TWI322453B - - Google Patents

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叫2453 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種在半導體製造之微影成像步驟中所使 用之塗佈顯影處理裝置中之基板處理方法及半導體裝置之 製造方法。 【先前技術】 在半導體積體電路製造中之微影成像步驟中，使用塗佈 顯影處理裝置對被處理基板進行抗反射膜之塗佈處理及烘 烤處理、抗蝕劑之塗佈處理及烘烤處理，使用曝光裝置經 由掩膜對形成於被處理基板上之抗蝕劑膜進行曝光圖案之 處理，繼而使用塗佈顯影處理裝置依序進行曝光後之烘烤 處理、顯影處理。 其中，在抗反射膜之塗佈處理及抗蝕劑之塗佈處理之後 進仃之烘烤處理中，主要塗佈之藥液之溶劑被排出到加熱 处裝置中，經由排氣從裝置内除去。然而此時，供烤溫 度高之抗反射膜，不僅溶劑、昇華物亦被排出到裝置内， 果排氣不充分，有時會再度附著於被處理基板上而成為 、《。一般而言，藉由對加熱處理裝置進行充分排氣、或 Λ用抑制來自塗佈材料之昇華物的組成，來迴避此等問 題。 ^而近年來，微影成像步驟中所用之藥液多樣化，各種 ^谷劑被採用’有使用同一加熱處理裝置進行含有不同溶 t料之烘烤處理。其結果，例如加熱會相互發生反應 乍為材料之樹脂時，會產生粒子析出並附著於被 109860.doc 處理基板上’而成為缺陷之問題。 再者’日本特開2004-172641號公報中揭示了一種導入 腔至内之氣體通過由面向基板呈現凸或凹之曲面狀板所構 成之氣體吹出板上所形成之開口吹向基板之基板處理裝 置。 曰本特開2003-1 5 8064號公報中揭示了一種導入腔室内 之軋體通過氣體吹出板上所形成之開口吹向基板之基板處 理裝置。 曰本特開1 1 - 7426 1號公報中揭示了 一種具有以下步驟之 '’卩：在基板上塗佈聚矽氧烷塗佈液後，在與該塗佈 液所含之溶劑相同溶劑之氣氛中進行加熱，其後一邊加 熱，一邊將氣氛緩慢地置換為惰性氣體。 【發明内容】 本發明之一形態之基板處理方法，係使用具有開閉機構 ’、、、處理褒置’以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑 之膜之被處理基板者，且在第丨被處理基板之處理及第2被 處理基板之處理之間，在關閉前述開閉機構之狀態下，將 匕3别述第1被處理基板之膜中所含的溶劑之氣體向前述 加熱處理裝置内供給。 本發明之其他形態之基板處理方法，係使用具有開閉機 鼻之力”.、處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶 剑之膜之破處理基板者，且在第丨被處理基板之處理及第2 被處理基板之處理之間，在關閉前述開閉機構之狀態下， 對前述加熱處理裝置内之頂板進行加熱，以便使前述頂板 109860.doc 劑之膜之被處理基板者，且將前述被處理基板搬入前述加 $處理裝置’關閉前述開閉機構，一邊流動特定之供氣流 ϊ、排氣流量之氣體-邊對前述被處理基板進行特定時間 之加熱，將前述氣體之溫度降低特定時間，打開前述開閉 機構，將前述被處理基板從前述加熱處理裝置搬出。 本發明之其他形態之基板處理方法，係使用具有開閉機 構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有、容 劑之膜之被處理基板者，且將前述被處理基板搬入前述加 ^處理裝置，關閉前述開閉機構，一邊流動特定之供氣流 s、排氣流量之氣體一邊對前述被處理基板進行特定時間 之加熱’ -邊供給前述溶劑一邊將前述被處理基板在前述 加熱處理裝置内保持特定時間，打開前述開閉機構，將前 述被處理基板從前述加熱處理裝置搬出。 