CN117631461A

CN117631461A - 光学邻近修正方法及掩膜板

Info

Publication number: CN117631461A
Application number: CN202210976409.1A
Authority: CN
Inventors: 陈洁; 王浩; 王谨恒; 朱斌; 张剑; 曹楠
Original assignee: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd
Current assignee: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd
Priority date: 2022-08-15
Filing date: 2022-08-15
Publication date: 2024-03-01

Abstract

本申请涉及一种提高金属层包孔面积的光学邻近修正方法和掩膜板。包括：获取通孔层版图和金属层版图；对金属层版图中的金属条进行选择性目标尺寸调整，以形成第一版图；对第一版图中的金属条进行金属补偿并形成第二版图，以使金属条能够覆盖通孔；对第二版图进行基于模型的光学邻近效应修正，以形成第三版图。本申请，一方面，保证了金属条能够覆盖通孔，改善了金属层包孔面积不足的问题，保证了不同金属层之间的导通性能，避免了产品失效；另一方面，解决了“避免金属条包孔不足”与“金属条间距不足产品无法量产”之间的矛盾，即：本申请在解决金属条包孔不足的问题的同时，还能够保证产品可以量产。

Description

光学邻近修正方法及掩膜板

技术领域

本申请涉及半导体制造工业中的光刻制程，特别是涉及一种提高金属层包孔面积的光学邻近修正方法及掩膜板。

背景技术

随着集成电路工艺技术节点的不断发展，光刻工艺中曝光图形尺寸不断缩小，为了弥补由光学系统的有限分辨率造成的光学邻近效应，需要对光掩模图形进行光学邻近效应修正(Optical Proximity Correction，OPC)。

在0.11um制程节点的金属层次中，为了有效增加光刻工艺窗口，需要在OPC处理前对金属层设计图形进行选择性目标尺寸调整(Selective Sizing Application，SSA)。选择性目标尺寸调整即根据在特定工艺条件下的实验数据，对不满足line(线宽)、space(线间距)条件限制的金属条进行不同的尺寸调整。示例性的，进行选择性目标尺寸调整时，通常对部分数量金属条进行放大处理，对部分数量金属条进行缩减处理。

然而，上述处理方法易造成金属层包孔面积不足，导致不同金属层之间的导通性能差甚至失效，降低了产品的良率。

发明内容

基于此，有必要针对上述至少一个技术问题提供一种提高金属层包孔面积的光学邻近修正方法和掩膜板。

为了实现上述目的或其他目的，第一方面，本申请提供了一种提高金属层包孔面积的光学邻近修正方法，包括：

获取通孔层版图和金属层版图；其中，所述金属层版图包括多条间隔排布的金属条，所述通孔层版图包括与所述金属条相交叠的通孔；

对所述金属层版图中的所述金属条进行选择性目标尺寸调整，以形成第一版图；

对所述第一版图中的所述金属条进行金属补偿并形成第二版图，以使所述金属条能够覆盖所述通孔；

对所述第二版图进行基于模型的光学邻近效应修正，以形成第三版图。

在其中一个实施例中，所述金属补偿的位置与所述通孔的位置相对应，所述金属补偿的补偿尺寸与所述通孔的目标尺寸相同。

在其中一个实施例中，根据所述通孔的设计尺寸与所述通孔的单边缩小尺寸确定所述通孔的目标尺寸。

在其中一个实施例中，所述对所述金属层版图中的所述金属条进行选择性目标尺寸调整，以形成第一版图的步骤，具体包括：

对符合缩边规则的第一金属条进行缩边处理，对符合扩边规则的第二金属条进行扩边处理。

在其中一个实施例中，所述对所述第一版图中的所述金属条进行金属补偿并形成第二版图，以使所述金属条能够覆盖所述通孔的步骤，具体包括：

对所述第一金属条进行金属补偿，以使所述第一金属条能够覆盖所述通孔。

选取所述第一金属条中的第一子金属条，其中，与所述第一子金属条所交叠的所述通孔在该所述第一子金属条上的正投影的外轮廓，突出于该所述第一子金属条的外轮廓；

对所述第一子金属条进行金属补偿，以使所述第一子金属条能够覆盖所述通孔。

选取所述第一金属条中的第二子金属条，其中，与所述第二子金属条所交叠的所述通孔在该所述第二子金属条上的正投影的外轮廓突出于该所述第二子金属条的外轮廓，且该所述通孔突出的部分的面积与该所述通孔的面积之比大于第一预设阈值；

