TW201427109A - 密封片材 - Google Patents

密封片材 Download PDF

Info

Publication number
TW201427109A
TW201427109A TW102147007A TW102147007A TW201427109A TW 201427109 A TW201427109 A TW 201427109A TW 102147007 A TW102147007 A TW 102147007A TW 102147007 A TW102147007 A TW 102147007A TW 201427109 A TW201427109 A TW 201427109A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
group
optical semiconductor
resin composition
sealing sheet
Prior art date
Application number
TW102147007A
Other languages
English (en)
Inventor
Hirokazu Matsuda
Haruka Ona
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of TW201427109A publication Critical patent/TW201427109A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/18—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. compression moulding around inserts or for coating articles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264—Up to 3 mils
    • Y10T428/265—1 mil or less

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

本發明之密封片材係用以密封光半導體元件者，且其具備：埋設層，其用以埋設光半導體元件；被覆層，其相對於埋設層而配置於厚度方向一側；及障壁層，其介於埋設層及被覆層之間，厚度為50 μm以上且1,000 μm以下，且用以抑制被覆層所含之成分轉移至埋設層。

Description

密封片材
本發明係關於一種密封片材，詳細而言，係關於一種可用於光學用途之密封片材。
先前，作為可發出高能量之光之發光裝置，已知有白色發光裝置(光半導體裝置)。
例如提出有藉由如下方式獲得之光半導體裝置：於凹型模具之底部依序載置由聚矽氧彈性體成形之波長轉換層、及厚度35μm之包含玻璃之無機高導熱層，其後，填充另一聚矽氧彈性體，形成密封樹脂層，於該等上以密封樹脂層與藍色LED(Light Emitting Diode，發光二極體)晶片相對向之方式載置安裝有藍色LED晶片之基板，藉由加熱對該等進行密封加工，其後，進行脫模(例如參照日本專利特開2012-129361號公報)。
然而，於日本專利特開2012-129361號公報之包含波長轉換層、無機高導熱層及密封樹脂層之積層體中，藉由將聚矽氧彈性體填充於凹型模具中而形成密封樹脂層後，於該密封樹脂層中個別地埋設藍色LED晶片，因此有無法充分地實現光半導體裝置之製造效率之提昇之不良情況。
又，於上述積層體中，若已經成形之波長轉換層所含之觸媒成分轉移至尚未成形(即加熱)之密封樹脂層中，則密封樹脂層與藍色 LED晶片接觸前容易硬化，因此，難以於此種密封樹脂層中確實地埋設藍色LED晶片。因此，要求於積層體中抑制上述轉移。
又，亦要求積層體具有優異之強度。
然而，於日本專利特開2012-129361號公報之積層體中，無機高導熱層對抑制上述轉移而言不充分，進而，積層體之強度亦不充分，因此有無法獲得可靠性優異之光半導體裝置之不良情況。
本發明之目的在於提供一種抑制被覆層所含之成分轉移至埋設層中，且強度優異，並且可效率良好地製造光半導體裝置的密封片材。
本發明之密封片材之特徵在於：其係用以密封光半導體元件者，且其具備：埋設層，其用以埋設上述光半導體元件；被覆層，其相對於上述埋設層配置於厚度方向一側；及障壁層，其介於上述埋設層及上述被覆層之間，厚度為50μm以上且1,000μm以下，且用以抑制上述被覆層所含之成分轉移至上述埋設層。
若藉由該密封片材密封光半導體元件，則可將光半導體元件批次密封，因此可製造效率良好地獲得光半導體裝置。
又，由於該密封片材具有用以抑制被覆層所含之成分轉移至埋設層之厚度為50μm以上且1,000μm以下之障壁層，因此可抑制被覆層所含之成分轉移至埋設層，抑制埋設光半導體元件前之埋設層之硬化。因此，可藉由該硬化前之埋設層確實地埋設光半導體元件，其後，只要使埋設層硬化，則可確實地密封光半導體元件。因此，可獲得尺寸穩定性優異之光半導體裝置。
並且，於該密封片材中，由於障壁層之厚度為50μm以上且1,000μm以下，因此可確保優異之強度，實現薄型化。因此，若藉由該密封片材密封光半導體元件，則為薄型，且可提昇光半導體裝置之強度及可靠性。
又，於本發明之密封片材中，較佳為上述埋設層由B階段之熱硬化性樹脂形成，上述被覆層由C階段之熱硬化性樹脂形成。
於該密封片材中，由於埋設層由B階段之熱硬化性樹脂形成，因此可藉由柔軟之埋設層確實地埋設光半導體元件。又，由於被覆層由C階段之熱硬化性樹脂形成，因此可更進一步提昇密封片材之強度。
又，於本發明之密封片材中，較佳為上述障壁層之厚度相對於上述埋設層之厚度之比為0.10以上且1.00以下。
於該密封片材中，由於障壁層之厚度相對於埋設層之厚度之比為0.10以上且1.00以下，因此可提昇障壁性，並且可提昇密封片材之強度，可實現密封片材之薄型化，並可確實地埋設光半導體元件。
1‧‧‧密封片材
2‧‧‧埋設層
3‧‧‧被覆層
4‧‧‧障壁層
5‧‧‧光半導體元件
6‧‧‧光半導體裝置
7‧‧‧金屬線
8‧‧‧基板
D‧‧‧金屬線之兩端間之左右方向長度
L1‧‧‧埋設層之厚度
L2‧‧‧障壁層之厚度
L3‧‧‧光半導體元件之厚度
L4‧‧‧金屬線之一端至最上端部之長度
L5‧‧‧金屬線之另一端至最上端部之長度
圖1係表示本發明之密封片材之一實施形態之剖面圖。
圖2係藉由圖1之密封片材密封光半導體元件而製造光半導體裝置之方法之步驟圖， 圖2(a)係表示準備密封片材及基板之步驟， 圖2(b)係表示藉由密封片材密封光半導體元件之步驟。
於圖1中，將紙面上下方向設為上下方向(厚度方向，第1方向)，將紙面左右方向設為左右方向(第2方向)，將紙厚方向設為深度方向(第3方向)，圖2係依據上述方向及圖1之方向箭頭。
於圖1中，該密封片材1係用以密封後述光半導體元件5(參照圖2)之密封片材，形成為於面方向(與厚度方向正交之方向，即左右方向及前後方向)延伸之大致矩形平板形狀。密封片材1具備：埋設層2；及被覆層3，其隔開間隔而設置於埋設層2上(厚度方向一側)；及障壁層4，其介於埋設層2及被覆層3之間。即，於密封片材1中，於障壁層4下設置有埋設層2，於障壁層4上設置有被覆層3。
埋設層2係用以埋設光半導體元件5(參照圖2)之層，由樹脂形成為大致片材形狀。又，埋設層2於密封片材1中設置於最下側。
