TWI361824B - - Google Patents
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Description
1361824 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 ▲本發明係有關透明導電膜形成用組成物、透明導電 膜、及在顯示面上具有透明導電膜的顯示器。更詳述之, :有關在各式各様的透明基材之表面、特収在[CD或電 水顯不器等的顯示面上塗布或印刷並使其硬化並可形成具 有非#優異的耐擦傷性、優異的防靜電特性、且可見光穿 日貝ί 的透明^電膜之組成物’本發明並有關這種透 =膜’以及在顯示面上具有這種透明導電膜的顯示器。 【先前技術】 曰曰顯示器、陰極管顯示裝置等晝像顯示裝置及光 日有防反射膜的使用。對於此反射膜,除了高透 物等ίΓ”特性之外,尚有耐擦傷性及防止塵埃或污 声中\附者的功能要求。因此,在防反射膜的高折射率 ί有優具有高透明性及高折射率特性之外,尚要求 具有優異的耐擦傷性及防靜電特性。 a,對防反射膜的高折射率層賦與防靜電特性的方 1厘w牛例如添加界面活性劑、導電性高分子、或導電性 金屬氧化物的方法,但在考量 一 及高折射率的胺主曰^ 具有水久防靜電效果 物微粒子的方:=:,則一般是使用導電性金屬氧化 疋使用含有-種或二種以上的高折射 :夕 子及黏合劑的^手之金屬乳化物微粒 及3)。 土布(_%)材(例如,參照專利文獻!、2 319324 5 1361824 -[專利文獻1]曰本特開平11-181335號公報 .[專利文獻16]日本特開2006-124406號公報 [專利文獻16]日本特開2006-188588號公報 【發明内容】 (發明所欲解決的問題) 然而,為能提高防反射膜的高折射率層之折射 使高折射率層的金屬氧化物微粒子之含量增多時,^ 脂含量反比例性地減少,結果’降低高折“層的::: 性’從而降低防反射膜的耐擦傷性。反之,使高折射= 的金屬氧化物微粒子之含量減少時,將使反射膜 : 率層之導電性惡化,也使折射率降低。因此,要製作斤= 充分滿足耐擦傷性、高透明性、高折射率、防靜電 所有特性之透明導電膜,極為困難。 、荨 本發明是為解決上述諸問題而產生者,其目 ::可形成具有非常優異耐祿傷性、非常優異的防靜電特 = '可見光穿透率非常高m控制之折射率的透明 ::膜之組成物,以及這種透明導電膜’以及在顯示面上 具有這種透明導電膜的顯示器。 [解決問題的方法] 本案發明人等為達成上述目的而深人探討,結果發現 :由黏合劑成分及分散在該黏合劑成分中的導電性粉體 南㈣率粉體形成之透明導電膜形成用組成物中,藉由特 二置巧化錫粉體與其他導電性粉體之個作為導電性粉 "可传形成具有非常優異的耐祿傷性、優異的防靜電特 319324 6 1361824 性、可見光穿透率非常高、而且可 導電膜之組成物,從而達成本發明。工"、之斤射率的透明 亦即本發明的透明導電臈形 由點合劑成分以及分散在今和人’ Χ之寺徵為:係 ▲, 这黏合劑成分中的導電性趴驶》 =斤射率粉體形成’該導電性粉體係由q ^ 氣氧化錫粉體與7〇至質㈣的其他導電性二 並且’本發明的透明導電膜之特徵,是以上戒的 導電=形=組成物塗布或印刷後^^二^_明 更且,本發明的顯示器之特徵,是在顯示面上 =述的透明導電膜形成用組成物而形成之上述透明導電 (發明的效果) ^發明的透明導電膜形成用組成物在作為塗料或印墨 有非常二:上後使其硬化’即可在基板上形成具 優異的耐擦傷性、優異的防靜電特性、可見光穿透 :非吊兩、而且可控制膜之折射率的透明導電臈。