KR20050115268A - 유기 발광 다이오드 - Google Patents
유기 발광 다이오드 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050115268A KR20050115268A KR1020057016473A KR20057016473A KR20050115268A KR 20050115268 A KR20050115268 A KR 20050115268A KR 1020057016473 A KR1020057016473 A KR 1020057016473A KR 20057016473 A KR20057016473 A KR 20057016473A KR 20050115268 A KR20050115268 A KR 20050115268A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- silicon carbide
- amorphous silicon
- layer
- electrode layer
- barrier layer
- Prior art date
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 76
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 54
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 51
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 50
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 40
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 22
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229920003209 poly(hydridosilsesquioxane) Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 56
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 127
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 18
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 5
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 4
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 description 3
- UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N dimethylsilane Chemical compound C[SiH2]C UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N methylsilane Chemical compound [SiH3]C UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N trimethylsilane Chemical compound C[SiH](C)C PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003986 SicO Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003570 air Substances 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 238000005194 fractionation Methods 0.000 description 2
- 238000001912 gas jet deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YWWDBCBWQNCYNR-UHFFFAOYSA-N trimethylphosphine Chemical compound CP(C)C YWWDBCBWQNCYNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003023 Mg-Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001924 cycloalkanes Chemical class 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- DDIMPUQNMJIVKL-UHFFFAOYSA-N dimethyl-bis(trimethylsilyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(C)[Si](C)(C)C DDIMPUQNMJIVKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(C)C NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002198 insoluble material Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000013627 low molecular weight specie Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920003257 polycarbosilane Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000194 supercritical-fluid extraction Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002061 vacuum sublimation Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 제1 장벽층 및 제2 장벽층을 포함하는 유기 발광 다이오드에 관한 것으로서, 당해 장벽층은 무정형 탄화규소(i), F, N, B 및 P로부터 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 무정형 탄화규소 합금(ⅱ), 수소화된 옥시탄화규소(ⅲ), 수소 실세스퀴옥산 수지를 전자 빔으로 경화(a)시켜 제조하거나 수소 실세스퀴옥산 수지를 화학증착법을 사용하여 반응(b)시켜 제조한 피막(iv), 및 무정형 탄화규소(i), 탄화규소 합금(ⅱ), 수소화된 옥시탄화규소(ⅲ) 및 피막(iv) 중에서 선택된 두 가지 이상의 다중 층(v)으로부터 선택된다.
Description
본 발명은 유기 발광 다이오드(OLED)에 관한 것이며, 더욱 구체적으로 본 발명은 제1 장벽층 및 제2 장벽층을 포함하는 유기 발광 다이오드에 관한 것이다.
유기 발광 다이오드(OLED)는 시계, 전화기, 랩탑 컴퓨터, 휴대용 소형 무선 호출기, 휴대폰, 디지털 비디오 카메라, DVD 플레이어 및 계산기와 같은 각종 소비자 제품에서 유용하다. 발광 다이오드를 포함하는 디스플레이는 통상의 액정 디스플레이(LCD)의 이점을 능가하는 다수의 이점을 갖는다. 예를 들면, OLED 디스플레이는 LCD보다 얇고, 전력 소모량이 적으며, 휘도가 높다. 또한, LCD와는 달리, OLED 디스플레이는 자가 발광하여 백라이트가 불필요하다. 또한, OLED 디스플레이는 밝은 광에서도 시야각이 넓다. 이들 특성들을 조합한 결과, OLED 디스플레이는 LCD 디스플레이보다 경량이고 보다 적은 공간을 차지한다. 이러한 이점에도 불구하고, OLED는 대기중 수분 및 산소와 같은 환경 요소에 노출됨으로써 수명이 단축될 수 있다.
수분 및 산소가 OLED로 침투하는 것을 감소시키는 한 가지 방법은 OLED를 밀봉하거나 캡슐화시키는 것이다. 예를 들면, 존스(Jones) 등에게 허여된 미국 특허공보 제5,920,080호에는, 기판, 기판 위에 적층된 제1 전도체, 제1 전도체 위에 적층된 유기 발광 물질 층, 발광 물질 층 위에 적층된 제2 전도체, 기판에 평행한 방향으로 광 방출을 한정시키는 수단, 및 제2 전도체 위에 형성된 차단 층을 포함하는 유기 발광 소자가 기재되어 있다.
존스 등에게 허여된 미국 특허공보 제6,069,443호에는, 기판; 기판 위에 형성된 하나 이상의 전도체; 하나 이상의 전도체 및 기판 위에 형성되고, 픽셀 영역을 한정하는 하나 이상의 픽셀 개구부가 내부에 포함된 제1 절연체 층; 제1 절연체 층 위에 형성된 제2 절연체 층; 픽셀 영역 내의 하나 이상의 전도체 위에 형성된 OLED 층; 및 OLED 층 위에 형성된 밀봉 구조물을 포함하는 유기 발광 소자가 기재되어 있다.
아피니토(Affinito)에게 허여된 미국 특허공보 제6,268,695 B1호에는, 제1 중합체 층, 제1 중합체 층 위에 형성된 제1 세라믹 층 및 제1 세라믹 층 위에 적층된 제2 중합체 층을 포함하는 기저층(a), 제2 중합체 층 위에 구성된 유기 발광 소자(b) 및 제3 중합체 층, 제3 중합체 층 위에 형성된 제2 세라믹 층 및 제2 세라믹 층 위에 적층된 제4 중합체 층을 포함하고, 유기 발광 소자 위에 층착된 커버층(c)을 포함하며, 기저층 및 커버층이 가요성 환경 장벽층으로서 유기 발광 소자를 캡슐화하고 있는, 유기 발광 소자용 가요성 환경 장벽층이 기재되어 있다.
고쉬(Ghosh) 등의 미국 공개특허공보 제2001/0052752 A1호에는, 기판, 기판 위에 형성된 하나 이상의 유기 발광 다이오드 디바이스, 및 기판 및 하나 이상의 유기 발광 다이오드 디바이스 위에 형성된 캡슐화 조립체를 포함하는 유기 발광 다이오드 디스플레이 디바이스가 기재되어 있으며, 당해 디바이스에서 캡슐화 조립체는 유전체 산화물을 포함하는 제1 캡슐화 산화물 층과 제2 캡슐화 층을 포함하고, 캡슐화 산화물 층의 유전체 산화물은 기판과 하나 이상의 유기 발광 다이오드 디바이스 둘 다에 직접 접촉된 상태로 위치하며, 제2 캡슐화 층은 제1 캡슐화 층을 덮고 있다.
쉬츠(Sheats) 등의 유럽 공개특허공보 제0 977 469 A2호에는, 디바이스와 공급원 사이에 제1 중합체 층을 증착시키는 단계, 디바이스의 제1 중합체 층 위에 무기물 층을 ECR-PECVD법으로 증착시키는 단계 및 무기물 층 위에 제2 중합체 층을 증착시키는 단계를 포함하는, 수분 또는 산소 공급원이 디바이스와 접촉하는 것을 방지하는 방법이 기재되어 있다.
