JP7197065B2 - Ｒｆｉｄモジュールを備えた容器 - Google Patents

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Description

本発明は、RFIDモジュールを備えた容器、特に、誘導電磁界または電波によって、非接触でデータ通信を行うRFID(Radio Frequency Identification)技術を利用したRFIDモジュールを備えた容器に関する。
従来、無線通信デバイスであるRFIDタグを容器に付すことで、容器内の商品の管理をすることが考えられている。RFIDタグは、RFIC(Radio-Frequency Integrated Circuit)と共に、アンテナパターンなどの金属材料が紙材や、樹脂材等の絶縁基板上に形成されている。しかしながら、容器の外面に金属膜が形成されていると、RFIDタグが影響を受けて通信ができなくなる。
上記のようなRFIDタグ付き容器において、特許文献１には、意匠性を損なわないように容器の一部に形成された金属に対応可能なRFIDタグを設けた構成が提案されている。
国際公開第２０１９－０３９４８４号
特許文献１に開示されたRFIDタグは、RFICチップとアンテナパターンとを有しており、これらの領域には容器に金属膜を形成することができない。したがって、より意匠性の自由度の低減を抑制したRFIDモジュールを有する容器が求められる。
本発明は、金属膜が形成された容器において、意匠性の低減を抑制したRFIDモジュールを有する容器の提供を目的とする。
本発明の一態様の容器は、RFIDモジュールを備えた、組み立て式の箱形の容器であって、容器の外形を形成する絶縁性の基材と、基材上に形成された金属膜と、金属膜に形成された第１スリットと、を備える。基材は、容器の側面、天面、及び底面のいずれかとなる第１面及び第２面と、第１面に連続した第１フラップと、を有する。第１スリットは、第１フラップの金属膜を第１金属領域と第２金属領域とに分離するように形成されている。RFIDモジュールは、RFIC素子と、通信周波数である固有の共振周波数の電磁波による電流をRFIC素子に伝送するフィルタ回路と、フィルタ回路と接続する第１及び第２電極と、を備える。RFIDモジュールの第１電極と第１フラップの金属膜の第１金属領域とが電気的に接続されている。RFIDモジュールの第２電極と第１フラップの金属膜の第２金属領域とが電気的に接続されている。第１フラップの金属膜の第１金属領域は、第１面の金属膜と連続する。組み立てられた状態において、第１フラップの金属膜の第２金属領域は、第２面の金属膜と容量結合により電気的に接続する。
本発明によれば、金属膜が形成された容器において、意匠性の低減を抑制したRFIDモジュールを有する容器を提供することができる。
実施形態１のRFIDモジュールを有する容器の全体斜視図 図１における矢視II断面図 図１における容器の展開図 RFIDモジュールの透視平面図 図４における矢視Vの断面図 RFIDモジュールの基板に形成されている導体パターンの平面図を示し、図６ａはRFIDモジュールの基板の上面に形成された導体パターンの平面図であり、図６ｂは基板の下面に形成された導体パターンの上から見た透視平面図 図４における矢視VIIの断面図 RFIDモジュールの回路図 RFIDモジュールの通信特性を示すグラフ図 実施形態１の容器を重ねて配列した斜視図 実施形態１の変形例における容器の展開図 実施形態１の変形例における容器の展開図 実施形態１の変形例における組み立てられた容器１の第６面の正面図 実施形態１の変形例における容器の展開図 実施形態１の変形例における組み立てられた容器１の第６面の正面図 実施形態１の変形例における容器の展開図
本発明に係る一態様の容器は、RFIDモジュールを備えた、組み立て式の箱形の容器であって、容器の外形を形成する絶縁性の基材と、基材上に形成された金属膜と、金属膜に形成された第１スリットと、を備える。基材は、容器の側面、天面、及び底面のいずれかとなる第１面及び第２面と、第１面に連続した第１フラップと、を有する。第１スリットは、第１フラップの金属膜を第１金属領域と第２金属領域とに分離するように形成されている。RFIDモジュールは、RFIC素子と、通信周波数である固有の共振周波数の電磁波による電流をRFIC素子に伝送するフィルタ回路と、フィルタ回路と接続する第１及び第２電極と、を備える。RFIDモジュールの第１電極と第１フラップの金属膜の第１金属領域とが電気的に接続されている。RFIDモジュールの第２電極と第１フラップの金属膜の第２金属領域とが電気的に接続されている。第１フラップの金属膜の第１金属領域は、第１面の金属膜と連続する。組み立てられた状態において、第１フラップの金属膜の第２金属領域は、第２面の金属膜と容量結合により電気的に接続する。
この態様の容器は、容器の第１フラップに形成された金属膜の第１金属領域及び第２金属領域と、第１金属領域と連続する第１面の金属膜及び第２金属領域と電気的に接続する第２面の金属膜とをアンテナとして利用する。これにより、金属膜が形成された容器において、意匠性の自由度の低減を抑制してRFIDモジュールを容器に取り付けることができる。
また、第１面の金属膜と第２面の金属膜とを分断する第２スリットを備えてもよい。
また、基材は、第１面及び第２面とそれぞれ連続した第３面を有し、第２スリットは、第２面の金属膜と第３面の金属膜との間に形成されてもよい。
基材は、第３面と反対側に、第２面と連続する第１タックフラップを備え、第２面の金属膜と第１タックフラップの金属膜との間に形成された第３スリットを備えてもよい。
金属膜は、第１スリット、第２スリット及び第３スリットを除いて基材の全面に形成されてもよい。容器の第１主面のほぼ全面に金属膜を形成する意匠も実現可能であり、容器の意匠性の自由度を向上させることができる。
組み立てられた状態において、第１フラップの金属膜の第１金属領域と重なる第２面の領域に金属膜が形成されていなくてもよい。
基材は、第２面と反対側に、第３面と連続する第４面と、基材は、第３面と反対側に、第４面と連続する第２タックフラップと、第３面の金属膜と第４面の金属膜との間に形成された第４スリットと、第４面の金属膜と第２タックフラップの金属膜との間に形成された第５スリットと、を備えてもよい。
基材は、第１フラップと反対側に、第１面と連続する第３面と、第２面と第３面との間に位置し、第２面および第３面とそれぞれ連続する第４面と、第４面と反対側に、第２面と連続する接合フラップと、を備えてもよい。第２面の金属膜と第４面の金属膜との間に第２スリットが形成され、第４面の金属膜と接合フラップの金属膜との間にそれぞれの金属膜を分離する第３スリットが形成されてもよい。組み立てられた状態において、第２面と第３面とが対向し、第１フラップの金属膜の第１金属領域と重なる第２面の領域に金属膜が形成されていなくてもよい。