所以, ° k用於耐熱性比較低的樹脂基板或多種形狀 透明導電膜連續的大量生產,並且也易於大面積 5時’可藉由南折射率粉體的相對摻配量之調整,而 ?制所形成透明膜之折射率。就所形成的透明導電膜而 y可藉由成膜條件之調整,而成為例如使表面電阻值以 玄至10 口為佳、並以1〇7至1〇1°Ω/□更佳,光穿 ^以85%以上為佳’霧度(haze)以1.5%以下為佳,折射 " 至1 ·90透明性及導電性俱優、耐擦傷性優異、 319324 7 --- X OZrH- .可控制折射率的透明導電膜 •形成用組成物,可刹田M H㈣透月^膜 ^ ^ έ 利用於液晶等的透明電極、太陽電池的 希子昭4产線反射膜、防靜電膜、觸控面板、面發熱體、 /二生:。目子檔等廣泛領域上’而可在各領域中表現出優異 .【實施方式】 分中的透明導電膜形成用組成物,在黏合劑成 .質旦9/ Μ # 〇 1至30貝的氫氧化錫粉體與70至1 2.3 m , η ^ , 體、、且成的寺電性粉體及高折射率粉 ρ、αΓ I虱匕锡粉體可使用氫氧化錫自身的粉體,或含有 氯氧化錫^ 的^少—種作為掺雜物(抑㈣之 二種以上。 °二虱氧化錫粉體可使用一種,也可併用 本發明中所使用的氫氧化 是由公開Μ μ ^ 可為市售品,也可以 I ^中^ (例如,將溶解錫的氣化物而成的酸性溶液 丨中和後,使氫氧化 沉, 本 / 再使此共沉物乾燥)製得者。 尽發明可使用的含有p、 —種作;^ & 、Zn及S b中之至少 作為摻雜物的氫氧化錫粉 由A AA 士』木目市售品’也可以 碉的方法(例如,將溶解磷盥 溶液以认tb J: Μ 、场的各虱化物而成的酸性 冷及以鹼中和後,使磷/錫的 物乾燥)製造。在含有Ρ、Α1二 作為摻雜物的氯氧化錫粉體中,摻雜物='中之至少一種 雜物+ sn)為Ό·ι至2〇a 、里疋以相對於(摻 1 3里不到0.1 at%時,將使 2 3 319324 1J01824 摻雜物的含有效果不足,若 阳膝切-人各 右每雜物的含量超過20at%時, 因:…有摻雜物的氫氧化錫粒子自體之電阻,而使其 y成的膜之導電性有降低的傾向。 八 及二二的氨氧化錫粉體,可藉由與其他導電性粉體 率粉體之間的相互作用,而使所形成膜之導電性 …t 、 门膜強度、提鬲耐擦傷性。本發明中, 風氧化錫在導電性粉體中佔 的範圍内為佳,並以! 1 .至30質量% 化錫在導電性粉體中佔有的二圍 所形成的膜不能得到優異 性/ 將使 之比率超過30質吾^❹ 右風乳化錫粉體 高,但因盍藍㈣旦 使所形成的膜之穿透率提 ,的置過多而致耐擦傷性降低。 體,的其他(氫氧化錫粉體之外)導電性粉 產呂、五I酸=锡導雷則,、氧化鋼、氧化辞 •可單獨使用—種,也可 其他的如^ 明導=:==力高:射率粉體’是為控制所形成透 的高折射率粉體ίΓΓ’以使用折射衫h8至3·0 值,在各種的文2;已::’粉體的折射率為粉體固有的 的粉體時,將不能辞得己載。若使用折射率不到 率超過^ 獲侍円折射率的膜,反之,若使用折射 發明中所使辜將使膜的透明性有降低的傾向。本 即無特別二=粉體的種類’只要是可達成目的者 口使用市售品等已知的製品,例如,氧 319324 9 1361824 2·76)、氧化鈽(折 折射率η = 2·4)、氧化鈦(折射率ε ¥ η—2.2)等的金屬氧化物。 本發明中所使用的氫氧化錫粉 Ζη及Sb中之至少Ή糸含有Ρ、Α卜In、 的導電性於上二::的氣氧化錫粉趙,其他 心時==::之平均,子…。 成透明膜,而在平均一次粒子 ,則所形成膜之透明性有降低 。 以平均—次4孑'傾向,故這些粉體是 在所η 以下的超微粒子為佳。但是, 在所形成透明膜之透明性並非重要的 ^ 可使用比0.2㈣更大粒徑者 ,廷些粉體也 體電阻是—.cm以下者為另:。