TWI327685B - Optical proximity correction using chamfers and rounding at corners - Google Patents

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1327685 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於光微影，且特定言之係關於利用角落消去 及圓化之光學近接技術校正。 【先前技術】 舉例而言，微影裝置可用於積體電路（IC)之製造中。在 此情況下’製造中使用之光罩可包含對應於該1(：之一個別 層之電路圖案，且可將此圖案成像至經一輻射敏感材料 (抗蝕劑）層塗覆之基板（例如，矽晶圓）上之目標曝光場（例 如，包含一或多個晶粒）上。概言之，單一晶圓包含經由 投影系統依次（一次一個）照射之相鄰目標曝光場之整個網 路。在一類型微影投影裝置中，藉由將整個光罩圖案一次 曝光至該目標曝光場上來照射每一目標曝光場；通常將此 裝置稱作為晶圓步進器。在一替代裝置_通常稱作為步進_ 掃描裝置中，藉由於一給定參照方向（"掃描"方向）在投影 束下逐漸掃描光罩圖案同時在與此方向平行或反平行之方 向上同步掃描該基板台而照射每一目標曝光場。因此，概 言之，該投影系統具有一放大係數Μ(通常<υ，掃描基板 台之速度V為係數Μ倍之掃描光罩台之速度。舉例而言， 本文所述關於微影設備之更多資訊可自us 6,〇46,792中收 集獲得，其以引用形式倂入本文。 在使用一微影投影裝置之製造過程中，將一光罩圖案成 像至至少由一輻射敏感材料（抗蝕劑）層部分覆蓋之美板 上。在此成像步騾之前，該基板可經受各種程序，諸如上 100999.doc ⑧ 1327685 • 底層，抗蝕劑塗覆及軟烘烤。曝光之後，該基板可經受其 . 它程序，諸如後曝光烘烤（PEB)、顯影、硬烘烤及成像特 徵之量測/檢測。此程序之陣列用作圖案化一設備（例如， ic)之個別層之基礎。可然後將此圖案化層經受各種製 程，諸如蝕刻、離子植入（摻雜）、金屬化、氧化、化學機 械研磨#，所有皆用於完成一個別層。若需要數層，則需 為每一新層重複整個程序或其變體。最終，設備之陣列存 φ 在於該基板（晶圓）上。此等設備然後藉由諸如切割或鋸切 等之技術彼此分離，其中該等個別設備可安裝於一載體 上，連接至插腳等。 - 為簡單之目的，投影系統在下文中可稱作為"透鏡"，然 • 而，此術語應廣泛解釋為包含各種類型之投影系統，例 如，包括折射光學系統、反射光學系統及反射折射光學系 統。該輻射系統亦可包括根據任何此等設計類型運作之組 件以導引、成形或控制投影輻射束，且此等組件亦可在下 • 文中（集體或單獨地）稱作"透鏡"。此外’該微影裴置可為 具有兩個或兩個以上之基板台（及/或兩個或兩個以上之光 罩台）之類型》在此等，，多平臺"設備中，可並行使用額外之 台，或可於一或多個臺上執行預備步驟而一或多個其它台 用於曝光。舉例而言，雙平臺微影裝置在us 5,969,441及 W0 98/40791中得以描述，其以引用形式倂入本文。 前述之光微影光罩包含對應於待整合至一矽晶圓上之電 路組件之幾何圖案。利用CAD(電腦輔助設計）程式產生用 以創建此等光罩之g案’此製程經常稱作為eda(電子設 100999.doc -6- 1327685 計自動化）。多數⑽程式遵# —㈣定設計規則以創建 功能光罩。此等規則藉由處理及設計限制而設定。舉例而 言，設計規則界定在電路設備（諸如閘極、電容器等）之間 或互連線之間之空間容限以確保電路設備或線不會以一種 不良方式相互作用。該設計規則限制通常稱作為"臨界尺 寸"(CD)。-電路之臨界尺寸可定義為—線之最小寬度或 兩條線之間之最小空間。因此，CD判定設計之電路之總 體大小及密度。 ~ 當然，在積體電路製造中之一目標為在晶圓上（經由光 罩）如實地複製原始電路設計。然而，由於微影特徵及高 解析度系統之日益增大之微觀尺寸’在基板上印刷之所得 特徵傾向於具有某些褶皺，意即，應該為直的邊不直。此 褶皺係關於在濾波理論中之，，振鈴（ringing)，，，且為一嘗試 加重將小特徵成像所需之高空間頻率之自然副作用。熟習 此項技術者熟知引起褶皺之其它因素。圖丨說明印刷於基 板上經受褶皺問題之特徵。 在此項技術之當前水平中，基於模型之OPC使用下列步 驟校正在目標影像與預期影像之間之不匹配。（1)將一目標 層分為複數個區。（2)在複數個區之每一區之一"評估點" (常在中心處）處評估一預期影像。（3)基於各個評估，根據 在對應區之中心處之各個評估修正將印刷之特徵以使在目 私與預期影像之間之不匹配最少。整體如圖〗所示，在發 生糟鈹之低kU中’或在褶皺更普遍之系統中，在碰巧 沒有將β乎估點置於在其各個區中之理想表示位置的情形 100999.doc 1327685 下’習知基於模型之OPC方法加重褶皺。 