TWI330909B - - Google Patents

Description

1330909 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】

• 本發明係有關具有藉由無線電波動作之1c晶片之IC 標籤及其製造方法者。 【先前技術】 近來，以將 RFID (射頻識別（Radio Frequency φ Identification ))標籤附加於物品，1C卡等以使用於物品 之資訊管理等之形態，RFID標籤被廣泛地利用。此種 RFID標籤係由1C晶片與天線所構成，可以藉由天線利用 無線電將記憶於1C晶片的ID ( Identification :識別資訊 )等之資訊與讀寫器（Reader/writer )進行通訊’因此可 以透過讀寫器不經接觸地讀取記憶於1C晶片之資訊，或 相反地也可寫入1C晶片中。 而且在多個物品分別黏貼寫入特有資訊之RFID標籤 ® ，在製造工程或搬運中，藉由讀寫器讀取或寫入資訊，以 廣泛實施各工程中的物品資訊之管理。上述的讀寫器可以 總括讀取記憶於通信區域內的RFID標籤的1C晶片中之資 訊，所以可提升作業的效率。 在此，·例如要以RFID標籤管理多個信封時，由於 RFID標籤係黏貼於各信封的大致相同的位置，因此，若 重疊多個信封時，RFID標籤也貼近重疊。而且若RFID標 籤貼近重疊，則各R FID標籤的天線阻抗會變化，以致由 各RFID標籤發出之電波產生干擾’有讀寫器無法正確讀 1330909 取記憶於RFID標籤之資訊的問題。 因此，爲解決上述問題，先前揭示有在重疊的RFID 標籤之間，介在具有可以保証由各RFID標籤發出之電波 不會干擾的間隔以上之厚度的間隔物（sPacer )的技術（ 例如，日本特開2005-001692號公報（段落0016至0019 ，圖 1，圖 2 ))。 【發明內容】 φ 然而，根據日本特開2005-001692號專利所揭示的技 術，爲了防止RFID標籤重疊時的電波干擾，在重疊的 RFID標籤之間必須介在有間隔物，例如，若將黏貼有 RFID標籤之多個信封重疊時，即有因爲間隔物之厚度而 使重疊的信封束變厚的問題。 因此，本發明的課題在提供一種可以防止或降低重疊 1C標籤時的電波干擾之1C標籤。 爲解決上述課題，本發明係以第1天線與第2天線構 · 成RFID標籤，並將第1天線與第2天線之端部彼此設成 以靜電容耦合之構造。 依據本發明，可以提供一種可以防止或降低重疊1C 標籤時之電波干擾的1C標籤。 【實施方式】 以下，利用適切圖式來詳細說明用以實施本發明的實 施例。 -6 - 1330909 <第1實施形態>

' 圖1 A、1 B係揭示本發明之第i實施形態相關之RFID 標籤的圖，圖1A係揭示組合第1實施形態相關之RFID 標籤之樣態的圖，圖1 B係揭示分解第1實施形態相關之 RFID標籤之樣態的圖。 如圖1 A、1B所示，第1實施形態相關之RFID標籤 • (1C標籤）1係以於作爲主要天線之天線（第1天線）11 載置1C晶片10的核心標籤（Inlet) la，與作爲輔助天線 之兩個導體片（第2天線）lb、lb所構成。 天線 1 1 係由絶緣體的 PET ( Polyethylene Terephthalate )或 PEN ( Polythylene Naphtahalate)等樹脂所構成，例 如在略呈長方形的基座lib上面，將Au、Al等之金屬以 數//m左右之厚度，利用濺鍍法所致之蒸鍍等之方法所形 成之金屬膜層11a，並設有縫隙（slit) 11c。另外，金屬 ® 膜層1la的形成方法並不限定於蒸鍍，例如亦可利用噴墨 印表機（Inject printer)進行印刷來形成Au、A1等之金 屬糊（paste)。縫隙11c係可以在形成金屬膜層lla時， 或形成後設置。 此外’基座lib並不限定於上述樹脂，只要是絶緣體 ’也可以爲紙、橡膠 '玻璃等。此時，利用以噴墨印表機 寺印刷Au、A1等之金屬糊’或黏貼Au、A1等之金屬箱 等適當方法來形成金屬膜層11a即可。 圖2A、2B、2C係揭示在金屬膜層載置ic晶片之樣 1330909 態的圖，圖2A係由訊號輸出入電極側所見1C晶片的槪略 圖，圖2B係揭示金屬膜層之縫隙與1C晶片之訊號輸出入 電極的位置關係的圖，而圖2C係揭示在金屬膜層載置1C 晶片之樣態的圖。 