TWI355079B - Light-emitting device and method for manufacturing - Google Patents

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TWI355079B
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Taiwan
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semiconductor film
insulating layer
film transistor
thin film
gate electrode
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Osamu Nakamura
Gen Fujii
Fuminori Tateishi
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Semiconductor Energy Lab
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1355079 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種發光裝置，其包含一形成於一大尺 寸玻璃基底上之主動元件（諸如晶體）、及一種其製造方 法c 【先前技術〕 傳統上，已知一種所謂主動矩陣驅動系統之顯示面板 ，其係由一位於玻璃基底上之薄膜電晶體（於下文中稱爲 "TFT")所構成。此主動矩陣顯示面板係藉由一使用光 罩之曝光步驟以圖案化各個薄膜而被製造，類似於一半導 體積體電路之製造技術。 迄今，已利用一種製造方法，用以從一母玻璃基底切 開複數顯示面板並有效地大量生產。用於製造顯示面板之 母玻璃基底的尺寸係增加自早期1990年代中之第一代的 300 mmx400 mm 或 2000 年之第四代的 730 mmx920 mm 。再者，亦已開發出製造方法以致其可從一基底獲得大量 的顯示面板。 當一玻璃基底或一顯示面板之尺寸較小時，可藉由使 用光微影設備而相當輕易地執行圖案化處理。然而，隨著 ，基底尺寸增大，一顯示面板之整個表面無法藉由一次地 執行曝光處理而被同時地執行。因此，—種用以曝光一基 底之整個表面的方法已被開發爲一曝光處理。（例如，對 一基底連續曝光以連接諸如一佈線之元件的邊緣而不致於 -5- (2) (2)1355079 元件間之邊界上中斷）》此方法係之執行包含：藉由將一 其中塗敷有光抗蝕劑之區劃分爲複數區塊 '執行—曝光處 理於每一預定的區塊上、及藉由依序地重複之（例如，參 考案1 :日本專利公開編號Hei 11-32695])。 【發明內容】 然而，於第五代中一玻璃基底被進一步放大至1000 mmxl200 mm之尺寸；以及於下—代中確信有15〇〇 mmx 1800 mm或更大之尺寸。然而，藉由習知的圖案化方法難 以用良好的生產率及低的成本來製造一顯示面板。換言之 ’當藉由上述連續曝光以執行多次的曝光處理時，處理時 間會增加。需要可觀的投資以開發一種可以處理大尺寸玻 璃基底之光微影設備。 此外，有一問題在於浪費材料成本以及產生大量流出 物’在一種用以形成各種型式之薄膜於一基底之整個表面 上及藉由蝕刻而移除薄膜以留下一微小區的方法中。 本發明係有鑑於此一問題而產生。本發明之一目的係 提供一種發光裝置，藉此可增進一材料之使用的效率並可 簡化製造步驟、以及一種其製造方法。 依據本發明之一型態，藉由一種能夠選擇性地形成一 圖案之方法以形成至少一或更多用以製造一顯示面板所需 的圖案，諸如一用以形成一佈線或一電極之導電層或者一 用以形成一所欲圖案之遮罩。有利用一種微滴排出方法（ 根據其系統而稱爲一噴墨方法）以當作能夠選擇性地形成 -6- (3) (3)1355079 —圖案之方法’此微滴排出方法可藉由選擇性地排出其具 有供一特定目的而備製之成分的微滴以形成一導電層或〜 絕緣層及一所欲圖案。 一顯示裝置可藉由使用一微滴排出方法而被形成。於 顯示裝置中’ 一TFT被連接至一發光元件，其中係於電 極之間配置其產生光放射之一有機材料或一含有有機材料 與無機材料之混合物的媒介，亦即，場致發光（稱之爲 EL )，依據本發明之—型態。 —種依據本發明之一型態的發光裝置包含至少一第_ 薄膜電晶體及一第二薄膜電晶體於每一像素中。第—薄膜 電晶體及第二薄膜電晶體包含—閘極電極，其含有—導電 材料；一閘極絕緣層’其係形成於閘極電極上；—半導體 膜’其係形成於閘極絕緣層上；及一源極佈線和一汲極佈 線’其係形成於半導體膜上。於發光裝置中，第一薄膜電 晶體之源極佈線與汲極佈線之一被連接至第二薄膜電晶體 之鬧極電極’而半導體膜不突出自（不延伸超過）閘極絕 緣層之一邊緣。 〜種依據本發明之一型態的發光裝置包含至少—第— 薄膜戆晶體及一第二薄膜電晶體於每一像素中。第—薄膜 電晶键及第二薄膜電晶體包含一閘極電極，其含有一導電 材料；一閘極絕緣層’其係形成於閘極電極上；—半導體 膜’其係形成於閘極絕緣層上；及一源極佈線和一汲極佈 線’其係形成於半導體膜上。於發光裝置中，第—薄膜電 BB 之源極佈線與汲極佈線之一被連接至第二薄膜電晶體 (4) (4)1355079 之閘極電極，而半導體膜之一邊緣係對齊與閘極絕緣層之 一邊緣。 一種依據本發明之一型態的發光裝置包含至少一切換 薄膜電晶體及一驅動薄膜電晶體於每一像素中。切換薄膜 電晶體包含一第一閘極電極，其係由一導電材料所製；一 第一島狀閘極絕緣層’其係接觸與第一閘極電極；一第— 島狀半導體膜’其係接觸與第一閘極絕緣層；一包含—導 電性型式雜質之第二半導體膜，其係接觸與第一半導體層 ;及一源極佈線和一汲極佈線，其係接觸與包含一導電性 型式雜質之第二半導體膜；而驅動薄膜電晶體包含—第一 閘極電極’其係由導電材料所製；一第二島狀閘極絕緣層 ’其係接觸與第二聞極電極；及一第三島狀半導體膜，其 係接觸與第二閘極絕緣層。於發光裝置中，第二閘極電極 之一部分被暴露’切換薄膜電晶體之一源極佈線及一汲極 佈線被連接至驅動薄膜電晶體之閘極電極，而切換薄膜電 晶體及驅動薄膜電晶體之第一半導體膜或第三半導體膜的 一邊緣不突出自第一閘極絕緣層或第二閘極絕綠層之一邊 緣。 一種依據本發明之一型態的發光裝置包含至少―切換 搏膜電晶體及一驅動薄膜電晶體於每一像素中。切換薄膜 電晶體包含一第一聞極電極，其係由一導電.材料所製；一 第一島狀閘極絕綠層，其係接觸與第一閘極電極；一第一 島狀半導體膜，其係接觸與第一閘極絕緣層；一包含一導 電性型式雜質之第二半導體膜，其係接觸與第—半導體餍 -8- (5) (5)1355079 ’’及一源極佈線和一汲極佈線，其係接觸與包含一導電性 型式雜質之第二半導體膜；而驅動薄膜電晶體包含一第二 閘極電極，其係由導電材料所製；一第二島狀閘極絕緣層 ’其係接觸與第二閘極電極；及一第三島狀半導體膜，其 係接觸與第二閘極絕緣層。於發光裝置中，第二閘極電極 之一部分被暴露，切換薄膜電晶體的源極佈線與汲極佈線 之一被連接至驅動薄膜電晶體之閘極電極，而切換薄膜電 晶體及驅動薄膜電晶體之第一半導體膜或第三半導體膜的 一邊緣係對齊與第一閘極絕緣層或第二閘極絕緣層之一邊 緣。 一種依據本發明之一型態的發光裝置包含至少一第一 薄膜電晶體及一第二薄膜電晶體於每一像素中。第一薄膜 電晶體及第二薄膜電晶體包含一基礎膜；一含有一導電材 料之閘極電極，其係接觸與基礎膜；一閘極絕緣層，其係 形成於閘極電極上；一半導體膜’其係形成於閘極絕緣層 上；及一源極佈線和一汲極佈線，其係形成於半導體膜上 。於發光裝置中’第一薄膜電晶體之源極佈線與汲極佈線 之一被連接至第二薄膜電晶體之鬧極電極，而半導體膜不 突出自閘極絕緣層之一邊緣。 —種依據本發明之一型態的發光裝置包含一第—薄膜 電晶體及一第一縛膜電晶體於每一像素中。第一薄膜電晶 體及桌一薄膜電晶體包含一基礎膜；—含有_導電材料之 鬧極電極’其係接觸與基礎膜；一閘極絕緣層，其係形成 於閘極電極上；一半導體膜，其係形成於閘極絕緣層上； -9 - (6) (6)1355079 及一源極佈線和一汲極佈線，其係形成於半導體膜上。於 發光裝置中，第一薄膜電晶體之源極佈線與汲極佈線之一 被連接至第二薄膜電晶體之閘極電極，而半導體膜之一邊 緣係對齊與閘極絕緣層之一邊緣。 —種依據本發明之一型態的發光裝置包含一切換薄膜 電晶體及一驅動薄膜電晶體於每一像素中。切換薄膜電晶 體包含一基礎膜；一由一導電材料所製之第一閘極電極， 其係接觸與基礎膜；一第一島狀閘極絕緣層，其係接觸與 第一閘極電極；一第一島狀半導體膜，其係接觸與第一閘 極絕緣層；一包含一導電性型式雜質之第二半導體膜，其 係接觸與第一半導體層；及一源極佈線和一汲極佈線，其 係接觸與包含一導電性型式雜質之第二半導體膜；而驅動 薄膜電晶體包含一基礎膜；一由導電材料所製之第二閘極 電極，其係接觸與基礎膜；一第二島狀閘極絕緣層，其係 接觸與第二閘極電極；及一第三島狀半導體膜，其係接觸 與第二閘極絕緣層。於發光裝置中，第二閘極電極之一部 分被暴露’切換薄膜電晶體的源極佈線與汲極佈線之一被 連接至驅動薄膜電晶體之閘極電極，而切換薄膜電晶體及 驅動薄膜電晶體之第一半導體膜或第三半導體膜的一邊緣 不突出自第一閘極絕緣層或第二閘極絕緣層之一邊緣。 一種依據本發明之一型態的發光裝置包含一切換薄膜 電晶體及一驅動薄膜電晶體於每一像素中。切換薄膜電晶 體包含一基礎膜；一由一導電材料所製之第一閘極電極， 其係接觸與基礎膜；一第一島狀閘極絕緣層，其係接觸與 -10- (7) (7)1355079 第一閘極電極；一第一島狀半導體膜，其係接觸與第一閘 極絕緣層；一包含一導電性型式雜質之第二半導體膜，其 係接觸與第一半導體層；及一源極佈線和一汲極佈線，其 係接觸與包含一導電性型式雜質之第二半導體膜；而驅動 薄膜電晶體包含一基礎膜；一由導電材料所製之第二閘極 電極，其係接觸與基礎膜；一第二島狀閘極絕緣層，其係 接觸與第二閘極電極；及一第三島狀半導體膜，其係接觸 與第二閘極絕緣層。於發光裝置中，第二閘極電極之一部 分被暴露，切換薄膜電晶體的源極佈線與汲極佈線之一被 連接至驅動薄膜電晶體之第二閘極電極，而切換薄膜電晶 體及驅動薄膜電晶體之第一半導體膜或第三半導體膜的_ 邊緣係對齊與第一閘極絕緣層或第二閘極絕緣層之一邊緣 〇 於依據本發明之一型態的發光裝置中，一保護膜被形 成於半導體膜、第一半導體膜、或第三半導體膜之上。 一種製造一依據本發明之一型態的發光裝置之方法包 含下列步驟：藉由一微滴排出方法以形成一閘極電極於一 具有一絕緣表面之基底上或者於一具有一暴露至一預處理 之基礎表面的基底上；形成一閘極絕緣層及一半導體膜於 閘極電極之上；藉由一微滴排出方法以形成一第一遮罩於 半導體膜之上；連續地以第一遮罩蝕刻半導體膜及閘極絕 緣層；移除第一遮罩；形成一保護層於半導體膜之上；形 成一包含一導電性型式雜質之半導體膜；藉由一微滴排出 方法以形成一源極佈線和一汲極佈線；及藉由以源極和汲 -11 - (8) (8)1355079 極佈線爲一第二遮罩而蝕刻保護層上之包含一導電性型式 雜質的半導體膜。 一種製造一具有一切換薄膜電晶體及一驅動薄膜電晶 體於每一像素中之發光裝置（依據本發明之一型態）的方 法包含下列步驟：藉由一微滴排出方法以形成一切換薄膜 電晶體之一閘極電極及一驅動薄膜電晶體之一閘極電極於 一具有一絕緣表面之基底上或者於一具有一暴露至一預處 理之基礎表面的基底上；形成一閘極絕緣層及一半導體膜 於切換薄膜電晶體之閘極電極上及驅動薄膜電晶體之閘極 電極上；藉由一微滴排出方法以形成一第一遮罩於半導體 膜之上；連續地以第一遮罩蝕刻半導體膜及閘極絕緣層以 暴露驅動薄膜電晶體的閘極電極之一部分；移除第一遮罩 :形成一保護層於半導體膜之上；形成一包含一導電性型 式雜質之半導體膜；藉由一微滴排出方法以形成一源極佈 線和一汲極佈線，並同時，連接至少源極佈線與汲極佈線 之一至驅動薄膜電晶體之閘極電極；及藉由以源極佈線和 汲極佈線爲一第二遮罩而蝕刻保護層上之包含一導電性型 式雜質的半導體膜。 形成閘極絕緣層及半導體膜於切換薄膜電晶體及驅動 薄膜電晶體之閘極電極上的步驟最好是藉由一使用電獎之 氣相生長方法（電漿CVD )或一濺射方法以被連續地執 行而不暴露至空氣。 閘極絕緣層係藉由依序地疊層一第一氮化矽膜、一氧 化矽膜及一第二氮化矽膜而被形成。因此，閘極絕緣層可 -12 - (9) (9)1355079 防止一閘極電極之氧化並形成一適當介面，以一半導體膜 被形成於閘極絕緣層之上。 如上所述，一用以圖案化一閘極絕緣層及一半導體膜 之遮罩係藉由一微滴排出方法而被形成，且半導體膜及閘 極絕緣層被連續地触刻，依據本發明之一型態、。 —種製造一依據本發明之一型態的發光裝置之方法包 含下列步驟：藉由一微滴排出方法以形成一閘極電極於一 具有一絕緣表面之基底上或者於一具有一暴露至一預處理 之基礎表面的基底上；形成一基礎膜於閘極電極上以當作 一預處理；形成一閘極絕緣層及一半導體膜於基礎膜上； 藉由一微滴排出方法以形成一第一遮罩於半導體膜之上； 連續地以第一遮罩蝕刻半導體膜及閘極絕緣層；移除第一 遮罩；形成一保護層於半導體膜之上；形成一包含一導電 性型式雜質之半導體膜；藉由一微滴排出方法以形成.