TWI540761B - 矽氧樹脂片材、硬化片材、發光二極體裝置及其製造方法 - Google Patents

矽氧樹脂片材、硬化片材、發光二極體裝置及其製造方法 Download PDF

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Description

矽氧樹脂片材、硬化片材、發光二極體裝置及其製造方法
本發明係關於一種矽氧樹脂片材、硬化片材、發光二極體裝置及其製造方法，詳細而言，本發明係關於一種矽氧樹脂片材、使該矽氧樹脂片材硬化而獲得之硬化片材、藉由硬化片材密封發光二極體元件的發光二極體裝置之製造方法、及由此獲得之發光二極體裝置。
先前，已知有可發出高能量之光之發光裝置。
發光裝置例如具備發光二極體元件、及密封發光二極體元件之密封材料。
作為此種發光裝置之密封材料，例如揭示有含有矽氧樹脂及無機粒子之片材狀光半導體密封材料(例如參照日本專利特開2009-84511號公報)。
然而，發光二極體元件於藉由使用金屬線之打線接合而連接於基板上之情形時，於使用日本專利特開2009-84511號公報之光半導體用密封片材來密封LED(Light Emitting Diode，發光二極管)元件時，存在金屬線變形等不良情況、或光半導體用密封片材之操作變得困難之不良情況。
本發明之目的在於提供一種操作性優異，可防止發光二極體元件及配置於其附近之構件之損傷並且埋設發光二極體元件之矽氧樹脂片材、硬化片材、發光二極體裝置及其製造方法。
本發明之矽氧樹脂片材係由含有熱硬化性矽氧樹脂及微粒子之樹脂組合物所形成之矽氧樹脂片材，其特徵在於：藉由30℃下之頻率0.1~50 Hz、頻率增加速度10 Hz/分鐘、應變1%之剪切模式之動態黏彈性測定而獲得之頻率10 Hz下之複黏度為80~1,000 Pa．s，且頻率10 Hz下之tanδ為0.3~1.6。
又，於本發明之矽氧樹脂片材中，上述微粒子宜為二氧化矽微粒子及/或矽氧微粒子。
又，本發明之硬化片材之特徵在於：其係藉由使上述矽氧樹脂片材硬化而獲得。
又，發光二極體裝置之特徵在於：其具備發光二極體元件、及密封上述發光二極體元件之上述硬化片材。
又，本發明之發光二極體裝置之製造方法之特徵在於具備如下步驟：藉由上述矽氧樹脂片材埋設發光二極體元件之步驟；及藉由使上述矽氧樹脂片材硬化而密封上述發光二極體元件之步驟。
於本發明之發光二極體裝置之製造方法中，由於使用30℃之頻率10 Hz下之複黏度為80~1,000 Pa．s，且30℃之頻率10 Hz下之tanδ為0.3~1.6之本發明之矽氧樹脂片材，故而其操作性優異，同時可防止發光二極體元件及設置於其附近之構件之損傷，並且埋設發光二極體元件。
並且，利用藉由使矽氧樹脂片材硬化而獲得之本發明之硬化片材，可密封發光二極體元件，而獲得可靠性優異之本發明之發光二極體裝置。
本發明之矽氧樹脂片材係由含有熱硬化性矽氧樹脂及微粒子之樹脂組合物所形成。
具體而言，矽氧樹脂片材例如具備由樹脂組合物形成為大致片材狀之密封樹脂層。
作為熱硬化性矽氧樹脂，例如可列舉具有2個反應體系(硬化反應中之反應體系)之熱硬化性矽氧樹脂組合物。
作為具有2個反應體系之熱硬化性矽氧樹脂組合物，例如可列舉具有縮合反應與加成反應之2個反應體系的縮合/加成反應硬化型矽氧樹脂組合物。
具體而言，縮合/加成反應硬化型矽氧樹脂組合物可藉由加熱進行縮合反應(矽烷醇縮合)變為半硬化狀態(B階狀態)，繼而可藉由進一步加熱進行加成反應(氫矽烷基加成)變為硬化狀態(完全硬化狀態)。
作為縮合/加成反應硬化型矽氧樹脂組合物，可列舉：例如含有兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷、含乙烯系不飽和烴基之矽化合物(以下記為乙烯系矽化合物)、含環氧基之矽化合物及有機氫化矽氧烷的第1熱硬化性矽氧樹脂組合物；例如含有1分子中具有至少2個烯基矽烷基之第1有機聚矽氧烷、1分子中具有至少2個氫矽烷基之第2有機聚矽氧烷、矽氫化觸媒、及硬化延遲劑之第2熱硬化性矽氧樹脂組合物；例如含有1分子中兼具至少2個乙烯系不飽和烴基與至少2個氫矽烷基之第1有機聚矽氧烷、不含乙烯系不飽和烴基且1分子中具有至少2個氫矽烷基之第2有機聚矽 氧烷、矽氫化觸媒、及矽氫化抑制劑之第3熱硬化性矽氧樹脂組合物；例如含有1分子中兼具至少2個乙烯系不飽和烴基與至少2個矽烷醇基之第1有機聚矽氧烷、不含乙烯系不飽和烴基且1分子中具有至少2個氫矽烷基之第2有機聚矽氧烷、及矽氫化觸媒之第4熱硬化性矽氧樹脂組合物等。
作為縮合/加成反應硬化型矽氧樹脂組合物，可較佳地列舉第1熱硬化性矽氧樹脂組合物。
於第1熱硬化性矽氧樹脂組合物中，兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷、乙烯系矽化合物及含環氧基之矽化合物為縮合原料(供於縮合反應之原料)，乙烯系矽化合物及有機氫化矽氧烷為加成原料(供於加成反應之原料)。
兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷係於分子之兩末端含有矽烷醇基(SiOH基)之有機矽氧烷，具體而言，以下述通式(1)表示。
通式(1)： (通式(1)中，R1表示選自飽和烴基及芳香族烴基中之1價烴基；又，n表示1以上之整數)。
上述通式(1)中，於R1所示之1價烴基中，作為飽和烴 基，可列舉：例如碳數1~6之直鏈狀或分支狀之烷基(甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、戊基、己基等)，例如碳數3~6之環烷基(環戊基、環己基等)等。
