TWI354336B - Semiconductor device and method of manufacturing t - Google Patents

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TWI354336B
TWI354336B TW093137977A TW93137977A TWI354336B TW I354336 B TWI354336 B TW I354336B TW 093137977 A TW093137977 A TW 093137977A TW 93137977 A TW93137977 A TW 93137977A TW I354336 B TWI354336 B TW I354336B
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semiconductor device
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Yoshitsugu Morita
Hiroji Enami
Junji Nakanishi
Katsutoshi Mine
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Dow Corning Toray Silicone
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Description

1354336 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種製造半導體裝置之方法及由該方法生 產之半導體裝置。 【先前技術】 藉由使用以金屬模轉移模製、以液體密封樹脂灌注 (potting)、或以液體密封樹脂絲網印刷執行密封半導體裝 置。近來朝向半導體裝置小型化之趨勢要求電子裝置更 小、更薄，且允許封裝之樹脂密封僅5〇〇 μιη厚或更薄。 若在薄封裝之樹脂密封中採用轉移模製法，則可精確控 制挽封知丨月曰之厚度，然而存在問題：在液體密封樹脂之流 動令發生半導體晶片之垂直移位，或由於在液體密封樹脂 流動之壓力作用下使連接至半導體晶片之接線變形，因此 發生損壞導線及導線間之連接。 另方面，儘管以液體密封樹脂灌注或絲網印刷一定程 度上保護接線不受損壞且不互相接觸，但此等方法較難以 準確控制密封樹脂塗層且較易引起形成空隙。 曾提議：藉由將未密封之半導體裝置置放入模中，以可 塑樹脂（moldable resin)填充半導體裝置與模之間的空間， 且藉由使用壓縮模製法固化樹脂（見日本特許公開專利申 請公開案（Kokai)(以下稱為（”K〇kain)Hei 8-244064、Kokai Hei 11-77733及Kokai 2000-277551)來解決上述問題且製造 樹脂密封半導體裝置。 然而，由於半導體元件之小型化引起之半導體晶片變 97906.doc ^354336 薄’使得該等方法增加半導體晶片及印刷電路板之赵曲 (taping)且可引起破壞半導體裝置且引起其效能特徵惡 化。 本發明之一目標在於提供一種有效製造密封半導體裝置 之方法，該方法防止在密封材料間形成空隙、允許精確控 制密封裝置之固化聚矽氧體之厚度、防止接線斷開及不良 接觸、且減少半導體晶片與印刷電路板之翹曲。具體而言， 本發明之—目標在於提供一種製造密封半導體裝置之方 法，該方法允許以用於減少半導體晶片與印刷電路板之翹 曲所需之相對低溫來壓縮模製可固化聚矽氧組合物。本發 明之另一目標在於提供具有上述特性之密封半導體裝置。 【發明内容】 藉由本發明可達成上述目#，本發明提供一種藉由將一 半導體裝置置放入一模中且使一填充該模與該半導體裝置 之間之空間之可固化聚石夕氧組合物經受壓縮模製來製造一 密封於-固化聚⑦氧體中之半導體裝置，#中上述可固化 聚矽氧組合物包含以下組份：㈧每分子具有至少兩個稀基 之有機聚錢炫；（B)每分子具有至少兩個鍵抑之氯原子 之有機聚石夕氧炫’·（_類催化劑；及⑼填充劑，其中上 ，·且伤（A)3 srSi〇3/2(其中R為—單價烴基）之碎氧烧單元 及/或式Si〇4/2之石夕惫S -上 〇| . 2 7氧烷早兀或者上述組份（B)含式 =3/2(其中R為-氫原子或—無脂族不飽和碳·碳鍵之單 =之㈣料元及/或式Si〇4/2^w單元，或 及組份⑻中之任一組份含上述石夕氧烧單元。 97906,doc 1354336 另外，本發明亦提供一種由上述方法製造之半導體裝置。 發明作用 ~ ° 本發明之方法提供有效製造密封半導體裝置、防止於密 封材料中形成空隙、允許精確控制密封裝置之固化聚矽氧 體之厚度、防止接線斷開及不良接觸、且減少半導體晶片 及印刷電路板之翹曲之作用。具體而言，本發明提供Z種 製造密封半導體裝置之方法’該方法允許以用於減少半導 體晶片及印刷電路板翹曲所需之相對低溫來壓縮模製可固 化聚矽氧組合物。此外，本發明提供具有上述特性之密封 半導體裝置。 【實施方式】 首先詳細考慮本發明之用於製造密封半導體裝置之方 法。 本發明之方法包含1)將一未密封之半導體裝置置放入一 模中，2)以可固化聚矽氧組合物填充該模與該半導體裴置 之間之空間’ 3)使上述可固化聚矽氧組合物經受壓縮模 製。具有一適於實現本發明方法之模之加壓模製機可為習 之壓縮模製機器，其包含：一上部模及—下部模，該等模 形成一模穴’該模穴係用於容納上述半導體裝置且用於以 可固化聚石夕氧填充此模穴；一夾持器，其用於施加壓力； 及一加熱器，其用於藉由加熱來固化上述可固化聚矽氧組 合物。例如’在KoKai Hei 8-244064、KoKai Hei 11-77733 及KoKai 2〇〇〇_277551中描述了該等加壓模製機器之實例。 在此等專利尹，KoKai 2000-277551中所描述之機器是最佳 97906.doc 1354336 的’因為其具有極為簡單的構造。 