樹脂例如由密封樹脂組合物等形成，此種密封樹脂組合物包含可用於光半導體元件5(於後文敍述，參照圖2(b))之埋設及密封之公知之透明性樹脂，作為透明性樹脂，可列舉：例如聚矽氧樹脂、環氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂等熱硬化性樹脂；例如丙烯酸系樹脂、苯乙烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚烯烴樹脂等熱塑性樹脂等。
此種透明性樹脂可單獨使用，或者亦可併用。
又，於此種透明性樹脂中，較佳為列舉熱硬化性樹脂，就耐久性、耐熱性及耐光性之觀點而言，進而較佳為列舉聚矽氧樹脂。
於此種密封樹脂組合物中，較佳為列舉含有聚矽氧樹脂之樹脂組合物(以下稱作聚矽氧樹脂組合物)。
作為聚矽氧樹脂組合物，例如可列舉縮合-加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物、含雜原子之改性聚矽氧樹脂組合物、加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物、含無機氧化物之聚矽氧樹脂組合物等。
於此種聚矽氧樹脂組合物中，就埋設層2之硬化前之柔軟性及硬化後之強度之觀點而言，較佳為列舉縮合-加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物。
縮合-加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物為可進行縮合反應(具體而言為矽烷醇縮合反應)及加成反應(具體而言為矽氫化反應)之聚矽氧樹脂組合物，更具體而言，為可藉由加熱而進行縮合反應，成為半硬化狀態(B階段狀態)，繼而，可藉由進一步加熱而進行加成反應，成為硬化狀態(完全硬化狀態，C階段狀態)之聚矽氧樹脂組合物。
作為縮合反應，例如可列舉矽烷醇縮合反應，作為加成反應，例如可列舉環氧開環反應及矽氫化反應。
再者，B階段係聚矽氧樹脂組合物為液狀之A階段與完全硬化之C 階段之間的狀態，為略微進行硬化及凝膠化，彈性模數小於C階段之彈性模數之狀態。
縮合-加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物例如含有兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷、含乙烯系不飽和烴基之矽化合物(以下，稱作乙烯系矽化合物)、含環氧基之矽化合物及有機氫矽氧烷。
再者，兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷、乙烯系矽化合物及含環氧基之矽化合物為縮合原料(供於縮合反應之原料)，乙烯系矽化合物及有機氫矽氧烷為加成原料(供於加成反應之原料)。
兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷為於分子之兩末端含有矽烷醇基(SiOH基)之有機矽氧烷，具體而言，由下述通式(1)表示。
(通式(1)中，R1表示選自飽和烴基及芳香族烴基中之一價烴基；又，n表示1以上之整數)
上述通式(1)中，於R1所表示之一價烴基中，作為飽和烴基，可列舉：例如碳數1~6之直鏈狀或支鏈狀烷基(甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、戊基、己基等)、例如碳數3~6之環烷基(環戊基、環己基等)等。
又，上述通式(1)中，於R1所表示之一價烴基中，作為芳香族烴基，例如可列舉碳數6~10之芳基(苯基、萘基)等。
於上述通式(1)中，R1可相同或亦可相互不同，較佳為相同。
作為一價烴基，較佳為列舉碳數1~6之烷基、及碳數6~10之芳 基，就透明性、熱穩定性及耐光性之觀點而言，更佳為列舉甲基、苯基，進而較佳為列舉甲基。
於上述通式(1)中，就穩定性及/或處理性之觀點而言，n較佳為1~10,000之整數，進而較佳為1~1,000之整數。
再者，上述通式(1)中之n係以平均值算出。
作為兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷，具體而言，可列舉：兩末端為矽烷醇基之聚二甲基矽氧烷、兩末端為矽烷醇基之聚甲基苯基矽氧烷、兩末端為矽烷醇基之聚二苯基矽氧烷等。
此種兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷可單獨使用，或者亦可併用。
又，於此種兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷中，較佳為列舉兩末端為矽烷醇基之聚二甲基矽氧烷。
兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷可使用市售品，又，亦可使用依據公知之方法所合成者。
就穩定性及/或處理性之觀點而言，兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷之數量平均分子量例如為100以上，較佳為200以上，又，例如為1,000,000以下，較佳為100,000以下。數量平均分子量係藉由凝膠滲透層析法以標準聚苯乙烯進行換算而算出。關於後述兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷以外之原料之數量平均分子量，亦以與上述相同之方式算出。
此種兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷中之矽烷醇基當量例如為0.002mmol/g以上，較佳為0.02mmol/g以上，又，例如為25mmol/g以下。
兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷之調配比率相對於縮合原料100質量份，例如為1質量份以上，較佳為50質量份以上，進而較佳為80質量份以上，又，例如為99.99質量份以下，較佳為99.9質量份以下，進 而較佳為99.5質量份以下。
乙烯系矽化合物係一併具有乙烯系不飽和烴基及矽烷醇縮合反應中之脫離基之矽烷化合物，具體而言，由下述通式(2)表示。
通式(2)：R2-Si-(X1)3 (2)
(通式(2)中，R2表示一價乙烯系不飽和烴基，X1表示鹵素原子、烷氧基、苯氧基或乙醯氧基；其中，X1可相同或亦可相互不同)
於上述通式(2)中，作為R2所表示之乙烯系不飽和烴基，可列舉經取代或未經取代之乙烯系不飽和烴基，例如可列舉烯基、環烯基等。
作為烯基，例如可列舉：乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基等碳數2~10之烯基。
作為環烯基，例如可列舉：環己烯基、降烯基等碳數3~10之環烯基。
作為乙烯系不飽和烴基，就與氫矽烷基之反應性之觀點而言，較佳為列舉烯基，進而較佳為列舉碳數2~5之烯基，尤佳為列舉乙烯基。
上述通式(2)中之X1為矽烷醇縮合反應中之脫離基，上述通式(2)中之SiX1基為矽烷醇縮合反應中之反應性官能基。
於上述通式(2)中，作為X1所表示之鹵素原子，例如可列舉：溴原子、氯原子、氟原子、碘原子等。
於上述通式(2)中，作為X1所表示之烷氧基，可列舉：例如具有碳數1~6之直鏈狀或支鏈狀烷基之烷氧基(甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、戊氧基、己氧基等)、例如具有碳數3~6之環烷基之烷氧基(環戊氧基、環己氧基等)等。
於上述通式(2)中，X1可相同或亦可相互不同，較佳為相同。
於此種上述通式(2)之X1中，較佳為列舉烷氧基，進而較佳為列舉甲氧基。
作為此種乙烯系矽化合物作為，例如可列舉：含乙烯系不飽和烴基之三烷氧基矽烷、含乙烯系不飽和烴基之三鹵化矽烷、含乙烯系不飽和烴基之三苯氧基矽烷、含乙烯系不飽和烴基之三乙醯氧基矽烷等。
