CN107112974B - 气密封装体的制造方法 - Google Patents

气密封装体的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107112974B
CN107112974B CN201680004161.5A CN201680004161A CN107112974B CN 107112974 B CN107112974 B CN 107112974B CN 201680004161 A CN201680004161 A CN 201680004161A CN 107112974 B CN107112974 B CN 107112974B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sealing material
material layer
glass
ceramic substrate
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201680004161.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107112974A (zh
Inventor
白神彻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Electric Glass Co Ltd
Original Assignee
Nippon Electric Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Glass Co Ltd filed Critical Nippon Electric Glass Co Ltd
Publication of CN107112974A publication Critical patent/CN107112974A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107112974B publication Critical patent/CN107112974B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/02—Forming enclosures or casings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
    • H01L23/08—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties the material being an electrical insulator, e.g. glass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00269—Bonding of solid lids or wafers to the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/04—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with articles made from glass
    • C04B37/045—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with articles made from glass characterised by the interlayer used
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15—Ceramic or glass substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5463—Particle size distributions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C04B2235/9607—Thermal properties, e.g. thermal expansion coefficient
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C04B2235/963—Surface properties, e.g. surface roughness
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/10—Glass interlayers, e.g. frit or flux
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/343—Alumina or aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/52—Pre-treatment of the joining surfaces, e.g. cleaning, machining
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/59—Aspects relating to the structure of the interlayer
