JP2007068123A

JP2007068123A - 超広帯域バンドパスフィルタ

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Publication number: JP2007068123A
Application number: JP2005255131A
Authority: JP
Inventors: Yoshihito Ri; 可人李
Original assignee: National Institute of Information and Communications Technology
Current assignee: National Institute of Information and Communications Technology
Priority date: 2005-09-02
Filing date: 2005-09-02
Publication date: 2007-03-15
Anticipated expiration: 2025-09-02
Also published as: JP4565145B2

Abstract

【課題】ＵＷＢ規格の周波数帯域において、２０％以上の比帯域特性をもち、減衰の少ないバンドパスフィルタを実現する。
【解決手段】ブロードサイド結合する結合導体と、接地導体と導波導体からなり前記結合導体のひとつに電気信号を入力する入力側の導波路と、接地導体と、導波導体と、前記結合導体の他のひとつから電気信号を出力する出力側の導波路と、で構成する。結合導体の導波路側と反対側は開放端であるか、短絡端である。また、導波路は、マイクロストリップラインあるいは共平面導波路である。特に、２つのブロードサイド結合を直列に接続したもので、２対の結合導体を１対の面のそれぞれに２つずつ割り当てて配置し、一方の面に配置された２つの結合導体を、導波導体で接続し、他方の面に配置された２つの結合導体を、入力側の導波路の導波導体あるいは、出力側の導波路の導波導体に接続する。
【選択図】図１

Description

この発明は、比帯域が２０％を超えるような超広帯域バンドパスフィルタに関している。

動画等の大容量情報も配線を要さず高速に通信できるＵＷＢ(Ultra Wide Band)無線システムがネットワーク用途に急速に普及することが予測されている。UWB無線システムでは、それぞれの通信装置が非常に広い周波数帯域を利用して通信するため、より広い超広帯域のバンドパスフィルタが求められている。

フィルタの広帯域特性を明示するために、比帯域＝（通過帯域幅）／（通過帯域の中心周波数）、が用いられる。

特許文献１には、複数の誘電体層を積層して成る誘電体基板の同一誘電体層間に、互いに電磁界結合しあう第１の帯状共振用導体膜、共振回路を構成する第２の帯状共振用導体膜を並設するとともに、前記積層基板の裏面に、各帯状共振用導体膜と対向する裏面アース導体膜を配置し、前記積層基板の表面に、第２の帯状共振用導体膜に対向するように表面アース導体膜を配置した高周波フィルタが記載されている。

また、特許文献２には、基板の一主面上に形成された金属導体によって構成される共平面構造の伝送路を用いた共振器を備え、前記共振器を横断して前記共振器と電磁結合する入出力用の信号線を前記基板の他主面に設けた構成とする高周波フィルタが記載されている。

また、特許文献３には、誘電体基板と、両端が開放され、互いに電磁結合した状態で誘電体基板上に形成された複数のストリップ線路共振器と、誘電体基板上に形成された外部回路接続用の二つの伝送線路とを備え、ストリップ線路共振器の少なくとも１つ以上をその長さ方向の中央部において屈曲させることで、一つ置きの線路間の電磁結合が少なくし、通過帯域をフラットとし、また、通過帯域よりも低い周波数帯のスカート特性を急峻としたバンドパスフィルタが記載されている。

また、特許文献４には、マイクロストリップ線路を用いた４端子の方向性結合器が開示されている。特に図４Ｄには、広帯域の結合特性が示されている。

しかし、上記の例では、特許文献１から３の場合は、ＵＷＢ無線システムに充分に広い帯域幅を持った濾波特性をもっておらず、また、特許文献４の場合は、フィルタとして用いると挿入損が大きいという問題があった。

特開２００２−１９８７０２号公報特開２００３−１１５７０１号公報特開２００４−１０４５８８号公報特開平０３−２９６３０４号公報

"MICROSTRIP FILTERS for RF/MICROWAVE APPLICATIONS"、 Wiley Series In Microwave And Optical Engineering, pp.278-279.

