JP2001339266A - 積層フィルタ - Google Patents
積層フィルタInfo
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- JP2001339266A JP2001339266A JP2000159630A JP2000159630A JP2001339266A JP 2001339266 A JP2001339266 A JP 2001339266A JP 2000159630 A JP2000159630 A JP 2000159630A JP 2000159630 A JP2000159630 A JP 2000159630A JP 2001339266 A JP2001339266 A JP 2001339266A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高周波領域で使用される積層フィルタにおい
て、減衰量の低下を防止することができる構成のものを
提供する。 【解決手段】対をなす入出力端子電極４、５を積層体１
の互いに対向するコーナー部に配置する。これにより、
入出力端子電極４、５間の距離を遠くすることができ、
入出力端子電極間の容量結合による高周波における減衰
量の低下を防止することができる。また、積層体１の表
裏面またはその近傍に、それぞれシールド電極１３ａ、
１３ｂを設けて、入出力端子電極４、５間の高周波の伝
播を低減する。また、共振回路の外の外部誘電体層１
ｃ、１ｄに誘電率の低い誘電体を用いることにより、入
出力端子電極４、５間の容量結合を弱め、高周波におけ
る減衰量の低下を防止する。
て、減衰量の低下を防止することができる構成のものを
提供する。 【解決手段】対をなす入出力端子電極４、５を積層体１
の互いに対向するコーナー部に配置する。これにより、
入出力端子電極４、５間の距離を遠くすることができ、
入出力端子電極間の容量結合による高周波における減衰
量の低下を防止することができる。また、積層体１の表
裏面またはその近傍に、それぞれシールド電極１３ａ、
１３ｂを設けて、入出力端子電極４、５間の高周波の伝
播を低減する。また、共振回路の外の外部誘電体層１
ｃ、１ｄに誘電率の低い誘電体を用いることにより、入
出力端子電極４、５間の容量結合を弱め、高周波におけ
る減衰量の低下を防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体と導体との
積層構造により内部にインダクタ電極とコンデンサ電極
とを設けて構成される積層フィルタに係わり、例えば携
帯電話や無線ＬＡＮ等の無線機器に用いる帯域通過フィ
ルタ特性を有する積層誘電体フィルタに関する。
積層構造により内部にインダクタ電極とコンデンサ電極
とを設けて構成される積層フィルタに係わり、例えば携
帯電話や無線ＬＡＮ等の無線機器に用いる帯域通過フィ
ルタ特性を有する積層誘電体フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】無線機器等に使用される高周波用積層フ
ィルタは、１つの基体に複数の共振回路を形成した構造
を有する。そして共振回路はそれぞれ電気的に互いに結
合されてフィルタ特性を実現している。図４（Ａ）は従
来の積層フィルタの外観図、図４（Ｂ）はその断面図、
図４（Ｃ）はその等価回路図、図５はその層構造図であ
る。図４（Ａ）に示すように、この積層フィルタは、誘
電体でなるほぼ直方体状の基体１５の長手方向の両端に
入出力端子電極１６、１７を有する。また、側面にグラ
ンド端子電極１８、１９を有する。図４（Ｂ）、図５に
示すように、基体１５の内部には、図４（Ｃ）に示すイ
ンダクタ成分Ｌ１、Ｌ２を構成するインダクタ電極２１
ａ、２１ｂが、それぞれ一端を入出力端子電極１６、１
７に接続し、他端をグランド端子電極１９に接続して設
けられる。
ィルタは、１つの基体に複数の共振回路を形成した構造
を有する。そして共振回路はそれぞれ電気的に互いに結
合されてフィルタ特性を実現している。図４（Ａ）は従
来の積層フィルタの外観図、図４（Ｂ）はその断面図、