一源 極佈線和一汲極佈線；及藉由以源極佈線和汲極佈線爲一 第二遮罩而蝕刻保護層上之包含一導電性型式雜質的半導 體膜。 —種製造一具有一切換薄膜電晶體及一驅動薄膜電晶 體於每一像素中之發光裝置（依據本發明之一型態）的方 法包含下列步驟：藉由一微滴排出方法以形成一切換薄膜 電晶體之一閘極電極及一驅動薄膜電晶體之一閘極電極於 —具有一絕緣表面之基底上或者於一具有一暴露至一預處 理之基礎表面的基底上；形成一基礎膜於切換薄膜電晶體 之閘極電極上及驅動薄膜電晶體之閘極電極上以當作一預 -13- (10) (10)1355079 處理；形成一閘極絕緣層及一半導體膜於基礎膜上；藉由 一微滴排出方法以形成一第一遮罩於半導體膜之上；連續 地以第一遮罩蝕刻半導體膜及閘極絕緣層以暴露驅動薄膜 電晶體的閘極電極之一部分；移除第一遮罩；形成一保護 層於半導體膜之上；形成一包含一導電性型式雜質之半導 體膜；藉由一微滴排出方法以形成一源極佈線和一汲極佈 線，並同時，連接至少源極佈線與汲極佈線之一至驅動薄 膜電晶體之閘極電極；及藉由以源極佈線和汲極佈線爲一 第二遮罩而蝕刻保護層上之包含一導電性型式雜質的半導 體膜。 在形成閘極絕緣層及半導體膜於基礎膜上的步驟中， 最好是其閘極絕緣層及半導體膜係藉由一使用電漿之氣相 生長方法（電漿CVD)或一濺射方法以被連續地執行而 不暴露至大氣。 閘極絕緣層係藉由依序地疊層一第一氮化矽膜、一氧 化矽膜及一第二氮化矽膜而被形成。因此，閘極絕緣層可 防止一閘極電極之氧化並形成一適當介面，以一半導體膜 被形成於閘極絕緣層之上。 如上所述，一用以圖案化一閘極絕緣層及一半導體膜 之遮罩係藉由一微滴排出方法而被形成，且半導體膜及閘 極絕緣層被連續地蝕刻。 依據本發明，一閘極電極及一佈線係藉由一微滴排出 方法而被形成，且Ag或Cu可被使用於導電材料。同時 ，亦可使用一含有Ag或Cu之合金或Ag及Cu之一疊層 -14- (11) (11)1355079 。一氮化矽膜或一氧氮化矽膜被形成以接觸與閘極電極或 佈線之頂部表面’藉此防止由於氧化之惡化。可使用Au ' w’或A1爲導電材料。 ’ 於本發明中’半導體膜（其爲TFT之一主要部分） 亦可被形成自一含有氫及鹵素（且具有晶體結構）之半非 晶半導體。因此，一僅包含一 n通道型薄膜電晶體之驅動 器電路可被提供。換言之’得以形成一驅動器電路於一基 底上’藉由使用一TFT，其中係使用一含有氫及鹵素（且 鲁 具有晶體結構）之半導體爲一半導體膜且其能夠以1至 15 em2之電場效移動率而操作。 依據本發明之一型態，一佈線或一遮罩之圖案化可由 一微滴排出方法所直接地執行。因此，可獲得一薄膜電晶 體’其係使得材料之使用的效率增進且製造步驟簡化；且 可獲得使用此薄膜電晶體之一顯示裝置。 用於一 EL顯示之一主動矩陣系統需具有選擇一特定 及提供一必要顯示資訊之功能、及於一框週期期間使電流 鲁 流至一發光元件之功能。需要一用以供應電流至一發光元 件之驅動薄膜電晶體及一切換薄膜電晶體以同時達成兩種 功能。需要一接觸部分，因爲切換薄膜電晶體應被電連接 至驅動薄膜電晶體。依據本發明，藉由一微滴排出方法以 形成一將被用於圖案化閘極絕緣層及半導體膜之遮罩，且 半導體膜及聞極絕緣層被連續地蝕刻。因此，驅動薄膜電 晶體之一閘極電極被暴露且可輕易地具有一與切換薄膜電 晶體之源極和汲極佈線的接點。 - -15 - (12) (12)1355079 【實施方式】 將參考圖形以詳細地解釋本發明之實施例模式。注意 其各圖形中之相同參考數字係代表相同的部件，而將不重 複其解.釋於以下說明中。此外’應瞭解那些熟悉此項技術 人士將淸楚明白各種改變及修飾，除非這些改變及修飾背 離本發明之內容及範圍。因此’本發明不應被解讀爲僅限 於以下實施例模式中的描述。 圖I顯示依據本發明之一 EL顯示面板的一結構之一 頂部視圖。一像素部分〗〇 1 (其中像素1 0 2被配置爲一矩 陣）' —掃瞄線輸入終端1 03、及一信號線輸入終端1 04 被形成於一具有一絕緣表面之基底100上。像素之數目可 依據各種標準而被提供。XGA之像素數目可爲1024x768 X 3 ( RGB ) ，UXGA 之像素數目可爲]600xl200x3 ( RGB)，而全規格高畫質之像素數目可爲1 92 0 x 1 0 8 0 x3 (RGB)。 像素102被配置於一矩陣，藉由使一延伸自掃瞄線輸 入終端1 〇 3之掃瞄線交錯與一延伸自信號線輸入終端1 〇4 之信號線。一用以控制與信號線之一連接狀態的薄膜電晶 體（於下文中，亦稱爲 > 切換薄膜電晶體〃或''切換TFT 〃：）及一用以控制流入一發光元件之電流的薄膜電晶體（ 於下文中，亦稱爲 ''驅動薄膜電晶體〃或％驅動TFT") 被提供給每一像素]02，且驅動薄膜電晶體被串聯至發光 元件。 -16 - (14) (14)1355079
SiHCh，SiF4等等亦可被使用爲矽化物氣體。此外，GeF4 可被混合。此矽化物氣體可被稀釋以H2或H2與He，Ar ’ Kr，及Me之一或更多稀有氣體元素。稀釋比率範圍係 從2倍至1〇〇〇倍。壓力範圍約從〇」ρ3至133 Pa,而功 率範圍係從1 MHz至120 MHz，最好是從13 MHz至60 MHz。一基底加熱溫度可爲300 °C或更低。希望其一大氣 構成雜質（諸如氧、氮、或碳）係lxl02Q原子/公分3 或更少以當作膜中之一雜質元素；明確地，氧濃度係5 X 1〇19原子/公分3或更少，最好是lxl〇19原子/公分3 或更少。 圖1顯示一 E L顯示面板之結構，其控制一信號以被 輸入至一掃瞄線及一信號線，藉由一外部驅動器電路。再 者’一驅動器1C 105及]06可被安裝於一基底1〇〇上， 藉由如圖2中所示之COG (玻璃上晶片）。驅動器ICs可 被形成於單一結晶半導體基底上，或者可被形成自一具有 一 TFT於一玻璃基底上之電路。 當一設於一像素中之TFT係形成自一SAS時，一掃 瞄線驅動器電路1 〇 7可被整合地形成於基底1 〇 〇上，如圖 3中所示。參考數字108代表一保護二極體。 圖25顯示一種用以形成圖案之微滴排出設備的一模 式。一微滴排出單元]4 0 3之各頭部1 4 〇 5被個別地連接至 —控制單元】4〇7。一事先編程之圖案係使用一電腦14]〇 而可被描繪以控制單元]4 07之控制。例如，描繪一圖案 之時序可根據一形成於一基底】4〇〇上之標記I 4 I 1而被決 -18 - (15) (15)1355079 定。此外，一參考點可根據基底1 40 0之一邊緣爲參考而 被固定。參考點係由一成像機構1 404 (諸如CCD)所檢 測，且電腦I4〗0識別一由一影像處理機構1 409所轉變之 一數位信號，以產生一控制信號，且控制信號被傳送至控 制單元M07。當然，一待被形成於基底M00上之圖案的 資訊被儲存於一儲存媒體〗408中。控制信號係根據該資 訊而可被傳送至控制機構1 4 07，而因此，微滴排出單元 1 403之各頭部1 405可被獨立地控制。此刻，已經發展出 —種設備，其可單獨地以一頭部來排出一金屬、一有機材 料 '及一無機材料，隨著個別以一噴墨頭（諸如EL )以 排出RGB。於廣泛地排出一層間絕緣膜之情況下，可藉 由使用相同材料來描繪多數薄的線，以利增進產量。依據 圖25中所示之一微滴排出設備，一其中微滴排出單元 ]4〇3之頭部1 405所被配置的長度係等於一基底]4〇〇之 寬度。然而，微滴排出設備可藉由重複地掃瞄至一具有較 其中頭部M05所被配置之長度更寬闊之寬度的大尺寸基 底而形成一圖案》 接下來，於下文中解釋使用此一微滴排出設備以製造 —EL顯示面板之步驟。 [實施例模式1 ] 於實施例模式1中解釋一種用以製造一通道保護型 TFT之方法。 圖4A顯示一藉由一微滴排出方法以形成一閘極電極 -19- (16) (16)1355079 '及一連接至閘極電極之閘極佈線的步驟。注意其圖4 A 係槪略地顯示一縱向橫斷面結構，而圖8係顯示相應於其 a~b，c一 d及e_f之平面結構，這些圖形可被同時參考 〇 一種具有可抵擋製造步驟之處理溫度的熱抗性之塑膠 基底、或其他基底可被使用於基底100，除了非鹼性玻璃 基底（諸如鋇硼矽酸鹽玻璃 '鋁硼矽酸鹽玻璃、或以熔化 方法或漂浮方法所製造的鋁矽酸鹽玻璃）、及陶瓷基底之 外。亦可使用一種半導體基底（諸如單晶矽）、一種基底 ’其中一金屬基底（諸如不銹鋼）之一表面係設有一絕緣 層。 —形成自諸如鈦（Ti )、鎢（W )、鉻（Cr )、鉅（ Ta )、鎳（Ni )、或鉬（Mo )等金屬材料、其氧化物、 光觸媒等等的基礎膜20]最好是係藉由一濺射方法、一蒸 發方法、或一微滴排出方法而被形成於基底100上。基礎 膜201可被形成以具有〇.〇1 „„1至]〇 nm之膜厚度；然而 ’並無需爲一層結構因爲其可被形成爲極細。注意此基礎 膜201係被提供以形成具有良好黏合之閘極電極。當獲得 足夠的黏合時’閘極電極可藉由一微滴排出方法而被直接 地形成於基底100上，無須形成基礎膜201。另一方面， 可執行一大氣電漿處理。不限定於此步驟，於其中一導電 層係藉由一微滴排出方法而被形成在一有機層、一無機層 '一金屬層等上之情況下，或者於其中一有機層、一無機 層、一金屬層等係由微滴排出方法而被形成在一導電層上 -20- (17) (17)1355079 之情況下，可執行相同的處理以增進與導電層之黏合。 —鬧極佈線201'及閘極電極203和204被形成於基 礎膜201上’藉由以一微滴排出方法來排出—含有導電材 料之成分。含有諸如Ag (銀）'Au (金）、Cu (銅）' W (鎢）、或A1 (鋁）等金屬之粒子爲主要素的成分可被 使用爲用以形成這些層的導電材料。此外，亦可使用一主 要含有塗敷以Ag之Cu粒子、或使用Ni (鎳）或NiB( 鎳硼）爲緩衝層之粒子的成分。明確地，閘極佈線最好是 低電阻的。因此’最好是使用一種成分，其中金、銀、或 銅之任一係溶解或分散於一溶劑中，而更理想地，可使用 具低電阻之銀或銅以考量一特定的電阻値。另一方面，可 使用銀及銅之疊層。可使用銅來電鍍其已被極薄地塗敷之 銀以成爲較寬的佈線，因爲銀是很貴的。塗敷之銀的表面 係粗糙且易於被電鍍的。作爲電鍍方法，有_種將基底浸 泡入一電鍍溶液中之方法、一種使一電鍍溶液流動於一基 底上方之方法，等等。當使用銀及銅時，可額外地提供一 障蔽層以當作對抗雜質之方式。可將鎳硼（NiB)使用於 障蔽層以及一氮化矽膜。其表面可藉由鎳硼而被平坦化。 溶劑係相應於酯類（諸如丁基醋酸鹽）；酒精類（諸如異· 丙基酒精）：有機溶劑（諸如丙酮）：等等。藉由調整溶 劑之密度及加入一表面活化劑等等以適當地調整表面張力 及黏稠度。 —用於微滴排出方法之噴嘴的直徑被設定於從0.02 β m至】0 0 M m之範圍（較佳爲，3 0 m或更小），而從 -21 - (18) (18)1355079 噴嘴排出之成分的排出量被設定於0·001 P丨至P】之 範圍（更理想的’ 10 P丨或更少）°有兩種型式1依需求 型及連續型，可使用其任一型。再者’有一種使用轉移性 質之壓電系統’其係藉由施加電壓至一壓電材料、及—種 加熱系統，其藉由一設於噴嘴中之加熱器以煮沸一成分並 排出該成分以供一噴嘴被使用於一微滴排出方法’可使用 其任一種。最好是其介於一物件與噴嘴的排出口間之距離 盡可能的接近’以利滴出微滴於一所欲的位置上’其最好 是被設定於從0.1 mm至3 mm之範圍（更佳爲’】mm或 更少）。於保持相對距離下，任一噴嘴或物件移動’而因 此，描繪一所欲的圖案。可執行一電漿處理於物件之一表 面上，在排出一成分之前。此係因爲可獲得一優點：即物 體之一表面於執行電漿處理時會變爲親水的或疏液的。例 如，其對於純水變爲親水的而其對於一溶解有酒精之膏變 爲疏液的。 排出一成分之步驟可被執行於低壓力之下。此係因爲 成分之一溶劑被揮發直到成分因其被排出而附著至一物件 上爲止。因此，後續烘烤及乾燥之步驟可被省略或執行以 較短的時間。在排出成分之後，乾燥及烘烤之任一或兩步 驟被執行’藉由雷射光之照射、快速熱退火、加熱熔爐等 於大氣壓力或低壓力之下。乾燥及烘烤之兩步驟均爲加熱 處理之步驟。例如，乾燥被執行於1 00t 3分鐘而烘烤 被執行於20〇t至3 5 0°C之溫度]5至]20分鐘。烘烤及乾 fe-之步驟具有各不相同的目的，且各需要不同的溫度及時 -22- (19) (19)1355079 間。爲了理想地執行乾燥及烘烤之步驟，一基底可被加熱 ，其溫度被設爲從]00 °C至800 °C (最好是，從200 °C至 350 °C之溫度），取決於一基底之材料等等。透過此步驟 ’ ’ 一成分中之溶劑被蒸發或者分散劑被化學地移除，而邊 界中之樹脂硬化及收縮，藉此加速熔化及熔接◊其被執行 於氧氣體、氮氣體、或空氣之下。然而，此步驟最好是被 執行於一氧氣體之下’其中一分解或分散_金屬元素之溶 劑被輕易地移除。 | 一連續波或脈衝氣體雷射或固態雷射可被使用於雷射 光之照射。有一種當作氣體雷射之準分子雷射，以及有一 種當作固態雷射之使用摻有Cr，Nd等之晶體（諸如YAG 或 YV04)的雷射。最好是使用一連續波雷射，考量其雷 射光吸收性。