ＵＷＢ無線通信システムで、２０ないし１００％以上の比帯域特性をもち、挿入損が小さく良好な群遅延特性を持ったバンドパスフィルタを実現する。

この発明によって、１００％以上の比帯域とＵＷＢ無線通信規格に要求される帯域外減衰特性とを、ひとつのパンドパスフィルタで同時に実現できる。これは、従来実現困難であった。

本発明の超広帯域バンドパスフィルタでは、図1に示す様に、第１の入力端から伸びる導波路に接続された導体で開放端あるいは接地導体との短絡端をもつ結合導体と、出力への導波路に接続された導体で開放端あるいは接地導体との短絡端をもつ結合導体とを空気あるいは誘電体を挟み対向して配置しており、前記の結合導体や導波路の近くに接地導体を設けている。この構造は結合導体間の電磁結合を介してバンドパスフィルタとして動作する。通過特性例を図１（ｂ）に示す。

ここで、それぞれの結合導体間の電磁結合を強くした場合には、図１（Ｃ）に示す様に、通過強度が最大となる周波数ｆ₀付近で平坦な特性を示す様になる。本発明は、このような平坦な特性を積極的に実現するものであり、高周波数領域における強い電磁結合を実現するために、ブロードサイド結合を用いる。

高周波信号を有効に伝送するには、マイクロストリップ線路や共平面導波路のような導波路が用いられる。２つの導波路が接近してあると導波路間に電磁結合が生じる。電磁結合した２つの導波路の位置関係の違いにより、電磁結合する部位が異なり、ブロードサイド結合とエッジ結合に分けられる。

エッジ結合は、平面形の伝送線路を同じ平面に平行に２本（または複数本）並べて構成する。電磁エネルギーは、主に接近し合ったエッジ間の静電容量の大きさに依存するためエッジ間に間隔が小さいほど、強い結合が生まれる。しかし、加工精度などの物理的な制限を受け、一定以上の強い結合を得ることは難しい。また、結合部分に接続する伝送線路とインピーダンス整合を取るためには、伝送線路より少し小さくならなければならない。

ブロードサイド結合は、平面であるが異なった２つ以上の並行する面上にそれぞれ導体を配置して構成する。広い面が対向して大きな電磁結合が得られるので、エッジ結合構造に比べて原理的に大きな結合が得られやすい。製造的には、エッジ結合を用いる場合ほど簡便ではないが、エッジ構造の場合の様な加工精度による結合の制限は受けないため、強い結合を得るには適した構造である。また、ブロードサイド結合構造の結合部分は、導波路とインピーダンス整合を取るため、導波路より線路幅が大きくなるのが構造上の特徴である。

本発明のブロードサイド結合を示す例の一部に、基板上に作られたコンデンサと類似した形状を有するものがある。また、入出力端は誘電体を介して独立した導体であるため必然的に静電容量は存在する。このように、入力端から出力端へ向かう経路はコンデンサで結合された回路のようにも見える。しかしながら、本発明はブロードサイド結合構造のほかに導波路を含み、導波路は接地導体を有する。さらに、伝播する信号は進行波として存在する。このように、単なるコンデンサとは動作原理が異なり、さらに、導波路と接地導体を備えている点で、構成要素も異なるものである。

このようなことから、本発明の超広帯域バンドパスフィルタは、1対あるいは複数対のブロードサイド結合する結合導体と、複数対の場合は前記の結合導体を接続する導波路と、接地導体と導波導体とからなり前記結合導体のひとつに電気信号を入力する入力側の導波路と、接地導体と導波導体からなり前記結合導体の他のひとつから電気信号を出力する出力側の導波路と、で構成するものである。

また、入力側の導波路に接続された結合導体、および、出力側の導波路に接続された結合導体は、ともに開放端を有するように構成することができる。

また、入力側の導波路に接続された結合導体、および、出力側の導波路に接続された結合導体は、ともに短絡端を有するように構成することができる。

入力側の導波路に接続した結合導体の幅は、入力側の導波路の導波導体の幅よりも大きく、且つ、出力側の導波路に接続した結合導体の幅は、出力側の導波路の導波導体の幅よりも大きくすることにより、インピーダンスの整合を図るものである。

また、入力側の導波路あるいは出力側の導波路は、マイクロストリップラインあるいは共平面導波路を構成するものである。つまり、入力側の導波路がマイクロストリップラインであり出力側の導波路が共平面導波路である組み合わせ、入力側の導波路と出力側の導波路が共にマイクロストリップラインである組み合わせ、あるいは、入力側の導波路と出力側の導波路が共に共平面導波路である組み合わせである。

また、本発明の超広帯域バンドパスフィルタでは、マイクロストリップラインを構成する導波路の第１の導波導体と第１の導波導体に接続された結合導体とを第１の面上に設け、
第１の導波路に伴う接地導体と共平面導波路を構成する導波路の第２の導波導体と第２の導波導体に接続された結合導体と第２の導波路の接地導体とを第２の面上に設け、
第１と第２の面は、並行する配置とする。

