TW201332161A - 發光二極體裝置及其製造方法 - Google Patents

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sealing resin
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Hiroyuki Katayama
Yasunari Ooyabu
Satoshi Sato
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Nitto Denko Corp
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Abstract

本發明係一種發光二極體裝置之製造方法，其包括：準備密封樹脂層之步驟；將發光二極體元件埋設於密封樹脂層中之步驟；及對埋設有發光二極體元件之密封樹脂層一面藉由氣體進行加壓一面加熱之步驟。

Description

發光二極體裝置及其製造方法
本發明係關於一種發光二極體裝置及其製造方法，詳細而言，係關於一種發光二極體元件由密封樹脂層密封之發光二極體裝置及其製造方法。
發光二極體裝置眾所周知可藉由利用密封樹脂層將發光二極體元件(LED，Light Emitting Diode)密封而獲得。
例如，提出有以下方法(例如，參照日本專利特開2011-228525號公報)。
即，提出有下述方法：於安裝有光半導體元件之基板上，以被覆光半導體元件之方式形成密封材料，其後於真空壓製裝置中，將其等於減壓下以加壓板夾持，並且一面進行真空壓製一面加熱而使密封材料硬化，以該密封材料將光半導體元件密封，藉此獲得光半導體裝置。
日本專利特開2011-228525號公報之方法中，藉由進行真空壓製而加壓，使密封材料中產生孔隙(氣泡)之情況減少。
然而，日本專利特開2011-228525號公報中所記載之方法中，由於係以加壓板夾持密封材料並進行加壓及加熱，故而於壓力較高且加熱時間較長之情形時，存在容易對裝置施加負荷、密封材料(片材)產生變形/應變、或壓壞之不良狀況。
進而，真空壓製中，於壓力較高之情形時，施加於光半導體元件上之按壓力容易變得不均勻，於該情形時，存在光半導體元件受損、或密封樹脂層中殘留孔隙之情況。
本發明之目的在於提供一種發光二極體裝置之製造方法及藉由該方法而獲得之發光二極體裝置，該發光二極體裝置之製造方法可一面抑制發光二極體元件受損及於密封樹脂層中產生孔隙，且抑制對設備施加負荷，一面製造發光二極體裝置。
本發明之發光二極體裝置之製造方法之特徵在於：其係發光二極體元件由密封樹脂層密封之發光二極體裝置之製造方法，且包括：準備密封樹脂層之步驟；將發光二極體元件埋設於上述密封樹脂層中之步驟；及對埋設有上述發光二極體元件之上述密封樹脂層一面藉由氣體進行加壓一面加熱之步驟。
又，上述發光二極體裝置之製造方法中，較佳為上述密封樹脂層係由B-階段之熱硬化性樹脂所形成。
又，上述發光二極體裝置之製造方法中，較佳為上述密封樹脂層於25℃下之壓縮彈性模數為0.01~1 MPa。
又，上述發光二極體裝置之製造方法中，於對上述密封樹脂層一面藉由氣體進行加壓一面加熱之步驟中，較佳為於2~20個大氣壓下對上述密封樹脂層進行加壓。
又，上述發光二極體裝置之製造方法中，於對上述密封樹脂層一面藉由氣體進行加壓一面加熱之步驟中，較佳為於高壓釜中對上述密封樹脂層一面加壓一面加熱。
又，本發明之發光二極體裝置之特徵在於：其係藉由上述發光二極體裝置之製造方法而製造。
根據用以製造本發明之發光二極體裝置的本發明之發光二極體裝置之製造方法，係對埋設有發光二極體元件之密封樹脂層一面藉由氣體進行加壓一面加熱。
因此，即便壓力提高且加熱時間增長，亦可抑制施加於裝置上之負荷。
又，由於係藉由氣體而進行加壓，故而即便壓力增高之情形時，亦可使施加於發光二極體元件上之按壓力均勻，因此可抑制發光二極體元件受損及於密封樹脂層中產生孔隙。
圖1表示對本發明之發光二極體裝置之製造方法之一實施形態進行說明之步驟圖，圖2表示對準備圖1(a)所示之密封片材之方法進行說明之步驟圖。
如圖1所示，該方法係藉由密封樹脂層3密封發光二極體元件2之發光二極體裝置1之製造方法，其包括：準備密封樹脂層3之步驟(參照圖1(a))；將發光二極體元件2埋設於密封樹脂層3中之步驟(埋設步驟，參照圖1(b))；及對埋設有發光二極體元件2之密封樹脂層3一面藉由氣體進行加壓一面加熱之步驟(氣體加壓、加熱步驟，參照圖1(c))。
準備密封樹脂層3時，例如，如圖1(a)所示，準備包括基材4、與形成於其背面之密封樹脂層3之密封片材5。
準備如圖1(a)所示之密封片材5時，首先，如圖2(a)所 示，準備基材4。
基材4係被覆及保護密封樹脂層3之表面(參照圖2(b))之保護片材、或密封樹脂層3之塗佈基材。
作為基材4，並無特別限制，可列舉：例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜等聚酯膜，例如聚碳酸酯膜，例如聚乙烯膜、聚丙烯膜等聚烯烴膜，例如聚苯乙烯膜，例如丙烯酸系膜，例如聚矽氧樹脂膜、例如氟樹脂膜等樹脂膜等。 進而，作為基材4，亦可列舉例如銅箔、不鏽鋼箔等金屬箔。
此種基材4中，較佳可列舉樹脂膜，進而較佳可列舉聚酯膜。
再者，為提高自密封樹脂層3之脫模性，基材4之表面(形成有密封樹脂層3一側之面)視需要而實施有脫模處理。
基材4之厚度並無特別限制，例如就操作性、成本之觀點而言，例如為10~200 μm，較佳為20~100 μm。
繼而，該方法中，如圖2(b)所示，將密封樹脂層3積層於基材4之表面。
將密封樹脂層3積層於基材4之表面時，首先，藉由例如刮刀法、凹版塗佈法、噴注式塗佈法、澆鑄法、旋塗法、輥塗法等公知之塗佈方法將以下詳述之密封樹脂組合物塗佈於基材4之整個表面上。
作為密封樹脂組合物，可列舉：例如聚矽氧樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、酚系樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等熱硬化性樹脂，例如丙烯酸系樹 脂、氟樹脂、聚酯樹脂等熱塑性樹脂等樹脂。