又，上述通式(1)中，於R1所示之1價烴基中，作為芳香族烴基，例如可列舉碳數6~10之芳基(苯基、萘基)等。
於上述通式(1)中，R1可相同或者相互不同，較佳為相同。
作為1價烴基，可較佳地列舉碳數1~6之烷基、及碳數6~10之芳基，就透明性、熱穩定性及耐光性之觀點而言，可進而較佳地列舉甲基。
於上述通式(1)中，就穩定性及/或操作性之觀點而言，n較佳為1~10,000之整數，進而較佳為1~1,000之整數。
再者，上述通式(1)中之n係以平均值之形式算出。
作為兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷，具體而言，可列舉：兩末端為矽烷醇基之聚二甲基矽氧烷、兩末端為矽烷醇基之聚甲基苯基矽氧烷、兩末端為矽烷醇基之聚二苯基矽氧烷等。
此種兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷可單獨使用，或者亦可併用。
又，於此種兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷中，可較佳地列舉兩末端為矽烷醇基之聚二甲基矽氧烷。
兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷可使用市售品，又，亦可使用依照公知方法合成者。
就穩定性及/或操作性之觀點而言，兩末端為矽烷醇基 之聚矽氧烷之數量平均分子量例如為100~1,000,000，較佳為200~100,000。數量平均分子量係藉由凝膠滲透層析法以標準聚苯乙烯進行換算而算出。下述之兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷以外之原料之數量平均分子量亦藉由與上述相同之方式算出。
此種兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷中之矽烷醇基當量例如為0.002~25 mmol/g，較佳為0.02~25 mmol/g。
兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷之調配比率相對於縮合原料100質量份，例如為1~99.99質量份，較佳為50~99.9質量份，進而較佳為80~99.5質量份。
乙烯系矽化合物係兼具乙烯系不飽和烴基及矽烷醇縮合反應中之脫離基的矽烷化合物，具體而言，以下述通式(2)表示。
通式(2)：R2-Si(X1)3 (2)(通式(2)中，R2表示1價乙烯系不飽和烴基，X1表示鹵素原子、烷氧基、苯氧基、或乙醯氧基；其中，X1可相同或者相互不同)。
於上述通式(2)中，作為R2所示之乙烯系不飽和烴基，可列舉經取代或未經取代之乙烯系不飽和烴基，例如可列舉烯基、環烯基等。
作為烯基，例如可列舉：乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基等碳數2~10之烯基。
作為環烯基，例如可列舉：環己烯基、降烯基等碳數3~10之環烯基。
就與氫矽烷基之反應性之觀點而言，作為乙烯系不飽和烴基，可較佳地列舉烯基，可進而較佳地列舉碳數2~5之烯基，可尤佳地列舉乙烯基。
上述通式(2)中之X1為矽烷醇縮合反應中之脫離基，且上述通式(2)中之SiX1基為矽烷醇縮合反應中之反應性官能基。
於上述通式(2)中，作為X1所示之鹵素原子，例如可列舉溴、氯、氟、碘等。
於上述通式(2)中，作為X1所示之烷氧基，可列舉：例如具有碳數1~6之直鏈狀或分支狀之烷基的烷氧基(甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、戊氧基、己氧基等)，例如具有碳數3~6之環烷基之烷氧基(環戊氧基、環己氧基等)等。
於上述通式(2)中，X1可相同或者相互不同，較佳為相同。
於此種上述通式(2)之X1中，可較佳地列舉烷氧基，可進而較佳地列舉甲氧基。
作為此種乙烯系矽化合物，例如可列舉：含乙烯系不飽和烴基之三烷氧基矽烷、含乙烯系不飽和烴基之三鹵化矽烷、含乙烯系不飽和烴基之三苯氧基矽烷、含乙烯系不飽和烴基之三乙醯氧基矽烷等。
此種乙烯系矽化合物可單獨使用，或者亦可併用。
於此種乙烯系矽化合物中，可較佳地列舉含乙烯系不飽和烴基之三烷氧基矽烷。
作為含乙烯系不飽和烴基之三烷氧基矽烷，具體而言，可列舉：乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三丙氧基矽烷等乙烯基三烷氧基矽烷，例如烯丙基三甲氧基矽烷、丙烯基三甲氧基矽烷、丁烯基三甲氧基矽烷、環己烯基三甲氧基矽烷等。
又，於此種含乙烯系不飽和烴基之三烷氧基矽烷中，可較佳地列舉乙烯基三烷氧基矽烷，可進而較佳地列舉乙烯基三甲氧基矽烷。
乙烯系矽化合物之調配比率相對於縮合原料100質量份，例如為0.01~90質量份，較佳為0.01~50質量份，進而較佳為0.01~10質量份。
乙烯系矽化合物可使用市售品，又，亦可使用依照公知方法合成者。
含環氧基之矽化合物係兼具環氧基及矽烷醇縮合反應中之脫離基之矽烷化合物，具體而言，以下述通式(3)表示。
通式(3)：R3-Si(X2)3 (3)(通式(3)中，R3表示含環氧基結構之基，X2表示鹵素原子、烷氧基、苯氧基、或乙醯氧基；其中，X2可相同或者相互不同)。
於通式(3)中，作為R3所示之含環氧基結構之基，可列舉：例如環氧基，例如縮水甘油醚基，例如環氧環己基等 環氧環烷基等。