図４（Ｃ）はその等価回路図、図５はその層構造図であ
る。図４（Ａ）に示すように、この積層フィルタは、誘
電体でなるほぼ直方体状の基体１５の長手方向の両端に
入出力端子電極１６、１７を有する。また、側面にグラ
ンド端子電極１８、１９を有する。図４（Ｂ）、図５に
示すように、基体１５の内部には、図４（Ｃ）に示すイ
ンダクタ成分Ｌ１、Ｌ２を構成するインダクタ電極２１
ａ、２１ｂが、それぞれ一端を入出力端子電極１６、１
７に接続し、他端をグランド端子電極１９に接続して設
けられる。
【０００３】これらのインダクタ電極２１ａ、２１ｂに
は、それぞれコンデンサ電極２１ｃ、２１ｄを一体に有
する。これらのコンデンサ電極２１ｃ（２１ｄ）は、グ
ランド端子電極１８に接続されるコンデンサ電極２２
ａ、２３ａ（２２ｂ、２３ｂ）にそれぞれ誘電体層１５
ａ、１５ｂを介して対向して図４（Ｃ）に示す装荷容量
成分Ｃｒ１（Ｃｒ２）を形成する。また、前記コンデン
サ電極２１ｃ、２１ｄは、内部誘電体層１５ａ、１５ｂ
を介してコンデンサ電極２５、２６に共通に対向するこ
とにより、図４（Ｃ）に示す共振回路間の結合容量成分
Ｃｐを形成する。
は、それぞれコンデンサ電極２１ｃ、２１ｄを一体に有
する。これらのコンデンサ電極２１ｃ（２１ｄ）は、グ
ランド端子電極１８に接続されるコンデンサ電極２２
ａ、２３ａ（２２ｂ、２３ｂ）にそれぞれ誘電体層１５
ａ、１５ｂを介して対向して図４（Ｃ）に示す装荷容量
成分Ｃｒ１（Ｃｒ２）を形成する。また、前記コンデン
サ電極２１ｃ、２１ｄは、内部誘電体層１５ａ、１５ｂ
を介してコンデンサ電極２５、２６に共通に対向するこ
とにより、図４（Ｃ）に示す共振回路間の結合容量成分
Ｃｐを形成する。
【０００４】１５ｃ、１５ｄは前記内部誘電体層１５
ａ、１５ｂや電極２１ａ〜２１ｄ、２２ａ、２２ｂ、２
３ａ、２３ｂ、２５、２６からなる共振回路を挟むよう
に積層方向の上下に設けられた基体１５の表裏面に形成
した外部誘電体層である。２９、３０は基体１５の表裏
面に設けたシールド電極、３１、３２はさらにシールド
電極２９、３０上の端子電極接続部以外の部分を覆った
シールド電極保護用の絶縁層である。
ａ、１５ｂや電極２１ａ〜２１ｄ、２２ａ、２２ｂ、２
３ａ、２３ｂ、２５、２６からなる共振回路を挟むよう
に積層方向の上下に設けられた基体１５の表裏面に形成
した外部誘電体層である。２９、３０は基体１５の表裏
面に設けたシールド電極、３１、３２はさらにシールド
電極２９、３０上の端子電極接続部以外の部分を覆った
シールド電極保護用の絶縁層である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】例えば高速道路の料金
加算システムの送受信回路には、５．８ＧＨｚ程度の高
周波信号が用いられ、その基本周波数の２倍、３倍の高
調波におけるスプリアスの抑制が求められる。しかし、
従来の積層フィルタにおいては、３倍の高調波における
スプリアスの抑制が十分ではなく、このため、このスプ
リアスの抑制のためにトラップ回路の付設が必要であっ
た。従来の積層フィルタにおいて、スプリアスの抑制が
不十分となる理由は、小型化および高周波数化に伴う入
出力端子電極１６、１７間の電界の結合があるためであ
り、この入出力端子電極１６、１７間が容量的に結合す
るため、電磁波を通過させてしまい、減衰量が悪化す
る。
加算システムの送受信回路には、５．８ＧＨｚ程度の高
周波信号が用いられ、その基本周波数の２倍、３倍の高
調波におけるスプリアスの抑制が求められる。しかし、
従来の積層フィルタにおいては、３倍の高調波における
スプリアスの抑制が十分ではなく、このため、このスプ
リアスの抑制のためにトラップ回路の付設が必要であっ
た。従来の積層フィルタにおいて、スプリアスの抑制が
不十分となる理由は、小型化および高周波数化に伴う入
出力端子電極１６、１７間の電界の結合があるためであ
り、この入出力端子電極１６、１７間が容量的に結合す
るため、電磁波を通過させてしまい、減衰量が悪化す
る。
【０００６】本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み、
