JPH0276401A - マイクロ波帯集積回路 - Google Patents
マイクロ波帯集積回路Info
- Publication number
- JPH0276401A JPH0276401A JP63229547A JP22954788A JPH0276401A JP H0276401 A JPH0276401 A JP H0276401A JP 63229547 A JP63229547 A JP 63229547A JP 22954788 A JP22954788 A JP 22954788A JP H0276401 A JPH0276401 A JP H0276401A
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- Japan
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- microwave band
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- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Waveguides (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
皮栗上夏科朋分野
本発明はマイクロ波帯集積回路に関し、特にはストリッ
プラインで構成されたショートスタブを回路構成要素と
して含むマイクロ波帯集積回路に関するものである。
プラインで構成されたショートスタブを回路構成要素と
して含むマイクロ波帯集積回路に関するものである。
征速１（７）１１転
衛星放送受信機器等の開発に伴ってマイクロ波帯の集積
回路の開発も活発に試みられている。マイクロ波帯にお
ける集積回路では、インピーダンス整合回路部等にスト
リップラインで構成したショートスタブがよく用いられ
る。
回路の開発も活発に試みられている。マイクロ波帯にお
ける集積回路では、インピーダンス整合回路部等にスト
リップラインで構成したショートスタブがよく用いられ
る。
処でマイクロ波帯での回路特性は、設計値と実測値の一
致が必ずしも良くなく、そのため前記インピーダンス整
合回路においても融通性をもたせるべくショートスタブ
の長さを調整可能に設計して、特性改善を図ることが行
われている。第３図は前記のごとくショートスタブの長
さを調整する場合に、従来から用いられている方法を示
すものである。
致が必ずしも良くなく、そのため前記インピーダンス整
合回路においても融通性をもたせるべくショートスタブ
の長さを調整可能に設計して、特性改善を図ることが行
われている。第３図は前記のごとくショートスタブの長
さを調整する場合に、従来から用いられている方法を示
すものである。
第３図においてＧａＡｓ等からなる基板ｌにはマイクロ
波帯集積回路が形成されており、前記基板１の表面には
融通性をもたせて設計したショートスタブ２及び接地面
３が形成されている。第３図中ショートスタブ２と接地
面３との間の＾１−Ｂｌ＋Ａｚ−Ｂｚ＋ Ａ３−８．は
ショートスタブ２を接地するためのボンディングワイヤ
の接続位置を示している。
波帯集積回路が形成されており、前記基板１の表面には
融通性をもたせて設計したショートスタブ２及び接地面
３が形成されている。第３図中ショートスタブ２と接地
面３との間の＾１−Ｂｌ＋Ａｚ−Ｂｚ＋ Ａ３−８．は
ショートスタブ２を接地するためのボンディングワイヤ
の接続位置を示している。
集積回路の動作において、例えば前記位置Ａ、−８゜を
選んでポンディングした場合に得られるインピ−ダンス
整合特性等が不十分なときは、前記ショートスタブ２及
び接地面３に対してその他の位置ＡＸ−ＢＺ或いはＡ３
−８３を選んでボンディングすることによってショート
スタブの長さの調整を行っている。
選んでポンディングした場合に得られるインピ−ダンス
整合特性等が不十分なときは、前記ショートスタブ２及
び接地面３に対してその他の位置ＡＸ−ＢＺ或いはＡ３
−８３を選んでボンディングすることによってショート
スタブの長さの調整を行っている。
発明が解決しようとする課
この種の集積回路において理想的なショートスタブの特
性を得るには、接地面との間を接続するためのボンディ
ングワイヤ例えばＡ−８間はできるだけ短くしなければ
ならない。しかし従来の集積回路構成の設計手法では接
地面３が集積回路チップのエツジを利用して形成される
ため必然的にショートスタブが集積回路基板のエツジ付
近に配置されてしまう。そのため回路設計及びパターン
設計の自由度が著しく減少してしまうと共に、限られた
面積での接地用ボンディング位置の設定を行わなければ
ならないために充分な特性が得られない事態も生じ得る
という問題点があった。
性を得るには、接地面との間を接続するためのボンディ
ングワイヤ例えばＡ−８間はできるだけ短くしなければ
ならない。しかし従来の集積回路構成の設計手法では接
地面３が集積回路チップのエツジを利用して形成される