設置於金屬膜層11a之縫隙11c，係如圖2B所示， 呈略L字形，在跨過縫隙1 1 C以縫隙1 1 C之L字形的角 部的金屬膜層11a上面之虛線所示之l〇a’、10b’之位置， 以身爲1C晶片10之天線供電用端子的訊號輸出入電極 l〇a、10b (參照圖2A)對應之方式，如圖2C所示般載置 IC晶片1 0。 IC晶片1 〇之訊號輸出入電極1 〇a、1 Ob係例如以AU 製的墊片（pad)所構成，例如藉由超音波耦合或金屬共 晶耦合以耦合金屬膜層11a與訊號輸出入電極10a、10b。 又’也可以介由各向異性導電膜來連接訊號輸出入電極 10a、10b與金屬膜層11a。 縫隙11c係以在金屬膜層11a的成膜時藉由遮蔽（ masking)使平面形狀形成略呈L字形的槽之方式製作。 縫隙1 1 c的寬度方向之圖2B中以A-A所示之間，係因此 縫隙1 1 c而失去電性連接。縫隙1 1 c的L字形之一端係沿 著金屬膜層11a之寬度方向形成，而到達金屬膜層11a的 端部。縫隙11c的另一端係沿著金屬膜層11a之長度方向 形成’而以特定長度於金屬膜層11a中封閉。 如上述，將1C晶片10的訊號輸出入電極10a、10b 分別電性連接於位於橫跨縫隙1 1 c之兩側的金屬膜層1 1a -8 - 1330909 的區域。藉此，將藉由設置縫隙Π C而成的殘片（stub ) lld(參照圖2B)之部分’串聯連接於成爲天線的金屬膜 層11a (殘片lid之外）之其他部分與1C晶片10之間’ 而殘片lid的部分作爲串聯連接之電感器（Inductor)分 量而作用。可藉由此電感器分量，抵消IC晶片10中的電 容分量，並取得金屬膜層與1C晶片10之阻抗的整合 。亦即，1C晶片10係可將充分面積的金屬膜層11a設爲 Φ 天線。然後，可以使1C晶片10的阻抗與藉由金屬膜層 1 la所形成之天線1 1的阻抗進行匹配（matching )。將此 種縫隙1 1 C稱爲阻抗匹配電路。 再者，1C晶片10與成爲天線之金屬膜層11a的阻抗 匹配程度係藉由到達縫隙1 lc之L字形的角（corner )爲 止之各別長度所決定的殘片lid的面積來決定。 再者，對於將1C晶片10載置於金屬膜層lla表面來 說，在1C晶片10的訊號輸出入電極l〇a、l〇b之墊片面 ® 或與該部分相對應的金屬膜層lla塗敷各向異性導電膜後 再黏貼於金屬膜層lla之表面亦可。 另外’構成阻抗匹配電路之縫隙的平面形狀並不限定 於L字形’例如亦可爲T字形。圖3 A ' 3 B係揭示在金屬 膜層設置T字形的縫隙以載置I c晶片之樣態的圖，而圖 3A係揭示金屬膜層的τ字形縫隙與ic晶片之訊號輸出入 電極的位置關係的圖，圖3B係揭示在金屬膜層載置IC晶 片之樣形的圖。 如圖3A所示’在金屬膜層lla設置τ字形縫隙ile • 9 - 1330909 。此時，τ字形的縱桿部分係沿著金屬膜層lla之寬度方 向形成，而到達金屬膜層1 1 a之端部。另外’ T字形縫隙 lie之橫桿部分係沿著金屬膜層Ha之長度方向形成’而 以特定長度於金屬膜層lla中封閉。結果形成殘片llf' 1 1 g。 在跨越該T字形縫隙1 1 e而以T字形縫隙1 1 e之T字 形角部的金屬膜層lla上之虛線所示之l〇a’、l〇b’之位置 ，以身爲1C晶片10之天線供電用之端子的訊號輸出入電 極10a、10b分別與殘片Ilf與殘片llg對應之方式，亦 即如圖3 B所示，載置1C晶片10。 如上述，在形成天線1 1的金屬膜層1 1 a載置1C晶片 1 0，而形成核心標籤（Inlet ) 1 a (參照圖1 A )。 回顧圖1A，導體片lb係由身爲絶緣體之PET或PEN 等之樹脂所形成，例如在略長方形的基座1 2b上，將 Au 、A1等金屬，以數；zm左右之厚度，利用濺鍍的蒸鍍等方 法形成金屬膜層12a者。再者，金屬膜層12a之形成方法 並不限定於蒸鍍者，例如也可以利用噴墨印表機印刷Au 、A1等金屬糊來形成。 此外’基座12b並不限定於上述的樹脂，只要是絶緣 體’也可以爲紙，橡膠，玻璃等。此時，是利用噴墨印表 機等印刷AU、A1等之金屬糊，或黏貼Au、A1等之金屬 箔等適當的方法形成金屬膜層12a。 