TWI359518B - Tin phosphate barrier film, method, and apparatus - Google Patents

Description

九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於抑制氧氣及水氣穿透，以及裝置及設備 後續劣化之方法。 【先前技術】 氧氣或水份傳移通過疊層或包封材料及後續侵蝕内部 材料代表許多裝置兩種較為普遍相關之衰變機制，該裝置 例如為發光裝置(〇le:d裝置)，薄膜感測器，及消散波導感測 器。假如採用一些步驟使氧氣及水份滲透至0LED裝置減為 最低程度，該裝置使用壽命將大大地增加。 目前已嘗試延長OLED裝置之使用壽命包含使用吸氣劑 吸氣，包封及外延裝置之密封技術。目前一項常用密封裝 置例如OLED之方法包含使用環氧樹脂，無機材料及/或有機 材料，其藉由暴露於加熱或紫外線而固化而形成密封。雖 d這麵式密封提供某種程度_特性但是為昂貴的以 及無法確保在長期操作過程維持密閉性密封。 相同的氧氣及水份滲朝題在其他裝置中例 測器，消散波導感測器，食物容器及藥品容器為普遍存在的 因而存在-求以_氧氣及水縣透進人這些裝置 内°本發舊滿足該絲及其他。 【發明内容】 方法本發明提供—種抑制氧氣及水氣穿透之 料於至，二：沉_酸錫低液相線溫度之無機材 1359518 ;以及在實質上無氧氣及水氣穿環境中熱處理低液相線溫 度之無機材椒形成細性細;其+沉積低液相線溫度 之無機材料的步驟包含使用由鎢所構成電阻加熱元件。 在另一項中’本發明提供一種裝置，其藉由本發明方法 製造出。 在另一項中，本發明提供一種有機電子裝置其包含基 板;至少一層有機電子或光電層；以及璃g复錫低液相線溫度 I1 早壁層，其中有機電子或光電層密閉性密封於碗自复錫低液 相線溫度障壁層以及基板之間。 在另一項中，本發明提供一種裝置其具有至少部份利 用鱗酸錫低液相線溫度障壁層加以密封。 本發明其他各項部份揭示於下列詳細說明，附圖以及 申請專利範圍中，其部份可由詳細說明衍生出，或藉由實施 本發明而明瞭。人們了解本發明之先前一般說明及下列詳 細說明只作為範例以及解說以及並非作為限制用途。 【實施方式】 本發明可藉由參考下列詳細說明，範例，以及申請專利 範圍，以及先前與底下說明立即地可了解。不過在本發明 裝置及/或方法被揭示以及說明之前，人們了解本發明除非 另有說明並不受限於所揭示之特定裝置及/或方法，以及能 夠加以變化。人們亦了解在此所使用名詞只作為說明特定 項目以及並不預期作為限制性。 所揭示之材料，化合物，組成份能夠使用作為，共同使 用於，能夠使用於配製所揭示方法及組成份之產物。這些 第6 頁 以及其他材料在此揭示出，以及人們了解當這些材料之組 合，次組合，交互作用，群組等揭示出然而每一不同以及共 同Μ合特定參考以及這些化合物之組合並不明確地揭示出 ，每一情況特定地加以考慮以及在此加以說明。例如，假如 揭示出成份A, Β及C之種類以及D，Ε，及F以及組成份A-D範例 被揭示出，則每一組成份並未各別地說明，其考慮到每一各 別及共同之情況。因而，在該範例下，每一組合A-E，A_F，Β_ D’ B-E，B-F，C-D，C-E，及C-F特別地考慮到以及應視為已由a ’ B，及C; D，E，及F;及範例組合A-D揭示出。同樣地J其任何 次組合或組合亦特別地考慮及揭示出。因而，例如a_e，b_f ’及C-E次組合特別地考慮到以及視為已由A，B，及C;D，E，及 F;及範例組合A-D揭示出。