JP6922931B2 - 弾性表面波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 - Google Patents

Description

本発明は、共振子や高周波フィルタなどに用いられる弾性表面波装置、該弾性表面波装置を用いた高周波フロントエンド回路及び通信装置に関する。

従来、共振子や高周波フィルタとして弾性波装置が広く用いられている。

下記の特許文献１，２には、ＬｉＮｂＯ_３基板上に、ＩＤＴ電極が設けられた弾性波装置が開示されている。特許文献１，２では、上記ＩＤＴ電極を覆うようにＳｉＯ_２膜が設けられている。上記ＳｉＯ_２膜により、周波数温度特性を改善することができるとされている。また、特許文献１では、上記ＩＤＴ電極が、Ａｌよりも密度の大きい金属により形成されている。他方、特許文献２では、上記ＩＤＴ電極として、Ｐｔ膜上にＡｌ膜が積層された積層金属膜が記載されている。

ＷＯ２００５／０３４３４７ Ａ１ 特開２０１３−１４５９３０号公報

しかしながら、特許文献１のように単層構造のＩＤＴ電極を用いた場合、電極指抵抗が大きくなり、損失が大きくなることがあった。他方、特許文献２のように、積層金属膜により形成されたＩＤＴ電極では、十分な周波数温度特性が得られない場合があった。また、周波数温度特性を改善するためにＳｉＯ_２膜を設けた場合、高次モードによるスプリアスが発生することがあった。さらには、これらの特性の全てを改善しようとすると、ＩＭＤ（相互変調歪）が劣化することがあった。

本発明の目的は、低損失であり、周波数温度特性に優れており、高次モードによるスプリアスが生じ難く、かつＩＭＤの劣化を抑制することができる、弾性波装置、該弾性波装置を用いた高周波フロントエンド回路及び通信装置を提供することにある。

本発明に係る弾性波装置は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、前記圧電基板上において、前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられている、酸化ケイ素膜と、を備え、前記ＩＤＴ電極が、第１の電極層と、該第１の電極層上に積層された第２の電極層と、を有し、前記第１の電極層が、前記第２の電極層を構成している金属及び前記酸化ケイ素膜を構成している酸化ケイ素よりも密度の高い金属若しくは合金により構成されており、前記圧電基板が、ＬｉＮｂＯ_３により構成されており、前記圧電基板のオイラー角（０°±５°，θ，０°±１０°）において、θが８°以上、３２°以下の範囲内にあり、前記酸化ケイ素膜が、水素原子、水酸基またはシラノール基を含有している。

本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記弾性波装置は、レイリー波を利用しており、前記第１の電極層の厚みが、ＳＨ波の音速が前記レイリー波の音速より遅くなる厚みとされている。この場合、通過帯域近傍における不要波を抑制することができる。

本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記第１の電極層が、Ｐｔ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ａｕ、Ｃｕ及びこれらの金属を主成分とする合金からなる群から選択された少なくとも１種である。

本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長をλとしたときに、前記第１の電極層の厚みが、下記表１に示す前記第１の電極層の材料に応じて、下記表１に示す厚みとされている。この場合、通過帯域近傍における不要波をより一層抑制することができる。

本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記第２の電極層が、Ａｌ、Ｃｕ、又はＡｌ若しくはＣｕを主成分とする合金により構成されている。この場合には、電極指の抵抗を小さくすることができ、より一層低損失とすることができる。

本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長をλとしたときに、前記第２の電極層の厚みが、０．０１７５λ以上である。この場合には、電極指の抵抗を小さくすることができ、より一層低損失とすることができる。

本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長をλとしたときに、前記酸化ケイ素膜の厚みが、０．３０λ以上である。この場合には、周波数温度特性をより一層改善することができる。

本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記ＩＤＴ電極のデュ−ティ比が、０．４８以上である。この場合には、高次モードによるスプリアスをより一層抑制することができる。

本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記ＩＤＴ電極のデュ−ティ比が、０．５５以上である。この場合には、高次モードによるスプリアスをより一層抑制することができる。

本発明に係る高周波フロントエンド回路は、本発明に従って構成される弾性波装置と、パワーアンプとを備える。

本発明に係る通信装置は、本発明に従って構成される高周波フロントエンド回路と、ＲＦ信号処理回路とを備える。

本発明によれば、低損失であり、周波数温度特性に優れており、高次モードによるスプリアスが生じ難く、かつＩＭＤの劣化を抑制することができる、弾性波装置を提供することができる。