高周波領域で使用される積層フィルタにおいて、減衰量
の低下を防止することができる構成のものを提供するこ
とを目的とする。
高周波領域で使用される積層フィルタにおいて、減衰量
の低下を防止することができる構成のものを提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の積層フィルタ
は、平面視がほぼ長方形をなす積層体の前記長方形の一
方の対角線上にある２つのコーナー部に、それぞれ第
１、第２のグランド端子電極を設け、他方の対角線上に
ある２つのコーナー部の一方に、第１の入出力端子電極
を、他方に第２の入出力端子電極を、前記第１の入出力
端子電極が前記長方形の長辺を介して前記第１のグラン
ド端子電極に隣り合い、かつ短辺を介して第２のグラン
ド端子電極に隣り合うように設け、前記積層体内に、そ
れぞれ一端が前記第１、第２のグランド端子電極に接続
された第１、第２のインダクタ電極を、積層体の長手方
向に沿って設け、前記第１、第２の入出力端子電極にそ
れぞれ接続された整合用コンデンサ電極を前記第１、第
２のインダクタ電極に誘電体層を介して対向させてイン
ピーダンス整合容量成分を形成し、前記第２、第１のグ
ランド端子電極にそれぞれ接続された装荷用コンデンサ
電極を前記第１、第２のインダクタ電極に誘電体層を介
して対向させて装荷用容量成分を形成したことを特徴と
する。
は、平面視がほぼ長方形をなす積層体の前記長方形の一
方の対角線上にある２つのコーナー部に、それぞれ第
１、第２のグランド端子電極を設け、他方の対角線上に
ある２つのコーナー部の一方に、第１の入出力端子電極
を、他方に第２の入出力端子電極を、前記第１の入出力
端子電極が前記長方形の長辺を介して前記第１のグラン
ド端子電極に隣り合い、かつ短辺を介して第２のグラン
ド端子電極に隣り合うように設け、前記積層体内に、そ
れぞれ一端が前記第１、第２のグランド端子電極に接続
された第１、第２のインダクタ電極を、積層体の長手方
向に沿って設け、前記第１、第２の入出力端子電極にそ
れぞれ接続された整合用コンデンサ電極を前記第１、第
２のインダクタ電極に誘電体層を介して対向させてイン
ピーダンス整合容量成分を形成し、前記第２、第１のグ
ランド端子電極にそれぞれ接続された装荷用コンデンサ
電極を前記第１、第２のインダクタ電極に誘電体層を介
して対向させて装荷用容量成分を形成したことを特徴と
する。
【０００８】このように、対をなす入出力端子電極を互
いに対向するコーナー部に配置することにより、入出力
端子電極間の距離を遠くすることができ、入出力端子電
極間の容量結合が弱くなり、高周波における減衰量の低
下を防止することができる。また、グランド端子電極、
入出力端子電極をすべてコーナー部に設けため、スペー
ス効率が上がり小型化が容易となる。また、これらコー
ナー部の端子電極はスルーホールへのメッキ後の切断に
より形成する場合、側面と端面にそれぞれスルーホール
によって形成する場合に比較してスルーホールの数が半
分ですむ。
いに対向するコーナー部に配置することにより、入出力
端子電極間の距離を遠くすることができ、入出力端子電
極間の容量結合が弱くなり、高周波における減衰量の低
下を防止することができる。また、グランド端子電極、
入出力端子電極をすべてコーナー部に設けため、スペー
ス効率が上がり小型化が容易となる。また、これらコー
ナー部の端子電極はスルーホールへのメッキ後の切断に
より形成する場合、側面と端面にそれぞれスルーホール
によって形成する場合に比較してスルーホールの数が半
分ですむ。
【０００９】請求項２の積層フィルタは、請求項１にお
いて、前記積層体の表裏面またはその近傍に、それぞれ
シールド電極を設けたことを特徴とする。
いて、前記積層体の表裏面またはその近傍に、それぞれ
シールド電極を設けたことを特徴とする。
【００１０】このように、シールド電極を設けることに
より、入出力端子電極間の高周波の伝播を低減すること
ができる。また、シールド電極によって電磁波の外部へ
の放射や外部からの入射を防ぐことにより、ノイズによ
る悪影響を低減することができる。