また、入力側の導波路と出力側の導波路とは、それぞれ導波導体と接地導体で構成される共平面導波路であって、
入力側の導波路を構成する導波導体および接地導体と、入力側の導波路を構成する導波導体に接続された結合導体と、を第１面上に設け、
出力側の導波路を構成する導波導体および接地導体と、出力側の導波路を構成する導波導体に接続された結合導体と、を第２面上に設ける。

また、ブロードサイド結合する一対の結合導体を、単層あるいは多層構造の電気絶縁体、またはガス体、または真空を挟んで並行する導体で構成する。

また、上記の超広帯域バンドパスフィルタを直列に接続したものであって、
２つのブロードサイド結合を構成する２対の結合導体を１対の面のそれぞれの面に２つの結合導体を割り当てて配置し、
一方の面に配置された２つの結合導体を、導波導体を介して連続し、
他方の面に配置された２つの結合導体を、入力側の導波路の導波導体あるいは、出力側の導波路の導波導体に接続する。

また、並行する少なくとも２つ以上の面に配置したもので、上記した少なくとも２つ以上の超広帯域バンドパスフィルタを備え、複数の超広帯域バンドパスフィルタを構成する複数の結合導体を、導波用導体を用いて、直列、並列、あるいは任意の直並列に、接続する。

あるいは、順に並行する第１、第２、第３の電気導体面から選択した第１面と第２面とを用いて構成したもので、請求項１から８のいずれかに記載の第１の超広帯域バンドパスフィルタと、第２面と第３面とを用いて構成した上記の第２の超広帯域バンドパスフィルタとを、第２面に形成したそれぞれの結合導体を接続する導波導体を用いて、直列に接続したものであり、上記の第１、第２、あるいは第３の面のいずれかに接地導体を設けたものである。

また、順に並行する第１、第２、第３、第４の面のうち、第１あるいは第４の面に接地導体領域を設け、第２、第３の面に、上記の超広帯域バンドパスフィルタを設けたものである。

また、通過帯域特性の異なる上記の複数の超広帯域バンドパスフィルタを、直列、並列、あるいは直並列接続したものである。

通過帯域特性の異なる上記の複数の超広帯域バンドパスフィルタを直列、並列、あるいは直並列接続したものであって、
通過帯域特性は、入出力を行なう２つの導波用導体間の距離を変えて設定したものである。

また、上記の複数の超広帯域バンドパスフィルタと、前記超広帯域バンドパスフィルタの遮断周波数をより高い遮断周波数をもったローパスフィルタとを直列接続したものである。

入力側の導波路の導波導体に接続された結合導体と、出力側の導波路の導波導体に接続された結合導体とは離間しており、その距離はブロードサイド結合する結合導体間の距離の３倍以下とする。

以下に、この発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の説明においては、同じ機能あるいは類似の機能をもった装置に、特別な理由がない場合には、同じ符号を用いるものとする。

本発明の超広帯域バンドパスフィルタの例を、先ず図２を用いて説明する。入力部は、接地導体３とそれに対向するマイクロストリップライン型の導波路１で構成される。結合導体１０の一端は導波路１に連結しその他端は開放端である。出力部は、上記の導波路１から結合導体１０にいたる構造とは概ね逆向きになっており、導波路２と連続する結合導体１１で構成される。導波路２は、ＣＰＷ（共平面導波路）であり、入力端に近い側は、開放端である。結合導体１０と１１とは、空気や４塩化炭素などのガス体あるいは、誘電膜を含めた絶縁膜を挟んで対向しており、ブロードサイド結合をしている。この例では、入力側と出力側とは、線対称になっているが、線対称から外れていても超広帯域バンドパスフィルタとして機能する。また、ブロードサイド結合部の信号の進行方向の長さ（Ｌ）が信号波長のほぼ半分の時に高周波数側の通過特性に減衰極（ポール）が生じる。つまり、通過帯域幅は、Ｌに半比例している。また、図２では、結合導体は長方形である場合を示したが、長方形の四隅の角を落とす面取りを施して電界集中を避けることができる。また、一般に、長方形である必要はなく、進行波が反射しない形状であれば用いることができる。

