TWI364438B - Polymer film, and optically-compensatory film, polarizer and liquid-crystal display device comprising the same - Google Patents

Description

1364438 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種可用於液晶顯示裝置之聚合物薄膜 。本發明亦關於如光學補償膜與偏光板之光學材料及含有 此聚合物薄膜之液晶顯示裝置。 【先前技術】 迄今’醯化纖維素薄膜已因其良好之硬度及阻燃性而 用於照相撐體及各種光學材料。特別地，近來其已常用於 液晶顯示裝置之光學透明薄膜。因爲具有高光學透明性及 高光學各向同性，醯化纖維素薄膜優良地作爲偏光裝置（ 如液晶顯示裝置）用光學材料。其現今作爲保護膜及可使 顯示影像在歪斜方向較佳化（作爲視角補償）之光學補償 膜撐體。 偏光板’其爲液晶顯不裝置之一部份，包括偏光元件 及附著於元件至少一.側之元件保護膜。偏光元件通常藉由 以碘或二色染料將經定向聚乙烯醇（PVA)膜著色而得。在許 多情形，醯化纖維素薄膜，特別是三乙醯纖維素薄膜，用 於偏光元件保護膜，因爲此薄膜可直接黏附於PVA。在將 保護膜附著至偏光元件時，爲了將薄膜表面對偏光元件之 黏著性較佳化之目的，使黏附於偏光元件之保護膜表面接 受親水化表面處理。至於親水化表面處理，通常使用鹼處 理、電漿處理或電暈處理（例如，JP-A 2002-328224、JP-A 2000-356714號專利）。偏光元件保護膜具有良好之光學各 向同性，而且偏光元件保護膜之光學性質對於包括此保護 -5- 1364438 膜之偏光板性質具有顯著之影響。 近來，液晶顯示裝置已極需要進一步改良之視角 ，而且偏光元件保護膜及光學補償膜用撐體之光學透 ^ 膜亦需要進一步增加光學各向同性。對於光學各向同 遲滯（其以雙折射與光學薄膜厚度之積表示）小爲重 。特別地，爲了將歪斜方向顯示影像較佳化，不僅面 向（Re)且薄膜厚度方向（Rth)遲滯均須減小。具體而言 評估光學透明薄膜之光學性質時，在薄膜之面內方向 ^ 之Re小，而且即使是在不同角度測量時Re不改變， 要的。 迄今已知具有減小之面內Re之醯化纖維素薄膜。 ，難以製造其角度依附性Re變化減小之醯化纖維素S 即，具有減小之Rth。在此情況下，已提議使用聚碳 薄膜或熱塑性環烯烴薄膜代替醯化纖維素薄膜之具有 角度依附性 Re變化之光學透明薄膜（例如， 2001-318233 及 JP-A 2002-328233 號專利；市售 _ ZEONOR (得自 Nippon Zeon) 、ARTON (得自 JSR) 然而，在將這些光學透明薄膜用於偏光板保護膜時， 其對PVA之黏附性而成問題，因爲其爲疏水性。其另 問題爲薄膜之總面內光學性質不均勻。 爲了解決此問題，強烈地希望改良光學各向同性 透明薄膜對PVA之黏著性》具體而言，將醯化纖維素 之光學各向異性減小，而且更具體而言，將醯化纖維 膜之面內Re減小至幾乎爲零，而且將其角度依附性遲 特徵 明薄 性， 要的 內方 ，在 測量 爲重 然而 :膜， 酸酯 減小 JP-A 產品 )° 其因 一個 光學 薄膜 素薄 滯減 -6 - 1364438 小’即’將薄膜之Rth減小至幾乎爲零。結果，如此改良 之薄膜可成爲光學各向同性光學透明薄膜，而且希望進一 步改良其對PVA之黏著性》 在製造醯化纖維素薄膜時，爲了將薄膜材料之薄膜形 成性質較佳化之目的，通常加入作爲塑性劑之化合物。已 揭示某些塑性劑，例如，其包括如磷酸三苯酯之磷酸三酯 、磷酸聯苯基二苯醋、及駄酸醋（例如，Nikkan Kogyo Shinbun 之 Le c t u r e of P l a s t i c M a t e r i a l s，第 17 卷， ” Cellulose Resins”，第 121 頁（1970))。這些塑性劑中， 已知某些有效降低醯化纖維素薄膜之光學各向異性。例如 ，已揭示特定之脂肪酸酯（例如，JP-A 2001-247717號專 利）。然而，此已知化合物降低醯化纖維素薄膜之光學各 向異性之效果不令人滿意。 近來液晶顯示裝置已進一步需要具有改良之顏色顯示 力。因此，必須改良偏光板保護膜用及光學補償膜撐體用 光學透明薄膜，使得不僅薄膜之Re及Rth在400至8 00奈 米波長範圍內之可見光區域，亦及波長依附性Re及Rth變 化（即，波長依附性Re及Rth分布）小。 【發明內容】 本發明之第一目的爲提供一種聚合物薄膜，其優點爲 其光學各向異性（Re，Rth)小且此薄膜爲實質上光學各向同 性，波長依附性光學各向異性分布（Re，Rth)小，其表面黏 著適用性係由藉由控制其表面能量而產生，使得此薄膜之 適用於如液晶顯示裝置之影像顯示裝置。 -7- 1364438 本發明之第二目的表示一種具有優良視角特徵之光學 材料’如光學補償膜及偏光板，其包括光學各向異性低且 波長依附性各向異性分布低之聚合物薄膜，而且提供一種 包括此光學材料之影像顯示裝置，如液晶顯示裝置。 在將具有低光學各向異性及低波長依附性各向異性分 布之聚合物薄膜作爲偏光板保護膜時，偏光板之光學性質 可較佳。在將此薄膜作爲光學補償膜之撐體時.，光學補償 膜可直接呈現其本身之光學性質。在將此偏光板或光學補 ® 償膜用於液晶顯示裝置時，顯示對比及顯示顏色可較佳。 本發明人已深入硏究，結果已發現，在使用一種可控 制聚合物薄膜之面內及厚度方向定向之化合物以完全降低 聚合物薄膜之光學各向異性時，及在將薄膜之Re及其Rth 控制成幾乎爲零時，而且進一步在使聚合物薄膜接受如鹼 處理、電漿處理或電暈處理之表面處理以適當地控制薄膜 表面能量，因而防止薄膜表面能量由於在薄膜中使用化合 物而降低時，聚合物薄膜可對偏光元件具有良好黏著性， ^ 因此在將薄膜作爲偏光板保護膜時，可改良偏光板之耐久 性。 特別地，在聚合物薄膜之鹼處理中，希望薄膜仍維持 其光學性質，防止薄膜中之添加劑溶入鹼皂化處理溶液中 ，及防止處理溶液之處理力由於添加劑溶解及溶解成分之 分解與沉積而降低。因此，希望使用鹼皂化處理溶液中具 有大pKa値或在具有低溶解度之添加劑化合物。因此，已 進一步發現，在將此型化合物用於聚合物薄膜時，可提供 一 8 - 1364438 一種在處理前後不改變光學能力或均勻性之偏光板保護膜 ，此外，防止處理溶液受污染，因而可降低處理之運作成 本。 本發明之目的係藉下述之聚合物薄膜而達成。 (1) —種具有滿足式（i)及（ii)之面內遲滯Reu)及厚度 方向遲滞Rthu)(其中λ表示波長（奈米）），而且進一步至 少一個表面具有50毫牛頓/米至80毫牛頓/米之表面能量 之聚合物薄膜： 鲁（i) 〇SRe(63〇>£10，及丨Rth(63〇)|525 ;及 (ii) I R e (4 ο 〇) - R e (7 〇 〇) | S 1 0 ’ 及 | R t h (4 〇 〇) - R t h (7 ο 〇) | S 3 5 〇 (2) 如以上（1)所述之聚合物薄膜， 其中聚合物薄膜之表面能量之面內分布AE爲10或以 下。 (3) 如以上（1)或（2)所述之聚合物薄膜， 其中聚合物薄膜之至少一個表面經表面處理，而且在 處理前經表面處理表面之表面能量爲30毫牛頓/米至50毫 ® 牛頓/米，而且在處理後經表面處理表面之表面能量爲50 毫牛頓/米至80毫牛頓/米。 (4) 如以上（1)至（3)任一所述之聚合物薄膜， 其中Re(x_)及Rth(x)之面內分布ΔΙ^λ)及ARthu)滿足式 (Hi)及（iv): (iii) ΔΙΙε(λ)55;及 (iν) ΔΙΙΐ1ι(λ)$ 1 〇。 (5) 如以上（3)或（4)所述之聚合物薄膜， 1364438 其中表面處理前後之Re及Rth變化滿足式（v)及（vi) (v) |Re-Re’lSlO;及 (vi) IRth-Rth51<20 > 其中Re表示表面處理前之薄膜面內遲滞（奈米）： Re’表示表面處理後之薄膜面內遲滯（奈米）；

Rth表示表面處理前之薄膜厚度方向遲滯（奈米）； 及

Rth’表示表面處理後之薄膜厚度方向遲滯（奈米）。 (6) 如以上（1)至（5)任一所述之聚合物薄膜，其包括至 少一種可降低光學各向異性之化合物。 (7) 如以上（6)所述之聚合物薄膜，其包括至少一種在 滿足式（viii)之範圍內滿足式（vii)之可降低光學各向異性 之化合物： (vii) (RthA-Rth〇)/A<-1 .0 > (viii) 0.01<A<30 > 其中RthA表示含A質量％之此至少一種化合物之薄膜 之Rth (奈米）；

Rth〇表示不含此至少一種化合物之薄膜之Rth (奈米 ):及 A表示此至少一種化合物相對起始聚合物質量之質量 %，以薄膜爲100。 (8) 如以上（6)或（7)所述之聚合物薄膜’其包括一種具 有0至7之辛醇·水分配係數（log P)之化合物作爲可降低光 -10 — 1364438 學各向異性之化合物。 (9) 如以上（1)至（8)任一所述之聚合物薄膜，其包括至 少一種可降低|Re(4G())-Re(7()())丨及|Rth(4e()) Rth(7。㈠丨之化合 物。 (10) 如以上（3)至（9)任一所述之聚合物薄膜， 其中表面處理爲鹼皂化》 (11) 如以上（6)至（8)任一所述之聚合物薄膜， 其中在鹼皂化處理中’至少一種可降低光學各向異性 ® 之化合物在鹼溶液中之溶解程度爲20質量％或以下。 (12) 如以上（10)或（11)所述之聚合物薄膜， 其中在將薄膜表面鹼皂化處理後，鹼溶液在45〇奈米 之吸收度爲〇 . 1或以下。 (13) 如以上（10)至（12)任一所述之聚合物薄膜， 其中在55°C之溫度條件使用1.5 N之NaOH驗巷化處 理表面未經處理薄膜，使表面能量爲50毫牛頓/米或以上 所需之時間在1分鐘內。 ® (14)如以上（1)至（13)任一所述之聚合物薄膜， 其中至少一種可降低光學各向異性之化合物之pKa爲 1 4或以上。 (15) 如以上（3)至（9)任一所述之聚合物薄膜， 其中表面處理爲電漿處理。 (16) 如以上（3)至（9)任一所述之聚合物薄膜， 其中表面處理爲電暈處理。 (17) 如以上（1)至（16)任一所述之聚合物薄膜， 丄364438 其中形成薄膜之聚合物材料包括醯化纖維素。 (1 8)如以上（1 7)所述之聚合物薄膜， 其中醯化纖維素之醯基取代程度爲2.50至3.00。 (19) 如以上（17)所述之聚合物薄膜， 其中醯化纖維素中之醯基取代基實質上僅爲乙醯基， 總取代程度爲2.80至2.99’及聚合物之平均聚合程度爲ι8〇 至 550。 (20) 如以上（I7)所述之聚合物薄膜， 其中醯化纖維素中之醯基取代基實質上包括乙醯基/ 丙醯基/ 丁醯基至少之二，及醯化纖維素之總醯基取代程度 爲 2.50 至 3.00。 (21) 如以上（1)至（20)任一所述之聚合物薄膜， 其中醯化纖維素面內方向之遲相軸爲薄膜之機械輸送 方向（MD)，或垂直薄膜之機械輸送方向（MD)(橫向方向， TD )。 (2 2 )如以上（1)至（2 1)任一所述之聚合物薄膜， 其中聚合物薄膜之厚度爲10至120微米》 (23) 如以上（1)至（22)任一所述之聚合物薄膜， 其中聚合物薄膜之寬度爲〗350毫米或以上。 (24) 如以上（1)至（23)任一所述之聚合物薄膜， 其中聚合物薄膜爲具有1500米或以上之長度之長膜。 (25) 一種附有黏者層之聚合物薄膜，其包括形成於如 以上（1)至（24)任一所述之聚合物薄膜之至少一個表面能量 爲50毫牛頓/米至80毫牛頓/米之表面上之黏著層。 -12- 1364438 (2 6)—種光學補償膜，其包括形成於如以上（1)至（25) 任一所述之聚合物薄膜上之光學各向異性層，及其中光學 各向異性層滿足式（ix): (ix) Re = 0至200 (奈米），及丨Rth丨=0至4 0 0 (奈米）。 (27) 如以上（26)所述之光學補償膜， 其中光學各向異性層包括一種碟狀液晶化合物。 (28) 如以上（26)或（27)所述之光學補償膜， 其中光學各向異性層包括一種棒形液晶化合物》 (29) 如以上（26)至（28)任一所述之光學補償膜， 其中光學各向異性層係由具有雙折射之聚合物薄膜形 成。 (30) 如以上（29)所述之光學補償膜， 其中形成光學補償膜之聚合物薄膜包括至少一種選自 聚醯胺、聚醯亞胺、聚酯、聚醚-酮、聚醯胺醯亞胺-聚酯-醯亞胺、與聚芳基-醚-酮之聚合物材料。 (31) —種偏光板，其包括至少一片如以上（1)至（25)任 一所述之聚合物薄膜及如以上（26)至（30)任一所述之光學 補償膜作爲偏光元件之保護膜。 (32) 如以上（31)所述之偏光板，其包括至少—層硬塗 層、抗眩層及抗反射層形成於表面上。 (33) —種液晶顯示裝置，其包括任何如以上（1)至（25) 任一所述之聚合物薄膜、如以上（26)至（30)任一所述之光學 補償膜、及如以上（3 1)或（3 2)所述之偏光板。 (34) —種VA或IPS液晶顯示裝置，其包括任何如以 1364438 上（1)至（25)任一所述之聚合物薄膜、如以上（26)至（30)任一 所述之光學補償膜、及如以上（31)或（3 2)所述之偏光板。 【實施方式】 以下詳述本發明之聚合物薄膜。 [聚合物薄膜之材料] 形成本發明之聚合物薄膜之材料較佳爲一種具有良好 光學性質、良好透明性、良好機械強度 '熱安定性、良好 防水性 '及良好各向同性之聚合物。可使用任何材料，只 要其Re及Rth在滿足上述式（i)及（ii)之範圍內。例如，其 包括聚碳酸酯聚合物；聚酯聚合物，如聚對酞酸伸乙酯、 聚萘甲酸伸乙酯；丙烯酸聚合物，如聚甲基丙烯酸甲酯； 及苯乙烯聚合物’如聚苯乙烯、丙烯腈/苯乙烯共聚物（AS 樹脂）》聚合物材料之其他實例爲聚烯烴，如聚乙烯、聚丙 燃；聚稀烴共聚物，如乙烯/丙烯共聚物；氯乙烯聚合物； 醯胺聚合物，如耐綸、芳族聚醯胺；醯亞胺聚合物、颯聚 合物、聚醚-颯聚合物、聚醚-醚-酮聚合物、聚硫苯聚合物 、氯亞乙稀聚合物、乙稀醇聚合物、乙稀丁酸聚合物、芳 化物聚合物、聚氧亞甲基聚合物、環氧聚合物、及上述聚 合物之混合物。本發明之透明薄膜可形成丙烯酸、胺基甲 酸醋、丙烯酸胺基甲酸酯、環氧基或聚矽氧型UV可硬化 或熱固性樹脂之硬化層。 至於形成本發明之聚合物薄膜之材料，亦較佳爲使用 熱塑性降莰烯型樹脂。熱塑性降莰型烯樹脂包括Nipp〇n Zeon 之 ZEONEX 與 ZEONOA，及 JSR 之 ART〇N。 1364438 至於形成本發明之聚合物薄膜之材料，亦較佳爲纖維 素型聚合物’一般如迄今已作爲偏光板之透明保護膜之三 乙醒纖維素（以下將其稱爲酿化纖維素）。以下詳述此酿化 纖維素。 [醯化纖維素用原料纖維素] 釀化纖維素用原料纖維素包括棉械與木獎（硬木獎、 軟木漿）。在此可使用由任何型式之此原料纖維素得到之任 何醯化纖維素。視情況地’其可在此混合使用。原料纖維 素詳述於，例如，Maruzawa & Uda 之 Plastic Material

Lecture (17) Cellulose Resin，Nikkan Kogyo Shinbun ( 1 970);及 Hatsumei Kyokai 之 Disclosure Bulletin No. 2001-1745 (第7-8頁）》其中所述之纖維素可用於本發明 之醯化纖維素薄膜而無特別之限制。 [醯化纖維素之取代程度] 以下敘述由上述纖維素材料製造之用於本發明之醯化 纖維素。用於本發明之醯化纖維素係藉由將纖維素中之羥 基醯化而製造，其中取代基可爲任何具有2個（乙醯基） 至22個碳原子之醯基。纖維素中羥基經醯基取代而產生在 此使用之醯化纖維素之程度並未特別地界定。例如，其可 藉由測量取代纖維素中羥基之乙酸及/或具有3至22個碳 原子之鍵結程度，繼而計算所得資料而測定。至於此測量 ，例如，可使用ASTMD-817-91之方法。 如上所述，纖維素中羥基經醯基取代而產生用於本發 明之醯化纖維素之取代程度並未特別地界定。然而，較佳 -15- 1364438 爲纖維素中羥基產生醯化纖維素之醯基取代程 3·〇〇，更佳爲2.75至3.00，甚至更佳爲2.85三 取代纖維素中羥基之乙酸及/或具有3至 之脂肪酸中，具有2至22個碳原子之醯基可爲 或芳族基，而且並未特別地界定。其可爲單基 更多種不同基之混合物。例如，其爲纖維素烷 烯基羰基酯、芳族羰基酯、或芳族烷基羰基酯 步經取代。此型醯基之較佳實例爲乙醯基、丙 ^ 基、庚醯基、己醯基、辛醯基、癸醯基 '十二 三碳醯基、十四碳醯基、十六碳醯基、十八碳 醯基、第三丁醯基、環己羰基、油醯基、苯甲 羰基、與桂皮醯基。其中，較佳爲乙醯基、丙 基、十二碳醯基、十八碳醯基、第三丁醯基、 甲醯基、萘基羰基、與桂皮醯基；而且甚至更 、丙醯基與丁醯基。 深入硏究之結果，本發明人已發現，上述 ® 中羥基之醯基取代基中，實質上乙醯基/丙醯； 少之二在其總取代程度爲2.50至3.00時，可降 素之光學各向異性。更佳爲，醯基取代程度爲 ，甚至更佳爲2,65至3.00。 在取代纖維素中羥基之醯基取代基僅爲乙 由可降低薄膜之光學各向異性，此外，醯化纖 劑之相容性及其在所使用有機溶劑中之溶解度 ，其總取代程度較佳爲2.8 0至2 · 99，更佳爲 度爲2.5 0至 g 3.00 。 22個碳原子 任何脂族基 或可爲二或 基羰基酯、 ，其可進一 醯基、丁醯 碳醯基、十 醯基、異丁 醯基、萘基 醯基、丁醯 油醯基、苯 佳爲乙醯基 取代纖維素 基/丁醯基至 低醯化纖維 2.60 至 3.00 醯基時，則 維素與添加 良好之觀點 2.85 至 2_95 1364438 [醯化纖維素之聚合程度] 關於較佳地用於本發明之醯化纖維素之聚合程度，希 望此醯化纖維素之黏度平均聚合程度爲180至700，更佳 爲180至550，甚至更佳爲180至400，仍更佳爲180至 350。如果其聚合程度太高，則醯化纖維素之塗布漆溶液黏 度可能太高，而且藉流延形成薄膜可能變困難。如果聚合 程度太低，則所形成薄膜之強度可能變低。平均聚合程度 可依照Uda等人之限制黏度法（Kazuo Uda & Hideo Saito 之 the Journal of Fiber Society of Japan，第 1 8 卷，第 1 期，第105-120頁，1962)測定。其詳述於JP-A 9-95538 號專利。 較佳地用於本發明之醯化纖維素之分子量分布可經凝 膠穿透層析術評估。希望多分散指數Mw/Mn ( Mw表示質 量平均分子量，及Μη表示數量平均分子量）小且分子量 分布窄。具體而言，Mw/Mn較佳爲1 ·0至3.0，更佳爲1 .〇 至2.0，最佳爲1.0至1.6。 在去除低分子成分時，醯化纖維素之平均分子量（聚 合程度）可能變高，但是其黏度可能低於一般醯化纖維素 ，因此可使用此醯化纖維素。具有降低之低分子含量之醯 化纖維素可藉由自一般方法製造之醯化纖維素去除低分子 成分而得。去除低分子成分可藉由以適當之有機溶劑清洗 醯化纖維素而進行。在製造具有低分子成分含量之醯化纖 維素時，較佳爲將乙醯化中之硫酸觸媒量控制在相對100 -17- 1364438 質量份之纖維素爲0.5至25質量份。（在本說明書中，質 量份及質量％各等於重量份及重量％)。在將硫酸觸媒量界 定於此範圍內時，其關於所得醯化纖維素之分子量分布而 爲希望的’即，可製造具有均勻分子量分布之醯化纖維素 。較佳爲’用於本發明之醯化纖維素之水含量爲最多2質 量％ ’更佳爲最多1質量％，甚至更佳爲最多〇.7質量％。 醯化纖維素通常含水且已知其水含量爲2.5至5質量％。因 此，爲了使用於本發明之醯化纖維素具有在以上範圍內之 水含量’必須將醯化纖維素乾燥。其乾燥方法並未特別地 界定’只要經乾燥之醯化纖維素可具有意圖之水含量。用 於本發明之醯化纖維素及其原料纖維素及其製造方法詳述 於，例如，Hatsumei Kyokai 之 Disclosure Bulletin No. 200 1 - 1 74 5 ( 200 1 年 3 月 15 日由 Hatsumei Kyokai 發行）， 第7-12頁。 用於本發明之醯化纖維素之取代基型式、取代程度、 聚合程度、及分子量分布可在以上範圍內，而且一或多種 此醯化纖維素可在此單獨地或組合使用。 [醯化纖維素之添加劑] 依照其用途，可將各種添加劑在製造溶液之程序期間 加入用於本發明之醯化纖維素。此添加劑包括，例如，光 學各向異性降低化合物、波長依附性各向異性分布改良劑 、UV抑制劑、塑性劑、抗氧化劑、細粒、光學性質改良劑 ，而且敘述於下。將添加劑加入溶液之時間可爲塗布漆製 備程序之任何時間。視情況地，添加劑可在塗布漆製備之 -18- 1364438 最終步驟加入塗布漆溶液。 [可降低光學各向異性之化合物] 首先敘述可降低本發明聚合物薄膜（如醯化纖維素薄 膜等）之光學各向異性之化合物。深入硏究之結果，本發 明人已發現’在使用可阻礙聚合物（例如，薄膜中之酿化 纖維素）之面內及厚度方向定向之化合物時，可降低酿化 纖維素薄膜之光學各向異性，而且薄膜之Re及Rth均可幾 乎爲零。因此’希望可降低薄膜之光學各向異性之化合物 ® 係與聚合物（例如’醯化纖維素）高度相容，而且此化合 物本身不具有棒形結構或平坦形結構。在此化合物具有多 個平坦形官能基（如芳基）時，希望將此官能基不均在— 個及相同平面上，而是在不同平面上。 較佳爲，本發明之聚合物含至少一種可降低光學各向 異性之化合物，特別是薄膜之厚度方向遲滯Rth在滿足下 式（vii)及（viii)之範圍內： (vii) (RthA-Rth〇)/A<-1 .0 > 籲 （v i i i) G · G 1 S A S 3 0。 更佳爲，（RthA-RthcO/AS-2.0 及 0.05SAS25;甚至更佳 爲 ’（RthA-Rth〇)/AS-3.0 及 0.1SAS20。 以上RthA表示含A質量％之此化合物之薄膜之Rth ( 奈米）；Rthe表示不含此化合物之薄膜之Rth (奈米）；A 表示相對1 0G份薄膜起始聚合物質量之質量（％)。 在以上之範圍內，可將薄膜遲滯控制在指定範圍內’ 而且可將低分子成分在鹸溶液中之溶解控制在不造成任何 -19- 1364438 問題之範圍內。因而以上之範圍較佳。 (Log P) 在製造用於本·發明之醯化纖維素薄膜時，希望使用上 述可阻礙薄膜中醯化纖維素之面內及厚度方向定向之化合 物，因而降低薄膜之光學各向異性。此型化合物中，較佳 爲具有〇’至7之辛醇-水分配係數（log P値）者。其中log P超過7之化合物爲與醯化纖維素不太相容，因此其可能 造成變白或變濁。另一方面，其中log P小於0之化合物 • 爲高親水性，而且其可能使醯化纖維素薄膜之抗水性惡化 。丨0gP更佳爲1至6，甚至更佳爲1.5至5。 辛醇-水分布係數（log P)可依照JIS Z7260-107 (2000) 之燒瓶浸漬法測定。除了實際測量之，辛醇-水分配係數（log P)可依照計算化學法或實驗法估計。至於此計算方法，較 佳爲 Crippen 之碎裂法（《/. C/ie/n. /«/. Cow/jw，· 5cz_.，27，21 (1987))·· Viswanadhan 之碎裂法（《/. CAe/w_ Cow/?wi.

Scz··，29， 1 63 ( 1 9 8 9)); Broto 之碎裂法（五wr. ·/_ Med. 鲁 C/iem.-CΛ/w. Γ/ieor·，19，71 (1984))。其中，更佳爲 Crippen 之碎裂法（·/. C/zew. / n/· Sci.，27，21 (1987))。在化 合物之log P因測量方法或計算方法而不同時，較佳爲依 照Crippe η之碎裂法判斷化合物是否在本發明之範圍內。 (在NaOH水溶液中之pKa及溶解度之測定） 爲了將醯化纖維素薄膜作爲偏光板保護膜，必需減少 如面內光學性質之性質之分布及薄膜表面能量。因此，必 須在形成薄膜之塗布漆流延步驟、表面處理步驟、黏著劑 -20- 1364438 塗佈步驟、及層合步驟之各步驟中，將薄膜之性質安定地 及均勻地保持在所需範圍內。特別地，在表面處理步驟中 ’就生產力而言，通常使用鹼皂化，而且其經常因以下之 原因而成問題。爲了使其與醯化纖維素之相容性良好，可 降低醯化纖維素薄膜之光學各向異性之化合物爲高親水性 。因此，在鹼皂化步驟中，皂化處理溶液可穿透至薄膜中 且可促進化合物溶解至溶液中，結果，薄膜之性質不安定 。特別地，薄膜表面可能不均勻且表面性質可能亦不均勻 °必須對其予以防止。基於此觀點，本發明人已深入硏究 ’結果已發現，在特別地控制可降低醯化纖維素薄膜光學 各向異性之化合物之物理性質時，特別是化合物在鹼溶液 中之解離及其在鹼溶液中之溶解，可將薄膜之面內性質保 持均勻。

如以上關於薄膜對鹼皂化之安定性之原因，用於本發 明之降低醯化纖維素薄膜光學各向異性之化合物之較佳 pKa範圍爲至少14，更佳爲至少15，甚至更佳爲至少16 。由於鹼皂化處理溶液之pH通常爲13至14左右，具有小 於14之pKa之化合物可易於造成經鹼皂化薄膜之不均勻光 學性質及不均勻表面能量。特別地，具有較低pKa之化合 物進一步降低薄膜之光學性質之面內均勻性。化合物之 pKa通常可經滴定而得。在本發明中，其係如下測定：將 欲分析之化合物以5x1 〇·5莫耳/公升之濃度溶於50毫升之 DMSO/水=7/3之溶劑系統中，然後加入0.5毫升之0.25 N 之HC1以使其pH爲酸性。其次在25°C使用0.5N之NaOH -21- 1364438 ，經電位滴定得到滴定曲線。使用最小平方法組合酸解離 平衡之理論方程式，經由代入曲線而可得化合物之pKa。 類似地，如以上關於薄膜對鹼皂化之安定性之相同原 因，但是在異於上述化合物pKa値方面之其他方面中，可 用於本發明之降低醯化纖維素薄膜光學各向異性之化合物 在鹼水溶液中之溶解度，關於化合物在55 °C於濃度爲1.5 莫耳/公升之NaOH水溶液中之溶解度，較佳爲最大1.0% ’更佳爲最大0.1 %，甚至更佳爲最大0.0 1 %。如果化合物 於鹼皂化處理溶液中之溶解度高於1.0%，則在鹼皂化處理 中薄膜之光學性質及表面能量易波動。具有較高溶解度之 化合物高程度地降低薄膜之面內光學性質之均勻性。化合 物之溶解度可目視地測定。 [可降低光學各向異性之化合物之物理性質] 具有降低薄膜光學各向異性之能力之化合物可具有或 .不具有芳族基。較佳爲，具有降低薄膜光學各向異性之能 力之化合物具有3000或以下，更佳爲150至3000，進一 步更佳爲170至2000，仍進一步更佳爲200至1000之分 子量。只要具有在此範圍內之分子量，則此化合物可具有 指定之單體結構，或可具有具多種此單體單元彼此鍵結之 寡聚物結構或聚合物結構。 較佳爲’具有可降低薄膜光學各向異性之能力之化合 物在25 °C爲液體，或爲具有25至250 〇C之熔點之固體，更 佳爲其在25°C爲液體，或爲具有25至200。(：之熔點之固體 。較佳爲’具有可降低薄膜光學各向異性之能力之化合物 -22- 1364438 在形成醯化纖維素薄膜之塗布漆流延及乾燥程序中不蒸發 〇 光學各向異性降低化合物加入本發明之薄膜形成塗布 漆之量較佳爲醯化纖維素之0.01至30質量％，更佳爲1至 25質量％，甚至更佳爲5至20質量％。 —或多種不同型式之光學各向異性降低化合物可在此 單獨地或以任何所需比例組合使用。 將光學各向異性降低化合物加入薄膜形成塗布漆之時 間可爲塗布漆製備程序期間之任何時間，而且此化合物可 在塗布漆製備之最終步驟中加入塗布漆。 關於光學各向異性降低化合物在本發明醯化纖維素薄 膜中之含量，在距薄膜至少一表面側爲至多薄膜總厚度 1 〇 %之部份中之平均化合物含量爲薄膜中央部份之平均化 合物含量之80至99%。此化合物在薄膜中之量可藉由經由 如JP-A 8-57879號專利之IR吸收光譜術，測量其在薄膜表 面部份及其在中央部份之量而測定。 首先，下述之通式（1)至U9)爲具有降低本發明醯化纖 維素薄膜光學各向異性之能力之化合物之實例，然而，本 發明不應受其限制。 式⑴ OR11 O^P-OR12 OR13 在此式中，R11至R13各獨立地表示具有1至20個碳 原子之脂族基，及RM至R13可彼此鍵結形成環。 -23- 1364438

式（2) 式（3) 在式（2)及（3)中，Z表示碳原子、氧原子、硫原子、或 -NR25，； R25表示氫原子或烷基；以Z組成之5-或6員環可 具有取代基；Y21與Y22各獨立地表示具有1至20個碳原 子酯基、烷氧基羰基、醯胺基、或胺甲醯基，而且Y21與 Y22可彼此鍵結形成環；m表示1至5之整數；及η表示1 至6之整數。

24- I1364438 γ33_^32_Λ_|^4_γ3δ γ3$ be Y^-i·35-占一 -θ 式（4) γ94 式（5) 式（6)

在式（4)至（I2)中，Y31至Y7G各獨立地表示具有1至 20個碳原子之酯基、具有1至20個碳原子之烷氧基羰基 、具有1至20個碳原子之醯胺基、具有1至20個碳原子 -25- 1364438 之胺甲醯基、或羥基；V31至V43各獨立地表示氫原子、或 具有1至20個碳原子之脂族基；L31至L8G各獨立地表示 具有〇至40個原子且具有〇至20個碳原子之二價飽和鍵 聯基；具有0(零）個原子之L3!至L8〇表示存在於鍵聯基 兩側上之基直接形成單鍵；V31至V43及L31至L8C可具有 其他之取代基。 式（13)

在此式中，R1表示烷基或芳基；R2與R3各獨立地表 示氫原子、烷基或芳基；R^R2與R3之全部碳原子爲至少 個；及烷基與芳基可具有取代基。 式（14) 〇 R4—I—R5 Ο # 在此式中，R4與R5各獨立地表示烷基或芳基；R4與 R5之全部碳原子爲至少10個；及烷基與芳基可具有取代 基。 Ο 式（15)

Ri 、 R2 與 R3各獨立地表示氫原子或烷基 -26- 1364438 ;X表示由至少一個以下鍵聯基1之基形成之二價鍵聯棊 ;Y表示氫原子、烷基、芳基、或芳烷基； (鍵聯基1)單鍵、-〇_、_C〇·、-NR4-、伸院基、或伸芳基 ，其中R4表示氫原子、烷基、芳基、或芳烷基。 式（16) J...................... .W吖·一一入卿耐|^ 在此式中’ Q1、Q2與Q3各獨立地表示5-或6_員瓌； φ X表示B、C-R (其中R表示氫原子或取代基）、N、P、或 式（17)

