JPH09124363A - Ｉｔｏ焼結体の製造方法 - Google Patents
Ｉｔｏ焼結体の製造方法Info
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- JPH09124363A JPH09124363A JP7282806A JP28280695A JPH09124363A JP H09124363 A JPH09124363 A JP H09124363A JP 7282806 A JP7282806 A JP 7282806A JP 28280695 A JP28280695 A JP 28280695A JP H09124363 A JPH09124363 A JP H09124363A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 緻密かつ低抵抗で均一組成を有し、内部歪の
ないＩＴＯ焼結体を製造する。 【解決手段】 ＳｎＣｌ4 水溶液にＩｎ2 Ｏ3 微粉体を
分散させた液をＺｒＯ2ビーズ５を媒体とする媒体攪拌
型分散機内に収容し、媒体攪拌型分散機１を作動状態で
ＮＨ3 水を添加し、Ｉｎ2 Ｏ3 微粉体の表面にＳｎ（Ｏ
Ｈ）4 を析出させる。この粒子を回収して成形、焼成す
る。 【効果】 Ｓｎ（ＯＨ）4 （ＳｎＯ2 ゾル）がＩｎ2 Ｏ
3 微粉体の表面や空隙に均一に分散した状態で析出して
空隙を充填すると共にＳＯ2 −Ｉｎ2 Ｏ3 の相互作用が
極めて強固な粒子となる。メカノケミカル機構により、
均一かつ高密度で表面活性に優れた易焼結性の複合粒子
が得られる。内部歪がなく、著しく高密度かつ低抵抗、
均一組成で、機械的強度及び電気的特性に優れたＩＴＯ
焼結体を製造できる。
ないＩＴＯ焼結体を製造する。 【解決手段】 ＳｎＣｌ4 水溶液にＩｎ2 Ｏ3 微粉体を
分散させた液をＺｒＯ2ビーズ５を媒体とする媒体攪拌
型分散機内に収容し、媒体攪拌型分散機１を作動状態で
ＮＨ3 水を添加し、Ｉｎ2 Ｏ3 微粉体の表面にＳｎ（Ｏ
Ｈ）4 を析出させる。この粒子を回収して成形、焼成す
る。 【効果】 Ｓｎ（ＯＨ）4 （ＳｎＯ2 ゾル）がＩｎ2 Ｏ
3 微粉体の表面や空隙に均一に分散した状態で析出して
空隙を充填すると共にＳＯ2 −Ｉｎ2 Ｏ3 の相互作用が
極めて強固な粒子となる。メカノケミカル機構により、
均一かつ高密度で表面活性に優れた易焼結性の複合粒子
が得られる。内部歪がなく、著しく高密度かつ低抵抗、
均一組成で、機械的強度及び電気的特性に優れたＩＴＯ
焼結体を製造できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＩＴＯ焼結体の製造
方法に係り、特に、太陽電池、液晶ディスプレイ（ＬＣ
Ｄ）等の透明導電膜作製用ＩＴＯ焼結体スパッタリング
ターゲットとして有用な、緻密で均一組成のＩＴＯ焼結
体の製造方法に関する。
方法に係り、特に、太陽電池、液晶ディスプレイ（ＬＣ
Ｄ）等の透明導電膜作製用ＩＴＯ焼結体スパッタリング
ターゲットとして有用な、緻密で均一組成のＩＴＯ焼結
体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＴＯ(Indium tin oxide)は、透明導電
膜として液晶ディスプレイ、太陽電池をはじめ広範囲に
用いられている。ＩＴＯ透明導電膜の作製法としては、
ＩＴＯ焼結体ターゲットを用いるアルゴンプラズマによ
るスパッタリング製膜技術が最も多く用いられる。この
方法で形成されるＩＴＯ膜はそのスパッタリングターゲ
ットの特性の影響を大きく受ける。特に、ターゲットの
密度と微細構造の影響は大きく、ターゲットが高密度で
あるほど、また、組成が均一であるほど良質の膜が得ら
れる。
膜として液晶ディスプレイ、太陽電池をはじめ広範囲に
用いられている。ＩＴＯ透明導電膜の作製法としては、
ＩＴＯ焼結体ターゲットを用いるアルゴンプラズマによ
るスパッタリング製膜技術が最も多く用いられる。この
方法で形成されるＩＴＯ膜はそのスパッタリングターゲ
ットの特性の影響を大きく受ける。特に、ターゲットの
密度と微細構造の影響は大きく、ターゲットが高密度で
あるほど、また、組成が均一であるほど良質の膜が得ら
れる。
【０００３】このようなことから、ＩＴＯ焼結体スパッ