此外，亦可使用一種結合連續振盪及脈衝振 盪之雷射照射的所謂混合方法。然而，藉由雷射光之照射 的熱處理可被快速地執行於數微秒至數十秒，根據一基底 之熱抗性。快速熱退火（RTA )係藉由快速地供熱數微秒 φ 至數分鐘而被執行，藉由於惰性氣體下使用一鹵素燈、一 紅外線燈（其係從紫外線光發出光線至紅外線光）等等快 速地升溫。此處理被快速地執行；因此，實質上，僅有一 最上表面之一薄膜可被加熱，而因此，有其較低層不受影 響之優點。 在形成閘極佈線202、閘極電極203及204之後，希 望執行下列兩步驟之一，以利其被暴露於表面之基礎膜 i 2 0 ]的處理。 - -23- (20) (20)1355079 第一方法係藉由使基礎膜20〗隔絕而不重疊與閘極佈 線202、閘極電極203及2〇4以形成一絕緣層205的步驟 (圖4B)。換言之，未重疊與閘極佈線202 '閘極電極 203及2〇4之基礎膜20]被氧化及絕緣。於藉由以此方式 氧化而絕緣基礎膜201的情況下，基礎膜201最好是被形 成以具有從0.01 nm至10 nm之膜厚度，以致其可被輕易 地氧化。注意其任一暴露至氧氣體之方法或熱處理均可被 使用爲氧化方法。 第二方法係蝕刻及移除基礎膜2 0】之步驟，其係使用 閘極佈線202、閘極電極2 03及2〇4爲一遮罩。於使用此 步驟之情況下，對於基礎膜2 0 1之膜厚度並無限制。 接下來，藉由使用一電漿CVD方法或濺射方法而形 成一具有單層結構或疊層結構之閘極絕緣層206 (圖4C ) 。作爲一明確較佳的模式，一由氮化矽所製之絕緣層207 、一由氧化矽所製之絕緣層2 0 8、及一由氮化矽所製之絕 緣層209的三層疊層體被形成爲閘極絕緣層。注意—稀有 氣體（諸如氬）可被含入.一反應氣體中且混入一待被形成 之絕緣層中，以利形成一於低沈積溫度下具有少量閘極漏 電流的緊密絕緣層。由於氧化所致之惡化可被避免，藉由 從氮化矽或氧氮化矽形成一第一層以接觸與閘極佈線2〇2 、閘極電極203及2〇4。鎳硼（NiB)被使用於第一層， 以利接觸與閘極佈線2 0 2、閘極電極2 〇 3及2 0 4。因此， 表面可被平坦化。 接下來，一半導體膜210被形成。半導體膜210被形 -24 - (21) (21)1355079 成自一以氣相生長方法（藉由使用一典型爲矽烷或鍺烷之 半導體材料）或濺射方法所製造之AS或SAS。可使用電 漿CVD方法或熱CVD方法爲氣相生長方法。 於使用電漿CVD方法之情況下，一AS被形成自 Si H4’其爲—半導體材料氣體或Si心與之混合氣體。 當Sih被稀釋與h2& 3倍至1000倍來製造一混合氣體 時或當Si2H6被稀釋與GeF4以致其Si2H6: GeF4之一氣體 流率係從20至40 : 0.9時，則可獲得一SAS，其Si成分 比率爲8 0 %以上。明確地，後者爲較佳的情況，因爲半 導體膜210可具有自一與基礎膜之介面的結晶性。 —遮罩21 ]被形成在一相應於閘極電極203及2 〇4之 位置上’藉由選擇性地排出—成分於半導體膜21〇上。— 選自環氧樹脂、丙稀酸樹脂 '酚樹脂 '酚醛淸漆（ novolac )樹脂、密胺樹脂及氨基鉀酸酯樹脂的族群之― 的樹脂材料被用於遮罩2 ] 1。同時遮罩2 M係藉由使用一 有機材料（諸如苯環丁烯、聚對二甲苯基、閃焰（f丨are ) '或發光聚醯亞胺）；一從聚合作用所製之化合物材料（ 3者如矽氧烷基聚合物）：〜含有水溶性同元聚合物及水溶 性異量分子聚合物之成分材料；等等之微滴排出方法而被 形成。另一方面，可使用〜種含有光敏感劑之商用抗蝕劑 材料。例如，可使用一典型的正型抗蝕劑，其中酚醛淸漆 樹Sa、呈作一光敏感劑之萘酿酿d】a z】d e化合物等被溶解 或分散以一已知的溶劑；及一負型抗蝕劑，其中基礎樹脂 ' diphe„yisiianedi〇i、酸產生劑等被溶解或分散以—已知 -25- (22) (22)1355079 的溶劑。於使用任一此等材料時’係藉由調整溶劑之密度 或加入一表面活化劑等等以適當地調整表面張力及黏稠度 〇 閘極絕緣層206及半導體膜21〇係使用遮罩21 ]而被 會虫刻（圖5A)。因此，半導體膜被形成以致其一邊緣並 未突出自（不超過）閘極絕緣層之一邊緣。另一方面，可 稱爲其半導體膜被形成以致其—邊緣被對齊至閘極絕緣層 之一邊緣。換言之，邊緣筆直地存在。可應用電漿蝕刻或 濕式飽刻於齡刻步驟。電漿蝕刻適於處理大尺寸基底。使 用一蝕刻氣體（其係至少選自C F 4、N F 3等之一以當作一 氟基的氣體及Ch、BC】2等以當作一氯基的氣體），而He ’ Ar等之任一可被適當地加入。此外，當大氣壓力排出 之一触刻步驟被應用時，亦得以進行一局部排出程序。接 著，遮罩211被移除，且—保護層212係由一微滴排出方 法而被形成於半導體膜2 I 〇上。保護層2〗2係—絕緣層， 且可被形成自一無機絕緣材料，諸如氧化矽、氮化矽、氧 氮化砂、氧化錦、氮化鋁、氧氮化鋁；丙烯酸；甲基丙烯 酸；或其衍生物；抗熱高聚合物（高分子重量）材料，諸 如聚醯亞胺、芳香聚醯胺、或聚苯並咪唑；無機矽氧烷（ 包含Si — 0— Si鍵），於從矽、氧、及氫所製的化合物之 間’其係藉由使用一矽氧烷材料爲起始材料而被形成；或 者一有機矽氧k絕緣材料，其中矽上之氫係由一有機族群. (E者如甲基或苯基）所取代。當保護層被形成自一材料（ S者如光敏感丙稀酸或光敏感聚醯亞胺）時，其爲較佳的因 -26- (23) (23)1355079 爲其側面具有一種形狀，其中一彎曲半徑係連續地改變且 上層中之一薄膜被形成而無中斷。因此保護層具有確保介 面上之淸潔度以及防止半導體膜210被有機材料、金屬、 水蒸氣等所污染的功能。保護層亦具有作爲層間膜之·一作 用。 保護層212可藉由下列方法而形成。最初，一絕緣層 (諸如氧化砂、氮化砂、或氧氮化砂）係由電發CVD而 被形成於半導體膜210上。接著，保護層212係藉由一微 滴排出方法而被形成且保護層2 1 2被使用爲一遮罩以利執 行一蝕刻步驟。因此，絕緣層係位於保護層2 1 2底下，而 一保護層可被形成自絕緣層與一矽氧烷基材料等之一疊層 〇 接下來，η型半導體膜 213被形成。η型半導體膜 2]3可藉由使用矽烷氣體或磷化氫氣體而被形成，且可被 形成以AS或SAS。一包含導電材料之成分係藉由一微滴 排出方法而被選擇性地排出以形成一源極及汲極佈線2 1 4 (圖5A)。作爲用以形成佈線之導電材料，可使一種主 要含有一金屬粒子（諸如銀、金、銅、鎢 '或銘）之成分 。銀與銅等之一疊層可被使用。發光氧化銦錫（ITO )、 ITSO (包含氧化銦錫及氧化矽）、有機銦、有機錫、氧 化鋅、氮化鈦，等等可被結合。 η型半導體膜2 1 3係藉由使用源極及汲極佈線2 1 4爲 遮罩而被蝕刻以形成η型半導體膜2 1 5及2 1 6，以供形成 一源極及汲極區（圖5 Β )。可應用電漿蝕刻或濕式蝕刻 -27- (24) (24)1355079 於蝕刻步驟。電漿蝕刻適於處理大尺寸基底。使用一蝕刻 氣體（其係至少選自CF4、NF3等之一以當作一氟基的氣 體及Cl2、BCh等以當作一氯基的氣體），而He，Ar等 之任一可被適當地加入。此外，當大氣壓力排出之一蝕刻 步驟被應用時，亦得以進行一局部排出程序。接著，由氮 化矽或氧氮化矽所製之一鈍化層217被形成於整個表面上 〇 一層間膜218係藉由一微滴排出方法而被形成於整個 區’除了 一電連接與源極及汲極佈線214的部分之外（圖 6A)。另—方面’層間膜2】8可藉由—微滴排出方法而 被僅形成於一佈線部分’除了電連接與源極及汲極佈線 2 1 4的部分之外，以當作另一方法。此層間膜係一絕緣層 且可被形成自一無機絕緣材料，諸如氧化矽、氮化矽 '氧 氮化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧氮化鋁，等等；丙烯酸、甲 基丙烯酸、及其衍生物；抗熱高聚合物（高分子重量）材 料，諸如聚醯亞胺、芳香聚醯胺 '或聚苯並咪唑；無機矽 氧院（包含Si— 0 — Si鍵）’於從砂 '氧、及氣所製的化 合物之間，其係藉由使用一矽氧烷材料爲起始材料而被形 成；或者一有機矽氧烷絕緣材料，其中矽上之氫係由一有 機族群（諸如甲基或苯基）所取代。當層間膜2〗8被形成 自一光敏感材料或一非光敏感材料（諸如丙稀酸或聚醯亞 胺）時，其爲較佳的因爲其側面具有一種形狀，其中一彎 曲半徑係連續地改變且上層中之一薄膜被形成而無中斷。 接下來，一通孔2】9係使用層間膜2】8爲遮罩而藉由 -28- (25) (25)1355079 一蝕刻步驟以被形成於鈍化層217之一部分中，而配置於 其下層中之源極及汲極佈線2]4被部分地暴露。可應用電 漿蝕刻或濕式蝕刻於蝕刻步驟。電漿蝕刻適於處理大尺寸 基底。使用一蝕刻氣體（其係至少選自CF4、NF3等之一 以當作一氟基的氣體及<：12、8(：12等以當作一氯基的氣體 )，而He，Ar等之任一可被適當地加入。此外，當大氣 壓力排出之一蝕刻步驟被應用時，亦得以進行一局部排出 程序：因此，無須形成一遮罩於一基底之整個表面上。 同時，層間膜2 1 8係藉由一旋塗方法或一浸泡方法而 被形成於基底之一整個表面上，且接著一通孔219係藉由 —蝕刻步驟等而被形成。作爲用以形成通孔2 1 9之方法， 可利用下列步驟。起初，基底之整個表面被塗敷以一耦合 劑（包含諸如氟烷基矽烷之氟化物）、一液體排斥劑（包 含諸如CHF3等之氟化物）以當作一液體排斥劑處理，在 形成層間膜2 1 8之前。接著，一遮罩材料被塗敷至一部分 以形成一通孔，而液體排斥劑（其係於除了設有遮罩之部 分以外的一部分中）係藉由〇2灰化等而被移除。遮罩被 移除，且層間膜218被塗敷至基底之整個表面，藉由一旋 塗方法、一浸泡方法或一微滴排出方法。因爲層間膜2 I 8 未被形成於液體排斥部分上，所以一通孔2 1 9係由形成之 層間膜2 ] 8所形成而當作一遮罩。當液體排斥劑係以一微. 滴排出設備而被選擇性地塗敷僅至一通道之一部分時，則 無須形成遮罩、移除液體排斥劑及移除遮罩等步驟。 一第一電極2 2 0被形成以被電連接至源極及汲極佈線 -29- (26) (26)1355079 214。第一電極22〇係藉由—濺射方法而被形成自氧化銦 錫（IT〇 )、含氧化矽之氧化銦錫（ITSO ) '氧化鋅（ ΖηΟ ) ’等等。更理想地，含氧化矽之氧化銦錫被使用以 —灑射方法’藉由使用一靶，其中2重量％至1〇重量％ 之氧化砂被含入ΙΤ〇中。此外，可使用—含有氧化矽之氧 化物導電材料’其中2重量％至20重量％之氧化鋅（ ΖηΟ )被混合與氧化銦（於下文中，亦稱爲、ΙΖ〇")。 —遮罩221可藉由選擇性地排出—成分而被形成於第 鲁 —電極220上。遮罩221係使用—種樹脂材料，諸如環氧 樹脂、丙稀酸樹脂、酚樹脂、酚醛淸漆（n〇vo iac )樹脂 、密胺樹脂及氨基鉀酸酯樹脂。同時遮罩221係藉由使用 一有機材料（諸如苯環丁烯、聚對二曱苯基、閃焰（fUre )、或發光聚醯亞胺）；一從聚合作用所製之化合物材料 (諸如砂氧烷基聚合物）；一含有水溶性同元聚合物及水 溶性異量分子聚合物之成分材料；等等之微滴排出方法而 被形成。以及同時，可使用一種含有光敏感劑之商用抗蝕 隹 劑材料。例如’可使用一典型的正型抗蝕劑，其中酚醛淸 漆樹脂、當作一光敏感劑之萘酚醌d i a zi d e化合物等被溶 解或分散以一已知的溶劑；及一負型抗蝕劑，其中基礎樹 脂、diphenylsilanediol、酸產生劑等被溶解或分散以-已 知的溶劑。於使用任一此等材料時，係藉由調整溶劑之密 度或加入一表面活化劑等等以適當地調整表面張力及黏稠 度。 - 第一電極2 2 0係錯由使用遮罩2 2 ]而被蝕刻，且接著 · -30 - (27) (27)1355079 ，遮罩221被移除（圖6D)。可應用電漿蝕刻或濕式蝕 刻於蝕刻步驟。電漿蝕刻適於處理大尺寸基底。使用—蝕 刻氣體（其係至少選自 CF4、NF3等之一以當作一氟基的 氣體及Ch'BCh等以當作一氯基的氣體），而He’Ar 等之任一可被適當地加入。此外，當大氣壓力排出之一蝕 刻步驟被應用時，亦得以進行一局部排出程序。 第一電極220可藉由選擇性地排出一含有導電材料之 成分以電連接與源極及汲極佈線214而被形成，藉由一微 滴排出方法。於製造一傳輸型EL顯示面板之情況下，第 —電極220可使用一成分，其含有氧化銦錫（ITO)、含 氧化矽之氧化銦錫（ITS 0 )、氧化鋅（ZnO)、氧化錫（ S η 〇2)，等等。接著，預定的圖案可被形成自此—成分且 一像素電極可藉由烘烤而被形成。另一方面，於其中所產 生之光被發射至基底1 0 0之相反側的結構之情況下，亦即 ’一反射型EL顯示面板，則可使用一主要包含—金屬粒 子（諸如金、銀、銅、鎢、或鋁）之成分。 —絕緣層222係藉由微滴排出方法而被形成以覆蓋已 蝕刻之第一電極的邊緣。此絕緣層2 2 2可被形成自一無機 絕緣材料’諸如氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氧化鋁 '氮 化銘、氧氮化鋁，等等；丙烯酸 '甲基丙烯酸、及其衍生 物；抗熱高聚合物（高分子重量）材料，諸如聚醯亞胺、 芳香聚醯胺、或聚苯並咪唑；無機矽氧烷（包含Si_〇一 S】鍵）’於從矽、氧、及氫所製的化合物之間，其係藉 由使用一矽氧烷材料爲起始材料而被形成；或者一有機矽 -31 - (28) (28)1355079 氧丨完絕緣材料’其中矽上之氫係由一有機族群（諸如甲基 或本基）所取代。