基材は、第１フラップと反対側に、第１面と連続する第３面と、第２面と第３面との間に位置し、第２面および第３面とそれぞれ連続する第４面とを備えてもよい。組み立てられた状態において、第２面と第３面とが対向し、第１フラップの金属膜の第２金属領域と重なる第２面の領域に金属膜が形成されていなくてもよい。
第１フラップは、タックフラップでもよい。これにより、容器において、第１面と連続するタックフラップに配置されたRFIDモジュールは、タックフラップと側面との間に配置されるので、容器の外面に現れない。したがって、容器の意匠性が低減するのを防止することができる。
第１フラップは、第１面と接続する本体フラップと、本体フラップから延伸する延伸フラップと、を有し、本体フラップ上に前記第１金属領域が配置され、延伸フラップ上に前記第２金属領域が配置されてもよい。これにより、容器のサイズが小さい場合でも通信距離の低減を抑制することができる。
また、通信周波数の電磁波が金属膜に照射されると、スリットと交差する方向に電流が流れてもよい。このように、金属膜はダイポールアンテナとして機能するので、ダイポールアンテナとしての通信特性を得ることができる。
フィルタ回路は、ＬＣ並列共振回路でもよい。これにより、RFICとマッチングする周波数の電流をRFICに流すことができる。
金属膜のシート抵抗は０．５Ω/□以上でもよい。この構成であっても、RFIDモジュールがフィルタ回路を有するので、金属膜に発生した渦電流を利用してRFICに流すことができる。
金属膜の厚みは１０Å（＝１ｎｍ）以上～１μｍ以下であってもよい。この構成であっても、RFIDモジュールがフィルタ回路を有するので、金属膜に発生した渦電流を利用してRFICに流すことができる。
なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも本発明の一具体例を示すものであり、本発明がこの構成に限定されるものではない。また、以下の実施の形態において具体的に示される数値、形状、構成、ステップ、ステップの順序などは、一例を示すものであり、本発明を限定するものではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、全ての実施の形態において、各変形例における構成も同様であり、各変形例に記載した構成をそれぞれ組み合わせてもよい。
なお、比誘電率εｒ＞１の場合、アンテナパターン及び導体パターンの電気的長さは物理的長さに対して長くなる。本明細書において、電気的長さとは、比誘電率や寄生リアクタンス成分による波長の短縮や延長を考慮した長さである。
（実施形態１）
次に、本発明に係るRFIDモジュール５を備える容器１の概略構成について説明する。図１は、本発明に係る実施形態１のRFIDモジュール５を有する容器１の全体斜視図である。図２は、図１における矢視II断面図であり、図３は図１における容器１の展開図である。
実施形態１の容器１は、基材３と、基材３に貼り付けられたRFIDモジュール５と、基材３の第１主面３ｓに形成された金属膜７と、金属膜７を分断するように形成された第１スリット７１とを備える。
容器１は、例えば、図３に示すような平面状の基材３を組み立てることで立体形状に形成される。容器１は、例えば、直方体形状であり、基材３は、例えば、紙製、樹脂製、またはプラスチック製である。
基材３は、第１面３ａ、第２面３ｂ、第３面３ｃ、第４面３ｄ、第５面３ｅ、第６面３ｆ、及び、接合フラップ３ｇ、第１タックフラップ３ｈ、第２タックフラップ３ｋ、第１ダストフラップ３ｍ、第２ダストフラップ３ｎ、第３ダストフラップ３ｐ、第４ダストフラップ３ｑ、を備える。例えば、第１面３ａ、第３面３ｃ、第５面３ｅ及び第６面３ｆは組み立てた際に容器１の側面となる。第４面３ｄは組み立てた際に容器１の上面（天面）となり、第２面３ｂは組み立てた際に容器１の下面（底面）となる。組み立てた際に、第１面３ａと第５面３ｅとは対向し、第３面３ｃと第６面３ｆとが対向する。基材３の第１主面３ｓは主に容器１の外面（表面）となる面であり、基材３の第２主面３ｔは主に容器１の内面（裏面）となる面である。
接合フラップ３ｇの第１主面３ｓは、例えば、組み立てた際に第１面３ａの第２主面３ｔに接着層を介して貼り付けられる。第１タックフラップ３ｈの第１主面３ｓは組み立てた際に第６面３ｆの第２主面３ｔに接触する。第２タックフラップ３ｋの第１主面３ｓは組み立てた際に第６面３ｆの第２主面３ｔに接触する。
第１ダストフラップ３ｍ及び第２ダストフラップ３ｎは、それぞれ、下面となる第２面３ｂと、側面となる第１面３ａ及び第５面３ｅとの間の隙間からゴミなどが容器１の内部に入り込むことを防止する。また、第３ダストフラップ３ｐ及び第４ダストフラップ３ｑは、それぞれ、上面となる第４面３ｄと、側面となる第１面３ａ及び第５面３ｅとの間の隙間からゴミなどが容器１の内部に入り込むことを防止する。
第１面３ａは下辺４１を介して第１ダストフラップ３ｍに接続され、上辺５１を介して第４ダストフラップ３ｑに接続される。第１スリット７１は、端部から第１面３ａと第１ダストフラップ３ｍとの境界である下辺４１に沿って延び、下辺４１の中央部に近づくと下辺４１から離れる方向に第１ダストフラップ３ｍ側にＳ字形状に折れ曲がり、さらに下辺４１と平行な方向に延び、下辺４１の中央部を過ぎると下辺４１の方向にＳ字形状に折れ曲がって、再び下辺４１に沿って延びる。第１面３ａと第３面３ｃは側辺６１を介して接続される。
第３面３ｃは下辺４２を介して第２面３ｂと接続され、上辺５２を介して第４面３ｄと接続される。下辺４２に沿って第２スリット７２が金属膜７に形成され、第２面３ｂの金属膜７と第３面３ｃの金属膜７とを分断している。上辺５２に沿って第４スリット７４が金属膜７に形成され、第３面３ｃの金属膜７と第４面３ｄの金属膜７とを分断している。容器１の展開図において、第２スリット７２は、第１スリット７１の延長上に位置している。
第２面３ｂは、第３面３ｃと反対側に第１タックフラップ３ｈと接続される。第２面３ｂと第１タックフラップ３ｈとの間に、第３スリット７３が金属膜７に形成され、第２面３ｂの金属膜７と第１タックフラップ３ｈの金属膜７とを分断している。
第４面３ｄは、第３面３ｃと反対側に第２タックフラップ３ｋと接続される。第４面３ｄと第２タックフラップ３ｋとの間に、第５スリット７５が金属膜７に形成され、第４面３ｄの金属膜７と第２タックフラップ３ｋの金属膜７とを分断している。