而且’ RFID標籤1係在一個核心標籤la的兩端接合 —個導體片lb、ib所構成。如圖1B所示，導體片lb在 -10- 1330909 金屬膜層12a側的一端具有與核心標籤la之接合部12c。 然後’如圖1A所示，在兩個導體片lb、lb之各別的接合 ’部12c，使核心標籤la的基座111)側的長度方向之端部， 以核心標籤la的金屬膜層與二個導體片lb、lb之金屬膜 層重疊接合之方式具有重疊部分lc以構成RFID標籤1。 再者，核心標籤1 a與導體片1 b ' 1 b可以利用例如樹脂或 黏合材料接合。 • 在此，於第1實施形態中，可知若將縫隙1 1 c沿著金 屬膜層11a之長度方向所形成之部分的長度設爲3.5mm時 ’核心標籤1 a的長度係資訊的發送接收所用之電波長度 λ之1 /4至1 /6時動作效率最高。在第1實施形態中，係 將資訊的發送接收所用之電波頻率設定爲2.45 GHz，而將 核心標籤1 a之長度設爲25mm。另外，可知在使用頻率爲 2.45GHz之電波之狀況中，RFID標籤1之全長設定爲 4〇mm時，動作效率最高。 ^ 進而，可知在使用2.45GHz的電波時，圖1B中由接 合部12c的導體片lb端部起算之長度（以下簡稱接合長 度）以3mm至10mm最佳。在此，在第1實施形態中，將 接合長度設爲約7mm。然後，將導體片lb之長度設爲 15mm。再者，接合長度係以接合部12c與縫隙11c不相 重疊之方式設定。 如上所述，作爲第1實施形態，將核心標籤1 a之長 度設爲25mm，將導體片lb、lb之長度分別設爲15mm， 將接合長度分別設爲約7mm以構成全長40mm的RFID標 -11 - 1330909 籤1。然後，藉由實驗証實如此構成之RFID標籤1沒有 實用上的問題，即使將RFID標籤1重疊，電波也不會干 擾。再者，上述之具體數値僅爲一例，其會因爲使用於資 訊的發送接收之電波波長、設置於天線11之縫隙11c之 形狀、基座lib、12b之材料等而變化，因此只要適當設 定即可。 如上述，第1實施形態相關之RFID標籤1係由具有 身爲第1天線（主天線）之天線1 1的核心標籤1 a，與身 爲第2天線（輔助天線）之導體片lb、lb所構成。此外 ，藉由核心標籤la之天線11的金屬膜層11a與導體片lb 、lb的金屬膜層12a具有夾持身爲絶緣體之基座lib而重 疊的部分，使天線1 1與導體片1 b、1 b靜電容耦合。 而且，若在如此構成的RFID標籤1上重疊其他RFID 標籤1時，各RFID標籤1的導體片lb、lb作爲其他 RFID標籤1的第1天線之天線11的輔助天線而作用，因 此各RFID標籤1的天線的阻抗並不會有太大變化。 從而，即使重疊第1實施形態相關之RFID標籤1， 也可以發揮各RFID標籤1所發出之電波不易干擾，難以 產生未圖示的讀寫器所致之讀取不良的優異效果。進而， 在第1實施形態相關之RFID標籤1中，因爲在重疊的 RFID標籤1之間不需要間隔物，因此，即使例如將rfid 標籤1黏貼於信封上並將信封重疊，也有被重疊之信封束 不易變厚的優異效果。 -12- 1330909 <第2實施形態> 圖4A、4B、4C係揭示本發明的第 RFID標籤的構造圖。圖4A係揭示在蕷 膜層之樣態，圖4B係揭示折彎帶狀基 形態相關之RFID標籤的樣態，圖4C 態之其他形態》 在第2實施形態中，如圖4A所 # PET或PEN等樹脂所構成的帶狀基座 等金屬，以數//m左右之厚度，利用進 等方法，隔開間隔於長度方向排列形成 2天線）20b、20b，進而，於2個金屬1 形成1個金屬膜層2 0a。再者，金屬腹 的形成方法並不限定於蒸鍍法，也可以 機進行印刷來形成Au、A1等之金屬糊< 然後’金屬膜層20a與第1實施充 ^ (參照圖2B )相同設置縫隙20c以形 線（第1天線）20d。進而，於金屬膜月 示之RFID標籤1的金屬膜層lla相同 〇 此外，與第1實施形態相同，基座 之樹脂，只要是絶緣體，也可以爲紙、 時，只要以噴墨印表機等印刷Au、A1 Au、A1等之金屬箔等適當方法形成金丨 2 0b艮卩可。 2實施形態相關之 ;狀的基座形成金屬 座以形成第2實施 係揭示第2實施形 示，在由絶緣體之 20 上，將 Au、A1 行濺鍍所致之蒸鍍 2個金屬膜層（第 漠層20b、 20b之間 [層 20b、20a、20b 例如利用噴墨印表 > 多態之金屬膜層1 1 a 成作爲主天線之天 匿20a也與圖2c所 ，載置it晶片10 ^ 20並不限於上述 橡膠、玻璃等。