該觀念適用於該揭示内容各項 目，包含非限制性製造及使用所揭示組成份方法之各步驟 。因而，假如存在各種其他能夠實施之步驟人們了解能夠 利用所揭示方法各項組合或任何特定項目進行這些每一其 他步驟，以及每一該組合特別地考慮到以及應該視為已揭 示出。 本發明下列說明提供作為以目前已知實施例揭示出本 發明。關於此方面，相關業界熟知此技術者了解在此所說 明各項能夠作許多變化，然而仍然可制本發明有益結果 °明顯地’本糾—些所需要之伽亦誠齡選擇本發 明-些特不f魏料他雛而達成。目而，業界了 解本發明作許多變化以及改變為可能的以及甚至於在特定 清况下為需要的以及為本發明之部份。因而，下列說明提 比 9518 供作為說明本發明之原理以及並非作為限制用途。 在下列本說明書及申請專利範圍十，所使用一些名詞 定義如下： 必需說明綱纽㈣專利細t，#數形式之冠詞 "a’’ ’ ” an"以及” the”亦包含複數之含意，除非另有清楚地表 示。例如π低液相線溫度無機材料"包含該兩種或多種該材 料’除非說明内容清楚地表示其他情況。 選擇性或選擇性地"係指所說明事件或情況會發生 或不會發生，以及事件或情況會發生或不會發生之實例。 例如’所5胃"選擇性替代成份”係指成份可或不可加以替代 以及說明包含本發明未替代及替代情況。 範圍能夠以"大約”為一個特定數值及/或至"大約"另 一特定值表示。當以該範圍表示時，另一項包含由一個特 定數值及/或至另一特定數值。同樣地，當數值藉由前面加 上"大約”表示為近似值，人們瞭解該特定值形成另外一項 。人們更進一步瞭解每一範圍之每一端點值表示與另一端 點關係以及不受另一端點支配兩種意義。 在此所使用”重量百分比"或” ％重量比”除非另有說明 係指成份重量與包含各成份之組成份總重量以百分比表示 的比值。 除非另有說明，在此所使用”低液相線溫度無機材料”， "低液相線溫度材料”，以及"LLT材料"係指材料溶融點(Tm) 或玻璃轉變溫度(Tg)低於i〇〇(TC。 在此所使用之"起始”材料係指蒸發以及沉積於裝置上 1359518 之材料。 在此所使用之"沉積"材料係指已沉積於裝置或裝置上 之材料。 在此所使用之障壁層材料係指密閉性塗膜，以及特 別是沉積之镇酸錫低液相線溫度材料，其已熱處理至有效 形成密閉性密封之溫度。 如上述簡單說明，本發明提供改良方法以形成填酸锡 低液相線溫度障壁層於裝置或設備上。其他項目將在底下 詳細說明，本發明方法包含沉積磷酸錫低液相線溫度起始 原料於至少部份裝置或設備上以形成沉積之低液相線溫度 材料，以及對沉積之填酸錫低液相線溫度材料進行熱處理 以去除缺陷及/或孔隙以及形成翻曼錫低液相線溫度障壁 層。 磷酸錫低液相線溫度材料能夠藉由例如熱蒸發，共同 蒸發，雷射消融，急驟蒸發，汽相沉積，電子束輕射，或其組 合沉積於裝置上。在磷酸錫低液相線溫度材料中缺陷及/ 或孔隙能夠藉由固結或熱處理步驟加以去除以產生無孔隙 或實質上無孔隙，氧氣以及水汽無法渗透保護性塗膜於裝 置上。雖然許多沉積方法可能適用於一般玻璃（即，具有高 炫融溫度之玻璃)，固結步驟只可實施於磷酸錫低液相線溫 度材料，其中固結溫度相當低並不會損壞裝置中之内層。 在一些項目中，沉積步驟及/或熱處理步驟在真空中，惰性 氣體中，或大氣條件下進行，其決定於填酸錫低液相線溫度 材料之組成份。 第 9 頁 Ϊ359518 參考附圖，圖1流程圖顯示出形成磷酸錫低液相線溫度 障壁層於裝置上範例性方法1〇〇之步驟。