第３面３ｃは、第１面３ａと反対側に第５面３ｅと接続される。第５面３ｅは下辺４３を介して第２ダストフラップ３ｎに接続され、上辺５３を介して第３ダストフラップ３ｐに接続される。第５面３ｅは、第３面３ｃと反対側に第６面３ｆと接続される。第６面３ｆは、第５面３ｅと反対側に接合フラップ３ｇと接続される。
金属膜７は、第１～第５スリット７１～７５を除いて基材３の第１主面３ｓの全面に形成されている。第１～第５スリット７１～７５は、それぞれ金属膜７を分断する溝である。金属膜７は、アルミニウム箔や銅箔などの金属箔の導電材料の膜体により作製され、例えば、金属シートを貼り付けることで形成される。金属膜７として、アルミニウムや銅などの抵抗値の小さい金属を用いることで通信距離を遠くすることができる。金属膜７の厚みは、例えば、５μｍよりも大きく４０μｍ以下である。
第１ダストフラップ３ｍの金属膜７は、第１スリット７１により２つの領域に物理的に分断されている。実施形態１では、第１ダストフラップ３ｍの金属膜７は、第１金属領域７ａと第２金属領域７ｂと２つの領域に分断され、第１金属領域７ａと第２金属領域７ｂとは第１スリット７１により電気的に絶縁している。なお、金属膜７は基材３の全面に形成されていなくてもよく、例えば、第１ダストフラップ３ｍと他の面において部分的に形成されていてもよい。
金属膜７は、第１スリット７１から交差する方向に容器１の外側に沿って延びる第１金属領域７ａと、第１スリット７１から交差する方向に第１金属領域７ａと反対方向に容器１の外側に沿って延びる第２金属領域７ｂによりダイポール型アンテナとして機能する。通信周波数の電磁波が容器１に照射されると、第１ダストフラップ３ｍにおいて、第１スリット７１と交差する方向、例えば、直交する方向に通信周波数と共振し電流が流れる。
第１スリット７１は、第１ダストフラップ３ｍの金属膜７を分断する溝である。また、第１スリット７１は、第１ダストフラップ３ｍの第２金属領域７ｂの金属膜７と第１面３ａの金属膜７とも分断している。第１スリット７１の幅Ｗは、例えば、１ｍｍである。第１スリット７１は、基材３の第１主面３ｓ全体に金属膜７を形成した後に金属膜７を削ることで形成してもよいし、２枚の金属シートを第１スリット７１の幅Ｗを空けて基材３の第１主面３Ｓに貼り付けることで形成してもよい。
実施形態１のRFIDモジュール５は、通信周波数（キャリア周波数）を有する高周波信号で無線通信（送受信）するように構成された無線通信デバイスである。RFIDモジュール５は、例えば、UHF帯の通信用の周波数を有する高周波信号で無線通信するよう構成されている。ここでUHF帯とは、８６０MHzから９６０MHzの周波数帯域である。
次に、図４から図７を参照して、RFIDモジュール５の構成について説明する。図４は、RFIDモジュールの透視平面図であり、図５は、図４における矢視Vの断面図である。図６はRFIDモジュールの基板に形成されている導体パターンの平面図を示し、図６ａはRFIDモジュールの基板の上面に形成された導体パターンの平面図であり、図６ｂは基板の下面に形成された導体パターンの上から見た透視平面図である。図７は、図４における矢視VIIの断面図である。図中において、Ｘ－Ｙ－Ｚ座標系は、発明の理解を容易にするものであって、発明を限定するものではない。Ｘ軸方向はRFIDモジュール５の長手方向を示し、Ｙ軸方向は奥行き（幅）方向を示し、Ｚ軸方向は厚さ方向を示している。Ｘ、Ｙ、Ｚ方向は互いに直交する。
図４に示すように、RFIDモジュール５は、両面テープまたは合成樹脂等の接着層１５を介して金属膜７の第１金属領域７ａおよび第２金属領域７ｂのそれぞれの上面に貼り合わされる。
図５に示すように、RFIDモジュール５は、基板２１と、基板２１に搭載されるRFIC２３とを備える。基板２１は、例えば、ポリイミド等のフレキシブル基板である。RFIC２３が実装された基板２１の上面には保護膜２５が形成されている。保護膜２５は、例えば、ポリウレタン等のエラストマや、エチレン酢酸ビニル（EVA）のようなホットメルト剤である。基板２１の下面にも、保護フィルム２７が貼り付けられている。保護フィルム２７は、例えば、ポリイミドフィルム（カプトンテープ）等のカバーレイフィルムである。
図６を参照する。基板２１の上面には、第３電極３３、第４電極３５、第１インダクタンス素子Ｌ１の主要部の導体パターンＬ１ａ、および、第２インダクタンス素子Ｌ２の主要部の導体パターンＬ２ａが形成されている。第３電極３３は導体パターンＬ１ａの一端と接続され、第４電極３５は導体パターンＬ２ａの一端と接続されている。これらの導体パターンは、例えば、銅箔をフォトリソグラフィによってパターニングしたものである。
基板２１の下面には、金属膜７の第１金属領域７ａおよび第２金属領域７ｂにそれぞれ容量結合される第１電極２９および第２電極３１が形成されている。また、基板２１の下面には、第１インダクタンス素子Ｌ１の一部の導体パターンＬ１ｂ、第３インダクタンス素子Ｌ３の導体パターンＬ３ａ、Ｌ３ｂ（二点鎖線で囲む導体パターン）、Ｌ３ｃが形成されている。これらの導体パターンも、例えば、銅箔をフォトリソグラフィによってパターニングしたものである。
第１インダクタンス素子Ｌ１の一部の導体パターンＬ１ｂの一端と第３インダクタンス素子Ｌ３の導体パターンＬ３ａの一端とが第１電極２９と接続されている。同様に、第２インダクタンス素子Ｌ２の導体パターンＬ２ｂの一端と第３インダクタンス素子Ｌ３の導体パターンＬ３ｃの一端とが第２電極３１と接続されている。第３インダクタンス素子Ｌ３の導体パターンＬ３ａの他端と、導体パターンＬ３ｃの他端との間には、導体パターンＬ３ｂが接続されている。
第１インダクタンス素子Ｌ１の導体パターンＬ１ｂの他端と、第１インダクタンス素子Ｌ１の導体パターンＬ１ａの他端とは、ビア導体Ｖ１を介して接続されている。同様に、第２インダクタンス素子Ｌ２の導体パターンＬ２ｂの他端と、第２インダクタンス素子Ｌ２の導体パターンＬ２ａの他端とは、ビア導体Ｖ２を介して接続されている。
基板２１の上面に形成された第３電極３３および第４電極３５にRFIC２３が搭載されている。つまり、RFIC２３の端子２３ａが第３電極３３に接続されて、RFIC２３の端子２３ｂが第４電極３５に接続されている。
第１インダクタンス素子Ｌ１と第３インダクタンス素子Ｌ３の導体パターンＬ３ａとは、基板２１の異なる層にそれぞれ形成され、かつ、それぞれのコイル開口が重なる関係に配置されている。同様に、第２インダクタンス素子Ｌ２および第３インダクタンス素子Ｌ３の導体パターンＬ３ｃとは、基板２１の異なる層にそれぞれ形成され、かつ、それぞれのコイル開口が重なる関係に配置されている。さらに、RFIC２３は、基板２１の面上で、第２インダクタンス素子Ｌ２および第３インダクタンス素子Ｌ３の導体パターンＬ３ｃと、第１インダクタンス素子Ｌ１および第３インダクタンス素子Ｌ３の導体パターンＬ３ａとの間に、位置する。