此 等之金屬糊、黏貼 屬膜層 20b ' 20a ' -13- 1330909 又，在金屬膜層2 0a中，雖然與圖2B所示之第1實 施形態之金屬膜層1 1 a相同地設置L字形的縫隙20c，但 是，縫隙2〇C係與第1實施形態相同，並不限定於L字形 ，也可以爲例如圖3 A所示之T字形。 如上述，將形成有3個金屬膜層20b、20a、20b之基 座20，在金屬膜層20a與金屬膜層20b之間，將金屬膜層 2 0b、20b折入金屬膜層20a側，進而以將基座20折回而 使金屬膜層20b、20b往於金屬膜層20a的外側延伸，設 置身爲金屬膜層2 0a與金屬膜層2 0b互相重疊之部分的重 疊部分20e，如圖4B所示，構成RFID標籤2。此時，於 重疊部分20e中基座20彼此連接的部分，與基座20連接 於金屬膜層20b之部分，係利用樹脂或黏著材料接合即可 。再者，於第2實施形態中，基座20係可折回的材料（ 有可撓性的材料，例如由薄膜所成之薄片狀材料）爲佳。 再者，以玻璃構成基座20之狀況中，例如可以利用加熱 來折回。 在圖4B所示之RFID標籤2中，在基座20形成金屬 膜層20b之部分係相當於RFID標籤1的導體片lb (參照 圖1A)，而在基座20形成金屬膜層20a之部分係相當於 RFID標籤1之核心標籤la (參照圖1A)。 在此，與第1實施形態相同，將使用於資訊的發送接 收之電波頻率設定爲2.45GHz，金屬膜層20a的長度係設 定爲相當於RFID標籤1的核心標籤la(參照圖1A)之 長度的25mm，而金屬膜層20b、20b的長度分別設定爲相 -14 - 1330909 當於RFID標籤1之導體片lb(參照圖1A)之長度的 1 5mm 〇 ' 進而，圖4B所示之RFID標籤2之全長與RFID標籤 1 (參照圖1 A )相同設定爲40mm。 又’重疊部分20e係相當於RFID標籤1之接合部 12c(參照圖1B)的接合長度，所以重疊部分20e的長度 係設定爲與RFID標籤1之接合部12c(參照圖1B)的接 # 合長度相等的約7mm。再者，重疊部分20e的長度係以重 疊部分2〇e不與縫隙20c重疊之方式設定。根據以上，在 帶狀的基座20形成金屬膜層20b、20a、20b時，金屬膜 層20a與金屬膜層20b之間隔係設成約7mm。 如上述，作爲第2實施形態，將金屬膜層20a之長度 設爲25mm，將金屬膜層2 0b之長度設爲15mm，將重疊部 分20e之長度設爲約7mm，構成全長4 0mm的RFID標籤 2。然後，藉由實驗証實，如此構成之RFID標籤2並無實 ^ 用上的問題，即使將RFID標籤2重疊，電波也不致干擾 。再者，上述的具體數値僅爲一例，因爲因爲使用於資訊 的發送接收之電波波長、設置於金屬膜層20a之縫隙20c 之形狀、基座20之材料等而變化，因此，與第1實施形 態一樣，適當地設定即可。 如上述，第2實施形態相關之RFPD標籤2係由形成 第1天線之天線2 0d的金屬膜層2 0a，與第2天線的金屬 膜層2 0b、2 0b所構成。進而，由於金屬膜層20 a與金屬 膜層2 0b、2 0b係夾持絶緣體之基座20而互相重疊，因此 -15- 1330909 ，天線20d與金屬膜層20b、20b被靜電容耦合。 然後，在如此構成之RFID標籤2重疊其他RFID標 鐵2時’因爲各RFID標筆2之金屬膜層20b、20b作爲其 他RFID標觀2之桌1天線之天線20d的輔助天線而作用 ，所以各RFID標籤2之天線20d之阻抗不會有太大變化 〇 因此，即使重疊第2實施形態相關之RFID標籤2， 也可以發揮各RFID標籤2發出之電波不易干擾，且不易 發生未圖示之讀寫器所致之讀取不良的與第1實施形態相 同之效果。進而，因爲在第2實施形態的RFID標籤2中 ，在重疊之RFID標籤2之間不需要間隔物，因此也可以 發揮，即使例如將RFID標籤2黏貼於信封上，重疊的信 封束不易變厚的與第1實施形態相同之效果。 又，因爲可連續於帶狀的基座20而形成金屬膜層2〇b 、20a、20b，進而僅使基座20彎曲即可構成RFID標籤2 ，因此可以發揮以比第1實施形態更少的工數來構成 RFID標籤2之優良效果。再者，第2實施形態係如圖4C 所示，即使爲以第2天線往於載置1C晶片1 0的側邊延伸 之方式折回基座20之RFID標籤2a的形態，也可以達到 相同的效果。 <第3實施形態>