図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図であり、図１（ｂ）は、その電極構造を示す模式的平面図である。 図２は、本発明の一実施形態に係る弾性波装置の電極部を拡大した模式的正面断面図である。 図３は、Ｐｔ膜上にＡｌ膜を積層した積層金属膜において、Ａｌ膜の膜厚と、シート抵抗との関係を示す図である。 図４は、第２の電極層であるＡｌ膜の膜厚と周波数温度係数（ＴＣＦ）との関係を示す図である。 図５は、酸化ケイ素膜であるＳｉＯ_２膜の膜厚と周波数温度係数（ＴＣＦ）との関係を示す図である。 図６（ａ）は、ＳｉＯ_２の膜厚が０．２６λのときのインピーダンス特性を示す図であり、図６（ｂ）はその位相特性を示す図である。 図７（ａ）は、ＳｉＯ_２の膜厚が０．３０λのときのインピーダンス特性を示す図であり、図７（ｂ）はその位相特性を示す図である。 図８（ａ）は、ＳｉＯ_２の膜厚が０．３４λのときのインピーダンス特性を示す図であり、図８（ｂ）はその位相特性を示す図である。 図９（ａ）は、ＳｉＯ_２の膜厚が０．３８λのときのインピーダンス特性を示す図であり、図９（ｂ）はその位相特性を示す図である。 図１０は、ＳｉＯ_２膜の膜厚と高次モードの最大位相との関係を示す図である。 図１１（ａ）は、オイラー角（０°，θ，０°）において、θ＝２４°のときのインピーダンス特性を示す図であり、図１１（ｂ）はその位相特性を示す図である。 図１２（ａ）は、オイラー角（０°，θ，０°）において、θ＝２８°のときのインピーダンス特性を示す図であり、図１２（ｂ）はその位相特性を示す図である。 図１３（ａ）は、オイラー角（０°，θ，０°）において、θ＝３２°のときのインピーダンス特性を示す図であり、図１３（ｂ）はその位相特性を示す図である。 図１４（ａ）は、オイラー角（０°，θ，０°）において、θ＝３６°のときのインピーダンス特性を示す図であり、図１４（ｂ）はその位相特性を示す図である。 図１５（ａ）は、オイラー角（０°，θ，０°）において、θ＝３８°のときのインピーダンス特性を示す図であり、図１５（ｂ）はその位相特性を示す図である。 図１６は、オイラー角（０°，θ，０°）において、θと高次モードの最大位相との関係を示す図である。 図１７（ａ）〜図１７（ｃ）は、Ｐｔ膜の膜厚が、それぞれ、０．０１５λ、０．０２５λ、０．０３５λのときのオイラー角（０°，θ，０°）におけるθとＳＨ波の比帯域との関係を示す図である。 図１８（ａ）〜図１８（ｃ）は、Ｐｔ膜の膜厚が、それぞれ、０．０５５λ、０．０６５λ、０．０７５λのときのオイラー角（０°，θ，０°）におけるθとＳＨ波の比帯域との関係を示す図である。 図１９は、Ｐｔ膜の膜厚と、レイリー波及びＳＨ波の音速との関係を示す図である。 図２０（ａ）は、実験例で作製した弾性波装置のインピーダンス特性を示す図であり、図２０（ｂ）は、その位相特性を示す図である。 図２１は、Ｗ膜の膜厚と、レイリー波及びＳＨ波の音速との関係を示す図である。 図２２は、Ｍｏ膜の膜厚と、レイリー波及びＳＨ波の音速との関係を示す図である。 図２３は、Ｔａ膜の膜厚と、レイリー波及びＳＨ波の音速との関係を示す図である。 図２４は、Ａｕ膜の膜厚と、レイリー波及びＳＨ波の音速との関係を示す図である。 図２５は、Ｃｕ膜の膜厚と、レイリー波及びＳＨ波の音速との関係を示す図である。 図２６（ａ）は、デュ−ティ比が０．５０のときのインピーダンス特性を示す図であり、図２６（ｂ）は、その位相特性を示す図である。 図２７（ａ）は、デュ−ティ比が０．６０のときのインピーダンス特性を示す図であり、図２７（ｂ）は、その位相特性を示す図である。 図２８（ａ）は、デュ−ティ比が０．７０のときのインピーダンス特性を示す図であり、図２８（ｂ）は、その位相特性を示す図である。 図２９は、ＩＤＴ電極のデュ−ティ比と高次モードの最大位相との関係を示す図である。 図３０は、本発明の一実施形態に係る弾性波装置のＩＭＤ特性を示す図である。 図３１は、本発明に係る通信装置及び高周波フロントエンド回路の構成図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。

（弾性波装置）
図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図であり、図１（ｂ）は、その電極構造を示す模式的平面図である。図２は、本発明の一実施形態に係る弾性波装置の電極部を拡大した模式的正面断面図である。

弾性波装置１は、圧電基板２を有する。圧電基板２は、主面２ａを有する。圧電基板２は、ＬｉＮｂＯ_３により構成されている。圧電基板２のオイラー角（０°±５°，θ，０°±１０°）において、θは、８°以上、３２°以下の範囲内にある。そのため、弾性波装置１では、後述するように高次モードによるスプリアスの発生をより一層抑制することができる。

なお、圧電基板２は、少なくとも表面に圧電性を有する基板である。例えば、表面に圧電薄膜を備え、当該圧電薄膜と音速の異なる膜、及び支持基板などとの積層体で構成されていてもよい。また、圧電基板２は、基板全体に圧電性を有していてもよい。この場合、圧電基板２は、圧電体層一層からなる。

上記θは、３０°以下であることが好ましく、２８°以下であることがより好ましく、１２°以上、２６°以下であることがさらに好ましい。その場合には、高次モードによるスプリアスの発生をさらに一層抑制することができる。

圧電基板２の主面２ａ上には、ＩＤＴ電極３が設けられている。弾性波装置１は、ＩＤＴ電極３により励振される弾性波としてレイリー波を主モードとして利用している。なお、本明細書においては、図１（ｂ）に示すように、上記ＩＤＴ電極３の電極指ピッチによって定まる縦モードの基本波である弾性表面波の波長をλとしている。

より具体的に、圧電基板２上には、図１（ｂ）に示す電極構造が形成されている。すなわち、ＩＤＴ電極３と、ＩＤＴ電極３の弾性波伝搬方向両側に配置された反射器４，５が形成されている。それによって、１ポート型弾性波共振子が構成されている。もっとも、本発明におけるＩＤＴ電極を含む電極構造は特に限定されない。複数の共振子を組み合わせて、フィルタが構成されていてもよい。このようなフィルタとしては、ラダー型フィルタ、縦結合共振子型フィルタ、ラチス型フィルタ等が挙げられる。

ＩＤＴ電極３は、第１，第２のバスバーと、複数本の第１，第２の電極指とを有する。複数本の第１，第２の電極指は、弾性波伝搬方向と直交する方向に延びている。複数本の第１の電極指と、複数本の第２の電極指とは、互いに間挿し合っている。また、複数本の第１の電極指は、第１のバスバーに接続されており、複数本の第２の電極指は、第２のバスバーに接続されている。

図２に示すように、ＩＤＴ電極３は、第１及び第２の電極層３ａ，３ｂを有する。第１の電極層３ａ上に、第２の電極層３ｂが積層されている。第１の電極層３ａは、第２の電極層３ｂを構成している金属及び酸化ケイ素膜６を構成している酸化ケイ素よりも密度の高い金属若しくは合金により構成されている。

第１の電極層３ａは、Ｐｔ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ａｕ、Ｃｕなどの金属又は合金からなる。第１の電極層３ａは、Ｐｔ又はＰｔを主成分とする合金からなることが好ましい。

第１の電極層３ａの厚みは、下記表２に示す第１の電極層３ａの材料に応じて、下記の表２に示す厚みとされていることが好ましい。

第２の電極層３ｂは、Ａｌ又はＡｌを主成分とする合金からなる。電極指の抵抗を小さくし、より一層低損失とする観点から、第２の電極層３ｂは、第１の電極層３ａより抵抗の低い金属又は合金からなることが好ましい。従って、第２の電極層３ｂは、Ａｌ、Ｃｕ、又はＡｌ若しくはＣｕを主成分とする合金からなることが好ましい。なお、本明細書において主成分とは、５０重量％以上含まれている成分のことをいうものとする。

