TWI325687B - Boundary acoustic wave device and method for producing the same - Google Patents

Description

1325687 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種利用傳播於第丨、第2介質間之彈性 邊界波的彈性邊界波裝置及其製造方法，更詳而言之，關 於一種IDT電極（配置於第！、第2介質間）由至少包含作 為主電極層之Au層的層積金屬膜所形成的彈性邊界波裝 置及其製造方法。 【先前技術】 以在’被利用作為共振器或帶通遽波器之裝置，已知 有彈性邊界波裝置。彈性邊界波裝置具有於第1、第2介 質間之界面配置IDT電極之構造。於彈性邊界波裝置中， 利用傳播於上述界面之彈性邊界波。因此，彈性邊界波裝 置可藉由與第1、第2介質之界面成相反側之面獲得機械 性地支撐。由此，可謀求封裝構造之簡單化及小型化。 彈性邊界波裝置之一例揭示於下述專利文獻丨中。於 專利文獻1中記載之彈性邊界波裝置，IDT電極使用Au、 Ag、Cu、A1或此等之合金而構成。又，揭示為了提高ι〇τ 電極對介質之密著性或提高電力阻抗（electric p〇wer resistance)’亦可於上述由Au、Ag、Cu、A1或此等合金 所構成之電極層之至少一面，層積由丁丨、或Nicr等其 他金屬材料構成之第2電極層。 〔專利文獻 1〕W02004/070946 【發明内容】 如專利文獻1所記載，先前已知有以Au、Ag、Cu、A1 5 1325687, 或此等合金等各種金屬作為主體之IDT電極，且亦已知於 由此等金屬構成之電極層，層積由其他金屬材料構成之第 2電極層之構造。又，此種層積由其他金屬材料構成之第 2電極層的構造，如上所述，係用以提高IDT電極之密著 性或提高電力阻抗。 另一方面，將彈性邊界波裝置作為共振器或濾波器使

用時，不僅可提高電力阻抗等，且可強烈謀求改善通帶中 之插入損失等頻率特性。 本發明係為了滿足上述期望而完成者，本發明之目的 在於提供一種可更進一步減低插入損失之彈性邊界波裝 置。 依本案之第1發明，提供一種彈性邊界波裝置，其係 具備第i介質、第2介質及配置於第卜帛2介質間之界 面的IDT電極’該IDT電極具有作為主電極層t Au層， 其特徵在於：前述IDT電極具有前述Au I、及配置成接 觸於該Au層之至少-側表面之Ni層，構成前述⑷層之 沁之一部分由前述Au層之前述Ni層側表面向該層内 部擴散。 依本案之第2發明’提供一種彈性邊界波裝置，其係 具備第1介質、第2介質及配置於第U 2介質間的界 :之㈣電極，該IDT電極具有作為主電極層t μ層， :特徵在於：前述IDT電極具有前述Au [及於該Au 1及第1介質之間配置成接觸於前述Au層之Ni層，構成 則述犯層之^之一部分由前述^層之前述Ni層側表面 6 ^25687 向該Au層内部擴散。 於本發明（以下，將第1、第2發明 术 贫月適當地總稱記載為 本發明）之某特定面中，前述IDT電極進一步具有含Ni ·'、、 金屬層，此金屬層係配置在該Au層之 1之 百己置該Νι層之相反 側的面，並且，構成前述Ni層及金屬層之川之一部分由 前述Au層之兩面向該au層内部擴散。 於本發明之彈性邊界波裝置之進—步其他特定面中，