在此式中’ X2表不B、c-R (其中尺表示氫原子或取 代基）、或 N; R11、R12、R13、R14、R15 ' R2i、r22、r23

取代基。 式（18) OR3 R1-C-N^R2 在此式中’ r1表不院基或芳基；r2與R3各獨立地表 -27- 1364438 示氫原子、烷基或芳基；及烷基與芳基可具有取代基。 式（18)中較佳爲下式（19): 式（19) 0 R6 在式（19)中’ R4、R5與R6各獨立地表示烷基或芳基。 院基可爲線形、分支或環形’但是較佳爲具有1至20個碳 原子，更佳爲1至15個碳原子’最佳爲1至12個碳原子 φ 。至於環烷基，特佳爲環己基。芳基較佳爲具有6至36個 碳原子，更佳爲6至24個碳原子。 院基與芳基可具有·取代基《至於取代基，較佳爲鹵素 原子（例如，氯、溴、氟、與碘）、烷基、芳基、院氧基 、芳氧基、醯基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、醯氧基、磺 醯基胺基、羥基、氰基、胺基、與醯基胺基；更佳爲_素 原子、烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、磺醯基胺基、與醯 基基，甚至更佳爲院基、方基、擴醯基胺基、與醯基胺 φ 基。 以下欽述具有降低醯化纖維素光學各向異性之能力之 用於本發明之式（1)至（19)化合物之指定實例，然而，本發 明不受其限制。 以下敘述式（1)化合物。 式⑴ OR11 0:P-0R12 OR13 -28- 1364438 在式（1)中，R11至Rl3各獨立地表示1至2〇個碳原子 之脂族基’及Rll至Rl3可彼此鍵結形成環。 以下詳述R11至R13。較佳爲，R丨丨至各爲具有】 至20個碳原子’更佳爲1至16個碳原子，甚至更佳爲1 至12個碳原子之脂族基。在此所指之脂族基較佳爲脂族烴 基’更佳爲烷基（包括線形、分支與環形烷基）、烯基或 炔基。烷基之實例爲甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁 基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、第三戊基、 鲁 正己基、正辛基、癸基、十二碳基、二十碳基' 2 -乙基己 基、環戊基、環己基、環庚基、2，6-二甲基環己基、4-第三 丁基環己基、環戊基、1-金剛烷基、2-金剛烷基、雙環[2.2.2] 辛-3-基。烯基包括，例如，乙烯基、烯丙基、異戊二烯基 、香葉基、油基、2-環戊烯-1-基、2-環己烯-1-基。炔基包 括，例如，乙炔基、炔丙基。 由R11至R13表示之脂族基可經取代。其取代基之實 例爲鹵素原子（氟原子、氯原子、溴原子、碘原子）、烷 ^ 基（線形、分支或環形烷基’包括雙環烷基與活性次甲基 )、烯基、炔基、芳基、雜環基（其鍵結位置並不特別地 界定）、醯基、烷氧基羰基 '芳氧基羰基、雜環氧羰基' 胺甲醯基、N-醯基胺甲醯基、N-擴醒基胺甲醯基、N-胺甲 醯基胺甲醯基、N-胺磺醯基胺甲醯基、咔哩基、羧基或其 鹽、卩惡基、嚼醯基、氰基、鑛醯亞胺基（羯醯亞胺基）、 甲醯基、羥基、烷氧基（包括具重複伸乙氧基或伸丙氧基 單元者）、芳氧基 '雜環氧基、醯氧基、（院氧基或芳氧 -29 - 1364438 基）羰氧基、胺甲醯氧基、磺醯氧基、胺基' (院基，芳 基或雜環）胺基、藤基胺基、擴醯胺基、脲基、硫脲基、 酿亞胺基、（院氧基或芳氧基）羰基胺基、胺磺醯基胺基 、半味唑基、氨基、噁醯基胺基、N-(烷基或芳基）磺醯 基脲基、N-醯基脲基、醯基胺磺醯基胺基、含四級氮雜 環基（例如，吡啶基、咪唑基、喹啉基、異喹啉基）、異 氧基、亞胺基、（烷基或芳基）磺醯基、（烷基或芳基） 亞擴酿基、磺酸基或其鹽、胺磺醯基、N-醯基胺磺醯基、 N-擴醯基胺磺醯基或其鹽、膦基、亞膦基、亞膦氧基、亞 滕胺基、及矽烷基。 m些基可組合形成雜取代基。此型取代基之實例包括 乙氧基乙氧基乙基、羥基乙氧基乙基、乙氧基羰基乙基。 至R可具有磷酸基作爲取代基。式（1)化合物在—個分 子中可具有多個磷酸基。 以下提及由式（1)表示之化合物之實例（C-1至C-76) ，然而，本發明不應受其限制。下表顯示各化合物之1〇g p 値。其係依照 Crippen 之碎裂法（J. C/2ew /w/ jc/.， 27, 2 1 (1 987))而得。 OR1 〇=p_〇p2 OR3 (在此式中’R1至R3具有如式（1)中Rii至pj3之相同 意義，而亘其實例爲以下C-】至C-76)。 - 3 0 - 1364438 Ο.g) 令 OOCNCNOOr^mVO 卜—<Νγ^Ί to” 寸 ^ OO 卜 (N^oOnoo — 4(N〇m 卜—v〇 卜 Π 卜 — • · · · · ^~4- ······ ♦ · · v Λ · · · « \A n\ οόοό ιΑ *h補E--e iirI]gK)-CN 卜-Ho ®rLIii®hll]搬 4 糊Γϋ酸糊B--寸 --HU --Ηυύ 2ΗοMgK)-l κού ^Houffiu --HCJ ffio··*-* 6ffid-s ffiu-! ffiJ ffiu-! ffio ffiCJ* lalu 糊.！&--£ 橄[TJSK)-<N 匕 Hu ss^lhnlf «nj酹糊fr_ 寸 --HU 二 Ηυύ 2HU 糊 MSKI-I ffiu-。 Kffiuuffiu --HU ffiu_l 6HJ-S ffio-i ffid Εο-ΐ ffiu ffiu 〔5

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s寸·ι 9ε·«Ν 卜 ΓΓη 65·5 9·5 0017. ιοΓ9 srooCQrz. 66·ιη 91·9 Is 99.9 寸卜·1 69Τ b___I dlaflol_^^_鬆ΚΠ1Λ3} 橄撢 ¥n_a-(N 稍 iu¥n_a-(N 稍®¥n®a-(N^offido)od9,(Eu)o(ffio) ^Huoo=do^H3)o^H3) ^Hu0)0=d9,(ffi3)0^H3) KKuo)o=do^H3)9,(ffi3) KKuo)o=dsffio) ^Huo)o=d9,(ffio)o^Hu) ^HoooHdsKooKwo)wooondsffio)^Hoo)o=PHsffi3)Kffido)o=dsKo)Ko^H3)HM03^s) ffio^Ho)oo^H3) ffiuKuCDu^Hc)) 稍暫 ¥I1®S-<N 稍膣 ¥niia-<N OHJ uffio Gffid U2HU ΠΗού 2HU 2HU ffiu ffiu ffid £u ffiu^Hu)HM03^Ho) ffi^(ffio)ouKffiu) £3¾¾¾¾¾ 權锂4Kn®a-CN Ku Ku uffiu uffiu D2HU εκυύ 2HU 2HU ffiu ffiu ffiu ffiu ffiu^Ho)HM8^H3) ΐ'υ^Η^ό'υ^Ηυ) wowuooKffio) 9S ςίτο 寸 ΖΛυ iL-u CNS Is OS 69-u 89-0卜s 99—uss 寸 9-u s-u ΰύ Is —寸e —

1364438 以下敘述式（2)及（3)化合物。 式（2) 式（3) 在式（2)及（3)中，Z表示碳原子、氧原子、硫原子 -NR25-; R25表示氫原子或烷基；以Z組成之5-或6員 具有取代基；而且多個取代基可彼此鍵結形成環。以 成之5 -或6員環爲四氫呋喃、四氫哌喃、四氫噻吩、 、吡咯啶、哌啶、吲哚啉、異吲哚啉、克皖、異克皖 氫-2-呋喃酮、四氫-2-哌喃酮、4 -丁內醯胺、6 -己內醯 以Z組成之5 -或6員包括內酯結構或內醯胺結構 ’以氧基鍵結相鄰Z之碳原子之環形酯或環形醯胺結 此環形酯或環形醯胺結構之實例包括2 -吡咯啶酮、2 -酮、5-戊酮酯、6-己酮酯。 R25表示氫原子，或具有較佳爲1至20個碳原子 佳爲1至16個碳原子，甚至更佳爲1至12個碳原子 基（包括線形、分支與環形烷基）。1125之烷基包括甲 乙基、正丙基、異丙基、正辛基、癸基、十二碳基、 碳基、2-乙基己基、環戊基、環己基、環庚基、2,6-二 環己基' 4-第三丁基環己基、環戊基、1-.金剛烷基、2-烷基、雙環[2.2.2]辛-3-基。R25之烷基可具有任何其 代基。取代基之實例爲以上R 1 1至R 13所述者。 Y21與Y22各獨立地表示酯基、烷氧基羰基、醯肜 或胺甲醯基。酯基較佳爲具有1至20個碳原子，更包 、或 環可 Z組 噻吩 、四 胺。 ，即 構。 哌啶 ，更 之烷 基' 二十 甲基 金剛 他取 :基、 -35- 1364438 至16個碳原子，甚至更佳爲1至12個碳原子，例如，其 包括乙醯氧基、乙基羰氧基、丙基羰氧基、正丁基羰氧基 、異丁基羰氧基、第三丁基羰氧基、第二丁基羰氧基、正 戊基羰氧基、第三戊基羰氧基、正己基羰氧基、環己基羰 氧基、1-乙基戊基羰氧基、正庚基羰氧基、正壬基羰氧基 、正十一碳基羰氧基、苄基羰氧基、1·萘基羰氧基、2-萘 基羰氧基、1-金剛烷羰氧基。烷氧基羰基較佳爲具有1至 20個碳原子’更佳爲1至16個碳原子，甚至更佳爲1至 ® 12個碳原子，例如，其包括甲氧基羰基、乙氧基羰基、正 丙氧基羰基、異丙氧基羰基、正丁氧基羰基、第三丁氧基 羰基、異丁氧基羰基、第二丁氧基羰基、正戊氧基羰基、 第三戊氧基羰基、正己氧基羰基、環己氧基羰基、2-乙基 己氧基羰基、1-乙基丙氧基羰基、正辛氧基羰基、3，7-二甲 基-3-辛氧基羰基、3，5,5-三甲基己氧基羰基、4-第三丁基 環己氧基羰基、2,4-二甲基戊-3-氧基羰基、1-金剛烷氧基 羰基、2-金剛烷氧基羰基、二環戊二烯氧基羰基、正癸氧 ^ 基羰基、正十二碳氧基羰基、正十四碳氧基羰基、正十六 碳氧基羰基。醯胺基較佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲 1至1 6個碳原子，甚至更佳爲1至1 2個碳原子，例如， 其包括乙醯胺基、乙基羧醯胺基、正丙基羧醯胺基、異丙 基羧醯胺基、正丁基羧醯胺基 '第三丁基羧醯胺基、異丁 基羧醯胺基、第二丁基羧醯胺基、正戊基羧醯胺基、第三 戊基羧醯胺基、正己基羧醯胺基、環己基羧醯胺基、1-乙 基戊基羧醯胺基、1-乙基丙基羧醯胺基、正戊基羧醯胺基 -36- 1364438 、正辛基羧醯胺基、I-金剛烷羧醯胺基、2-金剛烷羧醯胺 基、正壬基羧醯胺基、正十二碳基羧醯胺基、正十五碳基 羧醯胺基、正十六碳基羧醯胺基。胺甲醯基較佳爲具有1 至20個碳原子，更佳爲1至16個碳原子，甚至更佳爲1 至個碳原子，例如，其包括甲基胺甲醯基、二甲基胺甲 醯基、乙基胺甲醯基、二乙基胺甲醯基、正丙基胺甲醯基 、異丙基胺甲醯基、正丁基胺甲醯基、第三丁基胺甲醯基 、異丁基胺甲醯基、第二丁基胺甲醯基、正戊基胺甲醯基 、第三戊基胺甲醯基、正己基胺甲醯基、環己基胺甲醯基 、2 -乙基己基胺甲醯基、2 -乙基丁基胺甲醯基、第三丁基 胺甲醯基、正庚基胺甲醯基、正辛基胺甲醯基、1-金剛烷 胺甲醯基、2-金剛烷胺甲醯基、正癸基胺甲醯基、正十二 碳基胺甲醯基、正十四碳基胺甲醯基、正十六碳基胺甲醯 基。Y21與γ22可彼此鍵結形成環。Y21與Y22可具有任何 其他取代基。取代基之實例可爲以上R11至R13所述者。 以下提及由式（2)及（3)表示之化合物之實例（C-201至 C-23 1 )’然而’本發明不應受其限制。括號中爲各化合物 之l〇g P値。其係依照Crippen之碎裂法（《/. h/.

Comput. Sci., 21, 2 1 (1987))而得。 -37- 1364438 CX)2CH2CH(C2H5)C3H6CH3 C-201(2.00) C〇2(CHz)7CH3 C-202(2.02) C〇2(CH2)3CH3 C-203 (3.69) O^^N^COjtCHaJ^CHj 〇<JC^CONH(CH2)15CH3 C-204 C-205 C-206 (1 18) (5.36) (4.68) O^^N^CONHCH 2CH(C2H8)CjHeCH3 C-207 (1.32) n ° 口 COjCHjCHICjHjOCsHsCH, C-208 (2.42)

C-209 (4.10) O^^V^COjCCH^ieCHa H C-210 (5.77) CONH(CH2)tiCH3 H C-211 (3.43) aCOaCiHa C〇2C4Hg ^γ〇〇2〇6Ηΐ3 ^s^C02CH2CH(C2H5)C3H6CH3 ^X^C02CH2CH(C2H6)C3HeCH3

C-212 (3.84) C-213 (5.51) C-214 (7.14) COjC^Hg

C02C^H9

〇〇2〇6Η13 C02CH2CH(C2Hs)C3HeCH3 Φ C〇2CH2CH(CjH5)C3H6CH3 C-215 C-216 (3.84) (5.51) C-217 (7.14) ^^-C〇2CH2CH(C2H5)C3H6CHj C-218 P.98) ^y-C02CH2CH(C2Hs)C3HsCH3 C-219 (3.70) -38- 1364438 H3CH2CCCO* H3CH2Ci

〇2CCH2CH3 〇2〇CH2CH3 p2〇CH2CH3 C-220 (2*15)

QjCiCH^CHa 〇2C(CH2)2CH3 〇2C(CH2)2CH3 C-221 (4.45) Η3〇(Η2〇)2〇α〇· WHjCJjO 丨

.〇2CCH2CH3 O2CCH2CH3 OiCCH^Ha C-222 (1*27) OjCCHjCHa * O2CCH2CH3 H3C(H2C)a〇CO H3C(H2C)3〇i

〇x/〇2C(CH2)3CH3

HaCHiCOCi h3ch2coco'丫、o2cch2ch3 OjCCHzCHa 0224 (2.23) 〇2CCH2CHa H3CHaCOC As^OaCCHjCH,

OaCCCH^CHa O^CH^CHa C-223 (6.53) C^C(CH2)2CH3 〇aC(CH2)2CH3 H3C(H2C)2OD HaCCHjCizOCO'

HaCHjCOO

OjCCHjCHa C-226 (131) 〇2〇(CH2)2CH3 〇2C(CH2)2CH3 C-225 (5.01) 92c(ch2)3ch3 .〇2C(CH2)3CH3 〇2〇(CH2)3CH3 OH C-2T1 (5.69) HAHaChOCO. Haq^C^OCO'

H3CH2C〇2C、 H3CH2C〇2C^ ,C〇2CH2CH3 、Cp2CH2CH3 C-228 0.56) C-229 (3.51)

h3c(h2c)3o2c、 h3c(h2c)3o2c〆 ,C〇a(CH2)3CH3 、C〇2(CH2)3CH3 aNHCOCH2ClCH2CH3XCH3)3CH3 C-230 (5.18) C-231 (3.90) 以下敘述式（4)至（12)化合物。 - 3 9 - 1364438 γ31—匕如 一γ^2 式⑷ ν3，

七32_^一|JM_yaS γ94 式（5) y3$ l加 如7 式（6)

V32 V33 -L39-C-L43—i-i^-v43 IL40 ίΑΛ ^r41 Y叹 式（7) ν^5 V36 L49-C-LS4-C—L55 L50 L61 y51 ν3® Y44 γ^5.

,L胡一。一|_4^*Y**8 ^47 式（8> _t_53_Y&3 Y52 式⑼ h ν3^ 七成一 q一L70--L邱-Y64 L63 l·3 >|r61 ^62 λ|γ63 γ59· 6f ysaί66 Y^-Lse«妨一 L57 卜卜 如 式（ίο) 式（11)

式（12)

在式（4)至（12)中，Y31至Y7()各獨立地表示酯基、烷氧 基羰基、醯胺基、胺甲醯基、或羥基。酯基較佳爲具有1 至20個碳原子，更佳爲1至16個碳原子，甚至更佳爲1 一 4 0 _ 1364438 至12個碳原子，例如，其包括乙醯氧基、乙基羰氧基、丙 基羰氧基、正丁基羰氧基、異丁基羰氧基、第三丁基羰氧 基、第二丁基羰氧基、正戊基羰氧基、第三戊基羰氧基、 正己基羰氧基、環己基羰氧基、1-乙基戊基羰氧基 '正庚 基羰氧基、正壬基羰氧基、正十一碳基羰氧基、苄基羰氧 基、1-萘基羰氧基、2-萘基羰氧基、1-金剛烷羰氧基。烷氧 基羰基較佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲1至16個碳 原子，甚至更佳爲1至12個碳原子，例如，其包括甲氧基 ® 羰基、乙氧基羰基、正丙氧基羰基、異丙氧基羰基、正丁 氧基羰基、第三丁氧基羰基、異丁氧基羰基、第二丁氧基 羰基、正戊氧基羰基 '第三戊氧基羰基、正己氧基羰基、 環己氧基羰基、2-乙基己氧基羰基、1-乙基丙氧基羰基、 正辛氧基羰基、3,7-二甲基-3-辛氧基羰基、3，5,5-三甲基己 氧基羰基、4-第三丁基環己氧基羰基、2,4-二甲基戊-3-氧 基羰基、1_金剛烷氧基羰基、2-金剛烷氧基羰基、二環戊 二烯氧基羰基、正癸氧基羰基、正十二碳氧基羰基、正十 ® 四碳氧基羰基、正十六碳氧基羰基。醯胺基較佳爲具有1 至20個碳原子，更佳爲1至16個碳原子，甚至更佳爲1 至12個碳原子，例如，其包括乙醯胺基、乙基羧醯胺基、 正丙基羧醯胺基、異丙基羧醯胺基、正丁基羧醯胺基、第 三丁基羧醯胺基、異丁基羧醯胺基、第二丁基羧醯胺基、 正戊基羧醯胺基、第三戊基羧醯胺基、正己基羧醯胺基、 環己基羧醯胺基、1-乙基戊基羧醯胺基、1-乙基丙基羧醯 胺基、正戊基羧醯胺基、正辛基羧醯胺基、1·金剛烷羧醯 -41- 1364438 胺基、2-金剛烷羧醯胺基、正壬基羧醯胺基、正十二 羧醯胺基、正十五碳基羧醯胺基、正十六碳基羯醯胺 胺甲醒基較佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲1至 碳原子，甚至更佳爲1至12個碳原子，例如，其包括 胺甲醯基、二甲基胺甲醯基、乙基胺甲醯基、二乙基 醯基 '正丙基胺甲醯基、異丙基胺甲醯基、正丁基胺 基、第三丁基胺甲醯基、異丁基胺甲醯基、第二丁基 醯基、正戊基胺甲醯基、第三戊基胺甲醯基、正己基 ® 醯基、環己基胺甲醯基、2-乙基己基胺甲醯基、2_乙 基胺甲醯基、第三丁基胺甲醯基、正庚基胺甲醯基、 基胺甲醯基、1 -金剛烷胺甲醯基、2 -金剛烷胺甲醯基 癸基胺甲醯基、正十二碳基胺甲醯基、正十四碳基胺 基、正十六碳基胺甲醯基。Y31至Y70可具有取代基。 基之實例可爲以上R11至R13所述者。 V31至V43各獨立地表示氫原子、或具有較佳爲 20個碳原子’更佳爲1至16個碳原子，甚至更佳爲 • 1 2個碳原子之脂族基。在此所指之脂族基較佳爲脂族 ，更佳爲烷基（包括線形、分支與環形烷基）、烯基 基。烷基之實例爲甲基 '乙基、正丙基、異丙基、正 、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、第三戊基 己基、正辛基、癸基、十二碳基、二十碳基、2 -乙基 、環戊基、環己基、環庚基' 2,6-二甲基環己基、4-第 基環己基、環戊基、1-金剛烷基、2-金剛烷基、雙環[2 辛-3-基。烯基包括，例如，乙烯基、烯丙基、異戊二 、香葉基、油基、2 -環戊烯-1-基、2 -環己烯·1-基。炔 碳基 基。 16個 甲基 胺甲 甲醯 胺甲 胺甲 基丁 正辛 、正 甲醯 取代 1至 1至 烴基 或炔 丁基 、正 己基 三丁 .2.2] 烯基 基包 -42- 1364438 括，例如，乙炔基、炔丙基。V31至V43可具有任何其他取 代基。取代基之實例可爲以上R 1 1至R 1 3所述者。 L· 1至L8<>各獨ϋ地表不具有〇至40個原子且具有〇 至20個碳原子之二價飽和鍵聯基。具有0(零）個原子之 L31至L8()表示存在於鍵聯基兩側上之基直接形成單鍵。l3i 至L77之較佳實例爲伸烷基（例如，亞甲基' 伸乙基、伸 丙基、三亞甲基、四亞甲基、五亞甲基、六亞甲基、甲基 伸乙基、乙基伸乙基）、環形二價基（例如，順-1，4 -環伸 • 己基、反-1，4-環伸己基、1，3-環亞戊基）、醚、硫醚 '酯 、醯胺、颯、亞颯、硫化物、磺醯胺、伸脲基、硫伸脲基 «這些二價基可彼此鍵結形成二價複合基。複合取代基之 實例爲-(CH2)2〇(CH2)2- 、 -(CH2)2〇(CH2)2〇(CH2)2-、 -(CH2)2S(CH2)2-、-(CH2)2〇2C(CH2)2-。L31 至 L8。可具有任 何其他取代基。取代基之實例可爲以上R 1 1至R 13所述者。 經由組合式（4)至（12)中Y31至Y7G、V31至V43、及L3i 至L8()而形成之化合物之較佳實例爲檸檬酸酯（例如，〇_ φ 乙醯基檸檬酸三乙酯、〇 -乙醯基檸檬酸三丁酯、檸檬酸乙 醯基三乙酯、檸檬酸乙醯基三丁酯、三（乙氧基羰基亞甲 基）0 -乙醯基檸檬酸醋）'油酸醋（例如，油酸乙醋、油 酸丁酯、油酸2-乙基己酯、油酸苯酯、油酸環己酯、油酸 辛酯）、蓖麻油酸酯（例如，蓖麻油酸甲基乙醯酯）、癸 二酸酯（例如’癸二酸二丁酯）、甘油羧酸酯（例如，甘 油三乙酸酯、甘油三丁酸酯）、羥乙酸酯（例如，羥乙酸 丁基酞醯基丁酯、羥乙酸乙基酞醯基乙酯、羥乙酸甲基酞 醯基乙酯、羥乙酸丁基酞醯基丁酯、羥乙酸甲基酞醯基甲 -43- 1364438 酯、羥乙酸丙基酞醯基丙酯、羥乙酸丁基酞醯基丁酯、羥 乙酸辛基酞醯基辛酯）、異戊四醇羧酸酯（例如，異戊四 醇四乙酸酯、異戊四醇四丁酸酯）、二異戊四醇羧酸酯（ 例如，二異戊四醇六乙酸酯、二異戊四醇六丁酸酯、二異 戊四醇四乙酸酯）、三羥甲基丙烷羧酸酯（例如，三羥甲 基丙烷三乙酸酯、三羥甲基丙烷二乙酸酯單丙酸酯、三羥 甲基丙烷三丙酸酯 '三羥甲基丙烷三丁酸酯、三羥甲基丙 烷三-三甲基乙酸酯、三羥甲基丙烷三（第三丁基乙酸酯） •、三羥甲基丙烷二-2-乙基己酸酯、三羥甲基丙烷四-2-乙基 己酸酯、三羥甲基丙烷二乙酸酯單辛酸酯、三羥甲基丙烷 三辛酸酯、三羥甲基丙烷三（環己烷羧酸酯））、敘述於 JP-A 11-246704號專利之甘油酯、敘述於jP_a 2000-63560 號專利之二甘油酯、敘述於JP-A 11-92574號專利之檸檬 酸酯、吡咯啶酮羧酸酯（例如，2 -吡咯D定酮-5-羧酸甲酯、 2-吡咯啶酮-5 -羧酸乙酯、2-吡咯啶酮-5-羧酸丁酯、2-吡咯 啶酮-5_羧酸2 -乙基己酯）、環己烷二羧酸酯（例如，順-〗，2_ φ 環己烷二羧酸二丁酯、反-1，2 -環己烷二羧酸二丁酯、順 -1，4-環己烷二羧酸二丁酯、反-丨，4 _環己烷二羧酸二丁酯） 、木糖醇羧酸酯（例如’木糖醇五乙酸酯、木糖醇四乙·酸 酯、木糖醇五丙酸酯）。 以下提及用於本發明之由式（4)至（1 2)之化合物（C-401 至C - 4 4 8 )之實例’然而’本發明不應受其限制。括號中 爲各化合物之log P値。其係依照Crippen之碎裂法（人 Chem. Inf. Comput. Sci. , 27, 21 (1987))ffni# 。 -44- 1364438 rO〇2^4Hg ^12^25 s^CO^C^Hg COjC^Hs όο2ολη9 ^COjCeH,, X〇3C4Hg 、(:〇3〇2Hs 0*401 C-402 C-403 C-404 (2.37) C5.71) (7-53) (5.72〕 ζ〇』-〇3Η7

CsH7 C-405 (IS】） C-406 (3.52) in祕

_1L o C-407 (5.45) r*(CH2)3CH3 C2H5 ^^-o-^On^o-coCsH, CMOS (1.60) C3H7OC.

(H3C)3C〇Cv rCOC(CH^"coqcH3)3 C^109 (2-58)

CjH^OC. .COCaHs C-4H 0-32) 0410 (5.14) (HaOaCOC^Y^COCHa °"COC(CH3)3 C-412 (3.22) C7 HisOC^x^SyX^Q^COCHs 〇、COCH3 0413 (2.10)

HjCOO

C-^IA (4.61) C-415 (4.84) ch2ococ^ch3 C2H5+CH20COCH2CH3 CH2OCOCH2CH3cm 6P.43) CH2OCOCH3 CH-OCOCHj C2H5—(-CH2OCOCH2CH3 C3H5-4-CH2〇CO(CH2)3CH3 CHaOCOCHsCHj CH2〇CO(CH3)aCH3 C-417 (】.7S) C-418 (2*61) -45- 1364438 CH2OCOCH3 c4h9+ch2ococh3 ch2ococh3 OH20COCH3 C^S+CHjOCOCHj CH2OCOCH3 ch2ococh3 C11H23—[*CH2OCOCH3 ch2ococh3

C-419 CM20 C-421 (1,31) (2.56) (4.23) CH2OCOCH2CHa CH^OCOCsHt H3CH2COCOH2C-j-CH2〇COCH2CH3 C3H^02H2C-j-CH20C0C3H7 CHjOCOCHaCHa CH2OCOC3H7 0422 C-423 (1.84) C3.51) CH2OCOC3H7 HjCXJCOHjC—[-CH2OCCXsH7 ch2ococ3h7 CH2OCOCH2CH3 CH2OCOCH2CH3 H3CH2C0C0H2C-|-CH2^0—H2Cr-|-CHaOCOCH2CH3 CHaOCOCHaCHa CHaOCOCH2CH3 C-424 C-425 (2.44) (2.54) ch2co2c4h3 ch3oco—(—ch2co2c4h9 CH2C02C4Ha H0-j~CHzC02C4H9 ?H2C〇2C(CH3)3 CH3OCO-j-CH2C02C(CH3)3 CH2C〇2C(CH3)3 CHaC〇2C4H9 CH2C02C4H9 C-426 0427 C«428 (3.01) (2,78) (191) CH2COaCH2C〇sCH3 C8H17OC0+CH2C02CH2C02CH3 CH2C02CH2C02C4Hg CH/：02CH2C02C4Hs H0+CH3C020!2C02C4H3 CHpCO-j-CHaCOaCHjCOaC+H， CHaCOaC^CO^CHa CHaC02CH2C02C4H9 CH2CO2CH3CO2C4H9 C-429 C-430 0431 〇.〇3) (1.36) (1.59) CH3OCO C〇2C4H9 CHsOCO^C〇2CeH19 CH3OCO 人 C02C6Hia CH5(CH2)2〇CO COaC4Hff CH3(CH2)2〇CO 入 co2c4h9 ch3oco 入 co2c4h3 CM32 C-433 • C-434 (1.52) (3.19) (3-66) -4 6 _ 1364438 C^OCOCHfHj H3CH2C—j-CHz—O—H2C CH2〇C〇CH2CH3 CHzOCOCH； 4-CH2CH3 CH2OCOCH: 0435 (3.73) I2CH3 CHzOCOCHj CH2〇COCHj HjCH^+CHj-O—H^C+CI^CHs l2CHa CHzOCOCHa CH^COCHj C-436 (1.32) CHjOCOCaHs CHOCOQ^ CHOCOCy^ CHQCOCJt^ CHOCOCgHs CHsOCO^Hs C-437 (2J6) CHaOCOCHj 0HOCOCHj 0H0C0CH3 CHOCOCHs CHOCXX：Hb CHjOCOCs^b C*438 (2.02) CHfiCOCuH,

CHOH CHCXX)〇H3 CHOCOCHb CHOCOC^ CH2OCOCH3 0439 (2-62)

CHaOCOCHj CHOCOCjHs cHococy% CHOCOC2f% 0H20COC2H5 0440 (1.36) 0HOCOChb CHOCOCH3 CHOCOCH3 ^HjOCOCeH^ C-441 (2.32) CHjOCOCnh^ CHOCOCHi CHOCOCH,

CHOCOCH CHzOCOCHj 0442 (3.16) CHjOCOCHjCHb

HjCHjCOCOHaC-l-CHzCHaOCHzCHzCHtChbCHpCOCHjCHaJi CHjOCOCHjCHj C-443 (3.37)

C-444 C-445 C-446 (1.63) (3.03) (1.69) ch2ococh3 C2Hs--CH2OCOCH3 CH2OCOCH3 C-419 (〇. 47) CH^CNHCjHs C2H5--CH202CNHC2Hs CHa02CNHC2H5 C —420 (3. 60) 以下敘述式（13)及（14)化合物。 式（13) R1—B-

II -47- 1364438 式（14)

Ο 在式（13)中，R1表示烷基或芳基；R2與R3各獨立地 表示氫原子、烷基或芳基。R^R2與R3之全部碳原子特佳 爲至少10個。在式（14)中，R4與R5各獨立地表示烷基或 芳基。R4與R5之全部碳原子爲至少10個，而且烷基與芳 Φ 基可具有取代基。取代基之較佳實例包括氟原子、烷基、 芳基、烷氧基、楓基、與磺醯胺基；而且更佳爲烷基、芳 基、烷氧基 '颯基、與磺醯胺基。烷基可爲線形、分支或 環形，其較佳爲具有1至25個碳原子，更佳爲6至25個 碳原子，特佳爲6至20個碳原子（例如，甲基、乙基、丙 基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、學戊基、 第三戊基、己基、環己基、庚基、辛基、雙環辛基、壬基 、金剛烷基、癸基、第三丁基、十一碳基、十二碳基、十 鲁 三碳基、十四碳基、十五碳基、十六碳基、十八碳基、十 九碳基、二癸基）。芳基較佳爲具有6至30個碳原子，更 佳爲6至24個碳原子（例如，苯基、聯苯基、三聯苯基、 萘基、聯萘基、三苯基苯基）。 以下敘述式（13)及（14)化合物之較佳實例，然而，本發 明不應受其限制。 -48- 1364438

·ΝΗ o=ss-UQ

一 4 9 _ 1364438

-50- 1364438

A一 4 6 A-4 7 c7h15o- o 丄

S—N-CH S H nch3 A-48

A— 6 1 A一 4 9 A一 5 0

-5 1- 1364438

-52- 1364438

以下敘述式（15)化合物。 式（15) 〇

在式（15)中，RhR2與R3各獨立地表示氫原子或較佳 -53- 1364438 爲具有1至5個碳原子之烷基（例如，甲基、乙基、丙基 、異丙基、丁基、戊基、異戊基）。更佳爲，RhR2與R3 至少之一爲具有1至3個碳原子之院基（例如，甲基、乙 基、丙基、異丙基）。又較佳爲由至少一個選自單鍵、-〇-' -C0-、伸烷基（較佳爲具有1至6個碳原子，更佳爲具 有1至3個碳原子，例如，亞甲基、伸乙基、伸丙基）、 或伸芳基（較佳爲具有6至24個碳原子，更佳爲6至12 個碳原子，例如，伸苯基、伸聯苯基、伸萘基）之基形成 • 之二價鍵聯基；更佳爲.，X爲由至少一個選自-0·、伸烷基 或伸芳基之基形成之二價鍵聯基。Y較佳爲氫原子、烷基 (較佳爲具有2至25個碳原子，更佳爲2至20個碳原子 ’例如，乙基、異丙基 '第三丁基、己基、2 -乙基己基、 第三辛基、十二碳基、環己基、二環己基、金剛烷基）、 芳基（較佳爲具有6至24個碳原子，更佳爲6至18個碳 原子’例如’苯基、聯苯基、三聯苯基、萘基）、或芳烷 基（較佳爲具有7至30個碳原子，更佳爲7至20個碳原 ® 子，例如，苄基、甲苯基、第三丁基苯基、二苯基甲基、 三苯基甲基）；更佳爲，γ爲烷基、芳基或芳烷基。關於 -Χ-Υ之組合’希望_χ_γ之全部碳原子爲〇至4〇個，更佳 爲1至3〇個，最佳爲2至25個》 以下敘述式（丨5 )化合物之較佳實例，然而，本發明不 應受其限制。 -54- 1364438

