CN1854907A - 基板处理方法以及半导体器件的制造方法 - Google Patents

基板处理方法以及半导体器件的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明的一种实施方式基板处理方法，是使用具有开闭机构的加热处理装置对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理的基板处理方法，其中，在第1被处理基板的处理与第2被处理基板的处理之间，在关闭上述开闭机构的状态下，向上述加热处理装置内供给含有被包含在上述第1被处理基板的膜中的溶剂的气体。

Description

基板处理方法以及半导体器件的制造方法
技术领域
本发明涉及在半导体制造中的光刻工序中所使用的涂敷显影处理装置的基板处理方法以及半导体器件的制造方法。
背景技术
在半导体集成电路的制造中的光刻工序中，按顺序利用涂敷显影处理装置对被处理基板实施反射防止膜的涂敷处理·烘干处理、抗蚀剂的涂敷处理·烘干处理，利用曝光装置通过掩模对形成在被处理基板上的抗蚀剂膜实施图形曝光处理，进一步利用涂敷显影处理装置实施曝光后的烘干处理、显影处理。
其中，在反射防止膜的涂敷处理和抗蚀剂的涂敷处理之后进行的烘干处理中，主要是使被涂敷的药液的溶剂散发到加热处理装置中，通过排气从装置内除去。但是，此时烘干温度高的反射防止膜不仅向装置内释放出溶剂，而且还释放出升华物，在排气不充分的情况下，会再次附着在被处理基板上，造成缺陷。为了防止这些问题的发生，通常所采取的措施是，充分地进行加热处理装置的排气，或者对于涂敷的材料，采用可抑制升华物的组成。
但是，近年来，在光刻工序中所使用的药液多样化，并且使用各种各样的溶剂，在同一加热处理装置中进行包含不同溶剂的材料的烘干。其结果将产生如下的问题，即例如在对作为相互发生反应的溶剂和材料的树脂进行加热的情况下，颗粒(微粒)析出并附着在被处理基板上，从而造成缺陷。
另外，在特开2004-172641号公报中公开了如下的基板处理装置，该基板处理装置使被导入烘干室内的气体通过形成在气体吹出板上的开口吹向基板，该气体吹出板由凸向或凹向基板的曲面状的板构成。
在特开2003-158064号公报中公开了一种使被导入烘干室内的气体通过形成在气体吹出板上的开口吹向基板的基板处理装置。
在特开平11-74261号公报中公开了一种方法，该方法包括这样的工序：在把聚硅氧烷涂敷液涂敷在基板上之后，在与该涂敷液中所包含的溶剂相同的溶剂的气氛中进行加热，然后一边加热一边将气氛逐渐置换成惰性气体。
发明内容
本发明的一种方式的基板处理方法，使用具有开闭机构的加热处理装置，对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理，其中，在第1被处理基板的处理与第2被处理基板的处理之间，在关闭上述开闭机构的状态下，向上述加热处理装置内供给含有被包含在上述第1被处理基板的膜中的溶剂的气体。
本发明的其它方式的基板处理方法，使用具有开闭机构的加热处理装置，对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理，其中，在第1被处理基板的处理与第2被处理基板的处理之间，在关闭上述开闭机构的状态下，以不使上述加热处理装置内的顶板附近的温度小于等于上述溶剂的露点的方式加热上述顶板。
本发明的其它方式的基板处理方法，使用具有开闭机构的加热处理装置，对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理，其中，在第1被处理基板的处理与第2被处理基板的处理之间，在关闭上述开闭机构的状态下，向上述加热处理装置内供给流量比上述加热处理时高的气体。
本发明的其它方式的基板处理方法，使用具有开闭机构的加热处理装置，对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理，其中，在第1被处理基板的处理与第2被处理基板的处理之间，在关闭上述开闭机构的状态下，向上述加热处理装置内供给温度比上述加热处理时低的气体。
本发明的其它方式的基板处理方法，使用具有开闭机构的加热处理装置，对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理，其中，把上述被处理基板搬入上述加热处理装置，关闭上述开闭机构，一边流过规定的供气流量、排气流量的气体，一边对上述被处理基板进行规定时间的加热，使上述供气流量和上述排气流量的至少一方高于上述加热处理时的流量，把上述被处理基板在上述加热处理装置中保持规定的时间，打开上述开闭机构，从上述加热处理装置中搬出上述被处理基板。