電極指の抵抗を小さくし、より一層低損失とする観点から、第２の電極層３ｂの膜厚は、０．０１７５λ以上であることが好ましい。また、第２の電極層３ｂの膜厚は、０．２λ以下とすることが望ましい。

ＩＤＴ電極３は、第１及び第２の電極層３ａ，３ｂに加えて、さらに他の金属が積層された積層金属膜であってもよい。上記他の金属としては、特に限定されないが、Ｔｉ、ＮｉＣｒ、Ｃｒなどの金属又は合金が挙げられる。Ｔｉ、ＮｉＣｒ、Ｃｒなどからなる金属膜は、第１の電極層３ａと第２の電極層３ｂとの接合力を高める密着層であることが好ましい。

また、ＩＤＴ電極３は、例えば、蒸着リフトオフ法などにより形成することができる。

圧電基板２の主面２ａ上において、ＩＤＴ電極３を覆うように、酸化ケイ素膜６が設けられている。酸化ケイ素膜６は、酸化ケイ素により構成されている。周波数温度特性をより一層改善する観点から、酸化ケイ素膜６を構成する材料は、ＳｉＯ_２であることが好ましい。

また、本発明においては、酸化ケイ素膜６が、水素原子、水酸基またはシラノール基を含有している。弾性波装置１では、酸化ケイ素膜６が、水素原子、水酸基またはシラノール基を含有しているので、ＩＭＤ（相互変調歪）の劣化を抑制することができる。

酸化ケイ素膜６は、例えば、ＩＤＴ電極３が形成された圧電基板２の主面２ａ上に、スパッタリングにより成膜することができる。なお、スパッタリングによる成膜中に、気化器にて水（Ｈ_２Ｏ）を気化させて、スパッタリングガスと混合することにより、酸化ケイ素膜６中に水素原子、水酸基またはシラノール基を導入することができる。また、水（Ｈ_２Ｏ）の気化量を、例えばマスフローコントローラーなどを用いて流量制御することにより、酸化ケイ素膜６中における水素原子、水酸基またはシラノール基の含有量を調整することができる。なお、水（Ｈ_２Ｏ）の気化量は、他の方法により制御してもよい。

水（Ｈ_２Ｏ）を気化させて混合するスパッタリングガスとしては、例えば、Ａｒ、Ｏ_２又はこれらの混合ガスを用いることができる。スパッタリング圧力は、例えば０．０３Ｐａ以上、１．５０Ｐａ以下とすることができる。また、基板加熱温度は、例えば１００℃以上、３００℃以下とすることができる。

弾性波装置１においては、上記のように圧電基板２が、ＬｉＮｂＯ_３により構成されており、圧電基板２のオイラー角（０°±５°，θ，０°±１０°）において、θが３２°以下の範囲内にある。また、ＩＤＴ電極３が密度の高い第１の電極層３ａを下層とする積層金属膜により構成されている。さらに、ＩＤＴ電極３を覆うように酸化ケイ素膜６が設けられている。従って、弾性波装置１は、低損失であり、周波数温度特性に優れており、かつ高次モードによるスプリアスが生じ難い。

また、弾性波装置１においては、酸化ケイ素膜６が、水素原子、水酸基またはシラノール基を含有しているので、ＩＭＤ（相互変調歪）の劣化を抑制することができる。

本実施形態の弾性波装置１が、ＩＭＤの劣化を抑制できることを確認するために、以下のような弾性波共振子を設計した。

圧電基板２…ＬｉＮｂＯ_３基板、オイラー角（０°，３０，０°）
第１の電極層３ａ…Ｐｔ膜、膜厚：０．０８５λ
第２の電極層３ｂ…Ａｌ膜、膜厚：０．０８２λ
ＩＤＴ電極３…デューティ比：０．５
酸化ケイ素膜６…ＳｉＯＨ基を含有するＳｉＯ_２膜、膜厚：０．４０λ
弾性波…主モード：レイリー波

なお、酸化ケイ素膜６は、圧電基板２上にＩＤＴ電極３を形成した後、スパッタリングにより成膜した。具体的には、ＡｒとＯ_２の混合ガスに、気化器を用いて液体から気体に気化させた水（Ｈ_２Ｏ）を、マスフローコントローラーを用いて流量を制御しながら加えた。また、スパッタリング圧力は、０．５Ｐａとし、基板加熱温度は２２０℃とした。結果を図３０に示す。

図３０は、本発明の一実施形態に係る弾性波装置１のＩＭＤ特性を示す図である。なお、図３０においては、破線で、水素原子、水酸基またはシラノール基を含有している酸化ケイ素膜６を用いて弾性波共振子を設計したときのＩＭＤ特性を示している。また、実線で、水素原子、水酸基またはシラノール基を含有していない酸化ケイ素膜６を用いて弾性波共振子を設計したときのＩＭＤ特性を示している。図３０より、水素原子、水酸基またはシラノール基を含有している酸化ケイ素膜６を用いることでＩＭＤ特性が改善していることがわかる。

なお、本実施形態の弾性波装置１が、低損失であり、かつ高次モードによるスプリアスが生じ難いことについては、図３〜図２９を参照して以下のように説明することができる。

図３は、Ｐｔ膜上にＡｌ膜を積層した積層金属膜において、Ａｌ膜の膜厚と、シート抵抗との関係を示す図である。図３より、Ａｌ膜の膜厚の増加とともに、シート抵抗が小さくなっていることがわかる。なお、シート抵抗は、Ａｌ膜の膜厚が７０ｎｍ（λ＝２．０μｍの場合は０．０３５λ、λ＝４．０μｍの場合は０．０１７５λ）のとき、０．５（Ω／ｓｑ．）であり、Ａｌ膜の膜厚が１７５ｎｍ（λ＝２．０μｍの場合は０．０８７５λ、λ＝４．０μｍの場合は０．０４３７５λ）のとき、０．２（Ω／ｓｑ．）であった。また、シート抵抗は、Ａｌ膜の膜厚が３５０ｎｍ（λ＝２．０μｍの場合は０．１７５λ、λ＝４．０μｍの場合は０．０８７５λ）のとき、０．１（Ω／ｓｑ．）であった。

