TWI355470B - - Google Patents

Description

1355470 的混合比或混合氣體供給量控制的高精度化等問題而爲的 發明’提供一種以習知的發泡方式或固定原料方式的原料 氣化供給裝置爲基礎’藉由實現混合氣體類高溫化的同時 將其原料槽內壓力自動保持成常態設定壓力値，就能夠同 時並行達成原料供給量的增加或混合比及混合氣體供給量 控制的高精度化以及氣化供給裝置的小型化之原料氣化供 給裝置及其使用之自動壓力調整裝置。 〔用以解決課題之手段〕 本發明人等是針對上述第9圖習知發泡方式的氣化供 給裝置加以再度檢討的同時，以發泡方式或固定原料方式 的原料氣化供給裝置爲基礎，針對原料槽等的加熱溫度和 原料4的蒸氣壓及蒸氣產生量之關係，加熱溫度和混合氣 體的混合比之關係，加熱溫度和混合氣體G〇供給量控制 精度之關係’原料槽內的內壓變動和混合氣體G〇供給量 φ 控制精度之關係等，加以各種調查及試驗，從該等的調查 . 及試驗的結果，得知習知的原料氣化供給裝置是由原料槽 ，的溫度及壓力和運載氣體G,的流量決定混合氣體G〇的供 給量’從中還得知抑制原料槽內壓的變動使其保持成指定 ' 値’是混合氣體G〇供給量的增加及其流量控制高精度化 不可欠缺的條件，於同時想到藉由設有可對欲供給至處理 室的混合氣體Go供給線施以高溫對策之原料槽內壓自動 調整裝置，可達成上述的本發明課題。 本發明是本發明者等根據上述構想所創作的發明，申 -8- 1355470 請專利範圍第1項的發明是以下述爲發明的基本構成，即 是由：已儲放有原料的原料槽；可從運載氣體供給源對一 定流量的運載氣體G,加以流量控制並供給至上述原料槽 的原料中的流量控制裝置；滯留在原料槽上部空間的原料 蒸氣G4和運載氣體G!之混合氣體G〇導出用的1次配管 路；根據上述1次配管路的混合氣體G。之壓力及溫度的 檢測値對設置在1次配管路末端的控制閥開度進行調整， 藉由對混合氣體G〇流通的通道剖面積進行調整使原料槽 內的混合氣體G〇壓力保持成一定値的自動壓力調整裝置 ;及可使上述原料槽及自動壓力調整裝置的運算控制部除 外部份加熱成設定溫度的恆溫加熱部所構成，構成爲可將 原料槽內的內壓控制成預期壓力的同時將混合氣體G〇供 給至處理室。 申請專利範圍第2項的發明是於申請專利範圍第1項 發明中’將恆溫加熱部的加熱溫度最高値爲1 5 0 °C。 申請專利範圍第3項的發明是於申請專利範圍第丨項 發明中，將自動壓力調整裝置的控制閥爲壓電元件驅動型 的常閉式金屬隔膜閥的同時’將該金屬隔膜閥的隔膜閥體 推壓用的隔膜推壓構件爲恆範鋼（36%Ni-Fe)製。 申請專利範圍第4項的發明，是以下述爲發明的基本 構成’即，是由：設置在從原料氣化供給裝置的原料槽導 出的原料蒸氣G4和運載氣體ο!之混合氣體g〇供給用的 1次配管路，可對混合氣體Gq內壓進行檢測的壓力檢測 器p〇 ;混合氣體G〇溫度檢測用的溫度檢測器To ;直接連 -9- 1355470 結在1次配管路末端的壓電元件驅動金屬隔膜式控制閥； 根據上述溫度檢測器To的檢測値對上述壓力檢測器P〇的 檢測値進行溫度修正，對混合氣體G。的壓力進行運算的 同時，對預先設定的壓力和上述運算壓力加以比對然後輸 出可朝兩者差較少方向對控制閥進行開關控制的控制訊號 Pd的運算控制部；及可使上述壓力檢測器溫度檢測器及 控制閥的閥體加熱成指定溫度的加熱器所構成，藉由將原 料槽內的混合氣體內壓保持成指定値，構成爲可高精度控 制原料的供給流量。 