次に、図８を参照して、RFIDモジュール５の回路構成について説明する。図８はRFIDモジュール５の回路図である。
RFIDモジュール５内において、基板２１の上面及び下面を通る第１電流経路ＣＰ１と基板２１の下面を通る第２電流経路ＣＰ２とが形成されている。第１電流経路ＣＰ１は、第１電極２９から分岐点Ｎ１、導体パターンＬ１ｂ、導体パターンＬ１ａ、RFIC２３、導体パターンＬ２ａ、導体パターンＬ２ｂ、分岐点Ｎ２、を通って第２電極３１に至る。第２電流経路ＣＰ２は、第１電極２９から分岐点Ｎ１、導体パターンＬ３ａ、導体パターンＬ３ｂ、導体パターンＬ３ｃ、分岐点Ｎ２を通って第２電極３１に至る。ここで、導体パターンＬ１ａとビア導体Ｖ１を介して接続している導体パターンＬ１ｂで構成される第１インダクタンス素子Ｌ１と、導体パターンＬ２ａとビア導体Ｖ２を介して接続している導体パターンＬ２ｂで構成される第２インダクタンス素子Ｌ２に流れる電流の巻き方向は逆になっており、第１インダクタンス素子Ｌ１で発生する磁界と第２インダクタンス素子Ｌ２で発生する磁界はお互いに打ち消し合っている。第１電流経路ＣＰ１及び第２電流経路ＣＰ２は、それぞれ、第１電極２９と第２電極３１との間で、互いに並列に形成されている。
RFIDモジュール５内において、第１電流経路ＣＰ１は、ＬＣ並列共振回路である並列共振回路ＲＣ１の一部であり、通信周波数の電波に対してマッチングしているので、通信周波数の電波を金属膜７が受信すると、RFIC２３に電流が流れる。
RFIDモジュール５は、並列共振回路ＲＣ１が形成されている。並列共振回路ＲＣ１は、第１インダクタンス素子Ｌ１、RFIC２３、第２インダクタンス素子Ｌ２、および、第３インダクタンス素子Ｌ３で構成されるループ回路である。
容量Ｃ１は、第１金属領域７ａ、第１電極２９、接着層１５、および保護フィルム２７で構成される。容量Ｃ２は、第２金属領域７ｂ、第２電極３１、接着層１５、および保護フィルム２７で構成される。第４インダクタンス素子Ｌ４は第１ダストフラップ３ｍの第１金属領域７ａ及び第１金属領域７ａと電気的に接続する第１面３ａの金属膜７及び第３面の金属膜７のインダクタンス成分であり、第５インダクタンス素子Ｌ５は第１ダストフラップ３ｍの第２金属領域７ｂ及び第２金属領域７ｂと容量結合する第２面３ｂの金属膜７のインダクタンス成分である。
並列共振回路ＲＣ１は、通信周波数における電波に対してインピーダンス整合してＬＣ並列共振するように設計されている。これにより、通信周波数でRFICとマッチングしており、通信周波数におけるRFIDモジュール５の通信距離を確保することができる。
図９は、実施形態１におけるRFIDモジュール５を備える容器１の通信特性を示すグラフ図である。RFIDモジュール５を備える容器１の通信特性は、８６０MHzから９６０MHzのUHF帯においても、約７０ｃｍ以上の通信距離を有し、特に、９２０MHz付近では２５０ｃｍ以上の通信距離を有し、良好である。
実施形態１の容器１は、第４面３ｄと第３面３ｃとの間に第４スリット７４と、第４面３ｄと第２タックフラップ３ｋとの間に第５スリット７５が形成されている。したがって、第４面３ｄの金属膜７は第３面３ｃ及び第２タックフラップ３ｋと電気的に直接接続されていない。これにより、図１０に示すように複数の容器１を上下方向に並べた場合に、下の容器１の第４面３ｄと上の容器１の第２面３ｂとが容量結合して、下の容器１の第４面３ｄと上の容器１の第２面３ｂとが同電位となったとしても、上の容器１の第１面３ａ及び第３面３ｃの電位に影響を及ぼすのを低減することができる。したがって、それぞれの容器１の金属膜７の第１金属領域７ａと第２金属領域７ｂとにおいて、RFIDモジュール５を経由しなければ絶縁状態が維持されているので、複数の容器１との通信を一度に行うことができる。
以上のように、実施形態１の容器１は、RFIDモジュール５を備えた、組み立て式の箱形の容器１であって、容器１の外形を形成する絶縁性の基材３と、基材３上に形成された金属膜７と、金属膜７に形成された第１スリット７１と、を備える。基材３は、容器１の側面となる第１面３ａ及び下面となる第２面３ｂと、第１面３ａに連続した第１ダストフラップ３ｍと、を有する。第１スリット７１は、第１ダストフラップ３ｍの金属膜７を第１金属領域７ａと第２金属領域７ｂとに分離するように形成される。RFIDモジュール５は、RFIC２３と、通信周波数である固有の共振周波数の電磁波による電流をRFIC２３に伝送するフィルタ回路としての並列共振回路ＲＣ１と、並列共振回路ＲＣ１と接続する第１及び第２電極２９、３１と、を備える。RFIDモジュール５の第１電極２９と第１ダストフラップ３ｍの金属膜７の第１金属領域７ａとが電気的に接続され、RFIDモジュール５の第２電極３１と第１ダストフラップ３ｍの金属膜７の第２金属領域７ｂとが電気的に接続される。第１ダストフラップ３ｍの金属膜７の第１金属領域７ａは、第１面３ａの金属膜７と連続し、組み立てられた状態において、第１ダストフラップ３ｍの金属膜７の第２金属領域７ｂは、第２面３ｂの金属膜７と容量結合により電気的に接続する。
容器１の第１ダストフラップ３ｍに形成された金属膜７を第１金属領域７ａと第２金属領域７ｂとに分割する第１スリット７１を跨いでRFIDモジュール５が配置されている。第１ダストフラップ３ｍの第１金属領域７ａは第１面３ａの金属膜７と連続しており、第２金属領域７ｂは第２面の金属膜７と容量結合している。したがって、第１及び第２金属領域７ａ、7ｂをそれぞれ、アンテナ電極として利用することができ、直列共振によりRFIC２３に電流を流すことができる。この結果、金属膜７が形成された容器１であっても、無線通信が可能であり、意匠性の低減を抑制したRFIDモジュール５を有する容器１を提供することができる。
また、容器１において、第１面３ａと連続する第１ダストフラップ３ｍに配置されたRFIDモジュール５は、容器１が組み立てられた状態で第２面３ｂの内側に位置するので、容器１の外面に現れない。したがって、容器１の意匠性が低減するのを防止することができる。
また、実施形態１の容器１であれば、従来の金属対応のRFIDモジュールを取り付けた容器よりも安価に提供することができる。また、従来のフラッグタイプのRFIDモジュールは容器から飛び出し、折れた場合、通信特性が悪くなる。さらには、容器から飛び出さなければならないので意匠性の自由度を低減させるが、実施形態の容器１であれば、RFIDモジュールが容器から飛び出さなくてもよいので、意匠性の自由度の低減を抑制することができる。
容器１は、第１面３ａの金属膜７と連続する第３面３ｃの金属膜７と第２面３ｂの金属膜７とを分断する第２スリット７２を備える。したがって、第２スリット７２は、第１面３ａの金属膜７と第２面３ｂの金属膜７とを電気的に分断している。これにより、通信特性を向上させることができる。
