JP3241010B2 - 半導体製造プロセスの光近接効果補正方法 - Google Patents
半導体製造プロセスの光近接効果補正方法Info
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Description
スの光近接効果補正方法に関し、特に、2層が電気的に
接続する接続部分でのパターンの短縮を防止するための
半導体製造プロセスの光近接効果補正方法に関する。
を製造するためのプロセスの1ステップである光リソグ
ラフィー工程で、その露光転写の際に、互いに近接する
近接光部分どうしの光干渉により厳密に同形転写しない
光近接効果が生じる。このような光近接効果により発生
するパターン寸法誤差の低減が求められている。パター
ン寸法誤差の低減は、特開平5−80486号公報で知
られているように、近接効果を補正することにより行わ
れている。その補正の技術は、日本国特許261646
7号公報で知られているように、補正対象パターンの線
幅の修正を計算により行う計算技術である。
路パターンのライン端がコンタクト、スルーホールのよ
うな電気的接続部分に接続されている場合に特に、その
配線、ゲートのライン端が近接効果により短縮してその
接続面積が設計値よりも減少し、接続不良を招くことが
問題になる。このような電気的接続部分のライン端の短
縮を解消することによりマスクパターンの修正を行う技
術が、図7に示されるように知られている。本発明者
は、図7に示される技術が本発明に対して公知の引用例
としての先行技術であることを表明する。
配線101の端部の2つのコーナーC1,C2を含み幅
がaであり長さがbである追加配線部分(修正パター
ン)102,103が形成される。このような追加配線
部分102,103が近接効果により短縮してちょうど
設計通りの形状の配線101が結果的に得られることに
なる。
タクトがある複数・接続部分104ではない複数・非接
続部分105の全ての複数・コーナーにも修正パターン
106が付加され、修正・補正が必要でない部分に対し
ても修正・補正が行われる。コンタクトの有無に関係し
ないで修正を行うこのような技術は、修正パターンの図
形数が著しく増大して、マスクパターンデータのデータ
サイズが著しく増加してしまう。更に、その接続部分1
04の辺の長短に関係せずに同じ幅の修正パターン幅が
付加され、密集したパターンの短辺側の修正量が過剰に
なって、その短辺側の解像度が劣化する。
術は、図9に示されるように知られている。図9に示さ
れる技術も、本発明に対して先行する公知の引用技術で
ある。この技術は、修正対象パターン101の両辺の幅
W1,W2に対応して異なる幅a,dを持つ修正パター
ン107を付加する。このような技術は、短辺側の修正
量が過剰にならないが、修正対象パターンの両辺の幅を
求める必要があり、その処理に多大な時間がかかって、
パターン修正の処理時間が著しく増大してしまうという
問題を包含している。
間の著しい増大を招かず、必要部分のみで修正を行うこ
とができる近接効果補正が望まれる。
ーン修正処理時間の著しい増大を招かない半導体製造プ
ロセスの光近接効果補正方法を提供することにある。本
発明の他の課題は、修正量が適正であり、パターン修正
処理時間の著しい増大を招かない半導体製造プロセスの
光近接効果補正方法を提供することにある。本発明の更
に他の課題は、修正量が適正であり、必要部分のみで修
正を行うことによりパターン修正処理時間の著しい増大
を招かない半導体製造プロセスの光近接効果補正方法を
提供することにある。
の手段が請求項に対応して表現される次の記載中に現れ
る()つきの数字は、請求項の記載事項が詳しく後述さ
れる実施の複数の形態のうちの少なくとも1つの形態の
部材、工程、動作に対応することを示すが、本発明の解
決手段がそれらの数字が示す実施の形態の部材に限定し
て解釈されるためのものではなく、その対応関係を明白
にするためのものである。
効果補正方法は、第1層(2)の周囲を囲む第1周域
(34)を指定するためのステップと、第1周域(3
4)に属する第2層(1)のコーナー部分(7,7’,
8,8’)を発見するためのステップと、コーナー部分