    • C04B2237/592—Aspects relating to the structure of the interlayer whereby the interlayer is not continuous, e.g. not the whole surface of the smallest substrate is covered by the interlayer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
    • C04B2237/708—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the interlayers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

本发明的技术课题在于通过发明不招致收纳于内部的构件的热劣化且可以提高元件基体与密封材料层的固着强度的方法而提高气密封装体的长期可靠性。本发明的气密封装体的制造方法，其特征在于，其具备：准备陶瓷基体、且在陶瓷基体上形成密封材料层的工序；准备玻璃基板、且使玻璃基板与陶瓷基体上的密封材料层接触的方式配置陶瓷基体和玻璃基板的工序；以及从玻璃基板侧朝着密封材料层照射激光、且隔着密封材料层将陶瓷基体和玻璃基板密封而得到气密封装体的工序。

Description

气密封装体的制造方法
技术领域
本发明涉及利用使用激光的密封处理(以下称激光密封)的气密封装体的制造方法。
背景技术
对维持气密封装体的特性及实现长寿命化进行了深入研究。例如压电振动子元件是因暴露于周围环境的氧、水分而容易劣化的敏感元件。为此，对于在压电振动子封装体内以气密状态组装压电振动子元件来维持压电振动子封装的特性维持及实现长寿命化进行了研究。
作为压电振动子封装体的气密结构，对在配置有压电振动子元件的元件基体上以隔着间隔对置配置有玻璃基板的状态包围压电振动子元件的周围的方式将玻璃基板与元件基体之间的间隙用密封材料层进行密封的气密结构进行了研究。予以说明，作为元件基体，一般使用陶瓷、例如氧化铝。
但是，已知压电振动子元件的耐热性低。因此，若在密封材料层的软化流动温度区域进行烧成而将元件基体和玻璃基板密封，则存在压电振动子元件的特性热劣化的风险。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008－186697号公报
发明内容
发明要解决的课题
近年来，作为气密封装体的密封方法，研究了激光密封。在激光密封中，为了可以仅对应该密封的部分进行局部加热，可以在防止耐热性低的元件等热劣化的基础上将元件基体和玻璃基板密封。
另一方面，在激光密封中，难以提高元件基体与密封材料层的固着强度。而且，在元件基体为陶瓷的情况下，更难提高元件基体与密封材料层的固着强度。
若进行详述，则激光密封是将密封材料层进行局部加热而使密封材料层软化流动的方法，因此密封所需的时间短，随之，元件基体与密封材料层反应的时间也变短。结果在元件基体与密封材料层的界面未充分生成反应层而导致元件基体与密封材料层的固着强度降低。
本发明是鉴于以上的实际情况完成的发明，其技术课题在于通过发明不招致收纳于内部的构件的热劣化且可以提高元件基体与密封材料层的固着强度的方法而提高气密封装体的长期可靠性。
用于解决课题的手段
本发明人进行了深入研究，结果发现：若在陶瓷基体上预先形成密封材料层而提高陶瓷基体与密封材料层的固着强度后，隔着密封材料层而对置配置玻璃基板，并对玻璃基板和密封材料层进行激光密封，则气密封装体的密封强度提高。由此提出本发明。即，本发明的气密封装体的制造方法，其特征在于，其具备：准备陶瓷基体、且在陶瓷基体上形成密封材料层的工序；准备玻璃基板、且使玻璃基板与陶瓷基体上的密封材料层接触的方式配置陶瓷基体和玻璃基板的工序；以及从玻璃基板侧朝着密封材料层照射激光、且隔着密封材料层将陶瓷基体和玻璃基板密封而得到气密封装体的工序。
密封材料通常包含低熔点玻璃。该低熔点玻璃在激光密封时侵蚀元件基体的表层而生成反应层。在元件基体为玻璃的情况下，利用激光密封而一定程度地生成反应层，可以确保固着强度。但是，在元件基体为陶瓷的情况下，低熔点玻璃在激光密封时不易侵蚀元件基体的表层，未充分生成反应层。即，在元件基体为玻璃的情况下，可以利用激光密封形成反应层，但是在陶瓷的情况下，难以利用激光密封形成反应层。为此，在本发明中，利用电炉烧成等预先在陶瓷基体上形成密封材料层后，利用激光密封对陶瓷基体和玻璃基板密封。由此提高陶瓷基体与密封材料层的固着强度，并且还可以确保玻璃基板与密封材料层的固着强度。予以说明，若利用电炉烧成等预先在陶瓷基体上形成密封材料层，则可以在陶瓷基体的表层上充分形成反应层。
第二，本发明的气密封装体的制造方法优选使用具有基部和设置于基部上的框部的陶瓷基体，在框部的顶部形成密封材料层。这样一来，容易将压电振动子元件等构件收容于气密封装体内。
第三，本发明的气密封装体的制造方法优选在对框部的顶部进行研磨处理后形成密封材料层。
第四，本发明的气密封装体的制造方法优选以使框部的顶部的表面粗糙度Ra不足0.5μm的方式对框部的顶部进行研磨处理。
第五，本发明的气密封装体的制造方法优选将密封材料糊剂进行涂布、烧成而在陶瓷基体上形成包含密封材料的烧结体的密封材料层。由此提高密封材料层的机械强度，并且容易形成较薄的密封材料层。
