JPH04348063A - 半導体装置及びインナリ−ド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体チップをパッケ−
ジングしてなる半導体装置及びそのインナリ−ドの構造
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体チップをパッケ−ジングする際に
一般にはワイヤ−ボンディング方法が使用されている。 しかしながら、より薄形なパッケ−ジング形状として最
近ＴＡＢ（Ｔａｐｅ　　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　　Ｂｏｎ
ｄｉｎｇ）方法が提案されている。この方法では図６、
図７に示すようにポリミドフィルム等のテ−プ１上に形
成された銅パタ−ンよりなるインナリ−ド２を直接半導
体チップ３のボンディングパッド４に金などのバンプ５
を介してボンディングする。尚、図において、６はチッ
プの測定や検査等に使用するプロ−ブ端子であり、半導
体装置の実際の使用においては例えば点線７の位置でカ
ッティングされるので、このプロ−ブ用端子６は削除さ
れるものである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体チッ
プ３として高周波数の信号を扱うチップが製造されるよ
うになってきており、特にマイクロ波用のチップではボ
ンディング用の接続手段のインダクタンスが無視し得な
くなってきている。従来のワイヤ−ボンディングの場合
は１つの接続につき複数のワイヤ−を施すことで等価的
にインダクタンス成分を小さくすることが行なわれてき
ている。また、大電力用のチップの場合には、インダク
タンス成分を減少させるという目的ではないが、電流容
量を大きくするために、やはり同じように１つの接続に
つき複数のワイヤ−を施すことが行なわれている。

【０００４】一方、ＴＡＢ方法においては、このような
高周波のチップや大電力用のチップに対して未だ用いら
れておらず、従って、その対策がなされていないが、仮
に上記の問題に対処するとしたら、図４に示すようにイ
ンナリ−ド２の幅を広くすることが考えられる。しかし
ながら、このように幅広のインナリ−ドをそのままボン
ディングすると、圧力を加えても、その先端のボンディ
ング部が巧くバンプに沈んでいかず、接続されない部分
が生じたりする。特に加圧ツ−ルが傾いているような場
合は、図５のようにインナリ−ド２も傾くので、非接続
部分が生じ易くなる。

【０００５】本発明はこのような点に鑑みなされたもの
であって、簡単な構造によってインナリ−ドのボンディ
ング不良を解消するようにした半導体装置及びインナリ
−ドを提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明では、テ−プ上に形成されたパケ−ジ用のイン
ナリ−ドを半導体チップのボンディングパッド部にバン
プを介してボンディングさせてなる半導体装置において
、インナリ−ドを幅広に形成するとともに、その先端部
を複数の突片で形成して、各突片が前記ボンディングパ
ッド部にボンディングされるようにしている。

【０００７】

【作用】このような構成によると、ボンディング時にイ
ンナリ−ドの１つ１つの突片に加圧ツ−ルから加えられ
る圧力が大きくなるので、バンプの沈み込みが確実にな
るとともに加圧ツ−ルが多少傾いていても強く接してい
る部分の突片が沈みこむと、それに隣接する次の突片が
沈み込むという如く突片が次々と巧くバンプに沈み込ん
でいき、全体としてインナリ−ドの浮きが生じない。

【０００８】

【実施例】図１は本発明の一実施例を示しており、ここ
ではインナリ−ド２はその先端のボンディング部が３つ
の突片２ａ、２ｂ、２ｃに分かれており、半導体チップ
３のボンディングパッド４にバンプ５を介して接合され
る。次に、図２の実施例はインナリ−ド２、２’の先端
にそれぞれ５個ずつの突片２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２
ｅが設けられており、平坦な延べ棒状に形成されたバン
プ５、５’を介してボンディングされている。これらの
インナリ−ド２、２’は超高周波の信号ラインに施され
るためその幅も非常に広く、且つ先端の突片数も多い。 これに対し周波数がそれ程高くない信号ラインに対して
は突片が２つだけのインナリ−ド２０が用いられている
。

【０００９】このようにインナリ−ドの先端が複数の突
片で形成されている場合には、仮に加圧ツ−ルが傾いて
いても、図３に示すように右端の突片２ａが先にバンプ
５に沈み込み、続いて２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅの順で沈
み込むので、全体が確実にボンディングされることにな
り、突片の浮き（従って接続されない部分）が生じない
。また、加圧ツ−ルが傾いておらず、従って各突片に均
一に圧力が加わる場合においても、各突片に加わる圧力
は強くなるので、各突片のバンプ５に対する充分な沈み
込みが実現され、確実にボンディングされることになる
。

【００１０】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ボ
ンディング時にインナリ−ドの１つ１つの突片に加圧ツ
−ルから加えられる圧力が大きくなるので、バンプの沈
み込みが確実になるとともに加圧ツ−ルが多少傾いてい
ても全体としてインナリ−ドの浮きが生じないという効
果があり、高周波用の半導体チップや大電力用の半導体
チップを有する半導体装置の如く幅広のインナリ−ドを
必要とするものにおいて特に有効である。

【図面の簡単な説明】

【図１】　　本発明を実施した半導体装置の要部斜視図
。

【図２】　　本発明の他の実施例の要部斜視図。

【図３】　　本発明によるインナリ−ドのボンディング
状態を示す断面図。

【図４】　　本発明によらずに幅広のままのインナリ−
ドでボンディングする場合の斜視図。

【図５】　　図４の場合の問題点を示す図。

【図６】　　半導体装置の平面的構成を示す図。

【図７】　　図６の要部断面図。

【符号の説明】

１　　テ−プ ２、２’、２０　　インナリ−ド ３　　半導体チップ ４　　ボンディングパッド ５　　バンプ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】テ−プ上に形成されたパケ−ジ用のインナ
   リ−ドを半導体チップのボンディングパッド部にバンプ
   を介してボンディングさせてなる半導体装置において、
   前記インナリ−ドは幅広に形成されているとともに先端
   部が複数の突片で形成されていて、各突片が前記ボンデ
   ィングパッド部にボンディングされていることを特徴と
   する半導体装置。
2. 【請求項２】半導体チップのパッケ−ジングに使用され
   るインナリ−ドであって、先端部を複数に分割したボン
   ディング部を有していることを特徴とするインナリ−ド
   。