本發明之其他形態之基板處理方法，係使用具有開閉機 構之力.、’、處理裝置’以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶 劑之膜之被處理基板者，且將前述被處理基板搬入前述加 熱處理裝置’關閉前述開閉機構，一邊供給已加熱 體豸對别述破處理基板進行特定時間之加熱，打開前 :開閉機構’將前述被處理基板從前述加熱處理裝置搬 本發月之其他形態之基板處理方法，係使用具有開閉機 冓…、處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有汾 劑之膜之被處理基板者，且將前述被處理基板搬入前述Γ 熱處理裝置’關閉前述開閉機構，一邊加熱前述加： 109860.doc 單-ml之實轭形態中，說明用同一加熱處理裝置(烘烤 對有機抗反射膜和s〇G(Spin〇nG1蝴進行洪^處 “之情形1機抗反㈣之藥液中所含之溶劑和s〇G膜之 樂液中所含之麥劑為不同種類。 &圖1係顯示用於有機抗反射膜及S0G膜之烘烤處理之一 般的單片的加熱處理裝置構造之侧剖面圖。於腔室⑽之 上部設有蓋1GI ’㈣⑽内之上方設有頂板1G2e蓋101之 中央設有孔1G5，頂板1()2上以例如螺旋狀或放射狀地設有 複數之開孔⑽。載置有晶圓（半導體基板）⑻之腔室1〇〇 下部之熱板104中埋設有可上升/下降之複數支持銷1〇7， 腔室100内下部之端部設有複數之孔106。 圖2係顯示一般的烘烤處理程序之流程圖。首先，在晶 圓103上藉由旋轉塗佈形成塗佈膜（含有溶劑之樹脂膜），將 晶圓103搬入上述之加熱處理裝置時’則在步驟sl〇i腔室 100之蓋101打開，在步驟S102將晶圓1〇3搬入腔室1〇〇内。 在步驟S103複數支持銷1〇7以從下方支持晶圓1〇3之狀態下 降，腔室之蓋101關閉，在步驟S1 〇4開始進行烘烤處理。 在烘烤處理中，從外部由腔室上部之孔1 〇5供給空氣（或 NO經由，從腔室下部之複數孔106排氣。進行特定時間之 烘烤處理之後，在步驟S105腔室100之蓋1〇1打開，支持鎖 107上升，在步驟S106將晶圓103搬出。 在步驟S107當下一晶圓1〇3到達加熱處理裝置時，在處 理完畢之晶圓103搬出之同時’下一晶圓IQ]被搬入腔室 100内，重複上述步驟S102以後之處理。在步驟si 07當下 109860.doc 12 一晶圓103尚未到達加埶 腔室之蓄ιοί 處裝時，在步驟“08以關閉 對下一晶直到下—晶1M03到來為止後， 々進仃上述步驟_以後之處理。 圖2之程序重複奸膜按如 圓後，以s太 按如此之程序重複處理多片晶 ……界，於烘烤處理有機抗反射膜時會 產生日日圓上產生缺陷之n 曰之問喊。調查其原因後明白，SOG膜 之幵華物附著於加埶處 、 ‘、、'處理裝置内之頂板102上，該S0G和 有機抗反射膜之溶劑凝集後成為粒子，附著於晶圓上。下 面’就用於解決此問題之裝置和處理方法加以說明。 ί上述之問題’使用如圖3所示之加熱處理裝置進行如 下之處理(在1片晶圓之處理與下一晶圓之處理之間進行之 處理）。 圖3係顯示與本第1實施形態相關之單片的加熱處理裝置 之構造之侧剖面圖。在圖3中對於與圖丨相同之部分給予相 同符號。於腔室100之上部設有蓋1〇1(開閉機構），腔室1〇〇 内之上方设有頂板丨〇2。蓋1〇1之中央設有孔1〇5，頂板 上以例如螺旋狀或放射狀地設有複數之開孔1〇21。載置有 晶圓（半導體基板、被處理基板）1〇3之腔室1〇〇下部之熱板 104中埋設有可上升/下降之複數支持銷1〇7，腔室ι〇〇内下 部之端部設有複數之孔1 〇6。 