(7,7’,8,8’)の周囲を囲む第2周域(13,
13’,14,14’,41,44)を設定するための
ステップと、第2周域(13,13’,14,14’,
41,44)を第1層(2)に付加する補正領域とする
ためのステップとからなり、第1層が存在しない所の第
2層の補正が行われないので、近接効果補正のデータ処
理の増大が抑制される。
ール層のような正方形状・円形状の電気接続層に相当す
る。第2層(1)は、ゲート層、配線層のような長い電
気接続層が相当する。コンタクト層、スルーホール層
は、ゲート層、配線層に電気的に接続する。
に包囲する輪環でなく、第1層(2)を部分的に包囲し
て接する領域として設定され得る。コーナー部分(7,
7’,8,8’)は、直角的に曲がる周囲線によっての
み限定されのではなく、円形線のような滑らかな曲線に
より限定されることもできる。
41,44)は、複数・コーナー部分(7,7’,8,
8’,31)にそれぞれに対応する複数領域として限定
されることもあり、複数・コーナー部分(7,7’,
8,8’,31)を包囲する単一領域(41,44)と
して設定されることもできる。
41,44)は、第2層(1)の終端辺である短辺に平
行な短辺側修正領域(例えば、42’)と第2層(1)
の終端辺に直交して隣り合う長辺側修正領域(例えば、
43,43’)とから形成されている。短辺側修正領域
(42’)の幅をdで表し、長辺側修正領域(43,4
3’)の幅をaで表せば、幅aと幅dは異なることが望
ましい。特に、次式が好ましい:d<a。このような大
小関係は、第2層(1)の終端部分又は第1層(2)が
密集している場合に、その所のスペースの解像度の劣化
を防止することができる点で特に好ましい。
体製造プロセスの光近接効果補正方法による実施の形態
は、修正前のレイアウトデータの中の配線層パターンを
修正し、修正された配線パターンからマスク描画データ
を作成する技術である。図1に示されるように、当該コ
ンピュータ66には、修正前のレイアウトデータが格納
されている。その修正前のレイアウトデータには、図1
に示されるように、配線層パターン又はその要素である
配線1と、コンタクト層パターン又はその要素であるコ
ンタクト2とが含まれている。第1ステップでは、コン
タクト2の平行な2つの直線状特定辺3,4から距離c
だけ離れた領域5,6がコンピュータ66により設定さ
れる。
域5,6にそれぞれに含まれる配線1の2つの第1,2
コーナー部分7,8を見つける。コンピュータ66は、
第3ステップで、第1コーナー部分7と第2コーナー部
分8との間を結ぶ辺が配線1の終端部分であるとみな
す。この辺を基準辺9という。コンピュータ66は、第
4ステップで、基準辺9と基準辺9に隣り合う隣辺1
1,12に対してそれぞれに幅aを持ちそれぞれに長さ
がbである第1,2修正領域13,14を設定する。
1,12に対して直交している。第1,2修正領域1
3,14は、基準辺9の一部を共有する第1,2短辺側
共有線15,16と、隣辺11,12の一部をそれぞれ
に共有する第1,2長辺側共有線17,18と、第1,
2短辺側共有線15,16にそれぞれに平行でありその
離隔距離がそれぞれにaである第1,2短辺側輪郭線1
9,21と、第1,2長辺側共有線17,18にそれぞ
れに平行でありその離隔距離がそれぞれにaである第
1,2長辺側輪郭線22,23と、それぞれの第1,2
両端線24,25,26,27とによりそれぞれに囲ま
れる領域である。
し、他の第1,2端線25,27は第1,2長辺側共有
線17,18にそれぞれに直交している。言い換えれ
ば、第1,2修正領域13,14は、配線1の第1,2
コーナー部分7,8にそれぞれに接してそれらをそれぞ
れに囲むように直角に曲がる接続領域である。
のような第1,2修正領域13,14を修正配線部分と
みなし、この修正配線部分を配線1に付加して修正配線
パターンを作成し、コンピュータ66の中の修正後レイ
アウトデータ格納部(図示せず)にその修正配線パター
ンを格納する。コンピュータ66は、第6ステップで、
修正配線パターンからマスク描画用データを作成する。
の光近接効果補正方法の実施の他の形態を示している。
修正対象配線パターンの要素である配線は、配線1’と
コンタクト部配線1”とから形成されている。コンタク
ト2の正方形領域は、コンタクト部配線1”の領域に含
まれている。配線1’の幅がコンタクト部配線1”の幅
より広いために、第1,2コーナー部分7’,8’の他
に、第3コーナー部分31が新たに生じている。第1コ
ーナー部分7’に対応する第1修正領域13’と、第2
コーナー部分8’に対応する第2修正領域14’とは、
図1に示される実施の形態の第1修正領域13、第2修
正領域14とを形成するための既述の第1〜第4ステッ
プスと全く同じステップにより形成されている。
のような第1,2修正領域13’,14’を修正配線部
分とし、この修正配線部分を配線1”に付加して修正配
線パターンを作成し、コンピュータ66の中の修正後レ
イアウトデータ格納部(図示せず)にその修正配線パタ
ーンを格納する。コンピュータ66は、第6ステップ
で、その修正配線パターンからマスク描画用データを作
成する。
32も、既述の第1〜4ステップスと全く同じステップ
スにより形成されている。コーナー部分31に対応する
マスク描画用データも既述の第5〜6ステップスと全く
同じステップスにより作成される。このように、3つの
コーナーが3つの修正配線部分により囲まれ、3つの修
正配線部分が光近接効果により短縮して、設計通りの配
線”が露光工程で転写され形成される。
から距離cだけ離れた領域がコンピュータに設定される
既述の第1ステップ、その領域にそれぞれに含まれる配
線の複数のコーナー部分をコンピュータが見つける既述
の第2ステップとは、正方形コンタクトを包囲する幅が
cである矩形状輪環領域34の中にあるコーナーのみに
対して近接効果補正が行われるので、図3に示されるよ
うに、コンタクトがない配線部分の複数・コーナー部分
33では近接効果補正は行われない。このように、マス
クデータサイズの増大を低減することができる。
の光近接効果補正方法の実施の更に他の形態を示してい
る。コンタクト2を囲む矩形状輪環領域34がコンピュ
ータ66により設定される点は、既述の実施の形態と全
く同じである。矩形状輪環領域34の中のコーナー部分
7,8を見つけるステップは、既述の第2ステップと同
じである。コーナー部分7,8を囲む修正領域41が単
一である点で、既述の実施の形態とは異なっている。
2と両側の長辺側修正領域43,43とから形成されて
いる。単一の短辺側修正領域42は、その両側で長辺側
修正領域43,43に接続している。短辺側修正領域4
2と両側の長辺側修正領域43,43の線幅は、同じで
ありaである。
のような単一の修正領域41を修正配線部分とし、この
修正配線部分を配線1に付加して修正配線パターンを作
成し、コンピュータ66の中の修正後レイアウトデータ
格納部にその修正配線パターンを格納する。コンピュー
タ66は、第6ステップで、その修正配線パターンから
マスク描画用データを作成する。
の光近接効果補正方法の実施の更に他の形態を示してい
る。図4に示される実施の形態の第1〜第6ステップ
は、1点を除き、そのままこの実施の形態に適用され
る。その1点は、この実施の形態の単一修正領域44
は、図4に示される実施の形態の単一修正領域41とサ
イズの点で異なっている。単一修正領域44は、単一の
短辺側修正領域42’と両側の長辺側修正領域43’,
43’とから形成されている。短辺側修正領域42’
は、両側の長辺側修正領域43’,43’に接続してい
る。両側の長辺側修正領域43’,43’の線幅と長さ
は、図4の実施の形態のそれらの線幅aと長さbに等し
いが、短辺側修正領域42’は図4の実施の形態の線幅
aより短い線幅dで形成されている。密集度、散乱点間
距離により異なる光近接効果の短縮度に対応して、線幅
a,bが決定される。
の光近接効果補正方法の実施の更に他の形態を示してい
る。この実施の形態は、パターンの密集度に対応する修
正方法を示している。図1に関して述べた基準辺9を短
辺という。図1に関して述べた隣辺11,12を長辺と
いう。補正前の複数・配線1の長辺間幅Dとその短辺間
隔Dは等しく、最小設計値として与えられている。
