JP2002006477A - フォトマスクのパターン形状補正方法および補正されたフォトマスク - Google Patents
フォトマスクのパターン形状補正方法および補正されたフォトマスクInfo
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光近接効果により生じたパターンの変形を適
切に修正し、補正するフォトマスクのパターン形状補正
方法を得ること。 【解決手段】 配線層により形成される略水平の外角を
除く外角が存在する配線層の角部に光近接効果によるフ
ォトマスクのパターン形状を補正する方法であって、ゲ
ート電極と、前記角部とが、所定距離以内にあるときに
は、第１の補正図形を導入し、ゲートと、前記角部と
が、所定距離を越えるときには、第２の補正図形を付与
するよう選択することを特徴とする。
切に修正し、補正するフォトマスクのパターン形状補正
方法を得ること。 【解決手段】 配線層により形成される略水平の外角を
除く外角が存在する配線層の角部に光近接効果によるフ
ォトマスクのパターン形状を補正する方法であって、ゲ
ート電極と、前記角部とが、所定距離以内にあるときに
は、第１の補正図形を導入し、ゲートと、前記角部と
が、所定距離を越えるときには、第２の補正図形を付与
するよう選択することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスクのパ
ターン形状補正方法および修正されたフォトマスクに関
し、詳しくはパターン変形を修正し補正するフォトマス
クのパターン形状補正方法および修正されたフォトマス
クに関する。
ターン形状補正方法および修正されたフォトマスクに関
し、詳しくはパターン変形を修正し補正するフォトマス
クのパターン形状補正方法および修正されたフォトマス
クに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、フォトマスクのパターン形状補正
方法は、例えば、フォトリソグラフィー（photolithogr
aphy／光蝕刻法）により形成したパターンに、形成時の
光学系の光近接効果により生じたパターン変形を修正し
補正するのに適用されている。
方法は、例えば、フォトリソグラフィー（photolithogr
aphy／光蝕刻法）により形成したパターンに、形成時の
光学系の光近接効果により生じたパターン変形を修正し
補正するのに適用されている。
【０００３】従来のフォトマスクのパターン形状補正方
法を図７に示す。配線層の角点３を補正する場合は、角
点３に切り欠きを入れて補正するための、補正図形
（Ａ）３１、補正図形（Ｂ）３２を付加する。この補正
図形（Ａ）３１および補正図形（Ｂ）３２の大きさは、
図７に示すように、２つの付加図形の幅ａ３、長さｂ３
の矩形の同一形状の図形に設定して補正している。ま
た、ゲートの幅Ｗ、補正図形の間隔Ｇ１、間隔Ｇ２の大
きさは、補正図形の付加の際に考慮に入れていない。
法を図７に示す。配線層の角点３を補正する場合は、角
点３に切り欠きを入れて補正するための、補正図形
（Ａ）３１、補正図形（Ｂ）３２を付加する。この補正
図形（Ａ）３１および補正図形（Ｂ）３２の大きさは、
図７に示すように、２つの付加図形の幅ａ３、長さｂ３
の矩形の同一形状の図形に設定して補正している。ま
た、ゲートの幅Ｗ、補正図形の間隔Ｇ１、間隔Ｇ２の大
きさは、補正図形の付加の際に考慮に入れていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の補正図形のフォトマスクの形成において、所定の条
件下では光近接効果により、フォトレジストによる配線
層の形状が正しく形成されないという問題点を伴う。
来の補正図形のフォトマスクの形成において、所定の条
件下では光近接効果により、フォトレジストによる配線
層の形状が正しく形成されないという問題点を伴う。
【０００５】上記問題の発生に対し、適切な補正図形の
付加が求められている。この一例として、図８にフォト
レジストの形状例を示す。本図に適用される補正方法に
よれば、補正図形の大きさを大きくすると、光近接効果
により、たとえば配線レジストパターン５５の角点３近
傍の丸まりを低減する効果が大きくなる。しかしなが
ら、補正図形５１の大きさを図８に示すように大きくな
ると、たとえばゲート部分の一部分５１の幅が細くなる
細りが生じ、その結果、悪影響が生ずる。この悪影響が
生じないように補正図形を小さくすると、角点部近傍の
フォトレジストにおける配線レジストパターン５５が丸
くなり、この丸まりを十分に小さくできず、したがって
光近接効果の補正が十分には得られないという問題点が
ある。
付加が求められている。この一例として、図８にフォト
レジストの形状例を示す。本図に適用される補正方法に
よれば、補正図形の大きさを大きくすると、光近接効果
により、たとえば配線レジストパターン５５の角点３近
傍の丸まりを低減する効果が大きくなる。しかしなが
ら、補正図形５１の大きさを図８に示すように大きくな
ると、たとえばゲート部分の一部分５１の幅が細くなる
細りが生じ、その結果、悪影響が生ずる。この悪影響が
生じないように補正図形を小さくすると、角点部近傍の
フォトレジストにおける配線レジストパターン５５が丸
くなり、この丸まりを十分に小さくできず、したがって
光近接効果の補正が十分には得られないという問題点が
ある。
【０００６】また、配線幅が小さく、補正図形により狭
められた配線層の幅Ｇ１が狭い場合には、フォトレジス
トの細り５２が大きくなり、新たに配線が断線する危険
を生じるという問題点がある。なお図８では、補正図形
による細りを配線層の片側だけで考慮した図を示した