以步驟11〇及12〇 開始，提供裝置以及磷酸錫低液相線溫度起始原料，因而能 夠形成所需要填酸錫低液相線溫度障壁層於裝置上。在步 驟130中，—酸錫低液相線溫度起始原料被蒸發以沉積鱗酸 錫低液相線溫度材料於至少部份裝置上。決定於特定材料 以及沉積條件，沉積之碟酸錫低液相線溫度材料能夠含有 孔隙以及能夠保持對氧氣以及水氣之滲透性。在步驟14〇 中’沉積之填酸錫低液相線溫度材料加以熱處理至一溫度 足以去除孔隙，例如溫度大約等於被沉積填g曼錫低液相線 溫度材料以及形成密閉性密封或磷酸錫低液相線溫度障壁 層之玻璃轉變溫度，其能夠防止氧氣以及水氣滲透至裝置 内。 範例性方法之步驟並非預期作為限制以及能夠以不同 的順序實施。例如步驟110能夠在步驟12〇之前，之後，或同 時地進行。 裝置: 本發明裝置能夠為任何裝置，其中至少部份裝置對氧 氣及/或水氣為靈敏的，例如有機_電子裝置例如為有機發 光，極體(0LED)，聚合物發光Θ亟體(PLED)，或薄膜電晶體 ’ 4膜感測器;光電裝置例如為光學開關或消散波導感測器 ;光伏打裝置;食物容器；或藥品容器。 在-項令，裝置為OLED震置，其具有多個内層，包含陰 極以及.電子-發光材料，其位於基板上。絲能夠為任何適 第10 頁 Ί359518 合作為製紗膽雖置之簡。在—射級為玻璃 。在另-項中顧為可撓性材料。在一項中，低液相線溫 度材料在％糾及電子酬彳撕之前沉積出。 在另-項中，裝置為有機電子裝置，其包含如上綱說 明之紐’以及至少-層有機電子或光電層。在另一項中， 裝置塗覆磷酸錫低液相線溫度障壁層，其中有機電子或光 電層密閉性密封於絲以及磷酸錫低液相線溫度障壁層之 間。在另-項中，密閉性密封藉由沉積以及熱處理鱗酸錫 低液相線溫度材料而形成。 參考晒，® 2顯示蚊置魏_職液相線溫度障 壁層之範例性斷面圖。圖2範例性含有塗膜之裝置包含 基板40,對氧氣及/或水氣靈敏之光電層2〇，以及鱗酸锡低 液相線溫度障壁層3〇,該障壁層在光電層2〇與外界環境氧 氣及水氣之間提供密閉性密封。 構酸鹽低液相線溫度無機起始材料： 在本發明中，物理特性例如為低液相線溫度無機材料 之低玻璃轉變溫度容易使密閉性密封形成。在本發明一項 中，磷酸錫低_目線溫度無機起始材料或低液相線溫度啟 始材料能夠沉積於至少部份裝置上以及在相當低溫度下熱 處理以得到無孔隙或實質上無孔隙之障壁層，而並不會損 及裝置之内層。人們了解沉積以及熱處理低液相線溫度無 機材料能夠使用作為廣泛種類裝置上之障壁層。 在一項中，鱗酸錫低液相線溫度之玻璃轉變溫度為低 於1000°C，優先地低於600°c，以及更優先地低於4〇〇。〇。 第11頁 1359518 在另一項中，磷酸錫低液相線溫度起始材料不含氟，優 先地含有小於1 %重量比氟，以及更優先地不含氟。在另一 項中，填SiL錫低液相線溫度起始材料由錫，填以及氧所構成 。範例性磷酸錫低液相線溫度起始材料包含偏磷酸鹽，正 磷酸氫鹽，正磷蟀氫錫，磷酸錫，或其混合物。優先地填酸 錫低液相線溫度起始材料為焦磷酸錫。 人們了解沉積磷酸錫低液相線溫度材料之化學計算量 能夠變化而與鱗酸錫低液相線溫度起始原料不同。例如， 焦填酸鹽蒸發能夠產生沉積材料，其相對於焦填酸錫為耗 乏或濃縮填。在各項中，沉積填酸錫低液相線溫度材料具 有錫濃度能夠低於，等於，或高於磷酸錫低液相線溫度起始 材料情況。假如沉積填酸錫低液相線溫度材料具有錫丨農度 高於鱗S复錫低液相線溫度起始原料情況為有益的。優先地 沉積填S变錫低液相線溫度具有錫濃度至少與镇酸锡低液相 線溫度起始原料一樣高。