TWI326775B - Liquid crystal display device and method for manufacturing the same - Google Patents

Description

1326775 0) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種被動矩陣或主動矩陣的液晶顯示裝 置。具體地，本發明係關於一種擁有透明和反射液晶顯示 裝置二者的功能特性的透射反射式液晶顯示裝置的電極結 構。 【先前技術】 近年來，對於以行動電話爲代表的手持終端的爆炸式 發展，非常需要適應於它們的使用環境的改變、功率節約 和重量降低的顯示器。 從實現厚度減少和重量降低的觀點出發，在本領域中 液晶顯示器（LCD )裝置或有機電致發光（EL )顯示裝置 可以是最有前途的。 透明液晶顯示器（LCD )裝置的特徵在於它的低功耗 僅用於起動它的顯示裝置。然而，在此情況下，液晶自身 不發光。因此，當在這種顯示裝置中利用它用於在其上提 供資訊或圖形時液晶就需要背光。在行動電話的使用中， 通常提供電致發光（EL )的背光。然而，這種EL背光需 要額外的電功率量。因此，很難以充分的方式利用液晶的 '節約功率的特徵，以致EL背光具有在降低功耗上的缺點 。在黑暗的環境下，可以在顯示裝置的螢幕上觀看優良對 比度的顯示。然而，在通常明亮的環境下，就不能很好地 觀看這種顯示。因此，在上輸出系統或下輸出系統的任何 -6 - (2) · (2) ·1326775 —種情況下，對不同使用環境的適應性都是不夠的。 此外，有機EL顯示裝置的特徵在於顯示元件自身發 光。有機EL顯示裝置的功耗大於反射式液晶顯示裝置的 功耗，但小於透明液晶顯示裝置（具有背光）的功耗。正 如在透明液晶顯示裝置的情況中，在黑暗的環境下能夠在 顯示裝置的螢幕上淸楚地觀看顯示。然而，在通常明亮的 環境下，就不能有效地觀看這種顯示。因此，在上輸出系 統或下輸出系統的任何一種情況下，對不同使用環境的適 應性都是不夠的。 此外，反射式液晶顯示裝置利用來自環境的外部光作 爲用於顯示的光。因此，在顯示器側就基本上不需要背光 。換句話說，僅需要用於驅動液晶和驅動電路的功率。因 此1就肯定地獲得了節約的功耗。然而，與前面的顯示裝 ®相反’在明亮的環境下能夠淸楚地觀看顯示，但在黑暗 @環境下則不能淸楚地觀看顯示。考慮到掌上型終端的用 @ ’它們主要用於室外並且在大多數情況下可以在比較明 壳的環境下觀看它們的螢幕上的顯示。然而，在此情況下 ’對不同使用環境的適應性仍然不夠。因此，在一些商業 -t可得到的掌上型終端中安裝正面光的裝置以致可以將它 置爲在黑暗的環境下能夠提供顯示的反射式顯示裝置 〇 而且’請注意透射反射式液晶顯示裝置，因爲它構成 胃透明和反射式液晶顯示裝置兩者的組合以至具有它們的 ί憂Ιέ °在亮的環境下，透射反射液晶顯示裝置利用反射 -7 - (3) * (3) *1326775 型的功耗節約的特性和良好的可見度，而在黑暗的環境下 ，它就利用採用背光的透明型優良對比度的特性。 在日本專利平公開No. Π-] 0 1 992中揭示一種透射反 射液晶顯示裝置。在該文件中，公開了兩種用途類型（透 射反射型）的反射透明液晶顯示裝置，該裝置整合有藉由 它反射外側光的反射部分和透射來自背光的光藉由它透射 到單個顯示器圖素上的透明部分。當環境完全黒暗時，它 就作爲兩種用途類型的液晶顯示裝置，此處利用從背光發 射並穿過透明部分的光和來自由具有較高反射率的薄膜形 成的反射部分反射的光在螢幕上觀看顯示。當外側光很好 地照亮裝置時，它就作爲反射型液晶顯示裝置，此處利用 來自具有較高反射率的薄膜形成的反射部分反射的光在螢 幕上觀看顯示。 此外，在透射反射型液晶顯示裝置中，特別是在允許 螢幕上反射顯示的反射部分上提供具有光漫射性能的特殊 凹凸不平結構（例如，凸出和凹陷）。在反射電極的情況 下，由於它的結構設計，限制了在反射電極表面上在某一 方向上以某一入射角入射的光，以致可僅以一特定方向上 (Snell定律）的特定輸出角度從電極反射光。因此，當 反射電極表面平坦時，相對於入射光的角度和方向就具體 地限定了輸出光的角度和方向。在這種條件下製造的任何 顯示裝置就顯示爲一種具有非常差的可見度的顯示。 此外，在透明和反射液晶顯示器中，濾色器的佈局是 引起視差和模糊影像的原因之一。 -8- (4) · (4) ·1326775 例如，在如圖1 6 A所示的透明液晶顯示板的情況下 ’它通常包括具有作爲圖素電極提供的第一電極（透明電 極）16〇2的第一基底（裝置基底）16〇]、具有作爲相對 電極提供的第二電極（透明電極）1606的第二基底（相 對基底）1603、和液晶層1607，其中在第二基底（相對 基底）1 603和第二電極（透明電極）16〇6之間形成黑色 矩陣（BM) ( 1) 1604和濾色器1605。 爲了獲得較高解析度，與圖1 6 A中所示的結構比較 ，可以提供如圖1 6 B中所示的L C D板的替代結構。 在透明LCD板中，裝配BM典型地用於隱藏當驅動 液晶時由於液晶取向的不規則性引起的光的逃逸。在相對 基底側面上形成B Μ和濾色器的情況下，通常，假定在形 成液晶顯示裝置的技術中，在將這些基底組合在一起的步 驟期間’裝置基底和相對基底在預定範圍內偏離，通常， 限定Β Μ的尺寸以便稍微大於它的預定範圍之內的預定尺 寸作爲餘量。 因此’如圖1 6Β所示，在高精度板中，犧牲開口部分 (開口部分（2 ))以保證上述餘量（ΒΜ餘量（2 ))， 以致將導致數値孔徑的嚴重下降。 因此’作爲用於解決隨著解析度的提高數値孔徑降低 問題的方法’應當考慮在第一基底（裝置基底）1 62 i上 形成遽色器1623，如圖】6C中所示。 