此種乙烯系矽化合物可單獨使用，或者亦可併用。
於此種乙烯系矽化合物中，較佳為列舉含乙烯系不飽和烴基之三烷氧基矽烷。
作為含乙烯系不飽和烴基之三烷氧基矽烷，具體而言，可列舉：乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三丙氧基矽烷等乙烯基三烷氧基矽烷，例如烯丙基三甲氧基矽烷、丙烯基三甲氧基矽烷、丁烯基三甲氧基矽烷、環己烯基三甲氧基矽烷等。
又，於此種含乙烯系不飽和烴基之三烷氧基矽烷中，較佳為列舉乙烯基三烷氧基矽烷，進而較佳為列舉乙烯基三甲氧基矽烷。
乙烯系矽化合物之調配比率相對於縮合原料100質量份，例如為0.01~90質量份，較佳為0.01~50質量份，進而較佳為0.01~10質量份。
乙烯系矽化合物可使用市售品，又，亦可使用依據公知之方法所合成者。
含環氧基之矽化合物為一併具有環氧基及矽烷醇縮合反應中之脫離基之矽烷化合物，具體而言，由下述通式(3)表示。
通式(3)：R3-Si-(X2)3 (3)
(通式(3)中，R3表示含環氧結構之基，X2表示鹵素原子、烷氧基、苯氧基或乙醯氧基；其中，X2可相同或亦可相互不同)
於通式(3)中，作為R3所表示之含環氧結構之基，可列舉：例如環氧基、例如縮水甘油醚基、例如環氧環己基等環氧環烷基等。
於此種含環氧結構之基中，較佳為列舉縮水甘油醚基。具體而言，縮水甘油醚基為下述通式(4)所表示之縮水甘油氧基烷基。
(通式(4)中，R4表示選自飽和烴基及芳香族烴基中之二價烴基)
上述通式(4)中，於R4所表示之二價烴基中，作為飽和烴基，可列舉：例如碳數1~6之伸烷基(亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基等)、例如碳數3~8之伸環烷基(伸環戊基、伸環己基等)等。
又，上述通式(4)中，於R4所表示之二價烴基中，作為芳香族烴基，例如可列舉碳數6~10之伸芳基(伸苯基、伸萘基等)等。
作為此種二價烴基，較佳為列舉碳數1~6之伸烷基，進而較佳為列舉伸丙基。
作為縮水甘油醚基，具體而言，可列舉：縮水甘油氧基甲基、縮水甘油氧基乙基、縮水甘油氧基丙基、縮水甘油氧基環己基、縮水甘油氧基苯基等。
於此種縮水甘油醚基中，較佳為列舉縮水甘油氧基丙基。
上述通式(3)中之X2為矽烷醇縮合反應中之脫離基，上述通式(3)中之SiX2基為矽烷醇縮合反應中之反應性官能基。
於上述通式(3)中，作為X2所表示之鹵素原子，可列舉與上述通式(2)之X1所表示之鹵素原子相同者。
於上述通式(3)中，作為X2所表示之烷氧基，可列舉與上述通式(2)之X1所表示之烷氧基相同者。
於上述通式(3)中，X2可相同或亦可相互不同，較佳為相同。
作為此種上述通式(3)之X2，較佳為列舉烷氧基，進而較佳為列舉甲氧基。
作為此種含環氧基之矽化合物，例如可列舉：含環氧基之三烷氧基矽烷、含環氧基之三鹵化矽烷、含環氧基之三苯氧基矽烷、含環氧基之三乙醯氧基矽烷等。
此種含環氧基之矽化合物可單獨使用，或者亦可併用。
又，於此種含環氧基之矽化合物中，較佳為列舉含環氧基之三烷氧基矽烷。
作為含環氧基之三烷氧基矽烷，具體而言，可列舉：縮水甘油氧基甲基三甲氧基矽烷、(2-縮水甘油氧基乙基)三甲氧基矽烷、(3-縮水甘油氧基丙基)三甲氧基矽烷等縮水甘油氧基烷基三甲氧基矽烷，例如(3-縮水甘油氧基丙基)三乙氧基矽烷、(3-縮水甘油氧基丙基)三丙氧基矽烷、(3-縮水甘油氧基丙基)三異丙氧基矽烷等。
又，於此種含環氧基之三烷氧基矽烷中，較佳為列舉縮水甘油氧基烷基三甲氧基矽烷，進而較佳為列舉(3-縮水甘油氧基丙基)三甲氧基矽烷。
含環氧基之矽化合物之調配比率相對於縮合原料100質量份，例如為0.01~90質量份，較佳為0.01~50質量份，進而較佳為0.01~1質量份。
含環氧基之矽化合物可使用市售品，又，亦可使用依照公知之方法所合成者。
兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷之矽烷醇基(SiOH基)相對於乙烯系矽化合物及含環氧基之矽化合物之反應性官能基(SiX1基及SiX2基)的 莫耳比(SiOH/(SiX1+SiX2))例如為20/1以下，較佳為10/1以下，又，例如為0.2/1以上，較佳為0.5/1以上，尤佳為實質上為1/1。
於莫耳比超過上述範圍之情形時，存在於將縮合-加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物製成半硬化狀態時無法獲得具有適度之韌性之半硬化狀物(半硬化物)之情形，另一方面，於莫耳比未達上述範圍之情形時，存在乙烯系矽化合物及含環氧基之矽化合物之調配比率過多，因此所獲得之埋設層2之耐熱性降低之情形。
又，若莫耳比為上述範圍內(較佳為實質上為1/1)，則可使兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷之矽烷醇基(SiOH基)與乙烯系矽化合物之反應性官能基(SiX1基)及含環氧基之矽化合物之反應性官能基(SiX2基)適當地進行縮合反應。
乙烯系矽化合物相對於含環氧基之矽化合物之莫耳比例如為10/90以上，較佳為50/50以上，進而較佳為80/20以上，又，例如為99/1以下，較佳為97/3以下，進而較佳為95/5以下。
若莫耳比為上述範圍內，則有可確保硬化物之強度並且提昇接著性之優點。
有機氫矽氧烷係不含乙烯系不飽和烴基且於1分子中具有至少兩個氫矽烷基之有機聚矽氧烷。
具體而言，有機氫矽氧烷可列舉：含氫側鏈之有機聚矽氧烷、兩末端為氫之有機聚矽氧烷等。
含氫側鏈之有機聚矽氧烷係具有氫原子作為自主鏈分支之側鏈之有機氫矽氧烷，例如可列舉：甲基氫聚矽氧烷、二甲基聚矽氧烷-共聚-甲基氫聚矽氧烷、乙基氫聚矽氧烷、甲基氫聚矽氧烷-共聚-甲基苯基聚矽氧烷等。
含氫側鏈之有機聚矽氧烷之數量平均分子量例如為100~1,000,000，進而較佳為100~100,000。
又，兩末端為氫之有機聚矽氧烷係主鏈之兩末端具有氫原子之有機氫矽氧烷，例如可列舉：兩末端為氫矽烷基之聚二甲基矽氧烷、兩末端為氫矽烷基之聚甲基苯基矽氧烷、兩末端為氫矽烷基之聚二苯基矽氧烷等。
就穩定性及/或處理性之觀點而言，兩末端為氫之有機聚矽氧烷之數量平均分子量例如為100~1,000,000，進而較佳為100~100,000。
此種有機氫矽氧烷可單獨使用，或者亦可併用。
又，於此種有機氫矽氧烷中，較佳為列舉含氫側鏈之有機聚矽氧烷，進而較佳為列舉二甲基聚矽氧烷-共聚-甲基氫聚矽氧烷。
有機氫矽氧烷中之氫矽烷基當量例如為0.1mmol/g以上，較佳為1mmol/g以上，又，例如為30mmol/g以下，較佳為20mmol/g以下。
有機氫矽氧烷可使用市售品，又，亦可使用依據公知之方法所合成者。
有機氫矽氧烷之調配比率亦取決於乙烯系矽化合物之乙烯系不飽和烴基(上述通式(2)之R2)與有機氫矽氧烷之氫矽烷基(SiH基)之莫耳比，例如相對於乙烯系矽化合物100質量份，例如為10質量份以上，較佳為100質量份以上，又，例如為10,000質量份以下，較佳為1,000質量份以下。
又，乙烯系矽化合物之乙烯系不飽和烴基(上述通式(2)之R2)相對於有機氫矽氧烷之氫矽烷基(SiH基)之莫耳比(R2/SiH)例如為20/1以下，較佳為10/1以下，進而較佳為5/1以下，又，例如為0.05/1以上，較佳為0.1/1以上，進而較佳為0.2/1以上。又，亦可將上述莫耳比設定為例如未達1/1且為0.05/1以上。
