TWI354357B - Semiconductor intergrated circuit and leadframe fo - Google Patents

Semiconductor intergrated circuit and leadframe fo Download PDF

Info

Publication number
TWI354357B
TWI354357B TW095139004A TW95139004A TWI354357B TW I354357 B TWI354357 B TW I354357B TW 095139004 A TW095139004 A TW 095139004A TW 95139004 A TW95139004 A TW 95139004A TW I354357 B TWI354357 B TW I354357B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
pin
pins
adjacent
gap
semiconductor
Prior art date
Application number
TW095139004A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200717762A (en
Inventor
Tao Cheng
Original Assignee
Mediatek Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mediatek Inc filed Critical Mediatek Inc
Publication of TW200717762A publication Critical patent/TW200717762A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI354357B publication Critical patent/TWI354357B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0213Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0237High frequency adaptations
    • H05K1/025Impedance arrangements, e.g. impedance matching, reduction of parasitic impedance
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30Circuit design
    • G06F30/39Circuit design at the physical level
    • G06F30/394Routing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64Impedance arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1905Shape
    • H01L2924/19051Impedance matching structure [e.g. balun]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/30107Inductance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance
    • H01L2924/30111Impedance matching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

1354357 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於用於半導體封裝的導線架,特別係 關於用於高頻元件的導線架。 、 【先前技術】 將半導體晶片封入絕緣材質封裝體令,以保護其不 .受惡劣環境的侵襲,並經由一金屬材質的導線架,使上 • 述半導體晶片與一印刷電路板達成電性連接。傳 架式的半導體積體電路係具有:位於中央的一晶片墊'·', 用以承載上述半導體晶片;位於封裝體内周邊部位的複 -數個引腳;複數條銲線,用以電性連接上述半導體晶片 -與上述引腳;以及-封裝絕緣體例如為環氧樹脂 (EPOXY),^以將上述元件封人封|體結構内。 /在大部分的半導體封裝體架構中,上述引腳的一部 刀係位於封裝體的内部(例如完全為封裝膠體所圍繞),稱 ►為内引腳(inner Lead),上述引腳的另一部分則通常 裝體的本體向外伸展,稱為外引腳(outer Lead),用以將 半導體晶片連接至印刷電路板。 、 在電子工業t的需求之―’係不斷地促使半導體晶 片的發展朝向提升處理速度、與提高内含元件的積 為了關半導體晶片的上述發展,半導體積體電路 ^曰I腳數量必須大幅度地增加。並且為了避免因為引腳 置的增加而造成半導體積體電路體積變大的問題,常 〇 758-A3 J 494TWFI (20091125) 1354357 見的作法之一是縮減各引腳間的間隙,以期能增加引腳 數量卻不使體積變大。然而,引腳間的間隙的縮減會增 加引腳間的電容值,並增加自感與互感的程度。此電感 會增加訊號的反射而對傳輸的信號品質造成不良影響, 亦即是造成阻抗不匹配(impedance mismatch)的現象。 特別是應用於高頻環境的半導體晶片中,半導體封 裝的品質對整體電路性能的表現有著顯著的影響,其中 晶片與印刷電路板之間的内連線(包含引腳、銲線等等) 的電感係造成性能下降主要的因素之一。因此,當上述 電路的操作頻率增加時,即產生使用阻抗不匹配程度較 低的半導體積體電路的需求。如第2圖所示,傳統上為 了製造上的便利與降低製造成本,導線架中引腳的延伸 路徑或引腳的分布,係實質上為對稱,但遵循此一方式 會對阻抗匹配造成不良影響。 【發明内容】 有鑑於此,本發明的目的之一係提供一種用於半導體 封裝的導線架,對於阻抗匹配的設計方面提供可彈性調整 的空間,而能夠改善使用該導線架所製造的電子產品的性 能。 本發明係提供一種用於半導體封裝的導線架,包含: 一晶片墊;一邊框(side rail)圍繞上述晶片塾;一聯結桿(tie bar)連接上述晶片墊與上述邊框;以及複數個引腳(lead), 從上述邊框向上述晶片墊延伸;其中該複數個引腳之至少 0758-A31494TWF1 (20091125) 6 1354357 一個第一引腳係具有相對於一預定中心線而位於該預定中 心線相反側的對應的一第二引腳,該第一引腳與該第二引 腳係實質上彼此不對稱。 本發明的另一目的係提供一種半導體積體電路,對於 阻抗匹配的設計方面提供可彈性調整的空間,而能夠改善 該半導體積體電路產品的性能。 本發明係提供一種半導體積體電路包含:一半導體晶 片,一導線架,以及複數條銲線。該半導體晶片包含複數 個導電墊片。該導線架包含;一晶片墊用以承載該半導體晶 片;一邊框(siderail)圍繞該晶片墊;一聯結桿(tiebar)連接 該晶片墊與該邊框;以及複數個引腳(lead),從該邊框向該 晶片墊延伸;其中該複數個引腳之至少一個第一引腳係具 有相對於一預定中心線而位於該預定中心線相反側的對應 的一第二引腳,該第一引腳與該第二引腳係實質上彼此不 對稱。以及該複數條銲線用以電性連接該等導電墊片及該 等引腳。 【實施方式】 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更 明顯易懂,下文特舉出較佳實施例,並配合所附圖式, 作詳細說明如下: 第1A〜1E圖為一系列之俯視圖,係顯示本發明較佳 實施例之用於半導體封裝的導線架。請參考第1A〜1E 圖,本發明之導線架係具有一晶片墊10、一邊框(side 0758-A31494TWF1 (20091125) 7 1354357 3)3〇、聯結桿(tiebar)21〜24、與複數個引腳i4i〜i46、、 、242、245、34卜邊框30係圍繞晶片墊ι〇,聯結桿 ㈣4係連接W塾1G與邊框3G,上述引腳從邊框30 片墊H)’到達鄰近晶片㈣之處。在某些情況 :,邊框30會在後續半導體封裝製程的裁㈣分離步驟 τ移除。 藉由本發明可對-電子树的阻抗作變化,例如可 =下列手段控制阻抗值:改變引腳長度、改變引腳間 =間距(f⑻、改變引腳間的間隙(卿―)、及/或改變 曰腳的見度。因此為了個別地調整引腳的阻抗,本發明 提供非對稱的導線架結構。 在第1A〜1E圖中,每個引腳係具有相對於一預定的 :心線而位於該中4相反側的對應引腳。在本實施例 中,一例示的十心線50係繪示於第丨八〜1£圖。