導電性一 於體ί發Γ的透明導電膜形成用組成物中,所使用導電性 ^)局折射率粉體之質量比(導電性粉體/高折射率粉 體二…0/70至90/1〇的範圍内為佳並以在35/ 3丄Μ的範圍内更佳。若導電性粉體的量少於上述 的質量比時,雖然可提高所形成膜的折射率,作可 “吏導電性惡化。反之,若導電性粉體的量多於上述卯/ 的質量比時,雖然會使所形成膜的導 率有降低的傾向。 折射 在本發明的透明導電膜形成用組成物令,(導電性粉體 =高折射率粉體)與黏合劑成分的質量比[(導電性粉體+ 向折射率粉體)/黏合劑成分]是以5/95至95/5的範圍 内為佳,並以20/80至90/10的範圍内更佳,而最好是 在30/70至85/15的範圍内。若導電性粉體與高折射率 319324 10 l36l824 粉體的合計量少於上述5/95 有十足的透明性,作導雪性有卜即使所形成膜 1—导電性有奐化的傾向。 性粉體與高折射率粉體的合計量多於上述9 4電 時,敍粉體的分散性變差,_彳二 板的密著性降低,膜性能有降低的傾向。 、土 本發明的透明導電膜形成用組成物中 ,分,只要是可溶解於所使用的溶劑、可使導電性 同折射率粉體分散、可使導電性粉體及士 =導電膜者即可,可使用-般塗料中所二:; =㈣成/刀而無特別的規定。本發明令,是以活性高能射 線硬化性黏合劑成分者為佳。 至於黏合劑成分’則可使用醇酸樹脂、聚酯樹脂、不 飽和聚_、聚胺甲酸醋(PU)樹脂、丙埽酸樹脂、環氧 =脂、酚樹脂、乙烯樹脂、聚矽氧樹脂、氟樹脂、酞酸樹 ,、胺基樹腊、聚酿胺樹脂、聚丙稀酸聚⑦氧樹脂、三聚 I =胺樹脂、尿素樹脂、或這些樹脂改質而成峰合劑樹脂 荨其中的單獨一種或二種以上併用。 在上述的黏合劑中也可配合必要性而含有交聯劑,例 如可使用在-分子中具有兩個以上的胺基等驗性官能基、 〇H基等中性官能基、縣等酸性宫能基、異氰酸醋等反 應性官能基之任何交聯劑。 並且,上述黏合劑成分也可為自由基聚合性單體,只 疋/、有自由基聚合性的不飽和基(α0 _乙稀性不飽和 基)之單體即可,可為具有胺基等鹼性宫能基者、具有 319324 11 1361824 基等中性官能基者、具有羧基等酸 不具有這些官能基者中的任何一種。 有次也了為 本發明的透明導電膜形成用組成物中所使用之活性古 能射線硬化性黏合劑成分,例如可為丙輪或甲基两: 酸醋化合物。在以下的記述中,係將丙稀_化合物 基丙稀酸酉旨化合物通稱為(曱基)兩_酿化合物㈣述。 本發明的透明導電膜形成用組成物中所使用之活性古 能射線硬化性黏合劑成分,除了上述的(曱基)丙稀酸醋: 合物之外,尚有自由基聚合性單體及/或寡聚物。自由基 聚合性單體只要是具有自由基聚合性的不飽和基("土_ 乙烯性不鮮基)的單料可,可為具有絲等驗性官能基 者、具有0Η基等中性官能基者、具有羧基等酸性官能基 者’或不具有這些官能基中的任何一種者。 至於自由基聚合性單體之具體例,可舉例如苯乙埽、 乙烯曱苯、醋酸乙烯酯、Ν-乙烯吡咯酮、丙烯腈、烯丙醇 鲁等的(甲基)丙烯酸酯以外之自由基聚合性單體;(甲基)丙烯 酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯 '(甲基) 丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸環 己酯、四氫呋喃(甲基)丙烯酸酯、Ν_乙烯吡咯酮、(甲基) 丙烯酸2-羥乙酯、(曱基)丙烯酸2_羥丙酯、聚乙二醇單(曱 基)丙稀酸酉旨、甲氧基聚乙二醇單(甲基)丙婦酸酉旨、聚丙二 醇單(曱基)丙烯酸酯' 聚乙二醇聚丙二醇單(甲基)丙烯酸 