當層絕緣層222被形成自一光敏感材料 或—非光敏感材料（諸如丙稀酸或聚醯亞胺）時，其爲較 佳的医1爲其側面具有一種形狀，其中一彎曲半徑係連續地 改變且上層中之一薄膜被形成而無中斷。此外，有關絕緣 層222 ’可藉由一旋塗方法或一浸泡方法而整個地形成絕 緣層’且可藉由一蝕刻步驟以形成一圖案。 透過上述步驟，完成一 EL顯示面板之一 TFT基底其 中—底部聞極型（亦稱爲一反交錯型式）TFT及第一電極 被連接於基底100上。 在形成~ EL層223之前，於大氣壓力下200 °c之一 熱處理被執行以移除絕緣層222中或其表面上所吸收之濕 氣。此外，熱處理被執行於20(TC至40CTC之溫度，最好 是從2 5 0 °C至3 5 0 °C於低壓力下。最好是藉由一真空蒸發 方法或一微滴排出方法以形成EL層22 3於低壓力下而不 暴露至空氣。 此外，可額外地執行表面處理，藉由暴露第一電極 2 20之表面至氧電漿或以紫外線光照射之。一第二電極 224被形成於EL層223上以形成一發光元件，藉由一濺 射方法或一微滴排出方法。此發光元件具有一種結構，其 中其被連接至驅動TFT 1 0000。 然後，一密封劑被形成於基底之上且基底上之EL層 係藉由使用密封基底而被密封。之後，可連接—撓性佈線 板至閘極佈線。亦可應用至—信號佈線。 -32 - (29) (29)1355079 如上所述，於此實施例模式中，可省略步驟，因爲未 使用一利用光罩之曝光步驟。此外，可輕易地製造一EL 顯示面板，即使當使用第五代或之後之玻璃基底時，其中 —側爲1 000 mm以上，藉由以一微滴排出方法而直接地 形成各種圖案於一基底上。 [實施例模式2] 於實施例模式2中解釋一種用以製造一通道蝕刻型 TFT之方法。 —基礎膜201被形成於一基底100上，而一閘極佈線 202、閘極電極203及204被形成於基礎膜201之上，藉 由排出一包含導電材料之成分。在閘極佈線202、閘極電 極203及204被形成之後，於表面上暴露之基礎膜201被 處理並絕緣以形成一絕緣層2 05 ;或者藉由使用閘極佈線 202、閘極電極203及204爲遮罩而被移除。接著，一閘 極絕緣層206係藉由電漿CVD或濺射而被形成以具有單 層結構或疊層結構。更理想地，三層之一疊層（氮化矽之 絕緣層2 0 7 '氧化砂之絕緣層2 0 8及氮化砂之絕縁層2 0 9 )係作用爲閘極絕緣層。此外，形成一作用爲主動層之半 導體膜210。一遮罩2]1係藉由選擇性地排出一成分於一 相應於鬧極電極203及204之部分中而被形成，而|閘極絕 緣層206及半導體膜210係藉由使用半導體膜2]0上之遮 罩211而被蝕刻。之後，遮罩211被移除。上述步驟係類 似於實施例模式]。 -33- (30) (30)1355079 —η型半導體膜301被形成於半導體膜210之上。接 著一源極及汲極佈線3 02係藉由一微滴排出方法以選擇性 地排出一含有導電材料之成分而被形成於半導體膜30〗之 上。接下來，η型半導體膜301係藉由使用源極及汲極佈 線3 02爲遮罩而被蝕刻以形成一源極及汲極區（圖7 )。 可應用電漿蝕刻或濕式蝕刻於蝕刻步驟，但電漿蝕刻較適 於大尺寸基底。使用一蝕刻氣體（其係至少選自 CF4、 NF3等之一以當作一氟基的氣體及Cl2、BCh等以當作一 氯基的氣體），而He，Ar等之任一可被適當地加入。假 如大氣壓力排出之蝕刻步驟被應用時，亦得以進行一局部 排出程序。 後續步驟係類似於實施例模式I。 [實施例模式3] 於實施例模式3中解釋一種用以製造一通道保護型 TFT之方法，其中一第一電極被形成於—基礎膜之上。 圖9A顯示一形成一第一電極於一基底10〇上之步驟 ’而圖9B顯示一藉由微滴排出方法以形成一閘極電極、 及一連接至閘極電極之閘極佈線的步驟。注意其圖9 A係. 槪略地顯示一縱向橫斷面結構，而圖13係顯示相應於其 a— b，c— d及e— f之平面結構，這些圖形可被同時參考 〇 一種具有可抵擋製造步驟之處理溫度的熱抗性之塑膠 基底等可被使用於基底]〇 〇，除了非鹼性玻璃基底（諸如 -34 - (31) (31)1355079 銀砸砂酸鹽坡璃、鋁砸矽酸鹽玻璃、或以熔化方法或漂浮 方法所製造的鋁矽酸鹽玻璃）'及陶瓷基底之外。此外， 亦可使用一種半導體基底（諸如單晶矽）、一種基底，其 中一金屬基底（諸如不銹鋼）之一表面係設有一絕緣層。 —形成自諸如鈦（Ti )、鎢（W )、鉻（Cr )、鉅（ Ta ) '鎳（Ni ) '或鉬（Mo )等金屬材料、其氧化物、 光觸媒等等的基礎膜4〇1最好是係藉由—濺射方法、-蒸 汽沈積方法、或一微滴排出方法而被形成於基底10〇上。 基礎膜401可被形成以具有〇.〇] nm至10 nm之膜厚度； 然而’並無需爲一層結構因爲其可被形成爲極細。注意此 基礎膜401係被提供以形成具有良好黏合之閘極電極。當 獲得足夠的黏合時，電極可藉由一微滴排出方法而被直接 地形成於基底1 00上，無須形成基礎膜20 1。另一方面， 可執行一大氣電漿處理。此外，不限定於此步驟，於導電 層係藉由一微滴排出方法而被形成在一有機層、一無機層 、或一金屬層上之情況下，或者於藉由微滴排出方法以形 成一有機層、一無機層、或一金屬層在一導電層上之情況 下，可執行類似的處理以增進與導電層之黏合。 一第一電極402被形成於基礎膜401之上。第一電極 4 02係藉由一濺射方法而被形成自氧化銦錫（ITO )、含 氧化矽之氧化銦錫（ITSO )、氧化鋅（ZnO )，等等。更 理想地，含氧化矽之氧化銦錫被使用以一濺射方法’藉由 使用一耙，其中2重量％至]〇重量％之氧化砂被含入 IT0中。此外，可使用一含有氧化矽之氧化物導電材料， -35- (32) 其中2重量％至20重量％之氧化鋅（2_n〇)被混合與氧 化銦。 . 一遮罩4 03可藉由選擇性地排出—成分而被形成於第 . —電極402上。遮罩403可使用—種樹脂材料，諸如環氧 樹脂、丙稀酸樹脂、酚樹脂、酚醛淸漆（nov〇lac )樹脂 '扭'胺樹脂及氨基鉀酸酯樹脂。同時遮罩係藉由使用—有 機材料（諸如苯環丁烯' 聚對二甲苯基、閃焰（fUre )、 $發光聚醯亞胺）；一從聚合作用所製之化合物材料（諸鲁 如砂氧烷基聚合物）；一含有水溶性同元聚合物及水溶性 異量分子聚合物之成分材料；等等之微滴排出方法而被形 成。另一方面，可使用一種含有光敏感劑之商用抗蝕劑材 料。例如’可使用一典型的正型抗蝕劑，其中酚醛淸漆樹 脂、當作一光敏感劑之萘酚醌di azide化合物等被溶解或 分散以一已知的溶劑；及一負型抗蝕劑，其中基礎樹脂、 diphenylsilanediol、酸產生劑等被溶解或分散以—已知的 溶劑。於使用任一此等材料時’係藉由調整溶劑之密度或 春 加入一表回活化劑等等以適當地調整表面張力及黏稠度。 第一電極402係藉由使用遮罩4〇3而被蝕刻，且接著 ’遮罩403被移除（圖9A )。可應用電漿蝕刻或濕式蝕.. 刻於蝕刻步驟。電漿蝕刻適於處理大尺寸基底。使用一蝕 刻氣體（其係至少選自CF4、NF3等之一以當作一氟基的 氣體及（：]2、3(：12等以當作一氯基的氣體），而He，Ar 等之任一可被適當地加入。此外，當大氣壓力排出之一蝕 · 刻步驟被應用時’亦得以進行一局部排出程序。 - -36 - (33) (33)1355079 第一電極4〇2可藉由選擇性地排出一含有導電材料之 成分而被形成，藉由一微滴排出方法。於製造一傳輸型 EL顯示面板之情況下，第一電極402可使用一成分，其 含有氧化銦錫（1ΤΟ )、含氧化矽之氧化銦錫（ITSO )、 氧化鋅（ΖηΟ )、氧化錫（Sn〇2 )，等等。接著，預定的 圖案可藉由使用此一成分而被形成且一像素電極可藉由烘 烤而被形成。另一方面，於其中所產生之光被發射至基底 1 〇 〇之相反側的結構之情況下，亦即，一反射型E L顯示 面板，則可使用一主要包含一金屬粒子（諸如金、銀、銅 、鎢、或鋁）之成分。 閘極佈線4 0 4及4 0 7、以及閘極電極4 0 5和4 0 6被形 成’藉由以一微滴排出方法來排出一含有導電材料之成分 。含有諸如 Ag (銀）、Au (金）' Cu (銅）' W (鎢） '或 A1 (鋁）等金屬之粒子爲主要素的成分可被使用爲 用以形成這些層的導電材料。明確地，閘極佈線最好是低 電阻的。因此，最好是使用一種溶液，其中金 '銀 '或銅 之任一係溶解或分散於一溶劑中，而更理想地，使用具低 電阻之銀或銅以考量一特定的電阻値。另一方面，可使用 銀及銅之疊層。可使用銅來電鍍其已被極薄地塗敷之銀以 成爲較寬的佈線，因爲銀是很貴的。塗敷之銀的表面係粗 糙且易於被電鍍的。作爲電鍍方法，有一種將基底浸泡入 一電鍍溶液中之方法或一種使一電鍍溶液流動之方法。當 使用銀及銅時，可額外地提供一障蔽層以當作對抗雜質之 方式。可將鎳硼（NiB)使用於障蔽層以及一氮化矽膜。 -37- (34) (34)1355079 其表面可藉由鎳硼而被平坦化。溶劑係相應於酯類（諸如 p 丁基醋酸鹽）；酒精類（諸如異丙基酒精）：有機溶劑（ 秦 諸如丙酮）：等等。藉由調整溶劑之密度及加入一表面活 化劑以適當地調整表面張力及黏稠度。 一用於微滴排出方法之噴嘴的直徑被設定於從0.02 /zm至100；tzm之範圍（較佳爲，30/zm或更小），而從 噴嘴排出之成分的排出量被設定於0.001 pi至100 p丨之 範圍（更理想的，10 pi或更少）。有兩種型式：依需求 φ 型及連續型之微滴排出方法，可使用其任一型。再者，有 一種使用轉移性質之壓電系統，其係藉由施加電壓至一壓 電材料、及一種加熱系統，其藉由一設於噴嘴中之加熱器 以煮沸一成分並排出該成分以供一噴嘴被使用於一微滴排 出方法，可使用其任一種。最好是其介於一物件與噴嘴的 排出口間之距離盡可能的接近，以利滴出微滴於一所欲的 位置上，其最好是被設定於從0.1 mm至3 mm之範圍（ 更佳爲，1 m m或更少）。於保持相對距離下，任一噴嘴 鲁 或物件移動，而因此，描繪一所欲的圖案。可執行一電漿 處理於物件之一表面上，在排出一成分之前。此係因爲可 獲得一優點：即物體之一表面於執行電漿處理時會變爲親 水的或疏液的。例如，其對於純水變爲親水的而其對於一 _ 溶解有酒精之膏變爲疏液的。 排出一成分之步驟可被執行於低壓力之下。此係因爲 成分之一溶劑被揮發直到成分因其被排出而附著至一物件 * 上爲止。因此，後續烘烤及乾燥之步驟可被省略或執行以 - -38 - (35) (35)1355079 較短的時間。在排出成分之後，乾燥及烘烤之任一或兩步 驟被執行’藉由雷射光之照射、快速熱退火、加熱熔爐等 等於大氣壓力或低壓力之下。乾燥及烘烤之兩步驟均爲熱 處理之步驟》例如，乾燥被執行於1〇〇。(3 3分鐘而烘烤 被執行於200 °C至3501之溫度15至120分鐘。烘烤及乾 燥之步驟具有各不相同的目的，且各需要不同的溫度及時 間。爲了理想地執行乾燥及烘烤之步驟，一基底可被加熱 ’其溫度被設爲從100 °C至800 °C (最好是，從2001至 350 °C之溫度），取決於一基底之材料等等。透過此步驟 ’ 一成分中之溶劑被蒸發或者分散劑被化學地移除，而邊 界中之樹脂硬化及收縮，藉此加速熔化及熔接。其被執行 於氧氣體、氮氣體、或空氣之下。然而，此步驟最好是被 執行於一氧氣體之下，其中一分解或分散一金屬元素之溶 劑被輕易地移除。 一連續波或脈衝氣體雷射或固態雷射可被使用於雷射 光之照射。有一種當作氣體雷射之準分子雷射，以及有一 種當作固態雷射之使用摻有Cr，Nd等之晶體（諸如YAG 或 YV〇4)的雷射。最好是使用一連續波雷射，考量其雷 射光吸收性。此外，亦可使用一種結合連續振盪及脈衝振 盪之雷射照射的所謂混合方法。然而，藉由雷射光之照射 的熱處理可被快速地執行於數微秒至數十秒，根據一基底. 之熱抗性。快速熱退火（RTA )係藉由快速地供熱數微秒· 至數分鐘而被執行，藉由於惰性氣體下使用一鹵素燈、一 紅外線燈（其係從紫外線光發出光線至紅外線光）等等快 •39- (36) (36)1355079 速地升溫。此處理被快速地執行；因此，實質上，僅有一 最上表面之一薄膜可被加熱，而因此，有其較低層不受影 響之優點。 在形成閘極佈線4 0 4和4 0 7、及閘極電極4 0 5和4 0 6 之後’希望執行下列兩步驟之一’以利其被暴露於表面之 基礎膜20]的處理。 第一方法係藉由使基礎膜4〇1隔絕而不重疊與第一電 極402、閘極佈線404和407、及閘極電極405及406以 形成一絕緣層 408的步驟（圖 9B)。換言之，未重疊與 第一電極402、閘極佈線4〇4和407、及閘極電極405及 4 06之基礎膜401被氧化及絕緣。於藉由以此方式氧化而 絕緣基礎膜40]的情況下，基礎膜401最好是被形成以具 有從0 · 0 1 n m至1 〇 n m之膜厚度，以致其可被輕易地氧化 。注意其任一暴露至氧氣體之方法或熱處理均可被使用爲 氧化方法。 第二方法係蝕刻及移除基礎膜4 0 1之步驟，其係使用 第一電極4 0 2、閘極佈線4 0 4和4 0 7、及閘極電極4 0 5和 406爲一遮罩。