在圖16C所示的情況下，就不需要提供具有防止層疊 誤差的餘量的BM (3)，因此不犧牲數値孔徑就可以獲 (6) · (6) ·1326775 (5 )，所以不犧牲數値孔徑就可以形成開口部分（未示 出）。此外，與圖〗7A比較，入射光和輸出光穿過形成 在同一圖素上的濾色器的比率就增加。 然而，在此情況下，存在另一個問題，即因爲藉由將 液晶層1 7 ] 7和濾色器1 7 1 4重疊在一起獲得的疊置結構， 有效外加電壓下降，且濾色器1714構成部分圖素電容。 可以說，透射反射式液晶顯示裝置是一種顯示器，其 可以適應於稱爲掌上型終端的特殊使用條件。特別地，藉 由將來應用於行動電話，預期的巨大需求是可期望的。爲 了保證穩定的需要或處理巨大需要，很淸楚存在降低成本 的需要。 然而，爲了形成的如上所述的凹凸不平結構，需要提 供一種方法，其中在將位於反射電極之下的層上形成凹凸 不平結構之後設置反射電極。在此技術中，爲了完成這種 結構’因爲需要用於形成凹凸不平結構的構圖，所以增加 了步驟數量。步驟數量的增加將産生包括百分産率降低、 技術時間延長以及成本增加的不利情況。 因此，本發明的一個目的是提供一種具有凹凸不平結 構的反射電極的透射反射式液晶顯示裝置，在不增加技術 步驟數量情況下形成該透射反射式液晶顯示裝置。 此外，本發明的另一個目的是提供一種藉由較佳化濾 色器的排列具有良好可見度的透射反射式液晶顯示裝置， 而對於透射反射液晶顯示裝置當製造透明或反射式液晶顯 示裝置時，濾色器卻成爲爭論的部份。 -11 - (7) · (7) ·1326775 【發明內容】 根據本發明，爲瞭解決上述缺點，提供一種不特別增 加額外的構圖步驟而附加地形成的凹凸不平結構，在製造 透射反射式液晶顯示裝置的技術中該構圖步驟用於形成這 種凹凸不平結構。 此外，根據本發明’提供一種結構，該結構不僅用於 較佳化濾色器的佈置以便改善透射反射式液晶顯示裝置的 優良可見度’而且用於形成濾色器而不增加影響顯示器的 電容。 本發明的一個觀點是提供一種液晶顯示裝置，包括在 絕緣表面上形成的多個島圖形 '在多個島圖形上形成的濾 色器和在濾色器上形成的透明導電膜。 在上述結構中，藉由蝕刻在絕緣表面上形成的反射導 電膜可以形成多個島圖形。此外，由反射導電膜形成多個 島圖形，以致多個島圖形具有反射入射光的功能。 在本發明中，可以形成濾色器以便被夾在多個島圖形 和透明導電膜製造的透明電極之間。因此，與圖1 7中所 示的習知的液晶顯示器比較，或在由多個島圖形進行反射 顯示的情況下或在由透明電極進行顯示的情況下，有可能 防止當由所需的圖素顯示穿過濾色器的光時位置的位移。 在本發明的透射反射式液晶顯示裝置中，當在它們藉 由濾色器重疊的位置上形成多個島圖形和透明電極時，光 可在多個島圖形上反射。另一方面，當在它不能藉由濾色 器與透明電極重疊的位置上形成多個島圖形時，光穿過透 -12- (8) · 1326775 明電極。 因此，本發明的結構具有反射性和透明性的兩種 的特性。此外，它還具有在具有反射性的部分上形成 不平結構的能力。 此外，反射導電膜可以是相對於400至80〇ηΠ1 (可見光區）的垂直反射特性具有75%或更大反射率 電膜。 本發明的另一個觀點是提供一種液晶顯示裝置， 在基底上形成的薄膜電晶體、藉由蝕刻反射導電膜製 在薄膜電晶體上藉由絕緣膜形成的接線和多個島圖形 多個島圖形上形成的濾色器、以及在濾色器上形成的 導電膜，其中接線建立薄膜電晶體和透明導電膜之間 連接。 在上述每種結構中，當同時一起蝕刻由反射導電 造的多個島圖形和接線時，可以減少通常用於形成凹 平結構的光微影技術中的步驟數量。因此，就可以獲 著的成本降低和産量的提高。 此外，以隨機方式實施多個島圖形的形成和排列 而，較佳的，可以處理藉由蝕刻反射導電膜形成的島 以致更加減少圖形端部的錐形角以便提高反射功能。 在圖素部分中，由透明導電膜製造的多個島圖形 據面積的百分比可以是由圖素部分所占面積的50至 〇 此外，可以形成在濾色器上形成的透明電極以便 類型 凹凸 波長 的導 包括 備的 、在 透明 的電 膜製 凸不 得顯 。然 圖形 所佔 9 0% 被連 -13- (9) (9) 1326775 接到先前形成的接線。 本發明的另一個觀點是提供一種液晶顯示裝置，包括 :第一基底，藉由蝕刻在第一基底之上的絕緣表面上形成 的反射導電膜製備的接線和多個島圖形、在多個島圖形上 形成的濾色器、在濾色器上形成的第一透明導電膜 '具有 第二透明導電膜的第二基底、和液晶，其中第一透明導電 膜和接線彼此電連接，第一基底的形成薄膜的表面和第二 表面的形成薄膜的表面彼此面對，並且液晶夾在第一基底 和第二基底之間。 此外，本發明的再一個觀點是提供一種液晶顯示裝置 ’包括：第一基底，在第一基底上形成的薄膜電晶體，藉 由蝕刻反射導電膜製備的在薄膜電晶體之上藉由絕緣膜形 成的接線和多個島圖形，在多個島圖形上形成的濾色器， 在濾色器上形成的第一透明導電膜，具有第二透明導電膜 的第二基底，和液晶，其中接線建立薄膜電晶體和第一透 明導電膜之間的電連接，第一基底的形成薄膜的表面和第 二表面的形成薄膜的表面彼此面對，且液晶夾在第一基底 和第二基底之間。 根據本發明，在島圖形上形成濾色器，藉由蝕刻第一 基底之上的反射導電膜形成該島圖形，並且形成液晶以使 液晶被夾在具有濾色器之上形成的透明導電膜的第一基底 和具有相對電極的第二基底之間，直接面向它們內部的形 成薄膜的表面。因此，提供一種結構，此處透明電極夾在 絕緣材料製造的濾色器和液晶之間，以致能夠減少濾色器 -14 - (10) (10)1326775 形成的電容。 【實施方式】 以下參照圖1說明本發明的—個較佳實施例。在基底 1 0 1上形成半導體層】05。利用藉由熱處理來晶化非晶半 導體層而製備的多晶半導體層形成半導體層105。在本實 施例中’半導體層1 〇 5形成有大約，3 〇 _ 7 5 〇 n m的厚度。