酉曰、聚乙二醇聚丁二醇單(甲基)丙稀酸醋、去水甘油基(甲 基)丙烯酸酯等的單官能(曱基)丙烯酸酯;乙二醇二(甲基) 319324 12 1361824 丙烯is曰、一乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基) 丙烯酸醋、四乙二醇二(甲基)丙烯酸醋、聚乙二醇二(甲i) 丙稀酸S旨、聚丙二醇二(曱基)丙埽酸酯、新戍二醇二(甲基) 丙烯酸酯、烯丙基二(甲基)丙烯酸醋、雙酚A二(甲基^丙 烤酸醋、環氧乙烧改質雙盼A:(甲基)丙烯酸醋、聚^氧 乙烷改質雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、環氧乙烷改質雙酚§ 二(曱基)丙烯酸酯、雙酚S二(甲基)丙烯酸酯、丨,4_ 丁二醇 二(甲基)丙烯酸酉旨、U-丁二醇二(甲基)㈣酸醋等二官能 (f基)丙烯酸醋’·三經甲基丙燒三(甲基)丙烯酸醋、丙三醇 三(甲基)丙婦酸醋、異戊四醇三(甲基)丙烯㈣、里戊四醇 四(甲基)丙稀酸醋、乙烯改質三經甲基丙烧三(甲基)丙稀酸 酯、二異戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等三官能以上的(甲基) 至於自由基聚合性寡聚物之具體例,可舉例如聚醋(甲 基)丙烯酸酯、聚胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、環氧化物(甲基) 丙烯酸醋、聚酸(曱基)丙烯酸酉旨、寡聚(甲基)丙烯酸醋、土醇 酸(甲基)丙烯酸酯、多元醇(甲基)丙烯酸酯、聚矽氧(甲美 丙烯酸醋等至少有-個(甲基)丙烯酿基之預聚物。特別土理 想的自由基聚合性寡聚物,是聚g旨、環氧化物、聚胺甲酸 酉旨的各(曱基)丙稀酸酯。 為使本發明的透明導電膜形成用纽成物成為有用的活 性高能射線硬化型,即須在組成物中添加聚合起始劑(光择 感劑)。藉由此添加,就能以少量的活性高能射線之β照射: 使組成物硬化。但是,由於本發明的翻導電_成'用梭 319324 13 丄 3CU8Z4 ,硬化’在使用為熱硬化型時,即可調配適 基W始劑(例如,偶氮二異丁腈)以取代光增 劑,=:?為Γ高能射線硬化型而使用的聚合起始 甲美Γ 己基苯基_、二苯甲_、笨甲其一 .二基,本偶”基趟、笨偶姻乙基越、對氣化二苯甲;: 4-本甲酿基·"二苯基硫、2_苯甲m其 : :::,黏合劑成分一質量分時,聚合= 配罝是以0.1至2〇質量分 巧您Μ的調 範圍内更佳。冑里刀為佳’並以在1至15質量分的 另外’本發明的透明導電膜形成用 :其目的的範圍内’也可調配上述 中在= 劑。這類添加劑可舉例如聚合 :吊用添加 劑、流平劑(leveling)等。 更化觸媒、抗氧化 本發明的透明導雷胺取 口要、 成成物中所使用的溶劑, 要疋可浴解或分散上述黏合劑成分, 及高折射率粉體分散冑電性粉體 料上所用的心n 1又餘基材者即可’可使用-般塗 庚燒、環⑽、甲笨、間-二甲苯等破化氫類=: —虱乙却等鹵化碳化氫類,丙嗣'甲、_ 、九 酮、二異丁酮、異佛爾班 土 土酮、甲基異丁 氧六環、四氫呋喃等峻類二’二乙基峻、二 、b文乙g日、醋酸丁酯、醋酸異 319324 1361824 戍醋等酿類,甲醇、乙醇、正丙醇、異兩醇、正丁醇、2 丁醇、正戊醇、2_乙基己醇、環己醇、二兩酉同醇、乙二醇、 丙二醇、二乙二醇、甘油等醇類,乙二醇單乙基趟、乙二 %早丁基趟、乙二醇單乙㈣醋酸酉旨、丙二醇單乙基鱗、 =醇單丙基單丁基n醇單甲基驗醋酸 酉曰專醚/醇或輕/酯類,以及這些溶劑的混合系。對 ^容劑的使用量,必須調整成可使導電性粉體及高折料 t體分散,並使最終所得組成物的純可適於塗布或印刷 者。