於此種含環氧基結構之基中，可較佳地列舉縮水甘油醚基。具體而言，縮水甘油醚基係下述通式(4)所示之縮水甘油氧基烷基。
通式(4)： (通式(4)中，R4表示選自飽和烴基及芳香族烴基中之2價烴基)。
上述通式(4)中，於R4所示之2價烴基中，作為飽和烴基，可列舉：例如碳數1~6之伸烷基(亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基等)，例如碳數3~8之伸環烷基(伸環戊基、伸環己基等)等。
又，上述通式(4)中，於R4所示之2價烴基中，作為芳香族烴基，例如可列舉碳數6~10之伸芳基(伸苯基、伸萘基等)等。
作為此種2價烴基，可較佳地列舉碳數1~6之伸烷基，可進而較佳地列舉伸丙基。
作為縮水甘油醚基，具體而言，可列舉：縮水甘油氧基甲基、縮水甘油氧基乙基、縮水甘油氧基丙基、縮水甘油氧基環己基、縮水甘油氧基苯基等。
於此種縮水甘油醚基中，可較佳地列舉縮水甘油氧基丙基。
上述通式(3)中之X2為矽烷醇縮合反應中之脫離基，且上述通式(3)中之SiX2基為矽烷醇縮合反應中之反應性官能基。
於上述通式(3)中，作為X2所示之鹵素原子，可列舉與上述通式(2)之X1所示之鹵素原子相同者。
於上述通式(3)中，作為X2所示之烷氧基，可列舉與上述通式(2)之X1所示之烷氧基相同者。
於上述通式(3)中，X2可相同或者相互不同，較佳為相同。
作為此種上述通式(3)之X2，可較佳地列舉烷氧基，可進而較佳地列舉甲氧基。
作為此種含環氧基之矽化合物，例如可列舉：含環氧基之三烷氧基矽烷、含環氧基之三鹵化矽烷、含環氧基之三苯氧基矽烷、含環氧基之三乙醯氧基矽烷等。
此種含環氧基之矽化合物可單獨使用，或者亦可併用。
又，於此種乙烯系矽化合物中，可較佳地列舉含環氧基之三烷氧基矽烷。
作為含環氧基之三烷氧基矽烷，具體而言，可列舉：縮水甘油氧基甲基三甲氧基矽烷、(2-縮水甘油氧基乙基)三甲氧基矽烷、(3-縮水甘油氧基丙基)三甲氧基矽烷等縮水甘油氧基烷基三甲氧基矽烷，例如(3-縮水甘油氧基丙基)三乙氧基矽烷、(3-縮水甘油氧基丙基)三丙氧基矽烷、(3-縮水甘油氧基丙基)三異丙氧基矽烷等。
又，於此種含環氧基之三烷氧基矽烷中，可較佳地列舉 縮水甘油氧基甲基三烷氧基矽烷，可進而較佳地列舉(3-縮水甘油氧基丙基)三甲氧基矽烷。
含環氧基之矽化合物之調配比率相對於縮合原料100質量份，例如為0.01~90質量份，較佳為0.01~50質量份，進而較佳為0.01~1質量份。
含環氧基之矽化合物可使用市售品，又，亦可使用依照公知方法合成者。
兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷之矽烷醇基(SiOH基)相對於乙烯系矽化合物及含環氧基之矽化合物之反應性官能基(SiX1基及SiX2基)的莫耳比(SiOH/(SiX1+SiX2))例如為20/1~0.2/1，較佳為10/1~0.5/1，進而較佳為實質上為1/1。
於莫耳比超過上述上限之情形時，於使第1熱硬化性矽氧樹脂組合物成為半硬化狀態時，有無法獲得具有適度韌性之半硬化狀物(半硬化物)之情況，另一方面，於莫耳比未達上述下限之情形時，乙烯系矽化合物及含環氧基之矽化合物之調配比率過高，因此有所獲得之密封樹脂層之耐熱性降低之情況。
又，只要莫耳比為上述範圍內(較佳為實質上1/1)，則可適當地使兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷之矽烷醇基(SiOH基)、與乙烯系矽化合物之反應性官能基(SiX1基)及含環氧基之矽化合物之反應性官能基(SiX2基)進行縮合反應。
乙烯系矽化合物相對於含環氧基之矽化合物的莫耳比例如為10/90~99/1，較佳為50/50~97/3，進而較佳為80/20~ 95/5。
只要莫耳比處於上述範圍內，則有可確保硬化物之強度，並且提高黏著性之優勢。
有機氫化矽氧烷係不含乙烯系不飽和烴基且1分子中具有至少2個氫矽烷基之有機矽氧烷者。
具體而言，有機氫化矽氧烷可列舉：含氫側鏈之有機聚矽氧烷、兩末端為氫之有機聚矽氧烷等。
含氫側鏈之有機聚矽氧烷係具有氫原子作為自主鏈分支之側鏈的有機氫化矽氧烷，例如可列舉：甲基氫化聚矽氧烷、二甲基聚矽氧烷-甲基氫化聚矽氧烷共聚物、乙基氫化聚矽氧烷、甲基氫化聚矽氧烷-甲苯基聚矽氧烷共聚物等。
含氫側鏈之有機聚矽氧烷之數量平均分子量例如為100~1,000,000。
又，兩末端為氫之有機聚矽氧烷係於主鏈兩末端具有氫原子之有機氫化矽氧烷，例如可列舉：兩末端為氫矽烷基之聚二甲基矽氧烷、兩末端為氫矽烷基之聚甲基苯基矽氧烷、兩末端為氫矽烷基之聚二苯基矽氧烷等。
就穩定性及/或操作性之觀點而言，兩末端為氫之有機聚矽氧烷之數量平均分子量例如為100~1,000,000，進而較佳為100~100,000。
此種有機氫化矽氧烷可單獨使用，或者亦可併用。
又，於此種有機氫化矽氧烷中，可較佳地列舉含氫側鏈之有機聚矽氧烷，可進而較佳地列舉二甲基聚矽氧烷-甲 基氫化聚矽氧烷共聚物。
有機氫化矽氧烷於25℃下之黏度例如為10~100,000 mPa．s，較佳為20~50,000 mPa．s。再者，黏度係利用B型黏度計而測定。
有機氫化矽氧烷中之氫矽烷基當量例如為0.1~30 mmol/g，較佳為1~20 mmol/g。
有機氫化矽氧烷可使用市售品，又，亦可使用依照公知方法合成者。
有機氫化矽氧烷之調配比率亦取決於乙烯系矽化合物之乙烯系不飽和烴基(上述通式(2)之R2)與有機氫化矽氧烷之氫矽烷基(SiH基)之莫耳比，例如相對於乙烯系矽化合物100質量份，例如為10~10,000質量份，較佳為100~1,000質量份。