第六，本发明的气密封装体的制造方法优选使用含有55～95体积％的铋系玻璃和5～45体积％的耐火性填料的密封材料。与其他体系的玻璃相比，铋系玻璃与陶瓷的反应性良好。由此可以提高陶瓷基体与密封材料层的固着强度。此外，铋系玻璃虽为低熔点，但热稳定性(耐失透性)高。由此，在激光密封时良好地软化流动，可以提高激光密封的精度。予以说明，“铋系玻璃”是指以Bi2O3为主成分的玻璃，具体而言，是指在玻璃组成中包含50质量％以上Bi2O3的玻璃。
第七，本发明的气密封装体的制造方法优选使密封材料层的平均厚度为不足10μm。
第八，本发明的气密封装体的制造方法优选使陶瓷基体与密封材料层的热膨胀系数的差不足45×10－7/℃、且密封材料层与玻璃基板的热膨胀系数之差不足45×10－7/℃。由此，使残留于密封部分的应力变小，因此容易防止密封部分的应力破坏。
第九，本发明的气密封装体的制造方法优选将生坯片的层叠体烧结而制作陶瓷基体。这样一来，容易制作具有框部的陶瓷基体。
第十，本发明的气密封装优选利用上述的气密封装体的制造方法制作而成。
附图说明
图1为表示利用大型DTA装置测定时的密封材料的软化点的示意图。
图2为用于对本发明的气密封装体的一个实施方式进行说明的示意性剖视图。
图3为用于对本发明的气密封装体的一个实施方式进行说明的示意性剖视图。
具体实施方式
在本发明的气密封装体的制造方法中具有准备陶瓷基体、且在陶瓷基体上形成密封材料层的工序。作为在陶瓷基体上形成密封材料层的方法，优选如下方法：将密封材料糊剂涂布在陶瓷基体上而形成密封材料膜后，将密封材料膜干燥，使溶剂挥发，并进一步在比密封材料的软化点高的温度下进行烧成，从而进行密封材料糊剂中的树脂成分的焚烧 (脱粘合剂处理)及密封材料的烧结(固着)。这样一来，可以容易形成密封材料层，并且可以提高陶瓷基体与密封材料层的固着强度。
作为陶瓷基体，从材料成本和烧结强度的观点出发，优选氧化铝、氮化铝、氧化锆、莫来石等。另外，作为陶瓷基体，也优选将生坯片的层叠体烧结而成的玻璃陶瓷(以下称作LTCC)。氧化铝在材料成本的方面有利。氮化铝从散热性的观点出发有利。LTCC具有容易制作具有框部的陶瓷基体的优点。
陶瓷基体的厚度优选为0.1～1.0mm。由此可以实现气密封装体的薄型化。
另外，优选使用具有基部和设置于基部上的框部的陶瓷基体作为陶瓷基体并在框部的顶部形成密封材料层。这样一来，容易将压电振动子元件等构件收容于气密封装体内。
此时，优选对框部的顶部进行研磨处理，此时，陶瓷基体的顶部的表面粗糙度Ra优选为不足0.5μm、0.2μm以下，特别优选为0.01～ 0.15μm，陶瓷基体的顶部的表面粗糙度RMS优选为不足1.0μm、0.5μ m以下，特别优选为0.05～0.3μm。这样一来，密封材料层的表面平滑性提高，可以提高激光密封的精度。结果可以提高气密封装体的密封强度。予以说明，“表面粗糙度Ra”及“表面粗糙度RMS”例如可以利用触针式或非接触式的激光膜厚计、表面粗糙度计进行测定。
密封材料糊剂优选沿着陶瓷基体的外周边缘区域涂布成框状。这样一来，可以扩大作为器件发挥功能的有效面积。另外，容易将压电振动子元件等构件收容于气密封装体内。
在陶瓷基体具有框部的情况下，优选沿着陶瓷基体的外周边缘区域以框状设置框部并且在该框部的顶部涂布密封材料糊剂。这样一来，可以扩大作为器件发挥功能的有效面积。另外，容易将压电振动子元件等构件收容于框部的内部。
密封材料糊剂通常利用三辊机等将密封材料和载色剂混炼而制作。载色剂通常包含树脂和溶剂。作为在载色剂中使用的树脂，可以使用丙烯酸酯(丙烯酸类树脂)、乙基纤维素、聚乙二醇衍生物、硝基纤维素、聚甲基苯乙烯、聚碳酸亚乙酯、聚碳酸亚丙酯、甲基丙烯酸酯等。作为在载色剂中使用的溶剂，可以使用N,N’－二甲基甲酰胺 (DMF)、α－松油醇、高级醇、γ－丁基内酯(γ－BL)、四氢萘、丁基卡必醇乙酸酯、乙酸乙酯、乙酸异戊酯、二乙二醇单乙基醚、二乙二醇单乙基醚乙酸酯、苄醇、甲苯、3－甲氧基－3－甲基丁醇、三乙二醇单甲基醚、三乙二醇二甲醚、二丙二醇单甲基醚、二丙二醇单丁基醚、三丙二醇单甲基醚、三丙二醇单丁基醚、碳酸亚丙酯、二甲基亚砜 (DMSO)、N－甲基－2－吡咯烷酮等。
作为密封材料，可以使用各种材料，例如可以使用玻璃粉末与耐火性填料粉末的复合粉末。作为玻璃粉末，可以使用各种材料，可以使用例如铋系玻璃、磷酸锡系玻璃、钒系玻璃等，从热稳定性和反应层的深度的观点出发，优选铋系玻璃。予以说明，“磷酸锡系玻璃”是指以SnO 和P2O为主成分的玻璃，具体而言，是指在玻璃组成中包含总量为40质量％以上的SnO和P2O5的玻璃。“钒系玻璃”是指以V2O5为主成分的玻璃，具体而言，是指在玻璃组成中包含总量为25质量％以上的V2O5的玻璃。
尤其，作为密封材料，优选使用含有55～95体积％的铋系玻璃和 5～45体积％的耐火性填料的密封材料，更优选使用含有60～85体积％的铋系玻璃和15～40体积％的耐火性填料的密封材料，特别优选使用含有60～80体积％的铋系玻璃和20～40体积％的耐火性填料的密封材料。若在铋系玻璃中添加耐火性填料，则密封材料的热膨胀系数容易与陶瓷基体和玻璃基板的热膨胀系数匹配。其结果容易防止在激光密封后不当的应力残留于密封部分的情况。另一方面，若耐火性填料粉末的含量过多，则铋系玻璃的含量相对变少，因此密封材料层的表面平滑性降低，激光密封的精度容易降低。
铋系玻璃理想的是作为玻璃组成包含0.5质量％以上(优选2～18质量％、更优选3～15质量％、进一步优选4～12质量％、特别优选5～10 质量％)的过渡金属氧化物。这样一来，可以抑制热稳定性的降低，并且可以提高光吸收特性。