위에서 언급한 문헌에 어느 정도의 성능 특성을 갖는 OLED가 기재되어 있지만, 수분과 산소에 대한 내성이 우수하고 신뢰도가 개선된 OLED는 계속 요구되고 있다.
[발명의 요약]
본 발명은
제1 대향면과 제2 대향면을 갖는 기판(A),
기판의 제1 대향면 위에 형성되고, 무정형 탄화규소(i), F, N, B 및 P로부터 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 무정형 탄화규소 합금(ⅱ), 수소화된 옥시탄화규소(ⅲ), 수소 실세스퀴옥산 수지를 전자 빔으로 경화(a)시켜 제조하거나 수소 실세스퀴옥산 수지를 화학증착법을 사용하여 반응(b)시켜 제조한 피막(iv), 및 무정형 탄화규소(i), 탄화규소 합금(ⅱ), 수소화된 옥시탄화규소(ⅲ) 및 피막(iv) 중에서 선택된 두 가지 이상의 다중 층(v)으로부터 선택된 제1 장벽층(B),
제1 장벽층 위에 형성된 제1 전극 층(C),
제1 전극 층 위에 형성된 발광 소자(D),
발광 소자 위에 형성된 제2 전극 층(E) 및
제2 전극 층 위에 형성되고, 무정형 탄화규소(i), F, N, B 및 P로부터 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 무정형 탄화규소 합금(ⅱ), 수소화된 옥시탄화규소(ⅲ), 수소 실세스퀴옥산 수지를 전자 빔으로 경화(a)시켜 제조하거나 수소 실세스퀴옥산 수지를 화학증착법을 사용하여 반응(b)시켜 제조한 피막(iv), 및 무정형 탄화규소(i), 탄화규소 합금(ⅱ), 수소화된 옥시탄화규소(ⅲ) 및 피막(iv) 중에서 선택된 두 가지 이상의 다중 층(v)으로부터 선택된 제2 장벽층(F)을 포함하고,
제1 전극 층과 제2 전극 층 중의 하나 이상의 층은 투명하고, 제2 전극 층이 불투명한 경우에는 기판이 투명한 유기 발광 다이오드에 관한 것이다.
또한, 본 발명은
제1 대향면과 제2 대향면을 갖는 기판(A),
기판의 제1 대향면 위에 형성된 제1 전극 층(B),
제1 전극 층 위에 형성된 발광 소자(C),
발광 소자 위에 형성된 제2 전극 층(D),
제2 전극 층 위에 형성되고, 무정형 탄화규소(i), F, N, B 및 P로부터 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 무정형 탄화규소 합금(ⅱ), 수소화된 옥시탄화규소(ⅲ), 수소 실세스퀴옥산 수지를 전자 빔으로 경화(a)시켜 제조하거나 수소 실세스퀴옥산 수지를 화학증착법을 사용하여 반응(b)시켜 제조한 피막(iv), 및 무정형 탄화규소(i), 탄화규소 합금(ⅱ), 수소화된 옥시탄화규소(ⅲ) 및 피막(iv) 중에서 선택된 두 가지 이상의 다중 층(v)으로부터 선택된 제1 장벽층(E) 및
기판의 제2 대향면 위에 형성되고, 무정형 탄화규소(i), F, N, B 및 P로부터 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 무정형 탄화규소 합금(ⅱ), 수소화된 옥시탄화규소(ⅲ), 수소 실세스퀴옥산 수지를 전자 빔으로 경화(a)시켜 제조하거나 수소 실세스퀴옥산 수지를 화학증착법을 사용하여 반응(b)시켜 제조한 피막(iv), 및 무정형 탄화규소(i), 탄화규소 합금(ⅱ), 수소화된 옥시탄화규소(ⅲ) 및 피막(iv) 중에서 선택된 두 가지 이상의 다중 층(v)으로부터 선택된 제2 장벽층(F)을 포함하고,
제1 전극 층과 제2 전극 층 중의 하나 이상의 층은 투명하며, 제2 전극 층이 불투명한 경우에는 기판이 투명한 유기 발광 다이오드에 관한 것이다.
본 발명의 OLED는 유기 용매, 수분 및 산소에 대한 내성 및 내마모성이 우수하다. 특히, 당해 OLED는 수증기 및 산소 투과성이 매우 낮다.
본 발명의 OLED를 포함하는 디스플레이는 박막 형태, 적은 전력 소모량, 광시야각, 경량 및 소형 크기를 포함하는 다수의 이점이 있다. 또한, 당해 디스플레이는 광학적으로 투명한 플라스틱 기판에서부터 반사성 금속 호일에 이르는 각종 가요성 기판 위에 제조할 수 있다. 유리 기판 위에 제조된 종래의 OLED 디스플레이에 비해, 당해 OLED 디스플레이는 유연하며 다양한 형태로 제조될 수 있다. 또한, 얇은 플라스틱 기판에 의해, 휴대용 컴퓨터 및 대면적 텔레비젼 화면과 같은 장치에서 중요하게 고려되는 디스플레이의 중량이 감소된다. 또한, 가요성 OLED 디스플레이는 유리 디스플레이보다 파단성이 적고 내충격성이 크다. 마지막으로, 롤-투-롤 공정(roll-to-roll processing)의 제조상의 이점으로 인하여, 가요성 OLED 디스플레이의 제조 비용은 유리 디스플레이의 제조 비용보다 적다.
본 발명의 유기 발광 다이오드는 독립된 발광 소자로서 또는 평판 디스플레이와 같은 발광 어레이 또는 디스플레이의 활성 소자로서 유용하다. OLED 디스플레이는 시계, 전화기, 랩탑 컴퓨터, 휴대용 소형 무선 호출기, 휴대폰, 디지털 비디오 카메라, DVD 플레이어 및 계산기를 포함하는 다수의 장치에서 유용하다.
본 발명의 이러한 특성 및 기타 특성, 양태 및 이점은 다음 설명, 청구의 범위 및 첨부된 도면을 참조함으로써 더욱 잘 이해될 것이다.
도 1은 본 발명에 따르는 OLED의 제1 양태의 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따르는 OLED의 제2 양태의 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따르는 OLED의 제3 양태의 단면도이다.
본원에서 사용되는 바와 같이, "투명함"은 특정 요소(예: 기판 또는 전극 층)의 전자기 스펙트럼의 가시 영역(약 400 내지 700nm)의 광에 대한 투광율이 30% 이상, 바람직하게는 60% 이상, 보다 바람직하게는 80% 이상임을 의미한다. 또한, 본원에서 사용되는 바와 같이, "불투명함"은 특정 요소의 전자기 스펙트럼의 가시 영역의 광에 대한 투광율이 30% 미만임을 의미한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따르는 OLED의 제1 양태는 제1 대향면(100A)과 제2 대향면(100B)을 갖는 기판(100), 기판(100)의 제1 대향면(100A) 위에 형성된 제1 장벽층(102), 제1 장벽층(102) 위에 형성된 제1 전극 층(104), 제1 전극 층(104) 위에 배치된 발광 소자(106), 발광 소자(106) 위에 형성된 제2 전극 층(108) 및 제2 전극 층(108) 위에 형성된 제2 장벽층(110)을 포함한다.