於使用此步驟之情況下：對於基礎膜4〇1 之膜厚度並無限制。 接下來’藉由使用一電漿CVD方法或濺射方法而形 成一具有單層結構或疊層結構之閘極絕緣層4 〇 9 (圖9 C ) 。作爲一明確較佳的模式，一由氮化矽所製之絕緣層4】〇 、一由氧化矽所製之絕緣層4 ] 1、及一由氮化矽所製之絕 緣層4 ] 2的三層疊層體被形成爲閘極絕緣層。注意—稀有 -40- (37) (37)1355079 氣體（諸如氬）可被含入一反應氣體中且混入一待被形成 之絕緣層中，以利形成一於低沈積溫度下具有少量閘極漏 電流的緊密絕緣層。由於氧化所致之惡化可被避免，藉由 / 從氮化矽或氧氮化矽形成一第一層以接觸與閘極佈線4〇4 和4 07 '及閘極電極4 0 5和406。鎳硼（NiB )被使用於第 一層，以利接觸與閘極佈線404和407、及閘極電極405 和406。因此，表面可被平坦化。 接下來，一半導體膜413被形成。半導體膜413被形 φ 成自一以氣相生長方法（藉由使用一典型爲矽烷或鍺烷之 半導體材料）或濺射方法所製造之AS或S AS。可使用電 漿CVD方法或熱CVD方法爲氣相生長方法》 於使用電漿CVD方法之情況下，一 AS被形成自 Si.H4 ’其爲一半導體材料氣體或SiH4與H2之混合氣體。 當SiH4被稀釋與h2以3倍至1 000倍來製造一混合氣體 時或當Si2H6被稀釋與GeF4以致其Si2H6: GeF4之一.氣體 流率係從2 0至4 0 : 0.9時，則可獲得一S A S，其S i成分 φ 比率爲 8 0 %以上。明確地，後者爲較佳的情況，因爲半 導體膜413可具有自一與基礎膜之介面的結晶性。 一遮罩414被形成在一相應於閘極電極405及406之·· 位置上’藉由選擇性地排出一成分於半導體膜2 ] 〇上。一· 諸如環氧樹脂、丙稀酸樹脂、酚樹脂、酚醛淸漆（ novoUc )樹脂 '密胺樹脂及氨基鉀酸酯樹脂等之一樹脂 材料被用於遮罩4 I 4。此外，遮罩4 1 4係藉由使用一有機 一 材料（諸如苯環丁烯' 聚對二甲苯基、閃焰（fl are )'或 - -41 - (38) (38)1355079 發光聚醯亞胺）；一從聚合作用所製之化合物材料（諸如 矽氧烷基聚合物）含有水溶性同元聚合物及水溶性異 量分子聚合物之成分材料；等等之微滴排出方法而被形成 。另一方面，可使用〜種含有光敏感劑之商用抗蝕劑材料 。例如，可使用一典型的正型抗蝕劑，其中酚醛淸漆樹脂 、當作一光敏感劑之萘酣醒diazide化合物等被溶解或分 散以一已知的溶劑；及一負型抗蝕劑，其中基礎樹脂、 diphenyl sil anedi 〇1、酸產生劑等被溶解或分散以—已知的 溶劑。於使用任一此等材料時，係藉由調整溶劑之密度或 加入一表面活化劑等等以適當地調整表面張力及黏稠度^ 閘極絕緣層409及半導體膜413係使用遮罩414而被 蝕刻（圖9D )。可應用電漿蝕刻或濕式蝕刻於蝕刻步驟 。電漿蝕刻適於處理大尺寸基底。使用一蝕刻氣體（其係 至少選自CF4、NF3等之一以當作—氟基的氣體及ci2、 BC】2等以當作一氯基的氣體），而He，Ar等之任一可被 適當地加入。此外，當大氣壓力排出之一蝕刻步驟被應用 時’亦得以進行一局部排出程序。接著，遮罩414被移除 ’且一保護層4]5係由一微滴排出方法而被形成於半導體 膜413上。保護層具有確保介面上之淸潔度以及防止半導 體膜4 1 3被有機材料、金屬 '水蒸氣等雜質所污染的功能 。保護層亦具有作爲層間膜之一功能。 接下來，η型半導體膜4]6被形成型半導體膜 4]6可藉由使用矽烷氣體或磷化氫氣體而被形成，且可被 形成以A S或S A S。一包含導電材料之成分係藉由一微滴 -42- (39) (39)1355079 排出方法而被選擇性地排出以形成一源極及汲極佈線4】7 (圖10B)。作爲用以形成佈線之導電材料，可使—種主 要含有一金屬粒子（諸如銀、金、銅、鎢、或鋁）之成分 。銀與銅等之一疊層可被使用◊發光氧化銦錫（IT〇：)、 ITSO (包含氧化銦錫及氧化矽）、有機銦' 有機錫、氧 化鋅、氮化鈦，等等可被結合。 η型半導體膜416係藉由使用源極及汲極佈線4]7爲 遮罩而被蝕刻以形成η型半導體膜4 1 8及4 1 9，以供形成 —源極及汲極區（圖I0C)。之後，由氮化矽或氧氮化矽 所製之一鈍化層4 2 0被形成於整個表面上。 —層間膜421係藉由一微滴排出方法而被形成於整個 區’除了 一發光區之外（圖1】A )»此層間膜係一絕緣層 且可被形成自一無機絕緣材料，諸如氧化砂、氮化砂、氧 氮化矽 '氧化鋁、氮化鋁、氧氮化鋁；丙烯酸 '甲基丙烯. 酸、及其衍生物；抗熱高聚合物（高分子重量）材料，諸 如聚醯亞胺、芳香聚醯胺、或聚苯並咪D坐；無機砂氧院（ 包含Si - 0- Si鍵），於從矽、氧、及氫所製的化合物之 間’其係藉由使用一矽氧烷材料爲起始材料而被形成；或 者一有機矽氧烷絕緣材料’其中矽上之氫係由一有機族群 (諸如甲基或苯基）所取代。當層間膜被形成自一材料（ 諸如光敏感丙稀酸或光敏感聚醯亞胺時，其爲較佳的因爲 其側面具有一種形狀’其中一彎曲半徑係連續地改變且上 層中之一薄膜被形成而無中斷。 發光區中之鈍化層420係藉由使用層間膜42]爲遮罩 -43- (40) (40)1355079 而被餓刻。可應用電漿触刻或濕式触刻於触刻步驟。電费 蝕刻適於處理大尺寸基底。使用一蝕刻氣體（其係至少選 自CF4、nf3等之一以當作一氟基的氣體及C12、BCh等 以當作一氯基的氣體），而He，Ar等之任一可被適當地 加入。此外，當大氣壓力排出之一蝕刻步驟被應用時，亦 得以進行一局部排出程序；因此，無須形成一遮罩於一基 底之整個表面上。 透過上述步驟，完成一EL顯示面板之一 TFT基底其 中一底部閘極型（亦稱爲一反交錯型式）TFT及第~電極 被連接於基底〗〇〇上。 在形成一EL層422之前，於大氣壓力下200°C之一 熱處理被執行以移除絕緣層42]中或其表面上所吸收之濕 氣。此外，熱處理被執行於2 0 0 °C至4 0 0 °C之溫度，最好 是從2 5 CTC至3 5 0 °C於低壓力下。最好是藉由一真空蒸發 方法或一微滴排出方法以形成EL層422於低壓力下而不 暴露至空氣。 此外，可額外地執行表面處理，藉由暴露第一電極 4〇2之表面至氧電漿或以紫外線光照射之。一第二電極 4 23被形成於EL層422上以形成一發光元件，藉由一濺 射方法或一微滴排出方法。此發光元件具有一種結構，其 中其被連接至驅動TFT20000(圖ΠΒ)。 然後，一密封劑被形成於基底之上且基底上之EL層 係藉由使用密封基底而被密封。之後，可連接一撓性佈線 板至閘極佈線。亦可應用至一信號佈線。. -44 - (41) (41)1355079 如上所述，於此實施例模式中，可省略步驟，因爲未 使用一利用光罩之曝光步驟。此外，可輕易地製造一EL 顯示面板，即使當使用第五代或之後之玻璃基底時，其中 —側爲1 〇〇〇 mm以上，藉由以一微滴排出方法而直接地 形成各種圖案於一基底上。 [實施例模式4] 於實施例模式4中描述一種用以製造一通道蝕刻型 TFT之方法，其中一第一電極被形成於一基礎膜之上。 一基礎膜401被形成於一基底1〇〇上，而一第一電極 402被形成於基礎膜401上。接著，一遮罩403係藉由選 擇性地排出一成分而被形成於第一電極402之上。第一電 極402係藉由使用遮罩403而被蝕刻，且接著，遮罩403 被移除。接下來，閘極佈線404和407、及聞極電極405 和4 06被形成，藉由排出一包含導電材料之成分。之後， 於表面上暴露之基礎膜401被處理並絕緣以形成一絕緣層 4 〇8 ;或者基礎膜40】藉由使用第一電極402、閘極佈線 4 0 4和4 0 7、及閘極電極4 0 5和4 0 6爲遮罩而被蝕刻並移 除。接著，一閘極絕緣層409係藉由電漿CVD或濺射而‘ 被形成以具有單層結構或疊層結構。更理想地，三層之一. 疊層（氮化矽之絕緣層4〗0、氧化矽之絕緣層4〗1及氮化, 矽之絕緣層4 ] 2 )係作用爲閘極絕緣層。此外，形成一作 用爲主動層之半導體膜4]3。一遮罩4]4係藉由選擇性地 排出一成分於一相應於閘極電極4 0 5及4 0 6之部分中而被 -45 - (42) (42)1355079 形成於半導體膜413上，而閘極絕緣層409及半導體膜 4 ] 3係藉由使用遮罩4 1 4而被蝕刻。之後，遮罩4 1 4被移 除。上述步驟係類似於實施例模式3 » —η型半導體膜501被形成於半導體膜4]3之上。接 著一源極及汲極佈線502係藉由一微滴排出方法以選擇性 地排出一含有導電材料之成分而被形成於半導體膜50]之 上》接下來’η型半導體膜501係藉由使用源極及汲極佈 線502爲遮罩而被蝕刻以形成一 η型半導體膜，其形成一 源極及汲極區（圖]2)。 後續步驟係類似於實施例模式3。 [實施例1] 於實施例模式]至4中，亦可形成一電容。 於形成一閘極佈線及一閘極電極之步驟中，一電容電 極層係藉由以一微滴排出方法排出一包含導電材料之成分 而被形成。 於電容電極層上’ 一閘極絕緣層及—半導體膜被形成 。接下來，一遮罩被形成於半導體膜上。閘極絕緣層及半 導體膜係藉由使用遮罩而被蝕刻，且接著，遮罩被移除。 一電容可藉由形成一佈線於一重疊與電容電極層之部分中 而被形成。於其他情況下，有可能其一電容係藉由選擇性 地留下閘極絕緣層留於一待設置電容之部分中而被形成。 [實施例2] -45 - (43) (43)1355079 於依據實施例模式1至4、與實施例1之任—所製造
的EL顯示裝置中，一掃瞄線驅動器電路可藉由以—saS 形成一半導體膜而被形成於一基底〗〇〇上，如圖3中所示 〇 圖22顯不掃猫線驅動器電路之一方塊圖，其包含— 使用可獲得I至15 cm2/V_sec之電子場效移動率的SAS 之η通道TFT。 圖2 2中之方塊5 3 0係相應於一脈衝輸出電路，用以 輸出一級之取樣脈衝，且一偏移暫存器包含一脈衝輸出電 路。參考數字531代表一緩衝器電路且係連接至—像素 5 3 2 (其係相應於圖3中之像素1 02 )。 圖23顯示脈衝輸出電路530之一實體架構，其包含 η通道TFT 601至613。此刻，考量其使用SAS之„通道 TFT的操作特性’ TFT之尺寸可被決定。例如，當通這長 度爲8 // m時，則通道寬度可被設定於]〇至8 〇 μ m之範 圍。 圖24顯示一緩衝器電路531之—實體架構，其亦類 似地.包含η通道TFT 620至635。此刻，考量其使用SAS 之η通道TFT的操作特性，TFT之尺寸可被決定。例如 ’當通道長度爲10//m時，則通道寬度可被設定於〗〇至 1 8 0 0 /i ιώ之範圍。 需藉由佈線以連接個別TFT來實現此一電路。該情 \ 況下之佈線的一架構範例被顯示於圖]4。圖1 4顯示一模 式’其中一閘極電極2 0 4、一閘極絕緣層2 0 6 (氮化矽之 -47- (44) (44)1355079 絕緣層207、氧化矽之絕緣層208、及氮化矽之絕緣層 209的三層疊層）、一由SAS所製之半導體膜2】〇、—形 成通道保護層之絕緣層212、形成源極和汲極之η型半導 體膜2 1 5和2 1 6、及一源極和汲極佈線2〗4被形成，如實 施例模式1。於此情況下，連接佈線250、251、及252被 形成於基底100之上，於形成閘極電極204之相同步驟中 。閘極絕緣層之一部分被蝕刻以暴露連接佈線2 5 0、2 5 1 、及252，且TFT被適當地連接以源極和汲極佈線214及 φ -連接佈線253 (其被形成於形成源極及汲極佈線2 1 4之 相同步驟中），藉此實現各種電路。 [實施例3 ] 參考圖17Α及17Β和圖及18Β以解釋一可用於 實施例模式]至4及實施例1和2的發光元件之模式。 圖]7Α係一範例，其中一第—電極11被形成自—光 傳輸氧化物導電材料。光傳輸氧化物導電材料最好是濃度 · 1原子％至1 5原子％之含氧化砂的氧化銦錫。於第一電 極Π上提供一EL層16’其中一電洞注入層或電洞傳輸 層41、—發光層42、及一電子傳輸層或電子注入層43被 疊層。一第二電極]7係由一第一電極層33及一第二電極 層34所形成，第一電極層33包含—驗金屬或一鹼土金屬 (例如LiF或MgAg)，而第二電極層34係形成自一金 屬材料（諸如鋁）。具有此一結構之像素可從第一電極 】]側放射光線，如圖】7 A中之箭號所示。 · -48 - (45) (45)1355079 圖17B顯示從第二電極I?放射光線之一範例。第— 電極11係由一第一電極層35及一第二電極層32所形成 ’第一電極層35包含一金屬（諸如鋁或鈦）或者一金屬 材料（包含其濃度爲化學計量成分比或更小之金屬與氮） ’而第二電極層32包含其濃度係含有1原子％至15原子 %之導電氧化物材料。於第—電極Η上提供—EL層16 ，其中一電洞注入層或電洞傳輸層4】、一發光層42、及 一電子傳輸層或電子注入層43被疊層。一第二電極17係 由一第三電極層33及一第四電極層34所形成，第三電極 層33包含一鹼金屬或一鹼土金屬（例如LiF或CaF)， 而第四電極層34包含一金屬材料（諸如鋁）。然而，各 層之厚度被設定至]00 nm或更小以獲得一其中可傳輸光 線之狀態。因此，得以放射光線自第二電極1 7。 