亦優先地，沉積磷酸錫低液相線 溫度材料具有與鱗酸錫低液相線溫度起始原料一樣低之液 相線溫度。優先地，麟酸錫低液相線溫度起始原料包含二 價錫。 在一項中，鱗酸錫低液相線溫度起始原料為單一磷酸 錫低液相線溫度材料，例如偏填錫，正碟酸氫，正碟酸二 氫，或焦科3欠錫。在另一項中，峨酸錫低液相線溫度起始 原料月b夠包含不同成份之混合物。在另一項中，鱗酸锡低 液相線溫度起始原料能夠包含玻璃，其藉由混合至少兩種 磷酸錫低液相線溫度材料，加熱材料將其融合在一起以 第12頁 1359518 及淬冷所形成混合物以形成玻璃而產生。 磷酸錫低液相線溫度起始原料能夠更進一步由氧化錫 所構成。在一項中，氧化錫材料能夠包含60%至85%莫耳比 磷酸錫低液相線溫度起始原料。 鱗酸錫低液相線溫度起始原料能夠更進一步包含添力σ 劑及/或其他低液相線溫度材料。在一項中，磷酸錫低液相 線溫度起始原料由含銳化合物所構成。在另一項中，鱗酸 錫低液相線溫度起始原料包含氧化錕，其含量為大於〇至 %重量比，優先地含量大於0至5%重量比，以及更優先地約為 1%重量比。 磷酸錫低液相線溫度起始原料為市場上可提供，例如 由Alfa Aesar，Ward Hill，ΜΑ，USA提供。熟知此技術者 應S亥能夠立即地選擇適當磷酸錫低液相線溫度起始原料。 磷酸錫低液相線溫度起始原料之沉積： 在本發明中，磷酸錫低液相線溫度起始原料能夠藉由 蒸發處理過程例如熱蒸發沉積於至少部份裝置上。本發明 蒸發以及沉積步驟並不受限於任何特定裝置或幾何形狀。 人們了解蒸發以及沉積步驟能夠為分離步驟或合併 一旦磷酸錫低液机線溫聽始原料被汽化，汽化材料通常 沉積於緊鄰於電阻加熱元件之表面上。一般所使辟發系 統操作於雜情況下，其壓力在1(Γ3幻P托之間以及配 置引線以提縣流至雜加熱元件。練亦錄實施於惰 ^氣體中以確保實質上不含氧氣及水氣狀並在整絲 發，沉積，以及密封處理過程中加以保持。除非被塗覆裝置 第13 胃 1359518 雜歧環縣不冑找全不含氧氣 及=氣，以及因而環境能夠*含或實質上不含氧氣及水氣 。月b夠採用各種電阻加熱元件，其包含盤狀，帶狀，或掛禍 在瓜瘵發處理過程令，磷酸錫低液相線溫度起始原料 此夠放置與電阻加熱元件接觸。電流隨後通過t阻加熱元 件，其功率大約在8〇至180瓦範圍内，其導致鱗酸錫低液相 線溫度起蝴料之汽化。蒸發狀材觸f要之功率不同 ，其決定於材料本身，壓力，以及加熱元件之電阻。特定沉 積速率以及時間亦不同，其決定於材料，沉積條件，以及沉 積層所需紅厚度。驗彡、餅岭場取得肩如由Kurt 11^1^0)1^1^’（：1&丨1*1;〇11，？八職提供。業界熟知 此技術者能夠立即地選擇沉積磷酸錫低液相線溫度起始原 料所需要之操作條件以及蒸發系統。 在一項中，單層磷酸錫低液相線溫度材料能夠沉積於 至少部份基板上。在另一項中，多層相同或不同的種類之 填酸錫低液相線溫度材料能夠沉積於位於基板頂部一層或 多層内層上。 在一項中，本發明包含由鎢所構成之電阻加熱元件。 蒸發系統以及電阻加熱元件之幾何形狀能夠變化。在一項 中鎢電阻力σ熱元件為盤式。在另一項中，嫣電阻力〇熱元件 為帶狀。業界熟知此技術·者應該立即地能夠選擇適當的蒸 發系統以及鎢電阻加熱元件。 由鶴電阻加熱元件產生磷酸錫低液相線溫度起始原料 之蒸發提供高穩定沉積速率，其難以利用其他_复錫低液 第14 頁 1*359518 相線溫度起始原料或沉積技術達成。例如，沉積速率高達 15埃每秒能夠使用填酸錫低液相線溫度起始原料以及小的 鶴盤達成。