기판은 두 개의 대향면을 갖는 강성 또는 가요성 재료일 수 있다. 또한, 기판은 전자기 스펙트럼의 가시 영역의 광에 대해 투명하거나 불투명할 수 있으며, 제2 전극 층이 불투명한 경우에는 기판은 투명하다. 이들 기판의 예에는 규소, 이산화규소의 표면 층을 갖는 규소, 및 비소화 갈륨과 같은 반도체 재료; 석영; 용융된 석영; 산화알루미늄; 세라믹; 유리; 금속 호일; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌 및 폴리에틸렌테레프탈레이트와 같은 폴리올레핀; 폴리테트라플루오로에틸렌 및 폴리비닐플루오라이드와 같은 플루오로카본 중합체; 나일론과 같은 폴리아미드; 폴리이미드; 폴리(메틸 메타크릴레이트)와 같은 폴리에스테르; 에폭시 수지; 폴리에테르; 폴리카보네이트; 폴리설폰; 및 폴리에테르 설폰이 비제한적으로 포함된다.
제1 장벽층은 무정형 탄화규소(i), F, N, B 및 P로부터 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 무정형 탄화규소 합금(ⅱ), 수소화된 옥시탄화규소(ⅲ), 수소 실세스퀴옥산 수지를 전자 빔으로 경화(a)시켜 제조하거나 수소 실세스퀴옥산 수지를 화학증착법을 사용하여 반응(b)시켜 제조한 피막(iv), 및 무정형 탄화규소(i), 탄화규소 합금(ⅱ), 수소화된 옥시탄화규소(ⅲ) 및 피막(iv) 중에서 선택된 두 가지 이상의 다중 층(v)으로부터 선택된다. 제1 장벽층의 두께는 통상적으로 0.1 내지 10㎛, 바람직하게는 0.1 내지 6㎛, 보다 바람직하게는 0.2 내지 4㎛이다. 제1 장벽층의 두께가 0.1㎛ 미만인 경우, 장벽층의 수분 및 산소 투과율은 적절하거나 높다.
장벽층(i), 장벽층(ii), 장벽층(ⅲ)(b) 및 장벽층(iv)는 플라즈마 화학 증착법(PECVD), 광화학 증착법 및 제트 증착법(jet vapor deposition)을 포함하는 화학 증착(CVD) 기술, 및 스퍼터링 및 전자 빔 증착법을 포함하는 각종 물리적 증착법으로 증착시킬 수 있다. 통상적으로, 장벽층은 OLED의 기판 및/또는 발광 소자의 손상을 방지하기 위해 약 100℃ 이하의 온도에서 증착된다. 특정 용도에 있어서, OLED 소자의 열안정성 및 기체 또는 부산물의 반응에 의한 화학적 공격에 대한 소자의 민감성을 포함하는 여러 가지 인자에 따라 증착 방법이 선택된다.
PECVD에서, 장벽층은 기판 위를 통과하는 플라즈마 장(plasma field)에서의 기상 반응물들 간의 화학 반응을 통해 증착된다. 일반적으로, PECVD 공정은 통상적인 CVD보다 낮은 기판 온도에서 발생한다. 예를 들면, 약 실온 내지 약 100℃의 기판 온도가 PECVD 공정에서 사용될 수 있다.
PECVD 공정에서 사용되는 플라즈마는 전기 방전; 무선 주파수 또는 마이크로파 영역에서의 전자기장; 레이저; 및 입자 빔과 같은 각종 에너지 공급원으로부터 유도된 에너지를 포함할 수 있다. 통상적으로, 중간 전력 밀도(0.1 내지 5W/㎠)에서의 무선 주파수(10kHz 내지 102MHz) 또는 마이크로파(0.1 내지 10GHz) 에너지가 PECVD 공정에 사용된다. 그러나, 특정 주파수, 전력 및 압력은 통상적으로 전구체 기체 및 증착 시스템의 구성에 따라 다르다.
당해 기술분야에서 "수소화된 탄화규소"라고도 하는 본 발명의 무정형 탄화규소는 규소와 탄소 이외에 수소를 함유한다. 예를 들면, 무정형 탄화규소는 화학식 SiaCbHc의 물질(여기서, b는 a보다 큰 값이고, c는 5 내지 45원자%의 값이며, a, b 및 c의 원자%의 합은 100원자%이다)일 수 있다.
본 발명의 무정형 탄화규소는 통상적으로 규소에 대해 과량의 탄소를 함유한다. 예를 들면, 탄소 대 규소의 원자 비는 통상적으로 1.1 내지 10:1, 바람직하게는 1.1 내지 5:1, 보다 바람직하게는 1.1 내지 2:1이다. 탄소 대 규소의 원자 비가 1.1:1 미만인 경우, 장벽층의 투명도는 매우 낮다. 당해 원자 비가 5:1을 초과하는 경우, 장벽층의 응력이 높고 박리되기 쉽다.
적합한 전구체 기체의 화학 증착 또는 물리 증착에 의해 무정형 탄화규소를 제조하는 방법은, 예를 들면, 로보다(Loboda) 등에게 허여된 미국 특허공보 제5,818,071호, 타레이(Tarhay) 등에게 허여된 미국 특허공보 제5,011,706호, 로보다에게 허여된 미국 특허공보 제6,268,262 B1호, 및 카밀렛티(Camilletti) 등에게 허여된 미국 특허공보 제5,693,565호, 제5,753,374호 및 5,780,163호에 기재된 바와 같이, 당해 기술 분야에 익히 알려져 있다. 적합한 전구체 기체의 예에는 실란 또는 할로실란(예: 트리클로로실란)과 탄소수 1 내지 6의 알칸(예: 메탄, 에탄, 프로판 등)과의 혼합물(1), 메틸실란, 디메틸실란 및 트리메틸실란과 같은 알킬실란(2) 또는 실라사이클로부탄 또는 디실라사이클로부탄(3)이 포함된다.
본 발명의 무정형 탄화규소 합금은 F, N, B 및 P로부터 선택된 하나 이상의 원소를 포함한다. 예를 들면, 무정형 탄화규소 합금은 화학식 SidCeHfXg의 물질(여기서, X는 F, N, B 및 P로부터 선택된 하나 이상의 원소이고, C 대 Si의 원자 비는 1.1:1 내지 10:1, 바람직하게는 1.1 내지 5:1, 보다 바람직하게는 1.1 내지 2:1이며, f는 5 내지 45원자%의 값이고, g는 1 내지 20원자%, 바람직하게는 1 내지 10원자%, 보다 바람직하게는 5 내지 10원자%의 값이며, d, e, f 및 g의 원자%의 합은 100원자%이다)이다.