が、一般的には、点線で示した細りは、配線層の両側で
起こるので、さらに、配線層の幅Ｇ1 が細くなる。
められた配線層の幅Ｇ１が狭い場合には、フォトレジス
トの細り５２が大きくなり、新たに配線が断線する危険
を生じるという問題点がある。なお図８では、補正図形
による細りを配線層の片側だけで考慮した図を示した
が、一般的には、点線で示した細りは、配線層の両側で
起こるので、さらに、配線層の幅Ｇ1 が細くなる。
【０００７】本発明は、光近接効果により生じたパター
ン変形（細りや丸み）を適切に修正し補正するフォトマ
スクのパターン形状補正方法を提供することを目的とす
る。
ン変形（細りや丸み）を適切に修正し補正するフォトマ
スクのパターン形状補正方法を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明は、配線層により形成される
略水平の外角を除く外角が存在する配線層の角部に光近
接効果によるフォトマスクのパターン形状を補正する方
法であって、ゲート電極と、前記角部とが、所定距離以
内にあるときには、第１の補正図形を導入し、ゲート
と、前記角部とが、所定距離を越えるときには、第２の
補正図形を付与するよう選択することを特徴とする。
め、請求項１に記載の発明は、配線層により形成される
略水平の外角を除く外角が存在する配線層の角部に光近
接効果によるフォトマスクのパターン形状を補正する方
法であって、ゲート電極と、前記角部とが、所定距離以
内にあるときには、第１の補正図形を導入し、ゲート
と、前記角部とが、所定距離を越えるときには、第２の
補正図形を付与するよう選択することを特徴とする。
【０００９】請求項２に記載の発明は、拡散層と配線層
とが重なるゲート電極を形成する配線層のフォトマスク
のパターン形状補正方法において、前記配線層のパター
ンの角部が拡散層から形成される外角の頂点近傍にあ
り、前記角部は、ゲートからの距離が一定範囲内にある
か否かを判定し、前記角部の中央近傍から切り欠きを入
れて所定の補正図形を付加して前記パターン形成部分の
角部の形状を補正することを特徴とする。
とが重なるゲート電極を形成する配線層のフォトマスク
のパターン形状補正方法において、前記配線層のパター
ンの角部が拡散層から形成される外角の頂点近傍にあ
り、前記角部は、ゲートからの距離が一定範囲内にある
か否かを判定し、前記角部の中央近傍から切り欠きを入
れて所定の補正図形を付加して前記パターン形成部分の
角部の形状を補正することを特徴とする。
【００１０】請求項３に記載の発明は、請求項１または
２において、前記パターンのゲートの幅、ゲートの間
隔、補正図形の間隔、および配線パターン幅の大きさを
基に、前記補正図形の付加の有無を決めることを特徴と
する。
２において、前記パターンのゲートの幅、ゲートの間
隔、補正図形の間隔、および配線パターン幅の大きさを
基に、前記補正図形の付加の有無を決めることを特徴と
する。
【００１１】請求項４に記載の発明は、請求項２または
３において、前記補正図形の大きさは、ゲート電極を配
線層内で移動可能な方向と同一方向の辺に対する補正図
形の大きさと、前記方向と異なる方向の辺に対する補正
図形の大きさとを、相互に異なる大きさとしたことを特
徴とする。
３において、前記補正図形の大きさは、ゲート電極を配
線層内で移動可能な方向と同一方向の辺に対する補正図
形の大きさと、前記方向と異なる方向の辺に対する補正
図形の大きさとを、相互に異なる大きさとしたことを特
徴とする。
【００１２】請求項５に記載の発明は、請求項４におい
て、前記ゲート電極を配線層内で移動可能な方向と同一
方向の辺に対する補正図形の大きさを、当該方向と異な
る方向の辺に対する補正図形の大きさより、小さくした
ことを特徴とする。
て、前記ゲート電極を配線層内で移動可能な方向と同一
方向の辺に対する補正図形の大きさを、当該方向と異な
る方向の辺に対する補正図形の大きさより、小さくした
ことを特徴とする。
【００１３】請求項６に記載の発明は、請求項４におい
て、前記ゲート電極を配線層内で移動可能な方向と異な
る方向の補正図形のみを形成し、前記ゲート電極を配線
層内で移動可能な方向の辺に対する補正図形を形成しな
いことを特徴とする。
て、前記ゲート電極を配線層内で移動可能な方向と異な
る方向の補正図形のみを形成し、前記ゲート電極を配線
層内で移動可能な方向の辺に対する補正図形を形成しな
いことを特徴とする。
【００１４】請求項７に記載の発明は、略水平の角を除
く配線層パターンの外角を形成する角部が、拡散層外の
存在の条件と、ゲート電極からの距離が所定の設定値内
の条件と、ゲート電極同士の間隔が所定の設定値Ｐｍ以
上である条件から選択される少なくとも１つの条件を採
用して角部を抽出するステップと、前記抽出した角部の
ゲート電極を配線層内で移動可能な方向の辺に、所定の
補正図形Ａを、ゲート方向でない辺に補正図形Ｂをそれ
ぞれに付加するステップと、前記補正図形Ｂと隣設する
補正図形との間隔Ｇ１が所定の設定値Ｇ１ｍを超えるか
否か（Ｇ１＞Ｇ１ｍ）を判定するステップと、前記判定
により、Ｇ１＞Ｇ１ｍを満足しない場合には、前記補正
図形Ａ、補正図形Ｂを削除するステップとを有すること
を特徴とする。
く配線層パターンの外角を形成する角部が、拡散層外の
存在の条件と、ゲート電極からの距離が所定の設定値内
の条件と、ゲート電極同士の間隔が所定の設定値Ｐｍ以
上である条件から選択される少なくとも１つの条件を採
用して角部を抽出するステップと、前記抽出した角部の
ゲート電極を配線層内で移動可能な方向の辺に、所定の
補正図形Ａを、ゲート方向でない辺に補正図形Ｂをそれ
ぞれに付加するステップと、前記補正図形Ｂと隣設する
補正図形との間隔Ｇ１が所定の設定値Ｇ１ｍを超えるか