例如在第 圖中’引腳241係、分別對應於各圖所示的引腳 !4le ’而引腳245騎應於引腳145。在本實施例 中’本發明之導線架係具有一對彼此對應的引腳,豆包 含-引腳及其對應引腳,但是二者彼此不對稱。且體而 y上述不對稱的設計係用於阻抗匹配。例如相對於中 心線50,引腳241的對應引腳分別是引腳“Η〜ίο。(分 別繪示於第1A〜1ES1),且引腳241分別不對稱於其對^ 引:14U〜141e。帛1A〜1E圖分別例示用於非對稱的導 線架結構的各種非對稱的引腳形式。 在某些情況中,-特定引腳的對應引腳會因所選擇 〇758-A31494TWFl(2009112S) 8 14M357 ,中〜線(例如本實施例的中心線5〇)的不同而有所改 邊。例如在第1A圖中,相對於中心線5〇,引腳Μ。係 與引腳241對應;而相對於另一穿越引腳143與144之 間的間隙的十心線(未緣示),引腳141a則與引腳146對 應\另外,相對於穿越聯結桿21且與其對準的中心線(未 :曰示)引腳141a則與引腳341對應。在本實施例後續的 时淪中,係以中心線5〇作為例示的中心線。 叫參考第1A〜1E圖,相對於中心線5〇,引腳 141a〜141e係分別與引腳241在引腳外觀或其延伸路徑方 面’呈現不對稱的狀態。—對相對於—中心、線為對應、 但不對稱的引腳,係指其具有互異的形狀、尺寸、或個 別與導線架其他部件的對應關係。 在第1A圖中,引腳141&與241具有不同的長度, 故為-對不對稱的對應引腳。因此,比較對應的引腳Mb 與241’ 一者在長度上的不同會使其具有不同的電阻值, 故可藉由引腳長度的調整來達成所需要的阻抗匹配。 在第1B圖中,引腳141b與241係具有相同的寬度, 然而引腳141b與其相鄰引腳例如引腳142的間隙s】,: 大於引腳241與其相鄰引腳例如引腳242的間隙$2。 外’引腳141b與其相鄰引腳例如引腳142的間距匕 大於引腳241與其相鄰引腳例如引腳災的間距匕。因 此’引腳⑷b與241為-對不對稱的對應引腳。故 ='的如仙與241,引腳間隙的變化會使引腳間的 電感/電容值發生變化,而可藉由引㈣隙的調整來達成 0758-A3 ] 494TWPl(20091125) 9 1354357 所需要的阻抗匹配。 、 鱼f+2 1C圖中’引腳14U與引腳142c的寬度係分別 =應的引_241與242的寬度不同。另外,引腳i4u 二相鄰引腳例如引腳142c的間隙Si,係小於引腳24i 、相鄰引腳例如引腳242的間隙心。因此,引腳Μ。 f⑷為一對不對稱的對應引腳,引腳i42c與如亦為 一對不對稱的對應引腳。故比較對應的引腳14】c盘24卜 2是對應的引腳似與242,引腳寬度的 使 :=腳具有不同的電阻值,而可藉由引腳寬度的; 正來達成所需要的阻抗匹配。 在第⑴圖中,弓丨腳141d與其相鄰引腳例如 =間距Pl,係大於引請與其相鄰引腳例如引腳 日距p2。因此,引腳141d與241為一對 ==腳。故比較對應的引腳⑽與⑷,引腳間距的 f;距二::間的電感/電容值發生變化’而可藉由引腳 間距的调整來達成所需要的阻抗匹配。 的門^ 1E/中’引腳他與其腳例如5ί腳142 Hr、於引腳241與其相鄰引腳例如引腳犯 2 2。因此’引腳141e與241為-對不對稱的 腳。故比較對應的弓1腳!41e與24卜引腳間距的^ 會使引腳間的電感/電容值發生變化,而可 腳1 的調整來達成所需要的阻抗匹配。 弓1腳間距 接下來,一傳統的對稱導線架係繪示於第2 圖中,作為對照組;而二組本發明的實施例則分別繪示 0758-A31494TWF1 (20091125) 1354357 於第3A、3B圖與第4A、4B圖中,用以表示本發明的功 效。 第2A圖係顯示一傳統的半導體積體電路,其包含 一傳統的對稱導線架、一半導體晶片2100、複數條銲線 2200、與一封裝絕緣體(未繪示),其中半導體晶片2100 包含複數個導電塾片(electrode pad,未繪示)係黏著於上 述導線架的晶片墊2010上,銲線2200係電性連接該等 導電墊片與上述導線架的引腳,半導體晶片2100、上述 導線架、與銲線2200則封入上述封裝絕緣體中。上述導 線架包含一晶片墊2010、四個聯結桿2021〜2024、與複 數個引腳,其中聯結桿2021〜2024係用以支撐晶片墊 2010。上述導線架的邊框則已在半導體封裝製程的裁切 或分離步驟中移除。上述導線架的引腳的延伸路徑與外 觀等各方面係呈現實質上對稱的狀態。 第2B圖係顯示第2A圖中例示的引腳1145、1146、 1148、與1149的放大圖。