此 外’在半導體層1〇5上形成閘極絕緣膜1〇6。這裏，由 3G-l〇〇nm厚度的氧化矽層形成閘極絕緣膜106〇 此外，由閘極絕緣膜1 0 6上的相同層形成閛極電極 ]07和電容器接線1 〇8。此外，在閘極絕緣膜〗06上進一 步形成含有氧化矽膜的第一絕緣膜]09和含有丙烯膜的第 二絕緣膜1 1 〇。可以採用含矽無機材料例如氮化矽膜、矽 的氮化氧化物膜和塗覆氧化矽膜（S 0 G :玻璃上旋塗）作 爲將形成第一絕緣膜】0 9的材料來替代氧化矽膜。此外， 可以採用有機材料例如聚醯亞胺、聚醯胺和B C B (苯並環 丁烯（benzocyclobutene))作爲第二絕緣膜1]0來替代 丙烯膜（包括光敏丙烯）。 接線 Η 2是一個電極，其與薄膜電晶體（TFT ) 1 1 7 的源區]〇2接觸，其亦爲源極接線。此外，接線1 1 3是與 TFT 1 ] 7的汲區接觸的一個電極。 在半導體層中’形成源區102'汲區103和通道 形成區1〇4。此外，在與電容108重疊而除源區1〇2和汲 區103之外的位置處形成的半導體層105作爲電容元件的 -15- (11) · (11) ·1326775 一個電極。 此外，由與形成接線1〗2、]13的導電膜相同的薄膜 形成具有多個島圖形的反射器。換句話說，反射器1 1 4具 有由不規則形狀和排列而形成的島形結構以便具有散射反 射器I 1 4的表面上入射的光的功能。 此外，本發明中形成的反射器具有不規則形狀的島圖 形，並且爲了藉由將反射器2 04上入射的光的角度（入射 角）與反射器反射的光的角度（反射角）偏移來散射光， 如圖2 A中所示，不規則地定位它的島圖形。 此外，在本發明中，偏移入射角和反射角的重點是構 成反射電極的反射器的每個島圖形的形狀。在圖2B中， 表示每個反射器島的錐形傾斜表面（反射表面）2 1 0相對 於基底表面（標準表面）2 II傾斜些微角。這裏，這種角 限定爲雖形（taper)角（61 ) 212。 在本實施例中，形成反射器以致錐形角（0 ) 212包 含在5-60°的範圍內。因此，藉由散射光，藉由將相對於 錐形的錐形傾斜表面（反射表面）2〗0的輸出角與相對於 基底表面（標準表面）的輸出角偏移，就能夠提高面板的 可見度。 圖2C分別顯示相對於沒有傾斜的反射表面的入射光 2 1 3和反射光2 1 4的狀態。在附圖中，“ ain”表示相對於 標準表面211的入射方向，“ a<)U,”表示相對於標準表面 2Π的輸出方向，“a’in”表示相對於反射表面2〗0的入 射方向’ “ 表示相對於反射表面210的輸出方向。 -16 - 02) · 02) ·1326775 此外，相對於標準表面限定入射角（0 ! ) 2 1 5和輸出角 (β2) 2]6。這裏，標準表面211和反射表面210彼此一 致’以致建 Ji·寺式 和 a〇ui=a'〇ul=0 2。 此外，Snell定律給出a'in= a'ut，以致建立ain= a — ，並且 0 1 = 0 2。 在另一方面，圖2D分別顯示當提供傾斜錐形角（Θ )212的錐形表面作爲反射表面時的入射光2]3和輸出光 2 1 4的狀態。 由 ain =妒1’和 a〇ut =φ2’’ 或者 ain =妒 l+θ 和 a〇ui — P 2’- Θ提供相對於標準表面21 1的入射光213和輸出光 214，其中φ,·表示入射角217並且φ2'表示輸出角218。 此外，Snell定律給予a’in= a'〇u，，以致導出等式： ψ χ'+ Θ = φ 7'- Θ 。從等式中，可以確定入射角（0ι·) 217 和輸出角（Ρ ^ ) 2 ] 8之間的關係可定義爲0 2'- Ρ Γ = 2 Θ 。意思是入射光2 1 3的入射方向（ai η )和輸出光2 1 4的 輸出方向（acul )彼此偏移20的角度》 爲了製造具有優良可見度的平板，較佳的’偏移角（ 20 )均勻地分佈在40°或更小的範圍。因此，進一步較 佳的，可形成反射器204以至具有20°或更小的錐形角（ 0 ) 2 ] 2。 在本實施例中，反射器2〇4的錐形角（0 ) 2〗2(圖 1中的]14)限定在5-60°的範圍，以致可以有效地散射 反射器204上入射的光。因此，本發明的結構能夠在不增 加TFT的製造技術的步驟數量的情況下提高顯示器的可 -17 - (13) ·1326775 見度。 隨後，如圖]中所ί I 1 5，然後在濾色器]]5 明電極116是一個電極， 側穿過電極Η 6。作爲用 以提供1 00-200 nm膜厚 氧化銦錫（1TO )膜或具 化銦膜製備。這種透明導 個圖素的透明電極116。 在本發明的結構中， 透明電極1 1 6之後在反射 ，入射進入相鄰反射器1 射器]】4的表面上的光向 因此，本發明的結構 ，而不需要增加TFT的 改善顯示器的可見度。此 濾色器的佈置引起的位置 和反射液晶顯示器二者中 由濾色器的佈置引起的電 此外，如本發明的上 上具有TFT的裝置基底（ 對基底（未不出）結合在 液晶就能夠製造透射反射 (實施例） F，在反射器]1 4上形成濾色器 上形成透明電極1 1 6。此外，透 用於允許入射光朝向基底】〇 1 — 於製備透明電極】16的材料，可 的透明導電膜，該透明導電膜由 有 2-20%的氧化鋅（ZnO)的氧 電膜還被進行構圖步驟以形成每 依據反射器1 1 4的形狀散射穿過 器]14上入射的光。在另一方面 1 4之間的空間，而沒有入射在反 基底1 〇 1發射。 是能夠形成用於散射光的反射器 製造技術的步驟數量，因此能夠 外，本發明的結構還能夠解決由 偏移的問題，該問題出現在透明 ，並且本發明的結構還能夠防止 容的增加。 述實施例中所說明的，藉由將其 圖])和其上具有相對電極的相 一起、同時在這些基底之間放置 液晶顯示裝置。 -18- (14) (14)1326775 以下說明本發明的實例》 (實例1 )