図２のブロードサイド結合の通過帯域特性の測定例を図３に示す。結合導体は比誘電率９．６、厚さ０．２５４ｍｍの基板を挟んで設けたもので、幅１６ｍｍ、長さ３５ｍｍの長方形である。この図から得られる比帯域は約１７０％である。

図４に、接地導体に対して短絡端をもったブロードサイド結合を用いた超広帯域バンドパスフィルタの例を示す。入力端は共平面型導波路２ａでブロードサイド結合導体１１ａに接続されている。結合導体１１ａの導波路２ａの反対側は短絡端であり、接地導体３ａに接続されている。結合導体１１ａに対向する結合導体１１ｂもまた短絡端であり、接地導体３ｂに接続されている。出力部は結合導体１１ｂと結合導体１１ｂに連続する共平面型導波路２ｂとで構成される。この場合も、結合導体１１ａと１１ｂとは、空気や４塩化炭素などのガス体あるいは、誘電膜を含めた絶縁膜を挟んで対向しており、ブロードサイド結合をしている。図４では、結合導体は長方形である場合を示したが、接地導体に短絡していない長方形の二隅の角を落とす面取りを施して電界集中を避けることができる。また、長方形である必要はなく、進行波が反射しない形状であれば用いることができることは、開放端の場合と同様である。

図４に示す短絡端のブロードサイド結合を用いた超広帯域バンドパスフィルタの通過帯域特性の測定例を図５に示す。結合導体は比誘電率２．１７、厚さ０．５０８ｍｍの基板を挟んで設けたもので、幅３８ｍｍ、長さ７０ｍｍの長方形である。この場合の比帯域は約１２０％である。

図６は、図２の構成を共平面部分で直列接続したものである。導体１０ａと導体１０ｂとの距離は、ギャップＧで表す。ここで、図６の構成を３段直列接続したときの通過特性の実測値を図８に示す。この実測で用いたサイズを図７に示す。図８のＳ₂₁特性から、３．００ＧＨｚから１０．６３ＧＨｚまで通過する良好な超広帯域バンドパスフィルタが形成されている事が分かる。この比帯域は、約１１０％である。

図９は、Ｇ＝１．５ｍｍの条件で、Ｌを変化させたときの通過特性の変化を示している。また、図１０は、この結果から得られた共振周波数と比Ｌ／λ_g（但し、λ_g＝λ₀／ε_r、ε_rは導体間の物質の比誘電率）との関係を示している。この図７から、比例定数は０．４７であり、ほぼ１／２であることが分かる。この関係を用いて、通過特性を自由に設計することができる。

また、図１１は、Ｌ＝７ｍｍのもとで、Ｇを変化させた結果である。また、ギャップと共振周波数との関係を図１９に示す。この図から明らかなように、ギャップを最大で１．６ｍｍ程度まで変えることによって、高周波数側の減衰ポールを線形に制御できることが分かる。これは、結合導体間の誘電体の厚さの約３倍に相当する。

図１２は、それぞれがマイクロストリップラインの導波路に連続した結合導体間のブロードサイド結合を用いた超広帯域バンドパスフィルタを示す。

また、図１３は、それぞれが共平面導波路に連続した導体間のブロードサイド結合を用いた超広帯域バンドパスフィルタを示す。この例の特徴は、入力側と出力側が対象なことである。

また、図１４に、上下からシールド層で挟まれたもので、それぞれが共平面導波路に連続した導体間のブロードサイド結合を用いた超広帯域バンドパスフィルタを示す。この例の特徴は、輻射損が少なく、また、外部雑音を拾うことが少ないことである。

また、図１５は、マイクロストリップライン型の超広帯域バンドパスフィルタと、共平面型の超広帯域バンドパスフィルタとを直列接続したものであり、入力用の導波導体と出力用の導波導体とを別の面に形成したものである。さらに多段の直列接続も可能である。これは、さらに導波導体や結合導体を形成する導体層と、誘電体層とを多数積層して形成することができる。あるいは、上層から入力して、より下層の導体層の導体で直列接続になるようにし、再び、より上層の導体層の導体で直列接続になるようにすることで、形成することが出来る。

図１６は、超広帯域バンドパスフィルタとローパスフィルタを直列接続したも実施例である。ローパスフィルタは、入力側、出力側のどちらでも同じ効果となる。このローパスフィルタ１５は、超広帯域バンドパスフィルタの周期的な通過特性を、最も低周波数の通過帯域に制限するためのものである。