-55- 1364438

以下敘述式（丨6)化合物。 式（16) 〇2 I •j〇j 1 在式（16)中，Qi、q2與q3各獨立地表示5-或6-員環 ’其可爲烴環或雜環，而且可爲單環或可與任何其他環形 成縮合環。烴環較佳爲經取代或未取代環己烷環、經取代 -56- !364438 或未取代環庚烷環、或芳族烴環，更佳爲芳族烴環。雜環 &佳爲含氧原子、氮原子與硫原子至少之一之5 -或6 -員環 °雜環更佳爲含氧原子、氮原子與硫原子至少之一之芳族 雜環。 ' Q2與Q3較佳爲芳族烴環或芳族雜環。芳族烴環 爲具有6至30個碳原子之單環或雙環芳族烴環（例如 ’苯環、萘環），更佳爲具有6至20個碳原子，甚至更佳 爲6至12個碳原子之芳族烴環。其仍更佳爲苯環。 芳族雜環較佳爲含氧原子、氮原子與硫原子者。雜環 之實例爲呋喃、吡咯、噻吩、咪唑、吡唑、吡啶、吡畊、 嗒阱、二唑、三阱、吲哚、茚唑、嘌呤、噻唑啉、噻唑、 噻一唑、噁唑啉、噁唑、噁二唑、喹啉、異唾啉、酞阱、 蔡陡、喹噁啉、嗤唑啉、哮啉、喋啶、吖啶、啡啉、啡阱 、四哩、苯并咪唑、苯并噁唑、苯并噻唑、苯并三唑、四 氮節。芳族雜環較佳爲吡啶、三哄或喹啉。Ql、Q2與Q3 更佳爲芳族烴環，甚至更佳爲苯環。Ql、〇2與q3可具有 取代基，其爲下述取代基τ。 X表示B、C-R (其中R表示氫原子或取代基）、N、 P '或p = 0。X較佳爲B、C_R (其中R較佳爲芳基、經取 代或未取代胺基 '院氧基' 芳氧基、醯基、烷氧基羰基、 方氧基毅基、醯氧基、醒基胺基、院氧基鑛基胺基、芳氧 基羯基胺基、磺醯基胺基、羥基、疏基、鹵素原子（例如 ，氟原子、氯原子、溴原子、碘原子）、羧基；更佳爲芳 基、垸氧基' 芳氧基、經基、或豳素原子；甚至更佳爲院 -57- 1364438 氧基或羥基’仍更佳爲羥基）、或N。較佳爲，X爲C_R 或N，甚至更佳爲C-R。 較佳爲，式（16)化合物爲下式（17): 式（17)

在此式中，X2表示B、C-R (其中R表示氫原子或取 代基）、或 N; RM、R12、R13、R14、R15、R2I'R22、R2 3 、R24、R25、H31、R32、R33、R34、與 R35 各獨立地表示氫 原子或取代基。 X表示B、C-R (其中R表示氫原子或取代基）、：N、 • P、或P = 0。X較佳爲B、C-R (其中R較佳爲芳基、經取 代或未取代胺基、烷氧基、芳氧基、醯基、烷氧基羰基、 芳氧基羰基' 醯氧基、醯基胺基、烷氧基羰基胺基、芳氧 基羰基胺基、磺醯基胺基、羥基、毓基、鹵素原子（例如 ’氟原子、氯原子、溴原子、碘原子）、羧基；更佳爲芳 基、烷氧基、芳氧基、羥基、或鹵素原子；甚至更佳爲烷 氧基或羥基；仍更佳爲經基）、或N或P = 0。更佳爲，X 爲C-R或N，甚至更佳爲C-R» 5

RH ' R12、R13 ' R14、Ri5、R21、R22、R23、R24、R -58- 1364438 、R31、R32、R33、R34、與R35爲氫原子或取代 代基，可應用下述取代基T。R11、R12、R13、 R2 丨、R22、R23、R24、R25、R31、R32 ' r33、r3 佳爲院基、稀基、炔基、芳基、經取代或未取 氧基、芳氧基、醯基、烷氧基羰基 '芳氧基羰 、醯基胺基、烷氧基羰基胺基、芳氧基羰基胺 胺基、磺醯胺基、胺甲醯基、烷硫基、芳硫基 亞擴醯基、脲基、隣醯胺基、經基、疏基 '鹵 ® 如，氟原子、氯原子、溴原子 '碘原子）、氰 羧基、硝基、氫肟酸基、亞硫醯基、鉼基、亞 基（較佳爲具有1至30個碳原子，更佳爲13 子’其中雜原子爲任何氮原子、氧原子與硫原 具體而言爲咪唑基、吡啶基、喹啉基、呋喃基 嗎啉基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑 烷基’更佳爲烷基、芳基、經取代或未取代胺 、或芳氧基，甚至更佳爲烷基、芳基或烷氧基 m 這些取代基可進一步經取代。若有二或更 則其可爲相同或不同。如果可行，其可彼此鍵 以下敘述取代基T。取代基T包括，例如 佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲1至12個 至更佳爲1至8個碳原子，例如，甲基、乙基 第三丁基、正辛基、正癸基、正十六碳基、環 基、環己基）、烯基（較佳爲具有2至20個碳 爲2至12個碳原子，甚至更佳爲2至8個碳握 ~ 5 9 - 基。至於取 R14 ' R15 ' 4、與R35較 代胺基、烷 基、醯氧基 基、磺醯基 、磺醯基、 素原子（例 基、硫基、 胺基、雜環 ξ 12個碳原 子，例如， 、峨陡基、 基）、或矽 基、院氧基 〇 多個取代基 結形成環。 ，院基（較 碳原子，甚 、異丙基、 丙基、環戊 原子，更佳 [子，例如， 1364438 乙烯基、烯丙基、2-丁烯基、3-戊烯基）、炔基（較佳爲 具有2至20個碳原子，更佳爲2至12個碳原子，甚至更 佳爲2至8個碳原子，例如，炔丙基、3-戊炔基）、芳基 (較佳爲具有6至30個碳原子，更佳爲6至20個碳原子 ’甚至更佳爲6至12個碳原子，例如，苯基、對甲基苯基 、萘基）、經取代或未取代胺基（較佳爲具有0至20個碳 原子，更佳爲〇至10個碳原子，甚至更佳爲0至6個碳原 子，例如，胺基、甲胺基、二甲胺基、二乙胺基、二苄基 胺基）、烷氧基（較佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲1 至12個碳原子，甚至更佳爲1至8個碳原子，例如，甲氧 基、乙氧基、丁氧基）、芳氧基（較佳爲具有6至20個碳 原子’更佳爲6至16個碳原子，甚至更佳爲6至12個碳 原子’例如，苯氧基、2-萘氧基）、醯基（較佳爲具有1 至20個碳原子，更佳爲1至16個碳原子，甚至更佳爲1 至12個碳原子，例如，乙醯基 '苯甲醯基、甲醯基、三甲 基乙酸基）、院氧基幾基（較佳爲具有2至20個碳原子， 更佳爲2至16個碳原子，甚至更佳爲2至12個碳原子， 例如，甲氧基羰基、乙氧基羰基）、芳氧基羰基（較佳爲 具有7至20個碳原子’更佳爲7至16個碳原子，甚至更 佳爲7至10個碳原子’例如，苯氧基羰基）、醯氧基（較 佳爲具有2至20個碳原子，更佳爲2至16個碳原子，甚 至更佳爲2至10個碳原子’例如，乙醯氧基、苯甲醯氧基 )、醯基胺基（較佳爲具有2至20個碳原子，更佳爲2至 16個碳原子，甚至更佳爲2至1〇個碳原子，例如，乙醯 _ 6 0 - 1364438 基胺基、苯甲醯基胺基）、烷氧基羰基胺基（較佳爲具有 2至20個碳原子，更佳爲2至16個碳原子，甚至更佳爲2 至12個碳原子，例如，甲氧基羰基胺基）、芳氧基羰基胺 基（較佳爲具有7至20個碳原子，更佳爲7至16個碳原 子，甚至更佳爲7至12個碳原子，例如，苯氧基羰基胺基 )、磺醯基胺基（較佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲1 至16個碳原子，甚至更佳爲1至12個碳原子，例如，甲 磺醯基胺基、苯磺醯基胺基）'磺醯胺基（較佳爲具有0 ^ 至20個碳原子，更佳爲〇至16個碳原子，甚至更佳爲〇 至12個碳原子，例如，磺醯胺基、甲基磺醯胺基、二甲基 磺醯胺基、苯基磺醯胺基）、胺甲醯基（較佳爲具有1至 20個碳原子，更佳爲1至16個碳原子，甚至更佳爲1至 12個碳原子，例如，胺甲醯基、甲基胺甲醯基、二乙基胺 甲醯基、苯基胺甲醯基）、烷硫基（較佳爲具有1至20個 碳原子，更佳爲1至16個碳原子，甚至更佳爲1至12個 碳原子，例如’甲硫基、乙硫基）、芳硫基（較佳爲具有 6至20個碳原子，更佳爲6至16個碳原子，甚至更佳爲6 至12個碳原子，例如，苯硫基）、磺醯基（較佳爲具有1 至20個碳原子，更佳爲1至16個碳原子，甚至更佳爲1 至12個碳原子，例如，甲磺醯基、甲苯磺醯基）、亞磺醯 基（較佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲1至16個碳原 子，甚至更佳爲1至12個碳原子，例如，甲亞磺醯基、苯 亞磺醯基）、脲基（較佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲 1至16個碳原子，甚至更佳爲1至12個碳原子，例如， -61- 1364438 脲基、甲基脲基、苯基脲基）、磷醯胺基（較佳爲具有1 至20個碳原子，更佳爲1至16個碳原子，甚至更佳爲1 至12個碳原子，例如，二乙基磷醯胺基、苯基磷醯胺基） 、羥基、锍基、鹵素原子（例如，氟原子、氯原子、溴原 子、碘原子）、氰基、硫基、羧基、硝基、氫肟酸基、亞 硫醯基、鉼基、亞胺基、雜環基（較佳爲具有1至30個碳 原子，更佳爲1至12個碳原子，而且具有，例如，任何氮 、氧與硫原子作爲雜原子，具體而言，例如，咪唑基、吡 ♦ 啶基、喹啉基 '呋喃基、哌啶基、嗎啉基、苯并噁唑基、 苯并咪唑基、苯并唾唑基）、矽烷基（較佳爲具有3至40 個碳原子，更佳爲3至30個碳原子，甚至更佳爲3至24 個碳原子’例如，三甲基矽烷基、三苯基矽烷基）。這些 取代基可進一步經取代。若有二或更多個取代基則其可爲 相同或不同。如果可行，則其可彼此鍵結形成環。 以下提及式（1 6)及（1 7)化合物之指定實例，然而，本發 明不應受其限制。 1364438

D-2 D-7

- 6 3 - 1364438 D-11

D-12 D-17

D-14 D-19 9 ‘

-64- 1364438 D-21

D-24

1364438

E-4 ε-9

-66- 1364438 E-11

HgCO 0CH3 E-12 E-16

H3C、'CHa

E-13 h3c PH3

E-14

-67- 1364438 E-21 E-26

E-22 E-27

E-28

E-23

E-24 E-29 CHa

〇-^-〇-chs

E-25 E-30 CHa

、CH3 ch3 9H3

ch9

Ghn_O™~0~nnq ch3 ch3 -68- 1364438

E-32

以下敘述式（18)化合物° 式（18) 0 Rs ^-C-N-R2 在此式中，R1表示烷基或芳基；r2與r3各獨立地表 示氫原子、烷基或芳基；及烷基與芳基可具有取代基。 式（18)中較佳爲下式（19): 式（19) OR6

Ft4 - C-心-R5 在式（19)中，R4、R5與R6各獨立地表示烷基或芳基。 院基可爲線形、分支或環形’但是較佳爲具有1至20個碳 原子’更佳爲1至15個碳原子’最佳爲1至12個碳原子 。至於環烷基，特佳爲環己基。芳基較佳爲具 ’更佳爲6至24個碳原子。 原㈣與芳基可具有取代基。至於取代基，較佳爲_素 1 (例如，氯、溴、氟、與碘）、燒基、芳基、烧氧基 方氧基、醢基、院氧基羯基、芳氧基幾基、醒氧基、擴 -69- 1364438 醯基胺基、羥基、氰基、胺基、與醯基胺基；更佳爲鹵素 原子、烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、磺醯基胺基、與醯 基胺基；甚至更佳爲烷基、芳基、磺醯基胺基、與醯基胺 基。 以下提及式（18)及（19)化合物之較佳實例，然而，本發 明不應受其限制。

-70- 1364438 π-φ 〇~hP 〇~ιΦ FA-3

o~h〇

FA- FA-2 FA-3 〇-"jO FA-7

FA-26 1364438 0!χΡ 0¾) FB-1 FB-2 FB-3 FB-4 FB-5 0^0 FB-7 FB-β rr-1^ re-s ^N-C—( > I a \_/ HjC 0 ~· a； s3

FB-0 FB-10

FB-20 FB-21 FB-22

〇-^〇_^〇 CHj FB-23 5° FB-24 -72- 1364438 FC-l arc-z FC-3 FC-4 〇V〇

FC~S °"δ°

FC-7 rc-6 CHj

FC-β FC-8 〇~A '~^ CHj O-— '' CH, o C-N-

FC- FC-12

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FC-13 O «--v HN-S- 〇~h^ 0

HsCO

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FC-18

FC-19

H3CO o? O C-N CH3

h»c-〇- ]g〇 0 〇i;:

FC-20 o -N-S to

Ct FC-21 FC-23

Ol^XyHO FC-24 FC-22

-73- 1364438

0~έχ0 FD-1 FD-2 FD-3

FO-5

FD-6

FD-12

FD-1 4

w， FD—22 深入硏究之結果，本發明人已發現，在將具有〇至7 之辛醇-水分配係數（log P)之任何多醇酯化合物、羧酸酯化 合物、多環羧酸化合物、與聯酚衍生物加入醯化纖維素薄 膜時，可降低薄膜之光學各向異性。即，這些化合物亦可 爲可降低醯化纖維素薄膜光學各向異性之化合物。 -74- 1364438 以下欽述具有0至7之辛醇-水分配係數（1〇g 多醇酯化合物、羧酸酯化合物、多環殘酸化合物、 衍生物之指定實例。 (多醇酯化合物）· 用於本發明之多醇酯爲二或更高多經基醇與至 單羧酸之酯。以下敘述多醇酯化合物之實例，然而 明不應受其限制。 (多醇） 多醇之較佳實例爲側金盞醇、阿拉伯糖醇、乙 二乙二醇、三乙二醇、四乙二醇、1，2-丙二醇、i，3. 、二丙二醇、三丙二醇、1,2-丁二醇、ι，3-丁二醇、 二醇、二丁 二醇、1，2,4-丁 三醇、1，5_戊二醇、ι,6· '己三醇、半乳糖醇、甘露糖醇、3 -甲基戊-1，3,5-2,3-二甲-2,3-丁二醇、山梨醇、三羥甲基丙烷、三 乙烷、木糖醇。特佳爲三乙二醇、四乙二醇、二丙 三丙二醇、山梨醇、三羥甲基丙烷、木糖醇。 (單羧酸） 在本發明中組成多醇酯之單羧酸並未特別地界 且可使用任何已知之脂族單羧酸、脂環單羧酸與芳 酸。較佳爲脂環單羧酸與芳族單羧酸，因爲其改良 維素薄膜之水分滲透力、水含量與水保留性。 以下敘述單羧酸之較佳實例，然而，本發明不 限制。 脂族單羧酸較佳爲具有1至32個碳原子，更 P値）之 與聯酚 少一種 ，本發 二醇、 丙二醇 1，4-丁 己二醇 三醇、 羥甲基 二醇、 定，而 族單羧 醯化纖 應受其 :佳爲1 -75- 1364438 至20個碳原子’甚至更佳爲丨至10個碳原子之線形或分 支脂肪酸。較佳爲乙酸，因爲其有效改良酯化合物與纖維 素酯之相容性。亦較佳爲將乙酸組合任何其他單羧酸。 脂族單羧酸之較佳實例爲飽和脂肪酸，如乙酸、丙酸 、丁酸、戊酸 '己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、2-乙基 己羧酸、十一碳酸、月桂酸、十三碳酸、肉豆蔻酸、十五 碳酸、棕櫚酸、十七碳酸、硬脂酸、十九碳酸、花生酸、 蘿酸、二十四碳酸、二十六碳酸、二十七碳酸、二十八碳 酸、三十碳酸、三十二碳酸；不飽和酸，如十一燃酸、油 酸、山梨酸、次亞麻油酸、花生油酸。其可具有任何其他 取代基。 脂環單羧酸之較佳實例爲環戊羧酸、環己羧酸、環辛 羧酸、及其衍生物。 芳族單羧酸之較佳實例爲苯甲酸及藉由將烷基引入苯 甲酸之苯環中而製造之其衍生物；具有二或更多個苯環之 芳族單羧酸，如聯苯羧酸、萘羧酸、四氫萘羧酸、及其衍 生物。特佳爲苯甲酸。 在用於本發明之多醇酯中可有一或多種不同型式之羧 酸。在多醇中之OH基可均經酯化，或可部份地仍爲自由 OH。較佳爲，酯在一個分子中具有三或更多個芳環或環烷 -rtm 環。 以下提及多醇酯化合物之實例’然而，本發明不應受 其限制。 _ 7 6 - 1364438 1-1 卜2 0

CHs-O-C II

ch2-o-c-/^I jf\ CH3CH2 - q-CHa-O-c—^ J 〇 o -o-c-c4h9 CHaCHj-C-C^-O-C-CaHeI 〇 1-3 o CH^O-C-CgH^ CH3CH2 - c—CMg—Q - 。⑸打 I 0

CH3T〇_C-C4H3 o

O—C—Ο^Ηιγ 〇 1-5 CH2-〇-C-CH2 一 t〇 CHaCHa· °-r^ o CHo-O-C-CHg II d o 1-7 0—(CH2)2 - o o

/ V-C-O-iCH^-O-iCHi^O-iCHj)

\=/ Q 1-9

C-〇-(CH2)2-〇-(CH2)2-〇-(CH^-〇-C-/ 〉 0 o N/

-77- 1364438 (羧酸酯化合物） 以下提及在此使用之羧酸酯化合物之實例，然而 發明不應受其限制。具體而言，其爲酞酸酯與檸檬酸 酞酸酯包括，例如，酞酸二甲酯、酞酸二乙酯、酞酸 己酯、酞酸二辛酯、與酞酸二乙基己酯：及檸檬酸酯 ，例如，檸檬酸乙醯基三乙酯與檸檬酸乙醯基三丁酯 外，亦可提及油酸丁酯、蓖麻油酸甲基乙醯酯、癸二 丁酯、甘油三乙酸酯、三羥甲基丙烷三苯甲酸酯。羥 • 烷基酞醯基烷酯亦較佳地用於此目的。羥乙酸烷基酞 烷酯中之烷基爲具有1至8個碳原子之烷基。羥乙酸 酞醯基烷酯包括，例如，羥乙酸甲基酞醯基甲酯、羥 乙基酞醯基乙酯、羥乙酸丙基酞醯基丙酯、羥乙酸丁 醯基丁酯、羥乙酸辛基酞醯基辛酯、羥乙酸甲基酞醯 酯、羥乙酸乙基酞醯基甲酯、羥乙酸乙基酞醯基丙酯 乙酸丙基酞醯基乙酯、羥乙酸甲基酞醯基丙酯、羥乙 基酞醯基丁酯、羥乙酸乙基酞醯基丁酯、羥乙酸丁基 ® 基甲酯、羥乙酸丁基酞醯基乙酯、羥乙酸丙基酞醯基 、羥乙酸丁基酞醯基丙酯、羥乙酸甲基酞醯基辛酯、 酸乙基酞醯基辛酯、羥乙酸辛基舦醯基甲酯、羥乙酸 酞醯基乙酯。較佳爲在此使用羥乙酸甲基酞醯基甲酯 乙酸乙基酞醯基乙酯、羥乙酸丙基酞醯基丙酯、羥乙 基酞醯基丁酯、羥乙酸辛基酞醯基辛酯；而且更佳爲 酸乙基酞醯基乙酯。可組合二或更多種這些羥乙酸烷 醯基烷酯且在此使用。 ，本 酯。 二環 包括 。此 酸二 乙酸 醯基 院基 乙酸 基酞 基乙 、羥 酸甲 酞醯 丁酯 羥乙 辛基 、羥 酸丁 羥乙 基酞 -78- 1364438 以下提及在此使用之羧酸酯化合物之實例 發明不應受其限制。 0

0--0-G2H5 C-aCH2COOC2H5 α: ο J-3

IIα: -〇-0 °Ό

α〇-

-〇ο α。-ο

J-8

1364438 (多環羧酸化合物）. 本發明之多環羧酸化合物較佳爲具有至多3 000 之分子量者’更佳爲具有25〇至2〇〇〇之分子量者。關於此 化合物之環形結構，環之大小並未特別地界定。然而，較 佳爲此環係由3至8個碳原子組成。更佳爲其爲6_員及/ 或5-員化合物。此環可含碳、氧 '氮、與矽之任何其他原 子’而且形成環之鍵可部份地爲不飽和鍵。例如，6-員環 可爲苯環或環己環。用於本發明之化合物可含多個此環形 • 結構，例如，其可在一個分子中均具苯環與環己環，或可 具有兩個環己環，或可爲萘衍生物或蒽衍生物。更佳爲， 此化合物可在分子中含至少三個此環形結構。亦較佳爲， 此化合物環形結構中至少一個鍵不含不飽和鍵。具體而言 ，一般提及松脂酸衍生物’如松脂酸、去氫松脂酸、玫瑰 酸。以下提及這些化合物之化學式’然而’其不爲限制性

-80- 1364438

(聯酚衍生物） 用於本發明之聯酚衍生物較佳爲具有至多1 0,000之 分子量者。具有在此範圍內之分子量，此衍生物可爲單體 • 或可爲寡聚物或聚合物。其亦可爲與任何其他聚合物之共 聚物，或者其可在其終端經反應性取代基修改。以下提及 這些化合物及其化學式，然而，本發明不應受其限制。 1364438 L-2

L-5

CH-CH3 L-6

在上述之聯酚衍生物中，R1至R24各表示氫原子或具 有1至10個碳原子之烷基；與η各表示重複單元之 數量，而且雖然未特別地界定，其較佳爲1至1〇〇之整數 ，更佳爲1至20之整數。 [波長依附性分布改良劑] 以下敘述具有降低醯化纖維素薄膜波長依附性光學各 向異性分布之能力之化合物。深入硏究之結果，本發明人 已藉由加入相對薄膜之醯化纖維素固體含量爲0.01至30 質量％之至少一種可降低薄膜之丨Re(400)_Re(700)丨與 -82- 1364438 |Rth(400)-Rth(7 00)|之化合物，而成功地控制醯化纖維素薄 膜之波長依附性Re及Rth分布。（以下將該化合物稱爲^ 波長依附性分布改良劑」）關於其中之化合物量，在醯化纖 維素薄膜含0.1至30質量％之此化合物時，可控制薄膜之 波長依附性Re及Rth分布。 關於其波長依附性分布，醯化纖維素薄膜之Re及Rth 値通常在短波長範圍較在長波長範圍大。因此，希望增加 在短波長側之小Re與Rth値，因而降低波長依附性Re及 ® Rth分布。另一方面，在200至400奈米UV範圍中具有吸 收之化合物之波長依附性特徵分布係使得在長波長範圍之 化合物吸收較在短波長範圍大。在此型化合物在醯化纖維 素薄膜內部爲各向同性時，如同其波長依附性吸收分布， 化合物之雙折射因此及波長依附性Re與Rth分布在短波長 範圍較大。 因而在將在200至400奈米UV範圍中具有吸收，而 且大槪在短波長範圍具有較大之波長依附性Re與Rth分布 ® 之化合物，如上述者’用於醯化纖維素薄膜時，可控制薄 膜之波長依附性Re及Rth分布。因此，具有控制醯化纖維 素薄膜波長依附性各向異性分布之能力之化合物必須令人 滿意地且均勻地與醯化纖維素互溶。較佳爲，此型化合物 具有200至400奈米，更佳爲220至395奈米，甚至更佳 爲240至390奈米之UV吸收範圍。 在近來之電視、筆記型個人電腦及行動顯示終端機中 ，爲了使顯示裝置可以較小之電力具有高亮度，需要使光 -83- 1364438 學構件具有高穿透率。關於此點，在將在200至400奈米 UV範圍具有吸收且具有降低醯化纖維素薄膜之 |Re(400)-Re(700)丨及 |Rth(40 0)-Rth(700)丨之能力之化合物加 入薄膜時，希望對其加入此化合物之薄膜可具有高光譜穿 透率。較佳爲，本發明之醯化纖維素薄膜在380奈米波長 處具有45 %至95 %之光譜穿透率，及在350奈米波長處具 有最大10 %之光譜穿透率。 由其揮發性之觀點，希望較佳地用於本發明之上述波 ^ 長依附性各向異性分布改良劑具有250至1000,更佳爲260 至800，甚至更佳爲270至800，仍更佳爲300至800之分 子量。使分子量在此範圍內，則此改良劑可具有指定單體 結構，或可具有包括多種此單體單元彼此鍵結之寡聚物結 構或聚合物結構。 希望波長依附性各向異性分布改良劑在醯化纖維素薄 膜形成之塗布漆流延及乾燥程序期間不蒸發。 (化合物加入量） ® 希望較佳地用於本發明之上述波長依附性各向異性分 布改良劑之量爲醯化纖維素之〇. 〇〗至3 0質量％，更佳爲 0.1至20質量％，甚至更佳爲0.2至10質量％。 (加入化合物之方法） —或多種不同型式之波長依附性各向異性分布改良劑 可在此單獨地或組合使用。 關於其加入，波長依附性各向異性分布改良劑可在塗 布漆製備之任何階段中或在最後步驟中加入薄膜形成塗布 -84- 1364438 漆。 較佳地用於本發明之波長依附性各向異性分布改良劑 之指定實例爲苯并三唑化合物、二苯基酮化合物、含氰基 化合物、氧基二苯基酮化合物、柳酸酯化合物、鎳錯合物 與鎳錯合物鹽化合物，然而，本發明不應受其限制。 在本發明中作爲波長依附性各向異性分布改良劑之苯 并三唑化合物之較佳實例爲以下式（1 〇 1 ):

Q1 -Q2-OH • 其中’ Q1表示含氮芳族雜環；及Q2表示芳環。 Q1爲含氮芳族雜環，較佳爲5-至7-員含氮芳族雜環， 更佳爲5-或6-員含氮芳族雜環，例如，其包括咪唑、吡唑 、三唑、四唑、唾唑、噁唑、硒唑、苯并三唑、苯并噻唑 、苯并噁唑、苯并硒唑、噻二唑、噁二唑、萘噻唑、萘噁 唑、氮苯并咪唑、嘌呤、吡啶、吡畊、嘧啶、嗒畊、三畊 、三氮茚、與四氮茚。更佳爲，Q|爲5_員含氮芳族雜環， 具體而言包括咪哩 '吡哩、三哩、四哩、噻哗、嚼哩、苯 ® 并三唑、苯并噻唑、苯并噁唑、噻二唑、噁二唑，而且特 佳爲苯并三唑。 Q1之含氮芳族雜環可具有取代基。至於取代基，可應 用下述取代基τ。如果有’則多個取代基可縮合而形成縮 合環。 Q2之芳環可爲芳族烴環或可爲芳族雜環。此芳環可爲 單環’或可與任何其他環形成縮合環。 芳族烴環較佳爲具有6至30個碳原子之單環或雙環芳 -85- 1364438 族烴環（例如，苯環、萘環），更佳爲具有6至2〇個 子，甚至更佳爲6至12個碳原子之芳族烴環。其仍更 苯環。 方族雜環較佳爲含氮原子或硫原子者。雜環之實 噻吩、咪哩、卩比哩、耻陡、啦哄、塔哄 '三哩、三哄 除、節哩、嗓啥、噻哗啉、噻哩、_二哩、嚼哩咐、 、噁—唑、喹啉、異喹啉、酞阱、萘啶、喹噁啉、嗤 、啐啉 '喋D定、Iff Π定、啡啉、啡哄、四哩、苯并咪哩 ^ 并噁唑 '苯并噻唑、苯并三唑與四氮茚。芳族雜環較 吡啶、三阱或喹啉。 Q2之芳環較佳爲芳族烴環，更佳爲萘環或苯環， 更佳爲苯環。Q2可具有取代基。至於取代基，較佳爲 取代基T。 取代基T包括，例如，烷基（較佳爲具有1至20 原子’更佳爲1至12個碳原子，甚至更佳爲1至8個 子’例如，甲基、乙基、異丙基 '第三丁基、正辛基 ® 癸基、正十六碳基、環丙基、環戊基、環己基）、烯 較佳爲具有2至20個碳原子，更佳爲2至12個碳原 甚至更佳爲2至8個碳原子，例如，乙嫌基、嫌丙基 丁烯基、3 -戊烯基）、炔基（較佳爲具有2至20個碳 ’更佳爲2至12個碳原子，甚至更佳爲2至8個碳頂 例如，炔丙基、3-戊炔基）、芳基（較佳爲具有6至 碳原子，更佳爲6至20個碳原子，甚至更佳爲6至 碳原子，例如，苯基、對甲基苯基、萘基）、經取代 丨碳原 :佳爲 例爲 、吲 噁唑 唑啉 、苯 佳爲 甚至 下述 個碳 碳原 、正 基（ 子， ;、2-原子 ί子， 30個 12個 或未 -86- 1364438 取代胺基（較佳爲具有0至20個碳原子，更佳爲0至10 個碳原子，甚至更佳爲0至6個碳原子，例如，胺基、甲 胺基、二甲胺基、二乙胺基、二苄基胺基）、烷氧基（較 佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲1至12個碳原子，甚 至更佳爲1至8個碳原子，例如，甲氧基、乙氧基、丁氧 基）、芳氧基（較佳爲具有6至20個碳原子，更佳爲6至 16個碳原子，甚至更佳爲6至12個碳原子，例如，苯氧 基、2-萘氧基）、醯基（較佳爲具有1至20個碳原子，更 ® 佳爲1至16個碳原子，甚至更佳爲1至12個碳原子，例 如，乙醯基、苯甲醯基、甲醯基、三甲基乙醯基）、烷氧 基羰基（較佳爲具有2至20個碳原子，更佳爲2至16個 碳原子，甚至更佳爲2至12個碳原子，例如，甲氧基羰基 、乙氧基羰基）、芳氧基羰基（較佳爲具有7至20個碳原 子，更佳爲7至16個碳原子，甚至更佳爲7至10個碳原 子，例如，苯氧基羰基）、醯氧基（較佳爲具有2至20個 碳原子，更佳爲2至16個碳原子，甚至更佳爲2至10個 ® 碳原子，例如，乙醯氧基、苯甲醯氧基）、醯基胺基（較 佳爲具有2至20個碳原子，更佳爲2至16個碳原子，甚 至更佳爲2至10個碳原子，例如，乙醯基胺基、苯甲醯基 胺基）、烷氧基羰基胺基（較佳爲具有2至20個碳原子， 更佳爲2至16個碳原子，甚至更佳爲2至12個碳原子， 例如，甲氧基羰基胺基）、芳氧基羰基胺基（較佳爲具有 7至20個碳原子，更佳爲7至16個碳原子，甚至更佳爲7 至12個碳原子，例如，苯氧基羰基胺基）、磺醯基胺基（ -87- 1364438 較佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲1至16個碳原子’ 甚至更佳爲1至12個碳原子，例如，甲磺醯基胺基、苯磺 醯基胺基）、磺醯胺基（較佳爲具有0至20個碳原子’更 佳爲0至16個碳原子，甚至更佳爲0至12個碳原子’例 如，磺醯胺基、甲基磺醯胺基、二甲基磺醯胺基、苯基磺 醯胺基）、胺甲醯基（較佳爲具有1至20個碳原子，更佳 爲1至16個碳原子，甚至更佳爲1至12個碳原子，例如 ，胺甲醯基、甲基胺甲醯基、二乙基胺甲醢基、苯基胺甲 Φ 醯基）、烷硫基（較佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲1 至16個碳原子’甚至更佳爲1至12個碳原子，例如，甲 硫基、乙硫基）、芳硫基（較佳爲具有6至20個碳原子， 更佳爲6至16個碳原子，甚至更佳爲6至12個碳原子， 例如’苯硫基）' 磺醯基（較佳爲具有1至20個碳原子， 更佳爲1至16個碳原子，甚至更佳爲1至12個碳原子， 例如’甲擴醯基、甲苯磺醯基）、亞磺醯基（較佳爲具有 1至20個碳原子’更佳爲1至16個碳原子，甚至更佳爲！ ^ 至12個碳原子，例如，甲亞磺醯基、苯亞磺醯基）、脲基 .(較佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲1至16個碳原子 ，甚至更佳爲1至12個碳原子，例如，脲基、甲基脲基' 苯基脲基）、磷醯胺基（較佳爲具有1至2〇個碳原子，更 佳爲1至10個碳原子，甚至更佳爲1至12個碳原子，例 如’二乙基碟醯胺基 '苯基磷醯胺基）、羥基、毓基、鹵 素原子（例如，氟原子、氯原子、溴原子、碘原子）、氰 基、硫基、翔基、硝基、氫肟酸基、亞硫醯基、鉼基、亞 -88- 1364438 胺基、雜環基（較佳爲具有1至30個碳原子，更佳爲1至 I2個碳原子，而且具有，例如，任何氣、氧與硫原子作爲 雜原子，具體而言’例如，咪唑基、吡啶基、喹啉基、咲 喃基、哌啶基、嗎啉基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并 _哩基）、矽烷基（較佳爲具有3至40個碳原子，更佳爲 3至30個碳原子’甚至更佳爲3至24個碳原子例如， 三甲基较烷基、三苯基矽烷基）。這些取代基可進—步經

