JP6784184B2 - バンドパスフィルタ - Google Patents

Description

本発明は、複数の共振器とシールドを含むバンドパスフィルタに関する。

現在、第５世代移動通信システム（以下、５Ｇと言う。）の規格化が進められている。５Ｇでは、周波数帯域を拡大するために、１０ＧＨｚ以上の周波数帯域、特に、１０〜３０ＧＨｚの準ミリ波帯や３０〜３００ＧＨｚのミリ波帯の利用が検討されている。

通信装置に用いられる電子部品の一つには、複数の共振器を備えたバンドパスフィルタがある。複数の共振器の各々は、例えば、一方向に長い導体部を有している。また、バンドパスフィルタには、周囲へ電磁波が放射されることを防止するために、複数の共振器をシールドで囲った構造のものがある。

特許文献１には、準ミリ波帯やミリ波帯での使用が可能なチップ型多段フィルタ装置が記載されている。このチップ型多段フィルタ装置は、複数の誘電体層を積層してなる多層基板と、第１および第２の表面グラウンド電極と、第１および第２の内部グラウンド電極と、第１および第２のλ／２共振器電極とを備えている。多層基板は、対向する第１および第２の主面と、第１および第２の主面を連結する第１ないし第４の側面を有している。第１の側面と第２の側面は対向している。第１の表面グラウンド電極は、第１の側面に設けられている。第２の表面グラウンド電極は、第２の側面に設けられている。第１の内部グラウンド電極は、多層基板内において、第１の主面に相対的に近い誘電体層に設けられている。第２の内部グラウンド電極は、多層基板内において、第２の主面に相対的に近い誘電体層に設けられている。第１および第２のλ／２共振器電極は、第１および第２の表面グラウンド電極と第１および第２の内部グラウンド電極によって囲まれた領域に配置されている。

特許文献１に記載されたチップ型多段フィルタ装置は、更に、ビアホール導体と、容量ユニットを備えている。ビアホール導体は、第１および第２の内部グラウンド電極を電気的に接続するように複数の誘電体層のうちの少なくとも一部の誘電体層を貫通するように設けられている。第１および第２のλ／２共振器電極は、ビアホール導体を介して対向配置されている。容量ユニットは、第１および第２のλ／２共振器電極間に結合容量を付加するために多層基板内に設けられている。

特開２００６−３１１１００号公報

複数の共振器をシールドで囲った構造のバンドパスフィルタでは、シールドとその内側の誘電体によって導波管に似た構造が形成されることによって、１つ以上の電磁波の伝搬モードが生じる。以下、この電磁波の伝搬モードを導波管モードと言う。バンドパスフィルタでは、この導波管モードによって、通過帯域よりも高い周波数領域に存在する共振周波数を有する不要な共振が生じて、通過帯域よりも高い周波数領域における減衰特性が悪化するという問題が生じていた。特に、通過帯域が準ミリ波帯やミリ波帯に存在するように設計されたバンドパスフィルタでは、共振周波数が最も低い導波管モード（以下、最低次導波管モードと言う。）の共振周波数であっても、通過帯域に比較的近くなるため、上記の問題が顕著になっていた。

最低次導波管モードの共振周波数は、シールドで囲まれた空間の形状によって変化する。一般的に、この空間が大きいほど、最低次導波管モードの共振周波数は低くなる。

特許文献１に記載されたチップ型多段フィルタ装置では、第１および第２のλ／２共振器電極の長さは、通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／２またはそれに近い長さになる。この長さは比較的大きく、そのため、第１および第２の表面グラウンド電極と第１および第２の内部グラウンド電極によって囲まれた空間も比較的大きくなる。そのため、このチップ型多段フィルタ装置では、最低次導波管モードの共振周波数が通過帯域に比較的近くなり、最低次導波管モードによる上記の問題が生じやすくなる。

また、複数の共振器の各々が一方向に長い導体部を有するバンドパスフィルタでは、導体部は、通過帯域を決定する基本共振周波数を有する基本共振モードの他に、互いに異なる次数の高調波による共振モードである複数の高調波共振モードを有する。バンドパスフィルタでは、この複数の高調波共振モードのうち、共振周波数が最も低い高調波共振モード（以下、最低次高調波共振モードと言う。）によっても、通過帯域よりも高い周波数領域における減衰特性が悪化するという問題が生じていた。

特許文献１に記載されたチップ型多段フィルタ装置では、第１および第２のλ／２共振器電極では、最低次高調波共振モードの共振周波数は、基本共振周波数の２倍である。このチップ型多段フィルタ装置では、最低次高調波共振モードの共振周波数が通過帯域に比較的近いため、最低次高調波共振モードによる上記の問題が生じやすくなる。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、複数の共振器とシールドを含むバンドパスフィルタであって、最低次導波管モードおよび最低次高調波共振モードによって通過帯域よりも高い周波数領域における減衰特性が悪化することを防止できるようにしたバンドパスフィルタを提供することにある。

本発明のバンドパスフィルタは、誘電体よりなる本体と、本体に一体化された第１の入出力ポートおよび第２の入出力ポートと、複数の共振器と、シールドと、仕切り部とを備えている。複数の共振器は、本体内に設けられていると共に、回路構成上、第１の入出力ポートと第２の入出力ポートの間に設けられている。シールドは、導体よりなり、本体に一体化されている。仕切り部は、導体よりなり、本体内に設けられて、シールドに電気的に接続されている。

シールドは、第１の方向について間隔を開けて配置された第１の部分および第２の部分と、第１の部分と第２の部分を接続する接続部とを含んでいる。第１の部分、第２の部分および接続部は、複数の共振器を囲むように配置されている。

複数の共振器は、第１の共振器と第２の共振器を含んでいる。第１の共振器は、導体よりなる第１の共振器導体部を有している。第２の共振器は、導体よりなる第２の共振器導体部を有している。第１の共振器導体部と第２の共振器導体部の各々は、第１の方向と交差する方向に長い形状を有すると共に、その長手方向の両端に位置する第１端と第２端を有している。第１端はグランドに接続され、第２端は開放されている。

仕切り部は、その少なくとも一部が第１の共振器導体部と第２の共振器導体部の間を通過するように、第１の共振器導体部と第２の共振器導体部の各々の長手方向と交差する方向に延在して、第１の部分と第２の部分とに接している。

本発明のバンドパスフィルタにおいて、第１の共振器導体部と第２の共振器導体部の各々は、第１の方向に直交する方向に長い形状を有していてもよい。

また、本発明のバンドパスフィルタにおいて、第１の共振器導体部と第２の共振器導体部の各々は、バンドパスフィルタの通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４以下の長さを有していてもよい。

また、本発明のバンドパスフィルタにおいて、仕切り部は、第１の方向に延在して、シールドの第１の部分と第２の部分を最短経路で接続していてもよい。

また、本発明のバンドパスフィルタにおいて、第１の共振器は、更に、第１の共振器導体部の第２端とグランドとの間に設けられた第１のキャパシタを有していてもよく、第２の共振器は、更に、第２の共振器導体部の第２端とグランドとの間に設けられた第２のキャパシタを有していてもよい。

また、本発明のバンドパスフィルタにおいて、第１の共振器と第２の共振器は、電磁結合するように構成されていてもよい。

また、本発明のバンドパスフィルタにおいて、複数の共振器は、回路構成上隣接する２つの共振器が電磁結合するように構成された３つ以上の共振器であってもよい。この場合、第１の共振器と第２の共振器は、回路構成上隣接していてもよいし、回路構成上隣接していなくてもよい。

また、本発明のバンドパスフィルタにおいて、複数の共振器が上記の３つ以上の共振器である場合には、複数の共振器のうち、第１および第２の共振器以外の全ての共振器は、導体よりなる第３の共振器導体部を有していてもよい。第３の共振器導体部は、第１の方向と交差する方向に長い形状を有すると共に、その長手方向の両端に位置する第１端と第２端を有している。第３の共振器導体部の第１端はグランドに接続され、第３の共振器導体部の第２端は開放されている。第３の共振器導体部は、第１の方向に直交する方向に長い形状を有していてもよい。また、第３の共振器導体部は、バンドパスフィルタの通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４以下の長さを有していてもよい。

また、本発明のバンドパスフィルタにおいて、本体は、積層された複数の誘電体層からなる積層体を含んでいてもよい。この場合、積層体は、複数の誘電体層のうちの、積層された２つ以上の誘電体層からなる主要部を含んでいてもよい。主要部は、２つ以上の誘電体層の積層方向における両端に位置する第１の端面と第２の端面を有している。第１の部分は、第１の端面に配置された第１の導体層によって構成されていてもよい。第２の部分は、第２の端面に配置された第２の導体層によって構成されていてもよい。また、仕切り部は、上記２つ以上の誘電体層を貫通していてもよい。仕切り部は、それぞれ上記２つ以上の誘電体層を貫通する複数の第１のスルーホール列を含んでいてもよい。複数の第１のスルーホール列の各々は、直列に接続された２つ以上のスルーホールを含んでいる。また、シールドの接続部は、それぞれ上記２つ以上の誘電体層を貫通する複数の第２のスルーホール列を含んでいてもよい。複数の第２のスルーホール列の各々は、直列に接続された２つ以上のスルーホールを含んでいる。

また、本発明のバンドパスフィルタにおいて、本体が上記積層体を含んでいる場合には、第１の共振器導体部と第２の共振器導体部は、第１の方向に関して、積層体内の同じ位置に配置されていてもよい。この場合、第１の共振器導体部と第２の共振器導体部は、１つの導体層における互いに異なる部分によって構成されていてもよい。

本発明のバンドパスフィルタでは、仕切り部によって、シールドで囲まれた空間が、第１の共振器導体部が存在する空間と、第２の共振器導体部が存在する空間とに仕切られる。これにより、本発明によれば、仕切り部が無い場合に比べて、最低次導波管モードの共振周波数を高くすることができる。また、本発明によれば、第１および第２の共振器導体部の各々の長さを小さくすることができ、その結果、シールドで囲まれた空間を小さくすることができる。これにより、本発明によれば、最低次導波管モードの共振周波数を高くすることができる。また、本発明における第１および第２の共振器導体部の各々における最低次高調波共振モードの共振周波数は、基本共振周波数の３倍になる。これにより、本発明によれば、最低次高調波共振モードの共振周波数を高くすることができる。これらのことから、本発明のバンドパスフィルタによれば、最低次導波管モードおよび最低次高調波共振モードによって通過帯域よりも高い周波数領域における減衰特性が悪化することを防止することができるという効果を奏する。

本発明の第１の実施の形態に係るバンドパスフィルタの構造を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係るバンドパスフィルタの回路構成を示す回路図である。 図１に示したバンドパスフィルタにおける１層目の誘電体層のパターン形成面と２層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 図１に示したバンドパスフィルタにおける３層目ないし８層目の誘電体層のパターン形成面と９層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 図１に示したバンドパスフィルタにおける１０層目の誘電体層のパターン形成面と１１層目ないし１８層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 図１に示したバンドパスフィルタにおける１９層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係るバンドパスフィルタと比較例のバンドパスフィルタの挿入損失の周波数特性の一例を示す特性図である。 本発明の第２の実施の形態に係るバンドパスフィルタの構造を示す斜視図である。 本発明の第２の実施の形態に係るバンドパスフィルタの回路構成を示す回路図である。 図８に示したバンドパスフィルタにおける１層目の誘電体層のパターン形成面と２層目ないし６層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 図８に示したバンドパスフィルタにおける７層目の誘電体層のパターン形成面と８層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 図８に示したバンドパスフィルタにおける９層目の誘電体層のパターン形成面と１０層目ないし１７層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 図８に示したバンドパスフィルタにおける１８層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 本発明の第２の実施の形態に係るバンドパスフィルタの挿入損失の周波数特性の一例を示す特性図である。 本発明の第３の実施の形態に係るバンドパスフィルタの構造を示す斜視図である。 本発明の第３の実施の形態に係るバンドパスフィルタの回路構成を示す回路図である。 図１５に示したバンドパスフィルタにおける１０層目の誘電体層のパターン形成面と１１層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 本発明の第３の実施の形態に係るバンドパスフィルタの挿入損失の周波数特性の一例を示す特性図である。 本発明の第４の実施の形態に係るバンドパスフィルタの構造を示す斜視図である。 本発明の第４の実施の形態に係るバンドパスフィルタの回路構成を示す回路図である。 図１９に示したバンドパスフィルタにおける１層目の誘電体層のパターン形成面と２層目ないし６層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 図１９に示したバンドパスフィルタにおける７層目の誘電体層のパターン形成面と８層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 図１９に示したバンドパスフィルタにおける９層目の誘電体層のパターン形成面と１０層目ないし１７層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 図１９に示したバンドパスフィルタにおける１８層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 本発明の第４の実施の形態に係るバンドパスフィルタの挿入損失の周波数特性の一例を示す特性図である。 本発明の第５の実施の形態に係るバンドパスフィルタの構造を示す斜視図である。 本発明の第５の実施の形態に係るバンドパスフィルタの回路構成を示す回路図である。 図２６に示したバンドパスフィルタにおける１層目の誘電体層のパターン形成面と２層目ないし６層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 図２６に示したバンドパスフィルタにおける７層目の誘電体層のパターン形成面と８層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 図２６に示したバンドパスフィルタにおける９層目の誘電体層のパターン形成面と１０層目ないし１７層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 図２６に示したバンドパスフィルタにおける１８層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 本発明の第５の実施の形態に係るバンドパスフィルタの挿入損失の周波数特性の一例を示す特性図である。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１および図２を参照して、本発明の第１の実施の形態に係るバンドパスフィルタの構成について説明する。図１は、本実施の形態に係るバンドパスフィルタの構造を示す斜視図である。図２は、本実施の形態に係るバンドパスフィルタの回路構成を示す回路図である。

図１に示したように、本実施の形態に係るバンドパスフィルタ１は、誘電体よりなる本体２と、本体２に一体化された第１の入出力ポート３および第２の入出力ポート４と、本体２内に設けられた複数の共振器と、シールド６と、仕切り部７とを備えている。シールド６は、導体よりなり、本体２に一体化されている。また、シールド６は、グランドに接続されている。シールド６は、バンドパスフィルタ１の周囲へ電磁波が放射されることを防止する機能を有する。仕切り部７は、導体よりなり、本体２内に設けられて、シールド６に電気的に接続されている。

本体２は、積層された複数の誘電体層からなる積層体２０を含んでいる。ここで、図１に示したように、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向は、互いに直交する。本実施の形態では、複数の誘電体層の積層方向に平行な一方向（図１では上側に向かう方向）を、Ｚ方向とする。なお、Ｚ方向は、本発明における第１の方向に対応する。

本体２は、直方体形状を有している。本体２は、Ｚ方向における本体２の両端に位置する第１の端面２Ａおよび第２の端面２Ｂと、第１の端面２Ａと第２の端面２Ｂを接続する４つの側面２Ｃ，２Ｄ，２Ｅ，２Ｆを有している。第１の端面２Ａは、本体２の下面でもある。第２の端面２Ｂは、本体２の上面でもある。側面２Ｃ，２Ｄは、Ｙ方向における本体２の両端に位置している。側面２Ｅ，２Ｆは、Ｘ方向における本体２の両端に位置している。

複数の共振器は、回路構成上、第１の入出力ポート３と第２の入出力ポート４の間に設けられている。なお、本出願において、「回路構成上」という表現は、物理的な構成における配置ではなく、回路図上での配置を指すために用いている。図２に示したように、本実施の形態では、複数の共振器は、回路構成上、第１の入出力ポート３側から順に配置された１段目の共振器５１、２段目の共振器５２、３段目の共振器５３および４段目の共振器５４を含んでいる。共振器５１〜５４は、回路構成上隣接する２つの共振器が電磁結合するように構成されている。具体的に説明すると、共振器５１〜５４は、共振器５１，５２が回路構成上隣接して電磁結合し、共振器５２，５３が回路構成上隣接して電磁結合し、共振器５３，５４が回路構成上隣接して電磁結合するように構成されている。

シールド６は、第１の方向すなわちＺ方向について間隔を開けて配置された第１の部分６１および第２の部分６２と、第１の部分６１と第２の部分６２を接続する接続部６３とを含んでいる。第１の部分６１、第２の部分６２および接続部６３は、４つの共振器５１〜５４を囲むように配置されている。

積層体２０は、主要部２１と被覆部２２とを含んでいる。主要部２１は、積層体２０を構成する複数の誘電体層のうちの、積層された２つ以上の誘電体層によって構成されている。被覆部２２は、積層体２０を構成する複数の誘電体層のうちの、主要部２１を構成する２つ以上の誘電体層以外の１つ以上の誘電体層によって構成されている。主要部２１は、２つ以上の誘電体層の積層方向における両端に位置する第１の端面２１ａと第２の端面２１ｂを有している。被覆部２２は、第２の端面２１ｂを覆っている。主要部２１の第１の端面２１ａは、本体２の第１の端面２Ａと一致している。主要部２１の第２の端面２１ｂは、本体２の内部に位置している。

第１の部分６１は、第１の端面２１ａに配置された第１の導体層３１３によって構成されている。第２の部分６２は、第２の端面２１ｂに配置された第２の導体層４９１によって構成されている。第２の部分６２は、主要部２１と被覆部２２の間に介在している。

共振器５１は、導体よりなる共振器導体部５１０を含んでいる。共振器５２は、導体よりなる共振器導体部５２０を含んでいる。共振器５３は、導体よりなる共振器導体部５３０を含んでいる。共振器５４は、導体よりなる共振器導体部５４０を含んでいる。

