つの1/4波長の共振器(入力側共振器18及び出力側共振器20)を有する。入力側共振器18は、第4の誘電体層S4の主面に形成された入力側共振電極22にて構成され、出力側共振器20は、同じく第4の誘電体層S4の主面に形成された出力側共振電極24にて構成される。
【0023】
また、第3の誘電体層S3の主面には、入力側共振電極22の開放端と対向する内層アース電極26と、出力側共振電極24の開放端と対向する内層アース電極28と、入力側共振器18と出力側共振器20間の結合度を調整するための結合調整電極30とが形成されている。
【0024】
この受動部品10は、第2の誘電体層S2、第6の誘電体層S6、第11の誘電体層S11、第13の誘電体層S13の各主面にそれぞれ内層アース電極32、34、36及び38が形成され、第12の誘電体層S12の主面にDC電極40が形成されている。
【0025】
また、この受動部品10は、図1に示すように、誘電体基板12の外周面のうち、第1の側面12aに、それぞれ前記内層アース電極32、34、36、38、26及び28が接続されるアース電極42が形成されている。前記第1の側面12aと反対側の第2の側面12bには、それぞれ前記内層アース電極32、34、36及び38並びに入力側共振電極22及び出力側共振電極24の各一端(短絡端)が接続されるアース電極44が形成されている。
【0026】
誘電体基板12の第3の側面12cには、非平衡入力端子46とDC端子48が形成されている。非平衡入力端子46は、図2に示すように、リード電極50を介して入力側共振電極22に電気的に接続される。DC端子48は、図示しない外部電源からDC電圧が印加される端子であって、リード電極52を介してDC電極40に電気的に接続されている。
【0027】
図1に示すように、第3の側面12cと反対側の第4の側面12dには、平衡出力端子54(54a及び54b)が形成されている。
【0028】
一方、図2に示すように、第5の誘電体層S5の主面には、出力側共振電極24と第4の誘電体層S4を間に挟んで重なる出力容量電極56が形成されている。
【0029】
第7の誘電体層S7の主面には、後述する変換部16の第1のストリップライン電極62の一端68をGND(この場合、第6の誘電体層S6の主面に形成された内層アース電極34)に対して容量結合するための容量電極58が形成されている。この容量電極58は、第6の誘電体層S6を貫通するビアホール60を通じて内層アース電極34に電気的に接続されている。
【0030】
第8の誘電体層S8の主面には、変換部16を構成する第1のストリップライン電極62が形成され、第9の誘電体層S9の主面には、変換部16を構成する第2及び第3のストリップライン電極64及び66が形成されている。
【0031】
第1のストリップライン電極62は、一端68と他端70とが互いに隣接し、かつ、一端68から他端70に向けてほぼ渦巻状あるいはほぼ蛇行状に形成され、ほぼ左右対称の形状を有する。
【0032】
第2のストリップライン電極64は、一端72から一方の平衡出力端子54aに向かってほぼ渦巻状あるいはほぼ蛇行状に形成された形状を有する。第3のストリップライン電極66は、一端74から他方の平衡出力端子54bに向かってほぼ渦巻状あるいはほぼ蛇行状に形成された形状を有する。これらの第2及び第3のストリップライン電極64及び66は、ほぼ左右対称に配置されている。
【0033】
また、第2のストリップライン電極64は、その途中から一方の平衡出力端子54aにかけてほぼ蛇行した形状(図示の例では、ほぼL字状)の第1の引出し電極76を有する。第3のストリップライン電極66は、その途中から他方の平衡出力端子54bにかけて蛇行した形状(図示の例では、ほぼL字状)の第2の引出し電極78を有する。
【0034】
第10の誘電体層S10の主面のうち、第1の引出し電極76と対向した位置に、前記一方の平衡出力端子54aに接続され、かつ、下層の内層アース電極36との間で容量を形成する第1の容量電極80が形成されている。また、第2の引出し電極78と対向した位置に、前記他方の平衡出力端子54bに接続され、かつ、内層アース電極36との間で容量を形成する第2の容量電極82が形成されている。
【0035】
第1のストリップライン電極62の一端68は、第5〜第7の誘電体層S5〜S7を貫通するビアホール84を通じて出力容量電極56と電気的に接続されている。第1のストリップライン電極62の他端70は、上述したように、第6の誘電体層S6の主面に形成された容量電極58を介してGND(この場合、内層アース電極34)に容量結合されている。内層アース電極34には、ビアホール84と絶縁をとるための領域、即ち電極膜が形成されていない領域が確保されている。