更具體而言’在KoKai2__277551之愿縮模製機器中， 7未密封之半導體裝置置放入一下部模中，接著將可固化 聚矽氧組合物饋入上部模與半導體裝置之間之空間内後 者係夾緊於上部模與下部模之間，且可固化聚矽氧組合物 經梵壓縮模製。上述壓縮模製機器具備一夹持器，該夹持 器為一封圍該上部模之側面且能夠在打開與閉合方向 上沿著上述側面向上及向下滑動之框架形體，使得當打開 杈且夾持器之下端自該上部模之下部樹脂模製面向下突出 時，夾持器一般向下偏壓。若上部模及下部模與可固化聚 矽氧組合物直接相接觸，則推薦使用氟型樹脂 _n)塗覆模之卫作表面。具體而言，該等壓縮模製機器具 備饋入機構’該等饋人機構用以將可自模及固化聚碎氧體 脫離之膜饋人上部模之卫作位置。由於在上述壓縮模製機 器令藉由離型膜密封半導體裝置且模之樹脂模製面上未黏 有樹脂，因此樹脂模製空間由離型膜安全地密封，且可執 行模製而不形成樹脂溢料。 壓縮模製機器亦具備適用於可自模及固化聚矽氧體剝離 之膜的另—饋入機構，該饋入機構用以饋入上述離型膜以 覆蓋下部模之-欲支推未密封之半導體裝置之表面。機器 八備離型膜抽吸機構，該機構藉由抽氣將離型膜固定於 夾持β之下端面且將離型膜固定於由上部模之工作表面與 夾持器之内表面所界定之模空間的内表面上。&可藉由自 樹脂密封區域之内底面抽氣來達成。該配置可靠地將離型 97906.doc 1354336 膜固持於模之工作表面上。該離型膜抽吸機構進一步包含 一開口於夾持器之下端面之通氣口及一開口於失持器之内 面且與一形成於夾持器之内面與上部模之側面之間的空氣 通道連通之通氣口。亦可能為每一通氣口均提供一個別空 乳抽吸機構。上部模之工作表面可具有用於模製對應於半 導體裝置上之半導體晶片之位置的獨立元件的模穴。相似 地，下部模之工作表面亦可具有用於模製對應於半導體裝 置上之半導體晶片之位置的獨立元件的模穴。上部模能夠 在打開模及閉合模之方向上進行移動且朝向下部模偏壓。 下部模在其工作表面上具有一溢出式模穴（overflow cavity)，該模穴係用於當半導體裝置經受密封時，積聚自 樹脂模製空間溢出之可固化聚矽氧組合物。該機器亦具有 一閘通道（gate channel)，該通道使該溢出式模穴與壓在半 導體裝置之夾持器之夾持表面上之密封區域連接。 在操作中，將未密封半導體裝置置放入下部模中，將可 固化聚碎氧组合物饋人上部模與上述半導體裝置之間之空 間内’以可自模及固化聚石夕氧體剝離之膜塗覆樹脂模製區 域’且半導體裝置以及可固化聚矽氧組合物被夾緊於上部 模與下料之間。此時’該夾持器在打開模及閉合模之方 向上沿著模製區之側面進行移動且向下偏壓至上部模，以 在上部模之樹脂模製面之下方突出其下端。接著該夫持器 與該半導體裝置相接觸、密封密封區之外圍，且當該上部 模及該下部模逐漸朝向彼此移動時，可固化聚石夕氧組合物 填充模製空間。在夾持操作期間，該夹持器以框架般方式 97906.doc •10· 1354336 封圍該樹脂模製空間。上部模與下部模之移動於夹緊位置 處停止，且結果，模製空間完全由可固化聚矽氧組合物填 充’且該半導體裝皇之密封完成。 圖1說明適於實現本發明之方法之壓縮模製機器之主要 結構單元。在此圖式中，參考數字20表示一固定壓板，數 字30為一可移動壓板。兩個壓板皆連接至一加壓單元並由 該加壓單元所支撐。該加壓單元可由電力或水力驅動且藉 由在垂直方向上移動該可移動壓板3〇執行一密封操作。 參考數字22表示一連接至該固定壓板2〇之下部基底。一 設定部分形成於一下部模23之頂面。待由本發明之方法密 封之未迸封半導體裝置16包含一印刷電路板12及複數個半 導體日曰片1〇，該等晶片1〇彼此間隔且以縱向及橫向方向排 歹J於印刷電路板12上。未密封半導體裝置16置放入下部模 23中。參考數字24表示附接至下部基底22之加熱器。加熱 益24加熱下部模23及設定於該下部模23中之未密封半導體 裝6。參考數字26表示下部夾緊制動器_叫st〇p㈣， 女裝於下部基底22中且界定上部模34頂部及下部模23之 夾緊位置。 ^部基底32固定於可移動壓板3〇上。該裝置含有一固定 於忒上基底32上之上部固持器33。上部模“固定於該上 夺器3 3上在本發明之方法之實施例中，在印刷電路 板之側面上提供半導體晶片1 〇，且密封印刷電路板i 2 上之該等半導體晶片1〇並壓平密封表面。為此，亦在密封 區之整個表面上壓平上部模34之工作表面。一提供於裝置 97906.doc 1354336 中之夾持器36形成-框架形組態且封圍該上部模34及該上 部固持器33之側面。該夹持器36附接至上部基底^上且能 夠相對該上部基底32垂直移動。通常，藉由彈簧37朝向下 部模23彈壓夾持器36。自失持器36之邊緣些微回縮上部模 34之工作表面，使得在夾持器刊之内面與上部模“之工作 表面之間於模之閉合位置處形成一㈣區。彳藉由除彈簧 37之外的其它方式彈壓夾持器36，例如，藉由空氣缸或其 類似物。 參考數字38表㈣接至上部基底32之加熱^加熱器％ 加熱上部模34及上部固持器33使得在閉合模時加熱半導體 裝置i6。g裝置具備安裝於上部基底32中之上部夹緊制動 器39。上部夾緊制動器39與下部夹緊制動器％彼此對準， 使得當模閉合時，制動器之相配端面互相接觸。當可移動 麼板30由加|單元的作用向下移料，上部夾緊制動器μ 在模之夾緊位置處接觸下部夾緊制動器26。由上述夾緊位 置界定密封區内之固化聚矽氧體層之厚度。 參考數字4〇&及4〇1)表示離型膜，該等膜為具有適於覆蓋 上部模34及下部模23之工作區域之寬度的狹長帶。離型膜 適於塗覆工作區之密封表面’以排除模之工作表面與可固 化聚矽氧組合物的直接接觸。離型膜4〇a及4〇b由具有均勻 強度之軟材料製成且易變形以覆蓋模之工作表面上之凹進 部分及突起。同時’該等膜之材料應具有足以耐模製溫度 之熱敏電阻且應可容易地自固化聚石夕氧體及模剝離。該等 膜之實例為：自聚四氟乙稀（PTFE)樹脂、乙婦與四氣乙稀 97906.doc 12 1354336 之共聚物（ETFE)、四氟乙烯與全氟丙烯之共聚物（fep)、聚 偏氟乙烯樹脂製成之膜或相似氟樹脂膜；聚對苯二甲酸乙 二酯（PET)樹脂膜及聚丙烯膜（PP)。 