在本實例中’顯示一種製造具有頂閘型薄膜電晶體（ TFT)的主動矩陣基底的實例方法。這裏，將參照圖3A 至圖7說明本實例’圖3A至圖7是圖素部分的—部分的 頂視圖或剖面圖。 首先’在具有絕緣表面的基底3 〇〗上形成非晶半導體 層。這晏，採用石英基底作爲基底3〇1，並且在基底301 上形成10至]OOnm膜厚的非晶半導體層。 此外’基底3 0 1不限於石英基底。或者，可以採用玻 璃基底或塑膠基底來製備石英基底3〇1。在採用玻璃基底 的情況下’較佳的，預先在低於玻璃應變點大約1 〇_ 20 〇C 溫度下進行玻璃基底的熱處理。此外，可較佳的，在其上 將形成TFT的基底301表面上形成基底膜。基底膜可包 括諸如氧化矽膜、氮化矽膜或氮氧化矽膜的絕緣膜以防止 雜質擴散進入基底301。 採用低壓化學氣相澱積（LPCVD)方法形成60nm膜 厚的非晶矽膜作爲非晶半導體層。然後，結晶非晶矽半導 體層。在本實例中，採用日本專利公開No.平8 - 7 8 3 29中 描述的技術進行結晶化。在該專利申請公開文件中揭示的 技術，在非晶矽膜中選擇性地添加有助於結晶化的金屬元 素，隨後進行非晶半導體膜的熱處理以便從添加有上述金 屬元素的區域作爲起點擴展形成晶體矽膜。這裏，採用鎳 -19- (15) · (15) ·1326775 作爲有助於結晶化的金屬元素。在用於脫氫的熱處理（