タリングターゲットとしては、形成されるＩＴＯ膜の特
性向上の面から、また、製膜コストの面から、より高密
度で均一組成のものが求められている。
タリングターゲットとしては、形成されるＩＴＯ膜の特
性向上の面から、また、製膜コストの面から、より高密
度で均一組成のものが求められている。
【０００４】しかしながら、通常の常圧焼結法では、密
度７０〜７５％程度の焼結体しか得ることはできず、十
分に高密度なＩＴＯ焼結体を得ることは困難である。そ
こで、高密度化を実現するために、ＨＰ(Hot Press) 法
や、ＨＩＰ(Hot Isostatic Press) 法が利用されてお
り、ＨＰ法では約８５％、ＨＩＰ法では９２〜９７％の
焼結体が得られている。
度７０〜７５％程度の焼結体しか得ることはできず、十
分に高密度なＩＴＯ焼結体を得ることは困難である。そ
こで、高密度化を実現するために、ＨＰ(Hot Press) 法
や、ＨＩＰ(Hot Isostatic Press) 法が利用されてお
り、ＨＰ法では約８５％、ＨＩＰ法では９２〜９７％の
焼結体が得られている。
【０００５】なお、焼結原料としては、従来、酸化イン
ジウムと酸化スズとの混合粉末が用いられている。ま
た、酸化インジウムと塩化スズ水溶液とを混合し、これ
にアンモニア水を添加混合して得られたものも用いられ
ており、このアンモニア水の混合に当っては撹拌混合機
が用いられている。
ジウムと酸化スズとの混合粉末が用いられている。ま
た、酸化インジウムと塩化スズ水溶液とを混合し、これ
にアンモニア水を添加混合して得られたものも用いられ
ており、このアンモニア水の混合に当っては撹拌混合機
が用いられている。
【０００６】ＨＰ法やＨＩＰ法は、加熱時に周囲から大
気圧の５００〜２０００倍の高圧をかけて強制的に焼結
させる方法である。従って、内部歪を内包したＩＴＯ焼
結体が得られることになる。
気圧の５００〜２０００倍の高圧をかけて強制的に焼結
させる方法である。従って、内部歪を内包したＩＴＯ焼
結体が得られることになる。
【０００７】一方で、スパッタリングターゲットは、タ
ーゲット面の一方には高エネルギープラズマ、そしてそ
の反対面には水冷が加えられるという過酷な条件で使用
されるため、内部歪のあるものでは、使用時の割れ等の
問題があり、内部歪をできるだけ内包していないＩＴＯ
焼結体であることが望ましい。
ーゲット面の一方には高エネルギープラズマ、そしてそ
の反対面には水冷が加えられるという過酷な条件で使用
されるため、内部歪のあるものでは、使用時の割れ等の
問題があり、内部歪をできるだけ内包していないＩＴＯ
焼結体であることが望ましい。
【０００８】このように、ＨＰ法やＨＩＰ法では高密度
のＩＴＯ焼結体が得られる反面、内部歪を含み、経済
性、生産性に大きな支障となっていた。
のＩＴＯ焼結体が得られる反面、内部歪を含み、経済
性、生産性に大きな支障となっていた。
【０００９】上記従来の問題点を解決し、緻密で均一組
成を有し、しかも内部歪のないＩＴＯ焼結体を製造する
方法として、本出願人は、先に、酸化インジウム微粉体
が分散していると共に、スズ塩が溶解している液を媒体
攪拌型分散機内に収容する工程と、該媒体攪拌型分散機
を作動させた状態において、前記液中にアンモニア水を
添加して、酸化インジウム微粉体の表面に水酸化スズを
析出させる工程と、この粒子を回収して成形し、焼成す
る工程とを備えてなるＩＴＯ焼結体の製造方法を提案し
た（特開平７−２４７１６６号）。
成を有し、しかも内部歪のないＩＴＯ焼結体を製造する
方法として、本出願人は、先に、酸化インジウム微粉体
が分散していると共に、スズ塩が溶解している液を媒体
攪拌型分散機内に収容する工程と、該媒体攪拌型分散機
を作動させた状態において、前記液中にアンモニア水を
添加して、酸化インジウム微粉体の表面に水酸化スズを
析出させる工程と、この粒子を回収して成形し、焼成す
る工程とを備えてなるＩＴＯ焼結体の製造方法を提案し
た（特開平７−２４７１６６号）。
【００１０】上記特開平７−２４７１６６号公報記載の
方法においては、媒体攪拌型分散機による機械的な分散
処理を施しながら、スズ塩を加水分解してＳｎ（ＯＨ）
4 （ＳｎＯ2 ゾル）を析出させる。このため、ＳｎＯ2
ゾルは、Ｉｎ2 Ｏ3 微粉体の表面や空隙に均一に分散し