例如傳輸頻率約750MHz的電 子訊號的情況下,在引腳1145、1146間所構成的差動阻 抗(differential impedance)值約為68歐姆;相同地,在引 腳1148、1149間所構成的差動阻抗值約為68歐姆;另 外引腳 1145、1146、1148、與 1149 的單端阻抗 (single-ended impedance)約為50歐姆。然而在某些情況 中,某些引腳對的差動阻抗需要80〜120歐姆、較佳為100 歐姆;亦或是某些引腳的單端阻抗需要40〜60歐姆、較 佳為50歐姆。因此,使用上述傳統的導線架無法符合所 0758-A31494TWF1(20091125) 11 1354357 需要的阻抗值。 第3A圖係顯示本發明另一實施例的半導體積體電 路的俯視圖,將其與繪示於第2A圖的半導體積體電路比 較,引腳1145、1146、1148、與1149的長度係減少了 D。 在本實施例中,D值約為60 mil.。 第3B圖係顯示第3A圖中已縮短的引腳1145、 1146、1148、與1149的放大圖。例如傳輸頻率約750MHz 的電子訊號的情況下,在引腳1145、1146間所構成的差 動阻抗(differential impedance)值約為84歐姆,而符合上 述阻抗值的需求;相同地,在引腳1148、1149所構成的 差動阻抗值約為84歐姆,亦符合上述阻抗值的需求;另 外引腳1145、1146、1148、與1149的單端阻抗約為58 歐姆。此一實施例的半導體積體電路受惠於其使用本發 明之導線架結構,其可達成某些既定的引腳對於阻抗值 的需求,而滿足阻抗匹配所需的阻抗值。 第4A圖係顯示本發明另一實施例的半導體積體電 路的俯視圖,將其與繪示於第2A圖的半導體積體電路比 較,係將引腳1145與1146之間的間隙、以及引腳1148 與1149之間的間隙加寬。 第4B圖係顯示第4A圖中的引腳1145、1146、1148、 與1149的放大圖。例如傳輸頻率約750MHz的電子訊號 的情況下,在引腳1145、1146間所構成的差動阻抗 (differential impedance)值約為1〇8歐姆’而符合上述阻 抗值的需求;相同地,在引腳II48、1149間所構成的差 0758-A31494TWF1 (20091125) 12 1354357 動阻抗值約為108歐姆,亦符合上述阻抗值的需求;另 外引腳1145、1146、1148、與1149的單端阻抗約為62 歐姆。本實施例的半導體積體電路受惠於其使用本發明 之導線架結構,其可達成某些既定的引腳對於阻抗值的 需求,滿足阻抗匹配所需的阻抗值。 綜上所述,本發明藉由發展出非對稱的引腳延伸路 徑或引腳分佈,而能對所製造的產品提供有效的阻抗匹 配。 φ 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用 以限定本發明,任何本發明所屬技術領域中具有通常知 識者,在不脫離本發明之精神和範圍内,當可作些許之 ' 更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專 - 利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1A〜1E圖為一系列之俯視圖,係顯示本發明較佳 鲁實施例之用於半導體封裝的導線架。 第2 A、2B圖為一俯視圖及一局部放大圖,係顯示 傳統對稱的導線架。 第3 A、3B圖為一俯視圖及一局部放大圖,係顯示 本發明之第一實驗組。 第4 A、4B圖為一俯視圖及一局部放大圖,係顯示 本發明之第二實驗組。 【主要元件符號說明】 0758-A31494TWF1 (20091125) 13 1354357 10〜晶片塾, 21〜聯結桿; 22〜聯結桿; 23〜聯結桿; 24〜聯結桿; 3 0〜邊框; 50〜中央線; 141a〜引腳; 141b〜引腳; 141c〜引腳; 141d〜引腳; 141e〜引腳; 142〜引腳; 142c〜引腳; 142d〜引腳; 143〜引腳; 144〜引腳; 145〜引腳; 146〜引腳; 241~引腳; 242〜引腳; 245〜引腳; 1145〜引腳; 1146〜引腳; 1148〜引腳; 1149〜引腳; 2010〜晶片墊; 2021〜聯結桿; 2022〜聯結桿; 2023〜聯結桿; 2024〜聯結桿; 2100〜半導體晶 2200〜銲線。 0758-A31494TWFl(20091125) 14