作為密封樹脂組合物，較佳可列舉熱硬化性樹脂，進而較佳可列舉聚矽氧樹脂。
作為聚矽氧樹脂，可列舉例如具有兩個反應系統(硬化反應中之反應系統)之熱硬化性聚矽氧樹脂組合物。
作為具有兩個反應系統之熱硬化性聚矽氧樹脂組合物，可列舉例如具有縮合反應與加成反應兩個反應系統之縮合-加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物。
具體而言，縮合-加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物可藉由加熱而進行縮合反應(矽烷醇縮合)成為半硬化狀態(B-階段)，繼而，可藉由進一步加熱而進行加成反應(氫矽烷加成)成為硬化狀態(完全硬化狀態)。
作為縮合-加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物，可列舉：例如，包含矽烷醇基兩封端之聚矽氧烷、含乙烯系不飽和烴基之矽化合物(以下稱作乙烯系矽化合物)、含環氧基之矽化合物及有機氫矽氧烷的第1熱硬化性聚矽氧樹脂組合物；例如，包含一分子中具有至少兩個烯基矽烷基之第1有機聚矽氧烷、一分子中具有至少兩個氫矽烷基之第2有機聚矽氧烷、矽氫化觸媒、及硬化延遲劑的第2熱硬化性聚矽氧樹脂組合物；例如，包含一分子中兼具至少兩個乙烯系不飽和烴基與至少兩個氫矽烷基之第1有機聚矽氧烷、不含乙烯系不飽和烴基、一分子中具有至少兩個氫矽烷基之第2有機聚矽氧烷、矽氫化觸媒、及矽氫化抑制劑的第3熱硬化性聚矽氧樹脂組合物；例如，包含一分子中 兼具至少兩個乙烯系不飽和烴基與至少兩個矽烷醇基之第1有機聚矽氧烷、不含乙烯系不飽和烴基、一分子中具有至少兩個氫矽烷基之第2有機聚矽氧烷、及矽氫化觸媒的第4熱硬化性聚矽氧樹脂組合物等。
作為縮合-加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物，較佳可列舉第1熱硬化性聚矽氧樹脂組合物。
第1熱硬化性聚矽氧樹脂組合物中，矽烷醇基兩封端之聚矽氧烷、乙烯系矽化合物及含環氧基之矽化合物為縮合原料(供給縮合反應之原料)，乙烯系矽化合物及有機氫矽氧烷為加成原料(供給加成反應之原料)。
矽烷醇基兩封端之聚矽氧烷為於分子之兩末端含有矽烷醇基(SiOH基)之有機矽氧烷，具體而言，如下述通式(1)所示。
(通式(1)中，R1表示選自飽和烴基及芳香族烴基之1價烴基。又，n表示1以上之整數)。
上述通式(1)中，R1所表示之1價烴基中，作為飽和烴基，可列舉：例如碳數1~6之直鏈狀或分支狀之烷基(甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、戊基、己基等)，例如碳數3~6之環烷基(環戊基、環己基等)等。
又，上述通式(1)中，R1所表示之1價烴基中，作為芳香族烴基，可列舉例如碳數6~10之芳基(苯基、萘基)等。
上述通式(1)中，R1可相同或相互間不同，較佳為相同。
作為1價烴基，較佳可列舉碳數1~6之烷基、及碳數6~10之芳基，就透明性、熱穩定性及耐光性之觀點而言，進而較佳可列舉甲基。
上述通式(1)中，就穩定性及/或操作性之觀點而言，n較佳為1~10,000之整數，進而較佳為1~1,000之整數。
再者，上述通式(1)中之n係作為平均值而算出。
作為矽烷醇基兩封端之聚矽氧烷，具體而言，可列舉矽烷醇基兩封端之聚二甲基矽氧烷、矽烷醇基兩封端之聚甲基苯基矽氧烷、矽烷醇基兩封端之聚二苯基矽氧烷等。
此種矽烷醇基兩封端之聚矽氧烷可單獨使用，或者亦可併用。
又，此種矽烷醇基兩封端之聚矽氧烷中，較佳可列舉矽烷醇基兩封端之聚二甲基矽氧烷。
矽烷醇基兩封端之聚矽氧烷可使用市售品，又，亦可使用按照公知之方法而合成者。
就穩定性及/或操作性之觀點而言，矽烷醇基兩封端之聚矽氧烷之數量平均分子量為例如100~1,000,000，較佳為200~100,000。數量平均分子量係藉由凝膠滲透層析法以標準聚苯乙烯進行換算而算出。後述之除矽烷醇基兩封端之聚矽氧烷以外之原料之數量平均分子量亦以與上述相同 之方式而算出。
此種矽烷醇基兩封端之聚矽氧烷中，矽烷醇基當量為例如0.002~25 mmol/g，較佳為0.02~25 mmol/g。
矽烷醇基兩封端之聚矽氧烷之調配比率相對於縮合原料100質量份為例如1~99.99質量份，較佳為50~99.9質量份，進而較佳為80~99.5質量份。
乙烯系矽化合物為兼具乙烯系不飽和烴基、及矽烷醇縮合反應中之脫離基之矽烷化合物，具體而言，如下述通式(2)所示。
通式(2)：R2-Si(X1)3 (2)(通式(2)中，R2表示1價之乙烯系不飽和烴基，X1表示鹵素原子、烷氧基、苯氧基、或乙醯氧基。其中，X1可相同或相互間不同)。
上述通式(2)中，作為R2所表示之乙烯系不飽和烴基，可列舉取代或未經取代之乙烯系不飽和烴基，例如可列舉烯基、環烯基等。
作為烯基，可列舉例如乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基等碳數2~10之烯基。
作為環烯基，可列舉例如環己烯基、降烯基等碳數3~10之環烯基。
作為乙烯系不飽和烴基，就與氫矽烷基之反應性之觀點而言，較佳可列舉烯基，進而較佳可列舉碳數2~5之烯 基，尤佳可列舉乙烯基。
上述通式(2)中之X1為矽烷醇縮合反應中之脫離基，上述通式(2)中之SiX1基為矽烷醇縮合反應中之反應性官能基。
上述通式(2)中，作為X1所表示之鹵素原子，可列舉例如溴、氯、氟、碘等。
上述通式(2)中，作為X1所表示之烷氧基，可列舉例如具有碳數1~6之直鏈狀或分支狀之烷基之烷氧基(甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、戊氧基、己氧基等)、例如具有碳數3~6之環烷基之烷氧基(環戊氧基、環己氧基等)等。
上述通式(2)中，X1可相同或彼此不同，較佳為相同。