更詳言之，圖2說明疊加於一具有褶皺之預期影像22上 之目標影像20。將目標影像20分為複數個區24，且對每一 區24在5平估點26處評估該等影像2〇、22。每一評估點26位 於各個區24之中心處。如圖3所示，基於此等評估，修正 目標影像（修正光罩30)。修正光罩考慮在目標影像2〇與預 期影像22之間之不匹配。相對於在複數個區24之每一者之 φ 中心處之評估，對目標影像20應用一偏移量Δη，其中11表 示對應區24。換言之，如所期待，將所得新邊在原始預期 高之每一處向下調整，在原始預期低之每一處向上調整。 . 圖4說明基於修正光罩30之新預期影像40。藉由與預期 • 影像22對比，在給出實例中，習知基於模型0PC加重新預 期影像40之褶皺，其視周圍結構而定提高斷裂或跨連 (bridging)之可能性。 原則上可藉由選擇一"較佳"評估點來獲得改良結果’且 • f此意義_上存在某些限制策略。詳言之，可將在角落處或 Λ近角落處之區之評估點移回遠離彼角落以避免過度校 正。此等方法為有益的，但是歸因於在周圍相關特徵與在 特定感興趣邊上觀察之褶敏之間的相互作用的複雜性， 此等方法難於實施，除非在簡單的情形下可以實施。 此外，基於模型之0PC使用一天線模型（aedai model)或 者校正模型。_校正模型必須考慮光罩性冑、創建光罩 —之工具之特徵、抗蝕劑性質等。由於此使用校正模型有 f 、點’、包括廣泛校正，包括創建一光罩及將晶圓曝 100999.doc 光，並包括不能歸於光罩、半導體之任意成像性質或任何 相關聯之性質。主要缺點係為了校正一模型，必須已經存 在一合理光罩。因此，工業上經常為基於模型之⑽使用 • Λ線模型’因為其方便且不依賴現存工具。然而，天線模 型不包括產品及製造缺陷’如在使用一校正模型之情形 中。 將創建-種用以消除在目標影像與預期影像之間之不匹 •配，以接近現實生活中之缺陷之方式。 【發明内容】 本文之教示緩和前述之問題且提供一種最佳化一將形成 ‘ 於一基板上之設計之新穎方法。步驟包括：近似圓化該設 ' 计之景> 像之至少一角落；產生一經近似圓化該至少一角 落之該》又计之表示，基於該表示產生一用於成像該設計之 一光罩之初始表示；及進一步對該光罩之初始表示執行光 學近接校正（OPC)。 | opc包括下述步驟：產生根據光罩之初始表示之該設計 之一影像；評估在經近似圓化之該設計之表示與該影像之 間之偏差；及判定步驟之評估結果是否滿足預定約束。在 結果不滿足預定約束情形下，可根據該等結果產生該光罩 之下一表示且重複OPC直至偏差滿足預定約束。 近似圓化之判定可基於預定規則之衍生物，其可用於界 疋一截線之尺寸。此外，圓化可藉由自一消去選擇切塊之 大小並根據切塊之大小消去至少一角落以近似圓化來加以 近似8 100999.doc 1327685 •. 田肩去之角落與另一角落相鄰時，可有必要進一步進行 調整諸如減少第一消去及第二消去之至少-者之大小以 纟侍該第-消去及該第二消去不會相交。或者，按比例地 咸夕該第’肖去及該第二消去之大小以使得該第一消去及 該第二消去不會相交。 另-種新賴概念包括—用以增強〇pc之方法。其步驟包 括基於光罩製造約束判定光罩之初始表示的角落的圓化； 籲 j•基於應用角落圓化之初始表示產生一修正光罩表示。每 一角落之圓化具有一預定半徑。 因此可將歸因於成像約束之角落圓化與歸因於光罩製造 . 約束之光罩角落圓化兩者包括在内》 • 額外之目的、優勢及新穎特徵將部分闡述於下面之描述 中，且部分對於熟習此項技術者在檢視下文及附圖後將易 於瞭解或可由實例之運作或生產中學得。藉由在所附申請 專利範圍中特別指出之方法、手段及其組合之使用或實踐 • 可實現或獲得本教示之目標及優勢。 【實施方式】 在2004年3月30曰申請之第6〇/557 833(,·'833"專利申請 案）號相關之美國專利申請案（標題為"Apparatus，Meth〇d and Program Product f〇r Suppressing Waviness of Features to be printed using Photolithographic Systems”）中描述了藉 由相應地調整一光罩以克服在預期影像中之不一致性之新 賴概念。該案之全文以引用的方式倂入本文中。 發明者進一步設計出藉由針對已知之印刷製造限制來補 100999.doc •10- ⑧ ^327685 =目標影像以減少—預期影像之㈣及其它負面影響之 、概念。相關於-此限制’還設計出—種方法以印刷超 過-預定銳度之角落。舉例而言，圖5錢明一理想特徵 且圖職明印刷之實際特徵52或特徵之預期影像^ 想特徵5〇具有一無窮大銳度之理想角落54,但是由於製 造及實體限制，事實上不可達成理想角落M之形狀。、 在J33申請案中描述用以補償在模型〇pc中目標影像中