圖18A顯不從第一電極1]放射光線之一範例並顯示 一結構，其中一電子傳輸層或電子注入層 43、一發光層 42'及一電洞注入層或電洞傳輸層41被依序地疊層成爲 —E L層。從E L層1 6側，第二電極1 7係由〜第二電極. 層32及一第一電極層31所形成’第二電極層32包含其 濃度係含有1原子％至1 5原子％之氧化物導電材料，0 第一電極層3]包含一金屬（諸如鋁或鈦）或者―金^# 料（含有其濃度爲化學計量成分比或更小之金屬與m )。 第一電極Π係由一第三電極層3 3及一第四電極層3 4所 形成，第三電極層33包含一驗金屬或一驗土金屬彳例如 LiF或CaF )，而第四電極層34包含一金屬材料（諸如銘 -49 - (46) (46)1355079 )。然而，各層之厚度被設定至】〇〇 nm或更小以獲得一 其中可傳輸光線之狀態。因此，得以放射光線自第一電極 1 1 > 圖18B顯示從第二電極】7放射光線之一範例並顯示 一結構，其中一電子傳輸層或電子注入層43' —發光層 42、及一電洞注入層或電洞傳輸層41被依序地疊層成爲 一 EL層。一第一電極11具有與圖相同的結構，且 被形成以具有夠厚之一膜厚度來反射EL層中所產生之光 線。第二電極17被形成自一導電氧化物材料，其包含1 原子％至]5原子％之氧化矽的濃度。於此結構中，電洞 注入層4 1係形成自一金屬氧化物，其爲一無機材料（典 型爲，氧化鉬或氧化釩）。因此，於形成第二電極32時 所引入之氧被供應，而因此，注入性質被增進；於是，可 減小一驅動電壓。 第一電極係形成自一發光氧化物導電材料，而第二電 極可傳輸光線或被形成自一發光氧化物導電材料。此刻， 光線可被發射（放射）自相反側，換言之，自第一與第二 電極側。 [實施例4] 接下來’參考圖]9A和19B及圖20A和20B以解釋 一安裝一驅動器電路之模式，此驅動器電路係用以驅動一 依據實施例模式]至4、及實施例1所製造的EL顯示面 板。 -50- (47) (47)1355079 首先’參考圖]9A及]9B以解釋—應用c〇G方法之 顯示裝置。於一基底100提供一顯示字元、影像等之資訊 的像素部分1 002及掃瞄線驅動器電路1〇03和1〇〇4。其 中設有複數驅動器電路之基底]005及1〇〇8被切割成矩形 ’而切割之驅動器電路（於下文中，稱之爲驅動器ic) 被安裝於基底]001上。圖19A顯示複數驅動器ic 1007 及安裝一帶】006至各驅動器1C 1〇〇7之—端的模式。圖 ]9B顯示一驅動器及安裝一帶1009至各驅動器ic 1010 之一端的模式》 接下來，參考圖20 A及2〇B以解釋利用—種TAB方 法之一顯示裝置。於一基底】00]上提供一像素部分]〇〇2 及掃瞄線驅動器電路]003和1004。圖20A顯示一模式， 其中複數帶1006被安裝至基底】001上，而接著，驅動器 1C 1 007被安裝至帶1 006上。圖20B顯示一模式，其中 —帶]009被安裝至基底1001上，而接著，驅動器1C 】01 〇被安裝至帶1 009上。於後者之情況下，其固定驅動 器1C 10]0之金屬片等可被安裝在一起，顧及其強度。 安裝於EL顯示面板上之複數驅動器1C最好是於具 有300 mm至1000 mm之一側的矩形基底1005及1〇〇8上 ，以利增進生產率。 複數電路圖案（其中一驅動器電路部分及一輸入/輸 出終端被使用爲一單元）可被形成於基底]005及1〇〇8上 ，且最終被分開及取出。至於驅動器1C之一長側的長度 ，可形成一具有】5 m m至8 0 m m之長側及]m m至6 m m -51 - (48) (48)1355079 之短側的矩形，以考量一像素部分之一側的長度或一像素 間距，如圖19A及20A中所示。像素部分1〇〇2之一側、 或像素部分1002之一側的長度加上各驅動器電路1003和 1 004的一側可被利用以形成驅動器1C，如圖19B及2 0B 中所示。 於一 1C晶片上之驅動器1C的重要性在於長側之長度 。當使用一具有1 5至80 mm之長側的驅動器1C時，用 以安裝相應於像素區1 002所需的驅動器1C之數目係少於 K晶片之數目。因此，可增進製程產量。當一驅動器1C 被形成於一玻璃基底上時，生產率並未降低，因爲驅動器 1C不限定爲其被使用爲主體之基底的形狀。此係一極大 的優點，相較與其從一圓形矽晶圓取出1C晶片的情況》 於圖19A、〗9B、20A及20B中，設有一驅動器電路 之驅動器1C 1007或1010被安裝於像素區1002外部之一 區上。驅動器1C 1007及10]0爲信號線驅動器電路。爲 了形成一相應於RGB全彩之像素區，需要3 072信號線於 XGA等級和4800信號線於UXGA等級。上述信號線數目 係藉由分割爲像素區1 002之一邊緣中的數個區塊而形成 一導出線，且係依據驅動器1C 1 007及1010之輸出終端 的間距而被集合。 驅動器1 c最好是被形成自一形成在基底上之結晶半 導體。結晶半導體最好是藉由被照射以一連續波雷射之光 而被形成。因此，氣體雷射之連續波固態雷射被使用爲供 放射雷射光之振盪器。當使用連續波雷射時，僅有少數的 -52- (49) (49)1355079 晶體缺陷。結果，可藉由使用一具有大微粒尺寸之多晶半 導體膜而製造一電晶體。此外，得以達成高速驅動，因爲 移動率或回應速度較佳，且得以較習知元件更進一步增進 一元件之操作頻率；因此’可獲得高可靠度，因爲有極少 的性質差異。注意其一電晶體之一通道長度方向可相同於 雷射光之一掃瞄方向，以進_步增進操作頻率。此係因爲 最高移動率可達成於當一電晶體之一通道長度方向及雷射 光之一掃瞄方向（相對於一基底）是最平行的（最好是， 從_30度至30度），於藉由連續波雷射之雷射結晶化步 驟中。一通道長度方向係相同於一通道形成區中之電流的 流動方向，換言之，電荷移動之方向。如此所形成之電晶 體具有一主動層，包含一多晶半導體膜，其中一晶體微粒 係延伸於一通道方向，而這表示其一晶體微粒邊界被形成 幾乎沿著一通道方向。 於執行雷射結晶化時，最好是顯著地減縮雷射光，且 其一光束點最好是具有從1 mm至3 mm之寬度，其係相 同於驅動器IC之較短側的寬度。此外，爲了確保一物件 被照射以足夠且有效的能量密度，雷射光之一照射區最好 是一線性形狀。然而，此處之線性形狀於較適當的意義上 並非指一直線，而是指具有2以上（最好是從1 〇至 1 0000 )之寬高比的矩形或橢圓形。因此，可·藉由使得雷 射光之一光束點的寬度與驅動器1C之較短側的寬度均等 而增進生產率。 於圖1 9A及]9B和圖20A及2 0B中，顯示一種模式 -53- (50) (50)1355079 ，其中掃瞄線驅動器電路被整體地安裝與像素部分且驅動 器1C被安裝爲一信號線驅動器電路。然而，本發明並不 限定於此模式，且驅動器1C可被安裝爲一掃瞄線驅動器 電路以及一信號線驅動器電路。於該情況下，最好是使得 不同規格的驅動器1C被使用於掃瞄線側及信號線側上。 於像素區1 0 0 2中，信號線與掃瞄線被相交以形成一 矩陣，且一電晶體被形成於每一交叉部分中。一具有形成 自非晶半導體或半非晶半導體之通道部分的TFT可被使 用爲配置於像素區1002中之電晶體，依據本發明之一型 態。一非晶半導體係藉由一電漿CVD方法、一濺射方法 等而被形成。能夠以電漿CVD來形成一半非晶半導體於 300 °C以下之溫度。有一特徵在於其形成一電晶體所需的 膜厚度被形成於短時間內，即使於（例如）5 5 0 mm X 6 5 0 mm之外部尺寸的非鹼性玻璃基底之情況下。此一製造技 術之特徵得以製造一大尺寸螢幕之顯示裝置。此外，一半 非晶TF T可藉由從一S A S形成一通道部分而獲得2至1 〇 cm2/Vsec cm2之電子場效移動率。TFT可被使用爲一像 素之切換元件或者一形成掃瞄線驅動器電路之元件。因此 ，可製造一種實現面板上系統之EL顯示面板。· 於圖19A ' 19B ' 20A及20B中，假設其一掃瞄線驅 動器電路可藉由使用一從SAS所形成之TFT以當作一半 導體膜而被整體地形成於一基底上，依據實施例模式3 » 一掃瞄線驅動器電路及一信號驅動器電路可均被安裝爲一 驅動器IC，於使用一從A S所形成之T F T.以當作半導體 -54 - (52) (52)1355079 之像素爲幾乎相同的等效電路圖。然而，電源供應線被各 形成自不同層中之導電層，於其中電源供應線813被配置 於一行方向（圖2 ] A )及電源供應線8 1 3被配置於列方向 (圖2]C)之情況。於此，連接至TFT 10000及20000之 閘極電極的佈線被聚集，且其圖形被個別地顯示於圖2 ] A 及21C中，以顯示其佈線被形成自不同層。 於圖21A及圖2〗C中所示之像素中，TFT 803及804 被串聯* TFT 803之通道長度L3及通道寬度W3和TFT 8〇4之通道長度L4及通道寬度W4被設定以滿足L3/W3 :L4/W4=5至6000: 1。作爲滿足6000: 1之情況的範 例，其係 L3 爲 500//m、W3 爲 3μιη、L4 爲 及 W4 爲1 0 0 # m之情況。 TFT 8 03係操作於一飽和區且控制一流經發光元件 8 0 5之電流値。閂鎖8 4 0係操作於一線性區且控制流至發 光元件8 0 5之電流供應。製造步驟較佳的是這些TFT具 有相同的導電型式。此外，TFT 803可使用非僅一增進型 同時包含一空乏型 TFT。於具有上述結構之本發明中， TFT 8 04係操作於一線性區；因此，丁FT 804中之Vgs的 些許變異不會影響發光元件805之電流値。換言之，發光 元件8 0 5之電流値係根據其操作於一飽和區之T F T 8 0 3而 被決定。於具有上述結構之本發明中’可提供一種顯示裝 置’其中影像品質係藉由增進其TFT性質之差異所導致. 之發光變異而被增進。 於圖2]A至2]C中所示之像素中，丁FT 801係—用以 -56- (53) (53)1355079 控制一視頻信號之輸入至像素之TFT。當TFT 80]開啓且 視頻信號被輸入像素時，視頻信號被儲存於電容元件802 中。圖21 A及2]C各顯示一結構，其中電容元件802被 提供；然而’本發明並不限定於此。當一閘極電容等可被 使用爲可保持一視頻信號之電容時，電容元件802可不被 明確地提供。 發光元件805及844具有一種結構，其中一場致發光 層被夾製於雨電極之間，而一像素電極與一相反電極之間 (一陽極與一陰極之間）的電位差被提供以致其一前向偏 壓被供應。場致發光層被形成自多種材料，諸如有機材料 及無機材料。從單線激發狀態回復至接地狀態之發光性（ 螢光性）及從三重線激發狀態回復至接地狀態之發光性（ :螢光性）被包含於此場致發光層之發光性中。 圖21B中所示之像素具有與圖21A中之像素相同的 結構’除了其加入一TFT 8 0 6及一掃瞄線815。以相同方 式’圖21D中所示之像素具有與圖2]C中之像素相同的 結構，除了其加入一 TFT 8 06及一掃瞄線8 1 5。 於TFT 806中，ON或OFF係由其新配置之掃瞄線 8 1 5所控制。當TFT 8 06爲ON時，則保持於電容元件 802中之電荷被放電，且TFT 806變爲OFF。換言之.，得 以藉由配置TFT 806而產生一種狀態，其中電流未被迫使 流入發光元件S 0 5 ·因此，於圖2 1 B及2 1 D之結構中，發 光時間可被開始於寫入時間開始之相同時間或者就在寫入 時間開始之後，無須等待寫入信號至所有像素，藉此提昇 -57- (54) (54)1355079 工作循環。 於圖2〗E所示之像素中，—信號線8 5 0及電源供應線 85]和852被配置於行方向，而—掃瞄線853被配置於列 方向。此外，其中包含一切換TFT 841、一驅動TFT 843 、—電容元件842、及一發光元件844。圖21F中所示之 像素具有與圖21E中之像素相同的結構，除了其加入一 TFT 845及一掃瞄線854。藉由亦配置TFT 845於圖21F 之結構中可增加工作循環。如上所述，可結合一驅動器電 路於一E L顯示面板中。