此種上述通式(2)之X1中，較佳可列舉烷氧基，進而較佳可列舉甲氧基。
作為此種乙烯系矽化合物，可列舉例如含乙烯系不飽和烴基之三烷氧基矽烷、含乙烯系不飽和烴基之三鹵化矽烷、含乙烯系不飽和烴基之三苯氧基矽烷、含乙烯系不飽和烴基之三乙醯氧基矽烷等。
此種乙烯系矽化合物可單獨使用，或者亦可併用。
此種乙烯系矽化合物中，較佳可列舉含乙烯系不飽和烴基之三烷氧基矽烷。
作為含乙烯系不飽和烴基之三烷氧基矽烷，具體而言，可列舉乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三丙氧基矽烷等乙烯基三烷氧基矽烷，例如烯丙基三甲 氧基矽烷，例如丙烯基三甲氧基矽烷，例如丁烯基三甲氧基矽烷，例如環己烯基三甲氧基矽烷等。
又，此種含乙烯系不飽和烴基之三烷氧基矽烷中，較佳可列舉乙烯基三烷氧基矽烷，進而較佳可列舉乙烯基三甲氧基矽烷。
乙烯系矽化合物之調配比率相對於縮合原料100質量份為例如0.01~90質量份，較佳為0.01~50質量份，進而較佳為0.01~10質量份。
乙烯系矽化合物可使用市售品，又，亦可使用按照公知之方法而合成者。
含環氧基之矽化合物為兼具環氧基及矽烷醇縮合反應中之脫離基之矽烷化合物，具體而言，如下述通式(3)所示。
通式(3)：R3-Si(X2)3 (3)(通式(3)中，R3表示含環氧結構之基，X2表示鹵素原子、烷氧基、苯氧基、或乙醯氧基。其中，X2可相同或彼此不同)。
通式(3)中，作為R3所示之含環氧結構之基，可列舉例如環氧基，例如縮水甘油醚基，例如環氧環己基等環氧環烷基等。
此種含環氧結構之基中，較佳可列舉縮水甘油醚基。具體而言，縮水甘油醚基為下述通式(4)所表示之縮水甘油氧烷基。
通式(4)： (通式(4)中，R4表示選自飽和烴基及芳香族烴基之2價烴基)。
上述通式(4)中，R4所表示之2價烴基中，作為飽和烴基，可列舉例如碳數1~6之伸烷基(亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基等)，例如碳數3~8之伸環烷基(伸環戊基、伸環己基等)等。
又，上述通式(4)中，R4所表示之2價烴基中，作為芳香族烴基，可列舉例如碳數6~10之伸芳基(伸苯基、伸萘基等)等。
作為此種2價烴基，較佳可列舉碳數1~6之伸烷基，進而較佳可列舉伸丙基。
作為縮水甘油醚基，具體而言，可列舉縮水甘油氧甲基、縮水甘油氧乙基、縮水甘油氧丙基、縮水甘油氧環己基、縮水甘油氧苯基等。
此種縮水甘油醚基中，較佳可列舉縮水甘油氧丙基。
上述通式(3)中之X2為矽烷醇縮合反應中之脫離基，上述通式(3)中之SiX2基為矽烷醇縮合反應中之反應性官能基。
上述通式(3)中，作為X2所表示之鹵素原子，可列舉與上述通式(2)之X1所表示之鹵素原子相同者。
上述通式(3)中，作為X2所表示之烷氧基，可列舉與上述通式(2)之X1所表示之烷氧基相同者。
上述通式(3)中，X2可相同或彼此不同，較佳為相同。
作為此種上述通式(3)之X2，較佳可列舉烷氧基，進而較佳可列舉甲氧基。
作為此種含環氧基之矽化合物，可列舉例如含環氧基之三烷氧基矽烷、含環氧基之三鹵化矽烷、含環氧基之三苯氧基矽烷、含環氧基之三乙醯氧基矽烷等。
此種含環氧基之矽化合物可單獨使用，或者亦可併用。
又，此種含環氧基之矽化合物中，較佳可列舉含環氧基之三烷氧基矽烷。
作為含環氧基之三烷氧基矽烷，具體而言，可列舉縮水甘油氧甲基三甲氧基矽烷、(2-縮水甘油氧乙基)三甲氧基矽烷、(3-縮水甘油氧丙基)三甲氧基矽烷等縮水甘油氧烷基三甲氧基矽烷，例如(3-縮水甘油氧丙基)三乙氧基矽烷，例如(3-縮水甘油氧丙基)三丙氧基矽烷，例如(3-縮水甘油氧丙基)三異丙氧基矽烷等。
又，此種含環氧基之三烷氧基矽烷中，較佳可列舉縮水甘油氧烷基三烷氧基矽烷，進而較佳可列舉(3-縮水甘油氧丙基)三甲氧基矽烷。
含環氧基之矽化合物之調配比率相對於縮合原料100質量份為例如0.01~90質量份，較佳為0.01~50質量份，進而較佳為0.01~1質量份。
含環氧基之矽化合物可使用市售品，又，亦可使用按照公知之方法而合成者。
矽烷醇基兩封端之聚矽氧烷之矽烷醇基(SiOH基)相對於 乙烯系矽化合物及含環氧基之矽化合物之反應性官能基(SiX1基及SiX2基)的莫耳比(SiOH/(SiX1+SiX2))為例如20/1~0.2/1，較佳為10/1~0.5/1，進而較佳為實質上為1/1。
於莫耳比超過上述上限之情形時，使第1熱硬化性聚矽氧樹脂組合物成為半硬化狀態時，存在無法獲得具有適度韌性之半硬化狀物(半硬化物)之情形；另一方面，於莫耳比未達上述下限之情形時，乙烯系矽化合物及含環氧基之矽化合物之調配比率過多，因此存在獲得之密封樹脂層3之耐熱性降低之情形。
又，若莫耳比處於上述範圍內(較佳為實質上為1/1)，則可使矽烷醇基兩封端之聚矽氧烷之矽烷醇基(SiOH基)、乙烯系矽化合物之反應性官能基(SiX1基)及含環氧基之矽化合物之反應性官能基(SiX2基)不多不少地進行縮合反應。
乙烯系矽化合物相對於含環氧基之矽化合物的莫耳比為例如10/90~99/1，較佳為50/50~97/3，進而較佳為80/20~95/5。
若莫耳比處於上述範圍內，則有確保硬化物之強度，且可提高黏著性之優勢。
有機氫矽氧烷為不含乙烯系不飽和烴基、一分子中具有至少兩個氫矽烷基之有機矽氧烷。
具體而言，有機氫矽氧烷可列舉含氫側鏈之有機聚矽氧烷、氫兩封端有機聚矽氧烷等。
含氫側鏈之有機聚矽氧烷為具有氫原子作為自主鏈分支之側鏈之有機氫矽氧烷，可列舉例如甲基氫聚矽氧烷、二 甲基聚矽氧烷-甲基氫聚矽氧烷共聚物、乙基氫聚矽氧烷、甲基氫聚矽氧烷-甲基苯基聚矽氧烷共聚物等。
含氫側鏈之有機聚矽氧烷之數量平均分子量為例如100~1,000,000。
又，氫兩封端有機聚矽氧烷為於主鏈之兩末端具有氫原子之有機氫矽氧烷，可列舉例如氫矽烷基兩封端之聚二甲基矽氧烷、氫矽烷基兩封端之聚甲基苯基矽氧烷、氫矽烷基兩封端之聚二苯基矽氧烷等。
就穩定性及/或操作性之觀點而言，氫兩封端有機聚矽氧烷之數量平均分子量為例如100~1,000,000，進而較佳為100~100,000。