否か（Ｇ１＞Ｇ１ｍ）を判定するステップと、前記判定
により、Ｇ１＞Ｇ１ｍを満足しない場合には、前記補正
図形Ａ、補正図形Ｂを削除するステップとを有すること
を特徴とする。
【００１５】請求項８に記載の発明は、略水平の角を除
く配線層パターンの外角を形成する角部が、拡散層外の
存在の条件と、ゲート電極からの距離が所定の設定値内
の条件と、ゲート電極同士の間隔が所定の設定値Ｐｍ以
上である条件から選択される少なくとも１つの条件を採
用して角部を抽出するステップと、前記抽出した角部の
ゲート電極を配線層内で移動可能な方向の辺に、所定の
補正図形Ａを、ゲート方向でない辺に補正図形Ｂをそれ
ぞれに付加するステップと、前記補正図形Ｂと隣設する
補正図形との間隔Ｇ１を算出し、算出された間隔Ｇ１が
所定の設定値Ｇ１ｍを超えるか否かを判定するステップ
と、前記判定により、Ｇ１＞Ｇ１ｍを満足しない場合に
は、前記補正図形Ａ、補正図形Ｂを削除するステップと
を有することを特徴とする。
く配線層パターンの外角を形成する角部が、拡散層外の
存在の条件と、ゲート電極からの距離が所定の設定値内
の条件と、ゲート電極同士の間隔が所定の設定値Ｐｍ以
上である条件から選択される少なくとも１つの条件を採
用して角部を抽出するステップと、前記抽出した角部の
ゲート電極を配線層内で移動可能な方向の辺に、所定の
補正図形Ａを、ゲート方向でない辺に補正図形Ｂをそれ
ぞれに付加するステップと、前記補正図形Ｂと隣設する
補正図形との間隔Ｇ１を算出し、算出された間隔Ｇ１が
所定の設定値Ｇ１ｍを超えるか否かを判定するステップ
と、前記判定により、Ｇ１＞Ｇ１ｍを満足しない場合に
は、前記補正図形Ａ、補正図形Ｂを削除するステップと
を有することを特徴とする。
【００１６】請求項９に記載の発明は、請求項１〜８に
記載のフォトマスクのパターン形状補正方法を用いて形
成された、修正されたフォトマスクである。
記載のフォトマスクのパターン形状補正方法を用いて形
成された、修正されたフォトマスクである。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して本発明
によるフォトマスクのパターン形状補正方法の実施の形
態を詳細に説明する。図１〜図６に、本発明に係るフォ
トマスクのパターン形状補正方法の実施形態およびその
他の実施形態を示す。なお以後の説明では、配線層は、
ゲートに電圧（電流）を印加するために設けられる層と
して説明する。本発明に係る補正方法は、光学的な近接
効果によるフォトマスク全般の補正方法に関するが、特
に、配線層の場合に、このような補正方法が適用される
ことが好ましい。
によるフォトマスクのパターン形状補正方法の実施の形
態を詳細に説明する。図１〜図６に、本発明に係るフォ
トマスクのパターン形状補正方法の実施形態およびその
他の実施形態を示す。なお以後の説明では、配線層は、
ゲートに電圧（電流）を印加するために設けられる層と
して説明する。本発明に係る補正方法は、光学的な近接
効果によるフォトマスク全般の補正方法に関するが、特
に、配線層の場合に、このような補正方法が適用される
ことが好ましい。
【００１８】図１〜２は、本発明のフォトマスクのパタ
ーン形状補正方法の実施形態の処理手順例を示すフロー
チャートである。また、図５は、補正図形の構成例を示
すパターンレイアウト図である。本実施形態では、ま
ず、設計したデータを基に、図５に示すパターンレイア
ウトを作成する。図５に示すパターンレイアウトは、実
際に作製しようとする理想のものである。この図５に示
される配線層パターンを作製するためのマスクパターン
を形成するために、図１または図２に示す以下のフロー
を実行する。
ーン形状補正方法の実施形態の処理手順例を示すフロー
チャートである。また、図５は、補正図形の構成例を示
すパターンレイアウト図である。本実施形態では、ま
ず、設計したデータを基に、図５に示すパターンレイア
ウトを作成する。図５に示すパターンレイアウトは、実
際に作製しようとする理想のものである。この図５に示
される配線層パターンを作製するためのマスクパターン
を形成するために、図１または図２に示す以下のフロー
を実行する。
【００１９】この図１に示す本処理手順例では、まず、
配線層パターンの外角で、略水平の角１８０が除外され
る。一般に配線層のパターンは、微細になれば、若干で
こぼこにはなるが、簡単に直線などに近似可能である。
図1 に示すように、水平角を除外すると、多くは、その
外角が９０°または２７０°程度のものに分類可能とな
る。図1 に示すフローでは、このうち、外角が好ましく
は９０°のものを検出する。また、図２に示すように、
外角９０度の角の条件１と、拡散層の外にあるという条
件２と、ゲートから距離Ｒが設定値Ｒｍ以内にあるとい
う条件３と、ゲートの間隔が設定値Ｐｍ以上の角１であ
るという条件４のうちの１つを抽出することもできる
（図示せず）。
配線層パターンの外角で、略水平の角１８０が除外され
る。一般に配線層のパターンは、微細になれば、若干で
こぼこにはなるが、簡単に直線などに近似可能である。
図1 に示すように、水平角を除外すると、多くは、その
外角が９０°または２７０°程度のものに分類可能とな
る。図1 に示すフローでは、このうち、外角が好ましく
は９０°のものを検出する。また、図２に示すように、
外角９０度の角の条件１と、拡散層の外にあるという条
件２と、ゲートから距離Ｒが設定値Ｒｍ以内にあるとい
う条件３と、ゲートの間隔が設定値Ｐｍ以上の角１であ
るという条件４のうちの１つを抽出することもできる
（図示せず）。
【００２０】図２においては、これら条件１〜４の全て
を同時に満足したときに、本発明に係る補正方法が適用