对所述第二子金属条进行金属补偿，以使所述第二子金属条能够覆盖所述通孔。

在其中一个实施例中，所述第一预设阈值的范围介于0.05-0.2。

在其中一个实施例中，所述对所述第二版图进行基于模型的光学邻近效应修正，以形成第三版图的步骤之后，还包括：

对所述第三版图与设计版图进行图形比对，若二者之间的偏差大于第二预设阈值，则对所述第三版图进行基于模型的光学邻近效应修正，并形成第四版图。

第二方面，本申请提供了一种掩膜板，所述掩膜板根据第一方面中任一实施例所述的提高金属层包孔面积的光学邻近修正方法得到的第三版图制成。

上述提高金属层包孔面积的光学邻近修正方法和掩膜板，通过在金属层版图的选择性目标尺寸调整的步骤之后，增加对金属条进行金属补偿的步骤，从而避免金属条在选择性目标尺寸调整后造成的覆盖面积不足。一方面，保证了金属条能够覆盖通孔，改善了金属层包孔面积不足的问题，保证了不同金属层之间的导通性能，避免了产品失效；另一方面，解决了“避免金属条包孔不足”与“金属条间距不足产品无法量产”之间的矛盾，即：本申请在解决金属条包孔不足的问题的同时，还能够保证产品可以量产。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或示例性实施例中的技术方案，下面将对实施例或示例性实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请提供的金属层版图在初始状态下的示意图；

图2为一种示例性的金属层版图在SSA后的示意图；

图3为另一种示例性的金属层版图在SSA后的示意图；

图4为本申请实施例提供的提高金属层包孔面积的光学邻近修正方法的流程示意图；

图5为本申请实施例提供的提高金属层包孔面积的光学邻近修正方法中所得第二版图的示意图；

图6为本申请实施例提供的三种不同方法在OPC后的仿真对比示意图。

附图标记说明：

1-金属条；2-通孔；3-金属补偿块。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。

应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分，这些元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分与另一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分。因此，在不脱离本申请教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层、掺杂类型或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

正如背景技术所述，为了有效增加光刻工艺窗口，需要在OPC(Optical ProximityCorrection，光学邻近效应修正)处理前对金属层设计图形进行选择性目标尺寸调整(Selective Sizing Application，SSA)。选择性目标尺寸调整即根据在特定工艺条件下的实验数据，对不满足line(线宽)、space(线间距)条件限制的金属条进行不同的尺寸调整。示例性的，进行选择性目标尺寸调整时，通常对部分数量金属条进行放大处理，对部分数量金属条进行缩减处理，其中，“放大处理”指对金属条扩边以增大金属条的尺寸，“缩减处理”指对金属条缩边以减小金属条的尺寸。

请参照表1，所示为某工艺条件下的选择性目标尺寸调整表格，以表1中的数据作为案例进行说明。

表1某工艺条件下的选择性目标尺寸调整数据表

在表1中，负值表示金属条需要进行缩边(缩减)处理，正值表示金属条需要进行扩边(放大)处理，0表示金属条不需要处理。通过表1可知，金属条的缩边量从0.005μm到0.025μm不等。参照图1所示，以图1中的金属条1为例，图中较窄的金属条1的条宽(line)为0.155μm，间距(space)为0.155μm，根据表1可知，该较窄的金属条1不需要进行处理；图中较宽的金属条1的条宽(line)为0.363μm，间距(space)为0.155μm，根据表1可知，该较宽的金属条1需要进行缩边处理，缩边尺寸为0.02μm。从图中可以看出，通孔2与金属条1的边之间的最小距离为0.005μm，这意味着，如果按照表1中的数据进行缩边处理，必然存在包孔面积不足的问题。

在一种示例性的技术中，为了避免包孔面积不足，在缩边处理时，对条宽缩减的量进行控制，以使金属条1刚好覆盖通孔2。参照图2所示，金属条1的缩边量为0.005μm，并且金属条1刚好能够完全覆盖通孔2。但是这种方法导致光刻工艺窗口(space)不足，导致产品无法量产。

在另一种示例性的技术中，参照图3所示，为了保证光刻工艺窗口，直接按照光刻工艺窗口需求对金属条1缩边0.02μm，缩边后通孔2露出的长度为0.015μm，计算可知，通孔2露出的面积为0.0021μm²，通孔2总面积为0.0196μm²，漏在金属条1外的面积超过了通孔2总面积的10％，这会导致产品失效和可靠性问题。