此種有機氫矽氧烷可單獨使用，或者亦可併用。
又，此種有機氫矽氧烷中，較佳可列舉含氫側鏈之有機聚矽氧烷，進而較佳可列舉二甲基聚矽氧烷-甲基氫聚矽氧烷共聚物。
有機氫矽氧烷於25℃下之黏度為例如10~100,000 mPa‧s，較佳為20~50,000 mPa‧s。再者，黏度係藉由E型黏度計(轉子之種類：1"34'×R24，轉速10 rpm)而測定。後述之除有機氫矽氧烷以外之原料或者組合物之黏度亦以與上述相同之方式而算出。
有機氫矽氧烷中之氫矽烷基當量為例如0.1~30 mmol/g，較佳為1~20 mmol/g。
有機氫矽氧烷可使用市售品，又，亦可使用按照公知之方法而合成者。
有機氫矽氧烷之調配比率亦取決於乙烯系矽化合物之乙烯系不飽和烴基(上述通式(2)之R2)與有機氫矽氧烷之氫矽烷基(SiH基)之莫耳比，例如，相對於乙烯系矽化合物100質量份為例如10~10,000質量份，較佳為100~1,000質量份。
又，乙烯系矽化合物之乙烯系不飽和烴基(上述通式(2)之R2)相對於有機氫矽氧烷之氫矽烷基(SiH基)之莫耳比(R2/SiH)為例如20/1~0.05/1，較佳為20/1~0.1/1，進而較佳為10/1~0.1/1，尤佳為10/1~0.2/1，最佳為5/1~0.2/1。又，例如，亦可設定為未達1/1且為0.05/1以上。
於莫耳比超過20/1之情形時，使第1熱硬化性聚矽氧樹脂組合物成為半硬化狀態時，存在無法獲得具有適度韌性之半硬化物之情形，於莫耳比未達0.05/1之情形時，有機氫矽氧烷之調配比率過多，因此存在所得之密封樹脂層3之耐熱性及韌性不足之情形。
又，若莫耳比未達1/1且為0.05/1以上，則於使第1熱硬化性聚矽氧樹脂組合物成為半硬化狀態時，與莫耳比為20/1~1/1之第1熱硬化性聚矽氧樹脂組合物相比，可使之迅速地過渡至半硬化狀態。
第1熱硬化性聚矽氧樹脂組合物係藉由將上述矽烷醇基兩封端之聚矽氧烷、乙烯系矽化合物、含環氧基之矽化合物及有機氫矽氧烷與觸媒共同調配並攪拌混合而製備。
作為觸媒，可列舉例如縮合觸媒及加成觸媒(矽氫化觸媒)等。
縮合觸媒只要為使矽烷醇基與反應性官能基(上述通式(2)之SiX1基及上述通式(3)之SiX2基)之縮合反應之反應速度得以提高的物質，則並無特別限定，可列舉例如鹽酸、醋酸、甲酸、硫酸等酸，例如氫氧化鉀、氫氧化鈉、碳酸鉀、氫氧化四甲基銨等鹼，例如鋁、鈦、鋅、錫等金屬等。
此種縮合觸媒可單獨使用，或者亦可併用。
又，此種縮合觸媒中，就相溶性及熱分解性之觀點而言，較佳可列舉鹼，進而較佳可列舉氫氧化四甲基銨。
此種縮合觸媒之調配比率相對於矽烷醇基兩封端之聚矽氧烷100莫耳為例如0.1~50莫耳，較佳為0.5~5莫耳。
加成觸媒只要為使加成反應、即乙烯系不飽和烴基與SiH之矽氫化反應之反應速度得以提高的物質，則並無特別限定，可列舉例如鉑黑、氯化鉑、氯鉑酸、鉑-烯烴錯合物、鉑-羰基錯合物、鉑-乙酸乙醯酯等鉑觸媒，例如鈀觸媒、銠觸媒等金屬觸媒。
此種加成觸媒可單獨使用，或者亦可併用。
又，此種加成觸媒中，就相溶性、透明性及觸媒活性之觀點而言，較佳可列舉鉑觸媒，進而較佳可列舉鉑-羰基錯合物。
加成觸媒之調配比率以加成觸媒之金屬量之質量份數計算，相對於有機氫矽氧烷100質量份為例如1.0×10-4~1.0質量份，較佳為1.0×10-4~0.5質量份，進而較佳為1.0×10-4~0.05質量份。
再者，上述觸媒可直接使用固體狀態者，或者就操作性之觀點而言，亦可製成溶解或分散於溶劑中而成之溶液或分散液而使用。
作為溶劑，可列舉例如甲醇、乙醇等醇，例如矽氧烷等矽化合物，例如己烷等脂肪族烴，例如甲苯等芳香族烴，例如四氫呋喃(THF)等醚等有機溶劑。又，作為溶劑，亦可列舉例如水等水系溶劑。
作為溶劑，於觸媒為縮合觸媒之情形時，較佳可列舉醇，於觸媒為加成觸媒之情形時，較佳可列舉矽化合物及芳香族烴。
製備第1熱硬化性聚矽氧樹脂組合物時，例如，可將上述原料(縮合原料及加成原料)與觸媒一次性加入，或者亦可將各原料及各觸媒於不同時機分別加入。進而，亦可一次性加入一部分成分，並將剩餘部分之各成分於不同時機分別加入。
此種第1熱硬化性聚矽氧樹脂組合物之製備方法中，較佳可列舉如下方法：首先將縮合原料及縮合觸媒一次性加入，繼而加入加成原料，其後加入加成觸媒。
具體而言，將矽烷醇基兩封端之聚矽氧烷、乙烯系矽化合物及含環氧基之矽化合物(即縮合原料)與縮合觸媒以上述比率一次性調配，將其等攪拌例如5分鐘~24小時。
又，於調配及攪拌時，為提高縮合原料之相溶性及操作性，亦可將溫度調整為例如0~60℃，較佳為10~40℃。
其後，視需要而對系統進行減壓，藉此除去揮發成分 (有機溶劑)。
繼而，於所得之縮合原料及縮合觸媒之混合物中，調配有機氫矽氧烷，攪拌例如1~120分鐘。
於調配及攪拌時，為提高混合物及有機氫矽氧烷之相溶性及操作性，亦可將溫度調整為例如0~60℃。
其後，於系統中調配加成觸媒，攪拌例如1~60分鐘。
藉此，可製備第1熱硬化性聚矽氧樹脂組合物。
所製備之第1熱硬化性聚矽氧樹脂組合物為例如常溫液狀(油狀)。
第1熱硬化性聚矽氧樹脂組合物於25℃下之黏度為例如1,000~50,000 mPa‧s，較佳為4,000~20,000 mPa‧s。
縮合-加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物為例如常溫液狀(油狀)，係如後述般藉由塗佈於基材4之表面後進行加熱使縮合原料進行縮合反應而製備。然後，包含縮合-加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物之密封樹脂層3埋設後述發光二極體元件2後(參照圖1(b))，進而進行加壓及加熱，藉此使加成原料進行加成反應，形成硬化後之密封樹脂層3(參照圖1(c))。