铋系玻璃优选作为玻璃组成以质量％计含有Bi2O3 67～90％、B2O3 2～12％、ZnO1～20％、CuO+Fe2O3 0.5～18％。以下对如上述那样限定各成分的含量的理由进行说明。予以说明，在各成分的含有范围的说明中，％表示是指质量％。另外，“CuO+Fe2O3”为CuO与Fe2O3的总量。
Bi2O3是用于形成反应层的主要成分，并且是用于降低软化点的主要成分，其含量优选为67～87％、更优选为70～85％、特别优选为72～ 83％。若Bi2O3的含量少于67％，则难以生成反应层，而且软化点过高，即使照射激光，玻璃也不易软化。另一方面，若Bi2O3的含量多于 90％，则玻璃的热性质不稳定，在熔融时、烧结(固着)时或激光密封时玻璃容易失透。
B2O3是形成铋系玻璃的玻璃网络的成分，其含量优选为2～12％、更优选为3～10％、进一步优选为4～10％、特别优选为5～9％。若B2O3的含量少于2％，则玻璃的热性质不稳定，在熔融时、烧结(固着)时或激光密封时玻璃容易失透。另一方面，若B2O3的含量多于12％，则软化点过高，即使照射激光，玻璃也不易软化。
ZnO是抑制在熔融时、烧结(固着)时或激光密封时的失透并且使热膨胀系数降低的成分，其含量优选为1～20％、更优选为2～15％、进一步优选为3～11％、特别优选为3～9％。若ZnO的含量少于1％，则难以得到上述效果。另一方面，若ZnO的含量多于20％，则玻璃组成内的成分平衡受损，反而使玻璃容易失透。
CuO+Fe2O3是具有光吸收特性的成分，并且是若照射具有规定的发光中心波长的激光则吸收激光而使玻璃容易软化的成分。另外， CuO+Fe2O3是抑制在熔融时、烧结(固着)时或激光密封时的失透的成分。CuO+Fe2O3的含量优选为0.5～18％、更优选为3～15％、进一步优选为3.5～15％、进一步优选为4～12％、特别优选为5～10％。若 CuO+Fe2O3的含量少于0.5％，则缺乏光吸收特性，即使照射激光，玻璃也不易软化。另一方面，若CuO+Fe2O3的含量多于18％，则玻璃组成内的成分平衡受损，反而使玻璃容易失透。予以说明，CuO的含量优选为 0～15％、1～15％、2～12％、3～10％，特别优选为4.5～10％。Fe2O3的含量优选为0～7％、0.05～7％、0.1～4％，特别优选为0.2～3％。
酸化铁中的Fe离子以Fe2+或Fe3+的状态存在。在本发明中，氧化铁中的Fe离子并不限定于Fe2+或Fe3+中的任一者，可以是任意的Fe离子。因此，在本发明中，即使在Fe2+的情况下，换算为Fe2O3后进行处理。尤其在使用红外激光作为照射光的情况下，Fe2+在红外区域具有吸收峰，因此优选使Fe2+的比例较大，例如优选将氧化铁中的Fe2+/Fe3+的比例限制为0.03以上(理想的是0.08以上)。
除上述成分以外，也可以添加例如以下的成分。
SiO2是提高耐水性的成分。SiO2的含量优选为0～10％、0～3％，特别优选为不足0～1％。若SiO2的含量多于10％，则软化点过高，即使照射激光，玻璃也不易软化。
Al2O3是提高耐水性的成分。Al2O3的含量优选为0～5％、0～2％，特别优选为不足0～0.5％。若Al2O3的含量多于5％，则软化点过高，即使照射激光，玻璃也不易软化。
MgO+CaO+SrO+BaO(MgO、CaO、SrO及BaO的总量)是抑制熔融时、烧结(固着)时或激光密封时的失透的成分， MgO+CaO+SrO+BaO的含量优选为0～15％，特别优选为0～10％。若MgO+CaO+SrO+BaO的含量多于15％，则软化点过高，即使照射激光，玻璃也不易软化。予以说明，MgO、CaO及SrO的含量分别优选为0～ 5％，特别优选为0～2％。BaO的含量优选为0～10％，特别优选为0～ 8％。
CeO2、WO3、In2O3、Ga2O3及Sb2O3是抑制熔融时、烧结(固着) 时或激光密封时的失透的成分。各成分的含量优选为0～10％、0～5％、 0～2％，特别优选为0～1％。若各成分的含量多于10％，则玻璃组成内的成分平衡受损，反而使玻璃容易失透。予以说明，从提高热稳定性的观点出发，优选添加微量的Sb2O3，具体而言，优选添加0.05％以上的 Sb2O3。
Li、Na、K及Cs的氧化物是降低软化点的成分，但是为了在熔融时具有促进失透的作用，优选以总量计限制为不足1％。
P2O5是抑制熔融时的失透的成分。但是，若P2O5的含量多于1％，则在熔融时玻璃容易分相。
La2O3、Y2O3及Gd2O3是抑制熔融时的分相的成分，但是，若它们的总量多于3％，则软化点过高，即使照射激光，玻璃也不易软化。
NiO、V2O5、CoO、MoO3、TiO2及MnO2是具有光吸收特性的成分，并且是若照射具有规定的发光中心波长的激光则吸收激光而使玻璃容易软化的成分。各成分的含量优选为0～7％，特别优选为0～3％。若各成分的含量多于7％，则在激光密封时玻璃容易失透。
PbO是使软化点降低的成分，但是也是担心影响环境的成分。因此，PbO的含量优选为不足0.1％。
即使是除上述以外的成分，也可以在不损害玻璃特性的范围添加至例如5％。
作为耐火性填料，优选使用选自堇青石、锆石、氧化锡、氧化铌、磷酸锆系陶瓷、硅锌矿中的一种或两种以上。这些耐火性填料除热膨胀系数低外，机械强度高，而且与铋系玻璃的适应性良好。在上述的耐火性填料中，最优选堇青石。堇青石即使粒径小也具有在激光密封时使铋系玻璃不易失透的性质。予以说明，除上述的耐火性填料以外，还可以添加β－锂霞石、石英玻璃等。
优选在耐火性填料粉末(尤其是堇青石)中掺杂0.1～5质量％(优选1～3质量％)的CuO、Fe2O3等过渡金属氧化物。这样一来，对耐火性填料粉末赋予光吸收特性，因此可以提高密封材料的光吸收特性。