このような積層金属膜を、弾性波装置１のようなデバイスに用いる場合、デバイスの損失を小さくする観点から、シート抵抗を十分に小さくすることが望ましい。具体的にシート抵抗は、好ましくは０．５（Ω／ｓｑ．）以下であり、より好ましくは０．２（Ω／ｓｑ．）以下であり、さらに好ましくは０．１（Ω／ｓｑ．）以下である。従って、上記積層金属膜におけるＡｌ膜の膜厚は、好ましくは７０ｎｍ以上であり、より好ましくは１７５ｎｍ以上であり、さらに好ましくは３５０ｎｍ以上である。なお、後述する周波数温度特性の劣化を抑制する観点から、上記積層金属膜におけるＡｌ膜の膜厚は、０．２λ以下とすることが望ましい。

図４は、第２の電極層であるＡｌ膜の膜厚と周波数温度係数（ＴＣＦ）との関係を示す図である。なお、図４は、図１及び図２に示す構造において、以下のように設計した弾性波共振子を用いたときの結果である。

圧電基板２…ＬｉＮｂＯ_３基板、オイラー角（０°，３８°，０°）
第１の電極層３ａ…Ｐｔ膜、膜厚：０．０２λ
第２の電極層３ｂ…Ａｌ膜
ＩＤＴ電極３…デューティ比：０．５０
酸化ケイ素膜６…ＳｉＯ_２膜、膜厚：０．３λ
弾性波…主モード：レイリー波

図４より、Ａｌ膜の膜厚が大きいほど、ＴＣＦが劣化していることがわかる。具体的に、波長λが２．０μｍ（周波数：１．８ＧＨｚ相当）のときのＡｌ膜の膜厚に対するＴＣＦの劣化量（ΔＴＣＦ）は下記の表３のようになる。また、波長λが４．０μｍ（周波数：９００ＭＨｚ相当）のときのＡｌ膜の膜厚とＴＣＦの劣化量（ΔＴＣＦ）は、下記の表４のようになる。

図５は、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）膜の膜厚と周波数温度係数（ＴＣＦ）との関係を示す図である。なお、図５は、図１及び図２に示す構造において、以下のように設計した弾性波共振子を用いたときの結果である。

圧電基板２…ＬｉＮｂＯ_３基板、オイラー角（０°，３８°，０°）
第１の電極層３ａ…Ｐｔ膜、膜厚：０．０２λ
第２の電極層３ｂ…Ａｌ膜、膜厚：０．１０λ
ＩＤＴ電極３…デューティ比：０．５０
酸化ケイ素膜６…ＳｉＯ_２膜
弾性波…主モード：レイリー波

図５に示すように、ＳｉＯ_２膜の膜厚を厚くするに従い、ＴＣＦが改善していることがわかる。なお、この関係から、Ａｌ膜の付加に伴うＴＣＦの劣化分を補償するために必要なＳｉＯ_２膜の膜厚の増加分（ΔＳｉＯ_２）を求めた。結果を下記の表３及び表４に示す。表３は波長λ＝２．０μｍ（周波数：１．８ＧＨｚ相当）の場合の結果であり、表４は波長λ＝４．０μｍ（周波数：９００ＭＨｚ相当）の場合の結果である。

シート抵抗を改善するためにＡｌ膜を設ける場合、十分なシート抵抗値を得るためには、１０ｐｐｍ／℃以上、２０ｐｐｍ／℃以下程度のＴＣＦの劣化を伴う。このＴＣＦの劣化を補償するためには、ＳｉＯ_２膜の膜厚を波長比で０．０５λ以上、０．１０λ以下程度厚くする必要がある。

図６〜図９は、図ごとにＳｉＯ_２膜の膜厚を変化させたときにおいて、（ａ）は、周波数と波長の積で表される音速を変化させたときのインピーダンスの大きさを示す図であり、（ｂ）はその位相特性を示す図である。なお、図６〜図９において、ＳｉＯ_２膜の膜厚を波長で規格化した値は、それぞれ順に、０．２６λ、０．３０λ、０．３４λ、０．３８λである。また、図６〜図９は、図１及び図２に示す構造において、以下のように設計した弾性波共振子を用いたときの結果である。

圧電基板２…ＬｉＮｂＯ_３基板、オイラー角（０°，３８°，０°）
第１の電極層３ａ…Ｐｔ膜、膜厚：０．０２λ
第２の電極層３ｂ…Ａｌ膜、膜厚：０．１０λ
ＩＤＴ電極３…デューティ比：０．５０
酸化ケイ素膜６…ＳｉＯ_２膜
弾性波…主モード：レイリー波

図６〜図９より、ＳｉＯ_２膜の膜厚を厚くするに従い、音速４７００ｍ／ｓ付近における高次モードのスプリアスが大きくなっていることがわかる。なお、この高次モードの影響によるデバイス全体の特性の劣化を抑制するためには、高次モードの最大位相を−２５°以下にする必要がある。

図１０は、ＳｉＯ_２膜の膜厚と高次モードの最大位相との関係を示す図である。なお、図１０は、図６〜図９と同じ設計の弾性波共振子を用いたときの結果である。

図１０に示すように、ＳｉＯ_２の膜厚を０．３０λ以上とすると、高次モードの最大位相が−２５°より大きくなっていることがわかる。そのため、Ａｌ膜の付加によるＴＣＦの劣化を補償するために、ＳｉＯ_２膜を０．３０λ以上とすると、高次モードが大きくなり帯域外特性が劣化することとなる。従って、従来、低損失、ＴＣＦの改善及び良好な帯域外特性を全て満たす弾性波装置を得ることができなかった。

図１１〜図１５において、（ａ）は、圧電基板のオイラー角（０°，θ，０°）において、θを変化させたときのインピーダンス特性を示す図であり、（ｂ）はその位相特性を示す図である。なお、図１１〜図１５において、θは、それぞれ順に、２４°、２８°、３２°、３６°、３８°である。また、図１１〜図１５は、図１及び図２に示す構造において、以下のように設計した弾性波共振子を用いたときの結果である。電極層及び酸化ケイ素膜の膜厚は、波長λで規格化して示している。