具體而言，第1熱硬化性聚矽氧樹脂組合物含有例如矽烷醇基兩封端之聚二甲基矽氧烷、乙烯基三甲氧基矽烷、(3-縮水甘油氧丙基)三甲氧基矽烷及二甲基聚矽氧烷-共聚-甲基氫聚矽氧烷，第2熱硬化性聚矽氧樹脂組合物含有例如二甲基乙烯基矽烷封端之聚二甲基矽氧烷、三甲基矽烷封端之二甲基矽氧烷-甲基氫矽氧烷共聚物、鉑-二乙烯 基四甲基二矽氧烷錯合物、及氫氧化四甲基銨，第3熱硬化性聚矽氧樹脂組合物含有例如氫封端之乙烯基甲基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物、三甲基矽烷氧基封端之二甲基矽氧烷-甲基氫矽氧烷共聚物、鉑-羰基錯合物、及氫氧化四甲基銨，第4熱硬化性聚矽氧樹脂組合物含有例如羥基封端之乙烯基甲基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物、三甲基矽烷氧基封端之二甲基矽氧烷-甲基氫矽氧烷共聚物、鉑-羰基錯合物、及氫氧化四甲基銨。
又，亦可使密封樹脂組合物中含有微粒子。
作為微粒子，可列舉例如聚矽氧微粒子等有機微粒子，例如二氧化矽微粒子(例如，煙燻二氧化矽微粒子等)、滑石微粒子、氧化鋁微粒子、氮化鋁微粒子、氮化矽微粒子等無機微粒子。又，作為無機微粒子，亦可列舉螢光體微粒子。
微粒子可單獨使用同一種類，或可併用不同種類。
作為微粒子，較佳可列舉無機微粒子，進而較佳可列舉螢光體微粒子。
螢光體微粒子為具有波長轉換功能之微粒子，可列舉例如，可將藍色光轉換為黃色光之黃色螢光體微粒子、可將藍色光轉換為紅色光之紅色螢光體微粒子等公知之螢光體微粒子。
作為黃色螢光體微粒子，可列舉例如Y3Al5O12：Ce(YAG(釔鋁石榴石)：Ce)、Tb3Al3O12：Ce(TAG(鋱鋁石榴石)：Ce)等具有石榴石型結晶結構之石榴石型螢光體微 粒子，例如Ca-α-SiAlON等氮氧化物螢光體微粒子等。
作為紅色螢光體微粒子，可列舉例如CaAlSiN3：Eu、CaSiN2：Eu等氮化物螢光體微粒子等。
較佳可列舉黃色螢光體微粒子。
作為微粒子之形狀，可列舉例如球狀、板狀、針狀等。就流動性之觀點而言，較佳可列舉球狀。
微粒子之最大長度之平均值(為球狀之情形時，為平均粒徑)為例如0.1~200 μm，就光學特性及操作之觀點而言，較佳為1~100 μm。最大長度之平均值係使用雷射繞射散射式粒度分佈計而測定。
微粒子之調配比率相對於聚矽氧樹脂100質量份為例如0.1~80質量份，就確保流動性之觀點而言，較佳為0.5~50質量份。
進而，可視需要以適當之比率於上述密封樹脂組合物中添加矽烷偶合劑、抗老化劑、改性劑、界面活性劑、染料、顏料、防變色劑、紫外線吸收劑等公知之添加物。
製備密封樹脂組合物時，將樹脂、視需要而添加之微粒子、及視需要而添加之添加劑以上述調配比率進行調配、混合。
作為混合條件，溫度為例如10~40℃，較佳為15~35℃，時間為例如10分鐘以上，較佳為30分鐘以上。
關於密封樹脂組合物之黏度，例如於25℃下為1,000~100,000 mPa‧s，較佳為5,000~50,000 mPa‧s。
若樹脂組合物之黏度未達上述下限，則存在成形性或加 工性不足之情形，若黏度超過上述上限，則存在操作性(塗佈性)降低之情形。
其後，加熱經塗佈之樹脂組合物。
加熱溫度為例如40~150℃，較佳為60~140℃，加熱時間為例如1分鐘~24小時，較佳為10分鐘~12小時。
再者，於樹脂組合物為熱硬化性樹脂之情形時，加熱溫度係設定為密封樹脂層3不完全硬化之溫度。
於樹脂組合物為熱硬化性樹脂之情形時，藉由上述加熱而密封樹脂層3成為半硬化狀態(B-階段)。
即，於樹脂組合物包含縮合-加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物之情形時，藉由加熱而進行縮合反應(矽烷醇縮合)成為半硬化狀態(B-階段)。
就密封性及操作性之觀點而言，密封樹脂層3於25℃下之壓縮彈性模數為例如0.01~1 MPa，較佳為0.01~0.5 MPa，進而較佳為0.01~0.2 MPa。
於密封樹脂層3之壓縮彈性模數未達上述範圍之情形時，存在密封樹脂層3之保形性降低之情形。另一方面，於密封樹脂層3之壓縮彈性模數超過上述範圍之情形時，埋設藉由引線接合而連接於基板之發光二極體元件2時，存在引線受損之情形。
密封樹脂層3之壓縮彈性模數係藉由使用精密負荷測定機之壓縮試驗而求出。
又，於密封樹脂組合物為熱硬化性樹脂之情形時，密封樹脂層3之壓縮彈性模數係測定B-階段之密封樹脂層3之壓 縮彈性模數。
密封樹脂層3之厚度並無特別限制，以於後述發光二極體元件2之密封時可埋設發光二極體元件2之方式進行適當調整。
密封樹脂層3之厚度為例如50~5,000 μm，較佳為100~1,000 μm。於密封樹脂層3之厚度未達上述範圍之情形時，存在無法埋設(包埋)發光二極體元件2(尤其是於發光二極體元件經引線接合之情形時，為發光二極體元件2及引線)之情形。
若密封樹脂層3之厚度未達上述範圍，則存在發光二極體元件2之密封不足之情形。
此種密封樹脂層3可由1層形成，或者亦可由複數層形成。
藉此，如圖2(b)所示，準備包含基材4、及形成於其表面之密封樹脂層3的密封片材5。
繼而，該方法中，如圖1(a)及圖1(b)所示，將發光二極體元件2埋設於密封樹脂層3中(埋設步驟)。
發光二極體元件2例如係安裝於基板6上。
基板6係由例如包含鋁等之金屬板、或例如包含聚醯亞胺樹脂等之樹脂板而形成。
基板6上，於其表面設有端子(未圖示)，且於中央部分安裝有發光二極體元件2。
再者，發光二極體元件2係藉由引線接合或者倒裝晶片而與基板6之端子電性連接。
發光二極體元件2為例如可發出藍色光之光半導體元件(具體而言，為藍色發光二極體元件)，形成為截面大致矩形。
發光二極體元件2為俯視大致矩形平板狀，其一邊之長度為例如0.1~5 mm，厚度為例如10~1,000 μm。
將發光二極體元件2埋設於密封樹脂層3中時，如圖1(a)所示，首先，使密封片材5與基板6對向配置。具體而言，使密封樹脂層3與發光二極體元件2對向配置。即，密封樹脂層3及發光二極體元件2係以密封樹脂層3之中央部與發光二極體元件2為對向之方式而決定位置。再者，亦可藉由未圖示之吸引裝置等支撐密封片材5及基板6。
繼而，如圖1(a)之箭頭所示，使密封片材5下降(按下)，藉由密封樹脂層3而被覆發光二極體元件2之表面。