ため必然的にショートスタブが集積回路基板のエツジ付
近に配置されてしまう。そのため回路設計及びパターン
設計の自由度が著しく減少してしまうと共に、限られた
面積での接地用ボンディング位置の設定を行わなければ
ならないために充分な特性が得られない事態も生じ得る
という問題点があった。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、長さ
の調整が可能なショートスタブを集積回路基板の任意の
位置に配置可能にすることを目的とするものである。
の調整が可能なショートスタブを集積回路基板の任意の
位置に配置可能にすることを目的とするものである。
量 ”′するための
前記目的を達成するために本発明のマイクロ波帯集積回
路は、回路構成要素であるショートスタブの一部を円形
成いは矩形等に湾曲させた形状にし、かつ前記湾曲領域
のほぼ中心部にバイアホールによって接地用ボンディン
グパッドを配置し７、前記ボンディングパッドと前記シ
ョートスタブの湾曲部の任意の点間をボンディングして
構成するものである。
路は、回路構成要素であるショートスタブの一部を円形
成いは矩形等に湾曲させた形状にし、かつ前記湾曲領域
のほぼ中心部にバイアホールによって接地用ボンディン
グパッドを配置し７、前記ボンディングパッドと前記シ
ョートスタブの湾曲部の任意の点間をボンディングして
構成するものである。
作−朋
このような構成によると、接地面を基板の任意の位置に
配置できるために、ショートスタブの回路設計上及びパ
ターン設計上の自由度が増し、かつ前記ショートスタブ
の湾曲部の適当な位置を選んで上記接地用ボンディング
パッドとの間をボンディングすることによって、スタブ
長の調整を効率よく行うことができる。
配置できるために、ショートスタブの回路設計上及びパ
ターン設計上の自由度が増し、かつ前記ショートスタブ
の湾曲部の適当な位置を選んで上記接地用ボンディング
パッドとの間をボンディングすることによって、スタブ
長の調整を効率よく行うことができる。
実施例
第１図は本発明による一実施例を示すマイクロ波帯集積
回路基板の要部平面図で、例えばＧａＡＳからなる半導
体基板４には増幅器（図示せず）等を含んでなるマイク
ロ波帯集積回路が形成されている。前記基板４には、ま
たマイクロ波帯集積回路を配置した基板表面上の余裕ス
ペースを活用して、ストリップラインからなるショート
スタブ５が形成されている。ここで前記ショートスタブ
５の一端側はマイクロ波帯集積回路側に接続されている
のに対して、他端側は円形に湾曲する形状に設計されて
いる。湾曲するショートスタブ５に対してほぼ中心とな
る基板表面の位置にはボンディングパッド６が設けられ
ている。前記ボンディングパッド６は基板４を貫通する
バイアホールを介して基板４の裏面に形成された接地面
に接続されている。
回路基板の要部平面図で、例えばＧａＡＳからなる半導
体基板４には増幅器（図示せず）等を含んでなるマイク
ロ波帯集積回路が形成されている。前記基板４には、ま
たマイクロ波帯集積回路を配置した基板表面上の余裕ス
ペースを活用して、ストリップラインからなるショート
スタブ５が形成されている。ここで前記ショートスタブ
５の一端側はマイクロ波帯集積回路側に接続されている
のに対して、他端側は円形に湾曲する形状に設計されて
いる。湾曲するショートスタブ５に対してほぼ中心とな
る基板表面の位置にはボンディングパッド６が設けられ
ている。前記ボンディングパッド６は基板４を貫通する
バイアホールを介して基板４の裏面に形成された接地面
に接続されている。
マイクロ波帯集積回路の特性の調整時には、ボンディン
グワイヤ７の一端を前記ボンディングパッド６ （ｃｏ
）に接続し、他端を、ボンディングパッド６の囲りに湾
曲形状に形成された前記ショートスタブ５上の位置を選
んで接続する。即ち、ショートスタブ側の接続位置を図
中Ｄ＋、 Ｄｚ、 Ｄ、のように変化させて長さを調整
し、適切な位置を設定する。
グワイヤ７の一端を前記ボンディングパッド６ （ｃｏ
）に接続し、他端を、ボンディングパッド６の囲りに湾
曲形状に形成された前記ショートスタブ５上の位置を選
んで接続する。即ち、ショートスタブ側の接続位置を図
中Ｄ＋、 Ｄｚ、 Ｄ、のように変化させて長さを調整
し、適切な位置を設定する。
前記ショートスタブ５の長さ調整操作において、接地用
ボンディングパッド６は湾曲するショートスタブ５のほ
ぼ中心位１ｆ（ＣＯ）に設けられるためワイヤの一端側
の位置は予め定められるだけでなく、ボンディングワイ
ヤ７は他端位置をＤＩ、 Ｄ２． Ｄ３に変化させても
ワイヤ自体の長さはほぼ一定に保たれ、ジロートスタブ
５の長さ調整の効果だけが特性に反映される。従って回
路設計時に修正パターンを作製する場合等においても最
適なスタブ長を精度よく評価することができる。
ボンディングパッド６は湾曲するショートスタブ５のほ
ぼ中心位１ｆ（ＣＯ）に設けられるためワイヤの一端側
の位置は予め定められるだけでなく、ボンディングワイ
ヤ７は他端位置をＤＩ、 Ｄ２． Ｄ３に変化させても