圧電基板２…ＬｉＮｂＯ_３基板、オイラー角（０°，θ，０°）
第１の電極層３ａ…Ｐｔ膜、膜厚：０．０２λ
第２の電極層３ｂ…Ａｌ膜、膜厚：０．１０λ
ＩＤＴ電極３…デューティ比：０．５０
酸化ケイ素膜６…ＳｉＯ_２膜、膜厚：０．４０λ
弾性波…主モード：レイリー波

図１１〜図１５より、θを小さくするにつれて、高次モードのスプリアスが小さくなっていることがわかる。

また、図１６は、オイラー角（０°，θ，０°）において、θと高次モードの最大位相との関係を示す図である。なお、図１６は、図１１〜図１５と同じ設計の弾性波共振子を用いたときの結果である。図１６より、θが、８°以上、３２°以下のとき高次モードの最大位相が−２５°以下となっていることがわかる。すなわち、θが、８°以上、３２°以下のとき、ＳｉＯ_２膜の膜厚が０．４０λと厚くとも、高次モードのスプリアスの発生を十分に抑制できることがわかる。好ましくは、オイラー角のθが１２°以上、２６°以下であることが望ましく、その場合には、高次モードのスプリアスをより一層抑制することができる。

このように、本実施形態の上記構成に加えて、オイラー角（０°，θ，０°）において、θを、８°以上、３２°以下とすることで、低損失、ＴＣＦの改善及び良好な帯域外特性の全てを満たす弾性波装置を得ることができる。

もっとも、図１１〜図１５より、θを小さくするに従いメインの共振付近（音速：３７００ｍ／ｓ付近）に大きなスプリアスが発生していることがわかる。これは、主モードであるレイリー波に加えて、不要波となるＳＨ波が励振されたことによるスプリアスである。このスプリアスは、ＳＨ波の電気機械結合係数を小さくすることで抑圧することができる。

図１７（ａ）〜図１７（ｃ）及び図１８（ａ）〜図１８（ｃ）は、Ｐｔ膜の膜厚を変化させたときのオイラー角（０°，θ，０°）におけるθとＳＨ波の比帯域との関係を示す図である。なお、図１７（ａ）〜図１７（ｃ）及び図１８（ａ）〜図１８（ｃ）において、Ｐｔ膜の膜厚は、それぞれ順に０．０１５λ、０．０２５λ、０．０３５λ、０．０５５λ、０．０６５λ、０．０７５λである。また、図１７及び図１８は、図１及び図２に示す構造において、以下のように設計した弾性波共振子を用いたときの結果である。

圧電基板２…ＬｉＮｂＯ_３基板、オイラー角（０°，θ，０°）
第１の電極層３ａ…Ｐｔ膜
第２の電極層３ｂ…Ａｌ膜、膜厚：０．１０λ
ＩＤＴ電極３…デューティ比：０．５０
酸化ケイ素膜６…ＳｉＯ_２膜、膜厚：０．３５λ
弾性波…主モード：レイリー波

なお、比帯域（％）は、比帯域（％）＝｛（反共振周波数−共振周波数）／共振周波数｝×１００で求めた。比帯域（％）は、電気機械結合係数（Ｋ^２）と比例関係にある。

図１７（ａ）〜図１７（ｃ）より、Ｐｔ膜の膜厚が０．０１５λ〜０．０３５λの範囲では、Ｐｔ膜の膜厚が厚くなるに従い、ＳＨ波の電気機械結合係数が極小値となるθが大きくなっていることがわかる。他方、図１８（ａ）より、Ｐｔ膜の膜厚が０．０５５λのとき、ＳＨ波の電気機械結合係数が極小値となるθが２７°と小さくなっていることがわかる。また、図１８（ｂ）より、Ｐｔ膜の膜厚が、０．０６５λのとき、θが２９°であることがわかる。また、図１８（ｃ）より、Ｐｔ膜の膜厚が、０．０７５λのとき、θが３０°であることがわかる。

従って、上記高次モードのスプリアスを十分に抑制できるオイラー角θを３２°以下とするためには、少なくともＰｔ膜の膜厚を０．０３５λより大きくする必要があることがわかる。

なお、Ｐｔ膜の膜厚が、０．０３５λ〜０．０５５λの間で、ＳＨ波の電気機械結合係数の極小値が大きく変化する理由については、図１９を用いて説明することができる。

図１９は、Ｐｔ膜の膜厚と、レイリー波及びＳＨ波の音速との関係を示す図である。図中、実線は主モードであるレイリー波の結果を示しており、破線は、不要波となるＳＨ波の結果を示している。また、縦軸は音速（Ｖｓａｗ）を示している（図２１〜図２５も同様とする）。なお、図１９は、図１及び図２に示す構造において、以下のよう設計した弾性波共振子を用いたときの結果である。

圧電基板２…ＬｉＮｂＯ_３基板、オイラー角（０°，２８°，０°）
第１の電極層３ａ…Ｐｔ膜
第２の電極層３ｂ…Ａｌ膜、膜厚：０．１０λ
ＩＤＴ電極３…デューティ比：０．６０
酸化ケイ素膜６…ＳｉＯ_２膜、膜厚：０．３５λ
弾性波…主モード：レイリー波

図１９より、Ｐｔ膜の膜厚が０．０４７λより小さいとき、レイリー波の音速＜ＳＨ波の音速であることがわかる。他方、０．０４７λ以上では、ＳＨ波の音速＜レイリー波の音速となっていることがわかる。このことから、Ｐｔ膜の膜厚が０．０４７λのときを境に、ＳＨ波とレイリー波との音速関係が変化し、その結果ＳＨ波の電気機械結合係数が極小値となるθが低められていることがわかる。すなわち、Ｐｔ膜の膜厚が０．０４７λ以上のとき、θを３２°以下とすることができ、かつＳＨ波の電気機械結合係数を極小にすることができる。

従って、本発明においては、第１の電極層３ａの膜厚は、ＳＨ波の音速が、レイリー波の音速より低くなるような厚みとされていることが好ましい。具体的に、第１の電極層３ａとしてＰｔ膜を用いる場合は、Ｐｔ膜の膜厚が０．０４７λ以上であることが好ましい。この場合、ＳＨ波の電気機械結合係数を小さくすることができ、通過帯域近傍（音速：３７００ｍ／ｓ付近）の不要波の発生を抑制することができる。なお、電極の合計厚みが厚くなると電極のアスペクト比が大きくなり、形成が困難になることから、Ａｌを含めた電極の合計膜厚は、０．２５以下であることが望ましい。