圖5 A、5 B、5 C係揭示本發明的第3實施形態相關之 RFID標籤的構造圖。圖5A係第3實施形態相關之RFID -16 - 1330909 標籤的側面圖，圖5 B係由表面側所見第3實施形態相 之R FID標籤的圖，圖5 C係由背面側所見第3實施形 ' 相關之RFID標籤的圖。 在第3實施形態中，如圖5 B所示’在由絶緣體 PET或PEN等樹脂所形成的帶狀基座30之一方之表面 以下簡稱表面）S上，將 Au、A1等金屬以數/zm micrometer )左右之厚度，利用進行濺鍍所致之蒸鍍等 # 法，形成金屬膜層30。進而，如圖5C所示，在夾持上 基座30之另一方表面（以下簡稱背面）R上，將Au、 等金屬，以數/zm左右之厚度，利用進行濺鏟所致之蒸 等方法，將2個金屬膜層30b，30b排列形成於基座30 長度方向。此時，以分別具有金屬膜層3 0a與2個金屬 層3 0b、3 0b互相重疊的部分的重疊部分30e之方式， 成2個金屬膜層（第2天線）30b、3 0b。再者，金屬膜 3 〇b、3 0a、3 Ob之形成方法並不限定於蒸鍍，也可以利 ® 例如噴墨印刷機印刷Au、A1等之金屬糊來形成。 然後’回到圖5 B，形成於基座3 0表面S之金屬膜 3 0a，係與第i實施形態之金屬膜層na (參照圖2B ) 同’設置縫隙30c以形成天線（第1天線）3〇d。進而 如同圖2C所示之RFID標籤1上之金屬膜層ila，在金 膜層30a載置1C晶片1〇。 又，與第1實施形態相同，基座30並不限於上述 脂’只要是絶緣體，也可以爲紙、橡膠、玻璃等。此時 只要利用噴墨印表機等印刷Au、A1等之金屬糊、黏貼 關 態 之 方 述 A1 鍍 之 膜 形 層 用 層 相 j 屬 樹 > Au -17- 1330909 、A1等之金屬箔等適當方法形成金屬膜層3〇b、3〇a、3〇b 即可。 進而’在金屬膜層30a上雖然與圖2B所示之第1實 施形態之金屬膜層1 1 a相同，設置L字形之縫隙3 0 c，但 是’縫隙3 0 c與第1實施形態相同，並不限定於l字形者 ，也可以爲例如圖3 A所示之T字形。 如上述’在基座30表面S形成金屬膜層30a，在背面 R形成2個金屬膜層30b、30b，如圖5A所示，構成RFID 標籤3。 在圖5A所示之RFID標籤3中，在薄膜30表面S形 成金屬膜層30a之部分相當於RFID標籤1之核心標籤1 a (參照圖1A) ’而在薄膜30背面R形成金屬膜層30b之 部分相當於RFID標籤1之導體片^ (參照圖^)。 在此，與第1實施形態相同，將用於資訊的發送接收 之電波之頻率設定爲2.45GHz，金屬膜層30a之長度係設 定爲相當於RFID標籤1之核心標籤ia(參照圖1A)的 長度之25mm，金屬膜層30b之長度則設定爲相當於RFID 標籤1之導體片lb(參照圖1A)的長度之15 mm。 進而，圖5A所示之RFID標籤3之全長係設定爲與 RFID標鐵1 (參照圖1A)相同的40mm。 又，因爲重疊部分3 0e相當於RFID標籤1之接合部 12c (參照圖1B )之接合長度，因此，重疊部分30e的長 度係設定爲與RFID標籤1的接合部l2c(參照圖1B)的 接合長度相同的約7mm。再者’重疊部分3 0e的長度係以 -18- 1330909 重®部分30e與縫隙30c不會重疊之方式設定。 如上所述，作爲第3實施形態係，將金屬膜層3 〇a之 • 長度設成25 mm’將金屬膜層3 0b設成15mm，將重疊部分 之長度設疋成約7mm，構成全長40mm的RFID標籤3。 然後’經由實驗証實如此構成的RFID標籤3係沒有實用 上的問題，即使重疊RFID標籤3，電波也不致干擾。再 者’上述的具體數値僅爲一例，因爲會根據使用於資訊的 • 發送接收的電波波長、設置於金屬膜層30a的縫隙3〇c之 形狀、基座3 0的材料等而變化，與第1實施形態相同， 適當設定即可。 如此，第3實施形態相關之RFID標籤3係由形成身 爲第1天線之天線30d的金屬膜層30a，與身爲第2天線 之金屬膜層30b所構成。