之角落圓化之新穎方法。此等方法包括對在靠近一角落或 在一角^處之評估應用調整係數。或者，可完全消除靠近 -角落或位於-角落處之評估點。因為角落通常具有某些 圓化’所以調整係數將此考慮在内，且相應地對該目標影 像進行調整。 一在本：明中，另一新穎方法為修正該目標影像以模擬在 母-角落處之圓化。在印刷製程中角落通常經受某些圓 化’且OPC處理由於嘗試校正此不可避免之圓化而引入不 良結果（"環形"、"頸"、及"跨連"）。儘管該'833申請案教示 方法，藉由此方法可選擇性的忽略歸因於角落圓化之不匹 配，但本發明以近似不可避免之角落圓化之方式改變該目 標，且然後應用OPC以嘗試複製此修正目標。 使用截線（serif)之基於規則型OPC具有許多發展。第 5’663,893、5,707,765及6,670,081號美國專利提供使用截 線之OPC之例示性描述。此等專利之全文以引用的方式倂 入本文中。 通常截線為位於一電路特徵之角落上之子微影方形特 100999.doc 1327685 微。其用以"銳化•’在晶圓上之最終轉印設計之Μ，用以 改良在實際電路設計與在光阻層上之最終轉印電路圖案之 間之對應性。已知在凸面頂點處之"正"截線調整在頂點處 之光罩之曝光能量以防北角落之丟失。在凹面頂點處之 ”負"截線移除在凹面頂點處之光罩圖案之-部分以嘗試在 最終圖案中保持該凹面頂點之精確表示。基於為最佳化截 線而發展之規則，有"角落銳度"限制之一般理解。 在使用截線之典型〇PC中，給定截線（正及負兩者）之每 一邊相對於一給定截線之所有其它邊為可調整的，以允許 修正該截線之總體尺寸。同時，每一截線可獨立於所有其 它截線得以修正《•如'081專利之解釋，此等截線之修正藉 由預定規則得以控制，該等預定規則由使用者根據將產生 之特徵圖案而選擇/定義。熟知此等規則根據不同電路設 計特徵將會不同。當然’此等規則亦可為固定尺寸及間隔 臨限值之截線類型。 圖6Α及6Β說明將使用截線印刷之圖案。為說明及解釋 之目的，誇示該等截線之位置及尺寸。每一截線具有一 "重疊部分”及一”延伸部分"。負截線之與該特徵之背景重 疊之部分為該重疊部分（圖6Α)，而正截線之與該實際特徵 重疊之部分為該重疊部分（圖6Βρ截線之重疊可定義為 "短重疊"Os及，，長重疊"〇「相似地，延伸可定義為"短延 伸"Es& "長延伸"El。使用任何用於確定截線之尺寸及定位 截線之基於規則之方法，可為一給定角落界定每一戴線。 本發明已發現最佳消去（意即，角落切去）可以與最佳截 100999.doc -12- 1327685