より、入出力端子電極間の高周波の伝播を低減すること
ができる。また、シールド電極によって電磁波の外部へ
の放射や外部からの入射を防ぐことにより、ノイズによ
る悪影響を低減することができる。
【００１１】請求項３の積層フィルタは、請求項１また
は２において、前記積層体の整合用コンデンサ電極およ
び装荷用コンデンサ電極とインダクタ電極との間の内部
誘電体層の誘電率より、該内部誘電体層と積層体の表裏
面との間に設けられた外部誘電体層の誘電率を低く設定
したことを特徴とする。
は２において、前記積層体の整合用コンデンサ電極およ
び装荷用コンデンサ電極とインダクタ電極との間の内部
誘電体層の誘電率より、該内部誘電体層と積層体の表裏
面との間に設けられた外部誘電体層の誘電率を低く設定
したことを特徴とする。
【００１２】このように、外部誘電体層に誘電率の低い
誘電体を用いることにより、入出力端子電極間の容量結
合を弱めることができ、高周波における減衰量の低下を
よりよく防止することができる。
誘電体を用いることにより、入出力端子電極間の容量結
合を弱めることができ、高周波における減衰量の低下を
よりよく防止することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１（Ａ）は本発明による積層フ
ィルタの一実施の形態を示す外観図、図１（Ｂ）はその
Ｆ-Ｆ断面図、図１（Ｃ）はその電極の対向関係を説明
する平面図、図１（Ｄ）は該積層フィルタの等価回路図
である。また、図２は該積層フィルタの層構造図であ
る。
ィルタの一実施の形態を示す外観図、図１（Ｂ）はその
Ｆ-Ｆ断面図、図１（Ｃ）はその電極の対向関係を説明
する平面図、図１（Ｄ）は該積層フィルタの等価回路図
である。また、図２は該積層フィルタの層構造図であ
る。
【００１４】図１（Ａ）、図１（Ｃ）に示すように、該
積層フィルタは、平面視がほぼ長方形をなす直方体状を
なす積層体（基体）でなる。そして、平面視における長
方形の基体１の一方の対角線上にある２つのコーナー部
の一方に、第１のグランド端子電極２を設け、他方のコ
ーナー部に第２のグランド端子電極３を設ける。
積層フィルタは、平面視がほぼ長方形をなす直方体状を
なす積層体（基体）でなる。そして、平面視における長
方形の基体１の一方の対角線上にある２つのコーナー部
の一方に、第１のグランド端子電極２を設け、他方のコ
ーナー部に第２のグランド端子電極３を設ける。
【００１５】また、平面視における長方形の他方の対角
線上にある２つのコーナー部の一方に、第１の入出力端
子電極４を、他方に第２の入出力端子電極５を設ける。
ここで、前記第１の入出力端子電極４は、前記長方形の
長辺を介して前記第１のグランド端子電極２に隣り合
い、かつ短辺を介して第２のグランド端子電極３に隣り
合うように設ける。
線上にある２つのコーナー部の一方に、第１の入出力端
子電極４を、他方に第２の入出力端子電極５を設ける。
ここで、前記第１の入出力端子電極４は、前記長方形の
長辺を介して前記第１のグランド端子電極２に隣り合
い、かつ短辺を介して第２のグランド端子電極３に隣り
合うように設ける。
【００１６】また、図１（Ｃ）、図２に示すように、前
記基体１内に、一端が前記第１のグランド端子電極２に
接続された第１のインダクタ電極６を、積層体の長手方
向に沿って設ける。また、前記基体１内に、一端が前記
第２のグランド端子電極３に接続された第２のインダク
タ電極７を、前記第１のインダクタ電極６と逆方向に向
けて積層体の長手方向に沿って設ける。これら第１、第
２のインダクタ電極６、７は図１（Ｄ）に示すインダク
タ成分Ｌ１、Ｌ２を構成し、これらは誘導結合（Ｍ）さ
れる。
記基体１内に、一端が前記第１のグランド端子電極２に
接続された第１のインダクタ電極６を、積層体の長手方
向に沿って設ける。また、前記基体１内に、一端が前記
第２のグランド端子電極３に接続された第２のインダク
タ電極７を、前記第１のインダクタ電極６と逆方向に向
けて積層体の長手方向に沿って設ける。これら第１、第
２のインダクタ電極６、７は図１（Ｄ）に示すインダク
タ成分Ｌ１、Ｌ２を構成し、これらは誘導結合（Ｍ）さ