耐火性填料的平均粒径D50优选为不足2μm，特别优选为不足1.5 μm。若耐火性填料的平均粒径D50不足2μm，则密封材料层的表面平滑性提高，并且容易将密封材料层的平均厚度限制为不足10μm，结果可以提高激光密封的精度。
耐火性填料的最大粒径D99优选为不足5μm、4μm以下，特别优选为3μm以下。若耐火性填料的最大粒径D99不足5μm，则密封材料层的表面平滑性提高，并且容易将密封材料层的平均厚度限制为不足10 μm，结果可以提高激光密封的精度。在此，“平均粒径D50”和“最大粒径D99”是指利用激光衍射法以体积基准测定得到的值。
密封材料的热膨胀系数优选为60×10－7～95×10－7/℃、60×10－7～ 85×10－7/℃，特别优选为65×10－7～80×10－7/℃。这样一来，使密封材料层的热膨胀系数与玻璃基板、陶瓷基体的热膨胀系数匹配，使残留于密封部分的应力变小，并且可以降低耐火性填料的含量，因此在激光密封时密封材料层容易软化流动。予以说明，热膨胀系数为在30～300℃的温度范围利用推杆式TMA装置测定得到的值。
陶瓷基体与密封材料层的热膨胀系数之差优选为不足45×10－7/℃，特别优选为30×10－7/℃以下，密封材料层与玻璃基板的热膨胀系数优选为不足45×10－7/℃，特别优选为30×10－7/℃以下。若热膨胀系数之差过大，则残留于密封部分的应力不当地变高，存在气密封装体的长期可靠性降低的风险。
密封材料的软化点优选为500℃以下、480℃以下，特别优选为 450℃以下。若软化点高于500℃，则在密封材料的烧结(固着)时不易得到表面平滑性，进而在激光密封时密封材料不易软化流动。软化点的下限并无特别设定，但是若考虑玻璃的热稳定性，则软化点优选为 350℃以上。在此，“软化点”为利用大型DTA装置进行测定时的第四拐点，相当于图1中的Ts。
为了提高光吸收特性，密封材料可以进一步包含激光吸收材，激光吸收材具有促进铋系玻璃的失透的作用。因此，激光吸收材的含量优选为0～15体积％、0～12体积％，特别优选为0～10体积％。若激光吸收材的含量多于15体积％，则在激光密封时玻璃容易失透。作为激光吸收材，可以使用Cu系氧化物、Fe系氧化物、Cr系氧化物、Mn系氧化物及它们的尖晶石型复合氧化物等，尤其从与铋系玻璃的适应性的观点出发，优选Mn系氧化物。予以说明，在添加激光吸收材的情况下，其含量优选为0.1体积％以上、0.5体积％以上、1体积％以上、1.5体积％以上，特别优选为2体积％以上。
密封材料层的形成可以在将构件安装于陶瓷基体上之后进行，但是从防止构件(尤其是容易热劣化的元件)的热劣化的观点出发，优选在将构件安装于陶瓷基体上之前进行。
在陶瓷基体上形成密封材料层后的密封材料层的平均厚度闲置优选限制为不足10μm、不足7μm，特别优选限制为不足5μm。同样，激光密封后的密封材料层的平均厚度也优选限制为不足10μm、不足7μ m，特别优选限制为不足5μm。密封材料层的平均厚度越小，则即使未使密封材料层与陶瓷基体及玻璃基板的热膨胀系数充分匹配，也会降低在激光密封后残留于密封部分的应力。另外，还可以提高激光密封的精度。予以说明，作为如上述那样限制密封材料层的平均厚度的方法，可列举薄薄地涂布密封材料糊剂的方法、在形成密封材料层后对密封材料层的表面进行研磨处理的方法。
在陶瓷基体上形成密封材料层后的密封材料层的表面粗糙度Ra优选限制为不足0.5μm、0.2μm以下，特别优选限制为0.01～0.15μm。另外，在陶瓷基体上形成密封材料层后的密封材料层的表面粗糙度RMS优选限制为不足1.0μm、0.5μm以下，特别优选限制为0.05～0.3μm。这样一来，玻璃基板与密封材料层的密合性提高，并且激光密封的精度提高。予以说明，作为如上述那样限制密封材料层的表面粗糙度Ra、RMS 的方法，可列举将陶瓷基体的框部的顶部进行研磨处理的方法、限制耐火性填料粉末的粒度的方法、对密封材料层的表面进行研磨处理的方法。
本发明的气密封装体的制造方法具有准备玻璃基板、且使玻璃基板与陶瓷基体上的密封材料层接触的方式配置陶瓷基体和玻璃基板的工序。作为玻璃基板，可以使用各种玻璃。可以使用例如无碱玻璃、硼硅酸盐玻璃、碱石灰玻璃。尤其从耐候性的观点出发，优选无碱玻璃。
玻璃基板的板厚优选为0.01～2.0mm、0.1～1mm，特别优选为0.5～ 0.7mm。由此可以实现气密封装体的薄型化。
玻璃基板可以设置在陶瓷基体的下方，但是从激光密封的效率的观点出发，优选将玻璃基板配置在陶瓷基体的上方。
本发明的气密封装体的制造方法具有从玻璃基板侧朝着密封材料层照射激光、且隔着密封材料层将陶瓷基体和玻璃基板密封而得到气密封装体的工序。
作为激光，可以使用各种激光。尤其从容易处理的方法出发，优选半导体激光、YAG激光、CO2激光、准分子激光器、红外激光等。
进行激光密封的气氛并无特别限定，可以为大气气氛，也可以为氮气气氛等惰性气氛。
若在进行激光密封时以(100℃以上且玻璃基板的应变点以下)的温度对玻璃基板进行预加热，则可以抑制由热冲击所致的玻璃基板的破裂。另外，若在刚激光密封后从玻璃基板侧照射退火激光，则可以抑制由热冲击所致的玻璃基板的破裂。
以下，参照附图对本发明的气密封装体的一个实施方式进行说明。