共振器導体部５１０，５２０，５３０，５４０の各々は、第１の方向すなわちＺ方向と交差する方向に長い形状を有すると共に、その長手方向の両端に位置する第１端と第２端を有している。本実施の形態では特に、共振器導体部５１０，５２０，５３０，５４０の各々は、第１の方向すなわちＺ方向に直交する方向に長い形状を有している。より具体的に説明すると、共振器導体部５１０と共振器導体部５４０はＸ方向に長い形状を有し、共振器導体部５２０と共振器導体部５３０はＹ方向に長い形状を有している。

共振器導体部５１０，５２０，５３０，５４０の各々の第１端はグランドに接続されている。共振器導体部５１０，５２０，５３０，５４０の各々の第２端は開放されている。

共振器導体部５１０，５２０，５３０，５４０の各々は、バンドパスフィルタ１の通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４以下の長さを有している。本実施の形態では特に、共振器導体部５１０，５２０，５３０，５４０の各々の長さは、バンドパスフィルタ１の通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４である。

本実施の形態において、２段目の共振器５２は本発明における第１の共振器に対応し、３段目の共振器５３は本発明における第２の共振器に対応する。また、共振器導体部５２０は本発明における第１の共振器導体部に対応し、共振器導体部５３０は本発明における第２の共振器導体部に対応する。また、共振器導体部５１０，５４０は、いずれも本発明における第３の共振器導体部に対応する。

仕切り部７は、その少なくとも一部が共振器導体部５２０と共振器導体部５３０の間を通過するように、共振器導体部５２０と共振器導体部５３０の各々の長手方向（Ｙ方向）と交差する方向に延在して、第１の部分６１と第２の部分６２とに接している。共振器導体部５２０，５３０は、それぞれ、回路構成上隣接している共振器５２，５３の要素である。本実施の形態では特に、仕切り部７は、第１の方向すなわちＺ方向に延在している。また、仕切り部７は、第１の部分６１と第２の部分６２を最短経路で接続している。すなわち、仕切り部７のＺ方向の長さは、第１の部分６１と第２の部分６２の間の距離と等しい。

また、仕切り部７は、主要部２１を構成する２つ以上の誘電体層を貫通している。本実施の形態では、仕切り部７は、それぞれ主要部２１を構成する２つ以上の誘電体層を貫通する複数の第１のスルーホール列７Ｔを含んでいる。図１では、個々のスルーホール列７Ｔを円柱で表している。複数の第１のスルーホール列７Ｔの各々は、直列に接続された２つ以上のスルーホールを含んでいる。複数の第１のスルーホール列７Ｔの各々は、Ｚ方向に延びている。また、複数の第１のスルーホール列７Ｔは、Ｙ方向に並ぶように配列されている。本実施の形態では、第１のスルーホール列７Ｔの数は２である。

シールド６の接続部６３は、それぞれ主要部２１を構成する２つ以上の誘電体層を貫通する複数の第２のスルーホール列６３Ｔを含んでいる。図１では、個々のスルーホール列６３Ｔを円柱で表している。複数の第２のスルーホール列６３Ｔの各々は、直列に接続された２つ以上のスルーホールを含んでいる。複数の第２のスルーホール列６３Ｔの各々は、Ｚ方向に延びている。

複数の第２のスルーホール列６３Ｔは、複数のスルーホール列６３Ｃと、複数のスルーホール列６３Ｄと、複数のスルーホール列６３Ｅ１と、複数のスルーホール列６３Ｅ２と、複数のスルーホール列６３Ｆ１と、複数のスルーホール列６３Ｆ２とを含んでいる。複数のスルーホール列６３Ｃは、本体２の側面２Ｃの近傍に配置され、Ｘ方向に並ぶように配列されている。複数のスルーホール列６３Ｄは、本体２の側面２Ｄの近傍に配置され、Ｘ方向に並ぶように配列されている。複数のスルーホール列６３Ｅ１，６３Ｅ２は、本体２の側面２Ｅの近傍に配置され、Ｙ方向に並ぶように配列されている。複数のスルーホール列６３Ｆ１，６３Ｆ２は、本体２の側面２Ｆの近傍に配置され、Ｙ方向に並ぶように配列されている。

シールド６の接続部６３は、更に、３つのシールド導体部６３１，６３２，６３３を含んでいる。シールド導体部６３１は、複数のスルーホール列６３Ｃのうちの一部のスルーホール列６３Ｃと、複数のスルーホール列６３Ｅ１と、複数のスルーホール列６３Ｅ２とに接続されている。シールド導体部６３２は、複数のスルーホール列６３Ｄに接続されている。シールド導体部６３３は、複数のスルーホール列６３Ｃのうちの他の一部のスルーホール列６３Ｃと、複数のスルーホール列６３Ｆ１と、複数のスルーホール列６３Ｆ２とに接続されている。

バンドパスフィルタ１は、更に、本体２内に設けられたスルーホール列８Ｔ，９Ｔを備えている。スルーホール列８Ｔ，９Ｔの各々は、主要部２１を構成する２つ以上の誘電体層を貫通し、Ｚ方向に延びて、第１の部分６１と第２の部分６２とに接している。スルーホール列８Ｔ，９Ｔの各々は、直列に接続された２つ以上のスルーホールを含んでいる。スルーホール列８Ｔは、共振器導体部５１０と共振器導体部５２０の近くに配置されている。スルーホール列９Ｔは、共振器導体部５３０と共振器導体部５４０の近くに配置されている。スルーホール列８Ｔ，９Ｔは、シールド６の機能を補助する機能を有している。

図２に示したように、バンドパスフィルタ１は、更に、第１の入出力ポート３と１段目の共振器５１との間に設けられたキャパシタＣ１と、第２の入出力ポート４と４段目の共振器５４との間に設けられたキャパシタＣ２とを備えている。

図２において、記号Ｃ３を付したキャパシタの記号は、共振器５１，５２間の容量結合を表している。また、記号Ｃ４を付したキャパシタの記号は、共振器５３，５４間の容量結合を表している。また、記号Ｍを付した曲線は、共振器５２，５３間の磁気結合を表している。本実施の形態では、１段目の共振器５１と４段目の共振器５４は、容量結合するように構成されている。図２において、記号Ｃ５を付したキャパシタの記号は、共振器５１，５４間の容量結合を表している。

次に、図３ないし図６を参照して、積層体２０を構成する複数の誘電体層と、この複数の誘電体層に形成された複数の導体層および複数のスルーホールの構成の一例について説明する。この例では、積層体２０は、積層された１９層の誘電体層を有している。以下、この１９層の誘電体層を、下から順に１層目ないし１９層目の誘電体層と呼ぶ。主要部２１は、１層目ないし１８層目の誘電体層によって構成されている。被覆部２２は、１９層目の誘電体層によって構成されている。

図３において、（ａ）は１層目の誘電体層のパターン形成面を示し、（ｂ）は２層目の誘電体層のパターン形成面を示している。図４において、（ａ）は３層目ないし８層目の誘電体層のパターン形成面を示し、（ｂ）は９層目の誘電体層のパターン形成面を示している。図５において、（ａ）は１０層目の誘電体層のパターン形成面を示し、（ｂ）は１１層目ないし１８層目の誘電体層のパターン形成面を示している。図６は、１９層目の誘電体層のパターン形成面を示している。以下、１層目ないし１９層目の誘電体層を符号３１〜４９で表す。

図３（ａ）に示したように、１層目の誘電体層３１のパターン形成面には、第１の入出力ポート３を構成する導体層３１１と、第２の入出力ポート４を構成する導体層３１２と、シールド６の第１の部分６１を構成する第１の導体層３１３とが形成されている。

また、誘電体層３１には、導体層３１１に接続されたスルーホール３１Ｔ１と、導体層３１２に接続されたスルーホール３１Ｔ２と、スルーホール列８Ｔの一部を構成するスルーホール８Ｔ１と、スルーホール列９Ｔの一部を構成するスルーホール９Ｔ１が形成されている。誘電体層３１には、更に、２つの第１のスルーホール列７Ｔの一部を構成する２つのスルーホール７Ｔ１が形成されている。

誘電体層３１には、更に、複数のスルーホール列６３Ｃの一部を構成する複数のスルーホール６３Ｃ１と、複数のスルーホール列６３Ｄの一部を構成する複数のスルーホール６３Ｄ１と、複数のスルーホール列６３Ｅ１の一部を構成する複数のスルーホール６３Ｅ１１と、複数のスルーホール列６３Ｆ１の一部を構成する複数のスルーホール６３Ｆ１１が形成されている。

スルーホール７Ｔ１，８Ｔ１，９Ｔ１，６３Ｃ１，６３Ｄ１，６３Ｅ１１，６３Ｆ１１は、第１の導体層３１３に接続されている。

図３（ｂ）に示したように、２層目の誘電体層３２のパターン形成面には、導体層３２１，３２２が形成されている。導体層３２１，３２２には、それぞれ図３（ａ）に示したスルーホール３１Ｔ１，３１Ｔ２が接続されている。

また、誘電体層３２には、導体層３２１に接続されたスルーホール３２Ｔ１と、導体層３２２に接続されたスルーホール３２Ｔ２と、スルーホール８Ｔ２，９Ｔ２が形成されている。スルーホール８Ｔ２，９Ｔ２には、それぞれ図３（ａ）に示したスルーホール８Ｔ１，９Ｔ１が接続されている。誘電体層３２には、更に、２つのスルーホール７Ｔ２が形成されている。２つのスルーホール７Ｔ２には、図３（ａ）に示した２つのスルーホール７Ｔ１が接続されている。

誘電体層３２には、更に、複数のスルーホール６３Ｃ２と、複数のスルーホール６３Ｄ２と、複数のスルーホール６３Ｅ１２と、複数のスルーホール６３Ｆ１２が形成されている。複数のスルーホール６３Ｃ２には、図３（ａ）に示した複数のスルーホール６３Ｃ１が接続されている。複数のスルーホール６３Ｄ２には、図３（ａ）に示した複数のスルーホール６３Ｄ１が接続されている。複数のスルーホール６３Ｅ１２には、図３（ａ）に示した複数のスルーホール６３Ｅ１１が接続されている。複数のスルーホール６３Ｆ１２には、図３（ａ）に示した複数のスルーホール６３Ｆ１１が接続されている。

図４（ａ）に示したように、３層目ないし８層目の誘電体層３３〜３８の各々には、スルーホール３３Ｔ１，３３Ｔ２，８Ｔ３，９Ｔ３が形成されている。３層目の誘電体層３３に形成されたスルーホール３３Ｔ１，３３Ｔ２，８Ｔ３，９Ｔ３には、それぞれ図３（ｂ）に示したスルーホール３２Ｔ１，３２Ｔ２，８Ｔ２，９Ｔ２が接続されている。

３層目ないし８層目の誘電体層３３〜３８の各々には、更に、２つのスルーホール７Ｔ３が形成されている。３層目の誘電体層３３に形成された２つのスルーホール７Ｔ３には、図３（ｂ）に示した２つのスルーホール７Ｔ２が接続されている。

３層目ないし８層目の誘電体層３３〜３８の各々には、更に、複数のスルーホール６３Ｃ３と、複数のスルーホール６３Ｄ３と、複数のスルーホール６３Ｅ１３と、複数のスルーホール６３Ｆ１３が形成されている。３層目の誘電体層３３に形成された複数のスルーホール６３Ｃ３には、図３（ｂ）に示した複数のスルーホール６３Ｃ２が接続されている。３層目の誘電体層３３に形成された複数のスルーホール６３Ｄ３には、図３（ｂ）に示した複数のスルーホール６３Ｄ２が接続されている。３層目の誘電体層３３に形成された複数のスルーホール６３Ｅ１３には、図３（ｂ）に示した複数のスルーホール６３Ｅ１２が接続されている。３層目の誘電体層３３に形成された複数のスルーホール６３Ｆ１３には、図３（ｂ）に示した複数のスルーホール６３Ｆ１２が接続されている。

誘電体層３３〜３８では、上下に隣接する同じ符号のスルーホール同士が互いに接続されている。

図４（ｂ）に示したように、９層目の誘電体層３９のパターン形成面には、キャパシタＣ１を構成するために用いられる導体層３９１と、キャパシタＣ２を構成するために用いられる導体層３９２が形成されている。導体層３９１，３９２には、それぞれ８層目の誘電体層３８（図４（ａ）参照）に形成されたスルーホール３３Ｔ１，３３Ｔ２が接続されている。

誘電体層３９には、スルーホール８Ｔ４，９Ｔ４が形成されている。スルーホール８Ｔ４，９Ｔ４には、それぞれ８層目の誘電体層３８に形成されたスルーホール８Ｔ３，９Ｔ３が接続されている。

誘電体層３９には、更に、２つのスルーホール７Ｔ４が形成されている。２つのスルーホール７Ｔ４には、８層目の誘電体層３８に形成された２つのスルーホール７Ｔ３が接続されている。

誘電体層３９には、更に、複数のスルーホール６３Ｃ４と、複数のスルーホール６３Ｄ４と、複数のスルーホール６３Ｅ１４と、複数のスルーホール６３Ｆ１４が形成されている。複数のスルーホール６３Ｃ４には、８層目の誘電体層３８に形成された複数のスルーホール６３Ｃ３が接続されている。複数のスルーホール６３Ｄ４には、８層目の誘電体層３８に形成された複数のスルーホール６３Ｄ３が接続されている。複数のスルーホール６３Ｅ１４には、８層目の誘電体層３８に形成された複数のスルーホール６３Ｅ１３が接続されている。複数のスルーホール６３Ｆ１４には、８層目の誘電体層３８に形成された複数のスルーホール６３Ｆ１３が接続されている。

図５（ａ）に示したように、１０層目の誘電体層４０のパターン形成面には、３つの導体層４０１，４０２，４０３が形成されている。導体層４０１は、共振器導体部５１０と、シールド導体部６３１とを含んでいる。導体層４０２は、共振器導体部５２０，５３０と、シールド導体部６３２とを含んでいる。導体層４０３は、共振器導体部５４０と、シールド導体部６３３とを含んでいる。図５（ａ）では、共振器導体部５１０とシールド導体部６３１の境界、共振器導体部５２０とシールド導体部６３２の境界、共振器導体部５３０とシールド導体部６３２の境界、および共振器導体部５４０とシールド導体部６３３の境界を、それぞれ破線で示している。

共振器導体部５１０は、長手方向すなわちＸ方向の両端に位置する第１端５１０ａと第２端５１０ｂを有している。第１端５１０ａは、シールド導体部６３１に接続されていることによってグランドに接続されている。第２端５１０ｂは、開放されている。

共振器導体部５２０は、長手方向すなわちＹ方向の両端に位置する第１端５２０ａと第２端５２０ｂを有している。第１端５２０ａは、シールド導体部６３２に接続されていることによってグランドに接続されている。第２端５２０ｂは、開放されている。

共振器導体部５３０は、長手方向すなわちＹ方向の両端に位置する第１端５３０ａと第２端５３０ｂを有している。第１端５３０ａは、シールド導体部６３２に接続されていることによってグランドに接続されている。第２端５３０ｂは、開放されている。

共振器導体部５４０は、長手方向すなわちＸ方向の両端に位置する第１端５４０ａと第２端５４０ｂを有している。第１端５４０ａは、シールド導体部６３３に接続されていることによってグランドに接続されている。第２端５４０ｂは、開放されている。

図５（ａ）に示したように、本実施の形態では、共振器導体部５２０，５３０は、１つの導体層４０２における互いに異なる部分によって構成されている。導体層４０２のシールド導体部６３２は、共振器導体部５２０の第１端５２０ａと共振器導体部５３０の第１端５３０ａとを接続する接続部６３２Ｃを含んでいる。図５（ａ）では、接続部６３２Ｃと、シールド導体部６３２の残りの部分との間の２つの境界を点線で示している。接続部６３２Ｃは、共振器５２，５３間の磁気結合を大きくする役割を有している。共振器５２，５３間の磁気結合の大きさは、接続部６３２Ｃを考慮しない場合の共振器５２，５３間の磁気結合の大きさと、接続部６３２Ｃとによって調整される。

図５（ａ）に示した１０層目の誘電体層４０には、スルーホール８Ｔ５，９Ｔ５が形成されている。スルーホール８Ｔ５，９Ｔ５には、それぞれ図４（ｂ）に示したスルーホール８Ｔ４，９Ｔ４が接続されている。

誘電体層４０には、更に、２つのスルーホール７Ｔ５が形成されている。２つのスルーホール７Ｔ５には、図４（ｂ）に示した２つのスルーホール７Ｔ４が接続されている。

誘電体層４０には、更に、複数のスルーホール６３Ｃ５と、複数のスルーホール６３Ｄ５と、複数のスルーホール６３Ｅ１５と、複数のスルーホール６３Ｅ２５と、複数のスルーホール６３Ｆ１５と、複数のスルーホール６３Ｆ２５が形成されている。

複数のスルーホール６３Ｃ５のうちの一部のスルーホール６３Ｃ５は、シールド導体部６３１に接続されている。複数のスルーホール６３Ｃ５のうちの他の一部のスルーホール６３Ｃ５は、シールド導体部６３３に接続されている。また、複数のスルーホール６３Ｃ５には、図４（ｂ）に示した複数のスルーホール６３Ｃ４が接続されている。

複数のスルーホール６３Ｄ５は、シールド導体部６３２に接続されている。また、複数のスルーホール６３Ｄ５には、図４（ｂ）に示した複数のスルーホール６３Ｄ４が接続されている。