[實施例6 J 參考圖]5以解釋一模式，其中一保護二極體被提供 於每一掃瞄線輸入終端部分及信號線輸入終端部分。TFT 54】.及542被提供於圖15中之像素102中。TFT具有與 實施例模式1相同的結構。 保護二極體5 6〗及5 6 2被提供於信號線輸入終端部分 。這些保護二極體被製造於如TFT 541或5 42之相同步驟 中。保護二極體561及562係藉由連接一保護二極體之— 閘極至另一保護二極體的汲極與源極之—而操作爲一二極 體。圖】ό顯示圖15中所示之頂部視圖的—等效電路圖。 保護二極體56]包含一閘極電極550、一半導體膜 5 5 1、一通道保護絕緣層5 5 2、及—佈線5 5 3。保護二極體 5 62具有相同的結構。連接至這些保護二極體之共同電位 線5 54及5 5 5被形成於與閘極電極之相同層中.。因此，需 -58- (55) (55)1355079 形成一接觸孔於一閘極絕緣層中以電連接至至佈線5 5 3。 '-遮罩可藉由一微滴排出方法而被形成，且一蝕刻步 驟可被執行以形成一接觸孔於閘極絕緣層中。於此情況下 ，當應用藉由大氣壓力排出之一蝕刻步驟時，亦得以進行 一局部排出程序，且無須形成於一基底之整個表面上。 —信號佈線23 7被形成於與TFT 541中之源極及汲極 佈線214相同的層中，且具有一種結構，其中所連接之信 號佈線2 3 7係連接至一源極側或一汲極側。 掃瞄信號線側之輸入終端部分的保護二極體5 63及 5 64亦被形成以具有相同結構。依據本發明之—型態，一 輸入級中所提供之保護二極體可被同時地形成。注意其配 置保護二極體之位置並不限定於此實施例，而亦可被提供 於一驅動器電路與一像素之間，如圖3中所示。 [實施例7] 圖26及27各顯示構成一 EL顯示面板之一實施例， 藉由使用由一微滴排出方法所製造之TFT基底2 00。於圖 26及27中，一包含像素]02a至l〇2c之像素部分101被 形成於TFT基底200上。 於圖26中，如其形成於—像素或—保護電:路部分 7 0 ](其係藉由被連接至丁 F τ的一閘極及源極或汲極之一 而操作以如一二極體之相同方式）之相同的T F T被提供 於一驅動器電路7 0 3與像素1 〇 2 a至I 0 2 c之間及像素部分 】0】之外部。—形成自單晶半導體之驅動器IC、一形成自 -59 - (56) (56)1355079 多晶半導體膜於一玻璃基底上之棒狀驅動器1C、一形成 自SAS之驅動器電路，等等，被應用於驅動器電路703。 TFT基底200被固定至一密封基底236，藉由以一微 滴排出方法所形成於絕緣層上之一間隔物7 0 8。即使當基 底具有薄的厚度或像素部分之一區域被放大，仍最好是提 供間隔物以保持兩基底間之間隙恆定。一發光樹脂材料可 被塡入以利固化，或者無水氮或惰性氣體可被塡入一發光 裝置234之上的間隙中或介於TFT基底200與密封基底 2 3 6之間。 圖2 6顯示其中發光元件2 3 4具有頂部放射型結構之 情況，其中光線被照射以其箭號所示之方向。各像素可藉 由區別發光顏色以執行多色顯示，藉由使用像素1 0 2 a於 紅色、像素1 02 b於綠色、及像素】〇2 c於藍色。此刻，射 出外部之發光的色彩純度可被增進，藉由形成一相應於密 封基底 2 3 6之側上的各顏色之一上色層。此外，像素 102a、102b '及I02c可各被使用爲白色發光元件，並結 合與上色層。 —外部電路7 〇 5係利用一佈線板7 04而被連接至一設 於TFT基底200之一端上的掃瞄線或信號線連接終端。 此外，一熱管706及一熱槽707可被提供以接觸與TFT 基底200或者於其附近，以具有得以增進熱消散功效的結 構。 圖26顯示一頂部放射型EL模組；然而，亦可藉由 改變發光元件之結構或外部電路基底之配置以使用一底部 60 - (57) (57)1355079 放射型結構。 圖2 7顯示一範例’其中一樹脂膜7丨〇係藉由使用— &'封劑235及一黏合樹脂702而被黏附至其中有—像素部 分被形成於一TFT基底2 00上的側上，以形成—密封結 構。一防止水蒸氣穿透之氣體障蔽膜可被提供於樹脂膜 710之表面上。圖27顯示一種底部放射結構，其中—發 光元件之光被射出通過基底；然而，亦可接受一種頂部放 射結構，藉由賦予光傳輸性質至樹脂膜7 1 0或黏合樹脂 7 0 2。於任一情況下，可藉由採用一種膜密封結構而獲得 更薄且更輕的顯示裝置。 [實施例8 ] 可藉由依據實施例模式1所製造之一EL顯示模組而 完成一 EL電視接收器。圖28顯示EL電視接收器之一主 結構。有一種情況，其中一像素部分1 0 1被單獨形成於一 E L顯示面板9 0〗中，且一掃瞄線驅動器電路9 0 3及一信 號線驅動器電路902係藉由一 TAB方法而被安裝，如圖] 中所示之結構：以及一種情況’其中像素部分1 0 1被形成 於EL顯示面板90]中，且掃猫線驅動器電路903及信號. 線驅動器電路902係藉由一 COG方法而被安裝於其周邊. ，如圖2中所示之結構；一種情況，其中—丁 F T被形成 自一 S A S，且像素部分I 〇】及掃瞄線驅動器電路903被整 體地形成於一基底上1而信號線驅動器電路9 〇 2被分離地 安裝爲一驅動器IC，，如圖3中所示之結構；等等。然 -61 - (58) (58)1355079 而，可應用這些情況之任一模式。 作爲一外部電路之另一結構，一視頻信號之一輸入側 包含一視頻信號放大器電路90 5，其放大由一調諧器904 所接收的信號中之一視頻信號；一視頻信號處理電路906 ，其將一輸出自視頻信號放大器電路905之信號轉變爲一 相應於紅、綠、及藍之各色的色彩信號；一控制電路907 ，用以將視頻信號轉變爲一驅動器1C之輸入規格；等等 。控制電路9〇7將一信號個別地輸入掃瞄線側及信號線側 。於數位驅動之情況下，一信號分割電路9 0 8可被設於信 號線側上且可具有一結構，其中輸入數位信號被分割爲m 個信號且被供應。 —聲頻信號（於接收自調諧器904的信號之中）被傳 輸至一聲頻信號放大器電路909，且一來自聲頻信號放大 器電路9 0 9之輸出信號係透過一聲頻信號處理電路9 1 0而 被供應至一揚聲器9〗3。一控制電路9 1 1接收一接收站之 控制資訊（一接收頻率）或來自一輸入部分912之音量， 並傳輸一信號至調諧器904或聲頻信號處理電路9]0。 如圖29中所示’一電視接收器可被完成，藉由結合 此一外部電路而將圖26及27中所示之EL模組結合入一.. 外殼920。一顯示螢幕92]係由EL顯示模組所形成，而 一揚聲器、操作開關924，等等被提供爲其他附加設備。 因此，電視接收器可依據本發明而被完成。 當然=本發明並不限定於電視接收器而可應用於各種 用途，特別地’應用於具有大尺寸區域之顯示媒體，諸如 -62- (59) (59)1355079 —車站、機場等內之資訊顯示板、或街上之廣告顯示板等 '以及個人電腦之監視器。本發明並不限定於大尺寸基底 ，而可應用於諸如行動電話之相當小型的顯示媒體。 【圖式簡單說明〕 於後附圖形中： 圖I係一頂視圖’其顯不依據本發明之一型態的一 EL顯示面板的一架構； 圖2係一頂視圖’其顯不依據本發明之一型態的一 EL顯示面板的一架構； 圖3係一頂部視圖，其顯不依據本發明之一型態的— EL顯示面板的一架構； 圖4A至4C係橫斷面視圖，其各顯示依據本發明之 一型態的一 EL顯示面板之一製造步驟； 圖5A至5C係橫斷面視圖，其各顯示依據本發明之 一型態的一EL顯示面板之一製造步驟； 圖6A至6E係橫斷面視圖’其各顯示依據本發明之 —型態的一 EL顯示面板之一製造步驟； 圖7係一橫斷面視圖，其顯示依據本發明之一型態的 —EL顯示面板之一製造步驟， 圖8係一頂部視圖’其顯不依據本發明之一型熊的一 EL顯示面板之一製造步驟； 圖9A至9D係橫斷面視圖，其各顯示依據本發明之 一型態的一 E L顯不面板之 製造步驟； -63- (60) (60)1355079 圖I 〇A至10C係橫斷面視圖’其各顯示依據本發明 之一型態的一 EL顯示面板之一製造步驟； 圖】1A及UB係橫斷面視圖’其各顯示依據本發明 之一型態的一 EL顯示面板之一製造步驟； 圖1 2係一橫斷面視圖，其顯示依據本發明之一型熊 的一 EL顯示面板之一製造步驟； 圖13係一頂部視圖，其顯示依據本發明之—型態的 一 EL顯示面板之一製造步驟； 圖1 4係一橫斷面視圖’其顯示依據本發明之一型態 的一EL顯示面板之一製造步驟； 圖1 5係一頂部視圖，其顯示依據本發明之一型態的 一液晶顯示面板； 圖]6係圖1 5中所示之液晶顯示面板的一等效電路圖 圖17A及17B各顯示—可被應用於本發明之發光元 件的一模式； 圖18A及18B各顯示一可被應用於本發明之發光元 件的一模式； 圖]9A及]9B各顯不依據本發明之—型態的_ E]L顯 示面板之一驅動器電路的—安裝方法 .圖20A及20B各頸示休 ☆顯不依據本發明之一型態的一EL顯 不面板之驅動器電路的一安裝方法· 圖21A至21F爲電路圖，其各顯示—可被應用於本 發明之—型態的_ EL顯示面板之像素的—架構； * 64 - (61) (61)1355079 圖22顯示一電路架構，於形成一具有一TFT之掃瞄 線驅動器電路於一液晶顯示面板中的情況下’依據本發明 之一型態； 圖23顯示一電路架構，於形成一具有一TFT之掃瞄 線驅動器電路於一液晶顯示面板中的情況下，依據本發明 之一型態（一偏移暫存器電路）； 圖24顯示一電路架構，於形成一具有一 TFT之掃瞄 線驅動器電路於一液晶顯示面板中的情況下，.依據本發明 之一型態（一緩衝器電路）； 圖25顯示一可被應用於本發明之微滴排出設備的— 結構； 圖2 6係--橫斷面視圖，其顯示依據本發明之—型態 的一 EL·顯7Γ：楔組之一架構範例； 圖2 7係一橫斷面視圖，其顯示依據本發明之一型態 的一 E L顯示模組之一架構範例； 圖2 8係一方塊圖，其顯示依據本發明之—型熊的一 EL TV接收器之—主架構；及 圖29顯示依據本發明之一型態所完成的—接 收器之一結構。 . 【主要元件符號說明】 ! 1 :第一電極 ]6 : EL 層 】7 :電極 65- (62)1355079 3 1 :電極 3 2 :電極 3 3 :電極 3 4 :電極 3 5 :電極 4 1 :電洞傳輸層 42 :發光層
4 3 :電子注入層 1 00 :基底 ]0 1 :像素部分 1 〇 2 :像素 1 0 2 a像素 1 0 2 b :像素 1 0 2 c :像素
I 0 3 :掃猫線輸入終端 ]04 :信號線輸入終端 ]0 5 :驅動器I C ]06 :驅動器1C ]〇7:掃瞄線驅動器電路 1 0 8 :保護二極體 200 : TFT 基底 20]:基礎膜 2 0 2 :鬧極佈線 2 0 3 :閘極電極 -66 - (63)1355079
2 0 4 :閘極電極 205 :絕緣層 206:閘極絕緣層 2 0 7 :絕緣層 2 0 8 :絕緣層 2 0 9 :絕緣層 210 :半導體膜 2 1 ]:遮罩 2 ] 2 :保護層 2 1 3 :半導體膜 2 1 4 :汲極佈線 2 1 5 :半導體膜 21 6 :半導體膜 2 ] 7 :鈍化層 2 1 8 :層間膜 2 ] 9 :通孔 220 :第一電極 22】：遮罩 2 2 2 :絕緣層 223 : EL 層 224 :第二電極 2 2 8 :絕緣層 2 3 4 :發光元件 2 3 5 :密封齊[| -67 - (64) (64)1355079 2 3 6 :密封基底 2 3 7 :信號佈線 2 5 0 :連接佈線 2 5 1 :連接佈線 2 5 2 :連接佈線 2 5 3 :連接佈線 30]:半導體膜 3 0 2 :汲極佈線 4 01 :基礎膜 4 0 2 :第一電極 403 :遮罩 4 0 4 :閘極佈線 4 0 5 :閘極電極 4 0 6 :閘極電極 4 0 7 :閘極佈線 4 0 8 :絕緣層 4 0 9 :閘極絕緣層 4 ] 0 :絕緣層 4 1 1 :絕緣層 4 ] 2 :絕緣層 4 1 3 :半導體膜 4 1 4 :遮罩 4 1 5 :保護層 4 1 6 :半導體膜 -68- (65)1355079 4 ] 7 :汲極佈線 4]8 :半導體膜 4]9 :半導體膜 4 2 0 :鈍化層 421 :層間膜 422 ： EL 層
423 :第二電極 501 :半導體膜 5 0 2 :汲極佈線 5 3 0 :脈衝輸出電路 5 3 I :緩衝器電路 5 3 2 :像素
541 ： TFT
542 ： TFT
5 5 0 :閘極電極 551 :半導體膜 5 5 2 :絕緣層 5 5 3 :佈線 5 5 4 :共同電位線 5 5 :共同電位線 5 6 ]:保護二極體 5 62 :保護二極體 5 6 3 :保護二極體 5 64 :保護二極體 -69- (66) (66)1355079 601-613 ： TFT 62 0 - 63 5 ： TFT 7 〇 1 :保護電路部分 7 0 2 :樹脂 7 Ο 3 :驅動器電路 7 〇 4 :佈線板 7 0 5 :外部電路 706 :熱管 7 〇 7 :熱槽 7 0 8 :間隔物
7 ] 0 :樹脂膜 80 1 ：切換 TFT
8 0 3 ： ,|H WJ 丁FT 8 04 :電流控制TFT 8 0 2 :電容元件 8 0 5 :發光元件 806 : TFT 8 1 0 :信號線 8 1 1 :電源供應線 8 1 2 :電源供應線 8 1 3 :電源供應線 8 1 4 :掃瞄線 8 1 5 :掃瞄線
84 1 ：切換 TFT (67) (67)1355079 8 4 3 :驅動態感應器 8 4 2 :電容元件 844 :發光元件
845 ： TFT 8 5 0 :信號線 8 5 1 :電源供應線 8 5 2 :電源供應線 8 5 3 :掃暗線 8 5 4 :掃猫線 9 0 1 : E L顯示面板 902 :信號線驅動器電路 9 0 3 :掃瞄線驅動器電路 904 :調諧器 905 :視頻信號放大器電路 9 0 6 :視頻信號處理電路 9 〇 7 :控制電路 9 〇 8 :信號分割電路 909 :聲頻信號放大器電路 9 I 0 :聲頻信號處理電路 9 1 1 :控制電路 9 ] 2 :輸入部分 9]3 :揚聲器 9 2 0 :外殼 92]:顯示螢幕 -71 - (68) (68)1355079 922 :揚聲器 9 2 4 :操作開關 1001 ：基底 ]002 :像素部分 1 003 :驅動器電路 1 004 :驅動器電路 ]005 :基底 1006：帶 1 007 :驅動器1C 1008 基底 1009：帶 10 10:驅動器I c 1400：基底