た状態で析出して、空隙を充填すると共にＳｎＯ2 −Ｉ
ｎ2 Ｏ3 の相互作用が極めて強固な粒子分散液が生成す
る。
方法においては、媒体攪拌型分散機による機械的な分散
処理を施しながら、スズ塩を加水分解してＳｎ（ＯＨ）
4 （ＳｎＯ2 ゾル）を析出させる。このため、ＳｎＯ2
ゾルは、Ｉｎ2 Ｏ3 微粉体の表面や空隙に均一に分散し
た状態で析出して、空隙を充填すると共にＳｎＯ2 −Ｉ
ｎ2 Ｏ3 の相互作用が極めて強固な粒子分散液が生成す
る。
【００１１】このようなメカノケミカル機構により、均
一かつ高密度で表面活性に優れた易焼結性の複合粒子が
得られ、これを成形して常圧焼結することにより、内部
歪がなく、著しく高密度かつ均一組成で、機械的強度及
び電気的特性に優れたＩＴＯ焼結体が提供される。
一かつ高密度で表面活性に優れた易焼結性の複合粒子が
得られ、これを成形して常圧焼結することにより、内部
歪がなく、著しく高密度かつ均一組成で、機械的強度及
び電気的特性に優れたＩＴＯ焼結体が提供される。
【００１２】なお、特開平７−２４７１６６号公報記載
の方法では、媒体攪拌型分散機の粉砕媒体としてガラス
ビーズを用いている。
の方法では、媒体攪拌型分散機の粉砕媒体としてガラス
ビーズを用いている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上記特開平７−２４７
１６６号公報記載のＩＴＯ焼結体の製造方法によれば、
内部歪がなく、著しく高密度かつ均一組成で、機械的強
度及び電気的特性に優れたＩＴＯ焼結体を製造すること
ができるが、ＩＴＯ膜の用途分野では、これらの特性の
より一層の改善が望まれている。
１６６号公報記載のＩＴＯ焼結体の製造方法によれば、
内部歪がなく、著しく高密度かつ均一組成で、機械的強
度及び電気的特性に優れたＩＴＯ焼結体を製造すること
ができるが、ＩＴＯ膜の用途分野では、これらの特性の
より一層の改善が望まれている。
【００１４】本発明は上記従来の実情に鑑みてなされた
ものであって、著しく緻密で均一な組成を有し、しかも
内部歪がなく、機械的強度及び電気的特性が更に良好な
ＩＴＯ焼結体を製造する方法を提供することを目的とす
る。
ものであって、著しく緻密で均一な組成を有し、しかも
内部歪がなく、機械的強度及び電気的特性が更に良好な
ＩＴＯ焼結体を製造する方法を提供することを目的とす
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明のＩＴＯ焼結体の
製造方法は、酸化インジウム微粉体が分散していると共
に、スズ塩が溶解している液を媒体攪拌型分散機内に収
容する工程と、該媒体攪拌型分散機を作動させた状態に
おいて、前記液中にアンモニア水を添加して、酸化イン
ジウム微粉体の表面に水酸化スズを析出させる工程と、
この粒子を回収して成形し、焼成する工程とを備えてな
るＩＴＯ焼結体の製造方法において、該媒体攪拌型分散
機の粉砕媒体としてＺｒＯ2 ビーズを用いることを特徴
とする。
製造方法は、酸化インジウム微粉体が分散していると共
に、スズ塩が溶解している液を媒体攪拌型分散機内に収
容する工程と、該媒体攪拌型分散機を作動させた状態に
おいて、前記液中にアンモニア水を添加して、酸化イン
ジウム微粉体の表面に水酸化スズを析出させる工程と、
この粒子を回収して成形し、焼成する工程とを備えてな
るＩＴＯ焼結体の製造方法において、該媒体攪拌型分散
機の粉砕媒体としてＺｒＯ2 ビーズを用いることを特徴
とする。
【００１６】媒体攪拌型分散機の粉砕媒体としてＺｒＯ
2 ビーズを用いることにより、より一層高密度かつ低抵
抗で、機械的強度及び電気的特性に優れたＩＴＯ焼結体
を製造することができる。特に、ＺｒＯ2 ビーズを用い
ることにより、ガラスビーズを用いた場合のＳｉＯ2 の
混入の問題が解消され、抵抗値の低いＩＴＯ焼結体を得
ることができる。
2 ビーズを用いることにより、より一層高密度かつ低抵
抗で、機械的強度及び電気的特性に優れたＩＴＯ焼結体
を製造することができる。特に、ＺｒＯ2 ビーズを用い
ることにより、ガラスビーズを用いた場合のＳｉＯ2 の
混入の問題が解消され、抵抗値の低いＩＴＯ焼結体を得
ることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１８】まず、本発明で使用する媒体攪拌型分散機
の好適例について図１を参照して説明する。この媒体攪
拌型分散機１は、円筒形の容器（ベッセル）２内に、複
数（図１においては４枚）の水平攪拌羽根３が多段に取
り付けられた攪拌機４が設置されたものである。この容
器２内に粉砕媒体としてＺｒＯ2 ビーズ５が充填されて
いる。攪拌機４を回転させることにより、ＺｒＯ2 ビー
ズ５が流動され、これにより、容器２内に収容された液
１０が混合分散処理される。なお、１１は冷却水の流入
口、１２は同流出口、１３は液排出口である。
の好適例について図１を参照して説明する。この媒体攪
拌型分散機１は、円筒形の容器（ベッセル）２内に、複
数（図１においては４枚）の水平攪拌羽根３が多段に取
り付けられた攪拌機４が設置されたものである。この容
器２内に粉砕媒体としてＺｒＯ2 ビーズ５が充填されて
いる。攪拌機４を回転させることにより、ＺｒＯ2 ビー
ズ５が流動され、これにより、容器２内に収容された液
１０が混合分散処理される。なお、１１は冷却水の流入
口、１２は同流出口、１３は液排出口である。
【００１９】本発明において、媒体攪拌型分散機の粉砕
媒体として用いるＺｒＯ2 ビーズとしては、粒径０．５
〜５ｍｍのものが好ましい。容器２内に収容すべきＺｒ
Ｏ2ビーズの体積は、容器２内の液の体積の５０〜８５
％とりわけ６０〜７５％とするのが好ましい。
媒体として用いるＺｒＯ2 ビーズとしては、粒径０．５
〜５ｍｍのものが好ましい。容器２内に収容すべきＺｒ
Ｏ2ビーズの体積は、容器２内の液の体積の５０〜８５
％とりわけ６０〜７５％とするのが好ましい。
【００２０】本発明の方法においては、酸化インジウム
（Ｉｎ2 Ｏ3 ）微粉体が分散していると共に、塩化スズ
（ＳｎＣｌ4 ）等のスズ塩が溶解している液を媒体攪拌
型分散機内に収容する。
（Ｉｎ2 Ｏ3 ）微粉体が分散していると共に、塩化スズ
（ＳｎＣｌ4 ）等のスズ塩が溶解している液を媒体攪拌
型分散機内に収容する。
【００２１】この手順には特に制限はないが、例えばＳ
ｎＣｌ4 をイオン交換水に１〜５重量％の濃度となるよ
うに溶解させると共に、Ｉｎ2 Ｏ3 微粉体を分散させた
液を媒体攪拌型分散機内に収容するのが好適である。な
お、媒体攪拌型分散機内にＳｎＣｌ4 水溶液とＩｎ2 Ｏ
3 微粉体（又は分散液）を別々に供給しても良い。
ｎＣｌ4 をイオン交換水に１〜５重量％の濃度となるよ
うに溶解させると共に、Ｉｎ2 Ｏ3 微粉体を分散させた
液を媒体攪拌型分散機内に収容するのが好適である。な
お、媒体攪拌型分散機内にＳｎＣｌ4 水溶液とＩｎ2 Ｏ
3 微粉体（又は分散液）を別々に供給しても良い。
【００２２】媒体攪拌型分散機内に投入した分散液に、
媒体攪拌型分散機を作動させた状態において、アンモニ
ア（ＮＨ3 ）水を添加する。具体的には、媒体攪拌型分
散機を５〜１０分程度１０００〜２０００ｒｐｍで攪拌
して分散液を十分に均一分散させた後、攪拌機の回転数
を３００〜５００ｒｐｍ程度に落としてＮＨ3 水を１〜
５分間で５〜１０ｍｌ／ｍｉｎの割合で添加し、添加後
攪拌機の回転数を再び１０００〜２０００ｒｍｐに上げ
て、更に２０〜３０分攪拌して分散処理するのが好まし
い。なお、この攪拌分散処理は１５〜４０℃で行うのが
好ましい。
媒体攪拌型分散機を作動させた状態において、アンモニ
ア（ＮＨ3 ）水を添加する。具体的には、媒体攪拌型分
散機を５〜１０分程度１０００〜２０００ｒｐｍで攪拌
して分散液を十分に均一分散させた後、攪拌機の回転数
を３００〜５００ｒｐｍ程度に落としてＮＨ3 水を１〜
５分間で５〜１０ｍｌ／ｍｉｎの割合で添加し、添加後
攪拌機の回転数を再び１０００〜２０００ｒｍｐに上げ
て、更に２０〜３０分攪拌して分散処理するのが好まし
い。なお、この攪拌分散処理は１５〜４０℃で行うのが
好ましい。
【００２３】これにより、ＳｎＣｌ4 が加水分解され
て、Ｉｎ2 Ｏ3 微粉体の粒子表面にＳｎ（ＯＨ）4 （Ｓ
ｎＯ2 ゾル）として析出する。
て、Ｉｎ2 Ｏ3 微粉体の粒子表面にＳｎ（ＯＨ）4 （Ｓ
ｎＯ2 ゾル）として析出する。
【００２４】このＳｎ（ＯＨ）4 析出Ｉｎ2 Ｏ3 微粉体
を適当な固液分離処理により回収し、回収した粒子を必
