JPH02159753A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH02159753A
JPH02159753A JP31528788A JP31528788A JPH02159753A JP H02159753 A JPH02159753 A JP H02159753A JP 31528788 A JP31528788 A JP 31528788A JP 31528788 A JP31528788 A JP 31528788A JP H02159753 A JPH02159753 A JP H02159753A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transmission line
variability
cut
dielectric substrate
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP31528788A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasushi Ose
小瀬　泰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP31528788A priority Critical patent/JPH02159753A/ja
Publication of JPH02159753A publication Critical patent/JPH02159753A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0237—High frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
    • H05K1/0298—Multilayer circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Waveguide Connection Structure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特に超高周波帯で動作する
マイクロ波ハイブリッドＩＣに関する。
〔従来の技術〕
一般に、マイクロ波ハイブリ・ントＩＣは、複数のＧａ
Ａｓ　　ＭＥＳＦＥＴ、ＰＩＮダイオード等の半導体チ
ップ及びそれら整合回路を、誘電体基板上に配設して構
成される。このマイクロ波）ＳイブリッドＩＣは、第３
図に示すように、各段の半導体チップＱ１．Ｑ２に供給
される電源を分離するために、各回路基板、特に段間の
回路基板で５０Ω伝送線路（１）を切り離し、その間を
回路基板上に搭載したチップコンデンサ（４）により高
周波（ＲＦ）的に結合された構造となっていた。すなわ
ち、第４図のように、誘電体基板２上に形成された５０
Ωの伝送線路パターン１と、所定の線路パターン上に配
置されたチップコンデンサ４の電極との間がボンディン
グワイヤ５で接続された構造をとっていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の構成では切り離した片側の５０Ω伝送線
路１の端部金属膜上にチップコンデンサ４をＡｕＳｎ等
の半田でダイアタッチを行い、そのチップコンデンサ４
の電極より他方の５０Ω伝送線路］の端部金属膜上ヘボ
ンディングワイヤ５により接合する構成であるため、ボ
ンディングワイヤ５の長さの再現性７チツプコンデンサ
４の容量のバラツキかあり、特に２０ＧＨｚ以上の準ミ
リ７波帯に於ける特性バラツキ、振幅周波数特性の悪化
をもたらす原因となっていた。
本発明の目的は、このような問題を解決し、整合回路と
なる誘電体基板内にキャパシタンスを形成することによ
り、再現性を良好にすると共に特性のバラツキ等を抑え
た半導体装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の構成は、半導体チップ、整合回路および所定イ
ンピーダンスの伝送線路を誘電体基板上に配設した半導
体装置において、前記誘電体基板上の伝送線路が一部切
離された線路切断部を設け、かつこの切断部およびこの
切断部近傍の伝送線路に対向した前記誘電体基板内に薄
膜導体板を埋込み、この薄膜導体板とその切断部近傍の
伝送線路との間に所定容量を形成したことを特徴とする
。
〔実施例〕 次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例の断面図およ
びその部分上面図である。Ａη２０３などからなる誘電
体基板２上に形成されたＴ　ｉ　／Ｐ　ｄ　／　Ａ　ｕ
より成る５０Ω伝送線路１は、直流電源（ＤＣ）をしゃ
断（カット）するように切断され、この人ρ２０３基板
２内に埋込まれた薄膜導体３及び５０Ω伝送線路パター
ン１との間にもつキャパシタンスにより、ＲＦ的に結合
される。この際、カットオフ周波数及び通過ロスの点で
、１／ω。−５〜１０Ωとなる様な容量値が得られるよ
うに、薄膜導体３の位置を構成する必要かある。
第２図は本発明の第２の実施例の部分上面図である。図
のように、Ａρ２０３基板２上の切断された５０Ω伝送
線路１の端部のパターン面積を第１図より、拡大して形
成する事により、所望の容量値の回路を構成する事がで
きる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、誘電体基板上に５
０Ω伝送線路パターン及び誘電体基板内に埋込まれた薄
膜導体パターンの間のキャパシタンスにより、ＤＣカッ
トを行うため再現性が非常に良くなると共に、従来のボ
ンディングワイヤの長さのバラツキ、及びチップコンデ
ンサの容量のバラツキによる振幅周波数特性の悪化及び
バラツキを改善する事が可能である。また、チップコン
デンサの搭載及びボンディングを行う作業を省略出来、
そのため安価にできるという効果もある。
Ａ（２０３）基板、３・・薄膜導体、４・・・チップコ
ンデンサ、５・・・ボンディングワイヤ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体チップ、整合回路および所定インピーダンスの伝
    送線路を誘電体基板上に配設した半導体装置において、
    前記誘電体基板上の伝送線路が一部切離された線路切断
    部を設け、かつこの切断部およびこの切断部近傍の伝送
    線路に対向した前記誘電体基板内に薄膜導体板を埋込み
    、この薄膜導体板とその切断部近傍の伝送線路との間に
    所定容量を形成したことを特徴とする半導体装置。
JP31528788A 1988-12-13 1988-12-13 半導体装置 Pending JPH02159753A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31528788A JPH02159753A (ja) 1988-12-13 1988-12-13 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31528788A JPH02159753A (ja) 1988-12-13 1988-12-13 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02159753A true JPH02159753A (ja) 1990-06-19