線尺寸相同之方式得到。I • 最佳4去規則可與用於截線校正 . <理想規則不同’但是該等規則在形式上相^返回參看 _ ®5Β ’假設角落％之圓化已經使用截線得以最小化(如前 述）且剩餘的為不能消除之剩餘角落圓化。如圖π所示， 藉由在㈣之前消去角落54，以近似或模擬此期望之圓化， 將不會導致在嘗試消除角落圓化過程中後續之OPC處理與 相鄰區域之校正的折衷處理。 、 • 如圖5B所示’角落圓化採取一光滑曲線之形式。習知 EDA軟體报難或不可能處理此形狀。該角落可在，，多邊形” 近似中以-連_直線邊近似。在此多邊形之簡單性與其近 .似理想曲線圖式之精確性之間可找到折衷。發明者發現單 對角線邊’在每一端處具有對稱45度角，在多數情形下 係一較佳折衷。將幾何形狀限制為處於45度之倍數的角度 之邊在光罩製造中具有實際優勢，此係因為多數寫光罩: 器必須使用一"階梯•，圖案近似其它角度。然而，應瞭解較 • 大數目之對角線邊，且在某些情形下不為“度之角，可較 佳近似真實之角落圓化，且在特定環境下可為較佳的。 假定單-消去邊之情形，不限制其角度，消去切塊可為 三角形’選擇其以使得其一邊等於短重疊％，且另一邊等 於長重疊0L。當創建此消去時’忽略EAEL之值，其係界 定一截線所必要的。由於兩條原始目標邊之長度不同，os 及0L通常長度不同，沿較短邊之重疊較短。此近似在此等 情形下發現之實際角落圓化之不對稱曲線。為將該角度限 制於45度（如在本發明之較佳實施例中），該三角形之兩邊 100999.doc -13 丄以7685 必須具有相同之長纟’且選擇該較短長度 、藉由兩條相對長之線連接以使得—角落之角落圓化（及 近似其之消去)不會干擾一相鄰角落的角落圓化之角落具 有等於某標稱消去量之〇A〇L兩者。然而，當在相鄰角落 之間之線相對較短時，如在線端，有時稱作"U"型邊，一 角落之消去會干擾一相鄰角落之消去。圖7A說明此概念。 通常，截線之規則在將一截線置放在一凸面角落與一凹 面角落上是不同的。拿凸面規則作為實例，考慮一4〇 之私稱截線尺寸規則（對應於一消去尺寸規則）^然而， 如圖7B所示，在短，，u型邊"上，可減少消去以僅切去該線 端之四分之一。當然，可修正此等規則以使得消去可切去 該線之線端二分之一以下之任何部分，以保持—"真實” u 型邊。 此可以藉由"ps—adj"(正截線調整規則）參數與對消去之 ”並列重疊”之調整來達成，該調整線性依賴於U型邊之長 度。舉例而言’標稱消去寬度可為40 nm，且該並列重疊 調整可自在邊長度160 nm處之0 nm至在邊長度8〇 11111處 之-20 nm線性變化。此為在80 nm與160 nm之間之任何線 寬產生該線寬W之1/4之消去。在此範圍之一端處，丨6〇 nm 寬度之線未接收到調整，且該40 nm標稱消去尺寸恰為16〇 nm線寬之1/4。在此範圍之另一端處，80 nm寬之線接收到 對40 nm標稱消去尺寸之-20 nm之調整，產生20 nm之消 去，其再次為線寬之1/4。 圖8說明一目標影像800(虛線）、截線802(對角影線）及在 100999.doc ⑧ 1327685 • 待印刷之特徵之每一角落處所得之相關消去804。僅為說 月及解釋目的將截線8G2及消去_尺寸誇大，且對給定圖 - 帛可能並非最佳。另外’在相同影像中說明截線802及消 _ ㈣4以簡單演示上述用於判定消去804之尺寸之概念。 ® 9說明使用在專利號為、833中描述之中位值評估及根 據本文所討論之新顆概念執行之校正所得之模擬結果。圖 說月僅使用在專利號為833巾描述之巾位值評估執行之 • 校正所得之模擬結果。在圖9中，目標影像由_(虛線）表 示’經校正之光罩圖案由902(對角影線）表示且預期印刷結 果由m(水平影線）表示。在圖1〇中目標影像由刚〇(虛 .、線）表7’經校正之光罩圖案由1002(對角影線）表示且預期 . 印刷結果由1004(水平影線）表示。 選擇在每一圖中以A_E表示之區域以比較跨連、頸（或夫 縮）、褶皺、線光滑性及平均線寬之作用。最佳如圖9中A 及B所示，與圖1〇中之相同區域比較，減少了跨連。最佳 • 如圖9tC所示’與圖1G中之相同區域比較，減少了褶敵。 最佳如圖9中（：及〇所示，與圖1〇中之相同區域比較，平均 線寬及線光滑性較佳。最佳如圖9tE所示，與圖1〇中之相 同區域比較，減少了頸。 即使上述經近似圓化之修正目標影像為一較佳近似但 是該目標影像仍為一理想表示。請考慮下述之 強。 θ 用以創建上述影像之模型〇PC迴圈如下：⑴定義對應於 目標之光罩表示’（2)計算影像（空間影像或在抗餘劑令）， 100999.doc 1327685 (3)判定在影像與目標之間之偏差 修正光罩，（5)重複 步驟直到影像令人滿意。藉由修正 曰铩影像以消去角落， 此模型OPC迴圈（如上述）確實產生一 议佳影像。然而，可 將模型OPC進一步修正以考膚在 可恿在目私上、光罩上或兩者上 之實際角落圓化。 可將一光罩構造功能及/或目標影 个京/像修正功能倂入模3 OPC迴圈中以計入光罩圓化，苴實 '、貫際上在所有具有角落4