Claims (1)

  1. 十、申請專利範圍: 1-種用於半導體封裝的導線架,包含: 一晶片墊; 一邊框(side rail)圍繞該晶片墊; 一聯結桿(tie bar)連接該晶片塾與該邊框;以及 複數個引腳(lead),從該邊框向該晶片墊延伸;並中 該複數個引腳之至少一個第一引腳係具有相對於一 中心線而位於該預定中心線相反側的對應的一第二引 腳,該第一f腳與該第二引腳係實質上彼此不對稱。 線架: 乾圍第1項所述之用於半導體封裝的導 長度^ 一引腳與該第二引腳係具有實質上相異的 線架;1項所述之用於半導體封裝的導 寬度,、中〜第-引腳與該第二引腳係具有實質上相異的 線竿4·:=Τ第1項所述之用於半導體封裝的導 係具有不對稱之延伸路徑。 以預疋中心線 線加5.=請專利範圍第1項所述之用於半導體封裝的導 線架,其中該第一引腳盥嗲筮_ u 卞守蒞釘衷的導 6. 如”專利」::厂亥弟,係用於阻抗匹配。 線架,其中該第一引腳與相鄰 千導體封裝的¥ 引腳與相鄰引腳間之間隙。腳間之間隙不同於該第二 7. 如申請專利範圍第1項所述之用於半導體封裝的導 0758-A31494TWF1 (20091125) 15 iJ54357 線架’其中該第-引腳與相鄰引腳間之間距不同於 引腳與相鄰引腳間之間距。 、μ 一 線牟料㈣㈣6項所叙用於半導體封裝的導 八”中邊第一引腳與相鄰引腳間之間隙係變化的。 9. ^請專㈣圍第8項所述之用於半導體封裝的導 小Ϊ大再2第一引腳與相鄰引腳間之間隙至少一段係由 10. —種半導體積體電路,包含: 半導體晶片包含複數個導電墊片; 一用於半導體的導線架,該導線架包含; 一晶片墊用以承載該半導體晶片; , 邊框(side rail)圍繞該晶片塾; 一聯結桿(tie bar)連接該晶片墊與該邊框;以及 複數個引腳dead),從該邊框向該晶片塾延伸. 該複數個引腳之至少_彻榮 八T 預m 少個弟一引腳係具有相對於— 預疋t心線而位於該預定中 腳,該第-弓I腳與該第二引腳传眘一第二 複數條鲜線用以電性連ΓΓ等導電以及 如申請專·…::==。 /、中該第―引腳與該第二弓丨腳係具有實質上相显的長产, 請專職圍第1G項所叙 積7 其中該第-引腳與該第二引腳係具有實質上二寬戶路 13.如申請專利範圍第1〇項所 ς 其中該第-引腳與該第二引腳相對於該預定中有 0758-A31494TWFl(2009n25) 16 1354357 不對稱之延伸路徑。 14·如申凊專利範圍第10項所述之半導體積體電路, 其中該第引腳與該第二引腳係用於阻抗匹配。 15.如申請專利範圍第1()項所述之半導體積體電路, 其中該第-引腳與相鄰引腳間之間隙不同於該弟二引腳盥 相鄰引腳間之間隙。 〃 16.如申請專利第1()項所叙半導體積體電路,
    其中該第-引腳與相鄰引腳間之間距不同於該第 相鄰引腳間之間距。 °月利範圍帛15項所述之半導體積體電路, 八中該弟-引腳與相鄰引腳間之間隙係變化的。 中料利17項所敎半導_體電路, :: 引腳與相鄰引腳間之間隙至少-段係由小變大 再變小。 v
    0758-A31494TWT1(20091125)
TW095139004A 2005-10-31 2006-10-23 Semiconductor intergrated circuit and leadframe fo TWI354357B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US73177905P 2005-10-31 2005-10-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200717762A TW200717762A (en) 2007-05-01
TWI354357B true TWI354357B (en) 2011-12-11