鉴于上述至少一个技术问题，本申请实施例提供一种提高金属层包孔面积的光学邻近修正方法和掩膜板。

第一方面，本申请实施例提供一种提高金属层包孔面积的光学邻近修正方法，参照图4所示，该提高金属层包孔面积的光学邻近修正方法包括如下步骤：

S10：获取通孔层版图和金属层版图。其中，金属层版图包括多条间隔排布的金属条，通孔层版图包括与金属条相交叠的通孔。该金属层版图和通孔层版图是根据半导体制造工艺要求设计的版图，进行生产半导体时则是根据这些版图数据相应生产出半导体晶圆。可以理解的是，通孔层版图与金属层版图彼此套准时，通孔层版图的通孔与金属层版图的金属条相交叠。

S20：对金属层版图中的金属条进行选择性目标尺寸调整，以形成第一版图。

可以理解的是，在进行选择性目标尺寸调整时，通常可能会对部分数量金属条进行缩边处理，对部分数量金属条进行扩边处理。也可以认为：对符合缩边规则的第一金属条进行缩边处理，对符合扩边规则的第二金属条进行扩边处理。缩边规则和扩边规则可以参照表1所示，假设某第一金属条的条宽(line)为0.5μm，间距(space)为0.18μm，那么通过查询表1可知，该金属条需要进行缩边处理，缩边值为0.01μm；或，假设某第二金属条的条宽(line)为0.175μm，间距(space)为0.9μm，那么通过查询表1可知，该金属条需要进行扩边处理，扩边值为0.02μm。

S30：对第一版图中的金属条进行金属补偿并形成第二版图，以使金属条能够覆盖通孔。

需要说明的是，金属补偿指对金属条进行补偿，可以认为是对金属条的面积进行补偿，以使金属条的面积足够覆盖通孔，以避免金属条的面积不足导致金属条包孔不足(对通孔的覆盖不足)。

S40：对第二版图进行基于模型的光学邻近效应修正，以形成第三版图。

在这个步骤中，首先需要根据工艺规格，确定光刻工艺参数。

需要说明的是，由于生产不同的半导体器件，所使用到的光刻工艺具有很大差别，即使在同一半导体器件在制作过程中，也需要进行多道光刻工艺，比如TO(有源区层次)，GT(栅氧层次)，An(金属连线层次)等。在这些不同层次上进行的光刻工艺，所使用到的工艺规格都不相同，因此先要根据所需要实现的器件功能确定半导体器件的工艺规格，并根据工艺要求，确定图形的特征尺寸。

在得到工艺规格之后，还需要确定光刻工艺的具体参数，光刻工艺具体参数包括曝光光路的光学参数、光刻胶的材料参数以及刻蚀工艺的化学参数。曝光光路的光学参数主要指光路的数值孔径、缩放倍率以及曝光光源等具体参数。光刻胶的材料参数主要是指光刻胶材料的分辨率、曝光速率、光敏度等具体参数。刻蚀工艺的化学参数主要是指刻蚀剂的酸碱性以及化学性质等具体参数。由于制作不同等级特征尺寸所采用到的光刻工艺不同，因此需要对光刻工艺参数有个明确的定位。

在确定完光刻工艺参数后，可以在工厂的数据库中调取相应的OPC模型，并编写OPC处理程序。最后对第二版图进行OPC处理，以得到修正后的版图(第三版图)。

本申请实施例提供的提高金属层包孔面积的光学邻近修正方法，通过在金属层版图的选择性目标尺寸调整的步骤之后，增加对金属条进行金属补偿的步骤，从而避免金属条在选择性目标尺寸调整后造成的覆盖面积不足。一方面，保证了金属条能够覆盖通孔，改善了金属层包孔面积不足的问题，保证了不同金属层之间的导通性能，避免了产品失效；另一方面，解决了“避免金属条包孔不足”与“金属条间距不足产品无法量产”之间的矛盾，即：本申请在解决金属条包孔不足的问题的同时，还能够保证产品可以量产。

在其中一个实施例中，S40：对第二版图进行基于模型的光学邻近效应修正，以形成第三版图的步骤之后，还包括：

S50：对第三版图与设计版图进行图形比对，若二者之间的偏差大于第二预设阈值，则对第三版图进行基于模型的光学邻近效应修正，并形成第四版图。

作为一个实施例，在比对过程中，可以比对第三版图得到的仿真图形尺寸(CD)与设计版图上图形尺寸(CD)，若二者之间的偏差大于第二预设阈值，则认为第三版图的偏差较大，需要对第三版图进行光学邻近效应修正，以提升前述S40中光学邻近效应修正的精度，同时还能够避免金属补偿后金属条边缘较小的凸起(jog)引起的金属条误修正。作为一个实施例，金属条边缘较小的凸起(jog)为小于5nm的凸起，引起的金属条误修正为引起金属条的修正偏差大，可能会引起金属条的夹断(pinch)。