特徵之微影印刷中不可避免地發生。 町凡吧f玍。圖i i說明倂入此等运 個概念之模型OPC迴圈之例示性流程圖。在步驟i 1〇〇中， 定義-初始目標影像，諸如由圖8所說明之目標影像綱。 在步驟1101中 義之目標相等 選擇光罩之初始估計與I步驟11G1之前定 。可將步驟A及步驟B倂入在步驟11〇〇之 後’其中選擇-理想目標（意即，具有尖銳角落之目標）且 對該目標影像之各個角落分別應用近似圓化或消去。以此 方式產生一可更實際達成之目標。此目標之近似圓化之步

驟說明投影系統充當一低通濾波器且因此不能夠將尖銳角 落成像之先驗知識。 在步驟1102中，可對光罩之初始估計應用圓化以計入在 一實際光罩上之特徵之角落之實際圓化（步驟11〇2)。該圓 化通常歸因於光罩製造約束。熟習此項技術者易於瞭解此 等製造約束。在步驟1104中’基於在步驟11 〇2中產生之光 罩表示來產生一影像’且在步驟Η 〇6中，判定在該產生之 影像與該表示之間之偏差。基於預定約束，判定該影像是 否令人滿意（步驟11 08)。設定預定約束及判定一影像是否 100999.doc •16- 1327685 7人滿意之方式已為微影技術領域所熟知之技術。若影像 為可接受的，則結束該製程（步驟1110)且可基於用以產生 步驟1104之影像的該光罩之表示來產生一光罩。《者，若 該影像不令人滿意，則可根據熟知之0PC技術修正光罩之 表示（步驟1112)。重複步驟11〇2_11〇8直至該影像令人滿 意。 圖12演示在步驟b(圖u)之目標修正與光罩表示之修正

(步驟1102)之間之相似性。特定言之，圖12說明一藉由消 去以模擬圓化而修正之目標影像12〇〇及在步驟11〇4中應用 圓化而修正之光罩表示12〇2。為說明及解釋之目的，將目 標1200相對於目標影像12〇2稍微放大。藉由對該光罩表示 應用圓化，可近似角落不完整性之較佳表示。此外，光罩 表示之實際圓化補充被應用近似圓化之目標影像。換言 之’光罩表示之實際圓化可稱為圓化目標影像之消去; 落。

圖12亦說明每一角落以預定半徑1_圓化之另一概念。如 本文所述’圓化之作用是已知的且對多數類型之印刷通常 可近似。舉例而言，發明者發現對—典型光罩製造過程半 徑可預期在40-80 nm之間（在主光罩量測卜當然，根心 罩特徵及光罩製造過程之複雜度或光罩寫入器系統參數可 選擇不同量值之半徑。 應用圓化之流程圖。 且在步驟1302中應用 產生一修正之光罩表 圖13說明通常在圖11之步驟11〇2中 通常，在步驟13 00中檢查每一角落， 一預定半徑之圓化。在步驟13 04中， 100999.doc •17- 1327685 示（見1202，圖12)且基於此影像進行〇pc<>圖14進一步說 明此概念。經圓化1404之角落1400在晶圓級基本上對應於 該目標影像之消去1402之大小。 因此，可使用經近似圓化之目標影像之修正與歸因於光 罩製造約束之光罩表示的修正以模擬圓化兩者或一者以最 佳化最終光罩。 圖15示意性描述一適於與經本發明辅助設計之光罩使用 之微影投影裝置。該裝置包含： -一輻射系統Ex、IL，用以提供一輻射投影束叩。在此 特疋情形下，該輻射系統亦包含一輻射源; _一第一載物台（光罩台）Μτ，其具有一光罩固持器以固 持-光罩MA(例如-主光罩），且連接至第—定位構件以相 對於物件PL精確定位該光罩； •-第二載物台(基板台)WT，其具有一基板固持器以固 持一基板W(例如一塗覆抗蝕劑之矽晶圓），且連接至第二 定位構件以相對於物件PL精確定位該基板； --投影系統("透鏡")PL(例如，一折射、反射或反射折 射光學系統）’用以將光罩MA之照射部分成像至基板〜之 一目標部分C(例如，包含一或多個晶粒）上。 如本文所述，該裝置為透射類型（意即，具有一透射光 罩）。然而，通常其亦可為反射類型，例如具有一反射光 罩。或者’該裴置可採用另一種圖案化構件作為使用光罩 之替代；實例包括可程式化鏡面陣列或LCD矩陣。 源LA(例如，-汞燈或準分子雷射）產生一韓射束。舉例 100999.doc -18- 1327685 而言，將此束直接或者穿過諸如束放大器Ex之調整構件後 i