図２１は、Ｗ膜の膜厚と、レイリー波及びＳＨ波の音速との関係を示す図である。図中、実線は主モードであるレイリー波の結果を示しており、破線は、不要波となるＳＨ波の結果を示している。なお、図２１は、第１の電極層３ａとしてＷ膜を所定の厚みで形成したこと以外は図１９と同様にして設計した弾性波共振子を用いたときの結果である。

図２１より、Ｗ膜を用いる場合は、Ｗ膜の膜厚が０．０６２λのときを境に、レイリー波の音速とＳＨ波の音速とが逆転していることがわかる。そのため、Ｗ膜を用いる場合は、Ｗ膜の膜厚が０．０６２λ以上のとき、オイラー角θを３２°以下とすることができ、かつ電気機械結合係数を極小にすることができる。

従って、第１の電極層３ａとしてＷ膜を用いる場合は、Ｗ膜の膜厚が０．０６２λ以上であることが好ましい。この場合、ＳＨ波の電気機械結合係数を小さくすることができ、通過帯域近傍（音速：３７００ｍ／ｓ付近）の不要波の発生を抑制することができる。

図２２は、Ｍｏ膜の膜厚と、レイリー波及びＳＨ波の音速との関係を示す図である。図中、実線は主モードであるレイリー波の結果を示しており、破線は、不要波となるＳＨ波の結果を示している。なお、図２２は、第１の電極層３ａとしてＭｏ膜を所定の厚みで形成したこと以外は図１９と同様にして設計した弾性波共振子を用いたときの結果である。

図２２より、Ｍｏ膜を用いる場合は、Ｍｏ膜の膜厚が０．１４４λのときを境に、レイリー波の音速とＳＨ波の音速とが逆転していることがわかる。そのため、Ｍｏ膜を用いる場合は、Ｍｏ膜の膜厚が０．１４４λ以上のとき、オイラー角θを３２°以下とすることができ、かつ電気機械結合係数を極小にすることができる。

従って、第１の電極層３ａとしてＭｏ膜を用いる場合は、Ｍｏ膜の膜厚が０．１４４λ以上であることが好ましい。この場合、ＳＨ波の電気機械結合係数を小さくすることができ、通過帯域近傍の不要波の発生を抑制することができる。

図２３は、Ｔａ膜の膜厚と、レイリー波及びＳＨ波の音速との関係を示す図である。図中、実線は主モードであるレイリー波の結果を示しており、破線は、不要波となるＳＨ波の結果を示している。なお、図２３は、第１の電極層３ａとしてＴａ膜を所定の厚みで形成したこと以外は図１９と同様にして設計した弾性波共振子を用いたときの結果である。

図２３より、Ｔａ膜を用いる場合は、Ｔａ膜の膜厚が０．０７４λのときを境に、レイリー波の音速とＳＨ波の音速とが逆転していることがわかる。そのため、Ｔａ膜を用いる場合は、Ｔａ膜の膜厚が０．０７４λ以上のとき、オイラー角θを３２°以下とすることができ、かつ電気機械結合係数を極小にすることができる。

従って、第１の電極層３ａとしてＴａ膜を用いる場合は、Ｔａ膜の膜厚が０．０７４λ以上であることが好ましい。この場合、ＳＨ波の電気機械結合係数を小さくすることができ、通過帯域近傍の不要波の発生を抑制することができる。

図２４は、Ａｕ膜の膜厚と、レイリー波及びＳＨ波の音速との関係を示す図である。図中、実線は主モードであるレイリー波の結果を示しており、破線は、不要波となるＳＨ波の結果を示している。なお、図２４は、第１の電極層３ａとしてＡｕ膜を所定の厚みで形成したこと以外は図１９と同様にして設計した弾性波共振子を用いたときの結果である。

図２４より、Ａｕ膜を用いる場合は、Ａｕ膜の膜厚が０．０４２λのときを境に、レイリー波の音速とＳＨ波の音速とが逆転していることがわかる。そのため、Ａｕ膜を用いる場合は、Ａｕ膜の膜厚が０．０４２λ以上のとき、オイラー角θを３２°以下とすることができ、かつ電気機械結合係数を極小にすることができる。

従って、第１の電極層３ａとしてＡｕ膜を用いる場合は、Ａｕ膜の膜厚が０．０４２λ以上であることが好ましい。この場合、ＳＨ波の電気機械結合係数を小さくすることができ、通過帯域近傍の不要波の発生を抑制することができる。

図２５は、Ｃｕ膜の膜厚と、レイリー波及びＳＨ波の音速との関係を示す図である。図中、実線は主モードであるレイリー波の結果を示しており、破線は、不要波となるＳＨ波の結果を示している。なお、図２５は、第１の電極層３ａとしてＣｕ膜を所定の厚みで形成したこと以外は図１９と同様にして設計した弾性波共振子を用いたときの結果である。

図２５より、Ｃｕ膜を用いる場合は、Ｃｕ膜の膜厚が０．１３６λのときを境に、レイリー波の音速とＳＨ波の音速とが逆転していることがわかる。そのため、Ｃｕ膜を用いる場合は、Ｃｕ膜の膜厚が０．１３６λ以上のとき、オイラー角θを３２°以下とすることができ、かつ電気機械結合係数を極小にすることができる。

従って、第１の電極層３ａとしてＣｕ膜を用いる場合は、Ｃｕ膜の膜厚が０．１３６λ以上であることが好ましい。この場合、ＳＨ波の電気機械結合係数を小さくすることができ、通過帯域近傍の不要波の発生を抑制することができる。

図２６〜図２８において、（ａ）は、デュ−ティ比を変化させたときのインピーダンス特性を示す図であり、（ｂ）は、その位相特性を示す図である。なお、図２６〜図２８において、デュ−ティ比が、それぞれ順に、０．５０、０．６０及び０．７０のときの結果である。また、図２６〜図２８は、図１及び図２に示す構造において、以下のように設計した弾性波共振子を用いたときの結果である。

圧電基板２…ＬｉＮｂＯ_３基板、オイラー角（０°，２８°，０°）
第１の電極層３ａ…Ｐｔ膜、膜厚：０．０６λ
第２の電極層３ｂ…Ａｌ膜、膜厚：０．１０λ
酸化ケイ素膜６…ＳｉＯ_２膜、膜厚：０．３２λ
弾性波…主モード：レイリー波