於前述Au層中形成有從前述Au層之恥層側表面向前述 心層之前述金屬層側表面’ Ni濃度為高濃度—低濃度— 而濃度之濃度分布。 於本發明之彈性邊界波裝置之進—步另一特定面中， 進一步具備配置於前述金屬層上且為A1或以八丨為主成分 之第2金屬層。 本發明之彈性邊界波裝置之製造方法，係用以製造具 有第1介質、帛2介質及配置於第i、第2介質間之界面 的IDT電極的彈性邊界波裝置，其特徵在於，具有以下步 驟：於第1介質及第2介質中之一方的表面形纟Au層、 及配置成接觸於Au層之至少一側表面之Ni層的步驟；於 形成前述Au層及前述沁層之後，層積前述第i、第2介 質中之另—方的步驟；及於形成前述Au層及前述犯層之 後，藉由加熱使構成Ni層之Ni之一部分擴散至Au層内 的步驟。 於本發明之彈性邊界波裝置之製造方法之某特定面 前述使Ni擴散之步驟係與層積前述第丨、第2介質中 7 1325687 之另一方同時進行。 於第1發明之彈性邊界波裝置中，由於idt電極具有 配置成接觸於作為主電極層之Au層之至少-側表面的Ni 層，且構成Ni層之Ni之一部分係由Au層之犯層側表面 向Au層内部擴散，故可減低通帶中之插入損失。 又，於第2發明中，亦由於IDT電極具有Au層、及 配置成接觸於Au層之Ni層，且構成Ni層之川之一部分 係由Au層之Ni層侧表面向Au層内部擴散，故可減低通 帶中之插入損失。 於本發明中，藉由將Ni層配置成接觸於Au層且使沁 之一部分由Au層之Ni層側表面擴散至Au層内部，以減 低插入損失之原因，認為係由於Ni擴散至Au層，Au層 會發生部分硬化，故可抑制因介質與IDT間之彈性波所造 成之變形’藉此使插入損失變小。 因此，依本發明，藉由在構成IDT電極之材料下工夫， 如上所述可提供低損失之彈性邊界波裝置。 於第2發明中，在與Au層之配置犯層之相反側的面， 進一步配置有包含Ni之金屬層，且Ni層及上述金屬層之 Ni之一部分由Αιι層之兩面向Au層内部擴散時，Au層之 兩面附近變得比Au層之厚度方向中央部分硬。藉此，可 抑制上述之阻尼，可進一步減低損失。此時，由^在Au 層中Ni濃度具有從一側表面向另一側表面為高濃度一低 濃度一高濃度之濃度分布，故如上所述，高濃度部分硬化， 而可謀求減低損失，另一方面，於中央之低濃度部分電 8 1325687 阻之損失變小，可充分達到作為電極之功能。 亦可進一步具有配置於金屬層上且為A1或以ai為主 成分之第2金屬層’此時，由於第2金屬層之電阻率低， 且第2電極層較柔軟，故可更減低電阻，且更進—步減低 損失。 - 於本發明之製造方法中，於第丨介質及第2介質中之 一方的表面形成Au層、及配置成接觸於Au層之至少一侧 表面之Ni層後，實施層積第i、帛2介質之步驟及藉由加 熱使構成Ni層之Ni之一部分擴散至Au層内之步驟。因 此Nl之一部分由Au層之層積有Ni層側之面擴散至 層内。藉此，可提供本案之第丨發明之彈性邊界波裝置， 可謀求降低通帶中之插入損失。 使Νι擴散之步驟，於層積第！、第2介質之步驟中與 層積同時進行時，可在不增加步驟數下，使Ni擴散至Au 層。 【實施方式】 以下，藉由一面參照圖式一面說明本發明之具體實施 形態’以使本發明明確。 (第1實施形態） 圖1(a)、（b)係顯示本發明之第1實施形態之彈性邊界 波裝置之示意部分前視截面圖及平面截面圖。 