图2为用于对本发明的气密封装体的一个实施方式进行说明的示意性剖视图。气密封装体1在矩形的陶瓷基体10的中央区域形成构件(压电振动子元件)11、且按照以框状包围构件11的周围的方式在陶瓷基体 10的外周边缘区域形成密封材料层12。在此，密封材料层12是通过将密封材料糊剂涂布、干燥后使其烧结来形成的构件。予以说明，在陶瓷基体10上形成将构件11与外部电连接的电极膜(未图示)。而且，玻璃基板13以与密封材料层12接触的方式配置在陶瓷基体10的上方。进而，将从激光照射装置14出射的激光L从玻璃基板13侧沿着密封材料层12照射。由此，密封材料层12软化流动，将陶瓷基体10和玻璃基板 13密封而形成气密封装体1的气密结构。
图3为用于对本发明的气密封装体的一个实施方式进行说明的示意性剖视图。气密封装体2在矩形状的陶瓷基体20的外周边缘区域具有框部21，并且在其内部收容构件(分散有量子点的树脂)22。而且，在该框部21的顶部23形成密封材料层24。在此，陶瓷基体20是通过使生坯片的层叠体烧结而制作的构件。另外，框部21的顶部23被预先进行研磨处理，表面粗糙度Ra为0.15μm以下。进而，密封材料层24是通过将密封材料糊剂涂布、干燥后使其烧结而形成的构件。予以说明，在陶瓷基体20上形成将构件22与外部电连接的电极膜(未图示)。玻璃基板25以与密封材料层24接触的方式配置在陶瓷基体20的上方。进而，从激光照射装置26出射的激光L从玻璃基板25侧沿着密封材料层 24进行照射。由此，密封材料层24软化流动，将陶瓷基体20和玻璃基板24密封而形成气密封装2的气密结构。
实施例
以下，基于实施例对本发明进行详细地说明。予以说明，以下的实施例仅仅是例示。本发明并不受以下实施例的任何限定。
首先，制作密封材料。表1表示密封材料的材料构成。铋系玻璃作为玻璃组成以摩尔％计含有Bi2O3 76.5％、B2O3 8.0％、ZnO 6.0％、 CuO 5.0％、Fe2O3 0.5％、BaO 4.0％，且具有表1记载的粒度。
【表1】
Figure BDA0001320284670000121
将上述的铋系玻璃和耐火性填料粉末按照表1所示的比例混合，制作成密封材料。作为耐火物填料，使用具有表2所示粒度的堇青石。对该密封材料测定了玻璃化转变温度、软化点、热膨胀系数。其结果如表 1所示。
玻璃化转变温度是利用推杆式TMA装置进行测定得到的值。
软化点是利用大型DTA装置进行测定得到的值。测定在大气气氛下以升温速度10℃/分钟进行，并在从室温到600℃的温度进行测定。
热膨胀系数是利用推杆式TMA装置进行测定得到的值。测定温度范围为30～300℃。
接着，使用上述密封材料，在陶瓷基体上形成密封材料层(试样 No.1～6)。首先，按照使粘度为约100Pa·s(25℃、Shear rate：4)的方式，将表1记载的密封材料和载色剂及溶剂混炼后，再用三辊磨机将粉末混炼至均匀分散，进行颗粒化。载色剂使用在二醇醚系溶剂中溶解有乙基纤维素树脂的载色剂。接着，沿着纵3mm×横3mm×厚度0.8mm 的陶瓷基体(氧化铝或LTCC)的外周边缘区域，将上述的密封材料糊剂按照厚度：约5μm或约8μm、宽度：约0.3mm的方式利用丝网印刷机印刷成框状。再在大气气氛下于120℃干燥10分钟后，在大气气氛下以 500℃烧成10分钟，进行密封材料糊剂中的树脂成分的焚烧(脱粘合剂处理)及密封材料的烧结(固着)，在陶瓷基体上形成密封材料层。之后，在陶瓷基体的中央区域形成元件。作为比较例，利用同样的烧成条件在玻璃基板上形成密封材料(试样No.7～9)。
密封材料层的平均厚度是利用非接触式激光膜厚计进行测定得到的值。
最后，隔着密封材料层而使陶瓷基体和玻璃基板在大气气氛下接触配置后，从玻璃基板侧沿着密封材料层以表中记载的输出、扫描速度照射波长808nm的激光，由此使密封材料层软化流动，将陶瓷基体和玻璃基板密封，得到表2、3记载的气密封装体。
【表2】
Figure BDA0001320284670000141
【表3】
Figure BDA0001320284670000151
对各试样，进行高温高湿高压试验：HAST试验(Highly Accelerated Temperatureand Humidity Stress test)后，观察有无发生陶瓷基体与玻璃基板的剥离，将未剥离的情况设为“○”，将确认到剥离的情况设为“×”，对剥离性进行了评价。予以说明，HAST试验的条件为121℃、湿度100％、2atm、24小时。
由表2、3可知：在试样No.1～6中，在陶瓷基体侧形成密封材料层后，进行激光密封，因此剥离性的评价良好。这意味着密封材料层和陶瓷基体在具有高固着强度的状态下被激光密封。另一方面，在试样 No.7～9中，在玻璃基板侧形成密封材料层后，进行激光密封，因此剥离性的评价不良。这意味着：利用激光密封所致的密封材料层的软化流动为短时间，因此密封材料层与陶瓷基体未充分反应，无法得到较强的固着强度。
产业上的可利用性
本发明的气密封装可以适合应用于压电振动子封装体，除此以外还适合应用于收容发光二极管的气密封装体、收容分散有耐热性低的量子点的树脂等的气密封装体等。
符号说明
1、2 气密封装
10、20 陶瓷基体
11、22 构件
12、24 密封材料层
13、25 玻璃基板
14、26 激光照射装置
21 框部
23 框部的顶部
L 激光

Claims (8)

1.一种气密封装体的制造方法，其特征在于，具备如下工序：
准备具有基部和设置于所述基部上的框部的陶瓷基体，并且将密封材料糊剂涂布于所述框部的顶部进行烧成，在所述陶瓷基体上形成包含密封材料的烧结体的密封材料层的工序；
准备玻璃基板，并且以使在所述陶瓷基体的所述框部的顶部形成的所述密封材料层接触于所述玻璃基板的玻璃表面的方式配置所述陶瓷基体和所述玻璃基板的工序；以及
从所述玻璃基板侧朝着所述密封材料层照射激光，隔着所述密封材料层将所述陶瓷基体和所述玻璃基板密封而得到气密封装体的工序。