又，乙烯系矽化合物之乙烯系不飽和烴基(上述通式(2)之R2)相對於有機氫化矽氧烷之氫矽烷基(SiH基)的莫耳比(R2/SiH)例如為20/1~0.05/1，較佳為20/1~0.1/1，進而較佳為10/1~0.1/1，尤佳為10/1~0.2/1，最佳為5/1~0.2/1。又，例如亦可設定為未達1/1且0.05/1以上。
於莫耳比超過20/1之情形時，於使第1熱硬化性矽氧樹脂組合物成為半硬化狀態時，有無法獲得具有適度韌性之半硬化物之情況，於莫耳比未達0.05/1之情形時，有機氫化矽氧烷之調配比率過高，因此有所獲得之密封樹脂層之耐熱性及韌性變得不充分之情況。
又，只要莫耳比未達1/1、0.05/1以上，則於使第1熱硬 化性矽氧樹脂組合物成為半硬化狀態時，與莫耳比為20/1~1/1之第1熱硬化性矽氧樹脂組合物相比，可迅速地轉化為半硬化狀態。
第1熱硬化性矽氧樹脂組合物係藉由將上述兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷、乙烯系矽化合物、含環氧基之矽化合物及有機氫化矽氧烷與觸媒一併調配並攪拌混合而製備。
作為觸媒，例如可列舉縮合觸媒及加成觸媒(矽氫化觸媒)等。
縮合觸媒只要為可提高矽烷醇基與反應性官能基(上述通式(2)之SiX1基及上述通式(3)之SiX2基)之縮合反應之反應速度的物質，則並無特別限定，可列舉：例如鹽酸、乙酸、甲酸、硫酸等酸，例如氫氧化鉀、氫氧化鈉、碳酸鉀、氫氧化四甲基銨等鹼，例如鋁、鈦、鋅、錫等金屬等。
此種縮合觸媒可單獨使用，或者亦可併用。
又，於此種縮合觸媒中，就相溶性及熱分解性之觀點而言，可較佳地列舉鹼，可進而較佳地列舉氫氧化四甲基銨。
此種縮合觸媒之調配比率相對於兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷100莫耳，例如為0.1~50莫耳，較佳為0.5~5莫耳。
加成觸媒只要為提高加成反應、即乙烯系不飽和烴基與SiH之矽氫化反應之反應速度的物質，則並無特別限定，可列舉：例如鉑黑、氯化鉑、氯鉑酸、鉑-烯烴錯合物、鉑-羰基錯合物、鉑-乙醯乙酸酯等鉑觸媒，例如鈀觸媒、 銠觸媒等金屬觸媒。
此種加成觸媒可單獨使用，或者亦可併用。
又，於此種加成觸媒中，就相溶性、透明性及觸媒活性之觀點而言，可較佳地列舉鉑觸媒，可進而較佳地列舉鉑-羰基錯合物。
關於加成觸媒之調配比率，加成觸媒之金屬量之質量份數相對於有機氫化矽氧烷100質量份例如為1.0×10-4~1.0質量份，較佳為1.0×10-4~0.5質量份，進而較佳為1.0×10-4~0.05質量份。
再者，上述觸媒可直接使用固體狀態者，或就操作性之觀點而言亦可以溶解或分散於溶劑中之溶液或分散液之形式使用。
作為溶劑，可列舉：例如水，例如甲醇、乙醇等醇等，可較佳地列舉醇。
於製備第1熱硬化性矽氧樹脂組合物時，例如可一次性地添加上述原料(縮合原料及加成原料)及觸媒，或亦可於不同時刻分別添加各原料及各觸媒。進而，亦可一次性地添加一部分成分，將剩餘部分之各成分於不同時刻分別添加。
於此種第1熱硬化性矽氧樹脂組合物之製備方法中，可較佳地列舉：首先一次性地添加縮合原料及縮合觸媒，其次添加加成原料，其後添加加成觸媒之方法。
具體而言，以上述比率一次性地調配兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷、乙烯系矽化合物及含環氧基之矽化合物(即 縮合原料)與縮合觸媒，將該等攪拌例如5分鐘~24小時。
又，於調配及攪拌時，為了提高縮合原料之相溶性及操作性，亦可將溫度調整為例如0~60℃，較佳為10~35℃。
又，於調配原料及縮合觸媒時，亦可以適當之比率添加用以提高該等之相溶性之相溶劑。
作為相溶劑，例如可列舉甲醇等醇等有機溶劑。再者，關於相溶劑，於將縮合觸媒製備為有機溶劑之溶液或分散液之情形時，亦可將其有機溶劑作為相溶劑而提供。
其後，視需要對體系(上述混合物)進行減壓，藉此除去揮發成分(有機溶劑)。
繼而，於所獲得之縮合原料及縮合觸媒之混合物中調配有機氫化矽氧烷，攪拌例如1~120分鐘。
於調配及攪拌時，為了提高混合物及有機氫化矽氧烷之相溶性及操作性，亦可將溫度調整為例如0~60℃。
其後，將加成觸媒調配於體系(上述混合物)中，攪拌例如1~60分鐘。
藉此，可製備第1熱硬化性矽氧樹脂組合物。
所製備之第1熱硬化性矽氧樹脂組合物例如為液狀(油狀)。
第1熱硬化性矽氧樹脂組合物於25℃下之黏度例如為1,000~20,000 mPa．s，較佳為4,000~10,000 mPa．s。再者，黏度係利用B型黏度計而測定。
上述縮合/加成反應硬化型矽氧樹脂組合物例如為液狀(油狀)，且係藉由以下述方式塗佈於脫模片材上之後，藉 由加熱使縮合原料進行縮合反應而製備。並且，包含縮合/加成反應硬化型矽氧樹脂組合物之密封樹脂層以如下方式埋設發光二極體之後，進而進行加熱，藉此使加成原料進行加成反應，而形成硬化後之密封層。
具體而言，第1熱硬化性矽氧樹脂組合物含有例如兩末端為矽烷醇基之聚二甲基矽氧烷、乙烯基三甲氧基矽烷、(3-縮水甘油氧基丙基)三甲氧基矽烷及二甲基聚矽氧烷-甲基氫化聚矽氧烷共聚物，第2熱硬化性矽氧樹脂組合物含有例如末端為二甲基乙烯基矽烷基之聚二甲基矽氧烷、末端為三甲基矽烷基之二甲基矽氧烷-甲基氫矽氧烷共聚物、鉑-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物、及氫氧化四甲基銨，第3熱硬化性矽氧樹脂組合物含有例如末端為氫之乙烯基甲基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物、末端為三甲基矽烷氧基之二甲基矽氧烷-甲基氫矽氧烷共聚物、鉑-羰基錯合物、及四甲基氫氧化銨，第4熱硬化性矽氧樹脂組合物含有例如末端為羥基之乙烯基甲基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物、末端為三甲基矽烷氧基之二甲基矽氧烷-甲基氫矽氧烷共聚物、鉑-羰基錯合物、及四甲基氫氧化銨。