ワイヤ自体の長さはほぼ一定に保たれ、ジロートスタブ
５の長さ調整の効果だけが特性に反映される。従って回
路設計時に修正パターンを作製する場合等においても最
適なスタブ長を精度よく評価することができる。
前記マイクロ波帯集積回路の基板４には従来装置と同様
に、基板４のエツジ部分を利用して接地面８が形成され
ているが、前記ショートスタブ５を接地するための接地
用ボンディングパッド６は、パイヤホールを介して基板
４表面に導いているため、接地面８の位置に拘わらずマ
イクロ波集積回路パターン、ストリップラインのパター
ン等を考慮した基板上の好ましい位置に配置することが
できる。
に、基板４のエツジ部分を利用して接地面８が形成され
ているが、前記ショートスタブ５を接地するための接地
用ボンディングパッド６は、パイヤホールを介して基板
４表面に導いているため、接地面８の位置に拘わらずマ
イクロ波集積回路パターン、ストリップラインのパター
ン等を考慮した基板上の好ましい位置に配置することが
できる。
第２図は本発明による他の実施例を示す要部平面図で、
前記実施例はショートスタブの形状を円形に湾曲させる
場合を挙げたが、本実施例はショートスタブ５のパター
ンを矩形状に形成し、この矩形領域のほぼ中心部にハイ
ヤホール構成の接地用ボンディングパッド６を形成する
。ショートスタブ５の長さ調整は、ボンディングパッド
６に一端を接続したボンディングワイヤ７の他端の接続
位置を、前記実施例と同様にショートスタブ５上で選択
することによって行うことができる。
前記実施例はショートスタブの形状を円形に湾曲させる
場合を挙げたが、本実施例はショートスタブ５のパター
ンを矩形状に形成し、この矩形領域のほぼ中心部にハイ
ヤホール構成の接地用ボンディングパッド６を形成する
。ショートスタブ５の長さ調整は、ボンディングパッド
６に一端を接続したボンディングワイヤ７の他端の接続
位置を、前記実施例と同様にショートスタブ５上で選択
することによって行うことができる。
本実施例では、ショートスタブ５上の接続位置Ｅｌ、Ｅ
２＋ Ｅａによってボンディングワイヤ７の長さは変化
するが、ショートスタブ５のパターンを直線で構成する
ことができるため、パターンをＣＡＤシステム等を利用
して設計する場合のプログラムや、集積回路を製造する
場合のマスク作製に対する負担を軽減することができる
。
２＋ Ｅａによってボンディングワイヤ７の長さは変化
するが、ショートスタブ５のパターンを直線で構成する
ことができるため、パターンをＣＡＤシステム等を利用
して設計する場合のプログラムや、集積回路を製造する
場合のマスク作製に対する負担を軽減することができる
。
１１Ｆ杉か果
以上のように本発明によれば、接地のためのボンディン
グパッドの位置に対する制限がほとんどなくなり、その
結果ショートスタブを基板の任意の効率的な位置を選ん
で配置でき、特性改善に効果的なスタブ長の微調ができ
る。またこのことによりショートスタブ設計の自由度ひ
いてはマイクロ波帯集積回路全体としての設計の自由度
が増大し、マイクロ波帯集積回路の特性改善のみならず
、性能の向上が図れて集積回路の適用範囲の拡大を図る
ことができる。
グパッドの位置に対する制限がほとんどなくなり、その
結果ショートスタブを基板の任意の効率的な位置を選ん
で配置でき、特性改善に効果的なスタブ長の微調ができ
る。またこのことによりショートスタブ設計の自由度ひ
いてはマイクロ波帯集積回路全体としての設計の自由度
が増大し、マイクロ波帯集積回路の特性改善のみならず
、性能の向上が図れて集積回路の適用範囲の拡大を図る
ことができる。
第１図は本発明の一実施例を示す要部平面図であり、第
２図は本発明による他の実施例を示す平面図である。第
３図は従来のショートスタブ接地パターンを示す平面図
である。 ４一基板、５−ショートスタブ。 ６−ボンディングパッド。 ７−ボンディングワイヤ、８−接地面。
２図は本発明による他の実施例を示す平面図である。第
３図は従来のショートスタブ接地パターンを示す平面図
である。 ４一基板、５−ショートスタブ。 ６−ボンディングパッド。 ７−ボンディングワイヤ、８−接地面。
Claims (1)
- （１）ストリップラインからなるショートスタブを含ん
でなるマイクロ波帯集積回路において、前記ショートス
タブの一端は湾曲形状をなし、前記湾曲形状で囲まれた
領域のほぼ中心部に、バイアホールによって形成された
接地用ボンディングパッドを配置し、前記接地用ボンデ
ィングパッドと湾曲状ショートスタブ間を導体で接続し
てなることを特徴とするマイクロ波帯集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63229547A JPH0276401A (ja) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | マイクロ波帯集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63229547A JPH0276401A (ja) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | マイクロ波帯集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0276401A true JPH0276401A (ja) | 1990-03-15 |