若二者之间的偏差小于第二预设阈值，则表明：金属条未进行金属补偿的部分的图形在光学邻近效应修正时不受金属补偿的影响，此时，不需要对第三版图进行处理。可以理解的是，该步骤中的光学邻近效应修正的方法与S40中的光学邻近效应修正的方法相同，本申请实施例在此不再赘述。

需要说明的是，第二预设阈值可以是一个比值，本申请实施例对第二预设阈值的具体数值不作限定，第二预设阈值可以根据实际工艺进行确定。

在其中一个实施例中，金属补偿的位置与通孔的位置相对应，金属补偿的补偿尺寸与通孔的目标尺寸相同。在这里，“金属补偿的补偿尺寸与通孔的目标尺寸相同”可以理解为：金属补偿的面积等于通孔的面积，即：金属补偿为通孔的等面积补偿。

可以理解的是，通孔在金属条上具有对应的位置，通过对金属条上通孔所对应的位置进行等面积的金属补偿，一方面可以使金属层足够覆盖通孔，另一方面可以最大程度保证金属条的间距(space)，以满足光刻工艺窗口需求。

在一个实施例中，在进行金属补偿时，可以对所有的金属条进行金属补偿，在这里，“所有的金属条”指对应有通孔的金属条，假设有的金属条并未对应通孔，那么不对这种金属条进行金属补偿。在这种实施方式中，第一金属条、第二金属条以及未处理(未扩边和缩边)的金属条均进行了金属补偿。可以理解的是，第二金属条和未处理的金属条即使不进行金属补偿，也能够覆盖通孔，但是对这两种金属条进行等面积的金属补偿，也不会影响这两种金属条的尺寸，因为金属补偿的覆盖面积与这两种金属条本身重叠。

在其中一个实施例中，根据通孔的设计尺寸与通孔的单边缩小尺寸确定通孔的目标尺寸。

需要说明的是，工厂端通常无法直接获得通孔的目标尺寸，该目标尺寸指通孔刻蚀后的尺寸，因此，只能通过通孔的设计尺寸以及通孔的单边缩小尺寸来得出。作为一个实施例，通孔的目标尺寸可以通过公式(1)计算得出。

L₃＝L₁-2L₂ 公式(1)

其中，L₁表示通孔的设计尺寸，L₂表示通孔的单边缩小尺寸，L₃表示通孔的目标尺寸。

参照图5所示，本申请实施例在金属条1上与通孔2对应的位置设置金属补偿块3，以实现对金属条1的补偿。一方面该金属补偿块3的尺寸和通孔2的尺寸相同，另一方面该金属补偿块3的中心和通孔2的中心重合。从图5可以看出，一部分金属补偿块3伸出于金属条1的边，覆盖通孔2裸露的部分，另一部分金属补偿块3和金属条1重叠。

需要说明的是，本申请的发明人对一种示例性的技术的OPC处理结果、另一种示例性的技术的OPC处理结果以及本申请提供的方法的OPC处理结果分别进行了仿真，仿真结果对比图参照图6所示，其中，a1表示本申请的方案，a2表示一种示例性的技术，a3表示另一种示例性的技术。通过图6可知，本申请提供的方法既能够保证金属条1对通孔2足够覆盖，又能够保证金属条1之间的间距(space)以满足光刻工艺窗口要求。

在其中一个实施例中，S30：对第一版图中的金属条进行金属补偿并形成第二版图，以使金属条能够覆盖通孔的步骤中，具体包括：

S31：对第一金属条进行金属补偿，以使第一金属条能够覆盖通孔。

可以理解的是，导致金属条包孔面积不足的主要原因在于：对第一金属条进行缩边处理后，导致第一金属条不能完全覆盖通孔。在该实施例中，针对性地对缩边处理后的第一金属条进行金属补偿，以增大第一金属条的覆盖面积，保证第一金属条能够覆盖通孔。这样，大大减少了需要进行金属补偿的金属条数量，从而减少了金属补偿的工作量，缩短了金属补偿的时间。

S31：选取第一金属条中的第一子金属条，其中，与第一子金属条所交叠的通孔在该第一子金属条上的正投影的外轮廓，突出于该第一子金属条的外轮廓。也可以理解为：将第一金属条中不能完全覆盖通孔的那一部分第一金属条归类为第一子金属条。

S32：对第一子金属条进行金属补偿，以使第一子金属条能够覆盖通孔。

可以理解的是，在第一金属条中，可能存在一部分第一金属条在进行缩边处理后，还能够完全覆盖通孔。因此，在该实施例中，将还能够覆盖通孔的这部分第一金属条忽略，只对第一子金属条进行金属补偿，以增大第一子金属条的覆盖面积，保证第一子金属条能够覆盖通孔。这样，大大减少了需要进行金属补偿的金属条数量，从而减少了金属补偿的工作量，缩短了金属补偿的时间。