更具體而言，使密封片材5與基板6相對而壓接。
藉此，將發光二極體元件2埋設於密封樹脂層3中。
基於密封片材5之按下而將發光二極體元件2埋設於密封樹脂層3中時，可使用例如加壓裝置、層壓裝置等壓接裝置等。
作為壓接裝置，較佳為使用加壓裝置。
作為加壓裝置，可列舉例如壓製裝置等於常壓常溫環境下對對象物進行加壓之常壓常溫環境下加壓裝置，例如熱壓裝置等於常壓常溫環境下對對象物進行加壓及加熱之常壓常溫環境下加壓加熱裝置，例如真空壓製裝置等於減壓常溫環境下對對象物進行加壓之減壓常溫環境下加壓裝 置，例如真空熱壓裝置等於減壓常溫環境下對對象物進行加壓及加熱之減壓常溫環境下加壓加熱裝置等。
作為加壓裝置，較佳可列舉常壓常溫環境下加壓加熱裝置、減壓常溫環境下加壓裝置。
又，於使用減壓常溫環境下加壓裝置或減壓常溫環境下加壓加熱裝置之情形時，可將溶存於密封樹脂層3之樹脂組合物中之空氣自樹脂組合物有效地排出，而有效地防止密封樹脂層3中產生孔隙。
於使用上述各種加壓裝置之情形時，對密封片材5及基板6進行壓製之壓力(壓製壓力)為例如0.01~10 MPa，較佳為0.05~5 MPa。
又，於使用常壓常溫環境下加壓加熱裝置或減壓常溫環境下加壓加熱裝置之情形時，加熱溫度為例如超過常溫(25℃)且為180℃以下，較佳為超過常溫且為150℃以下。再者，於密封樹脂組合物為熱硬化性樹脂且經壓接之密封樹脂層3為B-階段之情形時，設定為密封樹脂層3不完全硬化之溫度。
進而，於使用減壓常溫環境下加壓裝置或減壓常溫環境下加壓加熱裝置之情形時，裝置內之壓力(氣壓)為例如0.01~100 hPa，較佳為0.01~10 hPa。
壓接時間為例如0.1~60分鐘，較佳為0.1~20分鐘。
具體而言，將密封片材5及基板6設置於上述壓接裝置中，使其於上述條件下工作。
繼而，該方法中，參照圖1(c)，對埋設有發光二極體元 件2之密封樹脂層3一面藉由氣體進行加壓一面加熱(氣體加壓、加熱步驟)。
對密封樹脂層3藉由氣體進行加壓時，例如，使用高壓釜等於高壓高溫環境下進行處理之高壓高溫環境下處理裝置等。
高壓高溫環境下處理裝置係藉由例如空氣、氮氣、二氧化碳等氣體對密封樹脂層3進行加壓。較佳為藉由空氣對密封樹脂層3進行加壓。
高壓高溫環境下處理裝置中，壓力以錶壓計為例如2~20個大氣壓(0.2026~2.026 MPa)，較佳為5~10個大氣壓(0.5065~10.13 MPa)。
於壓力未達上述範圍之情形時，存在無法有效地防止密封樹脂層3中產生孔隙之情形。另一方面，於壓力超過上述範圍之情形時，存在無法充分確保安全性之情形。
高壓高溫環境下處理裝置中，溫度為例如80~200℃，較佳為120~180℃。
加熱及加壓之時間為例如0.1~24小時，較佳為0.5~5小時。
具體而言，將埋設有發光二極體元件2之密封樹脂層3設置於高壓高溫環境下處理裝置上，並使其於特定條件下工作。
並且，於密封樹脂組合物為熱硬化性樹脂且密封樹脂層3為B-階段之情形時，一面藉由氣體進行加壓一面加熱，藉此密封樹脂層3成為C階段(即完全硬化)。
即，於密封樹脂層3之密封樹脂組合物為縮合-加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物之情形時，加成原料進行加成反應，而形成硬化後之密封樹脂層3。
藉此，對埋設有發光二極體元件2之密封樹脂層3藉由氣體一面進行加壓一面加熱，由此利用密封樹脂層3密封發光二極體元件2。
其後，該方法中，如圖1(c)之假想線所示，將基材4自密封樹脂層3剝離。
藉此，獲得具備基板6、安裝於基板6上之發光二極體元件2及埋設發光二極體元件2之密封樹脂層3的發光二極體裝置1。
其後，雖未圖示，但亦可視需要而於密封樹脂層3之表面設置例如螢光體層、光擴散層等功能層。
然後，根據該發光二極體裝置1之製造方法，對埋設有發光二極體元件2之密封樹脂層3一面藉由氣體進行加壓一面加熱。
因此，即便壓力較高且加熱時間較長，亦可抑制對裝置、具體而言高壓高溫環境下處理裝置之負荷。
又，由於藉由氣體進行加壓，故而即便於壓力增高之情形時，亦可使施加於發光二極體元件2之按壓力均勻，因此可抑制發光二極體元件2受損及於密封樹脂層3中產生孔隙。
再者，圖1(a)之實施形態中，一個基板6安裝有一個發光二極體元件2，雖未圖示，但例如亦可安裝複數之發光二 極體裝置1。該種情形時，參照圖1(c)，對密封樹脂層3一面藉由氣體進行加壓一面加熱後，藉由切割各發光二極體裝置1而進行單片化。
又，雖未圖示，但可藉由卷軸式等連續方式而實施圖1(a)及圖1(b)之各步驟，或者亦可以分批方式而實施。
實施例
以下，例示製備例、實施例及比較例，對本發明更具體地進行說明，但本發明並不限定於此。
製備例1
<縮合-加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物之製備>
相對於矽烷醇基兩封端之聚二甲基矽氧烷(矽烷醇基兩封端之聚矽氧烷，通式(1)中，R1均為甲基，n之平均值為155，數量平均分子量11,500，矽烷醇基當量0.174 mmol/g)2031 g(0.177莫耳)，調配乙烯基三甲氧基矽烷(乙烯系矽化合物)15.71 g(0.106莫耳)、及(3-縮水甘油氧丙基)三甲氧基矽烷(含環氧基之矽化合物)2.80 g(0.0118莫耳)，進行攪拌混合。
再者，矽烷醇基兩封端之聚二甲基矽氧烷之SiOH基相對於乙烯基三甲氧基矽烷及(3-縮水甘油氧丙基)三甲氧基矽烷之SiOCH3基的莫耳比(SiOH基之莫耳數/SiOCH3基之總莫耳數)為1/1。
攪拌混合後，添加氫氧化四甲基銨之甲醇溶液(縮合觸媒，濃度10質量%)0.97 mL(0.766 g，觸媒含量：0.88毫莫耳，相對於矽烷醇基兩封端之聚二甲基矽氧烷100莫耳 相當於0.50莫耳)，於40℃下攪拌1小時。其後，將其等於40℃之減壓下(10 mmHg)，一面攪拌1小時一面除去揮發成分(甲醇等)。
其後，將系統恢復至常壓後，向反應物中添加有機氫矽氧烷(信越化學工業公司製造，二甲基聚矽氧烷-甲基氫聚矽氧烷共聚物，數量平均分子量2,000，氫矽烷基當量7.14 mmol/g)44.5 g(0.022莫耳)，並於40℃下攪拌1小時。