Family

ID=38071564

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095139004A TWI354357B (en) 2005-10-31 2006-10-23 Semiconductor intergrated circuit and leadframe fo

Country Status (3)

Country Link
US (3) US20070096269A1 (zh)
CN (2) CN101546744B (zh)
TW (1) TWI354357B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4595835B2 (ja) * 2006-03-07 2010-12-08 株式会社日立製作所 鉛フリーはんだを用いたリード付き電子部品
US7468547B2 (en) * 2007-05-11 2008-12-23 Intersil Americas Inc. RF-coupled digital isolator
CN101572257B (zh) * 2008-04-30 2011-02-16 南茂科技股份有限公司 芯片封装卷带及包含该芯片封装卷带的芯片封装结构
US20100171201A1 (en) * 2009-01-06 2010-07-08 Wyant M Todd Chip on lead with small power pad design
US9837188B2 (en) * 2012-07-06 2017-12-05 Nxp B.V. Differential return loss supporting high speed bus interfaces
US20170245361A1 (en) * 2016-01-06 2017-08-24 Nokomis, Inc. Electronic device and methods to customize electronic device electromagnetic emissions
TWI623076B (zh) * 2016-11-02 2018-05-01 復盛精密工業股份有限公司 導線架製作方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3793474A (en) * 1971-12-09 1974-02-19 Motorola Inc Lead configurations for plastic encapsulated semiconductor devices
US4454529A (en) * 1981-01-12 1984-06-12 Avx Corporation Integrated circuit device having internal dampening for a plurality of power supplies
US4680613A (en) * 1983-12-01 1987-07-14 Fairchild Semiconductor Corporation Low impedance package for integrated circuit die
JPS61269345A (ja) * 1985-05-24 1986-11-28 Hitachi Ltd 半導体装置
US5065224A (en) * 1986-06-30 1991-11-12 Fairchild Semiconductor Corporation Low noise integrated circuit and leadframe
US5147815A (en) * 1990-05-14 1992-09-15 Motorola, Inc. Method for fabricating a multichip semiconductor device having two interdigitated leadframes
US5281849A (en) * 1991-05-07 1994-01-25 Singh Deo Narendra N Semiconductor package with segmented lead frame
JPH06268101A (ja) * 1993-03-17 1994-09-22 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法、電子装置、リ−ドフレ−ム並びに実装基板
JPH0714976A (ja) * 1993-06-24 1995-01-17 Shinko Electric Ind Co Ltd リードフレーム及び半導体装置
US5517056A (en) * 1993-09-30 1996-05-14 Motorola, Inc. Molded carrier ring leadframe having a particular resin injecting area design for gate removal and semiconductor device employing the same
KR0149798B1 (ko) * 1994-04-15 1998-10-01 모리시다 요이치 반도체 장치 및 그 제조방법과 리드프레임
EP0764345A1 (en) * 1995-04-05 1997-03-26 National Semiconductor Corporation Multi-layer lead frame
US5541565A (en) * 1995-05-22 1996-07-30 Trw Inc. High frequency microelectronic circuit enclosure
JP2765542B2 (ja) * 1995-12-20 1998-06-18 日本電気株式会社 樹脂封止型半導体装置
US5918112A (en) * 1997-07-24 1999-06-29 Motorola, Inc. Semiconductor component and method of fabrication
US6509632B1 (en) * 1998-01-30 2003-01-21 Micron Technology, Inc. Method of fabricating a redundant pinout configuration for signal enhancement in an IC package
US6281568B1 (en) * 1998-10-21 2001-08-28 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit device package and leadframe having partially undercut leads and die pad
US6424541B1 (en) * 1999-04-21 2002-07-23 Conexant Systems, Inc Electronic device attachment methods and apparatus for forming an assembly
KR100379089B1 (ko) * 1999-10-15 2003-04-08 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지
US6621140B1 (en) * 2002-02-25 2003-09-16 Rf Micro Devices, Inc. Leadframe inductors
US7005325B2 (en) * 2004-02-05 2006-02-28 St Assembly Test Services Ltd. Semiconductor package with passive device integration
TWI252572B (en) * 2004-06-30 2006-04-01 Orient Semiconductor Elect Ltd Package structure

Also Published As

Publication number Publication date
US9198281B2 (en) 2015-11-24
CN100505231C (zh) 2009-06-24
US20140097012A1 (en) 2014-04-10
CN101546744A (zh) 2009-09-30
CN1959975A (zh) 2007-05-09
US20070096269A1 (en) 2007-05-03
US20100193925A1 (en) 2010-08-05
TW200717762A (en) 2007-05-01
CN101546744B (zh) 2014-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI354357B (en) Semiconductor intergrated circuit and leadframe fo
JP5604031B2 (ja) 交差導電体アセンブリを備えた半導体パッケージ
US6476468B2 (en) Transverse hybrid LOC package
US7964941B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method of the same
US20020135049A1 (en) Electronic package with surface-mountable device built therein
US20070235855A1 (en) Methods and apparatus for a reduced inductance wirebond array
JP2009239318A (ja) 高性能ボールグリッドアレイパッケージの最適回路設計レイアウト
US20080290483A1 (en) Semiconductor device, leadframe and structure for mounting semiconductor device
US7361984B2 (en) Chip package structure
US6815807B2 (en) Method of fabricating a redundant pinout configuration for signal enhancement in an IC package
US20120145446A1 (en) Brace for long wire bond
TWI382503B (zh) 四方扁平無引腳封裝
JP3063847B2 (ja) リードフレーム及びそれを用いた半導体装置
US20110115063A1 (en) Integrated Circuit Packaging with Split Paddle
US20240178106A1 (en) Lead frame apparatus, semiconductor device and method of making a semiconductor device
TWI385774B (zh) 導線架封裝及導線架
KR20240086087A (ko) 반도체 패키지
JP2003209214A (ja) リードフレーム
JP2006332708A (ja) 半導体装置
JPH05211274A (ja) リードフレーム及び半導体装置
JP2004119819A (ja) 半導体装置
JP2010074034A (ja) リードフレーム及び樹脂封止半導体装置
JP2003282622A (ja) 半導体装置
JP2004153295A (ja) 半導体装置
JPH04348063A (ja) 半導体装置及びインナリ−ド