【0036】
第2のストリップライン電極64の一端72と第3のストリップライン電極66の一端74は、共に第9〜第11の誘電体層S9〜S11を貫通するビアホール86及び88を通じてDC電極40に電気的に接続されている。内層アース電極36には、ビアホール86及び88と絶縁をとるための領域、即ち電極膜が形成されていない領域が確保されている。
【0037】
このように、本実施の形態に係る受動部品10は、誘電体基板12内であって、かつ、図3に示すように、変換部16の出力段に、第1の引出し電極76による第1のインダクタンス成分L1と、第1の容量電極80による第1の容量成分C1と、第2の引出し電極78による第2のインダクタンス成分L2と、第2の容量電極82による第2の容量成分C2とを有するインピーダンスマッチング回路90が接続された形となる。
【0038】
これにより、図3に示すように、本実施の形態に係る受動部品10を例えば半導体部品92に接続してモジュール94を構成する場合に、受動部品10と半導体部品92との間に別途インピーダンスマッチング回路を挿入接続する必要がない。
【0039】
その結果、受動部品10を含むモジュール94の実装エリアの縮小を図ることができ、しかも、高周波技術を不要とした設計が可能となる。従って、上述のように受動部品10を半導体部品92に接続してモジュール94を構成した場合の該モジュール94の小型化並びにコストの低減を有効に図ることができる。
【0040】
また、通常、従来の外付けによるインピーダンスマッチング回路は、50オームや100オームのレジスタンス成分に対するインピーダンス整合を念頭に構成されている。従って、従来の外付けによるインピーダンスマッチング回路のインピーダンスの変化範囲は、例えば図4の曲線Aに示すように、例えば50オームのポイントを中心とした範囲となっている。
【0041】
しかし、図3に示すような平衡入出力部を有する半導体部品92においては、図4の曲線Bに示すように、レジスタンス成分のみだけではなく、リアクタンス成分が含まれた特性のものがある。
【0042】
このような半導体部品92に対しては、レジスタンス成分の整合のみを考慮した従来の外付けによるインピーダンスマッチング回路では、インピーダンス整合させることができない。
【0043】
これに対して、本実施の形態に係る受動部品10に内蔵させたインピーダンスマッチング回路90では、第1の引出し電極76及び/又は第2の引出し電極78の長さや引き回し状態によってインピーダンスマッチング回路90のインダクタンス成分L1及び/又はL2を調整することができ、第1の容量電極80及び/又は第2の容量電極82の面積や、これら第1の容量電極80及び/又は第2の容量電極82と内層アース電極36間の誘電率(第10の誘電体層S10の誘電率)の変更等によってインピーダンスマッチング回路90の容量成分C1及び/又はC2を調整することができる。
【0044】
従って、図4の曲線Cに示すように、半導体部品92のインピーダンスに対して複素共役となるインピーダンスを簡単に得ることができる。つまり、50オームや100オーム等のレジスタンス成分のみを含むインピーダンスとの整合のほか、レジスタンス成分とリアクタンス成分を含むインピーダンスとの整合も行うことができる。
【0045】
本実施の形態に係る受動部品10の基本的な特有の作用・効果は以上の通りであるが、本実施の形態に係る受動部品10のその他の作用・効果は以下の通りである。
【0046】
即ち、フィルタ部14と変換部16との間に内層アース電極34を介在させることで、双方の不要な結合を回避するようにしている。
【0047】
また、例えばフィルタ部14の出力側共振電極24と、変換部16における第1のストリップライン電極62の一端68とを直接ビアホールで電気的に接続すると、不要な整合が生じ、特性が悪化するおそれがある。しかし、この実施の形態では、その途中に出力容量電極56を配置し、出力側共振電極24と第1のストリップライン電極62とを容量を介して接続するようにしているため、上記のような不要な整合は発生しない。
【0048】
また、例えば結合調整電極30を出力容量電極56の近傍に形成すると、浮遊結合が生じ、上述した不要な整合をなくすことができないため、本実施の形態では、結合調整電極30を出力容量電極56とは離れた位置、図2の例では、入力側共振電極22及び出力側共振電極24が形成された第4の誘電体層S4を間に挟んだ第3の誘電体層S3に形成するようにしている。これにより、フィルタ部14と変換部16との不要な整合がなくなり、周波数特性が改善する。なお、非平衡入力端子46と入力側共振電極22との接続は、リード電極50による直接接続(タップ結合)であってもよいし、容量を介して接続するようにしてもよい。