4 5 0°C、1小時）之後，進行用於結晶化的熱處理（60 (TC ' 12小時）。這裏，應當注意，結晶化不限於上述專利 公開文件中公開的技術。可選擇地，可以採用現有技術中 公知的任何結晶化方法（例如，雷射結晶化或熱結晶化） 〇 如果有需要，爲了消除保留在晶體顆粒中的缺陷，輻 照雷射光束（XeCl :波長3 08 nm )以便提高結晶化率。將 使用的雷射光束可以是具有波長 4 0 0 n m或更小的準分子 雷射光束或Y AG雷射的二次諧波或三次諧波。無論如何 ，可以採用具有大約1 0- 1 00 0Hz的重復頻率的脈衝雷射光 束。藉由光學系統可以將雷射光束聚焦到]00-400m：T/cm2 的密度。隨後，以90至95%的重疊速率輻照雷射光束用 於掃描整個矽膜表面。 隨後’在作爲TFT的主動層提供的區域中進行吸雜 Ni。在下面的說明書中，說明利用包含稀有氣體元素的半 導體層用於吸雜的實例。除了藉由雷射光束的輻照形成的 氧化膜之外’藉由用臭氧水處理表面12〇秒形成bSnm總 厚度的氧化膜形成阻擋層。接著，藉由濺射方法在阻擋層 上形成將構成吸雜點的含有氬的150nm膜厚的非晶矽膜 。在本實例中，在周於薄膜形成的0.3Pa的壓力、50 seem的氣體（Ar )流速、3kW的電功率、1 50°C的基底溫 度的條件下進行用於薄膜形成的濺射。藉由此方法，在上 述條件下的非晶矽膜中氬的原子百分比爲3x 102t)-6x 1〇20 -20- (22) (22)1326775 然後藉由光微影構圖爲矩形形狀。因此，在進行濕蝕刻處 理之後，在淸潔爐中進行2 5 0 °C、6 0分鐘下的熱處理，由 此構成透明電極3]8 (圖3D)。這裏，圖7中示出圖素 部分的頂視圖。沿虛線 A- A·的圖素部分的剖面圖對應於 圖3 D中所示的結構。 如圖7中所示，藉由此方法，在具有隨機排列的島的 反射器314之上藉由濾色器317形成透明電極318。在透 明電極31S和反射器314重疊的區域，在反射器314上反 射光。在沒有設置反射器314的另一個區域中，光向基底 30]發射而不在反射器314上反射。 因此，如上所述，可以在同一基底上形成包含具有雙 閘結構的η通道型TF T和保持電容的圖素部分、以及含 有η通道型TFT和ρ通道型TFT二者的驅動電路。在本 說明書中’爲了方便’逼種基底稱爲主動矩陣基底。 無庸贅言，已經說明了僅作爲實例之一的本實例，而 本發明不限制於本實例的步驟。例如，每個導電膜可以包 括選自鉬（Ta )、鈦（Ti )、鉬（Mo )、鎢（W )、鉻（ Cr)和砂（Si)中的一種。可選擇地，上述薄膜可以是包 含選自這些元素的元素混合物的合金膜（典型地，Mo-W 合金或Mo-Ta合金）。此外，絕緣膜的每一種可以是氧 化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜或包含有機材料（例如， 聚醯亞胺 '丙烯（acryl ) '聚醯胺、聚醯亞胺醯胺脂， 或苯並環丁烯（BCB))的薄膜。 根據在本實例中說明的步驟，如圖3D所示，可以採 -27 - (24) (24)1326775 形成本實施例中的第一導電膜。 儘管在本實施例中藉由採用TaN和W的疊層膜形成 導電膜’不特別限制它們，即，兩者都可以包含選自Ta 、W、Ti、M〇、Al和Cu的元素或主要含有上述元素的合 金或化合物材料。另外，可以採用由摻雜有雜質元素例如 磷的多晶矽膜爲代表的半導體膜。 然後，利用閘極電極807和電容器接線808作爲光罩 以自對準方式低濃度地添加磷。在低濃度添加的區域中， 磷濃度控制爲1χ1016-5χ1018原子/cm3的範圍，典型地爲 3χ1〇 7-3xl018 原子 / cm3。 隨後’形成光罩（未示出）以高濃度添加磷，以便形 成將成爲源區802或汲區803的高濃度雜質區。在該高濃 度的雜質區中，磷濃度控制爲lx 1〇20-1 xlO21原子/cm3 ( 典型地，2χ102()-5χ102()原子/cm3)。半導體層805與閘極 電極8〇7重疊的區域將成爲通道形成區8〇4。由光罩覆蓋 的區域將成爲低濃度雜質區的LDD區81 1。此外，沒有 被閘極電極807、電容器接線808和光罩中任何一種覆蓋 的區域將成爲包括源區802和汲區803的高濃度雜質區。 此時，因爲本實施例形成將用於在與實例1類似的圖 素相同的基底上形成的驅動電路中的P通道TFT，由光罩 覆蓋將形成η通道TFT的區域並添加硼以至由此形成源 區或汲區。 然後，在去除光罩之後，形成覆蓋閘極電極807'電 容器接線808和接線（源極線）809的第一絕緣膜810。 -29- (25) (25)1326775 這裏，形成50nm膜厚的氧化矽膜，並進行熱處理以便啓 動以各自的濃度添加到半導體層805中的η型或p型雜質 元素。這裏，在850 °C、30分鐘下進行熱處理（圖8Α) 〇 然後，在進行了氫化處理之後，形成有機樹脂材料的 第二絕緣膜811。這裏藉由採用Ιμιη膜厚的丙烯膜來使第 二絕緣膜811的表面平坦。這就防止由第二絕緣膜811之 下的層中形成的圖形産生的步階的影響。然後，在第二絕 緣膜8 1 1上形成光罩以便藉由蝕刻形成到達半導體層805 的接觸孔812(圖8Β)。在形成接觸孔812之後，去除光 罩。 隨後，形成並構圖第二導電膜。由於此步驟’除了反 射電極8 14之外，形成：電連接接線（源極線）8 09和 TFT 810的源區的接線815，與電容器接線808電連接的 接線816，和電連接TFT 810的汲區和透明電極819的接 線817(在圖8D中，未示出連接關係）。此處形成的第 二導電膜是反射導電膜以便形成本發明的反射器，它可以 採用鋁或銀或基於這些元素的其他合金材料。 本實施例採用藉由濺射方法由50nm的Ti膜和含有 Si的500nm的鋁膜連續地形成的兩層結構的疊層膜作爲 第二導電膜。 應用光微影技術用於構圖以便形成包含多個島狀圖形 的反射器814和接線815、816和817。此外，應用乾蝕 刻法用於蝕刻以便進行錐形蝕刻和各向異性蝕刻。 -30 - (26) (26)1326775 首先，形成抗蝕劑光罩以便進行用於錐形鈾刻的第一 蝕刻處理。在第一和第二蝕刻條件下進行第一蝕刻處理。 適合地採用ICP (感應耦合電漿）蝕刻技術用於蝕刻。採 用ICP蝕刻技術，藉由適當地控制蝕刻條件（提供到線圈 型電極的功率量，提供到基底側的電極的功率量，基底側 面的電極溫度，等等）就可以將薄膜触刻形成所需的錐形 。適合地採用選自以Cl2、BC13、SiCl4、CC14等爲代表的 氯基氣體，以cf4、sf6、nf3等爲代表的氟基氣體或02 作爲蝕刻氣體。 本實施例採用ICP (感應耦合電漿）蝕刻技術，作爲 第一蝕刻條件，其中採用BC13、Cl2和〇2作爲鈾刻氣體 。將500W的RF ( 13.56MHz )功率饋送到線圈型電極、 65/10/5 (seem)的這些氣體的流量比、1.2Pa的壓力下産 生電漿進行蝕刻。還將3 00W的RF ( 13.56MHz)功率饋 送到基底側（樣品台）以便提供基本上負的自偏電壓。在 第一蝕刻條件下，蝕刻含有Si的鋁膜以便將第一導電層 的端部製造爲錐形。 此後，將蝕刻條件改變爲第二蝕刻條件而不去除光罩 。利用CF4、Cl2和〇2作爲蝕刻氣體，IPa的壓力下、 25/25/10 (seem)的這些氣體的流量比 '將500W的RF( 13.56MHz)功率饋送到線圈型電極産生的電漿進行近30 秒的蝕刻。還將2〇W的RF ( 13.56MHz)功率饋送到基底 側（樣品台）以便提供基本上負的自偏電壓。在CF4和 Cl2混合在一起的第二蝕刻條件下，就可以以相同程度蝕 -31 - (27) 1326775 刻含有Si的鋁膜和Ti膜。 在此方式下，藉由第一蝕刻處理，包括第一和第二導 電層的第二導電膜就形成爲錐形。 然後，不去除抗蝕劑光罩下進行用於各向異性軸刻的 第二蝕刻處理。此處採用BC13和Cl2作爲蝕刻氣體，用 將3 00W的RF ( 13.56MHz )功率饋送到線圈型電極、 80/：20(sccm)的這些氣體的流量比、IPa的壓力下産生 的電漿進行鈾刻。還將50W的（13.56MHz) RF功率饋送 到基底側（樣品台）以便提供基本上負的自偏電壓。 藉由上述步驟，在形成反射器814和接線815、816 、8 1 7時，去除抗蝕劑以便獲得圖8 C中所示的結構。順 便提及’此處圖9中示出圖素的頂視圖。在圖9中，沿虛 線A-A'的剖面圖對應於圖8C。 然後’在反射器8 1 4上形成濾色器8 1 8。可以採用公 知的材料作爲濾色器818的材料。在本實施例中，藉由旋 塗塗敷這些材料以形成Ιμπι厚的濾色器，然後在80。(：、5 分鐘下’在熱平板上進行初始固化。然後，採用光光罩藉 由光微影曝光。在該處理之後，將基底浸入顯影液中並藉 由搖動顯影。提供0.2%的氫氧化四甲銨溶液作爲顯影液 。在浸入顯影液大約1分鐘之後，在流動的水中沖洗基底 >藉由導電的高壓噴頭沖洗能夠完全去除濾色器的殘餘物 。除連接到電容器接線808的接線816上之外，僅在相應 圖素的有效開口部分上形成濾色器。雖然在部分接線817 上形成濾色器。然而在接線817和透明電極819的連接部 -32- (28) (28)1326775 分上沒有形成濾色器。 當適當地形成圖形時，在清潔爐中25〇°C、1小時下 烘烤基底。這裏未說明，在本實例中對三種濾色器，即： 紅、藍和綠進行上述處理。 在形成三種濾色器之後’可以在其上提供覆蓋材料（ 未示出）。 藉由濺射在濾色器818上形成120nm厚度的透明導 電膜（這裏，氧化銦錫（ITO)膜），藉由光微影技術構 圖爲直角形狀。然後，在其上進行濕處理之後，在清潔爐 中進行250 °C、60分鐘下的導電熱處理，形成透明電極 819(圖8D)。圖10中示出它的頂視圖。沿虛線A-A·的 剖面圖對應於圖8D。 此外，如圖10中所示，在隨機形成的反射器814之 上，藉由濾色器818形成透明電極819。藉由這種結構， 在透明電極819和反射器814重疊的位置藉由反射器814 反射光，並且在沒有形成反射器814的部分，反射器814 就不反射光並且光向基底801發射。 因此，在本實例中，形成主動矩陣基底，其上具有雙 閘結構的η通道TFT和保持電容的圖素部分、以及具有η 通道TFT和ρ通道TFT的驅動電路形成在同一基底上。 同時，根據本實例中示出的技術，能夠藉由採用如圖 8D中所示的接線圖形光罩同時形成反射器814和接線（ 815、816、817)。因此，可分開形成爲島形的多個反射 器而不增加用於製造主動矩陣基底所需的光光罩的數量。 •33- (29) 1326775 結果，在製造透射反射液晶顯示裝置中，就可以縮短技術 ，由此對降低製造成本和産量的提高作貢獻。 (實例3 ) 本實施例將說明由實施例1中製造的主動矩陣基底製