本發明的透明導電膜形成用組成物之黏度,是以2至 l〇,〇〇〇Cps(E型黏度計:20。〇範圍内者為佳。 入本發明的透明導電膜形成用組成物,例如可在上述黏 ?!成分中配合必要性加入有機溶劑而稀釋成的黏合劑成 ^谷液中,使導電㈣體及高折射率粉體分散而製得。並 :也可使導電性粉體及高折射率粉體分散在有機溶劑中 將2加人上述黏合劑成分並使其分散而製得。當然也可 ,等:::成分、導電性粉體、高折射率粉體、及有機溶劑 =種成分_混合後’再經分散而製得。這樣的分散操 :以常法並應用塗料振盈器(paim如㈣、球磨機、砂 離心磨確機、三輥磨碎機等進行。當然也可以應用 通吊的攪拌操作而使其分散。 至於塗布本發明的透明導電膜形成用組成物以形成本 日的透明導電臈時所使用的基板,則有已廣泛應用於以 二電子機器為首的各種領域中的各種合成樹脂、破璃、 這些材質可為薄片狀、薄膜狀、板狀等任意形狀。 319324 15 =合脂的具體例’可舉例如聚乙烯、聚丙烯、聚碳 二聚:::,Γ酸樹脂、聚氯乙婦樹脂、聚 樹脂。1酿胺树月曰、以及紛樹脂等’但並不只限於這些 二二基板上塗布或 1例如可刼用滾動塗布、旋轉 ==:,然後,若黏合劑成分並非活性高能射 3=合劑成分時,可依需要加熱使溶劑蒸發、使塗 合劑成分時,可依刀為活性高能射線硬化性黏 依而要加熱使溶劑蒸發、使塗膜乾燥,接 ::::性線或電子束)照射。至於活性高 物燈、氣燈、、準分子1射(水銀燈、高塵水銀燈、金屬齒化 鍵 田射(exclmer laser)、色素雷射等紫外 在為紫外績f用電子束加速器。活性高能射線的照射量, 適當, ::此活性高能射線照射心 :導==及高折射率粉體以樹脂結合而形成透 範圍二:透明導電膜之膜厚一般是以。,〗至一 本J=r導電膜形成用組成物在基板上形成的 Ω 電膜,例如可為表面電阻值以1〇6至10η .5%以下為佳,透明性及導電性倶 319324 16 1301824 =,而且耐擦傷性優異、可控制折射㈣透 樣的透明導電膜可利用為電子照相記錄·電膜。這 電膜等,例如,可使用於顯示器的顯示面上。、故防靜 [實施例] ' ° 體說明本發明。實 。使用於以下的實 以下’擬藉由實施例及比較例更具 施例及比較例中的「份」均為「質量份」 施例及比較例中的物質如以下所述。」 <氫氧化錫粉體>
平均-次粒子徑為、粉體電阻為Μ。》 的^化錫粉體,以及㈣作為摻雜物、相對於s…的 P之里為5.Oat%、平均一次粒子和先 人饵于仫為〇.〇5/zm、粉體電阻 為5xl〇 Ω · cm的P摻雜Sn(〇H)4粉體。 <氫氧化錫以外的其他導電性粉體> 平均一次粒子徑為0 06//m、粉體電阻為ι〇ω · 的 以及平均一次粒子徑為〇 〇6#m、粉體電阻為3〇〇 Ω · cm 的 Sn02 〇 <高折射率粉體> 粉體的折射率為2.4之Zr〇2,以及粉體的折射率為 2.76 的 Ti02。 <黏合劑成分> 曰本化藥公司製的KAYARAD TMPTA(三羥甲基丙烷 一丙烯酸酯),以及日本化藥公司製的KAYARAD DPHA(二 異戊四醇六丙缚酸西旨) <起始劑> 17 319324 1361824 • 汽巴特用化學品(Ciba Specialty Chemicals)公司製, .IRGACURE 907(2-曱基-l-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎琳基丙燒 _1_酮)〇 [實施例1] - 將由2〇份TMPTA及10份DPHA形成之黏合劑成分, ‘與37·8份ΑΤΟ粉體、4.2份氫氧化錫粉體、28份氧化锆粉 體、150份異丁醇及250份玻璃珠一起放入容器中,以塗 料振盪器混練5小時,其間並一邊以粒計器確認份散狀 籲態。