以該速率沉積碟g变錫低液相線溫度起始原料之 能力容易商業化製造出能夠承受高溫處理之可撓性基板。 沉積填酸錫低液相線溫度之特性： 沉積之碌酸錫低液相線溫度材料能夠選擇性地更進一 步包含氧化錫。在一項中，磷酸錫低液相線溫度材料能夠 包含60%至85%莫耳比氧化錫。如上述所說明，沉積磷酸錫 低液相線溫度材料之特定化學結構以及計算量能夠與填酸 錫低液相線溫度起始原料不同。在沉積之碟酸錫低液相線 溫度材料中存在氧化錫能夠由選擇性添加氧化錫至填酸錫 低液相線溫度材料，或由在沉積處理過程中或在裝置表面 上發生化學及/或計算量變化而產生。 在一項中，沉積之填酸錫低液相線溫度材料包含二價 錫，較高價錫化合物例如Sn44化合物，或其混合物。在一項 中，在沉積礙酸錫低液相線溫度材料中存在化合物提 供提昇之耐久性。 磷酸錫低液相線溫度起始原料使用鎢電阻加熱元件蒸 發將導致填酸錫低液相線溫度起始原料與電阻力σ熱元件間 產生化學或物理反應作用，其中至少部份鎢能夠利用磷酸 錫低液相線溫度起始原料沉積在一起。在一項中，沉積之 填酸錫低液相線溫度起始原料包含〇至10%重量比鎮，優先 地由2至7%重量比鎢。在另一項中，磷酸錫低液相線溫度啟 始原料間之反應作用例如焦鱗酸錫與鎢加熱元件間之反應 第15 頁 1359518 作用導致形成包含鎢之綠色玻璃材料❶ 在一項中，沉積之麟酸錫低液相線溫度材料能夠含有 其他材料以提供強度或滲透抵抗性，或改變裝置之光學特 性。這些材料能夠與填酸錫低液相線溫度起始原料一起蒸 發。在一項中，磷酸錫低液相線溫度材料能夠包含銳例如 為氧化銳形式。氧化銳可由Alfa Aesar，Ward Hill，MA USA提供。業界熟知此技術者能夠立即地選擇適當的添加 材料例如氧化鈮。在另一項中，沉積磷酸錫低液相線溫度 材料由磷酸鹽，鈮，以及鶴所構成。 磷酸錫低液相線溫度障壁層之熱處理及形成： 熱處理或退火步驟能夠使鱗酸锡低液相線溫度材料之 沉積層中缺陷及孔隙減為最低，能夠使密閉性密封或構酸 錫低液相線溫度障壁層形成。在一項中，熱處理填酸錫低 液相線溫度障壁層為不含孔隙或實質上不含孔隙。殘留於 熱處理碌酸錫低液相線溫度障壁層中孔隙數目及/或尺寸 應該相當低足以防止氧氣及水氣滲透。在一項中，在真空 中進行熱處理。在另一項中，熱處理步驟在惰性氣體中進 行。人們了解熱處理步驟能夠在相同的系統中進行以及隨 後，或在分離時間以及地點進行沉積步驟，只要保持該環境 條件避免氧氣及水氣滲入裝置内。 本發明熱處理步驟包含加熱裝置，該裝置沉積填酸錫 低液相線溫度材料。在一項中，裝置以及沉積磷酸錫低液 相線溫度材料所暴露之溫度等於玻璃轉變溫度，或沉積磷 酉义錫低液相線溫度材料之Tg。在另一項中，裝置以及沉積 1359518

磷酸錫低液相線溫度材料所暴露之溫度等於玻璃轉變溫度 ，或沉積磷酸錫低液相線溫度材料之Tg大約50°C範圍内。 在另一項中，裝置以及沉積碟酸錫低液相線溫度材料所暴 露之溫度為 200°C至 350°C，例如為 200, 225, 250, 275, 300, 325,或350°C。在另一項中，裝置以及沉積磷酸錫低液相線 溫度材料所暴露之溫度約為25(TC至275。(：。人們了解裝置 以及沉積填酸錫低液相線溫度材料所暴露之理想時間以及 溫度可變化，其決定於一些因素例如沉積磷酸錫低液相線 溫度材料之組成份，要被密封組件之工作溫度範圍，以及密 閉性密封所需要之厚度以及滲透性。熱處理步驟能夠藉由 能夠達成所需要之溫度以及保持無氧氣及水氣環境之構件 進行。