取代。若有二或更多個取代基則其可爲相同或不同。如果 可行’則其可彼此鍵結形成環。 式（101)化合物中，較佳爲下式（101_A):

式（1 Ο 1-A)

R8各獨立地表示 R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、與r8各獨立地表示氫 原子或取代基。至於取代基係指上述取代基τ。這些取代 基可具有任何其他取代基。取代基可縮合形成縮合環。 R1與R3較佳爲氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基、 經取代或未取代胺基 '烷氧基、芳氧基、羥基、或鹵素原 子，更佳爲氫原子、烷基'芳基、烷氧基、芳氧基、或鹵 素原子；甚至更佳爲氫原子或具有1至12個碳原子之烷基 ，仍更佳爲具有1至12個碳原子（較佳爲具有4至12個 -89- 1364438 碳原子）之烷基。 R2與R4較佳爲氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基、 經取代或未取代胺基 '烷氧基、芳氧基、羥基、或鹵素原 子；更佳爲氫原子、烷基、芳基'烷氧基、芳氧基、或鹵 素原子；甚至更佳爲氫原子或具有1至12個碳原子之烷基 ;仍更佳爲氫原子或甲基；最佳爲氫原子。 R5與R8較佳爲氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基、 經取代或未取代胺基、烷氧基、芳氧基、羥基、或鹵素原 ® 子；更佳爲氫原子、烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、或鹵 素原子；甚至更佳爲氫原子或具有1至12個碳原子之烷基 :仍更佳爲氫原子或甲基；最佳爲氫原子。 R6與R7較佳爲氫原子 '烷基、烯基、炔基、芳基、 經取代或未取代胺基、烷氧基、芳氧基、羥基、或鹵素原 子；更佳爲氫原子、垸基、芳基、院氧基、芳氧基、或鹵 素原子：甚至更佳爲氫原子或鹵素原子；仍更佳爲氫原子 或氯原子。

式（101)化合物中，更佳爲下式（101-B): 式（101-B)

與R7各具有如式（101-A)之相同意義 而且其較佳範圔亦相同。 以下敘述式（1 〇】）化合物之指定實例，然而’本發明不 -90- 1364438 應受其限制。

UV-3

υν·7 UV-8 UV-9 UV-10

-9 1- 1364438 uv-ll UV-12

UV-13

UV46

ζ\χ^> 0::¾ ό

UV-20

上述之苯并三唑化合物中，具有不小於320之分子量 者較佳。本發明人已證實，此型化合物因以其形成醯化纖 維素薄膜之保持力而爲有利的。 作爲波長依附性各向異性分布改良劑之二苯基酮化合 -92- 1364438 物之較佳實例爲下式（102): 式（102) 〇

其中Q1與Q2各獨立地表示芳環；X表示NR(其中R表示 氫原子或取代基）、氧原子或硫原子。 Q1與Q2之芳環可爲芳族烴環或可爲芳族雜環。其可 φ 爲單環，或可與任何其他環形成縮合環。 Q1與Q2之芳族烴環較佳爲具有6至30個碳原子之單 環或雙環芳族烴環（例如，苯環、萘環），更佳爲具有6至 20個碳原子’甚至更佳爲6至12個碳原子之芳族烴環。 其仍更佳爲苯環。 Q1與Q2之芳族雜環較佳爲含氧原子、氮原子與硫原 子至少任一之芳族雜環。雜環之實例爲呋喃、吡咯、噻吩 、咪哩、吡唑、吡陡、吡哄、嗒阱、三唑、三哄、吲哚、 •茚唑、嘌呤、唾唑啉、噻唑、噻二唑、噁唑啉、噁唑、嚼 二唑、喹啉、異喹啉、酞畊、萘啶、喹噁啉、喹唑啉、啐 啉、喋啶、吖啶、啡啉、啡哄、四唑、苯并咪唑、苯并噁 唑、苯并噻唑、苯并三唑、四氮茚。芳族雜環較佳爲吡啶 '三阱或喹啉。 Q1與Q2之芳環較佳較佳爲芳族烴環，更佳爲具有6 至10個碳原子之芳族烴環，仍更佳爲經取代或未取代苯環 〇 Q1與Q2可具有取代基，其較佳地爲下述取代基T。然 -93- 1364438 而’取代基不包括羧酸、磺酸與四級銨鹽。如果可行，則 多個取代基可彼此鍵結形成環形結構。 X表示NR(其中R表示氫原子或取代基，至於取代基 係指下述取代基T)、氧原子或硫原子。X較佳爲NR (其 中R較佳爲醯基或磺醯基，其可具有取代基）或0，更佳 爲0 〇 取代基T包括，例如，烷基（較佳爲具有1至20個碳 原子’更佳爲1至12個碳原子，甚至更佳爲1至8個碳原 _ 子’例如，甲基、乙基、異丙基 '第三丁基、正辛基、正 癸基、正十六碳基、環丙基、環戊基、環己基）、烯基（ 較佳爲具有2至20個碳原子，更佳爲2至12個碳原子， 甚至更佳爲2至8個碳原子，例如，乙烯基、烯丙基'2-丁烯基'3 -戊烯基）、炔基（較佳爲具有2至20個碳原子 ，更佳爲2至12個碳原子，甚至更佳爲2至8個碳原子， 例如，炔丙基、3-戊炔基）、芳基（較佳爲具有6至30個 碳原子，更佳爲6至20個碳原子，甚至更佳爲6至12個 ® 碳原子，例如，苯基、對甲基苯基、萘基）、經取代或未 取代胺基（較佳爲具有0至20個碳原子，更佳爲〇至10 個碳原子，甚至更佳爲0至6個碳原子，例如，胺基、甲 胺基、二甲胺基、二乙胺基、二苄基胺基）、烷氧基（較 佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲1至12個碳原子，甚 至更佳爲1至8個碳原子，例如，甲氧基、乙氧基、丁氧 基）、芳氧基（較佳爲具有6至20個碳原子，更佳爲6至 1 6個碳原子，甚至更佳爲6至1 2個碳原子，例如，苯氧 -94- 1364438 基'2-萘氧基）、醯基（較佳爲具有1至20個碳原子，更 佳爲1至16個碳原子，甚至更佳爲1至12個碳原子，例 如’乙醯基、苯甲醯基，甲醯基、三甲基乙醯基）、烷氧 基羰基（較佳爲具有2至20個碳原子，更佳爲2至16個 碳原子’甚至更佳爲2至12個碳原子，例如，甲氧基羰基 、乙氧基羰基）、芳氧基羰基（較佳爲具有7至20個碳原 子’更佳爲7至16個碳原子，甚至更佳爲7至10個碳原 子’例如，苯氧基羰基）、醯氧基（較佳爲具有2至20個 ® 碳原子，更佳爲2至16個碳原子，甚至更佳爲2至10個 碳原子，例如，乙醯氧基、苯甲醯氧基）、醯基胺基（較 佳爲具有2至20個碳原子，更佳爲2至16個碳原子，甚 至更佳爲2至10個碳原子，例如，乙醯基胺基、苯甲醯基 胺基）、烷氧基羰基胺基（較佳爲具有2至20個碳原子， 更佳爲2至16個碳原子，甚至更佳爲2至12個碳原子， 例如，甲氧基羰基胺基）、芳氧基羰基胺基（較佳爲具有 7至20個碳原子，更佳爲7至16個碳原子，甚至更佳爲7 ® 至12個碳原子，例如，苯氧基羰基胺基）、磺醯基胺基（ 較佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲1至16個碳原子， 甚至更佳爲1至12個碳原子，例如，甲磺醯基胺基、苯磺 醯基胺基）、磺醯胺基（較佳爲具有0至20個碳原子，更 佳爲0至16個碳原子，甚至更佳爲0至12個碳原子，例 如，磺醯胺基、甲基磺醯胺基、二甲基磺醯胺基、苯基磺 醯胺基）、胺甲醯基（較佳爲具有1至20個碳原子，更佳 爲1至16個碳原子，甚至更佳爲1至12個碳原子，例如 -95- 1364438 ，胺甲醯基' 甲基胺甲醯基、二乙基胺甲醯基、苯基胺甲 醯基）、烷硫基（較佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲1 至16個碳原子，甚至更佳爲1至12個碳原子，例如，甲 硫基、乙硫基）、芳硫基（較佳爲具有6至20個碳原子， 更佳爲6至16個碳原子，甚至更佳爲6至12個碳原子， 例如，苯硫基）、磺醯基（較佳爲具有1至20個碳原子， 更佳爲1至16個碳原子，甚至更佳爲1至12個碳原子， 例如，甲磺醯基、甲苯磺醯基）、亞磺醯基（較佳爲具有 • 1至20個碳原子，更佳爲1至16個碳原子，甚至更佳爲1 至12個碳原子，例如，甲亞磺醯基、苯亞磺醯基）、脲基 (較佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲1至16個碳原子 ，甚至更佳爲1至12個碳原子，例如，脲基、甲基脲基、 苯基脲基）、磷醯胺基（較佳爲具有1至20個碳原子，更 佳爲1至16個碳原子，甚至更佳爲1至12個碳原子’例 如，二乙基磷醯胺基、苯基磷醯胺基）、羥基、锍基、鹵 素原子（例如，氟原子、氯原子、溴原子、碘原子）、氰 ® 基、硫基、羧基、硝基、氫肟酸基、亞硫醯基、鉼基、亞 胺基、雜環基（較佳爲具有1至30個碳原子，更佳爲1至 12個碳原子，而且具有，例如，任何氮、氧與硫原子作爲 雜原子，具體而言，例如，咪唑基、吡啶基、喹啉基、呋 喃基、哌啶基、嗎啉基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并 噻唑基）、矽烷基（較佳爲具有3至40個碳原子，更佳爲 3至30個碳原子，甚至更佳爲3至24個碳原子，例如’ 三甲基矽烷基、三苯基矽烷基）。這些取代基可進一步經 -96- 丄的4438 取代。若有二或更多個取代基則其可爲相同 __ 1㈣。如果 可行，則其可彼此鍵結形成環。 式（1〇2)化合物中，較佳爲下式（102A): 式（102-A)

其中，R1、R2 ' R3 ' R4、r5、Rl 表示氫原子或取代基。

R R 、與R9各獨立地 —R、R 、R3、R4、R5、R6、R7、R8、與 R9 各獨立地表 示氫原子或取代基。至於取代基係上述取代基T。這些取 代基可具有任何其他取代基。取代基可縮合形成縮合環形 結構。 R 、R 、R5、R6、R8、與r9較佳爲氫原子、烷基、烯 基、快基、芳基、經取代或未取代胺基、烷氧基、芳氧基 、經基、或鹵素原子；更佳爲氫原子、烷基、芳基、烷氧 基、芳氧基、或鹵素原子；甚至更佳爲氫原子或具有1至 12個碳原子之烷基：仍更佳爲氫原子或甲基；最佳爲氫原 子。 R2較佳爲氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基、經取代 或未取代胺基、院氧基、芳氧基、經基、或鹵素原子；更 佳爲氫原子、具有1至12個碳原子之烷基、具有0至20 個碳原子之胺基、具有1至20個碳原子之烷氧基、具有6 -97- 1364438 至12個碳原子之芳氧基、或羥基；甚至更佳爲具有1至 20個碳原子之烷氧基；仍更極佳爲具有1至12個碳原子 之烷氧基。 R7較佳爲氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基、經取代 或未取代胺基、烷氧基、芳氧基、羥基、或鹵素原子；更 佳爲R7表示氫原子、具有1至20個碳原子之烷基、具有 〇至20個碳原子之胺基、具有1至20個碳原子之烷氧基 、具有6至12個碳原子之芳氧基、或羥基；甚至更佳爲氫 ® 原子或具有1至20個碳原子之烷氧基（較佳爲具有1至 12個碳原子，更佳爲具有1至8個碳原子，仍更佳爲甲基 )烷基；特佳爲甲基或氫原子。 式（102)化合物中，更佳爲下式（102-B): 式（102-B)

取代烯基、經取代或未取代炔.基、或經取代或未取代芳基 R1 °爲氫原子、經取代或未取代烷基、經取代或未取 代燃基、經取代或未取代炔基、或經取代或未取代芳基。 至於取代基係指上述取代基T。 R1Q較佳爲經故代或未取代烷基，更佳爲具有5至2〇 個碳原子之經取代或未取代烷基，甚至更佳爲具有5至12 1364438 個碳原子之經取代或未取代烷基（例如正己基、2-乙基己 基、正辛基、正癸基、正十二碳基、苄基），仍更佳爲具有 6至12個碳原子之經取代或未取代烷基（例如2 -乙基己基 、正辛基、正癸基、正十二碳基、节基）。 式（102)化合物可依照如JP_A 11-12219號專利所述之 已知方法製造。 以下提及式（102)化合物之指定實例，然而，本發明不 應受其限制。

-99 1364438

UV-101 O OH

O OH

-100- 1364438

UV-104 O OH

UV-110 UV-109

〇C8H17(n) UV-111 C4H90

OH Q OH

OC4H9

1364438

在本發明中作爲波長依附性各向異性分布改良劑之含 氰基化合物之較佳實例爲下式（1 〇 3 ):

其中Q1與Q2各獨立地表示芳環；X1與X2各獨立地表示氫 原子或取代基，而且其至少之一表示氰基、羰基、磺醯基 、或芳族雜環。 Q1與Q2之芳環可爲芳族烴環或芳族雜環，而且其可 爲單環或可與任何其他環形成縮合環。 芳族烴環較佳爲具有6至30個碳原子之單環或雙環芳 -102- 1364438 族烴環（例如，苯環、萘環），更佳爲具有6至20 子，甚至更佳爲6至12個碳原子之芳族烴環。其仍 苯環。 芳族雜環較佳爲含氮原子或硫原子作爲雜原子 環之實例爲噻吩、咪唑、吡唑、吡啶、吡哄、嗒哄 、三哄、吲哚、茚唑、嘌呤、噻唑啉、噻唑、噻二 唑啉、噁唑、噁二唑、喹啉、異喹啉、酞阱、萘啶 啉、喹哩啉、哮啉、喋啶、吖陡、啡啉 '啡畊、四 ® 并咪唑、苯并噁唑、苯并噻唑、苯并三唑、四氮茚 雜環較佳爲吡啶、三阱或喹啉。 Q1與Q2之芳環較佳爲芳族烴環，更佳爲苯環 Q1與Q2可具有取代基，其係指下述取代基T。 T包括，例如，烷基（較佳爲具有1至20個碳原子 爲1至12個碳原子，甚至更佳爲1至8個碳原子， 甲基、乙基、異丙基、第三丁基、正辛基、正癸基 六碳基、環丙基、環戊基、環己基）、烯基（較佳 ^ 2至20個碳原子，更佳爲2至12個碳原子，甚至更 至8個碳原子，例如，乙烯基、烯丙基、2-丁烯基 烯基）、炔基（較佳爲具有2至20個碳原子，更佳 12個碳原子，甚至更佳爲2至8個碳原子，例如， '3-戊炔基）、芳基（較佳爲具有6至30個碳原子 爲6至20個碳原子，甚至更佳爲6至12個碳原子 ，苯基、對甲基苯基、萘基）、經取代或未取代胺 佳爲具有0至20個碳原子，更佳爲0至10個碳原 個碳原 更佳爲 者。雜 ' 三哗 唑、噁 、喹噁 唑、苯 。芳族 〇 取代基 ，更佳 例如， 、正十 爲具有 佳爲2 、3 -戊 爲2至 炔丙基 ，更佳 ，例如 基（較 子，甚 -103- 1364438 至更佳爲0至6個碳原子，例如，胺基、甲胺基、二甲胺 基 '二乙胺基、二苄基胺基）、烷氧基（較佳爲具有1至 20個碳原子，更佳爲1至12個碳原子，甚至更佳爲1至8 個碳原子，例如，甲氧基、乙氧基、丁氧基）、芳氧基（ 較佳爲具有6至20個碳原子，更佳爲6至16個碳原子， 甚至更佳爲6至12個碳原子，例如，苯氧基、2-萘氧基） 、醯基（較佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲1至16個 碳原子，甚至更佳爲1至12個碳原子，例如，乙醯基、苯 • 甲醯基、甲醯基、三甲基乙醯基）、烷氧基羰基（較佳爲 具有2至20個碳原子，更佳爲2至16個碳原子，甚至更 佳爲2至12個碳原子，例如，甲氧基羰基、乙氧基羰基） '芳氧基羰基（較佳爲具有7至20個碳原子，更佳爲7至 16個碳原子，甚至更佳爲7至10個碳原子，例如，苯氧 基羰基）、醯氧基（較佳爲具有2至20個碳原子，更佳爲 2至16個碳原子，甚至更佳爲2至10個碳原子，例如， 乙醯氧基、苯甲醯氧基）、醯基胺基（較佳爲具有2至20 ® 個碳原子，更佳爲2至16個碳原子，甚至更佳爲2至1〇 個碳原子，例如，乙醯基胺基、苯甲醯基胺基）、烷氧基 羰基胺基（較佳爲具有2至20個碳原子，更佳爲2至16 個碳原子’甚至更佳爲2至12個碳原子，例如，甲氧基羰 •基胺基）、芳氧基羰基胺基（較佳爲具有7至20個碳原子 ，更佳爲7至16個碳原子，甚至更佳爲7至12個碳原子 ，例如，苯氧基羰基胺基）、磺醯基胺基（較佳爲具有！ 至20個碳原子’更佳爲1至16個碳原子，甚至更佳爲1 "10 4- 1364438 至12個碳原子，例如，甲磺醯基胺基' 苯磺醯基胺基）、 磺醯胺基（較佳爲具有0至20個碳原子，更佳爲0至】6 個碳原子，甚至更佳爲0至12個碳原子，例如，磺醯胺基 、甲基磺醯胺基、二甲基磺醯胺基、苯基磺醯胺基）、胺 甲醯基（較佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲1至16個 碳原子，甚至更佳爲1至12個碳原子，例如，胺甲醯基， 甲基胺甲醯基、二乙基胺甲醯基、苯基胺甲醯基）、烷硫 基（較佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲1至16個碳原 • 子’甚至更佳爲1至12個碳原子，例如，甲硫基、乙硫基 )、芳硫基（較佳爲具有6至20個碳原子，更佳爲6至 16個碳原子’甚至更佳爲6至12個碳原子，例如，苯硫 基）、磺醯基（較佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲1至 16個碳原子’甚至更佳爲丨至12個碳原子，例如，甲磺 醯基、甲苯磺醯基）、亞磺醯基（較佳爲具有1至2〇個碳 原子’更佳爲1至16個碳原子，甚至更佳爲1至I]個碳 原子，例如，甲亞磺醯基、苯亞磺醯基）、脲基（較佳爲 ® 具有1至20個碳原子，更佳爲1至16個碳原子，甚至更 佳爲1至12個碳原子，例如，脲基 '甲基脲基、苯基脲基 )、磷醯胺基（較佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲1至 16個碳原子，甚至更佳爲〗至ι2個碳原子例如，二乙 基磷醯胺基、苯基磷醯胺基）、羥基、毓基、齒素原子（ 例如，氟原子' 氯原子、溴原子、碘原子）、氰基 '硫基 、羧基 '硝基、氫肟酸基、亞硫醯基、鉼基、.亞胺基、雜 環基（較佳爲具有1至30個碳原子，更佳爲1至12個碳 -105- 1364438 原子，而且具有’例如，任何氮、氧與硫原子 ，具體而言’例如，咪唑基、吡啶基、嗤琳基 哌啶基、嗎啉基、苯并噁唑基、苯并咪哩基、 )、矽烷基（較佳爲具有3至4〇個碳原子， 30個碳原子，甚至更佳爲3至24個碳原子， 基矽烷基、三苯基矽烷基）。這些取代基可進 。若有二或更多個取代基則其可爲相同或不胃 ，則其可彼此鍵結形成環。 # X1與X2各爲氫原子或取代基，而且其至 基、羰基、磺醯基、或芳族雜環。至於χΐ與 係指上述取代基τ。X 1與X2之取代基可經任何 取代，而且X1與X2可縮合形成環形結構。 X1與X2較佳爲氫原子、烷基、芳基、氰 羰基、磺醯基、或芳族雜環；更佳爲氰基、羯 、或芳族雜環；甚至更佳爲氰基或羰基；仍更 烷氧基羰基（-C( = 0)0R，其中R表示具有1至 ® 原子之烷基、具有6至12個之碳原子之芳基、 作爲雜原子 、呋喃基、 苯并噻唑基 更佳爲3至 例如，三甲 一步經取代 。如果可行 少之一爲氰( X2之取代基 其他取代基 基、硝基、 基、磺醯基 佳爲氰基或 g 20個之碳 或其組合） 式（103)化合物中，較佳爲下式（103-A): 式（103-A)

、與R1()各 -10 6- 1364438 獨立=表示m原子或取代基；χ2各具有如式（ι〇3)之 相同意義，而且其較佳範圍亦相同。 R 、R 、R 、R 、116、117、]^、119、與 Ri〇 各獨 II地表不氫原子或取代基。至於取代基係指上述取代基τ ° 代基可具有任何其他取代基。取代基可縮合形成 縮合環形結構β R1 ' R2 ' R4 ' R5 ' R6 ' R7 ' r9、與 r1Q 較佳爲氫原子 、烷基、烯基、诀基、芳基、經取代或未取代胺基、烷氧 基、芳氧基、經基、或鹵素原子；更佳爲氫原子、烷基、 方基、烷氧基、芳氧基、或鹵素原子；甚至更佳爲氫原子 或具有1至12個碳原子之烷基；仍更佳爲氫原子或甲基； 最佳爲氫原子。 R3與R8較佳爲氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基、 經取代或未取代胺基、烷氧基、芳氧基、羥基、或鹵素原 子：更佳爲氫原子、具有1至20個碳原子之烷基、具有〇 至20個碳原子之胺基、具有1至20個碳原子之烷氧基、 具有6至12個碳原子之芳氧基、或羥基；甚至更佳爲氫原 子或具有1至12個碳原子之烷氧基；仍更佳爲具有1至 12個碳原子之烷氧基；較一步較佳爲氫原子。 式（103)化合物中，較佳爲下式（103-B): 式（103-B)

-107- 1364438 其中’ R3與W具有如式（103-八）之相同意義，而且其較佳 範圍亦相同；X3表示氫原子或取代基。 X3表示氫原子或取代基。至於取代基係指上述取代基 T。如果可行’則取代基可進一步經任何其他取代基取代。 X3較佳爲氫原子、烷基、芳基、氰基、硝基、羯基、擴醯 基、或芳族雜環；更佳爲氰基、羰基、磺醯基、或芳族雜 環；甚至更佳爲氰基或羰基；仍更佳爲氰基或院氧基鑛基 (-C( = 0)0R’其中R爲具有1至20個碳原子之院基、具 • 有6至12個碳原子之芳基、或其組合卜 式（103)化合物中，甚至更佳爲下式（103-C): 式（103-C)

其中，R3與R8各具有如式（103-A)之相同意義，而且其較 # 佳範圍亦相同；R21表示具有1至20個碳原子之烷基。 在R3與R8均爲氫原子時，R21較佳爲具有2至12個 碳原子之院基’更佳爲具有4至12個碳原子之院基’甚至 更佳爲具有6至12個碳原子之烷基’仍更佳爲正辛基、第 三辛基、2 -乙基己基、正癸基、或正十二碳基；最佳爲表 示2-乙基己基》 在R3與R8不爲氫原子時’ R21較佳爲具有最多20個 碳原子之烷基，如此式（1〇3-C)化合物之分子量可爲至少 3 00 « -108- 1364438 用於本發明之式（1 〇 3)化合物可依照 American Chemical Society > 第 63 卷，第 3 45 2 述之方法製造。 以下提及式（10 3)化合物之指定實例，然而 應受其限制。

Journal of 頁（1941)所 ，本發明不

-109- 1364438 UV-201 ο

0 UV-206 UV-202 UV-203 UV-204

UV-207 UV-208 UV-209

UV-205

-110 1364438

UV-215 UV-218 UV-219 XJV-220

-111 1364438

UV-22I

UV-226

/-222 NC^ ΧΝ

UV-227

H3CO

UV-223 UV-228

NC、/CN

UV-224 UV-225

UV-231

[消光劑顆粒] 本發明之醯化纖維素薄膜較佳爲含顆粒作爲消光劑。 在此使用之顆粒包括二氧化矽、二氧化鈦、氧化鋁、氧化 銷、碳酸鈣、滑石、黏土、煅燒高嶺土、煅燒矽酸鈣、矽 酸鈣水合物、矽酸鋁、矽酸鎂、與磷酸鈣。此顆粒較佳爲 具有矽者，因爲含其之薄膜之霧値低。其特佳爲二氧化矽 -112- 1364438 。在此使用之二氧化矽顆粒較佳爲具有最大20奈米之一級 平均粒度且具有至少70克/公升之視比重。更佳爲具有5 至16奈米之小一級平均粒度，因爲含其之薄膜之霧値低。 視比重更佳爲90至200克/公升，甚至更佳爲100至20克 /公升。具有較大視比重之顆粒可產生具有較高濃度之分散 液，因此由於含其之薄膜之霧値低且由於可減少薄膜中之 固體沉積而較佳。 此顆粒通常形成具有0.1至3.0微米之平均粒度之二 # 級顆粒，而且其在薄膜中係如一級顆粒之凝聚體而存在， 因此在薄膜表面中形成具有0.1至3.0微米之大小之突起。 二級平均粒度較佳爲0.2微米至1.5微米，更佳爲0.4微米 至1.2微米，最佳爲0.6微米至1.1微米。一級及二級粒度 係如下測定：以掃描電子顯微鏡觀察薄膜中之顆粒，將圍 繞顆粒之圓圈直徑稱爲粒度。隨機觀察在不同位置處之200 個顆粒，而且將資料平均而得其平均粒度。

至於二氧化矽顆粒，可在此使用Aer〇SilR972、R972V • 、 R974、 R812、 200、 200V、 300、 R202' 0X50、 TT600( 均得自Nippon Aero sil )之市售產品。氧化锆細粒亦爲市售 ，例如，Aerosil R976 與 R811 (均得自 NipponAerosil)， 而且可在此使用。 其中，Aerosil 200V 與 Aerosil R9 72V 爲具有最大 20 奈米之一級平均粒度且具有至少7 0克/公升之視比重之二 氧化矽細粒，而且其由於有效降低光學薄膜之磨擦係數而 不增加其霧値而特佳地在此使用。 -113- 1364438 在本發明中，爲了得到含具有小二級平均粒度之顆粒 之醯化纖維素薄膜，可使用某些用於製備顆粒分散液之方 法。例如，一種方法包括藉由攪拌及混合溶劑與顆粒而事 先製備顆粒分散液，然後將所得分散液加入少量分別地製 造之醯化纖維素溶液，然後將其進一步混合主醯化纖維素 塗布漆溶液。此方法由於二氧化矽顆粒之分散力良好且由 於所製備之二氧化矽顆粒分散液幾乎不再凝聚而爲希望的 。此外，在此亦可使用一種方法，其包括將少量纖維素酯 • 加入溶劑，攪拌溶解，及在線上混合器中將所得之顆粒分 散液與塗布漆完全混合。本發明不限於這些方法。在將二 氧化矽顆粒混合且分散於溶劑中時，所得分散液中之二氧 化矽濃度較佳爲5至3 0質量％，更佳爲1 0至2 5質量％， 最佳爲15至20質量％。相對於其中之顆粒量，具有高濃 度之分散液可具有較小之霧値，因此爲有利的，因爲可降 低含其之薄膜之霧値且可減少薄膜中之固體沉積。最後， 醯化纖維素塗布漆中之消光劑量較佳爲0.01至1.0克/平方 ® 米，更佳爲0.03至0.3克/平方米，而且最佳爲0.08至0.16 克/平方米。 ' 溶劑可爲低碳醇，較佳爲甲醇、乙醇、_丙醇、異丙醇 '或丁醇。除了此低碳醇，可在此使用之溶劑並未特別地 界定，然而，較佳爲通常用於纖維素酯薄膜形成者。 [塑性劑、抗氧化劑、脫模劑] 除了上述之光學各向異性降低化合物及波長依附性各 向異性分散改良劑，本發明之醯化纖維素薄膜可含在製造 -114- 1364438 程序中且依照薄膜用途加入之各種添加劑（例如，塑性劑 、UV抑制劑、抗氧化劑 '脫模劑、IR吸收劑）。此添加劑 可爲固態或油狀。換言之，其熔點與沸點並未特別地界定 。例如，UV吸收材料可在20°c或以下及在20°c或以上混 合；而且其可適用於混合塑性劑。例如，其敘述於JP-A 2001-151901號專利。此外’ IR吸收染料係敘述於，例如 ，JP-A 20CH-194522號專利。加入添加劑之時間可爲製備 塗布漆程序中之任何時間。視情況地，添加劑可在製備塗 ® 布漆程序之最終步驟加入。各添加劑之加入量並未特別地 界定，只要添加劑可呈現其功能。在醯化纖維素薄膜具有 多層結構時，加入各層之添加劑之型式及量可不同》例如 ’其敘述於JP-A 200 1 - 1 5 1 90 1號專利，而且此技術在此技 藝爲已知的。其細節敘述於Hatsumei Kyokai之Disclosure B u 11 et i η Ν ο · 2 0 0 1 - 1 7 4 5 ( 2 0 0 1 年 3 月 15 日由 Hatsumei Kyokai發行）’第16-22頁，而且其中所述之材料較佳地用 於本發明。 ^ [化合物之摻合比例] 在本發明之醯化纖維素薄膜中，具有至多3000之分子 量之化合物總量相對醯化纖維素質量較佳爲5至4 5 %，更 佳爲1 〇至4 0%，甚至更佳爲1 5至3 0%。如上所述，此化 合物包括光學各向異性降低化合物、波長依附性各向異性 分布改良劑、UV抑制劑 '塑性劑、抗氧化劑、細粒、脫模 劑、與IR吸收劑。較佳爲，其具有至多3000，更佳爲至 多2000，甚至更佳爲至多1000之分子量。如果這些化合 -115- 1364438 物之總量小於5%，則因醯化纖維素本身之性質在薄膜中太 明顯而成問題，例如，薄膜之光學性質與物理強度可能易 因周圍溫度與濕度改變而波動。然而，如果化合物之總量 大於4 5 %，則化合物在醯化纖維素薄膜中之互溶力超過限 度，而且其亦可能因過量化合物沈積於薄膜表面中及薄膜 可能因而變白（自薄膜滲出）而成問題。 [醯化纖維素溶液中之有機溶劑] 在本發明中，醯化纖維素薄膜較佳爲依照溶劑流延法 ® 而製造，其中將醯化纖維素溶於有機溶劑而製備溶液（塗 布漆），及將塗布漆形成薄膜。在本發明中較佳地作爲主溶 劑之有機溶劑係選自具有2至12個碳原子之酯、酮與醚、 及具1至7個碳原子之鹵烴。在此使用之酯、酮或醚可具 有環形結構。具有任何二或更多個酯、酮與醚官能基（即 ，-0-、-C0-與- COO-)之化合物亦可在此作爲主溶劑，例 如，其可具有任何其他之官能基，如醇系羥基。組成具有 二或更多個官能基之主溶劑之碳原子數量可在具有此官能 ®基之化合物之範圍內。 至於本發明之醯化纖維素薄膜，可使用氯系_烴作爲 主溶劑，或者亦可使用非氯溶劑作爲主溶劑，如Hatsumei Kyokai 之 Disclosure Bulletin 2001-1745 (第 12-16 頁）。 然而，主溶劑對本發明之醯化纖維素薄膜不爲限制性。 此外，用於醯化纖維素溶液與薄膜之溶劑及其溶解方 法揭示於以下之專利公告，而且其爲用於本發明之較佳具 體實施例。例如，其敘述於JP-A 2000-95876、12-95877、 1364438 1 0-3 24 7 74 ' 8- 1 5 2 5 1 4、1 0-3 3 0 5 3 8、9 -9 5 5 3 8、9-95 5 5 7、 10-235664、 12-63534' 11-21379' 10-182853' 10-278056 ' 10-279702、 10-323853' 10-237186' 11-60807、 11-152342 、11-292988、11-60752、11-60752 號。這些專利公告不僅 揭示對本發明醯化纖維素較佳之溶劑，亦揭示其溶液之物 理性質及可與其共存之物質，而且其亦爲用於本發明之較 佳具體實施例。 [製造醯化纖維素薄膜之方法] Φ [溶解步驟] 在本發明中製備醯化纖維素溶液（塗布漆）之方法對 於其溶解程序並未特別地界定。其可在室溫製備或可按冷 卻溶解或高溫溶解之模式或以其組合之模式製備。一種包 括製備用於本發明之醯化纖維素溶液之步驟及將溶液濃縮 與過濾之後續步驟之方法詳述於 Hatsumei Kyokai之 Disclosure Bulletin 200 1 - 1 745 ( 200 1 年 3 月 15 日由 Hatsumei Kyokai發行），第22-25頁，而且其較佳地用於 ®本發明。 (塗布漆溶液之透明度） 較佳爲，本發明醯化纖維素溶液之塗布漆透明度爲至 少8 5 %，更佳爲至少8 8 %，甚至更佳爲至少9 0 %。本發明 人已證實各種添加劑完全溶於本發明之醯化纖維素塗布漆 溶液。在此敘述測定塗布漆透明度之具體方法。將塗布漆 溶液置於具有1平方公分之大小之玻璃小管中，而且以光 譜光度計（Shimadzu之UV-3150)測量其在5 5 0奈米之吸 1364438 收度。測量溶劑單獨作爲空白，及由溶液吸收度對空白吸 收度之比例計算醯化纖維素溶液之透明度。 [流延，乾燥及捲繞步驟] 其次，敘述一種由本發明醯化纖維素溶液形成薄膜之 方法。至於用於製造醯化纖維素薄膜之方法及設備，在此 可使用在三乙酸纖維素薄膜形成技藝中迄今通常使用之溶 劑流延法及溶劑流延設備。將在溶解器（槽）中製備之塗 布漆（醯化纖維素溶液）暫時儲存於儲存槽中，其中將塗 • 布漆消泡且如此最後製備。由槽之塗布漆取出口將塗布漆 取出，而且經可將其準確進料（例如，基於其圈數）之計 量壓力齒輪泵進料至壓力模中，然後將塗布漆經壓力模之 縫均勻地流延至金屬撐體之循環行進流延構件上，而且在 金屬撐體幾乎轉一圈處之剝除點將仍潮濕之塗布漆薄膜（ 其可稱爲腹板）自金屬撐體剝除。將如此得到之腹板兩端 夾住以確定其寬度而以拉幅器輸送腹板且乾燥，然後進一 步在乾燥器（其中將腹板完全乾燥）中以輥輸送，然後將 • 其圍繞捲繞器而捲繞成預定寬度。拉幅器與具輥之乾燥器 之組合可視欲製造薄膜之目的而改變。在本發明醯化纖維 素薄膜之實際應用係用於電子顯示器之光學結構或用於鹵 化銀照相材料之功能性保護膜時，可將另外之塗覆裝置裝 至用於製造薄膜之溶劑流延裝置。另外之裝置係用於藉由 在其上形成替代層、抗靜電層、抗暈層、與保護層而進一 步處理薄膜表面。其詳述於Hatsumei Kyokai之Disclosure Bulletin 200 1 - 1 74 5 ( 200 1 年 3 月 15 曰由 Hatsumei Kyokai 1364438 發行），第25-3 0頁。其包括流延（包括共流延）、金屬撐 體、乾燥與剝除，而且其較佳地用於本發明。 較佳爲，本發明醯化纖維素薄膜之厚度爲10至120 微米，更佳爲20至100微米，甚至更佳爲30至90微米。 醯化纖維素之寬度可小於1350毫米，但是較佳爲至少 1 3 5 0毫米，更佳爲至少2000毫米，甚至更佳爲至少3 000 毫米。在醯化纖維素具有至少1350毫米之寬度時，其可接 受放大寬度之使用此薄膜作爲保護膜之偏光板。例如，在 • 包括對其遮蓋保護膜之步驟之製造偏光板之方法中，其在 聚合物薄膜之寬度方向可遮蓋二或更多片大於35吋之大 型面板。因此，偏光板之製造力因而改良。 醯化纖維素薄膜之長度可小於1 500米，但是較佳爲至 少1500米，更佳爲至少2000米，甚至更佳爲至少3000米 。薄膜越長越好，而且在其爲至少1500米時，可以其製造 較長之偏光板。其可降低程序切換之損失頻率，因而降低 偏光板之製造成本。 ® [醯化纖維素薄膜之物理性質之評估] [薄膜之玻璃轉移溫度Tg] 本發明醯化纖維素薄膜之玻璃轉移溫度Tg在80至 1 65 °C之間。由薄膜之抗熱性之觀點，Tg較佳爲在100至 160°C之間’更佳爲110至150°C之間。玻璃轉移溫度Tg 係如下測定：將1 〇毫克之本發明醯化纖維素薄膜樣品以5 °C/分鐘之加熱速率自室溫加熱至200 °C，而且以差式掃描 熱度計（T.A. Instrument之DSC 2910)測量樣品加熱量， -119- 1364438 及由其計算薄膜之玻璃轉移溫度Tg。 [薄膜之霧値] 較佳爲，本發明醯化纖維素薄膜之霧値在0·01至2·0% 之間，更佳爲〇 . 〇 5至1 . 5 %之間’甚至更佳爲〇 · 1至1 . 〇 % 之間。在將薄膜作爲光學薄膜時，薄膜透明度具重要性。 霧値係如下測定：依照ns Κ-6714，以霧計（Suga Test

