JP5477756B2 - 半導体封止材料及びそれを用いて封止してなる半導体素子 - Google Patents
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Description
2 半導体(発光チップ)
3 封止材料
4 ハウジング
Claims (7)
- 可視域において光を発する半導体を封止するための封止材料であって、厚さ1mm、波長588nmにおける内部透過率が80%以上であり、1.5〜2.2の屈折率(nd)を有し、且つ、400℃以下の軟化点を有し、B 2 O 3 を1〜30モル%含有するSnO−P2O5−B2O3系ガラスのみからなることを特徴とする半導体封止材料。
- SnO−P2O5−B2O3系ガラスが、モル比で、SnO/P2O5 0.9〜16であることを特徴とすることを特徴とする請求項1に記載の半導体封止材料。
- SnO−P2O5−B2O3系ガラスが、モル百分率で、SnO 35〜80%、P2O5 5〜40%、B2O3 1〜30%、Al2O3 0〜10%、SiO2 0〜10%、Li2O 0〜10%、Na2O 0〜10%、K2O 0〜10%、Li2O+Na2O+K2O 0〜10%、MgO 0〜10%、CaO 0〜10%、SrO 0〜10%、BaO 0〜10%、MgO+CaO+SrO+BaO 0〜10%、SnO/P2O5 0.9〜16であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体封止材料。
- ガラス成型体、ガラス粉末、ガラス粉末成型体または焼成体に加工されてなることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体封止材料。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の封止材料を用いて半導体を封止してなることを特徴とする半導体素子。
- 400℃以下の温度で半導体を封止してなることを特徴とする請求項5に記載の半導体素子。
- 1気圧(1.013×105Pa)よりも低い気圧で半導体を封止してなることを特徴とする請求項5または6に記載の半導体素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007123724A JP5477756B2 (ja) | 2006-07-07 | 2007-05-08 | 半導体封止材料及びそれを用いて封止してなる半導体素子 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006187317 | 2006-07-07 | ||
JP2006187317 | 2006-07-07 | ||
JP2007123724A JP5477756B2 (ja) | 2006-07-07 | 2007-05-08 | 半導体封止材料及びそれを用いて封止してなる半導体素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008034802A JP2008034802A (ja) | 2008-02-14 |
JP5477756B2 true JP5477756B2 (ja) | 2014-04-23 |
Family
ID=39123873
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007123724A Active JP5477756B2 (ja) | 2006-07-07 | 2007-05-08 | 半導体封止材料及びそれを用いて封止してなる半導体素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5477756B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080048178A1 (en) * | 2006-08-24 | 2008-02-28 | Bruce Gardiner Aitken | Tin phosphate barrier film, method, and apparatus |
JP2010003786A (ja) * | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP5381131B2 (ja) * | 2009-01-30 | 2014-01-08 | 旭硝子株式会社 | 発光素子被覆用ガラス粉末の製造方法 |
JP5638759B2 (ja) * | 2009-01-30 | 2014-12-10 | 旭硝子株式会社 | 発光素子被覆用ガラス粉末、発光素子被覆用スラリー、発光素子被覆用ペースト及びガラス被覆発光装置 |
JP5459605B2 (ja) * | 2009-12-11 | 2014-04-02 | 日本電気硝子株式会社 | SnO−P2O5−B2O3系分相ガラス |
JP5713273B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2015-05-07 | 日本電気硝子株式会社 | 接合材料およびそれを用いた部材接合方法 |
WO2012014853A1 (ja) * | 2010-07-26 | 2012-02-02 | 旭硝子株式会社 | 発光素子用基板、発光装置及び発光素子用基板の製造方法 |
JPWO2012029930A1 (ja) * | 2010-09-03 | 2013-10-31 | 旭硝子株式会社 | ホウ酸スズ系ガラス及び封着部品 |
JP5729550B2 (ja) * | 2011-03-16 | 2015-06-03 | 日本電気硝子株式会社 | 光学ガラス |
JP6347319B2 (ja) * | 2013-04-04 | 2018-06-27 | 日本電気硝子株式会社 | 光学ガラス |
JP5979455B2 (ja) * | 2015-06-16 | 2016-08-24 | 日本電気硝子株式会社 | 光学ガラス |
JP6565673B2 (ja) * | 2015-12-25 | 2019-08-28 | 三菱マテリアル株式会社 | 回路基板の製造方法、回路基板、および半導体装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11177129A (ja) * | 1997-12-16 | 1999-07-02 | Rohm Co Ltd | チップ型led、ledランプおよびledディスプレイ |
JP3845853B2 (ja) * | 1998-04-06 | 2006-11-15 | 日本電気硝子株式会社 | ホウリン酸スズ系ガラス及び封着材料 |
JP3959660B2 (ja) * | 1998-07-22 | 2007-08-15 | 日本電気硝子株式会社 | SnO含有ガラス粉末の製造方法 |
JP4013012B2 (ja) * | 1998-12-01 | 2007-11-28 | 日本電気硝子株式会社 | ホウリン酸スズ系ガラス及び封着材料 |
JP4465989B2 (ja) * | 2003-06-18 | 2010-05-26 | 旭硝子株式会社 | 発光ダイオード素子 |
JP4682556B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2011-05-11 | 日本電気硝子株式会社 | 低融点封着組成物、低融点ガラスペースト及び低融点ガラスタブレット |
-
2007
- 2007-05-08 JP JP2007123724A patent/JP5477756B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008034802A (ja) | 2008-02-14 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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