彈性邊界波裝置1具有層積第丨介質2及第2介質3 之構造。第1介質2係由壓電體構成，於本實施形態中由 Y切X傳播之LiNb〇3單結晶基板構成。第i介質2亦可 9 1325687 藉由其他的壓電單結晶或塵電陶瓷構成。 第2介質3係由適當的介電體或壓電體構成，於本實 施形態中由8丨02形成》 於第1、第2介質2、3間之界面配置有1]：)7電極4。 於IDT電極4的彈性邊界波傳播方向兩側，配置有如圖i(b) 所示之反射器5,6。IDT電極4由一對梳齒電極構成，該一 對梳齒電極具有相互插入於彼此之間的複數根電極指。於 IDT電極4中，藉由於一方之梳齒電極及另一方之梳齒電 極之間施加交流電場，而激發出彈性邊界波。彈性邊界波 係如圖1(a)之實線A示意顯示，傳播於第1、第2介質2、 3間之界面。於反射器5,6間關入上述彈性邊界波A，得到 作為單埠型之弹性邊界波共振器之共振特性。 本實施形態之彈性邊界波裝置1之特徵在於，上述idt 電極4具有層積複數之電極層的構造。即，如圖丨（a)及將 電極指放大顯示之圖2所示，IDT電極4中之電極構造呈 有作為主電極層之Au層11、形成於Au層11玷丁二 μ卜面之Νι 層12及形成於Au層11的上面之作為金屬層之糾層 即，於Au層11之第1介質2側，配置有Ni層12。

再者’所謂主電極層，係指於由層積金屬膜構成之mT 電極4中顯示主要電極層者’此處所謂主要電極層，係才t 於層積複數之電極層（即金屬膜）而成之層積金屬膜中，作 為電極之功能之中心的電極層。更具體而言，藉 積由複數之 金屬膜中厚度最厚的金屬膜形成主電極層。 然後，使構成Ni層12,13之Ni的—部分擴散至上述 1325687 Αυ層11中。藉此，於本實施形態中可謀求減低插入損失。 對此進行具體說明。 於上述由LiNb〇3單結晶基板構成之第1介質2上， 形成IDT電極4及反射器5,6，使Ni層13/Au層U/Ni 層12之厚度成為l〇nm/ 170nm/ l〇nm，且使IDT電極4 中之電極4曰間距所決定的波長λ成為3 ·42μηι。IDT電極4 電極“的對數為50對，交叉寬度為3〇λ，電極指之佔 φ 空比為0.55。反射器5,6中之電極指的根數分別為乃根。 使IDT電極4中電極指之由週期所決定之波長，與反射器 中電極指之由週期所決定之波長一致，皆為上述之又。 IDT電極4與反射器5或反射器6間之距離，以電極指中 心間距離為〇.5λ。 上述IDT電極4及反射器5,6，藉由於第}介質2上 形成Νι層12，然後形成Au層！丨，再形成川層13而製 成。此等见層12、Au層u、_ 13例如藉由升離法（n汀 • meth〇d)形成。然後’於形成犯層13後，形成第2介質3， 並層積於第1介質2。 第2介質3之形成，係藉由RF磁控濺鍍以〇2來進行。 又，缝時，令構成第1介質2之儀〇3基板的加熱溫 度為250。(：。由於加熱至25(rc，認為構成州層Η，。之 Νι的一部分已擴散至au層η内。 測量以上述方式製得之本實施形態之彈性邊界波裝置 1的共振特性，求得阻抗I所謂阻抗^，係反共振頻率 時之阻抗相對於共振頻率時之阻抗之比，阻抗比愈大，愈 11 1325687 可減低共振器或濾、波器之損失。 為了比較，除了使mT電極4及反射胃5,6之層積構 造為從IDT電極之上面側起依序為Ti//Au/Ti、 / NiCr、Ti/ Au/ NiCr、Ni/ Au/ 外製作與上述 相同構成之彈性邊界波裝置，同樣求出共振特性及、阻抗 比。 