基材３は、第１面３ａ及び第２面３ｂとそれぞれ連続した第３面３ｃを有する。第２スリット７２は、第２面３ｂの金属膜７と第３面３ｃの金属膜７との間に形成されている。これにより、第３面３ｃの金属膜７を第１金属領域７ａと接続することができ、通信距離を延ばすことができる。
基材３は、第２面３ｂに対して第３面３ｃと反対側に、第２面３ｂと連続する第１タックフラップ３ｈを備え、第２面３ｂの金属膜７と第１タックフラップ３ｈの金属膜７との間に形成された第３スリット７３を備える。これにより、第２面３ｂの金属膜７が、第１タックフラップ３ｈの金属膜７と容量結合する第６面３ｆの金属膜７と導通するのを防ぐことができ、通信特性が劣化するのを抑制することができる。また、容器１を組み立てられた状態で、図２に示すように、第１ダストフラップ３ｍの第２金属領域７ｂの金属膜７は第２面３ｂの金属膜７と基材３を介して重なるので容量結合する。これにより第２面３ｂの金属膜７は、第１ダストフラップ３ｍのブースター電極として働き、読み取り距離が向上する。なお、第１ダストフラップ３ｍと第２面３ｂとを接着層により接着してもよい。例えば、第１ダストフラップ３ｍに形成された金属膜７と第２面３ｂとを接着することで、容器１が天地逆さまになっても、第１ダストフラップ面３ｍの第２金属領域７ｂの金属膜７と第２面３ｂの金属膜７との容量結合を維持できるので、通信特性が劣化するのを抑制することができる。
金属膜７は、第１スリット７１、第２スリット７２及び第３スリット７３を除いて基材３の全面に形成されてもよい。このように、容器１の第１主面３ｓのほぼ全面に金属膜７を形成する意匠も実現可能である。
通信周波数の電磁波が金属膜７に照射されると、第１スリット７１と交差する方向に電流が流れる。このように、金属膜７はダイポールアンテナとして機能するので、ダイポールアンテナとしての通信特性を得ることができる。
次に、図１１を参照して実施形態１の変形例１を説明する。図１１は、実施形態１の変形例１における容器１Ａの展開図である。実施形態１の変形例１における容器１Ａは、実施形態１の容器１の第１スリット７１が第１ダストフラップ３ｍの先端方向にシフトした構成である。この点及び以下に説明する点以外の構成は実施形態１の容器１と実質的に同じである。
変形例１における容器１Ａにおいて、第１スリット７１Ａが、例えば、第１ダストフラップ３ｍの中央部を横断するように形成されている。したがって、第１ダストフラップ３ｍにおける第１金属領域７ａの面積が大きくなるので、第１金属領域７ａが第２面３ｂの金属膜７と容量結合するのを防止するために、容器１Ａが組み立てられた状態において、第２面３ｂにおける第１金属領域７ａと重なる領域に非金属領域８１を形成している。非金属領域８１において、基材３の表面が露出してもよいし、基材３に非金属材料により塗膜してもよい。これにより、変形例１における容器１Ａは、実施形態１の容器１と同様に通信することが可能である。
また、第２面３ｂにおいて、非金属領域８１と対称的に非金属領域８２を形成してもよい。さらに、第４面３ｄにおいて、組み立てられた状態において、非金属領域８１と対向する位置に非金属領域８３を、非金属領域８２と対向する位置に非金属領域８４を、それぞれ形成してもよい。これにより、意匠性が上がると共に、容器１Ａを上下方向に積み重ねた際に、容器１Ａを１８０度回転させても非金属領域同士が重なるので、上下の容器１Ａ間で電流が流れるのを防止することができ、まとめて無線通信することが可能である。
次に、図１２及び図１３を参照して実施形態１の変形例２を説明する。図１２は、実施形態１の変形例２における容器１Ｂの展開図である。図１３は、組み立てられた容器１Ｂの第６面３ｆの正面図である。
実施形態１の変形例２における容器１Ｂは、実施形態１の容器１において、RFIDモジュール５及び第１スリット７１が第１ダストフラップ３ｍの代わりに第１タックフラップ３ｈに配置された構成である。この点及び以下に説明する点以外の構成は実施形態１の容器１と実質的に同じである。
容器１Ｂにおいて、第１ダストフラップ３ｍにスリットは存在しない。第２面３ｂの金属膜７と第１タックフラップ３ｈの金属膜７との間に形成された第３スリット７３Ｂが第１タックフラップ３ｈの先端に向けて折れ曲げられている。したがって、第１タックフラップ３ｈの金属膜７は、第３スリット７３Ｂにより、第１金属領域７ａ２と第２金属領域７ｂ２に分断されている。第１金属領域７ａ２は、第２面３ｂの金属膜７と連続している。第２金属領域７ｂ２は、組み立てられた状態で第６面３ｆの金属膜７と重なるので容量結合する。
第５面３ｅの金属膜７と第６面３ｆの金属膜７との間に、側辺に沿って第６スリット７６が形成されている。また、第６面３ｆの金属膜７と接合フラップ３ｇの金属膜７との間に、側辺に沿って第７スリット７７が形成されている。これにより、組み立てられた状態において、第１タックフラップ３ｈが第６面３ｆと重なり、第２金属領域７ｂ２と第６面３ｆの金属膜７とを容量結合しても、第６面３ｆの金属膜７の電位が第５面３ｅの金属膜７の電位及び接合フラップ３ｇの金属膜７の電位により影響されるのを低減することができる。したがって、第６面３ｆの金属膜７をアンテナ素子として利用することができる。
第１タックフラップ３ｈの第１金属領域７ａ２が第６面３ｆの金属膜７と容量結合するのを防止するために、容器１Ｂが組み立てられた状態において、第６面３ｆにおける第１金属領域７ａ２と重なる領域に非金属領域８５を形成している。非金属領域８５は、第７スリット７７と接続されている。非金属領域８５において、基材３の表面が露出してもよいし、基材３に非金属材料により塗膜してもよい。
このように、基材３は、第１フラップとしての第１タックフラップ３ｈの反対側に、第１面としての第２面３ｂと連続する第３面３ｃと、第２面としての第６面３ｆと第３面３ｃとの間に位置し、第６面３ｆおよび第３面３ｃとそれぞれ連続する第４面としての第５面３ｅと、第５面３ｅと反対側に、第６面３ｆと連続する接合フラップ３ｆと、を備える。第６面３ｆの金属膜７と第５面３ｅの金属膜７との間に第２スリットとしての第６スリット７６が形成されている。第６面３ｆの金属膜７と接合フラップ３ｇの金属膜７との間にそれぞれの金属膜７を分離する第３スリットとしての第７スリット７７が形成されている。組み立てられた状態において、第６面３ｆと第３面３ｃとが対向し、第１タックフラップ３ｈの金属膜７の第１金属領域７ａ２と重なる第６面３ｆの非金属領域８５に金属膜７が形成されていない。
このような構成によっても、実施形態１の容器１と同様に通信することができる。また、RFIDモジュール５が第１タックフラップ３ｈ上に配置されているので、組み立てられた状態において、第６面３ｆの内側に位置するので、容器１の外面に現れない。したがって、容器１の意匠性が低減するのを防止することができる。