申請專利範圍第5項的發明，是於申請專利範圍第4 項發明中，將運算控制部形成由：可對檢測壓力PC進行 溫度修正對檢測壓力Pt進行運算的溫度修正回路；設定 輸入訊號Ps及控制壓力輸出訊號Pot的輸出入回路；檢 測壓力訊號Pt和設定輸入訊號Ps的比較回路；對可使上 述檢測壓力訊號Pt和設定輸入訊號Ps的差訊號爲零方向 之控制訊號Pd進行輸出的輸出回路所構成。 申請專利範圍第6項的發明，是於申請專利範圍第4 項發明中，將閥體的最高加熱溫度爲150 °C的同時，將控 制閥的隔膜壓件爲恆範鋼（36%Ni-Fe )製。 申請專利範圍第7項的發明，是於申請專利範圍第4 項發明中，將控制閥形成其閥殼本體設有多數開孔的開孔 機殼的同時，構成在壓電元件驅動部的非動作時，利用盤 形彈簧的彈性力透過隔膜壓件將隔膜閥體朝下方推壓使其 抵接於閥座，此外，於壓電元件驅動部的動作時，利用壓 -10- 1355470 電元件的伸長抵抗盤形彈簧的彈性力使隔膜壓件拉往上方 ，藉此使隔膜閥體從閥座離開的常閉式控制閥。 申請專利範圍第8項的發明，是於申請專利範圍第4 項發明中，對隔膜壓件和隔膜上面側的任一方或兩方施加 鍍銀處理，以防止隔膜壓件和隔膜之間滑動造成的燒結。 〔發明效果〕 於本申請專利範圍第1項的發明，因是構成由質量流 量控制裝置3將欲流入至原料槽5內的運載氣體G,流入 流量以高精度控制成指定流量的同時，藉由對原料槽等以 最高1 5 0 °C的溫度進行高溫加熱以促進原料槽內的原料蒸 發，再加上是由自動壓力調整裝置將原料槽5內的運載氣 體G!和原料的蒸氣G4的混合物壓力以高精度控制成指定 値，所以欲流入處理室1 1內的混合氣體G〇的流量和混合 氣體GD內的運載氣體Gi和原料的蒸氣G4的混合比就能 夠經常保持一定，使處理室供給經常穩定的預期量原料4 。其結果，能夠大幅提昇所製造的半導體品質和刪減瑕疵 品。 此外，本申請專利範圍第4項的自動壓力調整裝置， 是採用壓電元件驅動型的金屬隔膜式控制閥，以該控制閥 V0的一次側壓力檢測値爲基準執行控制閥開閉控制的同 時，構成將閥本體加熱至最高150 °C的溫度且隔膜壓件爲 恆範鋼。其結果，即使欲控制之原料槽內的混合氣體溫度 上昇至最高150 °C，還是能夠以極高精度將原料槽內的混 1355470 合氣體壓控制成指定値，如此一來，就能夠以高精度控制 欲供給至處理室的混合氣體Gg流量及混合氣體G〇構成用 的運載氣體Gi和有機化合物蒸氣G4的混合比，能夠大幅 提昇半導體製品的品質穩定性。 【實施方式】 〔發明之最佳實施形態〕 以下，根據圖面對本發明的實施形態加以說明。 第1圖是表示本發明相關原料之氣化供給裝置要部構 成系統圖’第1圖中，圖號1爲運載氣體，圖號2爲減壓 裝置’圖號3爲質量流量控制裝置，圖號4爲原料 [A1(CH3)]3等液狀原料或Pb(dpm)2等承持昇華型固體原料 ’圖號5爲原料槽’圖號6爲高溫加熱部，圖號7、9、 爲閥，圖號8爲導入閥’圖號11爲處理室，圖號14 爲真空栗浦’圖號15爲原料槽內的自動壓力調整裝置， 圖號16爲運算控制部，圖號I?爲設定壓力訊號的輸入端 子’圖號18爲檢測壓力訊號的輸出端子，圖號〇1爲& 等運載氣體，圖號G4爲原料飽和蒸氣，圖號〇<)爲運載氣 體h和原料蒸氣G4的混合氣體，圖號Pq爲混合氣體G〇 的壓力檢測器，圖號TQ爲混合氣體G()的溫度檢測器，圖 號V。