造液晶顯示裝置的技術。將參照圖1 1的剖面圖進行說明 〇 在根據實施例1獲得圖3D中說明的主動矩陣基底之 後，在圖3D的主動矩陣基底上形成配向膜1117並進行 摩擦處理。在本實例中，在形成配向膜1117之後，在基 底的整個表面之上分散球形間隔器1121用於保持基底之 間的距離。代替球形間隔器1 1 2 1，可以在所需的位置處 藉由構圖例如丙烯酸樹脂膜的有機樹脂薄膜形成柱狀間隔 器。

隨後製備基底1122。在基底1122上，在將形成圖素 部分的位置處由透明導電膜形成相對電極1123。在基底 1122的整個表面上形成配向膜1124並進行摩擦處理。然 後，獲得相對基底1 1 2 6。 然後’利用密封構件（未示出）將相對基底1126粘 結到其上形成配向膜1117的主動矩陣基底。密封構件具 有混合其內的塡充料，並且當將兩個基底粘結在一起時， 填充料和柱狀間隔器在兩個基底之間保持均勻的距離（較 佳2·0-3·0μπ〇 。此後在基底之間注入液晶材料n25並採 -34- (30) (30)1326775 用密封劑（未示出）完全密封基底。可以採用公知的液晶 材料。因此完成圖 Π中所示的透射反射液晶顯示裝置。 如果需要，將主動矩陣基底或相對基底I 1 26切割成所需 的形狀的樣品。採用公知的技術可以適當提供極化板的顯 示裝置。然後採用公知的技術將FP C粘附到基底。 將參照圖1 4的頂視圖說明由此獲得的液晶模組的結 構。圖素部分1 404設置在主動矩陣基底HOI的中心。用 於驅動源極訊號線的源極訊號線驅動電路1 402排列在圖 素部分]404之上。用於驅動閘極訊號線的閘極訊號線驅 動電路1 4 03位於圖素部分1 404的左側和右側。儘管在本 實施例中相對於圖素部分閘極訊號線驅動電路]403是對 稱的，液晶模組可以在圖素部分的一側上只具有一個閘極 訊號線驅動電路。對於上述兩種選擇，設計者可以選擇更 好地考慮液晶模組的基底尺寸等的排列。然而，考慮電路 操作可靠性、驅動效率等較佳的爲圖1 4中所示的閘極訊 號線驅動電路的對稱排列。 從柔性印刷電路（FP C ) 1 4 0 5將訊號輸入到驅動電路 。在中間層絕緣膜和樹脂膜中開出接觸孔並形成連接電極 以致到達基底1 4 01的預定位置處排列的接線之後，藉由 各向異性導電膜等壓緊配合FPC 1405。在本實施例中， 由ITO形成連接電極。 在驅動電路和圖素部分的四周，沿其周邊提供密封構 件】4〇7。相對基底1406粘結到基底1401，而預先在主動 矩陣基底上形成的間隔器保持兩個基底之間的恒定距離（ -35- (31) (31)1326775 基底1 4 〇 ]和反的基底1 4 Ο 6之間的距離）。從沒有塗覆密 封構件1 4 〇 7的區域注入液晶。然後藉由密封劑]4 〇 8密封 基底。藉由上述步驟完成液晶模組。儘管這裏示出的實例 中在基底上形成所有驅動電路，可以採用幾片1C用於某 些驅動電路。藉由上述步驟完成主動矩陣型液晶模組。 (實施例4 ) 圖12、13顯示根據本發明製造的電光裝置的方塊圖 。圖1 2顯示用於藉由類比驅動驅動的裝置的電路結構。 本實例說明具有源極線驅動電路9 0 '圖素部分9 I和閘極 線驅動電路92的電光裝置。此處驅動電路共同地指源極 線驅動電路和閘極線驅動電路。 源極線驅動電路9 0提供有移位暫存器9 0 a、緩衝器 9 〇 b和取樣電路（轉移閘極）9 0 c。閘極線驅動電路9 2提 供有移位暫存器92a、位準移位器92b和緩衝器92c。如 果需要’可以在取樣電路和移位暫存器之間提供位準移位 器電路。 在本實施例中’圖素部分91包括多個圖素並且多個 圖素的每一個都具有TFT元件。 儘管在附圖中未示出，可以在閘極線驅動電路92的 另一側提供另一閘極線驅動電路，其間插入圖素部分9 I 〇 如圖13所示，當藉由數位驅動驅動裝置時，由鎖存 器（A) 93b和鎖存器（B) 9；3c替代取樣電路。源極線驅 -36- (32) (32)1326775 動電路93提供有移位暫存器93a'鎖存器（A) 93b、鎖 存器（B ) 93c、D/A轉換器93d和緩衝器93e。此外，閘 極線驅動電路9 5提供有移位暫存器9 5 a、位準移位器9 5 b 和緩衝器95c。如果需要，可以在鎖存器（B ) 93c和D/A 轉換器9 3 d之間提供位準移位器電路。 藉由採用實例]或實例2中的任何一種的製造技術獲 得上述結構。儘管本實例只說明圖素部分和驅動電路的結 構，但是接著本發明的製造步驟就可以形成記憶體電路和 微處理器電路。 (實施例5 ) 藉由實施本發明形成的透射反射液晶顯示裝置可用於 各種電光裝置。本發明能夠應用於建立電光裝置作爲顯示 媒體的所有電子設備。 作爲採用根據本發明製造的液晶顯示裝置製造的電子 設備的實例如：視頻相機、數位相機、導航系統、聲音再 生裝置（例如汽車音響、音響構件）、膝上型電腦、遊戲 機、攜帶型資訊終端（例如移動電腦、行動電話、攜帶型 遊戲機和電子書）、具有記錄媒體的影像再生裝置（特別 地，具有再生記錄媒體例如數位視頻碟（D VD )中資料以 顯示資料的影像的顯示裝置的裝置）。圖I 5 A_丨5H中顯 示這些電子設備的具體實例。 圖15A是一種數位靜止相機，其包括主體2ΗΠ、顯 示單元2102、影像接收單元21〇3、操作鍵21〇4和外部連 -37- (33) (33)1326775 接埠2 1 Ο 5和快門2 ] Ο 6等。藉由採用根據本發明製造的液 晶顯示裝置用於顯示單元2 1 02可完成數位相機。 圖1 5Β是一種膝上型電腦，其包括主體2201、機殼 2202、顯示單兀2203、鍵盤2204、外部連接埠2205、指 標式滑鼠2 2 06等。藉由採用根據本發明製造的液晶顯示 裝置用於顯不單兀22〇3可完成膝上型電腦。 圖i5c示出一種移動電腦，其包括主體23〇1 '顯示 單兀2 3 0 2、開關2 3 0 3、操作鍵2 3 0 4和紅外線埠2 3 0 5等 。藉由採用根據本發明製造的液晶顯示裝置用於顯示單元 2 3 02可完成移動電腦。 圖15D示出一種具有記錄媒體（具體地，DVD播放 機）的攜帶型影像再生裝置。該裝置包括主體24〇1、機 殼2402、顯示單元A 2403、顯示單元B 2404、記錄媒體 (DVD等）讀取單元24〇5、操作鍵24〇6、和揚聲器單元 24〇7等。顯示單元A 2403主要顯示影像資訊，而顯示單 元B24〇4主要顯示文字資訊。藉由採用根據本發明製造 的液晶顯示裝置用於顯示單元A 24〇3、B 24〇4可完成影 像再生裝置。此外’具有記錄媒體的影像再生裝置包括家 庭使用的視頻遊戲機。 圖15E示出一種視頻相機，其包括主體2601、顯示 單兀2602、機殼2603'外部連接埠2004'遙控接收單元 2605、影像接收單元 2606、電池 2607、聲音輸入單元 26 08、操作鍵2609和目鏡部分261〇等。藉由採用根據本 發明製造的液晶顯示裝置用於顯示單元2602完成視頻相 -38- (34) 1326775

圖]5F示出一種行動電話，其包括主體27(H、機殼 2702、顯示單元2703、聲音輸入單元2704、聲音輸出單 元270 5、操作開關2706、外部連接埠27〇7和天線2708 等。藉由採用根據本發明製造的液晶顯示裝置用於顯示單 元2 7〇3可完成行動電話。如果，顯示單元27〇3在黑色背 景下顯示白色字母’則行動電話的功耗更低。

如上所述’根據本發明製造的液晶顯示裝置的應用範 圍如此廣泛以致可以應用到任何領域中的電子設備中。藉 由採用實施實例1至4形成的液晶顯示裝置能夠完成本實 例的電子設備。