図１７は、単独の超広帯域バンドパスフィルタの通過特性について、立ち上がり特性と立ち下り特性を単独のフィルタの通過特性と異なったものを実現するために、直列接続を用いるものである。図１６は、マイクロストリップライン型の超広帯域バンドパスフィルタを直列に接続したものである。また、図１７は、ブロードサイド結合部分の長さ、ＬａとＬｂが異なるものを直列に接続した例を示す。さらに導体間の間隔ＧａとＧｂについても、異なるものである。

図１８は、通過特性の異なるマイクロストリップライン型の超広帯域バンドパスフィルタを並列に接続して、異なる帯域の信号を濾波して出力１あるいは２に分離するものである。図１８では、ブロードサイド結合部分の長さＬａとＬｂを同じにして、マイクロストリップライン型の導体の間隔ＧａとＧｂを異なるものとした。さらに、図１９に示したように、この間隔を調整することによって、通過帯域特性を僅かに異なる特性とすることは容易である。

上記の超広帯域バンドパスフィルタをＵＷＢ送信機に用いてＵＷＢ以外の放射を抑制した例を図２０に示す。狭帯域通信機に狭帯域バンドパスフィルタを用いる場合と同様に、ＵＷＢ通信機に本発明を適用することができる。

従来のバンドパスフィルタを用いてトラップ回路を形成する場合と同様に、本発明の超広帯域バンドパスフィルタを用いて、トラップ回路を形成ことができる。また、本発明の超広帯域バンドパスフィルタは、広帯域であることを用いて、特にパルス波形整形に用いることができる。

本発明の原理を示す図である。開放端のブロードサイド結合を用いた超広帯域バンドパスフィルタの基本形を示す図である。図３の超広帯域バンドパスフィルタの通過帯域特性例を示す図である。短絡端のブロードサイド結合を用いた超広帯域バンドパスフィルタの基本形を示す図である。図４の超広帯域バンドパスフィルタの通過帯域特性例を示す図である。２段直列に接続した、ブロードサイド結合を用いた超広帯域バンドパスフィルタを示す図であり、（ａ）は鳥瞰図、（ｂ）は、平面図を示す。ブロードサイド結合を用いた超広帯域バンドパスフィルタの具体例を示す図である。ブロードサイド結合を用いた超広帯域バンドパスフィルタの特性例を示す図である。ブロードサイド結合する導体のサイズに依存した超広帯域バンドパスフィルタの特性例を示す図である。波長で除したブロードサイド結合する導体のサイズによる比を示す図である。ギャップ間隔に依存した超広帯域バンドパスフィルタの特性例を示す図である。マイクロストリップ導波路を両極に用いたブロードサイド結合を用いた超広帯域バンドパスフィルタの例を示す図である。共平面導波路を両極に用いたブロードサイド結合を用いた超広帯域バンドパスフィルタの例を示す図である。シールド層を上下に設けたブロードサイド結合を用いた超広帯域バンドパスフィルタの例を示す図である。３層の導体層に渡って２つを直列に構成したブロードサイド結合を用いた超広帯域バンドパスフィルタの例を示す図である。ローパスフィルタに直列に接続したブロードサイド結合を用いた超広帯域バンドパスフィルタの例を示す図である。直列に接続したブロードサイド結合を用いた超広帯域バンドパスフィルタの例を示す図である。２つの異なるブロードサイド結合を用いた超広帯域バンドパスフィルタに同時に入力する例を示す図である。ギャップ間隔と共振周波数との関係例を示す図である。送信機を示すブロック図である。

符号の説明

１マイクロストリップ導波路
２共平面導波路
３接地導体
４空間、ガス体、あるいは絶縁体
５導波路部
６ブロードサイド結合部
７導波路部
８間隙
１０、１０ａ、１０ｂ結合導体
１１、１１ａ、１１ｂ結合導体
１２導波路導体
１３、１３ａ、１３ｂ接地導体
１４結合導体および導波路導体
１５ローパスフィルタ