又，作為上述第1實施形態之第〗變形例，除了將金 屬層13 & Ni取代纟Nic"卜，製作與上述實施形態相同 構成之彈性邊界波裝置’同樣求出共振特性及阻抗比。結 果顯示於圖3〜圖6。 圖3係顯示具有由成之電極層積構造之 上述比較例的彈性邊界波裝置的阻抗及相位特性。圖4係 顯不與第1介質接觸之側為NiCr層之複數比較例的阻抗 及相位特性，圖5係顯示上述第1實施形態及第i變形例 的I5抗及相位特性。又，圖6係顯示上述各比較例、實施 例及變形例之阻抗比。 由圖6可知，於上述4種比較例，阻抗比停留在6丨dB 、下招對於此’上述第1實施形態，阻抗比超過64dB， 上述第1變形例亦為64〇dB左右。此由圖3及圖4中之阻 抗波形與圖5所示之阻抗波形的比較亦可明白。 因此上述第1實施形態及第1變形例，可知可提供 、種低損失之彈性邊界波裝置。然後，本案發明人發現： 、此方式，於上述第1實施形態及第1變形例中可提高阻 抗比減低知失的原因係因為如前所述，Ni之一部分從Ni 12 1325687 層12，13或從沁層12、NiCr層擴散至^層u中之故。 即，藉由上述以磁控濺鍍成膜作為第2介質3之si〇2 時的加熱，使構成沁層12，13之犯、或構成沁層12、NiCr 層之化熱擴散至Au層u中。圖7係顯示於第i實施形 態之彈性邊界波裝置中，用於顯示IDT電極4之濃度分布 的組成分析線掃描圖。圖7中之橫軸時間對應於自第i介 質2表面之距離，換言之，表示mT電極*中之位置。於 此圖7巾，從時間=〇開始，沁元素強度較高的最初區域 對應於Ni層12,下一個Au元素強度較高的區域對應於Au 層11，進而下—Nl元素強度較高的區域對應於Ni層13。 由此圖7可知，於Au元素強度較高之對應於Au層i】 的區域中，Ni的濃度變高，Ni擴散至Au層。會如此產生 此種Ni朝Au層11擴散的原因，認為係由於犯層丨m 或A層12、NiCr層以接觸於^層u之方式配置，且藉 由上述第2介質3成膜時之加熱，使Ni熱擴散至Au層中 之故。 然後’ Ni之一部分擴散至Au層11時，阻抗比變高， 損失減低之理由如下。 圖12係顯示於八11層中含有Ni等其他金屬時電極層 之維氏硬度與表示含有比例之質量百分比的關係圖圖工3 係顯不電阻率與表示添加元素之含有比例之元素百分比的 關係圖。 由圖12及圖13可知，Ni之含有比例變高時，則電極 層之硬度上升，且電阻率亦稍微升高。 13 1325687 因此，Ni擴散至Au層u時’則擴散有沁的Au層 部分變硬。由此，因Au層u所產生之阻尼導致的損失變 小，彈性邊界波之傳播損失變小，阻抗比變大。 即藉由Ni朝Au層之擴散，使au層之一部分硬化， 特別是Ni從配置於第丄介質側之沁層、即八11層丨丨之犯 層12側表面擴散至Au層丨丨内時，藉由上述機制可提高 阻抗比’謀求減低損失。 再者，由上述變形例可知，藉由NiCr構成Au層11 上所配置之金屬層時，構成Ni層12及NiCr層之犯亦擴 散至Au層11側，彈性邊界波之傳播損失變小阻抗比提 高。又，如第1實施形態，於Au層u的兩面配置有奶 層12,13時，在熱擴散後，Ni的濃度會從Au層之一側表 面向另一側表面側，成為高濃度—低濃度_高濃度之濃度 分布。