Instruments 之 HGM-2DP)在 25°C 及 60% RH 測量具有 40 毫米X 80毫米之大小之本發明醯化纖維素薄膜樣品。 •[薄膜之Re及Rth之濕度依附性] 較佳爲，本發明醯化纖維素薄膜之面內遲滯Re及厚度 方向遲滯Rth之濕度依附性變化儘量小。具體而言’在25 °C及1 〇% RH之Rth與在25°C及80% RH之Rth間之差ARth ( = RthlO%RH-Rth80%RH)在0至50奈米之間，更佳爲〇至 40奈米之間，甚至更佳爲0至35奈米之間。 [薄膜之當量水含量] 以下敘述本發明醯化纖維素薄膜之當量水含量。在將 • 薄膜作爲偏光板用保護膜時，爲了不減損薄膜對水溶性聚 合物（如聚乙烯醇）之黏著性，無關薄膜之厚度’其在25 。(：及80% RH之當量水含量較佳爲0至4%，更佳爲〇·1至 3.5%，甚至更佳爲1至3% »如果當量水含量高於4% ’則 在將薄膜作爲光學補償膜用撐體時，由於薄膜之濕度依附 性遲滞太大而爲不希望的。 水含量係如下測定：依照Karl-Fisher法’以水含量分 析儀組合樣品乾燥器（CA-03，VA-05，均得自Mitsubishi -120- 1364438

Chemical )分析具有7毫米x 35毫米之大小之本發明醯化 纖維素薄膜樣品。將如此測量之樣品中水量（克）除以其 重量（克）。 [薄膜之水分滲透力] 較佳爲，本發明之用於光學補償片之醯化纖維素薄膜 之水分滲透力爲400至2000克/平方米·24小時，更佳爲500 至1800克/平方米·24小時，甚至更佳爲600至1600克/平 方米·24小時，如依照JIS Ζ0288在60°C之溫度及95%RH # 之濕度所測定且轉換成80微米之標準薄膜厚度。如果其超 過2000克/平方米·24小時，則薄膜之濕度依附性絕對値 Re及Rth顯著地高於0.5奈米/% RH。此外，在將光學各 向異性層層合至本發明型式之醯化纖維素薄膜上以製造光 學補償膜時亦不利，因爲片之濕度依附性絕對値Re及Rth 亦顯著地高於0.5奈米/% RH。在將此型光學補償片或偏光 板建構於液晶顯示裝置中時，其可能造成變色及視角減小 。另一方面，如果醯化纖維素薄膜之水分滲透力小於400 ® 克/平方米·24小時，則在將其黏附至偏光膜兩面以製造偏 光板時，薄膜可能干擾黏著劑乾燥，即，薄膜可能造成偏 光板之黏附失敗。 在醯化纖維素薄膜之厚度較大時，其水分滲透力變小 •，及在厚度較小時，水分滲透力變大。因此，必須測定每 個具有不同厚度之樣品之水分滲透力，將其轉換成80微米 之標準薄膜厚度。視其薄膜厚度而定，薄膜之水分滲透力 係如下測定：轉換成8 0微米之標準薄膜厚度之水分滲透 -12 1- 1364438 力=(測量之水分滲透力）X (測量之薄膜厚度微米數/80 微米）。關於測量水分滲透力之方法，參考敘述於Physical Properties of Polymer II (Polymer Experimental Lecture 4, Kyoritsu Publishing) » 第 2 8 5-297 頁，”Determination of Vapor Permeation (mass method, temperature method, vapor pressure method, adsorption method)’’之方法 〇 簡言 之，將具有70-πιηιφ之大小之醯化纖維素薄膜樣品在25°C 及90% RH且在60°C及95% RH均調節24小時。依照JIS φ Z-0208，使用滲透力測試器（Toyo Seiki 之 KK-709007) 測量每單位面積之樣品之水含量（克/平方米），而且如下 計算樣品之水分滲透力：水分滲透力=經調節樣品之重量-未調節樣品之重量。 [薄膜之尺寸變化] 本發明醯化纖維素薄膜之尺寸安定性較佳爲如下：在 6 0°C及9 0% RH儲存24小時（高濕度儲存）後之薄膜尺寸 變化，及在9〇°C及5% RH儲存24小時（高溫度儲存）後 • 之薄膜尺寸變化均爲最大〇 . 5 %。更佳爲，尺寸變化爲最大 0.3 %，甚至更佳爲最大0.1 5 %。 以下敘述一種具體測量方法。製備兩個具有30毫米X 1 20毫米之大小之本發明醯化纖維素薄膜樣品，而且在25 °C及65% RH調節24小時。使用自動針規（得自Shinto Kagaku)在樣品兩側上以各100毫米之間隔形成6 mm<|>孔 。原始孔對孔距離爲L0。將一個樣品在60°C及90% RH處 理24小時，然後測量孔對孔距離（L1);及將另一個樣品在 -122- 1364438 9 0 °C及5% RH處理24小時，而且測量孔對孔距離（L2)。每 次測量之針規下限爲1 /1 0 0 0毫米。尺寸變化係如下測定： 在 60 °C及 90% RH (高濕度儲存）之尺寸變化 = {|L0-Ll|/L0}xl00。在 90°C 及 5%RH (高溫度儲存）之尺 寸變化={|L0-L2|/L0}xl00。 [薄膜之彈性模數] (彈性模數） 較佳爲，本發明醯化纖維素薄膜之彈性模數爲200至 # 500 kgf/平方毫米，更佳爲240至470 kgf/平方毫米，甚至 更佳爲2 70至440 kgf/平方毫米。一種具體測量方法如下 :使用通用拉伸測試器，ToyoBoldwin之STMT50BP，將 薄膜樣品在23 °C及70% RH之大氣中以10%/分鐘之拉速拉 開’而且測量其產生0.5 %伸長之應力。此爲樣品之彈性模 數。 [薄膜之光彈性係數] (光彈性係數） ® 較佳爲，本發明醯化纖維素薄膜之光彈性係數爲最大 50xl(T13平方公分/達因，更佳爲最大30χ10·ΐ3平方公分/ 達因，甚至更佳爲最大20χ10·13平方公分/達因。一種具體 測量方法如下：對具有12毫米X 120毫米之大小之本發明 醯化纖維素薄膜樣品在其主軸方向施加張力，此時以橢圓 計（Nippon Bunko之Ml 50)測量樣品之遲滯，及由其相 對施加於樣品之應力之遲滯變化求得樣品之光彈性係數。 [本發明醯化纖維素薄膜之評估方法] -123- 1364438 爲了評估本發明之醯化纖維素薄膜，依照下述方法分 析及測試。 [透明撐體之遲滯] 在此說明中，醯化纖維素薄膜（透明撐體）之遲滯値 Re及Rth係基於以下而計算：ReU)及Rth(k)各表示波長 爲λ處之面內遲滯及厚度方向遲滞》使用K0BRA21ADH( 得自Oji Keisoku Kiki)，按正交線方向對樣品投射波長爲λ 奈米之光，因而測量樣品之Re。 • 亦使用KOBRA 21 ADH，基於三個遲滯資料測定Rtha) ，以上之Re(X)，以遲相軸作爲其傾斜軸（轉動軸）（由 K0BRA21ADH判斷），對薄膜按相對正交線方向傾斜+ 40° 之方向施加波長爲λ奈米之光而測量之遲滯値，及以遲相軸 作爲其傾斜軸（轉動軸），對薄膜按相對正交線方向傾斜-40 °之方向施加波長爲λ奈米之光而測量之遲滯値。此外，輸 入樣品平均折射率之估計値1.48及其薄膜厚度，則KOBRA 2 1 ADH產生nx、ny、ηζ、及Rth。在無法直接測量之波長 ® 處之遲滞可經由使用Cauthy之公式代入且基於在接近意圖 波長之波長處之遲滯値而得。 在本發明中，具有小光學各向異性（Re，Rth)之聚合物 薄膜較佳爲使得其在630奈米波長之面內遲滯Re(6 3 0)爲 最大10奈米（〇^Re(6 3 0)5lO)，及其厚度方向遲滯之絕對値 爲最大25奈米（|Rth (630)| £2 5奈米）（式（i))。最佳爲， 0SRe(630)S5 及丨Rth(630)|$20 奈米：甚至更佳爲 0$Re(630)S2 及丨Rth(63 0)|fl5 奈米。 -124- 1364438 深入硏究之結果，本發明人已藉由將在200至400奈 米UV區域具有吸收因此可防止薄膜變色，而且具有控制 薄膜波長依附性各向異性（Re(X)及Rth(X))分布之能力之 化合物加入聚合物薄膜，而成功地降低聚合物薄膜在400 奈米及 700奈米之不同波長處之 Re及 Rth波動， |Re(400)-Re(700)| 及 |Rth(400)-Rth(700)卜 薄膜波長依附性各向異性分布減小之聚合物薄膜較佳 爲滿足 |Re(400)-Re(700)|$10 及丨Rth(400)-Rth(700)|S35(式 # (ϋ) ) ， 更佳爲 |Re(400)-Re(700)|£5 及 |Rth(400)-Rth(700)|S25，甚至更佳爲丨Re(400)-Re(700)|53 及 |Rth(400)-Rth(700)丨 $15。 (薄膜之面內遲滯波動（ΔΙΙε(λ)，ΔΙΙίΙι(λ))) 製備本發明聚合物薄膜之樣品。具體而言，將15個樣 品在薄膜寬度方向按3 0毫米間隔切割，及將5 0個樣品在 薄膜流延方向按50毫米間隔切割，其各具有30毫米X 40 毫米之大小。依照上述方法，測量各樣品之ΔΙΙε(λ)及ΔΙΙίΙι(λ) ® ，而且得到如此測量之最大値與最小値間之差之絕對値。 其爲薄膜之面內遲滯波動（面內各向異性波動ΔΚείλ)、 ARth(X))，表示薄膜面內光學性質之波動。 深入硏究之結果，本發明人已發現，關於薄膜資料之 最大値與最小値間之差ΔΙΙε(λ)及ARth(l)，薄膜之面內波動 Re(X)及 Rth(X)較佳爲如下：ΔΙ^(λ)55奈米（式（Π丨））及 △ RthU)S10奈米（式（iv));更佳爲Δΐ^(λ)^3奈米及 △ Rth(X)S6奈米；甚至更佳爲ARe(k)S2奈米及ARth(X)^4奈 -125- 1364438 米。在將此波動控制在此範圍內及在使用薄膜時，例如， 作爲偏光板保護膜，在以正交偏光板遮光時通過薄膜之漏 光波動可低於易於正常肉眼可偵測之程度；及在將其作爲 液晶面板之偏光板保護膜時，不易偵測到在液晶面板通過 薄膜之漏光波動。 [遲相軸之偵測] 遲相軸係由上述遲滯測量測定之定向角偵測及測定。 [遲相軸之方向] # 在使用本發明之醯化纖維素薄膜作爲偏光板保護膜時 ，希望醯化纖維素薄膜之遲相軸幾乎爲薄膜之MD方向或 TD方向（沿機械輸送方向之垂直方向），因爲偏光元件通 常在機械輸送方向（MD方向）具有吸收軸。在薄膜之遲相 軸係平行或垂直偏光元件時，可降低通過薄膜之漏光或薄 膜變色。在此所指之「幾乎」表示薄膜之遲相軸與其MD 或TD方向間之角度爲0至10°，較佳爲〇至5。。 (分子定向軸） Φ 將70毫米X 100毫米之樣品在25 °C及60 % RH調節2 小時。使用自動雙折射計（Oji Keisoku Kiki之KOBRA 2 1 ADH )’由在垂直光弓丨入中改變入射角而測量之遲滯計算 分子定向軸。 (軸偏移） 使用自動雙折射計（Oji Keisoku Kiki之K0BRA 2 1 ADH )，測量軸偏移角度。測量樣品寬度方向全部寬度中 規則間隔之20點’及將如此測量之絕對値平均。遲相軸角 -126- 1364438 度（軸偏移）之範圍如下：測量樣品寬度方向全部寬度中 規則間隔之20點’而且得到具軸偏移最大四個絕對値之四 點平均値與具有軸偏移最小四個絕對値之四點平均値間之 差。 (穿透率） 使用透明計（Kotaki Seisakusho之AKA光電管色度計 )在25 °C及60% RH測量20毫米X 70毫米樣品之可見光 (615奈米）穿透率。 (光譜特徵） 使用光譜光度計（Hitachi之U-3 2 10)在25 °C及60% RH 測量13毫米X 40毫米樣品在3 00至450奈米波長範圍內 之穿透率。得到傾斜寬度爲（7 2 %之波長）-(5 %之波長） 。限制波長係以（傾斜寬度/2 )+( 5%之波長）表示。吸收 端係以穿透率爲〇 . 4 %之波長表示。得到樣品在3 8 0奈米及 3 50奈米處之穿透率。 [薄膜之表面性質] (表面形狀） 在此敘述本發明醯化纖維素薄膜之表面性質。較佳爲 ，依照JIS B060 1 - 1 994 ’薄膜之表面粗度之算術平均粗度 (Ra)爲最大0.1微米’及其最大高度（Ry)爲最大〇.5微米。 更佳爲’算術平均粗度（Ra)爲最大〇.〇5微米，及最大高度 (Ry)爲最大0.2微米。薄膜表面之凹處及突起之外形可使 用原子力顯微鏡（A F Μ)分析。 (表面能量） -127- 1364438 本發明醯化纖維素薄膜之表面能量係如下測量：將薄 膜樣品水平地置於水平床上，及將預定量之水與二碘甲烷 塗佈於樣品表面上。在預定時間後，測量薄膜表面與水及 與二碘甲烷之接觸角。由如此測量之接觸角資料，依照 Owens法求得樣品之表面能量。 (表面能量波動） 本發明聚合物薄膜之面內表面能量AE係如下而得： 將1 5個樣品在薄膜寬度方向按3 0毫米間隔切割，及將5 0 # 個樣品在薄膜流延方向按5 0毫米間隔切割，其各具有3 0 毫米X 4 0毫米之大小。依照上述方法，測量各樣品與水及 與二碘甲烷之接觸角，由其計算各樣品之表面能量。此外 ，得到如此測量之資料之最大値與最小値間之差之絕對値 ，其表示薄膜之面內表面能量波動。在薄膜之面內表面能 量波動太大時，其在下述之浸鹼皂化中及在處理後乾燥中 造成皂化劑-清洗溶液或中和溶液之濕潤差異，因此產生污 點，或造成薄膜性質不均勻，特別是使其成爲偏光板之作 ® 業力。結果，例如，具此薄膜之偏光板之耐久性可能不均 勻且偏光板品質可能降低。表面能量波動較佳爲A 10，更 佳爲ΔΕ£5，甚至更佳爲ΔΕ$3。 [薄膜之添加劑保持力] 本發明之醯化纖維素薄膜需要完全保留加入之各種化 合物。具體而言，在將醯化纖維素薄膜於80 °C及90% RH 儲存4 8小時時，薄膜之質量變化較佳爲〇至5 %，更佳爲 0至3 %，甚至更佳爲0至2 %。 -128- 1364438 <薄膜中添加劑保持力之評估方法> 將樣品切成10公分X 10公分之大八 RH儲存24小時，而且測量其質量。然 90± 1 〇〇/〇 RH儲存48小時。在處理後，溫 ，然後進一步在23°C及55% RH儲存1 樣品之質量。樣品之添加劑保持力係如 添加劑保持力（質量％ )={(儲存前質 (儲存前質量）}χΐ〇〇。 Φ [薄膜之機械特徵] (捲曲） 本發明醯化纖維素薄膜之寬度方I -10/米至+10/米。使醯化纖維素薄膜接g 或在塗覆光學各向異性層前，或在塗覆 學各向異性層前磨擦。至於這些處理， 理薄膜。如果長醯化纖維素薄膜之寬度 範圍之外，則薄膜可能難以處理且可能 • ，如果如此，則薄膜之邊緣及中央部份 地接觸而產生灰塵，結果，極多雜質可 在此情形，點缺陷及塗層條紋之頻率可 度。此外，在將捲曲値控制在界定之範 減少在塗覆光學各向異性層時經常發生 而爲有利的，此外，可防止薄膜在層合 〇 捲曲値可依照 American National 、，及在2 3 °C及5 5 % 後將其在80±5°C及 和地擦拭樣品表面 日，而且再度測量 下計算： 量-儲存後質量）/ 句之捲曲値較佳爲 下述之表面處理， 或層合定向層或光 在薄膜爲長膜時處 方向捲曲値在以上 裂開或破裂。此外 可能與輸送輥強烈 能沈積於薄膜上。 能超過可接受之程 圍內時，其由於可 之顏色斑點之困擾 偏光膜時包覆氣泡 Standard Institute -129- 1364438 (AN SI/AS CPH 1.2 9 - 1 9 8 5 )界定之方法測定。 (撕裂強度） 較佳爲，依照JISK7128-2M998之撕裂測試方法（ Elmendorf撕裂測試方法）測量，厚度爲2〇至80微米之醯 化纖維素薄膜具有至少2克，更佳爲5至25克，甚至更佳 爲6至25克之撕裂強度。亦較佳爲，厚度爲60微米之薄 膜之撕裂強度爲至少8克’更佳爲8至15克。具體而言， 將大小爲50毫米X 64毫米之樣品片在25 °C及65% RH調 # 節’然後以輕負載撕裂強度測試計測試以測量其撕裂強度 〇 [殘留於薄膜中之溶劑] 希望本發明之醯化纖維素薄膜在殘留於薄膜中之溶劑 量爲0.01至1.5質量％，更佳爲0.01至1.0質量％之條件 下乾燥。將殘留在用於本發明之透明撐體中之溶劑量控制 爲最多1.5 %而可減少薄膜捲曲。更佳爲，其爲最大1.0% 。其重要原因爲，由於殘留於依照上述溶劑流延法形成之 ® 薄膜中之溶劑量減少，可減小薄膜之自由體積。 [薄膜之吸水膨脹係數] 較佳爲，本發明醯化纖維素薄膜之吸水膨脹係數爲最 大30xl〇_5/%RH，更佳爲最大15xl(T5/%RH，甚至更佳爲最 大l〇xl(T5/%RH。薄膜之吸水膨脹係數越小越好，但是通 常其可爲至少l.〇xl(T5/%RH。吸水膨脹係數表示在固定溫 度改變樣品周圍之相對濕度時之樣品長度變化。在如上控 制吸水膨脹係數時.，及在使用本發明醯化纖維素薄膜作爲 -130- 1364438 光學補償膜用撐體時，框狀穿透率增加’即’可防 造成之漏光因而保持光學補償膜之光學補償功能。 [功能層] 本發明醯化纖維素薄膜之應用包括光學應用及 料。薄膜之光學應用特佳爲液晶顯示裝置，更佳爲 兩個電極基板間之載有液晶之液晶胞、兩個配置於 上之偏光元件、及至少一片配置於液晶胞與偏光元 光學補償片者。至於此液晶顯示裝置，較佳爲TN • FLC ' AFLC、OCB、STN、ECB、VA、與 HAN。 在將本發明之醯化纖維素薄膜用於這些光學應 可對其加入各種功能層。例如，此層爲抗靜電層、 脂層（透明硬塗層）、抗反射層、易黏著層、抗眩層 補償層、定向層、液晶層。這些可用於本發明醯化 薄膜之功能層及其材料包括界面活性劑、潤滑劑、 、抗靜電層、與硬塗層，而且其詳述於Hatsumei 之 Disclosure Bulletin 200 1 - 1 74 5 ( 200 1 年 3 月 ® Hatsumei Kyokai發行），第32-45頁，而且較佳地 本發明。 [用法（偏光板）] 以下敘述本發明之醯化纖維素薄膜之用法。 本發明之光學薄膜可用於偏光板用保護薄膜。 包括偏光元件及保護元件兩個表面之保護膜：而且 係附著於偏光板之一個表面且分別之薄膜附著於偏 另一個表面。保護薄膜及分別之薄膜係用於在運送 -13 1- 止應變 照相材 包括在 其兩側 件間之 、IPS、 用時， 硬化樹 、光學 纖維素 消光劑 Kyokai 15曰由 亦用於 偏光板 保護膜 光板之 或運輸 1364438 偏光板時及檢查時保護偏光板之目的。在此情形，保護膜 係爲了保護偏光板表面之目的，而且其係在黏附液晶板側 之相反側上。分別之薄膜係用於保護附著於偏光板之黏著 層之目的，而且其係在偏光板黏附液晶板之側上。 液晶顯示裝置通常包括夾在爾片偏光板間之含液晶基 板。由本發明之光學薄膜形成之偏光板保護膜可沉積於裝 置之任何位置而呈現優良之顯示可視力。特別地，在液晶 顯示裝置顯示側上最外表面上之偏光板保護膜提供透明硬 # 塗層、抗眩層及抗反射層。因此，希望將偏光板保護膜沉 積於此位置之區域上。 在製造其中使用醯化纖維素薄膜作爲偏光膜保護膜（ 即，作爲偏光板保護膜）之本發明偏光板時，欲黏附包括 聚乙烯醇作爲其主成分之偏光膜側上之薄膜表面對之黏附 性必須較佳。如果此黏附性不足，則偏光板裝在液晶顯示 裝置面板上之作業力不良，或其耐久性亦不良，結果，此 型偏光板在長期使用時成問題。爲了將黏著性較佳化，可 ® 使用黏著劑。關於其成分，黏著劑可爲具聚乙烯醇或聚丁 醛之任何聚乙烯醇黏著劑；或丙烯酸丁酯之乙烯乳膠等。 只要黏著劑爲聚乙烯醇（其與偏光膜之主成分相同，或包 括聚乙烯醇或乙烯乳膠作爲其主成分）之黏著層之表面能 量接近保護膜之表面能量，則保護膜之黏著性及黏附此保 護膜之偏光板之作業力與耐久性可較佳。如此將黏附偏光 膜之側或黏著層之表面能量較佳地控制在所需範圍內，例 如，藉由將薄膜或層之表面親水化，而可完全增加包括聚 -132- 1364438 乙烯醇作爲其主成分之偏光膜保護膜之黏著性。 薄膜之醯化纖維素含一種具有控制薄膜之面內遲滯及 厚度方向遲滯、及控制薄膜之波長依附性遲滯分布之能力 之添加劑。因此，薄膜表面爲相當疏水性。因而上述用於 改良薄膜黏著性之親水化處理對於進一步改良具此薄膜之 偏光板之作業力及耐久性爲必要的。 薄膜在如親水化之表面處理前之表面能量較佳爲30 毫牛頓/米至50毫牛頓/米，更佳爲40毫牛頓/米至48毫牛 # 頓/米。其乃因爲，由於薄膜含如上加入之遲滯控制添加劑 ，薄膜表面爲疏水性，因此改良其濕度依附性光學特徵及 機械特徵及其黏著性而製造偏光板之薄膜處理型式較爲容 易。如果處理前之表面能量低於3 0毫牛頓/米，則經親水 化將薄膜之黏著性較佳化需要大能量，結果，其將薄膜特 徵惡化且可能使薄膜之製造力不一致。另一方面，如果處 理前之表面能量大於5 0毫牛頓/米，則薄膜本身可能爲太 親水性，因此薄膜之光學性質及機械性質之濕度依附性可 ® .能太大，因此成問題。 視所使用之添加劑、乾燥程度及所使用之黏著劑而定 ’聚乙嫌醇之表面能量通常爲60毫牛頓/米至80毫牛頓/ 米。因此，偏光板保護膜在如上述親水化之處理後之表面 能量較佳爲50毫牛頓/米至80毫牛頓/米，更佳爲6〇毫牛 頓/米至75毫牛頓/米，甚至更佳爲65毫牛頓/米至75毫牛 頓/米。 [表面處理，如親水化處理] -133- 1364438 本發明之透明撐體之親水化可以任何已知方法達成。 。例如，薄膜表面可經電暈放電處理、輝光放電處理、uv 照射、火燄處理、臭氧處理、酸處理或鹼處理修改。在此 所指之輝光放電處理可使用低溫電漿，其係在10·3至20 托耳之低壓氣體中產生，或可較佳爲大氣壓力下之電漿處 理。可被電漿激發之氣體表示在如上之條件下可被電漿激 發者，例如，氬、氦、氖、氪、氙、氮、二氧化碳 '氟烴 (如四氟甲院）、及其混合物。其詳述於Hatsumei Kyokai 之 Disclosure Bulletin 20 0.1-1745 ( 2001 年 3 月 15 曰由 Hatsumei Kyokai發行），第30-32頁，而且其較佳地用於 本發明。 [表面處理前後之Re及Rth變化] 較佳爲，本發明之聚合物薄膜在表面處理前後之Re 及Rth變化滿足下式（v)及（vi)。 (v) |Re-Re，|5l〇， (vi) |Rth-Rth’ 丨520 〇 更佳爲，丨Re-Re’|$8奈米及|Rth-Rth’|Sl5奈米；甚至 更佳爲丨Re-Re’丨$5奈米及丨Rth-Rth’丨510奈米。 其中，Re表示表面處理前之面內薄膜遲滯（奈米）； Re’表示表_面處理後之薄膜面內遲滯（奈米）；Rth表示表 面處理前之厚度方向遲滯（奈米）；Rth’表示表面處理後 之厚度方向遲滯（奈米）。 在以上之範圍內，保護膜之光學性質良好，而且在將 此薄膜用於偏光板、光學補償膜及液晶顯示裝置時’其不 一 1 3 4 - 1364438 造成漏光。 [鹸皂化] 上述處理中，鹼皂化對於本發明醯化纖維素薄膜之表 面處理特別有利。此處理包括以下方法。 (1)浸漬法： 將薄膜（例如，抗反射膜）在適當條件下浸於鹼溶液 ’而將其與鹼爲反應性之全部表面完全皂化。其不需要任 何特定設備，因此就成本而言爲有利的。鹼溶液較佳爲氫 ^ 氧化鈉水溶液。較佳爲，溶液之濃度爲0.5至3莫耳/公升 ，更佳爲1至2莫耳/公升。亦較佳爲，鹼溶液之溫度範圍 爲25至70°C，更佳爲30至6(TC » 在浸於鹼溶液後，將薄膜以水完全清洗使得鹼成分不 殘留於薄膜中，或者將其浸於稀酸中以將鹼成分中和。 經由皂化，將透明撐體之與具有抗反射層之主表面對 立之主表面親水化。偏光板保護膜係以將透明撐體之親水 化表面黏附於偏光膜之方式使用》 ® 薄膜之親水化表面對於改良其對包括聚乙烯醇作爲其 主成分之偏光膜之黏著性爲有效的。 至於皂化，就薄膜對偏光膜之黏著性而言，更希望與 具有高折射層之側對立之透明撐體薄膜與水之接觸角小。 然而，另一方面，在浸漬法中，薄膜之具有高折射率之主 表面亦因鹼而受損，因此將反應條件控制爲必要之最小限 度爲重要的。在使用其對立側主表面上之撐體與水之接觸 角作爲抗反射層因鹼損壞之指數時，在撐體爲三乙酸纖維 -135- 1364438 素之情形，其較佳爲20度至50度，更佳爲30度至50度 ，甚至更佳爲40度至50度。在此範圍內，抗反射膜之損 壞實質上不成問題且保持其對偏光膜之黏著性。 [薄膜表面皂化前後之Re及Rth變化] 關於其在薄膜表面皂化前後之Re及Rth變化，本發明 之聚合物薄膜較佳爲滿足上式（v)及（vi)。 鹼皂化具體而言如下：將具有10公分X 10公分之大 小之薄膜樣品在5 5 °C浸於1 . 5莫耳/公升之氫氧化鈉水溶液 中，然後將其在30°C於0.05莫耳/公升之硫酸中中和，而 且將其在室溫以水浴清洗，然後在100 °C乾燥。此程序爲 鹼皂化。 [化合物於鹼皂化溶液中之溶解] 較佳爲，本發明之聚合物薄膜含一種分子量爲至多 3000，更佳爲至多2000，甚至更佳爲至多1000之化合物 ，作爲可降低光學各向異性之化合物，而且在將透明薄膜 之表面以鹼處理時，化合物係以最大20質量％，更佳爲最 大1 5質量％，甚至更佳爲最大1 〇質量％溶於鹼溶液中。 在以上之範圍內鹼皂化爲有利的，因爲使用之鹼溶液 不使所處理薄膜（所處理薄膜之性質）惡化。 以下敘述測定溶解之具體方法》將具有100公分X 100 公分之大小之薄膜樣品在55°c浸於其中具有5公升之1.5 莫耳/公升氫氧化鈉水溶液之容器中30分鐘，然後將溶於 其中之低分子化合物經液相層析術分析。依照以下數學式 得到化合物之溶解： -13 6- 1364438 (鹼溶液中之溶解）（質量％)=(鹼溶液中之低分子化合 物含量）/(皂化前薄膜中低分子化合物含量） [皂化溶液之吸收光譜] 希望用於本發明透明薄膜之鹼皂化之鹼溶液儘量不退 化。用於本發明透明薄膜表面之鹼皂化之鹼溶液在4 5 0奈 米之吸收度較佳爲最大0.1，更佳爲最大0.08,甚至更佳爲 〇. 〇 5。如果鹼皂化溶液退化，則其變黃。溶液之黃化程度 係關於其在450奈米之吸收光譜而測定。 在以上之範圍內，鹼溶液爲有利的，因爲其性質良好 且其功能良好。 以下敘述測定吸收度之具體方法。將如用於測定其溶 解之相同薄膜樣品皂化，及收集10毫升之鹼溶液。使用光 譜光度計，Shimadzu之UV3100，分析其在450奈米之吸 收度。 [皂化處理所需之時間] 至於本發明之聚合物薄膜，較佳爲使表面能量較佳之 鹼皂化處理所需之時間短。藉由縮短鹼皂化處理所需之時 間’可增加生產力。具體而言，在5 5 °C之溫度條件使用1 .5 N之NaOH之驗皂化處理，較佳爲使表面能量爲50毫牛頓 /米以上所需之時間在1分鐘內，更佳爲45秒內，甚至更 佳爲3 0秒內。 此外，至於其他之較佳範圍，在5 5 °C之溫度條件使用 1.3 N之NaOH之鹼皂化處理，更佳爲使表面能量爲60毫 牛頓/米以上所需之時間在上述範圍內，甚至更佳爲使表面 -137- 1364438 能量爲65毫牛頓/米以上所需之時間在上述範圍內。 (2)鹸溶液塗覆法： 爲了防止抗反射膜在上述浸漬法中受損，較佳爲 一種藉由僅將鹼溶液塗佈於與其上具有抗反射膜之主 對立之聚合物薄膜主表面，然後以水清洗及乾燥，而 溶液塗覆薄膜之方法。鹼溶液及其處理之細節敘述於 2002-82226號專利，及國際公開第02/46809號專利之 。然而，此方法需樣另外之設備及步驟以將薄膜塗以 液，因此就其成本而言較上述浸漬法（1)不良。 [電漿處理] 可在此使用之電漿處理包括輝光放電處理及大氣 輝光放電處理，及火燄電漿處理。例如，其敘述於 6-123062、 11-293011及11-5857號專利，其可應用於 明。 電漿處理係用於在電漿中處理塑膠膜表面，而使 理表面爲高度親水性。例如，在輝光放電電漿產生裝 ，將欲親水化之薄膜置於一對面對電極之間，及將可 激發蒸氣引入裝置中，而且對電極施加高頻電壓，而 氣受產生之電漿激發及在電極間進行輝光放電而達成 之表面處理。特別地，較佳爲大氣輝光放電處理。 可電漿激發蒸氣爲一種在以上之條件下可受電漿 之蒸氣，例如，其包括氬、氦、氖、氪、氙 '氮、二 碳、如四氟甲烷之氟烴、及其混合物。 如氬或氖之惰氣可組合可對塑膠膜表面賦與極性 使用 表面 以鹼 JP-A 論文 鹼溶 壓力 JP-A 本發 經處 置中 電漿 使蒸 意圖 激發 氧化 官能 -138- 1364438 基（如羧基、羥基或羰基）之反應性氣體，而且所得混合 氣體可作爲可激發氣體。反應性氣體包括，例如，氫、氧 、氮、及水蒸氣、氨氣。此外，如果需要，則可使用低沸 點有機化合物，如低碳烴與酮。然而，就其處理性而言， 較佳爲氫 '氧、二氧化碳、氮、與水蒸氣。在使用水蒸氣 時’其可藉由以任何其他氣體將水起泡而製備。如果需要 ’則可將如此起泡而製備之氣體與水蒸氣混合。 施加至氣體之高頻電壓之頻率較佳爲1 kHz至100 kHz，更佳爲 1 kHz 至 1 0 kHz。 輝光放電電漿處理可在真空中或在大氣壓力下進行。 在真空輝光放電電漿處理中，爲了有效放電，必須將 如上之反應性氣體引入裝置中以將放電大氣保持在0.005 至20托耳之範圍內。爲了增加處理速度，希望在儘量高之 壓力下使用高輸出條件，但是如果電場增加太多，則基板 可能因而受損。 在其中電漿放電係在大約大氣壓力下得到之大氣輝光 放電電漿處理中，爲了安定之放電而需要如氦或氬等之惰 氣。如果至少60 %之可電漿激發氣體不爲惰氣，則無法發 生安定之放電。然而，如果惰氣太多且如果反應性氣體之 比例太小，則處理速度可能降低。如果電場增加太多，則 可能損壞基板。 在其中電漿係經脈衝電解產生之大氣電漿處理中，以 上之惰氣並非始終必要的，而且可增加反應性氣體濃度且 反應速度因此增加。 -139- 1364438 另一種火燄電漿處理包括藉由以燃燒器對欲表面處理 之薄膜表面施加火燄處理而以電漿表面處理。例如，將包 括如鏈烷烴氣體之可燃氣體（例如，煤氣、天然氣、甲烷 氣體、丙烷氣體、丁烷氣體）與氧化氣體（例如，空氣或 氧，視情況地及燃燒輔助氧化氣體）之混合氣體燃燒，而 且將薄膜表面以所得火燄處理。 得自燃燒器之火燄通常包括外燄及內燄，而且外燄爲 淡藍色部份，其通常稱爲藍色氣體火燄，及其係藉由將內 ® 燄部份之未反應（未燃燒）氣體加熱而產生。外燄之溫度 高，而且不爲藍色之火燄部份爲氧應用相當小且爲相當低 溫之其他內燄。 距內燄頂部30毫米內之火燄產生極多電漿，而且如 JP-A 1 1 - 1 84 042號專利所詳述，火燄係受配置於其周圍之 擋板限制，及將基板表面以如此限制於距內燄頂部3 0毫米 內之火燄處理。以此方式，以如此限制之火燄之電漿處理 爲可行的。 ^ 關於將基板保持接觸火燄之時間，將火燄施加至基板 之時間可爲0.001至2秒。較佳爲，此時間爲0.01至1秒 。如果太久，則表面可能受損太多：但是如果太短，則幾 乎不發生氧化反應且不增加經處理表面之黏著性。 用於此目的之燃燒器可爲任何可將火燄均勻地施加至 接受電漿處理之基板表面者》亦可使用多個配置於基板之 燃燒器。 視氣體型式而定，火燄處理之可燃氣體與氧化氣體之 -14 0- 1364438 摻合比例可不同。例如，在混合丙烷氣體與空氣時，丙烷 氣體/空氣之較佳摻合比例可爲1/15至1/22，更佳爲1/16 至1/19體積比。在混合天然氣及空氣時，較佳摻合比例可 爲1/6至1/10，更佳爲1/7至1/9。視可燃氣體之型式、氧 化氣體之型式、兩者之比例、及氣體進料速度而定，內燄 對外燄之大小比例可不同。 電漿處理裝置之實例描述於第1圖。第1圖顯示大氣 電漿處理裝置之實例；及第2圖顯示連續真空電漿處理裝 置之實例。 第1圖爲顯示一個大氣電漿處理裝置之實例之橫切面 圖。具體而言，在第1圖之大氣電漿產生裝置中，使接受 電漿處理之樣品2配置於兩個面對電極之.間（上及下電極 均以1表示）。爲了在電漿激發期間防止火花放電之目的， 希望將介電構件3(如玻璃、陶瓷或聚醯亞胺薄膜）配置 於上及/或下電極之表面上。將可電漿激發蒸氣（如氬與氮 之混合蒸氣）經入口 4引入大氣電漿產生裝置中。在以如 此產生之蒸氣沖洗內部空氣後，將蒸氣經出口 5排出裝置 。其次，將高頻電壓，例如，3000Hz及4200伏特，施加 於電極間，因而藉產生之電漿激發引入之氣體且進行意圖 之輝光放電預定之時間，因而修改裝置中之基板表面。 第2圖爲顯示一個連續真空電漿處理裝置之實例之橫 切面圖。其包括藉由對樣品F將裝置腔分隔成入口縫12A 及出口縫12B而形成之處理室12,其中使連續地引入其中 之長膜在真空中接受連續電漿處理。 -14 1- 1364438 處理室12具有一對面對板電極13與14。將 與14之一個電極13連接高頻電源15，而且將另 經地面16接地。以此方式，可在電極對13與14 電場》 處理氣體係經氣體入口 6引入裝置中，及藉 作用將處理室經氣體出口 7脫氣成真空。 在第2圖之實例中，將前脫氣室10及11配 拾取縫之側上。前脫氣室17亦相鄰處理室12配 取出縫之側上。室之定位係藉夾輥8與9而得， 非限制性。其中，1 5表示高頻電源。 前脫氣室可如所述而配置，例如，兩個在薄 口之側上及一個在薄膜F取出口之側上。然而， 非限制性。此外，一個前脫氣室可配置於薄膜F 出口上；或者兩個此室可配置於兩個口之上。 至於在此使用之火燄電漿處理，較佳爲JP-A 號專利所述之裝置。 第3圖顯示一個火燄電漿處理裝置之實例。 器之火燄通常包括外燄及內燄，而且外燄爲淡藍 其通常稱爲藍色氣體火燄，及其係藉由將內燄部 應（未燃燒）氣體加熱而產生。外燄之溫度高， 藍色之火燄部份爲氧應用相當小且爲相當低溫之 〇 外燄部份含較多對電漿處理爲不必要之火燄 果外燄部份擴大，則處理無法控制。因此，如第 電極對13 一個電極 之間施加 脫氣泵之 置於薄膜 置於薄膜 然而，其 膜F拾取 此排列並 拾取及取 9-355097 得自燃燒 色部份， 份之未反 而且不爲 其他內燄 ，而且如 3圖配置 -142- 1364438 擋板（外燄控制裝置）C，其將不必要外燄E’保持在擋板 (外燄控制裝置）C外部而不接觸欲處理之撐體。在此情 況下，控制火燄處理而僅有效火燄（經控制火燄）G施加 至欲處理之樣品薄膜F表面，因而達成此目的。第3圖顯 示燃燒器B、外燄E、內燄I、屏障於擋板外部且在其中擴 大之外燄E’、有效火燄G、及有效處理縫S，其進一步顯 示經有效處理縫S將有效火燄G施加至樣品薄膜F表面之 模式。 [電暈放電處理] 至於表面處理，電暈放電處理爲最受歡迎之方法，而 且其可藉任何已知方法達成，例如，如JP-B 4 8 -5 043及 47-51905 號專利、JP-A 47-28067、 49-83767、 51-41770 ' 及51-131576號專利所述。用於電暈處理之電暈產生器可 爲通常用於塑膠膜表面修改之現行技藝之任何市售電暈處 理器。特別地，得自Softal之裝有多刀電極之電暈處理器 包括大量電極且係設計成將空氣在電極間進料。其對於使 薄膜過熱及去除可能沉積於薄膜上之低分子物質爲有效的 ，因此其能量效率極高且造成高效率電暈處理。因而此型 電暈處理器在本發明中特別有用。 視所使用保護膜之型式、所使用黏著劑之型式、及所 使用電暈處理器之型式而定，電暈處理條件可不同。在一 次處理程序中之能量密度較佳爲20至400瓦·分鐘/平方米 左右。儘量低之能量處理較高能量處理爲佳’因爲可防止 保護膜退化，而且可防止保護膜之添加劑在薄膜表面上滲 -143- 1364438 出，因此此處理對於改良薄膜之黏著性爲有效的。如果一 次處理不足，則此處理可重複二或更多此而可進一步增加 經處理薄膜之黏著性。 在將本發明之聚合物薄膜作爲偏光板保護膜時，聚合 物薄膜之至少一個表面之表面能量必須控制在適當之範圍 內。因此，進行上述之薄膜表面處理。另一方面，在使本 發明之聚合物薄膜接受此表面處理時，聚合物薄膜.中有添 加劑蒸發/溶解/分解之可能性，而聚合物薄膜之光學性質 及薄膜性質及其耐久性可能惡化或降低。如果添加劑蒸發 或溶解，則其可能污染處理系統且因此可能降低系統之處 理力，最後連續處理不可行》因而必須抑制薄膜中添加劑 量之減少。具體而言，希望在表面處理中添加劑量之變化 爲添加劑總量之最多〇 . 2 %，更佳爲最多0.1 %，甚至更佳爲 最多0 · 0 1 %。 [用法（光學補償膜）] 本發明之聚合物薄膜具有許多應用。在將其用於光學 補償膜時特別有效。光學補償膜通常用於液晶顯示裝置， 而且其爲用於補償遲滯之光學構件。光學補償膜具有如相 遲滯及光學補償片之相同意義。光學補償膜具有雙折射性 質，而且其係用於去除液晶顯示裝置之顯示面板變色、及 改良裝置之視角特徵之目的。本發明之聚合物薄膜具有小 光學各向異性使得其Re及Rth滿足SRe5l〇奈米及|Rth|S25 奈米；而且其具有降低之波長依附性各向異性分布使得 |Re(400)-Re(700)|Sl〇 及丨Rth(400)-Rth(700)|:^35。因而薄膜 -144- 1364438 不具有任何多餘之各向異性。在將薄膜組合具有雙折射之 光學各向異性層時，其可呈現光學各向異性層之光學性質 0 因而’在將本發明之聚合物薄膜作爲液晶顯示裝置中 之光學補償膜時，與其組合之光學補償層之Re及Rth較佳 爲如下：Re = 0至200奈米：及丨Rth卜0至400奈米（式（ix) )。在此範圍內，任何及每片光學各向異性層可組合本發明 之薄膜。特別地，本發明之薄膜可組合光學補償膜所需之 ® 任何型式之光學各向異性層，而不受其中使用此薄膜之液 晶顯示裝置中液晶胞之光學性質及驅動系統限.制。組合薄 膜之光學各向異性層可由含液晶化合物之組成物形成，或 可由具有雙折射性質之聚合物薄膜形成。 液晶化合物較佳爲碟狀液晶化合物或棒形液晶化合物 〇 (碟狀液晶化合物） 可用於本發明之碟狀液晶化合物之實例敘述於各種參 •考資料（C. Destrade 等人之 Mo/. Cryw. CqH.，第 71 卷，第 111 頁（1981); Chemical Society of Japan 之 少 〇/ 〇/ C/zewijir；)；，第 22 期，