複数のスルーホール６３Ｅ１５と複数のスルーホール６３Ｅ２５は、シールド導体部６３１に接続されている。複数のスルーホール６３Ｅ１５には、図４（ｂ）に示した複数のスルーホール６３Ｅ１４が接続されている。

複数のスルーホール６３Ｆ１５と複数のスルーホール６３Ｆ２５は、シールド導体部６３３に接続されている。複数のスルーホール６３Ｆ１５には、図４（ｂ）に示した複数のスルーホール６３Ｆ１４が接続されている。

図５（ｂ）に示したように、１１層目ないし１８層目の誘電体層４１〜４８の各々には、スルーホール８Ｔ６，９Ｔ６が形成されている。１１層目の誘電体層４１に形成されたスルーホール８Ｔ６，９Ｔ６には、それぞれ図５（ａ）に示したスルーホール８Ｔ５，９Ｔ５が接続されている。

１１層目ないし１８層目の誘電体層４１〜４８の各々には、更に、２つのスルーホール７Ｔ６が形成されている。１１層目の誘電体層４１に形成された２つのスルーホール７Ｔ６には、図５（ａ）に示した２つのスルーホール７Ｔ５が接続されている。

１１層目ないし１８層目の誘電体層４１〜４８の各々には、更に、複数のスルーホール６３Ｃ６と、複数のスルーホール６３Ｄ６と、複数のスルーホール６３Ｅ１６と、複数のスルーホール６３Ｅ２６と、複数のスルーホール６３Ｆ１６と、複数のスルーホール６３Ｆ２６が形成されている。１１層目の誘電体層４１に形成された複数のスルーホール６３Ｃ６には、図５（ａ）に示した複数のスルーホール６３Ｃ５が接続されている。１１層目の誘電体層４１に形成された複数のスルーホール６３Ｄ６には、図５（ａ）に示した複数のスルーホール６３Ｄ５が接続されている。

１１層目の誘電体層４１に形成された複数のスルーホール６３Ｅ１６には、図５（ａ）に示した複数のスルーホール６３Ｅ１５が接続されている。１１層目の誘電体層４１に形成された複数のスルーホール６３Ｅ２６には、図５（ａ）に示した複数のスルーホール６３Ｅ２５が接続されている。１１層目の誘電体層４１に形成された複数のスルーホール６３Ｆ１６には、図５（ａ）に示した複数のスルーホール６３Ｆ１５が接続されている。１１層目の誘電体層４１に形成された複数のスルーホール６３Ｆ２６には、図５（ａ）に示した複数のスルーホール６３Ｆ２５が接続されている。

誘電体層４１〜４８では、上下に隣接する同じ符号のスルーホール同士が互いに接続されている。

図６に示したように、１９層目の誘電体層４９のパターン形成面には、シールド６の第２の部分６２を構成する第２の導体層４９１が形成されている。１８層目の誘電体層４８（図５（ｂ）参照）に形成されたスルーホール７Ｔ６，８Ｔ６，９Ｔ６，６３Ｃ６，６３Ｄ６，６３Ｅ１６，６３Ｅ２６，６３Ｆ１６，６３Ｆ２６は、第２の導体層４９１に接続されている。

本実施の形態に係るバンドパスフィルタ１は、１層目の誘電体層３１のパターン形成面が本体２の第１の端面２Ａになるように、１層目ないし１９層目の誘電体層３１〜４９が積層されて構成される。１９層目の誘電体層４９におけるパターン形成面とは反対側の面は、本体２の第２の端面２Ｂになる。１層目ないし１９層目の誘電体層３１〜４９は、積層体２０を構成する。

共振器導体部５１０，５２０，５３０，５４０は、第１の方向すなわちＺ方向に関して、積層体２０内の同じ位置に配置されている。

第１の入出力ポート３を構成する導体層３１１は、スルーホール３１Ｔ１、導体層３２１およびスルーホール３２Ｔ１，３３Ｔ１を介して、図４（ｂ）に示した導体層３９１に接続されている。導体層３９１は、誘電体層３９を介して、図５（ａ）に示した共振器導体部５１０に対向している。図２に示したキャパシタＣ１は、導体層３９１と共振器導体部５１０と、これらの間の誘電体層３９とによって構成されている。

第２の入出力ポート４を構成する導体層３１２は、スルーホール３１Ｔ２、導体層３２２およびスルーホール３２Ｔ２，３３Ｔ２を介して、図４（ｂ）に示した導体層３９２に接続されている。導体層３９２は、誘電体層３９を介して、図５（ａ）に示した共振器導体部５４０に対向している。図２に示したキャパシタＣ２は、導体層３９２と共振器導体部５４０と、これらの間の誘電体層３９とによって構成されている。

仕切り部７の複数のスルーホール列７Ｔは、複数のスルーホール７Ｔ１，７Ｔ２，７Ｔ３，７Ｔ４，７Ｔ５，７Ｔ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。

スルーホール列８Ｔは、複数のスルーホール８Ｔ１，８Ｔ２，８Ｔ３，８Ｔ４，８Ｔ５，８Ｔ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列９Ｔは、複数のスルーホール９Ｔ１，９Ｔ２，９Ｔ３，９Ｔ４，９Ｔ５，９Ｔ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。

複数のスルーホール列６３Ｃは、複数のスルーホール６３Ｃ１，６３Ｃ２，６３Ｃ３，６３Ｃ４，６３Ｃ５，６３Ｃ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。複数のスルーホール列６３Ｄは、複数のスルーホール６３Ｄ１，６３Ｄ２，６３Ｄ３，６３Ｄ４，６３Ｄ５，６３Ｄ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。

複数のスルーホール列６３Ｅ１は、複数のスルーホール６３Ｅ１１，６３Ｅ１２，６３Ｅ１３，６３Ｅ１４，６３Ｅ１５，６３Ｅ１６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。複数のスルーホール列６３Ｅ２は、複数のスルーホール６３Ｅ２５，６３Ｅ２６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。

複数のスルーホール列６３Ｆ１は、複数のスルーホール６３Ｆ１１，６３Ｆ１２，６３Ｆ１３，６３Ｆ１４，６３Ｆ１５，６３Ｆ１６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。複数のスルーホール列６３Ｆ２は、複数のスルーホール６３Ｆ２５，６３Ｆ２６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。

次に、本実施の形態に係るバンドパスフィルタ１の作用および効果について説明する。バンドパスフィルタ１は、例えば、通過帯域が１０〜３０ＧＨｚの準ミリ波帯または３０〜３００ＧＨｚのミリ波帯に存在するように設計および構成される。

バンドパスフィルタ１は、回路構成上、第１の入出力ポート３と第２の入出力ポート４の間に第１の入出力ポート３側から順に配置された共振器５１，５２，５３，５４を備えている。回路構成上隣接する２つの共振器は電磁結合する。

共振器５１，５２，５３，５４は、それぞれ共振器導体部５１０，５２０，５３０，５４０を含んでいる。共振器導体部５１０，５２０，５３０，５４０の各々の第１端はグランドに接続されている。共振器導体部５１０，５２０，５３０，５４０の各々の第２端は開放されている。共振器導体部５１０，５２０，５３０，５４０の各々は、バンドパスフィルタ１の通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４の長さを有している。この場合、共振器５１，５２，５３，５４の各々は、１／４波長共振器として動作する。

また、バンドパスフィルタ１は、シールド６を備えている。シールド６は、バンドパスフィルタ１の周囲へ電磁波が放射されることを防止する機能を有する。本実施の形態では、シールド６とその内側の誘電体によって導波管に似た構造が形成されることによって、１つ以上の導波管モードが生じ得る。この１つ以上の導波管モードの共振周波数は、通常、バンドパスフィルタ１の通過帯域よりも高い周波数領域に存在する。もし、共振周波数が最も低い導波管モードすなわち最低次導波管モードの共振周波数が、バンドパスフィルタ１の通過帯域に比較的近いと、最低次導波管モードの共振周波数における不要な共振によって、通過帯域よりも高い周波数領域における減衰特性が悪化するという問題が生じる。

本実施の形態に係るバンドパスフィルタ１は、仕切り部７を備えることによって、上記の問題の発生を防止している。以下、これについて詳しく説明する。まず、仕切り部７が無いと仮定すると、最低次導波管モードの共振周波数は、シールド６で囲まれた空間の形状に依存する。一般的に、この空間が大きいほど、最低次導波管モードの共振周波数は低くなる。

これに対し、本実施の形態では、仕切り部７は、その少なくとも一部が共振器導体部５２０と共振器導体部５３０の間を通過するように、共振器導体部５２０と共振器導体部５３０の各々の長手方向（Ｙ方向）と交差する方向（Ｚ方向）に延在して、シールド６の第１の部分６１と第２の部分６２とに接している。本実施の形態では、仕切り部７によって、シールド６で囲まれた空間が、共振器導体部５２０が存在する空間と、共振器導体部５３０が存在する空間とに仕切られる。

本実施の形態では、最低次導波管モードの共振周波数は、仕切り部７によって仕切られた２つの空間の各々の形状に依存する。この２つの空間の各々は、仕切り部７が無いと仮定したときのシールド６で囲まれた空間よりも小さい。そのため、本実施の形態によれば、仕切り部７が無い場合に比べて、最低次導波管モードの共振周波数を高くすることができる。

また、本実施の形態では、４つの共振器５１，５２，５３，５４は、いずれも１／４波長共振器として動作する。そのため、本実施の形態では、１つ以上の１／２波長共振器を含む４つ共振器を用いてバンドパスフィルタを構成する場合に比べて、共振器５１，５２，５３，５４を構成する共振器導体部５１０，５２０，５３０，５４０の各々の長さを小さくすることができ、その結果、シールド６で囲まれた空間を小さくすることができる。この点からも、本実施の形態によれば、最低次導波管モードの共振周波数を高くすることができる。

また、本実施の形態では、共振器導体部５１０，５２０，５３０，５４０の各々における最低次高調波共振モードの共振周波数は、基本共振周波数の３倍になる。これにより、本実施の形態によれば、最低次高調波共振モードの共振周波数を高くすることができる。なお、１／２波長共振器では、最低次高調波共振モードの共振周波数は、基本共振周波数の２倍になる。

これらのことから、本実施の形態に係るバンドパスフィルタ１によれば、最低次導波管モードおよび最低次高調波共振モードによって通過帯域よりも高い周波数領域における減衰特性が悪化することを防止することができる。

以下、図７を参照して、本実施の形態に係るバンドパスフィルタ１の効果について更に説明する。図７は、本実施の形態に係るバンドパスフィルタ１と比較例のバンドパスフィルタの挿入損失の周波数特性の一例を示している。図７に示した特性は、シミュレーションによって求めたものである。比較例のバンドパスフィルタは、バンドパスフィルタ１から仕切り部７を除き、且つ通過帯域における特性がバンドパスフィルタ１と同様になるようにインピーダンスを調整して構成されたものである。図７において、横軸は周波数を示し、縦軸は挿入損失を示している。また、図７において、符号９１を付した線はバンドパスフィルタ１の特性を示し、符号９２を付した線は比較例のバンドパスフィルタの特性を示している。図７に示した例では、バンドパスフィルタ１および比較例のバンドパスフィルタの通過帯域の中心周波数は、約２８〜２９ＧＨｚの範囲内である。通過帯域は、例えば、挿入損失の最小値から３ｄＢだけ挿入損失が大きくなる２つの周波数の間の周波数帯域である。

図７に示したように、比較例のバンドパスフィルタの特性９２では、約５１ＧＨｚにおいて挿入損失が極端に小さくなるピークが存在している。これは、約５１ＧＨｚにおいて最低次導波管モードによる不要な共振が生じているためと考えられる。特性９２では、上記のピークの存在により、通過帯域よりも高い周波数領域における減衰特性が悪化している。これに対し、バンドパスフィルタ１の特性９１では、特性９２において生じているようなピークは存在せず、特性９２に比べて、通過帯域よりも高い周波数領域における減衰特性は良好である。

また、複数の１／２波長共振器を用いてバンドパスフィルタを構成すると、通過帯域の中心周波数の２倍の周波数およびその近傍の周波数において、最低次高調波共振モードによって、挿入損失が極端に小さくなるおそれがある。しかし、バンドパスフィルタ１の特性９１では、通過帯域の中心周波数の２倍の周波数およびその近傍の周波数において、挿入損失が極端に小さくなってはいない。

図７から、本実施の形態に係るバンドパスフィルタ１によれば、最低次導波管モードおよび最低次高調波共振モードによって通過帯域よりも高い周波数領域における減衰特性が悪化することを防止することができることが分かる。

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。始めに、図８および図９を参照して、本実施の形態に係るバンドパスフィルタの構成について説明する。図８は、本実施の形態に係るバンドパスフィルタの構造を示す斜視図である。図９は、本実施の形態に係るバンドパスフィルタの回路構成を示す回路図である。

本実施の形態に係るバンドパスフィルタ１００は、本体２と、第１の入出力ポート３および第２の入出力ポート４と、複数の共振器と、シールド６と、仕切り部７と、スルーホール列８Ｔ，９Ｔと、キャパシタＣ１，Ｃ２を備えている。本体２は、積層体２０を含んでいる。

本実施の形態では、複数の共振器は、第１の実施の形態における共振器５１，５２，５３，５４の代わりに、回路構成上、第１の入出力ポート３側から順に配置された１段目の共振器１５１、２段目の共振器１５２、３段目の共振器１５３および４段目の共振器１５４を含んでいる。共振器１５１〜１５４は、回路構成上隣接する２つの共振器が電磁結合するように構成されている。具体的に説明すると、共振器１５１〜１５４は、共振器１５１，１５２が回路構成上隣接して電磁結合し、共振器１５２，１５３が回路構成上隣接して電磁結合し、共振器１５３，１５４が回路構成上隣接して電磁結合するように構成されている。シールド６の第１の部分６１、第２の部分６２および接続部６３は、４つの共振器１５１〜１５４を囲むように配置されている。

本実施の形態では、第１の部分６１は、積層体２０の主要部２１の第１の端面２１ａに配置された第１の導体層１３１３によって構成されている。第２の部分６２は、積層体２０の主要部２１の第２の端面２１ｂに配置された第２の導体層１４８１によって構成されている。

共振器１５１は、導体よりなる共振器導体部１５１０を含んでいる。共振器１５２は、導体よりなる共振器導体部１５２０を含んでいる。共振器１５３は、導体よりなる共振器導体部１５３０を含んでいる。共振器１５４は、導体よりなる共振器導体部１５４０を含んでいる。

共振器導体部１５１０，１５２０，１５３０，１５４０の各々は、第１の方向すなわちＺ方向と交差する方向に長い形状を有すると共に、その長手方向の両端に位置する第１端と第２端を有している。本実施の形態では特に、共振器導体部１５１０，１５２０，１５３０，１５４０の各々は、第１の方向すなわちＺ方向に直交する方向に長い形状を有している。より具体的に説明すると、共振器導体部１５１０と共振器導体部１５４０はＹ方向に長い形状を有し、共振器導体部１５２０と共振器導体部１５３０はＸ方向に長い形状を有している。

共振器導体部１５１０，１５２０，１５３０，１５４０の各々の第１端はグランドに接続されている。共振器導体部１５１０，１５２０，１５３０，１５４０の各々の第２端は開放されている。

共振器導体部１５１０，１５２０，１５３０，１５４０の各々は、バンドパスフィルタ１００の通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４以下の長さを有している。本実施の形態では特に、共振器導体部１５１０，１５２０，１５３０，１５４０の各々の長さは、バンドパスフィルタ１００の通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４である。

本実施の形態において、１段目の共振器１５１は本発明における第１の共振器に対応し、４段目の共振器１５４は本発明における第２の共振器に対応する。また、共振器導体部１５１０は本発明における第１の共振器導体部に対応し、共振器導体部１５４０は本発明における第２の共振器導体部に対応する。また、共振器導体部１５２０，１５３０は、いずれも本発明における第３の共振器導体部に対応する。

本実施の形態では、仕切り部７は、その少なくとも一部が共振器導体部１５１０と共振器導体部１５４０の間を通過するように、共振器導体部１５１０と共振器導体部１５４０の各々の長手方向（Ｙ方向）と交差する方向（Ｚ方向）に延在して、第１の部分６１と第２の部分６２とに接している。また、仕切り部７は、第１の実施の形態における複数の第１のスルーホール列７Ｔの代わりに、それぞれ主要部２１を構成する２つ以上の誘電体層を貫通する複数の第１のスルーホール列１０７Ｔを含んでいる。図８では、個々のスルーホール列１０７Ｔを円柱で表している。複数の第１のスルーホール列１０７Ｔの各々は、直列に接続された２つ以上のスルーホールを含んでいる。複数の第１のスルーホール列１０７Ｔの各々は、Ｚ方向に延びている。また、複数の第１のスルーホール列１０７Ｔは、Ｙ方向に並ぶように配列されている。本実施の形態では、第１のスルーホール列１０７Ｔの数は４である。

また、本実施の形態では、シールド６の接続部６３は、第１の実施の形態における複数の第２のスルーホール列６３Ｔの代わりに、それぞれ主要部２１を構成する２つ以上の誘電体層を貫通する複数の第２のスルーホール列１６３Ｔを含んでいる。図８では、個々のスルーホール列１６３Ｔを円柱で表している。複数の第２のスルーホール列１６３Ｔの各々は、直列に接続された２つ以上のスルーホールを含んでいる。複数の第２のスルーホール列１６３Ｔの各々は、Ｚ方向に延びている。