. 饋入一照明系統（照明器）IL。照明器IL可包含調整構件AM 用以設定在束中之強度分佈之外徑及/或内徑範圍（通常分 別稱為σ-外及σ-内）。此外’其通常包含各種其它組件，諸 如一積光器IN及一聚光器C0。以此方式，照射在光罩μα " 上之束ΡΒ在其橫截面上具有所要之均一性及強度分佈。 關於圖15請注意源LA可在該微影投影裝置之外殼内（例 _ 如’ S源L Α為一采燈時經常如此）’但是其亦可遠離該微 影投影裝置’其產生之輻射束被導引入該裝置（例如在合 適之導引鏡面協助下）；當源LA為一準分子雷射（例如，基 ' MKrF、ArF或F2之雷射）時經常為後者之情形。本發明涵 • 蓋至少兩種此等情形。 束PB隨後截取光罩MA，光罩在一光罩台厘丁上得以固 持。橫穿光罩MA之後，束PB穿過透鏡PL，其將束PB聚焦 於基板W之一目標部分C上。於第二定位機構卩…(及干涉量 • 測構件IF)之輔助下’可精確地移動基板台WT(例如）以在 束PB之路徑上定位不同目標部分C。相似地，例如在自光 罩庫以機械方式取得光罩!^八後或在掃描期間，可使用該 第一定位機構以相對於束pB之路徑精確定位光罩MA。一 般而言，載物台MT及WT之移動將借助於未在圖15中明確 描述之長衝程模組（粗定位）及短衝程模組（精細定位）來實 現。然而，在晶圓步進器（與步進-掃描工具相對）之狀況 下’光罩台MT可僅與一短衝程致動器相連，或可為固定 的。 100999.doc ⑧ 1327685 所描述之工具可以兩種不同模式使用： -在步進模式中，光罩台MT保持基本上靜止，且將整個 先罩影像-次投影（意即，單,,閃光”)至—目標部分c上。隨 後，基板台WT在X及/5ily方向移位以藉由束pB照射不同的 目標部分C。 在掃也模式中，適用基本上相同之情形，除了給定目 標部分C不是單"閃光"曝光。實情為，光罩台1^丁為在一給 定方向（所謂"掃描方向”，例如y方向）上以速度^^可移動 的，以使得引起投影束PB掃描—光罩影像；同時，基板台 wt在相同或相反方向上以速度Γ=Μν同時移動其中舣為 透鏡PL之放大倍數（通常从=ι/4或丨/5)。以此方式，可曝 光一相對較大之目標部分C ’而不會損害解析度。 本文揭示之概念可模擬或數學模型化用於將子波長特徵 成像之任何一般成像系統，且可對於可產生具有一愈來愈 小尺寸之波長之新興成像技術尤其有用。已使用之新興技 術包括EUV(遠紫外線)微影，其使用ArF雷射可產生193 nm 之波長，甚至使用氟雷射可產生157 nm之波長。此外， EUV微影藉由使用同步加速器或藉由以高能量電子撞擊材 料（固體或電漿）而產生在20-5 nm之範圍中之光子而可產生 20-5 nm之範圍中之波長。因為多數材料在此範圍中為吸 收性的，所以可由鉬及矽之多層堆疊之反射鏡面產生照 明。多層堆疊鏡面具有40層鉬及矽對，其中每一層之厚度 為四分之一波長。甚至以X射線微影可產生更小之波長。 通常，使用同步加速器產生X射線波長。因為多數材料在 100999.doc -20- 1^27685 x射線波長處為吸收性的，所以薄片吸收材料界定了特徵 . 印刷（正抗蝕劑）或不印刷（負抗蝕劑）之處。 