爲壓電元件驅動型控制閥，圖號G5爲與混合氣體 內的原料（例如：[A1(CH3)h等）形成結合，於基板 13上形成結晶薄膜用的另一原料氣體（ph3等）。 上述第1圖所示的原料氣化供給裝置中的原料供給部 -12- 1355470 及處理室部，除了原料氣體供給部的加熱溫度是設定成約 150度的較高溫度以外，其他方面是和第9圖所示的習知 裝置狀況大致相同。因此，於此省略該大致相同部份的詳 細說明。 上述自動壓力調整裝置15是設置在來自於原料槽5 的混合氣體Gg出口側附近，其是一種將原料槽5內的混 合氣體G〇的壓力自動調整成指定設定値用的裝置。即是 於流入側的一次配管L!，對混合氣體GQ·的壓力PG及溫度 T〇進行檢測的同時，使用該檢測壓力PQ及溫度TQ於運算 控制部1 6進行溫度修正，藉此對現實高溫混合氣體G〇的 壓力進行修正運算，再加上，對該運算出來的溫混合氣體 G〇壓力値和來自於設定輸入端子17的設定壓力値進行比 對，朝兩者偏差爲零的方向進行控制閥V〇開閉的控制。 第2圖是表示上述自動壓力控制裝置15的方塊構成 圖，其運算控制部16是由溫度修正回路16a、比較回路 16b、輸出入回路16c及輸出回路16d所構成。 即，來自於壓力檢測器P〇及溫度檢測器TG的檢測値 ，被轉換成數位訊號輸入至溫度修正回路16a，於此，檢 測壓力Ρ〇是修正爲檢測壓力Pt後再輸入至比較回路1 6b 。此外，設定壓力的輸入訊號Ps是從端子17輸入，以輸 出入回路16c轉換成數位値後，再輸入至比較回路16b， 於此和來自於上述溫度修正回路16b的溫度修正後的檢測 壓力Pt進行比較。接著，當設定壓力輸入訊號Ps比溫度 修正後的檢測壓力Pt還大時，對控制閥v〇的驅動部輸出 -13- 1355470 控制訊號Pd。如此一來，控制閥V〇會被驅動往關閉方向 ，直到設定壓力輸入訊號Ps和溫度修正後的檢測壓力Pt 的差（Ps — Pt)爲零爲止都是被驅動往閉閥方向》 另外，反之，當上述設定壓力輸入訊號Ps比溫度修 正後的檢測壓力Pt還小時，對控制閥VG的驅動部輸出控 制訊號Pd，使控制閥V〇驅動往開閥方向，直到兩者的差 Ps-Pt成爲零爲止持續驅動往開閥方向。 利用質量流量控制裝置3將上述運載氣體G!的供給 量保持成設定値，又將原料槽5的溫度保持成設定値，更 將原料槽5的內部壓力（混合氣體G〇的壓力）保持成設 定値，能夠透過控制閥V〇以定混合比使定流量的混合氣 體G〇，以高精度控制對上述質量流量控制裝置3所設定 的流量成比例的指定流量値並供給至處理室1 1。 本發明中，首先是利用減壓裝置2將欲供給至原料槽 5內的運載氣體G!之壓力P,設定成指定壓力値的同時， 利用質量流量控制裝置3將其供給流量設定成指定値。 此外’利用恆溫加熱部6的啓動，使原料槽5及原料 槽用的自動壓力調整裝置15的運算控制部16除外部份加 熱保持成約150°C的高溫度。 另’原料槽5或自動壓力調整裝置15的控制閥v〇等 加熱保持成150 °C高溫度的理由是爲了提高原料槽5內的 原料4的飽和蒸氣G4的壓力PQ，以應對欲供給至處理室 11側的蒸氣供給量增加或混合氣體G()高溫化的要求 ，和可更完全防止混合氣體G〇供給線中的蒸氣g4凝結。 -14- 1355470 表1是表示本實施例所使用的原料槽用自動壓力調整 裝置15主要規格，最高使用溫度爲15(TC ，流量 5 0 0SCCM ( N2 )時的最大壓力（F.S_壓力）爲 1 33.3kpa ab s 〇 〔表1〕 自動壓力調整裝置主要規格 名稱 反動作壓力控制器 壓力範圍（F.S.) 133.3kPaabs. (ΙΟΟΟΤοιτ)流量：500SCCM (N2) 二次側壓力 設定控制壓力以下 耐壓力 0.35MPa G 外部漏損量 lxl(T1GPam3/sec 以下 內部漏損量 1%F.S.