れる。
【００１７】８ａ、９ａは前記第１の入出力端子電極４
に接続された整合用コンデンサ電極である。該各整合用
コンデンサ電極８ａ、９ａは図１（Ｃ）、図２に示すよ
うに、前記第１のインダクタ電極６に内部誘電体層１
ａ、１ｂを介して対向させることにより、図１（Ｄ）に
示すインピーダンス整合容量成分Ｃｉ１を構成する。
に接続された整合用コンデンサ電極である。該各整合用
コンデンサ電極８ａ、９ａは図１（Ｃ）、図２に示すよ
うに、前記第１のインダクタ電極６に内部誘電体層１
ａ、１ｂを介して対向させることにより、図１（Ｄ）に
示すインピーダンス整合容量成分Ｃｉ１を構成する。
【００１８】８ｂ、９ｂは前記第２の入出力端子電極５
に接続された整合用コンデンサ電極である。該各整合用
コンデンサ電極８ｂ、９ｂは図１（Ｃ）、図２に示すよ
うに、前記第２のインダクタ電極７に内部誘電体層１
ａ、１ｂを介して対向させることにより、図１（Ｄ）に
示すインピーダンス整合容量成分Ｃｉ２を構成する。
に接続された整合用コンデンサ電極である。該各整合用
コンデンサ電極８ｂ、９ｂは図１（Ｃ）、図２に示すよ
うに、前記第２のインダクタ電極７に内部誘電体層１
ａ、１ｂを介して対向させることにより、図１（Ｄ）に
示すインピーダンス整合容量成分Ｃｉ２を構成する。
【００１９】１０ａ、１１ａは前記第２のグランド端子
電極３に接続された装荷用コンデンサ電極である。該各
装荷用コンデンサ電極１０ａ、１１ａは、前記第１のイ
ンダクタ電極６に内部誘電体層１ａ、１ｂを介して対向
させることにより、図１（Ｄ）に示す装荷用容量成分Ｃ
r１を構成する。
電極３に接続された装荷用コンデンサ電極である。該各
装荷用コンデンサ電極１０ａ、１１ａは、前記第１のイ
ンダクタ電極６に内部誘電体層１ａ、１ｂを介して対向
させることにより、図１（Ｄ）に示す装荷用容量成分Ｃ
r１を構成する。
【００２０】１０ｂ、１１ｂは前記第１のグランド端子
電極２に接続された装荷用コンデンサ電極である。該各
装荷用コンデンサ電極１０ｂ、１１ｂは、前記第２のイ
ンダクタ電極７に内部誘電体層１ａ、１ｂを介して対向
させることにより、図１（Ｄ）に示す装荷用容量成分Ｃ
r２を構成する。
電極２に接続された装荷用コンデンサ電極である。該各
装荷用コンデンサ電極１０ｂ、１１ｂは、前記第２のイ
ンダクタ電極７に内部誘電体層１ａ、１ｂを介して対向
させることにより、図１（Ｄ）に示す装荷用容量成分Ｃ
r２を構成する。
【００２１】１ｃ、１ｄは内部誘電体層１ａ、１ｂの上
下に設けられた外部誘電体層である。該外部誘電体層１
ｃ、１ｄの誘電率は、内部誘電体層１ａ、１ｂの誘電率
より低くなるように材料が選択される。これらの誘電体
層１ａ〜１ｄの材料としては、樹脂基板材料、低温焼成
セラミック等を用いることができる。なお、実施例にお
いては、内部誘電体層１ａ、１ｂに誘電率が１１のもの
を用い、外部誘電体層１ｃ、１ｄに誘電率が３のものを
用いた。なお、外部誘電体層１ｃ、１ｄは内部誘電体層
１ａ、１ｂの周囲も囲むように設けてもよい。
下に設けられた外部誘電体層である。該外部誘電体層１
ｃ、１ｄの誘電率は、内部誘電体層１ａ、１ｂの誘電率
より低くなるように材料が選択される。これらの誘電体
層１ａ〜１ｄの材料としては、樹脂基板材料、低温焼成
セラミック等を用いることができる。なお、実施例にお
いては、内部誘電体層１ａ、１ｂに誘電率が１１のもの
を用い、外部誘電体層１ｃ、１ｄに誘電率が３のものを
用いた。なお、外部誘電体層１ｃ、１ｄは内部誘電体層
１ａ、１ｂの周囲も囲むように設けてもよい。
【００２２】１２ａ、１２ｂは前記基体１の表裏面（表
裏面の近傍の内部でもよい）に設けたシールド電極であ
る。１３ａ、１３ｂはこれらのシールド電極１２ａ、１
２ｂの端子電極との接続部以外を覆う絶縁層であり、シ
ールド電極１２ａ、１２ｂを保護するものである。
裏面の近傍の内部でもよい）に設けたシールド電極であ
る。１３ａ、１３ｂはこれらのシールド電極１２ａ、１
２ｂの端子電極との接続部以外を覆う絶縁層であり、シ
ールド電極１２ａ、１２ｂを保護するものである。
【００２３】本発明の積層フィルタは、上述の構造を有