【0049】
互いの電磁結合により形成される第1のストリップライン電極62、第2のストリップライン電極64及び第3のストリップライン電極66はほぼ渦巻状もしくはほぼ蛇行状に引き回したほぼ左右対称の線路としたので、位相及び振幅のバランスがとれた特性となる。その結果、減衰特性でみた場合、非平衡入出力型のフィルタよりも良質な特性を有する非平衡入力−平衡出力型のフィルタあるいは平衡入出力型のフィルタを得ることができる。
【0050】
また、変換部16の第2及び第3のストリップライン電極64及び66の各一端72及び74は、それぞれビアホール86及び88を通じてDC電極40に接続され、しかも、このDC電極40は、上層の内層アース電極36及び下層の内層アース電極38と対向して配置されている。つまり、DC端子48とGND間に容量が形成されることとなる。この容量は、コモンモードノイズを抑圧する容量として機能することから、コモンモードノイズの抑圧を目的とした外付けコンデンサを接続する必要がない。
【0051】
DC電極40の上下に内層アース電極36及び38を配置することで、外部や内部からの影響を抑圧することができ、アイソレーション特性を改善することができる。これにより、特性をより安定にすることができる。
【0052】
また、周波数特性において、位相及び振幅のバランスを調整するには、DC電極40の面積を変更したり、変換部16における第2及び第3のストリップライン電極64及び66の各一端72及び74とDC電極40とを電気的に接続するビアホール86及び88の位置を平行移動させることで調整することができる。
【0053】
なお、この発明に係る受動部品は、上述の実施の形態に限らず、この発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
【0054】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る受動部品によれば、実装エリアの縮小、高周波技術を不要とした設計が可能で、例えば半導体部品と接続してモジュールを構成した場合の該モジュールの小型化並びにコストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施の形態に係る受動部品を示す透視斜視図である。
【図2】本実施の形態に係る受動部品を示す分解斜視図である。
【図3】本実施の形態に係る受動部品を半導体部品に接続してモジュールとした場合を示す構成図である。
【図4】本実施の形態に係る受動部品、従来例に係る受動部品及び半導体部品のインピーダンスの変化の範囲を示すスミスチャートである。
【図5】従来例に係る受動部品をインピーダンスマッチング回路を介して半導体部品に接続して構成されるモジュールを示す構成図である。
【符号の説明】
10…受動部品 12…誘電体基板
14…フィルタ部 16…変換部
76…第1の引出し電極 78…第2の引出し電極
80…第1の容量電極 82…第2の容量電極
90…インピーダンスマッチング回路 92…半導体部品
94…モジュール
【発明の属する技術分野】
本発明は、数百MHz〜数GHzのマイクロ波帯において共振回路を構成する積層型誘電体フィルタ等を含む受動部品に関し、通信機器や電子機器の小型化を有効に図ることができる受動部品に関する。
【0002】
【従来の技術】
近時、IC等の半導体部品の高集積化が進み、半導体部品自体の小型化も急速に進んでいる。これに伴い、半導体部品の周辺に使用されるフィルタ等の受動部品も小型化が進んでいる。また、受動部品の小型化には、誘電体基板を使用した積層型誘電体フィルタが有効である(例えば特許文献1及び2参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開2002−280805号公報(図1、図9)
【特許文献2】
特開2002−261643号公報(図1、段落[0021])
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、図5に示すように、受動部品200を半導体部品202の入出力部に接続する場合、反射特性等を考慮してインピーダンス整合が必須となる。
【0005】
平衡入出力部を有する半導体部品202の入出力インピーダンスは、50オームや100オーム等の実部(レジスタンス成分)のみだけではなく、虚部(リアクタンス成分)が含まれている特性のものもある。