Chemistry of Liquid Crystal，第 10 章，第 2 段（1994); B. Kohne 等人之 Chem. Soc. Chem. Co/«w·，第 1794 寅 ( 1 98 5)； J. Zhang 等人之 J. Am. Chem. Soc. - % 116 卷，第 2655 頁（1994))。 較佳爲，碟狀液晶分子係在本發明之光學各向異性層 -14 5- 1364438 中排列而固定，更佳爲在其中經聚合固定。碟狀液晶分子 敘述於JP-A 8-272 84號專利。至於經聚合固定碟狀液晶分 子’可聚合基必須鍵結至各碟狀液晶分子之碟核成爲取代 基。然而，如果此可聚合基係直接鍵結至碟核，則分子在 聚合期間幾乎無法保持其定向。因此，將鍵聯基引入碟核 與鍵結之可聚合基之間。此具可聚合基之碟狀液晶分子揭 示於JP-A 2001-4387號專利。 (棒形液晶化合物） 可用於本發明之棒形液晶化合物之實例爲偶氮次甲烷 、偶氮氧基化合物、氰基聯苯、氰基苯基酯、苯甲酸酯、 環己烷羧酸苯酯、氰基苯基環己烷、經氰基取代苯基嘧啶 、經烷氧基取代苯基嘧啶、苯基二噁烷、二苯乙炔、與烯 基環己基苯甲腈。不僅此低分子量液晶化合物，高分子量 液晶化合物亦可在此使用。 在光學各向異性層中，希望棒形液晶分子係以排列狀 態固定，最佳爲其係經聚合固定。可用於本發明之可聚合 棒形液晶化合物之實例敘述於MacromoL C/iew.，第1 90卷 ，第 2255 頁（1989); Advanced Materials ' 第 5 卷，第 107 頁（ 1 993);美國專利第 4683 327、5622648、5 7 7 0 1 07 號； 國際公開第 95/22586' 95/24455、 97/00600、 98/23580、 98/52905 號專利之論文；JP-A 1-272551、 6-16616、 7-110469 ' 11-80081、 2001-328973 號專利。 (聚合物薄膜之光學各向異性層） 如上所述，光學各向異性層可由聚合物薄膜形成。此 -14 6· 1364438 聚合物薄膜係由可表現光學各向異性之聚合物形成。此聚 合物之實例爲聚烯烴（例如，聚乙烯、聚丙烯、降莰烯系 聚合物）、聚碳酸酯、聚芳化物、聚諷、聚乙烯醇、聚甲基 丙烯酸酯、聚丙烯酸酯、與纖維素酯（例如，三乙酸纖維 素、二乙酸纖維素）。這些聚合物之共聚物或混合物亦可在 此使用。 聚合物薄膜之光學各相異性較佳爲藉拉伸產生。拉伸 較佳爲單軸拉伸或雙軸拉伸。具體而言，較佳爲藉由利用 二或更多個輥間之週邊速度差而得之機械方向單軸拉伸； 或藉由將聚合物薄膜兩側夾住且按寬向方向將其拉伸而得 之拉幅器拉伸；或包括其組合之雙軸拉伸。如果需要，可 使用二或更多層聚合物薄膜，使得此二或更多層薄膜之全 部光學性質可滿足上述條件。較佳爲，爲了儘可能降低薄 膜之雙折射不均勻性，聚合物薄膜係依照溶劑流延法製造 。較佳爲，聚合物薄膜之厚度在20至500微米之間，最佳 爲40至Ίοο微米之間。 (一般液晶顯示裝置之組成） 至於形成光學各向異性層之聚合物薄膜，可使用至少 一種選自聚醯胺、聚醯亞胺、聚酯、聚醚酮、聚醯胺醯亞 胺聚醋醯亞胺、與聚芳基醚酮之聚合物材料β將其溶於溶 劑’然後將所得溶液塗佈於基板，及將溶劑蒸發而在薄膜 上形成薄膜。此方法有利地在此使用。在此情形，亦較佳 爲一種將聚合物薄膜與基板拉伸而使薄膜具有光學各向異 性之方法，而且如此處理之薄膜可作爲光學各向異性.層。 -147- 1364438 在這些具體實施例中本發明之透明薄膜較佳爲作爲撐體。 另一種較佳方法如下：在不同基板上形成聚合物薄膜，及 將其剝除’然後將其黏附於本發明之透明薄膜而得具有層 合結構之光學各向異性層。在此方法中，聚合物薄膜可變 薄’而且其厚度較佳爲最大50微米，更佳爲丨至20微米 〇 (—般液晶顯示裝置之組成） 將本發明之醯化纖維素薄膜作爲光學補償膜時，偏光 器元件之穿透軸對醯化纖維素薄膜之光學補償膜之遲相軸 可爲任何角度。液晶顯示裝置包括在兩個電極基板間載有 液晶分子之液晶胞、兩個配置於胞兩側上之偏光元件、及 至少一片配置於液晶胞與偏光元件間之光學補償膜》 液晶胞之液晶層通常係藉由將液晶引入兩個基板形成 之空間（經由將間隔器置於其間）中且密封之而形成。在 基板上形成透明電極層成爲含導電物質之透明薄膜β液晶 胞可進一步具有氣體屏障層、硬塗層或底塗層（以黏附於 透明電極層）。這些層通常形成於基板上。液晶胞之基板通 常具有50微米至2毫米之厚度。 (液晶顯示裝置之型式） 本發明之醯化纖維素薄膜可用於各種顯示模式之液晶 胞。已提議如ΤΝ (扭轉向列）、IPS (面中切換）、FLC (鐵 電性液晶）、AFLC (抗鐵電性液晶）、OCB (光學補償彎曲 )、STN (超扭轉向列）、VA (垂直排列）、ECB (電控制雙 折射）、與HAN (混成排列向列）模式之顯示模式。亦提議 -148 — 1364438 將上述顯示模式排列及分割之其他顯示模式。本發明之透 明薄膜對於任何顯示模式之液晶顯示裝置均有效。此外， 其對於任何穿透型、反射型與半穿透型顯示裝置亦有效。 (TN模式液晶顯示裝置） 本發明之醯化纖維素薄膜可在具有TN模式液晶胞之 TN模式液晶顯示裝置中作爲光學補償片之撐體。tn模式 液晶胞及TN模式液晶顯示裝置可由過去得知。用於TN模 式液晶顯示裝置之光學補償片敘述於 JP-A 3 -93 25、 6-148429' 8-50206、 9-26572號專利。此外，其亦敘述於 Mori 等人之報告（Λ 尸，第 36 卷（ 1 997)，第 143 頁；Jpn. J. Appl. Phys. > 第 36 卷（ 1 997)，第 1 0 6 8 Μ ) 〇 (STN模式液晶顯示裝置） 本發明之醯化纖維素薄膜可在具有STN模式液晶胞之 STN模式液晶顯示裝置中作爲光學補償片之撐體。STN模 式液晶顯示裝置中液晶胞之棒形液晶分子通常扭轉90至 3 60度範圍內之角度，而且棒形液晶分子之折射率各向異 性（Δη)與胞隙（d)之積And在300至1500奈米之範圍內。用 於 STN模式液晶顯示裝置之光學補償片敘述於 JP-A 2000-105316 號專利。 (VA模式液晶顯示裝置） 本發明之醯化纖維素薄膜特別有利地在具有VA模式 液晶胞之VA模式液晶顯示裝置中作爲光學補償片之撐體 。較佳爲，用於VA模式液晶顯示裝置之光學補償片具有0 -149- 1364438

至150奈米之遲滯Re及70至400奈米之遲滯Rth。更佳 爲，此片之遲滯Re爲20至70奈米。在將兩片光學各向異 性聚合物薄膜用於VA模式液晶顯示裝置中時，薄膜之遲 滯Rth較佳爲在70至250奈米之範圍內。在將一片光學各 向異性聚合物薄膜用於VA模式液晶顯示裝置中時，薄膜 之遲滯Rth較佳爲在150至400奈米之間。本發明之VA 模式液晶顯示裝置可具有定向分割系統，例如，如JP-A 10-123576 號專利。 (IPS模式液晶顯示裝置，及ECB模式液晶顯示裝置） 本發明之醯化纖維素薄膜亦有利地在具有IPS模式或 ECB模式液晶胞之IPS模式液晶顯示裝置及ECB模式液晶 顯示裝置中作爲光學補償片之撐體。在這些模式中，液晶 材料在黑色顯示中幾乎平行膜面而排列，及在未對裝置施 加黑色顯示之電壓時，液晶分子係平行基板表面而排列。 在這些具體實施例中，包括本發明醯化纖維素薄膜之偏光 板促成放大視角及改良影像對比。在這些具體實施例中， 配置於偏光板保護膜與液晶胞間之光學各向異性層之遲滯 値較佳爲最大爲液晶層Δη.(1値之2倍。亦較佳爲，Rth之 絕對値|Rth|不大於25奈米，更佳爲不大於20奈米，而且 甚至更佳爲不於15奈米。因而有利地使用本發明之醯化纖 維素薄膜。 (OCB模式液晶顯示裝置，及HAN模式液晶顯示裝置） 本發明之醯化纖維素薄膜亦有利地在具有〇 C B模式 液晶胞之OCB模式液晶顯示裝置及具有HAN模式液晶胞 -150- 1364438 之HAN模式液晶顯示裝置中作爲光學補償片之撐體。較佳 爲，用於OCB模式液晶顯示裝置及HAN摸式液晶顯示裝 置之光學補償片係設計成，在光學補償片之面內方向及正 交線方向均不存在其中此片之遲滯絕對値爲最小之方向。 視光學各向異性層之光學性質而定，用於OCB模式液晶顯 示裝置及Η AN模式液晶顯示裝置之光學補償片之光學性質 ，係由撐體之光學性質及光學各向異性層與撐體間之位置 關係決定。用於OCB模式液晶顯示裝置及HAN模式液晶 顯示裝置之光學補償片敘述於JP-A 9-197397號專利。其亦 敘述於 Mori 等人之報告（>//7«. «/_ P/jyj··，.第 38 卷（1999) ，第 2 83 7 頁）。 (反射型液晶顯示裝置） 本發明之醯化纖維素薄膜亦有利地在TN模式、S TN 模式、HAN模式、或GH (主從式）模式反射型液晶顯示 裝置中作爲光學補償膜。這些顯示模式可由過去得知。TN 模式反射型液晶顯示裝置敘述於JP-A 1 0- 1 23 4 7 8號專利、 國際公開第 9 8/4 8 3 20號專利之論文、及日本專利第 3 0224 77號。用於反射型液晶顯示裝置之光學補償膜敘述 於國際公開第00/653 84號專利之論文。 (其他液晶顯示裝置） 本發明之醯化纖維素薄膜亦有利地在具有ASM (軸向 對稱排列微胞）模式液晶胞之ASM模式液晶顯示裝置中作 爲光學補償片之撐體。ASM模式裝置中之液晶胞特徵爲其 係以可控制及改變胞厚度之樹脂間隔器支撐。胞之其他性 -151- 1364438 質與TN模式裝置中之液晶胞相同。ASM模式液晶胞及ASM 模式液晶顯示裝置敘述於Kume等人之報告（Kume等人之 5/£> W £)，·容e" 1 089 ( 1 998))。 (硬塗膜、抗眩膜、抗反射膜） 本發明之醯化纖維素薄膜有利地應用於硬塗膜、抗眩 膜及抗反射膜。爲了改良平板顯示器（如LCD、PDP、CRT 、EL)之可視力之目的，可將任何或所有硬塗膜、抗眩膜 及抗反射膜裝在本發明醯化纖維素薄膜之一或兩面上。此 抗眩膜及抗反射膜之較佳具體實施例敘述於 Hatsumei Kyokai 之 Disclosure Bulletin 200 1 - 1 745 ( 200 1 年 3 月 15 日由Hatsumei Kyokai發行），第54-57頁，而且本發明之 醯化纖維素薄膜可有利地用於其中。 (照相底片撐體） 可用於本發明之醯化纖維素薄膜可應用於鹵化銀照相 材料之撐體。各種材料與調配物及其處理方法敘述於一些 專利申請案，而且其可應用於本發明。關於此技術，JP-A 200 0- 105445號有彩色負片之詳細說明，而且本發明之醯化 纖維素薄膜可有利地用於其中。亦較佳爲，本發明之薄膜 可應用於彩色反轉鹵化銀照相材料之撐體，而且敘述於 JP-A 11-282119號之各種材料與調配物及其處理方法可應 用於本發明。 (透明基板） 由於本發明之醯化纖維素薄膜具有幾乎爲零之光學各 向異性且具有良好之透明性，其可取代液晶顯示裝置中之 -152- 1364438 液晶胞用玻璃基板’即，其可作爲將驅動液晶密封於裝置 中之透明撐體。 由於用於密封液晶之透明基板必須具有良好之氣體屏 障性質，如果需要，可視情況地將氣體屏障層裝在本發明 醯化纖維素薄膜之表面。氣體屏障層之形態及材料並未特 別地界定。例如，可將Si02沈積在本發明醯化纖維素薄膜 之至少一面上’或可在本發明之薄膜上形成具有相對較高 氣體屏障性質之亞乙燃系聚合物或乙嫌醇系聚合物之聚合 物塗層。這些技術可適當地選擇用於本發明。 在使用本發明之薄膜作爲用於密封液晶之透明基板時 ，可裝設透明電極以經由對其施加電壓而驅動液晶。透明 電極並未特別地界定。例如，可將金屬薄膜或金屬氧化物 薄膜層合於本發明醯化纖維素薄膜之至少一個表面上，以 在其上形成透明電極。其中，就薄膜之透明性、導電性及 機械特徵而言，較佳爲金屬氧化物薄膜；而且更佳爲實際 上包括氧化錫且含2至15 %之氧化鋅之氧化銦薄膜。這些 技術詳述於JP-A 2001-125079及2000-22760號專利。 實例 以下敘述本發明之實例，然而，本發明不受其限制。 [實例1] (醯化纖維素薄膜之製造，偏光板之表面處理及層合測試 ) <醯化纖維素溶液T-1至T-5之製備> 將表1所述之組成物置入混合槽中，在其中攪拌而溶 -153- 1364438 解組成成分，因而製備醯化纖維素溶液Τ-l至τ-5。 表1 醯化纖維素溶液之成分（單位：質量份） 醯化纖維素溶液 二氯甲烷 甲醇 1-丁醇 mmmm TPP BDP 取微度 加入量 T-1 300 54 11 2.86 (乙酿基） 100 7.8 3.9 T-2 300 54 11 2.86 (乙醯基） 100 無 M T-3 300 54 11 2.92 (乙醯基） 100 Μ 姐 T-4 300 54 11 2.06 (乙酿基） 0.79 (丙醯基） 100 ^ΙΤΓ m 姐 T-5 300 54 11 1.00 (乙醯基） 1.70 (丙醯基） 100 4ττΤ m 無 ΤΡΡ:磷酸三苯酯 BDP:磷酸聯苯基二苯酯 <添加劑溶液U- 1至U-7之製備> 將表2所述之組成物置入不同之混合槽中且攪拌加熱 而溶解成分，因而製備添加劑溶液U-1至U-7。（在表中， 「光學各向異性降低劑」表示「可降低光學各向異性之化 合物」） 表2-添加劑溶液之成分（單位：質量份） 添加劑溶液 二氯甲烷 甲醇 光學各向異性降低劑 波長依附性各向異性分布改良劑 U-1 80 20 姐 無 U-2 80 20 45 (A-19) 5 (UV-102) U-3 80 20 25(A-19) 5CUV-102) U-4 80 20 60(A-19) 10 (UV-102) U-5 80 20 45 (B-30) 5 (UV-102) U-6 80 20 45 (1-3) 5 (UV-102) U-7 80 20 45 (L-l) 5 (UV-102) <醯化纖維素薄膜樣品001之製造> 將44質量份之添加劑溶液U-1加入477質量份之醯化 纖維素溶液Τ-l，而且完全攪拌而製備塗布漆。將塗布漆經 流延縫在冷卻至〇°C之滾筒上流延。將形成之薄膜自滾筒 剝除，其具有70質量％之溶劑含量，而且將其寬度方向兩 端固定於針拉幅器（如JP-A4-1009號專利之第3圖），將 -1 54- 1364438 其以橫向方向（垂直機械方向之方向）之抽拉比爲2%之方 式，乾燥成具有3至5質量％之溶劑含量》其次，將薄膜 在熱處理裝置之輥間輸送且在其中進一步乾燥。如此製造 厚80微米之醯化纖維素薄膜樣品〇〇1。 <醯化纖維素薄膜樣品101之製造> 將44質量份之添加劑溶液U-2加入465質量份之醯化 纖維素溶液T-2,而且完全攪拌而製備塗布漆β以如製造醯 化纖維素薄膜樣品001之相同方式，將塗布漆形成厚80微 米之醯化纖維素薄膜樣品1 0 1。 <醯化纖維素薄膜樣品102至113之製造> 以如製造醯化纖維素薄膜樣品1〇1之相同方式，製造 各厚約80微米之醯化纖維素薄膜樣品1〇2至113，然而， 使用如表3之醯化纖維素溶液與添加劑溶液之組合代替醯 化纖維素溶液Τ-2及添加劑溶液U-2。 表3 醯化纖維素薄膜樣品 醯化纖維素溶液 .添加劑溶液 代號 加入量（質量裕） 代號 加入量（質量份） 001 Τ-1 477 U-1 44 101 Τ-2 465 U-2 44 102 Τ-2 465 U-3 44 103 Τ-2 465 U-4 44 104 Τ-2 465 U-5 44 105 Τ-2 465 U-6 44 106 Τ-2 465 U-7 44 107 Τ-3 465 U-2 44 108 Τ-3 465 U-3 44 109 Τ-3 465 U-4 44 110 Τ-4 465 U-2 44 111 Τ-4 465 U-3 44 112 Τ-5 465 U-2 44 113 Τ-5 465 U-3 44 <醯化纖維素溶液Τ-6之製備> -155- 1364438 將以下組成物置入混合槽中且攪拌以溶解成分’因而 製備醯化纖維素溶液T-6 » <醯化纖維素溶液T-6之組成物> 醯化程度爲2.86之醯化纖維素 100.0質量份 二氯甲烷（第一溶劑） 402.0質量份 甲醇（第二溶劑） 60.0質量份 <消光劑溶液之製備> ·

將20質量份之平均粒度爲16奈米之矽石顆粒（Nippon Aerosil之Aerosil R972)與80質量份之甲醇完全攪拌且 混合30分鐘而製備矽石顆粒之分散液。將分散液與以下組 成物置入分散器中，而且在其中進一步攪拌至少30分鐘以 溶解成分，因而製備消光劑溶液。 (消光劑溶液之組成物） 平均粒度爲16奈米之矽石顆粒之分散液 1〇.〇質量份 二氯甲烷（第一溶劑） 76.3質量份 甲醇（第二溶劑） 3.4質量份