以下（供給壓力300kPaabs.時） 精度保証溫度範圍 15T：〜150。。 使用可能溫度範圍 (TC 〜160。。 環境溫度 15°C 〜50°C 接氣部材質 SUS316L、鎳鈷合金、耐蝕耐熱鎳基合金C-22 (壓力感測器） 安裝姿勢 可全方向安裝 第3圖是第2圖自動壓力控制裝置使用的控制閥V〇 的剖面槪要圖和局部切除後的右側面槪要圖，爲讓使用溫 度上昇至1 50 °C，使用可高溫使用的壓電促動器或盤形彈 簧等閥構成構件之同時，考慮到壓電元件或閥各構成構件 的熱膨脹係數，隔膜壓件是使用恆範鋼材，藉此構成能夠 防止壓電元件驅動部膨脹造成的流路堵塞。 此外，壓電元件驅動部容納箱是形成爲開孔機殻，使 壓電元件驅動部等成爲可空冷的構造，藉此實現壓電閥各 構成構件熱膨脹的降低之同時，於控制閥Vo的閥體部安 -15- 1355470 裝筒形加熱器，使閥本體加熱成指定溫度（最高1501 ) 〇 再加上，於隔膜壓件全面施有鍍銀處理，藉此降低隔 膜壓件和隔膜之間滑動造成的燒結。 另，於本實施例是只在隔膜壓件施有鍍銀處理，但也 可只在隔膜上面側施有鍍銀處理，或者，也可對隔膜壓件 和隔膜上面側雙方施有鍍銀處理，藉此降低隔膜和隔膜壓 件之間滑動造成的燒結。 又，第3圖所示控制閥VG的基本構成，除了上述各 加工項目以外，其他均爲習知技術。因此，於此省略其說 明。 此外，第3圖中，圖號19爲閥體，圖號19a爲固定 構件，圖號20爲壓電元件，圖號21爲促動箱，圖號21a 爲隔膜壓件，圖號22爲盤形彈簧，圖號23爲壓力感測器 ’圖號24爲隔膜閥體，圖號25爲閥座，圖號26爲流體 通道，圖號27爲閥殼本體（機殼），圖號28爲密封墊， 圖號29爲密封墊’圖號30爲熱敏電阻，圖號31爲筒形 加熱器。 參照第3圖，於驅動用電力未供給至壓電元件驅動部 20時（非動作時），隔膜閥體24是由盤形彈簧22的彈 性力透過促動箱21及固定在促動箱21下端的隔膜壓件 21a推壓朝下方，形成抵接於閥座25，藉此使閥保持成關 閉狀態。 其次，當驅動用電力供給至壓電元件驅動部20時， -16- 1355470 壓電元件會伸長。但是，壓電元件的下端部是由固定構件 19a支撐固定著，所以壓電元件的伸長會讓其上端部的位 置上昇，如此一來，就導致促動箱21反抗盤形彈簧22的 彈性力形成被拉往上方。藉此，使隔膜閥體24離開閥座 2 5，閥就形成開放。 第4圖是第3圖控制閥VQ的流量特性試驗實施說明 圖，從N2氣體源，通過··調整成200KPaG的減壓裝置 RG、滿度値爲5 00 SCCM的質量流量控制器MFC、設定壓 爲lOOTorr的壓力調整裝置TA、6.35mm管徑x200mm長 度的加熱用配管HP及本發明相關的自動壓力調整裝置15 的控制閥VG，利用真空栗浦14真空袖取的同時使1^2氣 體形成流通。接著，將閥體19溫度爲常溫（RT時）及 15 0°C時的流量特性（壓電施加電壓V和流量SCCM的關 係），針對隔膜壓件21的材質分別爲恆範鋼（36%Ni-Fe )材、SUS316材及超耐熱性塑膠（VESPEL)(SP-1)材時 進行了測定。 第5圖的（a)圖是表示隔膜壓件21的材質爲恆範鋼 (36%Ni-Fe )材時的流量特性，此外，（b)圖是表示隔 膜壓件21採用SUS316材時的流量特性，再加上，（c) 圖是表示隔膜壓件21爲超耐熱性塑膠（SP-1 )材時的流 量特性，從該等圖得知隔膜壓件採用恆範鋼（36%Ni-Fe) 材時能夠使高溫時（溫度1 5 0 °C )的流量變化更少。 表2、表3及表4，是針對上述第5圖的（a)圖、（ b)圖、（c)圖，表示壓電施加電壓爲115V時的閥行程 -17- 1355470 尺寸變化。 〔表2〕