在一項_，熱處理步驟包含利用位於真空沉積槽中 紅外線燈泡加熱裝置。在另一項中，熱處理步驟包含提高 裝置所放1之紅沉髓溫度。熱處理轉麟與沉積步 驟分別地進行，只要保持無氧氣及水氣環境。優先地熱處 理條件心X使所產絲置符合職魏驗格，例如下列 =說明之触點麟。熟知此技術者麟辦地選擇適當 达閉性在、封之熱處理條件而不會損及裝置。 磷酸錫低液相線财起始原料之厚度能夠為任 要厚度以提供所需要之細性密封。在-項巾肩_^ nrr壁層厚度約為1微米。在另一項中，魏锡低 液相線溫度障壁層厚度約為2. 5微米。 _ H t’ 4_低_線溫度障至 射或吸收為透明的。在另一項中，磷醆錫低液相線溫度障 1359518 壁層至少對部份可見光為透明的。 障壁層評估： 磷酸錫低液相線溫度障壁層之密閉性能夠使用各種方 法評估以測試構酸錫低液相線溫度障壁層對氧氣及/或水 氣為密閉性。在一項中，磷酸錫低液相線溫度障壁層能夠 使用鈣斑點測試進行評估，其中薄的鈣薄膜沉積於基板上 。填酸錫低液相線溫度障壁層因而形成，密閉鈣薄膜於踏 酸錫低液相線溫度障壁層與1灰之間。所產生裝置在選擇 溫度及濕度例如85°C以及85%相對濕度下進行環境老下測 試。假如氧氣及水氣穿透罐酸錫低液相線溫度障壁層，高 度反射性鈣薄膜將產生反應，其產生很容易可辨識之不透 明白色外皮。顯示器業界人們了解弼斑點在85t，85%相對 濕度環境保存1000小時表示密閉性層能夠防止氧氣及水氣 穿透至少5年。 範例： 為了更進一步顯示出本發明之原理，揭示出下列範例 以k供業界熟知此技術者完全揭示以及說明如何達成及評 估申請專概圍之裝置及紐。這些細只作為本發明之 範例以及並不預期作為限制本發明之範圍。已作嘗試以確 保各數值(例如數量，溫度等)之正確性，但是其具有誤差及 偏差。除非另有說明，比例為重量比，溫度以。C為單位或在 室溫下，以及壓核在大紐力下。反雜件存在許多變 化及組合，.組成份濃度，溫度，壓力及其他反絲圍以 及能夠使_雜相由峨爾理触得顺佳產物之 第18 頁 1359518 純度及產量。只需要合理及例行性試驗使該處理過程條件 最佳化。 範例1:焦磷酸錫之穩定沉積： 在第一範例中，磷酸錫低液相線溫度材料藉由熱蒸發 /儿積於石夕晶片上。焦墙酸錫顆粒(Aifa Aesar，Ward Hill, MA USA)利用自製丸劑播壓器配製出以及儲存於丨〇〇。〇烘箱 中。焦磷酸錫顆粒放置於3πχ〇. 75"鎢盤(S7-010W，可由R. D. Mathis’ Long Beach，CA，USA),夾於蒸發系統兩個銅引 線之間。蒸發系統之真空槽施以真空抽除至最終壓力在1〇·6 至10托之間，以及石夕晶片放置於蒸發煙霧路徑外側。調 整功率至2瓦以及保持保持歷時3〇分鐘使焦填酸錫以及鶴 盤發生反應。當施加電流時，能夠達成穩定沉積速率高達 15每秒埃。 範例2-由焦磷酸錫形成低液相線溫度障壁層： 在第二範例中，磷酸錫低液相線溫度材料沉積於約薄 膜測試裝置上。焦填g变錫顆粒配製以及蒸發如同範例^。 功率調整至20瓦以及保持歷時30分鐘使焦磷酸錫以及鎢盤 發生反應。對鎢盤再增加功率至8〇至125瓦。在蒸發過程 中，殘餘氣體分析器監測真空槽環境。如圖3所示，在蒸發 過程中存在相當低濃度背景氣體。在初始期間，調整功率 以達成穩定沉積速率在10及15埃每秒之間，在該時間測試 裝置放置於蒸發煙霧路徑中以沉積低液相線溫度材料。 