可能である場合を示しているが、本発明では、たとえ
ば、条件１については、図１に示すように、必須とし、
その他の２〜４の条件を任意に設定するようにすること
もできる。
を同時に満足したときに、本発明に係る補正方法が適用
可能である場合を示しているが、本発明では、たとえ
ば、条件１については、図１に示すように、必須とし、
その他の２〜４の条件を任意に設定するようにすること
もできる。
【００２１】次いで、角１のゲート方向の辺に補正図形
（Ａ）１１を、ゲート方向でない辺に補正図形（Ｂ）１
２を付加し（ステップＳ２）、補正図形（Ｂ）１２と隣
り合う補正図形との間隔Ｇ１を算出し（ステップＳ
３）、ステップＳ３で算出した間隔Ｇ１が設定値Ｇ１ｍ
以上か否かをステップＳ４においてチェックする。この
チェック（Ｓ４）の結果が" Ｇ１＞Ｇ１ｍ" を満たせば
変更処理は実行せず（ステップＳ５）、間隔Ｇ１が設定
値Ｇ１ｍ以上でなければあるいは以下であるいずれかで
あれば（Ｓ４／ＮＯ）、補正図形（Ａ）１１、補正図形
（Ｂ）１２を削除する（ステップＳ６）。上記ステップ
Ｓ５の補正に基づいて、図４に示すような、配線層のた
めのマスクパターンが作製される。本発明では、前記
式" Ｇ１＞Ｇ１ｍ" か、式" Ｇ１≧Ｇ１ｍ" のいずれを
選択してもよい。
（Ａ）１１を、ゲート方向でない辺に補正図形（Ｂ）１
２を付加し（ステップＳ２）、補正図形（Ｂ）１２と隣
り合う補正図形との間隔Ｇ１を算出し（ステップＳ
３）、ステップＳ３で算出した間隔Ｇ１が設定値Ｇ１ｍ
以上か否かをステップＳ４においてチェックする。この
チェック（Ｓ４）の結果が" Ｇ１＞Ｇ１ｍ" を満たせば
変更処理は実行せず（ステップＳ５）、間隔Ｇ１が設定
値Ｇ１ｍ以上でなければあるいは以下であるいずれかで
あれば（Ｓ４／ＮＯ）、補正図形（Ａ）１１、補正図形
（Ｂ）１２を削除する（ステップＳ６）。上記ステップ
Ｓ５の補正に基づいて、図４に示すような、配線層のた
めのマスクパターンが作製される。本発明では、前記
式" Ｇ１＞Ｇ１ｍ" か、式" Ｇ１≧Ｇ１ｍ" のいずれを
選択してもよい。
【００２２】特に、本発明では、前記ステップＳ３とＳ
４とが、補正図形（Ｂ）と、隣り合う補正図形との間隔
Ｇ１が設定値Ｇ１ｍ以上（または間隔Ｇ１が設定値Ｇ１
ｍより大きい）か否かを決定するステップＳ３０に置き
換えることが好ましい。そしてステップ３０において、
Ｎｏの場合にはステップＳ６に進み、Ｙｅｓの場合には
ステップＳ５に進み、以下、前記同様に進行する。
４とが、補正図形（Ｂ）と、隣り合う補正図形との間隔
Ｇ１が設定値Ｇ１ｍ以上（または間隔Ｇ１が設定値Ｇ１
ｍより大きい）か否かを決定するステップＳ３０に置き
換えることが好ましい。そしてステップ３０において、
Ｎｏの場合にはステップＳ６に進み、Ｙｅｓの場合には
ステップＳ５に進み、以下、前記同様に進行する。
【００２３】（動作例）図３は、水平方向に活性領域
（拡散層）が設けられている素子例を示す。この活性領
域は、素子分離領域に囲まれて半導体基板上に形成され
ている。活性領域の間に水平方向に延在するように、配
線層が形成されている。この配線層は、たとえばポリシ
リコンにより形成されている。配線層は、通常、１層で
構成されているが、多層であってもよい。
（拡散層）が設けられている素子例を示す。この活性領
域は、素子分離領域に囲まれて半導体基板上に形成され
ている。活性領域の間に水平方向に延在するように、配
線層が形成されている。この配線層は、たとえばポリシ
リコンにより形成されている。配線層は、通常、１層で
構成されているが、多層であってもよい。
【００２４】配線層と、活性領域とが交差する（換言す
れば重なった）領域がトランジスタのゲートとして機能
するゲート領域である。このゲート領域以外の領域は、
配線領域（たとえばポリシリコン配線領域）である。ゲ
ート領域の下にゲート絶縁膜およびチャンネルが形成さ
れるのが一般的であり、ゲートの両サイドの活性領域
は、ソースドレイン領域になる。図３は、図１または図
２に示された理想のパターンレイアウトの製造工程と、
図４に示されるマスクパターンを適当な比率を考慮して
重ね合わせたものである。また、図３に示された回路の
レイアウトは、たとえば、ＣＭＯＳのロジックで使用さ
れるパターンレイアウトの一部を示したものである。
れば重なった）領域がトランジスタのゲートとして機能
するゲート領域である。このゲート領域以外の領域は、
配線領域（たとえばポリシリコン配線領域）である。ゲ
ート領域の下にゲート絶縁膜およびチャンネルが形成さ
れるのが一般的であり、ゲートの両サイドの活性領域
は、ソースドレイン領域になる。図３は、図１または図
２に示された理想のパターンレイアウトの製造工程と、
図４に示されるマスクパターンを適当な比率を考慮して
重ね合わせたものである。また、図３に示された回路の
レイアウトは、たとえば、ＣＭＯＳのロジックで使用さ
れるパターンレイアウトの一部を示したものである。
【００２５】図５にパターンレイアウトを示す。本レイ
アウトには拡散層と配線層のパターンが含まれており、
配線層パターンが拡散層パターンに重なる部分はトラン
ジスタのゲート電極となる。配線層パターンの角が拡散
層パターンの外にあり、かつゲートからの距離Ｒが設定
値Ｒｍよりも小さいときに、配線層パターンの角２に切
り欠きを入れて補正するための補正図形（Ａ）２１、補
正図形（Ｂ）２２を付加する。両補正図形の角２での繋
ぎ部分は、段を埋めるように連結する。
アウトには拡散層と配線層のパターンが含まれており、
配線層パターンが拡散層パターンに重なる部分はトラン
ジスタのゲート電極となる。配線層パターンの角が拡散
層パターンの外にあり、かつゲートからの距離Ｒが設定