複数の第２のスルーホール列１６３Ｔは、複数のスルーホール列１６３Ｃと、複数のスルーホール列１６３Ｄと、複数のスルーホール列１６３Ｅと、複数のスルーホール列１６３Ｆとを含んでいる。複数のスルーホール列１６３Ｃは、本体２の側面２Ｃの近傍に配置され、Ｘ方向に並ぶように配列されている。複数のスルーホール列１６３Ｄは、本体２の側面２Ｄの近傍に配置され、Ｘ方向に並ぶように配列されている。複数のスルーホール列１６３Ｅは、本体２の側面２Ｅの近傍に配置され、Ｙ方向に並ぶように配列されている。複数のスルーホール列１６３Ｆは、本体２の側面２Ｆの近傍に配置され、Ｙ方向に並ぶように配列されている。

また、シールド６の接続部６３は、第１の実施の形態におけるシールド導体部６３１，６３２，６３３の代わりに、４つのシールド導体部１６３１，１６３２，１６３３，１６３４を含んでいる。シールド導体部１６３１は、複数のスルーホール列１６３Ｃのうちの一部のスルーホール列１６３Ｃに接続されている。シールド導体部１６３２は、複数のスルーホール列１６３Ｅに接続されている。シールド導体部１６３３は、複数のスルーホール列１６３Ｆに接続されている。シールド導体部１６３４は、複数のスルーホール列１６３Ｃのうちの他の一部のスルーホール列１６３Ｃに接続されている。

また、図８に示したように、本実施の形態では、スルーホール列８Ｔは、共振器導体部１５１０と共振器導体部１５２０の近くに配置されている。スルーホール列９Ｔは、共振器導体部１５３０と共振器導体部１５４０の近くに配置されている。

本実施の形態に係るバンドパスフィルタ１００は、更に、本体２内に設けられたスルーホール列１０Ｔを備えている。スルーホール列１０Ｔは、主要部２１を構成する２つ以上の誘電体層を貫通し、Ｚ方向に延びて、第１の部分６１と第２の部分６２とに接している。スルーホール列１０Ｔは、直列に接続された２つ以上のスルーホールを含んでいる。スルーホール列１０Ｔは、共振器導体部１５２０と共振器導体部１５３０の近くに配置されている。スルーホール列１０Ｔは、シールド６の機能を補助する機能を有している。

また、図９に示したように、本実施の形態では、キャパシタＣ１は、第１の入出力ポート３と１段目の共振器１５１との間に設けられている。キャパシタＣ２は、第２の入出力ポート４と４段目の共振器１５４との間に設けられている。

図９において、記号Ｃ１０３を付したキャパシタの記号は、共振器１５１，１５２間の容量結合を表している。また、記号Ｃ１０４を付したキャパシタの記号は、共振器１５２，１５３間の容量結合を表している。また、記号Ｃ１０５を付したキャパシタの記号は、共振器１５３，１５４間の容量結合を表している。また、記号Ｍを付した曲線は、共振器１５１，１５４間の磁気結合を表している。なお、共振器導体部１５１０と共振器導体部１５４０が別々の導体層によって構成されているため、共振器１５１，１５４間の磁気結合は、第１の実施の形態における共振器５２，５３間の磁気結合よりも弱い。

次に、図１０ないし図１３を参照して、本実施の形態における積層体２０を構成する複数の誘電体層と、この複数の誘電体層に形成された複数の導体層および複数のスルーホールの構成の一例について説明する。この例では、積層体２０は、積層された１８層の誘電体層を有している。以下、この１８層の誘電体層を、下から順に１層目ないし１８層目の誘電体層と呼ぶ。本実施の形態では、主要部２１は、１層目ないし１７層目の誘電体層によって構成されている。被覆部２２は、１８層目の誘電体層によって構成されている。

図１０において、（ａ）は１層目の誘電体層のパターン形成面を示し、（ｂ）は２層目ないし６層目の誘電体層のパターン形成面を示している。図１１において、（ａ）は７層目の誘電体層のパターン形成面を示し、（ｂ）は８層目の誘電体層のパターン形成面を示している。図１２において、（ａ）は９層目の誘電体層のパターン形成面を示し、（ｂ）は１０層目ないし１７層目の誘電体層のパターン形成面を示している。図１３は、１８層目の誘電体層のパターン形成面を示している。以下、１層目ないし１８層目の誘電体層を符号１３１〜１４８で表す。

図１０（ａ）に示したように、１層目の誘電体層１３１のパターン形成面には、第１の入出力ポート３を構成する導体層１３１１と、第２の入出力ポート４を構成する導体層１３１２と、シールド６の第１の部分６１を構成する第１の導体層１３１３とが形成されている。

また、誘電体層１３１には、導体層１３１１に接続されたスルーホール１３１Ｔ１と、導体層１３１２に接続されたスルーホール１３１Ｔ２と、スルーホール列８Ｔの一部を構成するスルーホール８Ｔ１と、スルーホール列９Ｔの一部を構成するスルーホール９Ｔ１と、スルーホール列１０Ｔの一部を構成するスルーホール１０Ｔ１とが形成されている。誘電体層１３１には、更に、４つの第１のスルーホール列１０７Ｔの一部を構成する４つのスルーホール１０７Ｔ１が形成されている。

誘電体層１３１には、更に、複数のスルーホール列１６３Ｃの一部を構成する複数のスルーホール１６３Ｃ１と、複数のスルーホール列１６３Ｄの一部を構成する複数のスルーホール１６３Ｄ１と、複数のスルーホール列１６３Ｅの一部を構成する複数のスルーホール１６３Ｅ１と、複数のスルーホール列１６３Ｆの一部を構成する複数のスルーホール１６３Ｆ１が形成されている。

スルーホール８Ｔ１，９Ｔ１，１０Ｔ１，１０７Ｔ１，１６３Ｃ１，１６３Ｄ１，１６３Ｅ１，１６３Ｆ１は、第１の導体層１３１３に接続されている。

図１０（ｂ）に示したように、２層目ないし６層目の誘電体層１３２〜１３６の各々には、スルーホール１３２Ｔ１，１３２Ｔ２，８Ｔ２，９Ｔ２，１０Ｔ２が形成されている。２層目の誘電体層１３２に形成されたスルーホール１３２Ｔ１，１３２Ｔ２，８Ｔ２，９Ｔ２，１０Ｔ２には、それぞれ図１０（ａ）に示したスルーホール１３１Ｔ１，１３１Ｔ２，８Ｔ１，９Ｔ１，１０Ｔ１が接続されている。

２層目ないし６層目の誘電体層１３２〜１３６の各々には、更に、４つのスルーホール１０７Ｔ２が形成されている。２層目の誘電体層１３２に形成された４つのスルーホール１０７Ｔ２には、図１０（ａ）に示した４つのスルーホール１０７Ｔ１が接続されている。

２層目ないし６層目の誘電体層１３２〜１３６の各々には、更に、複数のスルーホール１６３Ｃ２と、複数のスルーホール１６３Ｄ２と、複数のスルーホール１６３Ｅ２と、複数のスルーホール１６３Ｆ２が形成されている。２層目の誘電体層１３２に形成された複数のスルーホール１６３Ｃ２には、図１０（ａ）に示した複数のスルーホール１６３Ｃ１が接続されている。２層目の誘電体層１３２に形成された複数のスルーホール１６３Ｄ２には、図１０（ａ）に示した複数のスルーホール１６３Ｄ１が接続されている。２層目の誘電体層１３２に形成された複数のスルーホール１６３Ｅ２には、図１０（ａ）に示した複数のスルーホール１６３Ｅ１が接続されている。２層目の誘電体層１３２に形成された複数のスルーホール１６３Ｆ２には、図１０（ａ）に示した複数のスルーホール１６３Ｆ１が接続されている。

誘電体層１３２〜１３６では、上下に隣接する同じ符号のスルーホール同士が互いに接続されている。

図１１（ａ）に示したように、７層目の誘電体層１３７のパターン形成面には、キャパシタＣ１を構成するために用いられる導体層１３７１と、キャパシタＣ２を構成するために用いられる導体層１３７２が形成されている。導体層１３７１，１３７２には、それぞれ６層目の誘電体層１３６（図１０（ｂ）参照）に形成されたスルーホール１３２Ｔ１，１３２Ｔ２が接続されている。

誘電体層１３７には、スルーホール８Ｔ３，９Ｔ３，１０Ｔ３が形成されている。スルーホール８Ｔ３，９Ｔ３，１０Ｔ３には、それぞれ６層目の誘電体層１３６に形成されたスルーホール８Ｔ２，９Ｔ２，１０Ｔ２が接続されている。

誘電体層１３７には、更に、４つのスルーホール１０７Ｔ３が形成されている。４つのスルーホール１０７Ｔ３には、６層目の誘電体層１３６に形成された４つのスルーホール１０７Ｔ２が接続されている。

誘電体層１３７には、更に、複数のスルーホール１６３Ｃ３と、複数のスルーホール１６３Ｄ３と、複数のスルーホール１６３Ｅ３と、複数のスルーホール１６３Ｆ３が形成されている。複数のスルーホール１６３Ｃ３には、６層目の誘電体層１３６に形成された複数のスルーホール１６３Ｃ２が接続されている。複数のスルーホール１６３Ｄ３には、６層目の誘電体層１３６に形成された複数のスルーホール１６３Ｄ２が接続されている。複数のスルーホール１６３Ｅ３には、６層目の誘電体層１３６に形成された複数のスルーホール１６３Ｅ２が接続されている。複数のスルーホール１６３Ｆ３には、６層目の誘電体層１３６に形成された複数のスルーホール１６３Ｆ２が接続されている。

図１１（ｂ）に示したように、８層目の誘電体層１３８には、スルーホール８Ｔ４，９Ｔ４，１０Ｔ４が形成されている。スルーホール８Ｔ４，９Ｔ４，１０Ｔ４には、それぞれ図１１（ａ）に示したスルーホール８Ｔ３，９Ｔ３，１０Ｔ３が接続されている。

誘電体層１３８には、更に、４つのスルーホール１０７Ｔ４が形成されている。４つのスルーホール１０７Ｔ４には、図１１（ａ）に示した４つのスルーホール１０７Ｔ３が接続されている。

誘電体層１３８には、更に、複数のスルーホール１６３Ｃ４と、複数のスルーホール１６３Ｄ４と、複数のスルーホール１６３Ｅ４と、複数のスルーホール１６３Ｆ４が形成されている。複数のスルーホール１６３Ｃ４には、図１１（ａ）に示した複数のスルーホール１６３Ｃ３が接続されている。複数のスルーホール１６３Ｄ４には、図１１（ａ）に示した複数のスルーホール１６３Ｄ３が接続されている。複数のスルーホール１６３Ｅ４には、図１１（ａ）に示した複数のスルーホール１６３Ｅ３が接続されている。複数のスルーホール１６３Ｆ４には、図１１（ａ）に示した複数のスルーホール１６３Ｆ３が接続されている。

図１２（ａ）に示したように、９層目の誘電体層１３９のパターン形成面には、４つの導体層１３９１，１３９２，１３９３，１３９４が形成されている。導体層１３９１は、共振器導体部１５１０と、シールド導体部１６３１とを含んでいる。導体層１３９２は、共振器導体部１５２０と、シールド導体部１６３２とを含んでいる。導体層１３９３は、共振器導体部１５３０と、シールド導体部１６３３とを含んでいる。導体層１３９４は、共振器導体部１５４０と、シールド導体部１６３４とを含んでいる。図１２（ａ）では、共振器導体部１５１０とシールド導体部１６３１の境界、共振器導体部１５２０とシールド導体部１６３２の境界、共振器導体部１５３０とシールド導体部１６３３の境界、および共振器導体部１５４０とシールド導体部１６３４の境界を、それぞれ破線で示している。

共振器導体部１５１０は、長手方向すなわちＹ方向の両端に位置する第１端１５１０ａと第２端１５１０ｂを有している。第１端１５１０ａは、シールド導体部１６３１に接続されていることによってグランドに接続されている。第２端１５１０ｂは、開放されている。

共振器導体部１５２０は、長手方向すなわちＸ方向の両端に位置する第１端１５２０ａと第２端１５２０ｂを有している。第１端１５２０ａは、シールド導体部１６３２に接続されていることによってグランドに接続されている。第２端１５２０ｂは、開放されている。

共振器導体部１５３０は、長手方向すなわちＸ方向の両端に位置する第１端１５３０ａと第２端１５３０ｂを有している。第１端１５３０ａは、シールド導体部１６３３に接続されていることによってグランドに接続されている。第２端１５３０ｂは、開放されている。

共振器導体部１５４０は、長手方向すなわちＹ方向の両端に位置する第１端１５４０ａと第２端１５４０ｂを有している。第１端１５４０ａは、シールド導体部１６４１に接続されていることによってグランドに接続されている。第２端１５４０ｂは、開放されている。

図１２（ａ）に示した９層目の誘電体層１３９には、スルーホール８Ｔ５，９Ｔ５，１０Ｔ５が形成されている。スルーホール８Ｔ５，９Ｔ５，１０Ｔ５には、それぞれ図１１（ｂ）に示したスルーホール８Ｔ４，９Ｔ４，１０Ｔ４が接続されている。

誘電体層１３９には、更に、４つのスルーホール１０７Ｔ５が形成されている。４つのスルーホール１０７Ｔ５には、図１１（ｂ）に示した４つのスルーホール１０７Ｔ４が接続されている。

誘電体層１３９には、更に、複数のスルーホール１６３Ｃ５と、複数のスルーホール１６３Ｄ５と、複数のスルーホール１６３Ｅ５と、複数のスルーホール１６３Ｆ５が形成されている。

複数のスルーホール１６３Ｃ５のうちの一部のスルーホール１６３Ｃ５は、シールド導体部１６３１に接続されている。複数のスルーホール１６３Ｃ５のうちの他の一部のスルーホール１６３Ｃ５は、シールド導体部１６３４に接続されている。また、複数のスルーホール１６３Ｃ５には、図１１（ｂ）に示した複数のスルーホール１６３Ｃ４が接続されている。

複数のスルーホール１６３Ｄ５には、図１１（ｂ）に示した複数のスルーホール１６３Ｄ４が接続されている。

複数のスルーホール１６３Ｅ５は、シールド導体部１６３２に接続されている。また、複数のスルーホール１６３Ｅ５には、図１１（ｂ）に示した複数のスルーホール１６３Ｅ４が接続されている。

複数のスルーホール１６３Ｆ５は、シールド導体部１６３３に接続されている。また、複数のスルーホール１６３Ｆ５には、図１１（ｂ）に示した複数のスルーホール１６３Ｆ４が接続されている。

図１２（ｂ）に示したように、１０層目ないし１７層目の誘電体層１４０〜１４７の各々には、スルーホール８Ｔ６，９Ｔ６，１０Ｔ６が形成されている。１０層目の誘電体層１４０に形成されたスルーホール８Ｔ６，９Ｔ６，１０Ｔ６には、それぞれ図１２（ａ）に示したスルーホール８Ｔ５，９Ｔ５，１０Ｔ５が接続されている。

１０層目ないし１７層目の誘電体層１４０〜１４７の各々には、更に、４つのスルーホール１０７Ｔ６が形成されている。１０層目の誘電体層１４０に形成された４つのスルーホール１０７Ｔ６には、図１２（ａ）に示した４つのスルーホール１０７Ｔ５が接続されている。

１０層目ないし１７層目の誘電体層１４０〜１４７の各々には、更に、複数のスルーホール１６３Ｃ６と、複数のスルーホール１６３Ｄ６と、複数のスルーホール１６３Ｅ６と、複数のスルーホール１６３Ｆ６が形成されている。１０層目の誘電体層１４０に形成された複数のスルーホール１６３Ｃ６には、図１２（ａ）に示した複数のスルーホール１６３Ｃ５が接続されている。１０層目の誘電体層１４０に形成された複数のスルーホール１６３Ｄ６には、図１２（ａ）に示した複数のスルーホール１６３Ｄ５が接続されている。１０層目の誘電体層１４０に形成された複数のスルーホール１６３Ｅ６には、図１２（ａ）に示した複数のスルーホール１６３Ｅ５が接続されている。１０層目の誘電体層１４０に形成された複数のスルーホール１６３Ｆ６には、図１２（ａ）に示した複数のスルーホール１６３Ｆ５が接続されている。

誘電体層１４０〜１４７では、上下に隣接する同じ符号のスルーホール同士が互いに接続されている。

図１３に示したように、１８層目の誘電体層１４８のパターン形成面には、シールド６の第２の部分６２を構成する第２の導体層１４８１が形成されている。１７層目の誘電体層１４７（図１２（ｂ）参照）に形成されたスルーホール８Ｔ６，９Ｔ６，１０Ｔ６，１０７Ｔ６，１６３Ｃ６，１６３Ｄ６，１６３Ｅ６，１６３Ｆ６は、第２の導体層１４８１に接続されている。

本実施の形態に係るバンドパスフィルタ１００は、１層目の誘電体層１３１のパターン形成面が本体２の第１の端面２Ａになるように、１層目ないし１８層目の誘電体層１３１〜１４８が積層されて構成される。１８層目の誘電体層１４８におけるパターン形成面とは反対側の面は、本体２の第２の端面２Ｂになる。１層目ないし１８層目の誘電体層１３１〜１４８は、積層体２０を構成する。

共振器導体部１５１０，１５２０，１５３０，１５４０は、第１の方向すなわちＺ方向に関して、積層体２０内の同じ位置に配置されている。

第１の入出力ポート３を構成する導体層１３１１は、スルーホール１３１Ｔ１，１３２Ｔ１を介して、図１１（ａ）に示した導体層１３７１に接続されている。導体層１３７１は、誘電体層１３７，１３８を介して、図１２（ａ）に示した共振器導体部１５１０に対向している。図９に示したキャパシタＣ１は、導体層１３７１と共振器導体部１５１０と、これらの間の誘電体層１３７，１３８とによって構成されている。