作為微粒子，可列舉：例如矽氧微粒子等有機微粒子，例如二氧化矽微粒子、滑石微粒子、氧化鋁微粒子、氮化鋁微粒子、氮化矽微粒子等無機微粒子。又，作為無機粒子，亦可列舉螢光體微粒子。
微粒子可單獨使用同一種類，或者可併用不同種類。
作為微粒子，就耐熱性之觀點而言，可較佳地列舉無機 微粒子。又，就折射率與熱硬化性矽氧樹脂近似之光學特性之觀點而言，可列舉二氧化矽微粒子、矽氧微粒子，就透明性之觀點而言，可列舉矽氧微粒子。
矽氧微粒子係具有交聯結構之聚矽氧烷(硬化後)之微粒子，例如可列舉聚倍半矽氧烷微粒子，若考慮硬度(密封層之加強效果)，則可較佳地列舉聚甲基矽倍半氧烷微粒子。
矽氧微粒子之折射率與熱硬化型矽氧樹脂之折射率近似，具體而言，例如為1.39~1.44，與熱硬化型矽氧樹脂之折射率之差值以絕對值計例如為0.02以內。
作為二氧化矽粒子，例如可列舉熔融二氧化矽微粒子、結晶二氧化矽微粒子等，可較佳地列舉熔融二氧化矽微粒子(即石英玻璃微粒子)。
螢光體微粒子係具有波長轉換功能之微粒子，例如可列舉：可將藍色光轉換成黃色光之黃色螢光體微粒子、可將藍色光轉換成紅色光之紅色螢光體微粒子等公知之螢光體微粒子。
作為黃色螢光體微粒子，可列舉：例如Y3Al5O12：Ce(YAG(釔-鋁-石榴石)：Ce)、Tb3Al3O12：Ce(TAG(鋱-鋁-石榴石)：Ce)等具有石榴石型結晶結構之石榴石型螢光體微粒子，例如Ca-α-SiAlON等氮氧化物螢光體微粒子等。
作為紅色螢光體微粒子，例如可列舉CaAlSiN3：Eu、CaSiN2：Eu等氮化物螢光體微粒子等。
作為微粒子之形狀，例如可列舉球狀、板狀、針狀等。 就流動性之觀點而言，可較佳地列舉球狀。
微粒子之最大長度之平均值(於球狀之情形時，為平均粒徑)例如為0.1~100 μm，就光學特性及處理之觀點而言，較佳為1~50 μm，進而較佳為2~30 μm。最大長度之平均值係使用雷射繞射散射式粒度分佈計進行測定。
微粒子之調配比率例如以相對於熱硬化性矽氧樹脂成為1~80質量%之方式進行調整，就確保流動性之觀點而言，較佳為以成為10~50質量%之方式進行調整。
又，微粒子之調配比率相對於樹脂組合物，例如為10~60質量%，較佳為15~40質量%。
進而，於上述樹脂組合物中，視需要可以適當之比率添加矽烷偶合劑、防老化劑、改性劑、界面活性劑、染料、顏料、防變色劑、紫外線吸收劑等公知添加物。
於製備樹脂組合物時，將熱硬化性矽氧樹脂、微粒子、及視需要之添加劑以上述調配比率加以調配、混合。
作為混合條件，溫度例如為10~40℃，較佳為15~35℃，時間例如為10分鐘以上，較佳為30分鐘以上。
又，樹脂組合物視需要可於其製備後進行消泡。
作為消泡方法，例如可列舉：減壓消泡(真空消泡)、離心消泡、超音波消泡等公知之消泡方法，可較佳地列舉減壓消泡(真空消泡)。
於消泡方法為減壓消泡(真空消泡)之情形時，作為消泡條件，溫度例如為10~40℃，較佳為15~35℃，時間例如為10分鐘以上，較佳為30分鐘以上。
樹脂組合物之黏度於25℃下例如為1,000~100,000 mPa．s，較佳為5,000~50,000 mPa．s。
若樹脂組合物之黏度未達上述下限，則有成形性或加工性變得不充分之情況。
並且，密封樹脂層(即矽氧樹脂片材)較佳為如下所述由半硬化狀態(B階狀態)之樹脂組合物所形成。
密封樹脂層之折射率例如為1.38~1.46，較佳為1.39~1.44。
半硬化狀態之密封樹脂層，藉由30℃下之頻率0.1~50 Hz、頻率增加速度10 Hz/分鐘、應變1%之剪切模式之動態黏彈性測定而獲得之頻率10 Hz下之複黏度為80~1,000 Pa．s，較佳為100~500 Pa．s，進而較佳為150~250 Pa．s。
於複黏度超過上述範圍之情形時，密封性降低。另一方面，於複黏度未達上述範圍之情形時，矽氧樹脂片材之操作性降低。
又，半硬化狀態之密封樹脂層藉由30℃下之頻率0.1~50 Hz、頻率增加速度10 Hz/分鐘、應變1%之剪切模式之動態黏彈性測定所獲得之頻率10 Hz下之tanδ為0.3~1.6，較佳為0.3~1.4。
於tanδ超過上述範圍之情形時，於埋設藉由打線接合連接於基板上之發光二極體元件時，會損傷金屬線。
另一方面，於tanδ未達上述範圍之情形時，操作性降低。
又，就密封性及操作性之觀點而言，密封樹脂層之壓縮 彈性模數(25℃)例如為0.01~1 MPa，較佳為0.01~0.5 MPa。
於密封樹脂層之壓縮彈性模數未達上述範圍之情形時，有密封樹脂層之保形性降低之情況。另一方面，於密封樹脂層之壓縮彈性模數超過上述範圍之情形時，於埋設藉由打線接合而連接於基板上之發光二極體元件時，會損傷金屬線。
密封樹脂層之壓縮彈性模數係藉由使用精密荷重測定機之壓縮試驗而求出。
密封樹脂層之厚度並無特別限制，於密封下述發光二極體時係以可埋設發光二極體及金屬線之方式適當調整。
密封樹脂層之厚度例如為300~3,000 μm，較佳為500~2,000 μm。
若密封樹脂層之厚度未達上述範圍，則有發光二極體之密封變得不充分之情況。