무정형 탄화규소의 제조방법은 당해 기술분야에 익히 알려져 있다. 예를 들면, 로보다에게 허여된 유럽 특허공보 제0 771 886 A1호에는, 유기 규소 화합물과 질소 공급원을 포함하는 반응 기체 혼합물을 기판이 들어 있는 증착 챔버에 도입하는 단계와 반응 기체 혼합물의 반응을 일으켜 무정형 피막을 형성시키는 단계를 포함하는, 규소, 탄소, 질소 및 수소를 함유하는 무정형 피막을 기판에 증착시키는 방법이 기재되어 있다. 유기 규소 화합물의 예에는 메틸실란, 디메틸실란 및 트리메틸실란과 같은 알킬실란; 헥사메틸디실란과 같은 디실란; 옥타메틸트리실란과 같은 트리실란; 디메틸 폴리실란과 같은 저분자량 폴리실란; 저분자량 폴리카보실란; 및 실라사이클로부탄 및 디실라사이클로부탄과 같은 규소 함유 사이클로알칸이 포함된다. 질소 공급원의 예에는 질소; 메틸아민과 같은 1급 아민; 디메틸아민과 같은 2급 아민; 트리메틸아민과 같은 3급 아민; 및 암모니아가 포함된다.
F, B 또는 P를 함유하는 무정형 탄화규소는 불소 함유 기체, 붕소 함유 기체 또는 인 함유 기체를 각각 통상적으로 무정형 탄화규소 증착에 사용되는 반응 기체 혼합물에 도입하여 제조할 수 있다. 불소 함유 기체의 예에는 F2, SiF4, CF4, C3F6 및 C4F8이 있다. 붕소 함유 기체의 예에는 디보란 및 (CH3)3B이 포함된다. 인 함유 기체의 예에는 포스핀 및 트리메틸포스핀이 포함된다.
본 발명의 수소화된 옥시탄화규소는 규소, 산소, 탄소 및 수소를 함유한다. 예를 들면, 수소화된 옥시탄화규소는 화학식 SimOnCpHq의 물질(여기서, m은 10 내지 33원자%, 바람직하게는 18 내지 20원자%의 값이고, n은 1 내지 66원자%, 바람직하게는 18 내지 21원자%의 값이며, p는 1 내지 66원자%, 바람직하게는 5 내지 38원자%의 값이고, q는 0.1 내지 60원자%, 바람직하게는 25 내지 32원자%의 값이며, m, n, p 및 q의 원자%의 합은 100원자%이다)일 수 있다.
예를 들면, 로보다 등에게 허여된 미국 특허공보 제6,159,871호, 로보다에게 허여된 국제 공개공보 제WO 02/054484 A2호, 휴(Hu) 등에게 허여된 미국 특허공보 제5,718,967호 및 토마스(Thomas) 등에게 허여된 미국 특허공보 제5,378,510호에 기재된 바와 같이, 수소화된 옥시탄화규소의 제조방법은 당해 기술분야에 익히 알려져 있다. 예를 들면, 미국 특허공보 제6,159,871호에는, 메틸 함유 실란과 산소 공급 기체를 포함하는 반응 기체 혼합물을 기판이 들어 있는 증착 챔버에 도입하는 단계와 메틸 함유 실란과 산소 공급 기체를 25 내지 500℃에서 반응시키는 단계를 포함하는, 수소화된 옥시탄화규소 막을 제조하기 위한 화학 증착 방법으로서, 반응 동안에 존재하는 산소의 양을 조절함으로써 유전 상수가 3.6 이하인 수소, 규소, 탄소 및 산소를 포함하는 막을 기판 위에 제공하는 방법이 기재되어 있다. 메틸 함유 실란의 예에는 메틸 실란, 디메틸실란, 트리메틸실란 및 테트라메틸실란이 포함된다. 산소 공급 기체의 예에는 공기, 오존, 산소, 아질산 산화물 및 질산 산화물이 비제한적으로 포함된다.
증착 공정 동안에 존재하는 산소의 양은 산소 공급 기체의 형태 및/또는 양을 적절하게 선택하여 조절할 수 있다. 통상적으로, 산소 공급 기체의 농도는, 메틸 함유 실란 1용적부를 기준으로 하여, 5용적부 미만, 바람직하게는 0.1 내지 4.5용적부이다. 산소의 농도가 너무 높은 경우, 화학량론이 SiO2에 가까운 탄화규소를 형성한다. 특정 용도에 있어서 산소 함유 기체의 최적 농도는 일상적인 실험을 통해 용이하게 측정할 수 있다.
반응 기체 혼합물은 헬륨 또는 아르곤과 같은 캐리어 기체, 포스핀 및 디보란과 같은 도판트; 불소와 같은 할로겐 또는 SiF4, CF4, C3F6 및 C4F8과 같은 할로겐 함유 기체 및 피막에 바람직한 특성을 제공하는 기타 물질을 포함하는 추가의 기체 종류를 함유할 수 있다.
실리카를 함유하는 피막은 수소 실세스퀴옥산 수지를 전자 빔으로 경화시킴으로써 제조할 수 있다. 본 발명의 수소 실세스퀴옥산 수지(H-수지)는 화학식 HSi(OH)x(OR)yOz/2의 물질(여기서, R은, 각각 독립적으로, 산소 원자를 통해 규소에 결합될 때 가수분해성 치환체를 형성하는 하이드로카빌 그룹이고, x는 0 내지 2이며, y는 0 내지 2이고, z는 1 내지 3이며, x + y + z는 3이다)일 수 있다. 하이드로카빌 그룹의 예에는 메틸, 에틸, 프로필 및 부틸과 같은 알킬; 페닐과 같은 아릴; 및 알릴 및 비닐과 같은 알케닐이 포함된다. 이들 수지는 완전 축합[(HSiO3 /2)n]되거나, 부분 가수분해(즉, 여러 개의 Si-OR 그룹을 함유함)되고/되거나, 부분 축합(즉, 여러 개의 Si-OH 그룹을 함유함)될 수 있다. 위의 화학식에는 나타내지 않았지만, 당해 수지는 0 또는 2개의 수소 원자가 결합된 적은 수(예: 약 10% 미만)의 규소 원자를 함유할 수 있다.
H-수지의 제조방법은, 예를 들면, 콜린스(Collins) 등에게 허여된 미국 특허공보 제3,615,272호, 뱅크(Bank) 등에게 허여된 미국 특허공보 제5,010,159호, 프라이(Frye) 등에게 허여된 미국 특허공보 제4,999,397호, 한네만(Hanneman) 등에게 허여된 미국 특허공보 제5.063,267호, 일본 특허 공보 제59-178749호, 일본 특허 공보 제60-86017호 및 일본 특허 공보 제63-107122호에 기재된 바와 같이, 당해 기술분야에 익히 알려져 있다.
H-수지를 유기 용매 또는 실리콘 유체와 같은 용매로 희석시켜, 표면에 대한 조성물의 도포를 용이하게 할 수 있다. 유기 용매의 예에는 벤젠 및 톨루엔과 같은 방향족 탄화수소; n-헵탄 및 도데칸과 같은 알칸; 케톤; 에스테르; 및 에테르가 포함된다. 실리콘 유체의 예에는 직쇄, 측쇄 및 사이클릭 폴리디메틸실록산이 포함된다. 통상적으로, 용매의 농도는, 조성물의 총 중량을 기준으로 하여, 약 0.1 내지 50중량%이다.