如按本發明之方法僅密封印刷電路板12之一側，則與可 固化聚矽氧組合物相接觸之膜為饋入上部模34之離型膜 40a。將離型膜40b額外饋入下部模23之工作表面將改良密 封之可靠性並藉由有效吸收由於離型膜4〇b之壓縮性及彈 性引起之印刷電路板12之厚度不均而排除形成擠出物。然 而原則上僅需將離型膜40a供應至上部模34—處就可執行 密封。 參考數字42a及42b表示饋入離型膜40a及40b之饋入滾 筒’而44a及44b表示用於離型膜40a及40b之引取滾筒。如 圖所示’饋入膜滾筒42a、42b與引取膜滾筒44a、44b位於 模之相對側。上部模之饋入膜滾筒42a及引取滾筒44a附接 至可移動壓板30，而饋入膜滾筒42b及引取膜滾筒44b附接 至固定壓板20 »在該配置中，離型膜4〇a及4〇b自模之一側 移動至另一側。上部模之饋入膜滾筒42a及引取滾筒4牦與 可移動壓板30—同垂直移動。參考數字46表示導引滾筒， 且數子48表不靜電去除劑，即自離型膜40a及40b移除靜電 電荷之電離劑。 饋入上。卩模34之離型膜4〇a固定於上部模34上且由抽氣 所固持。夾持器36具有在夾持器36之下端面開口之通氣口 3/a ’及在失持器36之内部側面開口之通氣口 3化。該等通 六6a連接至位於模外部之抽吸單元。一密封環安裝於夾 97906.doc 1354336 持器之滑動内表面上之上部固持器33上，以防止經由通氣 口 36b抽吸空氣時發生鴻漏。在上部模“之側面及上部固持 态33之側面’與夾持器36之内面之間形成空間以用於一空 氣通道，使得在經由通氣口 36b之抽吸空氣的作用下，離$ 膜術可應用於且固定於由上部模⑽失持器⑽成之模 製區之内表面上。除抽吸行為外，連接至通氣口363及爲 之柚吸單元可產生壓縮空氣。將壓縮空氣供應至通氣口 及36b可便於離型膜40a自模之工作表面分離。 下文為藉由使用上述模來密封半導體裝置之本發明之方 法的描述。 圖1中，在中線CL左側之模中所展示之可移動壓板3〇處於 打開狀態，其中其位於其最高位置。在此狀態下，離型膜 40a及40b重新饋入模之工作表面，同時半導體裝置μ置放 入下部模23中。該半導體裝置16係放置於覆蓋下部模幻之 表面的離型膜4〇b上。 圖1中，中線CL右側之模展示了一種其中藉由抽吸作用離 型膜40a附著至上部模34及夾持器％之下部端面之狀態。離 型膜40a饋入模之工作表面，經由通氣口 36a及36b抽吸了空 氣，離型膜40a置放且固定於夾持器36之下端面上，同時離 型膜40a密接且固定於夾持器36之内表面及上部模34之工 作表面上。由於離型膜4〇£1是足夠柔軟且可伸展的，在抽吸 作用下’其可緊密地密接夾持器36之内表面及上部模34之 工作表面上的凹進部分。夾持器36端面上之通氣口 36a彼此 間隔預定距離且分佈在整個上部模34之外圍上。 97906.doc •14· 1354336 離型膜40a由抽氣固定於上部模34上。將可固化聚石夕氧組 合物50供應於半導體裝置16之印刷電路板12上。推薦使用 分配器或相似配料裝置供應對應於密封空間之内體積之數 量的可固化聚石夕氧組合物。
圖2 s兑明處於其中半導體裝置16夾緊於上部模34與下部 模23之間之狀態的模。此圖示中所示之中線CL左側之模的 部分說明以下狀態：上部模34向下移動且夾持器％之下端 面壓在半導體裝置16之印刷電路板12上。上部模“尚未到 達完全夾緊之位置，但由於模製空間之外圍是閉合的且由 夾持器36所密封，因此可固化聚矽氧組合物5〇受上部模“ 壓縮並開始填充模製空間。圖2中，以上部模34向下轉移至 最終夾緊位置之方式展示中机右侧之部分。在此位置 上’上部央緊制動器39之端面與下部夾緊制動器％之端面 相接觸。夾緊力逆著彈簧37之彈力向上移動夾持器％，使 得模製空間中之可固化聚矽氧組合物5〇獲取一預定高度。 藉由向下移動上部模34至夾緊位置，模製空間經減少至
:需高度’且用於密封之可固化聚矽氧組合物5〇填充整 模製空間°如圖2中所示，在中線CL左側，在離型膜40a」 上部模34之轉角間仍留有小間隙 '然而，當上部模μ下丨 ，最低位置時，此間隙消失，使得可固化㈣氧組合物5 完全填充整個模製空間。 由於模製空間之外圍是閉合的且經由離型膜恤由夹才 益36可靠地密封，因此模製空間不發生茂漏。在印刷以 板12表面形成小臺階㈣)(例如，藉由線路圖案卜卜 97906.doc -15- 1354336 pattern))之狀況下，可經由離型膜40a由擠壓吸收此等小突 出’使得當模處於夾緊狀態時可固化聚矽氧組合物不會漏 出模製空間外。由於在厚度方向上之回彈性（resiliency)， 印刷電路板12之下側上之離型膜40b亦可吸收半導體裝置 16厚度上之偏差且從而進一步有助於密封之可靠性。 於閉合模且固化可固化聚矽氧組合物5〇後，打開模且自 該模移除密封半導體裝置70。由於藉由離型膜執行密封， 因此可固化聚石夕氧組合物5 〇不會黏在模之工作表面上。可
輕易自模剝離離型膜40a及40b，使得可自打開的模中輕易 地移除密封半導體裝置70。藉由經由通氣口 3 6a及36b吹空 氣可便於使離型膜40a與模之工作表面分離。於打開模後， 啟動饋入滾筒42a、42b及引取滾筒44a及44b，且將離型鹿 4〇a&40b以及密封半導體裝置7〇一同自模移除。 圖3、圖4及圖5中展示由本發明之方法密封之半導體裝置 由於上α卩模34具有平坦工作表面，因此密封產品之頂