本发明的其它方式的基板处理方法，使用具有开闭机构的加热处理装置，对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理，其中，把上述被处理基板搬入上述加热处理装置，关闭上述开闭机构，一边流过规定的供气流量、排气流量的气体，一边对上述被处理基板进行规定时间的加热，对所述气体的温度进行规定的时间的降温，打开上述开闭机构，从上述加热处理装置中搬出上述被处理基板。
本发明的其它方式的基板处理方法，使用具有开闭机构的加热处理装置，对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理，其中，把上述被处理基板搬入上述加热处理装置，关闭上述开闭机构，一边流过规定的供气流量、排气流量的气体，一边对上述被处理基板进行规定时间的加热，一边供给上述溶剂，一边把上述被处理基板在上述加热处理装置内保持规定的时间，打开上述开闭机构，从上述加热处理装置中搬出上述被处理基板。
本发明的其它方式的基板处理方法，使用具有开闭机构的加热处理装置，对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理，其中，把上述被处理基板搬入上述加热处理装置，关闭上述开闭机构，一边供给加热的气体，一边对上述被处理基板进行规定时间的加热，打开上述开闭机构，从上述加热处理装置中搬出上述被处理基板。
本发明的其它方式的基板处理方法，使用具有开闭机构的加热处理装置，对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理，其中，把上述被处理基板搬入上述加热处理装置，关闭上述开闭机构，以不使上述加热处理装置内的顶板附近的温度下降到小于等于上述溶剂的露点的温度的方式，一边加热上述顶板，一边对上述被处理基板进行规定时间的加热，打开上述开闭机构，从上述加热处理装置中搬出上述被处理基板。
本发明的其它方式的基板处理方法，使用具有开闭机构的加热处理装置，对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理，其中，把上述被处理基板搬入上述加热处理装置，关闭上述开闭机构，一边流过规定的供气流量、排气流量的气体，一边对上述被处理基板进行规定时间的加热，打开上述开闭机构，利用热容量小的臂或被加热到大于等于规定的温度的臂，从上述加热处理装置中搬出上述被处理基板。
本发明的其它方式的半导体器件的制造方法，使用经过了如下处理的基板制造半导体器件，该处理是使用具有开闭机构的加热处理装置对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理，其中，在第1被处理基板的处理与第2被处理基板的处理之间，在关闭上述开闭机构的状态下，向上述加热处理装置内供给含有被包含在上述第1被处理基板的膜中的溶剂的气体。
本发明的其它方式的半导体器件的制造方法，使用经过了如下处理的基板制造半导体器件，该处理是使用具有开闭机构的加热处理装置对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理，其中，在第1被处理基板的处理与第2被处理基板的处理之间，在关闭上述开闭机构的状态下，以不使上述加热处理装置内的顶板附近的温度小于等于上述溶剂的露点的方式加热上述顶板。
本发明的其它方式的半导体器件的制造方法，使用经过了如下处理的基板制造半导体器件，该处理是使用具有开闭机构的加热处理装置对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理，其中，在第1被处理基板的处理与第2被处理基板的处理之间，在关闭上述开闭机构的状态下，向上述加热处理装置内供给或排出流量比上述加热处理时高的气体。
本发明的其它方式的半导体器件的制造方法，该方法使用经过了如下处理的基板制造半导体器件，该处理使用具有开闭机构的加热处理装置对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理，其中，在第1被处理基板的处理与第2被处理基板的处理之间，在关闭上述开闭机构的状态下，向上述加热处理装置内供给温度比上述加热处理时低的气体。
附图说明
图1是表示一般的加热处理装置的结构的侧剖面图。
图2是表示一般的烘干处理的顺序的流程图。
图3是表示第1实施方式的加热处理装置的结构的侧剖面图。
图4是表示第1实施方式的烘干处理的顺序的流程图。