第２の入出力ポート４を構成する導体層１３１２は、スルーホール１３１Ｔ２，１３２Ｔ２を介して、図１１（ａ）に示した導体層１３７２に接続されている。導体層１３７２は、誘電体層１３７，１３８を介して、図１２（ａ）に示した共振器導体部１５４０に対向している。図９に示したキャパシタＣ２は、導体層１３７２と共振器導体部１５４０と、これらの間の誘電体層１３７，１３８とによって構成されている。

仕切り部７の複数のスルーホール列１０７Ｔは、複数のスルーホール１０７Ｔ１，１０７Ｔ２，１０７Ｔ３，１０７Ｔ４，１０７Ｔ５，１０７Ｔ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。

スルーホール列８Ｔは、複数のスルーホール８Ｔ１，８Ｔ２，８Ｔ３，８Ｔ４，８Ｔ５，８Ｔ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列９Ｔは、複数のスルーホール９Ｔ１，９Ｔ２，９Ｔ３，９Ｔ４，９Ｔ５，９Ｔ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列１０Ｔは、複数のスルーホール１０Ｔ１，１０Ｔ２，１０Ｔ３，１０Ｔ４，１０Ｔ５，１０Ｔ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。

複数のスルーホール列１６３Ｃは、複数のスルーホール１６３Ｃ１，１６３Ｃ２，１６３Ｃ３，１６３Ｃ４，１６３Ｃ５，１６３Ｃ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。複数のスルーホール列１６３Ｄは、複数のスルーホール１６３Ｄ１，１６３Ｄ２，１６３Ｄ３，１６３Ｄ４，１６３Ｄ５，１６３Ｄ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。複数のスルーホール列１６３Ｅは、複数のスルーホール１６３Ｅ１，１６３Ｅ２，１６３Ｅ３，１６３Ｅ４，１６３Ｅ５，１６３Ｅ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。複数のスルーホール列１６３Ｆは、複数のスルーホール１６３Ｆ１，１６３Ｆ２，１６３Ｆ３，１６３Ｆ４，１６３Ｆ５，１６３Ｆ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。

本実施の形態に係るバンドパスフィルタ１００は、回路構成上、第１の入出力ポート３と第２の入出力ポート４の間に第１の入出力ポート３側から順に配置された共振器１５１，１５２，１５３，１５４を備えている。回路構成上隣接する２つの共振器は電磁結合する。

共振器１５１，１５２，１５３，１５４は、それぞれ共振器導体部１５１０，１５２０，１５３０，１５４０を含んでいる。共振器導体部１５１０，１５２０，１５３０，１５４０の各々は、バンドパスフィルタ１００の通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４の長さを有している。共振器１５１，１５２，１５３，１５４の各々は、１／４波長共振器として動作する。

本実施の形態では、仕切り部７は、その少なくとも一部が共振器導体部１５１０と共振器導体部１５４０の間を通過するように、共振器導体部１５１０と共振器導体部１５４０の各々の長手方向（Ｙ方向）と交差する方向に延在して、第１の部分６１と第２の部分６２とに接している。共振器導体部１５１０，１５４０は、それぞれ、回路構成上隣接していない共振器１５１，１５４の要素である。

図１４は、本実施の形態に係るバンドパスフィルタ１００の挿入損失の周波数特性の一例を示している。図１４に示した特性は、シミュレーションによって求めたものである。図１４において、横軸は周波数を示し、縦軸は挿入損失を示している。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。始めに、図１５および図１６を参照して、本実施の形態に係るバンドパスフィルタの構成について説明する。図１５は、本実施の形態に係るバンドパスフィルタの構造を示す斜視図である。図１６は、本実施の形態に係るバンドパスフィルタの回路構成を示す回路図である。

本実施の形態に係るバンドパスフィルタ２００は、本体２と、第１の入出力ポート３および第２の入出力ポート４と、複数の共振器と、シールド６と、仕切り部７と、スルーホール列８Ｔ，９Ｔと、キャパシタＣ１，Ｃ２を備えている。本体２は、積層体２０を含んでいる。複数の共振器は、共振器５１，５２，５３，５４を含んでいる。共振器５１は、共振器導体部５１０を含んでいる。共振器５２は、共振器導体部５２０を含んでいる。共振器５３は、共振器導体部５３０を含んでいる。共振器５４は、共振器導体部５４０を含んでいる。共振器導体部５１０，５２０，５３０，５４０の各々は、第１端と第２端を有している。

本実施の形態では、共振器５１は、更に、共振器導体部５１０の第２端とグランドとの間に設けられたキャパシタＣ５１を有している。共振器５２は、更に、共振器導体部５２０の第２端とグランドとの間に設けられたキャパシタＣ５２を有している。共振器５３は、更に、共振器導体部５３０の第２端とグランドとの間に設けられたキャパシタＣ５３を有している。共振器５４は、更に、共振器導体部５４０の第２端とグランドとの間に設けられたキャパシタＣ５４を有している。

本実施の形態では、共振器導体部５１０，５２０，５３０，５４０の各々の長さは、バンドパスフィルタ２００の通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４よりも小さい。

本実施の形態において、キャパシタＣ５２は本発明における第１のキャパシタに対応し、キャパシタＣ５３は本発明における第２のキャパシタに対応する。

次に、図１７を参照して、本実施の形態における積層体２０を構成する複数の誘電体層と、この複数の誘電体層に形成された複数の導体層および複数のスルーホールの構成の一例について説明する。本実施の形態では、積層体２０は、第１の実施の形態における１０層目および１１層目の誘電体層４０，４１の代わりに、１０層目および１１層目の誘電体層２４０，２４１を有している。図１７において、（ａ）は１０層目の誘電体層２４０のパターン形成面を示し、（ｂ）は１１層目の誘電体層２４１のパターン形成面を示している。

図１７（ａ）に示したように、１０層目の誘電体層２４０のパターン形成面には、５つの導体層２４０１，２４０２，２４０３，２４０４，２４０５が形成されている。導体層２４０１は、共振器導体部５１０と、シールド導体部６３１とを含んでいる。導体層２４０２は、共振器導体部５２０，５３０と、シールド導体部６３２とを含んでいる。導体層２４０３は、共振器導体部５４０と、シールド導体部６３３とを含んでいる。図１７（ａ）では、共振器導体部５１０とシールド導体部６３１の境界、共振器導体部５２０とシールド導体部６３２の境界、共振器導体部５３０とシールド導体部６３２の境界、および共振器導体部５４０とシールド導体部６３３の境界を、それぞれ破線で示している。共振器導体部５１０，５２０，５３０，５４０の形状は、第１の実施の形態と同様である。

図１７（ａ）に示したように、本実施の形態では、共振器導体部５２０，５３０は、１つの導体層２４０２における互いに異なる部分によって構成されている。導体層２４０２のシールド導体部６３２は、共振器導体部５２０の第１端５２０ａと共振器導体部５３０の第１端５３０ａとを接続する接続部６３２Ｃを含んでいる。図１７（ａ）では、接続部６３２Ｃと、シールド導体部６３２の残りの部分との間の２つの境界を点線で示している。

図１７（ａ）に示した１０層目の誘電体層２４０には、スルーホール８Ｔ５，９Ｔ５が形成されている。スルーホール８Ｔ５は、導体層２４０４に接続されている。スルーホール９Ｔ５は、導体層２４０５に接続されている。また、スルーホール８Ｔ５，９Ｔ５には、それぞれ第１の実施の形態における図４（ｂ）に示したスルーホール８Ｔ４，９Ｔ４が接続されている。

誘電体層２４０には、更に、２つのスルーホール７Ｔ５が形成されている。２つのスルーホール７Ｔ５には、第１の実施の形態における図４（ｂ）に示した２つのスルーホール７Ｔ４が接続されている。

誘電体層２４０には、更に、複数のスルーホール６３Ｃ５と、複数のスルーホール６３Ｄ５と、複数のスルーホール６３Ｅ１５と、複数のスルーホール６３Ｅ２５と、複数のスルーホール６３Ｆ１５と、複数のスルーホール６３Ｆ２５が形成されている。複数のスルーホール６３Ｃ５，６３Ｄ５，６３Ｅ１５，６３Ｅ２５，６３Ｆ１５，６３Ｆ２５とシールド導体部６３１，６３２，６３３との接続関係は、第１の実施の形態と同様である。

また、複数のスルーホール６３Ｃ５には、第１の実施の形態における図４（ｂ）に示した複数のスルーホール６３Ｃ４が接続されている。複数のスルーホール６３Ｄ５には、図４（ｂ）に示した複数のスルーホール６３Ｄ４が接続されている。複数のスルーホール６３Ｅ１５には、図４（ｂ）に示した複数のスルーホール６３Ｅ１４が接続されている。複数のスルーホール６３Ｆ１５には、図４（ｂ）に示した複数のスルーホール６３Ｆ１４が接続されている。

図１７（ｂ）に示したように、１１層目の誘電体層２４１のパターン形成面には、キャパシタＣ５１を構成するために用いられる導体層２４１１と、キャパシタＣ５２を構成するために用いられる導体層２４１２と、キャパシタＣ５３を構成するために用いられる導体層２４１３と、キャパシタＣ５３を構成するために用いられる導体層２４１３が形成されている。

誘電体層２４１には、スルーホール８Ｔ６，９Ｔ６が形成されている。誘電体層２４１に形成されたスルーホール８Ｔ６，９Ｔ６には、それぞれ図１７（ａ）に示したスルーホール８Ｔ５，９Ｔ５が接続されている。

誘電体層２４１には、更に、２つのスルーホール７Ｔ６が形成されている。誘電体層２４１に形成された２つのスルーホール７Ｔ６には、図１７（ａ）に示した２つのスルーホール７Ｔ５が接続されている。

誘電体層２４１には、更に、複数のスルーホール６３Ｃ６と、複数のスルーホール６３Ｄ６と、複数のスルーホール６３Ｅ１６と、複数のスルーホール６３Ｅ２６と、複数のスルーホール６３Ｆ１６と、複数のスルーホール６３Ｆ２６が形成されている。誘電体層２４１に形成された複数のスルーホール６３Ｃ６には、図１７（ａ）に示した複数のスルーホール６３Ｃ５が接続されている。誘電体層２４１に形成された複数のスルーホール６３Ｄ６には、図１７（ａ）に示した複数のスルーホール６３Ｄ５が接続されている。

誘電体層２４１に形成された複数のスルーホール６３Ｅ１６には、図１７（ａ）に示した複数のスルーホール６３Ｅ１５が接続されている。誘電体層２４１に形成された複数のスルーホール６３Ｅ２６には、図１７（ａ）に示した複数のスルーホール６３Ｅ２５が接続されている。誘電体層２４１に形成された複数のスルーホール６３Ｆ１６には、図１７（ａ）に示した複数のスルーホール６３Ｆ１５が接続されている。誘電体層２４１に形成された複数のスルーホール６３Ｆ２６には、図１７（ａ）に示した複数のスルーホール６３Ｆ２５が接続されている。

第１の実施の形態における図５（ｂ）に示した１２層目の誘電体層４２に形成された複数のスルーホール６３Ｃ６には、１１層目の誘電体層２４１に形成された複数のスルーホール６３Ｃ６が接続されている。１２層目の誘電体層４２に形成された複数のスルーホール６３Ｄ６には、１１層目の誘電体層２４１に形成された複数のスルーホール６３Ｄ６が接続されている。

１２層目の誘電体層４２に形成された複数のスルーホール６３Ｅ１６には、１１層目の誘電体層２４１に形成された複数のスルーホール６３Ｅ１６が接続されている。１２層目の誘電体層４２に形成された複数のスルーホール６３Ｅ２６には、１１層目の誘電体層２４１に形成された複数のスルーホール６３Ｅ２６が接続されている。１２層目の誘電体層４２に形成された複数のスルーホール６３Ｆ１６には、１１層目の誘電体層２４１に形成された複数のスルーホール６３Ｆ１６が接続されている。１２層目の誘電体層４２に形成された複数のスルーホール６３Ｆ２６には、１１層目の誘電体層２４１に形成された複数のスルーホール６３Ｆ２６が接続されている。

図１７（ｂ）に示した導体層２４１１は、誘電体層２４０を介して、図１７（ａ）に示した共振器導体部５１０とシールド導体部６３１に対向している。図１６に示したキャパシタＣ５１は、導体層２４１１、共振器導体部５１０およびシールド導体部６３１と、誘電体層２４０とによって構成されている。

図１７（ｂ）に示した導体層２４１２は、誘電体層２４０を介して、図１７（ａ）に示した共振器導体部５２０と導体層２４０４に対向している。図１６に示したキャパシタＣ５２は、導体層２４０４，２４１２および共振器導体部５２０と、誘電体層２４０とによって構成されている。キャパシタＣ５２は、導体層２４０４がスルーホール列８Ｔに接続されていることによってグランドに接続されている。

図１７（ｂ）に示した導体層２４１３は、誘電体層２４０を介して、図１７（ａ）に示した共振器導体部５３０と導体層２４０５に対向している。図１６に示したキャパシタＣ５３は、導体層２４０５，２４１３および共振器導体部５３０と、誘電体層２４０とによって構成されている。キャパシタＣ５３は、導体層２４０５がスルーホール列９Ｔに接続されていることによってグランドに接続されている。

図１７（ｂ）に示した導体層２４１４は、誘電体層２４０を介して、図１７（ａ）に示した共振器導体部５４０とシールド導体部６３３に対向している。図１６に示したキャパシタＣ５４は、導体層２４１４、共振器導体部５４０およびシールド導体部６３３と、誘電体層２４０とによって構成されている。

本実施の形態では、共振器５１は共振器導体部５１０とキャパシタＣ５１を有し、共振器５２は共振器導体部５２０とキャパシタＣ５２を有し、共振器５３は共振器導体部５３０とキャパシタＣ５３を有し、共振器５４は共振器導体部５４０とキャパシタＣ５４を有している。

本実施の形態では、共振器導体部５１０，５２０，５３０，５４０の各々の長さを、第１の実施の形態と同じにすると、共振器５１，５２，５３，５４の各々の共振周波数は、第１の実施の形態に比べて低くなる。これは、本実施の形態における共振器導体部５１０，５２０，５３０，５４０の各々の長さは、共振器５１，５２，５３，５４の各々の共振周波数に対応する波長の１／４よりも小さいことを意味する。これにより、本実施の形態では、共振器導体部５１０，５２０，５３０，５４０の各々の長さは、バンドパスフィルタ２００の通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４よりも小さくなる。

本実施の形態によれば、通過帯域を同じにして比較すると、第１の実施の形態に比べて、共振器導体部５１０，５２０，５３０，５４０の各々の長さを小さくすることができる。これにより、本実施の形態によれば、バンドパスフィルタ２００をより小型化することが可能になる。

図１８は、本実施の形態に係るバンドパスフィルタ２００の挿入損失の周波数特性の一例を示している。図１８に示した特性は、シミュレーションによって求めたものである。図１８において、横軸は周波数を示し、縦軸は挿入損失を示している。図１８には、共振器導体部５１０，５２０，５３０，５４０の各々の長さを第１の実施の形態と同じにした場合の例を示している。そのため、図１８に示した特性における通過帯域の中心周波数は、図７に示したバンドパスフィルタ１の特性９１における通過帯域の中心周波数よりも低くなっている。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［第４の実施の形態］
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。始めに、図１９および図２０を参照して、本実施の形態に係るバンドパスフィルタの構成について説明する。図１９は、本実施の形態に係るバンドパスフィルタの構造を示す斜視図である。図２０は、本実施の形態に係るバンドパスフィルタの回路構成を示す回路図である。

本実施の形態に係るバンドパスフィルタ３００は、本体２と、第１の入出力ポート３および第２の入出力ポート４と、複数の共振器と、シールド６と、仕切り部７と、キャパシタＣ１，Ｃ２を備えている。ただし、本実施の形態では、スルーホール列８Ｔ，９Ｔ（図１参照）が設けられていない。本体２は、積層体２０を含んでいる。

本実施の形態では、複数の共振器は、第１の実施の形態における共振器５１，５２，５３，５４の代わりに、回路構成上、第１の入出力ポート３側から順に配置された１段目の共振器３５１、２段目の共振器３５２および３段目の共振器３５３を含んでいる。共振器３５１〜３５３は、回路構成上隣接する２つの共振器が電磁結合するように構成されている。具体的に説明すると、共振器３５１〜３５３は、共振器３５１，３５２が回路構成上隣接して電磁結合し、共振器３５２，３５３が回路構成上隣接して電磁結合するように構成されている。シールド６の第１の部分６１、第２の部分６２および接続部６３は、３つの共振器３５１〜３５３を囲むように配置されている。

本実施の形態では、第１の部分６１は、積層体２０の主要部２１の第１の端面２１ａに配置された第１の導体層３３１３によって構成されている。第２の部分６２は、積層体２０の主要部２１の第２の端面２１ｂに配置された第２の導体層３４８１によって構成されている。

共振器３５１は、導体よりなる共振器導体部３５１０を含んでいる。共振器３５２は、導体よりなる共振器導体部３５２０を含んでいる。共振器３５３は、導体よりなる共振器導体部３５３０を含んでいる。

共振器導体部３５１０，３５２０，３５３０の各々は、第１の方向すなわちＺ方向と交差する方向に長い形状を有すると共に、その長手方向の両端に位置する第１端と第２端を有している。本実施の形態では特に、共振器導体部３５１０，３５２０，３５３０の各々は、Ｚ方向に直交するＹ方向に長い形状を有している。