再者’軋體供給源201經由配管連接有壓力調整機構 202、溫度調整機構203及閥門2〇4，且溶劑氣氛製作機構 205連接於閥門204上。在各孔106經由排氣量調整機構2〇6 I09860.doc -13- 1322453 連接有排氣機構207。在氣體供給源201、壓力調整機構 202、溫度調整機構203、閥門204、溶劑氣氛製作機構 205、排氣量調整機構206及排氣機構207上連接有包含計 算機之控制部300。 圖4係顯示與本第1實施形態相關之烘烤處理之程序之流 程圖。首先，在晶圓103上藉由旋轉塗佈形成塗佈膜（含有 >谷劑之樹脂膜）’將晶圓10 3搬入上述之加熱處理裝置時， 在步驟S201藉由控制部300之控制，將腔室100之蓋1〇1打 開，在步驟S202將晶圓103搬入腔室100内。在步驟82〇3藉 由控制部300之控制，令複數支持銷107以從下方支持晶圓 103之狀態下降，關閉腔室之蓋1〇1，在步驟82〇4開始進行 烘烤處理。 在烘烤處理中，藉由控制部300之控制，來自氣體供給 源201之空氣（或no經壓力調整機構202調整壓力、經溫度 調整機構203調整溫度之後，經由閥門204從腔室上部之孔 105以特定流量供氣’並從腔室下部之複數孔106以特定流 量排氣。 供烤處理進行特定時間之後’在步驟S2〇5藉由控制部 300之控制’腔室之蓋1〇1打開，支持銷ι〇7上升，在步驟 S206晶圓1〇3被搬出。 在步驟S207下一晶圓1〇3上之膜之種類與此次之晶圓1〇3 上之膜之種類相同，且在步驟82〇8下一晶圓1〇3到達加熱 處理裝置時，藉由控制部3〇〇之控制，在搬出處理完畢之 此次之晶圓103之同時，下一晶圓1〇3被搬入腔室1〇〇内， 109860.doc 重複進行上述步驟S202以後之處理。 在步驟S207當下一晶圓103上之膜之種類與此次之晶圓 103上之膜之種類不同時，藉由控制部3〇〇之控制，在步驟 S209在關閉腔室之蓋1〇1之狀態下待機’直到下一晶圓Μ] 到來為止後，在步驟S2 1 〇用溶劑氣氛製作機構2〇5使空氣 (或NO中包含與處理完畢之此次之晶圓1〇3上之臈所含的 溶劑相同之溶劑。在本實施形態中，至少使空氣(或N2)中 包含有機抗反射膜及S0G膜中所含之溶劑。 其後，藉由控制部300之控制，對下一晶圓1〇3進行上述 步驟S201以後之處理。 在步驟S208當下一晶圓103尚未到達加熱處理裝置時， 在步驟S211藉由控制部300之控制，以關閉腔室之蓋ι〇ι之 狀態待機’直到下一晶圓103到來為止後，對下一晶圓 進行上述步驟S201以後之處理。 糟此，當下一晶圓103上之膜之種類與此次之晶圓1〇3上 之膜之種類不同時，藉由使處理此次之晶圓ι〇3時附著於 頂板102之昇華物溶解於溶劑氣氛犁作機構2〇5所供給之溶 劑氣氛中，並從孔106排氣，能夠除去在下一晶圓ι〇3處理 時成為粒子之原因之物質。藉此，能夠降低下一晶圓1〇3 上之缺陷。此外’在上述實施形態中，雖然每當晶圓1〇3 上之膜種類改變時就供給溶劑氣氛，但亦可不㈣㈣而 向每片晶圓103供氣。 最後，使用經過如上處理之晶圓1〇3製造半導體裝置。 圖5係顯示與本第丨實施形態之變形例相關之烘烤處理之 I09860.doc 15 1322453 程序之流程圖。首先，在晶圓1 03上藉由旋轉塗佈形成塗 佈膜（含有溶劑之樹脂膜），將晶圓103搬送至如圖3所示之 加熱處理裝置時，在步驟S301藉由控制部300之控制，打 開腔室100之蓋101，在步驟S302將晶圓103搬入腔室1〇〇 内。在步驟S303藉由控制部300之控制，使複數支持銷107 以從下方支持晶圓103之狀態下降，關閉腔室之蓋101，在 步驟S304開始進行烘烤處理。 在烘烤處理中，藉由控制部300之控制，來自氣體供給 源201之空氣（或ν2)經壓力調整機構202調整壓力、經溫度 調整機構203調整溫度之後，經由閥門204從腔室上部之孔 1 〇5以特定流量供給，並從腔室下部之複數孔i 06以特定流 量排氣。 進行特定時間此烘烤處理之後，在步驟S305藉由控制部 300之控制，調整溶劑氣氛製作機構205，將含有溶劑之氣 體經由閥門204從腔室上部之孔1〇5供氣，並從腔室下部之 複數孔10 6排氣。在步驟S 3 0 6藉由控制部3 0 0之控制，經過 特定時間後，將腔室之蓋101打開，使支持銷107上升，搬 出晶圓103。其後，藉由控制部300之控制，調整溶劑氣氛 製作機構205，將供給之氣體還原。 在步驟S307當下一晶圓103到達加熱處理裝置時，藉由 控制部300之控制，在搬出處理完畢之此次之晶圓1〇3之同 時’下一晶圓103被搬入腔室1〇〇内，重複進行上述步驟 S302以後之處理。 在步驟S 3 0 7當下一晶圓i 〇 3尚未到達加熱處理裝置時， 109860.doc •16· 烘烤處理β 在烘烤處理中，藉由控制部300之控制，來自氣體供給 源201之空氣（或Ν2)經壓力調整機構202調整壓力、經溫度 調整機構203調整溫度之後，經由閥門204從腔室上部之孔 105以特定流量供氣，並從腔室下部之複數孔1〇6以特定流 量排氣。 進行特定時間此烘烤處理之後’在步驟S405藉由控制部 3〇〇之控制，調整氣體供給源201，增加供氣量與排氣量中 之至少一方。在步驟S 4 0 6藉由控制部3 0 0之控制，經過特 定時間後打開腔室之蓋10 1，使支持銷1 〇7上升，將晶圓 1 03搬出。其後，藉由控制部3〇〇之控制，調整氣體供給源 2〇1 ’將供氣量和排氣量還原。 在步驟S407當下一晶圓1 〇3到達加熱處理裝置時，藉由 控制部300之控制’在搬出處理完畢之此次之晶圓之同 時’將下一晶圓103搬入腔室100内，重複進行上述步驟 S402以後之處理。 在步驟S407當下一晶圓1〇3尚未到達加熱處理裝置時， 在步驟S408藉由控制部300之控制’以關閉腔室之莒之 狀態待機’直到下一晶圓1 03到來為止後，對下—晶圓1 〇3 進行上述步驟S401以後之處理。 藉此，晶圓處理前半段產生之物質可藉由在晶圓處理後 半段提高供氣量和排氣量而去除》且，因為在處理之前半 段不提升排氣量，所以能夠在保持腔室内的溫度之均一性 之狀態下進行處理。藉此，能夠在保持溫度之均—性下降 109860.doc 19 低晶圓上之缺陷。此外，在上述實施形態中，在上升支持 銷107之前增加供氣和排氣量，但在上升支持銷1〇7之後進 行亦可獲得同樣之效果。 最後，使用經過如上處理之晶圓1〇3製造半導體裝置。 圖7係顯不與本第2實施形態之第1變形例相關之烘烤處 理程序之流程圖。首先，在晶圓1〇3上藉由旋轉塗佈形成 塗佈膜（含有溶劑之樹脂膜），將晶圓1〇3搬送至如圖3所示 之加熱處理裝置時，則在步驟S5〇1藉由控制部3〇〇之控 制，將腔室100之蓋101打開，在步驟35〇2將晶圓1〇3搬入 腔室100内。在步驟S503藉由控制部3〇〇之控制，複數支持 銷107以從下方支持晶圓1 〇3之狀態下降，腔室之蓋1 〇 i關 閉’在步驟S504開始進行烘V烤處理。 在烘烤處理中藉由控制部3〇〇之控制，來自氣體供給源 201之空氣（或NO經壓力調整機構202調整壓力、經溫度調 整機構2 0 3調整溫度之後，經由閥門2 〇 4從腔室上部之孔 1 05以特定流量供氣’並從腔室下部之複數孔1 〇6以特定流 量排氣。 此烘烤處理進行特定時間之後，在步驟S5〇5藉由控制部 300之控制，由溫度調整機構203調整向腔室1〇〇内供給之 氣體之溫度’使腔室100内之溫度緩慢降低。在步驟S506 藉由控制部300之控制，經過特定時間（腔室ι〇〇内之溫度 變得與外部空氣大致相等之時間）後’將腔室之蓋1〇丨打 開，使支持銷107上升，將晶圓103搬出。其後，藉由控制 部300之控制，調整溫度調整機構203，將向腔室ι〇〇内供 109860.doc -20· 1322453 給之氣體之溫度還原。 在步驟S507當下一晶圓103到達加熱處理裝置時，料由 控制部300之控制’在搬出處理完畢之此次之晶圓}们之同 時，將下一晶圓103搬入腔室100内，重複進行上述步驟 S502以後之處理。

在步驟S507當下一晶圓103尚未到達加熱處理裝置時， 在步驟S508藉由控制部300之控制，以關閉腔室之蓋1〇1之 狀態待機，直到下一晶圓103到來為止後，對下—晶圓1〇3 進行上述步驟S501以後之處理。 藉此，由於能夠降低腔室100内之急遽的溫度變化，因 此能夠減少因急遽冷卻所產生之粒子生成。由此，能夠降 低晶圓上之缺陷。此外’在上述實施形態中，在使支持銷 107上升之前改變供給氣體之溫度，然而在使支持銷i〇7上 升之後進行亦可獲得同樣之效果。上述步驟S5〇5中之溫度 調整最好使氣體之溫度高於溶劑之露點。

最後，使用經過上述處理之晶圓103製造半導體裝置。 圖8係顯示與本第2實施形態之第2變形例相關之烘烤處 理私序之流程圖。首先，在晶圓1 〇3上藉由旋轉塗佈形成 塗佈膜（含有溶劑之樹脂膜），將晶圓103搬送至如圖3所示 之加熱處理裝置時，則在步驟S601藉由控制部300之控 制’將腔室1〇〇之蓋101打開，在步驟S6〇2將晶圓1〇3搬入 腔室100内。在步驟S6〇3藉由控制部300之控制，複數支持 銷1 07以從下方支持晶圓i 〇3之狀態下降，關閉腔室之蓋 ’在步驟S604開始進行烘烤處理》 109860.doc 21 1322453 . 圖8係顯示與第2實施形態之第2變形例有關之烘烤處理 程序之流程圖。 圖9係顯示與第2實施形態之第3變形例有關之烘烤處理 裎序之流程圖。 • 圖10係顯示與第2實施形態之第3變形例有關之加熱處理 . 裝置之構造之側剖面圖。 【主要元件符號說明】 100 腔室 Φ 101 蓋 102 頂板 1021 開孔 103 晶圓 104 熱板 105 子L 106 孔 107 支持銷 108 • 搬送臂 201 氣體供給源 202 203 壓力調整機構 溫度調整機構 204 閥門 ' 205 206 207 溶劑氣氛製作機構 排氣量調整機構 排氣機構 300 控制部 109860.doc •25·

Claims (1)

1. 第095112014號專利申請案 中文申请專利範圍替換本(98年8月） 十、申請專利範圍： • i·—種基板處理方&，其係使用具有開閉機構之加熱處理 裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被 . 處理基板者， 、 • 在第1破處理基板之處理與第2被處理基板之處理之 間，在關閉前述開閉機構之狀態下，將包含前述第^皮 處理基板之膜中所含的溶劑之氣體向前述加熱處理裝置 φ 内供給，且 前述第1被處理基板之膜的種類和前述第2被處理基板 之膜的種類不同。 2·如請求項1之基板處理方法，其中前述氣體所含之·溶劑 之濃度為飽和濃度以下。 3. —種基板處理方法，其係使用具有開閉機構之加熱處理 裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被 處理基板者》 • 在第1被處理基板之處理與第2被處理基板之處理之 間，在關閉前述開閉機構之狀態下，加熱前述加熱處理 裝置内之頂板，以便使前述頂板附近之溫度不為前述溶 劑之露點以下，且 前述第1被處理基板之膜的種類和前述第2被處理基板 之膜的種類不同。 4. 一種基板處理方法，其係使用具有開閉機構之加熱處理 裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被 處理基板者ί 109860-980831.doc 在第1被處理基板之處理和第2被處理基板之處理之 間’在關閉前述開閉機構之狀態下，將流量高於前述加 熱處理時之氣體向前述加熱處理裝置内供給或排出，且 前述第1被處理基板之膜的種類和前述第2被處理基板 之膜的種類不同。 5. 一種基板處理方法，其係使用具有開閉機構之加熱處理 裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被 處理基板者， 在第1被處理基板之處理和第2被處理基板之處理之 間’在關閉前述開閉機構之狀態下，將溫度低於前述加 熱處理時之氣體向前述加熱處理裝置内供給且 前述第1被處理基板之膜的種類和前述第2被處理基板 之膜的種類不同。 6· 一種基板處理方法，其係使用具有_機構之加熱處理 裝置，^早片 <連續地加熱處自塗佈含有溶劑之膜之被 處理基板者，且 等月』it被處理基板搬入前述加熱處理裝置； 關閉前述開閉機構； μ "·>王〜札胆，一遭 别述被處理基板進行特定時間之加熱； 使前述供氣流量及前述排氣流量中之至少—方高於 理時之流量’將前述被處理基板在前述：熱 裝·置内保持特定時間； 打開前述開閉機構； 109860-98083 丨.doc 1322453 將刖述被處理基板從前述加熱處理裝置搬出。 7·—種基板處理方法，其係使用具有開閉機構之加熱處理 裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被 處理基板者，且 將如述被處理基板搬入前述加熱處理裝置； 關閉前述開閉機囀； 邊μ動特定之供氣流量、排氣流量之氣體，一邊對 前述被處理基板進行特定時間之加熱； 以特定時間降低前述氣體之溫度； 打開前述開閉機構； 將刖述被處理基板從前述加熱處理裝置搬出。 8. :請求項7之基板處理方法，其中前述氣體之溫度高於 前述溶劑之露點。 9. -種基板處理方法，其係使用具有開閉機構之加熱處理 裝置’以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被 處理基板者，且 將如述被處理基板搬入前述加熱處理裝置； 關閉前述開閉機構； 二一邊流動特定之供氣流量、排氣流量之氣體，一邊對 前述被處理基板進行特定時間之加熱； 一邊供給前述溶劑，一邊將前述被處理基板在前述加 熱處理裝置内保持特定時間； .打開前述開閉機構； 將前述被處理基板從前述加熱處理裝置搬出。 109860-980831.doc 1322453 1〇. —種基板處理方法，其传 裝置，以m、 使用具有開閉機構之加熱處理 處理基板者，2 ㈣4溶劑之膜之被 將如述被處理基板搬入前述加熱處理裝置； 關閉前述開閉機構； :前=皮處理基板加熱特定時間，並以特定供氣流量 及排軋& Ϊ流動預經加熱之氣體； 打開前述開閉機構； 將别述被處理基板從前述加熱處理裝置搬出。 Π.如請求項10之基板處 A 二 免王乃沄再中刖述氣體之溫度高於 前述溶劑之露點。 12. -種基板：理方法’其係使用具有開閉機構之加熱處理 裝置’以早片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被 處理基板者，且 將則述被處理基板搬入前述加熱處理裝置； 關閉前述開閉機構； .