図２６〜図２８より、デュ−ティ比が大きいほど高次モードのスプリアスが抑制されていることがわかる。

図２９は、ＩＤＴ電極のデュ−ティ比と高次モードの最大位相との関係を示す図である。なお、図２９は、図２６〜図２８と同じ設計の弾性波共振子を用いたときの結果である。図２９より、デュ−ティ比が０．４８以上のとき、高次モードの最大位相が−２５°以下となっていることがわかる。また、デュ−ティ比が０．５５以上では、高次モードの最大位相が−６０°以下となっていることがわかる。従って、高次モードのスプリアスをより一層抑制する観点から、ＩＤＴ電極３のデューティ比は、０．４８以上であることが好ましく、０．５５以上であることがより好ましい。なお、デューティ比が大きくなると隣接する電極指間のギャップが小さくなることから、デュ−ティ比は、０．８０以下であることが望ましい。

次に、以上を踏まえて、図１及び図２に示す構造において、以下のような弾性波共振子を設計した。

圧電基板２…ＬｉＮｂＯ_３基板、オイラー角（０°，２８°，０°）
第１の電極層３ａ…Ｐｔ膜、膜厚：０．０６λ
第２の電極層３ｂ…Ａｌ膜、膜厚：０．１０λ
ＩＤＴ電極３…デューティ比：０．５０
酸化ケイ素膜６…ＳｉＯ_２膜、膜厚：０．４０λ
弾性波…主モード：レイリー波

図２０（ａ）は、上記のように設計した弾性波共振子を用いた弾性波装置のインピーダンス特性を示す図であり、図２０（ｂ）は、その位相特性を示す図である。

図２０（ａ）及び図２０（ｂ）より、本弾性波共振子を用いた弾性波装置では、高次モード及びＳＨ波のスプリアスが抑制されていることがわかる。また、本弾性波共振子を用いた弾性波装置は、Ａｌ膜の厚みが十分に厚いため低損失である。さらに、本弾性波共振子を用いた弾性波装置では、ＴＣＦは−２０．７ｐｐｍ／℃であり、ＴＣＦも良好であった。

以上より、低損失、ＴＣＦの改善、かつ高次モードのスプリアス抑制及び通過帯域近傍の不要波の抑制の全てを満たす弾性波装置を作製できていることが確認できた。

なお、図３〜図２９は、オイラー角（０°，θ，０°）の結果を示しているが、オイラー角（０°±５°，θ，０°±１０°）の範囲においても同様の結果が得られることが確認できている。

また、水素原子、水酸基またはシラノール基を含有する酸化ケイ素膜６を用いた場合も、周波数温度特性をより一層改善することができ、他の特性についても同等の結果が得られることを確認するために以下のような弾性波共振子を設計した。

圧電基板２…ＬｉＮｂＯ_３基板、オイラー角（０°，３０，０°）
第１の電極層３ａ…Ｐｔ膜、膜厚：０．０８５λ
第２の電極層３ｂ…Ａｌ膜、膜厚：０．０８２λ
ＩＤＴ電極３…デューティ比：０．５０
酸化ケイ素膜６…水素原子、水酸基またはシラノール基を含有するＳｉＯ_２膜、膜厚：０．４０λ
弾性波…主モード：レイリー波

なお、酸化ケイ素膜６は、圧電基板２上にＩＤＴ電極３を形成した後、スパッタリングにより成膜した。具体的には、ＡｒとＯ_２の混合ガスに、気化器を用いて液体から気体に気化させた水（Ｈ_２Ｏ）を、マスフローコントローラーを用いて流量を制御しながらチャンバ内のＨ_２Ｏ分圧を０．５％〜２０％になるまで加えた。また、スパッタリング圧力は、０．５Ｐａとし、基板加熱温度は２２０℃とした。

設計した弾性波共振子において、ＴＣＦ、インピーダンスＺ比、及び比帯域を測定した。結果を表５に示す。なお、表５においては、比較のため、水素原子、水酸基またはシラノール基を含有していない酸化ケイ素膜６を用いたときの結果を併せて示している。

表５の結果より、酸化ケイ素膜６が水素原子、水酸基またはシラノール基を含有している場合においても、低損失であり、周波数温度特性に優れており、高次モードによるスプリアスが生じ難い、弾性波共振子が得られていることがわかる。

（高周波フロントエンド回路、通信装置）
上記実施形態の弾性波装置は、高周波フロントエンド回路のデュプレクサなどとして用いることができる。この例を下記において説明する。

図３１は、通信装置及び高周波フロントエンド回路の構成図である。なお、同図には、高周波フロントエンド回路２３０と接続される各構成要素、例えば、アンテナ素子２０２やＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）２０３も併せて図示されている。高周波フロントエンド回路２３０及びＲＦ信号処理回路２０３は、通信装置２４０を構成している。なお、通信装置２４０は、電源、ＣＰＵやディスプレイを含んでいてもよい。

高周波フロントエンド回路２３０は、スイッチ２２５と、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂと、フィルタ２３１，２３２と、ローノイズアンプ回路２１４，２２４と、パワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂ，２４４ａ，２４４ｂとを備える。なお、図３１の高周波フロントエンド回路２３０及び通信装置２４０は、高周波フロントエンド回路及び通信装置の一例であって、この構成に限定されるものではない。

デュプレクサ２０１Ａは、フィルタ２１１，２１２を有する。デュプレクサ２０１Ｂは、フィルタ２２１，２２２を有する。デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂは、スイッチ２２５を介してアンテナ素子２０２に接続される。なお、上記弾性波装置は、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂであってもよいし、フィルタ２１１，２１２，２２１，２２２であってもよい。上記弾性波装置は、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂや、フィルタ２１１，２１２，２２１，２２２を構成する弾性波共振子であってもよい。

さらに、上記弾性波装置は、３つのフィルタのアンテナ端子が共通化されたトリプレクサや、６つのフィルタのアンテナ端子が共通化されたヘキサプレクサなど、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサについても適用することができる。

すなわち、上記弾性波装置は、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサを含む。そして、該マルチプレクサは、送信フィルタ及び受信フィルタの双方を備える構成に限らず、送信フィルタのみ、または、受信フィルタのみを備える構成であってもかまわない。