H-수지는 스핀 코팅, 침지, 분무 또는 유동과 같은 통상적인 방법을 사용하여 기판의 표면에 도포시킬 수 있다. H-수지를 용매에 가하는 경우, 당해 방법은 용매의 적어도 일부를 막으로부터 제거하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 예를 들면, 용매는 주위 조건하에서의 공기 건조, 진공 적용 또는 온화한 가열(예: 50℃ 미만)에 의해 제거될 수 있다. 스핀 코팅을 사용하는 경우, 스피닝(spinning)이 용매의 제거를 용이하게 하므로 건조 시간이 최소화된다.
H-수지를 기판에 도포하면, 카밀렛티 등에게 허여된 미국 특허공보 제5,609,925호에 기재된 바와 같이, 이를 전자 빔에 노출시켜 경화시킬 수 있다. 통상적으로, 가속 전압은 약 0.1 내지 100keV이고, 진공은 약 10 내지 10-3Pa이며, 전류는 약 0.0001 내지 1A이고, 전력은 약 0.1 내지 1KW 사이에서 가변적이다. 선량(dose)은 통상적으로 약 100μC/㎠ 내지 100C/㎠, 바람직하게는 약 1 내지 10C/㎠이다. H-수지는 일반적으로 H-수지를 실리카 함유 피막으로 전환시키는 데 필요한 선량을 제공하기에 충분한 시간 동안 전자 빔에 노출된다. 전압에 따라, 노출 시간은 통상적으로 약 10초 내지 1시간이다.
또한, 실리카 함유 피막은 화학증착법을 사용하여 수소 실세스퀴옥산 수지를 반응시킴으로써 제조할 수 있다. 규소 및 산소를 함유하는 피막을 기화된 H-수지로부터 제조하는 방법은, 예를 들면, 젠틀(Gentle)에게 허여된 미국 특허공보 제5,165,955호에 기재된 바와 같이, 당해 기술분야에 알려져 있다. 위에서 기재한 바와 같은 H-수지를 분별하여 CVD법으로 기화될 수 있는 저분자량 종류를 수득한다. 광범위한 분자량을 갖는 H-수지가 증착법에 사용될 수 있지만, 이러한 물질의 기화에 의해 종종 비휘발성 종류를 포함하는 잔류물이 남는다. H-수지의 적합한 분획은 온화한 온도 및/또는 진공 조건하에 기화될 수 있는 것이다. 일반적으로, 이러한 분획은, 당해 종류의 약 75% 이상의 수평균 분자량이 약 2000 미만, 바람직하게는 약 1200 미만, 보다 바람직하게는 약 400 내지 1000인 것이다.
용액 분별, 승화 및 초임계 유체 추출과 같은 중합체 분별방법은 당해 기술분야에 알려져 있다. 예를 들면, 한네만 등에게 허여된 미국 특허공보 제5,063,267호에는, H-수지를 이의 임계점, 임계점 부근 또는 임계점을 초과하는 온도에서, 중합체 분획을 용해시키기에 충분한 시간 동안 유체와 접촉시키는 단계(1), 잔류하는 중합체로부터 분획을 함유하는 유체를 분리하는 단계(2) 및 목적하는 분획을 회수하는 단계(3)를 포함하는 방법이 기재되어 있다. 특히, 당해 방법은 추출 용기를 H-수지 샘플로 충전시킨 후 추출 유체를 당해 용기로 통과시키는 단계를 포함한다. 추출 유체 및 이의 용해도 특성은 목적하는 분자량 분획의 H-수지만 유체에 용해되도록 조절한다. 이어서, 목적하는 H-수지 분획을 함유하는 용액을 유체에 불용성인 H-수지 분획 및 겔 또는 오염물과 같은 기타 불용성 물질로부터 분리하여 용기로부터 제거한다. 이어서, 목적하는 H-수지 분획을 용매의 용해도 특성을 변화시키고 목적하는 분획을 침전시킴으로써 용액으로부터 회수한다.
추출 유체는 유체의 임계점에서, 임계점 부근에서 또는 임계점을 초과하여 목적하는 H-수지 분획은 용해시키지만 나머지 분획을 용해시키지 않는 모든 화합물일 수 있다. 추출 유체의 예에는 이산화탄소 및 저분자량 탄화수소(예: 에탄 및 프로판)가 비제한적으로 포함된다.
목적하는 H-수지 분획은 기화되어 피복될 기판이 들어 있는 증착 챔버에 도입된다. 기화는 H-수지 샘플을 이의 기화점 이상으로 가열하거나 진공을 적용시키거나 또는 이들 둘 다를 수행함으로써 달성할 수 있다. 일반적으로, 기화는 대기압하에 50 내지 300℃의 온도 또는 진공하의 저온(실온 부근)에서 수행될 수 있다.
H-수지 증기의 농도는 목적하는 피막을 증착시키기에 충분하다. 당해 농도는 목적하는 피막 두께, 피복될 면적 등과 같은 인자에 따라서 넓은 범위에서 변할 수 있다. 또한, 증기는 공기, 아르곤 또는 헬륨과 같은 캐리어 기체와 합해질 수 있다.
이어서, 기화된 H-수지를 반응시켜 기판 위에 피막을 증착시킨다. 반응은 플라즈마 화학 증착(PECVD), 광화학 증착 및 제트 증착을 포함하는 각종 화학 증착(CVD) 기술을 이용하여 수행될 수 있다.
제1 장벽층은 또한 무정형 탄화규소(i), 탄화규소 합금(ⅱ), 수소화된 옥시탄화규소(ⅲ) 및 피막(iv) 중에서 선택된 두 가지 이상의 다중 층일 수 있다. 다층막의 예에는 SiC:H/SiCo:H/SiC:H, SiC:H/SiCO:H, SiCo:H/SiC:H 및 SiCN:H/SiC:H가 비제한적으로 포함된다.
제1 전극 층은 OLED에서 아노드 또는 캐소드로서 작용할 수 있다. 제1 전극 층은 가시광선에 대해 투명하거나 불투명할 수 있다. 아노드는 통상적으로 일함수가 큰(4eV 초과) 금속, 합금 또는 금속 산화물(예: 산화인듐, 산화주석, 산화아연, 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연, 알루미늄 도핑된 산화아연, 니켈 및 금)로부터 통상적으로 선택된다. 캐소드는 Ca, Mg 및 Al과 같은 일함수가 작은(4eV 미만) 금속; 위에서 기재한 바와 같은 일함수가 큰(4eV 초과) 금속, 합금 또는 금속 산화물; 또는 일함수가 작은 금속과 일함수가 크거나 작은 하나 이상의 다른 금속과의 합금(예: Mg-Al, Ag-Mg, Al-Li, In-Mg 및 Al-Ca)으로부터 선택된다. OLED의 제조시 아노드 및 캐소드 층을 증착시키는 방법, 예를 들면, 증발, 동시-증발, DC 마그네트론 스퍼터링 또는 RF 스퍼터링이 당해 기술분야에 익히 알려져 있다.