於莫耳比超過20/1之情形時，存在於將縮合-加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物製成半硬化狀態時無法獲得具有適度之韌性之半硬化 物之情形，於莫耳比未達0.05/1之情形時，存在有機氫矽氧烷之調配比率過多，因此所獲得之埋設層2之耐熱性及韌性變得不充分之情形。
又，若莫耳比未達1/1且為0.05/1以上，則於將縮合-加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物製成半硬化狀態時，可與莫耳比為20/1~1/1之縮合-加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物相比迅速地轉移至半硬化狀態。
縮合-加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物可藉由將上述兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷、乙烯系矽化合物、含環氧基之矽化合物及有機氫矽氧烷與觸媒一併進行調配並攪拌混合而製備。
作為觸媒，例如可列舉縮合觸媒及加成觸媒(矽氫化觸媒)等。
縮合觸媒只要為使矽烷醇基與反應性官能基(上述通式(2)之SiX1基及上述通式(3)之SiX2基)之縮合反應之反應速度提昇之物質，則並無特別限定，可列舉：例如鹽酸、乙酸、甲酸、硫酸等酸；例如氫氧化鉀、氫氧化鈉、碳酸鉀、氫氧化四甲基銨等鹼；例如鋁、鈦、鋅、錫等金屬等。
此種縮合觸媒可單獨使用，或者亦可併用。
又，於此種縮合觸媒中，就相溶性及熱分解性之觀點而言，較佳為列舉鹼，進而較佳為列舉氫氧化四甲基銨。
此種縮合觸媒之調配比率相對於兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷100莫耳，例如為0.1莫耳以上，較佳為0.5莫耳以上，又，例如為50莫耳以下，較佳為5莫耳以下。
加成觸媒只要為使加成反應即乙烯系不飽和烴基與SiH之矽氫化反應之反應速度提昇之物質，則並無特別限定，例如含有過渡金屬。作為過渡金屬，例如可列舉：鉑、鈀、銠等鉑屬元素，較佳為列舉鉑。
具體而言，作為加成觸媒，於加成觸媒含有鉑之情形時，可列舉：例如鉑黑、氯化鉑、氯鉑酸等無機鉑；例如鉑-烯烴錯合物、鉑-羰基錯合物、鉑-乙醯乙酸酯等鉑錯合物等，較佳為列舉鉑錯合物。更具體而言，作為鉑錯合物，例如可列舉：鉑-乙烯基矽氧烷錯合物、鉑-四甲基二乙烯基二矽氧烷錯合物、鉑-羰基環乙烯基甲基矽氧烷錯合物、鉑-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物、鉑-環乙烯基甲基矽氧烷錯合物、鉑-辛醛/辛醇錯合物等。
再者，觸媒有下文中說明之與聚矽氧樹脂分開調配之態樣及作為構成聚矽氧樹脂之成分而含有於聚矽氧樹脂中之態樣。
此種加成觸媒可單獨使用，或者亦可併用。
又，於此種加成觸媒中，就相溶性、透明性及觸媒活性之觀點而言，較佳為列舉鉑觸媒，進而較佳為列舉鉑-羰基錯合物。
加成觸媒之調配比率以加成觸媒之金屬量之質量份數計，相對於有機氫矽氧烷100質量份，例如為1.0×10-4質量份以上，又，例如為1.0質量份以下，較佳為0.5質量份以下，進而較佳為0.05質量份以下。
再者，上述觸媒可直接使用固體狀態者，或者就處理性之觀點而言，亦可製成溶解或分散於溶劑中而成之溶液或分散液而使用。
作為溶劑，可列舉：例如甲醇、乙醇等醇，例如矽氧烷(有機聚矽氧烷等)等矽化合物，例如己烷等脂肪族烴，例如甲苯等芳香族烴，例如四氫呋喃(THF，tetrahydrofuran)等醚等有機溶劑。又，作為溶劑，例如亦可列舉水等水系溶劑。
作為溶劑，於觸媒為縮合觸媒之情形時，較佳為列舉醇，於觸媒為加成觸媒之情形時，較佳為列舉矽化合物。
於製備縮合-加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物時，例如可一次添加上述原料(縮合原料及加成原料)與觸媒，或者亦可以不同時序分 別添加各原料及各觸媒。進而亦可一次添加一部分成分，並以不同時序分別添加剩餘部分之各成分。
於此種縮合-加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物之製備方法中，較佳為列舉如下方法：首先一次添加縮合原料及縮合觸媒，繼而添加加成原料，其後，添加加成觸媒。
具體而言，以上述比率一次調配兩末端為矽烷醇基之聚矽氧烷、乙烯系矽化合物及含環氧基之矽化合物(即縮合原料)與縮合觸媒，將該等攪拌例如5分鐘~24小時。
又，於調配及攪拌時，為了提昇縮合原料之相溶性及處理性，例如亦可將溫度調整為0~60℃。
其後，藉由視需要對體系(混合物)進行減壓而去除揮發成分(有機溶劑)。
繼而，於所獲得之縮合原料及縮合觸媒之混合物中調配有機氫矽氧烷，並攪拌例如1~120分鐘。
於調配及攪拌時，為了提昇混合物及有機氫矽氧烷之相溶性及處理性，例如亦可將溫度調整為0~60℃。
其後，於體系(混合物)中調配加成觸媒，並攪拌例如1~60分鐘。
藉此，可製備縮合-加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物。
所製備之縮合-加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物例如為液狀(油狀)，以後述之方式塗佈於障壁層4上後進行加熱，藉此使縮合原料進行縮合反應而製成B階段(成為半硬化狀態)。其後，以後述(參照圖2(b))之方式利用埋設層2埋設光半導體元件5後進行加熱，藉此使加成原料進行加成反應，形成縮合-加成反應硬化型聚矽氧樹脂，成為C階段(成為完全硬化狀態)，而將光半導體元件5密封。
密封樹脂組合物中之聚矽氧樹脂之調配比率例如為70質量%以 上，較佳為80質量%以上。
又，於密封樹脂組合物中，亦可視需要添加填充劑及/或螢光體(後述)。
作為填充劑，例如可列舉：二氧化矽(silica)、硫酸鋇、碳酸鋇、鈦酸鋇、氧化鈦、氧化鋯、氧化鎂、氧化鋅、氧化鐵、氫氧化鋁、碳酸鈣、層狀雲母、碳黑、矽藻土、玻璃纖維、聚矽氧樹脂微粒子等。
填充劑之平均粒徑(最大長度之平均值)例如為0.2μm以上，較佳為0.5μm以上，又，例如為40μm以下，較佳為10μm以下。平均粒徑可藉由粒度分佈測定裝置而測定。
此種填充劑可單獨使用，或者亦可併用。
螢光體為具有波長轉換功能之粒子，只要為可用於光半導體裝置6(參照圖2(b))之公知之螢光體，則並無特別限制，例如可列舉：可將藍色光轉換成黃色光之黃色螢光體、可將藍色光轉換成紅色光之紅色螢光體等公知之螢光體。
作為黃色螢光體，可列舉：例如Y3Al5O12：Ce(YAG(Yttrium Aluminum Garnet，釔-鋁-石榴石)：Ce)、Tb3Al3O12：Ce(TAG(Terbium Aluminum Garnet，鋱-鋁-石榴石)：Ce)等具有石榴石型晶體結構之石榴石型螢光體；例如Ca-α-SiAlON等氮氧化物螢光體等。
作為紅色螢光體，例如可列舉CaAlSiN3：Eu、CaSiN2：Eu等氮化物螢光體等。
於此種螢光體中，較佳為列舉黃色螢光體，進而較佳為列舉Ca-α-SiAlON及YAG：Ce，尤佳為列舉YAG：Ce。
此種螢光體可單獨使用，或者亦可併用。
又，螢光體為粒子狀，其形狀並無特別限定，例如可列舉：大致球形狀、大致平板形狀、大致針形狀等。
又，螢光體之平均粒徑(最大長度之平均值)例如為0.1μm以上， 較佳為0.2μm以上，又，例如為500μm以下，較佳為200μm以下。螢光體粒子之平均粒徑可藉由粒度分佈測定裝置而測定。