加熱前後的行程尺寸變化 ① 150°C加熱時（壓電電壓115V施加時） ② RT時（壓電電壓115V施加時） ③ 行程尺寸變化量（①一②） ：S.3 μ m 9.5 β m - \ .2 β m 〔表3〕 加熱前後的行程尺寸變化 ①150°C加熱時（壓電電壓115V施加時） :6.5 // m ②RT時（壓電電壓115V施加時） :1 1.9 μ m ③行程尺寸變化量（①一②） :-5 · 4 // m 〔表4〕 加熱前後的行程尺寸變化 ①150°C加熱時（壓電電壓115V施加時） ：1.6 μ m ②RT時（壓電電壓115V施加時） :1 4 · 2 μ m ③行程尺寸變化量（①一②） :-1 2 · 6 " m 另，上述表2、表3及表4的各閥行程尺寸是使用下 述（1) ' (2)及（3)式算出。

Cv = Qg/ ( 203P, ) X ( GgxT ) 1/2 .-.-(1) 17xCv= a xA .... ( 2 ) -18- 1355470 h= ( 1 000x A ) / ( 7Γ xd ) · . . · (3) 但是，Cv =表示流量的順暢値、Pl爲上游側的絕對壓 力（kgf/cm2· abs) 、Qg =標準狀態的氣體流量（Nm3/h) 、Gg =流體的比重（空氣=1 ) 、T =流體溫度（K) 、α =修 正係數（使用〇_ 8 ) 、Α =流體通道的有效剖面積（mm2 ) 、ττ=圓周率、d =閥座密封墊的直徑（mm) 、h =行程尺寸 (β m)。 另外，第6圖是上述表2、表3、表4所示之溫度變 化時的行程尺寸變化量和隔膜壓件材的熱膨脹係數[恆範 鋼（36%Ni-Fe) =2.0xl0.6、SUS316 = 16xlO·6、超耐熱性 塑膠（SP-1 ) =4 1xl(T6] ( 1/K )之關係圖表，針對第3圖 所示構造的控制閥V 〇 ’得知其隔膜壓件2 1 a材質的熱膨 脹係數和溫度變化時的控制閥行程尺寸變化量是成比例關 係。 即，就第3圖所示構成的控制閥V〇而言，其高溫化 對策最被預期的構成是隔膜壓件21a採用熱膨脹係數較低 的材質例如恆範鋼（36%Ni-Fe)。 第7圖是本發明相關原料之氣化供給裝置的響應特性 試驗實施說明圖，其是針對利用減壓裝置2將來自於運載 氣體供給源1的N2減壓成200kPaG後，通過範圍爲 500SCCM的質量流量控制裝置3供給至假想的原料槽（ 容量lOOOcc內壓100〜500Torr) 5，由自動壓力調整裝置 15將原料槽內的壓力控制成1〇〇〜500Torr指定値的同時 ，將150SCCM的N2流通至利用真空泵浦14真空抽取成 •19- 1355470 20〜5 0T〇rr的管路內時的狀況，實際所測出之已加入在輸 入訊號端子17的設定壓輸入訊號Ps和來自於輸出端子 1 8的控制壓力輸出訊號P〇 (原料槽5的內壓）的關係， 從第8(a)圖及第8(b)圖的圖示也可得知，能夠在設 定壓輸入訊號Ps和控制壓力輸出訊號之間不產生時間性 大落後的狀況下將原料槽5的內壓PG控制成指定値。 