要に応じて洗浄した後成形し、得られた成形体を焼成す
る。
を適当な固液分離処理により回収し、回収した粒子を必
要に応じて洗浄した後成形し、得られた成形体を焼成す
る。
【００２５】本発明において、成形法には特に制限はな
く、スリップキャスト法、乾式成形法等を採用すること
ができる。
く、スリップキャスト法、乾式成形法等を採用すること
ができる。
【００２６】また、焼成条件としても特に制限はない
が、通常の場合、大気雰囲気中にて１２００〜１５００
℃で３〜７時間の常圧焼結を行うのが好ましい。
が、通常の場合、大気雰囲気中にて１２００〜１５００
℃で３〜７時間の常圧焼結を行うのが好ましい。
【００２７】なお、本発明において、Ｉｎ2 Ｏ3 微粉体
としては平均粒径１〜５μｍ程度のものが好ましく用い
られ、また、スズ塩としては加水分解によりＳｎ（Ｏ
Ｈ）4を析出するものであれば良く、ＳｎＣｌ4 の他、
硝酸塩等を用いることができる。
としては平均粒径１〜５μｍ程度のものが好ましく用い
られ、また、スズ塩としては加水分解によりＳｎ（Ｏ
Ｈ）4を析出するものであれば良く、ＳｎＣｌ4 の他、
硝酸塩等を用いることができる。
【００２８】Ｉｎ2 Ｏ3 微粉体とスズ塩との使用割合
は、Ｉｎ／Ｓｎ＝８．５〜９．５／１（モル比）、特に
Ｉｎ／Ｓｎ＝９／１（モル比）とするのが好ましい。
は、Ｉｎ／Ｓｎ＝８．５〜９．５／１（モル比）、特に
Ｉｎ／Ｓｎ＝９／１（モル比）とするのが好ましい。
【００２９】また、スズ塩の加水分解に用いるＮＨ3 水
としては１０〜３０重量％濃度のものが用いられ、ＮＨ
3 水は加水分解に必要とされる理論量の１．０〜１．５
倍程度添加するのが好ましい。
としては１０〜３０重量％濃度のものが用いられ、ＮＨ
3 水は加水分解に必要とされる理論量の１．０〜１．５
倍程度添加するのが好ましい。
【００３０】このような本発明のＩＴＯ焼結体の製造方
法によれば、通常の場合、相対密度９５％以上、特に９
７％以上で電気抵抗値が０．３０ｍΩ・ｃｍ以下の高密
度・低抵抗ＩＴＯ焼結体を製造することができる。
法によれば、通常の場合、相対密度９５％以上、特に９
７％以上で電気抵抗値が０．３０ｍΩ・ｃｍ以下の高密
度・低抵抗ＩＴＯ焼結体を製造することができる。
【００３１】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。
り具体的に説明する。
【００３２】実施例１ Ｓｎ（ＯＨ）4 ・５Ｈ2 Ｏ（特級試薬，キシダ化学
（株）製，純度９９％）１３．５ｇをイオン交換水４８
０ｃｍ3 に完全に溶解させてＳｎＣｌ4 水溶液を得た。
この水溶液をマグネティックスターラーで攪拌しながら
Ｉｎ2 Ｏ3 微粉体（平均粒径１．３μｍ，東ソー（株）
製）１１３．４ｇを分散させた。得られた分散液を図１
に示す媒体攪拌型分散機（アシザワ（株）製「パールミ
ル perl mill，ＰＭ−ＲＬ−Ｖ」）を用いて下記処理条
件にて機械的に分散処理し、その過程でＮＨ3 水を添加
した。
（株）製，純度９９％）１３．５ｇをイオン交換水４８
０ｃｍ3 に完全に溶解させてＳｎＣｌ4 水溶液を得た。
この水溶液をマグネティックスターラーで攪拌しながら
Ｉｎ2 Ｏ3 微粉体（平均粒径１．３μｍ，東ソー（株）
製）１１３．４ｇを分散させた。得られた分散液を図１
に示す媒体攪拌型分散機（アシザワ（株）製「パールミ
ル perl mill，ＰＭ−ＲＬ−Ｖ」）を用いて下記処理条
件にて機械的に分散処理し、その過程でＮＨ3 水を添加
した。
【００３３】処理条件 ビーズ種類：ＺｒＯ2 ビーズ（直径：１ｍｍ） ビーズ重量：１ｋｇ ビーズ充填率：約７０％ ベッセル有効体積：０．９６×１０-3ｍ3 粉砕部有効体積：０．６０×１０-3ｍ3 回転数Ｘ時間：１８００ｒｐｍ× ５ｍｉｎ（周速６．５・ｓ-1） ４００ｒｐｍ× ２ｍｉｎ（周速１．４・ｓ-1） １８００ｒｐｍ×２５ｍｉｎ（周速６．５・ｓ-1） 方法：バッチ式 温度：２０℃ 即ち、１８００ｒｐｍで５分間処理後、４００ｒｐｍに
回転数を落とし、２分以内に２８重量％ＮＨ3 水（約１
２．５Ｎ）１８．４ｃｍ3 を導入し、ＳｎＯ2ゾルを生
成させた。再び、１８００ｒｐｍに回転数を上げ、２５
分間の攪拌処理を行った。その後、得られた分散液をパ
ールミルのポットの下部から回収した。このときのｐＨ