此種密封樹脂層可由1層形成，或亦可由複數層形成。
圖1係表示製造本發明之矽氧樹脂片材之一實施形態之步驟的步驟圖。
其次，參照圖1對製造矽氧樹脂片材1之方法進行說明。
於該方法中，首先如圖1(a)所示般準備脫模片材5。
脫模片材5可用作被覆保護密封樹脂層7之表面之保護片材，或密封樹脂層7之塗敷基材。
作為脫模片材5，並無特別限制，可列舉：例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET，polyethylene terephthalate)膜等聚酯 膜，例如聚碳酸酯膜，例如聚乙烯膜、聚丙烯膜等聚烯烴膜，例如聚苯乙烯膜，例如丙烯酸系膜，例如矽氧樹脂膜、氟樹脂膜等樹脂膜等。
於此種脫模片材5中，可較佳地列舉聚酯膜。
再者，於脫模片材5之表面(形成密封樹脂層7側之面)，為了提高自密封樹脂層7之脫模性，視需要實施脫模處理。
脫模片材5之厚度並無特別限制，例如就操作性、成本之觀點而言，例如為20~100 μm，較佳為30~80 μm。
繼而，如圖1(b)所示般將密封樹脂層7積層於脫模片材5之上表面。
於將密封樹脂層7積層於脫模片材5上之時，藉由例如澆鑄、旋塗、輥等公知之塗佈方法，將例如樹脂組合物塗佈於脫模片材5之整個上表面，藉此形成密封樹脂層7。
並且，加熱密封樹脂層7，使包含樹脂組合物之密封樹脂層7半硬化。
藉此，熱硬化性矽氧樹脂變為半硬化狀態。詳細而言，加熱條件係於熱硬化性矽氧樹脂為縮合/加成反應硬化型矽氧樹脂組合物之情形時，進行縮合反應(矽烷醇縮合反應)之條件。
作為半硬化之加熱條件，溫度例如為80~200℃，較佳為120~160℃，進而較佳為130~140℃，加熱時間例如為0.5~100分鐘，較佳為1~20分鐘，進而較佳為3~10分鐘。
藉此，於脫模片材5之上表面積層密封樹脂層7。
根據以上，製備矽氧樹脂片材1。
關於矽氧樹脂片材1之尺寸，只要可密封發光二極體(下述)及金屬線(下述)，則無特別限制，例如自發光二極體及金屬線(下述)之上下方向之投影面之外周線起超出1~20 mm，較佳為超出2~10 mm。
圖2係表示藉由圖1所示之矽氧樹脂片材埋設發光二極體元件，藉由硬化片材密封發光二極體元件而製作發光二極體裝置之步驟的步驟圖。
其次，參照圖2對使用圖1之矽氧樹脂片材1來密封發光二極體元件11而製造發光二極體裝置2之方法進行說明。
於該方法中，首先如圖2(a)所示般準備矽氧樹脂片材1及基板14。
基板14係由例如包含鋁等之金屬板，或例如包含聚醯亞胺樹脂等之樹脂板所形成，形成為大於矽氧樹脂片材1之密封樹脂層7的大致平板形狀。
又，基板14上設置有形成於其上表面之端子(未圖示)、安裝於中央部分之發光二極體元件11、電性連接發光二極體元件11與端子(未圖示)之金屬線12。再者，發光二極體元件11係經由金屬線12而將其上表面打線接合於基板14之上表面。
金屬線12係由例如金、銀、銅等導體材料所形成。
又，金屬線12於側視下成彎曲狀，其尺寸可適當選擇，例如線徑為10~100 μm，又，例如發光二極體元件11之上表面的與金屬線12之元件側接點與金屬線12之最上部分的 上下方向長度例如為150~250 μm，基板14之上表面的與金屬線12之基板側接點與金屬線12之最上部分的上下方向長度例如為300~450 μm，元件側接點與基板側接點之面方向長度(圖2(a)的左右方向長度)例如為1400~1600 μm。
發光二極體元件11例如為可發出藍色光之光半導體元件，且形成為剖面大致矩形狀。
發光二極體元件11成為俯視大致矩形平板狀，其1邊之長度例如為0.1~5 mm，厚度例如為10~1,000 μm。
矽氧樹脂片材1係以使圖1(b)所示之狀態之矽氧樹脂片材1上下反轉，將密封樹脂層7於上下方向與發光二極體元件11隔著間隔地對向之方式配置。
繼而，如圖2(b)及圖2(c)所示般藉由矽氧樹脂片材1埋設發光二極體元件11。
具體而言，如圖2(b)所示般使矽氧樹脂片材1下降(壓下)、藉由密封樹脂層7被覆發光二極體元件11及金屬線12之表面。繼而，如圖2(c)所示般對基板14壓接矽氧樹脂片材1。
壓接係藉由控制將密封樹脂層7壓入基板14側(壓縮)之量(以下記為壓入量)而實施。
壓入量如下述式所示。
壓入量=壓縮(壓接)前之密封樹脂層7之厚度L1-壓縮(壓接)後之密封樹脂層7之厚度L2
壓入量係以將由下述式所示之壓入率例如設定為5~30%之方式進行調節。
壓入率=壓入量/壓縮(壓接)前之密封樹脂層7之厚度L1×100%
具體而言，以按照壓入量壓縮密封樹脂層7之厚度之方式壓接矽氧樹脂片材1。
藉由以此方式調節壓入量，可防止矽氧樹脂片材1之壓壞，利用矽氧樹脂片材1確實地密封發光二極體11。
壓接之溫度例如為0~40℃，較佳為15~35℃。
又，於壓接中，可於壓下(壓入)之狀態下保持矽氧樹脂片材1，該保持時間例如為10秒~10分鐘，較佳為10秒~5分鐘。
繼而，如圖2(d)所示般加熱矽氧樹脂片材1及基板14。
藉由該加熱，於矽氧樹脂片材1中，密封樹脂層7發生硬化。
更具體而言，半硬化狀態(B階狀態)之樹脂組合物變為完全硬化狀態(C階狀態)。詳細而言，加熱條件係於熱硬化性矽氧樹脂為縮合/加成反應硬化型矽氧樹脂組合物之情形時進行加成反應(矽氫化加成反應)之條件。
具體而言，加熱溫度例如為80~200℃，較佳為100~180℃，加熱時間例如為1~20小時，較佳為2~10小時。
藉此，具備密封樹脂層7之矽氧樹脂片材1成為具備密封樹脂層7硬化而成之密封層10的硬化片材20。
其後，如利用圖2(d)之假想線所示般將脫模片材5自密封層10剝離。