【0006】
従って、受動部品200をこのような半導体部品202に接続する際には、受動部品200と半導体部品202との間に、インダクタやキャパシタで構成されたインピーダンスマッチング回路204を挿入接続する必要があった。
【0007】
しかしながら、上述のようなインピーダンスマッチング回路204を挿入接続すると、受動部品200と半導体部品202を含むモジュール206全体の実装エリアが大きくなる。しかも、外付けによってインピーダンスマッチング回路204を作製する場合、予め回路定数が決められた数種のインダクタやキャパシタから必要なインダクタやキャパシタを選んで設計する必要がある。即ち、高周波設計技術が必要になり、設計製造にかかるコストが高くなる。
【0008】
このようなことから、従来の受動部品200においては、半導体部品202等と接続してモジュール206を構成した場合の該モジュール206の小型化やコスト低減に限界が生じるという問題がある。
【0009】
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、実装エリアの縮小、高周波設計技術を不要とした設計が可能で、例えば半導体部品と接続してモジュールを構成した場合の該モジュールの小型化並びにコストの低減を図ることができる受動部品を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る受動部品は、複数の誘電体層が積層されて構成された誘電体基板と、前記誘電体基板に形成されたアース電極と、前記誘電体基板内に形成された1以上の受動回路部と、前記誘電体基板内に形成され、かつ、外部回路の入出力インピーダンスと整合をとるためのインピーダンスマッチング回路とを有する。
【0011】
これにより、本発明に係る受動部品を例えば半導体部品に接続してモジュールを構成する場合に、受動部品と半導体部品との間に別途インピーダンスマッチング回路を挿入接続する必要がない。
【0012】
その結果、受動部品を含むモジュールの実装エリアの縮小を図ることができ、しかも、高周波設計技術を不要とした設計が可能となる。従って、上述のように本発明に係る受動部品を半導体部品に接続してモジュールを構成した場合の該モジュールの小型化並びにコストの低減を有効に図ることができる。
【0013】
しかも、本発明に係る受動部品に含まれるインピーダンスマッチング回路は、50オームや100オーム等のレジスタンス成分のみを含むインピーダンスとの整合のほか、レジスタンス成分とリアクタンス成分を含むインピーダンスとの整合も行うことができる。
【0014】
前記インピーダンスマッチング回路は、前記1以上の受動回路部のうち、出力段の受動回路部に接続されていてもよい。
【0015】
また、前記インピーダンスマッチング回路は、前記出力段の受動回路部と出力端子との間に形成されたストリップラインと、該ストリップラインと前記アース電極との間に形成された容量電極とを有するようにしてもよい。
【0016】
この場合、ストリップラインの長さや引き回し状態によってインピーダンスマッチング回路のインダクタンス成分を調整することができ、容量電極の面積や該容量電極とアース電極間の誘電率の変更等によってインピーダンスマッチング回路の容量成分を調整することができる。
【0017】
そして、本発明においては、例えば誘電体基板内に2つの受動回路部が形成され、前記2つの受動回路部のうち、1つの受動回路部は非平衡入力型のフィルタ部であり、前記出力段の受動回路部は、非平衡−平衡変換部である場合に好適である。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る受動部品の実施の形態例を、図1〜図4を参照しながら説明する。
【0019】
本実施の形態に係る受動部品10は、図1に示すように、複数の誘電体層(S1〜S14:図2参照)が積層、焼成一体化されて構成された誘電体基板12を有する。
【0020】
誘電体基板12は、図2に示すように、上から順に、第1の誘電体層S1〜第14の誘電体層S14が積み重ねられて構成されている。これら第1〜第14の誘電体層S1〜S14は1枚あるいは複数枚の層にて構成される。
【0021】
誘電体基板12内には、フィルタ部14と非平衡−平衡変換部16(以下、単に変換部と記す)とが形成されている。
【0022】