進而，因爲金屬膜層30a與金屬 膜3 0b具有夾持身爲絶緣體的基座30而重疊之部分，因 此，金屬膜層30a與金屬膜層3 0b、3 0b係被靜電電容耦 •合。 然後，在如此構成之RFID標籤3重疊另一 RFID標 籤3時，各RFID標籤3之金屬膜層30b、30b係作爲其他 RFID標籤3的第1天線之天線3 0d之補助天線而作用， 因此各RFID標籤3的天線3 0d之阻抗不會有太大變化。 從而，即使重疊第3實施形態相關之RFID標籤3， 也可以發揮各RFID標籤3發出之電波不易干擾，且不易 發生未圖示之讀寫器所致之讀取不良的與第1實施形態相 同的效果。進而，在第3實施形態相關之RFID標籤3中 •19- 1330909 ，也可發揮因爲在重疊的RFID標籤3之間也不需要間隔 物，因此，即使例如將RFID標籤3黏貼於信封並重疊信 封，重疊的信封束也不易變厚的與第1實施形態相同的效 - 果。 又，因爲可連續於帶狀基座30之兩面而形成金屬膜 層30b、30a、30b來構成RFID標籤3，因此可發揮比第1 實施形態更少的工數來構成RFID標籤3的優良效果。 <第4實施形態> 圖6A '圖6B係揭示本發明的第4實施形態之RFID 的構造圖。圖6A係第4實施形態之RFID標籤的平面圖 ，圖6B係第4實施形態之其他形態之RFID標籤的平面 圖。 在第4實施形態中，如圖6A所示，係在由絶緣體之 PET或PN等之樹脂所構成的基座40上，將Au、A1等金 屬，以數左右的厚度，利用進行濺鍍所致之蒸鏡等方 Φ 法，形成金屬膜層40a。進而，在金屬膜層40a的兩端部 形成細小間隔的間隙40e，並藉由間隙40e分離金屬膜層 40a之兩端部來形成金屬膜層（第2天線）40b、40b。此 外，金屬膜層4〇a之形成方法並不限定於蒸鍍者，也可以 利用噴墨印表機印刷例如Au、A1等之金屬糊來形成。 然後，金屬膜層40a係與第1實施形態的金屬膜層 1 la (參照圖2B )相同，設置縫隙40c .而形成天線4〇d ° 另外，在金屬膜層40a與圖2C所示之RFID標籤1的金屬 -20- 1330909 膜層1 1 a相同，載置有1C晶片1 〇 (第1天線）。 又，與第1實施形態相同，基座4 0並不限定於上述 之樹脂’只要是絶緣體’也可以爲紙，橡膠，玻璃等。此 時’利用噴墨印表機等印刷Au、A1等之金屬糊、黏貼Au 、A1等之金屬箔等適當方法形成金屬膜層40b、40a ' 40b 即可。 進而，在金屬膜層40a中’與圖2B所示之第】實施 ® 形態之金屬膜層1 1 a相同，設有L字形之縫隙4 0 c，但是 ’縫隙4 0 c係與第1實施形態相同，並不限定於l字形者 ，也可以爲例如圖3 A所示之T字形。 如上所述’在基座40形成金屬膜層40a，並由金屬膜 層40a藉由細小間隔之間隙40e來分離金屬膜層40b、40b ，如圖6A所示，構成RFID標籤4。 在此’設爲於形成天線40d之金屬膜層40a之兩端， 將兩個金屬膜層40b、40b以介由細小間隔之間隙40e、 ® 40e而對峙之方式配置的構造時，天線40d與金屬膜層 4 0b、4 0b係被靜電電量耦合。然後，金屬膜層40b、40b 係作爲天線40d的輔助天線而作用。再者，可知間隙40e 的細小間隔係只要是小於1 m m，即有靜電電容耦合的效果 。在第4實施形態中，細小間隔係設定爲1 〇〇 β m。 又，靜電電容耦合係以金屬膜層40b之端面彼此相面 對所形成之間隙40e之剖面積（金屬膜層40a的厚度與間 隙40e的長度之積）來確保電容，因此，在第4實施形態 中’係在對於金屬膜層40a之寬度方向傾斜之方向形成間 -21 - 1330909 隙4〇e。如此將間隙40e形成於對於金屬膜層40a 方向傾斜之方向’延長間隙4 0 e之長度來增大間隙 剖面積而確保了靜電電容之耦合。 在此’與第1實施形態相同，將用於資訊的發 之電波頻率設定成2.45GHz，在圖6A所示之RFID 之全長係與RFID標籤1 (參照圖1A)相同，設爲 。後，將金屬膜層40a的長度係設定成與RFID標i 核心標籤la(參照圖1A)之長度相當的2 5 mm。 如上述，作爲第4實施形態，將金屬膜層40a 設成25mm，將間隙4〇e之細小間隔設成1〇〇 # m而 長40mm的RFID標籤4。