するものであり、対をなす入出力端子電極４、５を互い
に対向するコーナー部に配置しているので、入出力端子
電極４、５間の距離を遠くすることができる。従って、
入出力端子電極４、５間の容量結合が弱くなり、高周波
における減衰量の低下を防止することができる。図３は
図４、図５に示した従来例の積層フィルタと本発明によ
る積層フィルタを同サイズに形成して周波数特性を比較
して結果である。この積層フィルタは使用する信号の周
波数帯域が５．８ＧＨｚないしその前後であることを想
定したもので、その３倍の周波数である１７〜１８ＧＨ
ｚ前後において、従来例より減衰量が遥かに大となって
いる。
するものであり、対をなす入出力端子電極４、５を互い
に対向するコーナー部に配置しているので、入出力端子
電極４、５間の距離を遠くすることができる。従って、
入出力端子電極４、５間の容量結合が弱くなり、高周波
における減衰量の低下を防止することができる。図３は
図４、図５に示した従来例の積層フィルタと本発明によ
る積層フィルタを同サイズに形成して周波数特性を比較
して結果である。この積層フィルタは使用する信号の周
波数帯域が５．８ＧＨｚないしその前後であることを想
定したもので、その３倍の周波数である１７〜１８ＧＨ
ｚ前後において、従来例より減衰量が遥かに大となって
いる。
【００２４】また、本発明のように、グランド端子電極
２、３、入出力端子電極４、５をすべてコーナー部に設
ければ、スペース効率が上がり小型化が容易となる。ま
た、これらの積層フィルタは、コンデンサ電極、インダ
クタ電極あるいはシールド電極等を印刷した誘電体グリ
ーンシートを積層し、これらを圧着してスルーホールを
設け、スルーホールにメッキや導体充填し、スルーホー
ルの部分で切断して焼成し、焼成後に端子電極２〜５を
設けて製品とすることができる。この場合、図４、図５
に示したように基体の側面と端面にそれぞれスルーホー
ルによって形成する場合に比較してスルーホールの数が
半分ですみ導体充填やメッキも容易となる。
２、３、入出力端子電極４、５をすべてコーナー部に設
ければ、スペース効率が上がり小型化が容易となる。ま
た、これらの積層フィルタは、コンデンサ電極、インダ
クタ電極あるいはシールド電極等を印刷した誘電体グリ
ーンシートを積層し、これらを圧着してスルーホールを
設け、スルーホールにメッキや導体充填し、スルーホー
ルの部分で切断して焼成し、焼成後に端子電極２〜５を
設けて製品とすることができる。この場合、図４、図５
に示したように基体の側面と端面にそれぞれスルーホー
ルによって形成する場合に比較してスルーホールの数が
半分ですみ導体充填やメッキも容易となる。
【００２５】また、さらにシールド電極１２ａ、１２ｂ
を設けたことによって、入出力端子電極４、５間の高周
波の伝播を低減できる。
を設けたことによって、入出力端子電極４、５間の高周
波の伝播を低減できる。
【００２６】
【発明の効果】請求項１によれば、対をなす入出力端子
電極を互いに対向するコーナー部に配置したので、入出
力端子電極間の距離を遠くすることができ、入出力端子
電極間の容量結合が弱くなり、高周波における減衰量の
低下を防止することができる。また、グランド端子電
極、入出力端子電極をすべてコーナー部に設けため、ス
ペース効率が上がり小型化が容易となる。また、これら
コーナー部の端子電極はスルーホールへのメッキ後の切
断により形成する場合には、側面と端面にそれぞれスル
ーホールによって形成する場合に比較してスルーホール
の数が半分ですむ。
電極を互いに対向するコーナー部に配置したので、入出
力端子電極間の距離を遠くすることができ、入出力端子
電極間の容量結合が弱くなり、高周波における減衰量の
低下を防止することができる。また、グランド端子電
極、入出力端子電極をすべてコーナー部に設けため、ス
ペース効率が上がり小型化が容易となる。また、これら
コーナー部の端子電極はスルーホールへのメッキ後の切
断により形成する場合には、側面と端面にそれぞれスル
ーホールによって形成する場合に比較してスルーホール
の数が半分ですむ。
【００２７】請求項２によれば、前記積層体の表裏面ま