此時，由於阻尼損失變得更小，彈性邊界波之傳= 損失變得更加小，&阻抗比提高。上述高濃度可以係程度 上不同的高濃度，可藉由膜厚來控制。 然而，Ni之擴散量過多時，則有入11層u之電阻増加 之虞。即，當Ni高濃度地擴散於入〇層n厚度方向整體 時，會使電阻增加，使主電極層之Au層丨丨的功能受損。 因此，如上所述，於Au層u的兩面層積有包含犯之層 的構造，宜以從Au層之一面朝另一面具有高濃度—低濃 度一尚濃度之濃度分布的方式，形成有入以層u。此時’ 於中央之低濃度部分，可抑制電阻之增加，且Au層1 1之 恥層12側的表面附近會產生硬化，如上所述可謀求低= 14 1325687 失化。 再者，製造第1實施形態之彈性邊界波裝置時，雖然 使猎由濺鍍成膜第2介質3之Si〇2膜時的加熱溫度為 250 C，但此加熱溫度並不限定於25〇<>c，於15〇〜之 範圍中，亦確認同樣可使Ni良好地擴散至Au層，得到相 同效果。即，圖8係顯示除了使上述成膜溫度於1〇〇〜3〇(rc

矿圍中隻化外，與上述貫施形態同樣地製作彈性邊界波 裝置’測量阻抗比之結果之圖。 一由圖8可知，成膜溫度若為15〇〜3〇〇t：之範圍，阻抗 比向，特別是200〜270〇C之範圍更佳。 又，於上述實施形態中，雖然藉由成膜第2介質3之 S i 〇2膜時的加敎，柿N i i声也 5 Δ ! 1 1 入 …、使Nl擴散至Au層11，但依照成膜第2 "質3時之加熱溫度的不同，不—定需要將該成膜時之加 熱利用於擴散上。即，亦可於形成第2介質3冑，導入加 熱1DT電極4之步驟，使Ni擴散至Au層u。又，亦可 於$成第2介質3之後’導入加熱IDT電極*之步驟。即， ::使Ni擴散之加熱步驟’亦可不是將第2介質3層積 ;1介質2之步驟，而係以其他步驟進行。 藉^ ’較佳為’如本實施形態’於用以將第2介質3層 :1介質2之加熱步驟中，同時進行上述Ni之熱擴 可二時’不需要另外實施用於熱擴散之加熱步驟。因此， 免步驟之增加，且可節約能源。 (第2實施形態） 與第1實施形態的情形相同，惟，除了使用光微影法 15 1325687 及乾蝕刻法形成IDT電極及反射器之層積構造，使其從第 2介質3側朝第1介質2側，具有A1Cu/Ti/Ni//Au/Ni / Ti之層積構造外，與第丨實施形態相同的方式製作彈性 邊界波裝置。 即，於本實施形態中，IDT電極之厚度方向中央部分， 與上述第1實施形態之情形相同，具有Ni/Au/Ni之層 積構造。因此，將Ni層層積於作為主電極層之Au層的上 下此時，下方之Ni層係配置於第1介質側之犯層，上 方之Ni層則相當於構成本發明之金屬層之犯層。 於本實施形態中，進一步層積有Ti層，以作為層積有 上述Ni/Au/Ni之層積部分的底層，進而於上層依序層 積Ή層及AiCll層。此處，使上述IDT電極之各層膜厚為

AlCu/ Ti / Ni / Au / Ni / Ti=l〇〇/ 10/1()/77/1()/ 1 Onm 〇 以上述方式製得之第2實施形態，亦與上述第〗實施 形態之情形相同地，藉由成膜Si〇2構成之第2介質3時的 加熱’使構成位於Au層兩側之Ni層之Ni的一部分擴散 至Au層，與第丨實施形態之情形相同，確認可減低插入 損失。 再者，由於在由Si〇2構成之第2介質3側層積有電阻 率小、且密度接近於Si〇2的AlCu層，故可在不使共振特 性劣化下，降低電極之電阻率，藉此可縮小電阻損失。