雖,然本文所揭示之概念可用於成像至-諸如碎晶圓之基 板上仁應瞭解所揭不之概念可用於任何類型之微影成像 系統，例如用於在非以圓之基板上成像之彼等系統。 本文所揭示之概念可用作一模擬器，意即’作為一可在 電腦系統上實施之電腦程式I品。電腦系·统之軟體功能 • #及程式設計’包括可執行程式碼，其可用於實施上述之 成像模型。軟體程式碼由通用電腦執行。在運作過程中， 將程式瑪及可能關聯之資料紀錄儲存在一通用電腦平臺 ' 内。然而，在其它時候，該軟體可儲存於其它位置及/或 . 加以傳送以載入合適之通用電腦系統中。因此，前述之實 施例包括以-或多個由至少一機器可讀取媒體承載之程式 碼之模組形式存在的一或多個軟體產品。電腦系統之處理 器執行此程式碼以使該平臺實質上是以本文所論述及說明 _ 之實施例中所執行的方式實施目錄及/或軟體下載功能。 如本文所使用，諸如電腦或機器"可讀取媒體"之術語指 參與提供指令至一處理器而得以執行之任何媒體。此媒體 可具有許多形式（包括但不限於）：非揮發性媒體、揮發性 媒體及傳輸媒體。舉例而言，非揮發性媒體包括光碟或磁 碟，諸如前述作為伺服器平臺中之一者操作的任何電腦中 之任何儲存設備。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如此電 腦平臺之主記憶體。實體傳輸媒體包括同軸電纜；銅導線 及光纖，包括有包含一電腦系統中之匯流排之導線。載波 100999.doc ⑧ 21 ^27685 k. 傳輸媒體可具有電或電磁訊號、或聲波或光波的形式，諸 如在射頻（RF)及紅外（ir)資料傳遞過程中產生之彼等物。 ' 因此，通常電腦可讀取媒體之形式包括（例如）：一軟性磁 ·' 碟一可撓性碟、硬碟 '磁帶、任何其它磁性媒體、CD- R〇M、DVD、任何其它光學媒體、諸如穿孔卡、紙帶、具 有孔圖案之任何其它實體媒體之較少使用媒體、一 ram、 — PROM及EPROM，-快閃EPR0M，任何其它記憶體晶片 • &儲存匡、一傳送資料或指令之載波、傳送該載波之電鏡 或鏈路、或電腦可從中讀取程式碼及/或資料之任何其它 媒體。在載運-或多個指令之一或多冑序列至處理器以用 ， 於執行中，可涉及多種此等形式之電腦可讀取媒體。 . 雖然前面已描述稱作為最好模式之實施例及/或其它實 例，但應瞭解可在其中進行各種修改且本文所揭示之主旨 可在多種形式及實例中實施，且本教示可應用於眾多應: 中，本文僅描述了 -部分。希望藉由下述申請專利範圍主 • 張屬於本教示之真實範疇之任何及所有應用、修改及變 更。 【圖式簡單說明】 圖1說明印刷於一基板上經受褶皺之例示性特徵。 圖2說明一例示性目標影像及經受褶皺之對應預期麥 像。 ^ 的 圖3說明圖2之目標及預期影像及一基於圖2影像之評估 之例示性修正光罩。 ^ 圖4說明基於圖3之修正光罩之例示性預期影像 100999.doc -22- 丄327685 圖5A說明將印刷之理想特徵，且圖5B說明將印刷之對 應實際特徵。 圖6A說明相對於一特徵之負截線之重疊部分且圖6B 說明相對於該特徵之正截線之重疊部分。 圖7A說明在相鄰角落處消去之可能干擾，且圖7B說明 解決該干擾之消去調整β