面亦是平坦的。藉由沿著圖式中之鄰近半導體晶片1〇之間 所示之中線切割印刷電路板可獲得個別密封半導體裝置。 可由心片切割機（dicing saw)、雷射切割機等執行切判。 如圖6所示，根據本發明之方法，對應於印刷電路板12 上，各個半導體晶片1〇之位置之複數個模穴…形成於上 P杈34的工作表面上。換言之，各半導體晶片 於個別模穴34&中。 J』在釘 曰^展示藉由上述方法由固化聚石夕氧體7〇密封之半導體 日日。亦可藉由沿相鄰半導體晶片之間之線切割固化聚石夕 97906.doc -16 - 1354336 氧體72及印刷電路板可將半導體裝置7〇分為個別產品。可 由芯片切割機、雷射切割機等執行切割。 本發明之方法t所使用之可固化聚矽氧組合物包含以下 組份組成：㈧每個分子具有至少兩個稀基之有機聚石夕氧 烷；(B)每個分子具有至少兩個鍵結矽之氫原子之有機聚矽 氧烷；（c)始類催化劑；及（D)填充劑，其中或組份（a)含式 RSi〇3/2(其中R為單價烴基）之矽氧烷單元及/或式Si〇4/2之 矽氧烷單元或組份(B)含式R，Si〇3/2(其中R，為氫原子或無脂 族不飽和磲-碳鍵之單價烴）之矽氧烷單元及/或式si〇〇2之 矽氧烷單元，或組份（A)及（B)中之任一含上述矽氧烷單元。 上述組合物之組份（A)為每分子含至少兩個烯基之有機 聚石夕氧院。组份⑷之稀基可為乙稀基、稀丙基、丁烯基、 戊烯基、己缔基及庚稀基，纟巾乙婦基是最佳的。組份⑷ 中之烯基之鍵結位置可位於分子末端處及/或分子鏈侧。除 含在組份（A)中之烯基外，鍵結矽之基團可含有以下基團： 曱基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基或相似烧基； 苯基、甲苯基、二甲笨基、萘基或相似芳基；$甲基、苯 乙基或相似基；氯甲基、3_氯丙基、3,3,3三氟丙基或 相似鹵化烷基。其中，最佳的是甲基及苯基。組份（A)可具 有直鏈、分枝的、環狀、網狀、或部分分枝的直鏈結構。 推薦有具式RSi〇3/2之矽氧烷單元（τ_單元矽氧烷）及/或式 Sl〇4/2之石夕氧院單元（Q_單元矽氧烷）之分枝的或部分分枝 的直鏈結構。在此等式中，R表示單價烴基，具體而言以上 述烷基、烯基、芳基、芳烷基、及齒化烷基為實例。關於 97906.doc -17· 1354336 組份（A)於25°C下之黏度並無明確限製。然而，針對固化聚 矽氧體之更佳機械強度及可固化聚矽氧組合物之操作條 件’推薦具有在50至500,000 mPa.s之範圍、較佳在4〇〇至 100,000 mPa.s之範圍内之黏度。當組份（A)包含式RSi〇w 之矽氧烷單元及/或式SiOw之矽氧烷單元時，其重量平均 分子量（轉換成標準聚苯乙烯時）應等於或大於^00。 上述組份（A)可以以下化合物為實例： 均具有經三曱矽氧基團封端之分子末端之曱基乙烯基矽 氧烷與二甲基矽氧烷之共聚物；均具有經三甲矽氧基團封 端之分子末端之甲基乙烯基聚矽氧烷；均具有經三甲石夕氧 基團封端之分子末端之甲基苯基矽氧烷、甲基乙烯基矽氧 烷與二甲基矽氧烷之共聚物；均具有經二甲基乙烯基矽氧 基團端封之分子末端之二甲基聚矽氧烷；均具有經二甲基 乙烯基矽氧基團端封之分子末端之曱基乙烯基聚矽氧烷； 均具有經二甲基乙烯基矽氧基團端封之分子末端之甲基乙 稀基石夕氧烷與二甲基矽氧烷之共聚物；均具有經二甲基乙 烯基矽氧基團端封之分子末端之甲基苯基矽氧烷、甲基乙 烯基矽氧烷與二甲基矽氧烷之共聚物；包含由下式表示之 矽氧烷單元之有機聚矽氧烷共聚物：Rl3Si〇w2、Rl2R2si()i/2 及SiC^2;包含由下式表示之矽氧烷單元之有機聚矽氧烷共 聚物.R^K^SiO"2及Si〇4/2;包含由下式表示之矽氧烷單元 之有機聚矽氡烷共聚物：；包含由下 式表示之碎氧烧單元之有機聚矽氧烷共聚物： 及R2si〇3/2;或上述有機聚矽氧烷中之兩者或兩者以上之混 97906.doc -18- 1354336 合物。在上式中，R1可表示除烯基以外之單價烴基，例如 上述垸基、芳基、芳燒基及齒代燒基。此外，上式中，R2 可表示與彼等上文列出之基團相似的烯基。 組份（B)為每個分子具有至少兩個鍵結石夕之氫原子之有 機聚矽氧烷。組份（B)中之鍵結矽之氫原子之鍵結位置可 · 位於分子末端處及/或分子鏈側。組份之鍵結矽之基團 可以諸如上述烧基、芳基、芳院基、及函化烧基之無脂族 不飽和碳-碳鍵之單價烴基為實例。曱基及苯基是最佳 的。組份（B)可具有直鏈、分枝的、環狀、網狀、或部分 ® 分枝的直鏈分子鏈結構。最佳為包含式R’Si〇3/2之石夕氧垸 單元（T-單元矽氧烷）及/或式si〇4/2之矽氧烷單元（Q·單元 石夕氧烷）之分枝的或部分分枝的直鏈結構。在上式中，R, 表不氫原子或諸如上述烷基、烯基、芳基、芳烷基、及鹵 化烧基之無脂族不飽和碳-碳鍵之單價烴基。當組份（A)包 含式RSiO^2之矽氧烷單元及/或式si〇4/2之矽氧烷單元 時’組份（B)應較佳具有直鏈或部分分枝的直鏈分子鏈結 構°關於組份（B)在25°C下之黏度並無明確的限制。然而， 針對固化聚矽氧體之更佳機械強度及可固化聚矽氧組合 物之搡作條件’推薦具有在5至i〇〇〇,000 mPa.s範圍内之黏 度。當組份（B)包含式RiSi〇3/22矽氧烷單元及/或式Si〇4/2 之石夕氧院單元時’其重量平均分子量以標準聚苯乙烯計應 · 等於或大於1，500。 上述組份（B)可以以下化合物為實例： 均具有經三甲矽氧基封端之分子末端之甲基氫聚矽氧 97906.doc •19- 1354336 貌；均具有經三m基封端之分子末端之f基氣聚石夕氧 炫與二甲基石夕氧炫之共聚物；均具有經三尹石夕氧基圏封端 ，分子末端之甲基苯基m甲基氫石夕氧烧與二甲基石夕 氧院之共聚物，·均具有經二甲基氫矽氧 (dimethyihydrogensuoxy)基之分子末端之甲基苯基石夕氧烷 與二甲基碎氧烧之共聚物；經二甲基氫發氧基團封端之分 子末端之甲基苯基聚矽氧烷；包含由下式表示之矽氧烷單 元之有機聚矽氧烷共聚物：RSsi〇i/2 '匕聊丨2及Si% ; 包含由下式表示之錢垸單元之有機聚⑦氧烧共聚物： 及SiOw ;包含由下式表示之矽氧烷單元之有機 聚石夕氧烧共聚物：RiHsi〇2/2及RiSi〇3/2 :包含由下式表示之 石夕氧烧單元之有機聚㈣院共聚物：RlHSic>2gHsi〇‘ 或上述有冑聚石夕氧貌中之兩者或兩者以上之混合物。在上 式中，R1可表示諸如彼等上述之除烯基以外之單價烴基。 在本發明之組合物中，應使用足以固化該組合物之量之 組份（B)。