Claims

ブロードサイド結合する複数の結合導体と、接地導体と導波導体からなり前記結合導体のひとつに電気信号を入力する入力側導波路と、接地導体と導波導体からなり前記結合導体の他のひとつから電気信号を出力する出力側導波路とを用いて構成したことを特徴とする超広帯域バンドパスフィルタ。
入力側導波路に接続された結合導体、および、出力側導波路に接続された結合導体は、ともに開放端を有することを特徴とする請求項１に記載の超広帯域バンドパスフィルタ。
入力側導波路に接続された結合導体、および、出力側導波路に接続された結合導体は、ともに短絡端を有することを特徴とする請求項１に記載の超広帯域バンドパスフィルタ。
入力側導波路に接続した結合導体の幅は、入力側導波路の導波導体の幅よりも大きく、且つ、出力側導波路に接続した結合導体の幅は、出力側導波路の導波導体の幅よりも大きいことを特徴とする請求項２あるいは３に記載の超広帯域バンドパスフィルタ。
入力側導波路あるいは出力側導波路は、マイクロストリップラインあるいは共平面導波路を構成することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の超広帯域バンドパスフィルタ。
マイクロストリップラインを構成する導波路の第１の導波導体と第１の導波導体に接続された結合導体とを第１の面上に設け、
第１の導波路に伴う接地導体と共平面導波路を構成する導波路の第２の導波導体と第２の導波導体に接続された結合導体と第２の導波路の接地導体とを第２の面上に設け、
第１と第２の面は、並行する配置とすることを特徴とする請求項５に記載の超広帯域バンドパスフィルタ。
入力側導波路と出力側導波路とは、それぞれ導波導体と接地導体で構成される共平面導波路であって、
入力側導波路を構成する導波導体および接地導体と、入力側導波路を構成する導波導体に接続された結合導体と、を第１面上に設け、
出力側導波路を構成する導波導体および接地導体と、出力側導波路を構成する導波導体に接続された結合導体と、を第２面上に設けたことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の超広帯域バンドパスフィルタ。
ブロードサイド結合する一対の結合導体を、単層あるいは多層構造の電気絶縁体、またはガス体、または真空を挟んで並行する導体で構成したことを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の超広帯域バンドパスフィルタ。
請求項１から８のいずれかに記載の超広帯域バンドパスフィルタを直列に接続したものであって、
２つのブロードサイド結合を構成する２対の結合導体を１対の面のそれぞれの面に２つの結合導体を割り当てて配置し、
一方の面に配置された２つの結合導体を、導波導体を介して連続し、
他方の面に配置された２つの結合導体を、入力側導波路の導波導体あるいは、出力側導波路の導波導体に接続したことを特徴とする超広帯域バンドパスフィルタ。
並行する少なくとも２つ以上の面に配置した請求項１から９のいずれかに記載の少なくとも２つ以上の超広帯域バンドパスフィルタを備え、
複数の超広帯域バンドパスフィルタを構成する複数の結合導体を、導波用導体を用いて、直列、並列、あるいは任意の直並列に、接続したことを特徴とする超広帯域バンドパスフィルタ。
順に並行する第１、第２、第３の電気導体面から選択した第１面と第２面とを用いて構成した請求項１から８のいずれかに記載の第１の超広帯域バンドパスフィルタと、第２面と第３面とを用いて構成した請求項１から８のいずれかに記載の第２の超広帯域バンドパスフィルタとを、第２面に形成したそれぞれの結合導体を接続する導波導体を用いて、直列に接続したものであり、
上記の第１、第２、あるいは第３の面のいずれかに接地導体を設けたことを特徴とする超広帯域バンドパスフィルタ。
順に並行する第１、第２、第３、第４の面のうち、第１あるいは第４の面に接地導体領域を設け、
第２、第３の面に、請求項１から１０のいずれかに記載の超広帯域バンドパスフィルタを設けたことを特徴とする超広帯域バンドパスフィルタ。
通過帯域特性の異なる請求項１から１０のいずれかに記載の複数の超広帯域バンドパスフィルタを直列、並列、あるいは直並列接続したことを特徴とする超広帯域バンドパスフィルタ。
通過帯域特性の異なる請求項９に記載の複数の超広帯域バンドパスフィルタを直列、並列、あるいは直並列接続したものであって、
通過帯域特性は、入出力を行なう２つの導波用導体間の距離を変えて設定したことを特徴とする超広帯域バンドパスフィルタ。
請求項１から１４のいずれかに記載の複数の超広帯域バンドパスフィルタと、前記超広帯域バンドパスフィルタの遮断周波数をより高い遮断周波数をもったローパスフィルタとを直列接続したことを特徴とする超広帯域バンドパスフィルタ。
入力側導波路の導波導体に接続された結合導体と、出力側導波路の導波導体に接続された結合導体とは離間しており、その距離はブロードサイド結合する結合導体間の距離の３倍以下であることを特徴とする請求項９に記載の超広帯域バンドパスフィルタ。