然後，藉由實驗証實， 成之RFID標籤4沒有實用上的問題，即使將rfid 重疊，電波也不會干擾。此外，上述具體數値僅爲 因爲根據使用於資訊的發送接收之電波波長、設置 膜層40a之縫隙40C之形狀、基座40之材料而變 此與第1實施形態相同，只要適當設定即可。 如此，第4實施形態相關之RFID標籤4係由 爲第1天線之天線40d的金屬膜層40a，與身爲第 之金屬膜層40b所構成。進而，由於金屬膜層40a 膜層40b係介由間隙40e而耦合，所以天線40d與 層40b、40b係被靜電電容耦合。 然後，在如此構成的RFID標籤4上重疊其他 標籤4時，各RFID標籤4之金屬膜層40b、40b係 他RFID標籤4之第1天線之天線40d的輔助天線 之寬度 40e之 送接收 標籤4 4 0mm 蔵1之 之長度 構成全 如此構 標籤4 一例， 於金屬 化，因 形成身 2天線 與金屬 金屬膜 RFID 作爲其 而作用 1330909 ，因此，各RFID標籤4的天線4Od的阻抗不會有太大變 ’化。 • 因此，即使將第4實施形態之RFID標籤4重疊，也 可發揮各RFID標籤4發出之電波不易干擾，也不易發生 未圖示的讀寫器所致之讀取不良的與第1實施形態相同的 效果。進而，在第4實施形態的RFID標籤4中，也可發 揮因爲在重疊的RFID標籤4之間不需要間隔物，所以即 φ 使例如將RFID標籤4黏貼於信封上並將信封重疊時，被 重疊的信封束不易變厚的與第1實施形態相同的效果。 又，因爲設爲在形成天線40d之金屬膜層40a的兩端 ，以介由細小間隔之間隙40e、40e而相對峙之方式配置2 個金屬膜層40b、40b的構造，因此相較於第1實施形態 ，更能發揮信封捆之厚度不易增加之效果。 再者，在第4實施形態中，爲確保間隙40e的長度， 於對於金屬膜層40a的寬度方向傾斜之方向，形成間隙 # 40e，但並不限定於此形態，例如圖6 ( b )所示，也可以 設成具有矩形波形狀之間隙40f。此種形狀也可以延伸間 隙40f的長度。 又，因爲對於基座40形成金屬膜層40a並利用蝕刻 等之追加工程形成金屬膜層4〇b、4〇b，所以可發揮利用較 少工數構成RFID標籤4之優良效果。 進而，對於提升未圖示之讀寫器所致之讀取的精確度 來說，雖然間隙40 e或40f之間必須大於特定的靜電電容 ，但是，即使例如藉由縮小間隙4〇e或40f之間隔，也可 -23- 1330909 以確保靜電電容。然而，要使夾持間隙40e或4〇f而對峙 之金屬膜層40a與40b不相接觸下，將間隙40e或40f之 間隔加工縮小必須有高度的加工精確度。在第4實施形態 中，藉由對於金屬膜層40a之寬度方向，如圖6A所示般 傾斜之方向形成間隙40e，或如圖6B所示，形成矩形波 的形狀之間隙4〇f，構成可確保間隙40e或40f間的靜電 電容的構造。藉由此種構造，可以發揮對細小間隔之間隙 40e或40f之加工不需要高度的加工精確度，即可確保靜 φ 電電容之效果。

如上所述，在本發明的RFID標籤中，即使將RFID 標籤互相重疊也可以發揮各RFID標籤所發出之電波不會 干擾，且不會發生讀寫器所致之讀取不良的優良效果。進 而，在互相重疊的RFID標籤之間不需要間隔物，因此， 可發揮有即使將RFID標籤重疊，厚度也不會變厚的優良 效果。 另外，本發明的RFID標籤的全長也不限定於40mm # ，只要對應設置RFID標籤的物品（例如信封之材質， 亦即設置RFID標籤之物品的電容率，來適宜設定RFID 標籤的全長，即可進行更穩定的通訊。 再者，在本發明中，係對於第1天線，左右對稱地配 置第2天線，單是，也可以對於第1天線，例如配置長度 不同的第2天線而成爲非對稱的構造。進而，也可以僅對 於第1天線之單側，配置第2天線。 -24- 1330909 【圖式簡單說明】 圖1A係揭示組合本發明所致之第1實施形態相關之 ' RFID標籤之樣態的圖。 圖1B係揭示分解第丨實施形態相關之rFID標籤之 樣態的圖。 圖2A係由訊號輸出入電極側所見ic晶片的槪略圖。 圖2B係揭示金屬膜層之縫隙與IC晶片之訊號輸出入 # 電極的位置關係的圖。 圖2C係揭示在金屬膜層載置ic晶片之樣態的圖。 圖3 A係揭示金屬膜層之T字形縫隙與1C晶片之訊號 輸出入電極的位置關係的圖。 