图5是表示第1实施方式的变形例的烘干处理的顺序的流程图。
图6是表示第2实施方式的烘干处理的顺序的流程图。
图7是表示第2实施方式的第1变形例的烘干处理的顺序的流程图。
图8是表示第2实施方式的第2变形例的烘干处理的顺序的流程图。
图9是表示第1实施方式的第3变形例的烘干处理的顺序的流程图。
图10是表示第2实施方式的第3变形例的加热处理装置的结构的侧剖面图。
具体实施方式
下面，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。
在半导体集成电路的制造中的光刻工序中，按照顺序，利用涂敷显影处理装置对被处理基板(半导体基板)实施反射防止膜的涂敷处理·烘干处理、抗蚀剂的涂敷处理·烘干处理，利用曝光装置通过掩模，对形成在被处理基板上的抗蚀剂膜实施图形曝光处理、进一步利用涂敷显影处理装置实施曝光后的烘干处理、显影处理。
在本第1实施方式中，对在同一加热处理装置(烘干单元)中对有机反射防止膜和SOG(旋涂玻璃：Spin on Glass)膜实施烘干处理的情况进行说明。在有机反射防止膜的药液中含有的溶剂与在SOG膜的药液中所含有的溶剂为不同的种类。
图1是表示在有机反射防止膜和SOG膜的烘干处理中所使用的一般的加热处理装置的结构的侧剖面图。在烘干室100的上部设有盖101，在烘干室100内的上方设有顶板102。在盖101的中央设有孔105，在顶板102上，例如呈螺旋状或放射状地设有多个开孔1021。在放置晶片(半导体基板)103的烘干室100下部的热板104上埋入设置有可上升/下降的多个支撑销107，在烘干室100内的下部的端部上设有多个孔106。
图2是表示一般的烘干处理的顺序的流程图。如果首先通过旋转涂敷在晶片103上形成涂敷膜(包含有溶剂的树脂膜)，把晶片103送到上述的加热处理装置中，则在步骤S101，打开烘干室100的盖101，在步骤S102，把晶片103搬入烘干室100内。在步骤S103，使多个支撑销107从下方支撑晶片103，并在此状态下使其下降，关闭烘干室的盖101，在步骤S104，开始烘干处理。
在烘干处理中，从外部通过烘干室上部的孔105供给空气(或N2)，从烘干室下部的多个孔106排气。在进行了规定时间的烘干处理后，在步骤S105，打开烘干室的盖101，使支撑销107上升，在步骤S106，搬出晶片103。
在步骤S107，在下一个晶片103来到加热处理装置的情况下，在把完成处理的晶片103搬出的同时把下一个晶片103搬入烘干室100内，然后重复上述步骤S102以后的处理。在步骤S107，在下一个晶片103还未来到加热处理装置的情况下，在步骤S108，以关闭了烘干室的盖101的状态等待下一个晶片103的到来，在到来后，对下一个晶片103进行上述步骤S101以后的处理。
在一般的加热处理装置中，对有机反射防止膜和SOG膜按照图2所示的顺序反复进行处理。在按照这样的顺序进行了晶片的一定片数的处理后，从某个时期开始，产生了在烘干处理有机反射防止膜时在晶片上发生缺陷的问题。经调查的结果表明，其原因是在加热处理装置内的顶板102上附着了SOG膜的升华物，该SOG与有机反射防止膜的溶剂凝集而成为颗粒，并附着到晶片上。以下，对用于解决该问题的装置和处理方法进行说明。
针对上述的问题，使用图3所示的加热处理装置，进行如下的处理(在1个晶片的处理与下一个晶片的处理之间进行的处理)。
图3是表示本第1实施方式的单个的加热处理装置的结构的侧剖面图。在图3中，对于与图1相同的部分标记相同的符号。在烘干室100的上部设有盖101(开闭机构)，在烘干室100的上方设有顶板102。在盖101的中央设有孔105，在顶板102上例如呈螺旋状或放射状地设有多个开孔1021。在承载晶片(半导体基板、被处理基板)103的烘干室100下部的热板104上埋入设置有可上升下降的多个支撑销107，在烘干室100内下部的端部上设有多个孔106。
而且，气体供给源201通过配管与压力调整机构202、温度调整机构203、以及阀204连接，并且溶剂气氛生成机构205与阀204连接。各个孔106通过排气量调整机构206与排气机构207连接。气体供给源201、压力调整机构202、温度调整机构203、阀204、溶剂气氛生成机构205、排气量调整机构206、以及排气机构207与由计算机构成的控制部300连接。
图4是表示本第1实施方式的烘干处理的顺序的流程图。首先，通过旋转涂敷，在晶片103上形成涂敷膜(包含有溶剂的树脂膜)，在把晶片103送到上述的加热处理装置中后，在步骤S201，通过控制部300的控制打开烘干室100的盖101，在步骤S202中，把晶片103搬入烘干室100内。在步骤S203，通过控制部300的控制，使多个支撑销107从下方支撑晶片103，并在此状态下使其下降，关闭烘干室的盖101，在步骤S204，开始烘干处理。