圖8說明-目標影像之模擬，應用至該目標影像之截線 及該目標影像之消去。 圖9說明使用經調整以消去每一角落之修正目標影像之 中位值評估執行之模擬。 圖10說明與圖9中相同之模擬，但是係對一未修正之目 標影像。 圖11說明模型OPC迴圈之例示性流程圖。 圖12說明一藉由消去以模擬圓化而修正之目標影像，及 一在步驟中應用圓化而修正之目標影像。

圖13說明通常在圖I〗之對應步驟中庙田向 那1f應用圓化之流程圖。 圖14說明一在晶圓級經圓化之角落。 圖15示意性地描述適於與經本發 个赞明輔助設計之光罩使用 之微影投影裝置。 【主要元件符號說明】 20 目標影像 22 預期影像 24 區 26 評估點 100999.doc ⑧ 1327685

30 修正光罩 40 新預期影像 50 理想特徵 52 實際特徵 54 理想角落 54' 角落 56 角落 800 目標影像 802 截線 804 消去 900 目標影像 902 經校正之光罩圖案 904 預期印刷結果 1000 目標影像 1002 經校正之光罩圖案 1004 預期印刷結果 1200 目標影像 1202 光罩表示 1400 角落 1402 消去 1404 圓化 AM 調整構件 C 目標部分 CO 聚光器 100999.doc •24- ⑧ 1327685

El Es Ex、IL IF IN LA MA MT 〇L 〇s PB PL PW w WT 長延伸 短延伸 輻射系統 干涉量測構件 積光器 輻射源 光罩 第一載物台/光罩台 長重疊 短重疊 輻射投影束 投影系統、物件 第二定位機構 基板 第二載物台/基板台

I00999.doc -25- ⑧

Claims (1)

1. 十、申請專利範圍： 1 1327685 ， 第094111205號專利申請案 ------ ' 中文申請專利範圍替換本(99年2月） β年>月>^日修正本 • 1. 2. 3. 一種最佳化一將形成於一基板上之設計之方法其包括 下列步驟： (a) §定位於一光罩上對應於至少一角落的一位置時， 基於關於一個次微影辅助特徵的一預定規則之一衍生 物，判疋該設計之一影像之該至少一角落的近似圓化， 以銳化將形成在該基板上的該設計之該角落； (b) 對該至少一角落的該近似圓化產生該設計之一表 示； (C)基於該表示，產生一用於成像該設計之一光罩之初 始表示；及 (d) 進一步對該光罩之初始表示執行光學近接校正 (OPC)。 如請求項1之最佳化該設計之方法，其中步驟進一步 包含下列步驟： (e) 產生一根據該光罩之初始表示之該設計之影像； (f) 評估在步驟（b)中產生之該表示與在步驟（e)中產生 之該影像之間之偏差； (g) 判定步驟（f)之該評估結果是否滿足預定約束； (h) 在該結果不滿足預定約束之情形下，根據該等結果 產生該光罩之一下一表示；及 (Ο重複步驟（f)-(h)直至該偏差滿足預定約束。 如請求項1之方法，其進一步包含下列步驟： (1)基於該近似圓化自一消去選擇一切塊之大小；及 100999-990226.doc IOQD 铁^據β亥切塊之大小消去該至少一角落以近似圓化。 月求項3之方法，其中該等預定規則界定一截線之尺 寸。 進一步包含自該消去選擇該切塊之 其中該切塊之形狀之至少兩個角相 5·如請求項3之方法 形狀的步驟。 6·如請求項5之方法 等。 7.如咕求項3之方法，其中自該消去之該切塊之大小為基 於以-預定大小之增量形成角度之消去。 8·如請求項7之方法’其中該預定大小為45度。 9·如請求項1之方法，其進-步包含消去該設計之該至少 一角落以近似該圓化之步驟。 1 〇.如請求項1之方法，盆中 ，、中•亥S]化之近似對應於基於一组 預定處理係數之最小圓化。 、 11·如請求項3及9中任—項之方法，坌 _ Α ”甲这，肖去對應於一掛 應於該設計之-第—角落之第 列步驟： *進—步包含下 ⑴判定自對相鄰於該第―角落之—第二角落之 消去之一第二切塊的大小；及 一 (ii)減少該第-消去與該第二消去十至少 使得該第-消去與該第二消去不會相交。 ’、以 12.如請求項3及9令任一項之方 ^ , '、甲这4去對應於一斛 應於該設計之一第一角落之第一 、 列步驟 月云其進一步包含下 100999-990226.doc -2- 1327685 (i)判定自對相鄰於該第一角落之一第二角落之—第二 消去之一第二切塊的大小；及 (Π)按比例地減少該第一消去與該第二消去之大小以使 得該第一消去與該第二消去不會相交。 13. 如請求項3之方法，其中該等預定規則涉及截線選擇， 其進一步包含下列步驟： 基於一使用該等預定規則選擇之截線之重疊值，選擇 該消去之大小。 14. 如請求項2之最佳化該設計之方法，其進一步包含下列 步驟： ⑴基於光罩製造約束，判定該光罩之初始表示之角落 之圓化；及 (11)基於應用角落圓化之該初始表示，產生一修正光罩 表示。 如請求項14之最佳化該設計之方法，其中每一角落之圓 化具有一預定半徑。 16· -種電腦可讀取媒體’其上具有可執行碼，其中藉由至 少-可程式化電腦之執行該碼引起該至少一可程式化電 腦執行如請求項1至丨5中至纟 丁王夕任項之一連串步驟以最 佳化將形成於該基板上之該設計。 100999-990226.doc