圖3B係揭示在金屬膜層載置1C晶片之樣態的圖。 圖4A係揭示在帶狀的基座上形成金屬膜層之樣態。 圖4B係揭示使基座折彎以形成本發明的第2實施形 態相關之RFID標籤之樣態。 # 圖4C係揭示第2實施形態相關之RFID標籤之另一 形態。 圖5A係本發明的第3實施形態相關之RFID標籤的 側面圖。 圖5B係由表面側所見第3實施形態相關之RFID標 籤的圖。 圖5C係由背面側所見第3實施形態相關之RFID標 観的圖。 圖6A係本發明之第4實施形態相關之RFID標籤的 •25- 1330909 平面圖。 圖6B係本發明之第4實施形態相關之另一形態之 RFID標籤的平面圖。 【主要元件符號說明】

1 : RFID標籤 1 a :核心標籤 lb :導體片 1 1 :天線 1 1 a :金屬膜層 1 1 b :基座 1 1 c :縫隙 1 0 : IC晶片 l〇a:訊號輸出入電極 l〇b:訊號輸出入電極 1 1 f :殘片片 1 1 g :殘片片 1 2a :金屬膜層 1 2 b :基座 1 2 c .接合部 20 :基座 2〇a :金屬膜層 20b :金屬膜層 20c :縫隙 -26- 133.0909 20e :重疊部分 2 : RFID標籤 30 :基座 30a :金屬膜層 30b :金屬膜層 3 0 c :縫隙 3 0 d :天線

3 : RFID標籤 40 :基座 40a :金屬膜層 40b :金屬膜層 40c :縫隙 4 0 d :天線 4 0 e :間隙 4 : RFID標籤

Claims (1)

1330909 如年心§修正本 十、申請專利範圍 】.一種1C標籤，其特徵爲： 具有： 藉由無線電波而動作的1C晶片； 與上述1C晶片連'接之第1天線；及 介由上述第1天線與絕緣體而靜電電容耦合之第2天 線， 上述1C晶片，係橫跨上述第1天線之阻抗匹配用的 縫隙而連接於上述第1天線； 上述第2天線，係以該當第2天線不重疊於前述第1 天線的縫隙部之方式，連接於第1天線。 2.如申請專利範圍第1項之ic標籤，其中，上述第 1天線與上述第2天線的連接，係具有夾持上述絕緣體而 重疊之部分，使其連接。 3·如申請專利範圍第1項之ic標鐵，其中， 上述絕緣體，係帶狀的形狀， 且於上述絕緣體，2個上述第2天線並排形成於上述 絕緣體的長度方向’且於兩個上述第2天線之間，形成上 述第1天線； 在上述第1天線與2個上述第2天線之間，將上述第 2天線折入上述第1天線側’進而再將上述第2天線折回 外側， 藉此’上述第1天線具有與2個上述第2天線夾持上 述基座而重疊的部分。 -28- 1330909 4.如申請專利範圍第1項之ic標籤，其中， 上述絕緣體，係帶狀的形狀， ' 在上述絕緣體之一面係形成有上述第1天線； 在夾持上述絕緣體之另一面’ 2個上述第2天線並排 形成於上述絕緣體之長度方向； 上述第1天線’係具有與2個上述第2天線夾持上述 絕緣體而重疊的部分。 φ 5·如申請專利範圍第1項之1C標籤，其中， 上述第1天線及上述第2天線，係以隔著位在上述絕 緣體的相同平面上’ 1 00 V m左右之細小間隔的間隙而對 峙之方式配置。 6_ —種1C標籤的製造方法，係將第1天線與第2天 線被配置於絶緣體之基座上，藉由無線電波動作之1C晶 片介由縫隙而被載置於上述第1天線，對於上述第i天線 ’至少一個上述第2天線以其端部彼此不重疊於上述縫隙 ® 之方式靜電容耦合之1C標籤的製造方法，其特徵爲： 製造將於上述第1天線兩側隔著7mm左右的間隙而 配置有上述第2天線的可撓性之上述基座，在上述間隙的 部分折回，並於上述第1天線之端部與上述第2天線之端 部，形成爲經由上述基座之靜電容耦合的重疊部分，於上 述第1天線的端部配置有上述第2天線之上述1C標籤。. -29- 1330909 七、指定代表圖： (一） 、本案指定代表圊為：第（1 )圖 (二） 、本代表圊之元件符號簡單說明：

1 : RFID標籤 1 a :核心標籤 lb :導體片 1 c :重疊部分 1 0 : IC晶片 1 1 :天線 1 1 a :金屬膜層 1 lb :基座 1 1 c :縫隙 1 2 a :金屬膜層 12b :基座 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式：無