由於白色化之程度視螢光體之種類、埋設層2之厚度L1及密封片材1之形狀等而不同，因此螢光體之調配比率並無特別限制，例如相對於密封樹脂組合物為1質量%以上，較佳為10質量%以上，又，例如為50質量%以下，較佳為40質量%以下。
再者，於上述密封樹脂組合物中，進而可視需要以適當之比率添加抗老化劑、改性劑、界面活性劑、染料、顏料、防變色劑、紫外線吸收劑等公知之添加物。
又，密封樹脂組合物可視需要於其製備後進行消泡。
作為消泡方法，例如可列舉：減壓消泡(真空消泡)、離心消泡、超音波消泡等公知之消泡方法，較佳為列舉減壓消泡(真空消泡)。
於消泡方法為減壓消泡(真空消泡)之情形時，作為消泡條件，溫度例如為10℃以上，較佳為15℃以上，又，例如為40℃以下，較佳為35℃以下，時間例如為10分鐘以上，較佳為30分鐘以上。
於埋設層2由含有熱硬化性樹脂(較佳為聚矽氧樹脂)之密封樹脂組合物形成之情形時，較佳為形成為半硬化(B階段)狀態。
埋設層2之厚度L1並無特別限制，以於後述光半導體元件5之密封時(參照圖2(b))可埋設光半導體元件5之方式適當地調整。具體而言，埋設層2之厚度L1例如為300μm以上，較佳為500μm以上，又，例如為3,000μm以下，較佳為2,000μm以下。
此種埋設層2可由一層形成，或者亦可由複數層形成。
被覆層3為被覆下文詳述之障壁層4之上表面之覆蓋層。被覆層3於密封片材1中係以於上側露出之方式設置。
被覆層3由透明樹脂組合物形成為大致片材形狀。透明樹脂組合物含有埋設層2所列舉之透明性樹脂作為主成分，視需要含有填充劑 及/或螢光體作為副成分。較佳為形成被覆層3之透明樹脂組合物由含有包含加成觸媒之加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物及螢光體的含螢光體之樹脂組合物形成。作為加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物，可使用市售品(例如Wacker Asahikasei Silicone公司製造之LR-7665，含有鉑系觸媒)，又，亦可使用依據公知之方法所合成者。含螢光體之樹脂組合物中之透明性樹脂(加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物)之調配比率與埋設層2所例示之密封樹脂組合物中之聚矽氧樹脂之調配比率相同。又，填充劑及螢光體之含有比率與埋設層2所例示之密封樹脂組合物中之該等之調配比率相同。
被覆層3之厚度例如為10μm以上，較佳為50μm以上，又，例如為1000μm以下，較佳為500μm以下。
障壁層4係於厚度方向方以夾持於埋設層2及被覆層3之間之方式設置。障壁層4形成為於面方向上延伸之大致矩形平板形狀。又，於障壁層4之下表面整個面上設置有埋設層2，於障壁層4之上表面整個面上設置有被覆層3。
障壁層4例如係用以抑制被覆層3所含之成分轉移至埋設層2中(遷移)之障壁膜。
作為成為障壁層4抑制轉移至埋設層2中之對象之成分，具體而言，為被覆層3所含之觸媒，更具體而言，為加成觸媒，詳細而言，為矽氫化觸媒。
進而，障壁層4亦為具有優異之機械強度之層。
障壁層4例如由玻璃等形成。
作為玻璃，並無特別限制，例如可列舉：無鹼玻璃、鈉玻璃、石英玻璃、硼矽酸玻璃、鉛玻璃、氟化物玻璃等。又，作為玻璃，亦可列舉耐熱玻璃，具體而言以商品名Tempax Glass、Vycor Glass、Pyrex Glass等市售者。作為玻璃，較佳為列舉無鹼玻璃、鈉玻璃。
障壁層4之厚度為50μm以上且1,000μm以下。又，障壁層4之厚度較佳為75μm以上，更佳為100μm以上，進而較佳為150μm以上，又，較佳為750μm以下，更佳為500μm以下。
若障壁層4之厚度未達上述下限，則無法提昇對密封片材1之轉移之障壁性，且無法對密封片材1賦予優異之機械強度。因此，無法充分地提昇光半導體裝置6(參照圖2(b))之強度及障壁性。
另一方面，若障壁層4之厚度超過上述上限，則無法實現密封片材1之薄型化。若如此，則亦無法實現光半導體裝置6(參照圖2(b))之薄型化。
又，障壁層4之厚度L2相對於埋設層2之厚度L1之比([障壁層4之厚度L2]/[埋設層2之厚度L1])例如為0.10以上，較佳為0.15以上，更佳為0.20以上，進而較佳為0.30以上，尤佳為0.50以上，又，例如為2.00以下，較佳為1.00以下，更佳為0.90以下。
若上述比(L2/L1)未達上述下限，則有障壁層4相對於埋設層2過薄，故而密封片材1之阻氣性變不充分，且密封片材1之強度變不充分，因此無法對光半導體裝置6賦予優異之機械強度及阻氣性之情形，或者有埋設層2相對於障壁層4過厚，故而密封片材1之厚度變得過厚，因此無法實現光半導體裝置6之薄型化之情形。
另一方面，若上述比(L2/L1)超過上述上限，則有障壁層4相對於埋設層2過厚，因此無法實現密封片材1之薄型化之情形。或者有埋設層2相對於障壁層4過薄，故而無法確實地埋設光半導體元件5，因此無法密封光半導體元件5，其結果光半導體裝置6之可靠性降低之情形。
障壁層4之藉由彎曲試驗所測定之曲率半徑例如為1000mm以下，較佳為500mm以下，又，例如為10mm以上，較佳為50mm以上。若障壁層4之曲率半徑超過上述上限，則有障壁層4之柔軟性較 低，因此無法對光半導體裝置6賦予優異之機械強度之情形。又，於障壁層4之曲率半徑未達上述下限之情形時，存在因過度柔軟故而無法對光半導體裝置6賦予優異之機械強度之情形。
密封片材1之厚度例如為100μm以上，較佳為150μm以上，更佳為200μm以上，又，例如為5,000μm以下，較佳為2,500μm以下，更佳為2,000μm以下，進而較佳為1,500μm以下。
若密封片材1之厚度為上述上限以下，則可實現光半導體裝置6之薄型化。
其次，對製造圖1所示之密封片材1之方法進行說明。
於該方法中，首先，準備障壁層4。障壁層4例如係預先將外形加工成適當尺寸之大致矩形平板狀而準備。
繼而，將被覆層3形成於障壁層4上。
作為將被覆層3形成於障壁層4上之方法，例如可列舉：將被覆層3直接形成於障壁層4上之方法；將被覆層3形成於另一脫模膜上等後，藉由貼合機、熱壓接等將該被覆層3自脫模膜轉印至障壁層4上之方法等。
較佳為將埋設層2直接形成於障壁層4上。
具體而言，藉由例如澆鑄、旋轉、輥等公知之塗佈方法將密封樹脂組合物、較佳為含螢光體之樹脂組合物塗佈於障壁層4之上表面整個面。
再者，於含螢光體之樹脂組合物含有熱硬化性樹脂之情形時，藉由對含螢光體之樹脂組合物進行加熱乾燥而將被覆層3製成B階段狀態(使其半硬化)，或者將被覆層3經由B階段狀態製成C階段狀態(使其完全硬化)。較佳為將被覆層3製成C階段狀態。藉此，被覆層3由C階段之熱硬化性樹脂形成。
為了將被覆層3製成C階段，其後，對所塗佈之密封樹脂組合物 (較佳為含螢光體之樹脂組合物)進行加熱。
作為加熱條件，溫度例如為50℃以上，較佳為80℃以上，又，例如為150℃以下，較佳為140℃以下，加熱時間例如為1分鐘以上，較佳為5分鐘以上，又，例如為100分鐘以下，較佳為15分鐘以下。再者，可根據熱硬化性樹脂之種類而適當設定障壁層4是否為C階段狀態。
剛製造後之被覆層3於25℃下之壓縮彈性模數例如為0.001MPa以上，較佳為0.01MPa以上，又，例如為10MPa以下，較佳為5MPa以下。
繼而，將積層有被覆層3之障壁層4上下反轉，於該障壁層4上(於圖1中，方便起見以「下」進行圖示)形成埋設層2。
作為將埋設層2形成於障壁層4上之方法，例如可列舉：將埋設層2直接形成於障壁層4上之方法；將埋設層2形成於另一脫模膜上等後，藉由貼合機、熱壓接等將該埋設層2自脫模膜轉印至障壁層4上之方法等。
較佳為將埋設層2直接形成於障壁層4上。
為了將埋設層2直接形成於障壁層4上，例如藉由例如澆鑄、旋轉、輥等公知之塗佈方法將密封樹脂組合物塗佈於障壁層4之上表面整個面。