再者，乙烯基三甲氧基矽烷之乙烯基(CH2=CH-)相對於有機氫矽氧烷之氫矽烷基(SiH基)的莫耳比(CH2=CH-/SiH)為1/3。
其後，向系統中添加鉑-羰基錯合物之矽氧烷溶液(加成觸媒，鉑濃度2質量%)0.13 g(0.13 mL，鉑含量2質量%，作為鉑，相對於有機氫矽氧烷100質量份相當於5.8×10-3質量份)，並於40℃下攪拌10分鐘，而獲得常溫液狀之熱硬化型聚矽氧樹脂組合物(縮合-加成反應硬化型)。
實施例1
<樹脂組合物之製備>
調配製備例1之熱硬化型聚矽氧樹脂組合物100質量份與YAG：Ce(球狀，平均粒徑10 μm)26質量份，而製備常溫液狀之密封樹脂組合物。
以刮刀法將所製備之密封樹脂組合物塗佈於包含PET膜之基材(參照圖2(a))之整個表面上，然後，於135℃下加熱20分鐘，藉此製作包括基材及積層於其表面之厚度600 μm之B-階段密封樹脂層的密封片材(參照圖2(b))。
其後，將密封片材切割為5 cm見方，與於5 cm見方之區域中安裝有25個藍色發光二極體元件(大小0.35 mm×0.35 mm)之基板相對而決定密封片材之位置，使其等對向配置(參照圖1(a))。
繼而，將密封片材及基板設置於壓製裝置中，於常溫常壓環境下以壓製壓力0.1 MPa壓接1分鐘，藉此將藍色發光二極體元件埋設於密封樹脂層中(埋設步驟，參照圖1(b))。
其後，將密封片材及基板設置於高壓釜中，於7.5個大氣壓(錶壓：0.759 MPa)、150℃下加熱2小時。藉此，使密封樹脂層完全硬化，而藉由密封樹脂層密封藍色發光二極體元件(氣體加壓、加熱步驟，參照圖1(c))。
藉此而製造發光二極體裝置。
其後，將基材自密封樹脂層剝離(參照圖1(c)之假想線)，其後，進行切割，而將各藍色發光二極體元件單片化。
實施例2
使用真空壓製裝置代替埋設步驟中之壓製裝置，於常溫減壓環境下進行壓製，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理，將藍色發光二極體元件埋設於密封樹脂層中，然後，使密封樹脂層完全硬化，其後，製成發光二極體裝置。
再者，真空壓製裝置之減壓條件為1 hPa(0.0001 MPa)。
實施例3
將氣體加壓、加熱步驟中之高壓釜之加壓條件自7.5個大氣壓(錶壓：0.759 MPa)變更為5.0個大氣壓(錶壓：0.507 MPa)，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理，使密封樹脂層完全硬化，然後，製成發光二極體裝置。
實施例4
將氣體加壓、加熱步驟中之高壓釜之加壓條件自7.5個大氣壓(錶壓：0.759 MPa)變更為1.8個大氣壓(錶壓：0.182 MPa)，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理，使密封樹脂層完全硬化，然後，製成發光二極體裝置。
比較例1
使用熱風型烘箱代替氣體加壓、加熱步驟中之高壓釜，於常溫環境下以150℃加熱2小時，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理，使密封樹脂層完全硬化，然後，製成發光二極體裝置。
比較例2
使用壓製裝置代替氣體加壓、加熱步驟中之高壓釜，於常壓環境下以0.182 MPa(壓製壓力：相當於1.8個大氣壓)、150℃加熱2小時，除此以外，以與實施例4相同之方式進行處理，使密封樹脂層完全硬化，然後，製成發光二極體裝置。
比較例3
使用壓製裝置代替氣體加壓、加熱步驟中之高壓釜，於常壓環境下以0.507 MPa(壓製壓力：相當於5個大氣壓)、150℃加熱2小時，除此以外，以與實施例4相同之方式進行處理，嘗試使密封樹脂層完全硬化。
然而，密封片材發生變形/應變，無法獲得目標之發光 二極體裝置。
(評價)
(1)藍色發光二極體元件之受損
觀察實施例1~4、比較例1及2之發光二極體裝置之藍色發光二極體元件，按照下述評價基準進行評價。將其結果示於表1。
○：未觀察到藍色發光二極體元件之受損。
×：觀察到藍色發光二極體元件之受損。
(2)密封樹脂層中之孔隙
觀察實施例1~4、比較例1及2之發光二極體元件之藍色發光二極體元件，按照下述評價基準進行評價。將其結果示於表1。
○：於密封樹脂層中未觀察到孔隙。
△：於密封樹脂層中觀察到極少數孔隙。
×：於密封樹脂層中觀察到孔隙。
(3)密封樹脂層之壓縮彈性模數
於25℃下，藉由精密負荷測定機(型號1605II VL，AIKOH ENGINEERING公司製造)測定B-階段之密封樹脂層之壓縮彈性模數。
其結果為0.04 MPa。
再者，上述說明係作為本發明之例示之實施形態而提供，其僅為例示，並非限定性地進行解釋。該技術領域之從業者所明白之本發明之變形例係包含於後述申請專利範圍中。
1‧‧‧發光二極體裝置
2‧‧‧發光二極體元件
3‧‧‧密封樹脂層
4‧‧‧基材
5‧‧‧密封片材
6‧‧‧基板
圖1係對本發明之發光二極體裝置之製造方法之一實施形態進行說明的步驟圖，(a)表示使密封片材與基板對向配置之步驟，(b)表示將發光二極體元件埋設於密封樹脂層中之步驟，(c)表示對密封樹脂層一面藉由氣體進行加壓一面加熱之步驟。
圖2係對準備圖1(a)所示之密封片材之方法進行說明之步驟圖，(a)表示準備基材之步驟，(b)表示於基材上積層密封樹脂層之步驟。
1‧‧‧發光二極體裝置
2‧‧‧發光二極體元件
3‧‧‧密封樹脂層
4‧‧‧基材
5‧‧‧密封片材
6‧‧‧基板

Claims (6)

  1. 一種發光二極體裝置之製造方法，其特徵在於：其係發光二極體元件由密封樹脂層密封之發光二極體裝置之製造方法，且包括：準備密封樹脂層之步驟；將發光二極體元件埋設於上述密封樹脂層中之步驟；及對埋設有上述發光二極體元件之上述密封樹脂層一面藉由氣體進行加壓一面加熱之步驟。
  2. 如請求項1之發光二極體裝置之製造方法，其中上述密封樹脂層係由B-階段之熱硬化性樹脂所形成。