根據以上，藉由硬化片材20之密封層10，製作密封有發光二極體元件11之發光二極體裝置2。
即，製作具備發光二極體元件11、及密封發光二極體元件11之密封層10的發光二極體裝置2。
並且，由於該發光二極體裝置2之製造方法係使用30℃之頻率10 Hz下之複黏度為80~1,000 Pa．s且30℃之頻率10 Hz下之tanδ為0.3~1.6之矽氧樹脂片材1，故而於室溫附近(具體而言，15~35℃)之操作性優異，並且於室溫附近可防止損傷發光二極體元件11及金屬線12，並且如圖2(b)所示般埋設發光二極體元件11。
並且，利用如圖2(c)所示般藉由使矽氧樹脂片材1之密封樹脂層7硬化而獲得的硬化片材20之密封層10，密封發光二極體元件11，可獲得可靠性優異之本發明之發光二極體裝置2。
實施例
以下，揭示製備例、實施例及比較例，進一步具體說明本發明，但本發明不受該等之任何限定。
製備例1
<縮合/加成反應硬化型矽氧樹脂組合物之製備>
於兩末端為矽烷醇基之聚二甲基矽氧烷(兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷，通式(1)中，R1均為甲基，n之平均值為155，數量平均分子量為11,500，矽烷醇基當量為0.174 mmol/g)2031 g(0.177莫耳)中調配乙烯基三甲氧基矽烷(乙烯系矽化合物)15.71 g(0.106莫耳)及(3-縮水甘油氧基丙基) 三甲氧基矽烷(含環氧基之矽化合物)2.80 g(0.0118莫耳)並攪拌混合。
再者，兩末端為矽烷醇基之聚二甲基矽氧烷之SiOH基相對於乙烯基三甲氧基矽烷及(3-縮水甘油氧基丙基)三甲氧基矽烷之SiOCH3基的莫耳比(SiOH基之莫耳數/SiOCH3基之總莫耳數)為1/1。
攪拌混合後，添加氫氧化四甲基銨之甲醇溶液(縮合觸媒，濃度10質量%)0.97 mL(0.766 g，觸媒含量：0.88毫莫耳，相對於兩末端為矽烷醇基之聚二甲基矽氧烷100莫耳相當於0.50莫耳)，於40℃下攪拌1小時。其後，一面將該等於40℃之減壓下(10 mmHg)攪拌1小時，一面除去揮發分(甲醇等)。
其後，將體系恢復常壓之後，於反應物中添加有機氫化矽氧烷(信越化學工業公司製造，二甲基聚矽氧烷-甲基氫化聚矽氧烷共聚物，平均分子量為2,000，氫矽烷基當量為7.14 mmol/g)44.5 g(0.022莫耳)，於40℃下攪拌1小時。
再者，乙烯基三甲氧基矽烷之乙烯基(CH2=CH-)相對於有機氫化矽氧烷之氫矽烷基(SiH基)的莫耳比(CH2=CH-/SiH)為1/3。
其後，於體系中添加鉑-羰基錯合物之矽氧烷溶液(加成觸媒，鉑濃度為2質量%)0.13 g(0.13 mL，鉑含量為2質量%，鉑相對於有機氫化矽氧烷100質量份相當於5.8×10-3質量份)，於40℃下攪拌10分鐘，而獲得熱硬化型矽氧樹脂組合物(縮合/加成反應硬化型)。
實施例1
<樹脂組合物之製備>
於熱硬化型矽氧樹脂組合物中調配Tospearl 2000B(商品名，聚甲基矽倍半氧烷微粒子，平均粒徑為6.0 μm，折射率為1.41，Momentive Performance Materials Japan公司製造)20質量%，於室溫(25℃)下攪拌10分鐘。攪拌後，於利用真空乾燥機之減壓下，於室溫下消泡30分鐘以上。
藉此，製備樹脂組合物。再者，樹脂組合物之折射率為1.42。
<矽氧樹脂片材之製作>
於聚酯膜(商品名：SS4C，Nippa公司製造，厚度為50 μm)製之脫模片材(參照圖1(a))之上表面，以厚度成為600 μm之方式塗佈樹脂組合物，其後於135℃下加熱9分鐘，藉此製作於脫模片材之上表面積層有厚度為600 μm之半硬化狀態之密封樹脂層的矽氧樹脂片材。
<發光二極體裝置之製作>
準備藉由打線接合連接有1 mm×1 mm且厚度為100 μm之俯視矩形狀之發光二極體元件的基板。
再者，金屬線係包含金之線徑為30 μm者，成彎曲狀，其尺寸為元件側接點與金屬線之最上部分之上下方向長度為300 μm，基板側接點與金屬線之最上部分之上下方向長度為450 μm，元件側接點與基板側接點之左右方向長度為1500 μm。
其後，將矽氧樹脂片材切割為10 mm×10 mm之俯視矩形 狀，其後於常溫(25℃)下藉由矽氧樹脂片材埋設發光二極體元件(參照圖2(b)及圖2(c))。
具體而言，使矽氧樹脂片材下降，藉由密封樹脂層被覆發光二極體及金屬線之表面(參照圖2(b))。繼而，於以進行壓入量為100 μm(壓入率16.7%=壓入量100 μm/壓縮(壓接)前之密封樹脂層之厚度600 μm×100%)之壓縮之方式控制密封樹脂層之厚度之狀態下，於25℃下保持矽氧樹脂片材之位置40秒，而對鋁芯基板壓接矽氧樹脂片材(參照圖2(c))。
其後，藉由將矽氧樹脂片材及基板加熱至150℃，使密封樹脂層硬化而形成密封層，藉此密封發光二極體元件。藉此，製作發光二極體裝置(參照圖2(d))。
實施例2~6及比較例1~4
依據表1變更調配處方及加熱條件，除此以外，以與實施例1相同之方式製備樹脂組合物，繼而製作矽氧樹脂片材及發光二極體裝置。
<評價>
針對各實施例及各比較例之矽氧樹脂片材、及發光二極體裝置，對下述內容進行評價。將該等之結果示於表1。
(1)動態黏彈性測定(複黏度及tanδ)
對矽氧樹脂片材實施動態黏彈性測定。
具體而言，係使用具備於上下方向對向配置之2塊直徑為25 mm之圓板的流變儀。
詳細而言，將具備B階狀態之密封樹脂層的矽氧樹脂片 材之密封樹脂層之下表面載置於下側之圓板上，其後將脫模片材自密封樹脂層剝離之後，使上側之圓板與密封樹脂層之上表面接觸。藉此，利用2塊圓板夾入密封樹脂層。