混練後加入3份IRGACURE907並使其完全溶解後, 取出玻璃珠得到黏稠的液狀物。然後利用滾動塗布器將該 黏稠液狀物塗布在膜厚100/zm的ΡΕΤ薄膜(東洋紡Α41〇〇) 上’將有機溶劑蒸發後,以高壓水銀燈照射5〇〇mJ/ cm2 的紫外線’製成厚度5 # m的透明硬化被膜。 [實施例2] 將由30伤TMPTA形成的黏合劑成分,與份含構 φ作為摻雜物的氫氧化錫粉體、15〇份作為溶劑的異丁醇、 以及250份玻璃珠一起放入容器中,以塗料振盪器混練5 =時,其間並一邊以粒計器確認份散狀態。混練後加入3 份作為光起始劑的IRGACURE9〇7並使其完全溶解後,取 出玻璃珠得到黏稠的液狀物(組成物A)。另外,除了使用 7〇份ΑΤΟ粉體取代7Q份氫氧化錫粉體之外,其餘與調製 組成物Α時進行同樣的處理而得黏稠的液狀物(組成物 B)。除了使帛70份氧化錯粉體取代7〇份的氣氧化锡粉體 之外,其餘與調製組成物A時進行同樣的處理而得黏稠的 319324 18 ^01824 -液狀物(組成物C)。將所得的組成物A 54份、組成6 *份、以及組成物C 40份充份混合調製成塗工液,然後進行 與實施例1同樣的處理而製得厚度5//m的透明硬化被膜。 [實施例3 ] ' 使用20份™PTA及10份DPHA取代30份TMPTA, ,並使用70份不含摻雜物的氫氧化錫粉體取代7〇份含磷作 為摻雜物的氫氧化錫粉體,其餘進行與實施例2同樣的處 理而得組成物A。使用70份Sn〇2粉體取代7〇份at〇粉 體,其餘進行與實施例2同樣的處理而得組成物使用 7〇份氧化鈦取代70份氧化鍅粉體,其餘進行與實施例2 同樣的處理而得組成物C。將所得的組成物入67 5份、組 成物Β 7.5份、以及組成物c 25份充份混合調製成塗工 液。然後進行與實施例丨同樣的處理而製得厚度5 V㈤的 透明硬化被膜。 [比較例1] 鲁將由20份DPHA及10份TMPTA形成的黏合劑成分, 與35份氫氧化錫粉體、35份氧化鍅粉體、丨%份作為溶劑 的異丁醇、以及250份玻璃珠一起放入容器中,以塗料振 盪裔混練5小時’其間並一邊以粒計器確認份散狀態。混 練後加入3份作為光起始劑的IRGACURE 907並使其完全 溶解後,取出破璃珠粒得到黏稠的液狀物。然後利用滾動 塗布器將該黏稠液狀物塗布在膜厚100#111的PET薄膜(東 洋、’方A41 〇〇)上,將有機溶劑蒸發後,以高麗水銀燈照射 500mJ/ cm的紫外線,製成厚度5 # m的透明硬化被膜。 319324 19 1361824 .[比較例2] • 除了使用35份AT0取代35份氫氧化錫之外,其餘進 打與比較例1同樣的處理而製得厚度5 # m的透明硬化被 膜。 ’ 對於實施例1至3及比較例1至2製得的透明硬化被 •膜’以東京電色技術中心製造的TC-HIII DPK測定其全線 光穿透率(%)及霧度(haze)(%)。測定值係包含基材之值。 並且以三菱化學公司製造的HIRESTER IP MCP-HT260表 面電阻器測定表面電阻(Q/口)。而且以下述的基準進行 目測=平估耐擦傷性。同時,對於實施例及比較例中所得的 硬化被膜,是以愛宕(ATAGO)公司製造的Abe折射計 DR__M4(20 C )測定折射率。第丄表中所示為這些測定結果、 評估結果。 ° <耐擦傷性評估基準> 、以鋼絨(steel WO〇l)( # 0000)在200g荷重下將透明硬化 籲被膜面反復擦傷2〇次後’以下述基準目測評估其表面狀 態。同樣的,在Looog荷重下反復擦傷20次後,以下述 基準目測評估其表面狀態。 