1403:微滴排出單元 1 4 0 4 :成像單元 ]4 0 5 :頭部 ]4 0 7 :控制單元 】4 0 8 :記錄媒體 ]4 0 9 :影像處理單元 ]4 1 0 :電腦 ]4 Π :標記 10000 ： TFT 20000 ： 丁FT

Claims (1)

1355079 第093134742號專利申請案中文申請專利範圍修正本 民國100年6月22日修正 十、申請專利範園 1. 一種發光裝置’包含一第一薄膜電晶體及一第二 薄膜電晶體’每一第一薄膜電晶體及第二薄膜電晶體包含 一閘極電極，其包含一導電材料；
一閘極絕緣層，其係形成於間極電極上； 一半導體膜，其係形成於閘極絕緣層上：及 一源極佈線和一汲極佈線，其係形成於半導體膜上， 其中第一薄膜電晶體之源極佈線與汲極佈線之一被連 接至第一薄膜電晶體之閘極電極， 其中半導體膜不延伸超過閘極絕緣層之一邊緣，及 其中至少該閘極電極、該源極佈線和該汲極佈線之一 係藉由一微滴排出方法而被形成。
2. 一種發光裝置，包含一第~薄膜電晶體及一第二 薄膜電晶體’每一第一薄膜電晶體及第二薄膜電晶體包含 一閘極電極’其包含一導電材料； 一閘極絕緣層’其係形成於閘極電極上； 一半導體膜’其係形成於閘極絕緣層上；及 一源極佈線和一汲極佈線，其係形成於半導體膜上， 其中第一薄膜電晶體之源極佈線與汲極佈線之一被連 接至第二薄膜電晶體之閘極電極， 135-5079 其中半導體膜之一邊緣係對齊與閘極絕緣層之一邊緣 ，及 其中至少該閘極電極、該源極佈線和該汲極佈線之一 係藉由一微滴排出方法而被形成。 3 ·—發光裝置’包含一切換薄膜電晶體及一驅動薄 膜電晶體，切換薄膜電晶體包含： —第一閘極電極，其包含一導電材料； —第一島狀閘極絕緣層’其係接觸與第一閘極電極； 一第一島狀半導體膜，其係接觸與第一閘極絕緣層； 其中第一島狀半導體膜不延伸超過第一島狀閘極絕緣 層之一邊緣； 至少二第二半導體膜，其包含一接觸與第—島狀半導 體層之導電性型式雜質：及 接觸與第二半導體膜之一源極佈線及一汲極佈線； 且驅動薄膜電晶體包含：
—第二閘極電極，其包含導電材料； 一第二島狀閘極絕緣層，其係接觸與第二閘極電極； 及 —第三島狀半導體膜，其係接觸與第二島狀閘極絕緣 層， 其中第三島狀半導體膜不延伸超過第二島狀閘極絕緣 層之一邊緣’ 其中第二閘極電極之一部分被暴露， 其中切換薄膜電晶體之該源極佈線及該汲極佈線之一 -2- 1355079 被連接至驅動薄膜電晶體之該第二閘極電極，及 其中至少該第一閘極電極、該第二閘極電極、該源極 佈線和該汲極佈線之一係藉由一微滴排出方法而被形成。 4. 一發光裝置，包含一切換薄膜電晶體及一驅動薄 膜電晶體，切換薄膜電晶體包含： 一第一閘極電極，其包含一導電材料；
一第一島狀閘極絕緣層，其係接觸與第一閘極電極； —第一島狀半導體膜，其係接觸與第一閘極絕緣層； 其中第一島狀半導體膜係對齊與第一島狀閘極絕緣層 之一邊緣； 至少二第二半導體膜’其包含一接觸與第—島狀半導 體層之導電性型式雜質；及 接觸與第二半導體膜之一源極佈線及一汲極佈線； 且驅動薄膜電晶體包含： 一第二閘極電極，其包含導電材料；
一第二島狀閘極絕緣層，其係接觸與第二閘極電極； 及 一第三島狀半導體膜，其係接觸與第二島狀閘極絕緣 層， 其中第三島狀半導體膜係對齊與第二島狀閘極絕緣層 之一邊緣， 其中第二閘極電極之一部分被暴露， 其中切換薄膜電晶體之一源極佈線及一汲極佈線之一 被連接至驅動薄膜電晶體之第二閘極電極，及 -3- 1355079 其中至少該第一閘極電極、該第二閘極電極、該源極 佈線和該汲極佈線之一係藉由一微滴排出方法而被形成。 5. 一種發光裝置，包含一第一薄膜電晶體及一第二 薄膜電晶體，每一第一薄膜電晶體及第二薄膜電晶體包含 —基礎膜；
一包含一導電材料之閘極電極，其係接觸與基礎膜； 一閘極絕緣層，其係形成於閘極電極上； 一半導體膜，其係形成於閘極絕緣層上；及 一源極佈線和一汲極佈線，其係形成於半導體膜上， 其中半導體膜不延伸超過閘極絕緣層之一邊緣， 及第一薄膜電晶體之源極佈線與汲極佈線之一被連接 至第二薄膜電晶體之閘極電極。 6. —種發光裝置’包含一第一薄膜電晶體及一第二 薄膜電晶體’每一第一薄膜電晶體及第二薄膜電晶體包含 一基礎膜： 一包含一導電材料之閘極電極，其係接觸與基礎膜； 一閘極絕緣層，其係形成於閘極電極上； 一半導體膜，其係形成於閘極絕緣層上；及 一源極佈線和一汲極佈線，其係形成於半導體膜上， 其中半導體膜係對齊與閘極絕緣層之一邊緣， 及第一薄膜電晶體之源極佈線與汲極佈線之一被連接 至第二薄膜電晶體之閘極電極。 -4- 1355079 7. —種發光裝置’包含一切換薄膜電晶體及一驅動 薄膜電晶體，驅動薄膜電晶體包含： —基礎膜； —包含一導電材料之第一閘極電極，其係接觸與基礎 膜： —第一島狀閘極絕緣層，其係接觸與第一閘極電極； —第一島狀半導體膜，其係接觸與第一島狀閘極絕緣
層； 其中第一島狀半導體膜不延伸超過第一島狀閘極絕緣 層之一邊緣； 一第二半導體膜，其包含一接觸與第一島狀半導體層 之導電性型式雜質；及 接觸與第二半導體膜之一源極佈線及一汲極佈線： 且驅動薄膜電晶體包含： 該基礎膜；
一包含導電材料之第二閘極電極，其係接觸與基礎膜 一第二島狀閘極絕緣層，其係接觸與第二閘極電極； 及 一第三島狀半導體膜，其係接觸與第二島狀閘極絕緣 層， 其中第三島狀半導體膜不延伸超過第二島狀閘極絕緣 層之一邊緣， 其中第二閘極電極之一部分被暴露， -5- 1355079 及切換薄膜電晶體之源極佈線及汲極佈線之一被連接 至驅動薄膜電晶體之第二聞極電極。 8. —種發光裝置，包含一切換薄膜電晶體及一驅動 薄膜電晶體，驅動薄膜電晶體包含： —基礎膜； 一包含一導電材料之第一閘極電極，其係接觸與基礎 膜；
—第一島狀閘極絕緣層，其係接觸與第一閘極電極； 一第一島狀半導體膜，其係接觸與第一島狀閘極絕緣 層； 其中第一島狀半導體膜之一邊緣係對齊與第一島狀閘 極絕緣層之一邊緣； 至少二第二半導體膜，其包含一接觸與第一島狀半導 體膜之導電性型式雜質：及 接觸與第二半導體膜之—源極佈線及一汲極佈線； 且驅動薄膜電晶體包含： 該基礎膜； 一包含導電材料之第二閘極電極，其係接觸與基礎膜 一第二島狀閘極絕緣層，其係接觸與第二閘極電極； 及 —第三島狀半導體膜，其係接觸與第二島狀閘極絕緣 層， 其中第三島狀半導體膜之一邊緣係對齊與第二島狀閘 -6- 1355079 極絕緣層之一邊緣， 其中第二閘極電極之一部分被暴露， 及切換薄膜電晶體之源極佈線及汲極佈線之一被連接 至驅動薄膜電晶體之第二閘極電極。 9.如申請專利範圍第1、2、5及6項之任一項的發 光裝置’其中一保護膜被形成於半導體膜之上。
1〇·如申請專利範圍第3、4、7及8項之任一項的發 光裝置，其中一保護膜被形成於至少第一島狀半導體膜與 第三島狀半導體膜之一上。 11·如申請專利範圍第1至8項之任一項的發光裝置 ’其中導電材料包含Ag、Au、Cu、W或A1爲主要成分 12.如申請專利範圍第1、2、5及6項之任一項的發 光裝置，其中半導體膜包含氫及鹵素元素，及一具有晶體 結構之半導體，及
其中該第一薄膜電晶體及該第二薄膜電晶體以1至 15 cm2/V sec之電子場效移動率而操作。 1 3 ·如申請專利範圍第3、4、7及8項之任一項的發 光裝置，其中至少第一島狀半導體膜與第三島狀半導體膜 之一包含氫及鹵素元素，及一具有晶體結構之半導體，及 其中該切換薄膜電晶體及該驅動薄膜電晶體以1至 15 cm2/Vsec之電子場效移動率而操作。 14.—種電子裝置，其具有依據申請專利範圍第1至 8項之任一項的發光裝置。 135.5079 15. 如申請專利範圍第14項之電子裝置，其中該電 子裝置係選自由以下所組成之族群：電視接收器、個人電 腦、可攜式電話、資訊顯示板及廣告顯示板》 16. —種製造一發光裝置之方法，包含下列步驟： 藉由一微滴排出方法以形成一閘極電極於一基底上； 形成一閘極絕緣層及一第一半導體膜於閘極電極之上
藉由一微滴排出方法以形成一第一遮罩於第一半導體 膜之上： 連續地以第一遮罩蝕刻該第一半導體膜及閘極絕緣層 ’以形成一圖案化的閘極絕緣膜及一圖案化的第一半導體 膜： 移除第一遮罩； 形成一保護層於圖案化的第一半導體膜之上，在移除 第一遮罩後： 形成一包含一導電性型式雜質之第二半導體膜於圖案 化的第一半導體膜及保護層之上； 藉由一微滴排出方法以形成一源極佈線和一汲極佈線 於第二半導體膜之上；及 藉由以源極佈線和汲極佈線爲一第二遮罩而蝕刻保護 層上之第二半導體膜。 17. —種製造一發光裝置之方法，包含下列步驟： 藉由一微滴排出方法以形成一切換薄膜電晶體之一閘 極電極及一驅動薄膜電晶體之一閘極電極於一基底上； -8- 1355079 形成一閘極絕緣層及一第一半導體膜於切換薄膜電晶 體之閘極電極及驅動薄膜電晶體之閘極電極上； 藉由一微滴排出方法以形成一第一遮罩於第一半導體 膜之上； 連續地以第一遮罩蝕刻第一半導體膜及閘極絕緣層， 以形成一圖案化的閘極絕緣膜及一圖案化的第一半導體膜 並暴露驅動薄膜電晶體的閘極電極之一部分；
移除第一遮罩： 形成一保護層於圖案化的第一半導體膜之上，在移除 第一遮罩後； 形成一包含一導電性型式雜質之第二半導體膜； 藉由一微滴排出方法以形成一源極佈線和一汲極佈線 ，同時，連接至少源極佈線與汲極佈線之一至驅動薄膜電 晶體之閘極電極；及
藉由以源極佈線和汲極佈線爲一第二遮罩而蝕刻保護 層上之第二半導體膜。 1 8 .如申請專利範圍第1 6或1 7項之製造一發光裝置 的方法，其中形成該閘極絕緣層及第一半導體膜於閘極電 極上之步驟被連續地執行而不被暴露至空氣。 19. 一種製造一發光裝置之方法，包含下列步驟： 藉由一微滴排出方法以形成一閘極電極於一具有一絕 緣表面之基底上或者於一具有一暴露至一預處理之基礎表 面的基底上； 形成一基礎膜於閘極電極上以當作一預處理； 1355079 形成一閘極絕緣層及一第一半導體膜於基礎膜上； 藉由一微滴排出方法以形成一第一遮罩於第一半導體 膜之上； 連續地以第一遮罩蝕刻第一半導體膜及閘極絕緣層， 以形成一圖案化的閘極絕緣膜及一圖案化的第一半導體膜 移除第一遮罩；
形成一保護層於圖案化的第一半導體膜之上，在移除 第一遮罩後； 形成一包含一導電性型式雜質之第二半導體膜； 藉由一微滴排出方法以形成一源極佈線和一汲極佈線 :及 藉由以源極佈線和汲極佈線爲一第二遮罩而蝕刻保護 層上之第二半導體膜。 20.—種製造一發光裝置之方法，包含下列步驟： 藉由一微滴排出方法以形成一切換薄膜電晶體之一閘 極電極及一驅動薄膜電晶體之一閘極電極於一基底上； 形成一基礎膜於切換薄膜電晶體之閘極電極上及驅動 薄膜電晶體之閘極電極上以當作一預處理； 形成一閘極絕緣層及一第一半導體膜於基礎膜上： 藉由一微滴排出方法以形成一第一遮罩於第一半導體 膜之上； 連續地以第一遮罩蝕刻第一半導體膜及閘極絕緣層， 以形成一圖案化的閘極絕緣膜及一圖案化的第一半導體膜 -10- 1355079 並暴露驅動薄膜電晶體的閘極電極之一部分； 移除第一遮罩： 形成一保護層於圖案化的第一半導體膜之上，在移除 第一遮罩後； 形成一包含一導電性型式雜質之第二半導體膜；
藉由一微滴排出方法以形成一源極佈線和一汲極佈線 ’同時’連接至少源極佈線與汲極佈線之一至驅動薄膜電 晶體之聞極電極；及 藉由以源極佈線和汲極佈線爲一第二遮罩而蝕刻保護 層上之第二半導體膜。 21.如申請專利範圍第19或20項之製造一發光裝置 的方法，其中形成該閘極絕緣層及第一半導體膜於基礎膜 上之步驟被連續地執行而不被暴露至空氣。 22 ·如申請專利範圍第16、17、19及20項之任一項 之製造一發光裝置的方法，其中閘極絕緣層係藉由依序地
疊層一第~~氮化矽膜、一氧化矽膜及一第二氮化矽膜而被 形成。 23·如申請專利範圍第16' 17及20項之任一項之製 造一發光裝置的方法，其中該基底具有一絕緣表面。 2 4 如申請專利範圍第1 6、1 7、1 9及2 0項之任一項 之製造一發光裝置的方法，其中該基底具有一預處理的基 礎表面。 -11 - 811、 1355079 第093134742號專利申請案 中文圖式修正頁 民國1〇〇年9月30日修正 圖21A 810 814- 加年？月如日修(&正替換頁 圖21B »ιυ _811〇- ^IV·-]H°h • 一-^—、 〆-—、 801 .Ά'.'Ά、 805 803 804 圖21C 814- 801 / 810 813 814. 801 )806-^-Λ m2 805 803 804 812 810 811. 圖 21D -813 802 813j 814 801 / -815 812 813 811 815 806-^； 1 / 805 803 804 805 803 804 圖21E 812 8 812 850 851- 圖21F 851 -854 853- 、、_ 845/、 841 844 843 841 844 stf 843 ^852 850 852 853-
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