スイッチ２２５は、制御部（図示せず）からの制御信号に従って、アンテナ素子２０２と所定のバンドに対応する信号経路とを接続し、例えば、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｐｏｌｅ Ｄｏｕｂｌｅ Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチによって構成される。なお、アンテナ素子２０２と接続される信号経路は１つに限らず、複数であってもよい。つまり、高周波フロントエンド回路２３０は、キャリアアグリゲーションに対応していてもよい。

ローノイズアンプ回路２１４は、アンテナ素子２０２、スイッチ２２５及びデュプレクサ２０１Ａを経由した高周波信号（ここでは高周波受信信号）を増幅し、ＲＦ信号処理回路２０３へ出力する受信増幅回路である。ローノイズアンプ回路２２４は、アンテナ素子２０２、スイッチ２２５及びデュプレクサ２０１Ｂを経由した高周波信号（ここでは高周波受信信号）を増幅し、ＲＦ信号処理回路２０３へ出力する受信増幅回路である。

パワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂは、ＲＦ信号処理回路２０３から出力された高周波信号（ここでは高周波送信信号）を増幅し、デュプレクサ２０１Ａ及びスイッチ２２５を経由してアンテナ素子２０２に出力する送信増幅回路である。パワーアンプ回路２４４ａ，２４４ｂは、ＲＦ信号処理回路２０３から出力された高周波信号（ここでは高周波送信信号）を増幅し、デュプレクサ２０１Ｂ及びスイッチ２２５を経由してアンテナ素子２０２に出力する送信増幅回路である。

ＲＦ信号処理回路２０３は、アンテナ素子２０２から受信信号経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号を出力する。また、ＲＦ信号処理回路２０３は、入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号をローノイズアンプ回路２２４へ出力する。ＲＦ信号処理回路２０３は、例えば、ＲＦＩＣである。なお、通信装置は、ＢＢ（ベースバンド）ＩＣを含んでいてもよい。この場合、ＢＢＩＣは、ＲＦＩＣで処理された受信信号を信号処理する。また、ＢＢＩＣは、送信信号を信号処理し、ＲＦＩＣに出力する。ＢＢＩＣが信号処理する前の送信信号は、例えば、画像信号や音声信号等である。なお、高周波フロントエンド回路２３０は、上述した各構成要素の間に、他の回路素子を備えていてもよい。

なお、高周波フロントエンド回路２３０は、上記デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂに代わり、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂの変形例に係るデュプレクサを備えていてもよい。

他方、通信装置２４０におけるフィルタ２３１，２３２は、ローノイズアンプ回路２１４，２２４及びパワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂ，２４４ａ，２４４ｂを介さず、ＲＦ信号処理回路２０３とスイッチ２２５との間に接続されている。フィルタ２３１，２３２も、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂと同様に、スイッチ２２５を介してアンテナ素子２０２に接続される。

以上のように構成された高周波フロントエンド回路２３０及び通信装置２４０によれば、本発明の弾性波装置である、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサ等を備えることにより、低損失とし、周波数温度特性を改善し、高次モードによるスプリアスを生じ難くすることができ、かつＩＭＤの劣化を抑制することができる。

以上、本発明の実施形態に係る弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置について、実施形態及びその変形例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施形態及び変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施形態や、上記実施形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る高周波フロントエンド回路及び通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

本発明は、弾性波共振子、フィルタ、マルチバンドシステムに適用できるマルチプレクサ、フロントエンド回路及び通信装置として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。

１…弾性波装置
２…圧電基板
２ａ…主面
３…ＩＤＴ電極
３ａ，３ｂ…第１，第２の電極層
４，５…反射器
６…酸化ケイ素膜
２０１Ａ，２０１Ｂ…デュプレクサ
２０２…アンテナ素子
２０３…ＲＦ信号処理回路
２１１，２１２…フィルタ
２１４…ローノイズアンプ回路
２２１，２２２…フィルタ
２２４…ローノイズアンプ回路
２２５…スイッチ
２３０…高周波フロントエンド回路
２３１，２３２…フィルタ
２３４ａ，２３４ｂ…パワーアンプ回路
２４０…通信装置
２４４ａ，２４４ｂ…パワーアンプ回路

Claims (8)

1. 圧電基板と、
   前記圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、
   前記圧電基板上において、前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられている、酸化ケイ素膜と、
   を備え、
   前記ＩＤＴ電極が、
   第１の電極層と、
   該第１の電極層上に積層された第２の電極層と、
   を有し、
   前記圧電基板を伝搬する弾性表面波の主モードは、レイリー波であり、
   前記第１の電極層が、前記第２の電極層を構成している金属及び前記酸化ケイ素膜を構成している酸化ケイ素よりも密度の高い金属若しくは合金により構成されており、
   前記圧電基板が、ＬｉＮｂＯ_３により構成されており、前記圧電基板のオイラー角（０°±５°，θ，０°±１０°）において、θが８°以上、３２°以下の範囲内にあり、
   前記酸化ケイ素膜が、水素原子、水酸基またはシラノール基を含有しており、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長をλとしたときに、前記酸化ケイ素膜の厚みが、０．３λ〜０．４λの範囲にあり、
   前記第１の電極層が、Ｐｔ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ａｕ、Ｃｕ及びこれらの金属を主成分とする合金からなる群から選択された少なくとも１種であり、
   前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長をλとしたときに、前記第１の電極層の厚みが、下記表１に示す前記第１の電極層の材料に応じて、下記表１に示す厚みとされている、弾性表面波装置。
   

   
2. 前記圧電基板を伝搬するＳＨ波の音速が、前記レイリー波の音速よりも遅い、請求項１に記載の弾性表面波装置。
3. 前記第２の電極層が、Ａｌ、Ｃｕ、又はＡｌ若しくはＣｕを主成分とする合金により構成されている、請求項１又は２に記載の弾性表面波装置。
4. 前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長をλとしたときに、前記第２の電極層の厚みが、０．０１７５λ以上である、請求項３に記載の弾性表面波装置。
5. 前記ＩＤＴ電極のデュ−ティ比が、０．４８以上である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性表面波装置。
6. 前記ＩＤＴ電極のデュ−ティ比が、０．５５以上である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性表面波装置。
7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性表面波装置と、
   パワーアンプと、
   を備える、高周波フロントエンド回路。
8. 請求項７に記載の高周波フロントエンド回路と、
   ＲＦ信号処理回路と、
   を備える、通信装置。

Images