再 者，底層之Ti層對氧具有反應活性，具有提高氧化物基板 之第1介質2與電極間之密著性的作用。因此，於第之實 Ϊ325687 施形態中，可提高IDT電極與構成第！介質2之UNb〇3 基板之密著性，提高彈性邊界波裝置之可靠性。 再者，如上所述，依第2實施形態，於底層形成丁丨層 之隋形亦可依本發明減低插入損失。參照圖9(a)、（b)加以 說明。 除了於第2實施形態中未設置上述配置於第1介質2 側之作為底層的Τι層外，準備同樣構成之第2變形例的彈

性邊界波裝置。然後，測量帛2實施形態及第2變形例之 彈性邊界波裝置的阻抗及相位特性。結果顯示於圖9⑷。 並且，將從此阻抗特性所求得之阻抗比顯示於圖9⑻。 由圖9(a)、（b)可知，與未設置作為底層之丁丨層的情 形相較，即使於Ni層之下方設置作為底層之ή層，阻抗 特性亦沒有改變，即不會導致特性的劣化，可提高肌電 極之密著性。 人，π、上通弟 A 〜〜< AJUU層興

Au層上側作為金屬層之Ni ,AI 曰间層積有Τι層，此時，可防 止Α1與Au間相互擴散所產生 以說明。 電阻增加。參照圖10加 與第2實施形態同樣地製作第之Tl層外’ 置，求得阻抗-頻率特性及相位特彈性邊界波裝 實祐肜能；》μ、+、结 圖Μ係顯示第2 貝W及上述第3變形例之阻抗及 可知’未設置有上層之丁丨層之第3變形例；由圖 小。認為此係由於纟A1Cu肖A 阻抗比稍微變 句未配置有Ti層時， 17 1325687 因A1與Au之間的相互擴散，使電阻增加，導致特性劣化。 又’於第2實施形態中，於IDT電極4之最上層設置 有作為包含A1之金屬層的AiCu層。此時，A1Cu層，其 禮度接近於構成第2介質3之Si〇2，且電阻率小。因此， 可形成低電阻的ID 丁電極4，且由於密度接近於Si〇2，故 可順利地進行第2介質3與IDT電極4間的應力傳達，提 π阻杬比。參照圖〗丨加以說明之。為了與上述第2實施 _ ㈣之彈性邊界波裝置比較，除了於最上層未層積有AlCu 層外’準備與第2實施形態同樣構成之第4變形例的彈性 邊界波裝置，測量阻抗相位特性。結果顯示於圖丨丨（a)。又， 將第2實施形態及第4變形例之彈性邊界波裝置的阻抗比 顯示於圖1 1(b)。 由圖11(a)、（b)可知，若依照第2實施形態，可較第4 變形例提高阻抗比。 再者，於第2實施形態中，雖然使用A1Cu作為密度 • 接近於構成第2介質3之Si〇2且電阻率小的第2金屬層材 料，但亦可使用以A1為主成分、添加Cu、丁卜Mg、Ni、 Mo、Sc或Ta中之至少一種元素之材料、或純幻。 於上述實施形態中，雖然說明的是彈性邊界波共振器， 但彈性邊界波濾波器等其他的彈性邊界波裝置亦可適用本 發明。即，藉由Ni的擴散所產生之降低傳播損失的效果， 亦可用於減低彈性邊界波濾波器中之插入損失及防止衰減 特性急遽劣化，依本發明可提供低損失之彈性邊界波濾波 1325687 【圖式簡單說明】 圖l(a)，（b)係顯示本發明之第1實施形態之彈性邊界波 裝置之示意部分切斷前視截面圖及平面截面圖。 圖2係放大顯示第1實施形態之彈性邊界波裝置之電 極層積構造的示意前視截面圖。 圖3係顯示作為比較例而準備之彈性邊界波裝置的阻 抗及相位特性》