次に、図１４及び図１５を参照して実施形態１の変形例３を説明する。図１４は、実施形態１の変形例３における容器１Ｃの展開図である。図１５は、組み立てられた容器１Ｃの第６面３ｆの正面図である。
実施形態１の変形例３における容器１Ｃは、実施形態１の変形例２の容器１Ｂにおいて、第１金属領域７ａ２を第６面３ｆと容量結合させた構成である。この点及び以下に説明する点以外の構成は実施形態１の変型例２の容器１Ｂと実質的に同じである。
第１タックフラップ３ｈの金属膜７は、スリット７３Ｃにより、第１金属領域７ａ３と第２金属領域７ｂ３に分断されている。第１金属領域７ａ３は、第２面３ｂの金属膜７と連続している。第１金属領域７ａ３は、組み立てられた状態で第６面３ｆの金属膜７と重なるので容量結合する。
第１タックフラップ３ｈの第２金属領域７ｂ３が第６面３ｆの金属膜７と容量結合するのを防止するために、容器１Ｃが組み立てられた状態において、第６面３ｆにおける第２金属領域７ｂ３と重なる領域に非金属領域８６を形成している。非金属領域８６において、基材３の表面が露出してもよいし、基材３に非金属材料により塗膜してもよい。
このように、基材３は、第１フラップとしての第１タックフラップ３ｈの反対側に、第１面としての第２面３ｂと連続する第３面３ｃと、第２面としての第６面３ｆと第３面３ｃとの間に位置し、第６面３ｆおよび第３面３ｃとそれぞれ連続する第４面としての第５面３ｅとを備える。組み立てられた状態において、第６面３ｆと第３面３ｃとが対向し、第１タックフラップ３ｈの金属膜７の第２金属領域７ｂ３と重なる第６面３ｆの非金属領域８６に金属膜７が形成されていない。
このような構成によっても、実施形態１の容器１と同様に通信することができる。また、RFIDモジュール５が第１タックフラップ３ｈ上に配置されているので、容器１Ｃが組み立てられた状態において、第６面３ｆの内側に位置するので、容器１の外面に現れない。したがって、容器１の意匠性が低減するのを防止することができる。
次に、図１６を参照して実施形態１の変形例４を説明する。図１６は、実施形態１の変形例３における容器１Ｄの展開図である。
実施形態１の変形例４における容器１Ｄは、実施形態１の容器１においてRFIDモジュール５が第１ダストフラップ３ｍに配置されていた代わりに、RFIDモジュール５が接合フラップ３ｇｄの本体フラップ３ｇｄａから延びる延伸フラップ３ｇｄｂに配置された構成である。この点及び以下に説明する点以外の構成は実施形態１の容器１と実質的に同じである。
容器１Ｄの接合フラップ３ｇｄは、本体フラップ３ｇｄａと、本体フラップ３ｇｄａから延びる延伸フラップ３ｇｄｂを備える。本体フラップ３ｇｄａは、実施形態１の接合フラップ３ｇに相当する。本体フラップ３ｇｄａ上に第１金属領域７ａ４が配置されている。延伸フラップ３ｇｄｂは、容器１Ｄを組み立てる際に、接合フラップ３ｇａとの接続線に沿って折り曲げられて、第４面３ｄの内側に重なるように配置される。延伸フラップ３ｇｄｂには、金属膜７が形成され、第２金属領域７ｂ４が配置されている。延伸フラップ３ｇｄｂは、接合フラップ３ｇａ側に第１スリット７１が形成されている。
変形例４において、第１タックフラップ３ｈ、第２タックフラップ３ｋ、第１ダストフラップ３ｍ～第４ダストフラップ３ｑの第１主面３ｓ上にはそれぞれ金属膜７が形成されていない。これらのフラップは、容器１Ｄが組み立てられた状態では外部に露出しないので、金属膜７が形成されていなくても意匠性を損なうことはない。また、これらのフラップに金属膜７を形成しないことでコストダウンすることもできる。
第１面３ａ、第３面３ｃ、第５面３ｅ、第６面３ｆ、及び、接合フラップ３ｇの本体フラップ３ｇに形成されたそれぞれの金属面７は連続しており、導通している。第２面３ｂと第３面３ｃとの間に第２スリット７２が形成され、第４面３ｄと第３面３ｃとの間に第４スリット７４が形成されている。したがって、第２面３ｂ及び第３面３ｃのそれぞれに形成された金属膜７は、分断され、互いに導通していない。また、第４面３ｄ及び第３面３ｃのそれぞれに形成された金属膜７も、分断され、互いに導通していない。
第５面３ｅにおける、第２ダストフラップ３ｎと第４ダストフラップ３ｑとの間の側辺の高さＬａは、例えば、５ｃｍであり、第５面３ｅ及び第６面３ｆのそれぞれの横方向の長さＬｂ、Ｌｃが、例えば、６ｃｍである場合、容器１Ｄの高さが低いので、容器１Ｄの側面の金属膜７の長さでは通信距離が短くなる。いずれかのフラップにスリットを形成してもフラップの高さは側面の縦横のそれぞれの長さの半分までしかできないので、この場合、最長３ｃｍしか伸ばせない。
これに対して、延伸フラップ３ｇｄｂを用いる場合、金属膜７の長さＬｅは、第４面３ｄ及び第６面３ｆの長さＬｃと同じにすることができるので、最長６ｃｍまでアンテナ電極として延ばすことができる。これにより、接合フラップ３ｇａの金属膜７と合わせて長さＬｃが最大約１１ｃｍまで確保することができ、通信距離を向上させることができる。
このように、基材３は、容器１Ｄの側面、天面、及び底面のいずれかとなる第１面としての第６面３ｆ及び第２面としての第４面３ｄと、第６面３ｆに連続した第１フラップとしての接合フラップ３ｇｄと、を有する。第１スリット７１は、接合フラップ３ｇｄの金属膜７を第１金属領域７ａ４と第２金属領域７ｂ４とに分離するように形成される。RFIDモジュール５の第１電極２９と接合フラップ３ｇｄの金属膜７の第１金属領域７ａ４とが電気的に接続され、RFIDモジュール５の第２電極３１と接合フラップ３ｇｄの金属膜７の第２金属領域７ｂ４とが電気的に接続される。接合フラップ３ｇｄの金属膜７の第１金属領域７ａ４は、第６面３ｆの金属膜７と連続し、組み立てられた状態において、接合フラップ３ｇｄの延伸フラップ３ｇｄｂ上の第２金属領域７ｂ４は、第４面３ｄの金属膜７と容量結合により電気的に接続する。このような構成によっても、実施形態１の容器１と同様に通信することができる。
容器１を組み立てる際に、接合フラップ３ｇｄの本体フラップ３ｇｄａに対向する第１面３ａの裏側に接着層を塗って本体フラップ３ｇｄａを第１面３ａの裏側に貼り合わせることで、本体フラップ３ｇｄａから延伸された貼り合わせない延伸フラップ３ｇｄｂがあっても簡単に接着し容器１の形成をすることができる。またRFIDモジュール５は延伸フラップ３ｇｄｂに貼着されており、その位置は第４ダストフラップ３ｑに重なる位置になるので、接合フラップ３ｇｄｂと第４ダストフラップ３ｑを貼り合わせると、RFIDモジュール５は接合フラップ３ｇｄｂと第４ダストフラップ３ｑの間に挟まれる状態になる。この為、第４ダストフラップ３ｑはRFIDモジュール５を保護するように配置される。これにより容器１同士が擦れることにより、RFIDモジュール５にせん断応力がかかることを防ぐので、RFIDモジュール５の脱落を防ぐ。また容器１に内容物を入れる時にも、内容物や手が接触することによるRFIDモジュール５の脱落を防ぐことが出来る。