2.根据权利要求1所述的气密封装体的制造方法，其特征在于，在对框部的顶部进行研磨处理后形成密封材料层。
3.根据权利要求1或2所述的气密封装体的制造方法，其特征在于，以便框部的顶部的表面粗糙度Ra不足0.5μm的方式对框部的顶部进行研磨处理。
4.根据权利要求1所述的气密封装体的制造方法，其特征在于，使用含有55体积％～95体积％的铋系玻璃和5体积％～45体积％的耐火性填料的密封材料。
5.根据权利要求1或2所述的气密封装体的制造方法，其特征在于，密封材料层的平均厚度不足10μm。
6.根据权利要求1或2所述的气密封装体的制造方法，其特征在于，陶瓷基体与密封材料层的热膨胀系数之差不足45×10-7/℃，且密封材料层与玻璃基板的热膨胀系数之差不足45×10-7/℃。
7.根据权利要求1或2所述的气密封装体的制造方法，其特征在于，将生坯片的层叠体进行烧结而制作陶瓷基体。
8.一种气密封装体，其特征在于，其利用权利要求1～7中任一项所述的气密封装体的制造方法制作而成。
CN201680004161.5A 2015-02-26 2016-02-25 气密封装体的制造方法 Active CN107112974B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-036344 2015-02-26
JP2015036344 2015-02-26
PCT/JP2016/055675 WO2016136899A1 (ja) 2015-02-26 2016-02-25 気密パッケージの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107112974A CN107112974A (zh) 2017-08-29
CN107112974B true CN107112974B (zh) 2021-06-04

Family

ID=56788949

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680004161.5A Active CN107112974B (zh) 2015-02-26 2016-02-25 气密封装体的制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10600954B2 (zh)
JP (1) JP6697718B2 (zh)
KR (1) KR102406788B1 (zh)
CN (1) CN107112974B (zh)
TW (1) TWI686968B (zh)
WO (1) WO2016136899A1 (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI686968B (zh) * 2015-02-26 2020-03-01 日商日本電氣硝子股份有限公司 氣密封裝及其製造方法
JP6819933B2 (ja) * 2016-10-07 2021-01-27 日本電気硝子株式会社 気密パッケージ及びその製造方法
WO2018131471A1 (ja) * 2017-01-11 2018-07-19 日本電気硝子株式会社 気密パッケージ及びガラス蓋
JP6922253B2 (ja) * 2017-01-11 2021-08-18 日本電気硝子株式会社 ガラス蓋
JP6913276B2 (ja) * 2017-01-26 2021-08-04 日本電気硝子株式会社 気密パッケージ
TW201839918A (zh) * 2017-02-07 2018-11-01 日商日本電氣硝子股份有限公司 氣密封裝
JP7169739B2 (ja) * 2017-02-23 2022-11-11 日本電気硝子株式会社 ビスマス系ガラス粉末、封着材料及び気密パッケージ
JP6913279B2 (ja) * 2017-02-27 2021-08-04 日本電気硝子株式会社 気密パッケージ
JP6838434B2 (ja) 2017-03-13 2021-03-03 オムロン株式会社 環境センサ
JP7047270B2 (ja) * 2017-07-14 2022-04-05 日本電気硝子株式会社 封着材料層付きパッケージ基体の製造方法及び気密パッケージの製造方法
JP7168903B2 (ja) * 2018-09-06 2022-11-10 日本電気硝子株式会社 気密パッケージ
DE102019121298A1 (de) * 2019-08-07 2021-02-11 Schott Ag Hermetisch verschlossene Glasumhäusung
CN115397786B (zh) * 2020-04-09 2024-02-20 业纳光学系统有限公司 将玻璃元件热稳定地接合到支撑元件的方法、生产光学装置的方法以及光学装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4784974A (en) * 1982-08-05 1988-11-15 Olin Corporation Method of making a hermetically sealed semiconductor casing