フィルタ部14は、2つの1/4波長の共振器(入力側共振器18及び出力側共振器20)を有する。入力側共振器18は、第4の誘電体層S4の主面に形成された入力側共振電極22にて構成され、出力側共振器20は、同じく第4の誘電体層S4の主面に形成された出力側共振電極24にて構成される。
【0023】
また、第3の誘電体層S3の主面には、入力側共振電極22の開放端と対向する内層アース電極26と、出力側共振電極24の開放端と対向する内層アース電極28と、入力側共振器18と出力側共振器20間の結合度を調整するための結合調整電極30とが形成されている。
【0024】
この受動部品10は、第2の誘電体層S2、第6の誘電体層S6、第11の誘電体層S11、第13の誘電体層S13の各主面にそれぞれ内層アース電極32、34、36及び38が形成され、第12の誘電体層S12の主面にDC電極40が形成されている。
【0025】
また、この受動部品10は、図1に示すように、誘電体基板12の外周面のうち、第1の側面12aに、それぞれ前記内層アース電極32、34、36、38、26及び28が接続されるアース電極42が形成されている。前記第1の側面12aと反対側の第2の側面12bには、それぞれ前記内層アース電極32、34、36及び38並びに入力側共振電極22及び出力側共振電極24の各一端(短絡端)が接続されるアース電極44が形成されている。
【0026】
誘電体基板12の第3の側面12cには、非平衡入力端子46とDC端子48が形成されている。非平衡入力端子46は、図2に示すように、リード電極50を介して入力側共振電極22に電気的に接続される。DC端子48は、図示しない外部電源からDC電圧が印加される端子であって、リード電極52を介してDC電極40に電気的に接続されている。
【0027】
図1に示すように、第3の側面12cと反対側の第4の側面12dには、平衡出力端子54(54a及び54b)が形成されている。
【0028】
一方、図2に示すように、第5の誘電体層S5の主面には、出力側共振電極24と第4の誘電体層S4を間に挟んで重なる出力容量電極56が形成されている。
【0029】
第7の誘電体層S7の主面には、後述する変換部16の第1のストリップライン電極62の一端68をGND(この場合、第6の誘電体層S6の主面に形成された内層アース電極34)に対して容量結合するための容量電極58が形成されている。この容量電極58は、第6の誘電体層S6を貫通するビアホール60を通じて内層アース電極34に電気的に接続されている。
【0030】
第8の誘電体層S8の主面には、変換部16を構成する第1のストリップライン電極62が形成され、第9の誘電体層S9の主面には、変換部16を構成する第2及び第3のストリップライン電極64及び66が形成されている。
【0031】
第1のストリップライン電極62は、一端68と他端70とが互いに隣接し、かつ、一端68から他端70に向けてほぼ渦巻状あるいはほぼ蛇行状に形成され、ほぼ左右対称の形状を有する。
【0032】
第2のストリップライン電極64は、一端72から一方の平衡出力端子54aに向かってほぼ渦巻状あるいはほぼ蛇行状に形成された形状を有する。第3のストリップライン電極66は、一端74から他方の平衡出力端子54bに向かってほぼ渦巻状あるいはほぼ蛇行状に形成された形状を有する。これらの第2及び第3のストリップライン電極64及び66は、ほぼ左右対称に配置されている。
【0033】
また、第2のストリップライン電極64は、その途中から一方の平衡出力端子54aにかけてほぼ蛇行した形状(図示の例では、ほぼL字状)の第1の引出し電極76を有する。第3のストリップライン電極66は、その途中から他方の平衡出力端子54bにかけて蛇行した形状(図示の例では、ほぼL字状)の第2の引出し電極78を有する。
【0034】
第10の誘電体層S10の主面のうち、第1の引出し電極76と対向した位置に、前記一方の平衡出力端子54aに接続され、かつ、下層の内層アース電極36との間で容量を形成する第1の容量電極80が形成されている。また、第2の引出し電極78と対向した位置に、前記他方の平衡出力端子54bに接続され、かつ、内層アース電極36との間で容量を形成する第2の容量電極82が形成されている。
【0035】
第1のストリップライン電極62の一端68は、第5〜第7の誘電体層S5〜S7を貫通するビアホール84を通じて出力容量電極56と電気的に接続されている。第1のストリップライン電極62の他端70は、上述したように、第6の誘電体層S6の主面に形成された容量電極58を介してGND(この場合、内層アース電極34)に容量結合されている。内層アース電極34には、ビアホール84と絶縁をとるための領域、即ち電極膜が形成されていない領域が確保されている。
【0036】