藉此，將埋設層2形成於障壁層4上。
再者，於密封樹脂組合物含有熱硬化性樹脂之情形時，對埋設層2進行加熱而將包含密封樹脂組合物之埋設層2製成B階段狀態(使其半硬化)。
作為加熱條件，溫度例如為50℃以上，較佳為80℃以上，又，例如為150℃以下，較佳為140℃以下，加熱時間例如為1分鐘以上，較佳為5分鐘以上，又，例如為100分鐘以下，較佳為15分鐘以下。再者， 可根據熱硬化性樹脂之種類而適當設定埋設層2是否為B階段狀態。
藉此，獲得具備障壁層4、積層於其下之被覆層3、及積層於障壁層4之上之埋設層2之密封片材1。
再者，剛製作後之密封片材1中之埋設層2於25℃下之彈性模數例如為40kPa以上，較佳為60kPa以上，又，例如為500kPa以下，較佳為300kPa以下。彈性模數係使用奈米壓痕儀而測定。再者，關於彈性模數之測定條件，於下文之實施例中進行詳述。
其次，參照圖2對使用上述密封片材1密封光半導體元件5而製造光半導體裝置6之方法進行說明。
於該方法中，首先，如圖2(a)所示，準備安裝有光半導體元件5之基板8。
基板8呈大致平板狀，具體而言，由在絕緣基板上積層包含電極墊(未圖示)及配線(未圖示)之導體層(未圖示)作為電路圖案之積層板形成。絕緣基板例如包含矽基板、陶瓷基板、聚醯亞胺樹脂基板等，較佳為包含陶瓷基板，具體而言，包含藍寶石基板。
導體層例如由金、銅、銀、鎳等導體形成。基板8之厚度例如為30μm以上，較佳為50μm以上，又，例如為1,500μm以下，較佳為1,000μm以下。
光半導體元件5係設置於基板8之上表面。光半導體元件5係經由金屬線7而打線接合連接於基板8之電極墊，藉此與導體層電性連接。光半導體元件5例如為發出藍色光之元件(具體而言為藍色LED)。又，於光半導體元件5之上表面形成有未圖示之電極。光半導體元件5之上下方向長度(厚度)L3例如為10~1000μm。
金屬線7形成為線狀，其一端與光半導體元件5之端子電性連接，另一端與基板8之電極墊(未圖示)電性連接。
作為金屬線7之材料，例如可列舉：金、銀、銅等可用作光半導 體元件5之打線接合材之金屬材料，就耐腐蝕性之觀點而言，較佳為列舉金。
金屬線7之線徑(粗細)例如為10μm以上，較佳為20μm以上，又，例如為100μm以下，較佳為50μm以下。
又，金屬線7於將光半導體元件5與基板8連接之狀態下，彎曲或彎折而形成為大致弧形狀(例如三角弧形狀、四角弧形狀、圓弧形狀等)。
於金屬線7中，自其一端(光半導體元件5之端子之上表面)至位於最上側之部分(即最上端部)之長度L4例如為100μm以上，較佳為150μm以上，又，例如為2000μm以下，較佳為1000μm以下。
於金屬線7中，自其另一端(基板8之電極墊之上表面)至最上端部之長度(即金屬線7之高度)L5例如為100μm以上，較佳為300μm以上，又，例如為1000μm以下，較佳為500μm以下。又，金屬線7之高度L5相對於光半導體元件5之厚度L3，例如為1.5倍以上，較佳為2倍以上，又，例如為10倍以下，較佳為5倍以下。
金屬線7之兩端間之左右方向長度D例如為0.1mm以上，較佳為0.3mm以上，又，例如為3mm以下，較佳為2mm以下。若金屬線7之兩端間之左右方向長度D為上述下限以上，則可有效地防止打線接合之精度之降低。若金屬線7之兩端間之左右方向長度D為上述上限以下，則可有效地抑制金屬線7之變形。
繼而，如圖2(a)所示，將密封片材1對向配置於基板8上。具體而言，將密封片材1之埋設層2以與光半導體元件5相對向之方式配置於基板8上。
繼而，如圖2(b)所示，藉由密封片材1之埋設層2埋設光半導體元件5。
具體而言，使密封片材1熱壓接於基板8上。
較佳為對密封片材1及基板8進行平板加壓。
作為加壓條件，溫度例如為80℃以上，較佳為100℃以上，又，例如為220℃以下，較佳為200℃以下，壓力例如為0.01MPa以上，又，例如為1MPa以下，較佳為0.5MPa以下。壓接時間例如為1~10分鐘。
藉由該熱壓接，光半導體元件5之上表面及側面由埋設層2被覆。即，光半導體元件5埋設於埋設層2中。
又，自光半導體元件5露出之基板8之上表面由埋設層2被覆。
藉此，密封片材1與光半導體元件5及基板8接著。
並且，藉由該熱壓接，於埋設層2及/或被覆層3之密封樹脂組合物含有熱硬化性樹脂之情形時，被覆層3及/或埋設層2成為C階段狀態(完全硬化)。再者，於被覆層3已由密封樹脂組合物形成C階段狀態之情形時，於埋設層2之密封樹脂組合物含有B階段之熱硬化性樹脂時，埋設層2藉由熱壓接而成為C階段狀態(完全硬化)。
藉此，獲得光半導體元件5由埋設層2密封，又，障壁層4由被覆層3保護之光半導體裝置6。
又，於被覆層3及/或埋設層2含有螢光體，且光半導體元件5為藍色LED之情形時，以白色發光裝置獲得光半導體裝置6。
即，光半導體裝置6具備基板8、安裝於基板8上之光半導體元件5、及形成於基板8上且密封光半導體元件5之密封片材1。又，配置為埋設層2埋設光半導體元件5，且被覆層3於光半導體裝置6中在上側露出，並且障壁層4介於埋設層2及被覆層3之間。
並且，若藉由密封片材1密封光半導體元件5，則可將光半導體元件5批次密封，因此可製造效率良好地獲得光半導體裝置6。
由於該密封片材1具備用以抑制被覆層2所含之成分轉移至埋設層3之厚度為50μm以上且1,000μm以下的障壁層4，因此可抑制被覆 層3所含之成分轉移至埋設層2中，抑制埋設光半導體元件5前之埋設層2之硬化。
即，由於該密封片材1具有上述壓縮彈性模數，即具備高硬度之被覆層3、及為了密封光半導體元件5而為凝膠狀態之埋設層2，且由於可藉由上述特定厚度之障壁層4抑制被覆層3所含之成分在密封片材1中移動，更具體而言轉移至埋設層2中，因此可藉由被覆層3確保良好之韌性，並且藉由障壁層4防止上述成分之遷移，而確實地埋設光半導體元件5。
因此，可長期維持被覆層3之凝膠狀態(B階段狀態)，故而密封片材1之保存性優異。
詳細而言，於被覆層3由具有觸媒(具體而言為加成觸媒)之加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物形成，且埋設層2由B階段之縮合-加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物形成之情形時，若無障壁層4，則有被覆層3之觸媒轉移至B階段之埋設層2，埋設層2於埋設光半導體元件5前C階段化(完全硬化)之情形。若如此，則有在其後欲於埋設層2中埋設光半導體元件5時，無法抑制光半導體元件5之損傷、進而金屬線7之變形及損傷之情形。
另一方面，於該實施形態中，藉由被覆層3之成分向埋設層2之轉移由障壁層4而得以抑制的硬化前之埋設層2，可抑制光半導體元件5及金屬線7之損傷並且可確實地進行埋設，其後，只要將埋設層2硬化，則可確實地密封光半導體元件5及金屬線7。因此，可獲得尺寸穩定性優異之光半導體裝置6。
並且，於該密封片材1中，障壁層4之厚度為50μm以上且1,000μm以下，因此可確保優異之強度，抑制被覆層3所含之成分轉移至埋設層2之障壁性優異，並且可實現薄型化。因此，若藉由該密封片材密封光半導體元件5，則為薄型，且可提昇光半導體裝置6之強度及可 靠性。
又，於該密封片材1中，若埋設層2由B階段之熱硬化性樹脂形成，則可藉由柔軟之埋設層2確實地埋設光半導體元件5。又，若被覆層3由C階段之熱硬化性樹脂形成，則可更進一步提昇密封片材1之強度。
進而，於該密封片材1中，障壁層4之厚度L2相對於埋設層2之厚度L1之比(L2/L1)為0.10以上且1.00以下，因此可確保優異之強度，對被覆層3所含之成分轉移至埋設層2之障壁性優異，並且可實現薄型化。因此，若藉由該密封片材1密封光半導體元件5，則為薄型，且可提昇光半導體裝置6之強度及可靠性。