共振器導体部３５１０，３５２０，３５３０の各々の第１端はグランドに接続されている。共振器導体部３５１０，３５２０，３５３０の各々の第２端は開放されている。

共振器導体部３５１０，３５２０，３５３０の各々は、バンドパスフィルタ３００の通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４以下の長さを有している。本実施の形態では特に、共振器導体部３５１０，３５２０，３５３０の各々の長さは、バンドパスフィルタ３００の通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４である。

本実施の形態において、１段目の共振器３５１は本発明における第１の共振器に対応し、３段目の共振器３５３は本発明における第２の共振器に対応する。また、共振器導体部３５１０は本発明における第１の共振器導体部に対応し、共振器導体部３５３０は本発明における第２の共振器導体部に対応する。また、共振器導体部３５２０は、本発明における第３の共振器導体部に対応する。

本実施の形態では、仕切り部７は、その少なくとも一部が共振器導体部３５１０と共振器導体部３５３０の間を通過するように、共振器導体部３５１０と共振器導体部３５３０の各々の長手方向（Ｙ方向）と交差する方向（Ｚ方向）に延在して、第１の部分６１と第２の部分６２とに接している。

また、本実施の形態では、シールド６の接続部６３は、第１の実施の形態における複数の第２のスルーホール列６３Ｔの代わりに、それぞれ主要部２１を構成する２つ以上の誘電体層を貫通する複数の第２のスルーホール列３６３Ｔを含んでいる。図１９では、個々のスルーホール列３６３Ｔを円柱で表している。複数の第２のスルーホール列３６３Ｔの各々は、直列に接続された２つ以上のスルーホールを含んでいる。複数の第２のスルーホール列３６３Ｔの各々は、Ｚ方向に延びている。

複数の第２のスルーホール列３６３Ｔは、複数のスルーホール列３６３Ｃと、複数のスルーホール列３６３Ｄと、複数のスルーホール列３６３Ｅと、複数のスルーホール列３６３Ｆとを含んでいる。複数のスルーホール列３６３Ｃは、本体２の側面２Ｃの近傍に配置され、Ｘ方向に並ぶように配列されている。複数のスルーホール列３６３Ｄは、本体２の側面２Ｄの近傍に配置され、Ｘ方向に並ぶように配列されている。複数のスルーホール列３６３Ｅは、本体２の側面２Ｅの近傍に配置され、Ｙ方向に並ぶように配列されている。複数のスルーホール列３６３Ｆは、本体２の側面２Ｆの近傍に配置され、Ｙ方向に並ぶように配列されている。

また、シールド６の接続部６３は、第１の実施の形態におけるシールド導体部６３１，６３２，６３３の代わりに、３つのシールド導体部３６３１，３６３２，３６３３を含んでいる。シールド導体部３６３１は、複数のスルーホール列３６３Ｃのうちの一部のスルーホール列１６３Ｃに接続されている。シールド導体部３６３２は、複数のスルーホール列３６３Ｄと、複数のスルーホール列３６３Ｅと、複数のスルーホール列１６３Ｆに接続されている。シールド導体部３６３３は、複数のスルーホール列３６３Ｃのうちの他の一部のスルーホール列３６３Ｃに接続されている。

本実施の形態に係るバンドパスフィルタ３００は、本体２内に設けられた複数のスルーホール列３０８Ｔおよび複数のスルーホール列３０９Ｔを備えている。複数のスルーホール列３０８Ｔ，３０９Ｔの各々は、主要部２１を構成する２つ以上の誘電体層を貫通し、Ｚ方向に延びて、第１の部分６１と第２の部分６２とに接している。複数のスルーホール列３０８Ｔ，３０９Ｔの各々は、直列に接続された２つ以上のスルーホールを含んでいる。複数のスルーホール列３０８Ｔは、共振器導体部３５１０と複数のスルーホール列３６３Ｅの近くに配置されている。複数のスルーホール列３０９Ｔは、共振器導体部３５３０と複数のスルーホール列３６３Ｆの近くに配置されている。複数のスルーホール列３０８Ｔ，３０９Ｔは、シールド６の機能を補助する機能を有している。

また、図２０に示したように、本実施の形態では、キャパシタＣ１は、第１の入出力ポート３と１段目の共振器３５１との間に設けられている。キャパシタＣ２は、第２の入出力ポート４と３段目の共振器３５３との間に設けられている。

図２０において、記号Ｃ３０３を付したキャパシタの記号は、共振器３５１，３５２間の容量結合を表している。また、記号Ｃ３０４を付したキャパシタの記号は、共振器３５２，３５３間の容量結合を表している。

次に、図２１ないし図２４を参照して、本実施の形態における積層体２０を構成する複数の誘電体層と、この複数の誘電体層に形成された複数の導体層および複数のスルーホールの構成の一例について説明する。この例では、積層体２０は、積層された１８層の誘電体層を有している。以下、この１８層の誘電体層を、下から順に１層目ないし１８層目の誘電体層と呼ぶ。本実施の形態では、主要部２１は、１層目ないし１７層目の誘電体層によって構成されている。被覆部２２は、１８層目の誘電体層によって構成されている。

図２１において、（ａ）は１層目の誘電体層のパターン形成面を示し、（ｂ）は２層目ないし６層目の誘電体層のパターン形成面を示している。図２２において、（ａ）は７層目の誘電体層のパターン形成面を示し、（ｂ）は８層目の誘電体層のパターン形成面を示している。図２３において、（ａ）は９層目の誘電体層のパターン形成面を示し、（ｂ）は１０層目ないし１７層目の誘電体層のパターン形成面を示している。図２４は、１８層目の誘電体層のパターン形成面を示している。以下、１層目ないし１８層目の誘電体層を符号３３１〜３４８で表す。

図２１（ａ）に示したように、１層目の誘電体層３３１のパターン形成面には、第１の入出力ポート３を構成する導体層３３１１と、第２の入出力ポート４を構成する導体層３３１２と、シールド６の第１の部分６１を構成する第１の導体層３３１３とが形成されている。

また、誘電体層３３１には、導体層３３１１に接続されたスルーホール３３１Ｔ１と、導体層３３１２に接続されたスルーホール３３１Ｔ２が形成されている。誘電体層３３１には、更に、２つの第１のスルーホール列７Ｔの一部を構成する２つのスルーホール７Ｔ１が形成されている。

誘電体層３３１には、更に、複数のスルーホール列３０８Ｔの一部を構成する複数のスルーホール３０８Ｔ１と、複数のスルーホール列３０９Ｔの一部を構成する複数のスルーホール３０９Ｔ１と、複数のスルーホール列３６３Ｃの一部を構成する複数のスルーホール３６３Ｃ１と、複数のスルーホール列３６３Ｄの一部を構成する複数のスルーホール３６３Ｄ１と、複数のスルーホール列３６３Ｅの一部を構成する複数のスルーホール３６３Ｅ１と、複数のスルーホール列３６３Ｆの一部を構成する複数のスルーホール３６３Ｆ１が形成されている。

スルーホール７Ｔ１，３０８Ｔ１，３０９Ｔ１，３６３Ｃ１，３６３Ｄ１，３６３Ｅ１，３６３Ｆ１は、第１の導体層３３１３に接続されている。

図２１（ｂ）に示したように、２層目ないし６層目の誘電体層３３２〜３３６の各々には、スルーホール３３２Ｔ１，３３２Ｔ２が形成されている。２層目の誘電体層３３２に形成されたスルーホール３３２Ｔ１，３３２Ｔ２には、それぞれ図２１（ａ）に示したスルーホール３３１Ｔ１，３３１Ｔ２が接続されている。

２層目ないし６層目の誘電体層３３２〜３３６の各々には、更に、２つのスルーホール７Ｔ２が形成されている。２層目の誘電体層３３２に形成された２つのスルーホール７Ｔ２には、図２１（ａ）に示した２つのスルーホール７Ｔ１が接続されている。

２層目ないし６層目の誘電体層３３２〜３３６の各々には、更に、複数のスルーホール３０８Ｔ２と、複数のスルーホール３０９Ｔ２と、複数のスルーホール３６３Ｃ２と、複数のスルーホール３６３Ｄ２と、複数のスルーホール３６３Ｅ２と、複数のスルーホール３６３Ｆ２が形成されている。２層目の誘電体層３３２に形成された複数のスルーホール３０８Ｔ２には、図２１（ａ）に示した複数のスルーホール３０８Ｔ１が接続されている。２層目の誘電体層３３２に形成された複数のスルーホール３０９Ｔ２には、図２１（ａ）に示した複数のスルーホール３０９Ｔ１が接続されている。２層目の誘電体層３３２に形成された複数のスルーホール３６３Ｃ２には、図２１（ａ）に示した複数のスルーホール３６３Ｃ１が接続されている。２層目の誘電体層３３２に形成された複数のスルーホール３６３Ｄ２には、図２１（ａ）に示した複数のスルーホール３６３Ｄ１が接続されている。２層目の誘電体層３３２に形成された複数のスルーホール３６３Ｅ２には、図２１（ａ）に示した複数のスルーホール３６３Ｅ１が接続されている。２層目の誘電体層３３２に形成された複数のスルーホール３６３Ｆ２には、図２１（ａ）に示した複数のスルーホール３６３Ｆ１が接続されている。

誘電体層３３２〜３３６では、上下に隣接する同じ符号のスルーホール同士が互いに接続されている。

図２２（ａ）に示したように、７層目の誘電体層３３７のパターン形成面には、キャパシタＣ１を構成するために用いられる導体層３３７１と、キャパシタＣ２を構成するために用いられる導体層３３７２が形成されている。導体層３３７１，３３７２には、それぞれ６層目の誘電体層３３６（図２１（ｂ）参照）に形成されたスルーホール３３２Ｔ１，３３２Ｔ２が接続されている。

誘電体層３３７には、２つのスルーホール７Ｔ３が形成されている。２つのスルーホール７Ｔ３には、６層目の誘電体層３３６に形成された２つのスルーホール７Ｔ２が接続されている。

誘電体層３３７には、更に、複数のスルーホール３０８Ｔ３と、複数のスルーホール３０９Ｔ３と、複数のスルーホール３６３Ｃ３と、複数のスルーホール３６３Ｄ３と、複数のスルーホール３６３Ｅ３と、複数のスルーホール３６３Ｆ３が形成されている。複数のスルーホール３０８Ｔ３には、６層目の誘電体層３３６に形成された複数のスルーホール３０８Ｔ２が接続されている。複数のスルーホール３０９Ｔ３には、６層目の誘電体層３３６に形成された複数のスルーホール３０９Ｔ２が接続されている。複数のスルーホール３６３Ｃ３には、６層目の誘電体層３３６に形成された複数のスルーホール３６３Ｃ２が接続されている。複数のスルーホール３６３Ｄ３には、６層目の誘電体層３３６に形成された複数のスルーホール３６３Ｄ２が接続されている。複数のスルーホール３６３Ｅ３には、６層目の誘電体層３３６に形成された複数のスルーホール３６３Ｅ２が接続されている。複数のスルーホール３６３Ｆ３には、６層目の誘電体層３３６に形成された複数のスルーホール３６３Ｆ２が接続されている。

図２２（ｂ）に示したように、８層目の誘電体層３３８には、２つのスルーホール７Ｔ４が形成されている。２つのスルーホール７Ｔ４には、図２２（ａ）に示した２つのスルーホール７Ｔ３が接続されている。

誘電体層３３８には、更に、複数のスルーホール３０８Ｔ４と、複数のスルーホール３０９Ｔ４と、複数のスルーホール３６３Ｃ４と、複数のスルーホール３６３Ｄ４と、複数のスルーホール３６３Ｅ４と、複数のスルーホール３６３Ｆ４が形成されている。複数のスルーホール３０８Ｔ４には、図２２（ａ）に示した複数のスルーホール３０８Ｔ３が接続されている。複数のスルーホール３０９Ｔ４には、図２２（ａ）に示した複数のスルーホール３０９Ｔ３が接続されている。複数のスルーホール３６３Ｃ４には、図２２（ａ）に示した複数のスルーホール３６３Ｃ３が接続されている。複数のスルーホール３６３Ｄ４には、図２２（ａ）に示した複数のスルーホール３６３Ｄ３が接続されている。複数のスルーホール３６３Ｅ４には、図２２（ａ）に示した複数のスルーホール３６３Ｅ３が接続されている。複数のスルーホール３６３Ｆ４には、図２２（ａ）に示した複数のスルーホール３６３Ｆ３が接続されている。

図２３（ａ）に示したように、９層目の誘電体層３３９のパターン形成面には、３つの導体層３３９１，３３９２，３３９３が形成されている。導体層３３９１は、共振器導体部３５１０と、シールド導体部３６３１とを含んでいる。導体層３３９２は、共振器導体部３５２０と、シールド導体部３６３２とを含んでいる。導体層３３９３は、共振器導体部３５３０と、シールド導体部３６３３とを含んでいる。図２３（ａ）では、共振器導体部３５１０とシールド導体部３６３１の境界、共振器導体部３５２０とシールド導体部３６３２の境界、および共振器導体部３５３０とシールド導体部３６３３の境界を、それぞれ破線で示している。

共振器導体部３５１０は、長手方向すなわちＹ方向の両端に位置する第１端３５１０ａと第２端３５１０ｂを有している。第１端３５１０ａは、シールド導体部３６３１に接続されていることによってグランドに接続されている。第２端３５１０ｂは、開放されている。

共振器導体部３５２０は、長手方向すなわちＹ方向の両端に位置する第１端３５２０ａと第２端３５２０ｂを有している。第１端３５２０ａは、シールド導体部３６３２に接続されていることによってグランドに接続されている。第２端３５２０ｂは、開放されている。

共振器導体部３５３０は、長手方向すなわちＹ方向の両端に位置する第１端３５３０ａと第２端３５３０ｂを有している。第１端３５３０ａは、シールド導体部３６３３に接続されていることによってグランドに接続されている。第２端３５３０ｂは、開放されている。

共振器導体部３５１０の第１端３５１０ａから第２端３５１０ｂに向かう方向と、共振器導体部３５３０の第１端３５３０ａから第２端３５３０ｂに向かう方向は、共振器導体部３５２０の第１端３５２０ａから第２端３５２０ｂに向かう方向とは反対方向である。共振器導体部３５１０，３５２０，３５３０の第２端３５１０ｂ，３５２０ｂ，３５３０ｂは、互いに近い位置に配置されている。

図２３（ａ）に示した９層目の誘電体層３３９には、２つのスルーホール７Ｔ５が形成されている。２つのスルーホール７Ｔ５には、図２２（ｂ）に示した２つのスルーホール７Ｔ４が接続されている。

誘電体層３３９には、更に、複数のスルーホール３０８Ｔ５と、複数のスルーホール３０９Ｔ５と、複数のスルーホール３６３Ｃ５と、複数のスルーホール３６３Ｄ５と、複数のスルーホール３６３Ｅ５と、複数のスルーホール３６３Ｆ５が形成されている。

複数のスルーホール３０８Ｔ５には、図２２（ｂ）に示した複数のスルーホール３０８Ｔ４が接続されている。複数のスルーホール３０９Ｔ５には、図２２（ｂ）に示した複数のスルーホール３０９Ｔ４が接続されている。

複数のスルーホール３６３Ｃ５のうちの一部のスルーホール３６３Ｃ５は、シールド導体部３６３１に接続されている。複数のスルーホール３６３Ｃ５のうちの他の一部のスルーホール３６３Ｃ５は、シールド導体部３６３３に接続されている。また、複数のスルーホール３６３Ｃ５には、図２２（ｂ）に示した複数のスルーホール３６３Ｃ４が接続されている。

複数のスルーホール３６３Ｄ５、複数のスルーホール３６３Ｅ５および複数のスルーホール３６３Ｆ５は、シールド導体部３６３２に接続されている。また、複数のスルーホール３６３Ｄ５には、図２２（ｂ）に示した複数のスルーホール３６３Ｄ４が接続されている。複数のスルーホール３６３Ｅ５には、図２２（ｂ）に示した複数のスルーホール３６３Ｅ４が接続されている。複数のスルーホール３６３Ｆ５には、図２２（ｂ）に示した複数のスルーホール３６３Ｆ４が接続されている。

図２３（ｂ）に示したように、１０層目ないし１７層目の誘電体層３４０〜３４７の各々には、２つのスルーホール７Ｔ６が形成されている。１０層目の誘電体層３４０に形成された２つのスルーホール７Ｔ６には、図２３（ａ）に示した２つのスルーホール７Ｔ５が接続されている。

１０層目ないし１７層目の誘電体層３４０〜３４７の各々には、更に、複数のスルーホール３０８Ｔ６と、複数のスルーホール３０９Ｔ６と、複数のスルーホール３６３Ｃ６と、複数のスルーホール３６３Ｄ６と、複数のスルーホール３６３Ｅ６と、複数のスルーホール３６３Ｆ６が形成されている。１０層目の誘電体層３４０に形成された複数のスルーホール３０８Ｔ６には、図２３（ａ）に示した複数のスルーホール３０８Ｔ５が接続されている。１０層目の誘電体層３４０に形成された複数のスルーホール３０９Ｔ６には、図２３（ａ）に示した複数のスルーホール３０９Ｔ５が接続されている。１０層目の誘電体層３４０に形成された複数のスルーホール３６３Ｃ６には、図２３（ａ）に示した複数のスルーホール３６３Ｃ５が接続されている。１０層目の誘電体層３４０に形成された複数のスルーホール３６３Ｄ６には、図２３（ａ）に示した複数のスルーホール３６３Ｄ５が接続されている。１０層目の誘電体層３４０に形成された複数のスルーホール３６３Ｅ６には、図２３（ａ）に示した複数のスルーホール３６３Ｅ５が接続されている。１０層目の誘電体層３４０に形成された複数のスルーホール３６３Ｆ６には、図２３（ａ）に示した複数のスルーホール３６３Ｆ５が接続されている。