第2のストリップライン電極64の一端72と第3のストリップライン電極66の一端74は、共に第9〜第11の誘電体層S9〜S11を貫通するビアホール86及び88を通じてDC電極40に電気的に接続されている。内層アース電極36には、ビアホール86及び88と絶縁をとるための領域、即ち電極膜が形成されていない領域が確保されている。
【0037】
このように、本実施の形態に係る受動部品10は、誘電体基板12内であって、かつ、図3に示すように、変換部16の出力段に、第1の引出し電極76による第1のインダクタンス成分L1と、第1の容量電極80による第1の容量成分C1と、第2の引出し電極78による第2のインダクタンス成分L2と、第2の容量電極82による第2の容量成分C2とを有するインピーダンスマッチング回路90が接続された形となる。
【0038】
これにより、図3に示すように、本実施の形態に係る受動部品10を例えば半導体部品92に接続してモジュール94を構成する場合に、受動部品10と半導体部品92との間に別途インピーダンスマッチング回路を挿入接続する必要がない。
【0039】
その結果、受動部品10を含むモジュール94の実装エリアの縮小を図ることができ、しかも、高周波技術を不要とした設計が可能となる。従って、上述のように受動部品10を半導体部品92に接続してモジュール94を構成した場合の該モジュール94の小型化並びにコストの低減を有効に図ることができる。
【0040】
また、通常、従来の外付けによるインピーダンスマッチング回路は、50オームや100オームのレジスタンス成分に対するインピーダンス整合を念頭に構成されている。従って、従来の外付けによるインピーダンスマッチング回路のインピーダンスの変化範囲は、例えば図4の曲線Aに示すように、例えば50オームのポイントを中心とした範囲となっている。
【0041】
しかし、図3に示すような平衡入出力部を有する半導体部品92においては、図4の曲線Bに示すように、レジスタンス成分のみだけではなく、リアクタンス成分が含まれた特性のものがある。
【0042】
このような半導体部品92に対しては、レジスタンス成分の整合のみを考慮した従来の外付けによるインピーダンスマッチング回路では、インピーダンス整合させることができない。
【0043】
これに対して、本実施の形態に係る受動部品10に内蔵させたインピーダンスマッチング回路90では、第1の引出し電極76及び/又は第2の引出し電極78の長さや引き回し状態によってインピーダンスマッチング回路90のインダクタンス成分L1及び/又はL2を調整することができ、第1の容量電極80及び/又は第2の容量電極82の面積や、これら第1の容量電極80及び/又は第2の容量電極82と内層アース電極36間の誘電率(第10の誘電体層S10の誘電率)の変更等によってインピーダンスマッチング回路90の容量成分C1及び/又はC2を調整することができる。
【0044】
従って、図4の曲線Cに示すように、半導体部品92のインピーダンスに対して複素共役となるインピーダンスを簡単に得ることができる。つまり、50オームや100オーム等のレジスタンス成分のみを含むインピーダンスとの整合のほか、レジスタンス成分とリアクタンス成分を含むインピーダンスとの整合も行うことができる。
【0045】
本実施の形態に係る受動部品10の基本的な特有の作用・効果は以上の通りであるが、本実施の形態に係る受動部品10のその他の作用・効果は以下の通りである。
【0046】
即ち、フィルタ部14と変換部16との間に内層アース電極34を介在させることで、双方の不要な結合を回避するようにしている。
【0047】
また、例えばフィルタ部14の出力側共振電極24と、変換部16における第1のストリップライン電極62の一端68とを直接ビアホールで電気的に接続すると、不要な整合が生じ、特性が悪化するおそれがある。しかし、この実施の形態では、その途中に出力容量電極56を配置し、出力側共振電極24と第1のストリップライン電極62とを容量を介して接続するようにしているため、上記のような不要な整合は発生しない。
【0048】
また、例えば結合調整電極30を出力容量電極56の近傍に形成すると、浮遊結合が生じ、上述した不要な整合をなくすことができないため、本実施の形態では、結合調整電極30を出力容量電極56とは離れた位置、図2の例では、入力側共振電極22及び出力側共振電極24が形成された第4の誘電体層S4を間に挟んだ第3の誘電体層S3に形成するようにしている。これにより、フィルタ部14と変換部16との不要な整合がなくなり、周波数特性が改善する。なお、非平衡入力端子46と入力側共振電極22との接続は、リード電極50による直接接続(タップ結合)であってもよいし、容量を介して接続するようにしてもよい。