は約９．５であった。
回転数を落とし、２分以内に２８重量％ＮＨ3 水（約１
２．５Ｎ）１８．４ｃｍ3 を導入し、ＳｎＯ2ゾルを生
成させた。再び、１８００ｒｐｍに回転数を上げ、２５
分間の攪拌処理を行った。その後、得られた分散液をパ
ールミルのポットの下部から回収した。このときのｐＨ
は約９．５であった。
【００３４】この状態で１日静置し、充分に沈降させた
後、デカンテーションを行い、沈殿を残して上澄液を除
去した。更に、沈殿を遠心分離機（国産遠心器（株）製
「KOKUSANN高速遠心機Ｈ−２００Ｎ」）を用いて７００
０ｒｐｍで５分回転させ分離を行って上澄液を除去し
た。その後、イオン交換水を加えて、攪拌しながら超音
波（２６ｋＨｚ，出力２００Ｗ）を照射し再分散させ、
再び遠心分離機にて８５００ｒｐｍで５分回転させた。
この上澄液の除去と再分散を繰り返し、最後に９０００
ｒｐｍで１０分回転させた。
後、デカンテーションを行い、沈殿を残して上澄液を除
去した。更に、沈殿を遠心分離機（国産遠心器（株）製
「KOKUSANN高速遠心機Ｈ−２００Ｎ」）を用いて７００
０ｒｐｍで５分回転させ分離を行って上澄液を除去し
た。その後、イオン交換水を加えて、攪拌しながら超音
波（２６ｋＨｚ，出力２００Ｗ）を照射し再分散させ、
再び遠心分離機にて８５００ｒｐｍで５分回転させた。
この上澄液の除去と再分散を繰り返し、最後に９０００
ｒｐｍで１０分回転させた。
【００３５】得られた試料１００ｇにイオン交換水を１
００ｍｌ加えて分散液を調製して成形した。
００ｍｌ加えて分散液を調製して成形した。
【００３６】成形は多孔質樹脂盤を用いたスリップキャ
スト法で行った。即ち、樹脂盤上に円筒形の型（テフロ
ン製，内径３ｃｍ，容量２０ｃｍ3 ）を置いて分散液を
流し込み、下からロータリーポンプで減圧することで分
散液中の水分を除去した。型は、底にワセリンを塗って
樹脂盤上に予め置いておき、調製した分散液を型一杯に
流し込んだ。成形体上面に分散媒が無くなった時を目安
に型を外し、５０℃の定温乾燥器中で乾燥させて成形体
を得た。得られた成形体の密度は表１に示す通りであっ
た。
スト法で行った。即ち、樹脂盤上に円筒形の型（テフロ
ン製，内径３ｃｍ，容量２０ｃｍ3 ）を置いて分散液を
流し込み、下からロータリーポンプで減圧することで分
散液中の水分を除去した。型は、底にワセリンを塗って
樹脂盤上に予め置いておき、調製した分散液を型一杯に
流し込んだ。成形体上面に分散媒が無くなった時を目安
に型を外し、５０℃の定温乾燥器中で乾燥させて成形体
を得た。得られた成形体の密度は表１に示す通りであっ
た。
【００３７】得られた成形体は、下記焼成プログラムで
１３００℃で５ｈｒ焼成した。焼成にはマッフル炉（山
田電気（株）製「ＭＳＦ−１５３０−ＲＰ」）を用い、
アルミナるつぼに組成比の等しい混合粉末を詰め粉とし
て入れ、白金板の上に成形体を置いて大気雰囲気にて焼
成を行った。ＳｎＯ2 は蒸気圧が高く、炉の中を汚染す
る可能性があるので、アルミナるつぼは二重にした。
１３００℃で５ｈｒ焼成した。焼成にはマッフル炉（山
田電気（株）製「ＭＳＦ−１５３０−ＲＰ」）を用い、
アルミナるつぼに組成比の等しい混合粉末を詰め粉とし
て入れ、白金板の上に成形体を置いて大気雰囲気にて焼
成を行った。ＳｎＯ2 は蒸気圧が高く、炉の中を汚染す
る可能性があるので、アルミナるつぼは二重にした。
【００３８】焼成プログラム １００〜 ８００℃：約７００℃／ｈｒで昇温 ８００〜１３００℃：約１００℃／ｈｒで昇温 １３００℃：５ｈｒ焼成 １３００〜８００℃：約２００℃／ｈｒで降温 得られたＩＴＯ焼結体の密度、ビッカース硬度及び電気
抵抗値を測定し、結果を表１に示した。
抵抗値を測定し、結果を表１に示した。
【００３９】実施例２ スリップキャスト法の代りに乾式成形法により成形を行
ったこと以外は同様にしてＩＴＯ焼結体を得た。
ったこと以外は同様にしてＩＴＯ焼結体を得た。
【００４０】即ち、実施例１と同様にして得られたイオ
ン交換水分散液中の試料を分取して、試料に対して１．
５６重量％のポリビニルアルコール（分子量２０００：
小宗化学薬品（株）製。以下「ＰＶＡ」と称す。）をバ
インダーとして加えよく攪拌し、５０℃の温風乾燥機中