在烘干处理中，通过控制部300的控制，来自气体供给源201的空气(或N2)，由压力调整机构202调整其压力，由温度调整机构203调整其温度，然后通过阀204从烘干室上部的孔105，以规定的流量进行供气，并从烘干室下部的多个孔106以规定的流量进行排气。
在进行了规定时间的烘干处理后，在步骤S205，通过控制部300的控制，打开烘干室的盖101，使支撑销107上升，在步骤S206，搬出晶片103。
在步骤S207，在下一个晶片103上的膜的种类与本次的晶片103上的膜的种类相同，且在步骤S208，下一个晶片103来到了加热处理装置的情况下，通过控制部300的控制，在搬出本次的已完成处理的晶片103的同时把下一个晶片103搬入到烘干室100内，然后重复进行上述步骤S202以后的处理。
在步骤S207，在下一个晶片103上的膜的种类与本次的晶片103上的膜的种类不同的情况下，通过控制部300的控制，在步骤S209，以关闭烘干室的盖101的状态等待下一个晶片103的到来，在到来后，在步骤S210，利用溶剂气氛生成机构205把与完成处理的本次的晶片103上的膜所包含的溶剂相同的溶剂包含在空气(或N2)中。
然后，通过控制部300的控制，对下一个晶片103进行上述步骤S201以后的处理。
在步骤S208，在下一个晶片103还未来到加热处理装置的情况下，在步骤S211，通过控制部300的控制，以关闭了烘干室的盖101的状态等待下一个晶片103的到来，在到来后，对下一个晶片103进行上述步骤S201以后的处理。
这样，在下一个晶片103上的膜的种类与本次的晶片103上的膜的种类不同的情况下，通过使在处理本次的晶片103时附着在顶板102上的升华物溶解在由溶剂气氛生成机构205供给的溶剂气氛中，并从孔106进行排气，可除去在下一个晶片103的处理时成为形成颗粒的原因的物质。由此，可减少下一个晶片103上的缺陷。另外，在上述的实施方式中，是在每次改变晶片103上的膜种类时供给溶剂气氛，但也可以与膜种类无关地对每个晶片103供气。
最后，使用经过了上述处理的晶片103制造半导体器件。
图5表示本第1实施方式的变形例的烘干处理的顺序的流程图。首先，通过旋转涂敷，在晶片103上形成涂敷膜(包含有溶剂的树脂膜)，在把晶片103送到图3所示的加热处理装置中后，在步骤S301，通过控制部300的控制打开烘干室100的盖101，在步骤S302中，把晶片103搬入烘干室100内。在步骤S303，通过控制部300的控制，使多个支撑销107从下方支撑晶片103，并在此状态下使其下降，关闭烘干室的盖101，在步骤S304，开始烘干处理。
在烘干处理中，通过控制部300的控制，来自气体供给源201的空气(或N2)，由压力调整机构202调整其压力，由温度调整机构203调整其温度，然后通过阀204从烘干室上部的孔105，以规定的流量进行供气，并从烘干室下部的多个孔106以规定的流量进行排气。
在进行了规定时间的烘干处理后，在步骤S305，通过控制部300的控制，调整溶剂气氛生成机构205，通过阀204，从烘干室上部的孔105供给包含有溶剂的气体，并从烘干室下部的多个孔106排气。在步骤306，通过控制部300的控制，在经过了规定的时间后，打开烘干室的盖101，使支撑销107上升，搬出晶片103。然后，通过控制部300的控制，调整溶剂气氛生成机构205，将供给的气体还原到原来的气体。
在步骤S307，在下一个晶片103来到了加热处理装置的情况下，通过控制部300的控制，在搬出本次的已完成处理的晶片103的同时把下一个晶片103搬入到烘干室100内，然后重复进行上述步骤S302以后的处理。
在步骤S307，在下一个晶片103还未来到加热处理装置的情况下，在步骤S308，通过控制部300的控制，以关闭烘干室的盖101的状态等待下一个晶片103的到来，在到来后，对下一个晶片103进行上述步骤S301以后的处理。
这样，在烘干处理之后且在打开烘干室的盖101之前，利用溶剂气氛生成机构205使空气中包含处理对象的晶片103的膜所包含的溶剂，并导入烘干室100内，进行规定时间的烘干处理。另外，上述实施方式中，关于空气中所包含的溶剂的浓度，希望小于等于饱和浓度，以便没有溶剂的析出。
最后，使用经过了上述处理的晶片103制造半导体器件。