（実施形態２）
以下、本発明に係る実施形態２の容器１について説明する。
実施形態２の容器１と実施形態１の容器１との相違点は、金属膜７のシート抵抗の違いである。この相違点を中心に以下に説明する。なお、実施形態２の説明において、前述の実施形態１と同様の構成、作用および機能を有する要素に対しては重複する記載を避けるため説明を省略する場合がある。実施形態２の容器１は、以下に説明する点以外の構成については、実施形態１のRFIDモジュール５と同様の構成である。
実施形態２の容器１の金属膜７のシート抵抗は、実施形態１の容器１の金属膜７のシート抵抗よりも大きい。金属膜７のシート抵抗が大きい場合、実施形態１の容器１では発生しなかった以下の問題が発生する。
実施形態１の容器１では、アンテナ電極として金属膜７の全体で共振現象を起こし、電磁波を放射していた。実施形態１における金属膜７の厚みは、例えば、５μｍより大きく４０μｍ以下であり、金属膜７のシート抵抗では、０.０５Ω/□以下である。
容器の金属膜は、通常、食品酸化防止や意匠性の向上のために形成されているが、金属膜の厚みが、例えば、５μｍのようにμｍ単位の１桁の数値の場合でも、その上に、意匠としてグラビア印刷またはオフセット印刷等で印刷すると、印刷厚みが１μｍ程度になる。この場合、印刷物にアンテナ箔としての金属膜の厚みによる段差が発生し、これにより印刷ズレ（かすれ、または、にじみ）が発生する。このような理由により、従来のアンテナ箔が貼ってある容器に意匠として直接印刷することが出来なかった。
アンテナとしての金属膜を蒸着法により形成する場合、金属膜の厚みは、さらに小さく、１０Å（＝１ｎｍ）～１００００Å（＝１μｍ）程度になる。金属膜がこの程度の厚みであれば、その上にグラビア印刷をしても段差による印刷じみは発生しないが、この厚みの金属膜（蒸着膜）、例えば、アルミ箔は、膜厚が小さいのでシート抵抗が大きくなり、例えば、０．５Ω～５０Ω/□程度になる。
金属膜のシート抵抗が大きくなると、金属膜によるアンテナ電極全体で定在波を作る直列共振現象を起こしても、金属箔の抵抗により放射電力が、ほとんど熱になってしまうので、アンテナとして電磁波放射を行うことができない。
また、RFICとアンテナ間のマッチング回路部の抵抗値も金属膜と同じ厚みになってしまうので、整合回路部の抵抗値が上昇し、整合ロスが大きくなり、RFIDモジュールとして動作しない。
このように、膜厚の薄い金属膜によるアンテナ電極では（直列）共振現象による電磁波放射を起こすことができないが、金属膜で電磁波を受けると、金属膜に電磁波を打ち消すように電流が流れて電磁波をシールドする。この電流は、渦電流とも呼ばれる。渦電流が流れると、金属膜に流れる電流成分は、アンテナ電極の共振現象によるものではないので電極パターン形状に寄らず全周波数成分に対応することができる。この渦電流は、金属シールドの効果としては知られているが、通常はアンテナとして利用されていない。
RFIDモジュール５には、固有の共振周波数の電流だけをRFIC２３に伝送するフィルタ回路としての並列共振回路ＲＣ１を有するので、渦電流が周波数選択されてRFIC２３に電流が流れてエネルギーが伝送される。アンテナ電極としての金属膜７とRFIDモジュール５間で特定周波数だけを選択して、インピーダンス整合し、RFIC２３と金属膜７間のエネルギー伝達が可能となる。このようにして、RFIC２３と通信可能になると考えられる。
したがって、実施形態２の容器１であれば、金属膜７のシート抵抗が高い場合でも、従来では利用されなかった渦電流を用いることで通信可能にすることができる。
また、金属膜７の面抵抗値が高い状態は、金属膜７の厚みだけでなく金属膜７の製法によっても発生する。例えば、金属膜７を導電性ペーストにより形成する場合も、シート抵抗が０．５Ω以上になる場合がある。このような場合でも、実施形態２の容器１であれば、無線通信を行うことができる。
本発明は、上記各実施の形態のものに限らず、次のように変形実施することができる。
（１）上記各実施の形態において、接合フラップ３ｇが第１面３ａに接着されていたがこれに限らない。第１タックフラップ３ｈ、第２タックフラップ３ｋ、第１ダストフラップ３ｍ～第４ダストフラップ３ｑの任意のフラップが重なる面と接着してもよい。また、接合フラップ３ｇが第１面３ａに接着されなくてもいい。
（２）上記各実施の形態において、容器１は組み立て式であったがこれに限らない。容器１は、瓶またはペットボトルであってもよい。
（３）上記各実施の形態において、通信用周波数帯はUHF帯であったがこれに限られない。HF帯の通信用の周波数（キャリア周波数）を有する高周波信号で無線通信するよう構成されていてもよい。この場合、第１スリット７１に対して直交する金属膜７の全長がHF帯の高周波信号を受信するように設計される。なお、HF帯とは、１３ＭＨｚ以上１５ＭＨｚ以下の周波数帯域である。
（４）上記各実施の形態において、RFIDモジュール５が金属膜７に貼られていたが、これに限らない。RFIC２３を、インダクタを介して金属膜７に電気的に接続してもよい。この場合、インダクタはアンテナパターンとして機能する金属膜７側に形成される。インダクタを金属膜７側に形成する場合、金属膜７は、実施形態１のように金属箔を貼り付けることでシート抵抗を低くしてもよい。
（５）上記各実施の形態において、金属膜７において、RFIDモジュール５が貼り付けられている箇所以外の領域上に塗料を塗布して模様を形成し、容器１の意匠性を高めてもよい。また、金属膜７及びスロット９は、基材３の外面となる第１主面３Ｓの代わりに内面となる第２主面３ｔ上に形成してもよい。
本発明をある程度の詳細さをもって各実施の形態において説明したが、これらの実施の形態の開示内容は構成の細部において変化してしかるべきものであり、各実施の形態における要素の組合せや順序の変化は請求された本発明の範囲および思想を逸脱することなく実現し得るものである。
１ 容器
３ 基材
３ａ 第１面
３ｂ 第２面
３ｃ 第３面
３ｄ 第４面
３ｅ 第５面
３ｆ 第６面
３ｇ 接合フラップ
３ｈ 第１タックフラップ
３ｋ 第２タックフラップ
３ｍ 第１ダストフラップ
３ｎ 第２ダストフラップ
３ｐ 第３ダストフラップ
３ｑ 第４ダストフラップ
３ｓ 第１主面
３ｔ 第２主面
５ RFIDモジュール
５ａ 表面
５ｂ 裏面
７ 金属膜
７ａ、７ａ２ 第１金属領域
７ｂ、７ｂ２ 第２金属領域