圖4係顯示作為比較例而準備之複數種的彈性邊界波 裝置的阻抗及相位特性。 圖5係顯示第1實施形態及第1變形例之彈性邊界波 裝置的阻抗及相位特性。 圖6係顯示第i實施形態、第i變形例及為了比較而 準備之複數種彈性邊界波裝置的阻抗比。 圖7係顯示Ni朝Au層中擴散的擴散分布圖，顯示主 電極層中所含有之原子的濃度變化。 國δ你顯示作為第 π賜溫度，與所製 知之彈性邊界波裝置之阻抗比的關係圖 圖9(a)，（b)係顯示設置有作為底層之 ^ , 巧的弟2實施 ^、未設置有作為底層之Ti層的第2變 位特性及阻抗比。 丨且抗相 國w係顯示於構成第2電極層之恥 AH：u層之構造中，具有於A1Cu層與 /積有 之構造的第2實施㈣、及具有未層以 變形例之彈性邊界波裝置之阻抗相位特性。I的第3 1325687 圖1 l(a)，（b)係顯示層積有A1Cu層之第2實施形態與 未層積有AlCu層之第4變形例的阻抗及相位特性、以及 阻抗比。 圖12係顯示於Au層中添加有各種元素時元素含有比 例與電極層之維氏硬度的關係。 圖13係顯示於Au層中添加有各種元素時元素含有比 例與電極層之電阻率的關係圖。 【主要元件符號說明】 1 彈性邊界波裝置 2 第1介質 3 第2介質 4 IDT電極 5 反射器 6 反射器 11 Au層 12 Ni層 13 作為第2電極層之犯層 A 彈性邊界波 20

Claims (1)

1325687 十、申請專利範圍： 1. 一種彈性邊界波裝置，具備第1介質、第2介質及 配置於第1、第2介質間之界面的IDT電極，該IDT電極 具有作為主電極層之Au層，其特徵在於： 該IDT電極具有該Au層、及配置成接觸於該Au層之 至少一側表面的Ni層； 構成該Ni層之Ni的一部分，由該Au層之該Ni層側 表面向該Au層内部擴散。 2. —種彈性邊界波裝置，具備第1介質、第2介質及 配置於第1、第2介質間之界面的IDT電極，該IDT電極 具有作為主電極層之Au層，其特徵在於： 該IDT電極具有該Au層、及於該Au層及第1介質之 間配置成接觸於該Au層之Ni層； 構成該Ni層之Ni之一部分，由該AU層之該Ni層側 表面向該Au層内部擴散。 3·如申請專利範圍第2項之彈性邊界波裝置，其中該 IDT電極進一步具有含Ni之金屬層，此金屬層係配置在該 Au層之配置該Ni層之相反側的面； 構成該Ni層及金屬層之沁之一部分，由該Au層之 兩面向該Au層内部擴散。 4.如申請專利範圍第3項之彈性邊界波裝置，其中， 該Au層具有從該Au層之沁層側表面向該Au層之該金 屬層側表面Ni濃度為高濃度—低濃度一高濃度之濃度分 布0 21 ^25687 5. 如申請專利範圍第3或4項之彈性邊界波裝置，其 中進—步具有配置於該金屬層上，為A1或以A1為主成分 之第2金屬層。 6. —種彈性邊界波裝置之製造方法’係用以製造具有 第1介質、第2介質及配置於第！、第2介質間界面之IDT 電極的彈性邊界波裝置，其特徵在於，具有以下步驟： 於第1介質及第2介質中之一方的表面’形成Au層、 及配置成接觸於Au層至少一側表面之Ni層的步驟； 於形成該Au層及該Ni層後，層積該第卜 中之另-方的步驟;及 質 於形成該Au層及該Ni層後，藉由加熱使構成Ni層 之Ni的。卩分擴散至Au層内的步驟。 、7·如申請專利範圍帛6帛之彈性邊界波裝置之製造方 八中該使Nl擴散之步驟係以層積該第i、第2介質 中之另一方的步驟進行。 十一、圈式： 如次頁 22