醯化纖維素溶液（T-6) 10.3質量份 <添加劑溶液U-8之製備> 將以下組成物置入混合槽中，而且攪拌加熱而溶解成 分，因而製備添加劑溶液U- 8。 (添加劑溶液U-8之組成物） 光學各向異性降低化合物（A-19) 90質量份 波長依附性各向異性分布改良劑（UV-102) 9.0質量份 二氯甲烷（第一溶劑） 58.4質量份 -156- 1364438 甲醇（第二溶劑） 醯化纖維素溶液（T-6) <醯化纖維素薄膜樣品114之製造> 將94.6質量份之醯化纖維素溶液（T-6)、 消光劑溶液、與4.1質量份之添加劑溶液（U -，然後混合。使用帶式流延機將混合物在帶 述組成物中，光學各向異性降低化合物及波 異性分布改良劑對醯化纖維素之質量比例各 ® 。將具有3 0%之殘餘溶劑含量之薄膜自帶剝 °C乾燥40分鐘。如此製造具有1300毫米之 之長度之醯化纖維素薄膜。如此製造之醯化 殘餘溶劑含量爲0.2%，及薄膜之厚度爲80| <醯化纖維素薄膜樣品1 1 5之製造> 以如醯化纖維素薄膜114之製造之相同 纖維素薄膜樣品115,然而，其具有1850毫米 米之長度。 *<醯化纖維素薄膜樣品1 1 6之製造> 以如醯化纖維素薄膜114之製造之相同 纖維素薄膜樣品116,然而，其具有2200毫米 米之長度。 [表面處理] 使在此製造之醯化纖維素薄膜樣品〗〇 1 處理。 ‘（處理1 ) 8.7質量份 12.8質量份 1.3質量份之 _ 8)分別地過濾 上流延。在上 長依附性各向 爲 12%及 1.2% 除，及在140 寬度及100米 纖維素薄膜之 方式製造醯化 之寬度及3000 方式製造醯化 之寬度及2100 如下接受表面 -157- 1364438 將製造之本發明醯化纖維素薄膜樣品101浸於70°C之 2.0 N氫氧化鈉水溶液中30秒。然後將其在室溫水浴中清 洗，及以30 °C之0.1 N硫酸中和。將其再度在室溫水浴中 清洗，及以1〇〇 °C熱風乾燥。以此方式，將醯化纖維素薄 膜之表面鹼皂化而得皂化薄膜樣品1 〇 1 A。 (處理2 ) 將製造之本發明醯化纖維素薄膜樣品1 〇 1浸於3 5 °C之 0.2 N氣氧化鈉水溶液中5分鐘。然後將其在室溫水浴中清 洗，及以30 °C之0.1 N硫酸中和。將其再度在室溫水浴中 清洗，及以1〇〇 °C熱風乾燥。以此方式，將醯化纖維素薄 膜之表面鹼皂化而得皂化薄膜樣品1 0 1 B。 (處理3 ) 將製造之本發明醯化纖維素薄膜樣品1 0 1如下經電漿 處理而表面處理：具體而言，在反應器中提供直徑各爲50 毫米之黃銅上與下電極，至於介電體，將比電極大之100 微米厚聚醯亞胺黏附於各電極。在下電極上安置大小爲150 毫米X 150毫米之薄膜樣品，將電極安置成具有20毫米之 電極-電極距離》以氬沖洗容器中之空氣。在以氬氣完全沖 洗空氣後，在上與下電極間施加3000 Hz及4200伏特之高 頻電壓，而且如此造成電漿激發用紅-紫色輝光放電。以此 方式將薄膜樣品1 〇 1處理5秒，而且此經處理樣品爲樣品 101C。 (處理4 ) 將製造之本發明醯化纖維素薄膜樣品1 0 1以如（處理 -158- 1364438 3)之相同方式處理，然而，處理時間爲20秒。此經處理 薄膜樣品爲樣品1 〇 1 D。 (處理5 ) 以如（處理3 )之相同方式製造薄膜樣品1 0 1 E，然而 ，以氧代替10%氬氣。 (處理6) 以如（處理4)之相同方式製造薄膜樣品101F，然而 ，以氧代替10%氬氣。 (處理7 ) 將製造之本發明醯化纖維素薄膜樣品1 〇 1如下經電漿 處理而表面處理：具體而言，使薄膜樣品101之一個表面 在80瓦/平方米/分鐘之條件下接受雙重電暈放電處理而得 薄膜樣品101 G。至於此電暈放電處理，使用具有得自Softal 之多刀電極之電暈處理器。 <薄膜樣品001、102至116之表面處理> 如同薄膜樣品1 〇 1，亦使在此製造之薄膜樣品00丨、丨〇2 至接受如表4至9之表面處理。如此處理，依照其處 理方法稱薄膜樣品之號碼爲A至G。 <表面處理前後之添加劑量之測定> 各薄膜樣品中之添加劑量係依照下述方法測定。具體 而言’取出0.1克之樣品，而且經超音波振盪3 0分鐘而溶 於2毫升之二氯甲烷。加入甲醇成爲5毫升。如此製備樣 品溶液》使樣品溶液經HPLC分析。由如此測定之添加劑 量資料得到表面處理前後之樣品中添加劑量之變化。計算 -159- 1364438 經處理樣品中對未處理樣品中添加劑量之比例（％)。 <表面能量之測定> 在此製造之各薄膜樣品之表面能量係如下測定：具體 而言，將樣品水平地置於水平床上，及將預定量之水與二 碘甲烷塗佈於樣品表面上。在預定時間後，測量樣品表面 與水及與二碘甲烷之接觸角。由如此測量之接觸角資料， 依照Owens法求得樣品之表面能量。 <光學性質之評估> 評估在此製造之薄膜樣品之光學性質 Re(63 0)、 Rth(63 0) ' |Re(400)-Re(700)卜及 |Rth(400)-Rth(700)卜而 且偵測其遲相軸之方向。 [偏光板之層合測試] 測試經表面處理薄膜樣品及無表面處理薄膜樣品在製 造偏光板時之黏著性。 即，將厚80微米之整捆聚乙烯醇薄膜在碘水溶液中連 續地拉伸5倍，及乾燥而製備偏光膜。製備兩片塗有黏著 劑之薄膜樣品101A，而且將其以偏光膜夾在其間而彼此黏 附。如此得到兩個表面上均以醯化纖維素薄膜101A保護之 偏光板。其中，控制偏光板兩側上之醯化纖維素薄膜樣品 1 0 1之遲相軸使得其可平行偏光膜之穿透軸。使用任何其 他之經表面處理薄膜樣品及無表面處理薄膜樣品（如表5 至表9之醯化纖維素薄膜樣品），以相同方式製造其他偏光 板。 <黏著性> -16 0 — 1364438 依照下述方法測試如此製造之偏光板樣品之黏著性。 具體而言，將各偏光板樣品在其預定位置處重複地以90度 折疊五次，及按樣品之折疊部份有無脫落而評估各樣品之 黏著性。 A :未發現脫落。 B:發現脫落。 <作業力> 依照下述方法測試在此製造之偏光板樣品之作業力。 具體而言，以單面刀具切割偏光板樣品，及按樣品之切割 部份周圍有無脫落而評估其作業力。 A:未發現脫落。 B :發現脫落。 <黏著性耐久性1> 依照下述方法測試在此製造之偏光板樣品之黏著性耐 久性。具體而言，將偏光板樣品在60°C /90% RH之條件下 保持200小時，然後按樣品在儲存後有無脫落而評估其黏 著性耐久性。 A :未發現脫落。 B:發現脫落。 <黏著性耐久性2> 依照下述方法測試在此製造之偏光板樣品之黏著性耐 久性。具體而言，將偏光板樣品在8(TC保持200小時’然 後按樣品在儲存後有無脫落而評估其黏著性耐久性》 A :未發現脫落。 -16 1- 1364438 B :發現脫落。 [皂化處理所需之時間] 關於製造之薄膜樣品001、102、104、105、106、與 108，以上述之相同方法（處理1)進行表面處理，除了在 55 °C之溫度使用1.5 N之NaOH鹼溶液進行鹼皂化處理， 各處理時間設定爲1 0秒至1 80秒之間隔1 0秒，而且以上 述之相同方法得到經表面處理薄膜表面之表面能量，然後 得到各使表面能量爲50毫牛頓/米以上、60毫牛頓/米以上 及65毫牛頓/米以上所需之時間，及評估表面處理所需之 時間。 在此製造之薄膜樣品及偏光板之測試結果及評估示於 表4至表10及一部份之表11。 -16 2- 1364438

挺sNngIS嫩账鍵糧Λ3>鼴-寸撇 is mti 勸 接觸角 碘化物 〇〇 <N 00 <Ν 〇〇 ίΝ a\ <N 00 OJ 〇\ <N a\ <N 00 <N oo <N ON OJ σ\ <N Οί VO ΙΟ ΓΟ CS CS ΓΟ 卜 ψ 4 <N ΓΛ <N (Ν OJ m 表面能量 添加劑溶液 加入量 (質量％) 寸 5 .3/4.1 τ~Η 女 ΓΟ νδ 窆 II οο 1 锭 蘅 m T-6/消光劑溶液/U-8 = 94.6A.3/4.1 代號 ό U-2 m 0 U-4 U-5 1 υ-6 U-7 CN 0 m D U-4 U-2 ό U-2 U-3 J-8 = 94.6/1 萬化纖維素溶液 加入量 (質量％) Γ^· 寸 465 VO 寸 465 465 465 妄 Ό 寸 »r> 465 465 燦 m 靛 m VO m 代號 τ-Η μ 1H_1 <N μ (N (N μ CN (N m m m 寸 寸 醯化纖維素 薄膜樣品 〇 〇 fN Ο ΓΠ 〇 寸 Ο tr> 〇 o oo O ON o o CN m 寸 *-Η· U-i *"N v〇

1ST 1364438

sm

1iib 越i 1 <0.02 % I 0.10% <0.02 % <0.02 % <0.02 % <0.02 % <0.02 % ¥n 耐久性2 ffl < « < CQ < < < < < I耐久性1 CQ < CQ < CQ < < < < < m 作業力 CQ < cq < CQ < < < < < 黏著性 < CQ < CQ < < < < < 表面處理後 接觸角 1碘化物 1 (Ν m 1 m CN ΟΙ m cn <Ν m 1 ο 1 沄 v〇 〇 v〇 cn oo »*·Η m 1表面能量 1 1 Ox m v〇 (N Ό Ό 表面處理前 接觸角 碘化物 〇〇 CN 00 <Ν οο CN oo <N oo CN oo <N oo <N OO (N ΟΟ CS OO (N ν〇 JQ JO jn JO JQ JO 1表面能量 1 Os α\ v〇 寸 比較性樣品 :比較性樣品 比較性樣品 本發明樣品 比較性樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品1 表面處理 無處理 處理1 :無處理 處理1 L處理2 I 1處理3 1 1處理4 1 1處理5 1 丨處理ό 1 處理7 薄膜樣品 ί—Η Ο ο »—Η t — T"1 < r—H ο < 1 ，丨Η Ο «-Η Ο 〇 醯化纖維素 薄膜樣品 τ—Η Ο 001Α Η Ο 101Α 101B 101C 101D 101Ε 101F 101G —寸 9r—<丨 1364438

9撇 1舊t 艘i 1 1 w < M <0.02 % <0.02 % 1 <0.02 % <0.02 % 1 <0.02 % <0.02 % I <0.02 % <0.02 % 1 Η <0.02 % <0.02 % ¥n M •R m 耐久性2 CQ C CQ < < < CQ < < C < < < CQ < < < DD < < < 耐久性1 CQ < CQ < < < CQ < < < OQ < < C 0Q < < < W < < < m Jp 作業力 PQ < PQ < < < CQ < < c ffl < < < ffl < < < CQ < < < 黏著性 PD < CP < C < m < < < CQ < < 0Q < < < OQ < < < 表面處理後 接觸角 碘化物 1 (N 1 (N ro <Ν ΓΟ 1 CO ro m ro p; 1 m m m (Ν m 1 t11" ^ CO CN CO 1 (Ν cn <Ν m 1 Ο 1 in cn 1 沄 (N m 1 CN as m (Ν 1 Os (N in m rO 1 ΓΛ m 00 m 表面能量 1 1 ν〇 1 Ό v〇 1 i〇 (N 1 v〇 1 ^Τ) <N v〇 表面處理前 接觸角 碘化物 〇〇 (N 〇〇 (N 00 CN oo oo (N 00 <Ν ON <N (N Os (N ON CN 00 <N 00 (N oo <N 00 (N ON CN ON (N ON (N Os (N VO cn cn (N JN CS CN (N (N (N CN 表面能量 e； 5 卜 寸 卜 寸 比較性樣品 比較性樣品 比較性樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 比較性樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 比較性樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 比較性樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 比較性樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 1表面處理 1 無處理 處理1 無處理 處理1 處理4 1處理6 1 無處理 處理1 1處理4 1 1處理6 1 無處理 1處理1 1 1處理4 1 1處理6 1 無處理 處理1 丨處理4 1 丨處理6 | 無處理 處理1 處理4 處理6 i薄膜樣品 Ο 001 s W ·Η s Ο ο m ο ro Ο m ο ΓΟ ο ο ο ο ο <n ο Ο <n ο v〇 Ο Ο Ο ψ 1 醯化纖維素 薄膜樣品 r ^ 〇 001A <N 〇 t < 102 A 102D 102F s 103 A 103D 103F I 104 A 104D 104F s 105 A 105D 105F r-H I 106 A 1 106D 106F — S9 I — 1364438

ρ 7 il^ 頓i 1 1 <0.02 % <0.02 % I <0.02 % <0.02 % I ψ· Η <0.02 % <0.02 % •R m 耐久性2 m < CO < < < CQ < < < PQ < < < 耐久性1 CQ C CQ < < < CQ < < < m < < < 作業力 « < m < < < CP < < <ζ PQ < < < 黏著性 PQ < 0Q < < < CQ < < < CQ < < < 表面處理後 接觸角 碘化物 1 (Ν m 1 m m (N m (Ν ΓΟ 1 Ο m ·— m (Ν ΓΟ 1 m m 1 〇 1 oo m m m 1 (Ν m CO yn cn 1 (Ν cn m Μ 征 m 1 m v〇 ό 1 S S 幽 Ό 表面處理前 接觸角 碘化物 〇〇 (N 00 (N σ\ CN On (N as (N On (Ν 00 <N 00 <Ν 00 (N 00 <Ν i〇 v〇 m v〇 cn cn JO jn jn UD 4ΠΠ 晅 m σ\ On 比較性樣品 比較性樣品 比較性樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 比較性樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 比較性樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 表面處理 無處理 處理1 無處理 處理1 1處理4 I 1處理6J 無處理 處理1 1處理4 1 1處理ό ι 無處理 處理1 1處理4 處理6 薄膜樣品 1 丨< 〇 001 ψ < ο ，Η OO ο Ο 00 Ο Ο Os Ο § ψ ·Η Ο S > Η 醯化纖維素 薄膜樣品 〇 001A 卜 〇 107A 107D 107F 00 Ο >"Ή 108Α 108D 108F S I 109 A 1 109D 109F — 99 1- 1364438

存_ @ 輕i 1 1 <0.02 % <0.02 % I <0.02 % <0.02 % 1 <0.02 % 1 <0.02 % I <0.02 % <0.02 % Μ -R 撇 耐久性2 1_ CQ < PQ < < < m < C < CP < < < < < < 耐久性1 CQ < 0Q < < < CQ < < < 0Q < < < CQ < < < m 作業力 ί_ ffl C CQ < < < CQ < < < « < < < « < < < 黏著性 1_ CQ C « < < < ffl < < < m < < < CQ < < < 表面處理後 接觸角 碘化物 1 ΓΛ 1 (Ν m m 1 CO m m m (N ΓΛ 1 cn CM m <^ϊ 1 <N m m CO 1 〇 1 〇〇 (N m m m 1 沄 CN m m 1 CNJ P； Ό ΓΛ 1 m <N m 表面能量 1 1 m v〇 l〇 v〇 1 Ό VO vo s 1 ITi m v〇 ν〇 1 S IT) 表面處理前 接觸角 碘化物 00 (N 〇0 (N OO (N OO (N OO (N 00 <N On (Ν Os (N Os <N Ον CS 0's <N 〇\ (Ν a\ CN Os <N ΙΛ VO 卜 t-H 卜 卜 卜 OJ CN ΟΙ Cr\ rn fn 表面能量 ζ· 5 卜 寸 卜 寸 ζ- 比較性樣品 比較性樣品 比較性樣品 本發明樣品 本發明樣品 i本發明樣品 比較性樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 比較性樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 比較性樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 表面處理 無處理 處理1 無處理 處理1 處理4 丨處理ό 無處理 1處理1 l 1處理4 1 |處理ό I 無處理 處理1 1處理4 1 1處理ό I 無處理 1處理1 1 1處理4 1 處理6 薄膜樣品 〇 001 〇 〇 T-H Ο ο (N (Ν »-Η (Ν CN *~·Η cn f ·4 rn m m 醯化纖維素 薄膜樣品 T < 〇 001A 〇 * ^ 110A 110D 110F 1 111A I 111D 111F (N 1 112Α 1 112D 112F m 113A 113D 113F I L9 一丨 1364438

6^ S Εϋ C? mh 輕I 1 1 <0.02 % <0.02 % <0.02 % M -R m 烀 耐久性2 0Q < PQ < < < < < < 耐久性1 CQ < CQ < < < < < < u 作業力 CQ < CQ < < < < < < 黏著性 PQ C m < < < < < 表面處理後 接觸角 碘化物 1 <N m 1 (N m m ΓΟ (N m 1 ο 1 m m 00 v〇 m m m m _ DD 4ππ 晅 1 \〇 1 (N v〇 2 00 m v〇 S 表面處理前 接觸角 碘化物 〇〇 CN 00 <Ν cs ο CN i〇 v〇 CN CN <N (N CN 卜 表面能量 $ 比較性樣品 比較性樣品 比較性樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 |表面處理 1 無處理 處理1 無處理 處理1 |處理4 I 1處理6 1 1處理7 1 丨處理1 ] 處理1 i薄膜樣品 1 1 _ Ο Ο 2 寸 ―丨< _·Η Τ-Η 寸 ,·Η 寸 醯化纖維素 薄膜樣品 〇 001Α 寸 I 114A I 114D 114F 114G 115A 116A — SI — 1364438 表1 ο 醯化纖維素薄膜樣品 表面處理之時間（秒） 表面能量 ' 50毫牛頓/米 60毫牛頓/米 65毫牛頓/来 001 80 110 170 " 102 20 30 40 104 20 30 40 "" 105 50 70 80 106 40 60 70 108 30 50 60 以上之結果證實，在本發明之薄膜樣品（關於光學性 質，參考表Π)接受表面處理以控制其表面能量時，其可 • 具有良好之作業力而得偏光板，而且如此製造之偏光板可 具有良好之耐久性（名稱後面有Α至G之薄膜樣品）。 表面處理前後之薄膜中添加劑量變化證實，在如電漿 處理及電暈處理之乾表面處理中（名稱後面有C至G之薄 膜樣品），經處理薄膜中之添加劑量減少低於可偵測限度， 因此薄膜之性質及耐久性由於添加劑量波動而惡化有極小 之可能性。另一方面，在如鹼皂化之濕處理中（名稱後面 有A與B之薄膜樣品），已自薄膜溶出之添加劑仍完整殘 ® 留於鹼皂化溶液中或可能在其中分解，而且處理溶液可能 因而受污染。針對此觀點，較佳爲如電漿處理及電暈處理 之乾表面處理。 [實例2](裝在IPS模式液晶顯示裝置之薄膜之評估） 將實例1製造之醯化纖維素薄膜裝在液晶顯示裝置且 測試其光學性質。在此實例中，使用IPS模式液晶胞；而 在其他實例中，使用VA模式及OCB模式液晶胞。使用本 發明之聚合物薄膜製造之塑性劑及光學補償膜之應用不受 這些液晶顯示裝置之驅動模式限制。 -1 6 9 - 1364438 使用實例1製造之醯化纖維素薄膜樣品101A，以 例1之相同方式製造偏光板101A。對其安裝由Arton (得自JSR)之單軸定向光學補償膜以使其具有光學 功能。在此結構中，使光學補償膜之面內遲滯之遲相 直偏光板I01A之穿透軸，不改變其面內性質而改良此 之目視特徵。光學補償膜之面內遲滯Re爲270奈米； 度方向遲滯Rth爲0奈米；及其Nz係數爲0.5。 製備兩對偏光板101A與光學補償膜之層合物， ^ 將其以各層合物之光學補償膜按「偏光板101A與光學 膜之層合物+IP S模式液晶胞+光學補償膜與偏光板1 〇 層合物」之次序在液晶胞側上之方式，與液晶胞堆疊 起。將此層合物結構內建於其中而建構液晶顯示器。 ，使上及下偏光板之穿透軸彼此垂直，而且使上偏 101A之穿透軸平行胞中液晶分子之主軸方向（即，光 償層之遲相軸係垂直胞中液晶分子之主軸）。在此直接 通常用於IPS之習知液晶胞、電極及基板。液晶胞之 • 爲水平定向，而且液晶胞具有正介電各向異性。其均 市售IPS模式液晶裝置。液晶胞之物理性質如下：液 △ η爲0.099;液晶層之胞隙爲3.0微米；前傾角爲5 磨擦方向在上及下基板均爲75度。 如實例1之偏光板1 0 1 Α之相同方式，使用實例 造之其他醯化纖維素薄膜樣品001A、101B至101G、 至116A、及102F至114F製造其他之偏光板。類似地 其層合光學補償膜，而且製備兩對各層合物。將其與 模式液晶胞內建於其中而建構顯示裝置。

如實 薄膜 補償 軸垂 結構 其厚 而且 補償 1 A之 在一 其中 光板 學補 使用 定向 用於 晶之 度； 1製 1 02 A ，將 IPS -170- 1364438

II谳 通過黑色顯示之IPS面板之漏光 (%) 0.48 0.05 0.06 0.04 0.05 0.04 0.04 0.06 Ο 0.13 0.06 0.08 0.04 0.05 0.05 0.04 0.07 0.06 0.04 0.03 0.04 0.05 0.06 ARth •Η 寸 12.5 ㈣ ㈣ ^5! rn 1 1 ㈣ ㈣ 12.7 | △Re rn 00 〇 OO ο 00 o OO ο OO d OO d 00 d Ό Ο VO 〇 〇〇 〇 〇〇 〇 ON 〇 OS 〇 VO 〇 VO 〇 寸 〇 寸 〇 〇 〇 Ό 〇 v〇 〇 寸 〇 光學性質 面內遲相軸方向 MD MD MD MD MD MD MD MD MD MD MD MD MD MD MD MD MD MD Q Η Q Η Q Η Q Η Q Η Rth(80) 630 nm 40.2」 1 14-8 1 1 14·8 1 」色 1 14·8 1 1 14·8 1 1 14.8 1 1 14·8 1 17.3 17·3 1 丨 u·7 1 Os 寸· 〇\ 寸 (N i/S (N Os τΤ ON <>i rji 〇\ ON Re(80) 630 nm oo CN <Ν CN oi (N (N (N 00 〇〇 y Η 卜 <Ν (N (N CN (N CN ♦-Η 1 i t-H 寸· 〇 寸 〇 〇 〇 寸 〇 比較性樣品 本發明樣品 比較性樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 處理方法 處理1 處理1 1處理2 I 1處理3 1 處理4 1處理5 1 1處理6 1 處理7 處理1 |處理6 | 處理1 I處理6 1 處理1 處理6 處理1 I處理0 1 處理1 I處理0 1 1處理1 1 1處理6 1 處理1 1處理6 1 處理1 薄膜樣品 1-^ 〇 r-H Τ-Η r Η Η ο *-Η ψ· i r*"H ψ '< Τ-Η Ο S r-H 〇 S Η 〇 τ-Η 〇 〇 〇 〇 〇 〇 醯化纖維素 薄膜樣品 001A 101A 101Β 101C 101D 101E 101F 101G 102A 102F 103Α 103F 104 A 104F 105A 105F 106 A 106F 107A 107F 108 A 108F 109 A — i 二— 1364438

S Vg 0.03 ~s g ο 〇 o Ο o 〇 〇 Ο Ο 〇 o o 卜 1〇 Lllil rn »—1 in Ll^l Ll^J Ll^J m (Ν CN Η rn T—< rn 1 i CN 寸 Ο <Ν Ο cs o —一 ο (N 〇 (Ν d 卜 ο 卜 o’ 〇 r- o Q Q Q ο Q Q Q Q Q Q Q Q Q Η 2 S S S S S S r- 〇0 〇〇 OO ν〇 OO V〇 (N Os ιτί 寸 寸 寸 r^_ vS 寸 ο 00 ο 00 o F-M On 〇 σ\ d oo o οο ο oo oo T·^ (N ^-H »〇 t i ng ng □g ng ng ng ng ng ng ng ng ng ng m m _ m m m m m m m m 郜 眵 恶 恶 餾 m 餾 鏹 餾 微 m 微 餾 粼 m 鹬 m 梏 柃 锊 恃 传 埒 讲 掩 件 -Η- 恃 v〇 mil 勸 mtl ffi1 \〇 mil 勸 r-^ rml w mil 勘 ΓΠ11 勘 rm 1 OT rml 勁 VO rml 棚 F·· ♦ tmj OT VO mU 勘 mil m mtl 勁 蜮 n 蜮 m 螋 蜮 魆 魆 頓 蜮 蜮 m m o T-H r-H Ο »—Η τ | H f—^ rH r < (N (N ^H ro τ»Η m 寸 T-H 寸 109F 110A 110F 111A 111F 112A 112F 113Α 113F 114A 114F 115A 116A 1364438 在以上方式建構之液晶顯示裝置中，自顯示器 定45度方位方向及70度偏光角方向之黑色顯示漏 ，而且得到之資料示於表11。具較小資料之裝置在 歪斜方向產生較小之漏光，因此具有較佳之顯示對 而可基於此資料評估液晶顯示裝置之視角特徵。通 明裝置之漏光程度爲1/50至1/4且小。此外，本發 之顯示變色亦小。其乃因爲本發明醯化纖維素薄膜 波長依附性各向異性（Re, Rth)分布小（即，本發明 關於其各向異性具有較低乏波長依附性），因此薄膜 及每個波長可具有相同及均勻之光學補償性質。此 發明人已發現，即使改變本發明聚合物薄膜之表面 法，所有經處理薄膜可具有良好之顯示性質，只要 薄膜之表面能量在預定範圍內及只要薄膜具有良好 力而得偏光板且偏光板之耐久性良好。如上所述， ，使用本發明之聚合物薄膜製造之光學補償膜及偏 有良好之視角特徵且無顯示變色。 [實例3](裝在VA模式或0CB模式液晶顯示裝置之 評估） 測試實例1製造之醯化纖維素，其係裝設或 JP-A 1〇-4842〇號專利之實例！所述之液晶顯示裝濯 9-2 6 5*72號專利之實例i所述之含碟狀液晶分子光 異性層與塗聚乙烯醇定向膜、jp_A 2000-154261號 第2至9圖之VA模式液晶顯示裝置、及jp_a2〇〇〇· 號專利之第10至1 5圖之0CB模式液晶顯示裝置。 前方測 光程度 45度 比。因 過本發 明裝置 樣品之 之薄膜 在任何 外，本 處理方 經處理 之作業 應了解 光板具 薄膜之 安裝在 :、JP-A 學各向 專利之 154261 其中， -173- 1364438 薄膜之影像對比及視角特徵均良好。 [實例4](光學補償膜之性質） 依照JP-A 7-3 3 3 43 3號專利之實例1所述之方法，使 用實例1製造之本發明醯化纖維素薄膜樣品製造光學補償 膜。如此得到之光學補償膜在所有側上均具有良好之視角 特徵。因而其證實本發明之醯化纖維素薄膜之光學應用優 良。 [實例5] (醯化纖維素薄之製造，表面處理及偏光板之層合測試） <醯化纖維素溶液T-1 1至T-1 3之製備> 將表12所示組成物置入混合槽中且在加熱下攪拌以 溶解成分，因而製備醯化纖維素溶液T- 1 1至T-1 3 » 1364438

(φ_¾:赵鲥)φ:链忉擦铤赇漶籍Λ3> _-(Nt嗽 BDP ON rn 鹿 璀 TPP oo x> 揉 醯化纖維素 加入量 ο » 1 Ο 〇 » 取代程度 2.86 (乙醯基） 2.86 (乙醯基） 2.94 (乙醯基） 1-丁醇 _ _ Η * μ * _< Ι'·Η 甲醇 二氯甲烷 ο 300 300 醯化纖維素溶液 T-ll Τ-12 Τ-13 -Vo二— 1364438 <可降低光學各向異性之化合物在NaOH水溶液中之pKa 及溶解度之評估> 依照上述方法，分析可降低光學各向異性之化合物（ 以下稱爲「光學各向異性降低劑」）在1.5莫耳/公升之55 C之NaOH中之pKa及溶解度。關於其pKa’分析化合物 其pKa是胥>14(不低於I4)。關於其溶解度，在目視觀察 中分析化合物是否有1 %之化合物溶於溶液中。資料示於表

^ 13-化合物之特徵 j學各向異性降低化合物 波長依附性各向異性分布改良劑 pKa logP 溶解度 C-419 - >14 3.3 <1% — C-430 - >14 4.2 <1% A-42 - >14 3.4 <1% HS-1 - 13 2.2 >1% 一 HS-2 - >14 0.5 >1% PL-10 - >14 2.6 <1% PL-43 - >14 5 <1% D-7 - >14 3.9 <1% — E-1 - >14 2.9 <1% _ FA-1 - >14 2.7 <1% _ FB-2 - >14 3.8 <1% _ FB-6 - >14 5.3 <1% - UV-112 >14 7.3 <1% HS-1 :

<添加劑溶液U-11至U-35之製備> 將表14所示組成物置入混合槽中且攪拌加熱以溶解 成分，因而製備添加劑溶液U-U至U-35。 -176- 1364438

(Φ_Μ :5ΐ) φ链Ν髮铤蘅另腾-寸ι谳 調配物 m 浴 拒 φ a uiK 舆 Κ m 1 1 1 1 1 晒 1 1 1 = 1 1 1 m 5質量份 5質量份 Μ »Τϊ SK 5質量份 1¾ m 5質量份 5質量份 <ίπ 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 UV-102 UV-102 UV-102 UV-102 UV-102 UV-102 UV-102 UV-102 UV-102 UV-102 UV-102 UV-102 蘅 盤 厄 ΙΨ 加入量 1 _ 1» 〇 iTi 50質量％ 50質量份 50質量份 Μ _ 50質量份 _ 1¾ 50質量份 50質量份 _ ft 50質量份 _ 舾 50質量份 50質量份 50質量份 50質量份 _ 1® 50質量份 50質量份 50質量份 50質量份 50質量份 50質量份 化合物 1 C-419 C-430 A-42 HS-1 HS-2 PL-10 PL-43 D-7 ώ FA-1 FB-2 FB-6 C-419 C-430 A-42 HS-1 HS-2 PL-10 PL-43 D-7 ώ FA-1 FB-2 FB-6 氍 Ε- 〇W K 20質量％ 20 Mm% _ » 20質量％ Μ 鲰 20質量份 20質量份 20質量份 _ 20質量份 20質量份 _ 20質量份 ϋ !» 20質量份 20質量份 Β]Β| 20質量份 20質量份 20質量份 20質量份 20質量份 20質量份 _ ft 20質量份 遯 Ε- 减 1 1 義 η Μ _ § 80質量％ 80質量份 _ _ § » _ 鲰 _ 鲰 § _ § _ 1¾ _ « § _ § _ g § ι|ϋ| _ 80質量份 _ 1¾ g 80質量份 Μ _ _ _ w g mim 1» § 添加劑溶液 U-11 U-12 U-13 U-14 U-15 U-16 U-17 U-18 U-19 U-20 U-21 U-22 U-23 U-24 U-25 U-26 U-27 U-28 U-29 U-30 U-31 U-32 U-33 U-34 U-35 —Γ-ΙΑ — 1364438 <醯化纖維素薄膜樣品002之製造> 將44質量份之添加劑溶液U-11加入477質量份之醯 化纖維素溶液T-11，而且完全攪拌而製備塗布漆。將塗布 漆經流延縫在冷卻至〇 °C之滾筒上流延。將形成之薄膜自 滾筒剝除，其具有70質量％之溶劑含量，而且將其寬度方 向兩端固定於針拉幅器（如JP-A4-1009號專利之第3圖） ，將其以橫向方向（垂直機械方向之方向）之抽拉比爲2% 之方式，乾燥成具有3至5質量％之溶劑含量。其次，將 • 薄膜在熱處理裝置之輥間輸送且在其中進一步乾燥。如此 製造厚80微米之醯化纖維素薄膜樣品002。其具有100米 之長度（流延方向）及1米之寬度（流延方向之面內垂直 方向）。 <醯化纖維素薄膜樣品2 0 1之製造> 將44質量份之添加劑溶液U-12加入465質量份之醯 化纖維素溶液T-1 2，而且完全攪拌而製備塗布漆。以如製 造醯化纖維素薄膜樣品002之相同方式，將塗布漆形成厚 ® 8 0微米之醯化纖維素薄膜樣品2 0 1。 <醯化纖維素薄膜樣品202至227之製造> 以如製造醯化纖維素薄膜樣品2 0 1之相同方式，製造 各厚約80微米之醯化纖維素薄膜樣品2 02至227，然而， 使用如表1 5之醯化纖維素溶液與添加劑溶液之組合代替 醯化纖維素溶液T-1 2及添加劑溶液U -1 2。 -178- 1364438 表15 醯化纖維素薄膜 醯化纖維素溶液 添加劑溶液 化合物 加入量 化合物 加入量 002 Τ-11 477質量份 U-11 44質量份 201 Τ-12 455質量份 U-12 44質量份 202 Τ-12 455質量份 U-13 44質量份 203 Τ-12 455質量份 U-14 44質量份 204 Τ-12 455質量份 U-15 44質量份 205 Τ-12 455質量份 U-16 44質量份 206 Τ-12 455質量份 U-17 44質量份 207 Τ-12 455質量份 U-18 44質量份 208 Τ-12 455質量份 U-19 44質量份 209 Τ-12 455質量份 U-20 44質量份 210 Τ-12 455質量份 U-21 44質量份 211 Τ-12 455質量份 U-22 44質量份 212 Τ-12 455質量份 U-23 44質量份 213 Τ-12 455質量份 U-24 44質量份 214 Τ-12 455質量份 U-25 44質量份 215 Τ-12 455質量份 U-26 44質量份 216 Τ-12 455質量份 U-27 44質量份 217 Τ-12 455質量份 U-28 44質量份 218 Τ-12 455質量份 U-29 44質量份 219 Τ-12 455質量份 U-30 44質量份 220 Τ-12 455質量份 U-31 44質量份 221 Τ-12 455質量份 U-32 44質量份 222 Τ-12 455質量份 U-33 44質量份 223 Τ-12 455質量份 U-34 44質量份 224 丁-12 455質量份 U-35 44質量份 225 Τ-13 455質量份 U-31 35質量份 226 Τ-13 455質量份 U-33 35質量份 227 Τ-13 455質量份 U-35 35質量份 <醯化纖維素溶液T-14之製備> 將以下組成物置入混合槽中且攪拌以溶解成分，因而 製備醯化纖維素溶液Τ-1 4。 <醯化纖維素溶液Τ-1 4之組成物> 醯化程度爲2.86之醯化纖維素 100.0質量份 二氯甲烷（第一溶劑） 402.0質量份 -179- 1364438 60.0質量份 甲醇（第二溶劑） <消光劑溶液之製備> 將20質量份之平均粒度爲16奈米之矽石顆粒（Nippon Aerosil之Aerosil R972)與80質量份之甲醇完全攪拌且 混合30分鐘而製備矽石顆粒之分散液。將分散液與以下組 成物置入分散器中，而且在其中進一步攪拌至少30分鐘以 溶解成分，因而製備消光劑溶液。 (消光劑溶液之組成物）

平均粒度爲16奈米之矽石顆粒之分散液 1〇.〇質量份 二氯甲烷（第一溶劑） 76.3質量份 甲醇（第二溶劑） 3.4質量份 醯化纖維素溶液（T-1 4) 10.3質量份 <添加劑溶液U-36之製備> 將以下組成物置入混合槽中，而且攪拌加熱而溶解成 分，因而製備添加劑溶液U-36。 (添加劑溶液U - 3 6之組成物）