<變化例>
於圖2之實施形態中，將光半導體元件5經由金屬線7打線接合連接於基板8上，例如雖然未圖示，但亦可不使用金屬線7而進行倒裝晶片安裝。
於上述實施形態中，於密封片材1之製造方法中，首先，將被覆層3積層於障壁層4上，其後，使該等上下反轉，將埋設層2形成於障壁層4上，但例如亦可與該等相反，具體而言，首先，將埋設層2積層於障壁層4上，其後，使該等上下反轉，將被覆層3形成於障壁層4上。
又，亦可不藉由外形加工預先準備平板狀之障壁層4，而藉由例如將含有形成障壁層4之材料之玻璃組合物塗佈於埋設層2或被覆層3上，其後進行加熱對該等進行燒結，從而將障壁層4形成於埋設層2或被覆層3上。作為玻璃組合物，例如可列舉日本專利特開2012-129361號公報等中所記載之漿料溶液等。
再者，於上述說明中，將密封片材1形成為俯視大致矩形狀，但密封片材1之俯視形狀並不限定於此，可視需要適當進行變更。具體 而言，可將密封片材1形成為例如俯視大致圓形狀等。
實施例
以下所示之實施例等之記載可替換為實施形態中所記載之數值即上限值或下限值。
<聚矽氧樹脂組合物A之製備> 製備例1
相對於加溫至40℃之兩末端為矽烷醇基之聚二甲基矽氧烷[下述式(1)中之R1全部為甲基且n=155所表示之化合物，平均分子量11,500]2,031g(0.177莫耳)，將作為含乙烯系不飽和烴基之矽化合物之乙烯基三甲氧基矽烷15.76g(0.106莫耳)、及作為含乙烯系不飽和烴基之矽化合物之(3-縮水甘油氧基丙基)三甲氧基矽烷2.80g(0.0118莫耳)[兩末端為矽烷醇基之聚二甲基矽氧烷之SiOH基之莫耳數與含乙烯系不飽和烴基之矽化合物之SiX1基及含乙烯系不飽和烴基之矽化合物之SiX2基之總莫耳數的比[SiOH/(SiX1+SiX2)=1/1]]攪拌並混合後，添加作為縮合觸媒之氫氧化四甲基銨甲醇溶液(濃度10質量%)0.97mL(觸媒量：0.88莫耳，相對於兩末端為矽烷醇基之聚二甲基矽氧烷100莫耳為0.50莫耳)，於40℃下攪拌1小時。對所獲得之油一面於40℃下攪拌1小時一面進行減壓(10mmHg)而去除揮發成分。其次，於使反應液(油)恢復至常壓後，以乙烯基相對於之氫矽烷基之莫耳比成為SiR2/SiH=1/3.0之方式添加有機氫聚矽氧烷(二甲基聚矽氧烷-共聚-甲基氫聚矽氧烷)，並於40℃下攪拌1小時。其後，添加作為矽氫化觸媒之鉑-羰基錯合物(鉑濃度2.0質量%)0.038mL(鉑含量相對於有機聚矽氧烷為0.375ppm)，於40℃下攪拌10分鐘，獲得混合物(油)。
式(1)：
將該混合物設為聚矽氧樹脂組合物A(不含螢光體之樹脂組合物)。
<聚矽氧樹脂組合物B之製備> 製備例2
相對於製備例1中獲得之混合物(油，聚矽氧樹脂組合物A)80g，添加作為螢光體之YAG：Ce(平均粒徑8.9μm)20g，於室溫(20℃)下攪拌10分鐘。攪拌後，於藉由真空乾燥機之減壓下，於室溫下消泡30分鐘以上。
藉此，製備聚矽氧樹脂組合物B(含螢光體之樹脂組合物)(YAG：Ce含量20質量%)。
<聚矽氧樹脂組合物C之製備> 製備例3
於混合加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物(LR7665，Wacker Asahikasei Silicone公司製造)之A液與B液而成之混合液(混合比率(A/B)=1/1)80g中，混合YAG：Ce(平均粒徑8.9μm)20g，並攪拌1小時。攪拌後，於藉由真空乾燥機之減壓下，於室溫下消泡30分鐘以上。
藉此，製備聚矽氧樹脂組合物C(含螢光體之樹脂組合物)(螢光體濃度20質量%)。
<聚矽氧樹脂組合物D之製備> 製備例4
將混合加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物(LR7665，Wacker Asahikasei Silicone公司製造)之A液與B液而成之混合液(混合比率(A/B)=1/1)直接設為聚矽氧樹脂組合物D(不含螢光體之樹脂組合物)。
(密封片材之製作及光半導體裝置之製作) 實施例1
首先，準備作為障壁層之無鹼玻璃。再者，障壁層之厚度為200μm，尺寸為10mm×10mm。
繼而，以C階段狀態下之厚度L2成為400μm之方式於無鹼玻璃上塗佈製備例3之聚矽氧樹脂組合物C(含螢光體之樹脂組合物)，於100℃下乾燥10分鐘，藉此形成C階段狀態之埋設層。
其後，將埋設層及障壁層上下反轉，以C階段狀態下之厚度L1成為600μm之方式於障壁層上塗佈製備例3之聚矽氧樹脂組合物C(含螢光體之樹脂組合物)，於135℃下乾燥10分鐘，藉此形成B階段狀態之埋設層。
藉此，獲得具備被覆層、埋設層及介於該等之間之障壁層之密封片材。
實施例2
除將障壁層之厚度L2自200μm變更為500μm以外，以與實施例1相同之方式進行處理，獲得密封片材，繼而，製作光半導體裝置。
實施例3
除使用厚度L2為500μm之鈉玻璃(尺寸10mm×10mm)替代厚度L2為200μm之無鹼玻璃作為障壁層以外，以與實施例1相同之方式進行處理，獲得密封片材，繼而，製作光半導體裝置。
實施例4
於被覆層之形成時，使用製備例4之聚矽氧樹脂組合物D(不含螢 光體之樹脂組合物)替代製備例3之聚矽氧樹脂組合物C(含螢光體之樹脂組合物)，進而，於埋設層之形成時，使用製備例2之聚矽氧樹脂組合物B(含螢光體之樹脂組合物)替代製備例1之聚矽氧樹脂組合物A(不含螢光體之樹脂組合物)，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理，獲得密封片材，繼而，製作光半導體裝置。
實施例5
除將障壁層之厚度L2自200μm變更為50μm以外，以與實施例1相同之方式進行處理，獲得密封片材，繼而，製作光半導體裝置。
實施例6
除將障壁層之厚度L2自500μm變更為50μm以外，以與實施例3相同之方式進行處理，獲得密封片材，繼而，製作光半導體裝置。
實施例7
除將障壁層之厚度L2自200μm變更為1,000μm之以外，以與實施例1相同之方式進行處理，獲得密封片材，繼而，製作光半導體裝置。
實施例8
除將障壁層之厚度L2自500μm變更為1,000μm以外，以與實施例3相同之方式進行處理，獲得密封片材，繼而，製作光半導體裝置。
比較例1
除不設置障壁層而由埋設層及被覆層形成密封片材以外，以與實施例1相同之方式進行處理，獲得密封片材，繼而，製作光半導體裝置。
即，密封片材係藉由以C階段狀態下之厚度L1成為600μm之方式於剝離片材上塗佈製備例1之聚矽氧樹脂組合物A，並於135℃下乾燥10分鐘，而形成B階段狀態之埋設層。
藉由另外以C階段狀態下之厚度成為400μm之方式於剝離片材上 塗佈製備例3之聚矽氧樹脂組合物C(含螢光體之樹脂組合物)，並於100℃下乾燥10分鐘，而形成C階段狀態之被覆層。
其後，將埋設層與被覆層貼合。
藉此，獲得具備埋設層及被覆層之密封片材。
繼而，準備安裝光半導體元件之基板。再者，於基板上形成有包含銀之電極墊，藉由該電極墊而將光半導體元件與基板電性連接。
其後，將密封片材以埋設層與光半導體元件相對向之方式配置於基板上。
繼而，藉由利用平板加壓對密封片材於160℃、5分鐘、0.1MPa之加壓條件下進行熱壓接而密封光半導體元件。藉由熱壓接而將埋設層製成C階段狀態。其後，將脫模片材自埋設層剝離。
藉此，製作光半導體元件由密封片材密封之光半導體裝置。
比較例2
除將障壁層之厚度L2自200μm變更為35μm以外，以與實施例1相同之方式進行處理，獲得密封片材，繼而，製作光半導體裝置。
比較例3