〇:無刮痕 △:有少許刮痕 X :有刮痕 319324 20 1361824 第1表 實施例 比較例 1 2 3 1 2 導電性粉體 ΑΤΟ Sn(OH)4 ATO P 摻雜 Sn(OH)4 Sn〇2 Sn(OH)4 Sn(OH)4 ATO 高折射率粉體 Zr02 Zr02 Ti〇2 Zr02 Zr02 導電性粉體中所含之氫氧 in 1 0 in 1 on 〇 化錫粉體之比例(質量%) i \j 1 uu V 導電性粉體/高折射率粉體 60/40 60/40 75/25 50/50 50/50 Ρ/Β 70/30 70/30 70/30 70/30 70/30 穿透率(%) 85 86 87 87 85 霧度(%) 0.8 0.7 0.9 1.0 0.9 表面電阻值(Ω /□) 6xl07 6x107 """ϊχϊό8~ 4xl010 2x10s 耐 200g荷重 〇 〇 〇 〇 〇 擦 傷 1,000 g荷重 〇 〇 〇 X Δ 性 折射率 1.65 1.65 1.72 1.65 1.65 由第1表中所示的數據可知,塗佈含有氫氧化錫粉 體、其他導電性粉體、以及高折射率粉體的本發明之透明 導電膜形成用組成物者(實施例1至3),可得耐擦傷非常優 鲁異、並且表面電阻值在1〇6至10ηΩ/□的範圍内、光透 率在85%以上、霧度在1.5%以下、透明性及導電性倶優 的透明導電膜,且可控制透明膜的折射率。另一方面,導 電性粉體僅為氫氧化錫粉體時(比較例1)及僅為ΑΤΟ粉體 時(比較例2),則不能得到充分的耐擦傷性。 21 3】9324
Claims (1)
1361824 申請專利範圍: 第96120476號專利申請案 100年12月30日修正替換頁 ιοί各㉗正替換頁 士八、 队切丹将徵為:係由黏合劑 成刀以及分散在該黏合劑成分中 , ^成刀中的導電性粉體及高折 =泰體構成,峨性粉體係由.〇1 i 3〇剛的 = =n(〇H)4)粉體與7〇至99.9質量%的其他導電 泰體構成,而其他導電性粉體係選自氧化鋅、氧化 氧化銦、氧化軸、五氧化錄及録酸 技、組群中之至少一種’高折射率粉體係選自氧化 錯、氧化鈦、以及氧化鈽所成組群中之至少—種。 2.=申請專利範圍第丨項之透明導電卿成用組成物,其 中,虱氧化錫粉體是含有ρ、Μ、Ιη、ΖηΛ sb中之至 少一種作為摻雜物之氬氧化錫粉體。 3·如申請專利範㈣2項之透明導電膜形成成物,其 :’卜A卜1n、Z…b中之至少-種摻雜物之量相 ’士於(摻雜物+ Sn)為0.1至2〇at%。 4. 如申請專利範圍第】、2或3項之透明導電膜形成用組 成物,其中,導電性粉體/高折射率粉體的質量比在3〇 /70至90/10的範圍内。 5. —種透明導電膜,其特徵為··係”請專利範圍第^ 員中任項的透明導電膜形成用組成物塗布或印刷後 使其硬化而形成者。 6. —種透明導電膜’其特徵為:係將申請專利範圍第4項 之透明導電膜形成用組成物塗布或印刷後使其硬化而 形成者。 319324修正版 22 1361824 第96120476號專利申請案 100年12月30曰修正替換頁 , , p— ., ,: 其中,表面電阻 7. 如申請專利範圍第5項ϋ畹鲁電膜 值為106至10ηΩ/□、光穿透率為85%以上、霧度為 1.5%以下、而且折射率為1.55至1.90者。 8. —種申請專利範圍第5項之透明導電膜之用途,其係使 . 用於顯示器之顯示面者。 .9. 一種申請專利範圍第7項之透明導電膜之用途,其係使 用於顯示器之顯示面者。 23 319324修正版
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