Family

ID=18063583

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31528788A Pending JPH02159753A (ja) 1988-12-13 1988-12-13 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02159753A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004129053A (ja) * 2002-10-04 2004-04-22 Mitsubishi Electric Corp Ｄｃブロック回路および通信装置
JP2006310428A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Casio Comput Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2007068123A (ja) * 2005-09-02 2007-03-15 National Institute Of Information & Communication Technology 超広帯域バンドパスフィルタ
US7196909B2 (en) 2003-02-04 2007-03-27 Sumitomo Electric Industries, Ltd. AC coupling circuit having a large capacitance and a good frequency response
JP2008236174A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Murata Mfg Co Ltd Ｄｃカット回路

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004129053A (ja) * 2002-10-04 2004-04-22 Mitsubishi Electric Corp Ｄｃブロック回路および通信装置
US7196909B2 (en) 2003-02-04 2007-03-27 Sumitomo Electric Industries, Ltd. AC coupling circuit having a large capacitance and a good frequency response
JP2006310428A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Casio Comput Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2007068123A (ja) * 2005-09-02 2007-03-15 National Institute Of Information & Communication Technology 超広帯域バンドパスフィルタ
JP4565145B2 (ja) * 2005-09-02 2010-10-20 独立行政法人情報通信研究機構 超広帯域バンドパスフィルタ
JP2008236174A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Murata Mfg Co Ltd Ｄｃカット回路

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3487639B2 (ja) 半導体装置
JPS6093817A (ja) 可変遅延ライン装置
US6023080A (en) Input/output connection structure of a semiconductor device
JPH07297609A (ja) 半導体装置
US4092664A (en) Carrier for mounting a semiconductor chip
US3961415A (en) Carrier for mounting a semiconductor chip and method therefor
US5389904A (en) Surface-mountable, frequency selective microwave IC package
JPH02159753A (ja) 半導体装置
JP2788838B2 (ja) 高周波集積回路
JP2001352000A (ja) インターポーザを使用した高周波用半導体装置
US5161000A (en) High-frequency thick-film semiconductor circuit
JPH01143502A (ja) マイクロ波集積回路
JPH0936617A (ja) 高周波モジュール
JPH0276401A (ja) マイクロ波帯集積回路
JPH01273404A (ja) 高周波半導体デバイス
US6521972B1 (en) RF power transistor having low parasitic impedance input feed structure
JPH07283340A (ja) 半導体チップ実装用パッケージおよびそれを有する半導体装置
JPS6364081B2 (ja)
JPH0719148Y2 (ja) マイクロ波回路用パッケージ
JPH066512Y2 (ja) 集積回路パツケ−ジ
JPS6045044A (ja) Ｉｃパツケ−ジ
JP2658376B2 (ja) 半導体装置
JPH02140969A (ja) 半導体集積回路装置
JP2504051B2 (ja) 電界効果トランジスタ
JPH05211279A (ja) 混成集積回路