발광 소자는 발광층 및 하나 이상의 추가 유기 층을 포함한다. 적합한 전압이 OLED에 인가되는 경우, 주입된 양전하 및 음전하가 발광층에서 재결합하여 광을 발생시킨다(전계발광). 유기 층은, 발광층에서의 재결합 과정을 최대화하여 OLED 소자로부터의 광 산출량을 최대화하기 위해 선택된다. 발광층 이외의 유기 층은 통상적으로 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층 및 전자 수송층으로부터 선택된다. 그러나, 단일 정공 주입 및 정공 수송층, 및 단일 전자 주입 및 전자 수송층이 OLED에서 사용될 수 있다. 또한, 발광층은 전자 주입 및 전자 수송층으로서 작용할 수 있다. 발광 소자의 두께는 통상적으로 5 내지 100nm, 바람직하게는 25 내지 75nm이다.
발광 소자에서 사용되는 유기 재료는 소 분자 또는 단량체 및 중합체를 포함한다. 단량체는 진공 증착 또는 승화와 같은 표준 박막 기술로 증착시킬 수 있다. 중합체는 스핀 코팅, 침지, 분무, 브러슁(brushing) 및 스크린 인쇄와 같은 통상적인 용매 피복 기술로 증착시킬 수 있다. 발광 소자의 구성에 사용되는 재료 및 당해 소자의 제조방법은, 예를 들면, 미국 특허공보 제4,356,429호, 제4,720,432호, 제5,593,788호, 제5,247,190호, 제4,769,292호, 제4,539,507호, 제5,920,080호, 제6,255,774호, 제6,048,573호, 제5,952,778호, 제5,969,474호, 제6,262,441 B1호, 제6,274,979 B1호, 제6,307,528 B1호 및 제5,739,545호에 기재된 바와 같이, 당해 기술분야에 익히 알려져 있다.
발광 소자의 위치는 OLED 내에서의 아노드 및 캐소드의 배열에 좌우된다. 정공 주입층 및 정공 수송층은 아노드와 발광층 사이에 위치하고 전자 주입층 및 전자 수송층은 발광층과 캐소드 사이에 위치한다.
제2 전극 층은 OLED에서 아노드 또는 캐소드로서 작용할 수 있다. 제2 전극 층은 가시광선에 대해 투명하거나 불투명할 수 있으며, 제2 전극 층이 불투명한 경우에는 기판이 투명하다. 아노드 및 캐소드 재료의 예 및 이들의 형성 방법은 제1 전극 층에 대해 위에서 기재한 바와 같다.
제2 장벽층은 무정형 탄화규소(i), F, N, B 및 P로부터 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 무정형 탄화규소 합금(ⅱ), 수소화된 옥시탄화규소(ⅲ), 수소 실세스퀴옥산 수지를 전자 빔으로 경화(a)시켜 제조하거나 수소 실세스퀴옥산 수지를 화학증착법을 사용하여 반응(b)시켜 제조한 피막(iv), 및 무정형 탄화규소(i), 탄화규소 합금(ⅱ), 수소화된 옥시탄화규소(ⅲ) 및 피막(iv) 중에서 선택된 두 가지 이상의 다중 층(v)으로부터 선택되며, 무정형 탄화규소(i), 탄화규소 합금(ⅱ), 수소화된 옥시탄화규소(ⅲ), 피막(iv) 및 다중 층(v)은 제1 장벽층에 대해 위에서 설명하고 예시한 바와 같다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따르는 OLED의 제2 양태는 제1 대향면(200A)과 제2 대향면(200B)을 갖는 기판(200), 기판(200)의 제1 대향면(200A) 위에 형성된 제1 장벽층(202), 제1 장벽층(202) 위에 형성된 제1 전극 층(204), 제1 전극 층(204) 위에 배치된 발광 소자(206), 발광 소자(206) 위에 형성된 제2 전극 층(208), 제2 전극 층(208) 위에 형성된 제2 장벽층(210) 및 기판(200)의 제2 대향면(200B) 위에 형성된 제3 장벽층(212)을 포함한다. 제3 장벽층(212)은 제1 장벽층 및 제2 장벽층에 대해 위에서 정의하고 예시한 바와 같다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따르는 OLED의 제3 양태는 제1 대향면(300A)과 제2 대향면(300B)을 갖는 기판(300), 기판(300)의 제1 대향면(300A) 위에 형성된 제1 전극 층(304), 제1 전극 층(304) 위에 배치된 발광 소자(306), 발광 소자(306) 위에 형성된 제2 전극 층(308), 제2 전극 층(308) 위에 형성된 제1 장벽층(310) 및 기판(300)의 제2 대향면(300B) 위에 형성된 제2 장벽층(312)을 포함한다.
본 발명의 OLED는 내마모성이 우수하고 유기 용매, 수분 및 산소에 대한 내성이 우수하다. 특히, OLED는 수증기 및 산소 투과도가 매우 낮다.
본 발명의 유기 발광 다이오드는 독립된 발광 장치로서 유용하거나, 평판 디스플레이와 같은 발광 어레이 또는 디스플레이의 활성 소자로서 유용하다. OLED 디스플레이는 시계, 전화기, 랩탑 컴퓨터, 휴대용 소형 무선 호출기, 휴대폰, 디지털 비디오 카메라, DVD 플레이어 및 계산기를 포함하는 다수의 장치에서 유용하다.
다음 실시예는 본 발명의 장벽층을 보다 잘 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.
피막의 수증기 투과율(WVTR)을 상대 습도 100%에서 모콘 퍼마트란 투과 시험 시스템(MOCON PERMATRAN Permeation Test System)을 사용하여 ASTM 표준 E96에 준거하여 측정한다.
실시예
1-7
각각의 실시예에서, 반응 이온 에칭(RIE) 모드에서 작동하는 전기 용량적으로 커플링된 평행 판 PECVD 시스템(하부 전극에 RF 커플링됨)을 사용하여, 기판 온도 45 내지 75℃, 압력 0.17 내지 0.47Torr 및 DC 바이어스 150 내지 300V에서, 표 1에 명시된 기체 혼합물을 도입함으로써, 장벽층을 직경이 15.2cm이고 두께가 0.75㎛인 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 기판에 증착시켰다. 공정 파라미터 및 각각의 장벽층에 대한 특성을 표 1에 기재한다.
Claims (8)
- 제1 대향면과 제2 대향면을 갖는 기판(A),기판의 제1 대향면 위에 형성되고, 무정형 탄화규소(i), F, N, B 및 P로부터 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 무정형 탄화규소 합금(ⅱ), 수소화된 옥시탄화규소(ⅲ), 수소 실세스퀴옥산 수지를 전자 빔으로 경화(a)시켜 제조하거나 수소 실세스퀴옥산 수지를 화학증착법을 사용하여 반응(b)시켜 제조한 피막(iv), 및 무정형 탄화규소(i), 탄화규소 합금(ⅱ), 수소화된 옥시탄화규소(ⅲ) 및 피막(iv) 중에서 선택된 두 가지 이상의 다중 층(v)으로부터 선택된 제1 장벽층(B),제1 장벽층 위에 형성된 제1 전극 층(C),제1 전극 층 위에 형성된 발광 소자(D),발광 소자 위에 형성된 제2 전극 층(E) 및제2 전극 층 위에 형성되고, 무정형 탄화규소(i), F, N, B 및 P로부터 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 무정형 탄화규소 합금(ⅱ), 수소화된 옥시탄화규소(ⅲ), 수소 실세스퀴옥산 수지를 전자 빔으로 경화(a)시켜 제조하거나 수소 실세스퀴옥산 수지를 화학증착법을 사용하여 반응(b)시켜 제조한 피막(iv), 및 무정형 탄화규소(i), 탄화규소 합금(ⅱ), 수소화된 옥시탄화규소(ⅲ) 및 피막(iv) 중에서 선택된 두 가지 이상의 다중 층(v)으로부터 선택된 제2 장벽층(F)을 포함하고,제1 전극 층과 제2 전극 층 중의 하나 이상의 층은 투명하고, 제2 전극 층이 불투명한 경우에는 기판이 투명한, 유기 발광 다이오드.