で４８時間乾燥させた。メノウ乳鉢で粉砕後に、１５０
メッシュ（０．１０５ｍｍ以下）の篩を通して分級し、
１００ＭＰａで一軸加圧成形を行い成形体を得た。
ン交換水分散液中の試料を分取して、試料に対して１．
５６重量％のポリビニルアルコール（分子量２０００：
小宗化学薬品（株）製。以下「ＰＶＡ」と称す。）をバ
インダーとして加えよく攪拌し、５０℃の温風乾燥機中
で４８時間乾燥させた。メノウ乳鉢で粉砕後に、１５０
メッシュ（０．１０５ｍｍ以下）の篩を通して分級し、
１００ＭＰａで一軸加圧成形を行い成形体を得た。
【００４１】この成形体は、ＰＶＡを取り除くために、
横型炉にて昇温速度１０℃／ｍｉｎで昇温加熱し、６０
０℃で３時間の仮焼を行った後に、実施例１と同様の焼
成を行った。
横型炉にて昇温速度１０℃／ｍｉｎで昇温加熱し、６０
０℃で３時間の仮焼を行った後に、実施例１と同様の焼
成を行った。
【００４２】得られた成形体の密度、ＩＴＯ焼結体の密
度、ビッカース硬度及び電気抵抗値の測定結果を表１に
示す。
度、ビッカース硬度及び電気抵抗値の測定結果を表１に
示す。
【００４３】比較例１ 実施例１において、粉砕媒体として直径１ｍｍのＮＦ
（ナトリウムフリー）ガラスビーズを用いたこと以外は
同様にして試料を製造し、同様に成形、焼成を行って、
ＩＴＯ焼結体を得た。
（ナトリウムフリー）ガラスビーズを用いたこと以外は
同様にして試料を製造し、同様に成形、焼成を行って、
ＩＴＯ焼結体を得た。
【００４４】得られた成形体の密度、ＩＴＯ焼結体の密
度、ビッカース硬度及び電気抵抗値の測定結果を表１に
示す。
度、ビッカース硬度及び電気抵抗値の測定結果を表１に
示す。
【００４５】比較例２ 実施例２において、粉砕媒体として直径１ｍｍのＮＦ
（ナトリウムフリー）ガラスビーズを用いたこと以外は
同様にして試料を製造し、同様に成形、焼成を行って、
ＩＴＯ焼結体を得た。得られた成形体の密度、ＩＴＯ焼
結体の密度、ビッカース硬度及び電気抵抗値の測定結果
を表１に示す。
（ナトリウムフリー）ガラスビーズを用いたこと以外は
同様にして試料を製造し、同様に成形、焼成を行って、
ＩＴＯ焼結体を得た。得られた成形体の密度、ＩＴＯ焼
結体の密度、ビッカース硬度及び電気抵抗値の測定結果
を表１に示す。
【００４６】
【表１】
【００４７】表１より、本発明のＩＴＯ焼結体の製造方
法によれば、緻密かつ低抵抗で機械的特性、電気的特性
に優れたＩＴＯ焼結体が得られることが明らかである。
法によれば、緻密かつ低抵抗で機械的特性、電気的特性
に優れたＩＴＯ焼結体が得られることが明らかである。
【００４８】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のＩＴＯ焼結
体の製造方法によれば、常圧焼結により、内部歪がな
く、緻密かつ低抵抗で組成の均一性に優れ、このため機
械的特性、電気的特性も著しく良好な高特性ＩＴＯ焼結
体を製造することができる。
体の製造方法によれば、常圧焼結により、内部歪がな
く、緻密かつ低抵抗で組成の均一性に優れ、このため機
械的特性、電気的特性も著しく良好な高特性ＩＴＯ焼結
体を製造することができる。
【００４９】本発明の方法により得られるＩＴＯ焼結体
は、太陽電池、液晶ディスプレイ等の高特性透明導電膜
作製用スパッタリングターゲットとして工業的に極めて
有用である。
は、太陽電池、液晶ディスプレイ等の高特性透明導電膜
作製用スパッタリングターゲットとして工業的に極めて
有用である。
【図１】本発明で使用される媒体攪拌型分散機の好適例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１ 媒体攪拌型分散機 ２ 容器 ３ 攪拌羽根 ４ 攪拌機 ５ ＺｒＯ2 ビーズ １０ 液
Claims (1)
- 【請求項１】 酸化インジウム微粉体が分散していると
共に、スズ塩が溶解している液を媒体攪拌型分散機内に
収容する工程と、 該媒体攪拌型分散機を作動させた状態において、前記液
中にアンモニア水を添加して、酸化インジウム微粉体の
表面に水酸化スズを析出させる工程と、 この粒子を回収して成形し、焼成する工程とを備えてな
るＩＴＯ焼結体の製造方法において、 該媒体攪拌型分散機の粉砕媒体としてＺｒＯ2 ビーズを