其後，針對密封樹脂層，於30℃下之頻率0.1~50 Hz、頻率增加速度10 Hz/分鐘、應變1%之剪切模式下實施動態黏彈性測定，藉此獲得頻率10 Hz下之複黏度及tanδ。
(2)加工性
基於上述(1)動態黏彈性測定(複黏度及tanδ)根據以下之評價基準，評價加工性。
×：複黏度未達80 Pa．s，或tanδ超過1.6。於該狀態下，流動性較高而無法保持片材形狀。即，保形性不良。
○：複黏度為80 Pa．s以上，且tanδ為1.6以下。於該狀態下，片材之加工性及操作性良好。
(3)密封性
針對金屬線之形狀，於利用硬化片材進行密封之前後，利用X線觀察裝置進行觀察，根據以下之基準進行評價。
○：未見金屬線變形。
△：可見金屬線稍有變形，但不影響發光二極體元件之發光。
×：可見金屬線變形，對發光二極體元件之發光產生障礙。
再者，將表1之各成分之詳細內容記載於以下。
矽氧微粒子：商品名「Tospearl 2000B」，聚甲基矽倍半氧烷微粒子，平均粒徑為6.0 μm，折射率為1.41，Momentive Performance Materials Japan公司製造
二氧化矽微粒子1：商品名「FB-7SDC」，熔融二氧化矽微粒子，平均粒徑為7 μm，電氣化學工業公司製造
二氧化矽微粒子2：商品名「FB-40S」，熔融二氧化矽微粒子，平均粒徑為40 μm，電氣化學工業公司製造
再者，上述說明提供了本發明之例示之實施形態，但其僅為例示，並非限定地進行解釋。由該技術領域之從業者明確之本發明之變形例包含於下述申請專利範圍中。
1‧‧‧矽氧樹脂片材
2‧‧‧發光二極體裝置
5‧‧‧脫模片材
7‧‧‧密封樹脂層
10‧‧‧密封層
11‧‧‧發光二極體元件
12‧‧‧金屬線
14‧‧‧基板
20‧‧‧硬化片材
L1‧‧‧壓縮(壓接)前之密封樹脂層7之厚度
L2‧‧‧壓縮(壓接)後之密封樹脂層7之厚度
圖1係表示製造本發明之矽氧樹脂片材之一實施形態之步驟的步驟圖，(a)表示準備脫模片材之步驟，(b)表示積層密封樹脂層之步驟。
圖2係表示藉由圖1所示之矽氧樹脂片材埋設發光二極體元件，藉由硬化片材密封發光二極體元件而製作發光二極體裝置之步驟的步驟圖，(a)表示將矽氧樹脂片材配置於基板上側之步驟，(b)表示藉由矽氧樹脂片材埋設發光二極體元件之步驟，(c)表示將矽氧樹脂片材壓接於基板上，而密封光半導體元件之步驟，(d)表示加熱矽氧樹脂片材而使之硬化之步驟。
1‧‧‧矽氧樹脂片材
2‧‧‧發光二極體裝置
5‧‧‧脫模片材
7‧‧‧密封樹脂層
10‧‧‧密封層
11‧‧‧發光二極體元件
12‧‧‧金屬線
14‧‧‧基板
20‧‧‧硬化片材

Claims (9)

  1. 一種矽氧樹脂片材，其特徵在於：其係由含有熱硬化性矽氧樹脂及微粒子之樹脂組合物所形成者，上述矽氧樹脂片材為半硬化狀態，上述微粒子之調配比率相對於上述熱硬化性矽氧樹脂為10~50質量%，藉由30℃下之頻率0.1~50Hz、頻率增加速度10Hz/分鐘、應變1%之剪切模式之動態黏彈性測定而獲得之頻率10Hz下之矽氧樹脂片材之複黏度為80~1,000Pa．s，且頻率10Hz下之tanδ為0.3~1.6。
  2. 如請求項1之矽氧樹脂片材，其中上述微粒子為二氧化矽微粒子及/或矽氧微粒子。
  3. 一種硬化片材，其特徵在於：其係藉由使矽氧樹脂片材硬化而獲得者，上述矽氧樹脂片材係半硬化狀態，並由含有熱硬化性矽氧樹脂及微粒子之樹脂組合物所形成者，上述微粒子之調配比率相對於上述熱硬化性矽氧樹脂為10~50質量%，藉由30℃下之頻率0.1~50Hz、頻率增加速度10Hz/分鐘、應變1%之剪切模式之動態黏彈性測定而獲得之頻率10Hz下之矽氧樹脂片材之複黏度為80~1,000Pa．s，且頻率10Hz下之tanδ為0.3~1.6。
  4. 一種發光二極體裝置，其特徵在於具備：發光二極體元件；及 密封上述發光二極體元件之硬化片材；上述硬化片材係藉由使矽氧樹脂片材硬化而獲得者，上述矽氧樹脂片材係半硬化狀態，並由含有熱硬化性矽氧樹脂及微粒子之樹脂組合物所形成者，上述微粒子之調配比率相對於上述熱硬化性矽氧樹脂為10~50質量%，藉由30℃下之頻率0.1~50Hz、頻率增加速度10Hz/分鐘、應變1%之剪切模式之動態黏彈性測定而獲得之頻率10Hz下之矽氧樹脂片材之複黏度為80~1,000Pa．s，且頻率10Hz下之tanδ為0.3~1.6。
  5. 一種發光二極體裝置之製造方法，其特徵在於具備如下步驟：藉由矽氧樹脂片材埋設發光二極體元件之步驟；及藉由使上述矽氧樹脂片材硬化而密封上述發光二極體元件之步驟；上述矽氧樹脂片材係半硬化狀態，並由含有熱硬化性矽氧樹脂及微粒子之樹脂組合物所形成者，上述微粒子之調配比率相對於上述熱硬化性矽氧樹脂為10~50質量%，藉由30℃下之頻率0.1~50Hz、頻率增加速度10Hz/分鐘、應變1%之剪切模式之動態黏彈性測定而獲得之頻率10Hz下之矽氧樹脂片材之複黏度為80~1,000Pa．s，且頻率10Hz下之tanδ為0.3~1.6。
  6. 如請求項1之矽氧樹脂片材，其中上述矽氧樹脂片材之 厚度為300~3000μm。
  7. 如請求項3之硬化片材，其中上述矽氧樹脂片材之厚度為300~3000μm。
  8. 如請求項4之發光二極體裝置，其中上述矽氧樹脂片材之厚度為300~3000μm。
  9. 如請求項5之發光二極體裝置之製造方法，其中上述矽氧樹脂片材之厚度為300~3000μm。
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