- 제1항에 있어서, 제1 장벽층과 제2 장벽층이 각각 무정형 탄화규소인 유기 발광 다이오드.
- 제2항에 있어서, 무정형 탄화규소가 화학식 SidCeHfXg의 물질(여기서, X는 F, N, B 및 P로부터 선택된 하나 이상의 원소이고, C 대 Si의 원자 비는 1.1:1 내지 10:1이며, f는 5 내지 45원자%의 값이고, g는 1 내지 20원자%의 값이며, d, e, f 및 g의 원자%의 합은 100원자%이다)인 유기 발광 다이오드.
- 제1항에 있어서, 제1 장벽층과 제2 장벽층이 각각 무정형 탄화규소(i), 탄화규소 합금(ⅱ), 수소화된 옥시탄화규소(ⅲ) 및 피막(iv) 중에서 선택된 두 가지 이상의 다중 층(v)이고, 각각의 다중 층이 무정형 탄화규소를 함유하는, 유기 발광 다이오드.
- 제1 대향면과 제2 대향면을 갖는 기판(A),기판의 제1 대향면 위에 형성된 제1 전극 층(B),제1 전극 층 위에 형성된 발광 소자(C),발광 소자 위에 형성된 제2 전극 층(D),제2 전극 층 위에 형성되고, 무정형 탄화규소(i), F, N, B 및 P로부터 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 무정형 탄화규소 합금(ⅱ), 수소화된 옥시탄화규소(ⅲ), 수소 실세스퀴옥산 수지를 전자 빔으로 경화(a)시켜 제조하거나 수소 실세스퀴옥산 수지를 화학증착법을 사용하여 반응(b)시켜 제조한 피막(iv), 및 무정형 탄화규소(i), 탄화규소 합금(ⅱ), 수소화된 옥시탄화규소(ⅲ) 및 피막(iv) 중에서 선택된 두 가지 이상의 다중 층(v)으로부터 선택된 제1 장벽층(E) 및기판의 제2 대향면 위에 형성되고, 무정형 탄화규소(i), F, N, B 및 P로부터 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 무정형 탄화규소 합금(ⅱ), 수소화된 옥시탄화규소(ⅲ), 수소 실세스퀴옥산 수지를 전자 빔으로 경화(a)시켜 제조하거나 수소 실세스퀴옥산 수지를 화학증착법을 사용하여 반응(b)시켜 제조한 피막(iv), 및 무정형 탄화규소(i), 탄화규소 합금(ⅱ), 수소화된 옥시탄화규소(ⅲ) 및 피막(iv) 중에서 선택된 두 가지 이상의 다중 층(v)으로부터 선택된 제2 장벽층(F)을 포함하고,제1 전극 층과 제2 전극 층 중의 하나 이상의 층은 투명하며, 제2 전극 층이 불투명한 경우에는 기판이 투명한, 유기 발광 다이오드.
- 제5항에 있어서, 제1 장벽층과 제2 장벽층이 각각 무정형 탄화규소인 유기 발광 다이오드.
- 제6항에 있어서, 무정형 탄화규소가 화학식 SidCeHfXg의 물질(여기서, X는 F, N, B 및 P로부터 선택된 하나 이상의 원소이고, C 대 Si의 원자 비는 1.1:1 내지 10:1이며, f는 5 내지 45원자%의 값이고, g는 1 내지 20원자%의 값이며, d, e, f 및 g의 원자%의 합은 100원자%이다)인 유기 발광 다이오드.
- 제5항에 있어서, 제1 장벽층과 제2 장벽층이 각각 무정형 탄화규소(i), 탄화규소 합금(ⅱ), 수소화된 옥시탄화규소(ⅲ) 및 피막(iv) 중에서 선택된 두 가지 이상의 다중 층(v)이고, 각각의 다중 층이 무정형 탄화규소를 함유하는, 유기 발광 다이오드.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US45192103P | 2003-03-04 | 2003-03-04 | |
| US60/451,921 | 2003-03-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050115268A true KR20050115268A (ko) | 2005-12-07 |
Family
ID=32962662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020057016473A KR20050115268A (ko) | 2003-03-04 | 2004-02-24 | 유기 발광 다이오드 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060158101A1 (ko) |
| EP (1) | EP1602137A2 (ko) |
| JP (1) | JP2006519473A (ko) |
| KR (1) | KR20050115268A (ko) |
| CN (1) | CN1778002A (ko) |
| WO (1) | WO2004079781A2 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180112895A (ko) * | 2017-04-03 | 2018-10-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101279914B1 (ko) | 2004-06-25 | 2013-07-01 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 밀봉 필름의 차수 성능 개선 방법 및 장치 |
| US7214600B2 (en) * | 2004-06-25 | 2007-05-08 | Applied Materials, Inc. | Method to improve transmittance of an encapsulating film |
| US7220687B2 (en) * | 2004-06-25 | 2007-05-22 | Applied Materials, Inc. | Method to improve water-barrier performance by changing film surface morphology |
| US7732923B2 (en) * | 2004-12-30 | 2010-06-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Impurity doped UV protection layer |
| US20070020451A1 (en) * | 2005-07-20 | 2007-01-25 | 3M Innovative Properties Company | Moisture barrier coatings |
| US20070040501A1 (en) | 2005-08-18 | 2007-02-22 | Aitken Bruce G | Method for inhibiting oxygen and moisture degradation of a device and the resulting device |
| CN101313392B (zh) * | 2005-10-05 | 2011-03-16 | 陶氏康宁公司 | 涂布的基底及其制备方法 |
| JP4939176B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2012-05-23 | キヤノン株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| US20080006819A1 (en) * | 2006-06-19 | 2008-01-10 | 3M Innovative Properties Company | Moisture barrier coatings for organic light emitting diode devices |
| US20080048178A1 (en) | 2006-08-24 | 2008-02-28 | Bruce Gardiner Aitken | Tin phosphate barrier film, method, and apparatus |
| US8115326B2 (en) | 2006-11-30 | 2012-02-14 | Corning Incorporated | Flexible substrates having a thin-film barrier |
| WO2008079275A1 (en) * | 2006-12-20 | 2008-07-03 | Dow Corning Corporation | Composite article including a cation-sensitive layer |
| US7878054B2 (en) * | 2007-02-28 | 2011-02-01 | The Boeing Company | Barrier coatings for polymeric substrates |
| US20080241355A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Applied Materials, Inc. | Thin film transistor devices having high electron mobility and stability |
| CL2008002636A1 (es) | 2007-09-07 | 2009-06-19 | Avery Dennison Corp | Un rótulo para cubrir identificación existente en sustratos como paquetes o envases de tal manera que el sustrato puede ser reutilizado, hoja de rótulos y método de fabricación. |
| GB2462589B (en) * | 2008-08-04 | 2013-02-20 | Sony Comp Entertainment Europe | Apparatus and method of viewing electronic documents |
| US8148732B2 (en) * | 2008-08-29 | 2012-04-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. | Carbon-containing semiconductor substrate |
| TWI428466B (zh) * | 2010-08-13 | 2014-03-01 | Univ Nat Cheng Kung | 具有微晶結構之矽薄膜的形成方法 |
| US9285168B2 (en) | 2010-10-05 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Module for ozone cure and post-cure moisture treatment |
| US8664127B2 (en) | 2010-10-15 | 2014-03-04 | Applied Materials, Inc. | Two silicon-containing precursors for gapfill enhancing dielectric liner |
| US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
| US20120180954A1 (en) | 2011-01-18 | 2012-07-19 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
| US8716154B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-05-06 | Applied Materials, Inc. | Reduced pattern loading using silicon oxide multi-layers |