為了使前述加熱處理裝置内之頂板附近之溫度不為前 述〉谷劑之露點以下，一邊加熱前述頂板，一邊對前述被 處理基板進行特定時間之加熱； 打開前述開閉機構； 將前述被處理基板從前述加熱處理裝置搬出。 U· —種基板處理方法，其係使用具有開閉機構之加熱處理 裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被 處理基板者，且 109860-98083J.doc 1322453 將前述被處理基板搬人前述加熱處理裝置； 關閉前述開閉機構； 邊對 —邊流動特定之供氣流量、 里徘轧桃里之氣體， 别述破處理基板進行特定時間之加熱； 打開前述開閉機構； 二前述被處理基板用熱容量小之機械臂或加熱 ，皿又以上之機械臂從前述加熱處理裝置搬&。 . 14. 如請求項13之基板處理方法， 定”—么a 法以別述熱各量或前述特 '皿又°又疋為，S前述被處理基板載置於前述機械臂上 時前述被處理基板附近之氣體之溫度不為前述溶劑之露 點以下。 Μ <路 15. ^月求項13之基板處理方法，其中前述開閉機構 或腔室之蓋。 6.種半導體裝置之製造方法，其係使用經過處理之基板 製造半導體裝置，該基板係經過使用具有開閉機構：加 熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之 膜之被處理基板之處理者， 在第1被處理基板之處理與第2被處理基板之處理之 .間，在關閉前述開閉機構之狀態下，將包含前述第丨被 處理基板之膜中所含的溶劑之氣體向前述加熱處理裝置 内供給，且 前述第1被處理基板之膜的種類和前述第2被處理基板 之膜的種類不同。 17 種半‘體裝置之製造方法，其係使用經過處理之基板 109860-98083I.doc 製造半導體裝置’該基板係經過使用具有開閉機構之加 熱處理裝置’以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之 膜之被處理基板之處理者， 在第1被處理基板之處理與第2被處理基板之處理之 間，在關閉前述開閉機構之狀態下，加熱前述加熱處理 裝置内之頂板，以便使前述頂板附近之溫度不為前述溶 劑之露點以下，且 前述第1被處理基板之膜的種類和前述第2被處理基板 之膜的種類不同。 18. —種半導體裝置之製造方法，其係使用經過處理之基板 製造半導體裝置，該基板係經過使用具有開閉機構之加 熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之 膜之被處理基板之處理者， 在第1被處理基板之處理與第2被處理基板之處理之 間，在關閉前述開閉機構之狀態下，將流量高於前述加 熱處理時之氣體向前述加熱處理裝置内供給或排出且 前述第1被處理基板之膜的種類和前述第2被處理基板 之膜的種類不同。 19. 一種半導體裝置之製造方法，其係使用經過處理之基板 製造半導體裝置，該基板係經過使用具有開閉機構之加 熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之 膜之被處理基板之處理者， 在第1被處理基板之處理和第2被處理基板之處理之 間，在關閉前述開閉機構之狀態下，將溫度低於前述加 109860-980831.doc 1322453 熱處理時之氣體向前述加熱處理裝置内供給，且 前述第1被處理基板之膜的種類和前述第2被處理基板 之膜的種類不同。

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