値Ｒｍよりも小さいときに、配線層パターンの角２に切
り欠きを入れて補正するための補正図形（Ａ）２１、補
正図形（Ｂ）２２を付加する。両補正図形の角２での繋
ぎ部分は、段を埋めるように連結する。
【００２６】またゲートの幅Ｗが設定値Ｗｍより大きい
とき、あるいは前記Ｗ値を比較せずに、ゲートの間隔Ｐ
を比較してこのＰ値が設定値Ｐｍより小さいとき、隣接
する補正図形（Ｂ）の間隔Ｇ１が設定値Ｇ１ｍより小さ
いときは、補正図形（Ａ）１１および補正図形（ｂ）１
２を付加しない。
とき、あるいは前記Ｗ値を比較せずに、ゲートの間隔Ｐ
を比較してこのＰ値が設定値Ｐｍより小さいとき、隣接
する補正図形（Ｂ）の間隔Ｇ１が設定値Ｇ１ｍより小さ
いときは、補正図形（Ａ）１１および補正図形（ｂ）１
２を付加しない。
【００２７】前記設定値Ｒｍは、たとえば、露光光の波
長の０．５〜１倍程度に重ね合わせ誤差許容量を加算し
た簡便な値を採用することができる。また、本発明で
は、以下に示すより精密なＲｍ値を用いることができ
る。まず図６に示すように、従来例を示す図７の補正３
１、３２が存在しないレイアウトパターンを用い、実験
またはシミュレーションにより、Ｒ１を求める。すなわ
ち、レジストパターンのコーナーでの丸まり５５によ
り、ゲートの寸法が許容範囲を越えた角３からの範囲で
あるＲ１を求める。このＲ１にプロセス変動誤差および
重ね合わせ誤差許容量を加算して、その値をＲｍとする
ことができる。そしてこの精密なＲｍ値を、多少、大き
めに設定して、大き目のＲｍ値を設定することができ
る。
長の０．５〜１倍程度に重ね合わせ誤差許容量を加算し
た簡便な値を採用することができる。また、本発明で
は、以下に示すより精密なＲｍ値を用いることができ
る。まず図６に示すように、従来例を示す図７の補正３
１、３２が存在しないレイアウトパターンを用い、実験
またはシミュレーションにより、Ｒ１を求める。すなわ
ち、レジストパターンのコーナーでの丸まり５５によ
り、ゲートの寸法が許容範囲を越えた角３からの範囲で
あるＲ１を求める。このＲ１にプロセス変動誤差および
重ね合わせ誤差許容量を加算して、その値をＲｍとする
ことができる。そしてこの精密なＲｍ値を、多少、大き
めに設定して、大き目のＲｍ値を設定することができ
る。
【００２８】この大き目のＲｍを設定する場合には、補
正のパターン部分の数（補正対象数）が増加して補正時
間が多少長くなるが、上記プロセス変動誤差および重ね
合わせ誤差許容量に対して余裕度が増すこととなる。
正のパターン部分の数（補正対象数）が増加して補正時
間が多少長くなるが、上記プロセス変動誤差および重ね
合わせ誤差許容量に対して余裕度が増すこととなる。
【００２９】また、設定値Ｐｍについても実験またはシ
ミュレーションにより求められるが、間隔Ｐが十分に大
きいパターンの場合、たとえば最小ゲート長の１０倍程
度に対して最適な補正図形１１、１２を求める。そして
間隔Ｐが小さいパターンの場合に、この補正図形１１、
１２を付加したときに、配線部分の間隔の幅（角部１か
ら、その右隣の角部までの間の配線層が設けられた間隔
Ｐから幅ｂ２の２倍を引いた幅）が、許容範囲内である
Ｐの下限値をＰｍと設定する。なおこのＰｍ値の代わり
に、後述するＧ２値を用いることができる。
ミュレーションにより求められるが、間隔Ｐが十分に大
きいパターンの場合、たとえば最小ゲート長の１０倍程
度に対して最適な補正図形１１、１２を求める。そして
間隔Ｐが小さいパターンの場合に、この補正図形１１、
１２を付加したときに、配線部分の間隔の幅（角部１か
ら、その右隣の角部までの間の配線層が設けられた間隔
Ｐから幅ｂ２の２倍を引いた幅）が、許容範囲内である
Ｐの下限値をＰｍと設定する。なおこのＰｍ値の代わり
に、後述するＧ２値を用いることができる。
【００３０】また、Ｇ１値は、Ｗ２から、補正図形１２
の幅ａ２の２倍を差し引いた値であり、最大許容範囲に
ある補正図形の幅の値から、Ｇ１ｍ値が求められる。
の幅ａ２の２倍を差し引いた値であり、最大許容範囲に
ある補正図形の幅の値から、Ｇ１ｍ値が求められる。
【００３１】補正図形の大きさは、ゲート方向の辺に対
する補正図形（Ａ）１１の大きさａ１、ｂ１と、ゲート
方向ではない辺に対する補正図形（Ｂ）１２の大きさａ
２、ｂ２とを異なる大きさとし、補正図形（Ａ）１１は
補正図形（Ｂ）１２より小さくする。
する補正図形（Ａ）１１の大きさａ１、ｂ１と、ゲート
方向ではない辺に対する補正図形（Ｂ）１２の大きさａ
２、ｂ２とを異なる大きさとし、補正図形（Ａ）１１は
補正図形（Ｂ）１２より小さくする。
【００３２】（効果）第１に、ゲート部分においてフォ
トレジストの一部分が細くなる悪影響を生ずることな
く、十分な光近接効果補正の効果が得られる。
トレジストの一部分が細くなる悪影響を生ずることな
く、十分な光近接効果補正の効果が得られる。
【００３３】補正図形の大きさを大きくすると、光近接
効果によるフォトレジストの角の丸まりを低減する効果
は大きくなる。しかし、ゲートの一部分が細くなる悪影
響が生ずる。補正図形（Ａ）１１と、補正図形（Ｂ）１
２は、光近接効果補正の効果は同じである。一方、ゲー
トの一部分が細くなる現象に対する影響は、補正図形
（Ａ）１１の方が補正図形（Ｂ）１２より大きい。補正
図形（Ａ）１１を小さくし、補正図形（Ｂ）１２を大き
くすることで、ゲートの一部分が細くなる悪影響を抑え
て、光近接効果補正の効果を向上することが出来る。
効果によるフォトレジストの角の丸まりを低減する効果
は大きくなる。しかし、ゲートの一部分が細くなる悪影
響が生ずる。補正図形（Ａ）１１と、補正図形（Ｂ）１
２は、光近接効果補正の効果は同じである。一方、ゲー
トの一部分が細くなる現象に対する影響は、補正図形
（Ａ）１１の方が補正図形（Ｂ）１２より大きい。補正
図形（Ａ）１１を小さくし、補正図形（Ｂ）１２を大き
くすることで、ゲートの一部分が細くなる悪影響を抑え
て、光近接効果補正の効果を向上することが出来る。
【００３４】第２に、補正が不要な箇所を補正しないこ
とで、パターンデータのサイズ増加を低減する。
とで、パターンデータのサイズ増加を低減する。
【００３５】ゲート幅が大きい場合は、角での丸まりに
よるデバイスの影響は少なく、補正の必要がない。ここ
に補正図形を付加しないことで図形数の増大を低減し、
データサイズの増大を低減する。
よるデバイスの影響は少なく、補正の必要がない。ここ
に補正図形を付加しないことで図形数の増大を低減し、
データサイズの増大を低減する。
【００３６】第３に、図７に示される従来法では、単
に、全ての角を抽出して光近接効果の補正を行ってい
た。従来法では、このように、抽出した角が、どこの位
置にあるのかを分類せずに補正を行っていたにすぎな
い。これに対し、本発明では、抽出した角（コーナー）
のうち、図１または図２に示される条件の角（コーナ
ー）を抽出して適宜分類し、光近接効果の補正を行うよ
うに貼り付ける補正図形のサイズを選択している。そし
て、本発明では、抽出条件に適合しない角については、
従来法に従って、光近接効果の補正を行うことができ、
補正作業をあまり複雑化させずに済む。このように、本
発明においては、補正図形の間隔が狭い場合に、配線が
断線することを防げる。
に、全ての角を抽出して光近接効果の補正を行ってい
た。従来法では、このように、抽出した角が、どこの位
置にあるのかを分類せずに補正を行っていたにすぎな
い。これに対し、本発明では、抽出した角（コーナー）
のうち、図１または図２に示される条件の角（コーナ
ー）を抽出して適宜分類し、光近接効果の補正を行うよ
うに貼り付ける補正図形のサイズを選択している。そし
て、本発明では、抽出条件に適合しない角については、
従来法に従って、光近接効果の補正を行うことができ、
補正作業をあまり複雑化させずに済む。このように、本
発明においては、補正図形の間隔が狭い場合に、配線が
断線することを防げる。
【００３７】そして本発明では、補正図形の間隔が狭い
と配線部分が断線し易くなる。この場合に補正しないこ
とで、配線が断線することを防ぐことができるという効
果を奏することができる。なお角部１、２、３は、最も
近いゲート電極からの位置を基準にしたときに、その一
定距離内にゲート電極が１つ存在するときを１とし、２
つ存在するときを２とし、これら以外の場合（従来の補
正図形を付与するような補正で足りるような位置にある
ときなど）には、３として説明した。また、角部は、外
角を形成する要素であればよく、たとえば点として存在
したり、面積として存在したり、あるいは辺（の一部）
として存在することもある。本発明では、これらいずれ
の場合を含んだ意味で用いられる。
と配線部分が断線し易くなる。この場合に補正しないこ
とで、配線が断線することを防ぐことができるという効
果を奏することができる。なお角部１、２、３は、最も
近いゲート電極からの位置を基準にしたときに、その一
定距離内にゲート電極が１つ存在するときを１とし、２
つ存在するときを２とし、これら以外の場合（従来の補
正図形を付与するような補正で足りるような位置にある
ときなど）には、３として説明した。また、角部は、外
角を形成する要素であればよく、たとえば点として存在
したり、面積として存在したり、あるいは辺（の一部）
として存在することもある。本発明では、これらいずれ
の場合を含んだ意味で用いられる。
【００３８】（他の実施例）第２の実施例を図３に示
す。角２に接する辺はどちらもゲート方向の辺である。
また角２は、両辺方向ともゲートからの距離Ｒ１とＲ２
がＲｍ以下である。この場合は、どちらの方にもゲート
方向の辺に対する補正図形の大きさ" ａ１、ｂ１" を採
用する。また、本発明では、図６に示すような角部３
は、水平方向側では、距離Ｒｍ以内にゲートが存在して
おり、幅がａ２で長さがｂ２である補正図形が採用され
ることとなる。なお、本発明では、この角部３に、補正
図形を貼り付けないでもよい。
す。角２に接する辺はどちらもゲート方向の辺である。
また角２は、両辺方向ともゲートからの距離Ｒ１とＲ２
がＲｍ以下である。この場合は、どちらの方にもゲート
方向の辺に対する補正図形の大きさ" ａ１、ｂ１" を採
用する。また、本発明では、図６に示すような角部３
は、水平方向側では、距離Ｒｍ以内にゲートが存在して
おり、幅がａ２で長さがｂ２である補正図形が採用され
ることとなる。なお、本発明では、この角部３に、補正
図形を貼り付けないでもよい。
【００３９】さらに、変化例として、図２に示したゲー
ト間隔Ｐの制限の代わりに補正図形（Ｂ）１２の間隔Ｇ
２の最小間隔制限を採用することができる。また、Ｇ１
制限の代わりに、配線パターン幅Ｗ２の最小幅制限を加
えてもよい。さらに、補正図形（Ａ）１１は付加せず、
補正図形（Ｂ）１２のみとしてもよい。なお本変形例に
よる補正後のマスクパターンは、図示していないが、図
４と図５の比較からも明らかなように、図６において、
配線層のゲート電極による補正図形の貼り付け部分（白
抜きで表示）がマスクパターンの切り欠き部分となり、
したがって図６の斜線部分が、フォトマスクの訂正後の
パターンとなる。
ト間隔Ｐの制限の代わりに補正図形（Ｂ）１２の間隔Ｇ
２の最小間隔制限を採用することができる。また、Ｇ１
制限の代わりに、配線パターン幅Ｗ２の最小幅制限を加
えてもよい。さらに、補正図形（Ａ）１１は付加せず、
補正図形（Ｂ）１２のみとしてもよい。なお本変形例に
よる補正後のマスクパターンは、図示していないが、図
４と図５の比較からも明らかなように、図６において、
配線層のゲート電極による補正図形の貼り付け部分（白
抜きで表示）がマスクパターンの切り欠き部分となり、
したがって図６の斜線部分が、フォトマスクの訂正後の
パターンとなる。
【００４０】尚、上述の実施形態は本発明の好適な実施
の一例である。但し、これに限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施
が可能である。特に、本実施形態でも、前記ステップＳ
３とＳ４とが、補正図形（Ｂ）と、隣り合う補正図形と
の間隔Ｇ１が設定値Ｇ１ｍ以上か否かを決定するステッ
プＳ３０に置き換えることが好ましく、その他、前記実
施形態と同様に進行する。
の一例である。但し、これに限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施
が可能である。特に、本実施形態でも、前記ステップＳ
３とＳ４とが、補正図形（Ｂ）と、隣り合う補正図形と
の間隔Ｇ１が設定値Ｇ１ｍ以上か否かを決定するステッ
プＳ３０に置き換えることが好ましく、その他、前記実
施形態と同様に進行する。
【００４１】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、請求項
１記載の発明のフォトマスクのパターン形状補正方法
は、配線層のパターンの角が拡散層の外であり、かつゲ
ートからの距離が一定範囲内のパターン形成部分を検索
し、形成されたパターンの角に切り欠きを入れて所定の
補正図形を付加し、パターン形成部分の角部の形状を補
正する。これにより、ゲート部分においてフォトレジス
トの一部分が細くなるという悪影響を生ずることなく、
十分な光近接効果を補正することが可能となる。
１記載の発明のフォトマスクのパターン形状補正方法
は、配線層のパターンの角が拡散層の外であり、かつゲ
ートからの距離が一定範囲内のパターン形成部分を検索
し、形成されたパターンの角に切り欠きを入れて所定の
補正図形を付加し、パターン形成部分の角部の形状を補
正する。これにより、ゲート部分においてフォトレジス
トの一部分が細くなるという悪影響を生ずることなく、
十分な光近接効果を補正することが可能となる。
【図１】（ａ）は、本発明のフォトマスクのパターン形
状補正方法の実施形態の処理手順例を示すフローチャー
トであり、（ｂ）は、（ａ）のステップＳ３とＳ４と置
き換えられるステップＳ３０を示す。
状補正方法の実施形態の処理手順例を示すフローチャー
トであり、（ｂ）は、（ａ）のステップＳ３とＳ４と置
き換えられるステップＳ３０を示す。
【図２】（ａ）は、本発明のフォトマスクのパターン形
状補正方法の実施形態の処理手順例を示すフローチャー
トであり、（ｂ）は、（ａ）のステップＳ３とＳ４とを
置き換えられるステップＳ３０を示す。
状補正方法の実施形態の処理手順例を示すフローチャー
トであり、（ｂ）は、（ａ）のステップＳ３とＳ４とを
置き換えられるステップＳ３０を示す。
【図３】活性層（活性領域）と、配線層の理想的なパタ
ーンを示す図である。
ーンを示す図である。
【図４】補正図形を付した補正後のフォトマスクのパタ
ーンを示す図である。
ーンを示す図である。
【図５】補正図形の構成例を示すパターンレイアウト図
である。
である。
【図６】他の実施形態例の補正図形の構成例を示すパタ
ーンレイアウト図である。
ーンレイアウト図である。
【図７】従来のフォトマスクのパターン形状補正方法例
を示す図である。
を示す図である。
【図８】従来のフォトレジストの形状例を示す図であ
る。
る。
１、２、３ 角部（コーナー部） １１、２１、３１ 補正図形（Ａ） １２、２２、３２ 補正図形（Ｂ） Ｐ ゲートの間隔 Ｒ ゲートからの距離 Ｇ１、Ｇ２ 隣り合う補正図形との間隔 Ｗ ゲートの幅 ａ１、ｂ１ 補正図形（Ａ）の大きさ ａ２、ｂ２ 補正図形（Ｂ）の大きさ ５１、５２ 細り ５５ 配線レジストパターン
Claims (9)
- 【請求項１】 配線層により形成される略水平の外角を
除く外角が存在する配線層の角部に光近接効果によるフ
ォトマスクのパターン形状を補正する方法であって、 ゲート電極と、前記角部とが、所定距離以内にあるとき
には、第１の補正図形を導入し、ゲートと、前記角部と
が、所定距離を越えるときには、第２の補正図形を付与
するよう選択することを特徴とするフォトマスクのパタ
ーン形状補正方法。 - 【請求項２】 拡散層と配線層とが重なるゲート電極を
形成する配線層のフォトマスクのパターン形状補正方法
において、 前記配線層のパターンの角部が拡散層から形成される外
角の頂点近傍にあり、 前記角部は、ゲートからの距離が一定範囲内にあるか否
かを判定し、 前記角部の中央近傍から切り欠きを入れて所定の補正図
形を付加して前記パターン形成部分の角部の形状を補正
することを特徴とするフォトマスクのパターン形状補正
方法。 - 【請求項３】 前記パターンのゲートの幅、ゲートの間
隔、補正図形の間隔、および配線パターン幅の大きさを
基に、前記補正図形の付加の有無を決めることを特徴と
する請求項１または２に記載のフォトマスクのパターン
形状補正方法。 - 【請求項４】 前記補正図形の大きさは、ゲート電極を
配線層内の移動可能な方向と同一方向の辺に対する補正
図形の大きさと、前記方向と異なる方向の辺に対する補
正図形の大きさとを、相互に異なる大きさとしたことを
特徴とする請求項２または３に記載のフォトマスクのパ
ターン形状補正方法。 - 【請求項５】 前記ゲート電極を配線層内で移動可能な
方向と同一方向の辺に対する補正図形の大きさを、当該
方向と異なる方向の辺に対する補正図形の大きさより、
小さくしたことを特徴とする請求項４に記載のフォトマ
スクのパターン形状補正方法。 - 【請求項６】 前記ゲート電極を配線層内で移動可能な
方向と異なる方向の補正図形のみを形成し、前記ゲート
電極を配線層内で移動可能な方向の辺に対する補正図形
を形成しないことを特徴とする請求項４に記載のフォト
マスクのパターン形状補正方法。 - 【請求項７】 略水平の角を除く配線層パターンの外角
を形成する角部が、拡散層外の存在の条件と、ゲート電
極からの距離が所定の設定値内の条件と、ゲート電極同
士の間隔が所定の設定値Ｐｍ以上である条件から選択さ
れる少なくとも１つの条件を採用して角部を抽出するス
テップと、 前記抽出した角部のゲート電極を配線層内で移動可能な
方向の辺に、所定の補正図形Ａを、ゲート方向でない辺
に補正図形Ｂをそれぞれに付加するステップと、 前記補正図形Ｂと隣設する補正図形との間隔Ｇ１が所定
の設定値Ｇ１ｍを超えるか否か（Ｇ１＞Ｇ１ｍ）を判定
するステップと、 前記判定により、Ｇ１＞Ｇ１ｍを満足しない場合には、
前記補正図形Ａ、補正図形Ｂを削除するステップとを有
することを特徴とするフォトマスクのパターン形状補正
方法。 - 【請求項８】 略水平の角を除く配線層パターンの外角
を形成する角部が、拡散層外の存在の条件と、ゲート電
極からの距離が所定の設定値内の条件と、ゲート電極同
士の間隔が所定の設定値Ｐｍ以上である条件から選択さ
れる少なくとも１つの条件を採用して角部を抽出するス
テップと、 前記抽出した角部のゲート電極を配線層内で移動可能な
方向の辺に、所定の補正図形Ａを、ゲート方向でない辺
に補正図形Ｂをそれぞれに付加するステップと、 前記補正図形Ｂと隣設する補正図形との間隔Ｇ１を算出
し、算出された間隔Ｇ１が所定の設定値Ｇ１ｍを超える
か否かを判定するステップと、 前記判定により、Ｇ１＞Ｇ１ｍを満足しない場合には、
前記補正図形Ａ、補正図形Ｂを削除するステップとを有
することを特徴とするフォトマスクのパターン形状補正
方法。 - 【請求項９】 請求項１〜８に記載のフォトマスクのパ
ターン形状補正方法を用いて形成された、修正されたフ
ォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001121073A JP2002006477A (ja) | 2000-04-19 | 2001-04-19 | フォトマスクのパターン形状補正方法および補正されたフォトマスク |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000123702 | 2000-04-19 | ||
| JP2000-123702 | 2000-04-19 | ||
| JP2001121073A JP2002006477A (ja) | 2000-04-19 | 2001-04-19 | フォトマスクのパターン形状補正方法および補正されたフォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002006477A true JP2002006477A (ja) | 2002-01-09 |
Family
ID=26590712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001121073A Pending JP2002006477A (ja) | 2000-04-19 | 2001-04-19 | フォトマスクのパターン形状補正方法および補正されたフォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002006477A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100800706B1 (ko) | 2006-11-29 | 2008-02-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 마스크 패턴 형성 방법 |
| CN101989041B (zh) * | 2009-07-30 | 2012-07-11 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 一种增加二维图形分辨率的方法 |
| CN103365071A (zh) * | 2012-04-09 | 2013-10-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 掩膜板的光学邻近校正方法 |
-
2001
- 2001-04-19 JP JP2001121073A patent/JP2002006477A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100800706B1 (ko) | 2006-11-29 | 2008-02-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 마스크 패턴 형성 방법 |
| CN101989041B (zh) * | 2009-07-30 | 2012-07-11 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 一种增加二维图形分辨率的方法 |
| CN103365071A (zh) * | 2012-04-09 | 2013-10-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 掩膜板的光学邻近校正方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021105 |