| CN102856504B (zh) * | 2011-06-28 | 2015-04-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| US9404178B2 (en) | 2011-07-15 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Surface treatment and deposition for reduced outgassing |
| US9761830B1 (en) * | 2012-05-14 | 2017-09-12 | Eclipse Energy Systems, Inc. | Environmental protection film for thin film devices |
| US8889566B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-11-18 | Applied Materials, Inc. | Low cost flowable dielectric films |
| US9018108B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Low shrinkage dielectric films |
| JP6167263B2 (ja) * | 2013-03-06 | 2017-07-26 | 国立大学法人山口大学 | 窒素含有アモルファスシリコンカーバイドからなるｎ型半導体及びその製造方法 |
| US9412581B2 (en) | 2014-07-16 | 2016-08-09 | Applied Materials, Inc. | Low-K dielectric gapfill by flowable deposition |
| US10388904B2 (en) * | 2014-11-07 | 2019-08-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic el display device and method for producing organic el display device |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5011706A (en) * | 1989-04-12 | 1991-04-30 | Dow Corning Corporation | Method of forming coatings containing amorphous silicon carbide |
| JP3170542B2 (ja) * | 1993-12-08 | 2001-05-28 | 出光興産株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| US5753374A (en) * | 1995-11-27 | 1998-05-19 | Dow Corning Corporation | Protective electronic coating |
| US5609925A (en) * | 1995-12-04 | 1997-03-11 | Dow Corning Corporation | Curing hydrogen silsesquioxane resin with an electron beam |
| US6069443A (en) * | 1997-06-23 | 2000-05-30 | Fed Corporation | Passive matrix OLED display |
| US5920080A (en) * | 1997-06-23 | 1999-07-06 | Fed Corporation | Emissive display using organic light emitting diodes |
| US6146225A (en) * | 1998-07-30 | 2000-11-14 | Agilent Technologies, Inc. | Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices |
| US6268695B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-07-31 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
| JP2001118675A (ja) * | 1999-10-21 | 2001-04-27 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| US20010052752A1 (en) * | 2000-04-25 | 2001-12-20 | Ghosh Amalkumar P. | Thin film encapsulation of organic light emitting diode devices |
-
2004
- 2004-02-24 KR KR1020057016473A patent/KR20050115268A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-02-24 EP EP04714169A patent/EP1602137A2/en not_active Withdrawn
- 2004-02-24 CN CNA2004800106227A patent/CN1778002A/zh active Pending
- 2004-02-24 US US10/547,456 patent/US20060158101A1/en not_active Abandoned
- 2004-02-24 JP JP2006508811A patent/JP2006519473A/ja not_active Withdrawn
- 2004-02-24 WO PCT/US2004/005437 patent/WO2004079781A2/en active Application Filing
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180112895A (ko) * | 2017-04-03 | 2018-10-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006519473A (ja) | 2006-08-24 |
| EP1602137A2 (en) | 2005-12-07 |
| WO2004079781A3 (en) | 2004-11-04 |
| US20060158101A1 (en) | 2006-07-20 |
| CN1778002A (zh) | 2006-05-24 |
| WO2004079781A2 (en) | 2004-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20050115268A (ko) | 유기 발광 다이오드 | |
| US7074501B2 (en) | Coatings with low permeation of gases and vapors | |
| KR101261654B1 (ko) | 외부 차단벽 층을 갖는 유기 전자 디바이스 | |
| US7086918B2 (en) | Low temperature process for passivation applications | |
| US6743524B2 (en) | Barrier layer for an article and method of making said barrier layer by expanding thermal plasma | |
| EP2115798B1 (en) | Process for forming moisture barrier coatings for organic light emitting diode devices | |
| US20070132375A1 (en) | Electronic device comprising a protective barrier layer stack | |
| US8350470B2 (en) | Encapsulation structures of organic electroluminescence devices | |
| US20080226924A1 (en) | Transparent Conductive Film, Method For Producing Transparent Conductive Film and Organic Electroluminescent Device | |
| US20160111684A1 (en) | Method for deposition of high-performance coatings and encapsulated electronic devices | |
| WO2012077553A1 (ja) | ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法及び電子デバイス | |
| WO2013172359A1 (ja) | ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法及び電子デバイス | |
| Kim et al. | Optimization of Al 2 O 3/TiO 2 nanolaminate thin films prepared with different oxide ratios, for use in organic light-emitting diode encapsulation, via plasma-enhanced atomic layer deposition | |
| JP2008004545A (ja) | 有機デバイスのカプセル化 | |
| WO2007109482A2 (en) | Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same | |
| JP2004071549A (ja) | 有機発光デバイスおよび製造方法 | |
| Park et al. | Inorganic/organic multilayer passivation incorporating alternating stacks of organic/inorganic multilayers for long-term air-stable organic light-emitting diodes | |
| CN111769206A (zh) | 用于衬底和装置的薄膜渗透屏障系统和制造所述薄膜渗透屏障系统的方法 | |
| JP2007529897A (ja) | ポリシロキサンを含む正孔輸送材料 | |
| Park et al. | High-performance thin H: SiON OLED encapsulation layer deposited by PECVD at low temperature | |
| US20090286010A1 (en) | High throughput processes and systems for barrier film deposition and/or encapsulation of optoelectronic devices | |
| JP5079967B2 (ja) | Ｏｌｅｄのような電子構造素子およびマイクロエレクトロニクス構造素子のためのプラズマ封入 | |
| WO2016039237A1 (ja) | 機能素子及び機能素子の製造方法 | |
| JP2022513232A (ja) | レーザパターニングされた有機薄膜太陽電池の安定化 | |
| WO2017153747A1 (en) | Barrier coated substrates |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |