JP2020096220A - 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】Ｑ値が高く、かつＩＭＤを抑制することができる、弾性波装置を提供する。【解決手段】弾性波装置１は、高音速膜４（高音速材料層）と、高音速膜４上に設けられている低音速膜５と、低音速膜５上に設けられている圧電体層６と、圧電体層６上に設けられているＩＤＴ電極７とを備える。高音速膜４を伝搬するバルク波の音速が圧電体層６を伝搬する弾性波の音速よりも高い。低音速膜５を伝搬するバルク波の音速が圧電体層６を伝搬するバルク波の音速よりも低い。低音速膜５が水素原子を含む材料からなる。【選択図】図１
Description
本発明は、弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置に関する。
従来、弾性波装置は携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。下記の特許文献１には、弾性波装置の一例が開示されている。この弾性波装置は、高音速支持基板、低音速膜及び圧電膜がこの順序で積層された積層体と、圧電膜上に設けられたＩＤＴ電極とを有する。圧電膜上には、ＩＤＴ電極（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）を覆うように誘電体膜が設けられている。上記のような積層体を有する弾性波装置においては、弾性波のエネルギーが圧電膜側に集中するため、Ｑ値が高い。
特許文献２には、ＬｉＮｂＯ３基板上に、ＩＤＴ電極を覆うように酸化ケイ素膜が設けられた弾性波装置が開示されている。特許文献２には、酸化ケイ素膜がシラノール基や水素原子を含有していることにより、ＩＭＤ（Ｉｎｔｅｒ Ｍｏｕｌａｔｉｏｎ Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ）を抑制することができる旨が記載されている。
特許文献１に記載の弾性波装置では、ＩＭＤを十分に抑制することは困難である。そこで、本願発明者らは、特許文献１の弾性波装置における誘電体膜として、特許文献２における水素原子を含有した酸化ケイ素膜を用いることを検討した。しかしながら、ＩＤＴ電極が設けられた圧電性基板が上記のような積層体である場合には、特許文献２の酸化ケイ素膜を用いても、ＩＭＤを十分に抑制し得ないことが明らかになった。
本発明の目的は、Ｑ値が高く、かつＩＭＤを抑制することができる、弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置を提供することにある。
本発明に係る弾性波装置は、高音速材料層と、前記高音速材料層上に設けられている低音速膜と、前記低音速膜上に設けられている圧電体層と、前記圧電体層上に設けられているＩＤＴ電極とを備え、前記高音速材料層を伝搬するバルク波の音速が前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも高く、前記低音速膜を伝搬するバルク波の音速が前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも低く、前記低音速膜が水素原子を含む材料からなる。
本発明の高周波フロントエンド回路は、本発明に従い構成された弾性波装置と、パワーアンプとを備える。
本発明の通信装置は、本発明に従い構成された高周波フロントエンド回路と、ＲＦ信号処理回路とを備える。
本発明によれば、Ｑ値が高く、かつＩＭＤを抑制することができる、弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置を提供することができる。
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
弾性波装置１は圧電性基板２を有する。圧電性基板２上には、ＩＤＴ電極７が設けられている。ＩＤＴ電極７に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。圧電性基板２上における、ＩＤＴ電極７の弾性波伝搬方向両側には、一対の反射器９Ａ及び反射器９Ｂが設けられている。このように、本実施形態の弾性波装置１は弾性波共振子である。もっとも、本発明に係る弾性波装置は、弾性波共振子を含むフィルタ装置であってもよい。
圧電性基板２は、支持基板３と、支持基板３上に設けられている高音速材料層としての高音速膜４と、高音速膜４上に設けられている低音速膜５と、低音速膜５上に設けられている圧電体層６とを有する。圧電体層６上にＩＤＴ電極７が設けられている。なお、圧電性基板２の構成は上記に限定されない。
圧電体層６の材料としては、例えば、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムなどの圧電単結晶や、酸化亜鉛、窒化アルミニウムなどの圧電セラミックを用いることができる。
低音速膜５は、相対的に低音速な膜である。より具体的には、低音速膜５を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層６を伝搬するバルク波の音速よりも低い。
低音速膜５は酸化ケイ素を主成分とする。より具体的には、低音速膜５は酸化ケイ素を主成分とし、かつ水素原子を含む材料からなる。酸化ケイ素はＳｉＯｘにより表され、ｘは任意の正数である。本実施形態においては、低音速膜５はＳｉＯ２を主成分とする。低音速膜５において水素原子は、例えば、シラノール基やヒドロキシル基などとして存在する。低音速膜５の水素原子濃度は１．４６×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である。本明細書において主成分とは、５０重量％以上含まれている成分をいう。
低音速膜５は、誘電体に水（Ｈ２Ｏ）をドープすることにより形成されている。より具体的には、低音速膜５は、例えば、スパッタリング法により成膜することができる。スパッタリング法による成膜中に、気化器にて水を気化させて、スパッタリングガスと混合することにより、誘電体にシラノール基などとして水素原子をドープすることができる。
誘電体に水をドープすることにより低音速膜５を形成した場合には、低音速膜における水素原子濃度は、本実施形態のように１．４６×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上となる。
なお、低音速膜５の材料は上記に限定されず、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、また、酸化ケイ素にフッ素や炭素やホウ素を加えた化合物など、上記材料を主成分とした媒質を用いることもできる。
本実施形態において、高音速材料層は高音速膜４である。高音速材料層は相対的に高音速な層である。より具体的には、高音速材料層を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層６を伝搬する弾性波の音速よりも高い。高音速膜４の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、シリコン、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜またはダイヤモンドなど、上記材料を主成分とする媒質を用いることができる。
支持基板３の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶等の圧電体、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、サファイア、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、シリコン、窒化ガリウム等の半導体または樹脂などを用いることができる。
圧電性基板２上には、ＩＤＴ電極７を覆うように誘電体膜８が設けられている。誘電体膜８は、ＳｉＯ２を主成分とする。本実施形態においては、誘電体膜８には水素原子はほぼ含まれていない。そのため、低音速膜５の水素原子濃度は誘電体膜８の水素原子濃度より高い。なお、誘電体膜８は酸化ケイ素以外の誘電体を主成分としていてもよい。
誘電体膜８は必ずしも設けられていなくともよい。もっとも、本実施形態のように、ＩＤＴ電極７を覆うように誘電体膜８が設けられていることが好ましい。それによって、ＩＤＴ電極７が破損し難い。
図２は、第１の実施形態におけるＩＤＴ電極の電極指付近を示す拡大模式的正面断面図である。
ＩＤＴ電極７は、対向し合う第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７を有する。ＩＤＴ電極７は、第１のバスバー１６にそれぞれ一端が接続されている複数の第１の電極指１８を有する。さらに、ＩＤＴ電極７は、第２のバスバー１７にそれぞれ一端が接続されている複数の第２の電極指１９を有する。複数の第１の電極指１８と複数の第２の電極指１９とは互いに間挿し合っている。
ＩＤＴ電極７、反射器９Ａ及び反射器９Ｂは、複数の金属層が積層された積層金属層からなっていてもよく、単層の金属層からなっていてもよい。
図１に戻り、本実施形態の弾性波装置１は高音速材料層としての高音速膜４と、高音速膜４上に設けられている低音速膜５と、低音速膜５上に設けられている圧電体層６と、圧電体層６上に設けられているＩＤＴ電極７とを備え、高音速膜４を伝搬するバルク波の音速が圧電体層６を伝搬する弾性波の音速よりも高く、低音速膜５を伝搬するバルク波の音速が圧電体層６を伝搬するバルク波の音速よりも低く、低音速膜５が水素原子を含む材料からなるという構成を有する。それによって、Ｑ値が高く、かつＩＭＤを抑制することができる。これを以下において説明する。
本実施形態においては、弾性波装置１の圧電性基板２は、高音速膜４、低音速膜５及び圧電体層６がこの順序で積層された構成を有する。それによって、弾性波のエネルギーを圧電体層６側に効果的に閉じ込めることができ、Ｑ値を効果的に高めることができる。加えて、低音速膜５が水素原子を含む材料からなることにより、ＩＭＤを抑制することができる。
ＩＭＤを抑制することができる効果の詳細を、第１の実施形態、第１の比較例及び第２の比較例を比較することにより、以下において説明する。
第１の実施形態の構成を有する弾性波装置並びに第１の比較例及び第２の比較例の弾性波装置を作製した。第１の実施形態においては、誘電体に水をドープすることにより低音速膜を形成し、誘電体に水をドープせずに誘電体膜を形成した。他方、第１の比較例においては、誘電体に水をドープせずに誘電体膜及び低音速膜を形成した。第２の比較例においては、誘電体に水をドープせずに低音速膜を形成し、誘電体に水をドープすることにより誘電体膜を作成した。
次に、上記各弾性波装置のＩＭＤレベルを測定した。この結果を下記の図３及び図４に示す。なお、第１の比較例の弾性波装置を、第１の実施形態との比較のとき及び第２の比較例との比較のときにそれぞれ作製し、各弾性波装置のＩＭＤレベルの測定を行っている。
図３は、第１の比較例及び第２の比較例におけるＩＭＤレベルを示す図である。図４は、第１の実施形態及び第１の比較例におけるＩＭＤレベルを示す図である。図３において、三角形のプロットは第１の比較例の結果を示し、四角形のプロットは第２の比較例の結果を示す。図４において、三角形のプロットは第１の比較例の結果を示し、円形のプロットは第１の実施形態の結果を示す。
図３に示すように、第１の比較例及び第２の比較例においては、ＩＭＤレベルはほぼ変わらないことがわかる。第２の比較例のように、誘電体膜の水素原子濃度を高めても、ＩＭＤは改善されないことがわかる。
これに対して、図４に示すように、第１の実施形態においては、第１の比較例よりもＩＭＤレベルが低いことがわかる。より具体的には、第１の実施形態では、１９５５ＭＨｚ〜１９７０ＭＨｚ付近の周波数領域においてＩＭＤが抑制されている。このように、第１の実施形態においては、ＩＭＤを効果的に抑制することができる。
第１の実施形態においてＩＭＤを抑制できることは、以下の理由によるものと考えられる。図１に示す低音速膜５における水素原子を含む材料からなることにより、低音速膜５における振動が抑制される。それによって、さらに、圧電体層６における不要な振動も抑制されることにより、ＩＭＤが抑制される。
本実施形態のように、誘電体膜８の水素原子濃度が１．４９×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であることが好ましい。この場合には、ＩＭＤをより一層抑制することができる。
低音速膜５及び誘電体膜８は酸化ケイ素を主成分とすることが好ましい。それによって、周波数温度特性（ＴＣＦ）の絶対値を小さくすることができる。よって、温度変化に対する周波数の変動を抑制することができる。
低音速膜５内には、例えば、酸化チタンなどを含む接合層が設けられていてもよい。接合層は、圧電性基板２の形成に際し設けられる。なお、接合層は設けられていなくともよい。
上述したように、圧電性基板２は、支持基板３、高音速膜４、低音速膜５及び圧電体層６の積層体である。圧電体層６は、高音速材料層としての高音速膜４上に、低音速膜５を介して間接的に設けられている。もっとも、圧電性基板２の構成は上記に限定されない。以下において、圧電性基板の構成のみが第１の実施形態と異なる、第１の実施形態の第１の変形例及び第２の変形例を示す。第１の変形例及び第２の変形例においても、第１の実施形態と同様に、Ｑ値が高く、かつＩＭＤを抑制することができる。
図５に示す第１の変形例においては、高音速材料層は高音速支持基板２４である。圧電性基板２２は、高音速支持基板２４と、高音速支持基板２４上に設けられている圧電体層６とを有する。このように、圧電体層６は、高音速材料層としての高音速支持基板２４上に直接的に設けられていてもよい。
高音速支持基板２４の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、シリコン、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、ＤＬＣ膜またはダイヤモンドなど、上記材料を主成分とする媒質を用いることができる。
図６に示す第２の変形例においては、圧電性基板２３は、高音速支持基板２４と、高音速支持基板２４上に設けられている低音速膜５と、低音速膜５上に設けられている圧電体層６とを有する。
図７は、第２の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
本実施形態は、誘電体膜３８が水素原子を含む材料からなる点において、第１の実施形態と異なる。誘電体膜３８はＳｉＯ２を主成分とする。誘電体膜３８において、水素原子は、例えば、シラノール基やヒドロキシル基などとして存在する。上記の点以外においては本実施形態の弾性波装置３１は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。なお、本実施形態においても、低音速膜５の水素原子濃度は誘電体膜３８の水素原子濃度より高い。
第１の実施形態と同様に、弾性波装置３１の圧電性基板２は、高音速膜４、低音速膜５及び圧電体層６がこの順序で積層された構成を有する。よって、Ｑ値を高めることができる。加えて、低音速膜５の水素原子濃度が誘電体膜３８の水素原子濃度より高いため、低音速膜５の水素原子濃度が十分に高い。よって、ＩＭＤを効果的に抑制することができる。
誘電体膜８の水素原子濃度は、１．４６×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であることが好ましい。それによって、ＩＭＤをより一層抑制することができる。
本実施形態においては、高音速材料層は高音速膜４である。もっとも、第１の実施形態の第２の変形例と同様に、高音速材料層は高音速支持基板２４であってもよい。
上記各実施形態の弾性波装置は、高周波フロントエンド回路のデュプレクサなどとして用いることができる。この例を下記において説明する。
図８は、通信装置及び高周波フロントエンド回路の構成図である。なお、同図には、高周波フロントエンド回路２３０と接続される各構成要素、例えば、アンテナ素子２０２やＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）２０３も併せて図示されている。高周波フロントエンド回路２３０及びＲＦ信号処理回路２０３は、通信装置２４０を構成している。なお、通信装置２４０は、電源、ＣＰＵやディスプレイを含んでいてもよい。
高周波フロントエンド回路２３０は、スイッチ２２５と、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂと、フィルタ２３１，２３２と、ローノイズアンプ回路２１４，２２４と、パワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂ，２４４ａ，２４４ｂとを備える。なお、図８の高周波フロントエンド回路２３０及び通信装置２４０は、高周波フロントエンド回路及び通信装置の一例であって、この構成に限定されるものではない。
デュプレクサ２０１Ａは、フィルタ２１１，２１２を有する。デュプレクサ２０１Ｂは、フィルタ２２１，２２２を有する。デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂは、スイッチ２２５を介してアンテナ素子２０２に接続される。なお、上記弾性波装置は、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂであってもよいし、フィルタ２１１，２１２，２２１，２２２であってもよい。
さらに、上記弾性波装置は、例えば、３つのフィルタのアンテナ端子が共通化されたトリプレクサや、６つのフィルタのアンテナ端子が共通化されたヘキサプレクサなど、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサについても適用することができる。
すなわち、上記弾性波装置は、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサを含む。そして、該マルチプレクサは、送信フィルタ及び受信フィルタの双方を備える構成に限らず、送信フィルタのみ、または、受信フィルタのみを備える構成であってもかまわない。
スイッチ２２５は、制御部（図示せず）からの制御信号に従って、アンテナ素子２０２と所定のバンドに対応する信号経路とを接続し、例えば、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｐｏｌｅ Ｄｏｕｂｌｅ Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチによって構成される。なお、アンテナ素子２０２と接続される信号経路は１つに限らず、複数であってもよい。つまり、高周波フロントエンド回路２３０は、キャリアアグリゲーションに対応していてもよい。
ローノイズアンプ回路２１４は、アンテナ素子２０２、スイッチ２２５及びデュプレクサ２０１Ａを経由した高周波信号（ここでは高周波受信信号）を増幅し、ＲＦ信号処理回路２０３へ出力する受信増幅回路である。ローノイズアンプ回路２２４は、アンテナ素子２０２、スイッチ２２５及びデュプレクサ２０１Ｂを経由した高周波信号（ここでは高周波受信信号）を増幅し、ＲＦ信号処理回路２０３へ出力する受信増幅回路である。
パワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂは、ＲＦ信号処理回路２０３から出力された高周波信号（ここでは高周波送信信号）を増幅し、デュプレクサ２０１Ａ及びスイッチ２２５を経由してアンテナ素子２０２に出力する送信増幅回路である。パワーアンプ回路２４４ａ，２４４ｂは、ＲＦ信号処理回路２０３から出力された高周波信号（ここでは高周波送信信号）を増幅し、デュプレクサ２０１Ｂ及びスイッチ２２５を経由してアンテナ素子２０２に出力する送信増幅回路である。
ＲＦ信号処理回路２０３は、アンテナ素子２０２から受信信号経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号を出力する。また、ＲＦ信号処理回路２０３は、入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号をパワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂ，２４４ａ，２４４ｂへ出力する。ＲＦ信号処理回路２０３は、例えば、ＲＦＩＣである。なお、通信装置は、ＢＢ（ベースバンド）ＩＣを含んでいてもよい。この場合、ＢＢＩＣは、ＲＦＩＣで処理された受信信号を信号処理する。また、ＢＢＩＣは、送信信号を信号処理し、ＲＦＩＣに出力する。ＢＢＩＣで処理された受信信号や、ＢＢＩＣが信号処理する前の送信信号は、例えば、画像信号や音声信号等である。
なお、高周波フロントエンド回路２３０は、上記デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂに代わり、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂの変形例に係るデュプレクサを備えていてもよい。
他方、通信装置２４０におけるフィルタ２３１，２３２は、ローノイズアンプ回路２１４，２２４及びパワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂ，２４４ａ，２４４ｂを介さず、ＲＦ信号処理回路２０３とスイッチ２２５との間に接続されている。フィルタ２３１，２３２も、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂと同様に、スイッチ２２５を介してアンテナ素子２０２に接続される。
以上のように構成された高周波フロントエンド回路２３０及び通信装置２４０によれば、本発明の弾性波装置である、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサなどを備えることにより、Ｑ値を高めることができ、かつＩＭＤを抑制することができる。
以上、本発明の実施形態に係る弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置について、実施形態及びその変形例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施形態及び変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施形態や、上記実施形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る高周波フロントエンド回路及び通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
本発明は、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、マルチバンドシステムに適用できるマルチプレクサ、フロントエンド回路及び通信装置として、携帯電話機などの通信機器に広く利用できる。
１…弾性波装置
２…圧電性基板
３…支持基板
４…高音速膜
５…低音速膜
６…圧電体層
７…ＩＤＴ電極
８…誘電体膜
９Ａ，９Ｂ…反射器
１６…第１のバスバー
１７…第２のバスバー
１８…第１の電極指
１９…第２の電極指
２２，２３…圧電性基板
２４…高音速支持基板
３１…弾性波装置
３８…誘電体膜
２０１Ａ，２０１Ｂ…デュプレクサ
２０２…アンテナ素子
２０３…ＲＦ信号処理回路
２１１，２１２…フィルタ
２１４…ローノイズアンプ回路
２２１，２２２…フィルタ
２２４…ローノイズアンプ回路
２２５…スイッチ
２３０…高周波フロントエンド回路
２３１，２３２…フィルタ
２３４ａ，２３４ｂ…パワーアンプ回路
２４０…通信装置
２４４ａ，２４４ｂ…パワーアンプ回路
２…圧電性基板
３…支持基板
４…高音速膜
５…低音速膜
６…圧電体層
７…ＩＤＴ電極
８…誘電体膜
９Ａ，９Ｂ…反射器
１６…第１のバスバー
１７…第２のバスバー
１８…第１の電極指
１９…第２の電極指
２２，２３…圧電性基板
２４…高音速支持基板
３１…弾性波装置
３８…誘電体膜
２０１Ａ，２０１Ｂ…デュプレクサ
２０２…アンテナ素子
２０３…ＲＦ信号処理回路
２１１，２１２…フィルタ
２１４…ローノイズアンプ回路
２２１，２２２…フィルタ
２２４…ローノイズアンプ回路
２２５…スイッチ
２３０…高周波フロントエンド回路
２３１，２３２…フィルタ
２３４ａ，２３４ｂ…パワーアンプ回路
２４０…通信装置
２４４ａ，２４４ｂ…パワーアンプ回路
Claims (10)
- 高音速材料層と、
前記高音速材料層上に設けられている低音速膜と、
前記低音速膜上に設けられている圧電体層と、
前記圧電体層上に設けられているＩＤＴ電極と、
を備え、
前記高音速材料層を伝搬するバルク波の音速が前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも高く、
前記低音速膜を伝搬するバルク波の音速が前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも低く、
前記低音速膜が水素原子を含む材料からなる、弾性波装置。 - 前記低音速膜の水素原子濃度が１．４６×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である、請求項１に記載の弾性波装置。
- 前記圧電体層上に、前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられている誘電体膜をさらに備える、請求項１または２に記載の弾性波装置。
- 前記低音速膜の水素原子濃度が前記誘電体膜の水素原子濃度よりも高い、請求項３に記載の弾性波装置。
- 前記誘電体膜が酸化ケイ素を主成分とする材料からなる、請求項３または４に記載の弾性波装置。
- 支持基板をさらに備え、
前記高音速材料層が、前記支持基板と前記低音速膜との間に設けられている高音速膜である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波装置。 - 前記高音速材料層が高音速支持基板である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
- 前記低音速膜が酸化ケイ素を主成分とする材料からなる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
- 請求項１〜８のいずれか１項に記載の弾性波装置と、
パワーアンプと、
を備える、高周波フロントエンド回路。 - 請求項９に記載の高周波フロントエンド回路と、
ＲＦ信号処理回路と、
を備える、通信装置。
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- 2018-12-10 JP JP2018230786A patent/JP2020096220A/ja active Pending
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2019
- 2019-12-09 US US16/707,169 patent/US11456725B2/en active Active
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