本第1实施方式中，在逐个连续地进行晶片103的加热处理时，在一个晶片的处理与下一个晶片的处理之间，通过对加热处理装置进行包含有溶剂的气体的供气和排气，来除去了成为形成颗粒的原因的物质，但也可以在一个晶片的处理与下一个晶片的处理之间在关闭烘干室的该101的状态下加热顶板102，使附着在顶板102上的物质升华，通过排气进行回收。在这种情况下，为了防止再析出，希望顶板102附近的温度不小于等于溶剂的露点温度。
另外，作为其它的实施方式，也可以在一个晶片的处理与下一个晶片的处理之间以高排气量进行排气，由此除去成为形成颗粒的原因的物质。另外，也可以通过供给比烘干处理时的温度高的温度的气体，使成为形成颗粒的原因的物质升华，并通过排气进行回收。在这种情况下，为了提高回收效率，也可以使排气量高于通常的基板加热处理时的排气量。
另外，在本第1实施方式中，对有机反射防止膜和SOG膜的烘干处理的示例进行了说明，但同样也适用于在对任意一方进行烘干处理时由于升华物形成颗粒而成为问题的情况。另外，在上述实施方式中，使加热处理装置的烘干室100的盖101进行开闭动作，但也可以取代此而使加热处理装置的未图示的闸门进行开闭动作。
在第1实施方式中，说明了在把SOG膜和有机反射防止膜利用同一加热处理装置进行处理的情况下，通过在一个晶片的处理与下一个晶片的处理之间添加附加的处理，来防止成为问题的颗粒的附着的示例。而本第2实施方式中，是通过在晶片的烘干处理中采取应对措施，来防止在对有机反射防止膜进行烘干处理时的成为问题的颗粒的附着。
在使用图1所示的一般的加热处理装置，按照图2所示的顺序，进行了一定次数的有机反射防止膜的处理后，从某个时期开始，在对有机反射防止膜进行烘干处理时，产生了在晶片上附着颗粒的问题。通过调查的结果，其原因是，在顶板102上附着有机反射防止膜的升华物，该附着物与有机反射防止膜的溶剂以及升华物凝集，形成颗粒，并附着在晶片上。以下，对用于解决该问题的装置和处理方法进行说明。
图6是表示本第2实施方式的烘干处理的顺序的流程图。首先，通过旋转涂敷，在晶片103上形成涂敷膜(包含有溶剂的树脂膜)，在把晶片103送到图3所示的加热处理装置中后，在步骤S401，通过控制部300的控制打开烘干室100的盖101，在步骤S402，把晶片103搬入烘干室100内。在步骤S403，通过控制部300的控制，使多个支撑销107从下方支撑晶片103，并在此状态下使其下降，关闭烘干室的盖101，在步骤S404，开始烘干处理。
在烘干处理中，通过控制部300的控制，来自气体供给源201的空气(或N2)，由压力调整机构202调整其压力，由温度调整机构203调整其温度，然后通过阀204从烘干室上部的孔105，以规定的流量进行供气，并从烘干室下部的多个孔106以规定的流量进行排气。
在进行了规定时间的烘干处理后，在步骤S405，通过控制部300的控制，调整气体供给源201，增加供气量和排气量的至少一方。在步骤S406，通过控制部300的控制，在经过了规定的时间后，打开烘干室的盖101，使支撑销107上升，搬出晶片103。然后，通过控制部300的控制，调整气体供给源201，将供气量·排气量还原。
在步骤S407，在下一个晶片103没有来到加热处理装置的情况下，通过控制部300的控制，在搬出本次的已完成处理的晶片103的同时把下一个晶片103搬入到烘干室100内，然后重复进行上述步骤S402以后的处理。
在步骤S407，在下一个晶片103还未来到加热处理装置的情况下，在步骤S408，通过控制部300的控制，以关闭烘干室的盖101的状态等待下一个晶片103的到来，在到来后，对下一个晶片103进行上述步骤S401以后的处理。
这样，通过在处理的后半阶段提高供气·排气量，可除去在晶片处理的前半阶段所产生的物质。而且，由于在处理的前半阶段未提高排气量，所以可在保持烘干室内的温度的均匀性的状态下进行处理。从而可在保持温度的均匀性的状态下减少晶片上的缺陷。另外，在上述是实施方式中，是在使支撑销107上升之前增加供气·排气量，但在支撑销107上升之后进行，也可以获得同样的效果。
最后，使用经过了上述处理的晶片103制造半导体器件。
图7是表示本第2实施方式的第1变形例的烘干处理的顺序的流程图。首先，通过旋转涂敷，在晶片103上形成涂敷膜(包含有溶剂的树脂膜)，在把晶片103送到图3所示的加热处理装置中后，在步骤S501，通过控制部300的控制打开烘干室100的盖101，在步骤S502，把晶片103搬入烘干室100内。在步骤S503，通过控制部300的控制，使多个支撑销107从下方支撑晶片103，并在此状态下使其下降，关闭烘干室的盖101，在步骤S504，开始烘干处理。
在烘干处理中，通过控制部300的控制，来自气体供给源201的空气(或N2)，由压力调整机构202调整其压力，由温度调整机构203调整其温度，然后通过阀204从烘干室上部的孔105，以规定的流量进行供气，并从烘干室下部的多个孔106以规定的流量进行排气。
在进行了规定时间的烘干处理后，在步骤S505，通过控制部300的控制，利用温度调整机构203调整向烘干室100内供给的气体的温度，使烘干室100内的温度逐渐下降。在步骤S506，通过控制部300的控制，在经过了规定的时间(使烘干室100内的温度变为与外部大气温度几乎相等的时间)后，打开烘干室的盖101，使支撑销107上升，搬出晶片103。然后，通过控制部300的控制，调整温度调整机构203，将使向烘干室100内供给的气体的温度还原。
在步骤S507，在下一个晶片103来到了加热处理装置的情况下，通过控制部300的控制，在搬出本次的已完成处理的晶片103的同时把下一个晶片103搬入到烘干室100内，然后重复进行上述步骤S502以后的处理。
在步骤S507，在下一个晶片103还未来到加热处理装置的情况下，在步骤S508，通过控制部300的控制，以关闭烘干室的盖101的状态等待下一个晶片103的到来，在到来后，对下一个晶片103进行上述步骤S501以后的处理。
这样，由于可减小烘干室100内的温度的急剧变化，所以可减少因积聚的冷却而导致的颗粒的形成。由此，可减少晶片上的缺陷。另外，在上述是实施方式中，是在使支撑销107上升之前使供气温度变化，但在支撑销107上升之后进行，也可以获得同样的效果。关于上述步骤S505的温度调整，希望将气体的温度调整为比溶剂的露点高的温度。
最后，使用经过了上述处理的晶片103制造半导体器件。
图8是表示本第2实施方式的第2变形例的烘干处理的顺序的流程图。首先，通过旋转涂敷，在晶片103上形成涂敷膜(包含有溶剂的树脂膜)，在把晶片103送到图3所示的加热处理装置中后，在步骤S601，通过控制部300的控制打开烘干室100的盖101，在步骤S602，把晶片103搬入烘干室100内。在步骤S603，通过控制部300的控制，使多个支撑销107从下方支撑晶片103，并在此状态下使其下降，关闭烘干室的盖101，在步骤S604，开始烘干处理。
在烘干处理中，通过控制部300的控制，来自气体供给源201的空气(或N2)，由压力调整机构202调整其压力，并由温度调整机构203加热后，通过阀204从烘干室上部的孔105，以规定的流量进行供气，并从烘干室下部的多个孔106以规定的流量进行排气。
在进行了规定时间的烘干处理后，在步骤S605，通过控制部300的控制，打开烘干室的盖101，使支撑销107上升，搬出晶片103。
在步骤S606，在下一个晶片103来到了加热处理装置的情况下，通过控制部300的控制，在搬出本次的已完成处理的晶片103的同时把下一个晶片103搬入到烘干室100内，然后重复进行上述步骤S602以后的处理。
在步骤S606，在下一个晶片103还未来到加热处理装置的情况下，在步骤S607，通过控制部300的控制，以关闭烘干室的盖101的状态等待下一个晶片103的到来，在到来后，对下一个晶片103进行上述步骤S601以后的处理。
另外，上述加热的空气(或N2)的温度希望是比溶剂的露点高的温度。由于通过导入该温度的气体，使烘干室100内的气体的温度不会下降到小于等于溶剂的露点的温度，所以可减少颗粒的产生。从而可减少晶片上的缺陷。
最后，使用经过了上述处理的晶片103制造半导体器件。
图9是表示本第2实施方式的第3变形例的烘干处理的顺序的流程图。首先，通过旋转涂敷，在晶片103上形成涂敷膜(包含有溶剂的树脂膜)，在把晶片103送到图3所示的加热处理装置中后，在步骤S701，通过控制部300的控制打开烘干室100的盖101，在步骤S702，把晶片103搬入烘干室100内。在步骤S703，通过控制部300的控制，使多个支撑销107从下方支撑晶片103，并在此状态下使其下降，关闭烘干室的盖101，在步骤S704，开始烘干处理。
在烘干处理中，通过控制部300的控制，来自气体供给源201的空气(或N2)，由压力调整机构202调整其压力，由温度调整机构203调整其温度，然后通过阀204从烘干室上部的孔105，以规定的流量进行供气，并从烘干室下部的多个孔106以规定的流量进行排气。
在进行了规定时间的烘干处理后，在步骤S705，如图10所示，通过控制部300的控制，打开烘干室的盖101，使支撑销107上升，在步骤S706，利用热容量小的臂108搬出晶片103。