在其中另一个实施例中，S30：对第一版图中的金属条进行金属补偿并形成第二版图，以使金属条能够覆盖通孔的步骤中，具体包括：

S31：选取第一金属条中的第二子金属条，其中，与第二子金属条所交叠的通孔在该第二子金属条上的正投影的外轮廓突出于该第二子金属条的外轮廓，且该通孔突出的部分的面积与该通孔的面积之比大于第一预设阈值。也可以理解为：将第一金属条中对通孔覆盖较差(通孔裸露面积较多)的那一部分第一金属条归类为第二子金属条，其中，通孔裸露的面积和通孔的总面积之比大于第一预设阈值时，认为通孔的裸露面积较多。

S32：对第二子金属条进行金属补偿，以使第二子金属条能够覆盖通孔。

在该实施例中，将能够覆盖通孔绝大部分面积的第一金属条忽略，因为该部分第一金属条对通孔的覆盖面积较大，不足以影响不同金属层之间的导通性能。只对第二子金属条进行金属补偿，因为第二子金属条对通孔的覆盖较差，会影响不同金属层之间的导通性能。这样，大大减少了需要进行金属补偿的金属条数量，从而减少了金属补偿的工作量，缩短了金属补偿的时间。

在其中一个实施例中，第一预设阈值的范围介于0.05-0.2，其中，该第一预设阈值可以是0.05、0.08、0.1、0.15、0.2等，本申请实施例对第一预设阈值的具体数值不作限定，在实际中可以在上述范围内进行任意选择。

应该理解的是，虽然图4的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图4中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

第二方面，本申请实施例提供一种掩膜板，掩膜板根据第一方面中任一实施例的提高金属层包孔面积的光学邻近修正方法得到的第三版图制成。

上述根据第三版图制成的掩膜板，在制作第三版图的过程中，通过在金属层版图的选择性目标尺寸调整的步骤之后，增加对金属条进行金属补偿的步骤，从而避免金属条在选择性目标尺寸调整后造成的覆盖面积不足。一方面，保证了金属条能够覆盖通孔，改善了金属层包孔面积不足的问题，保证了不同金属层之间的导通性能，避免了产品失效；另一方面，解决了“避免金属条包孔不足”与“金属条间距不足产品无法量产”之间的矛盾，即：本申请在解决金属条包孔不足的问题的同时，还能够保证产品可以量产。

在本说明书的描述中，参考术语“有些实施例”、“其他实施例”、“理想实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。

上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims

1.一种提高金属层包孔面积的光学邻近修正方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的提高金属层包孔面积的光学邻近修正方法，其特征在于，所述金属补偿的位置与所述通孔的位置相对应，所述金属补偿的补偿尺寸与所述通孔的目标尺寸相同。

3.根据权利要求2所述的提高金属层包孔面积的光学邻近修正方法，其特征在于，根据所述通孔的设计尺寸与所述通孔的单边缩小尺寸确定所述通孔的目标尺寸。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的提高金属层包孔面积的光学邻近修正方法，其特征在于，所述对所述金属层版图中的所述金属条进行选择性目标尺寸调整，以形成第一版图的步骤，具体包括：

5.根据权利要求4所述的提高金属层包孔面积的光学邻近修正方法，其特征在于，所述对所述第一版图中的所述金属条进行金属补偿并形成第二版图，以使所述金属条能够覆盖所述通孔的步骤，具体包括：

6.根据权利要求4所述的提高金属层包孔面积的光学邻近修正方法，其特征在于，所述对所述第一版图中的所述金属条进行金属补偿并形成第二版图，以使所述金属条能够覆盖所述通孔的步骤，具体包括：

7.根据权利要求4所述的提高金属层包孔面积的光学邻近修正方法，其特征在于，所述对所述第一版图中的所述金属条进行金属补偿并形成第二版图，以使所述金属条能够覆盖所述通孔的步骤，具体包括：

8.根据权利要求7所述的提高金属层包孔面积的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一预设阈值的范围介于0.05-0.2。

9.根据权利要求1-3中任一项所述的提高金属层包孔面积的光学邻近修正方法，其特征在于，所述对所述第二版图进行基于模型的光学邻近效应修正，以形成第三版图的步骤之后，还包括：

10.一种掩膜板，其特征在于，所述掩膜板根据权利要求1-9中任一项所述的提高金属层包孔面积的光学邻近修正方法得到的第三版图制成。