為了確保充分固化且不會降低機械強度，每 重量份組份（A)應使用匕丨至丨⑽重量份之量的組份（B)。 組份（C)為鉑類催化劑，其促進本發明之組合物之固化。 以下為該種催化劑之具體實例：銘精細粉末、銘黑（platinum black)、一氧化矽載體上之鉑精細粉末、.活性炭上之鉑精細 粕末、氣鉑酸、四氣化鉑、氣鉑酸之醇類溶液⑷⑶h〇i solution)、鉑-烯複合物、鉑_烯基矽氧烷複合物、及含上述 鉑颏催化劑且具有顆粒大小不超過1 〇 之熱塑樹脂粉 末。該等熱塑樹脂以聚笨乙烯樹脂、耐綸樹脂、聚碳酸脂 97906.doc 1354336 樹脂、及聚矽氧樹脂為實例β 在本發明之組合物中，應使用足以促進固化組合物之量 的組份（c)。具體而言，在本組合物中，較佳以下量使用組 份（c):該組份包含之金屬鉑以重量單位計保持在〇丨至“❾ PPm範圍内、更佳為1至5〇卯〇1範圍内。 組份（D)是用於改良固化聚矽氧體之機械強度或物理特 性而添加至組合物之填充劑。該填充劑可包含煙霧狀二氧 化矽、沈澱狀二氧化矽、二氧化鈦、或相似增強型填充劑； 氧化鋁、石英粉、氮化矽、氮化硼、氮化鋁、相似導熱性 填充劑；金、銀、銅、鍍金屬之樹脂粉末、或相似導電性 填充劑；玻璃纖維、碳纖維、鈦鬚晶（titanium whisker)、或 相似纖維狀填充劑；聚矽氧樹脂粉末、耐綸樹脂粉末、丙 烯酸系樹脂粉末、或由有機樹脂製成之相似填充劑；或表 面經諸如有機矽氡烷、有機氣矽烷、有機矽氮烷等之有機 矽處理過之上述填充劑。
關於本發明之組合物中所應使用之組份（D)的量並無特 殊限制。考慮到自本發明之組合物中所獲得之固化聚矽氧 體之充分機械強度或物理特性，推薦添加之等於或超出6〇 重量％之量的組份（D)。 :且5物可倂人-些改良储存穩定性及組合物操作條件所 需之可選固化抑制劑。該等抑制劑可為以下物質所代表： 2曱基-3-丁炔·2-醇、3,5-二甲基己炔_醇、2_笨基_3-丁炔 •2-醇、或相似炔醇；3_甲基_3·戊烯小炔、3_5_二甲基| 己烯小炔、或相似烯炔化合物；四曱基丨二以·四 97906.doc -21· 1354336 乙烯環四矽氧烷、1，3,5,7·四甲基_l，3,5,7-四己烯-環四矽氧 烷、笨幷三唑等。在本發明之組合物令，應以重量單位計 10至50,000 ppm之量使用上述固化抑制劑。 為了改良組合物之黏著特性，可倂入黏著促進劑。該等 黏著促進劑可包含不同於組份（A)及（B)之每個分子至少一 個鍵結矽之烷氧基之有機矽化合物。上述烷氧基可由以下 基團代表：甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、及甲氧基 乙氡基，其中最佳的是曱氡基。此外，黏著促進劑可含有 除上述有機矽化合物之鍵結矽之烷氧基以外之基團，例 如，經取代或未經取代之單價烴基，例如上述烷基、烯基、 芳基、芳烧基、函化烷基等；3_縮水甘油氧基丙基、4縮水 甘油氧基丁基、或相似縮水甘油氧基烷基；2_(3,4_環氧基 環已基）乙基、3-(3,4-環氧基環已基）丙基或相似環氧基環已 基烧基，4_氧基矽燒基丁基（〇xysilanylbutyl)、8_氧基矽燒 基辛基或相似氧基矽烷基烷基、或其它含環氧基之單價有 機基團；3-f基丙烯醯氧基丙基、或相似含丙稀醯基之單 價有機基團；或氫原子。較佳地，上述黏著促進劑中之每 分子之至少一基團包含上述含環氧基之單價烴基、或含丙 烯醯基之單價有機基團。推薦上述有機矽化合物具有與組 份（A)及組份（B)發生反應之基團。具體而言，此等可為鍵 結矽之烯基或鍵結矽之氫原子。為了更好黏著至多種義 板’推薦自彼等每分子含至少一環氧基之單價有機基心 化合物中選擇上述有機石夕化合物。該等有機石夕化合物之實 例為有機石夕院化合物及有機石夕氧貌寡聚物。㉟等 97906.doc -22- 1354336 烷寡聚物可具有直鏈、部分分枝的直鏈、分枝、環狀、或 網狀分子鏈結構。直鏈、分枝及網狀分子鏈結構是較佳的。 上述有機矽化合物可以下列物質為實例：3縮水甘油氧基 丙基三甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧基環已基）乙基三甲氧基矽 烧、3-甲基丙稀酿氧基丙基三甲氧基石夕烷、或相似矽院化 合物；每分子含至少一鍵結矽之烯基、或鍵結矽之氫原子、 或鍵結石夕之院氧基之石夕氧烷化合物、具有至少一鍵結石夕之 烷氧基之矽烷化合物與每分子具有至少一鍵結矽之羥基及 一鍵結矽孓烯基之矽氧烷化合物之混合物；下式之矽氧烷 化合物： {(CH2=CH) CH3Si02/2} a (CH3〇i/2) b {CH2- CHCH20 (CH2) 3Si03/2} c 0 (其中，"a"、"b"及"C"為正數），及下式之€夕氧燒化合物： {(CH2=CH) CH3Si02/2} a (CH301/2) b {CH2-CHCH20 (CH2) 3Si03/2} c {(CH3) 2Si02/2} d 0 關於可使用之黏著促進劑之量並無特殊限制，但推薦以每 100重量份組份（A)使用0.01至10重量份之黏著促進劑。 在對本發明之目標無害之限制内，組合物可與其它可選 組份組合’該等可選組份可如碳黑或相似顏料；氧化鐵或 相似耐熱劑、染料、阻燃劑、潤滑劑等。 組合物可包含一種液體或兩種液體之混合物，但出於更 好之固化性及較低溫度下之固化性之目的，推薦製備包含 一種含組份（A)、（C)、（D)為主要組份而不含組份（B)之組合 物’及含組份（B)、（D)為主要組份而不含組份（c)之另一種 97906.doc •23· 1354336 、·且σ物的兩種液體型（tw〇_liqUid c〇mp〇siti〇n)組合物。推薦 將該等兩種液體型組合物以在使用期間或剛好於使用前混 合之兩種獨立液體儲存。 當組合物是兩液體型時，可剛好於使用前藉由行星式混 合器、滾筒混合器、牙科混合器（dental mixer)、或另一混 合裝置直接混合。可藉由靜態式混合器在使用期間執行兩 種液體之連續混合。 本發明之可固化聚石夕氧組合物不僅可用作保護半導體晶 片及線路孓保護劑，亦可作為半導體晶片及印刷電路板之 絕緣層或半導體晶片及印刷電路板之減震層。