たはその近傍に、それぞれシールド電極を設けたので、
入出力端子電極間の高周波の伝播を低減することができ
る。また、シールド電極によって電磁波の外部への放射
や外部からの入射を防ぐことにより、ノイズによる悪影
響を低減することができる。
たはその近傍に、それぞれシールド電極を設けたので、
入出力端子電極間の高周波の伝播を低減することができ
る。また、シールド電極によって電磁波の外部への放射
や外部からの入射を防ぐことにより、ノイズによる悪影
響を低減することができる。
【００２８】請求項３によれば、共振回路を構成する内
部誘電体層より、外部誘電体層に誘電率の低い誘電体を
用いたので、入出力端子電極間の容量結合を弱めること
ができ、高周波における減衰量の低下をよりよく防止す
ることができる。
部誘電体層より、外部誘電体層に誘電率の低い誘電体を
用いたので、入出力端子電極間の容量結合を弱めること
ができ、高周波における減衰量の低下をよりよく防止す
ることができる。
【図１】（Ａ）は本発明による積層フィルタの一実施の
形態を示す外観図、（Ｂ）はそのＦ−Ｆ断面図、（Ｃ）
は該積層フィルタの電極層の対向構造を説明する平面
図、（Ｄ）は本実施の形態の等価回路図である。
形態を示す外観図、（Ｂ）はそのＦ−Ｆ断面図、（Ｃ）
は該積層フィルタの電極層の対向構造を説明する平面
図、（Ｄ）は本実施の形態の等価回路図である。
【図２】本実施の形態の層構造図である。
【図３】本発明と従来例の積層フィルタの周波数特性を
比較して示す図である。
比較して示す図である。
【図４】（Ａ）は従来の積層フィルタの一例を示す外観
図、（Ｂ）はそのＦ−Ｆ断面図、（Ｃ）はその等価回路
図である。
図、（Ｂ）はそのＦ−Ｆ断面図、（Ｃ）はその等価回路
図である。
【図５】図４の積層フィルタの層構造図である。
１：積層体（基体）、１ａ、１ｂ：内部誘電体層、１
ｃ、１ｄ：外部誘電体層、２：第１のグランド端子電
極、３：第２のグランド端子電極、４：第１の入出力端
子電極、５：第２の入出力端子電極、６：第１のインダ
クタ電極、７：第２のインダクタ電極、８ａ、８ｂ、９
ａ、９ｂ：整合用コンデンサ電極、１０ａ、１０ｂ、１
１ａ、１１ｂ：装荷用コンデンサ電極、１２ａ、１２
ｂ：シールド電極、１３ａ、１３ｂ：絶縁層、Ｃｉ１、
Ｃｉ２：インピーダンス整合容量成分、Ｃｒ１、Ｃｒ
２：装荷容量成分、Ｌ１、Ｌ２：インダクタ成分
ｃ、１ｄ：外部誘電体層、２：第１のグランド端子電
極、３：第２のグランド端子電極、４：第１の入出力端
子電極、５：第２の入出力端子電極、６：第１のインダ
クタ電極、７：第２のインダクタ電極、８ａ、８ｂ、９
ａ、９ｂ：整合用コンデンサ電極、１０ａ、１０ｂ、１
１ａ、１１ｂ：装荷用コンデンサ電極、１２ａ、１２
ｂ：シールド電極、１３ａ、１３ｂ：絶縁層、Ｃｉ１、
Ｃｉ２：インピーダンス整合容量成分、Ｃｒ１、Ｃｒ
２：装荷容量成分、Ｌ１、Ｌ２：インダクタ成分
Claims (3)
- 【請求項１】平面視がほぼ長方形をなす積層体の前記長
方形の一方の対角線上にある２つのコーナー部に、それ
ぞれ第１、第２のグランド端子電極を設け、 他方の対角線上にある２つのコーナー部の一方に、第１
の入出力端子電極を、他方に第２の入出力端子電極を、
前記第１の入出力端子電極が前記長方形の長辺を介して
前記第１のグランド端子電極に隣り合い、かつ短辺を介
して第２のグランド端子電極に隣り合うように設け、 前記積層体内に、それぞれ一端が前記第１、第２のグラ
ンド端子電極に接続された第１、第２のインダクタ電極
を、積層体の長手方向に沿って設け、 前記第１、第２の入出力端子電極にそれぞれ接続された
整合用コンデンサ電極を前記第１、第２のインダクタ電
極に誘電体層を介して対向させてインピーダンス整合容
量成分を形成し、 前記第２、第１のグランド端子電極にそれぞれ接続され
た装荷用コンデンサ電極を前記第１、第２のインダクタ
電極に誘電体層を介して対向させて装荷用容量成分を形
成したことを特徴とする積層フィルタ。 - 【請求項２】請求項１において、 前記積層体の表裏面またはその近傍に、それぞれシール