因此’藉由實施本發明，在製造透射反射型液晶顯示 裝置的技術中’可以同時一起形成包含反射導電膜的接線 和將成爲反射器的多個島圖形。此外，在本發明中，在反 射器上藉由濾色器形成由透明導電膜形成的透明電極。因 此’反射器改善了顯示器的可見度而不增加製造技術中的 步驟數量’且爐色器的排列還能夠防止影像位移或模糊而 不增大電容。因此，能夠獲得製造的高品質以及實質降低 成本的液晶裝置。 【圖式簡單說明】 圖1是用於說明根據本發明的液晶顯示裝置的裝置結 構圖， 圖2A-2D是用於說明根據本發明的反射器的結構圖 -39- (35) (35)1326775 圖3A-3D是用於說明本發明的液晶顯示裝置的製造 技術步驟圖； 圖4是用於說明本發明的液晶顯示裝置的製造技術圖 ! 圖5是用於說明本發明的液晶顯示裝置的製造技術圖 1 圖6是用於說明本發明的液晶顯示裝置的製造技術圖 圖7是用於說明本發明的液晶顯示裝置的製造技術圖 ! 圖8A-8D是用於說明本發明的液晶顯示裝置的製造 技術步驟圖； 圖9是用於說明本發明的液晶顯示裝置的製造技術圖 » 圖]0是用於說明本發明的液晶顯示裝置的製造技術 圖， 圖1 1是用於說明本發明的液晶顯示裝置的結構圖； 圖12是用於說明本發明中可用的電路結構圖； 圖13是用於說明本發明中可用的的電路結構圖； 圖1 4是用於說明本發明的液晶顯示裝置的外視圖； 圖]5 A-1 5F是用於說明電子設備的實例圖； 圖1 6 A- 1 6C是用於說明習知技術的圖；和 圖1 7 A和I 7 B是用於說明習知技術的圖。 -40- (36)1326775 主要元件 對照表 90 源 極 線 驅 動電 路 90a 移 位 暫 存 器 9 0b 緩 衝 器 90c 取 樣 電 路 9 1 圖 素 部 份 92 閘 極 線 驅 動電 路 92a 移 位 暫 存 □ □ 益 92b 位 準 移 位 器 9 2c 緩 衝 器 9 3a 移 位 暫 存 器 93b 鎖 存 器 ( A) 93 c 鎖 存 器 ( B ) 9 3d D/A 轉 換 器 93 e 緩 衝 器 9 5a 移 位 暫 存 器 9 5b 位 準 移 位 器 9 5c 緩 衝 器 1 0 1 基 底 10 5 半 導 體 層 1 06 閘 極 絕 緣 膜 1 07 閘 極 電 極 1 08 電 容 -41 (37)1326775 1 09 第一絕緣膜 110 第二絕緣膜 112、1 1 3 接線 114 反射器 115 濾色器 1 1 6 透明電極 117 TFT 2 04 反射器 2 10 錐形傾斜表面（反射表面） 2 11 基底表面（標準表面） 2 1 2 錐形角 2 1 3 入射光 2 1 4 反射光 2 1 5 入射角 2 16 輸出角 2 ] 7 入射角 2 18 輸出角 3 0 1 基底 3 02 源區 3 03 汲區 3 05 半導體層 3 06 閘極絕緣膜 3 07 閘極電極 3 08 電容接線 -42 - (38)1326775 3 10 3 1 1 3 12 3 13 3 1 4 315' 316 3 17 3 18 80 1 802 803 8 04 8 0 5 8 06 8 0 7 8 08 8 09 8 10 8 1 1 8 1 2 8 14 8 1 5 8 16 8 17

TFT 輕摻雜汲極 接觸孔 第二絕緣膜 反射器 接線 濾色器 透明電極 基底 源區 汲區 通道形成區 半導體層 閘極絕緣膜 閘極電極 電容接線 接線 第一絕緣膜 第二絕緣膜 接觸孔 反射電極 接線 接線 接線 -43 (39)1326775 8 18 濾 色 器 8 1 9 透 明 電 極 1117 配 向 膜 112 1 球 形 間 隔 器 112 2 基 底 112 3 相 對 電 極 1124 配 向 膜 1126 相 對 基 底 14 0 1 主 動 矩 陣 基 底 14 02 源 極 訊 號 線 驅 動 電 路 14 0 3 閘 極 訊 號 線 驅 動 電 路 14 04 圖 素 部 份 1405 FPC 1406 相 對 基 底 1407 密 封 構 件 1408 密 封 劑 160 1 第 一 基 底 1602 第 — 電 極 1603 第 二 基 底 1604 里 色 矩 陣 1605 濾 色 器 1606 第 二 電 極 1607 液 晶 層 162 1 第 一 基 底 -44 - (40) 濾色器 第一基底 第一電極 第二基底 黑色矩陣 濾色器 第二電極 液晶層 第一基底 濾色器 液晶層 主體 顯示單元 影像接收單元 操作鍵 外部連接埠 快門 主體 機殼 顯示單元 鍵盤 外部連接埠 指標示滑鼠 主體 -45- (41) 顯示單元 開關 操作鍵 紅外線璋 主體 機殻 顯示單元A 顯示單元B 記錄媒體讀取單元 操作鍵 揚聲器單元 主體 顯示單元 機殼 外部連接埠 遙控接收單元 影像接收單元 電池 聲音輸入單元 操作鍵 目鏡部份 主體 機殼 顯示單元 -46 - (42) 1326775 2 704 聲音輸入單元 2 7 0 5 聲音輸出單元 2 7 06 操作鍵 2 7 0 7 外部連接埠 2 7 0 8 天線 -47

Claims (1)

1. I f2f??5- 牟月日修正本 99* ~~2~2 6 拾、申請專利範圍 第92 1 04294號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國99年2月W日修正 1 · 一種液晶顯示裝置，包含： 在一基底上方的一絕緣膜； 在絕緣膜之上形成的多個具有島圖形的反射器； 在該多個反射器和絕緣膜之上形成的一濾色器；和 在該濾色器之上形成的透明導電膜， 其中該濾色器和直接在該透明導電膜下方的該絕緣膜 接觸。 2.如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置， 其中該多個具有島圖形的反射器所占面積比是該透明 導電膜所占面積的50-90%。 3 .如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置， 其中該多個具有島圖形的反射器的每一個都具有5_ 60°錐形角的端部。 4. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該 液晶顯示裝置是選自由數位靜止相機、膝上型電腦、移動 電腦、具有記錄媒體的攜帶型影像再生器、視頻相機和行 動電話組成的組中之一。 5. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該 多個具有島圖形的反射器至少包括選自由鋁、銀、鈦和其 合金組成的組中的材料。 1326775 6. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置’其中該 透明導電膜與該濾色器接觸。 7. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該 多個反射器形成在一圖素中。 8. 一種液晶顯示裝置，包含： 在絕緣表面之上形成的薄膜電晶體； 在該薄膜電晶體之上的絕緣膜；