誘電体層３４０〜３４７では、上下に隣接する同じ符号のスルーホール同士が互いに接続されている。

図２４に示したように、１８層目の誘電体層３４８のパターン形成面には、シールド６の第２の部分６２を構成する第２の導体層３４８１が形成されている。１７層目の誘電体層３４７（図２３（ｂ）参照）に形成されたスルーホール７Ｔ６，３０８Ｔ６，３０９Ｔ６，３６３Ｃ６，３６３Ｄ６，３６３Ｅ６，３６３Ｆ６は、第２の導体層３４８１に接続されている。

本実施の形態に係るバンドパスフィルタ３００は、１層目の誘電体層３３１のパターン形成面が本体２の第１の端面２Ａになるように、１層目ないし１８層目の誘電体層３３１〜３４８が積層されて構成される。１８層目の誘電体層３４８におけるパターン形成面とは反対側の面は、本体２の第２の端面２Ｂになる。１層目ないし１８層目の誘電体層３３１〜３４８は、積層体２０を構成する。

共振器導体部３５１０，３５２０，３５３０は、第１の方向すなわちＺ方向に関して、積層体２０内の同じ位置に配置されている。

第１の入出力ポート３を構成する導体層３３１１は、スルーホール３３１Ｔ１，３３２Ｔ１を介して、図２２（ａ）に示した導体層３３７１に接続されている。導体層３３７１は、誘電体層３３７，３３８を介して、図２３（ａ）に示した共振器導体部３５１０に対向している。図２０に示したキャパシタＣ１は、導体層３３７１と共振器導体部３５１０と、これらの間の誘電体層３３７，３３８とによって構成されている。

第２の入出力ポート４を構成する導体層３３１２は、スルーホール３３１Ｔ２，３３２Ｔ２を介して、図２２（ａ）に示した導体層３３７２に接続されている。導体層３３７２は、誘電体層３３７，３３８を介して、図２３（ａ）に示した共振器導体部３５３０に対向している。図９に示したキャパシタＣ２は、導体層３３７２と共振器導体部３５３０と、これらの間の誘電体層３３７，３３８とによって構成されている。

仕切り部７の複数のスルーホール列７Ｔは、複数のスルーホール７Ｔ１，７Ｔ２，７Ｔ３，７Ｔ４，７Ｔ５，７Ｔ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。

複数のスルーホール列３０８Ｔは、複数のスルーホール３０８Ｔ１，３０８Ｔ２，３０８Ｔ３，３０８Ｔ４，３０８Ｔ５，３０８Ｔ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。複数のスルーホール列３０９Ｔは、複数のスルーホール３０９Ｔ１，３０９Ｔ２，３０９Ｔ３，３０９Ｔ４，３０９Ｔ５，３０９Ｔ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。

複数のスルーホール列３６３Ｃは、複数のスルーホール３６３Ｃ１，３６３Ｃ２，３６３Ｃ３，３６３Ｃ４，３６３Ｃ５，３６３Ｃ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。複数のスルーホール列３６３Ｄは、複数のスルーホール３６３Ｄ１，３６３Ｄ２，３６３Ｄ３，３６３Ｄ４，３６３Ｄ５，３６３Ｄ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。複数のスルーホール列３６３Ｅは、複数のスルーホール３６３Ｅ１，３６３Ｅ２，３６３Ｅ３，３６３Ｅ４，３６３Ｅ５，３６３Ｅ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。複数のスルーホール列３６３Ｆは、複数のスルーホール３６３Ｆ１，３６３Ｆ２，３６３Ｆ３，３６３Ｆ４，３６３Ｆ５，３６３Ｆ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。

本実施の形態に係るバンドパスフィルタ３００は、回路構成上、第１の入出力ポート３と第２の入出力ポート４の間に第１の入出力ポート３側から順に配置された共振器３５１，３５２，３５３を備えている。回路構成上隣接する２つの共振器は電磁結合する。

共振器３５１，３５２，３５３は、それぞれ共振器導体部３５１０，３５２０，３５３０を含んでいる。共振器導体部３５１０，３５２０，３５３０の各々は、バンドパスフィルタ３００の通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４の長さを有している。共振器３５１，３５２，３５３の各々は、１／４波長共振器として動作する。

本実施の形態では、仕切り部７は、その少なくとも一部が共振器導体部３５１０と共振器導体部３５３０の間を通過するように、共振器導体部３５１０と共振器導体部３５３０の各々の長手方向（Ｙ方向）と交差する方向に延在して、第１の部分６１と第２の部分６２とに接している。共振器導体部３５１０，３５３０は、それぞれ、回路構成上隣接していない共振器３５１，３５３の要素である。

図２５は、本実施の形態に係るバンドパスフィルタ３００の挿入損失の周波数特性の一例を示している。図２５に示した特性は、シミュレーションによって求めたものである。図２５において、横軸は周波数を示し、縦軸は挿入損失を示している。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［第５の実施の形態］
次に、本発明の第５の実施の形態について説明する。始めに、図２６および図２７を参照して、本実施の形態に係るバンドパスフィルタの構成について説明する。図２６は、本実施の形態に係るバンドパスフィルタの構造を示す斜視図である。図２７は、本実施の形態に係るバンドパスフィルタの回路構成を示す回路図である。

本実施の形態に係るバンドパスフィルタ４００は、本体２と、第１の入出力ポート３および第２の入出力ポート４と、複数の共振器と、シールド６と、仕切り部７と、スルーホール列８Ｔ，９Ｔと、キャパシタＣ１，Ｃ２を備えている。本体２は、積層体２０を含んでいる。

本実施の形態では、複数の共振器は、第１の実施の形態における共振器５１，５２，５３，５４の代わりに、回路構成上、第１の入出力ポート３側から順に配置された１段目の共振器４５１および２段目の共振器４５２を含んでいる。共振器４５１，４５２は、電磁結合するように構成されている。シールド６の第１の部分６１、第２の部分６２および接続部６３は、２つの共振器４５１，４５２を囲むように配置されている。

本実施の形態では、第１の部分６１は、積層体２０の主要部２１の第１の端面２１ａに配置された第１の導体層４３１３によって構成されている。第２の部分６２は、積層体２０の主要部２１の第２の端面２１ｂに配置された第２の導体層４４８１によって構成されている。

共振器４５１は、導体よりなる共振器導体部４５１０を含んでいる。共振器４５２は、導体よりなる共振器導体部４５２０を含んでいる。

共振器導体部４５１０，４５２０の各々は、第１の方向すなわちＺ方向と交差する方向に長い形状を有すると共に、その長手方向の両端に位置する第１端と第２端を有している。本実施の形態では特に、共振器導体部４５１０，４５２０の各々は、Ｚ方向に直交するＹ方向に長い形状を有している。

共振器導体部４５１０，４５２０の各々の第１端はグランドに接続されている。共振器導体部４５１０，４５２０の各々の第２端は開放されている。

共振器導体部４５１０，４５２０の各々は、バンドパスフィルタ４００の通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４以下の長さを有している。本実施の形態では特に、共振器導体部４５１０，４５２０の各々の長さは、バンドパスフィルタ４００の通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４である。

本実施の形態において、１段目の共振器４５１は本発明における第１の共振器に対応し、２段目の共振器４５２は本発明における第２の共振器に対応する。また、共振器導体部４５１０は本発明における第１の共振器導体部に対応し、共振器導体部４５２０は本発明における第２の共振器導体部に対応する。

本実施の形態では、仕切り部７は、その少なくとも一部が共振器導体部４５１０と共振器導体部４５２０の間を通過するように、共振器導体部４５１０と共振器導体部４５２０の各々の長手方向（Ｙ方向）と交差する方向（Ｚ方向）に延在して、第１の部分６１と第２の部分６２とに接している。また、仕切り部７は、第１の実施の形態における複数の第１のスルーホール列７Ｔの代わりに、それぞれ主要部２１を構成する２つ以上の誘電体層を貫通する複数の第１のスルーホール列４０７Ｔを含んでいる。図２６では、個々のスルーホール列４０７Ｔを円柱で表している。複数の第１のスルーホール列４０７Ｔの各々は、直列に接続された２つ以上のスルーホールを含んでいる。複数の第１のスルーホール列４０７Ｔの各々は、Ｚ方向に延びている。また、複数の第１のスルーホール列４０７Ｔは、Ｙ方向に並ぶように配列されている。本実施の形態では、第１のスルーホール列４０７Ｔの数は４である。

また、本実施の形態では、シールド６の接続部６３は、第１の実施の形態における複数の第２のスルーホール列６３Ｔの代わりに、それぞれ主要部２１を構成する２つ以上の誘電体層を貫通する複数の第２のスルーホール列４６３Ｔを含んでいる。図２６では、個々のスルーホール列４６３Ｔを円柱で表している。複数の第２のスルーホール列４６３Ｔの各々は、直列に接続された２つ以上のスルーホールを含んでいる。複数の第２のスルーホール列４６３Ｔの各々は、Ｚ方向に延びている。

複数の第２のスルーホール列４６３Ｔは、複数のスルーホール列４６３Ｃと、複数のスルーホール列４６３Ｄと、複数のスルーホール列４６３Ｅと、複数のスルーホール列４６３Ｆとを含んでいる。複数のスルーホール列４６３Ｃは、本体２の側面２Ｃの近傍に配置され、Ｘ方向に並ぶように配列されている。複数のスルーホール列４６３Ｄは、本体２の側面２Ｄの近傍に配置され、Ｘ方向に並ぶように配列されている。複数のスルーホール列４６３Ｅは、本体２の側面２Ｅの近傍に配置され、Ｙ方向に並ぶように配列されている。複数のスルーホール列４６３Ｆは、本体２の側面２Ｆの近傍に配置され、Ｙ方向に並ぶように配列されている。

また、シールド６の接続部６３は、第１の実施の形態におけるシールド導体部６３１，６３２，６３３の代わりに、３つのシールド導体部４６３１，４６３２，４６３３を含んでいる。シールド導体部４６３１は、複数のスルーホール列４６３Ｃに接続されている。シールド導体部４６３２は、複数のスルーホール列１６３Ｅに接続されている。シールド導体部４６３３は、複数のスルーホール列１６３Ｆに接続されている。

また、図２６に示したように、本実施の形態では、スルーホール列８Ｔは、共振器導体部４５１０とシールド導体部４６３２の近くに配置されている。スルーホール列９Ｔは、共振器導体部４５２０とシールド導体部４６３３の近くに配置されている。

本実施の形態に係るバンドパスフィルタ４００は、更に、本体２内に設けられたスルーホール列４１０Ｔを備えている。スルーホール列４１０Ｔは、主要部２１を構成する２つ以上の誘電体層を貫通し、Ｚ方向に延びて、第１の部分６１と第２の部分６２とに接している。スルーホール列４１０Ｔは、直列に接続された２つ以上のスルーホールを含んでいる。スルーホール列４１０Ｔは、本体２の側面２Ｄの近傍に配置されている。スルーホール列４１０Ｔは、シールド６の機能を補助する機能を有している。

また、図２７に示したように、本実施の形態では、キャパシタＣ１は、第１の入出力ポート３と１段目の共振器４５１との間に設けられている。キャパシタＣ２は、第２の入出力ポート４と２段目の共振器４５２との間に設けられている。図２７において、記号Ｍを付した曲線は、共振器４５１，４５２間の磁気結合を表している。

次に、図２８ないし図３１を参照して、本実施の形態における積層体２０を構成する複数の誘電体層と、この複数の誘電体層に形成された複数の導体層および複数のスルーホールの構成の一例について説明する。この例では、積層体２０は、積層された１８層の誘電体層を有している。以下、この１８層の誘電体層を、下から順に１層目ないし１８層目の誘電体層と呼ぶ。本実施の形態では、主要部２１は、１層目ないし１７層目の誘電体層によって構成されている。被覆部２２は、１８層目の誘電体層によって構成されている。

図２８において、（ａ）は１層目の誘電体層のパターン形成面を示し、（ｂ）は２層目ないし６層目の誘電体層のパターン形成面を示している。図２９において、（ａ）は７層目の誘電体層のパターン形成面を示し、（ｂ）は８層目の誘電体層のパターン形成面を示している。図３０において、（ａ）は９層目の誘電体層のパターン形成面を示し、（ｂ）は１０層目ないし１７層目の誘電体層のパターン形成面を示している。図３１は、１８層目の誘電体層のパターン形成面を示している。以下、１層目ないし１８層目の誘電体層を符号４３１〜４４８で表す。

図２８（ａ）に示したように、１層目の誘電体層４３１のパターン形成面には、第１の入出力ポート３を構成する導体層４３１１と、第２の入出力ポート４を構成する導体層４３１２と、シールド６の第１の部分６１を構成する第１の導体層４３１３とが形成されている。

また、誘電体層４３１には、導体層４３１１に接続されたスルーホール４３１Ｔ１と、導体層４３１２に接続されたスルーホール４３１Ｔ２と、スルーホール列８Ｔの一部を構成するスルーホール８Ｔ１と、スルーホール列９Ｔの一部を構成するスルーホール９Ｔ１と、スルーホール列４１０Ｔの一部を構成するスルーホール４１０Ｔ１とが形成されている。誘電体層４３１には、更に、４つの第１のスルーホール列４０７Ｔの一部を構成する４つのスルーホール４０７Ｔ１が形成されている。

誘電体層４３１には、更に、複数のスルーホール列４６３Ｃの一部を構成する複数のスルーホール４６３Ｃ１と、複数のスルーホール列４６３Ｄの一部を構成する複数のスルーホール４６３Ｄ１と、複数のスルーホール列４６３Ｅの一部を構成する複数のスルーホール４６３Ｅ１と、複数のスルーホール列４６３Ｆの一部を構成する複数のスルーホール４６３Ｆ１が形成されている。

スルーホール８Ｔ１，９Ｔ１，４０７Ｔ１，４１０Ｔ１，４６３Ｃ１，４６３Ｄ１，４６３Ｅ１，４６３Ｆ１は、第１の導体層４３１３に接続されている。

図２８（ｂ）に示したように、２層目ないし６層目の誘電体層４３２〜４３６の各々には、スルーホール４３２Ｔ１，４３２Ｔ２，８Ｔ２，９Ｔ２，４１０Ｔ２が形成されている。２層目の誘電体層４３２に形成されたスルーホール４３２Ｔ１，４３２Ｔ２，８Ｔ２，９Ｔ２，４１０Ｔ２には、それぞれ図２８（ａ）に示したスルーホール４３１Ｔ１，４３１Ｔ２，８Ｔ１，９Ｔ１，４１０Ｔ１が接続されている。

２層目ないし６層目の誘電体層４３２〜４３６の各々には、更に、４つのスルーホール４０７Ｔ２が形成されている。２層目の誘電体層４３２に形成された４つのスルーホール４０７Ｔ２には、図２８（ａ）に示した４つのスルーホール４０７Ｔ１が接続されている。

２層目ないし６層目の誘電体層４３２〜４３６の各々には、更に、複数のスルーホール４６３Ｃ２と、複数のスルーホール４６３Ｄ２と、複数のスルーホール４６３Ｅ２と、複数のスルーホール４６３Ｆ２が形成されている。２層目の誘電体層４３２に形成された複数のスルーホール４６３Ｃ２には、図２８（ａ）に示した複数のスルーホール４６３Ｃ１が接続されている。２層目の誘電体層４３２に形成された複数のスルーホール４６３Ｄ２には、図２８（ａ）に示した複数のスルーホール４６３Ｄ１が接続されている。２層目の誘電体層４３２に形成された複数のスルーホール４６３Ｅ２には、図２８（ａ）に示した複数のスルーホール４６３Ｅ１が接続されている。２層目の誘電体層４３２に形成された複数のスルーホール４６３Ｆ２には、図２８（ａ）に示した複数のスルーホール４６３Ｆ１が接続されている。

誘電体層４３２〜４３６では、上下に隣接する同じ符号のスルーホール同士が互いに接続されている。

図２９（ａ）に示したように、７層目の誘電体層４３７のパターン形成面には、キャパシタＣ１を構成するために用いられる導体層４３７１と、キャパシタＣ２を構成するために用いられる導体層４３７２が形成されている。導体層４３７１，４３７２には、それぞれ６層目の誘電体層４３６（図２８（ｂ）参照）に形成されたスルーホール４３２Ｔ１，４３２Ｔ２が接続されている。

誘電体層４３７には、スルーホール８Ｔ３，９Ｔ３，４１０Ｔ３が形成されている。スルーホール８Ｔ３，９Ｔ３，４１０Ｔ３には、それぞれ６層目の誘電体層４３６に形成されたスルーホール８Ｔ２，９Ｔ２，４１０Ｔ２が接続されている。

誘電体層４３７には、更に、４つのスルーホール４０７Ｔ３が形成されている。４つのスルーホール４０７Ｔ３には、６層目の誘電体層４３６に形成された４つのスルーホール４０７Ｔ２が接続されている。