正領域43’の幅aよりも小さい。従って、修正後の短
辺側スペースの幅S1は、修正後の長辺側スペースの幅
S2よりも広い。このようにスペース幅を調整すること
により、修正後のパターンの長辺側スペースに比べて短
辺側スペースの解像度が劣化することを防止することが
できる。修正領域の単一化により、修正対象パターンの
各辺で修正パターンの幅を変更するためにその修正パタ
ーンの各辺の寸法を求める必要がなく、パターン修正処
理時間の増加がない。
接効果補正方法は、修正処理時間の増大を抑制すること
ができる。付加的には、解像度の劣化を防止することが
できる。
近接効果補正方法の実施の形態を示す仮想空間上での平
面図である。
近接効果補正方法の実施の他の形態を示す仮想空間上で
の平面図である。
近接効果補正方法の実施の更に他の形態を示す仮想空間
上での平面図である。
近接効果補正方法の実施の更に他の形態を示す仮想空間
上での平面図である。
近接効果補正方法の実施の更に他の形態を示す仮想空間
上での平面図である。
近接効果補正方法の実施の更に他の形態を示す仮想空間
上での平面図である。
果補正方法を示す仮想空間上での平面図である。
接効果補正方法を示す仮想空間上での平面図である。
光近接効果補正方法を示す仮想空間上での平面図であ
る。
2)修正領域(第2周域) 34…矩形状輪環領域(第1周域) 42,42’…短辺側修正領域 43,43’…長辺側修正領域
Claims (9)
- 【請求項1】第1層パターンと第2層パターンを有する
マスクパターンデータをコンピュータに入力するステッ
プと、 前記第1層パターンの閉じた輪郭線を囲む第1周域を指
定するためのステップと、 前記第1周域に含まれ前記第1層パターンを含む第2層
パターンのコーナー部分を発見するためのステップと、 前記コーナー部分を囲む第2周域を設定するためのステ
ップと、 前記第2周域を前記第2層パターンに付加する補正領域
とするためのステップとからなり、 前記第1層パターンは前記第2層パターンに電気的に接
続する 半導体製造プロセスの光近接効果補正方法。 - 【請求項2】請求項1において、 前記第1層パターンは第1電気接続層であり、 前記第2層パターンは第2電気接続層であることを特徴
とする半導体製造プロセスの光近接効果補正方法。 - 【請求項3】請求項2において、 前記第1電気接続層はコンタクト層であり、 前記第2電気接続層は配線層であることを特徴とする半
導体製造プロセスの光近接効果補正方法。 - 【請求項4】請求項2において、 前記第1電気接続層はコンタクト層であり、 前記第2電気接続層はゲート層であることを特徴とする
半導体製造プロセスの光近接効果補正方法。 - 【請求項5】請求項1におて、 前記コーナー部分が第2層パターンの1つの末端部分の
複数のコーナー部分である場合に、前記第2周域は前記
複数の前記コーナー部分にそれぞれに対応する複数領域
として設定されることを特徴とする半導体製造プロセス
の光近接効果補正方法。 - 【請求項6】請求項1において、 前記コーナー部分が前記第2層パターンの1つの末端部
分の複数のコーナー部分である場合に、前記第2周域は
前記複数の前記コーナー部分を包囲する単一領域として
設定されることを特徴とする半導体製造プロセスの光近
接効果補正方法。 - 【請求項7】請求項1において、 前記第2周域は、前記第2層パターンの終端辺である短
辺に平行な短辺側修正領域と前記終端辺に隣り合う長辺
側修正領域とから形成され、前記短辺側修正領域の幅を
dで表し前記長辺側修正領域の幅をaで表せば、前記幅
aと前記幅dは異なることを特徴とする半導体製造プロ
セスの光近接効果補正方法。 - 【請求項8】請求項7において、 前記d<前記aであることを特徴とする半導体製造プロ
セスの光近接効果補正方法。 - 【請求項9】請求項8において、 前記コーナー部分が前記第2層パターンの1つの末端部
分の複数のコーナー部分である場合に、前記第2周域は
前記複数の前記コーナー部分を包囲する単一領域として
設定されることを特徴とする半導体製造プロセスの光近
接効果補正方法。
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