【0049】
互いの電磁結合により形成される第1のストリップライン電極62、第2のストリップライン電極64及び第3のストリップライン電極66はほぼ渦巻状もしくはほぼ蛇行状に引き回したほぼ左右対称の線路としたので、位相及び振幅のバランスがとれた特性となる。その結果、減衰特性でみた場合、非平衡入出力型のフィルタよりも良質な特性を有する非平衡入力−平衡出力型のフィルタあるいは平衡入出力型のフィルタを得ることができる。
【0050】
また、変換部16の第2及び第3のストリップライン電極64及び66の各一端72及び74は、それぞれビアホール86及び88を通じてDC電極40に接続され、しかも、このDC電極40は、上層の内層アース電極36及び下層の内層アース電極38と対向して配置されている。つまり、DC端子48とGND間に容量が形成されることとなる。この容量は、コモンモードノイズを抑圧する容量として機能することから、コモンモードノイズの抑圧を目的とした外付けコンデンサを接続する必要がない。
【0051】
DC電極40の上下に内層アース電極36及び38を配置することで、外部や内部からの影響を抑圧することができ、アイソレーション特性を改善することができる。これにより、特性をより安定にすることができる。
【0052】
また、周波数特性において、位相及び振幅のバランスを調整するには、DC電極40の面積を変更したり、変換部16における第2及び第3のストリップライン電極64及び66の各一端72及び74とDC電極40とを電気的に接続するビアホール86及び88の位置を平行移動させることで調整することができる。
【0053】
なお、この発明に係る受動部品は、上述の実施の形態に限らず、この発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
【0054】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る受動部品によれば、実装エリアの縮小、高周波技術を不要とした設計が可能で、例えば半導体部品と接続してモジュールを構成した場合の該モジュールの小型化並びにコストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施の形態に係る受動部品を示す透視斜視図である。
【図2】本実施の形態に係る受動部品を示す分解斜視図である。
【図3】本実施の形態に係る受動部品を半導体部品に接続してモジュールとした場合を示す構成図である。
【図4】本実施の形態に係る受動部品、従来例に係る受動部品及び半導体部品のインピーダンスの変化の範囲を示すスミスチャートである。
【図5】従来例に係る受動部品をインピーダンスマッチング回路を介して半導体部品に接続して構成されるモジュールを示す構成図である。
【符号の説明】
10…受動部品 12…誘電体基板
14…フィルタ部 16…変換部
76…第1の引出し電極 78…第2の引出し電極
80…第1の容量電極 82…第2の容量電極
90…インピーダンスマッチング回路 92…半導体部品
94…モジュール
Claims (5)
- 複数の誘電体層が積層されて構成された誘電体基板と、
前記誘電体基板に形成されたアース電極と、
前記誘電体基板内に形成された1以上の受動回路部と、
前記誘電体基板内に形成され、かつ、外部回路の入出力インピーダンスと整合をとるためのインピーダンスマッチング回路とを有することを特徴とする受動部品。 - 請求項1記載の受動部品において、
前記外部回路の前記入出力インピーダンスは、リアクタンス成分を有することを特徴とする受動部品。 - 請求項1又は2記載の受動部品において、
前記インピーダンスマッチング回路は、前記1以上の受動回路部のうち、出力段の受動回路部に接続されていることを特徴とする受動部品。 - 請求項3記載の受動部品において、
前記インピーダンスマッチング回路は、前記出力段の受動回路部と出力端子との間に形成されたストリップラインと、該ストリップラインと前記アース電極との間に形成された容量電極とを有することを特徴とする受動部品。 - 請求項4記載の受動部品において、
前記誘電体基板内に2つの受動回路部が形成され、
前記2つの受動回路部のうち、1つの受動回路部は非平衡入力型のフィルタ部であり、前記出力段の受動回路部は、非平衡−平衡変換部であることを特徴とする受動部品。
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