Family
ID=16893877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63229547A Pending JPH0276401A (ja) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | マイクロ波帯集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0276401A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5363060A (en) * | 1992-08-12 | 1994-11-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Microwave amplifier |
| EP0902497A2 (de) * | 1997-09-11 | 1999-03-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Resonator mit einstellbarer Resonanzfrequenz |
| WO2003069723A1 (fr) * | 2002-02-12 | 2003-08-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif de repetition des signaux |
| JP2015061278A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 信号伝送路 |
| US20150200660A1 (en) * | 2014-01-15 | 2015-07-16 | Fujitsu Limited | Integrated circuit and transmission and reception apparatus |
-
1988
- 1988-09-13 JP JP63229547A patent/JPH0276401A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5363060A (en) * | 1992-08-12 | 1994-11-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Microwave amplifier |
| EP0902497A2 (de) * | 1997-09-11 | 1999-03-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Resonator mit einstellbarer Resonanzfrequenz |
| EP0902497A3 (de) * | 1997-09-11 | 2000-03-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Resonator mit einstellbarer Resonanzfrequenz |
| WO2003069723A1 (fr) * | 2002-02-12 | 2003-08-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif de repetition des signaux |
| US6988898B2 (en) | 2002-02-12 | 2006-01-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Signal repeating device |
| JP2015061278A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 信号伝送路 |
| US20150200660A1 (en) * | 2014-01-15 | 2015-07-16 | Fujitsu Limited | Integrated circuit and transmission and reception apparatus |
| US9647656B2 (en) * | 2014-01-15 | 2017-05-09 | Fujitsu Limited | Integrated circuit and transmission and reception apparatus |
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