誘電体層４３７には、更に、複数のスルーホール４６３Ｃ３と、複数のスルーホール４６３Ｄ３と、複数のスルーホール４６３Ｅ３と、複数のスルーホール４６３Ｆ３が形成されている。複数のスルーホール４６３Ｃ３には、６層目の誘電体層４３６に形成された複数のスルーホール４６３Ｃ２が接続されている。複数のスルーホール４６３Ｄ３には、６層目の誘電体層４３６に形成された複数のスルーホール４６３Ｄ２が接続されている。複数のスルーホール４６３Ｅ３には、６層目の誘電体層４３６に形成された複数のスルーホール４６３Ｅ２が接続されている。複数のスルーホール４６３Ｆ３には、６層目の誘電体層４３６に形成された複数のスルーホール４６３Ｆ２が接続されている。

図２９（ｂ）に示したように、８層目の誘電体層４３８には、スルーホール８Ｔ４，９Ｔ４，４１０Ｔ４が形成されている。スルーホール８Ｔ４，９Ｔ４，４１０Ｔ４には、それぞれ図２９（ａ）に示したスルーホール８Ｔ３，９Ｔ３，４１０Ｔ３が接続されている。

誘電体層４３８には、更に、４つのスルーホール４０７Ｔ４が形成されている。４つのスルーホール４０７Ｔ４には、図２９（ａ）に示した４つのスルーホール４０７Ｔ３が接続されている。

誘電体層４３８には、更に、複数のスルーホール４６３Ｃ４と、複数のスルーホール４６３Ｄ４と、複数のスルーホール４６３Ｅ４と、複数のスルーホール４６３Ｆ４が形成されている。複数のスルーホール４６３Ｃ４には、図２９（ａ）に示した複数のスルーホール４６３Ｃ３が接続されている。複数のスルーホール４６３Ｄ４には、図２９（ａ）に示した複数のスルーホール４６３Ｄ３が接続されている。複数のスルーホール４６３Ｅ４には、図２９（ａ）に示した複数のスルーホール４６３Ｅ３が接続されている。複数のスルーホール４６３Ｆ４には、図２９（ａ）に示した複数のスルーホール４６３Ｆ３が接続されている。

図３０（ａ）に示したように、９層目の誘電体層４３９のパターン形成面には、３つの導体層４３９１，４３９２，４３９３が形成されている。導体層４３９１は、共振器導体部４５１０と、共振器導体部４５２０と、シールド導体部４６３１とを含んでいる。導体層４３９２は、シールド導体部４６３２を含んでいる。導体層４３９３は、シールド導体部４６３３を含んでいる。図３０（ａ）では、共振器導体部４５１０とシールド導体部４６３１の境界、および共振器導体部４５２０とシールド導体部４６３１の境界を、それぞれ破線で示している。

共振器導体部４５１０は、長手方向すなわちＹ方向の両端に位置する第１端４５１０ａと第２端４５１０ｂを有している。第１端４５１０ａは、シールド導体部４６３１に接続されていることによってグランドに接続されている。第２端４５１０ｂは、開放されている。

共振器導体部４５２０は、長手方向すなわちＹ方向の両端に位置する第１端４５２０ａと第２端４５２０ｂを有している。第１端４５２０ａは、シールド導体部４６３１に接続されていることによってグランドに接続されている。第２端４５２０ｂは、開放されている。

図３０（ａ）に示したように、本実施の形態では、共振器導体部４５１０，４５２０は、１つの導体層４３９１における互いに異なる部分によって構成されている。導体層４３９１のシールド導体部４６３１は、共振器導体部４５１０の第１端４５１０ａと共振器導体部４５２０の第１端４５２０ａとを接続する接続部４６３１Ｃを含んでいる。図３０（ａ）では、接続部４６３１Ｃと、シールド導体部４６３１の残りの部分との間の２つの境界を点線で示している。接続部４６３１Ｃは、共振器４５１，４５２間の磁気結合を大きくする役割を有している。共振器４５１，４５２間の磁気結合の大きさは、接続部４６３１Ｃを考慮しない場合の共振器４５１，４５２間の磁気結合の大きさと、接続部４６３１Ｃとによって調整される。

図３０（ａ）に示した９層目の誘電体層４３９には、スルーホール８Ｔ５，９Ｔ５，４１０Ｔ５が形成されている。スルーホール８Ｔ５，９Ｔ５，４１０Ｔ５には、それぞれ図２９（ｂ）に示したスルーホール８Ｔ４，９Ｔ４，４１０Ｔ４が接続されている。

誘電体層４３９には、更に、４つのスルーホール４０７Ｔ５が形成されている。４つのスルーホール４０７Ｔ５には、図２９（ｂ）に示した４つのスルーホール４０７Ｔ４が接続されている。

誘電体層４３９には、更に、複数のスルーホール４６３Ｃ５と、複数のスルーホール４６３Ｄ５と、複数のスルーホール４６３Ｅ５と、複数のスルーホール４６３Ｆ５が形成されている。

複数のスルーホール４６３Ｃ５は、シールド導体部４６３１に接続されている。また、複数のスルーホール４６３Ｃ５には、図２９（ｂ）に示した複数のスルーホール４６３Ｃ４が接続されている。

複数のスルーホール４６３Ｄ５には、図２９（ｂ）に示した複数のスルーホール４６３Ｄ４が接続されている。

複数のスルーホール４６３Ｅ５は、シールド導体部４６３２に接続されている。また、複数のスルーホール４６３Ｅ５には、図２９（ｂ）に示した複数のスルーホール４６３Ｅ４が接続されている。

複数のスルーホール４６３Ｆ５は、シールド導体部４６３３に接続されている。また、複数のスルーホール４６３Ｆ５には、図２９（ｂ）に示した複数のスルーホール４６３Ｆ４が接続されている。

図３０（ｂ）に示したように、１０層目ないし１７層目の誘電体層４４０〜４４７の各々には、スルーホール８Ｔ６，９Ｔ６，４１０Ｔ６が形成されている。１０層目の誘電体層４４０に形成されたスルーホール８Ｔ６，９Ｔ６，４１０Ｔ６には、それぞれ図３０（ａ）に示したスルーホール８Ｔ５，９Ｔ５，４１０Ｔ５が接続されている。

１０層目ないし１７層目の誘電体層４４０〜４４７の各々には、更に、４つのスルーホール４０７Ｔ６が形成されている。１０層目の誘電体層４４０に形成された４つのスルーホール４０７Ｔ６には、図３０（ａ）に示した４つのスルーホール４０７Ｔ５が接続されている。

１０層目ないし１７層目の誘電体層４４０〜４４７の各々には、更に、複数のスルーホール４６３Ｃ６と、複数のスルーホール４６３Ｄ６と、複数のスルーホール４６３Ｅ６と、複数のスルーホール４６３Ｆ６が形成されている。１０層目の誘電体層４４０に形成された複数のスルーホール４６３Ｃ６には、図３０（ａ）に示した複数のスルーホール４６３Ｃ５が接続されている。１０層目の誘電体層４４０に形成された複数のスルーホール４６３Ｄ６には、図３０（ａ）に示した複数のスルーホール４６３Ｄ５が接続されている。１０層目の誘電体層４４０に形成された複数のスルーホール４６３Ｅ６には、図３０（ａ）に示した複数のスルーホール４６３Ｅ５が接続されている。１０層目の誘電体層４４０に形成された複数のスルーホール４６３Ｆ６には、図３０（ａ）に示した複数のスルーホール４６３Ｆ５が接続されている。

誘電体層４４０〜４４７では、上下に隣接する同じ符号のスルーホール同士が互いに接続されている。

図３１に示したように、１８層目の誘電体層４４８のパターン形成面には、シールド６の第２の部分６２を構成する第２の導体層４４８１が形成されている。１７層目の誘電体層４４７（図３０（ａ）参照）に形成されたスルーホール８Ｔ６，９Ｔ６，４０７Ｔ６，４１０Ｔ６，４６３Ｃ６，４６３Ｄ６，４６３Ｅ６，４６３Ｆ６は、第２の導体層４４８１に接続されている。

本実施の形態に係るバンドパスフィルタ４００は、１層目の誘電体層４３１のパターン形成面が本体２の第１の端面２Ａになるように、１層目ないし１８層目の誘電体層４３１〜４４８が積層されて構成される。１８層目の誘電体層４４８におけるパターン形成面とは反対側の面は、本体２の第２の端面２Ｂになる。１層目ないし１８層目の誘電体層４３１〜４４８は、積層体２０を構成する。

共振器導体部４５１０，４５２０は、第１の方向すなわちＺ方向に関して、積層体２０内の同じ位置に配置されている。

第１の入出力ポート３を構成する導体層４３１１は、スルーホール４３１Ｔ１，４３２Ｔ１を介して、図２９（ａ）に示した導体層４３７１に接続されている。導体層４３７１は、誘電体層４３７，４３８を介して、図３０（ａ）に示した共振器導体部４５１０に対向している。図２７に示したキャパシタＣ１は、導体層４３７１と共振器導体部４５１０と、これらの間の誘電体層４３７，４３８とによって構成されている。

第２の入出力ポート４を構成する導体層４３１２は、スルーホール４３１Ｔ２，４３２Ｔ２を介して、図２９（ａ）に示した導体層４３７２に接続されている。導体層４３７２は、誘電体層４３７，４３８を介して、図３０（ａ）に示した共振器導体部４５２０に対向している。図２７に示したキャパシタＣ２は、導体層４３７２と共振器導体部４５２０と、これらの間の誘電体層４３７，４３８とによって構成されている。

仕切り部７の複数のスルーホール列４０７Ｔは、複数のスルーホール４０７Ｔ１，４０７Ｔ２，４０７Ｔ３，４０７Ｔ４，４０７Ｔ５，４０７Ｔ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。

スルーホール列８Ｔは、複数のスルーホール８Ｔ１，８Ｔ２，８Ｔ３，８Ｔ４，８Ｔ５，８Ｔ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列９Ｔは、複数のスルーホール９Ｔ１，９Ｔ２，９Ｔ３，９Ｔ４，９Ｔ５，９Ｔ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列４１０Ｔは、複数のスルーホール４１０Ｔ１，４１０Ｔ２，４１０Ｔ３，４１０Ｔ４，４１０Ｔ５，４１０Ｔ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。

複数のスルーホール列４６３Ｃは、複数のスルーホール４６３Ｃ１，４６３Ｃ２，４６３Ｃ３，４６３Ｃ４，４６３Ｃ５，４６３Ｃ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。複数のスルーホール列４６３Ｄは、複数のスルーホール４６３Ｄ１，４６３Ｄ２，４６３Ｄ３，４６３Ｄ４，４６３Ｄ５，４６３Ｄ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。複数のスルーホール列４６３Ｅは、複数のスルーホール４６３Ｅ１，４６３Ｅ２，４６３Ｅ３，４６３Ｅ４，４６３Ｅ５，４６３Ｅ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。複数のスルーホール列４６３Ｆは、複数のスルーホール４６３Ｆ１，４６３Ｆ２，４６３Ｆ３，４６３Ｆ４，４６３Ｆ５，４６３Ｆ６が、Ｚ方向に直列に接続されることによって構成されている。

本実施の形態に係るバンドパスフィルタ４００は、回路構成上、第１の入出力ポート３と第２の入出力ポート４の間に第１の入出力ポート３側から順に配置された共振器４５１，４５２を備えている。共振器４５１，４５２は、それぞれ共振器導体部４５１０，４５２０を含んでいる。共振器導体部４５１０，４５２０の各々は、バンドパスフィルタ４００の通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４の長さを有している。共振器４５１，４５２の各々は、１／４波長共振器として動作する。

図３２は、本実施の形態に係るバンドパスフィルタ４００の挿入損失の周波数特性の一例を示している。図３２に示した特性は、シミュレーションによって求めたものである。図３２において、横軸は周波数を示し、縦軸は挿入損失を示している。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、シールド６の接続部の少なくとも一部は、複数のスルーホール列の代わりに、本体２の１つ以上の側面に形成した導体層によって構成してもよい。また、仕切り部７は、複数のスルーホール列の代わりに、板状の導体部によって構成してもよい。

１…バンドパスフィルタ、２…本体、３…第１の入出力ポート、４…第２の入出力ポート、６…シールド、７…仕切り部、７Ｔ…第１のスルーホール列、２０…積層体、２１…主要部、２２…被覆部、３１〜４９…誘電体層、５１，５２，５３，５４…共振器、６１…第１の部分、６２…第２の部分、６３…接続部、６３Ｔ…第２のスルーホール列。

Claims (18)

1. 誘電体よりなる本体と、
   前記本体に一体化された第１の入出力ポートおよび第２の入出力ポートと、
   前記本体内に設けられていると共に、回路構成上、前記第１の入出力ポートと前記第２の入出力ポートの間に設けられた複数の共振器と、
   導体よりなり、前記本体に一体化されたシールドと、
   導体よりなり、前記本体内に設けられて、前記シールドに電気的に接続された仕切り部とを備えたバンドパスフィルタであって、
   前記シールドは、第１の方向について間隔を開けて配置された第１の部分および第２の部分と、前記第１の部分と前記第２の部分を接続する接続部とを含み、
   前記第１の部分、前記第２の部分および前記接続部は、前記複数の共振器を囲むように配置され、
   前記複数の共振器は、第１の共振器と第２の共振器を含み、
   前記第１の共振器は、導体よりなる第１の共振器導体部を有し、
   前記第２の共振器は、導体よりなる第２の共振器導体部を有し、
   前記第１の共振器導体部と前記第２の共振器導体部の各々は、前記第１の方向と交差する方向に長い形状を有すると共に、その長手方向の両端に位置する第１端と第２端を有し、
   前記第１端は、グランドに接続され、
   前記第２端は、開放され、
   前記仕切り部は、その少なくとも一部が前記第１の共振器導体部と前記第２の共振器導体部の間を通過するように、前記第１の共振器導体部と前記第２の共振器導体部の各々の長手方向と交差する方向に延在して、前記第１の部分と前記第２の部分とに接していることを特徴とするバンドパスフィルタ。
2. 前記第１の共振器導体部と前記第２の共振器導体部の各々は、前記第１の方向に直交する方向に長い形状を有することを特徴とする請求項１記載のバンドパスフィルタ。
3. 前記第１の共振器導体部と前記第２の共振器導体部の各々は、バンドパスフィルタの通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４以下の長さを有することを特徴とする請求項１または２記載のバンドパスフィルタ。
4. 前記仕切り部は、前記第１の方向に延在して、前記第１の部分と前記第２の部分を最短経路で接続することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のバンドパスフィルタ。
5. 前記第１の共振器は、更に、前記第１の共振器導体部の第２端とグランドとの間に設けられた第１のキャパシタを有し、
   前記第２の共振器は、更に、前記第２の共振器導体部の第２端とグランドとの間に設けられた第２のキャパシタを有することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のバンドパスフィルタ。
6. 前記第１の共振器と前記第２の共振器は、電磁結合するように構成されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のバンドパスフィルタ。
7. 前記複数の共振器は、回路構成上隣接する２つの共振器が電磁結合するように構成された３つ以上の共振器であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のバンドパスフィルタ。
8. 前記第１の共振器と前記第２の共振器は、回路構成上隣接していることを特徴とする請求項７記載のバンドパスフィルタ。
9. 前記第１の共振器と前記第２の共振器は、回路構成上隣接していないことを特徴とする請求項７記載のバンドパスフィルタ。
10. 前記複数の共振器のうち、前記第１および第２の共振器以外の全ての共振器は、導体よりなる第３の共振器導体部を有し、
    前記第３の共振器導体部は、前記第１の方向と交差する方向に長い形状を有すると共に、その長手方向の両端に位置する第１端と第２端を有し、
    前記第３の共振器導体部の第１端は、グランドに接続され、
    前記第３の共振器導体部の第２端は、開放されていることを特徴とする請求項７ないし９のいずれかに記載のバンドパスフィルタ。
11. 前記第３の共振器導体部は、前記第１の方向に直交する方向に長い形状を有することを特徴とする請求項１０記載のバンドパスフィルタ。
12. 前記第３の共振器導体部は、バンドパスフィルタの通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４以下の長さを有することを特徴とする請求項１０または１１記載のバンドパスフィルタ。
13. 前記本体は、積層された複数の誘電体層からなる積層体を含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のバンドパスフィルタ。
14. 前記積層体は、前記複数の誘電体層のうちの、積層された２つ以上の誘電体層からなる主要部を含み、
    前記主要部は、２つ以上の誘電体層の積層方向における両端に位置する第１の端面と第２の端面を有し、
    前記第１の部分は、前記第１の端面に配置された第１の導体層によって構成され、
    前記第２の部分は、前記第２の端面に配置された第２の導体層によって構成され、
    前記仕切り部は、前記２つ以上の誘電体層を貫通していることを特徴とする請求項１３記載のバンドパスフィルタ。
15. 前記仕切り部は、それぞれ前記２つ以上の誘電体層を貫通する複数の第１のスルーホール列を含み、
    前記複数の第１のスルーホール列の各々は、直列に接続された２つ以上のスルーホールを含むことを特徴とする請求項１４記載のバンドパスフィルタ。
16. 前記シールドの前記接続部は、それぞれ前記２つ以上の誘電体層を貫通する複数の第２のスルーホール列を含み、
    前記複数の第２のスルーホール列の各々は、直列に接続された２つ以上のスルーホールを含むことを特徴とする請求項１４または１５記載のバンドパスフィルタ。
17. 前記第１の共振器導体部と前記第２の共振器導体部は、前記第１の方向に関して、前記積層体内の同じ位置に配置されていることを特徴とする請求項１３ないし１６のいずれかに記載のバンドパスフィルタ。
18. 前記第１の共振器導体部と前記第２の共振器導体部は、１つの導体層における互いに異なる部分によって構成されていることを特徴とする請求項１７記載のバンドパスフィルタ。

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