〔產業上之可利用性〕 本發明不僅可做爲MOCVD法使用的原料之氣化供給 裝置，針對半導體製造裝置或化學品製造裝置等，還可應 用在將氣體從加壓儲放源供給至處理室之構成的所有氣體 供給裝置。 同樣地，本發明相關的自動壓力調整裝置不僅可應用 在MOCVD法使用的原料之氣化供給裝置’還可做爲一次 側流體供給源的自動壓力調整裝置，廣泛應用在半導體製 造裝置或化學品製造裝置等的流體供給回路。 【圖式簡單說明】 第1圖爲表示本發明相關原料之氣化供給裝置要部構 成系統圖。 第2圖爲原料槽內壓的自動壓力控制裝置方塊構成圖 〇 第3圖爲控制閥V〇的剖面槪要圖和局部切除後的右 側面槪要圖。 -20- 1355470 第4圖爲第3圖控制閥V()的流量特性試驗實施說明 圖。 第5圖爲表示控制閥V()的閥體溫度變化時的壓電電 壓和N2流量之關係線圖，（a)圖爲表示隔膜壓件採用恆 範鋼（36%Ni-Fe )材時，（b)圖爲表示隔膜壓件採用 SUS316材時，（c)圖爲表示隔膜壓件採用超耐熱性塑膠 (SP-1 )材時。 第6圖爲第3圖控制閥Vq的隔膜壓件形成用材料的 熱膨脹係數（1 /K )和溫度變化時的行程尺寸變化量之關 係線圖。 第7圖爲本發明相關原料之氣化供給裝置的響應特性 試驗實施說明圖。 第8圖爲根據第7圖所進行的響應特性試驗結果一例 ’ （Ο圖爲表示控制容量300cc(N2流量150SCCM)時 的響應特性，（b )圖爲表示控制容量5 3 0cc ( N2流量 150SCCM )時的響應特性。 第9圖爲表示習知M0CVD法所使用之發泡方式的原 料氣化供給裝置一例說明圖。 第1〇圖爲表示習知MOCVD法所使用的另一原料氣 化供給裝置說明圖，該裝置是構成爲分別計測運載氣體和 原料的流量後再進行混合供給。 【主要元件符號說明】 1 :運載氣體 -21 - 1355470 2 :減壓裝置 3 :質量流量控制裝置 4 :原料 5 :原料槽（容器） 6 :高溫加熱部 7 :入口閥 8 :導入閥 9 :出口閥 1 0 :閥 1 1 :處理室（晶體成長爐） 1 2 :加熱器 13 :基板 14 :真空泵浦 15:原料槽用自動壓力調整裝置 1 6 :運算控制部 16a :溫度修正回路 1 6 b :比較回路 1 6c :輸出入回路 16d :輸出回路 17:輸入訊號端子（設定輸入訊號） 18:輸出訊號端子（壓力輸出訊號） Gi :運載氣體 G4 :原料飽和蒸氣 G0 :混合氣體 -22- 1355470 g5:薄膜形成用氣體 L!:一次配管路 P G !:壓力計 P 0 :壓力檢測器 To :溫度檢測器 V〇 :控制閥 Vi〜V4 :閥 P s :溫度修正後的檢測壓力値 Pd :控制閥驅動訊號

Pot :控制壓力的輸出訊號（混合氣體G0溫度修正後 的壓力檢測訊號） 19 :閥體 19a :固定構件 2 0 :壓電元件 2 1 :促動箱 2 1 a :隔膜壓件 22 :盤形彈簧 23 :壓力感測器 24 :隔膜閥體 25 :閥座 26 :流體通道 27 :閥殼本體（機殼） 2 8 :密封墊 2 9 :密封墊 -23- 1355470 3 0 :熱敏電阻 3 1 :筒形加熱器

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Claims (1)