除將障壁層之厚度L2自500μm變更為35μm以外，以與實施例3相同之方式進行處理，獲得密封片材，繼而，製作光半導體裝置。
比較例4
除將障壁層之厚度L2自200μm變更為2,000μm以外，以與實施例1相同之方式進行處理，獲得密封片材，繼而，製作光半導體裝置。
比較例5
除將障壁層之厚度L2自500μm變更為2,000μm以外，以與實施例3相同之方式進行處理，獲得密封片材，繼而，製作光半導體裝置。
(評價) 1.障壁層之曲率半徑之測定
對各實施例及各比較例中使用之障壁層測定曲率半徑。
曲率半徑係藉由彎曲試驗而測定。
將其結果示於表1及表2中。
2.埋設層之彈性模數
對各實施例及各比較例之剛製作後及於5℃下保存1個月後之各埋設層之彈性模數進行測定。
具體而言，使用奈米壓痕儀對B階段狀態之埋設層於25℃下之彈性模數進行測定。
將其結果示於表1及表2中。
3.密封片材之機械強度
藉由落下試驗對各實施例及各比較例中之密封片材之機械強度進行評價。
具體而言，藉由使密封片材自1000mm之高度落下，觀察障壁層之損壞(損傷)之有無而評價密封片材之機械強度。
將其結果示於表1及表2中。
4.光半導體元件及金屬線之密封性
準備利用金屬線藉由打線接合連接而安裝於基板上之俯視矩形狀之光半導體元件(參照圖2(a))。光半導體元件及金屬線之尺寸如下。
光半導體元件之厚度L3：150μm
金屬線之線徑：30μm
金屬線之高度L4：450μm
金屬線之兩端間之左右方向長度D：2000μm
繼而，藉由製作後於5℃下保存1個月後之各實施例及各比較例之密封片材而密封光半導體元件及金屬線。
具體而言，將密封片材以埋設層與光半導體元件相對向之方式 配置於基板之上方，繼而，壓下密封片材而藉由埋設層埋設光半導體元件及金屬線。藉此，獲得光半導體裝置。
對所獲得之光半導體裝置之金屬線進行觀察，評價對金屬線之密封性。
將其結果示於表1及表2中。
再者，上述說明係作為本發明之例示之實施形態而提供，但其僅為例示，不可限定地加以解釋。由該技術領域之業者所明確之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍。
1‧‧‧密封片材
2‧‧‧埋設層
3‧‧‧被覆層
4‧‧‧障壁層
L1‧‧‧埋設層之厚度
L2‧‧‧障壁層之厚度

Claims (3)

  1. 一種密封片材，其特徵在於：其係用以密封光半導體元件者，且其具備：埋設層，其用以埋設上述光半導體元件；被覆層，其相對於上述埋設層而配置於厚度方向一側；及障壁層，其介於上述埋設層及上述被覆層之間，厚度為50μm以上且1,000μm以下，且用以抑制上述被覆層所含之成分轉移至上述埋設層。
  2. 如請求項1之密封片材，其中上述埋設層由B階段之熱硬化性樹脂形成，上述被覆層由C階段之熱硬化性樹脂形成。
  3. 如請求項1之密封片材，其中上述障壁層之厚度相對於上述埋設層之厚度之比為0.10以上且1.00以下。
TW102147007A 2012-12-26 2013-12-18 密封片材 TW201427109A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012282902A JP2014127574A (ja) 2012-12-26 2012-12-26 封止シート

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201427109A true TW201427109A (zh) 2014-07-01

Family

ID=49816813

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102147007A TW201427109A (zh) 2012-12-26 2013-12-18 密封片材

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20140178677A1 (zh)
EP (1) EP2750210A3 (zh)
JP (1) JP2014127574A (zh)
KR (1) KR20140083902A (zh)
CN (1) CN103904200A (zh)
TW (1) TW201427109A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6356581B2 (ja) * 2014-11-19 2018-07-11 信越化学工業株式会社 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009128468A1 (ja) * 2008-04-17 2009-10-22 株式会社東芝 白色発光装置、バックライト、液晶表示装置および照明装置
JP2011042732A (ja) * 2009-08-20 2011-03-03 Kaneka Corp Ｌｅｄ封止剤
JP5678891B2 (ja) * 2009-10-22 2015-03-04 コニカミノルタ株式会社 装飾発光体の製造方法
JP5827864B2 (ja) * 2011-06-14 2015-12-02 日東電工株式会社 封止用シートおよび光半導体素子装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2750210A2 (en) 2014-07-02
KR20140083902A (ko) 2014-07-04
EP2750210A3 (en) 2014-12-24
US20140178677A1 (en) 2014-06-26
CN103904200A (zh) 2014-07-02
JP2014127574A (ja) 2014-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6033557B2 (ja) 封止シート、および、それを用いた発光ダイオード装置の製造方法
JP5767062B2 (ja) 発光ダイオード封止材、および、発光ダイオード装置の製造方法
TWI495169B (zh) 密封用片材及光半導體元件裝置
KR20130138685A (ko) 봉지 시트, 발광 다이오드 장치 및 그의 제조 방법
EP2637226A1 (en) Phosphor encapsulating sheet, light emitting diode device, and producing method thereof
JP2013135084A (ja) 発光ダイオード装置の製造方法
TW201312811A (zh) 密封片材、其製造方法、發光二極體裝置及其製造方法
US20130193477A1 (en) Light emitting diode device and method of producing the same
TWI540761B (zh) 矽氧樹脂片材、硬化片材、發光二極體裝置及其製造方法
TW201318231A (zh) 密封用薄片及光半導體元件裝置
TW201425554A (zh) 密封片材
US8957451B2 (en) Encapsulating sheet, optical semiconductor device, and producing method thereof
JP5882729B2 (ja) シリコーン樹脂シート、硬化シート、発光ダイオード装置およびその製造方法
TW201427109A (zh) 密封片材
TW201308697A (zh) 聚矽氧樹脂組合物、密封材料及發光二極體裝置