關於固化聚 矽氧體之形狀並無特殊限制，且可將其製成軟橡膠、硬橡 膠、樹脂等《具體而言，推薦提供不超過i GPa之組合彈性 模數。 可由本發明之方法由固化聚矽氧體密封之半導體裝置可 以安裝半導體晶片之印刷電路板、電互連前之半導體晶 片、或於切割成個別半導體裝置前之半導體晶圓為實例。 圖3、圖4中展示該等半導體裝置之實例，圖3及圖4分別說 明一由印刷電路板上半導體晶片組成之半導體裝置及一由 接合線之半導體晶片及具複數條導線之印刷電路板組成之 半導體裝置。在圖3之實施例中，在以黏接劑將晶片緊固在 由聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂、BT樹脂、或陶瓷製成之印刷 電路板12上後，藉由以金或銘製成之接線以引線接合半導 體晶片10來形成半導體裝置。在圖4之半導體裝置之實施例 中，經由使用焊球或導電凸塊使印刷電路板與半導體晶片 97906.doc •24- 1354336 電互連。為了加強作用，烊球或導電凸塊可併入底部填充 劑（underfill agent)。該底部填充劑可包含可固化環氧樹脂 組。物或可固化聚矽氧組合物。在圖3及圖4之半導體裝置 為了在半導體裝置已密封至其它印刷電路板後連接半 導體裝置，在晶片之相對側上提供支撐此等裝置之印刷電 路板12且諸如焊球之外部電極形成於印刷電路板之背 面。右裝置由排列在板之上面之同時密封之複數個半導體 晶片組成，則藉由錯開或藉由衝塵可將封裝分成個別密封 之半導體裝置。圖5展示晶圓級晶片尺度封裝(咖—丨
Chip Scale Package)即 CSP之實例。 當在上述Μ縮模製機器内藉由本發明之方法以固化聚石夕 氧體密封半導體裝置時’可固化聚矽氧組合物與模直接接 觸’其在模之模製表面上留下黏著至此等表面之黏性物 質。因此’推薦經由上述離型膜執行壓縮密封。使用該等 膜允許以樹脂連續密封’延長清洗模具操作之間的時間間 隔’且因此增加生產效率。 關於壓縮模製條件並無特殊限制。然而，為了減少印刷 電路板及半導體晶片之應力，推薦將加熱溫度維持在㈣ 至㈣之範圍内。此外’預熱模可改良壓縮模製猶環時 間。可固化聚石夕氧組合物之散佈係視組合物之類型而定。 然而’可猎由逐滴將組合物施加至由來自於下部模之熱量 預熱之印刷電路板上來控制散佈。 實例 現參考實施實例及對照實例更為詳細地福述本發明之製 97906.doc •25- 1354336 造半導體Μ之方法及半導體裝置。下文描述用以評估半 導體裝置之特性之程序。 [外觀及填充] 裸眼觀察由固化聚矽氧體或固化環氧樹脂體密封之半導 體裝置之表面且基於如下表示之標準進行評估：完全填充 且平滑表面.〇;表面部分*平滑_Δ ;整個表面上都不平滑 -X ;邊緣部分並未填充_χχ。 [輕曲] 在將半導體裝置總成切割成個別半導體裴置前，藉由剛 性固定經固化聚矽氧體或固化環氧樹脂體密封之半導體裝 置總成之一長邊且量測另一長邊在固定邊之位置上方的高 度而判定赵曲。 [切割性] 藉由將具有在印刷電路板上由固化聚矽氧體密封之半導 體裝置之總成切割成個別密封半導體裝置來評估此特性。 藉由使用鋸機（sawing machine)(Disc〇公司之產品；cs切割 機，15,000 rmp)執行切割，如下標準用於評估：毛刺不超 過10 μιη-〇；毛刺在10至25 μπι之範圍内;毛刺超過乃 μιη-Χ ;複數個毛刺超過25 pm_xx。 製備具如下所列組份之氫矽烷化可固化聚矽氧橡膠組合 物以用於實施實例中。下文亦給出用於量測所製備之聚矽 氧橡膠組合物黏度及固化性之方法及用於量測彈性複合模 數及熱膨脹係數之方法。 [製備聚矽氧橡膠組合物之原料] 97906.doc -26 - 1354336 有機聚矽氧烷（A-1):轉換成標準聚苯乙烯之重量平均分 子量為4,600之聚矽氧樹脂，且其由以下平均組成化學式為 代表： [(CH2=CH)(CH3)2Si01/2]〇.43[(CH3)3Si01/2]0.02(Si04/2)〇.55 有機聚矽氧烧（A-2):轉換成標準聚苯乙烯之重量平均分 · 子置為1，1 00之聚矽氧樹脂，且其由以下平均組成化學式為 · 代表： [(CH2=CH)(CH3)2Si01/2]〇.5〇[(CH3)3Si01/2]〇.15 (Si〇4/2)〇,35 有機聚梦乳院（A-3)·黏度為40 Pa. s且均具有經二甲基鲁 乙歸基矽氧基封端之分子末端之二甲基聚矽氧烷； 有機聚石夕氡院（A-4):黏度為2,100 mPa . s且均具有經二 甲基乙烯基矽烷氧基封端之分子末端之二甲基聚矽氧烷； 有機聚碎乳燒（B-1).黏度為40 mP a . s且均具有經三甲碎 氧基封端之分子末端之甲基氫聚碎氧院； 銘類催化劑（C-1):鉑-1,3-二乙烯基-ΐ，ι，3,3-四甲基二石夕 氧燒之錯合物之1,3-二乙烯基-^允^四甲基二矽氧烷溶 液； · 填充劑（D-1):平均粒徑為0.5 μηι之精細球體二氧化矽粉 末； 填充劑（D-2):平均粒徑為8 μιη之精細球體二氧化碎粉 末； ' 填充劑（D-3):平均粒徑為1 〇 pm之精細球體氧化銘粉末； 填充劑（D-4) : BET比表面面積為200 m2/g之煙霧狀二氧 化矽； 97906.doc -27- 固化抑制劑：2-苯基_3_ 丁炔·2_醇； 黏著促進劑：由以下平均單元化學式代表之矽氧烷化合 物： {3Si03/2} 5 {(CH3)2Si〇2/2}20 0 色素：碳黑。 ^碎氧橡膠組合物之黏度] 以BS-型旋轉式黏度計（T〇kimec公司之產品；型號Bs ;轉 子號7，旋轉頻率：2.5 rpm)量測聚矽氧橡膠組合物於25°c 下之黏度。 [聚石夕氧橡膠組合物之固化性] 使用固化計（curastometer)(JSR公司之產品）量測聚石夕氧 橡膠組合物於多種量測溫度下（80°C、100t及120。〇之固化 性。於閉合模後’將開始出現得自交聯之轉矩的時間量測 為IP值（以秒計），且將曾出現可最終達成固化之轉矩之90〇/〇 之時間量測為T90值（以秒計）。 [聚矽氧橡膠之彈性複合模數] 藉由於120°C下在30 kgf/cm2負荷下使聚矽氧組合物經受 壓縮模製達5分鐘且接著再次在烘箱内於i2〇°C下熱處理該 產物達1小時，可生產聚矽氧橡膠。使用用於量測黏彈性之 器具（剪切頻率1 Hz ’應變速率0.5%)量測彈性複合模數。 [聚矽氧橡膠之熱膨脹係數] 使用熱機械分析器（TMA)在50至150 °C之量測溫度範圍 内量測由上述方法生產之聚矽氧橡膠之熱膨脹係數。 97906.doc -28- 1354336 [實施實例1] 在本實施實例中，使用圖3中所示類型之半導體裝置。具 體而言，經由35 μιη厚之環氧樹脂晶粒接合劑層（die_b〇nd agent layer)將（8 mmxl4 mm)半導體晶片固定至（70 mmxl6〇 mm)聚酿亞胺樹脂印刷電路板。該印刷電路板包含層壓結 構’層壓結構是經由具17 μιη厚之環氧樹脂黏著層將18 μιη 厚之銅箔施加至75 μπι厚之聚醯亞胺樹脂之一側而形成。接 著自上述箔製得電路圖案。移除電路圖案之引線接合所需 之部分，且藉由感光焊接遮罩塗覆印刷電路板之表面。經 由48條金接線使半導體裝置之電路圖案及晶片凸塊電互連 並引線接合。總體而言，54個半導體晶片分成18個晶片之3 區塊，每一皆藉由引線接合固定至印刷電路板且形成各個 線路圖案。 於室溫下將20 g之量之藉由以【：丨重量比混合具有表i中 所示組份之兩種液體型聚矽氧橡膠組合物之液體A與液體 B而製得之聚矽氧橡膠組合物⑴施加至聚醯亞胺樹脂印刷 電路板之預定位置上。藉由靜態式混合手搶（static mixer handgun)混合上述液體組份。此後，將印刷電路板置放入 圖1中所示類型之壓縮模製機器之下部模中。由四氟乙烯樹 月e製得之離型膜塗覆上述模製機器之上部模及下部模，且 藉由抽氣將膜壓至密封表面。於8〇0(：下在5〇 kgf/cm2之負荷 下對處於夾緊狀_之印刷電路板執行模製達2分鐘。此後， 打開松，自該模中移除產品，並在烘箱内以12〇。〇熱處理又 J夺果，製得在半導體晶片表面上具5〇〇 μπι厚之聚矽 97906.doc •29· 054336 氧橡膠層之密封裝置。表4中 徵。 [實施實例2] 展.示所獲得之半導體裝置之特 以與實施實例1中之相同方式製備半導體裝置，但使用藉 由以1:1重量比混合具有表1中所示之組份的兩種液體型聚 石夕氧橡膠組合物之液體A與液體B而製得之聚矽氧橡膠組 合物（II)而非使用聚矽氧橡膠组合物（I) 〇表4中展示所獲得
之半導體裝置之特徵。
[表11 實施實例1 實施實例2 聚矽氧橡膠組合物 I II 液體A 液體B 液體A 液體B 組合物 有機聚矽氧烷（Ad) (重量份） 5.7 6 3.0 3.3 有機聚矽氧烷（Α-3) (重量份） - - 9 9 有機聚矽氧烷（Α-4) (重量份） 18.8 14 12.5 7.7 有機聚矽氧烷（B-i) (重量份） - 3 - 3 鉑類催化劑（C-1) (PPm*') 20 - 20 - 填充劑（D-1) (重量份） 68 68 68 68 填充劑（D-2) (重量份） 7 7 - 填充劑（D-3) (重量份） - - 7 7 黏著促進劑 (重量份、 -------- - 2 - 2 97906.doc •30· 1354336 色素 一 (重量份) 0.5 . 0.5 . 聚矽氡橡膠組合物之特徵 __ 外觀 黑色 黑色 _ 黏度 （Pa-s) 170 300 80=C IP值 （秒） 24 12 __ T90 (秒） 214 220 IP值 （秒） 100 Γ 8 6 — T90 (秒） 64 58 聚矽氧橡膠之特徵 __ 外觀 黑色 黑色 彈性複合模數 （MPa) 40 25 熱膨脹.係數 （ppm/°C) 120 120 *指示液體（A)中之金屬鉑之含量（重量單位） [實施實例3] 以與實施實例1中之相同方式製備半導體裝置，但使用具 有表2中所示組份之單液型聚矽氧橡膠組合物（ΠΙ)而非使 用聚矽氧橡膠組合物（I)，且於12〇。〇下在50 kgf/cm2壓力下 壓縮模製4分鐘後’在烘箱内以120°C對產物進一步進行熱 處理達1小時《表4中展示所獲得之半導體裝置之特徵。 [對照實例1] 以與實施實例1中之相同方式製備半導體裝置，但使用具 有表2中所示組份之單液型聚矽氧橡膠組合物（IV)而非使 用聚矽氧橡膠組合物⑴，且於12(rc下在5〇 kgf/cm2壓力下 壓縮模製達4分鐘後，在烘箱内以12〇。〇對該組合物進一步 進行熱處理達1小時。表4中展示所獲得之半導體裝置之特 徵。 ' [對照實例2] 97906.doc 以與實施實例1 Φ > η , /± β Θ j节之相同方式製備半導體裝置，但使用具 有 2 中 ^ίί· - z x片 不、·且伤之單液型聚矽氧橡膠組合物（v)而非使用 聚夕氧橡膠組合物⑴’且於12代下在50㈣如2壓力下壓 ^ 錢傻’在烘箱内以120。(：對該組合物進一步進 仃熱處理ill小時。表4中展示所獲得之半導體裝置之特徵。
97906.doc -32- 1354336 聚石7氣橡膠組合物之特徵 外觀 黑色 黑色 黑色 黏度 （Pa-s) 150 120 140 IP值 80°r (分鐘） 65 70 70 T90 - (小時） >3 >3 >3 IP值 ion°r (分鐘） 22 24 23 Τ90 (分鐘） 38 33 32 IP值 I2n °r (秒） 200 205 205 i Τ90 (秒） 280 235 230 聚矽氧橡膠之特徵 外觀 黑色 黑色 黑色 彈性複合模數（MPa) 20 2 2 一 熱膨脹係數（ppm/t) 170 200 190 ~ *指示液體（A)中之金屬鉑之含量（重量單位） **指示聚矽氧橡膠組合物之含量（重量單位）。 [對照實例3]
藉由以實施實例1中之相同的方式用4〇〇 μηι厚之固化環 氧樹脂體密封半導體晶片來製備半導體裝置，但使用具 中所不特徵之液體環氧樹脂組合物（Hitachi Chemieal有 公司之CEL-C-7400)而非使用聚矽氧橡膠組合物（ι)，且