1355470 十、申請專利範圍 1·—種原料之氣化供給裝置，其特徵爲，是由：已 儲放有原料的原料槽；可從運載氣體供給源對一定流量的 運載氣體G,加以流量調整並供給至上述原料槽的原料中 的流量控制裝置；滯留在原料槽上部空間的原料蒸氣G4 和運載氣體G】之混合氣體G〇導出用的1次配管路；根據 上述1次配管路的混合氣體GQ之壓力及溫度的檢測値對 設置在1次配管路末端的控制閥開度進行調整，藉由對混 合氣體G〇流通的通道剖面積進行調整使原料槽內的混合 氣體Gg壓力保持成一定値的自動壓力調整裝置；及可使 上述原料槽及自動壓力調整裝置的運算控制部除外部份加 熱成設定溫度的恆溫加熱部所構成，構成可將原料槽內的 內壓控制成預期壓力的同時將混合氣體G〇供給至處理室 〇 2.如申請專利範圍第1項所記載的原料之氣化供給 裝置，其中，恆溫加熱部的加熱溫度最高値設定爲1 50°C 〇 3 .如申請專利範圍第1項所記載的原料之氣化供給 裝置，其中，使自動壓力調整裝置的控制閥爲壓電元件驅 動型的常閉式金屬隔膜閥的同時，該金屬隔膜閥的隔膜閥 體推壓用的隔膜推壓構件爲恆範鋼（36%Ni-Fe)製。 4. 一種原料之氣化供給裝置使用之原料槽內壓自動 壓力調整裝置，其特徵爲，是由：設置在從原料氣化供給 裝置的原料槽導出的運載氣體G!和原料蒸氣G4之混合氣 -25- 1355470 體G〇供給用的1次配管路，可對混合氣體G()內壓進行 測的壓力檢測器Po ;混合氣體G〇溫度檢測用的溫度檢 器To;直接連結在1次配管路末端的壓電元件驅動金 隔膜式控制閥；根據上述溫度檢測器Το的檢測値對上 壓力檢測器的檢測値進行溫度修正，對混合氣體Go 壓力進行運算的同時，對預先設定的壓力和上述運算壓 加以比對然後輸出可朝兩者差較少方向對控制閥進行開 控制的控制訊號Pd的運算控制部；及可使上述壓力檢 器、溫度檢測器及控制閥的閥體加熱成指定溫度的加熱 所構成’藉由將原料槽內的混合氣體內壓保持成指定値 構成爲可高精度控制原料的供給流量。 5 ·如申請專利範圍第4項所記載的原料槽內壓自 壓力調整裝置’其中，運算控制部，是由：可對檢測壓 P 〇進行溫度修正對檢測壓力P t進行運算的溫度修正回 ;設定輸入訊號Ps及控制壓力輸出訊號p〇t的輸出入 路；上述基準溫度下的檢測訊號Pt和基準溫度下的設 輸入訊號Ps的比較回路；及對可使上述檢測壓力訊號 和設定輸入訊號Ps的差訊號爲零方向之控制訊號Pd進 輸出的輸出回路所構成。 6.如申請專利範圍第4項所記載的原料槽內壓自 壓力調整裝置，其中，使閥體的最高加熱溫度爲150 t： 同時，控制閥的隔膜壓件爲恆範鋼（36%Ni-Fe)製。 7 .如申請專利範圍第4項所記載的原料槽內壓自 壓力調整裝置，其中，將控制閥形成爲其閥殼本體設有 檢 測 屬 述 的 力 關 測 器 動 力 路 回 定 Pt 行 動 的 動 多 -26- 1355470 數開孔的開孔機殼的同時，構成爲在壓電元件驅動部的非 動作時，利用盤形彈簧的彈性力透過隔膜壓件將隔膜閥體 朝下方推壓使其抵接於閥座，此外，於壓電元件驅動部的 動作時，利用壓電元件的伸長抵抗盤形彈簧的彈性力使隔 膜壓件拉往上方，藉此使隔膜閥體從閥座離開的常閉式控 制閥》 8 .如申請專利範圍第4項所記載的原料槽內壓自動 壓力調整裝置，其中，對控制閥的隔膜壓件和隔膜上面側 的任一方或兩方施加鍍銀處理，以防止隔膜壓件和隔膜之 間滑動造成的燒結。

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