在低液相線溫度材料沉積出大約2微米後，停止提供功 率至電阻盤以及打開紅外線燈泡，提高沉積層溫度至大約 第19 頁 1359518 260°C(大塊焦磷酸錫玻璃具有玻璃轉變溫度為247°C)。維 持該溫度大約2小時，有效地燒結沉積層以及形成不滲透層 。測試裝置再施以加速老化測試，如範例4所說明。 範例3-添加五氧化二鈮 在第三範例中，如範例2所示鈣薄片測試裝置配製出以 及利用低液相線溫度材料密封。在該範例中，在蒸發之前1 %莫耳比五氧化二銳加入至磷酸錫低液相線溫度起始原料 。達成類似範例2沉積速率。測試裝置再施以如範例6所說 明之力0速老化測试，所德得結果詳細顯示於表1中。 範例4:鈣薄片加速測試： 在另一項範例中，鈣薄片測試裝置配製出。測試裝置 由Coming 1737玻璃基板(大約1咖厚度以及2. 5平方英叶) 所構成，ΙΟΟηιη厚度約薄膜(大約1英u寸χ〇· 5英叶)沉積於該 基板上，以及200nm尽度銘層（大約1英υ寸5英叶)沉積於 其上面。測試裝置固定於真空沉積槽中可移動平台上。 鈣薄片測試裝置在隨後利用沉積焦磷酸錫低液相線溫 度加以密封。密封裝置，而後再暴露於設計來模仿裝置例 如0LED長期操作之一些條件下。業界加速老化標準條件要 求裝置能夠在85。0：以及85%相對濕度環境中承受1〇〇〇小時 。由於暴露於氡氣或水氣，由於滲透經過低液相線溫度層， 發生該反應以及由高度反射性改變為不透明白色外皮。以 規則時_ 行照相以定量測試裝置之輕以及因而測 定出低液相線溫度層之密閉性強度。底下表丨詳細說明上 述範例中所配製裝置之約斑點試驗。在表丨中詳細說明之 頁 第20 1359518 範例並不需要為範例1-4中所配製之特定試樣，但是以相同 的方式配製出。 表1-舞薄片加速老化測試 範例 起始低液相線溫度原料 熱處理 老化測試 範例2 Sri2P2〇7 〜260 °C/2 時 通過 範例2 複製 S〇2p2〇7 〜2600C/2 時 通過 範例3 Sn2P2〇7 +1 % Nb2〇5 〜260 0C/2 時 通過 檢視表1中數據顯示當熱處理至接近低液相線溫度材 料之玻璃轉變溫度歷時2小時時，使用鎢電阻加熱元件由焦 磷酸鹽蒸發形成障壁層產生良好的密閉性密封。依據範例 3配製出額外薄膜，其中磷酸錫低液相線溫度起始原料包含 1%莫耳比五氧化二銳。表1顯示出當沉積薄膜熱處理至接 近低液相線溫度材料之玻璃轉變溫度時使用填g曼錫低液相 線溫度材料將達成良好密閉性密封之能力。 在整個本申請案中，參考不同的文獻。這些文獻整個 在此加入作為參考之用以更完全地說明在此所揭示之化合 物，組成份以及方法。 在此所說明化合物，組成份以及方法能夠作許多改變及 變化。在此所說明化合物，組成份以及方法之其他各項由 考慮說明書以及實施在此_靴合物喊似及方法 能夠明瞭。細說明書以及各範例能夠視為範例性。 【附圖簡單說明】 附圖構成本發明說明書之部份，其顯示出本發明特定 項目以及隨同酬書作鱗釋本發狀原理以及並不作為 限制用途。 第21頁

丄J _ w 本發明—項形成鱗酸錫低液相線溫度障 壁層:至少部份裳置上範例性處理過程的示意圖。 ★一圖為依據本發明另—項範謝生農置的示意圖，磷 酸錫低液相線溫度障壁層形成於該裝置上。 第二圖顯4本發明當使闕鱗雜纖低液相線溫 度原料可卩平翻，穩领，締積速率達成。 附圖元件數字符號說明：

含有碟S变錫低液相線溫度障壁層之裝置1 〇 ;光電層 20;障壁層3〇;基板40;形成磷酸錫低液相線溫度障壁層 方法100;提供裝置110;提供磷酸錫低液相線溫度起始原 料120;沉積磷酸錫低液相線溫度障壁層於至少部份裝置 上130;熱處理沉積之磷酸錫低液相線溫度材料以形成磷 酸锡低液相線溫度障壁層140。