１５ 接着層
２１ モジュール基板
２３ RFIC
２３ａ 端子
２３ｂ 端子
２５ 保護膜
２７ 保護フィルム
２９ 第１電極
３１ 第２電極
３３ 第３電極
３５ 第４電極
３７、３９ 導体パターン
４１、４３、４５、４７ 下辺
５１、５３、５５、５７ 上辺
６１ 側辺
７１ 第１スリット
７２ 第２スリット
７３、７３Ｂ 第３スリット
７４ 第４スリット
７５ 第５スリット
７６ 第６スリット
７７ 第７スリット
８１、８２、８３、８４、８５ 非金属領域
Ｌ１ 第１インダクタンス素子
Ｌ１ａ 導体パターン
Ｌ２ａ 導体パターン
Ｌ２ 第２インダクタンス素子
Ｌ２ａ 導体パターン
Ｌ２ｂ 導体パターン
Ｌ３ 第３インダクタンス素子
Ｌ３ａ 導体パターン
Ｌ３ｂ 導体パターン
Ｌ３ｃ 導体パターン
Ｌ４ 第４インダクタンス素子
Ｌ５ 第５インダクタンス素子
Ｌｇ１ 距離
Ｌｇ２ 距離
ＣＬ 中心線
ＣＰ１ 第１電流経路
ＣＰ２ 第２電流経路
Ｃ１ 容量
Ｃ２ 容量

Claims (15)

  1. RFIDモジュールを備えた、組み立て式の箱形の容器であって、
    前記容器の外形を形成する絶縁性の基材と、
    前記基材上に形成された金属膜と、
    前記金属膜に形成された第１スリットと、を備え、
    前記基材は、
    前記容器の側面、天面、及び底面のいずれかとなる第１面及び第２面と、
    前記第１面に連続した第１フラップと、を有し、
    前記第１スリットは、前記第１フラップの前記金属膜を第１金属領域と第２金属領域とに分離するように形成され、
    前記RFIDモジュールは、
    RFIC素子と、
    通信周波数である固有の共振周波数の電磁波による電流を前記RFIC素子に伝送するフィルタ回路と、
    前記フィルタ回路と接続する第１及び第２電極と、を備え、
    前記RFIDモジュールの前記第１電極と前記第１フラップの前記金属膜の前記第１金属領域とが電気的に接続され、
    前記RFIDモジュールの前記第２電極と前記第１フラップの前記金属膜の前記第２金属領域とが電気的に接続され、
    前記第１フラップの前記金属膜の前記第１金属領域は、前記第１面の前記金属膜と連続し、
    組み立てられた状態において、前記第１フラップの前記金属膜の前記第２金属領域は、前記第２面の前記金属膜と容量結合により電気的に接続する、
    RFIDモジュールを備えた容器。
  2. 前記第１面の前記金属膜と前記第２面の前記金属膜とを分断する第２スリットを備える、
    請求項１に記載のRFIDモジュールを備えた容器。
  3. 前記基材は、前記第１面及び前記第２面とそれぞれ連続した第３面を有し、
    前記第２スリットは、前記第２面の前記金属膜と前記第３面の前記金属膜との間に形成されている、
    請求項２に記載のRFIDモジュールを備えた容器。
  4. 前記基材は、前記第３面と反対側に、前記第２面と連続する第１タックフラップを備え、
    前記第２面の前記金属膜と前記第１タックフラップの前記金属膜との間に形成された第３スリットを備える、
    請求項３に記載のRFIDモジュールを備えた容器。
  5. 前記金属膜は、前記第１スリット、前記第２スリット及び前記第３スリットを除いて前記基材の全面に形成されている、
    請求項４に記載のRFIDモジュールを備えた容器。
  6. 組み立てられた状態において、前記第１フラップの前記金属膜の前記第１金属領域と重なる前記第２面の領域に前記金属膜が形成されていない、
    請求項４に記載のRFIDモジュールを備えた容器。
  7. 前記基材は、前記第２面と反対側に、前記第３面と連続する第４面と、
    前記基材は、前記第３面と反対側に、前記第４面と連続する第２タックフラップと、
    前記第３面の前記金属膜と前記第４面の前記金属膜との間に形成された第４スリットと、
    前記第４面の前記金属膜と前記第２タックフラップの前記金属膜との間に形成された第５スリットと、を備える、
    請求項４から６のいずれか１つに記載のRFIDモジュールを備えた容器。
  8. 前記基材は、
    前記第１フラップと反対側に、前記第１面と連続する第３面と、
    前記第２面と前記第３面との間に位置し、前記第２面および前記第３面とそれぞれ連続する第４面と、
    前記第４面と反対側に、前記第２面と連続する接合フラップと、を備え、
    前記第２面の前記金属膜と前記第４面の前記金属膜との間に前記第２スリットが形成され、
    前記第２面の金属膜と前記接合フラップの前記金属膜との間にそれぞれの金属膜を分離する第３スリットが形成され、
    組み立てられた状態において、前記第２面と前記第３面とが対向し、前記第１フラップの前記金属膜の前記第１金属領域と重なる前記第２面の領域に前記金属膜が形成されていない、
    請求項２に記載のRFIDモジュールを備えた容器。
  9. 前記基材は、
    前記第１フラップと反対側に、前記第１面と連続する第３面と、
    前記第２面と前記第３面との間に位置し、前記第２面および前記第３面とそれぞれ連続する第４面とを備え、
    組み立てられた状態において、前記第２面と前記第３面とが対向し、前記第１フラップの前記金属膜の前記第２金属領域と重なる前記第２面の領域に前記金属膜が形成されていない、
    請求項２に記載のRFIDモジュールを備えた容器。
  10. 前記第１フラップは、タックフラップである、
    請求項８または９に記載のRFIDモジュールを備えた容器。
  11. 前記第１フラップは、
    前記第１面と接続する本体フラップと、
    前記本体フラップから延伸する延伸フラップと、を有し、
    前記本体フラップ上に前記第１金属領域が配置され、
    前記延伸フラップ上に前記第２金属領域が配置される、
    請求項１に記載のRFIDモジュールを備えた容器。
  12. 通信周波数の電磁波が前記金属膜に照射されると、前記第１スリットと交差する方向に電流が流れる、
    請求項１から１１のいずれか１つに記載のRFIDモジュールを備えた容器。
  13. 前記フィルタ回路は、ＬＣ並列共振回路である、
    請求項１から１２のいずれか１つに記載のRFIDモジュールを備えた容器。
  14. 前記金属膜のシート抵抗は０．５Ω/□以上である、
    請求項１から１３のいずれか１つに記載のRFIDモジュールを備えた容器。
  15. 前記金属膜の厚みは１ｎｍ以上１μｍ以下である、
    請求項１４に記載のRFIDモジュールを備えた容器。
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