在步骤S707，在下一个晶片103来到了加热处理装置的情况下，通过控制部300的控制，在搬出本次的已完成处理的晶片103的同时把下一个晶片103搬入到烘干室100内，然后重复进行上述步骤S702以后的处理。
在步骤S707，在下一个晶片103还未来到加热处理装置的情况下，在步骤S708，通过控制部300的控制，以关闭烘干室的盖101的状态等待下一个晶片103的到来，在到来后，对下一个晶片103进行上述步骤S701以后的处理。
另外，上述臂的热容量希望是，在臂上承载了晶片103时，使晶片103附近的气体的温度不会下降到溶剂的露点以下。为了使上述温度不下降到露点以下，也可以使用被加热到规定温度以上的臂。这样，由于晶片103附近的温度不下降到小于等于溶剂的露点的温度，所以可减少颗粒的生成。从而可减少晶片上的缺陷。
最后，使用经过了上述处理的晶片103制造半导体器件。
另外，在本第2实施方式中，说明了在逐个连续地对晶片进行加热处理时，只加热有机反射防止膜的加热处理装置的示例，但也可以适用于在对多种类的膜进行处理的加热处理装置中，因升华物形成颗粒而造成问题的情况。另外，在上述实施方式中是使加热处理装置的烘干室100的盖101进行开闭动作，但也可以取代此而使加热处理装置的未图示的闸门进行开闭动作。
另外，对于本领域的技术人员来说，可以很容易地进行其它改进和变更，因此，本发明不限于上述的具体实施方式，在由本发明的权利要求所限定的本发明的主导技术思想的范围内，可以进行各种变化。

Claims (20)

1.一种基板处理方法，是使用具有开闭机构的加热处理装置对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理的基板处理方法，其中，
在第1被处理基板的处理与第2被处理基板的处理之间，在关闭上述开闭机构的状态下，向上述加热处理装置内供给含有被包含在上述第1被处理基板的膜中的溶剂的气体。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，上述气体中含有的溶剂的浓度小于等于饱和浓度。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，上述第1被处理基板的膜的种类与上述第2被处理基板的膜的种类不同。
4.一种基板处理方法，是使用具有开闭机构的加热处理装置对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理的基板处理方法，其中，
在第1被处理基板的处理与第2被处理基板的处理之间，在关闭上述开闭机构的状态下，以不使上述加热处理装置内的顶板附近的温度小于等于上述溶剂的露点的方式加热上述顶板。
5.一种基板处理方法，是使用具有开闭机构的加热处理装置对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理的基板处理方法，其中，
在第1被处理基板的处理与第2被处理基板的处理之间，在关闭上述开闭机构的状态下，向上述加热处理装置内供给或排出流量比上述加热处理时高的气体。
6.一种基板处理方法，是使用具有开闭机构的加热处理装置对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理的基板处理方法，其中，
在第1被处理基板的处理与第2被处理基板的处理之间，在关闭上述开闭机构的状态下，向上述加热处理装置内供给温度比上述加热处理时低的气体。
7.一种基板处理方法，是使用具有开闭机构的加热处理装置对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理的基板处理方法，包括：
把上述被处理基板搬入上述加热处理装置，
关闭上述开闭机构，
一边流过规定的供气流量、排气流量的气体，一边对上述被处理基板进行规定时间的加热，
使上述供气流量和上述排气流量的至少一方高于上述加热处理时的流量，把上述被处理基板在上述加热处理装置中保持规定的时间，
打开上述开闭机构，
从上述加热处理装置中搬出上述被处理基板。
8.一种基板处理方法，是使用具有开闭机构的加热处理装置对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理的基板处理方法，包括：
把上述被处理基板搬入上述加热处理装置，
关闭上述开闭机构，
一边流过规定的供气流量、排气流量的气体，一边对上述被处理基板进行规定时间的加热，
对所述气体的温度进行规定的时间的降温，
打开上述开闭机构，
从上述加热处理装置中搬出上述被处理基板。
9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其中，上述气体的温度是比上述溶剂的露点高的温度。