第22 頁

Claims (1)

1. H"月％修正替換頁

   十、申請專利範圍： 方法，該方法包含下列 1.-種抑做置氧缺水氣渗透之 步驟： 加熱填酸錫原料於鶴盤中使鎢盤之鎢與姐錫原料起反 應作用； π化已反應之磷酸踢原料以及至少部份鶴 沉積已反應之碟酸錫原料以及至少部份鎮以形成-層鱗 酸錫低液相線溫度無機材料於電子裝置上； 在實質上無氧氣及水氣環境巾熱處理之雜錫低液相線 溫度無機材料層以形成密閉性密封；以及 其中沉積層包含大於至⑽重量比鶴。 2·依據申請專職_丨項之找，其巾雜融偏填酸鹽 ，正填酸氫I正鱗酸二氫錫焦魏錫或其混合物所構成。 3. 依據申請專利範圍g i項之方法其中填酸錫低液相線溫 度無機材料更進一步由錫氧化物所構成。 4. 依據申請專利範圍第丨項之方法其中磷酸錫低液相線溫 度無機材料包含60%至80%莫耳比sn〇。 5. 依據申請專利範圍第1項之方法其中鱗酸錫低液相線溫 度無機材料實質上不含氟。 6. 依據申請專利範圍第1項之方法其中磷酸錫低液相線溫 度無機材料更進一步包含銳化合物。 7·依據申請專利範圍第1項之方法，其中熱處理包含加熱磷 酸錫低液相線溫度無機材料層至溫度在磷酸錫低液相線溫 度無機材料玻璃轉換溫度5〇艺内。 第23頁 096131180? 1003440209 8·依據申請專概圍第丨項之方法其中裝置包含至少一種： 有機-電子裝置； 薄膜感測器； 光電裝置； 光伏打裝置； 食物容器；或 藥品容器。 9. 依據申明專利範圍第1項之方法其中該方法製造出一種 装置。 10. —種抑制裝置氧氣及水氣滲透之方法該方法包含下列 步驟： 加熱不含氟之罐酸錫原料於包含鎢之電阻加熱元件中， 加熱包含傳送第-電功率至電阻加熱元件使加熱元件之鶴 與磷酸錫原料反應，而後傳送大於第一電功率之第二電功率 至電阻加熱元件使反應之磷酸錫原料汽化； 沉積鱗酸錫低液相線溫度無機材料為一層於至少部份裝 置上，其由於汽化反應之磷酸錫原料所致； 熱處理沉積之層於無氧以及溼氣環境中以形成密閉性密 封；以及 其中沉積層包含大於〇%至1 〇%重量比^。 11. 依據申請專利範圍第10之方法，其中磷酸錫由偏磷酸鹽 ，正磷酸氫鹽，正磷酸二氫錫，焦磷酸錫，或其混合物所構成。 12. 依據申請專利範圍第10項之方法，其中磷酸錫低液相線 溫度無機材料更進一步由錫氧化物所構成。 m 24頁 09613,1180 1 nn^4 r崎”月％修正替換頁 13·依據申請專利範圍第1〇項之方法其中磷酸錫低液相線 溫度無機材料包含60%至80%莫耳比Sn〇。 14·依據申請專利範圍第1〇項之方法其中磷酸錫低液相線 溫度無機材料更進一步包含銳化合物。 15. —種有機電子裝置，其包含： 基板； 至少一層有機電子或光電層；以及 磷酸錫低液相線溫度障壁層，其中電子或光電層密閉性 密封於磷酸錫低液相線溫度障壁層與基板之間；以及 其中磷酸錫低液相線溫度障壁層包含大於〇%至10%重量比 鷄。 16. 依據申請專利範圍第15項之裝置，其中磷酸錫低液相線 溫度障壁層由偏磷酸鹽，正磷酸氫鹽，正磷酸二氫錫，或其 混合物所構成。 17. 依據申請專利範圍第15項之裝置，其中磷酸錫低液相線 溫度無機障壁層由焦磷酸錫所構成。 18. 依據申請專利範圍第15項之裝置，其中鱗酸錫低液相線 溫度無機障壁層更進一步包含銳化合物。 第25頁 ；P96131180' ：1ί〇Ό'3440209-0