用いることを特徴とするＩＴＯ焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7282806A JPH09124363A (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | Ｉｔｏ焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7282806A JPH09124363A (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | Ｉｔｏ焼結体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09124363A true JPH09124363A (ja) | 1997-05-13 |
Family
ID=17657334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7282806A Withdrawn JPH09124363A (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | Ｉｔｏ焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09124363A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006272176A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Kagoshima Univ | マイクロカプセルおよび微粒子の半連続製造装置およびこの半連続製造装置の撹拌反応槽に浮遊型撹拌子を利用する粒子付着防止方法 |
| WO2008078422A1 (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-03 | Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co., Ltd. | 透明導電膜形成用組成物、透明導電膜及びディスプレイ |
| CN103626222A (zh) * | 2013-11-15 | 2014-03-12 | 广东光华科技股份有限公司 | 一种微米级二氧化锡粉体的制备方法 |
| CN107226480A (zh) * | 2017-06-23 | 2017-10-03 | 慕平 | 一种从氧化铟锡回收无水铟盐和无水锡盐的方法 |
-
1995
- 1995-10-31 JP JP7282806A patent/JPH09124363A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006272176A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Kagoshima Univ | マイクロカプセルおよび微粒子の半連続製造装置およびこの半連続製造装置の撹拌反応槽に浮遊型撹拌子を利用する粒子付着防止方法 |
| WO2008078422A1 (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-03 | Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co., Ltd. | 透明導電膜形成用組成物、透明導電膜及びディスプレイ |
| JP2008165984A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-17 | Jiemuko:Kk | 透明導電膜形成用組成物、透明導電膜及びディスプレイ |
| CN103626222A (zh) * | 2013-11-15 | 2014-03-12 | 广东光华科技股份有限公司 | 一种微米级二氧化锡粉体的制备方法 |
| CN107226480A (zh) * | 2017-06-23 | 2017-10-03 | 慕平 | 一种从氧化铟锡回收无水铟盐和无水锡盐的方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030107 |