光學各向異性降低化合物（FB-2) 90質量份 波長依附性各向異性分布改良劑（UV-102) 9.0質量份 二氯甲烷（第一溶劑） 58.4質量份 甲醇（第二溶劑） 8.7質量份 醯化纖維素溶液（T-1 4) 1 2.8質量份 (醯化纖維素薄膜樣品2 2 8之製造） 將94.6質量份之醯化纖維素溶液（π 4)、1.3質量份 之消光劑溶液、與4.1質量份之添加劑溶液（U· 3 6)分別地過 -180- 1364438 濾，然後混合。使用帶式流延機將混合物在帶上流延。在 上述組成物中，光學各向異性降低化合物及波長依附性各 向異性分布改良劑對醯化纖維素之質量比例各爲1 2%及 1 .2%。將具有30%之殘餘溶劑含量之薄膜自帶剝除，及在 140 °C乾燥40分鐘。其爲醯化纖維素薄膜228。如此製造 之醯化纖維素薄膜之殘餘溶劑含量爲0.2%，及薄膜之厚度 爲80微米。 [表面處理] # 使在此製造之醯化纖維素薄膜樣品002如下接受表面 處理。 (處理1 ) 將製造之醯化纖維素薄膜樣品002浸於55°C之1.5 N 之氫氧化鈉水溶液中2分鐘。然後將其在室溫水浴中清洗 ，及以·30°ί：之0.1 N之硫酸中和。將其再度在室溫水浴中 清洗，及以l〇〇°C熱風乾燥。以此方式，將醯化纖維素薄 膜之表面鹼皂化而得皂化薄膜樣品002Α。 • (處理2 ) 將製造之醯化纖維素薄膜樣品002浸於20 °C之0.1 N 氫氧化鈉水溶液中1 〇分鐘。然後將其在室溫水浴中清洗， 及以3 0 °C之〇 · 1 N硫酸中和。將其再度在室溫水浴中清洗 ，及以1〇〇 °C熱風乾燥。以此方式，將醯化纖維素薄膜之 表面鹼巷化而得巷化薄膜樣品002B。 <薄膜樣品201至228之表面處理> 如同薄膜樣品002，亦使在此製造之薄膜樣品201至 228接受如表17之表面處理。如此處理，依照其處理方法 -181- 1364438 稱薄膜樣品之號碼爲A與B。 <表面能量之測定> 在此製造之各薄膜樣品之表面能量係如下測定：具 而言，在欲分析薄膜之中央部份切開大小爲30毫米X 毫米之樣品片。將其在251及60% RH調節2小時，然 水平地置於水平床上，及將預定量（20微升）之水與二 甲烷塗佈於樣品表面上。在預定時間（3 0分鐘）後’測 樣品表面與水及與二碘甲烷之接觸角。由如此測量之接 φ 角資料，依照Owens法求得樣品之表面能量》將15個樣 在薄膜寬度方向按3 0毫米間隔切割，及將5 0個樣品在 膜流延方向按5 0毫米間隔切割。以如上方式分析其表面 量，而且得到如此測量之最大値與最小値間之差之絕對 AE。其表示薄膜表面能量波動之指數。 <光學性質之評估> 評估在此製造之薄膜樣品之光學性質 Re(63 0) Rth(63 0)、|Re(400)-Re(700)卜及 |Rth(400)-Rth(700)|， g Re(63 0)與 Rth(630)之分布 ARe(63 0)與 ΔΙ111ι(630)，而且偵 其遲相軸之方向。 <正交偏光不均勻性之評估> 將製造之薄膜樣品置於兩片正交偏光之偏光板之間 及檢查在垂直方向與歪斜方向是否有薄膜不均勻性。其 用於評估薄膜樣品之表面條件。 A :未發現不均勻性。 B: 發現一些不均勻性但可忽略。 C : 發現不均勻性。 體 40 後 碘 里 Him 觸 品 薄 能 値 及 測 係 - 182- 1364438 [偏光板之層合測試] 測試經表面處理薄膜樣品及無表面處理薄膜樣品在製 造偏光板時之黏著性。 即，將厚80微米之整捆聚乙烯醇薄膜在碘水溶液中連 續地拉伸5倍，及乾燥而製備偏光膜。製備兩片塗有黏著 劑之薄膜樣品201 A，而且將其以偏光膜夾在其間而彼此黏 附。如此得到兩個表面上均以醯化纖維素薄膜201A保護之 偏光板。其中，控制偏光板兩側上之醯化纖維素薄膜樣品 φ 20 1之遲相軸使得其可平行偏光膜之穿透軸。使用任何其 他之經表面處理薄膜樣品及無表面處理薄膜樣品（如表1 6 及表17之醯化纖維素薄膜樣品），以相同方式製造其他偏 光板。 <黏著性> ’ 依照下述方法測試如此製造之偏光板樣品之黏著性。 具體而言’將各偏光板樣品在其預定位置處重複地以90度 折疊五次’及按樣品之折疊部份有無脫落而評估各樣品之 _ 黏著性。 A :未發現脫落。 B :發現脫落。 <作業力> 依照下述方法測試在此製造之偏光板樣品之作業力。 具體而言’以單面刀具切割偏光板樣品，及按樣品之切割 部份周圍有無脫落而評估其作業力。 A :未發現脫落。 B :發現脫落。 -183- 1364438 <黏著性耐久性ι> 依照下述方法測試在此製造之偏光板樣品之黏著性耐 久性。具體而言，將偏光板樣品在60 °C /90% RH之條件下 保持200小時，然後按樣品在儲存後有無脫落及樣品在儲 存後有無正交偏光不均勻性而評估其黏著性耐久性。 1) 脫落： A :未發現脫落。 B :發現脫落。 _ 2)不均勻性： A:未發現不均勻性。 B :發現不均勻性。 <黏著性耐久性2> 依照下述方法測試在此製造之偏光板樣品之黏著性耐 久性。具體而言，將偏光板樣品在80°C保持200小時，然 ί轰按樣品在儲存後有無脫落及樣品在儲存後有無正交偏光 $均勻性而評估其黏著性耐久性。 φ Π脫落： A :未發現脫落。 B :發現脫落。 2) 不均勻性： A :未發現不均勻性。 B:發現不均勻性。 在此製造之薄膜樣品及偏光板之測試結果及評估示於 表1 6及表1 7。 -184- 1364438

»起經嫩杓猛剧||闼撇-9 1嗽 (N m << 不均勻性 < < < < < < < < < < C < c 基 脫落 P3 PQ CQ OQ PQ 0Q 0Q CP CD CQ m »__钃 m << 不均勻性 < < < < < < < < < < < < < Μ 脫落 P3 m m 0Q 0Q CQ D3 PQ CQ PQ CO CQ 偏光板作業力 作業力 CQ CQ PQ CQ CQ 0Q PQ CQ PQ PQ 0Q 黏著性 CQ 0Q PQ OQ CQ CQ PQ DQ CQ CQ PQ PQ CQ 表面條件 ARe(630) 1 (N CN CN CN (N CN r 1 i (N CM <N △Rth(630) 1 's·—/ (N <N CN <N <N <N CN T"H 正交不均勻性 < < < < < < < < < < < < < 表面能量 接觸角(。） 二氯甲烷 〇〇 〇〇 CS V〇 CM OO CS (N OO CN OO <N VO CN (N JO C4 rn JO 表面能量之計算値 • B % 菩 醯化纖維素 薄膜 S 〇 202 203 204 205 207 208 209 210 CN 212 1364438

< < < < < < < < < < < < < < < < CQ OQ CQ CQ CQ CQ OQ m CQ CQ m m CQ CQ CQ OQ < < < c < < < < < < < <c <d < < <c m 03 CO m OQ OQ ffl CQ CQ ffl CQ « ffl ffl ffl CQ CQ « CO CQ ffl OQ CQ CQ OQ pq m m P3 0Q m m OQ CQ CQ CQ CP « DQ CQ 〇Q PQ m m CQ m • I (N <N (N (N (N (N CM CN T-H (N CM CN r-H (N CN <N (N CN CN (N <N < < < < < < < < < < c < < < < < oo CN OO (N 00 (N OO (N 00 (N (N (N 00 <N oo CN 00 (N 00 <N rn to pi (N JO in (N cn VO to JO JO JO (N 等 等 r〇 r—^ (N 214 215 216 217 oo (N 219 O <N (N (N CN fN <N (N ro <N (N 224 <N <N vo CN (N 227 228

f I ϋ 。鼴驭K-mlTiH'iipiiK-lE 粼蕤s:03。耜JIT/lilf^鹬张：V -9(5011 1364438

»铝鹦溉-N班刮蝤晅谳-二谳

光學性質 遲相軸方向 MD MD MD MD MD MD MD MD MD MD MD MD MD MD MD MD MD MD MD MD MD MD MD |Re(450)-Re(700)| <N <N <N <N 1·^ (N fNj (N (N (N CS (N (N CN Re(600) <N (N (N v H CN (N i I CN (N CN <N 零 (N I·1 H CN <N (N (N (N CN |Rth(450)-Rth(700)| (N cn cn m CN m fN cn m m (N m cn CN <N m (N m OO r- OO oo f-H 卜 Os Rth(630) 〇 1 CN VO (N 喜 <N oo yn 寸 1 v〇 1 G\ OO ^4 ΓΛ m 表面處理 i______ . 處理1 處理2 處理l 處理1 處理1 處理1 處理2 處理1 處理2 處理1 處理1 處理1 處理1 處理1 處理1 處理1 處理1 處理1 處理1 處理1 處理2 處理1 處理2 醯化纖維素 薄膜 002A 002B 201A 202A 203A 204A 204B 205A 205B 206A 207A 208A 209A 210A 211A 212A 213A 214A 215A 216A 216B 217A 217B —卜001 — 1364438

MD MD MD MD MD MD MD MD Q H Q H Q H CN <N CM <N (N (N (N CN » _ H (N <N (N <N <N oo OO Os OO 寸 卜 00 On 寸 OO T-^ oo (N OO Os Ο (Ν 〇 00 〇 o »-H 處理1 處理1 處理1 處理1 處理1 處理1 處理1 處理1 處理1 處理1 處理1 218A 219A 220A 221A 222Α 223Α 224A 225A 226A 227A 228A -00001 — 1364438

糴；I概 CS << 不均勻性 < < < < < u < ffl < < < < < < < < < < < u < CQ < < 脫落 < u < C < < u < CQ < < < < < < < < < < < u < OQ < ψ 1 i m << 不均勻性 < < < < < o C CQ < < < < < < < < < < < u < « < < m 脫落 < o < < < < u < CQ < < < < < < < < < < < o < CQ < 偏光板作業力 作業力 < υ < < < < o < CP < < < < < < < < < C < u < CQ < 黏著性 < o < < < < o < < < < < < < < < < < < o < CQ < 表面條件 △Rth(630) CN CN VI <N rn (N <N ΜΊ <N 卜 (N <N CN t ' i <N cn <N r*H CN (N 卜 △Re(630) CN (N (N CS (N CN <N <N (N CN (N T—^ CN (N (N »··Η 正交不均勻性 < c < < < o < PQ < ffl < <: < < < < < C < U c CQ < CQ mim <nc 瞄 表面能量分布ΔΗ 計算値 (mNm'1) 寸 CN 寸 m oo >'H 寸 寸 m OO m 寸 寸 寸 寸 寸 m 寸 (N —— 寸 卜 接觸角(°) 二氯甲烷 m CN cn CN ΓΟ m m (N m CN CO q] m ro $ m m ro <N (N m (N m <N m CN m cn CM cn (N r〇 m m cn m ο m o Ό m O vn VO m S 00 ro P； 沄 c\ m ro Ό m On m v〇 m 〇 ΠΊ CO vo oo m 表面能量 之計算値 (mNm·1) v〇 v〇 VO (N v〇 Ό Co JO m VO <N v〇 CN v〇 <N v〇 S CO Ό (N m VO (N VO VO ΠΊ Ό (N 醯化纖維素 薄膜 001A 001B 201A 202A 203A 204A 204B 205A 205B 206A 207A 208A 209A 210A 211A 212A 213A 214A 215A 216A 216B 217A 217B 218A 丨 6001 - 1364438

< < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < < <c < < < < < < < < < (N (N r·^ (N t H CN (N (N CN <N (N CnJ (N (N (N CS < < c < < c c < c < <N 寸 寸 <N m CN ΓΛ m m CN (N m CN m (N m (N m (N m (N m m P； On m m Os m 沄 m Os ΓΟ oo CO <N (N (N V〇 VO <N VD CN Ό 219A 220A 221A 222A I 223A I 224A I 225A 226A 227A 228A 。鼴 iafK-Ιί網：3 。鼷f ITf f ¥ί粼雲：a iikm 粼伥：v -061 — 1364438 以上之結果證實，使用在此所述化合物製造之本發明 薄膜樣品可具有降低之光學各向異性。此外，此結果進一 步證實，在使用在鹼皂化溶液中具有至少14之PKa之化合 物及小溶解度之化合物時，薄膜之面內光學性質可均勻地 安定化，此外，在將薄膜之表面能量控制在預定範圍內時 ，薄膜具有可良好之作業力而得偏光板，而且使用此薄膜 製造之偏光板可具有良好之耐久性。 [實例6:裝在IPS模式液晶顯示裝置之薄膜之評估] 將實例5製造之醯化纖維素薄膜裝在液晶顯示裝置且 測試其光學性質。在此實例中，使用IPS模式液晶胞；而 在其他實例中，使用VA模式及OCB模式液晶胞。使用本 發明之聚合物薄膜製造之塑性劑及光學補償膜之應用不受 這些液晶顯示裝置之驅動模式限制。 使用實例5製造之醯化纖維素薄膜樣品20 1 A，以如實 例5之相同方式製造偏光板20 1A。對其安裝由Arton薄膜 (得自JSR)之單軸定向光學補償膜以使其具有光學補償 功能。在此結構中，使光學補償膜之面內遲滯之遲相軸垂 直偏光板201A之穿透軸，不改變其面內性質而改良此結構 之目視特徵。光學補償膜之面內遲滯Re爲270奈米；其厚 度方向遲滯Rth爲0奈米；及其Nz係數爲0.5。 製備兩對偏光板201A與光學補償膜之層合物，而且 將其以各層合物之光學補償膜按「偏光板201 A與光學補償 膜之層合物+IPS模式液晶胞+光學補償膜與偏光板201 A之 層合物」之次序在液晶胞側上之方式，與液晶胞堆疊在一 -19 1- 1364438 起。將此層合物結構內建於其中而建構液晶顯示器 ，使上及下偏光板之穿透軸彼此垂直，而且使上 201 A之穿透軸平行胞中液晶分子之主軸方向（即， 償層之遲相軸係垂直胞中液晶分子之主軸）。在此直 通常用於IPS之習知液晶胞、電極及基板。液晶胞 爲水平定向，而且液晶胞具有正介電各向異性。其 市售IP S模式液晶裝置。液晶胞之物理性質如下： △ !1爲0.099:液晶層之胞隙爲3_0微米；前傾角爲 • 磨擦方向在上及下基板均爲75度。 如實例5之偏光板201A之相同方式，使用其 化纖維素薄膜樣品製造其他之偏光板。類似地，將 光學補償膜，而且製備兩對各層合物。將其與IPS 晶胞內建於其中而建構顯示裝置》 在以上方式建構之液晶顯示裝置中，自顯示器 定45度方位方向及70度偏光角方向之黑色顯示漏 ，而且得到之資料示於表1 8。具較小資料之裝置在 ® 歪斜方向產生較小之漏光，因此具有較佳之顯示對 而可基於此資料評估液晶顯示裝置之視角特徵。通 明裝置之漏光程度爲1/5〇至1/4且小。此外，本發 之顯示變色亦小。其乃因爲本發明醯化纖維素薄膜 波長依附性各向異性（Re，Rth)分布小（即，本發明 關於其各向異性具有較低之波長依附性），因此薄膜 及每個波長可具有相同及均勻之光學補償性質。此 發明人已發現，即使改變本發明聚合物薄膜之表面 。其中 偏光板 光學補 接使用 之定向 均用於 液晶之 5度； 他之醯 其層合 模式液 前方測 光程度 :45度 比。因 過本發 明裝置 樣品之 之薄膜 在任何 外，本 處理方 -192- 1364438 法，所有經處理薄膜可具有良好之顯示性質，只要經處理 薄膜之表面能量在預定範圍內及只要薄膜具有良好之作業 力而得偏光板且偏光板之耐久性良好。如上所述，應了解 ’使用本發明之聚合物薄膜製造之光學補償膜及偏光板具 有良好之視角特徵且無顯示變色。 表18 醯化纖維素薄膜 註 IPS面板上 IPS面板上 黑色顯示之漏光 黑色顯示之不均勻性 (%) (%) 002A 比較性樣品 0.54 0 201A 本發明樣品 0.12 0 202A 本發明樣品 0.11 0 203A 本發明樣品 0.13 0 204A 本發明樣品 0.12 0 205A 本發明樣品 0.14 0 206A 本發明樣品 0.11 0 210A 本發明樣品 0.12 0 212A 本發明樣品 0.12 0 214A 本發明樣品 0.06 0 215A 本發明樣品 0.09 0 216A 本發明樣品 0.08 0 218A 本發明樣品 0.13 0 220A 本發明樣品 0.06 0 221A 本發明樣品 0.04 0 223A 本發明樣品 0.04 0 225A 本發明樣品 0.06 0 225A 本發明樣品 0.06 0 227A 本發明樣品 0.04 0 [實例7:裝在VA模式或0CB模式液晶顯示裝置之薄膜之 評估] 測試實例5製造之醯化纖維素，其係裝設或安裝在 JP-A 1 0-4 8420號專利之實例i所述之液晶顯示裝置、jP_A 9 - 2 6 5 7 2號專利之實例}所述之含碟狀液晶分子光學各向 異性層與塗聚乙烯醇定向膜、JP-A 2000- 1 5426 1號專利之 1364438 第2至9圖之VA模式液晶顯示裝置、及JP-A2000-154261 號專利之第10至15圖之OCB模式液晶顯示裝置。其中， 薄膜之影像對比及視角特徵均良好。 [實例8 :光學補償膜之性質] 依照JP-A 7-3 3 3 43 3號專利之實例1所述之方法，使 用實例5製造之本發明醯化纖維素薄膜樣品製造光學補償 膜。如此得到之濾光膜在所有側上均具有良好之視角特徵 。因而其證實本發明之醯化纖維素薄膜之光學應用優良。 在藉由控制其表面能量條件而進一步改良其於具有 4 00至8 00奈米之可見光範圍之Re及Rth小，及其波長依 附性Re及Rth波動亦小之醯化纖維素薄膜，以使其具有良 好之作業力，及使其在作爲加工薄膜具有良好之耐久性時 ，此薄膜可應用於具有降低波長依附性各向異性分布之影 像顯示裝置領域，因此具有改良之顏色顯示力。 [實例9](光學補償膜之性質） 依照JP-A 2003-31554〗號專利之實例1所述之方法， 如下所述使用本發明之聚合物薄膜製造光學補償膜。將由 2,2’-貳（3,4-二羧基苯基）六氟丙烷二酐（6?0六）與2,2’-貳 (三氟甲基）-4,4’-二胺基聯苯（TFMB)製造，而且具有 70，000之重量平均質量（Mw)及約0.045之Δη之聚醯亞胺溶 於環己烷溶劑中，而製備其2 5重量％溶液。將其塗佈於實 例1製造之本發明聚合物薄膜樣品114(厚度爲80微米） 。其次，將其在100 °C加熱10分鐘，然後於160 °C在機械 方向單軸地拉伸15%，因此製造包括塗有6微米厚聚醯亞 -19 4- 1364438 胺薄膜之本發明聚合物薄膜樣品114之光學補 學補償膜之光學性質如下：此光學補償膜具有 及Rth = 2 2 0奈米，其定向軸偏移角係在±3度內 有nx>ny>nz之雙折射。 (比較例） 以如上之相同方式製造塗有6微米厚聚醯 光學補償膜，然而，將聚醯亞胺塗佈於薄膜樣 度爲80微米）代替聚合物薄膜樣品114。光學 學性質如下：Re = 75奈米，Rth = 280奈米。 (裝於VA模式液晶顯示裝置之薄膜之評估） 使實例9及比較例製造之光學補償膜在其 亞胺薄膜之側上接受鹼皂化。以聚乙烯醇黏著 於偏光元件，即，將薄膜直接黏附於偏光元件 光學補償膜之nx方向垂直偏光元件之吸收軸。 晶胞側上之方式，以黏著劑將光學補償膜層合 液晶面板。在液晶胞之另一側上，以偏光板之 垂直之方式，以黏著劑將僅偏光板黏附於VA 板。測試如此建構之液晶顯示裝置之視角特徵 實例1之本發明聚合物薄膜樣品1 1 4之光學補 側上之視角特徵均優於樣品〇 0 1之光學補償膜 本發明聚合物薄膜在作爲VA模式裝置之遲滯 〇 [實例10] (聚合物薄膜之製造） 償膜。此光 Re=72奈米 ，而且.其具 亞胺薄膜之 品 〇 〇 1 (厚 補償膜之光 未塗覆聚醯 劑將其黏附 。其中，使 以薄膜在液 至 VA模式 吸收軸彼此 模式液晶面 。結果，具 償膜在所有 。因而證實 薄膜時優良 -195- 1364438 使用醯化纖維素作爲本發明聚合物薄膜之材料。 <醯化纖維素溶液之製備> 將以下組成物置入混合槽中且攪拌以溶解成分，因而 製備醯化纖維素溶液。使用三型之醯化纖維素，其各具有 不同之醯化程度（Ac/OH = 2.86/O.14)、（Ac/OH = 2.92/0_08)、 (Ac/Pro/OH=1_9/0.8/0_3)，其中Ac表示乙醯基取代程度， Pro表示丙醯基取代程度，及0H表示未取代羥基，而且此 比例係關於醯化程度。 ·<醯化纖維素溶液之組成物> 醯化纖維素 1 0 0 . 〇質量份 二氯甲烷（第一溶劑） 402.0質量份 甲醇（第二溶劑） 60.0質量份 <消光劑溶液之製備> 將20質量份之平均粒度爲16奈米之矽石顆粒（Nippon AeroSil之Aerosil R972 )與80質量份之甲醇完全攪拌且 混合30分鐘而製備矽石顆粒之分散液。將分散液與以下組 ® 成物置入分散器中，而且在其中進一步攪拌至少30分鐘以 溶解成分，因而製備消光劑溶液。 (消光劑溶液之組成物） 平均粒度爲16奈米之矽石顆粒之分散液 1〇.〇質量份 二氯甲烷（第一溶劑） 76.3質量份 甲醇（第二溶劑） 3.4質量份 以上之醯化纖維素溶液 1 0 · 3質量份 <添加劑溶液之製備> -196- 1364438 將以下組成物置入混合槽中，而且攪拌加熱而溶解 分，因而製備添加劑溶液。光學各向異性降低化合物及 長依附性各向異性分布改良劑示於表19 (添加劑溶液之組成物）. 光學各向異性降低化合物 波長依附性各向異性分布改良劑 二氯甲烷（第一溶劑） 甲醇（第二溶劑） 醯化纖維素溶液 <醯化纖維素薄膜樣品301至3 05之製造 將94.6質量份之醯化纖維素溶液、1.3質量份之消 劑溶液、與4. 1質量份之添加劑溶液分別地過濾，然後 合。使用帶式流延機將混合物在帶上流延。在上述組成 中，光學各向異性降低化合物及波長依附性各向異性分 改良劑對醯化纖維素之質量比例各爲1 2%及1 .2%。將具 3 0 %之殘餘溶劑含量之薄膜自帶剝除，及在130°C乾燥 分鐘。如此製造殘餘溶劑含量小於〇 . 1 %，及薄膜之厚度 80微米之醯化纖維素薄膜。 (比較例） 以如實例1 0之相同方式製造比較性薄膜樣品〇 〇 3 A 然而，其中不使用光學各向異性降低化合物及波長依附 各向異性分布改良劑。 類似地，以如實例1 0之相同方式製造比較性薄膜樣 00 3 B，然而，其使用醯化纖維素用塑性劑TPP (磷酸三 成 波 49.3質量 7.6質量{ 58.4質量 8.7質量ί 12.8質量 份 份 份 光 混 物 布 有 20 爲 性 品 苯 -197- 1364438 酯）代替光學各向異性降低化合物。 評估實例1 〇製造之本發明樣品;ί 示於表19。含本發明較佳化合物之聚 比較例小之Re及Rth。低分子化合物 膜賦與疏水性，但是在比較性薄膜樣^ 未使用低分子化合物，薄膜表面爲親 蝕。比較性樣品〇 0 3 B含一種不與醯化 合物，因此化合物易自薄膜溶至鹼溶 • 被鹼溶液腐蝕，而且其Re及Rth易茂 另一方面’本發明之樣品含與醯 低分子化合物，而且化合物在驗巷化 。因此，皂化溶液在450奈米處之吸 分子化合物在皂化處理前後不自薄膜 ，結果可降低薄膜在皂化前後之Re 3 鹼皂化循環具體而言如下：將具 之大小之薄膜樣品浸於5 5 °C之1 . 5 N ® 2分鐘，然後以30°C之0.1 N之硫酸 洗水浴中清洗，及在100 °C乾燥。 L比較例，而且其資料 合物薄膜樣品具有較 通常對醯化纖維素薄 右003A中，由於完全 水性且易被鹼溶液腐 纖維素薄膜相容之化 液中。結果，薄膜易 〔變〇 化纖維素高度相容之 溶液中之溶解程度小 收度小。換言之，低 溶出而保留於薄膜中 L Rth變化。 有10公分X 10公分 之氫氧化鈉水溶液中 溶液中和，在室溫清 -198- 1364438

61漱 薄膜遲滯（皂化前） Rth (nm) VO cn CN 14.9 rji P； -4.2 (N Re (nm) (N wS 〇s Ο) r- Μ CO d 低分子化合物 波長依附性各向異性分布改良劑 1 I UV-102 UV-102 1 UV-102 UV-102 光學各向異性降低劑 1 Α-19 Α-19 FB-6 TPP Α-19 A-19 聚合物材料 醯化比例 Ac/OH = 2.86/0.14 Ac/OH =2.86/0.14 Ac/OH = 2.86/0.14 Ac/OH = 2.86/0.14 Ac/OH = 2.86/0.14 Ac/OH = 2.92/0.08 Ac/Pro/OH= 1.9/0.8/0.3 化合物* CA δ 3 CAP 比較性樣品 本發明樣品 本發明樣品 本發明樣品 比較性樣品 本發明樣品 本發明樣品 樣品號碼 003A 〇 ΓΟ S m s CO 003B 304 s m iMlHdvolfuiA3> 丨66 I — 1364438

驅-61谳 鹼皂化溶液 吸收度 (450nm) 0.15 0.04 0.04 1 0.02 0.07 0.01 0.03 低分子化合物之溶解 1 yr\ v〇 CN 寸 C> CN 皂化前後之遲滯變化 |Rth-Rth，| (nm) m (N o (N (N cn o cn 〇i |Re-Re’| (nm) 〇〇 ψ H 0.63 卜 0.05 O) 薄膜（皂化後） 表面能量 MM 1 B \ g lilin Ό MD Ό (N VO v〇 面內遲相軸方向 MD MD MD MD MD Q H MD 遲滯 Rth，(nxn) VO v〇 Os -1.5 -3.9 寸 Re’(nm) 卜 o <N o (N 卜 o 1 ^ \〇 o 寸· 寸 樣品號碼 s o 〇 m s cn s s o 304 s m — οοε — 1364438 在藉由控制其表面能量條件而進一步改良其於具有 400至8 00奈米之可見光範圍之Re及Rth小，及其波長依 附性Re及Rth波動亦小之醯化纖維素薄膜，以使其具有良 好之作業力，及使其在作爲加工薄膜具有良好之耐久性時 ，此薄膜可應用於具有降低波長依附性各向異性分布之影 像顯示裝置領域，因此具有改良之顏色顯示力。 • 產業可利用件 依照本發明，可製造一種具有降低光學各向異性且具 • 有降低波長依附性Re及Rth分布之聚合物薄膜。在將聚合 物薄膜用於影像顯示裝置（如液晶顯示裝置）之偏光板時 ，如角度依附性及顯示影像對比之可視力可較佳。此外， 此聚合物薄膜製造偏光板之作業力較佳，此外，具此聚合 物薄膜之偏光板之耐久性亦較佳。此外，使用本發明之聚 合物薄膜可提供如光學補償膜及偏光板之具有良好視角特 徵之光學材料，及提供包括此光學材料之液晶顯示裝置。 在本申請案中已請求優先全之各外國專利申請案之全 ® 部揭示在此倂入作爲參考，如同完全地敘述。 【圖式簡單說明】 第1圖爲顯示一個可應用於本發明電漿處理中之大氣 電漿處理裝置之實例之橫切面圖； 第2圖爲顯示一個可應用於本發明電漿處理中之連續 真空電漿處理裝置之實例之橫切面圖；及 第3圖爲顯示一個可應用於本發明電漿處理中之火燄 電漿處理裝置之實例之橫切面圖。 -201- 1364438 【主要元件符號說明】

1 電極 2 樣品 4 入口 5 出口 6 入口 7 出口 12 處理室 13，14 電極 15 高頻電源 B 燃燒器 C 擋板（外燄控制器） E, E, 外燄 F 樣品薄膜 G 有效火燄 I 內燄 S 有效處理孔（縫） -202-

Claims (1)

1364438 十、申請專利範圍： 1· 一種聚合物薄膜，具有滿足式（i)及（ii)之面內遲滯Reu) 及厚度方向遲滯其中λ表示.波長（奈米）），而且 進一步至少一個表面具有50毫牛頓/米至80毫牛頓/米 之表面能量： (i) 〇SRe(63〇)S!〇，及 |Rth(63〇)|S25;及 (ii) |Re( 4 0 0 )-Re( 7 0 0 )|Sl 0 ’ 及 |Rth(4 0 0 )-Rth( 7 0 0 )|$3 5。 2·如申請專利範圍第1項之聚合物薄膜， 其中聚合物薄膜之表面能量之面內分布ΔΕ爲10或以下。 3 .如申請專利範圍第1或2項之聚合物薄膜， 其中聚合物薄膜之至少一個表面經表面處理，而且在表 面處理前經表面處理表面之表面能量爲30毫牛頓/米至 5〇毫牛頓/米，而且在表面處理後經表面處理表面之表面 能量爲50毫牛頓/米至80毫牛頓/米。 4.如申請專利範圍第丨或2項之聚合物薄膜， 其中 Re(>_j Rth(x_)之面內分布△Re(A_AARth(?l)滿足式（iii) 及（iv): (iii) ΔΙΙε(;^5;及 (iv) ARth⑴£ 1 〇。 5 .如申請專利範圍第3項之聚合物薄膜， 其中表面處理前後之Re及Rth變化滿足式（v)及（vi): (v) 丨 Re-Re，|sl0;及 (vi) |Rth-Rth5 |<20 · 其中Re表示表面處理前之薄膜面內遲滯（奈米）； -203 - 1364438 Re’表示表面處理後之薄膜面內遲滯（奈米）： Rth表示表面處理前之薄膜厚度方向遲滯（奈米）；及 Rth’表示表面處理後之薄膜厚度方向遲滯（奈米）。 6·如申請專利範圍第1或2項之聚合物薄膜，其包括至少 一*種可降低光學各向異性之化合物。 7·如申請專利範圍第6項之聚合物薄膜，其包括至少一種 在滿足式（viii)之範圍內滿足式（vi i)之可降低光學各向 異性之化合物： (vii) (RthA-Rth〇)/A<-1 .0 » (viii) 0.0 1<A<30 > 其中RthA表示含A質量％之此至少一種化合物之薄膜之 Rth (奈米）； Rth〇表示不含此至少一種化合物之薄膜之Rth(奈米）； 及 A表示此至少一種化合物相對起始聚合物質量之質量％ ，以薄膜爲100。 8.如申請專利範圍第1或2項之聚合物薄膜，其包括至少 —種可降低 |Re(40G)-Re(7QQ)| 及丨Rth(4GG)-Rth(7GG)| 之化合 物。 9 .如申請專利範圍第3項之聚合物薄膜， 其中表面處理爲鹼皂化。 1 0 .如申請專利範圍第6項之聚合物薄膜， 其中在鹼皂化處理中，至少一種可降低光學各向異性 之化合物在鹼溶液中之溶解程度爲20質量％或以下。 -204- 1364438 11·如申請專利範圍第9項之聚合物薄膜， 其中在將薄膜表面鹼皂化處理後，鹼溶液在450奈米之 吸收度爲0.1或以下。 12.如申請專利範圍第6項之聚合物薄膜， 其中至少一種可降低光學各向異性之化合物之pKa爲14 或以上。 1 3 ·如申請專利範圍第3項之聚合物薄膜， 其中表面處理爲電漿處理。 ® 1 4 ·如申請專利範圍第3項之聚合物薄膜， 其中表面處理爲電暈處理。 15.如申請專利範圍第1或2項之聚合物薄膜， 其中形成薄膜之聚合物材料包括醯化纖維素。 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項之聚合物薄膜， 其中醯化纖維素中之醯基取代基實質上僅爲乙醯基，總 取代程度爲2_80至2.99,及聚合物之平均聚合程度爲180 至 5 5 0 〇 ® 1 7 ·如申請專利範圍第1 5項之聚合物薄膜， 其中醯化纖維素中之醯基取代基實質上包括乙醯基/丙 醯基/ 丁醯基至少之二，及醯化纖維素之總醯基取代程度 爲 2.50 至 3.00 。 1 8 .—種光學補償膜，其包括形成於如申請專利範圍第1項 之聚合物薄膜上之光學各向異性層，及其中光學各向異 性層滿足式（ix): (ix) Re = 0 至 200(奈米），及 |Rth丨=0 至 400(奈米）。 •205- 丄 叶JO 9.—種偏光板，其包每 赛少一片如申請專利範圍第1項之 合物薄膜及如申_ # , _ 耀利範圍第1 8項之光學補償膜作 偏光兀件之保護皞 2 〇 .—種液晶顯示裝置， 舞包括 物薄膜及如申請專利_圍第 者0 申請專利範圍第1項之聚合 18項之光學補償膜之任一 21.—種乂八或IPS液晶顯示裝置，其包括申請專利範圍第 1項之聚合物薄膜及如申請專利範圍第1 8項之光學補償 膜之任一者。

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