  3. 如請求項1之發光二極體裝置之製造方法，其中上述密封樹脂層於25℃下之壓縮彈性模數為0.01~1 MPa。
  4. 如請求項1之發光二極體裝置之製造方法，其中於對上述密封樹脂層一面藉由氣體進行加壓一面加熱之步驟中，係於2~20個大氣壓下對上述密封樹脂層進行加壓。
  5. 如請求項1之發光二極體裝置之製造方法，其中於對上述密封樹脂層一面藉由氣體進行加壓一面加熱之步驟中，係於高壓釜中對上述密封樹脂層一面加壓一面加熱。
  6. 一種發光二極體裝置，其特徵在於：其係發光二極體元件由密封樹脂層密封之發光二極體裝置，藉由如下之發光二極體裝置之製造方法而製造， 該製造方法包括：準備密封樹脂層之步驟；將發光二極體元件埋設於上述密封樹脂層中之步驟；及對埋設有上述發光二極體元件之上述密封樹脂層一面藉由氣體進行加壓一面加熱之步驟。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101596725B1 (ko) * 2013-05-22 2016-02-24 삼성디스플레이 주식회사 충전 필름 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
JP2015050359A (ja) * 2013-09-02 2015-03-16 日東電工株式会社 封止半導体素子および半導体装置の製造方法
JP6677966B2 (ja) * 2014-11-17 2020-04-08 日東電工株式会社 セパレータ付き封止用シート、及び、半導体装置の製造方法
JP2016096308A (ja) * 2014-11-17 2016-05-26 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
CN106469772B (zh) * 2015-08-18 2018-01-05 江苏诚睿达光电有限公司 一种基于滚压式的热塑性树脂光转换体贴合封装led的工艺方法
CN105977170B (zh) * 2016-07-01 2018-06-05 京东方科技集团股份有限公司 布线保护膜层的贴附方法及布线结构、显示面板
JP6964421B2 (ja) 2017-03-23 2021-11-10 ローム株式会社 半導体発光装置
JP6856787B1 (ja) * 2020-01-29 2021-04-14 住友化学株式会社 電子部品の製造方法
CN112490339B (zh) * 2020-12-10 2022-06-03 鸿利智汇集团股份有限公司 一种led无机封装方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01207935A (ja) * 1988-02-16 1989-08-21 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体搭載部品の製造方法
JPH01256133A (ja) * 1988-04-06 1989-10-12 Olympus Optical Co Ltd 半導体装置の製造方法及びその製造装置
JPH02194633A (ja) * 1989-01-24 1990-08-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法およびその製造装置
TW319875B (zh) * 1995-11-01 1997-11-11 Fuji Polymertech Kk
JP3681636B2 (ja) * 2000-12-27 2005-08-10 サンユレック株式会社 電子部品の製造方法及び装置
EP1767963A4 (en) * 2004-06-21 2008-10-15 Idemitsu Kosan Co REAR CHASSIS INTEGRATING REFLECTOR, BACKLIGHT AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY
JP2006036930A (ja) * 2004-07-27 2006-02-09 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用樹脂
JP2008159820A (ja) * 2006-12-22 2008-07-10 Tdk Corp 電子部品の一括実装方法、及び電子部品内蔵基板の製造方法
JP5233170B2 (ja) * 2007-05-31 2013-07-10 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光装置を構成する樹脂成形体及びそれらの製造方法
JP5113627B2 (ja) * 2007-06-12 2013-01-09 日本電波工業株式会社 電子部品及びその製造方法
TWM329857U (en) * 2007-08-21 2008-04-01 Ko-Hsin Lee LED package structure
JP2010052152A (ja) * 2008-08-26 2010-03-11 Brother Ind Ltd 露光装置およびその製造方法
JP2010159411A (ja) * 2008-12-12 2010-07-22 Nitto Denko Corp 半硬化状シリコーン樹脂シート
JP4913858B2 (ja) * 2009-04-14 2012-04-11 日東電工株式会社 熱硬化性シリコーン樹脂用組成物
JP5738541B2 (ja) 2010-04-21 2015-06-24 日東電工株式会社 光半導体装置
JP5494264B2 (ja) * 2010-06-14 2014-05-14 富士ゼロックス株式会社 発光装置、プリントヘッドおよび画像形成装置

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