ド電極を設けたことを特徴とする積層フィルタ。 - 【請求項３】請求項１または２において、 前記積層体の整合用コンデンサ電極および装荷用コンデ
ンサ電極とインダクタ電極との間の内部誘電体層の誘電
率より、該内部誘電体層と積層体の表裏面との間に設け
られた外部誘電体層の誘電率を低く設定したことを特徴
とする積層フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000159630A JP2001339266A (ja) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | 積層フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000159630A JP2001339266A (ja) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | 積層フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001339266A true JP2001339266A (ja) | 2001-12-07 |
Family
ID=18663928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000159630A Withdrawn JP2001339266A (ja) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | 積層フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001339266A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003133821A (ja) * | 2001-08-13 | 2003-05-09 | Soshin Electric Co Ltd | ディレイライン |
| US6906600B2 (en) | 2002-01-08 | 2005-06-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and branching filter with specified signal terminal locations |
| US9287910B2 (en) | 2014-04-15 | 2016-03-15 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Electromagnetic resonance coupler and transmission apparatus |
-
2000
- 2000-05-30 JP JP2000159630A patent/JP2001339266A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003133821A (ja) * | 2001-08-13 | 2003-05-09 | Soshin Electric Co Ltd | ディレイライン |
| US6906600B2 (en) | 2002-01-08 | 2005-06-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and branching filter with specified signal terminal locations |
| US9287910B2 (en) | 2014-04-15 | 2016-03-15 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Electromagnetic resonance coupler and transmission apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070322 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090622 |