   在該絕緣膜之上形成的接線和多個具有島圖形的反射 器 在該多個具有島圖形的反射器和絕緣膜之上形成的濾 色器；和 在該濾色器之上形成的透明導電膜， 其中該薄膜電晶體和該透明導電膜電連接到其間的接 線，和 其中該濾色器和直接在該透明導電膜下方的該絕緣膜 •接觸。 9 ·如申請專利範圍第8項之液晶顯示裝置， 其中該多個具有島圖形的反射器所占面積比是該透明 導電膜所占面積的50-90% ^ 1 〇 ·如申請專利範圍第8項之液晶顯示裝置， 其中該多個具有島圖形的反射器的每一個都具有5-60°錐形角的端部》 11·如申請專利範圍第8項之液晶顯示裝置，其中該 液晶顯示裝置是選自由數位靜止相機 '膝上型電腦、移動 -2- 1326775 電腦、具有記錄媒體的攜帶型影像再生器、視頻相機和行 動電話組成的組中之一。 I2·如申請專利範圍第8項之液晶顯示裝置，其中該 多個具有島圖形的反射器至少包括選自由鋁、銀、鈦和其 合金組成的組中的材料。 1 3 ·如申請專利範圍第8項之液晶顯示裝置，其中該 透明導電膜與該濾色器接觸。 14. 如申請專利範圍第8項之液晶顯示裝置，其中該 多個具有島圖形的反射器形成在一圖素中。 15. —種液晶顯示裝置，包含： 第一基底； 在該第一基底之上的絕緣膜； 該絕緣膜之上的接線： 該絕緣膜之上的多個具有島圖形的反射器； 在該多個具有島圖形的反射器和絕緣膜之上形成的濾 色器； 在該濾色器之上的第一透明導電膜： 在第一透明導電膜之上的液晶；和 在該液晶之上的第二透明導電膜， 其中該第一透明導電膜和該接線彼此電連接，和 其中該濾色器和直接在該第一透明導電膜下方的該絕 緣膜接觸。 1 6.如申請專利範圍第1 5項之液晶顯示裝置， 其中該多個具有島圖形的反射器所占面積比是該透明 -3- 1326775 導電膜所占面積的5 0-90%。 1 7.如申請專利範圍第1 5項之液晶顯示裝置， 其中該多個具有島圖形的反射器的每一個都具有5_ 60°錐形角的端部。

   1 8 .如申請專利範圍第1 5項之液晶顯示裝置，其中 該液晶顯示裝置是選自由數位靜止相機、膝上型電腦、移 動電腦 '具有記錄媒體的攜帶型影像再生器、視頻相機和 fr動電話組成的組中之一。 19. 如申請專利範圍第15項之液晶顯示裝置，其中 該多個具有島圖形的反射器至少包括選自由鋁、銀、鈦和 其合金組成的組中的材料。 20. 如申請專利範圍第15項之液晶顯示裝置，其中 該第一透明導電膜與該濾色器接觸。 2 1.如申請專利範圍第1 5項之液晶顯示裝置，其中 該多個具有島圖形的反射器形成在一圖素中。 22.—種液晶顯示裝置，包含： 第一基底： 在該第一基底之上的薄膜電晶體； 在該薄膜電晶體之上的絕緣膜； 在該絕緣膜之上的接線； 在該絕緣膜之上的多個具有島圖形的反射器； 在該多個具有島圖形的反射器和絕緣膜之上的濾色器 在該濾色器之上的第一透明導電膜； -4 - A 1326775 在第一透明導電膜之上的液晶； 在該液晶之上的第二透明導電膜；和 在該第二透明導電膜之上的第二基底， 其中該薄膜電晶體和該第一透明導電膜電連接到其間 的接線，和 其中該濾色器和直接在該第一透明導電膜下方的該絕 緣膜接觸。 23. 如申請專利範圍第22項之液晶顯示裝置， 其中該多個具有島圖形的反射器所占面積比是該透明 導電膜所占面積的50-90%。 24. 如申請專利範圍第22項之液晶顯示裝置， 其中該多個具有島圖形的反射器的每一個都具有5- 60°錐形角的端部。 25 .如申請專利範圍第22項之液晶顯示裝置，其中 該液晶顯示裝置是選自數位靜止相機、膝上型電腦、移動 電腦、具有記錄媒體的攜帶型影像再生器、視頻相機和行 動電話組成的組中之一。 26.如申請專利範圍第22項之液晶顯示裝置，其中 該多個具有島圖形的反射器至少包括選自由鋁、銀、鈦和 其合金組成的組中的材料。 27·如申請專利範圍第22項之液晶顯示裝置，其中 該第一透明導電膜與該濾色器接觸。 28.如申請專利範圍第22項之液晶顯示裝置，其中 該多個具有島圖形的反射器形成在一圖素中。 [S -5- 1326775 29. —種液晶顯示裝置之製造方法，包含： 在絕緣表面上形成反射導電膜； 構圖該反射導電膜以致形成接線和多個具有島圖形的 反射器； 在該多個具有島圖形的反射器之上形成濾色器；和 在該濾色器之上的透明導電膜， 其中該透明導電膜電連接到該接線。

   30.如申請專利範圍第29項之液晶顯示裝置之製造 方法’其中該多個具有島圖形的反射器所占面積比是該透 明導電膜所占面積的50-90%。 31.如申請專利範圍第29項之液晶顯示裝置之製造 方法， 其中該多個具有島圖形的反射器的每一個都具有5-60°錐形角的端部。 32.如申請專利範圍第29項之液晶顯示裝置之製造 •方法，其中該液晶顯示裝置是選自由數位靜止相機、膝上 型電腦、移動電腦、具有記錄媒體的攜帶型影像再生器' 視頻相機和行動電話組成的組中之一。 . 33.如申請專利範圍第29項之液晶顯示裝置之製造 方法，其中該反射導電膜至少包括選自由鋁、銀、鈦和其 合金組成的組中的材料。 34. —種液晶顯示裝置之製造方法，包含： 在絕緣表面上形成包括非晶矽的半導體膜； 晶化該半導體膜； -6- 1326775 構圖該半導體膜以形成該半導體膜的島圖形； 在該島圖形之上形成閘極絕緣膜； 在該閘極絕緣膜之上形成閘極電極和電容器接線； 將雜質元素摻雜進入每個島圖形的至少一部分中，以 在該島圖形的每一個中形成源區和汲區； 在該閘極絕緣膜、該閘極電極和該電容器接線之上形 成中間層絕緣膜； 在該中間層絕緣膜之上形成反射導電膜； 藉由構圖該反射導電膜，形成源極接線、汲極接線和 多個具有島圖形的反射器； 在該多個具有島圖形的反射器之上形成濾色器；和 在該濾色器之上形成透明導電膜， 其中該透明導電膜電連接到該汲極接線，和 其中該源極接線和該汲極接線分別連接到該源區和該 汲區。 35_如申請專利範圍第34項之液晶顯示裝置之製造 方法’其中該多個具有島圖形的反射器所占面積比是該透 明導電膜所占面積的5 0 - 9 0 %。 36. 如申請專利範圍第34項之液晶顯示裝置之製造 方法， 其中該多個具有島圖形的反射器的每一個都具有5-60°錐形角的端部。 37. 如申請專利範圍第34項之液晶顯示裝置之製造 方法’其中該液晶顯示裝置是選自由數位靜止相機、膝上 1326775 型電腦、移動電腦、具有記錄媒體的攜帶型影像再生器、 視頻相機和行動電話組成的組中之一。 38.如申請專利範圍第34項之液晶顯示裝置之製造 方法，其中該反射導電膜至少包括選自由鋁、銀、鈦和其 合金組成的組中的材料。

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