We下在5〇kgf/cm2負荷下壓縮模製〗分鐘後，在 15〇°C對產物進一步進行熱處理達丨小時。表4中展 之半導體裝置之特徵。 $所獲 97906.doc -33· 1354336 [表3] 特徵 液體固化環氧樹脂組合物 固化前 外觀 黑色漿 黏度(Pa-s) 30 固化後 外觀 黑色 硬度(A型硬度計） >90 彈性複合模數(GPa) 7 熱膨脹係數ppm/°C) 6(室溫至90°〇 使用BS型旋轉式黏度計（Tokimec公司之產品，轉子號7， 旋轉頻率10 rpm)量測液體可固化聚矽氧組合物於25°C下之 黏度。 藉由以下步驟形成環氧樹脂固化體：使液體可固化環氧 樹脂組合物於170°C溫度下在50 kgf/cm2負荷下經受壓縮模 製達5分鐘後，接著在烘箱内以150°C對產品進行熱處理達1 小時。藉由根據JIS K 625 3之A型硬度計量測硬度。使用用 於量測黏彈性之器具（剪切頻率1 Hz、應變速率0.5%)來量測 於25°C下之彈性複合模數。藉由熱機械分析器（TMA)在室溫 至90°C溫度範圍内判定熱膨脹係數。 [表4] 實施實例 對照實例 1 2 3 1 2 3 外觀及可填充性 〇 〇 〇 Δ Δ 〇 翹曲(mm) 0.2 0.3 0.5 0.6 0.8 5 切割性 〇 〇 Δ XX XX 〇 97906.doc • 34- 1354336 [工業應用性] 本發明之方法提供有效製造密封半導體裝置、防止密封 材料中形成空隙、允許精確控制密封裝置之固化聚石夕氧體 之厚度、防止接線斷開及不良接觸且減少半導體晶片及印 刷電路板之翹曲之作用。具體而言，本發明提供一種製造 密封半導體裝置之方法，該方法允許以用於減少半導體晶 片及印刷電路板之翹曲所需之相對低溫來壓縮模製可固化 聚石夕氧組合物。因此’本發明之方法適用於小型化及變薄 之電子器。 【圖式簡單說明】 圖1說明適於實現本發明之方法之壓縮模製機器之主要 結構單元。 圖2說明使用用以實現本發明之方法之壓縮模製機器密 封半導體裝置之密封狀態。 圖3是根據實施實例1及實施實例2生產之半導體裝置之 截面圖。 圖4是本發明之半導體裝置之截面圖。 圖5是本發明之半導體裝置之另一截面圖。 圖6說明適於實現本發明之方法之壓縮模製機器之另一 結構。 圖7是本發明之半導體裝置之三維圖之實例。 【主要元件符號說明】 1〇 半導體晶片 12 印刷電路板 97906.doc 35· 1354336 16 半導體裝置 20 固定壓板 22 下部基底 23 下部模 24 加熱器 26 下部夾持制動器 30 可移動壓板 32 上部基底 33 上部固持器 34 上部模 34a 模穴之凹進部分 36 夾持器 36a ， 36b 通氣口 37 彈簧 38 加熱器 39 上部夾持制動器 40a ， 40b 離型膜 42a ， 42b 饋入滾筒 44a ， 44b 引取滾筒 46 導引滾筒 48 靜電去除劑 50 可固化聚矽氧組合物 70 以固化聚矽氧體密封之半導體裝置 72 固化聚矽氧體
97906.doc •36-

Claims (1)

1354336 十 、申請專利範圍： 一種藉由將半導體裝置置放入模中且使填充該模與該半 導體裝置之間之空間之可固化聚矽氧組合物經受壓縮模 製來製造密封於固化聚矽氧體中之半導體裝置之方法， 其中該可固化聚矽氧組合物包含以下組份：每分子具 有至少兩個烯基之有機聚矽氧烷；（B)每分子具有至少兩 個鍵結矽之氫原子之有機聚矽氧烷；（c)鉑類催化劑；及 (D)填充劑，其中該組份（A)含式RSi〇3/2(其中尺為一單價 烴基）之矽氧烷單元及/或式si〇4/2之矽氧烷單元，或者該 組份⑻含式R，Si〇3/2(其中Ri為—氫原子或一無脂族不飽 和碳-碳鍵之單價烴）之矽氧烷單元及/或式Si〇4,2之矽氧 烷單元，或組份（A)及組份（B)中之任一組份含該等矽氧俨 σ 口 一 早兀。 2. 如請求項1之方法’其中該組份（Α)含式RSiC^2(其中汉為 一單價煙基）之碎氧烧單元及/或以叫/2之碎氧烧翠元且 具轉換成標準聚笨乙烯時等於或大於1500之重量平 =分子量，或組份（B)含式R，Si〇3/2(其中R,為一氫原子或 -無脂族不飽和碳-碳鍵之單價烴)之矽氧烷單元及/或式 Si〇4’2之矽氧烷單元且具有一轉換成標準聚苯乙烯時等 3. ΠΓ15°。之重量平料子量，或組份(敬組份⑻ =二且份含該等石夕氧烧單元且具有-轉換成標準聚 烯時等於或大於1500之重量平均分子量。 :凊求項1之方法，其中該可固化聚矽氧組合物中之該組 伤（D)之量係等於或大於6〇重量〇/〇。 乂 · 97906.doc .如請求項1之方法，其中該可固化聚矽氧組合物係一兩種 液體型組合物，該組合物包含一種包含組份（A)、（C)、（D) 為主要組份而不含組份（B)之組合物及包含組份（B)、（D) 為主要組份而不含組份（C)之另一組合物。 求項1之方法，其中於將該半導體裝置置放入下部模 字該了固化聚碎氧組合物饋入上部模與該半導體裝 置之間之空間之後，將該半導體裝置夹緊於該上部模與 5 α模之間，且使該可固化聚石夕氧組合物經受壓縮模 6. ，項1之方法，其中該固化聚矽氧體之彈性複合模數 係等於或小於1 GPa。 8. 9. 如叫求項1之方法，其中密封至少兩半導體裝置，且接著 將所獲得之該密封總成分割成獨立的密封半導體裝置。 如清求項1之方法，其中該未密封之半導體裝置包含於印 刷電路板上之經由接線電互連之半導體晶片。 如凊求項8之方法，其中將該可固化聚石夕氧組合物施加至 :刷電路板上之該半導體晶片，且藉由該固化聚石夕氧體 祖封半導體晶片與該#接線之間之該等連接。 :求項1之方法’其中以一附著之離型膜覆蓋該模之内 录面。 11.如睛求項1〇之方法 模之s亥内表面。 12 · —種利用如請求項 裝置。 ，其中該離型膜係藉由抽氣附著至該 1至11中任一項之方法生產之半導體 97906.doc
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