10.一种基板处理方法，是使用具有开闲机构的加热处理装置对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理的基板处理方法，包括：
把上述被处理基板搬入上述加热处理装置，
关闭上述开闭机构，
一边流过规定的供气流量、排气流量的气体，一边对上述被处理基板进行规定时间的加热，
一边供给上述溶剂，一边把上述被处理基板在上述加热处理装置内保持规定的时间，
打开上述开闭机构，
从上述加热处理装置中搬出上述被处理基板。
11.一种基板处理方法，是使用具有开闭机构的加热处理装置对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理的基板处理方法，包括：
把上述被处理基板搬入上述加热处理装置，
关闭上述开闭机构，
一边供给加热的气体，一边对上述被处理基板进行规定时间的加热，
打开上述开闭机构，
从上述加热处理装置中搬出上述被处理基板。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中，上述气体的温度是比上述溶剂的露点高的温度。
13.一种基板处理方法，是使用具有开闭机构的加热处理装置对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理的基板处理方法，包括：
把上述被处理基板搬入上述加热处理装置，
关闭上述开闭机构，
以不使上述加热处理装置内的顶板附近的温度下降到小于等于上述溶剂的露点的温度的方式，一边加热上述顶板，一边对上述被处理基板进行规定时间的加热，
打开上述开闭机构，
从上述加热处理装置中搬出上述被处理基板。
14.一种基板处理方法，是使用具有开闭机构的加热处理装置对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理的基板处理方法，包括：
把上述被处理基板搬入上述加热处理装置，
关闭上述开闭机构，
一边流过规定的供气流量、排气流量的气体，一边对上述被处理基板进行规定时间的加热，
打开上述开闭机构，
利用热容量小的臂或被加热到大于等于规定的温度的臂，从上述加热处理装置中搬出上述被处理基板。
15.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中，上述热容量或上述规定的温度被设定成，在上述被处理基板被承载在上述臂上时使上述被处理基板附近的气体的温度不下降到小于等于上述溶剂的露点的温度。
16.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中，上述开闭机构是闸门或烘干室的盖。
17.一种半导体器件的制造方法，该方法使用经过了如下处理的基板制造半导体器件，该处理使用具有开闭机构的加热处理装置对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理，其中，
在第1被处理基板的处理与第2被处理基板的处理之间，在关闭上述开闭机构的状态下，向上述加热处理装置内供给含有被包含在上述第1被处理基板的膜中的溶剂的气体。
18.一种半导体器件的制造方法，该方法使用经过了如下处理的基板制造半导体器件，该处理使用具有开闭机构的加热处理装置对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理，其中，
在第1被处理基板的处理与第2被处理基板的处理之间，在关闭上述开闭机构的状态下，以不使上述加热处理装置内的顶板附近的温度小于等于上述溶剂的露点的方式加热上述顶板。
19.一种半导体器件的制造方法，该方法使用经过了如下处理的基板制造半导体器件，该处理使用具有开闭机构的加热处理装置对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理，其中，
在第1被处理基板的处理与第2被处理基板的处理之间，在关闭上述开闭机构的状态下，向上述加热处理装置内供给或排出流量比上述加热处理时高的气体。
20.一种半导体器件的制造方法，该方法使用经过了如下处理的基板制造半导体器件，该处理使用具有开闭机构的加热处理装置对涂敷了包含有溶剂的膜的被处理基板逐个连续地进行加热处理，其中，
在第1被处理基板的处理与第2被处理基板的处理之间，在关闭上述开闭机构的状态下，向上述加热处理装置内供给温度比上述加热处理时低的气体。
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