US4769345A (en) * 1987-03-12 1988-09-06 Olin Corporation Process for producing a hermetically sealed package for an electrical component containing a low amount of oxygen and water vapor
US5155299A (en) * 1988-10-05 1992-10-13 Olin Corporation Aluminum alloy semiconductor packages
US5188985A (en) * 1991-03-29 1993-02-23 Aegis, Inc. Surface mount device with high thermal conductivity
US5227583A (en) * 1991-08-20 1993-07-13 Microelectronic Packaging America Ceramic package and method for making same
US7091605B2 (en) * 2001-09-21 2006-08-15 Eastman Kodak Company Highly moisture-sensitive electronic device element and method for fabrication
JP3761023B2 (ja) * 2001-11-20 2006-03-29 セイコーエプソン株式会社 圧電デバイス及びその製造方法
US6621379B1 (en) * 2001-11-29 2003-09-16 Clarisay, Incorporated Hermetic package for surface acoustic wave device and method of manufacturing the same
JP2008186697A (ja) 2007-01-30 2008-08-14 Univ Of Tokyo パネル体の製造方法
WO2011122218A1 (ja) * 2010-03-29 2011-10-06 日本電気硝子株式会社 封着材料及びこれを用いたペースト材料
CN102893700A (zh) * 2010-10-01 2013-01-23 日本电气硝子株式会社 电气元件封装体
WO2012108083A1 (ja) * 2011-02-07 2012-08-16 株式会社Ｎｅｏｍａｘマテリアル 気密封止用蓋材、電子部品収納用パッケージおよび気密封止用蓋材の製造方法
JP2013038727A (ja) * 2011-08-11 2013-02-21 Nec Schott Components Corp 気密パッケージおよびその製造方法。
WO2014092013A1 (ja) * 2012-12-10 2014-06-19 旭硝子株式会社 封着材料、封着材料層付き基板、積層体および電子デバイス
JP6237989B2 (ja) * 2013-07-24 2017-11-29 日本電気硝子株式会社 電気素子パッケージの製造方法及び電気素子パッケージ
TWI686968B (zh) * 2015-02-26 2020-03-01 日商日本電氣硝子股份有限公司 氣密封裝及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10600954B2 (en) 2020-03-24
CN107112974A (zh) 2017-08-29
TW201635603A (zh) 2016-10-01
WO2016136899A1 (ja) 2016-09-01
JPWO2016136899A1 (ja) 2017-12-07
KR102406788B1 (ko) 2022-06-10
US20180033951A1 (en) 2018-02-01
JP6697718B2 (ja) 2020-05-27
KR20170121148A (ko) 2017-11-01
TWI686968B (zh) 2020-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107112974B (zh) 气密封装体的制造方法
JP6237989B2 (ja) 電気素子パッケージの製造方法及び電気素子パッケージ
KR102361856B1 (ko) 기밀 패키지의 제조 방법 및 기밀 패키지
CN107431045B (zh) 气密封装体及其制造方法
JP6963214B2 (ja) ガラス粉末及びそれを用いた封着材料
WO2020071047A1 (ja) 気密パッケージ
KR102414498B1 (ko) 기밀 패키지
KR102380455B1 (ko) 기밀 패키지
US11398585B2 (en) Airtight package
WO2018216587A1 (ja) 気密パッケージの製造方法及び気密パッケージ
JP2019151539A (ja) ガラス粉末及びそれを用いた封着材料
TWI762584B (zh) 鉍系玻璃粉末、密封材料以及氣密封裝體
WO2023281961A1 (ja) 封着材料層付きガラス基板及び気密パッケージの製造方法
JP2023008800A (ja) 封着材料層付きガラス基板及び気密パッケージの製造方法
WO2020003989A1 (ja) 封着材料層付きガラス蓋の製造方法及び気密パッケージの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant